KR101520581B1 - 스위치드 플로팅 기술을 이용한 ldmos rf 스위치 - Google Patents

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백동현
윤선우
이정윤
김영진
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중앙대학교 산학협력단
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Abstract

LDMOS 트랜지스터를 이용한 RF 스위치가 개시된다. 개시된 RF 스위치는 직렬 연결된 N(1 이상의 정수임)개의 LDMOS 트랜지스터; 및 N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 게이트 전극과 연결되는 N개의 가변 저항;을 포함하되, 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 첫번째 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 신호단과 연결된다.

Description

스위치드 플로팅 기술을 이용한 LDMOS RF 스위치{LDMOS RF switch using Switched floating technique}
본 발명의 실시예들은 LDMOS(Lateral Double diffused MOS) 트랜지스터를 이용하여 RF 신호를 스위칭시키는 스위칭 소자에 관한 것이다.
RF 스위치는 RF 신호를 제1 신호단에서 제2 신호단으로 스위칭하는 소자를 의미한다.
도 1은 종래의 RF 스위치의 구조를 도시한 도면이다. 종래의 RF 스위치는 게이트(gate) 전극과 바디(body) 전극에 저항을 연결함으로써 게이트 전극과 바디 전극을 플로팅(floating) 시켜서 소스 전극과 드레인 전극으로 들어오는 신호를 최대한 손실없이 반대쪽으로 전달하게 한다.
도 2는 도 1의 종래의 RF 스위치가 온되었을 때의 동작을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 게이트 저항과 바디 바이어스 저항이 매우 큰 값을 가지게 되면 RF 스위치의 기생 캐퍼시턴스는 신호가 지나가는 경로에 영향을 전혀 주지 않게 된다. 따라서 RG와 RB는 기생 캐퍼시턴스에 비해 큰 값을 가지고 있어야 하며, Ron이 작을 수록 신호의 손실이 적다.
또한, 도 3은 도 1의 종래의 RF 스위치가 오프되었을 때의 동작을 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 스위치의 Roff 저항이 크기 때문에 입력신호는 게이트의 기생 캐퍼시턴스나 바디 다이오드를 통해서 전달된다. 따라서, 기생 캐패시턴스가 작을수록 신호가 통과하는 것을 막을 수 있다(이 때의 기생 캐패시턴스를 Coff로 정의함).
도 4는 종래의 RF 스위치의 스택 구조의 개념을 도시한 도면으로, 도 4의 (a)는 파워 핸들링 캐퍼빌리티(power handling capability)를 늘리기 위해 스택을 여러 개 쌓는 도면이고, 도 4의 (b)는 RF 스위치가 오프된 상태에서 파괴 전압(breakdown voltage)를 넘지 않게 큰 신호를 분배하기 위해 스택을 쌓는다.
한편, LDMOS(Lateral Double diffused MOS) 트랜지스터는 다수 캐리어 소자로서 빠른 스위칭 응답, 높은 입력 임피던스를 갖는 대표적인 수평형 전력소자로서, 드레인 전극이 소소 전극보다 파괴 전압(Breakdown Voltage)가 훨씬 큰 값을 가지는 장점을 가지고 있다.
그러나, LDMOS 트랜지스터는 RF 스위치에는 사용되고 있지 않다. 즉, 스위칭 소자가 켜졌을 때 Ron 저항과 Coff(off capacitance) 값이 높아서 위치로서의 특성이 좋지 않은 단점이 있기 때문이다.
상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 LDMOS(Lateral Double diffused MOS) 트랜지스터를 이용하여 RF 신호를 스위칭시키는 스위칭 소자를 제안하고자 한다.
본 발명의 다른 목적들은 하기의 실시예를 통해 당업자에 의해 도출될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 제1 신호단의 RF 신호를 제2 신호단으로 스위칭하는 RF 스위치에 있어서, 직렬 연결된 N(1 이상의 정수임)개의 LDMOS 트랜지스터; 및 N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 게이트 전극과 연결되는 N개의 가변 저항;을 포함하되, 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 첫번째 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 신호단과 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치가 제공된다.
상기 N개의 가변 저항 각각은 저항값 A 및 저항값 B 중 하나의 저항값을 가지고, 상기 저항값 A는 상기 저항값 B보다 크되, 상기 N개의 가변 저항 각각의 저항값이 상기 저항값 A를 가지는 경우, 상기 RF 스위치는 온되고, 상기 N개의 가변 저항 각각의 저항값이 상기 저항값 B를 가지는 경우, 상기 RF 스위치는 오프될 수 있다.
상기 N개의 가변 저항 각각은, 제1 저항; 및 상기 제1 저항과 병렬 연결된 스위치;를 포함하되, 상기 스위치의 일단 및 상기 제1 저항의 일단은 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되고, 상기 스위치의 타단 및 상기 제1 저항의 타단은 제1 전압단과 연결되며, 상기 스위치의 온/오프를 제어하기 위한 제2 전압단이 상기 스위치로 연결될 수 있다.
상기 제1 전압단에 하이레벨 전압이 인가되고 상기 제2 전압단에 로우레벨 전압이 인가되는 경우, 상기 스위치는 오프되고 상기 가변 저항은 상기 제1 저항의 저항값인 상기 저항값 A를 가지고, 상기 RF 스위치는 온되고, 상기 제1 전압단에 로우레벨 전압이 인가되고 상기 제2 전압단에 하이레벨 전압이 인가되는 경우, 상기 스위치는 온되고 상기 가변 저항은 상기 저항값 B를 가지고, 상기 RF 스위치는 오프될 수 있다.
상기 스위칭 소자는, 제2 LDMOS 트랜지스터; 상기 제2 LDMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 연결되는 제1 캐패시터; 및 상기 제2 LDMOS 트랜지스터의 바디 전극과 소스 전극 사이에 연결되는 제1 캐패시터;를 포함할 수 있다.
상기 N개의 LDMOS 트랜지스터가 2개 이상인 경우, 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 마지막 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제2 신호단과 연결될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 신호단의 RF 신호를 제2 신호단으로 스위칭하는 RF 스위치에 있어서, 직렬 연결된 N(1 이상의 정수임)개의 LDMOS 트랜지스터; 및 N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 바디 전극과 연결되는 N개의 가변 저항;을 포함하되, 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 첫번째 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 신호단과 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치가 제공된다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 제1 신호단의 RF 신호를 제2 신호단으로 스위칭하는 RF 스위치에 있어서, 직렬 연결된 N(1 이상의 정수임)개의 LDMOS 트랜지스터; N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 게이트 전극과 연결되는 N개의 제1 가변 저항; 및 N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 바디 전극과 연결되는 N개의 제2 가변 저항;을 포함하되, 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 첫번째 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 신호단과 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치가 제공된다.
본 발명에 따른 LDMOS 트랜지스터를 이용한 스위칭 소자는 기존의 스위치보다 높은 파괴 전압을 가지므로, 스택(stack)을 많이 쌓을 필요가 없으며, 상대적으로 작은 사이즈로 설계할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 LDMOS 트랜지스터를 이용한 스위칭 소자는 LDMOS 트랜지스터의 드래인 전극을 소스 전극 쪽에 비해 높은 신호가 걸리도록 해서 높은 선형성에도 강하게 설계할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 LDMOS 트랜지스터를 이용한 스위칭 소자는 스위치 오프 상태에서 게이트 전극과 바디 전극의 저항을 줄이기 때문에 신호가 원치 않게 넘어가는 것을 막을 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래의 RF 스위치의 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 종래의 RF 스위치가 온되었을 때의 동작을 도시한 도면이다.
도 3은 도 1의 종래의 RF 스위치가 오프되었을 때의 동작을 도시한 도면이다.
도 4는 종래의 RF 스위치의 스택 구조의 개념을 도시한 도면이다.
도 5 및 도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치의 상세한 구성을 도시한 도면이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치를 이용한 송신부에서의 신호 흐름을 설명하기 위한 도면이다.
도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치를 이용한 통신장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
이하에서, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치의 상세한 구성을 도시한 도면이다.
도 5을 참조하면, 본 발명에 일 실시예에 따른 RF 스위치(500)는 직렬 연결된 N(1 이상의 정수임)개의 LDMOS(Lateral Double diffused MOS) 트랜지스터(MLD1, MLD2)를 포함한다.
도 5에서는 직렬 연결된 LDMOS 트랜지스터가 2개인 것으로 도시하였으나, 이는 본 발명의 일 실시예에 불과한 것으로서, 하나의 LDMOS 트랜지스터가 포함될 수도 있고, 3개 이상의 LDMOS 트랜지스터가 포함될 수도 있다.
이 때, N개의 LDMOS 트랜지스터 중 첫번째 LDMOS 트랜지스터(MLD1)의 드레인 전극은 제1 신호단과 연결될 수 있다. 즉, LDMOS 트랜지스터는 앞서 설명한 바와 같이 드래인 전극이 소스 전극보다 파괴 전압(breakdown voltage)이 훨씬 큰 장점을 가지고 있고, 제1 신호단이 입력단인 경우, 드래인 전극 쪽에 소스 전극 쪽보다 높은 신호가 걸리도록 하면 많은 스택을 쌓지 않고서도(일례로, 도 5에 도시된 바와 같은 2개의 스택) 높은 선형성을 가질 수 있는 장점이 있다.
그리고, 본 발명에 일 실시예에 따른 RF 스위치(500)는 N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 게이트 전극과 연결되는 N개의 제1 가변 저항(510) 및 N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 바디 전극과 연결되는 N개의 제2 가변 저항(520) 중 적어도 하나를 포함한다.
즉, 도 5에서는 N개의 제1 가변 저항(510) 및 N개의 제2 가변 저항(520)이 RF 스위치(500)에 모두 포함되는 것으로 도시하였으나, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, RF 스위치(500)는 N개의 제1 가변 저항(510)만을 포함할 수도 있고, N개의 제2 가변 저항(520)만을 포함할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 가변 저항들 각각은 저항값 A 및 저항값 B 중 하나의 저항값을 가질 수 있다. 이 때, 저항값 A는 저항값 B보다 클 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 가변 저항들은 제1 저항(R1) 및 제1 저항과 병렬 연결된 스위칭 소자로 구성될 수 있다.
여기서, 스위칭 소자의 일단 및 제1 저항의 일단은 N개의 LDMOS 트랜지스터의 게이트 전극 또는 바디 전극과 연결된다.
보다 상세하게, 제1 가변 저항(510)의 경우, 스위칭 소자의 타단 및 제1 저항의 타단은 제1 전압단과 연결되며, 스위칭 소자의 온/오프를 제어하기 위한 제2 전압단이 스위칭 소자로 연결될 수 있으며, 제1 전압단에 인가되는 전압 및 제2 전압단에 인가되는 전압에 기초하여 가변 저항들의 저항값이 조절된다.
또한, 제2 가변 저항(520)의 경우, 스위칭 소자의 타단 및 제1 저항의 타단은 접지와 연결되며, 스위칭 소자의 온/오프를 제어하기 위한 제2 전압단이 스위칭 소자로 연결될 수 있으며, 제2 전압단에 인가되는 전압에 기초하여 가변 저항들의 저항값이 조절된다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따르면, N개의 가변 저항 각각의 저항값이 (높은 저항값인) 저항값 A를 가지는 경우, RF 스위치(500)는 온되고, N개의 가변 저항 각각의 저항값이 (낮은 저항값인) 저항값 B를 가지는 경우, RF 스위치(500)는 오프될 수 있다.
일례로서, 가변 저항들이 도 5과 같은 제1 저항 및 스위칭 소자로 구성되는 경우에 있어, 제1 전압단에 하이레벨 전압이 인가되고 제2 전압단에 로우레벨 전압이 인가되는 경우, 스위칭 소자는 오프되고 가변 저항은 제1 저항의 저항값인 저항값 A를 가지며, RF 스위치(500)는 온될 수 있다. 따라서, RF 신호가 제2 신호단으로 출력된다.
반대로, 가변 저항들이 도 5과 같은 제1 저항 및 스위칭 소자로 구성되는 경우에 있어, 제1 전압단에 로우레벨 전압이 인가되고 제2 전압단에 하이레벨 전압이 인가되는 경우, 스위칭 소자는 온되고 가변 저항은 저항값 B(즉, 스위칭 소자의 내부 저항값)를 가지고, RF 스위치(500)는 오프될 수 있다.
한편, 스위칭 소자는 트랜지스터로 구성될 수 있고, 도 6에서 도시한 바와 같이 스위칭 소자는 LDMOS 트랜지스터(NLDMOS 트랜지스터)로 구성될 수 있다.
특히, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 스위칭 소자는 LDMOS 트랜지스터, LDMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 연결되는 제1 캐패시터(C1) 및 LDMOS 트랜지스터의 바디 전극과 소스 전극 사이에 연결되는 제2 캐패시터(C2)를 포함할 수 있다.
여기서, 스위칭 소자가 오프되는 경우, 제1 캐패시터와 제2 캐패시터가 Vgs/Vbs와 Vgd/Vbd 사이에 비대칭으로 전력이 걸리도록 제어한다.
다시 말해, 제1 캐패시터와 제2 캐패시터가 설치되지 않는 상태에서, 스위칭 소자가 오프되는 경우, Vgs와 Vgd가 같은 차이의 전력이 분해되고(이는 Vbd와 Vbs도 마찬가지임), 이는 Cgs와 Cgd, 및 Cbd와 Cbs가 거의 비슷한 값을 가지기 때문에 전력도 동일하게 분배된다. 따라서, 제1 캐패시터와 제2 캐패시터를 설치하면, 상대적으로 Vgs의 값보다 훨씬 큰 값이 Vgd에 분배됨으로써, 높은 전력이 오프된 스위치 쪽으로 들어와도 그것을 견딜 수가 있는 장점이 있다.
한편, RF 스위치(500)는 드레인 전극에 연결된 저항 및 소스 전극에 연결된 저항을 포함하며 VD와 VS를 통해 드래인 전극과 소스 전극를 통해 DC 전압(일례로, 0V)을 인가할 수 있다. 이것은 성능의 열화를 막기 위함이다.
요컨대, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치(500)는 다음과 같은 장점 내지 효과가 있다.
LDMOS 트랜지스터를 사용하지 않는 종래의 RF 스위치의 경우, Ron 저항이 작은 장점이 있지만, 파괴 전압이 낮아 수많은 스택을 쌓아야 하는 단점이 있었다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치(500)는 Ron 저항이 높은 대신에 파괴 전압이 높아서 스택을 많이 쌓지 않아도 되므로, 종래의 RF 스위치의 Ron 저항과 비슷한 Ron 저항을 얻을 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치(500)는 스택을 최소화할 수 있으므로, 상대적으로 작은 사이즈로 설계할 수 있는 장점이 있다.
그리고, LDMOS 트랜지스터는 Coff 값이 높은 단점이 있지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치는 게이트 전극과 바디 전극에 연결된 가변 저항들을 이용하여 RF 신호 전달의 차단성과 선형성을 높이는 장점이 있다.
즉, 가변 저항이 높은 저항값인 저항값 A를 가지는 경우, 게이트 전극과 바디 전극은 플로팅(floating)되므로, 낮은 삽입 손실을 가지도록 하는 장점이 있다. 그리고 가변 저항이 낮은 저항값인 저항값 B를 가지는 경우, 게이트 전극과 바디 전극은 플로팅되지 않도록 함으로써 높은 차단성과 선형성을 가지도록 하는 장점이 있다.
한편, 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치(500)를 이용한 송신부의 경우, GSM 인터페이스를 이용한 송신 유닛(710), CDMA 인터페이스를 이용한 송신 유닛(710) 등 복수의 송신 유닛을 구비할 수도 있다. 이 때, 한 송신 유닛(710)에서 송신하고자 하는 RF 신호가 다른 송신 유닛(720)으로 흐르게 되어 LDMOS 트랜지스터가 파괴되는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, N개의 LDMOS 트랜지스터가 2개 이상인 경우, N개의 LDMOS 트랜지스터 중 마지막 LDMOS 트랜지스터(MLD2)의 드레인 전극은 제2 신호단과 연결됨으로써, 마지막 LDMOS 트랜지스터가 파괴되지 않을 수 있다.
도 8에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 스위치를 이용한 통신장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 8를 참조하면, 통신장치(800)는 송신부(810), 안테나(ANT) 및 수신부(820)를 포함한다. 여기서, 송신부(810)와 수신부(820)는 구성이 동일할 수 있다.
따라서, 통신장치(800)가 송신 동작을 수행하는 경우, 송신부(810)의 제1 전압단에는 하이레벨 전압, 제2 전압단에는 로우레벨 전압이 인가되고, 수신부(820)의 제1 전압단에는 로우레벨 전압, 제2 전압단에는 하이레벨 전압이 인가된다. 따라서, 송신부(810)는 온되고, 수신부(820)는 오프되며, RF 신호는 점선에 표시된 바와 같이 흐르게 된다. 여기서, 송신부(810)의 제1 신호단은 "Tx"이고, 제2 신호단은 "안테나"이다.
반대로, 통신장치(800)가 수신 동작을 수행하는 경우, 송신부(810)의 제1 전압단에는 로우레벨 전압, 제2 전압단에는 하이레벨 전압이 인가되고, 수신부(820)의 제1 전압단에는 하이레벨 전압, 제2 전압단에는 로우레벨 전압이 인가된다. 따라서, 송신부(810)는 오프되고, 수신부(820)는 온되며, RF 신호는 일점쇄선에 표시된 바와 같이 흐르게 된다. 여기서, 수신부(820)의 제1 신호단은 "안테나"이고, 제2 신호단은 "Rx"이다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (13)

  1. 제1 신호단의 RF 신호를 제2 신호단으로 스위칭하는 RF 스위치에 있어서,
    직렬 연결된 N(2 이상의 정수임)개의 LDMOS 트랜지스터; 및
    N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 게이트 전극과 연결되는 N개의 가변 저항;을 포함하되,
    상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 첫번째 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 신호단과 연결되고, 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 마지막 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제2 신호단과 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 N개의 가변 저항 각각은 저항값 A 및 저항값 B 중 하나의 저항값을 가지고, 상기 저항값 A는 상기 저항값 B보다 크되,
    상기 N개의 가변 저항 각각의 저항값이 상기 저항값 A를 가지는 경우, 상기 RF 스위치는 온되고, 상기 N개의 가변 저항 각각의 저항값이 상기 저항값 B를 가지는 경우, 상기 RF 스위치는 오프되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 N개의 가변 저항 각각은, 제1 저항; 및 상기 제1 저항과 병렬 연결된 스위칭 소자;를 포함하되,
    상기 스위칭 소자의 일단 및 상기 제1 저항의 일단은 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되고, 상기 스위칭 소자의 타단 및 상기 제1 저항의 타단은 제1 전압단과 연결되며, 상기 스위칭 소자의 온/오프를 제어하기 위한 제2 전압단이 상기 스위칭 소자로 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 전압단에 하이레벨 전압이 인가되고 상기 제2 전압단에 로우레벨 전압이 인가되는 경우, 상기 스위칭 소자는 오프되고 상기 가변 저항은 상기 제1 저항의 저항값인 상기 저항값 A를 가지고, 상기 RF 스위치는 온되고,
    상기 제1 전압단에 로우레벨 전압이 인가되고 상기 제2 전압단에 하이레벨 전압이 인가되는 경우, 상기 스위칭 소자는 온되고 상기 가변 저항은 상기 저항값 B를 가지고, 상기 RF 스위치는 오프되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는, 제2 LDMOS 트랜지스터; 상기 제2 LDMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 연결되는 제1 캐패시터; 및 상기 제2 LDMOS 트랜지스터의 바디 전극과 소스 전극 사이에 연결되는 제1 캐패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  6. 삭제
  7. 제1 신호단의 RF 신호를 제2 신호단으로 스위칭하는 RF 스위치에 있어서,
    직렬 연결된 N(2 이상의 정수임)개의 LDMOS 트랜지스터; 및
    N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 바디 전극과 연결되는 N개의 가변 저항;을 포함하되,
    상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 첫번째 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 신호단과 연결되고, 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 마지막 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제2 신호단과 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 N개의 가변 저항 각각은 저항값 A 및 저항값 B 중 하나의 저항값을 가지고, 상기 저항값 A는 상기 저항값 B 보다 크되,
    상기 N개의 가변 저항 각각의 저항값이 상기 저항값 A를 가지는 경우, 상기 RF 스위치는 온되고, 상기 N개의 가변 저항 각각의 저항값이 상기 저항값 B를 가지는 경우, 상기 RF 스위치는 오프되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 N개의 가변 저항 각각은, 제1 저항; 및 상기 제1 저항과 병렬 연결된 스위칭 소자;를 포함하되,
    상기 스위칭 소자의 일단 및 상기 제1 저항의 일단은 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터의 바디 전극과 연결되고, 상기 스위칭 소자의 타단 및 상기 제1 저항의 타단은 접지와 연결되며, 상기 스위칭 소자의 온/오프를 제어하기 위한 제2 전압단이 상기 스위칭 소자로 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 전압단에 로우레벨 전압이 인가되는 경우, 상기 스위칭 소자는 오프되고 상기 가변 저항은 상기 제1 저항의 저항값인 상기 저항값 A을 가지고, 상기 RF 스위치는 온되고,
    상기 제2 전압단에 하이레벨 전압이 인가되는 경우, 상기 스위칭 소자는 온되고 상기 가변 저항은 상기 저항값 B을 가지고, 상기 RF 스위치는 오프되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 스위칭 소자는, 제2 LDMOS 트랜지스터; 상기 제2 LDMOS 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 연결되는 제1 캐패시터; 및 상기 제2 LDMOS 트랜지스터의 바디 전극과 소스 전극 사이에 연결되는 제1 캐패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
  12. 삭제
  13. 제1 신호단의 RF 신호를 제2 신호단으로 스위칭하는 RF 스위치에 있어서,
    직렬 연결된 N(2 이상의 정수임)개의 LDMOS 트랜지스터;
    N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 게이트 전극과 연결되는 N개의 제1 가변 저항; 및
    N개의 LDMOS 트랜지스터 각각의 바디 전극과 연결되는 N개의 제2 가변 저항;을 포함하되,
    상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 첫번째 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제1 신호단과 연결되고, 상기 N개의 LDMOS 트랜지스터 중 마지막 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전극은 상기 제2 신호단과 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008017416A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置
JP2008263523A (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Renesas Technology Corp 高周波スイッチ回路

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