KR101466978B1 - Organic Light Emitting Display - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판 상에 매트릭스형태로 배치된 다수의 서브 픽셀을 포함하는 표시부; 표시부의 외곽에 위치하며 외부장치와 전기적으로 연결되는 패드부; 패드부를 통해 공급된 양의 전원을 다수의 서브 픽셀에 공급하도록 패드부가 위치하는 영역과 인접하여 제1방향으로 배선된 메인전원배선; 메인전원배선에 연결되어 제1방향과 다른 제2방향으로 분할되어 배선된 분할전원배선; 및 분할전원배선에 연결되어 제1방향으로 배선된 서브전원배선을 포함하되, 메인전원배선의 폭은 분할전원배선 및 서브전원배선의 폭보다 넓고, 서브전원배선의 폭은 분할전원배선의 폭보다 넓은 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention provides a display device comprising: a display unit including a plurality of subpixels arranged in a matrix on a substrate; A pad portion which is located at an outer periphery of the display portion and is electrically connected to the external device; A main power supply wiring arranged in a first direction adjacent to a region where the pad portion is located to supply a positive power supplied through the pad portion to a plurality of subpixels; A divided power supply line connected to the main power supply line and divided in a second direction different from the first direction; And a sub power supply wiring connected to the divided power supply wiring in a first direction, wherein the width of the main power supply wiring is wider than the width of the divided power supply wiring and the sub power supply wiring, and the width of the sub power supply wiring is larger than the width of the divided power supply wiring A wide organic electroluminescent display device is provided.

유기전계발광표시장치, 배선, 전원 Organic electroluminescent display device, wiring, power source

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display,

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.An organic electroluminescent device used in an organic electroluminescent display device is a self-luminous device in which a light emitting layer is formed between two electrodes.

유기전계발광소자는 구동방식에 따라 수동매트릭스형 유기전계발광소자(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode: PMOELD)와 능동매트릭스형 유기전계발광소자(Active Matrix Organic Light Emitting Diode : AMOELD)로 구분된다.The organic electroluminescent device is classified into a passive matrix organic light emitting diode (PMOELD) and an active matrix organic light emitting diode (AMOELD) according to a driving method.

이러한 유기전계발광표시장치는 표시부 내에 다수의 서브 픽셀이 매트릭스형태로 배치되어 있다. 다수의 서브 픽셀은 외부장치로부터 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원을 공급받아 발광하게 됨으로써 영상을 표현할 수 있다.In such an organic light emitting display device, a plurality of subpixels are arranged in a matrix form in a display portion. The plurality of subpixels emit light by receiving a scan signal, a data signal, and a power source from an external device, thereby displaying an image.

한편, 종래 유기전계발광표시장치에 공급되는 전원은 전원배선의 저항에 의한 전류 또는 전압 강하가 발생하여 전원배선을 통해 공급되는 전원에 편차가 발생하였다. 이와 같이 전원에 편차가 발생하게 되면 표시품질이 떨어지게 되므로 이의 개선이 요구된다.On the other hand, in the power source supplied to the organic light emitting display device, a current or a voltage drop due to the resistance of the power source wiring occurs, and a power source supplied through the power source wiring has a deviation. If a deviation occurs in the power source as described above, the display quality is degraded, and improvement thereof is required.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 표시품질을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of improving display quality.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 기판 상에 매트릭스형태로 배치된 다수의 서브 픽셀을 포함하는 표시부; 표시부의 외곽에 위치하며 외부장치와 전기적으로 연결되는 패드부; 패드부를 통해 공급된 양의 전원을 다수의 서브 픽셀에 공급하도록 패드부가 위치하는 영역과 인접하여 제1방향으로 배선된 메인전원배선; 메인전원배선에 연결되어 제1방향과 다른 제2방향으로 분할되어 배선된 분할전원배선; 및 분할전원배선에 연결되어 제1방향으로 배선된 서브전원배선을 포함하되, 메인전원배선의 폭은 분할전원배선 및 서브전원배선의 폭보다 넓고, 서브전원배선의 폭은 분할전원배선의 폭보다 넓은 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device comprising: a display unit including a plurality of subpixels arranged in a matrix on a substrate; A pad portion which is located at an outer periphery of the display portion and is electrically connected to the external device; A main power supply wiring arranged in a first direction adjacent to a region where the pad portion is located to supply a positive power supplied through the pad portion to a plurality of subpixels; A divided power supply line connected to the main power supply line and divided in a second direction different from the first direction; And a sub power supply wiring connected to the divided power supply wiring in a first direction, wherein the width of the main power supply wiring is wider than the width of the divided power supply wiring and the sub power supply wiring, and the width of the sub power supply wiring is larger than the width of the divided power supply wiring A wide organic electroluminescent display device is provided.

서브전원배선은, 메인전원배선과 대향하는 영역에 위치할 수 있다.The sub power supply wiring may be located in a region facing the main power supply wiring.

분할전원배선은, 다수의 서브 픽셀에 각각 연결될 수 있다.The divided power supply lines may be connected to a plurality of subpixels, respectively.

분할전원배선에 연결되어 다수의 서브 픽셀 사이를 지나도록 위치하는 하나 이상의 연결전원배선을 포함할 수 있다.And one or more connection power supply lines connected to the divided power supply lines and positioned to pass between the plurality of subpixels.

하나 이상의 연결전원배선의 폭은, 서브전원배선의 폭보다 좁을 수 있다.The width of one or more connection power supply lines may be narrower than the width of sub power supply lines.

하나 이상의 연결전원배선의 폭은, 메인전원배선과 인접하는 영역에 위치할수록 넓고 서브전원배선과 인접하는 영역에 위치할수록 좁을 수 있다.The width of the one or more connection power supply wirings may be narrower as they are located in the region adjacent to the main power supply wiring and located in the region adjacent to the sub power supply wiring.

하나 이상의 연결전원배선은, 다수의 서브 픽셀에 각각 연결될 수 있다.The one or more connection power lines may be connected to the plurality of subpixels, respectively.

한편, 다른 측면에서 본 발명은, 기판 상에 매트릭스형태로 배치되며 서로 다른 색을 발광하는 3개 이상의 서브 픽셀을 포함하는 표시부; 표시부의 외곽에 위치하며 외부장치와 전기적으로 연결되는 패드부; 패드부를 통해 공급된 양의 전원을 3개 이상의 서브 픽셀에 각각 공급하도록 패드부가 위치하는 영역과 인접하여 제1방향으로 분할되어 배선된 제1, 제2 및 제3메인전원배선; 제1, 제2 및 제3메인전원배선에 각각 연결되어 제1방향과 다른 제2방향으로 배선된 제1, 제2 및 제3분할전원배선; 및 제1, 제2 및 제3분할전원배선에 각각 연결되어 제1방향으로 분할되어 배선된 제1, 제2 및 제3서브전원배선을 포함하되, 제1, 제2 및 제3메인전원배선의 폭은 제1, 제2 및 제3분할전원배선 및 제1, 제2 및 제3서브전원배선의 폭보다 넓고, 제1, 제2 및 제3서브전원배선의 폭은 제1, 제2 및 제3분할전원배선의 폭보다 넓은 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a display device comprising: a display unit arranged on a substrate in a matrix form and including three or more subpixels emitting different colors; A pad portion which is located at an outer periphery of the display portion and is electrically connected to the external device; First, second and third main power supply wirings divided and arranged in a first direction adjacent to a region where the pad portion is positioned to supply a positive power supplied through the pad portion to three or more subpixels, respectively; First, second and third divided power supply lines respectively connected to the first, second and third main power supply wirings and wired in a second direction different from the first direction; And first, second, and third sub power supply wirings connected to the first, second, and third divided power supply wirings and divided and wired in a first direction, wherein the first, second, and third main power supply wirings Second, and third sub power supply wirings are wider than the widths of the first, second and third sub power supply wirings and the first, second, and third sub power supply wirings, and the widths of the first, And the width of the third divided power supply wiring.

제1, 제2 및 제3서브전원배선은, 제1, 제2 및 제3메인전원배선과 대향하는 영역에 각각 구분되어 위치할 수 있다.The first, second, and third sub power supply wirings may be separately located in regions facing the first, second, and third main power supply wirings.

제1, 제2 및 제3분할전원배선은, 3개 이상의 서브 픽셀에 각각 연결될 수 있다.The first, second and third divided power supply lines may be connected to three or more subpixels, respectively.

제1, 제2 및 제3분할전원배선에 연결되어 3개 이상의 서브 픽셀 사이를 구분하여 지나도록 위치하는 제1, 제2 및 제3연결전원배선을 포함할 수 있다.Second, and third connection power supply wirings connected to the first, second, and third divided power supply wirings and positioned so as to pass between the three or more subpixels.

제1, 제2 및 제3연결전원배선의 폭은, 제1, 제2 및 제3서브전원배선의 폭보다 좁을 수 있다.The widths of the first, second and third connection power supply wirings may be narrower than the widths of the first, second and third sub power supply wirings.

제1, 제2 및 제3연결전원배선의 폭은, 제1, 제2 및 제3메인전원배선과 인접하는 영역에 위치할수록 넓고 제1, 제2 및 제3서브전원배선과 인접하는 영역에 위치할수록 좁을 수 있다.The widths of the first, second and third connection power supply wirings are set so as to be larger in a region adjacent to the first, second and third main power supply wirings and in a region adjacent to the first, The closer it is located, the narrower it can be.

제1, 제2 및 제3연결전원배선은, 3개 이상의 서브 픽셀에 각각 구분되어 연결될 수 있다.The first, second, and third connection power supply wirings may be separately connected to three or more subpixels.

3개 이상의 서브 픽셀은, 적색, 청색 및 녹색 서브 픽셀을 포함할 수 있다.The three or more subpixels may include red, blue, and green subpixels.

본 발명은, 유기전계발광표시장치의 전원배선 구조를 달리하여 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 특정 영역에서 전류 또는 전압 강하가 발생하는 문제를 개선할 수 있는 효과가 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has the effect of improving display quality by varying the power wiring structure of an organic light emitting display device. Further, there is an effect that the problem of current or voltage drop occurring in a specific region can be improved.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 유기전계발광표시장치의 평면 예시도 이다.1A is a plan view of an organic light emitting display device.

도 1a에 도시된 유기전계발광표시장치는 기판(110) 상에 매트릭스형태로 배치된 다수의 서브 픽셀(P)을 포함하는 표시부(120)가 위치할 수 있다. 다수의 서브 픽셀(P)은 서로 다른 색을 발광하는 3개 이상의 서브 픽셀을 포함할 수 있다. 여기서, 서로 다른 색을 발광하는 3개 이상의 서브 픽셀은 적색, 녹색 및 청색을 포함할 수 있으나 백색 또는 주황색 등을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting display shown in FIG. 1A may include a display unit 120 including a plurality of subpixels P arranged in a matrix form on a substrate 110. The plurality of subpixels P may include three or more subpixels emitting different colors. Here, three or more sub-pixels emitting different colors may include red, green, and blue, but may further include white or orange.

표시부(120)에 배치된 서브 픽셀(P)은 수분이나 산소 등에 취약하므로 기판(110)에 접착부재(140)를 형성하고 밀봉 기판(130)으로 밀봉할 수 있다.The sub pixel P disposed on the display unit 120 is susceptible to moisture or oxygen, so that the adhesive member 140 can be formed on the substrate 110 and sealed with the sealing substrate 130.

한편, 표시부(120)가 위치하는 기판(110)의 외곽에는 패드부(150)가 위치할 수 있다. 패드부(150)는 미도시된 외부장치와 전기적으로 연결될 수 있다. 외부장치는 패드부(150)를 통해 표시부(120)에 배치된 서브 픽셀(P)에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등을 공급할 수 있다. 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등을 공급받은 서브 픽셀(P)은 선택적으로 발광할 수 있다.On the other hand, the pad unit 150 may be positioned on the outer side of the substrate 110 on which the display unit 120 is located. The pad unit 150 may be electrically connected to an external device (not shown). The external device can supply a scan signal, a data signal, a power source, and the like to the subpixel P disposed on the display unit 120 through the pad unit 150. The subpixel P receiving a scan signal, a data signal, and a power supply can selectively emit light.

이하, 도 1a에 위치하는 서브 픽셀의 구조에 대해 도 1b를 참조하여 더욱 자세히 한다.Hereinafter, the structure of the sub-pixel located in FIG. 1A will be described in more detail with reference to FIG. 1B.

도 1b는 도 1a에 위치하는 서브 픽셀의 예시도 이다.Figure 1B is an illustration of a sub-pixel located in Figure 1A.

도 1b를 참조하면, 기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용할 수 있다.Referring to FIG. 1B, a buffer layer 111 may be disposed on the substrate 110. The buffer layer 111 may be formed to protect a thin film transistor formed in a subsequent process from an impurity such as an alkali ion or the like flowing out from the substrate 110. The buffer layer 111 may be made of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x), or the like.

버퍼층(111) 상에는 반도체층(112)이 위치할 수 있다. 반도체층(112)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 반도체층(112)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있 다.The semiconductor layer 112 may be located on the buffer layer 111. The semiconductor layer 112 may comprise amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. Although not shown here, the semiconductor layer 112 may include a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be doped with P-type or N-type impurities.

반도체층(112)을 포함하는 기판(110) 상에는 게이트 절연막(113)이 위치할 수 있다. 게이트 절연막(113)은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다.A gate insulating layer 113 may be disposed on the substrate 110 including the semiconductor layer 112. The gate insulating film 113 can be selectively formed using silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x), or the like.

반도체층(112)의 일정 영역인 채널 영역에 대응되도록 게이트 절연막(113) 상에 게이트 전극(114)이 위치할 수 있다. 게이트 전극(114)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 티타늄(Ti), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 텅스텐 실리사이드(WSi2) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The gate electrode 114 may be positioned on the gate insulating layer 113 to correspond to a channel region which is a predetermined region of the semiconductor layer 112. Gate electrode 114 is made of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), titanium (Ti), silver (Ag), molybdenum (Mo), molybdenum alloy (Mo alloy), tungsten (W), tungsten silicide (WSi 2 ). ≪ / RTI >

게이트 전극(114)을 포함한 기판(110) 상에 층간절연막(115)이 위치할 수 있다. 층간절연막(115)은 유기막 또는 무기막일 수 있으며, 이들의 복합막일 수도 있다.The interlayer insulating film 115 may be positioned on the substrate 110 including the gate electrode 114. [ The interlayer insulating film 115 may be an organic film or an inorganic film, or a composite film thereof.

층간절연막(115)이 무기막인 경우 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 SOG(silicate on glass)를 포함할 수 있다. 반면, 유기막인 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지를 포함할 수 있다. 층간절연막(115) 및 게이트 절연막(113) 내에는 반도체층(112)의 일부를 노출시키는 제 1 및 제 2 콘택홀(115a, 115b)이 위치할 수 있다.When the interlayer insulating film 115 is an inorganic film, it may include silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or silicate on glass (SOG). On the other hand, an organic film may include an acrylic resin, a polyimide resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin. The first and second contact holes 115a and 115b for exposing a part of the semiconductor layer 112 may be disposed in the interlayer insulating film 115 and the gate insulating film 113. [

층간절연막(115) 상에는 제1전극(116a)이 위치할 수 있다. 제1전극(116a)은 애노드일 수 있으며 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전층을 포함할 수 있고, 제1전극(116a)은 ITO/Ag/ITO와 같은 적층구조를 가 질 수 있다.The first electrode 116a may be located on the interlayer insulating film 115. [ The first electrode 116a may be an anode and may include a transparent conductive layer such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), and the first electrode 116a may include a layered structure such as ITO / Ag / ITO Lt; / RTI >

층간절연막(115) 상에는 소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)이 위치할 수 있다. 소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)은 제1 및 제 2 콘택홀(115a, 115b)을 통하여 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 드레인 전극(116c)의 일부는 제1전극(116a) 상에 위치하여, 제1전극(116a)과 전기적으로 연결될 수 있다.Source and drain electrodes 116b and 116c may be located on the interlayer insulating film 115. [ The source and drain electrodes 116b and 116c may be electrically connected to the semiconductor layer 112 through the first and second contact holes 115a and 115b. A part of the drain electrode 116c may be located on the first electrode 116a and may be electrically connected to the first electrode 116a.

소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)은 배선 저항을 낮추기 위해 저저항 물질을 포함할 수 있다. 소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)은, 몰리브덴(Mo), 몰리 텅스텐(MoW), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)으로 이루어진 단층 또는 다층막일 수 있다. 다층막일 경우, 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti) 또는 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 또는 몰리 텅스텐/알루미늄/몰리 텅스텐(MoW/Al/MoW)의 적층구조가 사용될 수 있다. 그러나, 다층막일 경우의 적층구조는 이에 한정되진 않는다.The source and drain electrodes 116b and 116c may include a low-resistance material for lowering the wiring resistance. The source and drain electrodes 116b and 116c may be a single layer or a multilayer film made of molybdenum (Mo), molybdenum tungsten (MoW), titanium (Ti), aluminum (Al), or aluminum alloy. In the case of a multilayer film, a laminated structure of titanium / aluminum / titanium (Ti / Al / Ti) or molybdenum / aluminum / molybdenum (Mo / Al / Mo) or molybdenum tungsten / aluminum / molybdenum have. However, the laminated structure in the case of the multilayer film is not limited thereto.

이상 기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터는 게이트 전극(114), 소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)을 포함하고 다수의 트랜지스터 및 커패시터를 갖는 트랜지스터 어레이는 이하의 유기 발광다이오드와 전기적으로 연결될 수 있다. (단, 커패시터의 구조는 생략되었음)The transistor located on the substrate 110 includes the gate electrode 114, the source and drain electrodes 116b and 116c, and the transistor array having a plurality of transistors and capacitors can be electrically connected to the following organic light emitting diodes have. (However, the structure of the capacitor is omitted)

제1전극(116a)(예: 애노드) 상에는 제1전극(116a)의 일부를 노출시키는 절연막(117)이 위치할 수 있다. 절연막(117)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기 물을 포함할 수 있다.An insulating film 117 that exposes a part of the first electrode 116a may be disposed on the first electrode 116a (e.g., an anode). The insulating film 117 may include an organic material such as a benzocyclobutene (BCB) resin, an acrylic resin, or a polyimide resin.

노출된 제1전극(116a) 상에는 유기발광층(118)이 위치하고 유기발광층(118) 상에는 제2전극(119)(예: 캐소드)이 위치할 수 있다. 제2전극(119)은 유기발광층(118)에 전자를 공급하는 캐소드일 수 있으며, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The organic light emitting layer 118 may be disposed on the exposed first electrode 116a and the second electrode 119 may be disposed on the organic light emitting layer 118. [ The second electrode 119 may be a cathode that supplies electrons to the organic light emitting layer 118 and may include magnesium (Mg), silver (Ag), calcium (Ca), aluminum (Al) .

이상 기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터 어레이의 소오스 전극 또는 드레인 전극(116b, 116c)에 연결된 유기 발광다이오드는 제1전극(116a), 유기발광층(118) 및 제2전극(119)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode connected to the source or drain electrodes 116b and 116c of the transistor array on the substrate 110 includes the first electrode 116a, the organic light emitting layer 118, and the second electrode 119 .

단, 트랜지스터 어레이의 소오스 전극 또는 드레인 전극(116b, 116c) 상에 위치하는 제1전극(116a)은 트랜지스터 어레이의 표면을 평탄화하는 평탄화막 상에 위치할 수도 있다. 또한, 트랜지스터 어레이의 구조는 탑 게이트 인지 또는 바탐 게이트 인지에 따라 구조가 달라질 수도 있다. 또한, 트랜지스터 어레이를 형성할 때 사용되는 마스크의 개수와 반도층 재료에 따라서도 이들의 구조가 달리질 수도 있다. 따라서, 서브 픽셀의 구조는 이에 한정되지는 않는다.However, the first electrode 116a located on the source or drain electrodes 116b and 116c of the transistor array may be located on the planarization film for planarizing the surface of the transistor array. Further, the structure of the transistor array may be different depending on whether it is a top gate or a batam gate. These structures may also vary depending on the number of masks used in forming the transistor array and the semiconductive layer material. Therefore, the structure of the subpixel is not limited thereto.

다시 도 1a를 참조하면, 앞서 설명한 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원은 각각 스캔 배선, 데이터 배선 및 전원배선을 통해 다수의 서브 픽셀(P)에 공급될 수 있다. 여기서, 전원배선은 전류 또는 전압 강하 문제를 개선할 수 있도록 하기와 같이 다양한 구조를 가질 수 있음은 물론 위치와 목적에 따라 배선의 폭이 다를 수 있다.Referring again to FIG. 1A, the scan signal, the data signal, and the power source may be supplied to the plurality of subpixels P through a scan line, a data line, and a power line, respectively. Here, the power supply wiring may have various structures as described below to improve the current or voltage drop problem, and the width of the wiring may be different depending on the position and purpose.

<제1실시예>&Lt; Embodiment 1 >

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전원배선 구조도 이다. 도 2에 도시된 전원배선구조는 설명의 편의를 위해 개략적으로 도시하고, 서브 픽셀은 각각 R(적색),G(녹색),B(청색)로 도시한다.2 is a power supply wiring structure according to the first embodiment of the present invention. The power supply wiring structure shown in FIG. 2 is schematically shown for convenience of description, and subpixels are shown as R (red), G (green), and B (blue), respectively.

도 2를 참조하면, 메인전원배선(210)은 패드부(미도시)를 통해 공급된 양의 전원을 다수의 서브 픽셀(R,G,B)에 공급하도록 패드부(미도시)가 위치하는 영역과 인접하여 제1방향으로 배선될 수 있다. 또한, 분할전원배선(220)은 메인전원배선(210)에 연결되어 제1방향과 다른 제2방향으로 분할되어 배선될 수 있다. 또한, 서브전원배선(230)은 분할전원배선(220)에 연결되어 제1방향으로 배선될 수 있다.2, the main power supply line 210 includes a pad portion (not shown) for supplying a positive power supplied through a pad portion (not shown) to a plurality of sub pixels R, G and B And can be wired in the first direction adjacent to the region. The divided power supply line 220 may be connected to the main power supply line 210 and may be divided and wired in a second direction different from the first direction. Further, the sub power supply wiring 230 may be connected to the divided power supply wiring 220 and wired in the first direction.

여기서, 분할전원배선(220)은 다수의 서브 픽셀(P)에 각각 연결될 수 있다. 그리고, 서브전원배선(230)은 분할전원배선(220)에 연결되어 제1서브전원배선(230a)과 같이 메인전원배선(210)과 대향하는 영역에 위치할 수 있다. 그러나 서브전원배선(230)은 이에 한정되지 않고 제2서브전원배선(230b) 또는 제3서브전원배선(230c)과 같이 표시부(미도시) 내에서 선택적으로 위치할 수도 있다.Here, the divided power supply lines 220 may be connected to the plurality of sub-pixels P, respectively. The sub power supply wiring 230 may be connected to the divided power supply wiring 220 and may be located in a region facing the main power supply wiring 210 like the first sub power supply wiring 230a. However, the sub power supply wiring 230 is not limited to this and may be selectively located within the display portion (not shown) like the second sub power supply wiring 230b or the third sub power supply wiring 230c.

한편, 메인전원배선(210)의 폭은 분할전원배선(220) 및 서브전원배선(230)의 폭보다 넓고, 서브전원배선(230)의 폭은 분할전원배선(220)의 폭보다 넓게 형성될 수 있다. 그 이유는 외부장치로부터 공급된 전원이 메인전원배선(210)을 통해 분할전원배선(220) 및 서브전원배선(230) 등으로 분할되기 때문이다. 즉, 메인전원배선(210)으로 유입되는 전류 또는 전압 양이 가장 많기 때문이다.The width of the main power supply wiring 210 is larger than the width of the divided power supply wiring 220 and the sub power supply wiring 230 and the width of the sub power supply wiring 230 is formed wider than the width of the divided power supply wiring 220 . This is because the power supplied from the external device is divided into the divided power supply wiring 220 and the sub power supply wiring 230 through the main power supply wiring 210 and the like. That is, the amount of current or voltage flowing into the main power supply line 210 is the largest.

서브전원배선(230)의 폭이 분할전원배선(220)의 폭보다 넓게 형성되는 이유 는 분할전원배선(220)을 통해 유입되는 전류 또는 전압에 편차가 발생하지 않도록 표시부(미도시) 내의 특정 영역에서 보강해주는 역할을 하기 때문이다.The reason why the width of the sub power supply wiring 230 is formed to be wider than the width of the divided power supply wiring 220 is that the width of the sub power supply wiring 230 is wider than the width of the divided power supply wiring 220, As well.

<제2실시예>&Lt; Embodiment 2 >

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전원배선 구조도 이다. 도 3에 도시된 전원배선구조는 설명의 편의를 위해 개략적으로 도시하고, 서브 픽셀은 각각 R(적색),G(녹색),B(청색)로 도시한다. 그러나 서브 픽셀은 R,G,B 뿐만 아니라 W(백색)이나 기타 다른 색을 발광하는 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다.3 is a power supply wiring structure according to a second embodiment of the present invention. The power supply wiring structure shown in FIG. 3 is schematically shown for convenience of description, and subpixels are shown as R (red), G (green), and B (blue), respectively. However, the subpixel may further include not only R, G, and B but also subpixels that emit W (white) or other colors.

도 3을 참조하면, 메인전원배선(210)은 패드부(미도시)를 통해 공급된 양의 전원을 다수의 서브 픽셀(R,G,B)에 공급하도록 패드부(미도시)가 위치하는 영역과 인접하여 제1방향으로 배선될 수 있다. 또한, 분할전원배선(220)은 메인전원배선(210)에 연결되어 제1방향과 다른 제2방향으로 배선될 수 있다. 또한, 서브전원배선(230)은 분할전원배선(220)에 연결되어 제1방향으로 배선될 수 있다.3, the main power supply line 210 includes a pad portion (not shown) for supplying a positive power supplied through a pad portion (not shown) to a plurality of sub pixels R, G, and B And can be wired in the first direction adjacent to the region. Further, the divided power supply line 220 may be connected to the main power supply line 210 and may be wired in a second direction different from the first direction. Further, the sub power supply wiring 230 may be connected to the divided power supply wiring 220 and wired in the first direction.

여기서, 분할전원배선(220)은 다수의 서브 픽셀(P)에 각각 연결될 수 있다. 그리고, 서브전원배선(230)은 메인전원배선(210)과 대향하는 영역에 위치할 수 있다.Here, the divided power supply lines 220 may be connected to the plurality of sub-pixels P, respectively. The sub power supply wiring 230 may be located in a region facing the main power supply wiring 210.

한편, 메인전원배선(210)의 폭은 분할전원배선(220) 및 서브전원배선(230)의 폭보다 넓고, 서브전원배선(230)의 폭은 분할전원배선(220)의 폭보다 넓게 형성될 수 있다. 그 이유는 외부장치로부터 공급된 전원이 메인전원배선(210)을 통해 분할전원배선(220) 및 서브전원배선(230) 등으로 분할되기 때문이다. 즉, 메인전원배 선(210)으로 유입되는 전류 또는 전압 양이 가장 많기 때문이다.The width of the main power supply wiring 210 is larger than the width of the divided power supply wiring 220 and the sub power supply wiring 230 and the width of the sub power supply wiring 230 is formed wider than the width of the divided power supply wiring 220 . This is because the power supplied from the external device is divided into the divided power supply wiring 220 and the sub power supply wiring 230 through the main power supply wiring 210 and the like. That is, the amount of current or voltage flowing into the main power line 210 is the largest.

서브전원배선(230)의 폭이 분할전원배선(220)의 폭보다 넓게 형성되는 이유는 분할전원배선(220)을 통해 유입되는 전류 또는 전압에 편차가 발생하지 않도록 메인전원배선(210)의 반대편에서 보강하는 역할을 하기 때문이다.The width of the sub power supply wiring 230 is formed wider than the width of the divided power supply wiring 220 because the width of the sub power supply wiring 230 is set to be larger than the width of the divided power supply wiring 220, As well.

한편, 분할전원배선(220)에 연결되어 다수의 서브 픽셀(R,G,B) 사이를 지나도록 위치하는 하나 이상의 연결전원배선(240)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 연결전원배선(240)은 다수의 서브 픽셀(R,G,B)에 각각 연결될 수 있다.Meanwhile, one or more connection power supply wirings 240 connected to the divided power supply wirings 220 and positioned to pass between the plurality of subpixels R, G, and B may be included. One or more connection power supply wirings 240 may be connected to the plurality of sub-pixels R, G, and B, respectively.

여기서, 하나 이상의 연결전원배선(240)의 폭은 서브전원배선(230)의 폭보다 좁을 수 있다. 그 이유는 하나 이상의 연결전원배선(240)이 각 라인 사이에 위치하여 보강 배선 역할을 하기 때문이다.Here, the width of one or more connection power supply wirings 240 may be narrower than the width of the sub power supply wirings 230. This is because one or more connection power supply wirings 240 are positioned between the respective lines to serve as reinforcing wirings.

하나 이상의 연결전원배선(240)은 미시적으로는 각 라인에 위치하는 다수의 서브 픽셀(R,G,B)에 공급되는 전원 편차를 줄일 수 있도록 하고 거시적으로는 메인전원배선(210)을 통해 공급되는 전원이 표시부 전체에 동일하게 공급될 수 있도록 할 수 있다. 즉, 하나 이상의 연결전원배선(240)을 추가함으로써 전원배선이 그물형태를 갖도록 하여 특정 영역에서 전류 또는 전압 강하가 나타나지 않도록 전원배선을 보강할 수 있다.The one or more connection power supply lines 240 can reduce a power supply deviation to be supplied to a plurality of sub-pixels R, G, B microscopically located on each line and macroscopically supply power through the main power supply line 210 Can be supplied to the entire display unit in the same manner. That is, by adding one or more connection power supply wirings 240, the power supply wirings can be netted to reinforce the power supply wiring so that no current or voltage drop appears in a specific region.

여기서, 하나 이상의 연결전원배선(240)은 모두 동일한 폭을 갖도록 형성할 수 있다. 그러나, 하나 이상의 연결전원배선(240)의 폭은, 메인전원배선(210)과 인접하는 영역에 위치할수록 넓게 형성하고 서브전원배선(230)과 인접하는 영역에 위치할수록 좁게 형성할 수 있다. 이는, 배선의 폭이 동일한 조건 하에서 메인전원배 선(210)으로부터 먼 영역으로 갈수록 전류 또는 전압이 강하하게 되는 점을 고려한 것이다.Here, one or more connection power supply wirings 240 may all be formed to have the same width. However, the width of one or more connection power supply wirings 240 may be narrower as they are located in a region adjacent to the main power supply wiring 210, and may be located in a region adjacent to the sub power supply wiring 230. This takes into account the fact that the current or voltage is lowered from the main power source line 210 to the area farther from the main power source line 210 under the condition that the width of the wiring is the same.

그리고, 하나 이상의 연결전원배선(240)의 폭은 분할전원배선(220)의 폭보다 더 넓게 형성할 수 있다. 그 이유는, n번째 행에 위치하는 서브 픽셀들 간의 폭보다 n번째 행에 위치하는 서브 픽셀과 n+1번째 행에 위치하는 서브 픽셀 간의 폭이 더 넓게 형성되기 때문이다.The width of the one or more connection power supply wirings 240 may be larger than the width of the divided power supply wirings 220. The reason for this is that the width between the subpixel located in the nth row and the subpixel located in the (n + 1) th row is wider than the width between the subpixels located in the nth row.

그러나, 이는 n번째 행에 위치하는 서브 픽셀들 간의 폭 또는 n번째 행에 위치하는 서브 픽셀과 n+1번째 행에 위치하는 서브 픽셀 간의 폭에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 분할전원배선(220)의 폭은 하나 이상의 연결전원배선(240)의 폭보다 더 넓게 형성할 수도 있다.However, this may vary depending on the width between the subpixels located in the nth row or between the subpixel located in the nth row and the (n + 1) th row. Therefore, the width of the divided power supply wiring 220 may be formed to be wider than the width of the at least one connecting power supply wiring 240.

<제3실시예>&Lt; Third Embodiment >

도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 전원배선 구조도 이다. 도 4에 도시된 전원배선구조는 설명의 편의를 위해 개략적으로 도시하고, 서브 픽셀은 각각 R(적색),G(녹색),B(청색)로 도시한다.4 is a power supply wiring structure according to a third embodiment of the present invention. The power supply wiring structure shown in Fig. 4 is schematically shown for convenience of explanation, and subpixels are shown as R (red), G (green), and B (blue), respectively.

도 4를 참조하면, 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)은 패드부(미도시)를 통해 공급된 양의 전원을 3개 이상의 서브 픽셀(R,G,B)에 각각 공급하도록 패드부(미도시)가 위치하는 영역과 인접하여 제1방향으로 분할되어 배선될 수 있다. 이와 같이 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)이 각각 분할되어 위치하면, 3개 이상의 서브 픽셀(R,G,B)은 각각 다른 전원을 공급받을 수 있다. 즉, 3개 이상의 서브 픽셀(R,G,B)은 각각 요구하는 전원의 양이 다를 수 있다.Referring to FIG. 4, the first, second and third main power supply lines 210R, 210G and 210B are connected to three or more sub-pixels R, G and B (Not shown) so as to be supplied to each of the first and second substrates. When the first, second, and third main power supply lines 210R, 210G, and 210B are divided and positioned as described above, three or more sub-pixels R, G, and B may receive different power supplies. That is, three or more sub-pixels R, G, and B may have different amounts of power required.

또한, 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)은 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)에 각각 연결되어 제1방향과 다른 제2방향으로 분할되어 배선될 수 있다. 또한, 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)은 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)에 각각 연결되어 제1방향으로 구분되어 배선될 수 있다.The first, second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B are connected to the first, second and third main power supply lines 210R, 210G and 210B, respectively, Direction. The first, second and third sub power supply lines 230R, 230G and 230B are connected to the first, second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B, respectively, .

여기서, 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)은 다수의 서브 픽셀(R,G,B)에 각각 연결될 수 있다. 그리고, 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)은 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)과 대향하는 영역에 위치할 수 있으나 이에 한정되진 않는다. 즉, 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)은 표시부(미도시) 내에서 선택적으로 위치할 수도 있다.Here, the first, second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B may be connected to a plurality of sub-pixels R, G and B, respectively. The first, second, and third sub power supply lines 230R, 230G, and 230B may be located in regions facing the first, second, and third main power supply lines 210R, 210G, and 210B, It does not. That is, the first, second, and third sub power supply lines 230R, 230G, and 230B may be selectively positioned within the display unit (not shown).

한편, 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)의 폭은 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B) 및 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)의 폭보다 넓고, 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)의 폭은 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)의 폭보다 넓게 형성되는데, 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)은 메인전원배선(210)을 통해 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B) 및 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B) 등으로 분할되기 때문이다. 즉, 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)으로 유입되는 전류 또는 전압 양이 가장 많기 때문이다.The widths of the first, second and third main power supply wirings 210R, 210G and 210B are the same as the widths of the first, second and third divided power supply wirings 220R, 220G and 220B and the first, The widths of the first, second and third sub power supply wirings 230R, 230G and 230B are larger than the widths of the sub power supply wirings 230R, 230G and 230B and the widths of the first, second and third divided power supply wirings 220R, The first, second and third main power supply wirings 210R, 210G and 210B are connected to the first, second and third divided power supply wirings 210R, 220G and 220B through the main power supply wiring 210 220R, 220G and 220B and the first, second and third sub power supply lines 230R, 230G and 230B. That is, the amount of current or voltage flowing into the first, second, and third main power supply wirings 210R, 210G, and 210B is the largest.

제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)의 폭이 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)의 폭보다 넓게 형성되는 이유는 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)을 통해 유입되는 전류 또는 전압에 편차가 발생하지 않도록 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)의 반대편에서 보강하는 역할을 하기 때문이다.The reason why the widths of the first, second and third sub power supply lines 230R, 230G and 230B are formed to be wider than the widths of the first, second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B, Second and third main power supply lines 210R, 210G and 210B so as not to cause a deviation in current or voltage flowing through the second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B This is because it plays a role.

<제4실시예><Fourth Embodiment>

도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 전원배선 구조도 이다. 도 5에 도시된 전원배선구조는 설명의 편의를 위해 개략적으로 도시하고, 서브 픽셀은 각각 R(적색),G(녹색),B(청색)로 도시한다.5 is a power supply wiring structure according to a fourth embodiment of the present invention. The power supply wiring structure shown in FIG. 5 is schematically shown for convenience of description, and subpixels are shown as R (red), G (green), and B (blue), respectively.

도 5를 참조하면, 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)은 패드부(미도시)를 통해 공급된 양의 전원을 3개 이상의 서브 픽셀(R,G,B)에 각각 공급하도록 패드부(미도시)가 위치하는 영역과 인접하여 제1방향으로 분할되어 배선될 수 있다. 이와 같이 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)이 각각 분할되어 위치하면, 3개 이상의 서브 픽셀(R,G,B)은 각각 다른 전원을 공급받을 수 있다. 즉, 3개 이상의 서브 픽셀(R,G,B)은 각각 요구하는 전원의 양이 다를 수 있다.5, the first, second and third main power supply lines 210R, 210G and 210B are connected to three or more sub-pixels R, G, B (not shown) via a pad unit (Not shown) so as to be supplied to each of the first and second substrates. When the first, second, and third main power supply lines 210R, 210G, and 210B are divided and positioned as described above, three or more sub-pixels R, G, and B may receive different power supplies. That is, three or more sub-pixels R, G, and B may have different amounts of power required.

또한, 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)은 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)에 각각 연결되어 제1방향과 다른 제2방향으로 분할되어 배선될 수 있다. 또한, 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)은 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)에 각각 연결되어 제1방향으로 구분되어 배선될 수 있다.The first, second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B are connected to the first, second and third main power supply lines 210R, 210G and 210B, respectively, Direction. The first, second and third sub power supply lines 230R, 230G and 230B are connected to the first, second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B, respectively, .

여기서, 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)은 다수의 서브 픽셀(R,G,B)에 각각 연결될 수 있다. 그리고, 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)은 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)과 대향하는 영역에 위치할 수 있으나 이에 한정되진 않는다. 즉, 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)은 표시부(미도시) 내에서 선택적으로 위치할 수도 있다.Here, the first, second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B may be connected to a plurality of sub-pixels R, G and B, respectively. The first, second, and third sub power supply lines 230R, 230G, and 230B may be located in regions facing the first, second, and third main power supply lines 210R, 210G, and 210B, It does not. That is, the first, second, and third sub power supply lines 230R, 230G, and 230B may be selectively positioned within the display unit (not shown).

한편, 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)의 폭은 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B) 및 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)의 폭보다 넓고, 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)의 폭은 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)의 폭보다 넓게 형성되는데, 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)은 메인전원배선(210)을 통해 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B) 및 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B) 등으로 분할되기 때문이다. 즉, 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)으로 유입되는 전류 또는 전압 양이 가장 많기 때문이다.The widths of the first, second and third main power supply wirings 210R, 210G and 210B are the same as the widths of the first, second and third divided power supply wirings 220R, 220G and 220B and the first, The widths of the first, second and third sub power supply wirings 230R, 230G and 230B are larger than the widths of the sub power supply wirings 230R, 230G and 230B and the widths of the first, second and third divided power supply wirings 220R, The first, second and third main power supply wirings 210R, 210G and 210B are connected to the first, second and third divided power supply wirings 210R, 220G and 220B through the main power supply wiring 210 220R, 220G and 220B and the first, second and third sub power supply lines 230R, 230G and 230B. That is, the amount of current or voltage flowing into the first, second, and third main power supply wirings 210R, 210G, and 210B is the largest.

제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)의 폭이 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)의 폭보다 넓게 형성되는 이유는 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)을 통해 유입되는 전류 또는 전압에 편차가 발생하지 않도록 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)의 반대편에서 보강하는 역할을 하기 때문이다.The reason why the widths of the first, second and third sub power supply lines 230R, 230G and 230B are formed to be wider than the widths of the first, second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B, Second and third main power supply lines 210R, 210G and 210B so as not to cause a deviation in current or voltage flowing through the second and third divided power supply lines 220R, 220G and 220B This is because it plays a role.

한편, 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)에 연결되어 다수의 서브 픽셀(R,G,B) 사이를 지나도록 위치하는 제1, 제2 및 제3연결전원배선(240)을 포함할 수 있다. 제1, 제2 및 제3연결전원배선(240)은 다수의 서브 픽셀(R,G,B)에 각각 연결될 수 있다.The first, second, and third connection power sources, which are connected to the first, second, and third divided power source lines 220R, 220G, 220B and are located across the plurality of sub pixels R, G, And may include a wiring 240. The first, second, and third connection power supply wirings 240 may be connected to the plurality of sub-pixels R, G, and B, respectively.

여기서, 제1, 제2 및 제3연결전원배선(240)의 폭은 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)의 폭보다 좁을 수 있다. 그 이유는 제1, 제2 및 제3연결전원배선(240)이 각 라인 사이에 위치하여 보강 배선 역할을 하기 때문이다.Here, the widths of the first, second, and third connection power supply wirings 240 may be narrower than the widths of the first, second and third sub power supply wirings 230R, 230G, and 230B. This is because the first, second, and third connection power supply wirings 240 are positioned between the respective lines to serve as reinforcing wirings.

제1, 제2 및 제3연결전원배선(240)은 미시적으로는 각 라인에 위치하는 다수의 서브 픽셀(R,G,B)에 공급되는 전원 편차를 줄일 수 있도록 하고 거시적으로는 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)을 통해 공급되는 전원이 표시부 전체에 동일하게 공급될 수 있도록 할 수 있다. 즉, 제1, 제2 및 제3연결전원배선(240))을 추가함으로써 전원배선이 그물형태를 갖도록 하여 특정 영역에서 전류 또는 전압 강하가 나타나지 않도록 전원배선을 보강할 수 있다.The first, second, and third connection power supply wirings 240 can microscally reduce a power supply deviation supplied to a plurality of sub-pixels R, G, and B located in respective lines, and macroscopically, The power supplied through the second and third main power supply lines 210R, 210G, and 210B may be supplied to the entire display unit in the same manner. In other words, by adding the first, second, and third connection power supply wirings 240), the power supply wirings can have a net shape so that the power supply wiring can be reinforced so that no current or voltage drop appears in a specific region.

여기서, 제1, 제2 및 제3연결전원배선(240)은 모두 동일한 폭을 갖도록 형성할 수 있다. 그러나, 제1, 제2 및 제3연결전원배선(240)의 폭은, 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)과 인접하는 영역에 위치할수록 넓게 형성하고 제1, 제2 및 제3서브전원배선(230R,230G,230B)과 인접하는 영역에 위치할수록 좁게 형성할 수 있다. 이는, 배선의 폭이 동일한 조건 하에서 제1, 제2 및 제3메인전원배선(210R,210G,210B)으로부터 먼 영역으로 갈수록 전류 또는 전압이 강하하게 되는 점을 고려한 것이다.Here, the first, second, and third connection power supply wirings 240 may all be formed to have the same width. However, the widths of the first, second, and third connection power supply wirings 240 are wider as they are located in the region adjacent to the first, second, and third main power supply wirings 210R, 210G, and 210B, , And the second and third sub power supply lines 230R, 230G, and 230B. This takes into account the fact that the current or voltage is lowered toward the region far from the first, second and third main power supply wirings 210R, 210G, 210B under the condition that the width of the wiring is the same.

그리고, 제1, 제2 및 제3연결전원배선(240)의 폭은 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)의 폭보다 더 넓게 형성할 수 있다. 그 이유는, n번째 행에 위치하는 서브 픽셀들 간의 폭보다 n번째 행에 위치하는 서브 픽셀과 n+1번째 행에 위치하는 서브 픽셀 간의 폭이 더 넓게 형성되기 때문이다.The widths of the first, second, and third connection power supply wirings 240 may be greater than the widths of the first, second, and third divided power supply wirings 220R, 220G, and 220B. The reason for this is that the width between the subpixel located in the nth row and the subpixel located in the (n + 1) th row is wider than the width between the subpixels located in the nth row.

그러나, 이는 n번째 행에 위치하는 서브 픽셀들 간의 폭 또는 n번째 행에 위치하는 서브 픽셀과 n+1번째 행에 위치하는 서브 픽셀 간의 폭에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 제1, 제2 및 제3분할전원배선(220R,220G,220B)의 폭은 제1, 제2 및 제3연결전원배선(240)의 폭보다 더 넓게 형성할 수도 있다.However, this may vary depending on the width between the subpixels located in the nth row or between the subpixel located in the nth row and the (n + 1) th row. Accordingly, the widths of the first, second, and third divided power supply lines 220R, 220G, and 220B may be wider than the widths of the first, second, and third connection power supply lines 240.

한편, 위의 제1, 제2, 제3 및 제4실시예는 전원이 유입되는 영역으로부터 멀어질수록 배선 저항에 의해 전류 또는 전압이 강하게 됨으로써 서브 픽셀 간의 휘도 편차가 발생하는 문제를 해결할 수 있다.Meanwhile, in the first, second, third, and fourth embodiments, the current or voltage becomes stronger due to the wiring resistance as the distance from the region where the power source is introduced increases, thereby solving the problem of luminance deviation between subpixels .

여기서, 배선의 폭을 넓게 형성하면, 배선의 폭이 좁게 형성된 것보다 배선저항을 낮출 수 있다. 다만, 본 발명에서 서브 픽셀 간의 폭에 따라 일부 영역의 전원배선을 달리 형성하는 이유는 서브 픽셀의 개구율을 감소시키지 않는 범위 내에서 전원배선을 배선하기 위함이다. 그러나 이는 전원배선의 폭을 넓히는 방법 대신 두께를 달리하는 방법으로 적용할 수 있다.Here, if the width of the wiring is made wide, the wiring resistance can be lowered than if the width of the wiring is narrow. However, in the present invention, the reason why the power supply wiring of a certain region is formed differently according to the width between the subpixels is to wire the power supply wiring within a range that does not reduce the aperture ratio of the subpixel. However, this method can be applied in a different thickness instead of widening the power supply wiring.

이상 본 발명은, 유기전계발광표시장치의 전원배선 구조를 달리하여 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 특정 영역에서 전류 또는 전압 강하가 발생하는 문제를 개선할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of improving the display quality by varying the power wiring structure of the organic light emitting display device. Further, there is an effect that the problem of current or voltage drop occurring in a specific region can be improved.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술 적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, As will be understood by those skilled in the art. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

도 1a는 유기전계발광표시장치의 평면 예시도.1A is a plan view of an organic electroluminescent display device;

도 1b는 도 1a에 위치하는 서브 픽셀의 예시도.Figure 1B is an illustration of a subpixel located in Figure 1A;

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전원배선 구조도.FIG. 2 is a power supply wiring structure according to the first embodiment of the present invention. FIG.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전원배선 구조도.3 is a power wiring structure according to a second embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 전원배선 구조도.4 is a power wiring structure according to a third embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 전원배선 구조도.5 is a power supply wiring structure according to a fourth embodiment of the present invention;

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

110: 기판 120: 표시부110: substrate 120: display unit

130: 밀봉 기판 140: 접착부재130: sealing substrate 140: adhesive member

150: 패드부 P: 서브 픽셀150: pad portion P: sub-pixel

Claims (15)

기판 상에 매트릭스형태로 배치된 다수의 서브 픽셀을 포함하는 표시부;A display comprising a plurality of subpixels arranged in a matrix on a substrate; 상기 표시부의 외곽에 위치하며 외부장치와 전기적으로 연결되는 패드부;A pad unit located at an outer periphery of the display unit and electrically connected to an external device; 상기 패드부를 통해 공급된 양의 전원을 상기 다수의 서브 픽셀에 공급하도록 상기 패드부가 위치하는 영역과 인접하여 제1방향으로 배선된 메인전원배선;A main power wiring line arranged in a first direction adjacent to a region where the pad portion is positioned to supply a positive power supplied through the pad portion to the plurality of subpixels; 상기 메인전원배선에 연결되어 상기 제1방향과 다른 제2방향으로 분할되어 배선된 분할전원배선; 및A divided power supply line connected to the main power supply line and divided in a second direction different from the first direction; And 상기 분할전원배선에 연결되어 상기 제1방향으로 배선되고 상기 메인전원배선과 대향하는 영역에 위치하는 서브전원배선을 포함하되,And a sub power supply wiring connected to the divided power supply wiring and arranged in a region facing the main power supply wiring, the sub power supply wiring being wired in the first direction, 상기 메인전원배선의 폭은 상기 분할전원배선 및 서브전원배선의 폭보다 넓고, 상기 서브전원배선의 폭은 상기 분할전원배선의 폭보다 넓고,Wherein a width of the main power supply wiring is wider than a width of the divided power supply wiring and sub power supply wiring, a width of the sub power supply wiring is wider than a width of the divided power supply wiring, 상기 분할전원배선에 연결되어 상기 다수의 서브 픽셀 사이를 지나도록 상기 제1방향으로 배선된 하나 이상의 연결전원배선을 포함하고,And one or more connection power supply wirings connected to the divided power supply wirings and wired in the first direction to pass between the plurality of subpixels, 상기 하나 이상의 연결전원배선의 폭은 상기 서브전원배선의 폭보다 좁고,The width of the at least one connection power supply wiring is narrower than the width of the sub power supply wiring, 상기 하나 이상의 연결전원배선의 폭은 상기 메인전원배선과 인접하는 영역에 위치할수록 넓고 상기 서브전원배선과 인접하는 영역에 위치할수록 좁고,The width of the one or more connection power supply wirings is larger as it is located in a region adjacent to the main power supply wiring, and narrower in a region adjacent to the sub power supply wiring, 상기 하나 이상의 연결전원배선의 폭은 상기 분할전원배선의 폭보다 넓은 유기전계발광표시장치.Wherein the width of the at least one connection power supply wiring is larger than the width of the divided power supply wiring. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판 상에 매트릭스형태로 배치되며 서로 다른 색을 발광하는 3개 이상의 서브 픽셀을 포함하는 표시부;A display unit arranged on the substrate in a matrix form and including three or more subpixels emitting different colors; 상기 표시부의 외곽에 위치하며 외부장치와 전기적으로 연결되는 패드부;A pad unit located at an outer periphery of the display unit and electrically connected to an external device; 상기 패드부를 통해 공급된 양의 전원을 상기 3개 이상의 서브 픽셀에 각각 공급하도록 상기 패드부가 위치하는 영역과 인접하여 제1방향으로 구분되어 배선된 제1, 제2 및 제3메인전원배선;First, second, and third main power wiring lines arranged in a first direction adjacent to an area where the pad unit is positioned to supply a positive power supplied through the pad unit to the three or more subpixels, respectively; 상기 제1, 제2 및 제3메인전원배선에 각각 연결되어 상기 제1방향과 다른 제2방향으로 분할되어 배선된 제1, 제2 및 제3분할전원배선; 및First, second and third divided power supply lines respectively connected to the first, second and third main power supply lines and divided in a second direction different from the first direction; And 상기 제1, 제2 및 제3분할전원배선에 각각 연결되어 상기 제1방향으로 구분되어 배선되고 상기 메인전원배선과 대향하는 영역에 각각 구분되어 위치하는 제1, 제2 및 제3서브전원배선을 포함하되,Second, and third sub power supply wirings connected to the first, second, and third divided power supply wirings and divided in the first direction and separated from each other in a region facing the main power supply wiring, &Lt; / RTI &gt; 상기 제1, 제2 및 제3메인전원배선의 폭은 상기 제1, 제2 및 제3분할전원배선 및 제1, 제2 및 제3서브전원배선의 폭보다 넓고, 상기 제1, 제2 및 제3서브전원배선의 폭은 상기 제1, 제2 및 제3분할전원배선의 폭보다 넓고,Second, and third main power supply wirings are wider than the widths of the first, second, and third divided power supply wirings and the first, second, and third sub power supply wirings, and the widths of the first, And the width of the third sub power supply wiring are wider than the widths of the first, second and third divided power supply wirings, 상기 제1, 제2 및 제3분할전원배선에 연결되어 상기 3개 이상의 서브 픽셀 사이를 구분하여 지나도록 상기 제1방향으로 배선된 제1, 제2 및 제3연결전원배선을 포함하고,Second, and third connection power supply wirings connected to the first, second, and third divided power supply wirings and wired in the first direction so as to divide the three or more subpixels, 상기 제1, 제2 및 제3연결전원배선의 폭은 상기 제1, 제2 및 제3서브전원배선의 폭보다 좁고,The widths of the first, second, and third connection power supply wirings are narrower than the widths of the first, second, and third sub power supply wirings, 상기 제1, 제2 및 제3연결전원배선의 폭은 상기 제1, 제2 및 제3메인전원배선과 인접하는 영역에 위치할수록 넓고 상기 제1, 제2 및 제3서브전원배선과 인접하는 영역에 위치할수록 좁고,The width of the first, second, and third connection power supply wirings is larger as the width of the first, second, and third connection power supply wirings is in a region adjacent to the first, second, and third main power supply wirings, The closer to the region, 상기 제1, 제2 및 제3연결전원배선의 폭은 상기 제1, 제2 및 제3분할전원배선의 폭보다 넓은 유기전계발광표시장치.Wherein the widths of the first, second, and third connection power supply wirings are larger than the widths of the first, second, and third divided power supply wirings. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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