KR101504829B1 - 가연성 가스 처리 장치 - Google Patents

Abstract

발광 다이오드의 제조공정에서 배출되는 가스를 처리할 수 있는 가스 처리 장치가 개시된다. 가연성 및 폭발성을 가지는 처리가스의 연소를 위해 글라이딩 플라즈마가 이용된다. 수소 또는 암모니아가 포한된 처리가스는 높은 가연성을 가지며, 고온에서의 연쇄반응을 통한 폭발위험성을 가진다. 이를 방지하기 위해 저온에서 연소동작이 가능한 글라이딩 플라즈마가 형성되고, 플라즈마 플레임은 연소부에서 처리가스를 연소한다. 완전 연소를 위해 연소 세라믹볼들로 충진된 추가 연소부가 구비될 수 있다. 연소 동작에 의해 발생된 분진은 분진 처리부에서 필터링된다.

Description

가연성 가스 처리 장치{Scrubber of removing Flammable Gas}

본 발명은 가스 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학적 기상 증착 공정에서 발생되는 유해 가스를 처리할 수 있는 가스 처리 장치에 관한 것이다.

반도체 또는 발광 다이오드의 제조공정에서 사용되는 화학적 기상 증착은 다양한 가스를 배출한다. 특히, 발광 다이오드의 에피텍셜 성장 공정에서는 금속 유기물 증착 공정(Metal Organic CVD)에서는 금속의 전구체로 금속-유기물이 사용된다. 예컨대, GaN를 기반으로 하는 고휘도 발광 다이오드에서는 Ga의 전구체와 N의 전구체가 사용된다. 또한, 분위기 가스로 H2가 사용된다. 이를 통해 증착장비에서 배출되는 가스로는 유기성분의 가스, 암모니아 및 수소가 있다.

암모니아 및 수소 가스는 대기 중에 노출시 자연발화 또는 폭발반응이 유발될 수 있는 고위험성의 가스이다. 따라서, 반도체 공정 및 화학 산업 분야에서는 암모니아 및 수소 이외에 다양한 위험요소를 가진 가스를 안전하게 처리하기 위한 가스 처리 장치가 필수적으로 사용된다.

가스 처리 장치는 당업계에서 가스 스크러버(Gas Scrubber)로 통칭된다. 가스 스크러버는 처리되는 목적 가스의 물성 또는 특성에 따라 다양하게 구분될 수 있다. 가스 스크러버의 종류로는 습식 스크러버, 건식 스크러버, 연소 스크러버 및 플라즈마 스크러버가 있다.

습식 스크러버는 수처리를 이용하는 것이며, 건식 스크러버는 화학적 약제를 이용한 시스템이다. 또한, 연소 스크러버는 연소 반응을 이용하여 처리대상 가스를 연소공정을 통해 제거하는 시스템이며, 플라즈마 스크러버는 고온의 이온화된 가스를 이용하여 처리대상 가스에 대한 반응을 통해 제거하는 시스템이다.

습식 스크러버 및 건식 스크러버는 전통적인 가스 처리 시스템이라 할 수 있다. 다만, 습식 스크러버의 경우, 수처리를 통해 수행되므로 처리된 용액의 오염이 수반되며, 오염된 용액에 대한 2차적 처리가 요구된다. 또한, 건식 스크러버의 경우, 낮은 처리 효율이 문제된다. 이외에 연소 스크러버는 처리대상 가스의 연소를 위해 과도한 연료 및 열원이 요구되며, 연소에 따른 2차 오염물의 형성이 문제가 된다.

따라서, 고온의 반응성 이온을 이용하여 처리대상 가스를 처리할 수 있는 플라즈마 스크러버를 통한 암모니아 또는 수소의 처리가 요청된다 할 것이다. 특히, 플라즈마를 이용하는 경우, 수소 등의 가스의 폭발 반응에 따른 위험요소를 해소할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 플라즈마를 이용한 가스 처리 장치를 통한 가연성 가스의 처리 기술은 요청된다 할 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 가연성 가스를 글라이딩 플라즈마를 이용하여 처리하는 가스 처리 장치를 제공하는데 있다.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 글라이딩 플라즈마를 발생하여 인입되는 처리 가스의 연소를 유도하기 위한 글라이딩 플라즈마부; 상기 글라이딩 플라즈마에 의한 플라즈마 플레임에 의해 처리 가스가 연소되는 연소부; 상기 연소부의 연소에 의해 발생된 분진을 포집하기 위한 분진 처리부; 및 상기 분진이 처리된 처리가스를 냉각하여 대기 배출시 온도차로 인해 발생되는 수분 결로 현상을 방지하기 위한 가스 냉각부를 포함하는 가스 처리 장치를 제공하는데 있다.

상술한 본 발명에 따르면, 발광 다이오드 등의 반도체 제조공정에서 발생되는 수소 및 암모니아 가스를 효율적으로 제거할 수 있는 시스템을 가진다. 특히, 높은 폭발의 위험성을 가지는 수소는 저온의 글라이딩 플라즈마에 의해 안정적인 연소 환경을 확보할 수 있다. 또한, 연소부에서는 700℃ 이상의 고온 분위기를 형성하여 미연소된 수소 가스 및 암모니아 가스의 완전연소를 유도한다. 또한, 처리가스의 연소에 의해 발생되는 분진은 분진 처리부에서 제거된다. 상술한 본 발명을 통해 MOCVD 등의 공정에서 발생되는 가연성 가스는 저온 분위기에서 처리되어 안전한 연소가 유도된다. 또한, 연소부에서 채용되는 자켓 히터 및 유지 챔버로 인해 에너지 손실을 최소화할 수 있다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 처리 장치를 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1에서 도시된 글라이딩 플라즈마부를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1의 연소부를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분진 처리부 및 가스 냉각부를 도시한 단면도이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.

실시예

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스 처리 장치를 도시한 블록도이다.

도 1을 참조하면, 가스 처리 장치는 글라이딩 플라즈마부(100), 연소부(200), 분진 처리부(300) 및 가스 냉각부(400)를 가진다.

글라이딩 플라즈마부(100)는 일종의 저온 플라즈마인 글라이딩 플라즈마를 발생시킨다. 글라이딩 플라즈마는 금속의 용융 온도를 가진 고온 플라즈마와는 달리 열보다는 높은 전자 에너지를 가진다. 즉, 화염이 발생되는 글라이딩 플라즈마는 저온 특성을 가지므로 가연성이 매우 높은 가스에 대해서도 안정적인 동작을 확보할 수 있는 잇점이 있다.

따라서, 글라이딩 플라즈마부(100)는 발생되는 플라즈마 플레임(Plasma Flame)을 통해 수소 가스를 저온에서 연소시킬 수 있다. 이를 통해 수소 가스가 가지는 폭발반응을 방지할 수 있다. 또한, 상기 글라이딩 플라즈마부(100)는 2단계의 공기를 주입하여 플라즈마 플레임의 안정적인 연소반응을 유도한다. 즉, 1차 공기의 주입을 통해 플라즈마 아크에서 플라즈마 플레임을 발생시키고, 이를 통해 수소 가스를 연소한다. 또한, 2차 공기의 주입을 통해 1차 공기의 주입을 통해 점화된 가스의 불완전 연소를 방지한다.

연소부(200)는 상기 글라이딩 플라즈마부(100)에 연결된다. 글라이딩 플라즈마부(100)에서 발생된 플라즈마 플레임은 연소부(200)로 공급된다. 연소부(200)는 자체 발열 수단을 이용하여 열을 발생시키고, 발생된 열을 통해 연소부의 내부의 온도는 700℃ 이상으로 유지된다. 따라서, 글라이딩 플라즈마부(100)에서 점화를 거친 가스는 고온의 연소부(200)로 공급되고, 고온의 열에 의해 암모니아 가스 및 실란 가스 등은 완전 연소된다. 특히, 완전 연소를 위해 상기 연소부(200)에는 3차 공기의 주입이 수행될 수 있다. 즉, 공기 중에 포함된 산소 가스에 의해 연소부(200) 내에서는 완전 연소가 일어난다. 따라서, 암모니아 가스 및 실란 가스 등 연소 가능한 가스들은 연소되며, 글라이딩 플라즈마부(100)에서 미연소된 수소 가스도 연소된다.

또한, 상기 연소부(200) 하단에는 추가 연소부(250)가 구비될 수 있다. 상기 추가 연소부(250)는 세라믹 볼로 충진된다. 세라믹 볼이 충진된 추가 연소부(250)는 높은 보온성을 가진다. 따라서, 세라믹 볼 사이의 이격 공간은 700℃ 이상의 고온으로 유지되며, 추가적인 연소 반응이 발생된다. 이는 연소부(200)에서 미연소된 가스 등이 세라믹 볼 사이의 이격공간에서 완전 연소되도록 추가 연소 반응을 유도한다.

연소부(200)에서 연소된 가스는 분진 처리부(300)로 유입된다. 연소부(200)에서 연소된 가스는 분진의 형태로 분진 처리부(300)로 유입된다. 분진 처리부(300)는 집진의 기능을 수행한다. 따라서, 중력침강, 직접차단, 관성충돌, 확산 또는 정전기력을 이용하여 분진들은 분진 처리부(300) 내에서 포집되고, 제거될 수 있다.

중력침강은 처리 기체 내에 함유된 분진들 중 큰 크기와 밀도를 가진 입자가 기류에 편승하지 못하고 자체가 가지는 무게에 의해 침강되는 형상을 이용하는 기술이다.

또한, 직접차단은 여과포로 구성된 필터를 분진 처리부(300)에 구비하고, 기류를 필터에 통과시킴을 통해 분진을 포집한다. 따라서, 사이즈가 큰 입자는 필터에 여과될 수 있다.

관성충돌은 충분한 관성력을 가지는 질량을 가지는 분진이 여과포 등의 필터와 충돌하여 부착되는 현상을 이용한다. 따라서, 분진 입자는 기류에 따라 필터를 통과하지 못하고, 섬유 재질의 여과포에 부착된다.

확산은 미세한 분진 입자들이 자체의 브라운 운동을 따라 처리가스가 가지는 이동속도와 다른 자체의 속도로 진행한다. 따라서, 처리가스의 흐름과 별도로 여과포 등에 분진입자들이 포집될 수 있다.

또한, 정전기력을 이용한 포집은 분진 입자들 중 대전된 입자들이 반대 극성을 가지는 여과포 등에 포집되는 현상이다.

상술한 다양한 원리를 통해 필터에 분진입자들이 포집될 수 있다.

또한, 상기 분진 처리부(300)와 연소부(200) 사이에는 습식 처리부(350)가 더 구비될 수 있다. 만일, 상기 연소부(200)에 추가 연소부(250)가 구비되는 경우, 상기 습식 처리부(350)는 추가 연소부(250)와 분진 처리부(300) 사이에 구비됨이 바람직하다.

또한, 상기 분진 처리부는 건식처리 이외에 습식으로 처리하는 프로세스를 채용할 수 있다. 예컨대, 상기 분진 처리부는 당업계에서 사용되는 통상의 습식 스크러버로 구성될 수 있다. 또한, 상기 습식 처리부(350)는 분진 이외에 미처리된 암모니아 등의 다양한 가스를 처리할 수 있다. 따라서, 상기 습식 처리부(350)는 미세 크기의 액체의 분사와 분사된 액체가 처리 가스를 포집하고, 이에 대한 코로나 방전을 통한 포집을 통해 수행될 수 있다. 이외에 상기 습식 처리부(350)는 용액에 처리 가스를 투입하고, 용액 속에 처리 가스를 용해하는 과정을 통해 처리 가스를 제거할 수 있다.

상기 분진 처리부(300)에는 가스 냉각부(400)가 연결된다.

상기 가스 냉각부(400)는 처리된 가스가 가지는 열에너지를 외부로 배출시키며, 이를 통해 가스의 대기 배출시 온도차로 인해 발생되는 수분 결로 현상을 방지한다. 이를 위해 가스 냉각부(400)는 공랭식 챔버의 형태를 가짐이 바람직하다. 예컨대 가스 냉각부(400)의 외주면을 따라 형성된 냉각핀들을 통해 열교환이 수행되고 이를 통해 처리 가스가 냉각될 수 있다.

상기 도 1에서 개시된 가스 처리 장치는 높은 가연성과 폭발성을 가진 처리 가스를 글라이딩 플라즈마를 통해 저온 연소한다. 이를 통해 MOCVD 공정 등에서 발생되는 처리 가스는 용이하게 처리될 수 있다. 또한, 연소에 의해 발생되는 분진 등은 분진 처리부에서 포집될 수 있다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1에서 도시된 글라이딩 플라즈마부를 도시한 단면도이다.

도 2를 참조하면, 글라이딩 플라즈마부는 플라즈마 발생부(110), 1차 에어 공급관(120), 2차 에어 공급관(130), 가스 인입구(140), 플라즈마 챔버(150) 및 가스 배출구(160)를 가진다.

플라즈마 발생부(110)는 1KW 이하의 DC 전력이 소모되는 글라이딩 토치 전극을 통해 플라즈마 아크를 발생시킨다. 또한, 플라즈마 발생부(110)를 관통하여 1차 에어 공급관(120)이 구비된다. 1차 에어 공급관(120)을 통해 1차 에어가 플라즈마 챔버(150) 내로 유입되며, 1차 에어는 대기 성분으로 산소를 포함한다. 따라서, 플라즈마 아크는 1차 에어 공급관(120)에서 공급되는 공기를 통해 플라즈마 플레임으로 전환된다. 즉, 초기 점화원으로 가스 인입구(140)에서 유입되는 수소 가스는 연소된다. 다만, 글라이딩 플라즈마의 특성상 저온 연소로 인해 수소 가스의 폭발 반응은 방지된다. 수소 가스의 연소는 플라즈마 챔버(150)에서 수행된다.

플라즈마 챔버(150)의 일측에는 2차 에어 공급관(130)이 연결된다. 2차 에어 공급관(130)을 통해 2차 에어가 공급되며, 2차 에어는 1차 에어와 동일한 대기 성분을 가진다. 따라서, 대기 성분에 포함된 산소에 의해 플라즈마 플레임은 연소부(200)를 향해 인입된다. 특히, 2차 에어 공급관(130)은 가스 배출구(160)를 향해 기울어진 형상을 가진다. 따라서, 공급되는 2차 에어를 통해 플라즈마 플레임은 가스 배출구(160)를 향해 토출된다.

상기 글라이딩 플라즈마부(100)에서는 가스 인입구(140)를 통해 유입되는 가스들 중 수소 가스가 주로 연소된다. 또한, 암모니아 등 가연성을 가지는 가스들의 일부도 글라이딩 플라즈마부(100)에서 연소될 수 있다.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 1의 연소부를 도시한 단면도이다.

도 3을 참조하면, 연소부(200)는 연소 챔버(210), 자켓 히터(220) 및 유지 챔버(230)를 가진다.

연소 챔버(210) 내로는 글라이딩 플라즈마부(100)로 인입된 처리가스가 유입되며, 상기 글라이딩 플라즈마부(100)에서 발생된 플라즈마 플레임이 유입된다.

또한, 연소 챔버(210)의 외곽에는 자켓 히터(220)가 구비된다. 자켓 히터(220)는 적어도 8KW의 발열량을 가지고, 연소 챔버(210)의 온도를 700℃ 이상으로 유지한다. 따라서, 고온의 연소 챔버(210) 내의 온도로 인해 플라즈마 플레임은 수소 및 암모니아 가스 등을 완전 연소한다.

또한, 자켓 히터(220) 외곽에는 유지 챔버(230)가 구비된다. 유지 챔버(230)는 자켓 히터(220)에서 발생된 열이 외부로 유출되는 것을 방지한다. 예컨대, 유지 챔버(230)의 내부는 보온 세라믹 볼들(231)로 충진된다. 높은 보온성을 가진 보온 세라믹 볼들(231)은 자켓 히터(220)에서 발생된 열을 보존할 수 있으며, 이를 위해 상기 보온 세라믹 볼(231)은 타이타늄 산화물 또는 지르코늄 산화물 등으로 구성될 수 있다.

또한, 상기 연소 챔버(210)에는 별도의 3차 에어 공급관(240)이 구비될 수 있다. 3차 에어 공급관(240)을 통해 공급되는 대기 성분은 연소 챔버(210) 내에서 수소 및 암모니아 등의 가연성 가스의 완전 연소를 유도할 수 있다.

따라서, 상기 연소 챔버(210)에서는 상기 글라이딩 플라즈마부(100)에서 점화된 가스가 실질적으로 연소된다.

또한, 상기 연소부(200)에는 추가 연소부(250)가 구비될 수 있다. 상기 추가 연소부(250)는 연소부(200)의 하단에 구비되며, 연소부(200)의 연소 챔버(210)가 확장된 형태로 구비된다. 다만, 상기 추가 연소부(250)는 내부에 연소 세라믹 볼들(251)로 충진된다. 상기 연소 세라믹 볼(251)은 지르코늄 산화물 또는 타이타늄 산화물로 구성된다. 연소 세라믹 볼들(251)로 충진된 공간에는 연소부(200)의 연소 동작에서 미연소된 기체가 유입된다. 또한, 연소 세라믹 볼(251)은 높은 보온성을 가지므로 연소 세라믹 볼들(251) 사이의 이격공간에서 미연소 가스들은 추가 연소된다. 결국, 추가 연소부(250)는 연소부(200)의 연소 공간이 확장되어 높은 보온성을 가지고 연소 동작을 수행할 수 있다.

또한, 상기 연소부(200) 또는 추가 연소부(250)에는 습식 처리부(350)가 추가로 연결될 수 있다. 즉, 연소부(200)에 습식 처리부(350)가 연결되거나 추가 연소부(250)에 습식 처리부(350)가 연결될 수 있다.

상기 습식 처리부(350)는 연소부(200) 등에서 미반응된 암모니아 또는 수용성 가스 등이 처리될 수 있다. 습식 처리부(350)는 수용성 가스 및 암모니아를 수용액에 투입하여 용해하거나, 미세 미스트를 처리가스에 분사하여 수용성 가스 및 암모니아를 포집하는 프로세스를 통해 처리가스를 처리할 수 있다.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분진 처리부 및 가스 냉각부를 도시한 단면도이다.

도 4를 참조하면, 분진 처리부(300)는 적어도 하나의 필터를 가진다. 상기 필터에 의해 연소부(200)에서 연소 공정에 의해 발생된 분진은 필터링된다. 분진에 대한 필터링은 상기 도 1에서 설명한 바와 동일하다.

또한, 분진 처리부(300)를 통과한 처리 가스는 가스 냉각부(400)로 공급된다.

상기 가스 냉각부(400)는 고온의 처리 가스가 가지는 열에너지를 외부로 배출하는 역할을 수행한다. 상기 가스 냉각부(400)는 처리가스가 통과하는 복수개의 핀튜브들(410)과 이를 감싸는 하우징(430) 및 외기를 공급하는 외기 공급부(420)로 구성된다. 따라서, 외기 공급부(420)는 핀튜브들(410)에 외기를 공급하고, 핀튜브(410)를 통과하는 처리 가스는 냉각된다. 냉각된 처리 가스는 배기구(440)를 통해 외부로 배출된다. 이를 위해 상기 외기 공급부(420)는 외기 공급용 팬을 구비하고 팬의 회전을 통해 외기를 핀튜브들(410)에 공급한다.

상술한 본 발명은 발광 다이오드 등의 반도체 제조공정에서 발생되는 수소 및 암모니아 가스를 효율적으로 제거할 수 있는 시스템을 가진다. 특히, 높은 폭발의 위험성을 가지는 수소는 저온의 글라이딩 플라즈마에 의해 안정적인 연소 환경을 확보할 수 있다. 또한, 연소부에서는 700℃ 이상의 고온 분위기를 형성하여 미연소된 수소 가스 및 암모니아 가스의 완전연소를 유도한다. 또한, 처리가스의 연소에 의해 발생되는 분진은 분진 처리부에서 제거된다. 상술한 본 발명을 통해 MOCVD 등의 공정에서 발생되는 가연성 가스는 저온 분위기에서 처리되어 안전한 연소가 유도된다. 또한, 연소부에서 채용되는 자켓 히터 및 유지 챔버로 인해 에너지 손실을 최소화할 수 있다.

100 : 글라이딩 플라즈마부 200 : 연소부
250 : 추가 연소부 300 : 분진 처리부
350 : 습식 처리부 400 : 가스 냉각부

Claims (7)

1. 글라이딩 플라즈마를 발생하여 인입되는 처리 가스의 연소를 유도하기 위한 글라이딩 플라즈마부;
   상기 글라이딩 플라즈마에 의한 플라즈마 플레임에 의해 처리 가스가 연소되는 연소부;
   상기 연소부의 연소에 의해 발생된 분진을 포집하기 위한 분진 처리부; 및
   상기 분진이 처리된 처리가스를 냉각하여 대기 배출시 온도차로 인해 발생되는 수분 결로 현상을 방지하기 위한 가스 냉각부;를 포함하고,
   상기 연소부는:
   상기 글라이딩 플라즈마부에서 발생된 플라즈마 플레임이 유입되고, 처리가스가 연소되는 연소 챔버;
   상기 연소 챔버의 외곽에 구비되고, 발열 동작을 수행하여 상기 연소 챔버의 온도를 700℃ 이상으로 유지하는 자켓 히터; 및
   상기 자켓 히터의 외곽에 구비되고, 상기 자켓 히터에서 발생된 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 유지 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 처리 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 글라이딩 플라즈마부는,
   글라이딩 토치 전극을 통해 플라즈마 아크를 발생시키는 플라즈마 발생부;
   상기 플라즈마 발생부를 관통하여 1차 에어를 공급하는 1차 에어 공급관; 및
   상기 1차 에어 공급관에서 공급되는 1차 에어를 통해 발생된 플라즈마 플레임에 의해 수소 가스가 연소되는 플라즈마 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 처리 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 글라이딩 플라즈마부는,
   상기 플라즈마 챔버의 일측에 구비되고, 2차 에어를 공급하는 2차 에어 공급관을 더 포함하고, 상기 2차 에어 공급관은 가스 배출구를 향해 기울어진 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 가스 처리 장치.
4. 삭제
5. 제3항에 있어서, 상기 유지 챔버는 내부가 보온 세라믹 볼들로 충진되는 것을 특징으로 하는 가스 처리 장치.
6. 제3항에 있어서, 상기 연소부는 상기 연소 챔버의 일측에 3차 에어 공급관을 더 포함하고, 상기 3차 에어 공급관을 통해 공급되는 대기 성분을 통해 상기 연소 챔버는 가연성 가스의 완전 연소를 유도하는 것을 특징으로 하는 가스 처리 장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 가스 처리 장치는,
   상기 연소부에 연결된 추가 연소부를 더 포함하고, 상기 추가 연소부 내부는 연소 세라믹 볼들로 충진되는 것을 특징으로 하는 가스 처리 장치.

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