KR101490431B1 - Plasma processing apparatus for control of baffle opening volume - Google Patents

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Abstract

본 발명은 배플의 개구량을 임의로 조절가능하게 함으로써, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 수 있도록 한 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of controlling the degree of baffle opening so that the degree of flow of the process gas can be controlled differently depending on circumstances, by arbitrarily adjusting the opening amount of the baffle.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 챔버내 상부 영역과 하부 영역에 각각 마련되는 상부전극과 하부전극; 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 마련되는 배플을 포함하여 이루어지되, 상기 배플은, 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 다수개로 분할되어 마련되고, 관통공들이 형성된 배플 플레이트와, 상기 관통공에서 회전가능하게 설치되어서 상기 관통공의 개구율을 조절하게 되는 회전편과, 상기 회전편을 회전시키는 회전수단을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: an upper electrode and a lower electrode respectively provided in an upper region and a lower region of a chamber; And a baffle plate provided between the lower electrode and the inner wall surface of the chamber, wherein the baffle is divided into a plurality of spaces between the lower electrode and the inner wall surface of the chamber, A rotating piece rotatably installed in the through-hole to adjust an aperture ratio of the through-hole, and a rotating unit rotating the rotating piece.

배플, 플라즈마, 챔버, 하부전극, 평판표시소자 Baffle, plasma, chamber, lower electrode, flat panel display element

Description

배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치{Plasma processing apparatus for control of baffle opening volume}[0001] The present invention relates to a plasma processing apparatus for controlling baffle opening,

본 발명은 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하부전극과 공정챔버의 내벽 사이에 마련된 배플의 개구 면적을 조절할 수 있도록 한 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a plasma processing apparatus capable of adjusting a baffle opening amount, and more particularly, to a plasma processing apparatus capable of adjusting an opening area of a baffle provided between a lower electrode and an inner wall of a process chamber.

일반적으로, 반도체 장치, 액정표시 장치 등의 평판표시소자를 제조하는 과정에서는 플라즈마를 사용하여 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치가 사용된다.2. Description of the Related Art Generally, in a process of manufacturing a flat panel display device such as a semiconductor device or a liquid crystal display device, a plasma processing device for performing a predetermined process on a substrate using plasma is used.

이러한 평판표시소자에 플라즈마 처리를 실시하는 과정을 설명하면 우선, 기판수납장치(이하, '카세트'라 함)에 다수 적재된 기판을 운송 로봇에 의해 반입 또는 반출시키되 진공과 대기압을 순환하는 로드락 챔버(Load lock chamber)내로 반입시키고 상기 로드락 챔버의 내부가 진공상태가 되도록 펌핑(Pumping)을 실시하여 진공을 만들고 난 다음, 이송수단을 작동시켜 기판을 반송챔버(Transfer chamber) 로 이동시킨다.A process of performing plasma processing on such a flat panel display device will be described. First, a substrate loaded in a substrate storage device (hereinafter referred to as a cassette) is loaded or unloaded by a transportation robot, and a load lock A vacuum is made by pumping the inside of the load lock chamber to a vacuum state, and then the transfer means is operated to transfer the substrate to a transfer chamber.

기판이 이송된 반송챔버는 진공상태를 유지하는 다수의 공정챔버(Process chamber)와 연통되어 있고, 상기 반송챔버는 각각의 공정챔버로 이송수단을 통해 반입,반출을 실시하며, 여기서 각각의 공정챔버로 반입된 기판은 하부전극의 상부에 위치된 적재대 상에 놓이게 되고, 상부전극 하부에 설치된 샤워헤드의 미세 구멍을 통해 공정가스가 유입되며, 유입된 가스로 외부의 전원을 인가 받은 상,하부전극에 의해 전기 방전을 일으켜 기판의 표면에 플라즈마 공정을 진행하는 것이다.The transfer chamber in which the substrate is transferred is in communication with a plurality of process chambers maintaining a vacuum state, and the transfer chamber is carried into and out of each of the process chambers through the transfer means, The process gas is introduced through the fine holes of the shower head installed under the upper electrode, and the upper and lower electrodes, which are supplied with external power, And an electric discharge is caused by the electrode to advance the plasma process on the surface of the substrate.

상기 공정챔버의 상,하부전극은 공정챔버의 내부 상,하측에 각각 설치되며, 플라즈마 공정처리의 수행 대상물인 기판이 적재되는 하부전극의 양측에 절연체가 설치된다.The upper and lower electrodes of the process chamber are respectively installed inside and below the process chamber, and insulators are installed on both sides of the lower electrode on which the substrate to be subjected to the plasma processing process is placed.

이러한 플라즈마 처리장치는 상부전극과 하부전극 사이에 기판을 위치시키고, 양 전극 사이의 공간에 플라즈마를 발생시켜서 기판에 소정의 처리를 실시하는 것이다. 이때 양 전극 중 어느 한 전극에는 고주파 전원이 인가되고, 다른 한 전극은 접지된다.In such a plasma processing apparatus, a substrate is positioned between an upper electrode and a lower electrode, a plasma is generated in a space between both electrodes, and a predetermined process is performed on the substrate. At this time, a high frequency power is applied to one of the electrodes and the other electrode is grounded.

종래의 플라즈마 처리장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10)내 상부 영역에 상부전극(12)이 구비된다.1, a conventional plasma processing apparatus 1 is provided with an upper electrode 12 in an upper region in a process chamber 10. [

그리고, 상기 상부전극(12)과 대향되는 하부 영역에 설치되되 상기한 공정챔버(10) 바닥과 일정거리만큼 이격된 상태로 구비되는 베이스부(14)와, 이 베이스부의 상부 영역에 적재되는 절연부재(16)와, 이 절연부재의 상부 영역에 적재되는 냉각판(18)과, 이 냉각판의 상부 영역에 적재되는 하부전극(20)으로 구성된 전극부가 구비된다. 상술한 상부전극(12)과 하부전극(20)이 포함된 전극부는 공정 진행시 플라즈마로부터 보호하기 위하여 전극면을 제외한 나머지 부분 즉, 상부 영역 가장자리부와 각 측면을 절연판(22)으로 부착한 다음 그 외측에 세라믹판(24)을 부착하였다.A base part 14 provided in a lower region opposed to the upper electrode 12 and spaced apart from the bottom of the process chamber 10 by a predetermined distance; An electrode section composed of a member 16, a cooling plate 18 mounted on an upper region of the insulating member, and a lower electrode 20 mounted on an upper region of the cooling plate. In order to protect the electrode part including the upper electrode 12 and the lower electrode 20 from plasma during the process, the remaining part except the electrode surface, that is, the upper part edge part and the respective side surfaces are attached to the insulating plate 22 And a ceramic plate 24 was attached to the outside thereof.

그리고, 상기 하부전극(20)의 저면에 공정챔버(10)의 외부에서 고주파 전원(RF)이 인가되는 고주파 전원 공급봉(26)이 설치되며, 상기 고주파 전원 공급봉(26)을 외부에서 보호하는 전원공급봉 벨로우즈가 상기 베이스(14)의 저면과 공정챔버(10) 바닥면에 고정된다.A high frequency power supply rod 26 to which a high frequency power supply RF is applied is installed on the bottom surface of the lower electrode 20 from the outside of the process chamber 10 and the high frequency power supply rod 26 is protected A power supply rod bellows is fixed to the bottom of the base 14 and the bottom of the process chamber 10.

또, 상기 냉각판(18)과, 이 냉각판의 저면에 설치되는 절연부재(16)의 상면 양단에 수직방향으로 구비되는 한 쌍의 지지부(28)가 설치될 수 있게 구멍이 형성되고, 상기 지지부(28)는 전극부의 내부에서 공정챔버(10)의 하방 외측까지 연장되게 형성되어 그 연장된 지지부의 하단과 공정챔버(10)의 저면에 지지부의 노출된 부분을 보호하는 지지부 벨로우즈가 상기 지지부의 둘레 영역에 마련된다.A hole is formed in the cooling plate 18 so that a pair of supporting portions 28 provided at both ends of the upper surface of the insulating member 16 provided on the bottom surface of the cooling plate in a vertical direction, The support portion 28 is formed to extend downward to the outside of the process chamber 10 inside the electrode portion and a support bellows for protecting the lower end of the extended support portion and the exposed portion of the support portion on the bottom surface of the process chamber 10, As shown in Fig.

한편, 상기 베이스(14)의 저면과 공정챔버(10) 바닥의 양단에 볼트로 각각 체결되는 연결부재가 마련되고, 이 연결부재는 전극부의 하부전극과 공정챔버 바닥을 전기적으로 연결하여 접지시키는 역할을 한다. 여기서, 상기 연결부재는 도면에 도시되지 않았지만 상기 공정챔버내 천정과 상부전극에도 연결된다. 그리고, 상기 연결부재는 전극부가 대략 10mm 정도 승강하므로 최고점에 도달했을 때 파손되는 것을 방지하기 위해 신장되는 길이를 고려한 곡선 형상을 갖도록 고정된다.The connecting member is connected to the lower surface of the base 14 and both ends of the bottom of the process chamber 10 by bolts. The connecting member electrically connects the lower electrode of the electrode unit and the bottom of the process chamber to ground . Here, the connection member is connected to the ceiling and the upper electrode in the process chamber (not shown). The connecting member is fixed so as to have a curved shape considering the extended length in order to prevent the electrode portion from being damaged when reaching the highest point because the electrode portion is raised by about 10 mm or so.

그리고, 상기 공정챔버(10)의 내측벽과 측판과의 이격 공간에 구비되어 공정 수행 중, 또는 공정이 수행된 후 공정챔버(10) 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 공정챔버 외부로 배기시키도록 상기 공정챔버(10)의 배기구에 마련된 배기유닛과의 통로 역할을 하며, 1차적으로 블록킹(Blocking)된 후 공정챔버 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출되는 배플(32)이 마련된다. 여기서, 상기 배플(32)은 적정 간격으로 배열되는 슬릿(34)이 다수개 형성된다.During the process or after the process is performed, the unreacted gas in the process chamber 10 and the polymer generated during the process are supplied to the outside of the process chamber 10 in the space between the inner wall of the process chamber 10 and the side plate, And a baffle 32 serving as a passage with an exhaust unit provided at an exhaust port of the process chamber 10 for exhausting and being discharged through an exhaust port formed at each corner of the lower surface of the process chamber after being primarily blocked do. Here, the baffle 32 has a plurality of slits 34 arranged at appropriate intervals.

그러나, 상기 배플(32)은 등간격으로 다수개 형성된 슬릿(34)이 일정한 개구 면적을 갖도록 마련됨으로써, 공정가스의 흐름을 조절하기 위해서는 개구 면적이 다른 별도의 배플을 제작하여 교체해야 하며, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생되면 그때마다 상황에 맞는 배플을 다수개 제작하여 교체해야 하므로 소요비용의 증가와 교체작업이 번거로운 문제점이 있었다.However, since the baffle 32 is provided with a plurality of slits 34 formed at regular intervals so as to have a predetermined opening area, a separate baffle having a different opening area must be prepared and replaced to adjust the flow of the process gas. The flow rate of the process gas must be controlled differently, so that a plurality of baffles corresponding to the circumstances must be manufactured and replaced.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 배플의 개구량을 임의로 조절가능하게 함으로써, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 수 있도록 한 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of controlling the degree of flow of a process gas according to a situation by arbitrarily adjusting the opening amount of the baffle, The purpose is to provide.

즉, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생되면, 그때마다 상황에 맞는 배플을 다수개 제작하여 교체해지 않아도 됨으로써, 비용발생의 우려가 불식되고, 또한 그때마다 배플의 교체작업을 하지 않아도 되어 작업성이 향상되도록 한 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있는 것이다.That is, if the degree of flow of the process gas is controlled differently depending on the situation, there is no need to produce a large number of baffles that are appropriate for the situation and replace them, thereby avoiding the problem of cost inconvenience. Which is capable of adjusting the baffle opening amount so as to improve the workability.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치는, 진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜서 기판에 공정처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버내 상부 영역과 하부 영역에 각각 마련되는 상부전극과 하부전극; 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 마련되는 배플을 포함하여 이루어지되, 상기 배플은, 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 다수개로 분할되어 마련되고, 관통공들이 형성된 배플 플레이트와, 상기 관통공에서 회전가능하게 설치되어서 상기 관통공의 개구율을 조절하게 되는 회전편과, 상기 회전편을 회전시키는 회전수단을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus capable of controlling a baffle opening amount, the plasma processing apparatus comprising: An upper electrode and a lower electrode respectively provided in a region and a lower region; And a baffle plate provided between the lower electrode and the inner wall surface of the chamber, wherein the baffle is divided into a plurality of spaces between the lower electrode and the inner wall surface of the chamber, A rotating piece rotatably installed in the through-hole to adjust an aperture ratio of the through-hole, and a rotating unit rotating the rotating piece.

이 경우, 상기 회전편의 단부는 라운드져서, 그 단면형상이 타원형태로 이루어지는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that the end portion of the rotating piece is rounded so that its cross-sectional shape is an elliptical shape.

또한, 상기 관통공의 단부에는 회전편의 단부와 밀착된 상태에서 기밀을 유지하기 위한 실링부재가 부착,설치될 수도 있다.The end of the through-hole may be provided with a sealing member for maintaining airtightness in a state of being in tight contact with the end of the rotating piece.

상기 회전수단은, 상기 회전축의 중앙 일측으로부터 돌설되는 회전축; 상기 회전축의 끝단에 설치되는 피니언; 상기 피니언과 치합되는 랙; 상기 랙을 전후진시키기 위한 승강수단을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.The rotating means includes: a rotating shaft projecting from one side of the center of the rotating shaft; A pinion installed at an end of the rotary shaft; A rack engaging with the pinion; And raising and lowering means for raising and lowering the rack.

특히, 상기 승강수단은, 전기적 신호에 의해 피스톤을 전후진시키게 되는 엑츄에이터를 적용하는 것이 바람직하다.In particular, the elevating means preferably applies an actuator that causes the piston to move back and forth by an electrical signal.

한편, 상기 다수개의 배플 플레이트들에는 해당 관통공들의 개구율을 조절하기 위한 회동수단이 각각 설치되는 것이 바람직하다.The plurality of baffle plates may be provided with pivoting means for adjusting the aperture ratio of the through holes.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치에 의하면, 배플의 개구량을 임의로 조절가능하게 됨으로써, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 수 있게 되는 효과가 있다.As described above, according to the plasma processing apparatus capable of adjusting the baffle opening amount according to the present invention, it is possible to arbitrarily adjust the opening amount of the baffle, so that the degree of flow of the process gas can be controlled differently depending on the situation have.

즉, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생될 경우에, 그때마다 상황에 맞는 배플을 다수개 제작하여 교체해지 않아도 됨으로써, 비 용발생의 우려가 불식되고, 또한 그때마다 배플의 교체작업을 하지 않아도 되어 작업성이 향상되는 효과가 있다.That is, when the degree of flow of the process gas is controlled differently depending on the situation, there is no need to manufacture and replace a large number of baffles according to circumstances, There is an effect that the workability is improved.

또한, 사각으로 분할된 배플 플레이트의 각 영역 중, 미반응 공정가스나 폴리머의 압력 및 밀도가 높은 영역의 해당 배플 플레이트는 그 관통공의 개구율을 높이고, 상대적으로 미반응 공정가스나 폴리머의 압력 및 밀도가 낮은 배플 플레이트는 그 관통공의 개구율을 낮춤으로써, 챔버내에서 균일한 공정처리의 수행이 가능하게 되는 매우 유용한 효과가 있게 된다.Further, among the respective regions of the baffle plate divided by the square, the baffle plate in the region where the unreacted process gas or polymer is high in pressure and density, increases the aperture ratio of the through hole and relatively increases the pressure of unreacted process gas or polymer A baffle plate having a low density has a very advantageous effect that a uniform processing process can be performed in the chamber by lowering the aperture ratio of the through hole.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치에서의 배플 구성을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 일부 구성의 사시도이며, 도 5는 도 3의 A-A선 단면도이다.FIG. 3 is a plan view schematically showing the configuration of a baffle in the plasma processing apparatus according to the present invention, FIG. 4 is a perspective view of a part of the configuration of FIG. 3, and FIG. 5 is a sectional view taken along line A-A of FIG.

본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치는 도면에 따로 도시하지 않았지만, 카세트에 다수개가 적재된 기판을 운송 로봇에 의해 반입 또는 반출시키되 진공과 대기압을 순환하는 로드락 챔버내로 반입시키고 상기 로드락 챔버의 내부가 진공상태가 되도록 펌핑을 실시하여 진공으로 만들고 난 후, 이송수단을 작동시켜 기판을 반송챔버로 이동시킨다. 그리고, 상술한 공정챔버에는 상하로 대향된 상부전극과, 하부전극이 포함된 전극부가 마련되며, 종래의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 반복되는 설명은 생략하기로 한다.Although not shown in the drawings, the plasma processing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention may be configured such that a substrate on which a plurality of substrates are mounted on a cassette is carried into or out of a load lock chamber that circulates the vacuum and the atmospheric pressure, After the inside of the lock chamber is pumped to make a vacuum, the transfer means is operated to transfer the substrate to the transfer chamber. The above-mentioned process chamber is provided with an upper electrode opposed to the upper and lower sides, and an electrode portion including the lower electrode, and has the same structure and function as those of the conventional one, so repeated description will be omitted.

도시된 바와 같이, 하부전극과 공정챔버의 내측 벽면과의 사이에는 배플(50)이 마련된다.As shown, a baffle 50 is provided between the bottom electrode and the inner wall surface of the process chamber.

상기 배플(50)은 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 공정챔버 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 공정챔버 외부로 배출시키도록 공정챔버의 배기구에 마련되어 흡입력을 제공하는 배기유닛과의 통로 역할을 하며, 공정가스가 1차적으로 블록킹된 후 공정챔버 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출되는 고정식 배플이 마련되는 것이다.The baffle 50 is provided in the exhaust port of the process chamber to discharge the unreacted gas in the process chamber or the polymer generated during the process to the outside of the process chamber during the process or after the process, And a fixed baffle is provided which is firstly blocked by the process gas and then discharged through an exhaust port formed at the lower edge of the process chamber.

즉, 공정가스 및 플라즈마가 하부전극과 공정챔버의 벽면 사이의 공간으로 곧바로 내려가지 않고, 배플(50)에 의하여 지연된 후 그 배플(50)을 이루는 배플 플레이트(60)에 형성되어 있는 관통공(62)을 통하여 하부로 내려가는 것이다.That is, the process gas and plasma do not directly go down into the space between the bottom electrode and the wall surface of the process chamber, but pass through holes (not shown) formed in the baffle plate 60, 62).

상기 배플(50)은 도 3에 도시된 바와 같이, 하부전극의 가로너비와 세로너비와 상응하는 길이를 갖는 배플 플레이트(60)가 다수개 구비되고, 이 배플 플레이트(60)에는 두께 방향으로 일정간격마다 관통공(62)이 형성되어 있으며, 이러한 배플 플레이트(60)들은 서로 결합시 직사각형의 테두리 형상으로 가지게 된다.As shown in FIG. 3, the baffle 50 includes a plurality of baffle plates 60 having a length corresponding to a width and a width of the lower electrode. The baffle plate 60 is provided with a plurality of baffle plates 60, Through holes 62 are formed at intervals, and these baffle plates 60 have a rectangular frame shape when they are coupled to each other.

상기 배플 플레이트(60)의 관통공(62)들에는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 관통공(62)들을 막음한 상태에서 회전에 따라 관통공(62)의 개구율을 조절하기 위한 회전편(70)이 구비되어 있다.As shown in FIGS. 3 and 4, the through holes 62 of the baffle plate 60 are provided with a through hole 62 for adjusting the aperture ratio of the through hole 62 A rotating piece 70 is provided.

상기 회전편(70)은 전기적 신호에 의해 작동되는 회전수단(80)에 의해 일정 각도만큼 기울어지면서 회전되게 된다.The rotating piece 70 is rotated while being inclined by a certain angle by the rotating means 80 operated by an electrical signal.

상기 회전수단(80)은, 회전축(82), 피니언(84), 랙(86) 및 승강수단(90)을 포함하여 이루어져 있다.The rotating means 80 includes a rotating shaft 82, a pinion 84, a rack 86, and a lifting means 90.

즉, 회전편(70)의 중앙 일측으로 회전축(82)이 돌설되어 있고, 이 회전축(82)의 끝단에는 피니언(84)이 결합되어 있으며, 상기 피니언(84)은 전기적 신호에 따라 일정간격만큼 승강되는 승강수단(90)과 결합된 랙(86)과 치합된다.A pinion 84 is coupled to an end of the rotary shaft 82. The pinion 84 is rotated by a predetermined distance in accordance with an electrical signal, And is engaged with a rack 86 coupled with lifting and lowering means 90.

여기서, 상기 승강수단(90)은 전기적 신호에 따라 피스톤(92)이 신장,압축되는 액츄에이터를 제공하는 것이 바람직하나, 전기적 신호에 따라 일정간격만큼 전후진이 이루어지는 기능을 갖는 것이라면 어떠한 것이라도 적용이 가능함은 물론이다.Here, the elevating means 90 preferably provides an actuator in which the piston 92 is stretched and compressed according to an electrical signal, but any actuator may be used as long as it has a function of moving forward and backward by a predetermined distance according to an electrical signal. Of course.

또한, 상기 회전수단(80)에 적용되는 피니언(84)과 랙(86)을 대신하여 웜 기어를 적용할 수도 있는데, 웜이 적용될 경우에는 승강수단을 대신하여 모터를 적용할 수 있을 것이며, 그 외에도 일렬로 설치된 복수의 회전편(70)들을 동시에 동일 각도로 회전시키는 수단이라면, 본 발명에 동일하게 적용될 수 있음은 물론이다.In addition, the worm gear may be applied instead of the pinion 84 and the rack 86 which are applied to the rotating means 80. When a worm is applied, a motor may be used instead of the lifting means. It is needless to say that the present invention can be similarly applied to the present invention as long as it is a means for simultaneously rotating a plurality of rotary members 70 arranged in a row at the same angle.

한편, 상기 회전편(70)은 도 5에 도시된 바와 같이, 그 단부의 모서리가 라운드진 형태로 이루어져서 단면형상이 대략 타원형상으로 이루어지는 것이 바람직한데, 이는 회전편(70)이 관통공(62)에 완전히 끼워맞추어진 상태에서 밀폐된 상태를 유지하다가 회전에 따라 관통공(62)을 개구시킬 때, 회전에 따른 간섭이 이루어지지 않도록 하기 위함이다.5, it is preferable that the end of the rotating piece 70 is formed in a rounded shape so that the sectional shape of the rotating piece 70 is substantially elliptical. This is because when the rotating piece 70 is inserted into the through hole 62 So as to prevent interference due to rotation when the through hole 62 is opened according to the rotation.

또한, 상기 관통공(62)의 양측벽에는 소프트 재질의 실링부재(64)가 부착,설 치되어 있다.A sealing member 64 made of soft material is attached to both side walls of the through-hole 62.

상기 실링부재(64)는 회전편(70)의 단부가 라운드져서 반구형을 이루는 바, 관통공(62)의 일측벽과 밀착된 상태에서 완전한 기밀을 유지하기 어렵기 때문에, 상기 회전편(70)이 수평으로 되어 관통공(62)을 밀폐시킨 상태에서 기밀이 유지되도록 하는 기능을 담당하게 된다.Since the end of the rotating piece 70 is round and hemispherical and the sealing member 64 is difficult to maintain complete airtightness in a state of being in tight contact with one side wall of the through hole 62, So that airtightness is maintained in a state in which the through hole 62 is sealed.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 배플 플레이트(60)의 관통공(62)에 회전편(70)이 수평으로 위치되어 관통공(62)을 차폐시킨 상태에서, 승강수단(90)인 엑츄에이터에 전진 신호를 입력하게 되면, 승강수단(90)의 피스톤(92)이 신장됨에 따라 랙(86)이 전진하게 되고, 이에 따라 랙(86)과 치합된 피니언(84)들이 회전하게 됨으로써, 상기 피니언(84)들과 축설된 회전축(82)이 회전하게 되면서 회전편(70)이 회전축(82)을 중심으로 도 5에 도시된 바와 같이 회전이 이루어지게 되는 바, 관통공(62)이 개구된다.3 and 4, the rotating piece 70 is horizontally positioned in the through hole 62 of the baffle plate 60 so that the through hole 62 is shielded, As the piston 92 of the lifting means 90 is extended, the rack 86 is moved forward so that the pinions 84 engaged with the rack 86 are rotated, The pinion 84 and the axially disposed rotary shaft 82 are rotated so that the rotary piece 70 is rotated about the rotary shaft 82 as shown in FIG. Is opened.

이때, 배플(50)을 통해 배출되는 미반응 공정가스나 공정과정 중에 발생되는 폴리머의 압력 및 밀도가 높을 경우에는, 회전편(70)을 90도 각도 또는 그 각도에 가깝게 회전시킴으로써, 개구율을 최대로 높여 많은 양의 미반응 공정가스나 폴리머가 배출되도록 하면 된다.At this time, when the pressure and density of the unreacted process gas discharged through the baffle 50 or the polymer generated during the process are high, the rotating piece 70 is rotated at an angle of 90 degrees or so, So that a large amount of unreacted process gas or polymer is discharged.

또한, 배플(50)을 통해 배출되는 미반응 공정가스나 공정과정 중에 발생되는 폴리머의 압력 및 밀도가 낮을 경우에는, 회전편(70)을 조금만 회전시켜서 개구율을 최소로 하여 적은 양의 미반응 공정가스나 폴리머가 배출되도록 하면 된다.In addition, when the pressure and density of the unreacted process gas discharged through the baffle 50 or the polymer generated during the process are low, the rotating piece 70 is rotated a little to minimize the aperture ratio, Gas or polymer can be discharged.

따라서, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생될 경우, 그때마다 상황에 맞는 배플(50)을 다수개 제작하여 교체해지 않아도 됨으로써, 비용발생의 우려가 불식되고, 또한 그때마다 배플(50)의 교체작업을 하지 않아도 되어 작업성이 향상되게 된다.Accordingly, in a case where the flow rate of the process gas is controlled differently depending on the situation, a plurality of baffles 50 suited to the situation are not required to be manufactured and replaced, thereby avoiding the problem of cost incurrence, The work of replacing the baffle 50 is not necessary and workability is improved.

한편, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 배플(50)을 이루는 배플 플레이트(60)는 하부전극의 가로너비 및 세로너비에 맞는 길이만큼의 판상으로 이루어져서 결합에 따라 직사각형태로 이루어지는 것인 바, 모두 4개의 배플 플레이트를 갖게 된다.3 to 5, the baffle plate 60 constituting the baffle 50 is formed in a plate shape corresponding to the width and the width of the lower electrode, and is formed in a rectangular shape according to the connection. Bars, all with four baffle plates.

따라서, 상기 4개의 배플 플레이트(60)들은 모두 각각의 회전수단(80)에 의하여 해당 관통공(62)들의 개구율이 조절가능하게 구성되어 있다.Accordingly, the four baffle plates 60 are configured such that the opening ratio of the through holes 62 is adjustable by the respective rotating means 80. [

이에, 각 영역 중, 어느 영역의 배플 플레이트측에 미반응 공정가스나 폴리머의 압력 및 밀도가 높을 경우에는, 해당 배플 플레이트의 관통공 개구율을 높이고, 상대적으로 미반응 공정가스나 폴리머의 압력 및 밀도가 낮은 배플 플레이트측은 그 관통공 개구율을 낮춤으로써, 챔버내에서 균일한 공정처리의 수행이 가능하게 된다. When the pressure and density of the unreacted process gas or polymer are high on the baffle plate side of any of the regions, the through-hole opening ratio of the baffle plate is increased and the pressure and density of the unreacted process gas or polymer The lower baffle plate side can lower the opening ratio of the through holes, thereby making it possible to perform uniform processing in the chamber.

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치 구성을 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional plasma processing apparatus;

도 2는 도 1에서 배플 구조를 나타낸 평면도.FIG. 2 is a plan view showing the baffle structure in FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명에 따른 배플 구조를 나타낸 평면도.3 is a plan view showing a baffle structure according to the present invention.

도 4는 도 3의 일부 사시도.Figure 4 is a partial perspective view of Figure 3;

도 5는 도 3의 A-A선 단면도.5 is a sectional view taken along the line A-A in Fig.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

1 : 플라즈마 처리장치 10 : 챔버1: plasma processing apparatus 10: chamber

50 : 배플 60 : 배플 플레이트50: Baffle 60: Baffle plate

62 : 관통공 64 : 실링부재62: through hole 64: sealing member

70 : 회전편 80 : 회전수단70: rotation piece 80: rotation means

82 : 회전축 84 : 피니언82: rotating shaft 84: pinion

86 : 랙 90 : 승강수단86: rack 90: elevating means

Claims (6)

진공 상태의 챔버 내부에 플라즈마를 발생시켜서 기판에 공정처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서,1. A plasma processing apparatus for generating plasma in a chamber in a vacuum state to perform a process on a substrate, 상기 챔버내 상부 영역과 하부 영역에 각각 마련된 상부전극 및 하부전극과; 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 마련된 배플을 포함하되,An upper electrode and a lower electrode respectively provided in the upper region and the lower region of the chamber; And a baffle provided between the lower electrode and the inner wall surface of the chamber, 상기 배플은, 상기 하부전극과 챔버내 벽면과의 사이에 다수로 분할되어 마련되며 관통공들이 형성된 배플 플레이트와; 상기 관통공에서 회전가능하게 설치되어 상기 관통공의 개구율을 조절하게 되는 회전편과; 상기 회전편을 회전시키는 회전수단을 포함하고,The baffle includes a baffle plate having a plurality of through holes formed between the lower electrode and the inner wall surface of the chamber, A rotation piece rotatably installed in the through-hole to adjust an aperture ratio of the through-hole; And rotating means for rotating the rotating piece, 상기 회전수단은, 상기 회전편의 중앙 일측으로부터 돌설된 회전축과; 상기 회전축의 끝단에 설치된 피니언과; 상기 피니언과 치합된 랙과; 상기 랙을 전후진시키기 위한 승강수단을 포함하는,The rotating means includes: a rotating shaft protruding from one side of the center of the rotating piece; A pinion provided at an end of the rotary shaft; A rack engaged with the pinion; And raising and lowering means for raising and lowering the rack. 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치.A plasma processing apparatus capable of adjusting the baffle opening. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 회전편의 단부는 라운드져서, 그 단면형상이 타원형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치.Wherein the end of the rotating piece is rounded to have an elliptical cross-sectional shape. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 관통공의 단부에는 회전편의 단부와 밀착된 상태에서 기밀을 유지하기 위한 실링부재가 부착,설치된 것을 특징으로 하는 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치.And a sealing member for maintaining airtightness in a state of being in tight contact with an end portion of the rotating member is attached to the end portion of the through hole. 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 승강수단은, 전기적 신호에 의해 피스톤을 전후진시키게 되는 엑츄에이터인 것을 특징으로 하는 배플 개구량 조절이 가능한 플라즈마 처리장치.Wherein the elevating means is an actuator that causes the piston to move back and forth by an electrical signal. 삭제delete
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