KR101504544B1 - Mask for forming pattern and method of manufacturing this - Google Patents

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Abstract

본 발명은 쉐도우 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 형성시키고자 하는 패턴이 복수개의 패턴 영역으로 구획되어 구획된 일부분 패턴 영역에 대한 제1 패턴에 대응되는 제1 개구 패턴이 형성된 제1 마스크와 구획된 나머지 부분 패턴 영역에 대한 제2 패턴에 대응되는 제2 개구 패턴이 형성된 제2 마스크를 준비하는 마스크 준비 단계; 및 패턴이 형성될 기판 상에 상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크 각각을 통해 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴을 형성시키는 패턴 형성 단계를 포함하며, 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴의 결합으로 상기 기판 상에 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크를 이용한 패턴 형성 방법과 이를 위한 패턴 형성용 마스크이며, 이와 같은 본 발명에 의하면 기판에 패턴 형성용 마스크를 장착시에 마스크의 인장으로 인한 일정 길이 이상의 미세한 라인 패턴에 뒤틀림이 발생하는 문제를 제거하여 정확한 미세 라인 패턴을 형성시킬 수 있으며 또한 직각 라인 패턴이나 원호 패턴의 형성시에 패턴이 번지는 형상을 제거할 수 있어 다양한 모양의 패턴을 정밀하게 형성시킬 수 있다.The present invention relates to a shadow mask and a pattern forming method using the shadow mask. The shadow mask includes a first mask having a first opening pattern corresponding to a first pattern corresponding to a part of a pattern area partitioned by a plurality of pattern areas, And a second opening pattern corresponding to the second pattern for the remaining partial pattern regions partitioned by the second opening pattern; And a pattern forming step of forming the first pattern and the second pattern through the first mask and the second mask, respectively, on a substrate on which a pattern is to be formed, wherein a combination of the first pattern and the second pattern The pattern forming method using the mask and the pattern forming mask for the pattern forming method according to the present invention are characterized in that when the pattern forming mask is mounted on the substrate, Precise fine line pattern can be formed by eliminating the problem of occurrence of warping in a fine line pattern longer than a length, and it is also possible to eliminate a pattern-shaped pattern when forming a right-angle line pattern or an arcuate pattern, .

Description

패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 {Mask for forming pattern and method of manufacturing this}[0001] The present invention relates to a mask for pattern formation,

본 발명은 패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 형성시키고자 하는 패턴을 복수개의 패턴 영역으로 구획하고 구획된 일부분 패턴 영역에 대한 제1 패턴에 대응되는 제1 개구 패턴이 형성된 제1 마스크와 구획된 나머지 부분 패턴 영역에 대한 제2 패턴에 대응되는 제2 개구 패턴이 형성된 제2 마스크로 구성된 패턴 형성용 마스크를 제안하고 상기 패턴 형성용 마스크를 이용하여 미세한 라인 패턴이나 일정 각도로 꺾인 패턴 등을 정밀하게 형성시키는 방안을 개시한다.
The present invention relates to a mask for pattern formation and a method of forming a pattern using the mask. More particularly, the present invention relates to a mask for pattern formation, And a second mask having a second opening pattern corresponding to a second pattern corresponding to the remaining partial pattern area partitioned by the pattern formed thereon. The mask for pattern formation is proposed, And a method of precisely forming a pattern or the like bent at a predetermined angle are disclosed.

반도체, 태양전지, 터치스크린 등을 제조하는데 있어서, 메탈 마스크나 쉐도우 마스크 등의 패턴 형성용 마스크를 이용한 증착 또는 인쇄 공정을 통해 미세 전극 등의 패턴을 형성하고 있다.In fabricating semiconductors, solar cells, touch screens and the like, patterns such as microelectrodes are formed through a deposition or printing process using a mask for pattern formation such as a metal mask or a shadow mask.

도 1은 종래기술에 따른 일반적인 패턴 형성용 마스크를 이용한 패턴 형성을 도시하는데, 상기 도 1에 도시된 바와 같이 마스크를 이용하여 증착이나 인쇄 공정으로 패턴을 형성함에 있어서, 형성시키고자 하는 패턴에 대응되는 개구 패턴(40)이 형성된 마스크(30)를 제작하고, 제작된 마스크(30)를 기판(10)의 상면에 장착하는데, 이때 기판(10) 상에 마스크(30)를 고루 밀착시켜 장착하기 위해 상기 도 1과 같이 마스크(30)를 상하 및 좌우 인장하여 장착하게 된다.FIG. 1 illustrates pattern formation using a conventional mask for pattern formation according to the related art. As shown in FIG. 1, in forming a pattern by a deposition or printing process using a mask, The mask 30 having the opening pattern 40 formed thereon is formed and the manufactured mask 30 is mounted on the upper surface of the substrate 10. At this time, The mask 30 is vertically and horizontally tensioned and mounted as shown in FIG.

미세한 선폭을 형성하기 위해서는 마스크(30)의 개구 패턴(40)은 그만큼 미세하게 형성되어야 하므로 일반적으로 보다 정밀하게 미세한 패턴을 형성시키고자 마스크의 두께를 수내지 수십um로 형성시키는데, 가령 메탈 마스크나 쉐도우 마스크의 두께는 20~30um이며, 필름 마스크의 경우에는 그 두께가 대략 10~20um에 이르고 있다.In order to form a fine line width, the opening pattern 40 of the mask 30 should be formed finely so that the thickness of the mask is usually several to several tens of μm in order to form a fine pattern. The thickness of the shadow mask is 20 to 30 μm, and the thickness of the film mask is about 10 to 20 μm.

따라서 이와 같이 얇은 두께의 마스크(30)를 기판(10) 상에 인장하여 장착하면 마스크(30)에 형성된 개구 패턴(40)이 인장력으로 인해 변형될 수 있는데, 특히 일정 길이 이상의 미세 라인 패턴에 대응되는 개구 패턴이나 소정 각도로 꺾어진 패턴에 대응되는 개구 패턴의 경우에 변형이 쉽게 일어나는 문제점이 있다.Therefore, when the mask 30 having such a small thickness is stretched and mounted on the substrate 10, the opening pattern 40 formed on the mask 30 can be deformed due to the tensile force. In particular, There is a problem that deformation easily occurs in the case of an opening pattern corresponding to a pattern bent at a predetermined angle or an opening pattern corresponding to a pattern bent at a predetermined angle.

도 2는 상기 도 1에 도시된 종래기술에 따른 마스크(30)로 형성된 패턴을 도시하는데, 상기 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 일정 길이 이상의 미세 라인 패턴(50)의 경우에 마스크의 개구 패턴이 변형됨에 따라서 쳐진 패턴(51a)이 형성되거나 두께가 일정하지 않게 패턴(51b)이 형성되게 된다. 또한 상기 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 90도로 꺾어진 패턴의 경우에 꺾이는 부분에서 패턴이 번지는 현상(61a)이 발생되기도 한다.FIG. 2 shows a pattern formed by the mask 30 according to the prior art shown in FIG. 1. As shown in FIG. 2 (a), in the case of the fine line pattern 50 having a predetermined length or more, As the opening pattern is deformed, a struck pattern 51a is formed or a pattern 51b is formed with a constant thickness. Also, as shown in FIG. 2 (b), in the case of a pattern bent at 90 degrees, a phenomenon (61a) in which a pattern spreads occurs at a bent portion.

기술발전에 따른 소형화, 대용량화 및 슬림화의 요구로 인해 형성되는 패턴은 마이크로 단위의 선폭, 피치가 필요하게 되었으며, 패턴의 형상 또한 파인 라인이어야 함은 물론 위치 공차까지 제어가 필요한데, 상기에서 살펴본 바와 같이 종래기술에 따른 패턴 형성용 마스크를 이용하는 경우에 형성되는 패턴에 오차나 변형이 발생되어 그로 인한 제품 에러율이 높아지는 문제점이 있다.The pattern formed due to the demand for miniaturization, large capacity, and slimness due to technological development is required to have line width and pitch in units of microns, and the shape of the pattern must be a fine line as well as a position tolerance control. There is a problem that an error or deformation is generated in a pattern formed when a mask for pattern formation according to the related art is used, thereby increasing the product error rate.

특히 마스크가 대형화될수록 이와 같은 현상은 더욱 커지게 되어 미세한 선폭으로 일정 길이 이상의 전극 라인 패턴이나 소정 각도로 꺾이는 패턴을 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있다.
Particularly, as the size of the mask increases, such a phenomenon becomes larger, so that it is not easy to form an electrode line pattern having a certain length or more and a pattern bent at a predetermined angle with a fine line width.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 마스크를 이용하여 증착 또는 인쇄 등의 공정으로 미세 라인 패턴을 형성하는 경우에 패턴 형성용 마스크의 얇은 선폭과 얇은 간격으로 인하여 마스크의 장착을 위한 인장 과정에서 마스크의 개구 패턴이 변형되어 이로 인해 형성된 패턴이 처짐 또는 휘는 현상이 발생되는 문제점을 해결하고자 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and it is an object of the present invention to provide a method of forming a fine line pattern by vapor deposition or printing using a mask, The opening pattern of the mask is deformed during the tensile process for mounting, and the pattern formed thereby is deflected or warped.

특히 마스크가 대형화될수록 이와 같은 현상은 더욱 커지게 되어 미세한 선폭으로 일정 길이 이상의 라인 패턴이나 소정 각도로 꺾이는 패턴을 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점을 해결하고자 한다.
Particularly, as the size of the mask increases, such a phenomenon becomes larger, so that it is not easy to form a line pattern having a certain length or more and a pattern bent at a predetermined angle with a fine line width.

상기 기술적 과제를 달성하고자 본 발명에 따른 마스크를 이용한 패턴 형성 방법은, 형성시키고자 하는 패턴이 복수개의 패턴 영역으로 구획되어 구획된 일부분 패턴 영역에 대한 제1 패턴에 대응되는 제1 개구 패턴이 형성된 제1 마스크와 구획된 나머지 부분 패턴 영역에 대한 제2 패턴에 대응되는 제2 개구 패턴이 형성된 제2 마스크를 준비하는 마스크 준비 단계; 및 패턴이 형성될 기판 상에 상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크 각각을 통해 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴을 형성시키는 패턴 형성 단계를 포함하며, 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴의 결합으로 상기 기판 상에 패턴이 형성되는 것을 특징한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a pattern using a mask, the method comprising: forming a first opening pattern corresponding to a first pattern on a part pattern area partitioned by a plurality of pattern areas A mask preparation step of preparing a second mask in which a second opening pattern corresponding to a second pattern for the remaining partial pattern area defined by the first mask is formed; And a pattern forming step of forming the first pattern and the second pattern through the first mask and the second mask, respectively, on a substrate on which a pattern is to be formed, wherein a combination of the first pattern and the second pattern A pattern is formed on the substrate.

여기서, 상기 패턴 형성 단계는, 상기 기판 상에 상기 제1 마스크를 안착시키고 상기 제1 패턴을 형성시킨 후 상기 제1 마스크를 제거하는 제1 패턴 형성 단계; 및 상기 제1 패턴이 형성된 기판에 상기 제2 마스크를 안착시키고 상기 제2 패턴을 형성시킨 후 상기 제2 마스크를 제거하는 제2 패턴 형성 단계를 포함할 수 있다.The pattern forming step includes: a first pattern forming step of placing the first mask on the substrate, forming the first pattern, and then removing the first mask; And a second pattern forming step of placing the second mask on the substrate on which the first pattern is formed, forming the second pattern, and then removing the second mask.

또는 상기 패턴 형성 단계는, 상기 기판 상에 상기 제1 마스크를 안착시키는 단계; 상기 기판 상에 상기 제2 마스크를 안착시키는 단계; 상기 제1 마스크를 통한 제1 패턴과 상기 제2 마스크를 통한 제2 패턴을 형성시키는 단계; 및 상기 기판 상에서 상기 제1 마스크와 제2 마스크를 제거하는 단계를 포함할 수도 있다.Or the pattern forming step comprises: placing the first mask on the substrate; Placing the second mask on the substrate; Forming a first pattern through the first mask and a second pattern through the second mask; And removing the first mask and the second mask on the substrate.

바람직하게는 상기 마스크 준비 단계는, 형성시키고자 하는 패턴을 복수개의 패턴 영역을 구획하고, 상기 복수개의 패턴 영역을 교번하여 제1 패턴과 제2 패턴으로 선택하는 패턴 구획 단계; 마스크 기판에 상기 제1 패턴에 대응되는 제1 개구 패턴을 형성하여 제1 마스크를 준비하는 단계; 및 마스크 기판에 상기 제2 패턴에 대응되는 제2 개구 패턴을 형성하여 제2 마스크를 준비하는 단계를 포함할 수 있다.Preferably, the mask preparation step may include: a pattern dividing step of dividing a pattern area to be formed into a plurality of pattern areas and alternately selecting the plurality of pattern areas as a first pattern and a second pattern; Forming a first mask on the mask substrate by forming a first opening pattern corresponding to the first pattern; And preparing a second mask by forming a second opening pattern corresponding to the second pattern on the mask substrate.

보다 바람직하게는 상기 패턴 구획 단계는, 상기 복수개의 패턴 영역 각각은 기설정된 길이 범위 및 폭 범위 이내로 구획될 수 있다.More preferably, in the pattern dividing step, each of the plurality of pattern areas may be divided into a predetermined length range and a width range.

나아가서 상기 패턴 구획 단계는, 상기 형성시키고자 하는 패턴에 포함된 소정 각도로 꺾인 패턴 영역을 세로 방향의 패턴 영역과 가로 방향의 패턴 영역으로 구획하고, 상기 세로 방향의 패턴 영역은 제1 패턴으로 선택하고 상기 가로 방향의 패턴 영역은 제2 패턴으로 선택하는 것이 바람직하다.Further, the pattern dividing step divides a pattern area bent at a predetermined angle included in the pattern to be formed into a pattern area in the vertical direction and a pattern area in the horizontal direction, and the pattern area in the vertical direction is selected as the first pattern And the pattern area in the lateral direction is selected as the second pattern.

한걸음 더 나아가서 상기 마스크 준비 단계는, 상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크에 서로 대응되는 정렬키를 형성하는 단계를 포함할 수도 있다ㅑ.Further, the mask preparation step may include forming alignment keys corresponding to each other in the first mask and the second mask.

또한 본 발명은, 형성시키고자 하는 패턴이 복수개의 패턴 영역으로 구획되어 구획된 일부분 패턴 영역에 대한 제1 패턴에 대응되는 제1 개구 패턴이 형성된 제1 마스크; 및 구획된 나머지 부분 패턴 영역에 대한 제2 패턴에 대응되는 제2 개구 패턴이 형성된 제2 마스크를 포함하며, 상기 제1 마스크와 제2 마스크는 서로 다른 마스크 기판에 형성된 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 마스크를 개시한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a lithographic apparatus including: a first mask having a first opening pattern corresponding to a first pattern corresponding to a partial pattern region partitioned by a plurality of pattern regions to be formed; And a second mask having a second opening pattern corresponding to a second pattern corresponding to the remaining partial pattern regions, wherein the first mask and the second mask are formed on different mask substrates. Initiate the mask.

바람직하게는 상기 제1 개구 패턴과 상기 제2 개구 패턴은, 상기 기설정된 길이 범위 및 폭 범위 이내로 형성될 수 있다.Preferably, the first opening pattern and the second opening pattern may be formed within the predetermined length range and width range.

나아가서 상기 제1 마스크와 제2 마스크에는 상기 제1 개구 패턴과 상기 제2 개구 패턴이 서로 대응되도록 정렬키가 형성될 수도 있다.Furthermore, the first mask and the second mask may be provided with alignment keys such that the first opening pattern and the second opening pattern correspond to each other.

한걸음 더 나아가서 상기 제1 개구 패턴과 상기 제2 개구 패턴이 서로 대응되어 상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크가 결합될 수도 있다.
The first opening pattern and the second opening pattern correspond to each other so that the first mask and the second mask may be combined.

이와 같은 본 발명에 의하면, 기판에 패턴 형성용 마스크를 장착시에 마스크의 인장으로 인한 일정 길이 이상의 미세한 라인 패턴에 뒤틀림이 발생하는 문제를 제거하여 정확한 미세 라인 패턴을 형성시킬 수 있으며 또한 직각 라인 패턴이나 원호 패턴의 형성시에 패턴이 번지는 형상을 제거할 수 있어 다양한 모양의 패턴을 정밀하게 형성시킬 수 있다.
According to the present invention, when a mask for pattern formation is mounted on a substrate, it is possible to eliminate a problem that distortion occurs in a fine line pattern of a predetermined length or more due to tensile of the mask, thereby forming an accurate fine line pattern, It is possible to eliminate the pattern-wise shape at the time of formation of the arc pattern and to precisely form a pattern of various shapes.

도 1은 종래기술에 따른 일반적인 패턴 형성용 마스크를 이용한 패턴 형성을 도시하며,
도 2는 상기 도 1에 따라 형성된 패턴을 도시하며,
도 3은 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크의 제1 실시예로서, 일정 길이 이상의 미세 라인 패턴을 형성하기 위한 마스크의 실시예를 도시하며,
도 4는 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크의 제2 실시예로서, 90도로 꺾인 패턴을 형성하기 위한 마스크의 실시예를 도시하며,
도 5는 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크의 제3 실시예로서, 제1 마스크와 제2 마스크를 대응시키기 위한 정렬키가 형성된 마스크의 실시예를 도시하며,
도 6은 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크의 제4 실시예로서, 제1 마스크와 제2 마스크가 결합되어 하나의 마스크를 형성한 실시예를 도시하며,
도 7은 형성시키고자 하는 패턴 형상에 대한 실시예를 도시하며,
도 8은 본 발명에 따른 미세 라인 패턴 형성용 마스크를 제조하는 과정을 도시하며,
도 9는 본 발명에 따른 미세 라인 패턴 형성용 마스크를 이용하여 패턴을 형성하는 과정에 대한 제1 실시예를 도시하며,
도 10은 본 발명에 따른 꺾임 라인 패턴 형성용 마스크를 제조하는 과정을 도시하며,
도 11은 본 발명에 따른 꺾임 라인 패턴 형성용 마스크를 이용하여 패턴을 형성하는 과정에 대한 제2 실시예를 도시한다.FIG. 1 illustrates pattern formation using a conventional mask for pattern formation according to the prior art,
Figure 2 shows a pattern formed according to Figure 1 above,
Fig. 3 is a first embodiment of a mask for pattern formation according to the present invention, showing an embodiment of a mask for forming fine line patterns of a predetermined length or longer,
4 is a second embodiment of the mask for pattern formation according to the present invention, showing an embodiment of a mask for forming a pattern bent at 90 degrees,
Fig. 5 shows an embodiment of a mask in which an alignment key is formed to correspond a first mask and a second mask, according to a third embodiment of the mask for pattern formation according to the present invention,
6 shows a fourth embodiment of the mask for pattern formation according to the present invention, in which one mask is formed by combining a first mask and a second mask,
Figure 7 shows an embodiment of the pattern shape to be formed,
8 shows a process of manufacturing a mask for forming a fine line pattern according to the present invention,
9 shows a first embodiment of a process of forming a pattern using a mask for forming a fine line pattern according to the present invention,
10 shows a process of manufacturing a mask for forming a line pattern according to the present invention,
11 shows a second embodiment of a process of forming a pattern using a mask for forming a line pattern according to the present invention.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 설명하기 위하여 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하고 이를 참조하여 살펴본다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings.

먼저, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니며, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 또한 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.First, the terminology used in the present application is used only to describe a specific embodiment, and is not intended to limit the present invention, and the singular expressions may include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. Also, in this application, the terms "comprise", "having", and the like are intended to specify that there are stated features, integers, steps, operations, elements, parts or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

본 발명은, 패턴 형성용 마스크를 이용하여 미세한 라인 패턴이나 일정 각도로 꺾인 패턴 등을 정밀하게 형성시키는 방안으로서, 새로운 구조의 패턴 형성용 마스크를 제안하고 이를 이용하여 정밀하게 패턴을 형성시키는 패턴 형성 방법을 제안한다. The present invention proposes a mask for pattern formation of a new structure as a method of precisely forming a fine line pattern or a bent pattern at a predetermined angle by using a mask for pattern formation and forms a pattern for precisely forming a pattern Method.

먼저 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크에 대하여 그 실시예를 통해서 살펴보기로 한다.First, a mask for pattern formation according to the present invention will be described with reference to embodiments.

도 3은 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크의 제1 실시예를 도시한다.Fig. 3 shows a first embodiment of a mask for pattern formation according to the present invention.

상기 도 3에 도시된 본 발명에 따른 마스크(100)는 일정 길이 이상의 미세 라인 패턴을 형성하는 경우에 적용될 수 있는데, 본 발명에 따른 마스크(100)는 제1 마스크(110)와 제2 마스크(150)로 구성될 수 있다. 상기 도 3의 실시예에서는 마스크(100)가 두 개의 제1 및 제2 마스크(110, 150)로 구성되는 것으로 도시되어 있으나 이에 국한되지 않고 본 발명에서는 형성시키고자 하는 패턴의 복잡도나 길이 등을 고려하여 두 개에 한정되지 않고 그 이상의 복수개의 마스크로 구성될 수도 있다.The mask 100 according to the present invention shown in FIG. 3 can be applied to a case where a fine line pattern having a predetermined length or longer is formed. The mask 100 according to the present invention includes a first mask 110 and a second mask 150). In the embodiment of FIG. 3, the mask 100 includes two first and second masks 110 and 150, but the present invention is not limited thereto. In the present invention, the complexity, length, It is not limited to two, but may be constituted by a plurality of masks further.

제1 마스크(110)에는 복수개의 제1 개구 패턴(120)이 형성되어 있는데, 여기서 제1 개구 패턴(120)은 제1 마스크(110)를 인장하여 기판에 장착시에 제1 개구 패턴(120)의 변형이 발생되지 않도록 하거나 만약 발생하는 경우에라도 형성되는 패턴의 오차를 최소화시키기 위해서 기설정된 길이 범위 및 폭 범위 이내로 형성될 수 있다.A plurality of first opening patterns 120 are formed in the first mask 110. The first opening patterns 120 are formed by pulling the first mask 110 and forming a first opening pattern 120 May be formed within a predetermined length range and width range so as not to cause deformation of the pattern or to minimize the error of the pattern to be formed even if it occurs.

또한 제2 마스크(150)에도 복수개의 제2 개구 패턴(160)이 형성되어 있으며, 제2 개구 패턴(160)도 제1 개구 패턴(120)과 마찬가지로 제2 마스크(150)를 인장하여 기판에 장착시에 제2 개구 패턴(160)의 변형이 발생되지 않도록 하거나 만약 발생하는 경우에라도 형성되는 패턴의 오차를 최소화시키기 위해서 기설정된 길이 범위 및 폭 범위 이내로 형성될 수 있다.A plurality of second opening patterns 160 are formed in the second mask 150. The second opening patterns 160 are formed by stretching the second mask 150 in the same manner as the first opening patterns 120, It may be formed within a predetermined length range and width range in order to prevent deformation of the second opening pattern 160 at the time of mounting or to minimize an error of a pattern formed even if it occurs.

여기서 제2 마스크(120)의 제2 개구 패턴(160)과 제1 마스크(110)의 제1 개구 패턴(120)은 서로 대응되는데, 즉 제1 개구 패턴(120)과 제2 개구 패턴(160)이 겹쳐지는 경우에 끊기지 않고 미세 라인을 이룰 수 있도록 서로 대응되어 형성되어 있다.Here, the second opening pattern 160 of the second mask 120 and the first opening pattern 120 of the first mask 110 correspond to each other, that is, the first opening pattern 120 and the second opening pattern 160 Are formed so as to correspond to each other so as to form a fine line without interruption when they overlap each other.

도 4는 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크의 제2 실시예로서, 90도로 꺾인 패턴을 형성하기 위한 마스크의 실시예를 도시한다.Fig. 4 is a second embodiment of the mask for pattern formation according to the present invention, showing an embodiment of a mask for forming a pattern bent at 90 degrees.

상기 도 4에 도시된 제2 실시예도 상기 제1 실시예와 유사하게 마스크(100a)는 제1 개구 패턴(120a)이 제1 마스크(110a)와 제2 개구 패턴(160a)이 형성된 제2 마스크(150a)로 구성된다.Similar to the first embodiment shown in FIG. 4, the mask 100a has a structure in which the first opening pattern 120a is divided into a first mask pattern 110a and a second mask pattern 120b in which a second opening pattern 160a is formed, (150a).

여기서도 제1 마스크(110a)의 제1 개구 패턴(120a)과 제2 마스크(150a)의 제2 개구 패턴(160a)은 서로 대응되어, 제1 개구 패턴(120a)과 제2 개구 패턴(160a)이 겹쳐지는 경우에 끊김 없이 90도로 꺾인 라인을 이룰 수 있도록 형성된다.The first opening pattern 120a of the first mask 110a and the second opening pattern 160a of the second mask 150a correspond to each other to form the first opening pattern 120a and the second opening pattern 160a, Is formed so as to form a line bent 90 degrees without interruption.

상기 도 4에 도시된 제2 실시예에서 주목할 점은, 제1 마스크(110a)에 형성된 제1 개구 패턴(120a) 중에 세로 방향의 특정 개구 패턴(125)과 제2 마스크(150a)에 형성된 제2 개구 패턴(160a) 중에 가로 방향의 특정 개구 패턴(165)이 서로 대응되며, 제1 마스크(110a)와 제2 마스크(150a)를 서로 대응시켜 겹쳐보면 세로 방향의 특정 개구 패턴(125)과 가로 방향의 특정 개구 패턴(165)이 서로 결합되어 90도로 꺾인 개구 패턴을 이룰 수 있다는 것이다.4, the first opening pattern 120a formed in the first mask 110a includes a predetermined opening pattern 125 in the vertical direction and a second opening pattern 125 formed in the second mask 150a. When the first opening pattern 160a corresponds to a specific opening pattern 165 in the transverse direction and the first mask 110a and the second mask 150a are overlapped with each other, The specific opening patterns 165 in the transverse direction are combined with each other to form an opening pattern bent at 90 degrees.

이와 같이 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크는 서로 대응되는 제1 개구 패턴과 제2 개구 패턴이 각각 형성된 서로 다른 제1 마스크와 제2 마스크로 구성되며, 각각으로 이루어진 제1 마스크와 제2 마스크가 하나의 조를 이루어 이들을 이용하여 패턴을 형성시키게 된다. 상기 도 3의 제1 실시예와 상기 도 4의 제2 실시예에 도시된 제1 개구 패턴(120, 120a)과 제2 개구 패턴(160, 160a)은 보다 명확한 도시를 위해서 개구 패턴의 형태가 크게 형성된 것으로 도시되어 있으나 실제 형성시키고자 하는 패턴은 수 내지 수십 um에 이르기 때문에 제1 마스크(110, 110a)와 제2 마스크(150, 150a)의 개구 패턴들은 육안으로 식별하기 불가능할 정도의 크기로 형성되며, 상기 제1 마스크와 제2 마스크는 개구 패턴의 가공 편리성이나 안정도 및 신뢰성 등을 고려하여 SUS304나 인바(INVAR) 등의 재질로 제조될 수 있다.
As described above, the mask for pattern formation according to the present invention is composed of a first mask and a second mask, which are different from each other and each having a first opening pattern and a second opening pattern, And a pattern is formed by using them in one group. The first opening patterns 120 and 120a and the second opening patterns 160 and 160a shown in the first embodiment of FIG. 3 and the second embodiment of FIG. 4 are formed in the shape of the opening pattern Since the pattern to be actually formed is several to several tens of um, the opening patterns of the first and second masks 110 and 110a and the second masks 150 and 150a are not large enough to be visually recognized The first and second masks may be made of a material such as SUS304 or INVAR in consideration of ease of processing, stability, and reliability of the opening pattern.

나아가서 도 5는 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크의 제3 실시예로서, 제1 마스크와 제2 마스크를 대응시키기 위한 정렬키가 형성된 마스크의 실시예를 도시한다.5 shows a third embodiment of the mask for pattern formation according to the present invention, showing an embodiment of a mask in which an alignment key is formed to correspond a first mask and a second mask.

상기 도 5에 도시된 제3 실시예에 따른 마스크(100b)는 상기 도 3의 제1 실시예에 따른 마스크(100)와 유사하게 제1 개구 패턴(120b)이 형성된 제1 마스크(110b)와 제2 개구 패턴(160b)이 형성된 제2 마스크(150b)로 구성된다.The mask 100b according to the third embodiment shown in FIG. 5 is similar to the mask 100 according to the first embodiment shown in FIG. 3 except that the first mask 110b having the first opening pattern 120b formed thereon And a second mask 150b having a second opening pattern 160b.

제1 마스크(110b)와 제2 마스크(150b)는 서로 대응되어 하나의 조를 이루어 미세한 패턴들을 형성시키는데 이용되므로 패턴의 형성시에 제1 마스크(110b)와 제2 마스크(150b)를 정밀하게 정렬시킬 필요가 있다.Since the first mask 110b and the second mask 150b are used to form fine patterns in one tie, the first mask 110b and the second mask 150b are precisely formed It needs to be aligned.

따라서 상기 도 5에 도시된 제3 실시예에서의 제1 마스크(110b)와 제2 마스크(150b)에는 외각 테두리 상에 각각 정렬키(115, 155)가 서로 대응되도록 형성되어 있다. 즉 제1 마스크(110b)의 정렬키(115)와 제2 마스크(150b)의 정렬키(155)는 서로 대응되므로 제1 마스크(110b)를 기판에 안착시에 제1 마스크(110b)에 형성된 정렬키(115)를 기준으로 제1 마스크(110b)의 위치를 정렬하여 제1 패턴을 형성시키고, 또한 제2 마스크(150b)를 기판에 안착시에 제2 마스크(150b)에 형성된 정렬키(155)를 기준으로 제2 마스크(150b)의 위치를 정렬하여 제2 패턴을 형성시킴으로서 제1 마스크(110b)를 통해 형성된 제1 패턴과 제2 마스크(150b)를 통해 형성된 제2 패턴을 정밀하게 대응시킬 수 있게 된다.Therefore, the first mask 110b and the second mask 150b in the third embodiment shown in FIG. 5 are formed so that the alignment keys 115 and 155 correspond to each other on the outer edge. That is, since the alignment key 115 of the first mask 110b and the alignment key 155 of the second mask 150b correspond to each other, when the first mask 110b is placed on the substrate, The first mask 110b is aligned with the alignment key 115 to form a first pattern and the alignment key 115b is formed on the second mask 150b when the second mask 150b is placed on the substrate. The first pattern formed through the first mask 110b and the second pattern formed through the second mask 150b can be precisely formed by aligning the positions of the second mask 150b with respect to the second mask 150b, .

여기서 상기 도 5의 정렬키(115, 155)는 원형 개구의 형태로 도시되어 있으나, 보다 정밀한 정렬을 위해서는 사각 형태, 십자 형태, 다각형 형태 등의 다양한 모양의 개구 형태로 정렬키가 형성될 수도 있다. Although the alignment keys 115 and 155 shown in FIG. 5 are shown as circular openings, alignment keys may be formed in various shapes of openings such as a square shape, a cross shape, and a polygonal shape for more precise alignment .

한걸음 더 나아가서 도 6은 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크의 제4 실시예로서, 제1 마스크와 제2 마스크가 결합되어 하나의 마스크를 형성한 실시예를 도시한다.6 is a fourth embodiment of the mask for pattern formation according to the present invention, in which the first mask and the second mask are combined to form one mask.

상기 도 6의 제4 실시예에 도시된 마스크(100c)는 기본적으로 제1 개구 패턴(120)이 형성된 제1 마스크(110c)와 제2 개구 패턴(160)이 형성된 제2 마스크(150c)가 앞서 살펴본 실시예들에서 개시된 제1 마스크 및 제2 마스크와 동일할 수 있으며, 상기 제4 실시예에서의 특징적 구성은 제1 마스크(110c)와 제2 마스크(150c)가 서로 대응되어 결합된 형태로서, 하나의 조를 이루는 제1 마스크(110c)와 제2 마스크(150c)를 결합하여 일체형 마스크(100c)를 형성시켰다는 점이다.The mask 100c shown in the fourth embodiment of FIG. 6 basically includes a first mask 110c having a first opening pattern 120 and a second mask 150c having a second opening pattern 160 formed thereon The first mask 110c and the second mask 150c may be the same as the first mask and the second mask disclosed in the embodiments described above, and the characteristic configuration in the fourth embodiment is that the first mask 110c and the second mask 150c correspond to each other The integrated mask 100c is formed by combining the first mask 110c and the second mask 150c constituting one set.

이와 같이 상기 제4 실시예의 일체형 마스크(100c)를 이용하는 경우에는 제1 마스크로 제1 개구 패턴에 대응되는 패턴을 형성시키는 하나의 공정과 제2 마스크로 제2 개구 패턴에 대응되는 패턴을 형성시키는 다른 하나의 공정을 통합하여 하나의 공정으로서 패턴을 형성시킬 수 있게 된다.
In the case of using the integrated mask 100c of the fourth embodiment as described above, one process of forming a pattern corresponding to the first opening pattern with the first mask and a process of forming a pattern corresponding to the second opening pattern with the second mask The other process can be integrated to form a pattern as a single process.

본 발명에서는 상기에서 살펴본 본 발명에 따른 다양한 패턴 형성용 마스크를 이용하여 정밀하고 세밀한 라인 패턴이나 꺾인 패턴을 형성시키는 패턴 형성 방법을 개시하는데, 이하에서는 본 발명에 따른 패턴 형성 방법을 실시예를 통해 살펴보기로 한다.The present invention discloses a pattern forming method for forming fine line patterns or folded patterns using various mask patterns according to the present invention. Hereinafter, a pattern forming method according to an embodiment of the present invention will be described. Let's take a look.

가령 도 7의 (a)와 같이 일정 길이 이상으로 미세 라인 패턴을 형성하는 경우에는, 이에 대응하는 본 발명에 따른 마스크를 제조하는데, 도 8은 본 발명에 따른 미세 라인 패턴 형성용 마스크를 제조하는 과정을 도시한다.For example, when a fine line pattern is formed over a predetermined length as shown in FIG. 7 (a), a mask according to the present invention corresponding to the fine line pattern is manufactured. FIG. 8 is a cross- ≪ / RTI >

상기 도 8에 도시된 바와 같이 형성시키고자 하는 라인 패턴(50)을 복수개의 패턴 영역으로 구획하여 일부분 패턴 영역에 대한 제1 패턴(51)과 나머지 부분 패턴 영역에 대한 제2 패턴(55)으로 구분한다. 여기서 구획된 복수개의 패턴들을 교번하여 제1 패턴(51)과 제2 패턴(55)으로 번갈아 선택하는 것이 바람직하다.The line pattern 50 to be formed as shown in FIG. 8 is divided into a plurality of pattern areas to form a first pattern 51 for a partial pattern area and a second pattern 55 for the remaining partial pattern area It is classified. It is preferable to alternately select a plurality of patterns partitioned by the first pattern 51 and the second pattern 55 in this case.

형성시키고자 하는 라인 패턴(50)을 제1 패턴(51)과 제2 패턴(55)으로 구획한 후 제1 패턴(51)에 대응되도록 마스크 기판에 제1 개구 패턴(120)을 형성하여 제1 마스크(110)를 제작하고, 또한 제2 패턴(55)에 대응되도록 마스크 기판에 제2 개구 패턴(160)을 형성하여 제2 마스크(150)를 제작한다.A first opening pattern 120 is formed on the mask substrate so as to correspond to the first pattern 51 after dividing the line pattern 50 to be formed by the first pattern 51 and the second pattern 55, 1 mask 110 and a second opening pattern 160 is formed on the mask substrate so as to correspond to the second pattern 55 to fabricate the second mask 150. [

나아가서 제1 마스크(110)와 제2 마스크(150)가 하나의 조를 이루면서 개별적으로 구성될 수도 있고, 또는 제1 마스크(110)와 제2 마스크(150)를 서로 대응시켜서 결합함으로써 일체형 마스크로 구성할 수도 있다.Furthermore, the first mask 110 and the second mask 150 may be individually formed as one group, or the first mask 110 and the second mask 150 may be associated with each other to form an integral mask .

이와 같은 본 발명에 따른 미세 라인 패턴 형성용 마스크가 준비되면, 이를 이용하여 상기 도 7의 (a)와 같은 패턴을 형성시키는데, 도 9는 본 발명에 따른 미세 라인 패턴 형성용 마스크를 이용하여 패턴을 형성하는 과정에 대한 제1 실시예를 도시한다.When the mask for forming a fine line pattern according to the present invention is prepared, the same pattern as shown in FIG. 7A is formed. FIG. 9 is a cross- A first embodiment of the present invention will be described.

상기 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이 패턴을 형성할 기판(10) 상에 상기 도 8에 따라 제작된 제1 마스크(110)를 정렬하여 안착시킨다. 이때 상기 도 9의 실시예에는 도시되지 않았지만 제1 마스크(110)를 기판(10) 상에 보다 정밀하게 정렬하여 안착시키기 위해서 제1 마스크에 형성된 정렬키를 이용하여 기판 상에 제1 마스크를 안착시킬 수도 있다. 즉, 기판(10) 상에는 상기 정렬키에 대응되는 정렬 지점이 표시되어 있으며 기판(10) 상의 상기 정렬 지점에 제1 마스크(110)의 정렬키를 대응시켜 제1 마스크(110)를 안착시킬 수도 있다.The first mask 110 fabricated according to FIG. 8 is aligned and seated on the substrate 10 to be patterned, as shown in FIG. 9 (a). In this case, although not shown in the embodiment of FIG. 9, the first mask 110 may be seated on the substrate 10 by using the alignment key formed on the first mask so as to more accurately align and mount the first mask 110 on the substrate 10 . That is, an alignment point corresponding to the alignment key is displayed on the substrate 10, and the alignment key of the first mask 110 may correspond to the alignment point on the substrate 10 to seat the first mask 110 have.

제1 마스크(110)를 기판(10) 상에 정렬하여 안착시킨 후 상기 도 9의 (b)와 같이 패턴 형성 물질로 제1 마스크(110)의 제1 개구 패턴(120)에 대응되는 제1 패턴을 형성시키는데, 패턴의 형성은 증착이나 인쇄 등의 여러 가지 방식이 적용될 수 있으며, 상기 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이 상부로부터 패턴 형성 물질을 공급될 수도 있으나 이와 다르게 기판(10)의 하면에 제1 마스크(110)를 안착시키고 패턴 형성 물질이 하부로부터 공급될 수도 있다.The first mask 110 is aligned and placed on the substrate 10 and then the first mask 110 is patterned to form a first opening pattern 120 corresponding to the first opening pattern 120 of the first mask 110, The pattern forming material may be supplied from the upper portion as shown in FIG. 9 (b). Alternatively, the pattern forming material may be supplied from the upper portion of the substrate 10, The first mask 110 may be placed on the lower surface of the substrate 110 and the pattern forming material may be supplied from below.

이와 같이 패턴 형성 물질의 공급으로 제1 마스크(110)를 통해 상기 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이 제1 개구 패턴(120)에 대응되는 제1 패턴(51)이 기판(10)상에 형성된다.9C, a first pattern 51 corresponding to the first opening pattern 120 is formed on the substrate 10 through the first mask 110 by the supply of the pattern forming material, As shown in FIG.

그리고 제1 패턴(51)이 형성된 기판(10) 상에 상기 도 9의 (d)와 같이 상기 도 8에 따라 제작된 제2 마스크(150)를 정렬하여 안착시킨다. 여기서도 앞서 살펴본 바와 같이 제2 마스크(150)를 기판(10) 상에 보다 정밀하게 정렬하여 안착시키기 위해서 제2 마스크에 형성된 정렬키를 이용하여 기판 상에 제2 마스크를 안착시킬 수도 있다.9 (d), the second mask 150 manufactured according to FIG. 8 is aligned and seated on the substrate 10 on which the first pattern 51 is formed. Here again, as noted above, the second mask may be seated on the substrate using an alignment key formed in the second mask to more accurately align and seat the second mask 150 on the substrate.

그리고 상기 도 9의 (e)와 같이 패턴 형성 물질을 공급하면 그에 따라 제2 마스크(150)의 제2 개구 패턴(160)에 대응되는 제2 패턴이 기판(10) 상에 형성된다.9 (e), a second pattern corresponding to the second opening pattern 160 of the second mask 150 is formed on the substrate 10. As shown in FIG.

제1 마스크(110)를 이용한 제1 패턴의 형성과 제2 마스크(150)를 이용한 제2 패턴의 형성 과정을 거치면, 상기 도 9의 (f)에 도시된 바와 같이 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴의 결합으로 상기 도 7의 (a)와 같은 미세 라인 패턴(50)이 형성된다.After the formation of the first pattern using the first mask 110 and the formation of the second pattern using the second mask 150, as shown in (f) of FIG. 9, The fine line pattern 50 as shown in FIG. 7A is formed by combining two patterns.

이와 같이 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크와 이를 이용한 패턴 형성 방법을 통해 일정 길이 이상의 미세 라인 패턴을 뒤틀림이나 번짐없이 정밀하게 형성시킬 수 있다.
As described above, the mask for pattern formation according to the present invention and the method for forming a pattern using the same can precisely form a fine line pattern having a predetermined length or more without distortion or blur.

다음으로 도 7의 (b)와 같이 꺾임 라인 패턴을 형성하는 경우에는, 이에 대응하는 본 발명에 따른 마스크를 제조하는데, 도 10은 본 발명에 따른 꺾임 라인 패턴 형성용 마스크를 제조하는 과정을 도시한다.Next, in the case of forming a broken line pattern as shown in FIG. 7 (b), the corresponding mask according to the present invention is manufactured. FIG. 10 shows a process of manufacturing a mask for forming a broken line pattern according to the present invention do.

상기 도 10의 꺾임 라인 패턴 형성용 마스크를 제조하는 과정도 상기 도 8과 같이 형성시키고자 하는 라인 패턴(60)을 복수개의 패턴 영역으로 구획하여 일부분 패턴 영역에 대한 제1 패턴(61)과 나머지 부분 패턴 영역에 대한 제2 패턴(65)으로 구분하고 제1 패턴(61)에 대응되도록 마스크 기판에 제1 개구 패턴(120a)을 형성하여 제1 마스크(110a)를 제작하고, 또한 제2 패턴(65)에 대응되도록 마스크 기판에 제2 개구 패턴(160a)을 형성하여 제2 마스크(150a)를 제작한다.10, the line pattern 60 to be formed as shown in FIG. 8 is divided into a plurality of pattern regions to form a first pattern 61 for a part of the pattern region, The first mask 110a is formed by forming the first opening pattern 120a on the mask substrate so as to correspond to the first pattern 61 by dividing the second pattern 65 into the second pattern 65 for the partial pattern region, A second opening pattern 160a is formed on the mask substrate so as to correspond to the second mask pattern 65, thereby fabricating the second mask 150a.

보다 바람직하게는 소정 각도로 꺾인 패턴 영역을 가로 방향의 패턴 영역(63)과 세로 방향의 패턴 영역(67)으로 구획하고, 가로 방향의 패턴 영역(63)은 제1 패턴(61)으로 선택하고 세로 방향의 패턴 영역(67)은 제2 패턴(65)으로 선택할 수 있다. 여기서 항시 가로 방향의 패턴 영역이 제1 패턴으로 세로 방향의 패턴 영역이 제2 패턴으로 선택되도록 획일적으로 정해진 것은 아니며, 인접 패턴 영역을 고려하여 패턴의 길이와 폭에 따라 보다 효과적으로 패턴을 구획하기 위해서 가로 방향의 패턴 영역과 세로 방향의 패턴 영역이 각각 제1 패턴 또는 제2 패턴 중 어느 하나에 선택적으로 포함될 수 있다.More preferably, the pattern area bent at a predetermined angle is divided into a pattern area 63 in the horizontal direction and a pattern area 67 in the vertical direction, and the pattern area 63 in the horizontal direction is selected as the first pattern 61 And the pattern area 67 in the vertical direction can be selected by the second pattern 65. [ Here, the pattern area in the horizontal direction at all times is not uniformly determined to be the first pattern and the pattern area in the vertical direction is selected as the second pattern. In order to more effectively pattern the pattern according to the length and width of the pattern in consideration of the adjacent pattern area The pattern region in the horizontal direction and the pattern region in the vertical direction may be selectively included in either the first pattern or the second pattern, respectively.

이와 같은 본 발명에 따른 꺾임 라인 패턴 형성용 마스크가 준비되면, 이를 이용하여 상기 도 7의 (b)와 같은 패턴을 형성시키는데, 도 11은 본 발명에 따른 꺾임 라인 패턴 형성용 마스크를 이용하여 패턴을 형성하는 과정에 대한 제2 실시예를 도시한다.7 (b) is formed by using the mask for line line pattern formation according to the present invention, FIG. 11 is a cross-sectional view of a mask pattern for forming a line line pattern according to the present invention, A second embodiment of the present invention is shown.

상기 도 11에 도시된 패턴 형성 과정은 앞서 살펴본 상기 도 9에 도시된 패턴 형성 과정과 유사하므로 중복된 설명을 피하기 위해 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 하며, 상기 도 11의 패턴 형성 과정을 통해 상기 도 11의 (f)에 도시된 바와 같이 소정 각도로 꺾인 라인 패턴을 번짐 현상 없이 정밀하게 형성시킬 수 있다.The pattern formation process shown in FIG. 11 is similar to the pattern formation process shown in FIG. 9, so that a detailed description thereof will be omitted in order to avoid redundant description. Referring to FIG. 11, It is possible to precisely form a line pattern bent at a predetermined angle without blurring as shown in Fig. 11 (f).

나아가서 상기 도 9와 도 11에 도시된 패턴 형성 과정에서는 제1 마스크(110, 110a)를 이용한 제1 패턴(51, 61)을 형성하는 과정과 제2 마스크(150, 150a)를 이용한 제2 패턴(55, 65)을 형성하는 과정이 순차적인 순서로 분리되어 있으나, 상황에 따라서는 기판(10) 상에 제1 마스크(110, 110a)를 안착시키고 바로 제1 마스크(110, 110a)의 상부에 제2 마스크(150, 150a)를 안착시킨 후 한번의 패턴 형성 물질 공급을 통해 제1 패턴(51, 61)과 제2 패턴(55, 65)를 동시에 형성시킬 수도 있으며, 또한 제1 마스크(110, 110a)와 제2 마스크(150, 150a)가 결합된 일체형 마스크를 기판(10) 상에 안착시킨 후 역시 한번의 패턴 형성 물질 공급을 통해 제1 패턴(51, 61)과 제2 패턴(55, 65)를 동시에 형성시킬 수도 있다.
9 and 11, the process of forming the first patterns 51 and 61 using the first masks 110 and 110a and the process of forming the second patterns using the second masks 150 and 150a The first masks 110 and 110a are placed on the substrate 10 and the first masks 110 and 110a are formed on the upper surfaces of the first masks 110 and 110a, The first patterns 51 and 61 and the second patterns 55 and 65 may be simultaneously formed through the supply of a single patterning material after the second masks 150 and 150a are mounted on the first mask 150. Alternatively, The first pattern 51 and the second pattern 150 are formed on the substrate 10 after the integrated mask having the first and second patterns 110 and 110a and the second masks 150 and 150a is mounted on the substrate 10, 55, and 65 may be simultaneously formed.

이상에서 살펴본 본 발명에 따른 패턴 형성용 마스크와 이를 이용한 패턴 형성 방법을 통해 일정 길이 이상으로 긴 미세 패턴 라인을 뒤틀림 없이 정밀하게 형성시킬 수 있으며, 또한 소정 각도로 꺾이는 다양한 패턴들도 꺾임 부분이나 겹치는 부분에서 패턴이 번지는 현상의 발생 없이 정확하게 패턴들을 형성시킬 수 있게 된다.
According to the pattern forming mask of the present invention and the pattern forming method using the pattern forming method according to the present invention, it is possible to precisely form long fine pattern lines over a predetermined length without any warping, and various patterns folded at a predetermined angle can be formed by folding or overlapping It is possible to form the patterns accurately without occurrence of the phenomenon of the pattern spreading in the portion.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments of the present invention are not intended to limit the scope of the present invention but to limit the scope of the present invention. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the scope of the present invention.

100, 100a, 100b, 100c : 패턴 형성용 마스크,
110, 110a, 110b, 110c : 제1 마스크,
120, 120a, 120b : 제1 개구 패턴,
150, 150a, 150b, 150c : 제2 마스크,
160, 160a, 160b : 제2 개구 패턴,100, 100a, 100b, 100c: mask for pattern formation,
110, 110a, 110b, 110c: a first mask,
120, 120a, 120b: a first opening pattern,
150, 150a, 150b, 150c: a second mask,
160, 160a, 160b: second opening pattern,

Claims (11)

증착 또는 인쇄 공정을 통해 형성시키고자 하는 패턴이 복수개의 패턴 영역으로 구획되어 구획된 일부분 패턴 영역에 대한 제1 패턴에 대응되는 제1 개구 패턴이 형성된 제1 마스크와 구획된 나머지 부분 패턴 영역에 대한 제2 패턴에 대응되는 제2 개구 패턴이 형성된 제2 마스크를 준비하는 마스크 준비 단계; 및
증착 또는 인쇄를 위한 패턴 형성 물질을 공급하여, 상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크의 상기 제1 개구 패턴과 상기 제2 개구 패턴을 통한 상기 패턴 형성 물질의 공급으로 기판 상에 순차적 또는 동시에 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴을 형성시키는 패턴 형성 단계를 포함하며,
증착 또는 인쇄된 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴의 결합으로 상기 기판 상에 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크를 이용한 패턴 형성 방법.A first mask having a first opening pattern corresponding to a first pattern corresponding to a partial pattern region partitioned by a plurality of pattern regions to form a pattern to be formed through a deposition or printing process, A mask preparation step of preparing a second mask having a second opening pattern corresponding to the second pattern; And
Forming material for deposition or printing, and supplying the pattern-forming material through the first opening pattern and the second opening pattern of the second mask to the substrate sequentially or simultaneously, 1 pattern and the second pattern,
Wherein a pattern is formed on the substrate by a combination of the first pattern and the second pattern printed or deposited. 제 1 항에 있어서,
상기 패턴 형성 단계는,
상기 기판 상에 상기 제1 마스크를 안착시키고, 증착 또는 인쇄를 위한 패턴 형성 물질을 공급하여, 상기 제1 마스크의 상기 제1 개구 패턴을 통한 상기 패턴 형성 물질의 공급으로 상기 제1 패턴을 형성시킨 후 상기 제1 마스크를 제거하는 제1 패턴 형성 단계; 및
상기 제1 패턴이 형성된 기판에 상기 제2 마스크를 안착시키고, 증착 또는 인쇄를 위한 패턴 형성 물질을 공급하여, 상기 제2 마스크의 상기 제2 개구 패턴을 통한 상기 패턴 형성 물질의 공급으로 상기 제2 패턴을 형성시킨 후 상기 제2 마스크를 제거하는 제2 패턴 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크를 이용한 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the pattern forming step comprises:
Depositing the first mask on the substrate and supplying a patterning material for deposition or printing to form the first pattern by feeding the patterning material through the first opening pattern of the first mask A first pattern forming step of removing the first mask; And
Depositing the second mask on a substrate on which the first pattern is formed and supplying a pattern forming material for deposition or printing to form a second pattern on the substrate, And a second pattern formation step of forming the pattern and removing the second mask. 제 1 항에 있어서,
상기 패턴 형성 단계는,
상기 기판 상에 상기 제1 마스크를 안착시키는 단계;
상기 기판 상에 상기 제2 마스크를 안착시키는 단계;
증착 또는 인쇄를 위한 패턴 형성 물질을 공급하여, 상기 제1 마스크의 상기 제1 개구 패턴을 통한 상기 패턴 형성 물질의 공급으로 제1 패턴과 상기 제2 마스크의 상기 제2 개구 패턴을 통한 상기 패턴 형성 물질의 공급으로 제2 패턴을 동시에 형성시키는 단계; 및
상기 기판 상에서 상기 제1 마스크와 제2 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크를 이용한 패턴 형성 방법.The method according to claim 1,
Wherein the pattern forming step comprises:
Placing the first mask on the substrate;
Placing the second mask on the substrate;
Forming material through the first opening pattern of the first mask and the patterning material through the second opening pattern of the second mask by supplying the patterning material through the first opening pattern of the first mask, Simultaneously forming a second pattern with a supply of material; And
And removing the first mask and the second mask on the substrate. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마스크 준비 단계는,
형성시키고자 하는 패턴을 복수개의 패턴 영역을 구획하고, 상기 복수개의 패턴 영역을 교번하여 제1 패턴과 제2 패턴으로 선택하는 패턴 구획 단계;
마스크 기판에 상기 제1 패턴에 대응되는 제1 개구 패턴을 형성하여 제1 마스크를 준비하는 단계; 및
마스크 기판에 상기 제2 패턴에 대응되는 제2 개구 패턴을 형성하여 제2 마스크를 준비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크를 이용한 패턴 형성 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
In the mask preparation step,
A pattern dividing step of dividing a pattern to be formed into a plurality of pattern areas and alternately selecting the plurality of pattern areas as a first pattern and a second pattern;
Forming a first mask on the mask substrate by forming a first opening pattern corresponding to the first pattern; And
And forming a second opening pattern corresponding to the second pattern on the mask substrate to prepare a second mask. 제 4 항에 있어서,
상기 패턴 구획 단계는,
상기 복수개의 패턴 영역 각각은 기설정된 길이 범위 및 폭 범위 이내로 구획되는 것을 특징으로 하는 마스크를 이용한 패턴 형성 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the pattern dividing step comprises:
Wherein each of the plurality of pattern regions is divided into a predetermined length range and a width range. 제 4 항에 있어서,
상기 패턴 구획 단계는,
상기 형성시키고자 하는 패턴에 포함된 소정 각도로 꺾인 패턴 영역을 세로 방향의 패턴 영역과 가로 방향의 패턴 영역으로 구획하고, 상기 세로 방향의 패턴 영역은 제1 패턴으로 선택하고 상기 가로 방향의 패턴 영역은 제2 패턴으로 선택하는 것을 특징으로 하는 마스크를 이용한 패턴 형성 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the pattern dividing step comprises:
Wherein a pattern area bent at a predetermined angle included in the pattern to be formed is divided into a pattern area in the vertical direction and a pattern area in the horizontal direction, and the pattern area in the vertical direction is selected as the first pattern, Is selected as the second pattern. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마스크 준비 단계는,
상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크에 서로 대응되는 정렬키를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크를 이용한 패턴 형성 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
In the mask preparation step,
And forming an alignment key corresponding to each of the first mask and the second mask. 증착 또는 인쇄 공정을 통해 형성시키고자 하는 패턴을 복수개의 패턴 영역으로 구획하고, 구획된 일부분 패턴 영역에 대한 제1 패턴에 대응되는 제1 개구 패턴이 형성되어, 상기 제1 개구 패턴을 통해 증착 또는 인쇄를 위한 패턴 형성 물질을 공급하는 제1 마스크; 및
구획된 나머지 부분 패턴 영역에 대한 제2 패턴에 대응되는 제2 개구 패턴이 형성되어, 상기 제2 개구 패턴을 통해 증착 또는 인쇄를 위한 패턴 형성 물질을 공급하는 제2 마스크를 포함하며,
상기 제1 마스크와 제2 마스크는 서로 다른 마스크 기판에 형성된 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 마스크.A pattern to be formed through a deposition or printing process is divided into a plurality of pattern regions, a first opening pattern corresponding to the first pattern for the partitioned partial pattern region is formed, A first mask for supplying a pattern forming material for printing; And
And a second mask for forming a second opening pattern corresponding to the second pattern for the remaining partial pattern area to supply a pattern forming material for deposition or printing through the second opening pattern,
Wherein the first mask and the second mask are formed on different mask substrates. 삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 제1 마스크와 제2 마스크에는 상기 제1 개구 패턴과 상기 제2 개구 패턴이 서로 대응되도록 정렬키가 형성된 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 마스크.9. The method of claim 8,
Wherein the first mask and the second mask are formed with alignment keys such that the first opening pattern and the second opening pattern correspond to each other. 제 8 항 또는 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 개구 패턴과 상기 제2 개구 패턴이 서로 대응되어 상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크가 결합된 것을 특징으로 하는 패턴 형성용 마스크.11. The method according to any one of claims 8 to 10,
Wherein the first opening pattern and the second opening pattern correspond to each other, and the first mask and the second mask are combined.
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