KR101470383B1 - 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지 - Google Patents

봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 엘이디 패키지의 표면에 봉지재의 손실을 방지하는 넘침 방지 구조를 설치하여 봉지재의 몰딩과정 또는 몰딩 후 경화과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 개선한 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해, 본 발명은 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지로서, 제 1 전극과 제 2 전극이 설치된 기판상에 LED 칩이 실장되고, 상기 LED 칩이 제 1 및 제 2 전극과 와이어로 연결되며, 상기 기판의 상부에 설치되어 상기 LED 칩의 주위에 리플렉터를 형성하는 캐비티와, 상기 LED 칩과 와이어를 보호하도록 상기 캐비티의 내측에 몰딩되는 봉지재를 구비한 엘이디 패키지에 있어서, 상기 캐비티의 상면에 설치되어 상기 봉지재의 주입 과정 또는 경화 과정에서 상기 봉지재가 상기 캐비티로부터 넘쳐 봉지재의 손실이나 넘침을 방지하는 넘침 방지부를 포함한다. 따라서 엘이디 패키지의 봉지재 몰딩 과정 또는 몰딩 후 경화 과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 개선할 수 있는 장점이 있다.

Description

봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지{LED PACKAGE WITH OVERFLOW PROTECTION STRUCTURE OF ENCAPSULANT}
본 발명은 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지에 관한 발명으로서, 더욱 상세하게는 엘이디 패키지의 표면에 봉지재의 손실을 방지하는 넘침 방지 구조를 설치하여 봉지재의 몰딩과정 또는 몰딩 후 경화과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 개선한 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지에 관한 것이다.
엘이디(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로서, 엘이디는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
이에 기존의 광원을 엘이디로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 엘이디는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
최근에는 엘이디를 이용한 광원이 표면 실장형의 엘이디 패키지로 출시되면서 사용범위가 더욱 증가하고 있다.
한편, 도 1은 종래기술에 따른 엘이디 패키지의 구조를 나타낸 도면으로서, 도 1의 엘이디 패키지(10)는 절연성의 기판(11)과, 상기 기판(11)의 상부 및 하부면에 구리 소재로 이루어진 제 1 전극(12)과 제 2 전극(13)이 형성되고, 상기 제 1 전극(12)의 상부에는 LED 칩(14)이 다이 본딩(Die Bonding)을 통해 고정되어 상기 제 1 전극(12)과 제 2 전극(13)에 와이어(15)를 이용한 와이어 본딩(Wire Bonding)으로 결합되며, 상기 기판(11)과, 제 1 및 제 2 전극(12, 13)의 상부에는 상기 LED 칩(14)과 와이어(15)가 외부환경으로부터 보호될 수 있도록 에폭시 또는 실리콘과 같은 봉지재(Encapsulant)로 성형을 한 몰드부(16)를 포함하여 구성된다.
일반적으로 표면 실장형 엘이디 패키지(10)의 몰딩 과정은 디스펜싱 방법이 주로 이용되며, 트랜스퍼 몰딩, 인젝션 몰딩, 가압 성형, 스크린 프린팅 등 다양한 몰딩 과정이 적용되고 있다.
상기 디스펜싱 방법은 디스펜서의 압력과 시간을 제어하여 니들을 통해 봉지재를 토출하여 몰딩하는 방법이지만, 패키지 구조, 재질, 봉지재의 특성 및 디스펜싱 공정 조건에 따라 패키지의 상면에 봉지재가 넘치는 오버 플로우(Overflow)의 문제점이 있다.
이러한 오버 플로우 현상은 봉지재의 넘침 정도에 따라 광 특성 및 색좌표 산포에 영향을 주어 생산 수율을 저하시키는 문제점과, 특히 실리콘 봉지재의 접착 특성으로 인해 테스터 및 테이핑 공정에서 패키지가 접착되어 공정 손실이 발생하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 엘이디 패키지의 표면에 봉지재의 손실을 방지하는 넘침 방지 구조를 설치하여 봉지재의 몰딩과정 또는 몰딩 후 경화과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 개선한 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 제 1 전극과 제 2 전극이 설치된 기판 상에 LED 칩이 실장되고, 상기 LED 칩이 제 1 및 제 2 전극과 와이어로 연결되며, 상기 기판의 상부에 설치되어 상기 LED 칩의 주위에 리플렉터를 형성하는 캐비티와, 상기 LED 칩과 와이어를 보호하도록 상기 캐비티의 내측에 몰딩되는 봉지재를 구비한 엘이디 패키지에 있어서, 상기 캐비티의 상면에 설치되어 상기 봉지재의 주입 과정 또는 경화 과정에서 상기 봉지재가 상기 캐비티로부터 넘쳐 봉지재의 손실이나 넘침을 방지하는 넘침 방지부를 포함하고, 상기 넘침 방지부는 상기 캐비티로부터 일정 높이 돌출되도록 실리콘, 실크 잉크 중 적어도 하나를 일정 두께로 분사하여 형성한 댐(Dam)인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 실크 잉크는 접촉각이 적어도 76.8°이상인 것을 특징으로 한다.
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또한, 본 발명에 따른 상기 넘침 방지부는 상기 캐비티의 리플렉터 상단부 주변 또는 상기 리플렉터의 상단부로부터 일정거리 이격되어 링 형상으로 형성한 것을 특징으로 한다.
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본 발명은 엘이디 패키지의 표면에 봉지재의 손실을 방지하는 넘침 방지 구조를 설치하여 봉지재의 몰딩과정 또는 몰딩 후 경화과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 개선할 수 있는 장점이 있다.
도 1 은 종래기술에 따른 엘이디 패키지 구조를 나타낸 단면도.
도 2 는 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 1 실시예를 나타낸 사시도.
도 3 은 도 2의 제 1 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 A-A 단면을 나타낸 단면도.
도 4 는 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 2 실시예를 나타낸 사시도.
도 5 는 도 4의 제 2 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 B-B 단면을 나타낸 단면도.
도 6 은 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 3 실시예를 나타낸 사시도.
도 7 은 도 6의 제 3 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 C-C 단면을 나타낸 단면도.
도 8 은 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 4 실시예를 나타낸 사시도.
도 9 는 도 8의 제 4 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 D-D 단면을 나타낸 단면도.
도 10 은 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 5 실시예를 나타낸 사시도.
도 11 은 도 10의 제 5 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 E-E 단면을 나타낸 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
(제 1 실시예)
도 2는 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 1 실시예를 나타낸 사시도이고, 도 3은 도 2의 제 1 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 A-A 단면을 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지(100a)는 봉지재(170)의 몰딩과정 또는 몰딩 후 경화과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 차단할 수 있도록 상기 엘이디 패키지(100a)의 캐비티(160) 상에 넘침 방지부(200)를 설치하여 구성된다.
상기 엘이디 패키지(100a)는 제 1 전극(120)과 제 2 전극(130)이 설치된 기판(110) 상에 LED 칩(140)이 실장되고, 상기 LED 칩(140)이 제 1 및 제 2 전극(120, 130)과 와이어(150)로 연결되며, 상기 기판(110)의 상부에 설치되어 상기 LED 칩(140)의 주위에 리플렉터(161)를 형성하는 캐비티(160)와, 상기 LED 칩(140)과 와이어(150)를 보호하도록 상기 캐비티(160)의 내측에 몰딩되는 봉지재(170)를 포함한다.
상기 넘침 방지부(200)는 엘이디 패키지(100a)를 제조하는 과정에서 봉지재(170)를 캐비티(160)의 내측에 위치한 리플렉터(161)에 주입 과정 또는 상기 리플렉터(161)에 주입된 봉지재(170)를 경화 과정 중에 상기 봉지재(170)가 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부로 넘치거나 또는 손실되는 것을 방지하는 구성으로서, 상기 봉지재(170)가 몰딩되는 캐비티(160)의 상면 전체에 도포된 소수성의 코팅재이다.
즉 상기 넘침 방지부(200)는 캐비티(160) 상에서 봉지재(170)가 몰딩되는 캐비티(160)의 리플렉터(161) 영역을 제외한 상기 캐비티(160)의 상면 나머지 영역에 도포된다.
또한, 상기 넘침 방지부(200)를 구성하는 소수성의 코팅재는 접촉각(R)이 적어도 76.8°이상을 갖는 소수성 코팅재가 도포되고, 상기 소수성의 코팅재는 태프론, 실크 잉크, 프라이머 중 적어도 하나의 재료가 사용되며, 상기 소수성 코팅재는 상기된 재료에 한정되는 것은 아니다.
즉 캐비티(160)의 상면에 소수성의 코팅재를 도포함으로써, 엘이디 패키지(100a)의 캐비티(160) 상면이 낮은 표면 에너지를 갖도록 하여 상기 소수성의 코팅재를 도포한 면에서는 봉지재(170)의 반발력이 증가될 수 있게 함으로써, 봉지재(170)의 퍼짐성을 감소시켜 상기 봉지재(170)를 캐비티(160)의 리플렉터(161)에 몰딩 과정 또는 상기 봉지재(170)의 몰딩 후 경화 과정에서 봉지재(170)가 리플렉터161)로부터 넘치는 것(Overflow)을 방지될 수 있게 한다.
또한, 상기 넘침 방지부(200)의 소수성 코팅재는 스프레이 분사, 스크린 코팅, 스탬핑 중 어느 하나를 통해 캐비티(160)의 상면에 도포되어 코팅되도록 한다.
따라서, 엘이디 패키지의 표면에 봉지재의 손실을 방지하는 넘침 방지 구조를 설치하여 봉지재(170)를 캐비티(160)의 내측에 위치한 리플렉터(161)에 주입 과정 또는 상기 리플렉터(161)에 주입된 봉지재(170)를 경화 과정 중에 상기 봉지재(170)가 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부로 넘치거나 또는 손실되는 것을 방지하여 봉지재(170)의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 개선할 수 있게 된다.
(제 2 실시예)
도 4는 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 2 실시예를 나타낸 사시도이고, 도 5는 도 4의 제 2 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지(100b)는 봉지재(170)를 몰딩과정 또는 몰딩 후 경화과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 차단할 수 있도록 상기 엘이디 패키지(100b)의 캐비티(160) 상에 링 형상의 넘침 방지부(300)를 설치하여 구성된다.
상기 엘이디 패키지(100b)는 제 1 전극(120)과 제 2 전극(130)이 설치된 기판(110) 상에 LED 칩(140)이 실장되고, 상기 LED 칩(140)이 제 1 및 제 2 전극(120, 130)과 와이어(150)로 연결되며, 상기 기판(110)의 상부에 설치되어 상기 LED 칩(140)의 주위에 리플렉터(161)를 형성하는 캐비티(160)와, 상기 LED 칩(140)과 와이어(150)를 보호하도록 상기 캐비티(160)의 내측에 몰딩되는 봉지재(170)를 포함한다.
상기 넘침 방지부(300)는 엘이디 패키지(100b)를 제조하는 과정에서 봉지재(170)가 몰딩되는 캐비티(160)의 상단 일부에 링 형상으로 도포되는 소수성의 코팅재로서, 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부 경계에 소정의 폭을 형성한 링 형상으로 도포된다.
또한, 상기 넘침 방지부(300)를 구성하는 소수성의 코팅재는 접촉각(R)이 적어도 76.8°이상을 갖는 소수성 코팅재가 도포되고, 상기 소수성의 코팅재는 태프론, 실크 잉크, 프라이머 중 적어도 하나의 재료가 사용되며, 상기 소수성 코팅재는 상기된 재료에 한정되는 것은 아니다.
상기 캐비티(160)의 상면에 소수성의 코팅재를 도포함으로써, 엘이디 패키지(100b)의 캐비티(160) 상면이 낮은 표면 에너지를 갖도록 하여 상기 소수성의 코팅재를 도포한 면에서는 봉지재(170)의 반발력이 증가될 수 있게 함으로써, 봉지재(170)의 퍼짐성을 감소시켜 상기 봉지재(170)를 캐비티(160)의 내측에 위치한 리플렉터(161)에 주입 과정 또는 상기 리플렉터(161)에 주입된 봉지재(170)를 경화 과정 중에 상기 봉지재(170)가 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부로 넘치거나 또는 손실되는 것을 방지할 수 있게 한다.
또한, 상기 넘침 방지부(300)의 소수성 코팅재는 스프레이 분사, 스크린 코팅, 스탬핑 중 어느 하나를 통해 기판(110)의 상면에 도포하여 코팅되도록 한다.
따라서, 엘이디 패키지의 표면에 봉지재의 손실을 방지하는 넘침 방지 구조를 설치하여 봉지재의 몰딩과정 또는 몰딩 후 경화과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 개선할 수 있게 된다.
(제 3 실시예)
도 6은 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 3 실시예를 나타낸 사시도이고, 도 7은 도 6의 제 3 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지(100c)는 봉지재(170)의 몰딩과정 또는 몰딩 후 경화과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 차단할 수 있도록 상기 엘이디 패키지(100c)의 기판(110) 상에 링 형상의 넘침 방지부(400)를 설치하여 구성된다.
상기 엘이디 패키지(100c)는 제 1 전극(120)과 제 2 전극(130)이 설치된 기판(110) 상에 LED 칩(140)이 실장되고, 상기 LED 칩(140)이 제 1 및 제 2 전극(120, 130)과 와이어(150)로 연결되며, 상기 기판(110)의 상부에 설치되어 상기 LED 칩(140)의 주위에 리플렉터(161)를 형성하는 캐비티(160)와, 상기 LED 칩(140)과 와이어(150)를 보호하도록 상기 캐비티(160)의 내측에 몰딩되는 봉지재(170)를 포함한다.
상기 넘침 방지부(400)는 엘이디 패키지(100c)를 제조하는 과정에서 봉지재(170)가 몰딩되는 캐비티(160)의 상면 일부에 링 형상으로 도포되는 소수성의 코팅재로서, 봉지재(170)가 몰딩되는 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부로부터 일정 거리(d) 이격되어 소정의 두께를 형성한 링 형상으로 도포된다.
또한, 상기 넘침 방지부(400)를 구성하는 소수성의 코팅재는 접촉각이 적어도 76.8°이상의 소수성 코팅재가 도포되고, 상기 소수성의 코팅재는 태프론, 실크 잉크, 프라이머 중 적어도 하나의 재료가 스프레이 분사, 스크린 코팅, 스탬핑 중 어느 하나의 방법을 통해 캐비티(160)의 상면에 코팅되며, 상기 소수성 코팅재는 상기된 재료에 한정되는 것은 아니다.
따라서, 상기 캐비티(160)의 상면에 소수성의 코팅재를 도포함으로써, 엘이디 패키지(100c)의 캐비티(160) 상면이 낮은 표면 에너지를 갖도록 하여 상기 소수성의 코팅재를 도포한 면에서는 봉지재(170)의 반발력이 증가될 수 있게 하고, 봉지재(170)의 넘침이 발생하여 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부를 벗어나도 넘침 방지부(400)에서 차단하여 상기 봉지재(170)를 캐비티(160)의 내측에 위치한 리플렉터(161)에 주입 과정 또는 상기 리플렉터(161)에 주입된 봉지재(170)를 경화 과정 중에 상기 봉지재(170)가 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부로 넘쳐 오버플로우(Overflow) 되거나 또는 손실되는 것을 방지할 수 있게 한다.
(제 4 실시예)
도 8은 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 4 실시예를 나타낸 사시도이고, 도 9는 도 8의 제 4 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지(100d)는 봉지재(170)의 몰딩과정 또는 몰딩 후 경화과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 차단할 수 있도록 상기 엘이디 패키지(100d)의 캐비티(160) 상에 일정 높이로 돌출된 넘침 방지부(500)를 포함하여 구성된다.
상기 엘이디 패키지(100d)는 제 1 전극(120)과 제 2 전극(130)이 설치된 기판(110) 상에 LED 칩(140)이 실장되고, 상기 LED 칩(140)이 제 1 및 제 2 전극(120, 130)과 와이어(150)로 연결되며, 상기 기판(110)의 상부에 설치되어 상기 LED 칩(140)의 주위에 리플렉터(161)를 형성하는 캐비티(160)와, 상기 LED 칩(140)과 와이어(150)를 보호하도록 상기 캐비티(160)의 내측에 몰딩되는 봉지재(170)를 포함한다.
상기 넘침 방지부(500)는 엘이디 패키지(100d)의 캐비티(160) 상면에 설치되어 봉지재(170)가 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 외부로 손실되거나 넘치는 것을 방지하는 구성으로서, 링 형상의 오름각(양각) 부재 또는 상기 캐비티(160)의 상면에 돌출되도록 실리콘 또는 실크 잉크가 일정 두께로 분사된 댐(Dam) 형상의 부재이고, 상기 넘침 방지부(500)는 봉지재(170)가 몰딩되는 캐비티(160) 상의 리플렉터(161) 상단부 경계에 설치된다.
따라서, 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부 경계에 일정 높이를 갖는 오름각 부재 또는 댐을 설치하여, 엘이디 패키지(100d)의 상기 봉지재(170)를 캐비티(160)의 내측에 위치한 리플렉터(161)에 주입 과정 또는 상기 리플렉터(161)에 주입된 봉지재(170)를 경화 과정 중에 상기 봉지재(170)가 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부로 넘쳐 오버플로우(Overflow) 되거나 또는 손실되는 것을 방지할 수 있게 한다.
(제 5 실시예)
도 10은 본 발명에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 제 5 실시예를 나타낸 사시도이고, 도 11은 도 10의 제 5 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 10 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지(100e)는 봉지재(170)의 몰딩 과정 또는 몰딩 후 경화 과정에 봉지재의 넘침으로 인한 엘이디 패키지의 광특성 및 공정 장애 발생을 차단할 수 있도록 상기 엘이디 패키지(100e)의 캐비티(160) 상에 일정 높이로 돌출된 넘침 방지부(600)를 포함하여 구성된다.
상기 엘이디 패키지(100e)는 제 1 전극(120)과 제 2 전극(130)이 설치된 기판(110) 상에 LED 칩(140)이 실장되고, 상기 LED 칩(140)이 제 1 및 제 2 전극(120, 130)과 와이어(150)로 연결되며, 상기 기판(110)의 상부에 설치되어 상기 LED 칩(140)의 주위에 리플렉터(161)를 형성하는 캐비티(160)와, 상기 LED 칩(140)과 와이어(150)를 보호하도록 상기 캐비티(160)의 내측에 몰딩되는 봉지재(170)를 포함한다.
상기 넘침 방지부(600)는 엘이디 패키지(100e)의 캐비티(160) 상면에 설치되어 봉지재(170)가 캐비티(160)의 리플렉터(161)로부터 넘치거나 또는 넘쳐서 손실되는 것을 방지하는 구성으로서, 링 형상의 오름각(양각) 부재 또는 상기 캐비티(160)의 상면에 돌출되도록 실리콘 또는 실크 잉크가 일정 두께로 분사된 댐(Dam) 형상의 부재이고, 상기 넘침 방지부(600)는 봉지재(170)가 몰딩되는 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부 경계로부터 일정 거리(d) 이격되어 설치된다.
따라서, 상기 캐비티(110)의 상면에 일정 높이를 갖는 오름각 부재 또는 댐을 설치하여, 엘이디 패키지(100e)의 봉지재(170)를 캐비티(160)의 내측에 위치한 리플렉터(161)에 주입 과정 또는 상기 리플렉터(161)에 주입된 봉지재(170)를 경화 과정 중에 상기 봉지재(170)가 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부로 넘쳐 오버플로우(Overflow) 되거나 또는 손실되는 것을 방지할 수 있게 한다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예를 설명하는 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있으며, 상술된 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
100a, 100b, 100c, 100d, 100e : 엘이디 패키지
110 : 기판
120 : 제 1 전극
130 : 제 2 전극
140 : LED 칩
150 : 와이어
160 : 캐비티
161 : 리플렉터
170 : 봉지재
200, 300, 400, 500, 600 : 넘침 방지부

Claims (9)

  1. 제 1 전극(120)과 제 2 전극(130)이 설치된 기판(110) 상에 LED 칩(140)이 실장되고, 상기 LED 칩(140)이 제 1 및 제 2 전극(120, 130)과 와이어(150)로 연결되며, 상기 기판(110)의 상부에 설치되어 상기 LED 칩(140)의 주위에 리플렉터(161)를 형성하는 캐비티(160)와, 상기 LED 칩(140)과 와이어(150)를 보호하도록 상기 캐비티(160)의 내측에 몰딩되는 봉지재(170)를 구비한 엘이디 패키지에 있어서,
    상기 캐비티(160)의 상면에 설치되어 상기 봉지재(170)의 주입 과정 또는 경화 과정에서 상기 봉지재(170)가 상기 캐비티(160)로부터 넘쳐 봉지재(170)의 손실이나 넘침을 방지하는 넘침 방지부(500, 600)를 포함하고,
    상기 넘침 방지부(500, 600)는 상기 캐비티(160)로부터 일정 높이 돌출되도록 실리콘, 실크 잉크 중 적어도 하나를 일정 두께로 분사하여 형성한 댐(Dam)인 것을 특징으로 하는 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 실크 잉크는 접촉각이 적어도 76.8°이상인 것을 특징으로 하는 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 넘침 방지부(500, 600)는 상기 캐비티(160)의 리플렉터(161) 상단부 주변 또는 상기 리플렉터(161)의 상단부로부터 일정거리 이격되어 링 형상으로 형성한 것을 특징으로 하는 봉지재 넘침 방지 구조를 갖는 엘이디 패키지.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100007605U (ko) * 2009-01-19 2010-07-28 주식회사 파워라이텍 균일한 수지표면을 형성한 발광다이오드 패키지
JP2010171424A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオードパッケージ構造
KR20100093949A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지
KR20130029544A (ko) * 2011-09-15 2013-03-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 시스템

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100007605U (ko) * 2009-01-19 2010-07-28 주식회사 파워라이텍 균일한 수지표면을 형성한 발광다이오드 패키지
JP2010171424A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 発光ダイオードパッケージ構造
KR20100093949A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지
KR20130029544A (ko) * 2011-09-15 2013-03-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 시스템

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