KR101508677B1 - semiconductor integrated circuit device and battery pack - Google Patents

semiconductor integrated circuit device and battery pack Download PDF

Info

Publication number
KR101508677B1
KR101508677B1 KR20080108769A KR20080108769A KR101508677B1 KR 101508677 B1 KR101508677 B1 KR 101508677B1 KR 20080108769 A KR20080108769 A KR 20080108769A KR 20080108769 A KR20080108769 A KR 20080108769A KR 101508677 B1 KR101508677 B1 KR 101508677B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
clock
battery
mode
semiconductor integrated
integrated circuit
Prior art date
Application number
KR20080108769A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090060137A (en
Inventor
다카토시 이타가키
마키오 아베
Original Assignee
미쓰미덴기가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰미덴기가부시기가이샤 filed Critical 미쓰미덴기가부시기가이샤
Publication of KR20090060137A publication Critical patent/KR20090060137A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101508677B1 publication Critical patent/KR101508677B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/31727Clock circuits aspects, e.g. test clock circuit details, timing aspects for signal generation, circuits for testing clocks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/36Arrangements for testing, measuring or monitoring the electrical condition of accumulators or electric batteries, e.g. capacity or state of charge [SoC]
    • G01R31/392Determining battery ageing or deterioration, e.g. state of health
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/36Arrangements for testing, measuring or monitoring the electrical condition of accumulators or electric batteries, e.g. capacity or state of charge [SoC]
    • G01R31/396Acquisition or processing of data for testing or for monitoring individual cells or groups of cells within a battery
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052Li-accumulators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electric Status Of Batteries (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)

Abstract

본 발명은 소비전류가 상이한 각종 동작 모드를 설정할 수 있고, 전지사용 기기의 접속 상태나 동작 상태에 따라 소비전류를 줄일 수 있고, 또한, 전지 잔량을 구할 수 있는 반도체 집적회로 장치 및 전지 팩을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention provides a semiconductor integrated circuit device and a battery pack capable of setting various operation modes in which current consumption is different, reducing current consumption according to the connection state and operation state of the battery using device, .

전지를 전원으로 하여 전지 잔량을 구하고 상기 전지를 전원으로 하는 전지사용 기기에 송신하는 기능을 구비한 반도체 집적회로 장치로서, 제 1 클록과 상기 제 1 클록보다 주파수가 큰 제 2 클록을 발생하는 클록 발생 수단(21, 23)과, 클록 발생 수단이 출력하는 제 1 클록과 제 2 클록 중 어느 하나를 선택하여 출력하는 선택 수단(24)과, 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 전지 잔량을 연산하는 연산 수단(12)과, 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 연산 수단에서 연산한 전지 잔량을 전지사용 기기에 송신하는 통신 수단(16)을 갖는다. A semiconductor integrated circuit device having a function of obtaining a remaining battery level by using a battery as a power source and transmitting the remaining battery level to a battery using device that uses the battery as a power source, the semiconductor integrated circuit device comprising: a clock generating unit that generates a first clock and a second clock having a frequency higher than that of the first clock A selecting means (24) for selecting one of a first clock and a second clock outputted by the clock generating means, and a selecting means (24) for selecting one of the first clock and the second clock outputted by the selecting means And a communication means (16) which is operated by a clock outputted by the selection means and which transmits the remaining battery level calculated by the calculation means to the battery using device.

전지, 전지사용 기기, 반도체 집적회로 장치, 클록 발생 수단, 선택 수단, 연산 수단, 통신 수단 Battery, battery use device, semiconductor integrated circuit device, clock generating means, selecting means, calculating means, communication means

Description

반도체 집적회로 장치 및 전지 팩{SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND BATTERY PACK}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device,

본 발명은 반도체 집적회로 장치 및 전지 팩에 관한 것으로, 전지 잔량을 구하여 전지사용 기기에 송신하는 기능을 구비한 반도체 집적회로 장치 및 전지 팩에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device and a battery pack, and more particularly, to a semiconductor integrated circuit device and a battery pack having a function of obtaining a remaining battery level and transmitting it to a battery-powered device.

최근, 리튬이온 전지는 휴대전화, 디지털 카메라 등의 휴대용의 전지사용 기기에 탑재되어 있다. 리튬이온 전지는, 일반적으로, 그 전압에 의해 전지 잔량을 검출하는 것이 어려운 것으로 알려져 있다. 이 때문에, 전지의 충방전 전류를 적산함으로써, 전지 잔량을 측정하는 방법이 취해지고 있다. BACKGROUND ART [0002] In recent years, lithium ion batteries have been mounted on portable battery-powered devices such as mobile phones and digital cameras. It is generally known that the lithium ion battery is difficult to detect the remaining battery level by the voltage. For this reason, a method of measuring the residual amount of the battery by integrating the charging / discharging current of the battery is taken.

종래부터 상기의 방법을 사용하여 전지 잔량을 측정하기 위한 퓨얼게이지(IC)가 개발되어 있고, 이 퓨얼게이지(IC)는 CPU, 메모리 등을 내장하고, 검출한 충방전 전류를 디지털 데이터로 변환하여 적산함으로써 전지 잔량을 산출하고, 산출한 전지 잔량을 통신회로에 의해, 휴대전화, 디지털 카메라 등의 전지사용 기기에 송신한다. Conventionally, a fuel gauge (IC) has been developed for measuring the remaining amount of a battery using the above-described method. The fuel gauge (IC) has a built-in CPU, memory, etc. and converts the detected charge / discharge current into digital data The battery remaining amount is calculated, and the calculated remaining battery amount is transmitted to a battery using device such as a cellular phone or a digital camera by a communication circuit.

퓨얼게이지(IC)는 전지 잔량을 측정하기 위한 것이지만, 퓨얼게이지(IC) 자 신도 리튬이온 전지로부터 동작 전원을 공급하고 있기 때문에, 퓨얼게이지(IC)의 소비전류를 가능한 한 줄일 필요가 있다. Although the Fuel Gauge (IC) is intended to measure the battery level, it is necessary to reduce the consumption current of the Fuel Gauge (IC) as much as possible because the Fuel Gauge (IC) supplies operating power from the lithium ion battery.

특허문헌 1에는, 데이터 처리 수단의 제어 모드 중에 전지 잔량의 측정 모드를 설치하고, 측정 모드 중은 전지로부터의 공급 전류를 최소한으로 억제하는 제어를 행하여 전력 절약화를 도모하는 것이 기재되어 있다. Patent Document 1 discloses that a battery residual amount measurement mode is provided in the control mode of the data processing means and control is performed to minimize the supply current from the battery during the measurement mode to achieve power saving.

특허문헌 1: 일본 특허공개 2005-12960호 공보 Patent Document 1: JP-A-2005-12960

종래의 퓨얼게이지(IC)는 통상 모드 이외에, 장기 방치시에 클록의 정지 혹은 전원의 차단을 행하는 셧다운 모드밖에 가지고 있지 않아, 전지사용 기기의 접속 상태나 전지사용 기기의 동작 상태에 따라 소비전류를 줄일 수 없고, 또, 전지사용 기기가 접속되어 있지 않은 장기 방치 상태에서의 전지 잔량을 구할 수 없는 등의 문제점이 있었다. The conventional fuel gauge (IC) has only a shutdown mode for stopping the clock or shutting off the power supply for a long period of time in addition to the normal mode. Therefore, it is possible to reduce the current consumption according to the connection state of the battery- There is a problem that the remaining amount of the battery can not be obtained in a long-term neglected state in which the battery using device is not connected.

본 발명은 상기의 점을 감안하여 이루어진 것으로, 소비전류가 상이한 각종 동작 모드를 설정할 수 있고, 전지사용 기기의 접속 상태나 동작 상태에 따라 소비전류를 줄일 수 있고, 또한, 전지 잔량을 구할 수 있는 반도체 집적회로 장치 및 전지 팩을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a battery charger that can set various operation modes with different current consumption and can reduce consumption current according to the connection state and operation state of the battery- An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device and a battery pack.

본 발명의 1실시 형태에 의한 반도체 집적회로 장치는 전지를 전원으로 하여 전지 잔량을 구하고 상기 전지를 전원으로 하는 전지사용 기기에 송신하는 기능을 구비한 반도체 집적회로 장치로서,A semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention is a semiconductor integrated circuit device having a function of obtaining the remaining amount of a battery using a battery as a power source and transmitting the remaining amount of the battery to a battery using device that uses the battery as a power source,

제 1 클록과 상기 제 1 클록보다 주파수가 큰 제 2 클록을 발생하는 클록 발생 수단(21, 23)과, Clock generating means (21, 23) for generating a first clock and a second clock having a frequency higher than that of the first clock,

상기 클록 발생 수단이 출력하는 제 1 클록과 제 2 클록 중 어느 하나를 선택하여 출력하는 선택 수단(24)과, Selecting means (24) for selecting and outputting either the first clock or the second clock outputted by the clock generating means,

상기 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 상기 전지 잔량을 연산하 는 연산 수단(12)과, Calculating means (12) operated by a clock outputted by said selecting means and calculating the battery remaining amount,

상기 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 상기 연산 수단에서 연산한 전지 잔량을 상기 전지사용 기기에 송신하는 통신 수단(16)을 가짐으로써, 소비전류가 상이한 각종 동작 모드를 설정할 수 있고, 전지사용 기기의 접속 상태나 동작 상태에 따라 소비전류를 줄일 수 있고, 또한, 전지 잔량을 구할 수 있다. And a communication means (16) which is operated by a clock outputted by the selection means and transmits the battery remaining amount calculated by the calculation means to the battery using device, whereby various operation modes having different current consumption can be set, The consumption current can be reduced according to the connection state and the operation state of the apparatus, and the battery remaining amount can also be obtained.

상기 반도체 집적회로 장치에 있어서, In the semiconductor integrated circuit device,

상기 연산 수단(12)을 동작시키는 제 1 모드와, 상기 연산 수단(12)을 중지시키는 제 2 모드를 설정하는 설정 수단(12, 22, 25, S1∼S6)을 갖는 구성으로 할 수 있다. (12, 22, 25, S1 to S6) for setting a first mode for operating the calculation means (12) and a second mode for stopping the calculation means (12).

상기 반도체 집적회로 장치에 있어서, In the semiconductor integrated circuit device,

상기 클록 발생 수단(21, 23)은, 제 1 클록을 발생하는 제 1 발진기(21)와, The clock generating means (21, 23) includes a first oscillator (21) for generating a first clock,

상기 제 1 클록에 동기한 제 2 클록을 발생하는 제 2 발진기(23)를 갖는 구성으로 할 수 있다. And a second oscillator (23) for generating a second clock synchronized with the first clock.

상기 반도체 집적회로 장치에 있어서, In the semiconductor integrated circuit device,

상기 클록 발생 수단(21, 23)은, 상기 제 1 클록을 발생하는 제 1 발진기(21)와, The clock generating means (21, 23) includes a first oscillator (21) for generating the first clock,

상기 제 1 클록과 비동기의 제 2 클록을 발생하는 제 2 발진기(23)를 갖는 구성으로 할 수 있다. And a second oscillator (23) for generating a second clock asynchronous with the first clock.

상기 반도체 집적회로 장치에 있어서, In the semiconductor integrated circuit device,

상기 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 상기 제 2 모드에서 시간 계측을 행하는 시간 계측 수단(15)을 갖는 구성으로 할 수 있다. And a time measuring means (15) operated by a clock outputted by the selecting means and performing time measurement in the second mode.

상기 반도체 집적회로 장치에 있어서, In the semiconductor integrated circuit device,

상기 설정 수단(S1∼S6)은 상기 전지사용 기기의 접속 상태와 동작 상태 에 따라 상기 제 1 모드와 상기 제 2 모드의 전환을 행하는 구성으로 할 수 있다. The setting means (S1 to S6) may be configured to switch between the first mode and the second mode according to the connection state and the operation state of the battery using device.

본 발명의 1실시 형태에 의한 전지 팩은, 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 반도체 집적회로 장치와 상기 전지를 구비함으로써, 소비전류가 상이한 각종 동작 모드를 설정할 수 있고, 전지사용 기기의 접속 상태나 동작 상태에 따라 소비전류를 줄일 수 있고, 또한, 전지 잔량을 구할 수 있다. The battery pack according to the embodiment of the present invention can set various operation modes with different current consumption by including the semiconductor integrated circuit device according to any one of claims 1 to 6 and the battery, The consumption current can be reduced according to the state or operation state, and the remaining battery capacity can be obtained.

상기 반도체 집적회로 장치에 있어서, In the semiconductor integrated circuit device,

상기 연산 수단(12)을 동작시키는 제 3 모드와, 상기 연산 수단(12)을 중지시키고 상기 선택수단이 출력하는 클록을 사용하여 시간 계측을 행하는 시간 계측 수단(15)만을 동작시키는 제 4 모드를 설정하는 설정 수단(12, 22, 25, S11∼S16)을 갖고, A fourth mode for operating only the time measuring means (15) for stopping the calculation means (12) and performing the time measurement using the clock outputted by the selection means (12, 22, 25, S11 to S16)

상기 클록 발생 수단은 제 1 클록을 발생하는 제 1 발진기(41)와 제 2 클록을 발생하는 제 2 발진기(23)를 갖고, The clock generating means has a first oscillator (41) for generating a first clock and a second oscillator (23) for generating a second clock,

상기 제 1 발진기(41)는, 상기 제 3 모드에서 발생하는 제 1 클록의 주파수에 대하여, 상기 제 4 모드에서 발생하는 제 1 클록의 주파수를 낮게 하는 구성으로 할 수 있다. The first oscillator 41 may be configured to decrease the frequency of the first clock generated in the fourth mode with respect to the frequency of the first clock generated in the third mode.

상기 반도체 집적회로 장치에 있어서, In the semiconductor integrated circuit device,

상기 시간 계측 수단(15)은 상기 제 4 모드에서 상기 제 1 클록을 사용하여 시간을 계측하여 소정 시간이 경과하면 상기 설정 수단이 상기 제 3 모드로 천이하게 하는 구성으로 할 수 있다. The time measuring means 15 measures the time using the first clock in the fourth mode and makes the setting means transit to the third mode when a predetermined time has elapsed.

상기 반도체 집적회로 장치에 있어서,In the semiconductor integrated circuit device,

상기 시간 계측 수단(15)은 상기 소정 시간을 변경 자유롭게 한 구성으로 할 수 있다. The time measuring means 15 can be configured so that the predetermined time can be changed freely.

또한, 상기 괄호 내의 참조부호는 이해를 쉽게 하기 위하여 붙인 것으로, 1예에 지나지 않으며, 도시된 태양에 한정되는 것은 아니다. The reference numerals in the above parentheses are added for ease of understanding and are merely one example, and the present invention is not limited to the illustrated embodiment.

본 발명에 의하면, 선택된 발진원에 따라 신호처리 수단의 기동을 최적화할 수 있다. According to the present invention, the start-up of the signal processing means can be optimized according to the selected oscillation source.

(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)(Best Mode for Carrying Out the Invention)

<반도체 집적회로 장치의 구성>&Lt; Configuration of Semiconductor Integrated Circuit Device >

도 1은 본 발명의 반도체 집적회로 장치의 1실시 형태의 블록 구성도를 나타낸다. 동 도면 중, 퓨얼게이지 기능 모듈(10) 내에는, 아날로그 회로부(11), CPU(12), ROM(13), RAM(14), 타이머부(15), 통신부(16)가 설치되어 있고, 이것들은 도시하지 않은 내부 버스에 의해 서로 접속되어 있다. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention. In the figure, the analog circuit portion 11, the CPU 12, the ROM 13, the RAM 14, the timer portion 15, and the communication portion 16 are provided in the fuel gauge function module 10, These are connected to each other by an internal bus (not shown).

아날로그 회로부(11)에는, 전압센서, 온도센서, 전류센서, AD 변환기 등의 아날로그 회로가 설치되고, 각 센서의 검출값은 AD 변환기에서 디지털화되어, 내부 버스를 통하여 CPU(12)에 공급된다. Analog circuits such as a voltage sensor, a temperature sensor, a current sensor, and an AD converter are provided in the analog circuit unit 11, and the detection values of the respective sensors are digitized in the AD converter and supplied to the CPU 12 via the internal bus.

CPU(12)는 ROM(13)에 저장되어 있는 각종 소프트웨어를 실행하고, 전류센서에서 검출한 리튬이온 전지의 충방전 전류를 적산함으로써 리튬이온 전지의 전지 잔량을 연산한다. 또한, 전압센서 및 온도센서의 검출값은 각종 보정을 행하기 위하여 사용되고, RAM(14)은 CPU(12)가 처리를 실행할 때의 작업영역으로서 사용되고, ROM(13)에는 불휘발 메모리로서의 EEPROM도 포함되어 있다. The CPU 12 executes various kinds of software stored in the ROM 13, and calculates the battery remaining amount of the lithium ion battery by integrating the charging / discharging current of the lithium ion battery detected by the current sensor. The detected values of the voltage sensor and the temperature sensor are used for various kinds of correction. The RAM 14 is used as a work area when the CPU 12 executes the processing, and the ROM 13 is also provided with an EEPROM .

타이머부(15)는 인터럽트용 타이머와 시간 계측용 타이머를 포함하는 각종 타이머를 가지고 있고, 이들 타이머가 발생한 신호는 예를 들면 인터럽트 신호, 계측시간으로서 CPU(12)에 공급된다. 통신부(16)는 휴대전화, 디지털 카메라 등의 전지사용 기기로부터 통신단자(17)를 통하여 공급되는 요구에 따라, CPU(12)가 연산한 전지 잔량을 통신단자(17)를 통하여 전지사용 기기에 송신한다. The timer unit 15 has various timers including an interruption timer and a timer for time measurement. The signal generated by these timers is supplied to the CPU 12 as an interrupt signal and measurement time, for example. The communication unit 16 communicates the remaining amount of the battery calculated by the CPU 12 to the battery using device via the communication terminal 17 in accordance with a request supplied from the battery use device such as a cellular phone or a digital camera through the communication terminal 17 .

발진회로(21)는 동작 모드 레지스터(22)로부터 동작 모드에 따른 발진 또는 정지를 지시받고, 발진의 지시에 의해 예를 들면 주파수 38.4kHz의 저속 클록을 발생하여 발진회로(23) 및 클록 셀렉터(24)에 공급한다. The oscillation circuit 21 is instructed to oscillate or stop according to the operation mode from the operation mode register 22 and generates a low speed clock of, for example, a frequency of 38.4 kHz in response to the instruction of the oscillation and outputs it to the oscillation circuit 23 and the clock selector 24.

발진회로(23)는 예를 들면 PLL을 내장하고 있고, 동작 모드 레지스터(22)로부터 동작 모드에 따른 체배수(遞倍數)가 지시되고, 발진회로(21)로부터의 클록에 동기한 예를 들면 주파수 5MHz/2.5MHz/1.25MHz 중 어느 하나의 중·고속 클록을 발생하여 클록 셀렉터(24)에 공급한다. The oscillation circuit 23 incorporates, for example, a PLL. The oscillation circuit 23 is supplied with the operation mode register 22 with a multiplication factor according to the operation mode, High-speed clock of the frequency 5 MHz / 2.5 MHz / 1.25 MHz and supplies it to the clock selector 24.

또한, 발진회로(21)가 출력하는 클록을 발진회로(23)에 공급하지 않고, 발진회로(21, 23)를 비동기로 동작시키는 구성으로 해도 된다. The oscillation circuits 21 and 23 may be operated asynchronously without supplying the clock output from the oscillation circuit 21 to the oscillation circuit 23.

클록 셀렉터(24)는 동작 모드 레지스터(22)로부터 동작 모드에 따른 클록 선 택을 지시받고, 저속 클록과 복수의 중·고속 클록 중 어느 하나를 선택하고, 퓨얼게이지 기능 모듈(10) 내의 아날로그 회로부(11), CPU(12), ROM(13), RAM(14), 타이머부(15), 통신부(16) 각각에 공급한다. The clock selector 24 instructs clock selection in accordance with the operation mode from the operation mode register 22 and selects one of the low clock and the plurality of middle and high speed clocks, To the CPU 11, the CPU 12, the ROM 13, the RAM 14, the timer 15, and the communication unit 16, respectively.

상기 동작 모드 레지스터(22)는 CPU(12)로부터 동작 모드를 설정받고 CPU(12)가 명령(슬립 명령)을 실행하는 것을 트리거로 하여 동작 모드를 전환한다. 또, CPU(12)는 모듈 스톱 레지스터(25)에 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16) 각각의 클록 접수의 허가 또는 금지를 설정하고, 모듈 스톱 레지스터(25)는 설정된 클록 접수의 허가 또는 금지를 지시하는 신호를 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16) 각각에 공급한다. 이것에 의해, 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)는 클록 접수 허가를 지시받은 것만이 클록 셀렉터(24)로부터 공급되는 클록을 접수한다. The operation mode register 22 sets the operation mode from the CPU 12 and triggers the instruction (sleep instruction) by the CPU 12 to switch the operation mode. The CPU 12 sets permission or inhibition of clock acceptance of each of the analog circuit unit 11, the timer unit 15 and the communication unit 16 to the module stop register 25 and the module stop register 25 sets A timer unit 15, and a communication unit 16, each of which instructs to permit or prohibit the reception of the clocks, to the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16, respectively. Thereby, the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 receive clocks supplied from the clock selector 24 only to those for which clock acceptance is instructed.

<상태천이><State transition>

도 2는 도 1에 도시하는 반도체 집적회로 장치의 상태천이도를 나타낸다. 동 도면 중, 리셋에 의해 장치는 액티브 모드(고속)(ACH)가 된다. 이 다음, 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해 액티브 모드(고속)(ACH)로부터 액티브 모드(중속)(ACM)로 천이하고, 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해 역방향의 천이를 행한다. 또한, 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해 액티브 모드(중속)(ACM)로부터 서브액티브 모드(SAC)로 천이하고, 또한 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해 역방향의 천이를 행한다. Fig. 2 shows a state transition diagram of the semiconductor integrated circuit device shown in Fig. In the figure, by reset, the device is in the active mode (high speed) (ACH). (High speed) ACH to the active mode (middle speed) ACM by the setting of the operation mode register 22 and the execution of the sleep instruction and the setting of the operation mode register 22 and the sleep command In the reverse direction. It is also possible to change from the active mode (middle speed) ACM to the subactive mode SAC by setting of the operation mode register 22 and execution of the sleep instruction and also to set the operation mode register 22 and execute the sleep instruction In the opposite direction.

액티브 모드(고속)(ACH)는 CPU(12)가 주파수 5MHz의 클록에 의해 고속으로 프로그램을 실행하는 모드이며, 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 5MHz의 클록이 퓨얼게이지 기능 모듈(10)의 각 부에 공급되고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)가 클록을 접수하고 고속으로 동작한다. The active mode (high-speed) ACH is a mode in which the CPU 12 executes a program at a high speed by a clock having a frequency of 5 MHz and a clock with a frequency of 5 MHz selected by the clock selector 24 is input to the respective And the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 receive the clock and operate at a high speed in response to an instruction from the module stop register 25. [

액티브 모드(중속)(ACM)는 CPU(12)가 주파수 2.5MHz 또는 1.25MHz의 클록에 의해 중속으로 프로그램을 실행하는 모드이며, 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 2.5MHz 또는 1.25MHz의 클록이 퓨얼게이지 기능 모듈(10)의 각 부에 공급되고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)가 클록을 접수하고 중속으로 동작한다. The active mode (medium speed) ACM is a mode in which the CPU 12 executes a program at an intermediate speed by a clock of a frequency of 2.5 MHz or 1.25 MHz and a clock of 2.5 MHz or 1.25 MHz selected by the clock selector 24 is a clock Gauge function module 10 and the analog circuit unit 11, the timer unit 15 and the communication unit 16 receive the clock and operate at a medium speed under the direction of the module stop register 25. [

서브액티브 모드(SAC)는 CPU(12)가 주파수 38.4kHz의 클록에 의해 저속으로 프로그램을 실행하는 모드이며, 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 38.4kHz의 클록이 퓨얼게이지 기능 모듈(10)의 각 부에 공급되고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)가 클록을 접수하고 저속으로 동작한다. The subactive mode SAC is a mode in which the CPU 12 executes a program at a low speed by a clock of a frequency of 38.4 kHz and a clock of a frequency of 38.4 kHz selected by the clock selector 24 is applied to the respective phases of the fuel gauge function module 10 And the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 receive the clock and operate at a low speed in response to an instruction from the module stop register 25. [

또, 액티브 모드(고속)(ACH), 액티브 모드(중속)(ACM), 서브액티브 모드(SAC) 각각으로부터 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해, 슬립 모드(고속)(SLH), 슬립 모드(중속)(SLM), 서브슬립 모드(SSL)로 천이하고, 프로그램 인터럽트 또는 타이머 인터럽트의 발생에 의해 역방향의 천이를 행한다. It is also possible to set the operation mode register 22 and the sleep command from the active mode (high speed) ACH, the active mode (middle speed) ACM and the subactive mode SAC, SLH), a sleep mode (medium speed) SLM, and a sub sleep mode (SSL), and a transition is made in the reverse direction by the occurrence of a program interrupt or a timer interrupt.

슬립 모드(고속)(SLH)는 CPU(12)가 동작을 정지하고, 모듈 스톱 레지스 터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)가 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 5MHz의 클록을 접수하여 동작하는 모드이다. In the sleep mode (high speed) SLH, the CPU 12 stops operating, and the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 are controlled by the clock selector And receives a clock having a frequency of 5 MHz selected by the user.

슬립 모드(중속)(SLM)는 CPU(12)가 동작을 정지하고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)가 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 2.5MHz 또는 1.25MHz의 클록을 접수하여 동작하는 모드이다. In the sleep mode (middle speed) SLM, the CPU 12 stops operating, and the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 are controlled by the clock selector 24 ), And operates by receiving a clock of 2.5 MHz or 1.25 MHz.

서브슬립 모드(SSL)는 CPU(12)가 동작을 정지하고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)가 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 38.4kHz의 클록을 접수하여 동작하는 모드이다. In the sub sleep mode (SSL), the CPU 12 stops operating, and the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 are controlled by the clock selector 24 It operates by receiving clock of 38.4kHz selected frequency.

또, 액티브 모드(고속)(ACH), 액티브 모드(중속)(ACM), 서브액티브 모드(SAC)로부터 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해, 워치 모드(WTC), 소프트웨어 스탠바이 모드(SSB) 각각으로 천이하고, 프로그램 인터럽트 또는 타이머 인터럽트의 발생에 의해 역방향의 천이를 행한다. The setting of the operation mode register 22 and the execution of the sleep instruction from the active mode (high speed) ACH, the active mode (middle speed) ACM and the subactive mode SAC, Standby mode (SSB), and a transition is made in the reverse direction by occurrence of a program interrupt or a timer interrupt.

워치 모드(WTC)는 CPU(12)가 동작을 정지하고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 타이머부(15)만이 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 38.4kHz의 클록을 접수하여 동작하는 모드이다. The watch mode WTC is a mode in which the CPU 12 stops operating and only the timer unit 15 receives clocks of the frequency 38.4 kHz selected by the clock selector 24 under the direction of the module stop register 25 to be.

소프트웨어 스탠바이 모드(SSB)는 CPU(12)가 동작을 정지하고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16) 모두가 동작 정지하는 모드이다. The software standby mode SSB is a mode in which the CPU 12 stops operating and both the analog circuit unit 11, the timer unit 15 and the communication unit 16 stop operating in response to an instruction from the module stop register 25 .

또한, 워치 모드(WTC), 소프트웨어 스탠바이 모드(SSB)에서, 아날로그 회로 부(11), RAM(14), 동작 모드 레지스터(22), 모듈 스톱 레지스터(25) 등은 동작 정지한 경우에, 각각의 내부상태를 유지한다. When the analog circuit unit 11, the RAM 14, the operation mode register 22, the module stop register 25, and the like are stopped in the watch mode (WTC) and the software standby mode (SSB) Lt; / RTI &gt;

이 때문에, 워치 모드(WTC)에서는 타이머부(15)에서 워치 모드(WTC)를 유지한 시간을 계측할 수 있고, 워치 모드(WTC)로부터 액티브 모드(고속)(ACH), 액티브 모드(중속)(ACM), 서브액티브 모드(SAC)로 복귀한 뒤, CPU(12)에서는 워치 모드 유지시간으로부터 리튬이온 전지의 충방전 전류를 추정할 수 있다. Therefore, in the watch mode (WTC), it is possible to measure the time in which the watch mode (WTC) is held in the timer section 15 and the active mode (high speed) ACH, (ACM) and the subactive mode (SAC), the CPU 12 can estimate the charging / discharging current of the lithium ion battery from the watch mode holding time.

<동작 모드 전환><Switching operation mode>

도 3은 CPU(12)가 실행하는 동작 모드 전환 처리의 1실시형태의 플로우차트를 나타낸다. 또한, 이 처리가 개시할 때는 미리 액티브 모드(고속)(ACH) 또는 액티브 모드(중속)(ACM)가 설정되어 있다. Fig. 3 shows a flowchart of an embodiment of the operation mode switching process executed by the CPU 12. Fig. Further, active mode (high speed) (ACH) or active mode (medium speed) (ACM) is set in advance when this processing starts.

동 도면 중, CPU(12)는 스텝 S1에서, 전지사용 기기로부터 통신부(16)에 공급되는 요구의 종류나 스테이터스 또는 요구의 빈도로부터, 자(自)장치(반도체 집적회로 장치)를 구비한 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있는지, 전지사용 기기가 동작 상태인지, 전지사용 기기가 기능정지 상태인지를 판정한다. In step S1, the CPU 12 determines whether or not a battery (battery) having its own device (semiconductor integrated circuit device) is selected from the type of the request supplied from the battery using device to the communication unit 16, It is determined whether the battery-used device is connected to the pack, whether the battery-used device is in the operating state or the battery-used device is in the function stop state.

예를 들면, 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있으면 통신단자(17)의 전압이 소정 레벨이므로 전지사용 기기의 접속을 판정할 수 있고, 전지사용 기기가 동작 상태이면 요구의 빈도는 소정값보다 높고, 전지사용 기기가 기능정지상태이면 요구의 빈도는 소정값보다 낮으므로 동작 상태/기능정지 상태를 판정할 수 있다. For example, when the battery-powered device is connected to the battery pack, the connection of the battery-operated device can be determined because the voltage of the communication terminal 17 is at the predetermined level. If the battery-powered device is in the operating state, And the frequency of the request is lower than the predetermined value when the battery-operated device is in the function stop state, the operation state / function stop state can be determined.

스텝 S2에서 판정 결과로부터 전지사용 기기가 동작 상태인지의 여부를 판별하고, 전지사용 기기가 동작 상태인 경우에는, 스텝 S3에서 액티브 모드(고속 )(ACH) 또는 액티브 모드(중속)(ACM)에 동작 모드로 설정한다. (High-speed) ACH or active mode (medium speed) ACM in step S3 if the battery-operated device is in the operating state, Set to the operation mode.

한편, 스텝 S2에서 판정 결과로부터 전지사용 기기가 동작 상태가 아닌 경우에는, 스텝 S4에서 전지사용 기기가 기능정지 상태인지의 여부를 판별하고, 전지사용 기기가 기능정지 상태일 경우에는, 스텝 S5에서 슬립 모드(고속)(SLH) 또는 슬립 모드(중속)(SLM)로 동작 모드를 전환한다. 이 전환 후 소정 시간이 경과하면, 예를 들면, 타이머 인터럽트에 의하여 원래의 액티브 모드(고속)(ACH) 또는 액티브 모드(중속)(ACM) 또는 서브액티브 모드(SAC)로 복귀한다. On the other hand, if the battery-operated device is not in the operating state from the determination result in step S2, it is determined in step S4 whether or not the battery-powered device is in the function stop state. If the battery- Switches the operation mode to sleep mode (high speed) (SLH) or sleep mode (medium speed) (SLM). (High speed) ACH, active mode (medium speed) ACM, or subactive mode SAC, for example, by a timer interruption when a predetermined time elapses after the switching.

또한, 스텝 S4에서 전지사용 기기가 기능정지 상태가 아닌 경우, 즉 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있지 않은 경우에는, 스텝 S6에서 서브액티브 모드(SAC) 또는 서브슬립 모드(SSL) 또는 워치 모드(WTC)로 동작 모드를 전환한다. 이 서브슬립 모드(SSL) 또는 워치 모드(WTC)로의 전환 후 소정 시간이 경과하면, 예를 들면, 타이머 인터럽트에 의하여 원래의 액티브 모드(고속)(ACH) 또는 액티브 모드(중속)(ACM) 또는 서브액티브 모드(SAC)로 복귀한다. If it is determined in step S4 that the battery-operated device is not in the function stop state, that is, if the battery-powered device is not connected to the battery pack, the sub-active mode (SAC) (WTC). (ACH) or an active mode (medium speed) (ACM) or the like in response to a predetermined time after the switching to the sub sleep mode (SSL) or the watch mode (WTC) And returns to the subactive mode SAC.

상기 스텝 S3에서 액티브 모드(고속)(ACH) 또는 액티브 모드(중속)(ACM) 중 어느 쪽을 설정할지, 스텝 S5에서 슬립 모드(고속)(SLH) 또는 슬립 모드(중속)(SLM) 중 어느 쪽으로 전환할지, 스텝 S6에서 서브액티브 모드(SAC) 또는 서브슬립 모드(SSL) 또는 워치 모드(WTC) 중 어느 쪽으로 전환할지는, 유저가 미리 결정하여 ROM(13) 내의 EEPROM에 설정해 둔다. (High speed) ACH or active mode (medium speed) ACM is set in step S3 and whether any one of the sleep mode (high speed) SLH or the sleep mode (medium speed) SLM (SAC), the sub-sleep mode (SSL), or the watch mode (WTC) in step S6 is set in advance in the EEPROM of the ROM 13 by the user.

그런데, 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있고 전지사용 기기가 동작 상태가 아닌 경우에는, 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 소정 시간 T1만큼 액티브 모 드(고속)(ACH)[또는 액티브 모드(중속)(ACM)]로 하고 소정 시간 T2만큼 슬립 모드(고속)(SLH)[또는 슬립 모드(중속)(SLM)]로 하고, 이것을 반복하는 구성으로 해도 된다. When the battery-powered device is connected to the battery pack and the battery-powered device is not in the operating state, the active mode (high-speed) ACH (or active) (High speed) SLH (or sleep mode (medium speed) SLM) by a predetermined time T2, and repeats this operation.

또, 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있지 않은 경우에는, 도 4(b)에 도시하는 바와 같이 소정 시간 T1만큼 액티브 모드(고속)(ACH)[또는 액티브 모드(중속)(ACM) 또는 서브액티브 모드(SAC)]로 하고, 소정 시간 T3만큼 워치 모드(WTC)로 하고, 이것을 반복하는 구성으로 해도 된다. 상기한 바와 같이, 전지사용 기기의 상태에 따라 어느 모드를 사용할지는 유저가 자유롭게 설정할 수 있다. When the battery pack is not connected to the battery pack, the active mode (high-speed) ACH (or active mode (medium speed) ACM or ACM Active mode (SAC)], the watch mode (WTC) is set for the predetermined time T3, and this is repeated. As described above, the user can freely set which mode to use according to the state of the battery using device.

이와 같이, 전지사용 기기의 접속 상태와 동작 상태에 따라, 전지사용 기기가 동작 상태이면, 예를 들면, 액티브 모드를 설정하고, 전지사용 기기가 동작 상태가 아니면, 예를 들면, 슬립 모드로 하고, 전지사용 기기가 접속되어 있지 않으면, 예를 들면, 워치 모드로 함으로써, 소비전류를 줄일 수 있고, 전지사용 기기가 접속되어 있지 않은 장기 방치 상태에서의 전지 잔량을 구할 수 있다. Thus, for example, if the battery use device is in the active state, the active mode is set according to the connection state and operation state of the battery use device, and if the battery use device is not in the operation state, for example, If the battery using device is not connected, for example, by setting the watch mode, the current consumption can be reduced, and the battery remaining amount in a long-term left-off state in which the battery using device is not connected can be obtained.

<전지 팩><Battery Pack>

도 5는 본 발명의 반도체 집적회로 장치를 적용한 전지 팩의 1실시형태의 사시도를 나타낸다. 동 도면 중, 전지 팩(30)은 전지(31) 및 반도체 집적회로 장치(32)가 케이스(33)에 수납된 구성으로 되어 있다. 전지(31)는 리튬이온 전지이며, 접속단자(34a, 34b)에 의해 도 1에 도시하는 구성의 반도체 집적회로 장치(32)와 접속되어 있다. 5 is a perspective view of an embodiment of a battery pack to which the semiconductor integrated circuit device of the present invention is applied. In the figure, the battery pack 30 has a structure in which the battery 31 and the semiconductor integrated circuit device 32 are housed in a case 33. The battery 31 is a lithium ion battery and is connected to the semiconductor integrated circuit device 32 having the configuration shown in Fig. 1 by connection terminals 34a and 34b.

또한, 케이스(33)에 설치된 외부 단자(35a, 35b)는 전지(31)의 양극과 음극 에 접속되고, 외부 단자(35c)는 반도체 집적회로 장치(32)의 통신단자(17)에 접속되어 있다. The external terminals 35a and 35b provided in the case 33 are connected to the positive and negative electrodes of the battery 31 and the external terminal 35c is connected to the communication terminal 17 of the semiconductor integrated circuit device 32 have.

또한, 상기 실시형태에서는, 제 1 모드의 일례로서 액티브 모드를 사용하고, 제 2 모드의 일례로서 슬립 모드 또는 워치 모드를 사용하고 있다. In the above embodiment, the active mode is used as an example of the first mode, and the sleep mode or the watch mode is used as an example of the second mode.

<다른 실시형태><Other Embodiments>

도 6은 본 발명의 반도체 집적회로 장치의 다른 실시형태의 블록 구성도를 가리킨다. 동 도면 중, 도 1과 동일 부분에는 동일 부호를 붙인다. 퓨얼게이지 기능 모듈(10) 내에는, 아날로그 회로부(11), CPU(12), ROM(13), RAM(14), 타이머부(15), 통신부(16)가 설치되어 있고, 이것들은 도시하지 않은 내부 버스에 의해 서로 접속되어 있다. 6 shows a block diagram of another embodiment of the semiconductor integrated circuit device of the present invention. In the figure, the same parts as those in Fig. 1 are denoted by the same reference numerals. The analog circuit section 11, the CPU 12, the ROM 13, the RAM 14, the timer section 15, and the communication section 16 are provided in the fuel gauge function module 10, And are connected to each other by an internal bus.

아날로그 회로부(11)에는, 전압센서, 온도센서, 전류센서, AD 변환기 등의 아날로그 회로가 설치되고, 각 센서의 검출값은 AD 변환기에서 디지탈화되어, 내부 버스를 통하여 CPU(12)에 공급된다. An analog circuit such as a voltage sensor, a temperature sensor, a current sensor, and an AD converter is provided in the analog circuit unit 11. The detection values of the respective sensors are digitized in the AD converter and supplied to the CPU 12 via the internal bus.

CPU(12)는 ROM(13)에 저장되어 있는 각종 소프트웨어를 실행하고, 전류센서에서 검출한 리튬 이온 전지의 충방전 전류를 적산함으로써 리튬 이온 전지의 전지 잔량을 연산한다. 또한, 전압센서 및 온도센서의 검출값은 각종 보정을 행하기 위하여 사용되고, RAM(14)은 CPU(12)가 처리를 실행할 때의 작업영역으로서 사용되고, ROM(13)에는 불휘발 메모리로서의 EEPROM도 포함되어 있다. The CPU 12 executes various kinds of software stored in the ROM 13, and calculates the battery remaining amount of the lithium ion battery by integrating the charging / discharging current of the lithium ion battery detected by the current sensor. The detected values of the voltage sensor and the temperature sensor are used for various kinds of correction. The RAM 14 is used as a work area when the CPU 12 executes the processing, and the ROM 13 is also provided with an EEPROM .

타이머부(15)는 인터럽트용 타이머와 시간 계측용 타이머를 포함하는 각종 타이머를 가지고 있으며, 이들 타이머가 발생한 신호는 예를 들면 인터럽트 신호, 계측시간으로서 CPU(12)에 공급된다. 통신부(16)는 휴대전화, 디지탈 카메라 등의 전지사용 기기로부터 통신 단자(17)를 통하여 공급되는 요구에 따라, CPU(12)가 연산한 전지 잔량을 통신 단자(17)를 통하여 전지사용 기기에 송신한다. The timer unit 15 has various timers including an interruption timer and a timer for time measurement. The signal generated by these timers is supplied to the CPU 12 as an interrupt signal and measurement time, for example. The communication unit 16 communicates the remaining amount of the battery calculated by the CPU 12 to the battery using device via the communication terminal 17 in accordance with a request supplied from the battery use device such as a cellular phone or a digital camera through the communication terminal 17 .

가변 발진 회로(41)는 동작 모드 레지스터(22)로부터 동작 모드에 따른 주파수의 발진 또는 정지를 지시받고, 발진 지시 1(액티브 모드, 서브액티브 모드, 슬립 모드, 서브슬립 모드)에서 예를 들면 주파수 38.4kHz의 저속 클록을 발생하고, 발진 지시 2(워치 모드)에서 예를 들면 주파수 9.6kHz 혹은 그 이하의 초저속 클록을 발생하여 발진 회로(23) 및 클록 셀렉터(24)에 공급한다. The variable oscillation circuit 41 receives an instruction from the operation mode register 22 to oscillate or stop the frequency in accordance with the operation mode and outputs the oscillation instruction 1 (active mode, subactive mode, sleep mode, Generates a low speed clock of 38.4 kHz and generates an ultra low speed clock of, for example, a frequency of 9.6 kHz or less in the oscillation instruction 2 (watch mode) and supplies it to the oscillation circuit 23 and the clock selector 24.

여기에서, 아날로그 회로부(11) 내의 AD 변환기로서 시그마·델타 변조기를 설치하고, 시그마·델타 변조기에서 아날로그 신호를 PDM(펄스 밀도 변조) 즉 1비트 디지털 변조하여 CPU(12)에 공급하고, CPU(12)에서 PDM 신호를 다비트의 디지털값 즉 PCM(펄스 코드 변조) 데이터로 변환하는 구성으로 하는 경우가 있다. 이 경우, CPU(12)는 주파수 38.4kHz의 저속 클록이 공급되어 있으면 PDM신호를 PCM 데이터로 변환할 수 있지만, 주파수9.6kHz의 초저속 클록에서는 상기 PDM 신호로부터 PCM 데이터로의 변환을 행할 수 없다. 즉 주파수 9.6kHz의 초저속 클록은 CPU(12)가 정상동작할 수 없을 정도의 초저속이다. Here, a sigma-delta modulator is provided as an AD converter in the analog circuit unit 11, a sigma-delta modulator supplies the CPU 12 with the analog signal by PDM (Pulse Density Modulation) or 1-bit digital modulation, 12 may be configured to convert the PDM signal into a digital value of David, that is, PCM (pulse code modulation) data. In this case, the CPU 12 can convert the PDM signal into the PCM data when the low-speed clock of the frequency of 38.4 kHz is supplied, but can not convert the PDM signal into the PCM data at the ultra-low-speed clock of the frequency 9.6 kHz . That is, the ultra-low speed clock having the frequency of 9.6 kHz is very low speed that the CPU 12 can not operate normally.

도 7은 가변 발진 회로(41)의 1실시형태의 회로구성도를 도시한다. 동 도면 중, p채널 MOS-FET(금속 산화막 반도체-전계효과 트랜지스터: 이하 「MOS 트랜지스터」라고 함)(M1∼M4)은 소스가 전원(Vcc)에 접속되고, 게이트가 단자(42a∼42d)에 접속되고, 드레인이 공통접속되어 있다. MOS 트랜지스터(M1∼M4)의 드레인에는 p 채널 MOS 트랜지스터(M5, M6)의 소스가 접속되어 있다. MOS 트랜지스터(M1∼M4)가 온일 때의 드레인 전류는 동일한 것으로 되어 있다. 7 shows a circuit diagram of a variable oscillation circuit 41 according to an embodiment of the present invention. In the figure, the source of the p-channel MOS-FET (metal oxide semiconductor-field effect transistor: hereinafter referred to as "MOS transistor") M1 to M4 is connected to the power source (Vcc), the gate is connected to the terminals 42a to 42d, And the drains are connected in common. The sources of the p-channel MOS transistors M5 and M6 are connected to the drains of the MOS transistors M1 to M4. And the drain currents when the MOS transistors M1 to M4 are on are the same.

MOS 트랜지스터(M5)의 드레인은 컴퍼레이터(43)의 비반전 입력단자와 n채널 MOS 트랜지스터(M7)의 드레인과 컨덴서(C1)의 일단에 접속되고, MOS 트랜지스터(M7)의 소스와 컨덴서(C1)의 타단은 접지되어 있다. MOS 트랜지스터(M5, M7)의 게이트는 논리 회로(45)의 단자(d)에 접속되어 있다. 컴퍼레이터(43)의 반전 입력단자에는 정전압원(46)으로부터 기준전압(V1)이 인가되고, 컴퍼레이터(43)의 출력단자는 논리 회로(45)의 단자(a)에 접속되어 있다. The drain of the MOS transistor M5 is connected to the non-inverting input terminal of the comparator 43, the drain of the n-channel MOS transistor M7 and one end of the capacitor C1, and the source of the MOS transistor M7 and the capacitor C1 Is grounded. The gates of the MOS transistors M5 and M7 are connected to the terminal d of the logic circuit 45. [ The reference voltage V1 is applied to the inverting input terminal of the comparator 43 from the constant voltage source 46 and the output terminal of the comparator 43 is connected to the terminal a of the logic circuit 45.

MOS 트랜지스터(M6)의 드레인은 컴퍼레이터(44)의 비반전 입력단자와 n채널 MOS 트랜지스터(M8)의 드레인과 컨덴서(C2)(예를 들면 C1=C2)의 일단에 접속되고, MOS 트랜지스터(M8)의 소스와 컨덴서(C2)의 타단은 접지되어 있다. MOS 트랜지스터(M6, M8)의 게이트는 논리 회로(45)의 단자(e)에 접속되어 있다. 컴퍼레이터(44)의 반전 입력단자에는 정전압원(46)으로부터 기준전압(V1)이 인가 되고, 컴퍼레이터(44)의 출력단자는 논리 회로(45)의 단자(b)에 접속되어 있다. The drain of the MOS transistor M6 is connected to the non-inverting input terminal of the comparator 44 and one end of the drain of the n-channel MOS transistor M8 and the capacitor C2 (for example, C1 = C2) M8 and the other end of the capacitor C2 are grounded. The gates of the MOS transistors M6 and M8 are connected to the terminal e of the logic circuit 45. [ The reference voltage V1 is applied from the constant voltage source 46 to the inverting input terminal of the comparator 44 and the output terminal of the comparator 44 is connected to the terminal b of the logic circuit 45.

여기에서, 논리 회로(45)의 단자(e) 출력이 하이 레벨이고 단자(d) 출력이 로 레벨이 되면, MOS 트랜지스터(M5)가 온, MOS 트랜지스터(M7)가 오프되어 컨덴서(C1)가 충전되고, 컴퍼레이터(43)의 비반전 입력단자의 전압이 서서히 상승하여 기준전압(V1)을 초과했을 때에 컴퍼레이터(43) 출력(즉 논리 회로(45)의 단자(a) 입력)은 로 레벨에서 하이 레벨로 전환된다. 이것에 의해, 단자(c) 출력이 하이 레벨로 됨과 아울러, 단자(d) 출력이 하이 레벨로 되어 MOS 트랜지스터(M5)가 오 프, MOS 트랜지스터(M7)가 온 되어 컨덴서(C1)가 급속하게 방전된다. Here, when the output of the terminal e of the logic circuit 45 is at the high level and the output of the terminal d is at the low level, the MOS transistor M5 is turned on, the MOS transistor M7 is turned off, When the voltage of the non-inverting input terminal of the comparator 43 gradually rises and exceeds the reference voltage V1, the output of the comparator 43 (that is, the input of the terminal (a) of the logic circuit 45) Level to high level. As a result, the output of the terminal c becomes a high level and the output of the terminal d becomes a high level so that the MOS transistor M5 is turned off and the MOS transistor M7 is turned on so that the capacitor C1 rapidly Is discharged.

논리 회로(45)의 단자(d) 출력이 하이 레벨이고 단자(e) 출력이 로 레벨이 되면, MOS 트랜지스터(M6)가 온, MOS 트랜지스터(M8)가 오프되어 컨덴서(C2)가 충전되고, 컴퍼레이터(44)의 비반전 입력단자의 전압이 서서히 상승하여 기준전압(V1)을 초과했을 때에 컴퍼레이터(44) 출력(즉 논리 회로(45)의 단자(b)입력)은 로 레벨에서 하이 레벨로 전환된다. 이것에 의해, 단자(c) 출력이 로 레벨이 되고, 단자(e) 출력이 하이 레벨이 되어 MOS 트랜지스터(M6)가 오프, MOS 트랜지스터(M8)가 온 되어 컨덴서(C2)가 급속하게 방전된다. 이렇게 하여, 논리 회로(45)의 단자(c) 출력이 발진 신호로서 단자(47)로부터 출력된다. When the output of the terminal d of the logic circuit 45 is at the high level and the output of the terminal e is at the low level, the MOS transistor M6 is turned on, the MOS transistor M8 is turned off to charge the capacitor C2, When the voltage of the non-inverting input terminal of the comparator 44 gradually rises and exceeds the reference voltage V1, the output of the comparator 44 (that is, the input of the terminal b of the logic circuit 45) Level. As a result, the output of the terminal c becomes the low level, the output of the terminal e becomes the high level, the MOS transistor M6 is turned off, the MOS transistor M8 is turned on, and the capacitor C2 is rapidly discharged . Thus, the output of the terminal c of the logic circuit 45 is outputted from the terminal 47 as an oscillation signal.

주파수 38.4kHz의 저속 클록의 발생을 지시하는 발진 지시 1의 경우, 단자(42a∼42d)의 모두에 로 레벨의 신호가 공급되고, MOS 트랜지스터(M1∼M4)가 온 되어 MOS 트랜지스터(M1∼M4)의 드레인 전류의 가산값이 MOS 트랜지스터(M5 또는 M6)의 드레인 전류 즉 컨덴서(C1, C2)의 충전전류로 된다. Level signal is supplied to all of the terminals 42a to 42d and the MOS transistors M1 to M4 are turned on to turn on the MOS transistors M1 to M4 ) Becomes the drain current of the MOS transistor M5 or M6, that is, the charge current of the capacitors C1 and C2.

주파수 9.6kHz의 초저속 클록의 발생을 지시하는 발진 지시 2의 경우, 단자(42a)만 로 레벨로 단자(42b∼42d)에 하이 레벨의 신호가 공급되어, MOS 트랜지스터(M1)만이 온 되어 MOS 트랜지스터(M1)의 드레인 전류가 MOS 트랜지스터(M5 또는 M6)의 드레인 전류 즉 컨덴서(C1, C2)의 충전전류로 된다. In the case of the oscillation instruction 2 for instructing the generation of the ultra-low speed clock of 9.6 kHz, only the terminal 42a supplies a high level signal to the level terminal terminals 42b to 42d so that only the MOS transistor M1 is turned on, The drain current of the transistor M1 becomes the drain current of the MOS transistor M5 or M6, that is, the charging current of the capacitors C1 and C2.

이와 같이, 발진 지시 2에서는 컨덴서(C1, C2)의 충전전류를 발진 지시 1의 1/4로 함으로써 발진 주파수를 대략 1/4로 하고 있다. As described above, in the oscillation instruction 2, the oscillation frequency is reduced to about 1/4 by setting the charge current of the capacitors C1 and C2 to 1/4 of the oscillation instruction 1.

또한, 가변 발진 회로(41)로서는, 저속 클록을 발생하는 발진기와 초저속 클 록을 발생하는 발진기를 준비하고, 어느 한쪽으로 전환하는 구성으로 해도 된다. As the variable oscillation circuit 41, an oscillator for generating a low-speed clock and an oscillator for generating an ultra-low-speed clock may be provided and switched to either one.

발진 회로(23)는, 예를 들면, PLL을 내장하고 있고, 동작 모드 레지스터(22)로부터 동작 모드에 따른 체배수를 지시받고, 발진 회로(41)로부터의 클록에 동기한 예를 들면 주파수 5MHz/2.5MHz/1.25MHz중 어느 하나의 중·고속 클록을 발생하여 클록 셀렉터(24)에 공급한다. The oscillation circuit 23 incorporates, for example, a PLL, receives an instruction from the operation mode register 22 for a multiplier according to the operation mode, and generates an oscillation signal in synchronization with the clock from the oscillation circuit 41, for example, / 2.5 MHz / 1.25 MHz and supplies it to the clock selector 24.

또한, 발진 회로(41)가 출력하는 클록을 발진 회로(23)에 공급하지 않고, 발진 회로(41, 23)를 비동기로 동작시키는 구성으로 해도 된다. The oscillation circuits 41 and 23 may be operated asynchronously without supplying the clock output from the oscillation circuit 41 to the oscillation circuit 23.

클록 셀렉터(24)는 동작 모드 레지스터(22)로부터 동작 모드에 따른 클록 선택을 지시받고, 저속 클록과 복수의 중·고속 클록 중 어느 하나를 선택하고, 퓨얼게이지 기능 모듈(10) 내의 아날로그 회로부(11), CPU(12), ROM(13), RAM(14), 타이머부(15), 통신부(16) 각각에 공급한다. The clock selector 24 is instructed to select a clock in accordance with the operation mode from the operation mode register 22 and selects one of the low clock and the plurality of middle and high speed clocks, 11, the CPU 12, the ROM 13, the RAM 14, the timer 15, and the communication unit 16, respectively.

상기 동작 모드 레지스터(22)는 CPU(12)로부터 동작 모드가 설정되고 CPU(12)가 명령(슬립 명령)을 실행하는 것을 트리거로 하여 동작 모드를 전환한다. 또한 CPU(12)는 모듈 스톱 레지스터(25)에 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16) 각각의 클록 접수의 허가 또는 금지를 설정하고, 모듈 스톱 레지스터(25)는 설정된 클록 접수 허가 또는 금지를 지시하는 신호를 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16) 각각에 공급한다. 이것에 의해, 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)는 클록 접수 허가를 지시받은 것만이 클록 셀렉터(24)로부터 공급되는 클록을 접수한다. The operation mode register 22 switches the operation mode by triggering that the operation mode is set from the CPU 12 and the CPU 12 executes the instruction (sleep instruction). The CPU 12 sets permission or inhibition of clock acceptance of each of the analog circuit unit 11, the timer unit 15 and the communication unit 16 to the module stop register 25. The module stop register 25 sets the clock enable The timer section 15, and the communication section 16, respectively, to the analog circuit section 11, the timer section 15, and the communication section 16, respectively. Thereby, the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 receive clocks supplied from the clock selector 24 only to those for which clock acceptance is instructed.

<상태천이><State transition>

도 8은 도 6에 도시하는 반도체 집적회로 장치의 상태천이도를 도시한다. 또한, 도 8은 종방향이 클록 주파수를 나타내고 있다. 동 도면 중, 리셋에 의해 장치는 액티브 모드(고속)(ACH)로 된다. 이 다음, 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해 액티브 모드(고속)(ACH)로부터 서브액티브 모드(SAC)FH 천이하고, 또한 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해 역방향의 천이를 행한다. Fig. 8 shows a state transition diagram of the semiconductor integrated circuit device shown in Fig. 8 shows the clock frequency in the longitudinal direction. In the figure, by reset, the device is in the active mode (high speed) (ACH). (SAC) FH transits from the active mode (high speed) ACH to the subactive mode SAC FH by the setting of the operation mode register 22 and the execution of the sleep instruction, And performs a reverse transition by execution.

액티브 모드(고속)(ACH)는 CPU(12)가 주파수 5MHz의 클록에 의해 고속으로 프로그램을 실행하는 모드이며, 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 5MHz의 클록이 퓨얼게이지 기능 모듈(10)의 각 부에 공급되고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)이 클록을 접수하여 고속으로 동작한다. The active mode (high-speed) ACH is a mode in which the CPU 12 executes a program at a high speed by a clock having a frequency of 5 MHz and a clock with a frequency of 5 MHz selected by the clock selector 24 is input to the respective And the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 receive the clock and operate at a high speed according to an instruction from the module stop register 25. [

서브액티브 모드(SAC)는 CPU(12)가 주파수 38.4kHz의 클록에 의해 저속으로 프로그램을 실행하는 모드이며, 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 38.4kHz 의 클록이 퓨얼게이지 기능 모듈(10)의 각 부에 공급되고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)가 클록을 접수하여 저속으로 동작한다. The subactive mode SAC is a mode in which the CPU 12 executes a program at a low speed by a clock of a frequency of 38.4 kHz and a clock of a frequency of 38.4 kHz selected by the clock selector 24 is applied to the respective phases of the fuel gauge function module 10 And the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 receive the clock and operate at a low speed in response to an instruction from the module stop register 25. [

또, 액티브 모드(고속)(ACH)로부터 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해, 슬립 모드(중속)(SLM)로 천이하고, 프로그램 인터럽트 또는 타이머 인터럽트의 발생에 의해 역방향의 천이를 행한다. (SLM) by the setting of the operation mode register 22 and the execution of the sleep instruction from the active mode (high-speed) ACH and the occurrence of the program interrupt or the timer interrupt Transition is performed.

슬립 모드(중속)(SLM)는 CPU(12)가 동작을 정지하고, 모듈 스톱 레지스 터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)가 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 2.5MHz 또는 1.25MHz의 클록을 접수하여 동작하는 모드이다. In the sleep mode (middle speed) SLM, the CPU 12 stops operating, and the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 are controlled by the clock selector 24), and operates by receiving a clock of 2.5 MHz or 1.25 MHz.

또, 서브액티브 모드(SAC)로부터 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해, 서브슬립 모드(SSL)로 천이하고, 프로그램 인터럽트 또는 타이머 인터럽트의 발생에 의해 역방향의 천이를 행한다. In addition, transition is made from the subactive mode SAC to the sub-sleep mode (SSL) by the setting of the operation mode register 22 and the execution of the sleep instruction, and a transition is made in the reverse direction by the occurrence of a program interrupt or a timer interrupt.

서브슬립 모드(SSL)는 CPU(12)가 동작을 정지하고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)가 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 38.4kHz의 클록을 접수하여 동작하는 모드이다. In the sub sleep mode (SSL), the CPU 12 stops operating, and the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 are controlled by the clock selector 24 It operates by receiving clock of 38.4kHz selected frequency.

또, 액티브 모드(고속)(ACH)로부터 동작 모드 레지스터(22)의 설정과 슬립 명령의 실행에 의해, 워치 모드(WTC), 소프트웨어 스탠바이 모드(SSB) 각각으로 천이하고, 프로그램 인터럽트 또는 타이머 인터럽트의 발생에 의해 역방향의 천이를 행한다. It is also possible to make a transition from the active mode (high speed) ACH to the watch mode WTC and the software standby mode SSB by the setting of the operation mode register 22 and the execution of the sleep instruction, And makes a reverse transition by occurrence.

워치 모드(WTC)는 CPU(12)가 동작을 정지하고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 타이머부(15)만이 클록 셀렉터(24)에서 선택된 주파수 9.6kHz의 클록을 접수하여 동작하는 모드이다. The watch mode WTC is a mode in which the CPU 12 stops operating and only the timer unit 15 receives clocks of the frequency 9.6 kHz selected by the clock selector 24 under the direction of the module stop register 25 to be.

소프트웨어 스탠바이 모드(SSB)는 CPU(12)가 동작을 정지하고, 모듈 스톱 레지스터(25)의 지시에 의해 아날로그 회로부(11), 타이머부(15), 통신부(16)의 모두가 동작 정지하는 모드이다. The software standby mode SSB is a mode in which the CPU 12 stops operating and the operation of all of the analog circuit unit 11, the timer unit 15, and the communication unit 16 is stopped by an instruction from the module stop register 25 to be.

또한, 워치 모드(WTC), 소프트웨어 스탠바이 모드(SSB)에 있어서, 아날로그 회로부(11), RAM(14), 동작 모드 레지스터(22), 모듈 스톱 레지스터(25) 등은 동작 정지한 경우에, 각각의 내부상태를 유지한다. When the analog circuit portion 11, the RAM 14, the operation mode register 22, the module stop register 25, and the like are stopped in the watch mode (WTC) and the software standby mode (SSB) Lt; / RTI &gt;

이 때문에, 워치 모드(WTC)에서는 타이머부(15)에서 워치 모드(WTC)를 유지한 시간을 계측할 수 있고, 워치 모드(WTC)로부터 서브액티브 모드(SAC)로 복귀한 뒤, CPU(12)에서는 워치 모드 유지시간으로부터 리튬 이온 전지의 충방전전류를 추정할 수 있다. Therefore, in the watch mode (WTC), the time in which the watch mode (WTC) is held in the timer section (15) can be measured and after returning from the watch mode (WTC) to the subactive mode ), The charge / discharge current of the lithium ion battery can be estimated from the watch mode holding time.

<동작 모드 전환><Switching operation mode>

도 9는 CPU(12)가 실행하는 동작 모드 전환 처리의 다른 실시형태의 플로차트를 나타낸다. 또한, 이 처리가 개시할 때는 미리 액티브 모드(고속)(ACH) 또는 액티브 모드(중속)(ACM)가 설정되어 있다. Fig. 9 shows a flowchart of another embodiment of the operation mode switching process executed by the CPU 12. Fig. Further, active mode (high speed) (ACH) or active mode (medium speed) (ACM) is set in advance when this processing starts.

동 도면 중, CPU(12)는, 스텝 S11에서, 전지사용 기기로부터 통신부(16)에 공급되는 요구의 종류나 스테이터스 또는 요구의 빈도로부터, 자장치(반도체 집적회로 장치)를 구비한 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있는지, 전지사용 기기가 동작 상태인지, 전지사용 기기가 기능정지 상태인지를 판정한다. In step S11, the CPU 12 determines whether or not a battery pack having a self-device (semiconductor integrated circuit device) is connected to the communication unit 16, based on the type of the request, the status, It is determined whether or not the battery using apparatus is connected, the battery using apparatus is in the operating state, and the battery using apparatus is in the function stop state.

예를 들면, 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있으면 통신 단자(17)의 전압이 소정 레벨이므로 전지사용 기기의 접속을 판정할 수 있고, 전지사용 기기가 동작 상태이면 요구의 빈도는 소정값보다 높고, 전지사용 기기가 기능정지 상태이면 요구의 빈도는 소정값보다 낮으므로 동작 상태/기능정지 상태를 판정할 수 있다. For example, when the battery-powered device is connected to the battery pack, the connection of the battery-operated device can be determined because the voltage of the communication terminal 17 is at the predetermined level. If the battery-powered device is in the operating state, And the frequency of the request is lower than the predetermined value when the battery-operated device is in the function stop state, the operation state / function stop state can be determined.

스텝 S12에서 판정 결과로부터 전지사용 기기가 동작 상태인지의 여부를 판 별하고, 전지사용 기기가 동작 상태인 경우에는, 스텝 S13에서 액티브 모드(고속)(ACH)에 동작 모드로 설정한다. In step S12, it is determined whether or not the battery-powered device is in the operating state. If the battery-powered device is in the operating state, the active mode is set to the active mode (high speed) ACH in step S13.

한편, 스텝 S12에서 판정 결과로부터 전지사용 기기가 동작 상태가 아닌 경우에는, 스텝 S14에서 전지사용 기기가 기능정지 상태인지의 여부를 판별하고, 전지사용 기기가 기능정지 상태일 경우에는, 스텝 S15에서 슬립 모드(중속)(SLM)로 동작 모드를 전환한다. 이 전환 후 소정 시간이 경과하면 예를 들면 타이머 인터럽트에 의하여 원래의 액티브 모드(고속)(ACH)로 복귀한다. On the other hand, if the battery use device is not in the operating state from the determination result in step S12, it is determined in step S14 whether or not the battery using device is in the function stop state. If the battery use device is in the function stop state, Switches the operation mode to sleep mode (medium speed) (SLM). When a predetermined time elapses after the switching, the timer returns to the original active mode (high-speed) ACH, for example, by a timer interrupt.

또한, 스텝 S14에서 전지사용 기기가 기능정지 상태가 아닌 경우, 즉 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있지 않은 경우에는, 스텝 S16에서 워치 모드(WTC)로 동작 모드를 전환한다. 이 워치 모드(WTC)로의 전환 후 타이머부(15)에서 주파수 9.6kHz의 초저속 클록을 카운트하고 소정 시간이 경과하면, 타이머부(15)로부터의 타이머 인터럽트에 의하여 원래의 액티브 모드(고속)(ACH) 또는 서브액티브 모드(SAC)로 복귀한다. If the battery-operated device is not in the function stop state in step S14, that is, if the battery-powered device is not connected to the battery pack, the operation mode is switched to the watch mode (WTC) in step S16. After switching to the watch mode (WTC), the timer section 15 counts the ultra-low speed clock of frequency 9.6 kHz, and when the predetermined time elapses, the timer interruption from the timer section 15 causes the original active mode ACH) or the subactive mode (SAC).

또한, 스텝 S16에서는 워치 모드(WTC) 이외의 서브액티브 모드(SAC) 또는 서브슬립 모드(SSL)로 전환하는 구성으로 해도 된다. In addition, in step S16, it may be configured to switch to the subactive mode (SAC) or the sub-sleep mode (SSL) other than the watch mode (WTC).

이 실시형태에서는, 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있지 않은 경우에는, 도 10에 도시하는 바와 같이, 소정 시간(T1)만큼 서브액티브 모드(SAC)로 하고, 소정 시간(N×T1)(N은 실수)만큼 워치 모드(WTC)로 하고, 이것을 반복하는 구성으로 한다. In this embodiment, when the battery-powered device is not connected to the battery pack, as shown in Fig. 10, the subactive mode SAC is set for the predetermined time T1, N is a real number) is set as the watch mode (WTC), and this is repeated.

이 경우, 변수(N)는 제조시에 디폴트값을 ROM(13) 내의 EEPROM에 설정해 두 고, 그 후에 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되었을 때에는 전지사용 기기로부터 변수(N)를 설정 변경이 가능하게 한다. 이것에 의해, 워치 모드(WTC)의 지속시간을 전지사용 기기의 상태에 따라 자유롭게 변경하는 것이 가능하게 된다. In this case, the variable N is set to a default value in the EEPROM in the ROM 13 at the time of manufacture, and when the battery-powered device is connected to the battery pack thereafter, the variable N can be changed from the battery- . This makes it possible to freely change the duration of the watch mode (WTC) according to the state of the battery-powered device.

이와 같이, 다른 실시형태에서는, 워치 모드에서 예를 들면 주파수 9.6kHz 혹은 그 이하의 초저속 클록을 사용함으로써 소비전류를 삭감할 수 있고, 예를 들면, 전지 팩에 전지사용 기기가 접속되어 있지 않은 상태이어도 정기적으로 서브액티브 모드가 되어 전지 잔량을 연산할 수 있어, 소비전류를 삭감함으로써 전지 팩의 수명을 더욱 연장할 수 있다. As described above, in another embodiment, the consumption current can be reduced by using, for example, an ultra low-speed clock having a frequency of 9.6 kHz or less in the watch mode. For example, when the battery- Active mode, so that the remaining battery life can be further extended by reducing the consumption current.

또한, 다른 실시형태에서는, 제 3 모드의 1예로서 액티브 모드 또는 서브액티브 모드를 사용하고, 제 4 모드의 예로서 워치 모드를 사용하고 있다. In another embodiment, an active mode or a subactive mode is used as an example of the third mode, and a watch mode is used as an example of the fourth mode.

도 1은 본 발명의 반도체 집적회로 장치의 1실시형태의 블록 구성도이다. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 반도체 집적회로 장치의 상태 천이도이다. 2 is a state transition diagram of the semiconductor integrated circuit device.

도 3은 동작 모드 전환 처리의 1실시형태의 플로차트이다. 3 is a flow chart of one embodiment of the operation mode switching process.

도 4는 모드 전환의 설명도이다. 4 is an explanatory diagram of mode switching.

도 5는 본 발명의 반도체 집적회로 장치를 적용한 전지 팩의 1실시형태의 사시도이다. 5 is a perspective view of one embodiment of a battery pack to which the semiconductor integrated circuit device of the present invention is applied.

도 6은 본 발명의 반도체 집적회로 장치의 다른 실시형태의 블록 구성도이다. 6 is a block diagram of another embodiment of the semiconductor integrated circuit device of the present invention.

도 7은 가변 발진 회로의 1실시형태의 회로구성도이다. 7 is a circuit configuration diagram of one embodiment of the variable oscillation circuit.

도 8은 도 6에 도시하는 반도체 집적회로 장치의 상태천이도이다. 8 is a state transition diagram of the semiconductor integrated circuit device shown in Fig.

도 9는 동작 모드 전환 처리의 다른 실시형태의 플로우차트이다. 9 is a flowchart of another embodiment of the operation mode switching process.

도 10은 모드 전환의 설명도이다. 10 is an explanatory diagram of mode switching.

(부호의 설명)(Explanation of Symbols)

10 퓨얼게이지 기능 모듈 11 아날로그 회로부10 Fuel Gauge Function Module 11 Analog Circuitry

12 CPU 13 ROM12 CPU 13 ROM

14 RAM 15 타이머부14 RAM 15 Timer part

16 통신부 21, 23, 41 발진회로16 communication unit 21, 23, 41 oscillation circuit

22 동작 모드 레지스터 24 클록 셀렉터22 Operation mode register 24 Clock selector

25 모듈 스톱 레지스터 30 전지 팩25 Module Stop Registers 30 Battery Packs

31 전지 32 반도체 집적회로 장치31 Battery 32 Semiconductor Integrated Circuit Device

Claims (10)

전지를 전원으로 하여 전지 잔량을 구하고 상기 전지를 전원으로 하는 전지사용 기기에 송신하는 기능을 구비한 반도체 집적회로 장치로서, A semiconductor integrated circuit device having a function of obtaining a remaining amount of a battery by using a battery as a power source and transmitting the remaining amount of the battery to a battery using device which is a power source, 제 1 클록과 상기 제 1 클록보다 주파수가 큰 제 2 클록을 발생하는 클록 발생 수단과, Clock generating means for generating a first clock and a second clock having a frequency higher than that of the first clock, 상기 클록 발생 수단이 출력하는 제 1 클록과 제 2 클록 중 어느 하나를 선택하여 출력하는 선택 수단과, Selecting means for selecting and outputting either the first clock or the second clock outputted by the clock generating means; 상기 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 상기 전지 잔량을 연산하는 연산 수단과, Calculating means for operating on the basis of a clock outputted by the selecting means and calculating the remaining battery charge; 상기 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 상기 연산 수단에서 연산한 전지 잔량을 상기 전지사용 기기에 송신하는 통신 수단과, A communication unit operable by a clock outputted by said selection unit and transmitting the battery remaining amount calculated by said calculation unit to said battery use device; 상기 연산 수단을 동작시키는 제 1 모드와, 상기 연산 수단을 중지시키는 제 2 모드를 설정하는 설정 수단을 갖고, And setting means for setting a first mode for operating said calculating means and a second mode for stopping said calculating means, 상기 설정 수단은 상기 전지사용 기기의 접속 상태와 동작 상태에 따라 상기 제 1 모드와 상기 제 2 모드의 전환을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.Wherein said setting means switches between said first mode and said second mode in accordance with a connection state and an operation state of said battery use device. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 클록 발생 수단은 제 1 클록을 발생하는 제 1 발진기와, 상기 제 1 클록에 동기한 제 2 클록을 발생하는 제 2 발진기를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein said clock generating means comprises a first oscillator for generating a first clock and a second oscillator for generating a second clock synchronized with said first clock. 제 1 항에 있어서, 상기 클록 발생 수단은 상기 제 1 클록을 발생하는 제 1 발진기와, 상기 제 1 클록과 비동기의 제 2 클록을 발생하는 제 2 발진기를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein said clock generating means has a first oscillator for generating said first clock and a second oscillator for generating a second clock which is asynchronous with said first clock. 제 1 항에 있어서, 상기 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 상기 제 2 모드에서 시간 계측을 행하는 시간 계측 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising a time measuring means for operating with a clock outputted by said selecting means and performing time measurement in said second mode. 삭제delete 전지 팩으로서, As a battery pack, 전지와, A battery, 상기 전지를 전원으로 하여 전지 잔량을 구하고 상기 전지를 전원으로 하는 전지사용 기기에 송신하는 기능을 구비한 반도체 집적회로 장치를 구비하고,And a semiconductor integrated circuit device having a function of obtaining the remaining amount of the battery by using the battery as a power source and transmitting the remaining amount of the battery to a battery using device which is used as a power source, 상기 반도체 집적회로 장치는, The semiconductor integrated circuit device includes: 제 1 클록과 상기 제 1 클록보다 주파수가 큰 제 2 클록을 발생하는 클록 발생 수단과, Clock generating means for generating a first clock and a second clock having a frequency higher than that of the first clock, 상기 클록 발생 수단이 출력하는 제 1 클록과 제 2 클록 중 어느 하나를 선택하여 출력하는 선택 수단과, Selecting means for selecting and outputting either the first clock or the second clock outputted by the clock generating means; 상기 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 상기 전지 잔량을 연산하는 연산 수단과, Calculating means for operating on the basis of a clock outputted by the selecting means and calculating the remaining battery charge; 상기 선택 수단이 출력하는 클록에 의해 동작하고 상기 연산 수단에서 연산한 전지 잔량을 상기 전지사용 기기에 송신하는 통신 수단과, A communication unit operable by a clock outputted by said selection unit and transmitting the battery remaining amount calculated by said calculation unit to said battery use device; 상기 연산 수단을 동작시키는 제 1 모드와, 상기 연산 수단을 중지시키는 제 2 모드를 설정하는 설정 수단을 갖고, And setting means for setting a first mode for operating said calculating means and a second mode for stopping said calculating means, 상기 설정 수단은 상기 전지사용 기기의 접속 상태와 동작 상태에 따라 상기 제 1 모드와 상기 제 2 모드의 전환을 행하는 것을 특징으로 하는 전지 팩.Wherein the setting means switches between the first mode and the second mode according to a connection state and an operation state of the battery using device. 제 1 항에 있어서, 상기 연산 수단을 동작시키는 제 3 모드와, 상기 연산 수단을 중지시키고 상기 선택 수단이 출력하는 클록을 사용하여 시간 계측을 행하는 시간 계측 수단만을 동작시키는 제 4 모드를 설정하는 설정 수단을 갖고, The apparatus according to claim 1, further comprising: a third mode for operating said calculating means; a setting for setting a fourth mode for operating only time measuring means for stopping said calculating means and performing time measurement using a clock outputted by said selecting means With the means, 상기 클록 발생 수단은 제 1 클록을 발생하는 제 1 발진기와 제 2 클록을 발생하는 제 2 발진기를 갖고, The clock generating means has a first oscillator for generating a first clock and a second oscillator for generating a second clock, 상기 제 1 발진기는, 상기 제 3 모드에서 발생하는 제 1 클록의 주파수에 대하여, 상기 제 4 모드에서 발생하는 제 1 클록의 주파수를 낮게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.Wherein the first oscillator lowers the frequency of the first clock generated in the fourth mode with respect to the frequency of the first clock generated in the third mode. 제 8 항에 있어서, 상기 시간 계측 수단은, 상기 제 4 모드에서 상기 제 1 클록을 사용하여 시간을 계측해서 소정 시간이 경과하면, 상기 설정 수단이 상기 제 3 모드로 천이하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.The apparatus according to claim 8, wherein the time measuring means measures the time using the first clock in the fourth mode, and causes the setting means to transit to the third mode when a predetermined time elapses Semiconductor integrated circuit device. 제 9 항에 있어서, 상기 시간 계측 수단은 상기 소정 시간을 변경 자유롭게 한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.10. The semiconductor integrated circuit device according to claim 9, wherein the time measuring means changes the predetermined time.
KR20080108769A 2007-12-06 2008-11-04 semiconductor integrated circuit device and battery pack KR101508677B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007316283 2007-12-06
JPJP-P-2007-316283 2007-12-06
JPJP-P-2008-272909 2008-10-23
JP2008272909A JP5515273B2 (en) 2007-12-06 2008-10-23 Semiconductor integrated circuit device and battery pack

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090060137A KR20090060137A (en) 2009-06-11
KR101508677B1 true KR101508677B1 (en) 2015-04-03

Family

ID=40734413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20080108769A KR101508677B1 (en) 2007-12-06 2008-11-04 semiconductor integrated circuit device and battery pack

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5515273B2 (en)
KR (1) KR101508677B1 (en)
CN (1) CN101452058B (en)
TW (1) TW200934044A (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011130528A (en) * 2009-12-15 2011-06-30 Panasonic Corp Charged electricity amount calculation circuit, battery pack, and battery-mounted system
US8664996B2 (en) * 2012-01-03 2014-03-04 Mediatek Inc. Clock generator and method of generating clock signal
KR102329981B1 (en) * 2017-01-02 2021-11-22 주식회사 엘지에너지솔루션 System and method for reducing the current consumption of temperature sensing device
JP7114514B2 (en) * 2019-03-14 2022-08-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and battery pack

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050118919A (en) * 2004-06-15 2005-12-20 주식회사 파워로직스 Fuel gauge ic and method of calibration for smart battery
KR20070029427A (en) * 2005-09-09 2007-03-14 엘지전자 주식회사 A circuit of gausing a battery and a controlling method thereof
JP2007240523A (en) * 2006-02-13 2007-09-20 Mitsumi Electric Co Ltd Battery pack

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7167993B1 (en) * 1994-06-20 2007-01-23 Thomas C Douglass Thermal and power management for computer systems
US5592095A (en) * 1995-08-28 1997-01-07 Motorola, Inc. Charge measurement circuit for a battery in which oscillators are used to indicate mode of operation
JP4013003B2 (en) * 1998-03-27 2007-11-28 宇部興産株式会社 battery pack
JP4274706B2 (en) * 2001-03-30 2009-06-10 三洋電機株式会社 Pack battery
JP3610930B2 (en) * 2001-07-12 2005-01-19 株式会社デンソー Operating system, program, vehicle electronic control unit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050118919A (en) * 2004-06-15 2005-12-20 주식회사 파워로직스 Fuel gauge ic and method of calibration for smart battery
KR20070029427A (en) * 2005-09-09 2007-03-14 엘지전자 주식회사 A circuit of gausing a battery and a controlling method thereof
JP2007240523A (en) * 2006-02-13 2007-09-20 Mitsumi Electric Co Ltd Battery pack

Also Published As

Publication number Publication date
JP5515273B2 (en) 2014-06-11
TW200934044A (en) 2009-08-01
CN101452058A (en) 2009-06-10
JP2009159809A (en) 2009-07-16
CN101452058B (en) 2013-01-09
KR20090060137A (en) 2009-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5527895B2 (en) Secondary battery control device and control method
JP5020546B2 (en) Charge / discharge protection circuit, battery pack incorporating the charge / discharge protection circuit, electronic device using the battery pack, portable game machine
JP4137496B2 (en) Remaining amount prediction method
JP2007240524A (en) Remaining battery charge detection circuit
JP4074596B2 (en) Rechargeable battery or rechargeable battery pack
US5844435A (en) Low power, high accuracy clock circuit and method for integrated circuits
JP3892641B2 (en) Data generation method for monitoring and controlling the state of charge and discharge of a secondary battery
KR101508677B1 (en) semiconductor integrated circuit device and battery pack
JP2009153238A (en) Portable device and battery pack used for the same
CN114072984B (en) Battery management apparatus
US7649422B2 (en) Real time clock integrated circuit and electronic apparatus using the same
JP5544922B2 (en) Protection circuit and electronic equipment
EP2068162A2 (en) Semiconductor integrated circuit device and battery pack
JPH1056383A (en) A/d converter circuit that periodically performs a/d conversion
JP2007327971A (en) Measuring device of remaining battery life
US6327127B1 (en) Electronic instrument
JP2011017619A (en) Battery pack, semiconductor device, portable device, notification method, and notification program
JP2008249713A (en) Battery pack, semiconductor device, and portable device having built-in battery pack
JP2003235178A (en) Battery output controller
JP2002075463A (en) Charge control device of secondary cell, and charging method of the same
JP4835444B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP5347460B2 (en) Integrated circuit device for secondary battery protection and inspection method for integrated circuit device for secondary battery protection
JP3269550B2 (en) Oscillation circuit and oscillation method
JP5206254B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP3017541B2 (en) Electronic clock

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190318

Year of fee payment: 5