KR101485951B1 - plasma reactor able to sense damaged inner passivation layer and control method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기 및 그 제어 방법에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 반응기는 플라즈마 방전 영역을 제공하며 내부 보호막이 형성된 도전성 반응기 몸체, 상기 플라즈마 방전 영역에 형성된 플라즈마에 의해서 상기 반응기 몸체에 발생될 수 있는 누설 전류를 검출하기 위한 누설 전류 검출부, 및 상기 누설 전류 검출부로부터 검출된 누설 전류량에 기초하여 상기 반응기 몸체의 내부 보호막 손상 상태를 감지하는 보호막 손상 감지부를 포함한다. 본 발명의 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기 및 그 제어 방법에 의하면, 플라즈마 반응기를 구성하는 반응기 몸체의 내부 보호막이 손상되는 것을 효과적으로 감지할 수 있다. 내부 보호막 손상을 즉각적으로 감지함으로서 내부 보호막의 손상에 의해 플라즈마 발생 효율이 저하되고 그러한 상태에서 발생된 플라즈마에 의해 공정에도 부정적인 영향이 미치는 것을 예방 할 수 있다.The present invention relates to a plasma reactor capable of detecting a damage state of an inner protective film and a control method thereof. The plasma reactor of the present invention includes a conductive reactor body provided with a plasma discharge region and provided with an inner protective film, a leakage current detection unit for detecting a leakage current that can be generated in the reactor body by plasma formed in the plasma discharge region, And a protective film damage detecting unit for detecting a damage state of the inner protective film of the reactor body based on the amount of leakage current detected from the current detecting unit. According to the plasma reactor and the control method thereof capable of detecting the damage state of the inner protective film of the present invention, damage to the inner protective film of the reactor body constituting the plasma reactor can be effectively detected. Immediately sensing the inner protective film damage can reduce the plasma generation efficiency due to damage to the inner protective film and prevent the process from being adversely affected by the plasma generated in such a state.

플라즈마, 보호막, 누설 전류 Plasma, Shielding, Leakage Current

Description

내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기 및 그 제어 방법{plasma reactor able to sense damaged inner passivation layer and control method thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention [0001] The present invention relates to a plasma reactor capable of detecting a damage state of an inner protective film,

본 발명은 플라즈마 반응기에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마 반응기의 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기 및 그 제어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma reactor, and more particularly, to a plasma reactor capable of detecting a damage state of an inner protective layer of a plasma reactor and a control method thereof.

플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각, 증착, 세정, 에싱 등 다양하게 사용되고 있다. 최근, 반도체 장치의 제조를 위한 웨이퍼나 LCD 글라스 기판은 더욱 대형화 되어 가고 있다. 그럼으로 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높고, 대면적의 처리 능력을 갖는 확장성이 용이한 고밀도 플라즈마 소스가 요구되고 있다.Plasma discharges are used in gas excitation to generate active gases including ions, free radicals, atoms, and molecules. Active gases are widely used in various fields and are typically used in a variety of semiconductor manufacturing processes such as etching, deposition, cleaning, and ashing. In recent years, wafers and LCD glass substrates for manufacturing semiconductor devices have become larger. Therefore, there is a demand for a high-density plasma source which has a high controllability against plasma ion energy, has a large area processing capability, and is easy to expand.

일반적으로 플라즈마 반응기는 알루미늄을 많이 사용하는데 그 내부 표면은 양극 처리하여 산화막을 형성하여 보호막으로 사용한다. 그런데 고밀도의 플라즈 마를 얻기 위해 높은 전력을 사용하는 경우 이온 에너지가 높아서 플라즈마 반응기의 내부 보호막이 이온 충격(ion bombardment)에 의해 손상되는 경우가 발생될 수 있다. 이온 충격에 의한 플라즈마 반응기의 내부 보호막의 손상은 플라즈마 반응기의 수명을 단축하는 것뿐만 아니라 플라즈마 처리 오염원으로 작용하는 부정적인 결과를 얻게 된다. 그럼으로 플라즈마 반응기의 내부 보호막의 손상은 즉각적으로 감지되고 대처되어야 한다.Generally, a plasma reactor uses a large amount of aluminum, and its inner surface is anodized to form an oxide film and used as a protective film. However, when a high power is used to obtain a high-density plasma, the ion energy is high and the inner protective film of the plasma reactor may be damaged by ion bombardment. Damage to the inner protective layer of the plasma reactor due to ion bombardment not only shortens the lifetime of the plasma reactor, but also produces negative effects acting as a plasma treatment source. Thus, damage to the inner protective film of the plasma reactor must be immediately detected and counteracted.

본 발명의 목적은 플라즈마 반응기의 내부 보호막의 손상을 즉각적으로 감지하고 대처할 수 있도록 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기 및 그 제어 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a plasma reactor and a control method thereof that can detect the damage state of the inner protective film so that damage to the inner protective film of the plasma reactor can be immediately detected and coped with.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 반응기는: 플라즈마 방전 영역을 제공하며 내부 보호막이 형성된 도전성 반응기 몸체; 상기 플라즈마 방전 영역에 형성된 플라즈마에 의해서 상기 반응기 몸체에 발생될 수 있는 누설 전류를 검출하기 위한 누설 전류 검출부; 및 상기 누설 전류 검출부로부터 검출된 누설 전류량에 기초하여 상기 반응기 몸체의 내부 보호막 손상 상태를 감지하는 보호막 손상 감지부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma reactor capable of detecting a damage state of an inner protective film. The plasma reactor of the present invention comprises: a conductive reactor body providing a plasma discharge region and having an inner protective film formed thereon; A leakage current detector for detecting a leakage current that may be generated in the reactor body by the plasma formed in the plasma discharge region; And a protective film damage detecting unit for detecting a damage state of the inner protective film of the reactor body based on the leakage current amount detected from the leakage current detecting unit.

일 실시예에 있어서, 상기 반응기 몸체는 둘 이상의 절연 영역과 둘 이상의 분리된 몸체를 포함하고, 상기 누설 전류 검출부는 상기 둘 이상의 분리된 몸체의 각 부분 마다 개별적으로 누설 전류를 검출한다.In one embodiment, the reactor body includes two or more insulation regions and two or more separate bodies, and the leakage current detection unit detects leakage currents individually for each of the two or more separated bodies.

일 실시예에 있어서, 상기 보호막 손상 감지부는 상기 누설 전류량이 기준 값을 초과하는 경우 내부 보호막 손상 경고 신호를 발생한다.In one embodiment, the protective film damage sensing unit generates an internal protective film damage warning signal when the leakage current amount exceeds a reference value.

일 실시예에 있어서, 상기 보호막 손상 감지부는 검출된 상기 누설 전류량에 기초하여 내부 보호막의 손상 정도를 표시하기 위한 표시 신호를 발생한다.In one embodiment, the protective film damage sensing unit generates a display signal for indicating the degree of damage of the internal protective film based on the detected leakage current amount.

일 실시예에 있어서, 상기 보호막 손상 감지부는 상기 누설 전류량이 기준 값을 초과하는 경우 플라즈마 반응기의 동작을 정지시키기 위한 동작 정지 신호를 발생한다.In one embodiment, the protective film damage sensing unit generates an operation stop signal for stopping the operation of the plasma reactor when the leakage current amount exceeds the reference value.

본 발명의 다른 일면은 내부 보호막 손상 상태를 감지하기 위한 플라즈마 반응기의 제어 방법에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 반응기의 제어 방법은: 플라즈마 방전 영역을 제공하며 내부 보호막이 형성된 도전성 반응기 몸체에 플라즈마가 발생되는 단계; 상기 플라즈마 방전 영역에 형성된 플라즈마에 의해서 상기 반응기 몸체에서 발생되는 누설 전류를 검출하는 단계; 및 상기 검출된 누설 전류량에 기초하여 상기 반응기 몸체의 내부 보호막 손상 상태를 판단하는 단계를 포함한다.Another aspect of the present invention relates to a method of controlling a plasma reactor for detecting an internal protective film damage state. A method of controlling a plasma reactor according to the present invention includes the steps of: generating a plasma in a conductive reactor body providing a plasma discharge region and having an inner protective film formed thereon; Detecting a leakage current generated in the reactor body by a plasma formed in the plasma discharge region; And determining an internal protective film damage state of the reactor body based on the detected leakage current amount.

일 실시예에 있어서, 내부 보호막이 손상된 것으로 판단되는 경우, 내부 보호막 손상에 대처하기 위한 제어 신호를 발생하는 단계를 포함한다.In one embodiment, when it is determined that the inner protective film is damaged, it includes the step of generating a control signal for coping with the inner protective film damage.

본 발명의 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기 및 그 제어 방법에 의하면, 플라즈마 반응기를 구성하는 반응기 몸체의 내부 보호막이 손상되는 것을 효과적으로 감지할 수 있다. 내부 보호막 손상을 즉각적으로 감지함으로서 내부 보호막의 손상에 의해 플라즈마 발생 효율이 저하되고 그러한 상태에서 발생된 플라즈마에 의해 공정에도 부정적인 영향이 미치는 것을 예방 할 수 있다.According to the plasma reactor and the control method thereof capable of detecting the damage state of the inner protective film of the present invention, damage to the inner protective film of the reactor body constituting the plasma reactor can be effectively detected. Immediately sensing the inner protective film damage can reduce the plasma generation efficiency due to damage to the inner protective film and prevent the process from being adversely affected by the plasma generated in such a state.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.For a better understanding of the present invention, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings can be exaggeratedly expressed to emphasize a clearer description. It should be noted that in the drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and constructions which may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention are omitted.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram of a plasma reactor according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기(10)는 반응기 몸체(12)의 내부 보호막(도 2의 참조 번호 13)의 손상 상태를 감지하기 위한 누설 전류 검출부(40)와 보호막 손상 감지부(42)를 구비한다. 누설 전류 검출 부(40)는 반응기 몸체(12)로부터 누설되는 전류를 검출하고, 보호막 손상 감지부(42)는 누설 전류 감지부(40)를 통해서 감지되는 누설 전류량에 따라서 반응기 몸체(12)의 내부 보호막의 손상 정도를 판단한다.Referring to FIG. 1, a plasma reactor 10 according to a preferred embodiment of the present invention includes a leakage current detector 40 for detecting a damage state of an inner protective film (reference numeral 13 in FIG. 2) of a reactor body 12, And a protective film damage detection unit 42. The leakage current detection unit 40 detects a leakage current from the reactor body 12 and the protection film damage detection unit 42 detects the leakage current from the reactor body 12 according to the amount of leakage current sensed through the leakage current detection unit 40 The degree of damage of the inner protective film is judged.

플라즈마 반응기(10)는 예를 들어, 환형 구조를 갖는 반응기 몸체(12)를 구비한다. 반응기 몸체(12)는 가스 공급원(미도시)에 연결되는 가스 입구(14)와 공정 챔버(32)에 연결되는 가스 출구(16)를 구비한다. 반응기 몸체(12)는 알루미늄과 같은 금속 재료로 구성되며, 반응기 몸체(12)의 내부는 양극처리(anodizing)에 의해 알루미늄 산화막을 형성하여 보호막(도 2의 참조 번호 13)을 구성한다. 플라즈마 반응기(10)는 반응기 몸체(12)의 내부에 플라즈마를 발생시키기 위하여 마그네틱 코어(22)와 일차 권선(24)을 갖는 변압기(20)가 장착된다. 마그네틱 코어(22)는 반응기 몸체(12)의 일부를 감싸도록 장착된다. 가스 출구(16)는 통상 어댑터(30)를 통하여 공정 챔버(32)의 가스 유입구(34)에 연결된다. 공정 챔버(32)는 천정의 일부만을 도시하였지만, 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대가 구비되는 기판 처리 영역을 갖는다. 일차 권선(24)은 무선 주파수 전력을 제공하는 전원 공급원(미도시)에 전기적으로 연결된다. 반응기 몸체(12)로 공정 가스가 공급되고, 변압기(20)로 무선 주파수가 공급되어 구동되면 반응기 몸체(12)의 내부에는 환형의 플라즈마가 발생된다.The plasma reactor 10 has, for example, a reactor body 12 having an annular structure. The reactor body 12 has a gas inlet 14 connected to a gas source (not shown) and a gas outlet 16 connected to the process chamber 32. The reactor body 12 is made of a metal material such as aluminum and the inside of the reactor body 12 is formed with an aluminum oxide film by anodizing to form a protective film (reference numeral 13 in FIG. 2). The plasma reactor 10 is equipped with a transformer 20 having a magnetic core 22 and a primary winding 24 for generating plasma inside the reactor body 12. The magnetic core 22 is mounted to surround a part of the reactor body 12. The gas outlet 16 is typically connected to the gas inlet 34 of the process chamber 32 via an adapter 30. Although the process chamber 32 shows only a part of the ceiling, it has a substrate processing area in which a substrate support on which the substrate to be processed is placed is provided. The primary winding 24 is electrically connected to a power source (not shown) that provides radio frequency power. When a process gas is supplied to the reactor body 12 and a radio frequency is supplied to the transformer 20 and driven, an annular plasma is generated inside the reactor body 12.

반응기 몸체(12)는 에디 전류(eddy current)가 발생되는 것을 방지하기 위하여 하나 이상의 절연 영역(18)을 갖는다. 도면에는 반응기 몸체(12)의 상단과 하단에 각기 좌우로 두 개의 절연 영역(18)이 구비된다. 절연 영역(18)은 예를 들어, 세라믹 링과 진공 오링으로 구성할 수 있다. 절연 영역(18)을 갖는 반응기 몸체(12)는 예를 들어, 크게 네 개의 분리된 몸체로 구성되며 네 개의 누설 전류 검출부(40)는 분리된 몸체의 각 부분 마다 개별적으로 누설 전류를 검출한다. 보호막 손상 감지부(42)는 네 개의 누설 전류 감지부(40)를 통해서 감지되는 각각의 누설 전류량을 종합하고 분석하여 반응기 몸체(12)의 내부 보호막의 손상 정도를 판단한다. 이때, 누설 전류 감지부(40)는 반응기 몸체(12)의 가스 입구(14)와 가스 출구(16) 및 반응기 몸체(12)의 가운데 부분에서 누설 전류량을 검출한다. The reactor body 12 has one or more isolation regions 18 to prevent eddy currents from being generated. In the drawing, two insulating regions 18 are provided on the upper and lower ends of the reactor body 12, respectively. The isolation region 18 may comprise, for example, a ceramic ring and a vacuum O-ring. The reactor body 12 having the insulating region 18 is composed of, for example, four largely separated bodies, and the four leakage current detecting portions 40 individually detect a leakage current for each portion of the separated body. The protective film damage detection unit 42 synthesizes and analyzes the amounts of leakage currents sensed through the four leakage current detection units 40 to determine the degree of damage of the inner protective film of the reactor body 12. At this time, the leakage current detection unit 40 detects the leakage current amount in the gas inlet 14 of the reactor body 12, the gas outlet 16, and the center portion of the reactor body 12.

예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 반응기 몸체(12)의 내부 보호막(13)이 손상되지 않은 경우 누설 전류 검출부(40)는 누설 전류가 작게(혹은 누설 전류가 없는 것으로) 검출된다. 그러나 도 3에 도시된 바와 같이, 반응기 몸체(12)의 내부 보호막(13)이 손상된 부위(17)를 갖는 경우 누설 전류 검출부(40)는 정상 상태보다 많은 누설 전류를 검출하게 된다. 내부 보호막(13)이 정상 상태의 경우와 비정상 상태(손상된 경우)에 누설 전류 검출부(40)를 통하여 검출되는 누설 전류 파형을 비교하여 예시한 도면이 도 4에 도시되어 있다. 도 4에 예시한 바와 같이, 내부 보호막(13)이 손상된 경우 누설 전류 검출부(40)를 통해서 많은 누설 전류가 검출됨을 알 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, when the inner protective film 13 of the reactor body 12 is not damaged, the leakage current detector 40 detects a small leakage current (or no leakage current). However, as shown in FIG. 3, when the inner protective film 13 of the reactor body 12 has the damaged portion 17, the leakage current detecting portion 40 detects more leak current than the normal state. FIG. 4 is a view illustrating an example in which the leakage current waveforms detected through the leakage current detection unit 40 are compared between the normal state of the inner protective film 13 and the abnormal state (when the inner protective film 13 is damaged). As shown in FIG. 4, it can be seen that a large amount of leakage current is detected through the leakage current detector 40 when the inner protective film 13 is damaged.

도 5는 플라즈마 반응기의 내부 보호막 손상 상태를 감지하기 위한 제어 수순을 보여주는 흐름도이다.5 is a flowchart showing a control procedure for detecting a damage state of an inner protective film of a plasma reactor.

도 5를 참조하여, 단계 S10에서 플라즈마가 온 되면, 단계 S20에서 누설 전류 검출부(40)는 반응기 몸체(12)의 누설 전류를 검출한다. 단계 S30에서 보호막 손상 감지부(42)는 누설 전류량이 기준 값과 비교한다. 이때, 누설 전류량이 기준 값을 초과하는 경우 단계 S40으로 진행하여 내부 보호막 손상 경고 신호를 발생한 다. 또는 보호막 손상 감지부(42)는 검출된 누설 전류량에 기초하여 내부 보호막의 손상 정도를 표시하기 위한 표시 신호를 발생할 수 있다. 또는 보호막 손상 감지부(42)는 누설 전류량이 기준 값을 초과하는 경우 플라즈마 반응기(10)의 동작을 정지시키기 위한 동작 정지 신호를 발생할 수 있다. 이와 같은 누설 전류 감지에 따라 보호막 손상 감지부(42)에서 발생되는 제어 신호는 플라즈마 반응기(10)를 전체적으로 제어하는 시스템 제어부(미도시)로 제공되어 보호막 손상에 따른 대처(예를 들어, 보호막 손상 경고, 보호막 손상 정도의 표시, 플라즈마 반응기의 동작 정지 등)를 할 수 있다.Referring to FIG. 5, when the plasma is turned on in step S10, the leakage current detection unit 40 detects leakage current of the reactor body 12 in step S20. In step S30, the protective film damage sensing unit 42 compares the leakage current amount with a reference value. At this time, if the leakage current amount exceeds the reference value, the process proceeds to step S40 and an internal protective film damage warning signal is generated. Or the damage detection unit 42 may generate a display signal for indicating the damage degree of the internal protection film based on the detected leakage current amount. Or the damage detection unit 42 may generate an operation stop signal for stopping the operation of the plasma reactor 10 when the leakage current amount exceeds the reference value. According to the leakage current detection, the control signal generated by the protection film damage detection unit 42 is provided to a system control unit (not shown) that controls the plasma reactor 10 as a whole, Warning, indication of degree of damage of the protective film, stopping of operation of the plasma reactor, etc.).

이상에서 설명된 본 발명의 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기 및 그 제어 방법의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments of the plasma reactor and the control method thereof capable of detecting the damage state of the inner protective film of the present invention described above are merely illustrative and those skilled in the art will appreciate that various modifications, It will be appreciated that variations and equivalents of other embodiments are possible. Accordingly, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram of a plasma reactor according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 내부 보호막이 손상되지 않은 경우를 예시하는 반응기 몸체의 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view of the reactor body illustrating the case where the inner protective film is not damaged.

도 3은 내부 보호막이 손상된 경우를 예시하는 반응기 몸체의 부분 단면도이다.3 is a partial cross-sectional view of the reactor body illustrating the case where the inner protective film is damaged.

도 4는 내부 보호막이 정상 상태인 경우와 손상된 경우 누설 감지 회로를 통하여 감지되는 전류 파형의 차이를 비교하여 보여주는 그래프이다.4 is a graph showing a comparison between the current waveforms sensed through the leakage detection circuit when the internal protective film is in a normal state and when the internal protection film is damaged.

도 5는 플라즈마 반응기의 내부 보호막 손상 상태를 감지하기 위한 제어 수순을 보여주는 흐름도이다.5 is a flowchart showing a control procedure for detecting a damage state of an inner protective film of a plasma reactor.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]

10: 플라즈마 반응기 12: 반응기 몸체10: Plasma reactor 12: Reactor body

13: 보호막 14: 가스 입구13: protective film 14: gas inlet

15: 플라즈마 16: 가스 출구15: Plasma 16: Gas outlet

18: 절연 영역 20: 변압기18: Insulation region 20: Transformer

22: 마그네틱 코어 24: 일차 권선22: magnetic core 24: primary winding

30: 어댑터 32: 공정 챔버30: Adapter 32: Process chamber

34: 가스 유입구 40: 누설 전류 검출부34: Gas inlet 40: Leakage current detector

42: 보호막 손상 감지부42:

Claims (9)

가스 입구와 가스 출구 사이에서 플라즈마 방전 영역을 제공하고, 둘 이상의 절연 영역과 둘 이상의 분리된 몸체를 포함하며 내부 보호막이 형성된 도전성 반응기 몸체;A conductive reactor body providing a plasma discharge region between a gas inlet and a gas outlet, the conductive reactor body having at least two isolation regions and at least two separate bodies and having an inner passivation layer; 상기 플라즈마 방전 영역에 형성된 플라즈마에 의해서 상기 반응기 몸체의 둘 이상의 분리된 몸체 각 부분으로부터 발생될 수 있는 누설 전류를 검출하기 위한 하나 이상의 누설 전류 검출부; 및At least one leakage current detector for detecting a leakage current that can be generated from two or more separate body portions of the reactor body by plasma formed in the plasma discharge region; And 상기 누설 전류 검출부로부터 검출된 누설 전류량에 기초하여 상기 반응기 몸체의 내부 보호막 손상 상태를 감지하는 보호막 손상 감지부를 포함하고,And a protective film damage sensing unit for sensing a damage state of the inner protective film of the reactor body based on an amount of leakage current detected from the leakage current detection unit, 상기 보호막 손상 감지부는 상기 누설 전류량이 기준값을 초과하는 경우 내부 보호막 손상 경고 신호 또는 플라즈마 반응기의 동작을 정지시키기 위한 동작 정지 신호를 발생하고, 검출된 누설 전류량에 기초하여 내부 보호막의 손상 정도를 표시하기 위한 표시 신호를 발생하는 것을 특징으로 하는 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기. The protective film damage detecting unit may generate an internal protective film damage warning signal or an operation stop signal for stopping the operation of the plasma reactor when the leakage current amount exceeds the reference value and display the degree of damage of the internal protective film based on the detected amount of leakage current And a display signal for the plasma display panel is generated. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 가스 입구와 가스 출구 사이에서 플라즈마 방전 영역을 제공하고, 둘 이상의 절연 영역과 둘 이상의 분리된 몸체를 포함하며 내부 보호막이 형성된 도전성 반응기 몸체에 플라즈마가 발생되는 단계;Providing a plasma discharge region between a gas inlet and a gas outlet and generating a plasma in a conductive reactor body having at least two isolation regions and at least two separate bodies and having an inner passivation; 상기 플라즈마 방전 영역에 형성된 플라즈마에 의해서 상기 반응기 몸체의 둘 이상의 분리된 몸체 각 부분으로부터 발생될 수 있는 누설 전류를 검출하는 단계; 및Detecting a leakage current that may be generated from two or more separate body portions of the reactor body by plasma formed in the plasma discharge region; And 상기 검출된 누설 전류량에 기초하여 상기 반응기 몸체의 내부 보호막 손상 상태를 판단하는 단계;Determining an internal protective film damage state of the reactor body based on the detected leakage current amount; 상기 검출된 누설 전류량이 기준값을 초과하는 경우 제어 신호로써 내부 보호막 손상 경고 신호 또는 플라즈마 반응기의 동작을 정지시키기 위한 동작 정지 신호를 발생하고, 검출된 누설 전류량에 기초하여 내부 보호막의 손상 정도를 표시하기 위한 표시 신호를 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 내부 보호막의 손상 상태를 감지하기 위한 플라즈마 반응기의 제어 방법.Generating an internal protection film damage warning signal or an operation stop signal for stopping the operation of the plasma reactor as a control signal when the detected leakage current amount exceeds a reference value and displaying the degree of damage of the internal protection film based on the detected amount of leakage current And generating a display signal for the inner protective film. 삭제delete 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 누설 전류 검출부는 상기 반응기 몸체의 가스 출구 주변으로부터 누설 전류의 전류량을 검출하는 것을 특징으로 하는 내부 보호막의 손상 상태를 감지할 수 있는 플라즈마 반응기.Wherein the leakage current detection unit detects an amount of leakage current from the periphery of the gas outlet of the reactor body. 제6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 누설 전류의 전류량은 상기 반응기 몸체의 가스 출구 주변에서 검출하는 것을 특징으로 하는 내부 보호막의 손상 상태를 감지하기 위한 플라즈마 반응기의 제어 방법.And the amount of the leakage current is detected in the vicinity of the gas outlet of the reactor body.
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