KR101490423B1 - Plasma treatment apparatus and view port thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 진공분위기의 공정챔버의 내부에서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 수행하고 공정챔버의 내부에서 발생되는 플라즈마 특성을 육안으로 확인하기 위한 뷰 포트가 구비되며, 뷰 포트는 공정챔버를 이루는 벽 중 적어도 어느 하나에 형성되는 적어도 하나의 관통홀과 그 관통홀의 내면의 적어도 일부분에 구비되어 빛을 반사하는 반사부재를 포함하여 구성됨으로써, 공정챔버의 내부에 대하여 넓은 시야를 확보하여 공정챔버내의 플라즈마 특성을 용이하게 관찰할 수 있는 효과가 있다.The plasma processing apparatus according to the present invention includes a view port for generating a plasma inside a process chamber in a vacuum atmosphere to perform a predetermined process on the substrate and visually confirming plasma characteristics generated in the process chamber, The port includes at least one through hole formed in at least one of the walls forming the process chamber and a reflective member provided on at least a part of the inner surface of the through hole to reflect light, So that plasma characteristics in the process chamber can be easily observed.
플라즈마 처리장치, 뷰 포트 Plasma processing apparatus, view port
Description
본 발명은 플라즈마 처리장치 및 그에 구비되는 뷰 포트에 관한 것으로, 공정챔버의 내부에 대하여 넓은 시야각을 확보하여 공정챔버내의 플라즈마 특성을 용이하게 관찰할 수 있는 플라즈마 처리장치 및 그에 구비되는 뷰 포트에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus and a view port provided therein, and more particularly, to a plasma processing apparatus capable of ensuring a wide viewing angle with respect to the inside of a process chamber and easily observing plasma characteristics in the process chamber, will be.
일반적으로, 반도체 및 엘시디 기판 등 피처리물(이하, 기판으로 한다.)의 처리 공정에는 진공 분위기에서 플라즈마를 이용하여 기판에 대하여 소정의 처리를 수행하는 플라즈마 처리장치가 사용된다.Generally, a plasma processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate by using plasma in a vacuum atmosphere is used for a process of an object to be processed (hereinafter referred to as a substrate) such as a semiconductor and an LCD substrate.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 처리장치는 그 내부를 진공 분위기로 형성할 수 있는 공정챔버(10)와, 공정챔버(10)의 내부에 설치되어 기판(22)이 탑재되는 탑재면을 갖는 탑재대(20)와, 공정챔버(10)의 내부에 처리가스를 공급하는 가스공급장치(30)와, 공급된 처리가스를 플라즈마화하기 위한 전계를 발생시키는 전계발생장치(40)와, 공정챔버(10)의 내부를 진공 분위기로 형성시키거나 처리가스를 배출시키기 위한 배기장치(50)를 포함하여 구성된다.As shown in FIGS. 1 and 2, a conventional plasma processing apparatus includes a
공정챔버(10)의 일측벽에는 기판(22)의 공정챔버(10)의 내부로의 반입 및 외부로의 반출을 위한 이동통로(12)가 형성된다.One side wall of the
공정챔버(10)의 측벽에는 복수의 뷰 포트(60)가 구비되는데, 이와 같은 뷰 포트(60)는 공정챔버(10)의 내부에서 기판(22)에 대하여 소정의 처리가 수행되는 중에 플라즈마의 특성 및 기판(22)의 처리상태 등의 공정챔버(10)의 내부의 상황을 공정챔버(10)의 외부에서 관찰할 수 있도록 하는 역할을 수행한다.A plurality of
뷰 포트(60)는 공정챔버(10)의 측벽의 소정의 부분을 관통하여 형성되는 관통홀(62)과, 그 관통홀(62)의 외측에 구비되고 공정챔버(10)의 내부를 관찰할 수 있도록 빛이 투과될 수 있는 재질로 된 감시창(64)으로 구성된다.The
이와 같이, 종래의 플라즈마 처리장치의 뷰 포트(60)는 단순히 공정챔버(10)의 측벽을 관통하고 감시창(64)을 부착시킨 구조로 이루어지기 때문에 공정챔버(10)의 내부에 대한 시야각이 제한된다. 즉, 하나의 뷰 포트(60)를 통하여 공정챔버(10)의 내부를 육안으로 본 경우, 도 2의 점선으로 표시된 바와 같이, 시야각이 공정챔버(10)의 전부에 미치지 못하고 뷰 포트(60)의 인접된 부위에서 공정챔버(10)의 내부를 관찰할 수 없는 사각지대(D)가 발생하게 된다. 따라서, 하나의 뷰 포트(60)만으로는 공정챔버(10)의 내부의 전부를 관찰할 수 없다는 문제가 있다.Since the
이와 같은 문제를 해결하기 위해 종래의 플라즈마 처리장치는, 도2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10)의 둘레의 측벽을 따라 다수개의 뷰 포트(60)를 구비하고 있으나, 뷰 포트(60)의 수가 증가되는 경우에는 뷰 포트(60)의 가공이 복잡할 뿐만 아니라 가공비용이 증가하여 플라즈마 처리장치의 제작비용이 상승하는 문제점이 있다. 또한, 공정챔버(10)의 내부의 전부를 관찰하기 위하여 복수의 뷰 포트(60)를 관찰하여야 한다는 불편함이 있다.2, the conventional plasma processing apparatus includes a plurality of
한편, 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 뷰 포트(60)의 크기를 크게 하는 방안을 고려할 수 있으나, 뷰 포트(60)의 크기를 크게 하는 경우에는 내부가 진공상태가 되는 공정챔버(10)의 안정성이 저하되는 문제점이 있다.However, if the size of the
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 뷰 포트의 시야각을 확대하여 공정챔버의 내부를 육안으로 관찰할 수 없는 사각지대를 제거함으로써, 공정챔버내의 플라즈마 특성을 효과적으로 관찰할 수 있는 플라즈마 처리장치 및 그에 구비되는 뷰 포트를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to improve the plasma characteristics in a process chamber by eliminating blind spots that can not be visually observed inside the process chamber by enlarging the viewing angle of the view port. And to provide a plasma processing apparatus and a view port provided therein.
또한, 본 발명의 목적은 뷰 포트의 시야각을 확대함으로써, 뷰 포트의 수를 줄여 플라즈마 처리장치의 제작비용을 저감시킬 수 있는 플라즈마 처리장치 및 그에 구비되는 뷰 포트를 제공하는 데에 있다.It is another object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of reducing the number of viewports by reducing the viewing angle of the view port, thereby reducing the manufacturing cost of the plasma processing apparatus, and a view port provided therein.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 진공상태의 공정챔버의 내부에서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 수행하고, 공정챔버의 내부에서 발생되는 플라즈마의 특성을 육안으로 확인하기 위한 뷰 포트가 구비되며, 뷰 포트는 공정챔버를 이루는 벽 중 적어도 어느 하나에 형성되는 적어도 하나의 관통홀과, 그 관통홀의 내면의 적어도 일부분에 구비되어 빛을 반사하는 반사부재를 포함하여 구성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus for generating a plasma in a process chamber in a vacuum state to perform a predetermined process on the substrate, and visually confirm characteristics of the plasma generated in the process chamber Wherein the view port includes at least one through hole formed in at least one of the walls forming the process chamber and a reflective member provided on at least a part of the inner surface of the through hole to reflect the light, do.
여기에서, 뷰 포트의 반사부재의 반사면은 오목 또는 볼록한 대략 곡면의 형상으로 형성되는 것이 뷰 포트의 시야각을 확대하는 데에 바람직하다. 반사부재의 반사면을 대략 곡면으로 형성하기 위하여 관통홀의 내면을 오목 또는 볼록한 대략 곡면의 형상으로 형성하고, 반사부재를 관통홀의 내면의 형상과 일치되는 형상으로 형성할 수 있다.Here, it is preferable that the reflecting surface of the reflecting member of the view port is formed in a concave or convex substantially curved shape to enlarge the viewing angle of the view port. The inner surface of the through hole may be formed in a concave or convex substantially curved shape so as to form the reflective surface of the reflective member with a substantially curved surface, and the reflective member may be formed into a shape conforming to the inner surface of the through hole.
반사부재는 관통홀의 내면에 부착되는 거울과 같은 별도의 부재가 될 수 있으며, 또한, 반사부재는 관통홀의 내면에 코팅되는 반사성 물질이 될 수 있다.The reflecting member may be a separate member such as a mirror attached to the inner surface of the through hole, and the reflecting member may be a reflective material coated on the inner surface of the through hole.
한편, 뷰 포트는 관통홀의 내면이 적어도 하나의 각을 이루는 복수의 면으로 형성되고, 반사부재가 복수의 면 중 적어도 어느 하나에 구비되는 것으로 구성될 수 있다.On the other hand, the view port may be formed of a plurality of surfaces having an inner surface of the through hole at least one angle, and the reflection member may be provided on at least one of the plurality of surfaces.
뷰 포트는 공정챔버의 내면에 대한 시야각을 보다 확대하기 위하여, 공정챔버의 상하측 방향의 모서리 부분 중 적어도 어느 하나에 위치될 수 있으며, 공정챔버의 좌우측 방향의 모서리 부분 중 적어도 어느 하나에 위치될 수 있다.The view port may be located at least one of the upper and lower edges of the process chamber to increase the viewing angle with respect to the inner surface of the process chamber and may be located at least one of the left and right corner portions of the process chamber .
한편, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 뷰 포트는 진공상태의 공정챔버의 내부에서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 수행하는 플라즈마 처리장치에 구비되고, 공정챔버를 이루는 벽 중 적어도 어느 하나에 형성되는 적어도 하나의 관통홀과, 그 관통홀의 내면의 적어도 일부분에 구비되어 빛을 반사하는 반사부재를 포함하여 구성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus for generating plasma in a process chamber in a vacuum state to perform a predetermined process on a substrate, At least one through hole formed in at least one of the connecting walls, and a reflecting member provided on at least a part of the inner surface of the through hole and reflecting the light.
뷰 포트의 관통홀은 반사부재로부터 반사되는 빛을 모두 관찰할 수 있도록 공정챔버의 외측에서 내측방향으로 갈수록 그 내경이 감소하였다가 증가하는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.It is preferable that the through hole of the view port is formed in such a shape that the inner diameter decreases from the outer side toward the inner side of the process chamber so as to observe all the light reflected from the reflective member.
본 발명에 따른 플라즈마 처리장치 및 그에 구비되는 뷰 포트는 공정챔버를 이루는 벽 중 적어도 어느 하나에 형성되는 적어도 하나의 홀과, 홀의 내면의 적어 도 일부분에 구비되는 반사부재를 포함하여 구성됨으로써, 공정챔버의 외부에서 반사부재를 통하여 공정챔버의 내부를 관찰할 수 있으므로, 하나의 뷰 포트로도 공정챔버의 내부를 육안으로 관찰할 수 없는 사각 지대를 제거하고 넓은 시야각을 확보할 수 있는 효과가 있다.The plasma processing apparatus and the view port provided therein include at least one hole formed in at least one of the walls forming the process chamber and a reflecting member provided at least a part of the inner surface of the hole, The inside of the process chamber can be observed from the outside of the chamber through the reflective member so that a single viewport can remove a dead zone that can not be observed with the naked eye of the inside of the process chamber and secure a wide viewing angle .
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치 및 그에 구비되는 뷰 포트는 하나의 뷰 포트로도 넓은 시야각을 확보할 수 있으므로, 뷰 포트의 가공비용을 줄여 플라즈마 처리장치의 제작비용을 획기적으로 저감시킬 수 있는 효과가 있다.The plasma processing apparatus according to the present invention and the view port provided therein can secure a wide viewing angle even with one view port, thereby reducing the processing cost of the view port and drastically reducing the manufacturing cost of the plasma processing apparatus It is effective.
이하, 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치 및 그에 구비되는 뷰 포트에 대하여 설명한다.Hereinafter, a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention and a view port provided therein will be described with reference to FIGS. 3 to 5. FIG.
도 3및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 그 내부를 진공 분위기로 형성할 수 있는 공정챔버(110)와, 공정챔버(110)의 내부에 설치되어 기판(122)이 탑재되는 탑재대(120)와, 공정챔버(110)의 내부에 처리가스를 공급하는 가스공급장치(130)와, 공급된 처리가스를 플라즈마화하기 위하여 전계를 발생시키는 전계발생장치(140)와, 공정챔버(110)의 내부를 진공 분위기로 형성시키거나 처리가스를 배출시키기 위한 배기장치(150)를 포함하여 구성된다.As shown in FIGS. 3 and 4, the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a
공정챔버(110)의 일측벽에는 기판(122)의 공정챔버(110)의 내부로의 반입 및 외부로의 반출을 위한 이동통로(112)가 형성된다.One side wall of the
공정챔버(110)의 일측벽에는, 기판(122)의 처리공정시 공정챔버(110)의 외부 에서 공정챔버(110)의 내부의 기판의 처리상태 및 플라즈마 특성을 육안으로 관찰할 수 있도록 뷰 포트(160)가 구비된다.A side wall of the
도 5에 도시된 바와 같이, 뷰 포트(160)는 공정챔버(110)를 이루는 벽 중 적어도 어느 하나에 형성되는 적어도 하나의 관통홀(161)과, 관통홀(161)의 외측에 설치되고 빛이 투과될 수 있는 재질로 이루어진 감시창(164)과, 관통홀(161)의 내면(162)의 적어도 일부분에 부착되고 빛을 반사할 수 있는 재질로 이루어지는 반사부재(163)를 포함하여 구성된다.5, the
감시창(164)은 관통홀(161)의 외측에 부착되어 공정챔버(110)의 외부에서 공정챔버(110)의 내부를 관찰할 수 있도록 하는 역할을 수행하는 한편 공정챔버(110)의 기밀을 유지하는 역할을 수행한다.The
관통홀(161)의 내면(162) 중 반사부재(163)가 부착되는 면은 공정챔버(110)의 상하방향(Z축 방향) 또는 좌우방향(Y축 방향)으로 오목하거나 볼록한 형상으로 형성되는 것이 시야확보에 바람직하다.The surface of the
본 발명의 제1실시예에서는 내면(162)이 공정챔버(110)의 상하방향(Z축 방향) 및 좌우방향(Y축 방향)으로 오목한 형상을 갖는 관통홀(161)을 제시하지만, 이에 한정되지 아니하고, 관통홀(161)의 내면(162)을 상하방향(Z축 방향) 및 좌우방향(Y축 방향)으로 볼록하게 하거나, 또는, 상하방향(Z축 방향)으로는 오목하게 하는 반면 좌우방향(Y축 방향)으로는 볼록하게 하거나, 또는 그와 반대로 하는 등 다양한 형상이 적용될 수 있다.In the first embodiment of the present invention, the
한편, 관통홀(161)의 내면(162)을 공정챔버(110)의 상하방향(Z축 방향) 및 좌우방향(Y축 방향)으로 오목한 형상으로 형성하는 것이 공정챔버(110)내의 관찰영역의 사각지대를 제거하고 시야를 확대하는 데에 유리하다.It is preferable that the
뷰 포트(160)의 관통홀(161)은 반사부재(163)를 통하여 반사되는 빛을 모두 관찰할 수 있도록 공정챔버(110)의 외측에서 내측방향으로 갈수록 그 내경이 감소하였다가 증가하는 형상으로 형성되는 것이 바람직하며, 관통홀(161)의 내면(162)의 공정챔버(110)의 외측 방향의 끝단(168)에서 반사부재(163)의 공정챔버(110)의 내측 방향의 끝단(169)을 이은 직선(L)은, 관통홀(161)의 내면(162)에 의한 간섭이 없이, 관통홀(161)의 내부에 위치되는 것이 바람직하다.The through
반사부재(163)는 관통홀(161)의 내면(162)의 적어도 일부분에 부착되어, 공정챔버(110)의 내부의 빛을 반사하는 역할을 수행한다. 본 발명의 제1실시예에서는 관통홀(161)의 내면(162)의 일부에 반사부재(163)가 부착된 뷰 포트(160)를 제시하지만, 이에 한정되지 아니하고, 관통홀(161)의 내면(162)의 전체에 반사부재(163)가 부착될 수 있다.The
여기에서, 반사부재(163)는 거울과 같은 별도의 부재가 관통홀(161)의 내면(162)에 부착되는 것으로 이루어질 수 있으며, 또는, 반사성 물질로 이루어진 반사층이 관통홀(161)의 내면(162)에 코팅되는 것으로 형성될 수 있다.Here, the
관통홀(161)의 내면(162)이 오목하거나 볼록한 형상으로 형성되는 경우에는 반사부재(163)도 관통홀(161)의 내면(162)과 대응되는 형상으로 형성되며, 이에 따라, 반사부재(163)의 반사면이 오목하거나 볼록한 형상으로 형성된다. 여기에서, 관통홀(161)의 내면(162)이 오목하거나 볼록한 형상으로 형성되지 아니한 경우에 도, 반사부재(163)의 반사면을 오목하거나 볼록한 형상으로 형성하고 반사부재(163)를 관통홀(161)의 내면(162)에 부착시킴으로써 오목하거나 볼록한 형상의 반사면을 구현할 수 있다.When the
본 발명의 제1실시예에 따르면, 관통홀(161)이 관통되는 방향(X축 방향)으로 관찰할 수 없었던 공정챔버(110)의 내부의 구석진 모서리 부분은 반사부재(163)의 반사면에 반사되는 빛을 통하여 관찰할 수 있다. 도 5의 화살 모양의 선은 공정챔버(110)의 내부의 모서리 부분의 빛이 반사되는 상태를 나타낸다.According to the first embodiment of the present invention, the corners of the interior of the
이와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 뷰 포트(160)는 공정챔버(110)의 내부에 대한 시야각을 확장시킬 수 있으므로, 하나만의 뷰 포트(160)로도 공정챔버의 내부의 거의 전체를 관찰할 수 있다. 한편, 본 발명의 제1실시예에서는 하나의 뷰 포트(160)만이 구비된 플라즈마 처리장치를 제시하지만, 이에 한정되지 아니하고, 공정챔버(110)에 복수의 뷰 포트(160)가 구비될 수 있다.As described above, since the
이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대하여 설명한다. 본 발명의 제1실시예에서 설명한 동일한 기능을 갖는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Hereinafter, a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The same reference numerals are assigned to the parts having the same functions as those described in the first embodiment of the present invention, and a description thereof will be omitted.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 뷰 포트(260)가 공정챔버(110)를 이루는 벽 중 적어도 어느 하나에 형성되는 적어도 하나의 관통홀(261)과, 관통홀(261)의 외측에 설치되고 빛이 투과될 수 있는 재질로 이루어진 감시창(264)과, 관통홀(261)의 내면(262)의 적어도 일부분에 부착되고 빛을 반사할 수 있는 재질로 이루어지는 반사부재(263)를 포함하여 구성된다.6, the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention includes at least one through
관통홀(261)은 그 내면(262)이 적어도 하나의 각을 이루는 복수의 면으로 형성되며, 반사부재(263)는 복수의 면 중 적어도 어느 하나에 구비된다.The
본 발명의 제2실시예에 따르면, 뷰 포트(260)의 크기가 비교적 작아 관통홀(261)의 내면(262)을 곡면으로 가공하기가 힘든 경우나, 관통홀(261)의 내면(262)을 곡면으로 가공하는 데에 소요되는 비용을 절약하고자 하는 경우에 적용할 수 있다.According to the second embodiment of the present invention, it is difficult to process the
관통홀(261)의 내경은 관통홀(261)이 관통되는 방향(X축 방향)으로 공정챔버(110)의 외측에서 내측으로 갈수록 점차 좁아지다가 점차 넓어지는 형상을 갖는 것이 공정챔버(110)의 내부를 효과적으로 관찰하는 데에 유리하다.The inner diameter of the
본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 관통홀(261)의 내면(262)에 반사부재(263)를 갖는 뷰 포트(260)가 구비되므로 전술한 본 발명의 제1실시예와 마찬가지로, 관통홀(261)이 관통되는 방향으로 관찰하였을 때 보이지 않는 공정챔버(110)의 내부의 구석진 모서리 부분을 관찰할 수 있다.The plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention is provided with the
이하, 도 7을 참조하여 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대하여 설명한다. 본 발명의 제1실시예 및 제2실시예에서 설명한 동일한 기능을 갖는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Hereinafter, a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The same reference numerals are assigned to the parts having the same functions as those described in the first and second embodiments of the present invention, and a description thereof will be omitted.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 뷰 포트(360)가 공정챔버(110)를 이루는 X축 방향의 벽과 Y축 방향의 벽이 서로 만나는 모서리 부분 중 적어도 어느 하나에 구비된다.7, the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention includes a
도 7에 도시된 바에 의하면, 뷰 포트(360)가 공정챔버(110)의 상측 모서리 부분에 설치되지만, 이에 한정되지 아니하고, 뷰 포트(360)가 공정챔버(110)의 하측 모서리 부분에도 설치될 수 있다.7, a
본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 뷰 포트(360)는 전술한 본 발명의 제1실시예 또는 제2실시예에서 설명한 것과 같다.The
본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 뷰 포트(360)가 공정챔버(110)의 모서리 부분에 구비되므로, 공정챔버(110)의 내부 전체를 관찰하는 데에 있어 더욱 효과적이다. 또한, 하나의 뷰 포트(360)만으로 공정챔버(110)의 내부를 용이하게 관찰할 수 있으므로, 뷰 포트(360)를 가공하기 위한 공정의 복잡성 및 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.The plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention is more effective in observing the entire interior of the
이하, 도 8을 참조하여 본 발명의 제4실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대하여 설명한다. 본 발명의 제1실시예 내지 제3실시예에서 설명한 동일한 기능을 갖는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 설명은 생략한다.Hereinafter, a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Portions having the same functions as those described in the first to third embodiments of the present invention are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 뷰 포트(360)가 공정챔버(110)를 이루는 X축 방향의 벽과 Y축 방향의 벽이 서로 만나는 모서리 부분 중 적어도 어느 하나에 구비된다.8, the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention includes a
본 발명의 제4실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 뷰 포트(460)는 전술한 본 발명의 제1실시예 또는 제2실시예에서 설명한 것과 같다.The
본 발명의 제4실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 뷰 포트(460)가 공정챔버(110)의 모서리 부분에 구비되므로, 공정챔버(110)의 내부 전체를 관찰하는 데에 있어 더욱 효과적이다. 또한, 하나의 뷰 포트(460)만으로 공정챔버(110)의 내부를 용이하게 관찰할 수 있으므로, 뷰 포트(460)를 가공하기 위한 공정의 복잡성 및 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.The plasma processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention is more effective in observing the entire interior of the
본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 전술한 제1실시예 내지 제4실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 뷰 포트가 서로 별개로 적용될 수 있으나, 이에 한정되지 아니하고, 제1실시예 내지 제4실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 뷰 포트가 조합되어 적용될 수 있다.In the plasma processing apparatus according to the present invention, the view ports of the plasma processing apparatuses according to the first to fourth embodiments may be separately applied. However, the present invention is not limited to this, and the first to fourth embodiments The view port of the plasma processing apparatus according to the present invention can be applied in combination.
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치가 도시된 종단면도이다.1 is a longitudinal sectional view showing a conventional plasma processing apparatus.
도 2는 종래의 플라즈마 처리장치가 도시된 횡단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a conventional plasma processing apparatus.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치가 도시된 종단면도이다.3 is a longitudinal sectional view showing a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치가 도시된 횡단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 뷰 포트가 확대되어 도시된 단면도이다.5 is an enlarged cross-sectional view of the view port of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 뷰 포트가 확대되어 도시된 단면도이다.6 is an enlarged cross-sectional view of the view port of the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 처리장치가 도시된 종단면도이다.7 is a longitudinal sectional view illustrating a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 제4실시예에 따른 플라즈마 처리장치가 도시된 횡단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***DESCRIPTION OF THE REFERENCE SYMBOLS
110: 공정챔버 112: 이동 통로110: process chamber 112:
120: 탑재대 122: 기판120: mount table 122: substrate
130: 가스 공급 장치 140: 전계 발생 장치130: gas supply device 140: electric field generating device
150: 배기 장치 160, 260, 360, 460: 뷰 포트150:
Claims (14)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20080014197A KR101490423B1 (en) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | Plasma treatment apparatus and view port thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20080014197A KR101490423B1 (en) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | Plasma treatment apparatus and view port thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090088742A KR20090088742A (en) | 2009-08-20 |
KR101490423B1 true KR101490423B1 (en) | 2015-02-09 |
Family
ID=41207294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20080014197A KR101490423B1 (en) | 2008-02-15 | 2008-02-15 | Plasma treatment apparatus and view port thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101490423B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102026831B1 (en) * | 2013-01-02 | 2019-10-01 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate using plasma |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61125171U (en) * | 1984-10-13 | 1986-08-06 | ||
JPH1019790A (en) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Hitachi Ltd | Equipment for inspecting board in vacuum |
-
2008
- 2008-02-15 KR KR20080014197A patent/KR101490423B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
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JPS61125171U (en) * | 1984-10-13 | 1986-08-06 | ||
JPH1019790A (en) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Hitachi Ltd | Equipment for inspecting board in vacuum |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090088742A (en) | 2009-08-20 |
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