KR101488661B1 - High frequency heating apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고주파 가열 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판을 고주파 가열하는 고주파 가열 장치에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 기판을 고주파 가열하는 복수의 고주파 발생기를 포함하는 고주파 가열 장치에 있어서, 상기 복수의 고주파 발생기는 각각 (n/2) * λ의 간격을 가지고 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치(여기서, n=1~12이고, λ는 고주파 발생기가 발생시키는 고주파의 파장임)를 제공한다.The present invention relates to a high-frequency heating apparatus, and more particularly to a high-frequency heating apparatus for heating a substrate by high-frequency heating.
To this end, the present invention is a high-frequency heating apparatus including a plurality of high-frequency generators for high-frequency heating a substrate, wherein the plurality of high-frequency generators are arranged with intervals of (n / 2) (Where n = 1 to 12 and? Is the wavelength of the high frequency generated by the high frequency generator).
Description
본 발명은 고주파 가열 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판을 고주파 가열하는 고주파 가열 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a high-frequency heating apparatus, and more particularly to a high-frequency heating apparatus for heating a substrate by high-frequency heating.
유리 소재는 태양전지의 커버, 박막 액정표시장치(thin film transistor-liquid crystal display, TFT-LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel), 유기 EL(organic electro luminescent) 등과 같은 평판 디스플레이, 각종 모바일 전자기기의 커버 등 다양한 산업분야에서 사용이 급증하고 있으며, 이에 따라 유리 소재의 경량화 및 박형화가 요구되고 있다.The glass material may be a flat panel display such as a solar cell cover, a thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD), a plasma display panel, an organic electro luminescent The use of such materials has been rapidly increasing in various industrial fields such as a cover of a device, and accordingly, the weight and thickness of the glass material have been demanded.
그러나 유리 소재의 특성인 큰 취성으로인해 유리의 경량화 및 박형화에 따른 안정성 확보가 문제되며, 이에 따라 유리의 안정성을 확보하기 위해 다양한 강화 방법이 연구되고 있다. However, due to the large brittleness characteristic of the glass material, it is difficult to secure the stability of the glass due to its weight reduction and thinness. Accordingly, various strengthening methods have been studied to secure the stability of the glass.
종래의 유리 강화 기술로는 유리의 표면과 수용액(용융염) 간의 이온 교환에 의한 화학 강화 기술과 유리의 열처리를 통한 열강화 기술이 있다.Conventional glass reinforcing technologies include chemical strengthening techniques by ion exchange between glass surface and aqueous solution (molten salt) and heat strengthening techniques through heat treatment of glass.
화학 강화는 유리와 수용액 간의 이온 교환에 필요한 공정 시간, 유리 크기, 및 수용액의 재활용(오염 및 농도 제어) 등의 측면에서 활용 가치가 떨어진다는 단점을 갖는다.Chemical strengthening is disadvantageous in terms of process time required for ion exchange between glass and aqueous solution, glass size, and recycling of the aqueous solution (contamination and concentration control).
한편, 열강화는 고온의 수평로에 판유리를 이동시키면서 승온 및 퀀칭(quenching)하여 유리를 강화하는 것으로, 이중 고주파를 이용한 열강화는 체적 가열에 의한 열처리 효과 증가 및 급속 가열이 가능하다는 장점 때문에 산업에 적용하기 위한 다양한 노력이 이루어지고 있다.On the other hand, heat strengthening is performed by moving the glass plate in a horizontal direction at a high temperature and then tempering and quenching the glass to strengthen the glass. The heat strengthening using the double high frequency can increase the heat treatment effect by volumetric heating, Various efforts have been made to apply the present invention to the < RTI ID = 0.0 >
그러나, 대면적의 판유리를 종래의 고주파 기술을 적용하여 열처리하는 경우, 단일 고주파 발생기를 이용하면 챔버 내부의 전계 분포 제어가 어렵고 승온 속도가 낮은 단점이 있으며, 복수의 고주파 발생기를 이용하면 승온 속도는 어느 정도 향상되나, 고주파 발생기 간의 상호 간섭에 의한 전계 집중에 의해 유리의 국부 가열 현상이 발생하고 가열 효율이 저하된다는 문제가 발생한다.However, when a large-sized plate glass is heat-treated by applying a conventional high-frequency technique, it is difficult to control the electric field distribution inside the chamber by using a single high-frequency generator, and the rate of temperature rise is low. However, there is a problem that the local heating phenomenon of the glass occurs due to the electric field concentration due to mutual interference between the high frequency generators and the heating efficiency is lowered.
도 1은 종래의 복수 개의 고주파 발생기가 구비된 고주파 가열 장치에 의해 판유리를 열처리한 후 판유리의 전계 분포(a) 및 온도 분포(b)를 분석한 사진이다. 도 1의 (a)의 살색 부분은 전계가 미형성된 부분을 나타내고 도 1의 (b)의 파랑색 영역은 낮은 온도를 나타내며, 붉은색 영역은 높은 온도를 나타낸다. 즉, 열처리된 판유리의 모서리 영역은 전계가 형성되지 않아 가열되지 않았음을 알 수 있으며, 또한 판유리의 국부 영역은 간섭에 의한 집중 가열에 의해 열점(hot spot)이 형성되었음을 알 수 있다.FIG. 1 is a photograph of an electric field distribution (a) and a temperature distribution (b) of a plate glass after heat treatment of a plate glass by a conventional high frequency heating apparatus provided with a plurality of high frequency generators. 1 (a) represents a portion where the electric field is not formed, the blue region of FIG. 1 (b) represents a low temperature, and the red region represents a high temperature. That is, it can be seen that the edge region of the heat-treated plate glass is not heated because an electric field is not formed, and a hot spot is formed in the local region of the plate glass by concentrated heating due to interference.
즉, 단일 고주파 발생기를 이용한 고주파 가열의 경우 승온 속도가 낮다는 문제가 있으며, 복수 개의 고주파 발생기를 이용한 고주파 가열의 경우는 승온 속도는 일부 향상되나 고주파 발생기에서 발생된 고주파 간 상호 간섭 및 전계 집중에 의한 국부 가열 현상 등이 발생한다는 문제점을 갖는다.
That is, there is a problem that the heating rate is low in the case of high-frequency heating using a single high-frequency generator. In the case of high-frequency heating using a plurality of high-frequency generators, the heating rate is partially improved, but the mutual interference between high- There is a problem that a local heating phenomenon occurs due to the heating.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판의 급속 가열이 가능하며, 국부 가열 현상을 억제할 수 있는 고주파 가열 장치를 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a high frequency heating apparatus capable of rapid heating of a substrate and suppressing local heating phenomenon.
이를 위해, 본 발명은 기판을 고주파 가열하는 복수의 고주파 발생기를 포함하는 고주파 가열 장치에 있어서, 상기 복수의 고주파 발생기는 각각 (n/2) * λ의 간격을 가지고 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치(여기서, n=1~12이고, λ는 고주파 발생기가 발생시키는 고주파의 파장임)를 제공한다.To this end, the present invention is a high-frequency heating apparatus including a plurality of high-frequency generators for high-frequency heating a substrate, wherein the plurality of high-frequency generators are arranged with intervals of (n / 2) (Where n = 1 to 12 and? Is the wavelength of the high frequency generated by the high frequency generator).
그리고, 상기 고주파 가열 장치는, 상기 고주파 발생기에서 발생된 고주파를 상기 기판으로 반사시키는 반사부를 더 포함할 수 있다.The high frequency heating apparatus may further include a reflector for reflecting the high frequency generated by the high frequency generator to the substrate.
여기서, 상기 반사부는 상호 이격된 고주파 발생기 사이를 구획하는 제1반사부를 포함할 수 있다.The reflector may include a first reflector that separates the high frequency generator from the first reflector.
또한, 상기 반사부는 상기 고주파 발생기의 좌측 및 우측 중 적어도 한 곳에 설치되는 제2반사부를 포함할 수 있다.The reflector may include a second reflector disposed on at least one of left and right sides of the high frequency generator.
그리고, 상기 반사부는 상기 기판의 상부 및 하부 중 적어도 한 곳에 설치되는 제3반사부를 포함하고, 상기 제3반사부는 그 주평면이 상기 기판의 주평면과 대향하도록 형성될 수 있다.The reflective portion may include a third reflective portion disposed on at least one of an upper portion and a lower portion of the substrate, and the third reflective portion may be formed such that the principal plane thereof faces the main plane of the substrate.
또한, 상기 반사부에 다수의 구멍이 형성될 수 있다.
In addition, a plurality of holes may be formed in the reflective portion.
본 발명에 따르면, 기판의 승온 속도 및 고주파 가열 장치의 에너지 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the heating rate of the substrate and the energy efficiency of the high-frequency heating apparatus can be improved.
또한, 반사부가 고주파를 반사함으로써, 각 고주파 발생기가 발생시키는 고주파 사이의 간섭을 억제함으로써, 전계 집중에 의한 기판의 국부 가열 현상을 방지하고, 고주파 가열 효율을 향상시킬 수 있다.Further, by suppressing the interference between the high-frequency waves generated by the respective high-frequency generators by reflecting the high-frequency waves by the reflection portion, it is possible to prevent the local heating phenomenon of the substrate due to field concentration and improve the high-frequency heating efficiency.
또한, 기판의 전 영역에 걸쳐 균일한 전계가 형성되게 하여, 기판을 전 영역에 걸쳐 균질하게 가열할 수 있다.
In addition, a uniform electric field is formed over the entire area of the substrate, and the substrate can be uniformly heated over the entire area.
도 1은 종래의 복수 개의 고주파 발생기가 구비된 고주파 고주파 가열 장치에 의해 판유리를 열처리한 후 판유리의 전계 분포(a) 및 온도 분포(b)를 분석한 사진.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 가열 장치의 개략적인 평면도(a) 및 측면도(b).
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고주파 가열 장치의 개략적인 평면도(a) 및 측면도(b).
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 가열 장치의 개략적인 평면도.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 가열 장치의 개략적인 측면도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사부의 개략적인 구성도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 가열 장치에 의해 유리를 가열한 후 측정한 전계 분포 분석 사진(a) 및 온도 분포 분석 사진(b).
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 가열 장치에 판유리를 반송시킨 후, 판유리의 표면온도를 측정한 그래프.FIG. 1 is a photograph of an electric field distribution (a) and a temperature distribution (b) of a plate glass after heat treatment of a plate glass by a conventional high frequency high frequency heating apparatus provided with a plurality of high frequency generators.
2 is a schematic plan view (a) and a side view (b) of a high-frequency heating apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 is a schematic plan view (a) and a side view (b) of a high-frequency heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is a schematic plan view of a high frequency heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a schematic side view of a high frequency heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic structural view of a reflection portion according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 7 is a photograph (a) of the electric field distribution analysis and a photograph (b) of the temperature distribution analysis after heating the glass by the high frequency heating apparatus according to the embodiment of the present invention.
8 is a graph showing the surface temperature of a plate glass after the plate glass is conveyed to the high-frequency heating apparatus according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 가열 장치에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a high frequency heating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
또한, 이하에서 전후 방향은 기판의 반송 방향으로 정의하고, 좌우 방향은 기판의 반송 방향을 가로지르는 방향으로 정의한다.
In the following description, the forward and backward direction is defined as the transport direction of the substrate, and the horizontal direction is defined as the direction transverse to the transport direction of the substrate.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 가열 장치의 개략적인 평면도(a) 및 측면도(b)이다.2 is a schematic plan view (a) and a side view (b) of a high-frequency heating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 고주파 가열 장치는 고주파 발생기(200)와 기판(100) 사이의 간격이 (n/2) * λ(여기서, n=1~6이고, λ는 고주파 발생기가 발생시키는 고주파의 파장임)인 것을 특징으로 한다.2, a high frequency heating apparatus according to the present invention includes a
고주파 발생기(200)는 고주파를 발생시켜 기판 내부의 이온들을 진동시킴으로써 기판(100)을 가열한다. 고주파 발생기(200)는 0.98㎓ ~ 6.0㎓ 의 고주파를 발생시킬 수 있으며, 바람직하게는 2.4㎓ 또는 5.8㎓의 고주파를 발생시킬 것이다.The
기판(100)은 고주파 발생기(200)에 의해 가열되는 기재로서, 다양한 두께의 판유리일 수 있다.The
고주파 발생기(200)와 기판(100) 사이의 간격(①)은 (n/2) * λ(n=1~6)이며, 바람직하게는 λ의 간격을 가질 것이다. The interval (1) between the
또한, 본 발명에 따른 고주파 가열 장치는 기판(100)을 고온 및 급속 가열하기 위해 고주파 발생기(200)를 복수 개 구비할 수 있다. In addition, the high frequency heating apparatus according to the present invention may include a plurality of
이때, 각 고주파 발생기(210, 220, 230)는 (n/2) * λ (n=1~12)의 간격(②)을 가지게 배치되며, 바람직하게는 2λ의 간격을 가지게 배치될 것이다.At this time, each of the
여기서, 복수의 고주파 발생기(210, 220, 230)는 전후 방향을 따라 일렬로 배치될 수 있다.Here, the plurality of
이와 같이 고주파 발생기(200)와 기판(100) 사이의 간격 및/또는 각 고주파 발생기(210, 220, 230) 사이의 간격을 제어함으로써, 고주파 가열 장치에 의한 기판의 고주파 가열 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 고주파 발생기가 복수 개인 경우 각 고주파 발생기에서 발생된 고주파 간 간섭을 억제하여, 전계 집중에 의한 기판의 국부 가열 현상을 방지할 수 있다.
By controlling the interval between the
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고주파 가열 장치의 개략적인 평면도(a) 및 측면도(b)이고, 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고주파 가열 장치의 개략적인 평면도이다.FIG. 3 is a schematic plan view (a) and a side view (b) of a high frequency heating apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic plan view of a high frequency heating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 고주파 가열 장치는 고주파 발생기에서 발생된 고주파를 기판으로 반사하는 반사부(300)를 더 포함할 수 있다.3 and 4, the high frequency heating apparatus according to the present invention may further include a
여기서, 반사부(300)는 고주파를 반사할 수 있는 전도성 금속으로 이루어질 수 있다.Here, the
반사부(300)는 고주파 발생기를 전후좌우에서 둘러싸도록 설치될 수 있으며, 또한 기판(100)을 기준으로 상부 및 하부에 각각 상호 대응되게 설치될 수 있다. 반사부(300)가 이와 같이 설치됨으로써 고주파 발생기(200)로부터 발생한 고주파를 더 효율적으로 반사시킬 수 있다.The
이와 같이, 반사부(300)가 고주파 발생기(200)로부터 발생된 고주파를 기판(100)으로 반사하여 고주파를 다중산란(multiple scattering)시킴으로써, 기판(100)의 전 영역에 걸쳐 균일한 전계가 형성되게 하여 기판(100)의 모서리를 포함한 전 영역에 걸쳐 균질하게 가열할 수 있다. 또한, 기판(100)의 승온 속도를 향상시키고, 고주파 가열 장치의 에너지를 효율을 향상시킨다.The
또한, 본 발명에 따른 고주파 발생 장치가 복수의 고주파 발생기를 구비하는 경우, 반사부(300)는 복수의 고주파 발생기(210, 220, 230)를 적어도 하나씩으로 구획할 수 있다.In addition, when the high frequency generator according to the present invention includes a plurality of high frequency generators, the
이때, 반사부(300)는 상호 이격된 각 고주파 발생기(210, 220, 230) 사이를 구획하는 제1반사부(311, 312)를 포함할 수 있다. The
여기서, 제1반사부(311, 312)는 전후 방향으로 상호 이격된 고주파 발생기 사이를 구획하는 것일 수 있으며, 이때 제1반사부(311, 312)는 좌우 방향으로 연장되게 형성될 수 있다.Here, the
이 경우, 각 고주파 발생기(210, 220, 230)에서 발생된 고주파 사이의 간섭을 효율적으로 차단하기 위해 각 고주파 발생기(210, 220, 230)와 제1반사부(311, 312) 사이의 간격(③)은 (n/2) * λ(여기서, =1 ~ 12이고, λ는 고주파 발생기가 발생시키는 고주파의 파장)인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2λ의 간격을 가질 것이다. In this case, the interval between the
그리고, 기판(100)과 제1반사부(311, 312) 사이의 간격(⑤)은 4㎝ 이하, 바람직하게는 2㎝일 것이다.
The interval (5) between the
또한, 제1반사부(311, 312)는 고주파 발생기(240, 250, 260)가 복수의 열로 배치될 경우, 고주파 발생기(240, 250, 260)의 열 사이를 구획할 수 있고, 이때 고주파 발생기(240, 250, 260)의 열은 좌우 방향을 따라 형성될 수 있다.When the
이와 같이 고주파 발생기(240, 250, 260)의 각 열 사이에 형성된 제1반사부(311, 312)는 각 열에서 발생하는 고주파가 상호 간섭되는 것을 차단하여 전계가 집중되는 것을 방지하고, 이에 의해 기판(100)이 국부적으로 가열되는 현상을 억제한다.The
본 발명에 따른 반사부(300)는 고주파 발생기(200)의 좌측 및 우측 중 적어도 한 곳에 설치되는 제2반사부(321, 322)를 포함할 수 있다.The
또한, 본 발명에 따른 고주파 가열장치가 적어도 하나의 열로 배치된 복수의 고주파 발생기(240, 250, 260)를 구비한 경우, 제2반사부(321, 322)는 고주파 발생기의 열의 좌측 및 우측 중 적어도 한곳에 설치될 수 있다.When the high frequency heating apparatus according to the present invention includes a plurality of
그리고, 제2반사부(321, 322)는 전후 방향을 따라 연장되게 형성될 수 있다. The
고주파 발생기(200)에서 발생한 고주파를 효율적으로 반사하기 위해 고주파 발생기와 제2반사(321, 322)부 사이의 간격(④)은 2λ 이하인 것이 바람직하다.
In order to efficiently reflect the high frequency generated by the
또한, 본 발명에 따른 반사부(300)는 도 5에 도시된 바와 같이 고주파를 보다 효율적으로 반사하기 위해 기판(100)의 상부 및 하부 중 적어도 한 곳에 설치되는 제3반사부(331)를 포함할 수 있으며, 이때 제3반사부(331)는 그 주평면이 기판(100)의 주평면과 대향하도록 형성될 것이다.5, the
여기서, 제3반사부(331)와 기판 사이의 간격(⑥)은 (n/2) * λ(n=1~6)일 수 있고, 바람직하게는 λ일 것이다.
Here, the interval (6) between the third reflecting
그리고, 본 발명에 따른 반사부(300)에는 공기의 대류(air convection)를 원활히 하여 가열 효율을 높이기 위해 도 6에 도시된 바와 같이 다수의 구멍이 형성될 수 있다. 구멍의 지름은 고주파가 반사되지 않고 구멍을 통해 반사부 외부로 빠져나가는 것을 방지하기 위해 3㎜ 이하, 바람직하게는 2㎜일 것이다.
6, a plurality of holes may be formed in the
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 2열의 고주파 발생기 및 반사부를 구비한 고주파 가열 장치에 의해 유리를 가열한 후 측정한 전계 분포 분석 사진(a) 및 온도 분포 분석 사진(b)이다. 도 7에 나타난 바와 같이, 2열의 고주파 발생기를 구비한 고주파 가열 장치에 의해 유리를 가열하여도 반사부가 각 열 간 고주파의 간섭을 차단함으로써 일렬의 고주파 발생기를 구비한 고주파 가열 장치와 동일한 전계 분포를 갖도록 하고 기판을 균질하게 가열함을 알 수 있다.7 is a graph (a) of electric field distribution and a graph (b) of temperature distribution analysis after heating the glass by a high-frequency heating apparatus having two high-frequency generators and a reflector according to an embodiment of the present invention. As shown in Fig. 7, even when the glass is heated by the high-frequency heating apparatus provided with two high-frequency generators, the reflection unit blocks the interference of the high-frequency waves between the respective rows, thereby achieving the same electric field distribution as that of the high- And heating the substrate homogeneously.
도 8은 복수 열의 고주파 발생기 및 반사부를 구비한 고주파 가열 장치로 650℃로 가열된 1600㎜의 폭을 갖는 판유리를 반송시킨 후, 판유리의 표면온도를 측정한 그래프이다.8 is a graph showing the surface temperature of a plate glass after carrying a plate glass having a width of 1600 mm heated to 650 DEG C by a high frequency heating apparatus having a plurality of high frequency generators and a reflector.
도 8에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 가열 장치에 의해 가열된 판유리의 표면온도는 그 온도 분포가 700℃±10℃로 매우 균질하게 가열됐음을 알 수 있다.
As shown in FIG. 8, it can be seen that the surface temperature of the plate glass heated by the high-frequency heating apparatus according to the present invention is extremely uniformly heated to 700 ° C ± 10 ° C.
또한, 본 발명에 따른 고주파 가열 장치는 기판의 가열을 위해 고주파 발생기 외에 히터(미도시)를 더 포함할 수 있다.Further, the high frequency heating apparatus according to the present invention may further include a heater (not shown) in addition to the high frequency generator for heating the substrate.
히터(heater)는 전기 저항에 의한 열을 통해 기판을 기판 외부로부터 내부로 가열하고, 고주파 발생기는 고주파에 의해 기판 이온들을 진동시켜 이에 의한 마찰열로 기판 내·외부 전체를 가열시킴으로써, 보다 효율적으로 기판을 가열할 수 있다.
The heater heats the substrate from the outside to the inside of the substrate through the heat due to the electric resistance and the high frequency generator vibrates the substrate ions by the high frequency to heat the entire inside and outside of the substrate by the frictional heat generated thereby, Can be heated.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. This is possible.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be determined by the scope of the appended claims as well as the appended claims.
100 : 기판
200, 210, 220, 230, 240, 250, 260 : 고주파 발생기
300: 반사부
311, 312 : 제1반사부 321, 322 : 제2반사부
331 : 제3반사부100: substrate
200, 210, 220, 230, 240, 250, 260: a high frequency generator
300:
311, 312:
331:
Claims (18)
상기 복수의 고주파 발생기는 각각 (n/2) * λ의 간격을 가지고 배치되고,
상기 고주파 발생기에서 발생된 고주파를 상기 기판으로 반사시키는 반사부를 더 포함하되,
상기 반사부에 다수의 구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
(여기서, n=1~12이고, λ는 고주파 발생기가 발생시키는 고주파의 파장임)
A high-frequency heating apparatus comprising a plurality of high-frequency generators for high-frequency heating a substrate,
Wherein the plurality of high frequency generators are arranged at intervals of (n / 2) * [lambda]
And a reflector for reflecting the high frequency generated by the high frequency generator to the substrate,
And a plurality of holes are formed in the reflecting portion.
(Where n = 1 to 12, and? Is a wavelength of a high frequency generated by the high frequency generator)
상기 반사부는 상기 복수의 고주파 발생기를 적어도 하나씩 구획하는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the reflector divides the plurality of high-frequency generators by at least one.
상기 반사부는 상호 이격된 고주파 발생기 사이를 구획하는 제1반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
The method of claim 3,
Wherein the reflector includes a first reflector that separates high frequency generators spaced apart from each other.
상기 제1반사부는 전후 방향으로 상호 이격된 고주파 발생기 사이를 구획하는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
(여기서, 상기 전후 방향은 상기 기판의 반송 방향임)
5. The method of claim 4,
Wherein the first reflector partitions between high frequency generators spaced apart from each other in the front-rear direction.
(Wherein the forward and backward directions are the transport direction of the substrate)
상기 복수의 고주파 발생기는 복수의 열로 배치되고,
상기 제1반사부는 상기 고주파 발생기의 열 사이를 구획하는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the plurality of high frequency generators are arranged in a plurality of rows,
And the first reflector partitions between the rows of the high frequency generator.
상기 고주파 발생기와 상기 제1반사부 사이의 간격은 (n/2) * λ인 것을 특징으로 고주파 가열 장치.
(여기서, n=1 ~ 12이고, λ는 고주파 발생기가 발생시키는 고주파의 파장)
5. The method of claim 4,
And the interval between the high frequency generator and the first reflecting portion is (n / 2) *?.
(Where n = 1 to 12, and? Is the wavelength of the high frequency generated by the high frequency generator)
상기 기판과 상기 제1반사부 사이의 간격은 4㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein a distance between the substrate and the first reflecting portion is 4 cm or less.
상기 반사부는 상기 고주파 발생기의 좌측 및 우측 중 적어도 한 곳에 설치되는 제2반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
(여기서, 좌우 방향은 상기 기판의 반송 방향을 가로지르는 방향임)
The method according to claim 1,
Wherein the reflector includes a second reflector disposed on at least one of left and right sides of the high frequency generator.
(Wherein the left-right direction is a direction crossing the carrying direction of the substrate)
상기 고주파 발생기와 상기 제2반사부 사이의 간격은 2λ 이하인 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
(여기서, λ는 고주파 발생기가 발생시키는 고주파의 파장)
10. The method of claim 9,
And the interval between the high frequency generator and the second reflecting portion is 2? Or less.
(Where? Is the wavelength of the high frequency generated by the high frequency generator)
상기 복수의 고주파 발생기는 적어도 하나의 열로 배치되고,
상기 반사부는 상기 고주파 발생기의 열의 좌측 및 우측 중 적어도 한 곳에 설치되는 제2반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
The method of claim 3,
Wherein the plurality of high frequency generators are arranged in at least one row,
And the reflector includes a second reflector disposed on at least one of left and right sides of the row of the high frequency generator.
상기 고주파 발생기와 상기 제2반사부 사이의 간격은 2λ 이하인 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
(여기서, λ는 고주파 발생기가 발생시키는 고주파의 파장)
12. The method of claim 11,
And the interval between the high frequency generator and the second reflecting portion is 2? Or less.
(Where? Is the wavelength of the high frequency generated by the high frequency generator)
상기 반사부는 상기 기판의 상부 및 하부 중 적어도 한 곳에 설치되는 제3반사부를 포함하고, 상기 제3반사부는 그 주평면이 상기 기판의 주평면과 대향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the reflector includes a third reflector provided at least one of an upper portion and a lower portion of the substrate, and the third reflector is formed such that a main plane of the third reflector faces the main plane of the substrate.
상기 제3반사부와 상기 기판 사이의 간격은 (n/2) * λ인 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
(여기서, n=1~6이고, λ는 고주파 발생기가 발생시키는 고주파의 파장)
14. The method of claim 13,
Wherein an interval between the third reflecting portion and the substrate is (n / 2) *?.
(Where n = 1 to 6, and? Is the wavelength of the high frequency generated by the high frequency generator)
상기 반사부는 상기 고주파 발생기를 전후좌우에서 둘러싸도록 설치되는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
(여기서, 상기 전후 방향은 상기 기판의 반송 방향이고, 상기 좌우 방향은 상기 기판의 반송 방향을 가로지르는 방향임)
The method according to claim 1,
Wherein the reflector is installed so as to surround the high frequency generator in front, rear, left and right.
(Wherein the forward and backward directions are the conveying direction of the substrate, and the lateral direction is a direction crossing the conveying direction of the substrate)
상기 반사부는 상기 기판을 기준으로 상부 및 하부에 각각 상호 대응되게 설치되는 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the reflector is installed on the upper and lower sides of the substrate relative to each other.
상기 구멍의 지름은 3㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 고주파 가열 장치.
The method according to claim 1,
And the diameter of the hole is 3 mm or less.
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KR20140050420A KR101488661B1 (en) | 2014-04-28 | 2014-04-28 | High frequency heating apparatus |
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JPH11504153A (en) * | 1995-04-26 | 1999-04-06 | ヴィディア ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method and apparatus for heat treatment of a substance in a microwave oven, use of the method and the apparatus |
-
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- 2014-04-28 KR KR20140050420A patent/KR101488661B1/en active IP Right Grant
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