KR101491255B1 - 이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스 - Google Patents

이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스 Download PDF

Info

Publication number
KR101491255B1
KR101491255B1 KR20130060050A KR20130060050A KR101491255B1 KR 101491255 B1 KR101491255 B1 KR 101491255B1 KR 20130060050 A KR20130060050 A KR 20130060050A KR 20130060050 A KR20130060050 A KR 20130060050A KR 101491255 B1 KR101491255 B1 KR 101491255B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
anode
ion beam
beam source
conductive material
cathode
Prior art date
Application number
KR20130060050A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140139706A (ko
Inventor
김도근
이승훈
김종국
정성훈
Original Assignee
한국기계연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기계연구원 filed Critical 한국기계연구원
Priority to KR20130060050A priority Critical patent/KR101491255B1/ko
Publication of KR20140139706A publication Critical patent/KR20140139706A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101491255B1 publication Critical patent/KR101491255B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/022Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08Ion sources; Ion guns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06Sources
    • H01J2237/08Ion sources
    • H01J2237/0802Field ionization sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06Sources
    • H01J2237/08Ion sources
    • H01J2237/0812Ionized cluster beam [ICB] sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31749Focused ion beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

이온 빔 소스의 양극 지지부는 이온 빔 소스의 몸체를 관통하여 양극을 지지하고, 양극 내부로 냉매를 순환시키기 위한 유로를 가지며, 양극으로 전력을 공급하기 위해 도전성 물질로 이루어지는 제1 구조물 및 제1 구조물과 몸체가 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 절연 물질로 이루어지며 제1 구조물을 감싸도록 구비되는 제2 구조물을 포함할 수 있다. 따라서, 양극 지지부는 양극을 냉각시킬 수 있고, 몸체와 양극이 전기적으로 절연시킬 수 있다.

Description

이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스{Anode supporting member of ion beam source and ion beam source having the anode supporting member}
본 발명은 이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이온 빔 소스의 양극을 안정적으로 지지하면서 냉각수 공급할 수 있는 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스에 관한 것이다.
일반적으로, 이온 빔 소스는 일정 간격으로 이격되어 배치된 양극과 음극에 직류 혹은 교류 전압을 인가하고 상기 이격된 공간에 가스를 주입하여 플라즈마를 발생시킨다. 보다 상세하게는, 상기 양극 및 음극에 인가된 전압에 의해 전기장이 형성되고 상기 양극 및 음극 간 공간 내 자유전자가 가속되어 전자 및 중성 가스간 비탄성 충돌에 의해 상기 가스를 여기 및 이온화한다.
상기 플라즈마의 형성을 위해 상기 양극의 표면에서 플라즈마 방전이 이루어짐에 따라 많은 열이 발생한다. 상기 양극에서 발생하는 열로 인해 상기 양극이 손상되거나, 상기 이온 빔 소스에서의 플라즈마 발생 효율이 저하될 수 있다.
본 발명은 양극을 지지하면서 상기 양극을 냉각하기 위한 냉매 유로를 갖는 이온 빔 소스의 양극 지지부를 제공한다.
본 발명은 상기 양극 지지부를 포함하는 이온 빔 소스를 제공한다.
본 발명에 따른 양극 지지부는 이온 빔 소스의 몸체를 관통하여 양극을 지지하고, 상기 양극 내부로 냉매를 순환시키기 위한 유로를 가지며, 상기 양극으로 전력을 공급하기 위해 도전성 물질로 이루어지는 제1 구조물 및 상기 제1 구조물과 상기 몸체가 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 절연 물질로 이루어지며 상기 제1 구조물을 감싸도록 구비되는 제2 구조물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 제1 구조물은 상기 양극과 나사 체결되고, 상기 제2 구조물은 상기 몸체를 관통하거나 상기 몸체와 나사 체결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 양극 지지부는 상기 제1 구조물과 상기 제2 구조물 사이를 통해 상기 이온 빔 소스의 진공이 누설되는 것을 방지하기 위해 상기 제1 구조물과 상기 제2 구조물 사이에 구비되는 밀봉 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이온 빔 소스의 방전에 의해 발생하는 전도성 물질이 상기 제2 구조물의 표면 전체에 코팅되어 상기 몸체와 상기 양극이 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 상기 제2 구조물은 표면에 상기 전도성 물질의 코팅을 방지할 수 있는 단차를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 이온 빔 소스는 내부 공간을 가지며 상면이 개방되고, 내부에 상기 내부 공간으로 가스를 공급하기 위한 가스 공급홀들을 갖는 몸체와, 상기 몸체의 상면에 상기 내부 공간을 노출하도록 구비되는 음극과, 상기 몸체의 내부 공간에 상기 음극과 이격되도록 구비되며, 외부로부터 인가되는 전원과 연동하여 상기 음극과 사이에서 전기장을 형성하여 상기 가스를 이온화하는 양극 및 상기 몸체를 관통하여 상기 양극을 지지하고, 상기 양극으로 전력을 공급하기 위해 도전성 물질로 이루어지는 제1 구조물 및 상기 제1 구조물과 상기 몸체가 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 절연 물질로 이루어지며 상기 제1 구조물을 감싸도록 구비되는 제2 구조물로 이루어지는 양극 지지부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 양극은 상기 전기장 형성시 발생하는 열을 냉각하기 위한 냉매를 순환하기 위한 제1 유로를 가지며, 상기 양극 지지부의 제1 구조물은 상기 양극 내부의 제1 유로로 상기 냉매를 공급 또는 배출하기 위한 제2 유로를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 양극 지지부는 상기 제1 구조물과 상기 제2 구조물 사이를 통해 상기 이온 빔 소스의 진공이 누설되는 것을 방지하기 위해 상기 제1 구조물과 상기 제2 구조물 사이에 구비되는 밀봉 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이온 빔 소스의 방전에 의해 발생하는 전도성 물질이 상기 제2 구조물의 표면 전체에 코팅되어 상기 몸체와 상기 양극이 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 상기 제2 구조물은 표면에 상기 전도성 물질의 코팅을 방지할 수 있는 단차를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이온 빔 소스의 방전에 의해 발생하는 전도성 물질이 상기 제2 구조물의 표면 전체에 코팅되어 상기 몸체와 상기 양극이 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 상기 몸체의 내측면에 상기 제2 구조물 둘레를 따라 상기 전도성 물질의 코팅을 방지할 수 있는 홈을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이온 빔 소스는 상기 몸체의 내부 저면에서 상기 양극을 지지하여 상기 양극의 자중에 의한 처짐을 방지하고, 절연 재질로 이루어지는 보조 지지부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이온 빔 소스는 상기 몸체의 내부에 구비되며, 상기 음극 및 상기 양극에 의해 여기된 가스 이온을 집속시키기 위한 자성체를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 양극 지지부는 이온 빔 소스의 양극에 냉매를 공급할 수 있으므로, 상기 양극에서 발생하는 열을 용이하게 냉각할 수 있다. 따라서, 상기 양극에서 발생하는 열로 인한 상기 양극의 손상을 방지할 수 있고, 상기 이온 빔 소스에서의 이온 빔 생성 효율도 향상시킬 수 있다.
상기 양극 지지부가 상기 양극의 하부면을 지지할 수 있으므로, 상기 이온 빔 생성시 상기 이온 빔 소스의 내부에서 발생하거나 외부로부터 유입된 전도성 물질에 의해 상기 양극 지지부가 코팅되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 양극 지지부의 표면에 홈을 형성하여 상기 전도성 물질에 코팅되는 것을 방지할 수도 있다. 따라서, 상기 이온 빔 소스를 장시간 사용하더라도 상기 양극 지지부의 코팅으로 인해 발생되는 절연 파괴 및 방전 불안정화를 효과적으로 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 빔 소스의 양극 지지부를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 빔 소스를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 이온 빔 소스를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 4는 도 2에 도시된 이온 빔 소스를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 빔 소스의 양극 지지부를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 양극 지지부(100)는 몸체(12), 음극(14) 및 양극(16)으로 구성되는 이온 빔 소스(10)의 양극(16)을 지지하기 위한 것으로, 제1 구조물(110), 제2 구조물(120) 및 밀봉 부재(130)를 포함한다.
제1 구조물(110)은 대략 기둥 형태를 가지며, 몸체(12)에 고정되어 양극(16)을 지지한다. 일 예로, 제1 구조물(110)은 몸체(12)의 저면을 관통하여 양극(16)의 하부면을 지지할 수 있다. 다른 예로, 제1 구조물(110)은 몸체(12)의 측면을 관통하여 양극(16)의 측면을 지지할 수 있다.
제1 구조물(110)에 의해 양극(16)이 몸체(12) 및 음극(14)과 일정 간격 이격될 수 있다. 예를 들면, 제1 구조물(110)은 몸체(12)의 관통홀(13)을 지나 일단부가 양극(16)의 체결홈(17)에 삽입되어 양극(16)을 고정한다.
제1 구조물(110)은 양극(16)과 나사 체결될 수 있다. 예를 들면, 제1 구조물(110)은 상기 일단부 외측면에 나사산이 형성되고, 체결홈(17)의 내측면에도 나사산이 형성될 수 있다.
제1 구조물(110)은 금속 재질로 이루어진다. 따라서, 제1 구조물(110)을 통해 양극(16)으로 전원을 공급할 수 있다. 상기 전원이 공급되면 양극(16)은 음극(14)과 사이에서 전기장을 형성한다.
제1 구조물(110)은 내부에 유로(112)를 갖는다. 유로(112)는 양극(16)의 내부에 형성된 유로(18)와 연결된다. 유로(112)를 통해 양극(16) 내부로 냉매를 공급 및 배출할 수 있다. 냉매의 예로는 냉각수, 냉각 가스 등을 들 수 있다. 제1 구조물(110)을 이용하여 양극(16) 내부에서 상기 냉매를 순환시킬 수 있으므로, 상기 전기장 형성시 양극(16)에서 발생하는 열을 냉각시킬 수 있다.
유로(112)는 절연성 물질로 코팅될 수 있다. 따라서, 제1 구조물(110)로 공급되는 전원이 상기 냉매, 특히 냉각수로 전달되는 것을 방지할 수 있다.
제2 구조물(120)은 제1 구조물(110)의 측면을 둘러싸도록 구비된다. 예를 들면, 제2 구조물(120)은 제1 구조물(110)에서 몸체(12)와 접촉하는 부위 및 몸체(12)와 양극(16) 사이에서 노출되는 부위를 감싸도록 구비될 수 있다. 따라서, 제2 구조물(120)은 제1 구조물(110)과 일체로 형성될 수 있다.
제2 구조물(120)은 몸체(12)와 나사 체결될 수 있다. 예를 들면, 제2 구조물(120)의 외측면에 나사산이 형성되고, 관통홀(13)의 내측면에도 나사산이 형성될 수 있다.
제1 구조물(110)이 양극(16)과 나사 체결되고, 제2 구조물(120)이 몸체(12)와 나사 체결되므로, 양극 지지부(100)가 몸체(12) 및 양극(16)과의 조립이 용이하다. 또한, 양극 지지부(100)의 분리도 용이하므로, 이온 빔 소스(10)의 유지 보수시 편리성을 향상시킬 수 있다.
제2 구조물(120)은 절연 재질로 이루어질 수 있다. 상기 절연 재질의 예로는 세라믹, PEEK(Poly-Ether Ether Ketone) 등을 들 수 있다. 제2 구조물(120)은 제1 구조물(110)과 몸체(12)가 전기적으로 연결되는 것을 방지한다.
제2 구조물(120)이 절연 재질로 이루어지더라도 이온 빔 소스(10)에서 이온 빔 생성시 내부에서 발생하거나 외부로부터 유입된 전도성 물질이 제2 구조물(120)에서 몸체(12)와 양극(16) 사이의 노출 부위 전체에 코팅될 수 있다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(12)와 양극(16)이 전기적으로 연결될 수 있다.
그러므로, 상기 전도성 물질이 상기 노출 부위 전체에 코팅되는 것을 방지하기 위해 제2 구조물(120)은 상기 노출 부위에 단차(122)를 갖는다. 단차(122)는 제2 구조물(120)의 둘레를 따라 형성된 홈일 수 있다. 이때, 상기 홈은 제2 구조물(120) 전체에 걸쳐 다수개가 형성될 수 있다. 또한, 단차(122)는 제2 구조물(120)의 둘레를 따라 형성되며 단면적이 증가하는 걸림턱 형태의 단차 또는 단면적이 감소하는 걸림턱 형태의 단차일 수 있다.
단차(122)는 제2 구조물(120)의 표면 프로파일을 급격하게 변화시키므로, 상기 전도성 물질이 제2 구조물(120)의 노출 부위 전체에 코팅되기 어렵다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(12)와 양극(16)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 제1 구조물(110)은 몸체(12)의 저면을 관통하여 양극(16)의 하부면을 지지하는 경우, 제2 구조물(120)의 노출 부위가 몸체(12)의 저면에 위치하므로 상기 전도성 물질이 제2 구조물(120)의 노출 부위까지 도달하기까지 경로가 길다. 따라서, 제2 구조물(120)의 노출 부위 전체에 상기 전도성 물질이 코팅되는 것을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
밀봉 부재(130)는 제1 구조물(110)과 제2 구조물(120) 사이, 제2 구조물(120)과 몸체(12) 사이 및 제1 구조물(110)과 양극(16) 사이에 각각 구비되어, 이온 빔 소스(10)의 진공이 누설되는 것을 방지한다. 또한, 밀봉 부재(130)는 제1 구조물(110)과 양극(16) 사이를 통해 상기 냉매가 누설되는 것을 방지할 수 있다. 밀봉 부재(130)의 예로는 오링을 들 수 있다.
상기와 같이 양극 지지부(100)는 양극(16)을 안정적으로 지지할 수 있으며, 양극(16)에 상기 냉매를 공급하여 양극(16)에서 발생하는 열을 용이하게 냉각할 수 있다. 따라서, 양극(16)의 손상을 방지할 수 있고, 이온 빔 소스(10)에서의 플라즈마 발생 효율도 향상시킬 수 있다.
양극 지지부(100)가 양극(16)의 하부면을 지지하거나, 제2 구조물(120)의 표면에 단차(122)를 형성하여 상기 도전성 물질이 제2 구조물(120)의 노출 부위 전체에 코팅되는 것을 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 빔 소스를 설명하기 위한 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 이온 빔 소스를 설명하기 위한 분해 사시도이며, 도 4는 도 2에 도시된 이온 빔 소스를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 이온 빔 소스(200)는 가스 방전을 이용하여 증착 공정 또는 식각 공정을 수행하기 위한 것으로, 몸체(210), 음극(220), 양극(230), 양극 지지부(240), 보조 지지부(250) 및 자성체(260)를 포함한다.
몸체(210)는 내부 공간(212)을 가지며 상면이 개방된 대략 직육면체 형상을 갖는다. 몸체(210)는 금속 재질로 이루어진다. 내부 공간(212)은 몸체(210)의 연장 방향을 따라 연장한다. 일 예로, 내부 공간(212)은 몸체(210)의 연장 방향을 따라 연장된 링 형상을 가질 수 있다.
몸체(210)는 가스 공급홀(214)을 갖는다. 가스 공급홀(214)은 몸체(210)의 하부면에서부터 몸체(210)를 관통하여 구비되며, 몸체(210)의 내부 공간(212)으로 상기 가스를 공급한다. 가스 공급홀(214)은 몸체(210)의 연장 방향을 따라 다수개가 일정 간격만큼 이격되도록 배치된다. 따라서, 가스 공급홀들(214)을 통해 상기 가스를 내부 공간(212)으로 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 몸체(210)는 양극 지지부(240)와의 체결을 위한 관통홀(216)들을 갖는다. 관통홀(216)들은 몸체(210)의 저면 또는 측면에 구비될 수 있다.
음극(220)은 몸체(210)의 상면에 내부 공간(212)을 노출하도록 구비된다. 음극(220)은 제1 음극(222) 및 제2 음극(224)을 포함한다.
제1 음극(222)은 몸체(210)의 상면 가장자리를 따라 구비된다. 예를 들면, 제1 음극(222)은 링(ring) 형상을 갖는다.
제2 음극(224)은 몸체(210)의 상면 중앙에 구비된다. 예를 들면, 제2 음극(224)은 바(bar) 형상을 갖는다.
제1 음극(222)과 제2 음극(224)은 서로 일정한 간격만큼 이격된다. 제1 음극(222)과 제2 음극(224) 사이의 개구(226)를 통해 몸체(210)의 내부 공간(212)이 노출된다. 이때, 개구(226)는 상기 일 방향으로 연장된 링 형상을 갖는다.
제1 음극(222)과 제2 음극(224)의 저면에는 몸체(210)와의 결합을 위한 제1 체결홈(222a) 및 제2 체결홈(224a)이 구비된다. 제1 체결홈(222a) 및 제2 체결홈(224a)은 각각 한 개의 홈이 연장된 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 체결홈(222a)은 링 형상을 가지며, 제2 체결홈(224a)은 바 형상을 갖는다.
다른 예로, 제1 체결홈(222a) 및 제2 체결홈(224a)은 각각 다수 개의 홈이 일정 간격으로 배열된 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 체결홈(222a)은 다수개의 홈들이 링 형상을 가지도록 배열되며, 제2 체결홈(224a)은 다수개의 홈들이 바 형상을 갖도록 배열된다. 이 경우, 몸체(210)의 상면도 제1 체결홈(222a) 및 제2 체결홈(224a)의 형태와 대응하는 형상을 갖는다.
제1 체결홈(222a) 및 제2 체결홈(224a)은 몸체(210)의 상면을 수용한다. 제1 체결홈(222a) 및 제2 체결홈(224a)의 공차는 약 0.3 mm 이하인 것이 바람직하다. 제1 체결홈(222a) 및 제2 체결홈(224a)을 이용하여 제1 음극(222)과 제2 음극(224)을 몸체(210)의 상면에 정확하게 위치시킬 수 있다. 제1 음극(222) 및 제2 음극(224)의 길이가 약 2000 mm 이상으로 길더라도 제1 체결홈(222a) 및 제2 체결홈(224a)이 몸체(210)의 상면을 수용함으로써 음극(220)을 몸체(210)에 정확하게 위치시킬 수 있다.
또한, 몸체(210)에 자성체(260)가 내장되는 경우, 자성체(260)의 자력으로 인해 금속 재질의 제1 음극(222)과 제2 음극(224)을 몸체(210)의 상면에 정확하게 위치시키기 어렵다. 그러나, 제1 체결홈(222a) 및 제2 체결홈(224a)을 이용하면 몸체(210)에 자성체(260)가 내장되더라도 제1 음극(222)과 제2 음극(224)을 몸체(210)의 상면에 정확하게 위치시킬 수 있다.
제1 음극(222)과 제2 음극(224)을 몸체(210)의 상면에 정확하게 위치시킬 수 있으므로, 제1 음극(222)과 제2 음극(224) 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 음극(220)과 양극 사이의 간격도 일정하게 유지할 수 있다.
한편, 음극(220)은 외부로부터 전원과 연결되지 않고, 접지되지도 않은 부유(floating) 상태를 유지한다. 몸체(210)는 음극(220)과 결합되므로 몸체(210)도 음극(220)으로 작용한다. 따라서, 음극(220)과 연결된 몸체(220)도 마찬가지로 부유 상태를 유지한다.
양극(230)은 몸체(210)의 내부 공간(212)에 구비된다. 양극(230)은 몸체(210) 및 음극(220)과 이격되도록 배치된다. 이때, 양극(230)과 몸체(210) 사이의 간격과 양극(230)과 음극(220) 사이의 간격은 동일할 수 있다. 양극(230)은 몸체(210)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장된 링 형상을 갖는다.
또한, 양극(230)은 내부에 냉매를 순환시키기 위한 제1 유로(232)를 갖는다. 제1 유로(232)는 단수 또는 복수로 구비되며, 직선, 곡선, 지그재그 등 다양한 형태를 가질 수 있다. 그리고, 양극 지지부(240)와의 체결을 위해 체결홈(234)을 갖는다. 체결홈(234)들은 양극(230)의 저면 또는 측면에 구비될 수 있다.
양극(230)은 외부의 전원과 연결된다. 따라서, 양극(230)은 외부로부터 인가되는 구동 전원과 연동하여 음극(220)과 양극(230) 사이의 공간에서 전기장을 발생한다. 상기 전기장에 의해 가스 공급홀(214)을 통해 공급된 가스가 플라즈마 상태의 이온 빔으로 여기된다.
음극(220)이 부유 상태이므로 양극(230)에 구동 전원이 인가되더라도 음극(220)과 양극(230)은 부위 전위 상태를 유지한다. 따라서, 이온 빔 소스(200)의 표면, 예를 들면 몸체(210), 음극(220) 및 양극(230)의 표면에 도전성 물질이 부착되어 상기 이온 빔에 의해 상기 도전성 물질에 전하가 축적되더라도 상기 이온 빔 소스(200)와 상기 도전성 물질 사이의 전위차가 크지 않아 아킹 발생을 줄일 수 있다.
양극 지지부(240)는 양극(230)이 몸체(210) 및 음극(220)과 이격되도록 양극(230)을 지지한다. 일 예로, 양극 지지부(240)는 몸체(210)의 저면을 관통하여 양극(230)의 하부면을 지지할 수 있다. 다른 예로, 양극 지지부(240)는 몸체(210)의 측면을 관통하여 양극(230)의 측면을 지지할 수 있다.
양극 지지부(240)는 제1 구조물(242), 제2 구조물(244) 및 밀봉 부재(246)를 포함한다.
제1 구조물(242)은 대략 기둥 형태를 가지며, 몸체(210)에 고정되어 양극(230)을 지지한다. 일 예로, 제1 구조물(242)은 몸체(210)의 저면을 관통하여 양극(230)의 하부면을 지지할 수 있다. 다른 예로, 제1 구조물(242)은 몸체(210)의 측면을 관통하여 양극(230)의 측면을 지지할 수 있다.
제1 구조물(242)에 의해 양극(230)이 몸체(210) 및 음극(220)과 일정 간격 이격될 수 있다. 예를 들면, 제1 구조물(242)은 몸체(210)의 관통홀(216)을 지나 일단부가 양극(230)의 체결홈(216)에 삽입되어 양극(230)을 고정한다.
제1 구조물(242)은 양극(230)과 나사 체결될 수 있다. 예를 들면, 제1 구조물(242)은 상기 일단부 외측면에 나사산이 형성되고, 체결홈(234)의 내측면에도 나사산이 형성될 수 있다.
제1 구조물(242)은 금속 재질로 이루어진다. 따라서, 상기 외부 전원이 제1 구조물(242)을 통해 양극(230)과 연결될 수 있다. 상기 전원이 공급되면 양극(230)은 음극(220)과 사이에서 전기장을 형성한다.
제1 구조물(242)은 내부에 제2 유로(243)를 갖는다. 제2 유로(243)는 양극(230)의 내부에 형성된 제1 유로(232)와 연결된다. 제2 유로(243)를 통해 양극(230) 내부로 냉매를 공급 및 배출할 수 있다. 냉매의 예로는 냉각수, 냉각 가스 등을 들 수 있다. 제1 유로(232) 및 제2 유로(243)를 이용하여 양극(230) 내부에서 상기 냉매를 순환시킬 수 있으므로, 상기 전기장 형성시 양극(230)에서 발생하는 열을 냉각시킬 수 있다.
제1 유로(232) 및 제2 유로(243)는 절연성 물질로 코팅될 수 있다. 따라서, 양극(230) 및 제1 구조물(242)과 연결되는 전원이 상기 냉매, 특히 냉각수로 전달되는 것을 방지할 수 있다.
제2 구조물(244)은 제1 구조물(242)의 측면을 둘러싸도록 구비된다. 예를 들면, 제2 구조물(244)은 제1 구조물(242)에서 몸체(210)와 접촉하는 부위 및 몸체(210)와 양극(230) 사이에서 노출되는 부위를 감싸도록 구비될 수 있다. 따라서, 제2 구조물(244)은 제1 구조물(242)과 일체로 형성될 수 있다.
제2 구조물(244)은 몸체(210)와 나사 체결될 수 있다. 예를 들면, 제2 구조물(244)의 외측면에 나사산이 형성되고, 관통홀(216)의 내측면에도 나사산이 형성될 수 있다.
제1 구조물(242)이 양극(230)과 나사 체결되고, 제2 구조물(244)이 몸체(210)와 나사 체결되므로, 양극 지지부(240)가 몸체(210) 및 양극(230)과 용이하게 조립될 수 있다. 또한, 양극 지지부(240)의 분리도 용이하므로, 이온 빔 소스(200)의 유지 보수시 편리성을 향상시킬 수 있다.
한편, 제2 구조물(244)은 단순히 몸체(210)를 관통하도록 구비될 수도 있다.
제2 구조물(244)은 절연 재질로 이루어질 수 있다. 상기 절연 재질의 예로는 세라믹, PEEK(Poly-Ether Ether Ketone) 등을 들 수 있다. 제2 구조물(244)은 제1 구조물(242)과 몸체(210)가 전기적으로 연결되는 것을 방지한다.
제2 구조물(244)이 절연 재질로 이루어지더라도 이온 빔 소스(200)에서 이온 빔 생성시 내부에서 발생하거나 외부로부터 유입된 전도성 물질이 제2 구조물(244)에서 몸체(210)와 양극(230) 사이의 노출 부위 전체에 코팅될 수 있다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(210)와 양극(230)이 전기적으로 연결될 수 있다.
그러므로, 상기 전도성 물질이 상기 노출 부위 전체에 코팅되는 것을 방지하기 위해 제2 구조물(244)은 상기 노출 부위에 단차(245)를 갖는다. 단차(245)는 제2 구조물(244)의 둘레를 따라 형성된 홈일 수 있다. 이때, 상기 홈은 제2 구조물(244) 전체에 걸쳐 다수개가 형성될 수 있다. 또한, 단차(245)는 제2 구조물(244)의 둘레를 따라 형성되며 단면적이 증가하는 걸림턱 형태의 단차 또는 단면적이 감소하는 걸림턱 형태의 단차일 수 있다.
단차(245)는 제2 구조물(244)의 표면 프로파일을 급격하게 변화시키므로, 상기 전도성 물질이 제2 구조물(244)의 노출 부위 전체에 코팅되기 어렵다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(210)와 양극(230)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 제1 구조물(242)은 몸체(210)의 저면을 관통하여 양극(230)의 하부면을 지지하는 경우, 제2 구조물(244)의 노출 부위가 몸체(210)의 저면에 위치하므로 상기 전도성 물질이 제2 구조물(244)의 노출 부위까지 도달하기까지 경로가 길다. 따라서, 제2 구조물(244)의 노출 부위 전체에 상기 전도성 물질이 코팅되는 것을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
밀봉 부재(246)는 제1 구조물(242)과 제2 구조물(244) 사이, 제2 구조물(244)과 몸체(210) 사이 및 제1 구조물(242)과 양극(230) 사이에 각각 구비되어, 이온 빔 소스(200)의 진공이 누설되는 것을 방지한다. 또한, 밀봉 부재(246)는 제1 구조물(242)과 양극(230) 사이를 통해 상기 냉매가 누설되는 것을 방지할 수 있다. 밀봉 부재(246)의 예로는 오링을 들 수 있다.
보조 지지부(250)는 대략 원판 또는 사각판 형태를 가지며, 몸체(210)와 양극(230) 사이에 배치된다. 구체적으로, 보조 지지부(250)는 몸체(210)의 내부 저면에 고정되어 양극(230)의 하부면을 지지할 수 있다. 양극(230)의 길이가 긴 경우, 양극 지지부(240)가 양극(230)을 지지하더라도 양극 지지부(240)들 사이의 양극(230) 부위가 자중에 의해 처짐이 발생할 수 있다. 보조 지지부(250)가 양극(230)을 지지함으로써 양극(230)의 처짐을 방지할 수 있다. 따라서, 양극(230)이 몸체(210) 및 음극(220)과 일정한 간격을 유지할 수 있다.
또한, 보조 지지부(250)는 몸체(210)와 양극(230)을 일정한 간격만큼 이격된 상태로 유지하므로, 몸체(210)와 양극(230)이 상기 간격과 동일한 간격을 유지하도록 양극 지지부(240)가 양극(230)과 체결된다. 따라서, 보조 지지부(250)는 양극 지지부(240)가 양극(230)과 체결되는 정도를 한정하는 역할을 수행한다.
보조 지지부(250)는 절연 재질로 이루어질 수 있다. 상기 절연 재질의 예로는 세라믹, PEEK 등을 들 수 있다. 따라서, 보조 지지부(250)를 통해 몸체(210)와 양극(230)이 전기적으로 연결되지 않는다.
보조 지지부(250)는 몸체(210)의 저면에 배치되므로, 상기 전도성 물질이 보조 지지부(250)까지 도달하기까지 경로가 길다. 따라서, 보조 지지부(250) 전체에 상기 전도성 물질이 코팅되지 않거나, 상기 전도성 물질이 코팅되는 것이 지연될 수 있다.
이온 빔 소스(200)를 장시간 사용하는 경우, 보조 지지부(250)가 몸체(210)의 저면에 배치되더라도 상기 전도성 물질이 보조 지지부(250) 표면 전체에 코팅될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 보조 지지부(250)는 단차(252)를 갖는다. 단차(252)는 보조 지지부(250)의 측면 둘레를 따라 형성된 홈일 수 있다. 이때, 상기 홈은 보조 지지부(250) 측면 전체에 걸쳐 하나 또는 여러 개가 형성될 수 있다. 또한, 단차(252)는 보조 지지부(250)의 측면 둘레를 따라 형성되며 단면적이 증가하는 걸림턱 형태의 단차 또는 단면적이 감소하는 걸림턱 형태의 단차일 수 있다.
단차(252)는 보조 지지부(250)의 표면 프로파일을 급격하게 변화시키므로, 상기 전도성 물질이 보조 지지부(250)의 측면 전체에 코팅되기 어렵다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(210)와 양극(230)이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다.
몸체(210)는 내측면에 양극 지지부(240)가 고정된 부위의 둘레를 따라 홈(218)을 갖는다. 즉, 홈(218)은 몸체(210)의 내측면에서 관통홀(216)의 입구 둘레를 따라 형성될 수 있다. 홈(218)에 의해 노출된 양극 지지부(240)의 제2 구조물(244)은 몸체(210)에 의해 커버될 수 있다. 그러므로, 홈(218)에 의해 노출된 제2 구조물(244)의 부위에 상기 전도성 물질이 표면 전체에 코팅되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 전도성 물질에 의해 몸체(210)와 양극(230)이 전기적으로 연결되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
홈(218)과 단차(245)는 모두 구비될 수도 있지만, 필요에 따라 홈(218)과 단차(245) 중 어느 하나만 구비될 수도 있다.
한편, 몸체(210)는 내측면에 보조 지지부(250)가 고정된 부위의 둘레를 따라 홈(미도시)을 가질 수도 있다. 상기 홈으로 인해 보조 지지부(250)의 측면 전체에 상기 전도성 물질이 코팅되는 것을 방지할 수 있다.
자성체(260)는 몸체(210) 내부에 몸체(210)의 연장 방향을 따라 구비된다. 자성체(260)는 다수개의 영구 자석이 상기 연장 방향을 따라 접합될 수 있다. 다른 예로, 자성체(260)는 상기 연장 방향을 따라 연장된 하나의 영구 자석일 수 있다.
플라즈마 상태에 있는 전자와 이온 빔들에 자기장이 인가되면 전자와 이온 빔들의 운동방향이 자기방향과 직각으로 원 운동하게 되어 전자의 구속으로 플라즈마를 일부분에 형성되게 할 수 있고, 이를 통해 플라즈마의 밀도를 원하는 곳에 집중시킬 수 있게 된다. 따라서, 자성체(260)를 통해 몸체(210)의 내부 공간(212)으로 공급된 가스의 입자들이 클로즈드 드리프트(closed drift)에 의해 효과적으로 방전될 수 있도록 자기장을 형성함으로써 플라즈마의 밀도를 원하는 곳으로 집중시킬 수 있게 되며, 이를 통해 플라즈마가 의도되지 않은 영역에서 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이온 빔 소스(200)는 양극 지지부(240)를 통해 상기 냉매를 양극(230) 내부로 공급하여 양극(230)을 냉각할 수 있다. 또한, 상기 전도성 물질이 양극 지지부(240) 전면에 코팅되는 것을 방지하여 몸체(210)와 양극(230)이 전기적으로 연결되는 것을 예방할 수 있다. 그리고, 이온 빔 소스(200)는 보조 지지부(250)를 이용하여 양극(230)의 처짐을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 이온 빔 소스는 양극을 냉각할 수 있고, 상기 양극과 몸체 및 음극과의 간격을 일정하게 유지할 수 있으며, 양극 지지부 및 보조 지지부에 의해 상기 몸체와 상기 양극이 전기적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 이온 빔 소스의 방전 안정성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 양극 지지부 110 : 제1 구조물
120 : 제2 구조물 130 : 밀봉 부재
10 : 이온 빔 소스 12 : 몸체
14 : 음극 16 : 양극

Claims (11)

  1. 이온 빔 소스의 몸체를 관통하여 양극을 지지하고, 상기 양극 내부로 냉매를 순환시키기 위한 유로를 가지며, 상기 양극으로 전력을 공급하기 위해 도전성 물질로 이루어지는 제1 구조물; 및
    상기 제1 구조물과 상기 몸체가 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 절연 물질로 이루어지며 상기 제1 구조물을 감싸도록 구비되는 제2 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스의 양극 지지부.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 구조물은 상기 양극과 나사 체결되고, 상기 제2 구조물은 상기 몸체를 관통하거나 상기 몸체와 나사 체결되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스의 양극 지지부.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 구조물과 상기 제2 구조물 사이를 통해 상기 이온 빔 소스의 진공이 누설되는 것을 방지하기 위해 상기 제1 구조물과 상기 제2 구조물 사이에 구비되는 밀봉 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스의 양극 지지부.
  4. 제1항에 있어서, 상기 이온 빔 소스의 방전에 의해 발생하는 전도성 물질이 상기 제2 구조물의 표면 전체에 코팅되어 상기 몸체와 상기 양극이 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 상기 제2 구조물은 표면에 상기 전도성 물질의 코팅을 방지할 수 있는 단차를 갖는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스의 양극 지지부.
  5. 내부 공간을 가지며 상면이 개방되고, 내부에 상기 내부 공간으로 가스를 공급하기 위한 가스 공급홀들을 갖는 몸체;
    상기 몸체의 상면에 상기 내부 공간을 노출하도록 구비되는 음극;
    상기 몸체의 내부 공간에 상기 음극과 이격되도록 구비되며, 외부로부터 인가되는 전원과 연동하여 상기 음극과 사이에서 전기장을 형성하여 상기 가스를 이온화하는 양극; 및
    상기 몸체를 관통하여 상기 양극을 지지하고, 상기 양극으로 전력을 공급하기 위해 도전성 물질로 이루어지는 제1 구조물 및 상기 제1 구조물과 상기 몸체가 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 절연 물질로 이루어지며 상기 제1 구조물을 감싸도록 구비되는 제2 구조물로 이루어지는 양극 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  6. 제5항에 있어서, 상기 양극은 상기 전기장 형성시 발생하는 열을 냉각하기 위한 냉매를 순환하기 위한 제1 유로를 가지며, 상기 양극 지지부의 제1 구조물은 상기 양극 내부의 제1 유로로 상기 냉매를 공급 또는 배출하기 위한 제2 유로를 갖는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  7. 제5항에 있어서, 상기 양극 지지부는 상기 제1 구조물과 상기 제2 구조물 사이를 통해 상기 이온 빔 소스의 진공이 누설되는 것을 방지하기 위해 상기 제1 구조물과 상기 제2 구조물 사이에 구비되는 밀봉 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  8. 제5항에 있어서, 상기 이온 빔 소스의 방전에 의해 발생하는 전도성 물질이 상기 제2 구조물의 표면 전체에 코팅되어 상기 몸체와 상기 양극이 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 상기 제2 구조물은 표면에 상기 전도성 물질의 코팅을 방지할 수 있는 단차를 갖는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  9. 제5항에 있어서, 상기 이온 빔 소스의 방전에 의해 발생하는 전도성 물질이 상기 제2 구조물의 표면 전체에 코팅되어 상기 몸체와 상기 양극이 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 상기 몸체의 내측면에 상기 제2 구조물 둘레를 따라 상기 전도성 물질의 코팅을 방지할 수 있는 홈을 갖는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  10. 제5항에 있어서, 상기 몸체의 내부 저면에서 상기 양극을 지지하여 상기 양극의 자중에 의한 처짐을 방지하고, 절연 재질로 이루어지는 보조 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  11. 제5항에 있어서, 상기 몸체의 내부에 구비되며, 상기 음극 및 상기 양극에 의해 여기된 가스 이온을 집속시키기 위한 자성체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
KR20130060050A 2013-05-28 2013-05-28 이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스 KR101491255B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130060050A KR101491255B1 (ko) 2013-05-28 2013-05-28 이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130060050A KR101491255B1 (ko) 2013-05-28 2013-05-28 이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140139706A KR20140139706A (ko) 2014-12-08
KR101491255B1 true KR101491255B1 (ko) 2015-02-06

Family

ID=52457854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130060050A KR101491255B1 (ko) 2013-05-28 2013-05-28 이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101491255B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001511580A (ja) 1997-07-25 2001-08-14 ダイアモネックス インコーポレイテッド ホール電流イオンソース装置及び材料処理方法
US20080017112A1 (en) 2006-07-18 2008-01-24 Guardian Industries Corp. Ion source with recess in electrode
KR100898386B1 (ko) 2008-12-05 2009-05-18 씨디에스(주) 이온쓰러스터(Ion Thruster)장치
KR101188604B1 (ko) 2011-04-28 2012-10-08 한국기계연구원 이온빔 발생장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001511580A (ja) 1997-07-25 2001-08-14 ダイアモネックス インコーポレイテッド ホール電流イオンソース装置及び材料処理方法
US20080017112A1 (en) 2006-07-18 2008-01-24 Guardian Industries Corp. Ion source with recess in electrode
KR100898386B1 (ko) 2008-12-05 2009-05-18 씨디에스(주) 이온쓰러스터(Ion Thruster)장치
KR101188604B1 (ko) 2011-04-28 2012-10-08 한국기계연구원 이온빔 발생장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140139706A (ko) 2014-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102478896B1 (ko) 이온-이온 플라즈마 원자 층 에칭 프로세스 및 반응기
US7304319B2 (en) Wafer charge compensation device and ion implantation system having the same
US8840844B2 (en) Plasma generating apparatus
US8796649B2 (en) Ion implanter
US20170256435A1 (en) Universal process kit
US9041318B2 (en) Cyclotron
KR20210087531A (ko) 활성 가스 생성 장치
KR101404916B1 (ko) 가스 공급 유닛 및 이를 갖는 이온 빔 소스
KR100898386B1 (ko) 이온쓰러스터(Ion Thruster)장치
KR101495424B1 (ko) 이온 빔 소스
KR101353773B1 (ko) 이온빔 소스
CN106531600A (zh) 一种孔形水冷电极引出系统负氢离子源的装置
KR101491255B1 (ko) 이온 빔 소스의 양극 지지부 및 이를 갖는 이온 빔 소스
US9502759B2 (en) Antenna cover and plasma generating device using same
KR100984177B1 (ko) 정전척 및 이를 이용한 플라즈마 이온주입장치
US9721760B2 (en) Electron beam plasma source with reduced metal contamination
KR101382704B1 (ko) 이온 빔 소스
KR102075157B1 (ko) 이온빔 소스
KR20210067747A (ko) 이온빔 발생 장치
KR101458341B1 (ko) 이온빔 소스의 음극
KR101784387B1 (ko) 플라즈마 전위 분포의 균질화가 가능한 하전입자빔 출력장치용 플라즈마 챔버
US20220037115A1 (en) Insulator for an ion implantation source
CN113357110B (zh) 降低微型离子电推力器中原初电子损耗的方法及结构
CN214477327U (zh) 一种离子注入机的绝缘组件及离子注入机
JPH09259781A (ja) イオン源装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171218

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181211

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 6