KR101503775B1

KR101503775B1 - Large Area Organic Light Emitting Diode Display

Info

Publication number: KR101503775B1
Application number: KR1020120078899A
Authority: KR
Inventors: 이재혁; 안병철; 오두환; 남우진; 탁윤흥; 신영훈; 김홍규; 김명섭
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2011-07-29
Filing date: 2012-07-19
Publication date: 2015-03-19
Also published as: KR20130014367A

Abstract

본 발명은 대면적 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치는, 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 전기 신호를 공급하는 구동 전류 배선과, 상기 구동 전류 배선의 일부를 노출하는 구동 배선 콘택홀과, 상기 박막트랜지스터에 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드를 포함하는 박막트랜지스터 기판; 캡 기판과, 상기 캡 기판의 내측 면에 상기 캡 기판 면적의 1/3 이상의 면적으로 도포된 보조 배선을 포함하는 캡; 상기 보조 배선과 상기 구동 배선 콘택홀을 통해 노출된 구동 전류 배선을 전기적으로 연결하는 도전성 실링재; 그리고 상기 박막트랜지스터 기판과 상기 캡을 합착하는 유기 접합막을 포함한다. 본 발명에 의하면, 유기전계발광 표시장치를 대면적으로 구성하더라도 표시기판 전체에 대한 휘도가 균일한 양질의 화면을 얻을 수 있다.The present invention relates to a large area organic light emitting display device. The organic light emitting display according to the present invention includes a thin film transistor, a driving current wiring for supplying an electric signal to the thin film transistor, a driving wiring contact hole for exposing a part of the driving current wiring, A thin film transistor substrate including an organic light emitting diode to be driven; A cap comprising a cap substrate and an auxiliary wiring coated on an inner surface of the cap substrate with an area of 1/3 or more of the area of the cap substrate; A conductive sealing material electrically connecting the auxiliary wiring and the driving current wiring exposed through the driving wiring contact hole; And an organic junction film for attaching the cap to the thin film transistor substrate. According to the present invention, even when the organic electroluminescence display device is constituted with a large area, a high-quality screen having uniform luminance over the entire display substrate can be obtained.

Description

[0001] The present invention relates to a large area organic light emitting diode display,

본 발명은 표시 영역 전체에 걸쳐 균일한 휘도 분포를 갖는 대면적 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 대형 TV와 같은 대면적 기판 전면에 걸쳐 일정한 휘도를 갖는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a large area organic light emitting display device having a uniform luminance distribution over the entire display region. In particular, the present invention relates to an organic light emitting display device having a constant luminance over a large area substrate such as a large TV.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치(Electro-Luminescence device, EL) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electro-luminescence device (EL) .

도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED)의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.1 is a plan view showing the structure of an organic light emitting diode display (OLED) using a thin film transistor which is an active device according to the related art. FIG. 2 is a cross-sectional view cut along the cutting line II-II 'in FIG. 1, showing a structure of a conventional organic light emitting display device.

도 1 및 2를 참조하면, 유기전계발광 표시장치는 박막트랜지스터(ST, DT) 및 박막트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 박막트랜지스터 기판, 박막트랜지스터 기판과 대향하여 유기 접합층(POLY)을 사이에 두고 접합하는 캡(ENC)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판은 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT(ST)와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.1 and 2, an organic light emitting display includes a thin film transistor (TFT) substrate having a thin film transistor (ST) and a thin film transistor (DT) and an organic light emitting diode (OLED) And a cap (ENC) which opposes and bonds the organic bonding layer (POLY) therebetween. The thin film transistor substrate includes a switching TFT ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT ST, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT.

유리 기판(SUB) 위에 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고, 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 애노드 전극(ANO)을 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체층(DA), 구동 전류 전송 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.On the glass substrate SUB, the switching TFT ST is formed at a position where the gate line GL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS and a drain electrode SD which branch off from the gate line GL. The driving TFT DT serves to drive the anode electrode ANO of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current transfer wiring VDD, (DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode.

도 2에서는 일례로, 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막트랜지스터를 도시하였다. 이 경우, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SA) 및 구동 TFT(DT)의 반도체 층(DA)들이 기판(SUB) 위에 먼저 형성되고, 그 위를 덮는 게이트 절연막(GI) 위에 게이트 전극들(SG, DG)이 반도체 층들(SA, DA)의 중심부에 중첩되어 형성된다. 그리고, 반도체 층들(SA, DA)의 양 측면에는 콘택홀을 통해 소스 전극들(SS, DS) 및 드레인 전극들(SD, DD)이 연결된다. 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)들은 게이트 전극들(SG, DG)을 덮는 절연막(IN) 위에 형성된다.In FIG. 2, a thin film transistor having a top gate structure is shown as an example. In this case, the semiconductor layer DA of the switching TFT ST and the semiconductor layer DA of the driving TFT DT are formed first on the substrate SUB, and the gate electrodes G1 and G2 are formed on the gate insulating film GI, SG, and DG are formed overlapping the center portions of the semiconductor layers SA and DA. Source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are connected to both sides of the semiconductor layers SA and DA through a contact hole. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed on the insulating film IN covering the gate electrodes SG and DG.

또한, 화소 영역이 배치되는 표시 영역의 외주부에는, 각 게이트 라인(GL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 각 데이터 라인(DL)의 일측 단부에 형성된 데이터 패드(DP), 그리고 각 구동 전류 전송 배선(VDD)의 일측 단부에 형성된 구동 전류 패드(VDP)가 배치된다. 스위칭 TFT(ST)와 구동 TFT(DT)가 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)이 전면 도포된다. 그리고, 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP), 구동 전류 패드(VDP), 그리고, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀들이 형성된다. 그리고, 기판(SUB) 중에서 표시 영역 위에는 평탄화 막(PL)이 도포된다. 평탄화 막(PL)은 유기발광 다이오드를 구성하는 유기물질을 매끈한 평면 상태에서 도포하기 위해 기판 표면의 거칠기를 균일하게 하는 기능을 한다.A gate pad GP formed at one end of each gate line GL and a data pad DP formed at one end of each data line DL are formed in the outer periphery of the display region where the pixel region is disposed, A driving current pad VDP formed at one end of the current transfer wiring VDD is disposed. The protective film PAS is entirely coated on the substrate SUB on which the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed. Contact holes exposing the gate pad GP, the data pad DP, the driving current pad VDP, and the drain electrode DD of the driving TFT DT are formed. Then, a flattening film PL is applied onto the display area of the substrate SUB. The planarization layer PL serves to uniformize the roughness of the substrate surface in order to apply the organic material constituting the organic light emitting diode in a smooth planar state.

평탄화 막(PL) 위에는 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 또한, 평탄화 막(PL)이 형성되지 않은 표시 영역의 외주부에서도, 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀들을 통해 노출된 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP) 그리고 구동 전류 패드(VDP) 위에 형성된 게이트 패드 단자(GPT), 데이터 패드 단자(DPT) 그리고 구동 전류 패드 단자(VDPT)가 각각 형성된다. 표시 영역 내에서 특히 화소 영역을 제외한 기판(SUB) 위에 뱅크(BA)가 형성된다. 그리고, 뱅크(BA)의 일부 상부에는 스페이서(SP)를 더 형성한다.An anode electrode ANO is formed on the planarizing film PL in contact with the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole. The gate pad GP, the data pad DP, and the gate formed on the driving current pad VDP, which are exposed through the contact holes formed in the passivation film PAS, are formed on the outer peripheral portion of the display region where the planarization film PL is not formed. A pad terminal GPT, a data pad terminal DPT, and a driving current pad terminal VDPT, respectively. The bank BA is formed on the substrate SUB except for the pixel region in the display region. A spacer SP is further formed on a part of the bank BA.

상기와 같은 구조를 갖는 박막트랜지스터 기판 위에 스페이서(SP)를 사이에 두고 일정 간격을 유지하여 캡(ENC)이 합착된다. 이 경우, 박막트랜지스터 기판과 캡(ENC)은 그 사이에 유기 접합층(POLY)을 개재하여 완전 밀봉 합착하도록 하는 것이 바람직하다. 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 그리고 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드 단자(DPT)는 캡(ENC) 외부에 노출되어 각종 연결 수단을 통해 외부에 설치되는 장치와 연결된다.The encapsulation (ENC) is attached on the thin film transistor substrate having the above-described structure while keeping the spacers SP therebetween at regular intervals. In this case, it is preferable that the thin film transistor substrate and the cap (ENC) are completely sealed together by interposing an organic bonding layer (POLY) therebetween. The gate pad GP and the gate pad terminal GPT and the data pad DP and the data pad terminal DPT are exposed to the outside of the cap ENC and connected to an external device through various connecting means.

이와 같은 구조를 갖는 유기전계발광 표시장치를 대형 TV와 같이 대면적 표시장치에 적용할 경우, 소형 표시장치에서 발생하지 않았던 여러 가지 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 유기전계발광 표시장치를 대면적 표시장치로 응용할 경우에는 소형 표시장치에서는 고려하지 않았던 사항들을 고려하여야 한다.When an organic light emitting display having such a structure is applied to a large-area display device such as a large-sized TV, various problems that did not occur in a small display device may occur. Therefore, when an organic light emitting display is applied to a large area display device, considerations that are not considered in a small display device should be considered.

예를 들어, 상기와 같은 유기전계발광 표시장치의 면적을 크게 할 경우, 게이트 배선, 데이터 배선, 구동 전류 배선 등을 포함하는 각종 배선의 길이가 그에 상응하도록 길어진다. 배선의 길이가 길어지면, 선 저항이 커지고, 결국 전압이 떨어지는 전압 강하(Voltage Drop) 문제가 발생한다. 전압 강하가 발생하면, 전체 화면에 걸쳐서 표시장치의 휘도가 불균일 해진다. 실질적으로, 20인치 이상의 대면적 유기전계발광 표시장치를 20A로 구동하는 경우, 전체 면적의 휘도를 측정하였을 때 휘도 차이가 최대 37% 이상 발생하는 것이 보통이다.For example, when the area of the organic light emitting display device is increased, the lengths of various wirings including gate wirings, data wirings, driving current wirings, and the like are increased correspondingly. If the length of the wiring becomes long, the line resistance becomes large, and as a result, a voltage drop problem occurs in which the voltage drops. When a voltage drop occurs, the brightness of the display device becomes nonuniform over the entire screen. Practically, when a large-area organic light emitting display device of 20 inches or larger is driven at 20 A, it is common that a luminance difference occurs at a maximum of 37% or more when the luminance of the entire area is measured.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써 화면 전체에 걸친 휘도 분포가 균일한 대면적 유기전계발광 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은 기판 전체를 가로지르는 배선의 저항이 배선 길이에 비례하여 증가하지 않도록 하는 유기전계발광 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 기판 전체를 가로지르는 배선의 길이가 증가하더라도 전압 강하가 발생하지 않는 대면적 유기전계발광 표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a large-area organic light emitting display device having a uniform luminance distribution over a screen as a solution to the problems of the prior art. Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent display device in which the resistance of a wiring across an entire substrate does not increase in proportion to a wiring length. It is still another object of the present invention to provide a large area organic light emitting display device in which a voltage drop does not occur even when the length of a wiring across the entire substrate increases.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치는, 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 전기 신호를 공급하는 구동 전류 배선과, 상기 구동 전류 배선의 일부를 노출하는 구동 배선 콘택홀과, 상기 박막트랜지스터에 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드를 포함하는 박막트랜지스터 기판; 캡 기판과, 상기 캡 기판의 내측 면에 상기 캡 기판 면적의 1/3 이상의 면적으로 도포된 보조 배선을 포함하는 캡; 상기 보조 배선과 상기 구동 배선 콘택홀을 통해 노출된 구동 전류 배선을 전기적으로 연결하는 도전성 실링재; 그리고 상기 박막트랜지스터 기판과 상기 캡을 합착하는 유기 접합막을 포함한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting display according to the present invention includes a thin film transistor, a driving current wiring for supplying an electric signal to the thin film transistor, a driving wiring contact hole for exposing a part of the driving current wiring, A thin film transistor substrate including an organic light emitting diode connected to the thin film transistor; A cap comprising a cap substrate and an auxiliary wiring coated on an inner surface of the cap substrate with an area of 1/3 or more of the area of the cap substrate; A conductive sealing material electrically connecting the auxiliary wiring and the driving current wiring exposed through the driving wiring contact hole; And an organic junction film for attaching the cap to the thin film transistor substrate.

상기 보조 배선은 비저항이 5.0μΩ㎠ 이하인 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.And the auxiliary wiring includes a metal material having a specific resistance of not more than 5.0 mu OMEGA cm < 2 >.

상기 보조 배선은 구리(Cu), 니켈(Ni) 그리고 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.The auxiliary wiring may include at least one of copper (Cu), nickel (Ni), and aluminum (Al).

상기 보조 배선은 저저항 금속층과 내식성 금속층을 포함하는 다층 금속층인 것을 특징으로 한다.And the auxiliary wiring is a multilayered metal layer including a low-resistance metal layer and a corrosion-resistant metal layer.

상기 저저항 금속층은 구리(Cu), 니켈(Ni) 그리고 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하고; 상기 내식성 금속층은 티타늄(Ti) 그리고 탄탈(Ta) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the low resistance metal layer comprises at least one of copper (Cu), nickel (Ni), and aluminum (Al); The corrosion-resistant metal layer may include at least one of titanium (Ti) and tantalum (Ta).

상기 보조 배선은 몰리브덴/구리/몰리브덴, 탄탈/구리/탄탈, 및 몰리브덴-티타늄/구리/몰리브덴-티타늄 중 적어도 어느 하나인 삼중층 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.Wherein the auxiliary wiring includes a triple layer structure of at least one of molybdenum / copper / molybdenum, tantalum / copper / tantalum, and molybdenum-titanium / copper / molybdenum-titanium.

상기 구동 배선 콘택홀에 의해 노출된 상기 구동 전류 배선 면적의 총 합은 상기 보조 배선 면적의 0.1% 이상인 것을 특징으로 한다.And the total sum of the drive current wiring areas exposed by the drive wiring contact holes is 0.1% or more of the auxiliary wiring area.

에폭시, 아크릴 및 실리콘 중 적어도 어느 하나를 포함하는 베이스 물질; 그리고 전기 전도도가 0.2X10⁶/㎝Ω 이상인 금속물질을 포함하는 도전볼을 포함하는 것을 특징으로 한다.A base material comprising at least one of epoxy, acrylic and silicon; And a conductive ball including a metal material having an electrical conductivity of 0.2 x ¹⁰ < ⁶ > / cm or more.

상기 도전볼은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 그리고 니켈(Ni) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.The conductive ball may include at least one of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and nickel (Ni).

상기 도전볼과 상기 베이스 물질의 함량비는 3(wt%):97(wt%) 내지 5(wt%):95(wt%)인 것을 특징으로 한다.The content ratio of the conductive balls to the base material is 3 (wt%): 97 (wt%) to 5 (wt%): 95 (wt%).

상기 베이스 물질의 점도는 100,000 내지 250,000cPs 인 것을 특징으로 한다.The viscosity of the base material is 100,000 to 250,000 cPs.

본 발명에 의한 대면적 유기전계발광 표시장치는 표시장치의 캡의 내측 전면에 도포된 보조 전극을 포함하고, 이 보조 전극과 구동 전류 배선을 연결하는 구조를 갖는다. 따라서, 구동 전류 배선은 기판 면적에 해당하는 보조 전극을 통해 기판을 가로지르는 전체 길이에 걸쳐 등전위를 갖는다. 그럼으로써, 구동 전류 배선은 그 길이가 길어지더라도 저항 값이 커지지 않아 전압 강하 문제가 발생하지 않는다. 따라서, 유기전계발광 표시장치를 대각 길이 40인치 이상의 대면적으로 구성하더라도 표시기판 전체에 대한 휘도가 균일한 양질의 화면을 얻을 수 있다.The large area organic light emitting display device according to the present invention includes an auxiliary electrode coated on the inner side of a cap of a display device and has a structure for connecting the auxiliary electrode and the driving current wiring. Thus, the driving current wiring has an equal potential over the entire length across the substrate through the auxiliary electrode corresponding to the substrate area. Thereby, even if the length of the driving current wiring becomes long, the resistance value does not become large and the voltage drop problem does not occur. Therefore, even when the organic light emitting display device is configured to have a large area of 40 inches or larger in diagonal length, a high-quality screen having uniform luminance over the entire display substrate can be obtained.

도 1은 종래 기술에 의한 능동소자인 박막 트랜지스터를 이용한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에서 절취선 II-II'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 IV-IV'로 자른 단면으로 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.1 is a plan view showing a structure of an organic light emitting display device using a thin film transistor which is an active device according to the related art.
FIG. 2 is a sectional view cut along the cutting line II-II 'in FIG. 1, showing a structure of a conventional organic light emitting display device.
3 is a plan view showing a structure of an organic light emitting display device according to the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view cut along the cutting line IV-IV 'in FIG. 3, showing a structure of the organic light emitting display device according to the present invention.

이하, 첨부한 도면 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지된 내용 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings 3 and 4. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid unnecessarily obscuring the subject matter of the present invention.

도 3은 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 IV-IV'로 자른 단면으로 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.3 is a plan view showing a structure of an organic light emitting display device according to the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV 'in FIG. 3, illustrating a structure of an organic light emitting display according to the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 유기전계발광 표시장치는 박막트랜지스터(ST, DT) 및 박막트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 박막트랜지스터 기판, 박막트랜지스터 기판과 대향하여 유기 접합층(POLY)을 사이에 두고 접합하는 캡(ENC)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판은 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다.3 and 4, an organic light emitting display according to the present invention includes a thin film transistor (ST) and a thin film transistor (TFT) having an organic light emitting diode (OLED) , And a cap (ENC) for bonding the organic bonding layer (POLY) with the thin film transistor substrate facing each other. The thin film transistor substrate includes a switching TFT ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT, and an organic light emitting diode OLED connected to the driving TFT DT.

박막트랜지스터 기판을 좀 더 상세히 살펴본다. 유리 기판(SUB) 위에 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다. 그리고, 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 애노드 전극(ANO)을 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체층(DA), 구동 전류 전송 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.Let's take a closer look at the thin film transistor substrate. On the glass substrate SUB, the switching TFT ST is formed at a position where the gate line GL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS and a drain electrode SD which branch off from the gate line GL. The driving TFT DT serves to drive the anode electrode ANO of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a source electrode DS connected to the semiconductor layer DA, the driving current transfer wiring VDD, (DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode.

도 4에서는, 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조의 박막트랜지스터를 도시하였으나, 다른 구조의 박막트랜지스터를 적용할 수도 있다. 도 4의 경우, 스위칭 TFT(ST)의 반도체 층(SA) 및 구동 TFT(DT)의 반도체 층(DA)들이 기판(SUB) 위에 먼저 형성되고, 그 위를 덮는 게이트 절연막(GI) 위에 게이트 전극들(SG, DG)이 반도체 층들(SA, DA)의 중심부에 중첩되어 형성된다. 한편, 반도체 층들(SA, DA)의 양 측면에는 콘택홀들을 통해 소스 전극들(SS, DS) 및 드레인 전극들(SD, DD)이 연결된다. 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)는 게이트 전극들(SG, DG)을 덮는 절연막(IN) 위에 형성된다.Although a thin film transistor having a bottom gate structure is shown in FIG. 4, a thin film transistor having another structure may be applied. 4, the semiconductor layer DA of the switching TFT ST and the semiconductor layer DA of the driving TFT DT are formed on the substrate SUB first, and the gate insulating film GI is formed on the gate insulating film GI, SG and DG are formed overlapping with the center portions of the semiconductor layers SA and DA. On both sides of the semiconductor layers SA and DA, source electrodes SS and DS and drain electrodes SD and DD are connected through contact holes. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed on the insulating film IN covering the gate electrodes SG and DG.

또한, 화소 영역이 배치되는 표시 영역의 외주부에는, 각 게이트 라인(GL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 각 데이터 라인(DL)의 일측 단부에 형성된 데이터 패드(DP), 그리고 각 구동 전류 전송 배선(VDD)의 일측 단부에 형성된 구동 전류 패드(VDP)가 배치된다. 스위칭 TFT(ST)와 구동 TFT(DT)가 형성된 기판(SUB) 위에 보호막(PAS)이 전면 도포된다. 그리고, 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP), 구동 전류 패드(VDP), 그리고, 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)을 노출하는 콘택홀들이 형성된다. 그리고, 기판(SUB) 중에서 표시 영역 위에는 평탄화 막(PL)이 도포된다. 평탄화 막(PL)은 유기발광 다이오드(OLED)를 구성하는 유기막(OL)을 매끈한 평면 상태에서 도포하기 위해 기판 표면의 거칠기를 균일하게 하는 기능을 한다.A gate pad GP formed at one end of each gate line GL and a data pad DP formed at one end of each data line DL are formed in the outer periphery of the display region where the pixel region is disposed, A driving current pad VDP formed at one end of the current transfer wiring VDD is disposed. The protective film PAS is entirely coated on the substrate SUB on which the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed. Contact holes exposing the gate pad GP, the data pad DP, the driving current pad VDP, and the drain electrode DD of the driving TFT DT are formed. Then, a flattening film PL is applied onto the display area of the substrate SUB. The planarizing film PL functions to uniformize the roughness of the substrate surface in order to apply the organic film OL constituting the organic light emitting diode OLED in a smooth plane state.

평탄화 막(PL) 위에는 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 또한, 평탄화 막(PL)이 형성되지 않은 표시 영역의 외주부에서도, 보호막(PAS)에 형성된 콘택홀을 통해 노출된 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP) 그리고 구동 전류 패드(VDP) 위에 형성된 게이트 패드 단자(GPT), 데이터 패드 단자(DPT) 그리고 구동 전류 패드 단자(VDPT)가 각각 형성된다. 표시 영역 내에서 특히 화소 영역을 제외한 기판(SUB) 위에 뱅크(BA)가 형성된다. 그리고, 뱅크(BA)의 일부 상부에 스페이서(SP)를 더 형성한다.An anode electrode ANO is formed on the planarizing film PL in contact with the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole. The gate pad GP, the data pad DP, and the gate formed on the driving current pad VDP, which are exposed through the contact hole formed in the passivation film PAS, are formed on the outer periphery of the display region where the planarization film PL is not formed. A pad terminal GPT, a data pad terminal DPT, and a driving current pad terminal VDPT, respectively. The bank BA is formed on the substrate SUB except for the pixel region in the display region. Then, a spacer SP is further formed on a part of the bank BA.

이후에, 유기박막 공정을 통해, 애노드 전극(ANO)과 위에 유기막(OL)을 적층한다. 그리고, 유기막(OL) 위에는 캐소드 전극(CAT)를 적층하여, 유기발광 다이오드(OLED)를 완성한다.Thereafter, the organic film OL is laminated on the anode electrode ANO through an organic thin film process. Then, a cathode electrode (CAT) is laminated on the organic layer OL to complete the organic light emitting diode OLED.

상기와 같은 구조를 갖는 박막트랜지스터 기판 위에 일정 간격을 유지하여 캡(ENC)이 합착된다. 이 경우, 박막트랜지스터 기판과 캡(ENC)은 그 사이에, 대면적에 걸쳐 일정한 두께를 가지며, 접합력과 강도가 우수한 유기 접합층(HP)을 개재하여 완전 밀봉 합착하도록 하는 것이 바람직하다. 밀봉력과 강도 및 평탄도가 우수한 유기 접합층(HP)을 사용하면, 종래에 셀갭을 유지하기 위한 스페이서가 필요 없을 수 있다. 예를 들어, 유기 접합층(HP)은 고분자 레진을 도포하여 형성할 수 있다. 다른 방법으로는 고분자 필름을 개재한 후 고온 압착하여 형성할 수도 있다. 게이트 패드(GP) 및 게이트 패드 단자(GPT) 그리고 데이터 패드(DP) 및 데이터 패드단자(DPT)는 캡(ENC) 외부에 노출되어 각종 연결 수단을 통해 외부에 설치되는 장치와 연결된다.The cap (ENC) is attached to the thin film transistor substrate having the above-described structure while keeping a constant gap therebetween. In this case, it is preferable that the thin film transistor substrate and the cap (ENC) have a constant thickness over a large area therebetween, and are completely sealed and bonded through the organic bonding layer HP having excellent bonding strength and strength. If an organic bonding layer (HP) having excellent sealing strength, strength and flatness is used, a spacer for maintaining the cell gap may not be conventionally required. For example, the organic bonding layer (HP) can be formed by applying a polymer resin. Alternatively, it may be formed by interposing a polymer film and then pressing at a high temperature. The gate pad GP and the gate pad terminal GPT and the data pad DP and the data pad terminal DPT are exposed to the outside of the cap ENC and connected to an external device through various connecting means.

본 발명에서는 40인치 이상의 대면적 유기전계발광 표시장치의 경우를 고려한 것이다. 따라서, 대면적으로 확장함에 따라서 각종 배선들의 길이가 길어지고, 이에 따라 선 저항이 높아지는 것을 방지하는 구조가 필요하다. 특히, 유기 다이오드를 구동하기 위한 구동 전류를 공급하는 구동 전류 배선(VDD) 혹은 기준 전압을 인가하는 배선의 경우에는 전압 강하가 발생할 경우, 휘도 값을 저하시키는 가장 주된 원인이 된다.The present invention considers the case of a large-area organic light emitting display device of 40 inches or more. Therefore, there is a need for a structure that prevents the line resistance from becoming high as the lengths of various wirings become longer as they expand to a large area. In particular, in the case of a driving current wiring VDD for supplying a driving current for driving an organic diode or a wiring for applying a reference voltage, when a voltage drop occurs, this is the main cause of lowering the luminance value.

대화면으로 확장됨에 따라 길어진 배선의 저항을 낮추기 위해서, 캡(ENC)을 구성하는 캡 기판(ES)의 내측 전면에 금속 물질을 도포하여 보조 배선(MS)을 형성한다. 그리고, 보조 배선(MS)은, 캡(ENC)과 박막트랜지스터 기판을 합착할 때, 실링(CC) 영역을 통해 구동 전류 배선(VDD)와 접촉하도록 구성한다.In order to lower the resistance of the extended wiring as it is expanded to a large surface, a metal material is applied to the inner whole surface of the cap substrate (ES) constituting the cap (ENC) to form the auxiliary wiring (MS). The auxiliary wiring MS is configured to contact the driving current wiring VDD through the sealing (CC) region when the cap ENC and the thin film transistor substrate are attached to each other.

이를 위해, 박막트랜지스터 기판에서 구동 전류 배선(VDD)을 덮는 보호막(PAS)의 일부를 제거하여 구동 전류 배선(VDD)의 일부를 노출 시킨다. 특히, 실링(CC)이 형성된 영역에 구동 전류 배선(VDD)의 일부를 노출하는 구동 배선 콘택홀(CNT)을 형성한다.To this end, a part of the protective film PAS covering the driving current wiring VDD is removed from the thin film transistor substrate to expose a part of the driving current wiring VDD. In particular, a drive wiring contact hole CNT exposing a part of the drive current wiring VDD is formed in a region where the seal CC is formed.

그리고, 박막트랜지스터 기판의, 실링(CC) 영역에는 도전볼을 포함하는 실재를 도포하고, 실링(CC) 영역으로 둘러싸인 내부 영역에는 유기 접합층(POLY)을 도포한다. 그리고, 캡(ENC)의 보조 배선(MS)이 실링(CC) 영역과 대향하도록 박막트랜지스터 기판과 캡(ENC)을 합착한다. 그 결과, 실재 내의 도전볼이 합착력에 의해 보조 배선(MS)과 구동 전류 배선(VDD)의 노출된 부분을 전기적으로 연결한다. 따라서, 구동 전류 배선(VDD)은 단순히 배선으로서 기판(SUB)의 상부에서 하부로 연장되는 것 외에, 보조 배선(MS)을 통해 캡 기판(ES) 전면에 걸쳐 등 전위를 이룬다.Then, a substance including a conductive ball is applied to the sealing (CC) region of the thin film transistor substrate, and an organic bonding layer (POLY) is applied to an inner region surrounded by the sealing (CC) region. Then, the thin film transistor substrate and the cap ENC are attached so that the auxiliary wiring MS of the cap ENC is opposed to the sealing CC region. As a result, the conductive balls in the actual region electrically connect the exposed portions of the driving current wiring VDD with the auxiliary wiring MS by the combining force. Therefore, the drive current wiring VDD extends not only from the top of the substrate SUB to the bottom but also from the entire surface of the cap substrate ES through the auxiliary wiring MS as wiring.

본 발명의 실시 예를 나타내는 도 3 및 4에서는 구동 전류 배선(VDD)중 구동 전류 패드(VDP)와 가까운 부분인, 구동 전류 배선(VDD)의 시작부분에서 구동 배선 콘택홀(CNT)을 통해 보조 배선(MS)과 연결하는 구조를 도시하였다. 하지만, 전압 강하 문제는 구동 전류 패드(VDP)와 가장 먼 부분인 구동 전류 배선(VDD)의 끝 부분에서 주로 발생한다. 따라서, 기판(SUB) 상에서 구동 전류 패드(VDP)가 형성된 반대변의 실링(CC) 영역이 배치되는 구동 전류 배선(VDD)의 부분에도 구동 배선 콘택홀(CNT)을 형성하고, 이 추가적인 구동 배선 콘택홀(CNT)을 통해 구동 전류 배선(VDD)의 끝 부분도 보조 배선(MS)과 연결하는 것이 바람직하다.3 and 4 showing the embodiment of the present invention, in the beginning of the driving current wiring VDD, which is a portion close to the driving current pad VDP of the driving current wiring VDD, And a wiring (MS). However, the voltage drop problem occurs mainly at the end of the drive current wiring (VDD) which is the farthest part from the drive current pad (VDP). Therefore, a driving wiring contact hole CNT is also formed on the portion of the driving current wiring VDD where the sealing (CC) region of the opposite side where the driving current pad VDP is formed on the substrate SUB is disposed, It is preferable that the end portion of the driving current wiring VDD is also connected to the auxiliary wiring MS through the hole CNT.

도 3에서, 도전성 실링재(CC)가 기판(SUB)의 네변을 둘러싸는 경우를 나타내었다. 하지만, 밀봉력과 평탄도가 우수한 유기 접합층(HP)을 사용하여 스페이서가 필요 없는 경우라면, 도전성 실링(CC)은 구동 전류 배선(VDD)과 교차하는 방향으로 배치되는 상변과 하변에만 형성할 수도 있다.In Fig. 3, the case where the conductive sealing material CC surrounds the four sides of the substrate SUB is shown. However, if the organic bonding layer HP having excellent sealing power and flatness is used and the spacer is not required, the conductive seal CC is formed only on the upper and lower sides arranged in the direction crossing the drive current wiring VDD It is possible.

이로써, 유기전계발광 표시장치의 면적이 커져서, 구동 전류 배선(VDD)이 길어진다 하더라도, 보조 배선(MS)으로 인해 저항값이 상승하지 않는다. 이러한 구조를 갖는 유기전계발광 표시장치는 전체 표시면적에 걸쳐서 균일한 휘도 분포를 유지할 수 있다. 이하, 본 발명에서 보조 배선(MS)으로 구동 전류 배선(VDD)의 전압 강하를 효과적으로 방지하기 위한 구체적인 특징에 대해서 상세히 살펴본다.Thereby, even if the area of the organic light emitting display device becomes large and the driving current wiring VDD becomes long, the resistance value does not rise due to the auxiliary wiring MS. The organic light emitting display having such a structure can maintain a uniform luminance distribution over the entire display area. Hereinafter, a specific feature for effectively preventing the voltage drop of the driving current wiring (VDD) with the auxiliary wiring MS in the present invention will be described in detail.

우선, 보조 배선(MS)은 구동 전류 배선(VDD)의 저항 값을 효과적으로 낮추어 주어야 한다. 따라서, 보조 배선(MS)의 재질을 먼저 고려해야 한다. 바람직하게는, 비저항이 5.0μΩ㎠ 이하인 금속 물질을 포함하는 것이 좋다. 예를 들어, 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al)과 같이 비저항이 낮아 전도성이 우수한 금속 물질이 바람직하다. 또한, 보조 배선(MS)은 상기 전기 전도도가 우수한 물질로 이루어진 단일층으로 구성할 수도 있고, 보호를 위한 보호 금속층과 이중 이상으로 구성된 다층막일 수도 있다. 즉, 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 몰리브덴-티타늄(MoTi)과 같이 내부식성이 강한 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 알루미늄과 티타늄을 사용하는 경우, Al/Ti와 같은 이중층의 구성을 갖거나 위와 아래에 보호 금속층을 각각 포함하여 Ti/Al/Ti와 같은 삼중층의 구성을 가질 수 있다. 또한, 전기적 저항을 낮추기 위해 구리(Cu)를 사용하는 것이 바람직한데, 구리는 내 부식성이 약하므로, 가급적 삼중층의 구조를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, 보조 배선(MS)은 Ta/Cu/Ta, Ti/Cu/Ti, Mo/Cu/Mo, 혹은 MoTi/Cu/MoTi의 구조를 갖는 것이 바람직하다.First, the auxiliary wiring MS must effectively lower the resistance value of the driving current wiring VDD. Therefore, the material of the auxiliary wiring MS must be considered first. Preferably, a metal material having a resistivity of 5.0 mu OMEGA cm < 2 > or less is preferable. For example, a metal material having a low specific resistance such as copper (Cu), nickel (Ni), and aluminum (Al) and having excellent conductivity is preferable. The auxiliary wiring MS may be formed of a single layer made of a material having excellent electrical conductivity, or may be a multi-layered film composed of a protective metal layer for protection and a dual or more layer. That is, it may further include a metal having high corrosion resistance such as titanium (Ti), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), and molybdenum-titanium (MoTi). For example, when aluminum and titanium are used, they may have a double layer structure such as Al / Ti, or a triple layer structure such as Ti / Al / Ti including a protective metal layer at the top and bottom, respectively. In addition, copper (Cu) is preferably used for lowering the electrical resistance. Since copper has a low corrosion resistance, it is preferable to have a triple layer structure as much as possible. In this case, the auxiliary wiring MS preferably has a structure of Ta / Cu / Ta, Ti / Cu / Ti, Mo / Cu / Mo or MoTi / Cu / MoTi.

그리고, 보조 배선(MS)은 넓은 면적을 갖도록 구성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 적어도 캡 기판(ES)의 전체 면적의 1/3 이상을 차지하는 것이 바람직하다. 가급적, 캡 기판(ES) 전면에 보조 배선(MS)을 도포하는 것이 이상적이기는 하지만, 실질적으로는 완전히 캡 기판(ES)을 하나의 보조 배선(MS)으로 덮을 수는 없다. 또한, 본 발명의 설명에서는 구동 전류 배선(VDD)만을 위한 보조 배선(MS)을 중심으로 설명하지만, 경우에 따라서는 기준 전압을 공급하는 기준 전류 배선을 위한 보조 배선을 더 형성할 수 있다. 이 경우에는 각 보조 배선(MS)의 면적은 최대 캡 기판의 전체 면적 1/2 보다 약간 작은 값을 가질 수 있다. 따라서, 보조 배선(MS)은 캡 기판(ES)의 전체 면적의 1/3 이상을 차지하되, 가급적 넓은 면적을 가지는 것이 바람직하다.It is preferable that the auxiliary wiring MS has a large area. For example, at least 1/3 of the total area of the cap substrate ES. Although it is ideal to apply the auxiliary wiring MS to the entire surface of the cap substrate ES, it is practically impossible to completely cover the cap substrate ES with one auxiliary wiring MS. In the description of the present invention, the auxiliary wiring MS for only the driving current wiring VDD is mainly described, but in some cases, auxiliary wiring for the reference current wiring for supplying the reference voltage can be further formed. In this case, the area of each auxiliary wiring MS may have a value slightly smaller than 1/2 of the total area of the cap substrate. Therefore, it is preferable that the auxiliary wiring MS occupies not less than 1/3 of the entire area of the cap substrate ES, but preferably has a large area.

또한, 보조 배선(MS)과 구동 전류 배선(VDD)을 연결하는 실링(CC) 역시, 저항 값을 효과적으로 낮추어 주는 물질이어야 한다. 실링(CC) 자체는 도전물질이 아니고, 에폭시(Epoxy), 아크릴(Acryl) 또는 실리콘(Silicon) 계를 베이스 물질로 하여 열 경화제 또는 자외선 경화제를 함유한 고분자 수지물질이다. 따라서, 이 고분자 수지물질 내에 도전볼을 포함시킨 것이 도전성 실링재(CC)이다. 이 때, 도전볼은 전기 전도도가 0.2X10⁶/㎝Ω 이상인 금속물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 니켈(Ni) 등의 물질로 직경 30㎛인 것이 바람직하다.Also, the sealing (CC) connecting the auxiliary wiring MS and the driving current wiring VDD should also be a material that effectively lowers the resistance value. The sealing material CC is not a conductive material but a polymer resin material containing a thermosetting agent or an ultraviolet ray curing agent based on an epoxy, acrylic, or silicone system as a base material. Therefore, the conductive sealing material (CC) in which the conductive ball is contained in the polymer resin material is the conductive sealing material (CC). At this time, it is preferable to use a metal material having an electric conductivity of 0.2 x ¹⁰ < ⁶ > / cm or more. For example, a material such as gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), or nickel (Ni)

단순히, 저항이 낮은 보조 전극(MS)을 형성하고 이를 구동 전류 배선(VDD)과 연결하는 것만으로 구동 전류 배선(VDD)의 전압 강하를 원하는 수준으로 방지할 수 있는 것은 아니다. 효과적으로 전압 강하를 방지하기 위해서 추가로 고려하여야 할 사항들이 많이 있다.The voltage drop of the driving current wiring VDD can not be prevented to a desired level merely by forming the auxiliary electrode MS having a low resistance and connecting it with the driving current wiring VDD. There are a number of additional considerations to effectively prevent voltage sags.

첫 번째로, 보조 전극(MS)과 구동 전류 배선(VDD) 사이의 접촉 저항을 낮추어야 한다. 비록 저항이 낮은 보조 전극(MS)을 사용한다 하더라도, 보조 전극(MS)과 구동 전류 배선(VDD)과의 접촉 저항이 커지면, 구동 전류 배선(VDD)의 선저항 값을 낮출 수 없고, 전압 강하를 효과적으로 방지할 수 없다. 보조 전극(MS)과 구동 전류 배선(VDD)의 접촉 저항을 낮추기 위해, 접촉 면적을 가급적 많이 확보해야 한다. 그러나, 도 3 및 4에서 보는 바와 같이, 구동 전류 배선(VDD)과 보조 전극(MS)이 접촉하는 부위는 구동 배선 콘택홀(CNT)이다. 따라서, 구동 배선 콘택홀(CNT)의 면적을 가급적 크게 유지해야 한다. 실질적으로 여러 차례 실험한 결과, 전체 접촉 면적의 비율이 접촉하는 보조 전극(MS)의 면적의 0.1% 이상 유지하여야 효과적으로 전압 강하를 방지할 수 있다. 이 때, 접촉 면적의 비율은 단일 구동 배선 콘택홀(CNT)에 의해 노출된 구동 전류 배선(VDD)의 크기에 대한 비율이 아니고, 기판 전체에 형성된 구동 배선 콘택홀(CNT)에 의해 노출된 모든 구동 전류 배선(VDD)의 크기에 대한 비율이다.First, the contact resistance between the auxiliary electrode MS and the driving current wiring VDD must be lowered. Even if the auxiliary electrode MS having a low resistance is used, if the contact resistance between the auxiliary electrode MS and the driving current wiring VDD becomes large, the line resistance value of the driving current wiring VDD can not be lowered, Can not be effectively prevented. In order to lower the contact resistance between the auxiliary electrode MS and the driving current wiring VDD, it is necessary to secure a large contact area as much as possible. However, as shown in Figs. 3 and 4, the portion where the driving current wiring VDD and the auxiliary electrode MS are in contact is the driving wiring contact hole CNT. Therefore, the area of the driving wiring contact hole CNT must be kept as large as possible. As a result of a substantial number of experiments, the voltage drop can be effectively prevented by keeping the ratio of the total contact area at least 0.1% of the area of the contacting auxiliary electrode (MS). At this time, the ratio of the contact area is not a ratio to the size of the drive current wiring VDD exposed by the single drive wiring contact hole CNT, and the ratio of the contact area of all the drive wiring contact holes CNT To the size of the driving current wiring (VDD).

두 번째로, 보조 전극(MS)과 구동 전류 배선(VDD)을 전기적으로 연결하는 것은 도전성 실링재(CC) 안에 포함된 도전볼이다. 따라서, 도전볼의 함량도 중요한 요인이 된다. 도전볼의 함량을 여러 방면으로 실험한 결과, 가장 많이 사용되는 직경 30㎛인 금(Au)로 만든 도전볼의 함량이 실링재의 베이스 물질 함량 대비 3~5wt%인 것이 가장 바람직한 결과를 얻을 수 있었다. 즉, 도전볼의 함량이 너무 적으면(3wt% 이하) 도전볼에 의해 전기적으로 연결되는 보조 전극(MS)과 구동 전류 배선(VDD) 사이의 접촉 면적이 작아져서 저항 값을 효과적으로 낮추지 못한다. 반대로, 도전볼의 함량이 너무 많아도, 도전볼의 분포가 안정적이지 못하고, 전기적인 접촉이 원활하지 않아 효과를 보지 못하는 현상이 발생한다.Secondly, electrically connecting the auxiliary electrode MS and the driving current wiring VDD is a conductive ball included in the conductive sealing material CC. Therefore, the content of the conductive balls is also an important factor. As a result of conducting experiments on the content of the conductive balls in various directions, it was found that the most preferable result was that the content of the conductive balls made of gold (Au) having a diameter of 30 μm was 3 to 5 wt% of the base material content of the sealing material . That is, if the content of the conductive balls is too small (less than 3 wt%), the contact area between the auxiliary electrode MS electrically connected by the conductive balls and the driving current wiring VDD becomes small, and the resistance value can not be effectively lowered. On the contrary, even if the content of the conductive balls is too large, the distribution of the conductive balls is not stable, and the electrical contact is not smooth and the effect is not observed.

또한, 도전볼의 크기는 30㎛를 사용하는데 이는 박막 트랜지스터 기판과 캡(ENC) 사이의 셀갭에 의해 정해진다. 도전볼의 크기인 직경은, 셀갭보다 5~20% 큰 것이 바람직하다. 박막 트랜지스터 기판과 캡(ENC)이 합착될 때, 도전볼을 감싸는 비도전성 껍데기가 깨지고, 도전볼이 어느 정도 평평하게 찌그러져야 도전볼이 보조 배선(MS)과 구동 전류 배선(VDD) 사이를 전기적으로 연결하게 된다. 이때의 도전볼의 크기는, 도전볼이 소프트 형(Soft type)인 경우를 고려한 조건이다. 하지만, 모든 도전볼이 소프트 형으로만 이루어진 경우, 합착력에 의해 찌그러진 도전볼의 탄성이 저하되면, 도전볼과 보조 전극(MS) 사이 또는 도전볼과 구동 전류 배선(VDD) 사이의 접촉이 이루어지지 않는 경우가 발생할 수 있다. 따라서, 도전볼은 하드 형(Hard type)과 소프트 형이 고르게 혼합된 것이 바람직하다. 이 경우, 하드 형 도전볼의 크기는 소프트 형 도전볼의 크기의 80% 내지 90% 사이인 것이 바람직하다. 즉, 소프트 형 도전볼의 크기가 30㎛라면, 하드 형 도전볼의 크기는 25~27㎛인 것이 바람직하다. 또한, 하드 형 도전볼은 박막 트랜지스터 기판과 캡(ENC) 사이에서의 셀갭을 유지하는 스페이서의 기능을 하기도 한다.Also, the size of the conductive balls is 30 mu m, which is determined by the cell gap between the thin film transistor substrate and the cap (ENC). The diameter of the conductive balls is preferably 5 to 20% larger than the cell gap. When the thin film transistor substrate and the cap (ENC) are adhered together, the non-conductive shell surrounding the conductive ball is broken and the conductive ball is distorted to a certain degree flat so that the conductive ball electrically connects the auxiliary wiring MS and the driving current wiring VDD . The size of the conductive ball at this time is a condition considering the case where the conductive ball is a soft type. However, when all of the conductive balls are made only of a soft type, if the elasticity of the conductive balls deformed by the combining force is lowered, contact between the conductive balls and the auxiliary electrode MS or between the conductive balls and the driving current wiring VDD It may happen that it does not hold. Therefore, it is preferable that the conductive ball is evenly mixed with the hard type and the soft type. In this case, it is preferable that the size of the hard conductive balls is between 80% and 90% of the size of the soft conductive balls. That is, when the size of the soft conductive balls is 30 mu m, the size of the hard conductive balls is preferably 25 to 27 mu m. In addition, the hard conductive ball also functions as a spacer for maintaining a cell gap between the thin film transistor substrate and the cap (ENC).

세 번째로, 도전볼이 포함되는 실링재(CC)의 베이스 물질인 고분자 수지의 점도도 중요한 요소로 작용할 수 있다. 실링재(CC)의 베이스 물질인 고분자 수지의 점도는 적어도 50,000cPs를 가져야 하며, 바람직하게는 250,000cPs인 것이 좋다. 점도는 시간이 경과함에 따른 접촉 저항 값에 영향을 주는 것으로 실험 결과 알 수 있었다. 시간이 경과해서 점도가 낮아지면, 접촉 부위가 쉽게 떨어질 수 있으므로, 점도가 중요한 요인으로 작용한다. 실험 결과, 250,000cPs 점도의 에폭시 레진에 금(Au) 도전볼의 함량이 3% 내지 5%인 도전 실링재(CC)의 경우, 800시간 이상 경과해도, 저항 값의 편차가 크게 변화하지 않았다. 그러나, 50,000cPs 이하점도의 에폭시 레진에 금(Au) 도전볼의 함량이 3%인 도전 실링재(CC)의 경우, 700시간까지는 저항 값의 편차가 거의 없었으나, 800시간이 넘어가면서, 저항 값이 크게 변화하는 결과를 보였다.Thirdly, the viscosity of the polymer resin, which is the base material of the sealing material (CC) including the conductive balls, can also be an important factor. The viscosity of the polymer resin as the base material of the sealing material (CC) should be at least 50,000 cPs, preferably 250,000 cPs. Experimental results show that the viscosity affects the contact resistance with time. When the viscosity is lowered over time, the contact portion can easily fall, so viscosity is an important factor. As a result of the test, in the case of the conductive sealing material (CC) having the gold (Au) conductive ball content of 3% to 5% in the epoxy resin having the viscosity of 250,000 cPs, the variation of the resistance value did not change significantly even after 800 hours or more. However, in the case of a conductive sealing material (CC) having a content of gold (Au) conductive balls of 3% in an epoxy resin having a viscosity of 50,000 cPs or less, there was almost no variation in resistance value until 700 hours, Of the total population.

구체적인 실험의 결과로, 55인치 대형 유기전계발광 표시장치에서, 보조 배선(MS)은 구리(Cu)나 알루미늄(Al)을 포함하는 금속층으로 형성하고, 보조 배선(MS)과 구동 전류 배선(VDD)의 접촉면적은 보조 배선(MS) 면적의 0.1% 이상을 차지하며, 금(Au) 혹은 은(Ag)로 만든 직경 30㎛의 도전볼을 3 내지 5wt% 포함하며 점도가 250,000cPs를 갖는 에폭시 레진 물질을 도전 실링재(CC)로 사용한 경우, 보조 배선(MS)과 구동 전류 배선(VDD) 사이의 접촉 저항 값을 15.7mΩ을 유지할 수 있었다. 그 결과, 구동 전류 배선(VDD)의 전압 강하는 2.3V 수준으로 제어할 수 있었다. 이는 55인치 대면적 유기전계발광 표시장치에서 요구하는 전압 강하 값인 2.8V보다 훨씬 낮은 값으로, 표시패널의 전면에 걸쳐 휘도 균일도를 85% 이상 유지할 수 있었다.As a result of a specific experiment, in the 55-inch large organic light emitting display, the auxiliary wiring MS is formed of a metal layer containing copper (Cu) or aluminum (Al), and the auxiliary wiring MS and the driving current wiring VDD ) Occupies 0.1% or more of the area of the auxiliary wiring (MS), and is composed of 3 to 5 wt% of conductive balls having a diameter of 30 mu m made of gold (Au) or silver (Ag) and having an epoxy of 250,000 cPs When the resin material is used as the conductive sealing material CC, the contact resistance value between the auxiliary wiring MS and the driving current wiring VDD can be maintained at 15.7 m ?. As a result, the voltage drop of the driving current wiring (VDD) could be controlled to the level of 2.3V. This is much lower than the voltage drop value of 2.8 V required for a 55-inch large-area organic light emitting display device, and the luminance uniformity over the entire surface of the display panel can be maintained at 85% or more.

지금까지 설명한 본 발명의 실시 예는 구동 전류 배선의 선 저항이 높아져 전압 강하가 발생하는 문제를 해결하기 위한 보조 전극을 구비하는 경우를 중심으로 설명하였다. 그러나, 기준 전압을 제공하는 기준 전압 배선의 경우에도 동일한 방식으로 보조 전극을 형성할 수 있다. 이 경우, 기준 전압 배선과 구동 전류 배선은 서로 다른 전압을 공급하는 배선이므로 서로 단락되지 않도록 보조 전극을 두 부분으로 나누어서 형성할 수 있다.The embodiment of the present invention described so far has been mainly described with reference to the case where the auxiliary electrode is provided to solve the problem that the line resistance of the driving current wiring becomes high and the voltage drop occurs. However, even in the case of the reference voltage wiring providing the reference voltage, the auxiliary electrode can be formed in the same manner. In this case, since the reference voltage wiring and the driving current wiring are wirings for supplying different voltages, they can be formed by dividing the auxiliary electrode into two parts so as not to be short-circuited.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.

ST: 스위칭 TFT DT: 구동 TFT
SG: 스위칭 TFT 게이트 전극 DG: 구동 TFT 게이트 전극
SS: 스위칭 TFT 소스 전극 DS: 구동 TFT 소스 전극
SD: 스위칭 TFT 드레인 전극 DD: 구동 TFT 드레인 전극
SA: 스위칭 TFT 반도체 층 DA: 구동 TFT 반도체 층
GL: 게이트 배선 DL: 데이터 배선
VDD: 구동 전류 배선 GP: 게이트 패드
DP: 데이터 패드 GPT: 게이트 패드 단자
DPT: 데이터 패드 단자 VDP: 구동 전류 패드
VDPT: 구동 전류 패드 단자 GPH: 게이트 패드 콘택홀
DPH: 데이터 패드 콘택홀 VPH: 구동 전류 패드 콘택홀
GI: 게이트 절연막 IN: 절연막
PAS: 보호막 PL: 평탄화 막
OL: 유기막 OLED: 유기발광 다이오드
POLY, HP: 유기 합착막 ENC: 캡
ES: 캡 기판 MS: 보조 배선
CC: 도전성 실링(재) CNT: 구동 전류 콘택홀ST: switching TFT DT: driving TFT
SG: switching TFT gate electrode DG: driving TFT gate electrode
SS: switching TFT source electrode DS: driving TFT source electrode
SD: switching TFT drain electrode DD: driving TFT drain electrode
SA: switching TFT semiconductor layer DA: driving TFT semiconductor layer
GL: gate wiring DL: data wiring
VDD: Drive current wiring GP: Gate pad
DP: Data pad GPT: Gate pad terminal
DPT: Data pad terminal VDP: Drive current pad
VDPT: driving current pad terminal GPH: gate pad contact hole
DPH: Data pad contact hole VPH: Drive current pad contact hole
GI: Gate insulating film IN: Insulating film
PAS: protective film PL: planarization film
OL: organic film OLED: organic light emitting diode
POLY, HP: Organic Coating Membrane ENC: Cap
ES: cap substrate MS: auxiliary wiring
CC: conductive sealing (ash) CNT: driving current contact hole

Claims

A thin film transistor comprising a thin film transistor, a driving current wiring for supplying an electric signal to the thin film transistor, a driving wiring contact hole for exposing both ends of the driving current wiring, and an organic light emitting diode Board;
A cap substrate; a cap including an auxiliary wiring applied to an inner surface of the cap substrate;
A conductive sealing material for electrically connecting the driving current wiring exposed through the driving wiring contact hole to the auxiliary wiring; And
And an organic adhesion film for bonding the thin film transistor substrate and the cap to each other.

The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary wiring includes a metallic material having a resistivity of 5.0 占㎠ m 2 or less.

Claim 3 has been abandoned due to the setting registration fee.

3. The method of claim 2,
Wherein the auxiliary wiring includes at least one of copper (Cu), nickel (Ni), and aluminum (Al).

The method according to claim 1,
Wherein the auxiliary wiring is a multi-layered metal layer including a low-resistance metal layer and a corrosion-resistant metal layer.

5. The method of claim 4,
Wherein the low resistance metal layer comprises at least one of copper (Cu), nickel (Ni), and aluminum (Al);
Wherein the corrosion-resistant metal layer comprises at least one of titanium (Ti) and tantalum (Ta).

6. The method of claim 5,
Wherein the auxiliary wiring includes a triple layer structure of at least one of molybdenum / copper / molybdenum, tantalum / copper / tantalum, and molybdenum-titanium / copper / molybdenum-titanium.

The method according to claim 1,
And the total sum of the driving current wiring areas exposed by the driving wiring contact holes is 0.1% or more of the auxiliary wiring area.

The conductive sealing member according to claim 1,
A base material comprising at least one of epoxy, acrylic and silicon; And,
And a conductive ball including a metal material having an electrical conductivity of 0.2 x ¹⁰ < ⁶ > / cm or more.

Claim 9 has been abandoned due to the setting registration fee.

9. The method of claim 8,
Wherein the conductive ball comprises at least one of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and nickel (Ni).

9. The method of claim 8,
Wherein the content ratio of the conductive balls to the base material is 3 (wt%): 97 (wt%) to 5 (wt%): 95 (wt%).

9. The method of claim 8,
Wherein the base material has a viscosity of 50,000 to 250,000 cPs.