KR101462391B1 - RF device comprising termination unit - Google Patents

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이한영
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Abstract

The present invention relates to an RF device comprising a termination unit which solves a problem caused by independently manufacturing an RF device and a terminal device and connecting by a bonding wire. Provided is an RF device which comprises a base substrate; an RF circuit unit formed on the base substrate; an input electrode formed on the base substrate, and inputting a high frequency electric signal to the RF circuit unit; an output electrode formed on the base substrate, and outputting a high frequency electric signal from the RF circuit unit; and a termination unit formed on the base substrate and connected with the output electrode to exhaust the high frequency electric signal transmitted to the output electrode.

Description

터미네이션부를 포함하는 알에프 소자{RF device comprising termination unit}An RF device comprising a termination part (RF device comprising termination unit)

본 발명은 알에프(RF) 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 입력된 고주파 전기 신호가 회로 종단(terminal)에서 반사되지 않도록 소진시키는 터미네이션부(termination unit)를 포함하는 RF 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an RF (RF) device, and more particularly, to an RF device including a termination unit that consumes an input high-frequency electrical signal so that it is not reflected at a circuit terminal.

최근 인터넷, 주문형 비디오, HDTV, 데이터 저장 등으로 통신 백본망의 처리용량이 급격히 증가하고 있고, 이에 따라 대용량의 데이터를 처리하는 기술 또한 함께 발전하고 있다.Recently, the processing capacity of the communication backbone network has been rapidly increasing due to the Internet, video on demand, HDTV, and data storage. Accordingly, a technology for processing a large amount of data has also been developed.

이러한 대용량의 데이터 처리 기술을 위한 초고속소자의 필요성과 동시에 저가격의 소자 공급을 위한 신소개 개발이 요구되고 있다.There is a need for a high-speed device for such a large-capacity data processing technology and a new introduction for low-cost device supply.

전기광학소재 중 유기물소재의 가장 큰 경쟁소재로서 LiNbO3 결정질 소재는 현재 상용되는 대부분의 광학소자의 핵심 소재로 쓰이고 있다. 그러나 고가의 칩 가격과 공정비 및 패키징 비용 등으로 저가격화를 이루는데 한계가 있고 부분적으로 전계 흡수 반도체 소자를 이용한 EMI 변조기가 사용되고 있는 실정이다.LiNbO 3 crystalline material, which is the most competitive material for organic materials among electro-optical materials, is used as a core material for most optical devices currently in use. However, there are limitations in achieving a low price due to expensive chip price, process cost, and packaging cost, and an EMI modulator using an electric field absorbing semiconductor device is partially used.

LiNbO3 이용한 소자 중 가장 큰 시장으로 광변조기를 들 수 있다. LiNbO3를 이용한 광변조기는 외부 전기장 변화에 대한 빠른 응답속도(1012/sec 이상)를 갖는 유기물 파이전자의 움직임에 의해 100 GHz 이상의 초고속 변조 혹은 스위치 구동이 가능한 장점을 갖고 있다.The largest market for devices using LiNbO 3 is optical modulators. The optical modulator using LiNbO 3 has advantages of ultra-high speed modulation or switch driving over 100 GHz due to the movement of the organic material pi electrons having a fast response speed (10 12 / sec or more) against external electric field change.

이러한 LiNbO3를 이용한 광변조기에는, 도 1에 도시된 바와 같은, RF 소자(10)가 사용될 수 있다. 여기서 도 1은 종래 기술에 따른 RF 소자(10)와 터미네이션 소자(20)가 본딩 와이어(30)로 연결된 구성을 보여주는 평면도이다.For such an optical modulator using LiNbO 3 , an RF element 10 as shown in FIG. 1 may be used. 1 is a plan view showing a configuration in which a conventional RF device 10 and a termination device 20 are connected by a bonding wire 30.

RF 소자(10)는 베이스 기판(11)에 RF 회로부(12)가 형성되고, RF 회로부(12)에는 입력 전극(13)과 출력 전극(14)이 형성되어 있다. 출력 전극(14)은 출력 신호 전극(15)과 출력 접지 전극(16)을 포함한다. 고주파 전기 신호는 입력 전극(13)을 통하여 RF 회로부(12)로 전달된 후 출력 전극(16)으로 배출된다.The RF device 10 has an RF circuit portion 12 formed on a base substrate 11 and an input electrode 13 and an output electrode 14 formed on the RF circuit portion 12. The output electrode 14 includes an output signal electrode 15 and an output ground electrode 16. The high frequency electric signal is transmitted to the RF circuit unit 12 through the input electrode 13 and then to the output electrode 16.

그리고 터미네이션 소자(20)는 RF 소자(10)의 출력 전극(16)에 본딩 와이어(30)를 매개로 연결되어, RF 소자(10)에 입력된 고주파 전기 신호가 회로 종단에서 RF 회로부(12)로 반사되지 않도록 소진시킨다. 이러한 터미네이션 소자(20)는 종단 기판(21)과, 종단 기판(21)에 형성되는 종단 전극(26)과, 종단 전극(26)을 연결하여 고주파 전기 신호를 소진하는 저항(22)을 포함한다. 이때 종단 전극(26)은 출력 신호 전극(14)에 연결되는 종단 신호 전극(24), 출력 접지 전극(15)에 연결되는 종단 접지 전극(25)을 포함한다.The termination element 20 is connected to the output electrode 16 of the RF element 10 through a bonding wire 30 so that a high frequency electric signal inputted to the RF element 10 is applied to the RF circuit portion 12 at the circuit end, So as not to be reflected by the light source. The termination device 20 includes a resistor 22 that connects the termination substrate 21, the termination electrode 26 formed on the termination substrate 21 and the termination electrode 26 to exhaust the high frequency electrical signal . The termination electrode 26 includes a termination signal electrode 24 connected to the output signal electrode 14 and a terminating ground electrode 25 connected to the output grounding electrode 15.

이와 같이 기존에는 RF 소자(10)와 터미네이션 소자(20)를 별도로 제작한 후, 본딩 와이어(30)를 통하여 서로 연결하기 때문에, 본딩 와이어(30)에 따른 RF 기생 성분이 발생하여 최종 소자, 예컨대 광변조기의 전기적 특성을 저하시키는 요인으로 작용할 수 있다.As described above, since the RF element 10 and the termination element 20 are manufactured separately and then connected to each other through the bonding wire 30, RF parasitic components generated by the bonding wire 30 are generated, It can act as a factor to lower the electrical characteristics of the optical modulator.

또한 별도의 터미네이션 소자(20)의 제작에 따른 시간 및 비용이 발생하고, 본딩 와이어(30)를 통하여 RF 소자(10)와 터미네이션 소자(20)를 연결하여 최종 소자를 제조하기 때문에, 제조 공정 시간이 길어지는 문제점을 안고 있다.In addition, since time and cost are incurred in manufacturing the separate termination device 20 and the final device is manufactured by connecting the RF device 10 and the termination device 20 through the bonding wire 30, This is a long problem.

더욱이 RF 소자(10)와 터미네이션 소자(20)가 평면적으로 배치된 구조를 갖기 때문에, 제조된 소자의 전체 크기가 커져 제품 크기의 소형화에 대응하는 데는 한계가 있다.Moreover, since the RF element 10 and the termination element 20 are arranged in a planar arrangement, the overall size of the manufactured device becomes large, which limits the miniaturization of the product size.

일본공개특허공보 특개2008-85699호(2008.04.10.)Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2008-85699 (Apr. 10, 2008)

따라서 본 발명의 목적은 RF 소자와 터미네이션 소자를 별도로 제작한 후, 본딩 와이어를 통하여 서로 연결함으로 인해 발생되는 문제를 해소할 수 있는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an RF device including a termination unit that can separately solve the problem caused by connecting the RF device and the termination device to each other through a bonding wire.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 베이스 기판과, 상기 베이스 기판에 형성된 RF 회로부와, 상기 베이스 기판에 형성되며 상기 RF 회로부에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극과, 상기 베이스 기판에 형성되며 상기 RF 회로부에서 상기 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극, 및 상기 베이스 기판에 형성되며 상기 출력 전극에 연결되어 상기 출력 전극으로 전달된 상기 고주파 전기 신호를 소진하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a base substrate; an RF circuit portion formed on the base substrate; an input electrode formed on the base substrate and inputting a high frequency electric signal to the RF circuit portion; An output electrode for outputting the high frequency electric signal in the RF circuit unit and a termination unit formed on the base substrate and connected to the output electrode to exhaust the high frequency electric signal transmitted to the output electrode.

본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 터미네이션부는 상기 입력 전극의 임피던스에 매칭되는 저항 소자이다.In the RF device including the termination unit according to the present invention, the termination unit is a resistance device matching the impedance of the input electrode.

본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 터미네이션부는 상기 출력 전극에 연결되게 상기 베이스 기판에 형성된 박막 저항일 수 있다.In the RF device including the termination unit according to the present invention, the termination unit may be a thin film resistor formed on the base substrate to be connected to the output electrode.

본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 출력 전극은 상기 RF 회로부에 연결된 적어도 하나의 출력 접지 전극과, 상기 출력 접지 전극에 이웃하게 배치되며 상기 RF 회로부로부터 상기 고주파 전기 신호가 출력되는 출력 신호 전극을 포함한다. 이때 상기 터미네이션부는 상기 출력 접지 전극과 상기 출력 신호 전극을 연결하도록 상기 베이스 기판에 형성된 박막 저항일 수 있다.In the RF device including the termination unit according to the present invention, the output electrode may include at least one output ground electrode connected to the RF circuit unit, and an output ground electrode disposed adjacent to the output ground electrode and outputting the high frequency electric signal from the RF circuit unit And an output signal electrode. The termination may be a thin film resistor formed on the base substrate to connect the output ground electrode and the output signal electrode.

본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 출력 신호 전극을 중심에 두고 양쪽에 각각 출력 접지 전극이 배치될 수 있다. 상기 터미네이션부는 상기 출력 신호 전극과 상기 출력 접지 전극 사이에 형성되어 상기 출력 신호 전극과 상기 출력 접지 전극을 연결할 수 있다.In the RF device including the termination unit according to the present invention, output ground electrodes may be disposed on both sides of the output signal electrode. The termination unit may be formed between the output signal electrode and the output ground electrode to connect the output signal electrode and the output ground electrode.

본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 터미네이션부는 상기 출력 전극에 연결되게 상기 베이스 기판에 플립 칩 본딩된 터미네이션 칩일 수 있다.In the RF device including the termination unit according to the present invention, the termination unit may be a termination chip flip-chip bonded to the base substrate to be connected to the output electrode.

본 발명에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자에 있어서, 상기 터미네이션부는 상기 출력 접지 전극과 상기 출력 신호 전극에 각각 종단 금속 범프를 매개로 플립 칩 본딩된 터미네이션 칩일 수 있다.In the RF device including the termination unit according to the present invention, the termination unit may be a termination chip flip-chip bonded to the output ground electrode and the output signal electrode through terminal metal bumps, respectively.

본 발명은 또한, 강유전체 소재의 베이스 기판, RF 회로부 및 터미네이션 칩을 포함하는 RF 소자를 제공한다. 여기서 상기 RF 회로부는 상기 베이스 기판에 형성되며, 한쪽에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극을 구비하고, 다른 쪽에 상기 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극을 구비한다. 상기 터미네이션부는 상기 출력 전극이 형성된 상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 출력 전극에 연결되어 상기 출력 전극으로 전달된 상기 고주파 전기 신호를 소진하는 저항을 구비한다.The present invention also provides an RF device comprising a base substrate of ferroelectric material, RF circuitry and a termination chip. The RF circuit unit is formed on the base substrate and includes an input electrode for inputting a high frequency electric signal to one side and an output electrode for outputting the high frequency electric signal to the other side. The termination unit includes a resistor formed on the base substrate on which the output electrode is formed, and a resistor connected to the output electrode to deplete the high frequency electric signal transmitted to the output electrode.

본 발명에 따르면, RF 소자의 베이스 기판에 터미네이션부가 형성되기 때문에, 별도의 터미네이션 소자를 사용할 필요가 없다.According to the present invention, since the termination portion is formed on the base substrate of the RF element, it is not necessary to use a separate termination element.

따라서 본 발명에 따른 RF 소자는 종래의 본딩 와이어에 따른 RF 기생 성분의 발생을 억제함으로써, RF 기생 성분으로 인한 전기적 특성의 저하를 억제할 수 있다.Therefore, the RF device according to the present invention suppresses the generation of the RF parasitic component according to the conventional bonding wire, thereby suppressing the deterioration of the electrical characteristics due to the RF parasitic component.

또한 RF 소자 내에 터미네이션부가 형성되기 때문에, 본딩 와이어를 통하여 RF 소자와 터미네이션 소자를 연결하여 최종 소자를 제조하는 것과 비교하여 제조 공정 시간을 줄일 수 있다. 특히 RF 소자 내에 터미네이션부가 반도체 제조 공정을 통하여 집적화되는 경우, 별도의 터미네이션 소자의 제작하는 것과 비교하여 시간 및 비용을 줄일 수 있다.Further, since the termination portion is formed in the RF device, the manufacturing process time can be reduced as compared with the case where the final device is manufactured by connecting the RF device and the termination device through the bonding wire. Especially, when the termination part is integrated in the RF device through the semiconductor manufacturing process, time and cost can be reduced as compared with manufacturing of a separate termination device.

또한 RF 소자 내에 터미네이션부가 형성되기 때문에, 제조된 소자의 전체 크기를 줄여 소형화에 대응할 수 있다.In addition, since the termination portion is formed in the RF device, the entire size of the manufactured device can be reduced to cope with miniaturization.

또한 RF 소자는 소자 내에 반도체 제조 공정을 통해 터미네이션부를 집적화할 수 있기 때문에, 터미네이션부로 구현되는 박막 저항의 디멘젼 변화를 통해 원하는 입력 전극의 임피던스값으로 터미네이션부의 임피던스값을 쉽게 매칭시킬 수 있다.Also, since the RF element can integrate the termination part in the semiconductor device through the semiconductor manufacturing process, the impedance value of the termination part can be easily matched to the impedance value of the desired input electrode through the change of the dimension of the thin film resistor realized by the termination part.

도 1은 종래 기술에 따른 RF 소자와 터미네이션 소자가 본딩 와이어로 연결된 구성을 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 4-4 선 단면도이다.1 is a plan view showing a configuration in which a conventional RF device and a termination device are connected by a bonding wire.
2 is a plan view showing an RF device including a termination unit according to a first embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing an RF device including a termination unit according to a second embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 of Fig.

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.In the following description, only parts necessary for understanding the embodiments of the present invention will be described, and the description of other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and the inventor is not limited to the meaning of the terms in order to describe his invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And variations are possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 터미네이션부를 포함하는 RF 소자를 보여주는 평면도이다.2 is a plan view showing an RF device including a termination unit according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)는 소자 내에 입력된 고주파 전기 신호가 회로 종단에서 반사되지 않도록 소진시키는 터미네이션부(120)가 형성된 구조를 갖는다. 이러한 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)는 베이스 기판(111)과, 베이스 기판(111)에 형성된 RF 회로부(112)와, 베이스 기판(111)에 형성되며 RF 회로부(112)에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극(113)과, 베이스 기판(111)에 형성되며 RF 회로부(112)에서 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극(116), 및 베이스 기판(111)에 형성되며 출력 전극(116)에 연결되어 출력 전극(116)으로 전달된 고주파 전기 신호를 소진하는 터미네이션부(120)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the RF device 100 according to the first embodiment has a structure in which a termination unit 120 is formed to dissipate a high-frequency electrical signal inputted into the device so as not to be reflected at a circuit end. The RF device 100 according to the first embodiment includes a base substrate 111, an RF circuit unit 112 formed on the base substrate 111, and a RF circuit unit 112 formed on the base substrate 111, An output electrode 116 formed on the base substrate 111 and outputting a high frequency electric signal from the RF circuit unit 112 and an output electrode 116 formed on the base substrate 111, And a termination unit 120 connected to the output electrode 116 to exhaust a high frequency electric signal transmitted to the output electrode 116.

이때 베이스 기판(111)으로 강유전체 소재의 기판이 사용될 수 있다. 강유전체 소재로는 LiNbO3 또는 LiTaO3가 사용될 수 있다.At this time, a substrate of a ferroelectric material can be used as the base substrate 111. A ferroelectric material may be used as LiNbO 3 or LiTaO 3.

입력 전극(113)과 출력 전극(116)은 RF 회로부(112)에 연결되게 베이스 기판(111)에 형성된다. 이때 RF 회로부(112)의 한 쪽에 입력 전극(113)이 형성되고, RF 회로부(112)의 다른 쪽에 출력 전극(116)이 형성된다. 이때 입력 전극(113)과 출력 전극(116)은 전기전도성이 양호한 소재로 형성될 수 있으며, 예컨대 Al, Ti 또는 Al 등으로 형성될 수 있다.The input electrode 113 and the output electrode 116 are formed on the base substrate 111 to be connected to the RF circuit unit 112. At this time, an input electrode 113 is formed on one side of the RF circuit unit 112, and an output electrode 116 is formed on the other side of the RF circuit unit 112. At this time, the input electrode 113 and the output electrode 116 may be formed of a material having good electrical conductivity, for example, formed of Al, Ti, Al, or the like.

출력 전극(116)은 RF 회로부(112)에 연결된 적어도 하나의 출력 접지 전극(115)과, 출력 신호 전극(114)을 포함한다. 출력 신호 전극(114)은 출력 접지 전극(115)에 이웃하게 배치되며, RF 회로부(112)로부터 고주파 전기 신호가 출력된다. 제1 실시예에서는 출력 신호 전극(114)을 중심에 두고 양쪽에 각각 출력 접지 전극(115)이 배치된 예를 개시하였다.The output electrode 116 includes at least one output ground electrode 115 coupled to the RF circuitry 112 and an output signal electrode 114. The output signal electrode 114 is disposed adjacent to the output ground electrode 115, and a high frequency electrical signal is output from the RF circuit unit 112. In the first embodiment, the output ground electrodes 115 are disposed on both sides of the output signal electrode 114, respectively.

그리고 터미네이션부(120)는 입력 전극(113)의 임피던스에 매칭되는 저항 소자로서, 출력 접지 전극(115)과 출력 신호 전극(114)을 연결하도록 베이스 기판(111)에 형성된다. 즉 출력 신호 전극(114)을 중심에 두고 양쪽에 각각 출력 접지 전극(115)이 배치되고, 터미네이션부(120)는 출력 신호 전극(114)과 출력 접지 전극(115) 사이에 형성되어 출력 신호 전극(114)과 출력 접지 전극(115)을 연결하도록 형성된다.The termination unit 120 is a resistance element matched to the impedance of the input electrode 113 and is formed on the base substrate 111 to connect the output ground electrode 115 and the output signal electrode 114. The output ground electrode 115 is disposed on both sides of the output signal electrode 114 and the termination unit 120 is formed between the output signal electrode 114 and the output ground electrode 115, (114) and the output ground electrode (115).

제1 실시예에서는 터미네이션부(120)가 박막 저항으로 구현된 예를 개시하였다. 박막 저항은 RF 소자(100)를 제조하는 공정, 예컨대 통상적인 반도체 제조 공정에 사용되는 금속을 증착하고, 사진 공정 등을 통하여 패터닝하는 공정을 통하여 형성할 수 있다. 즉 박막 저항은 RF 소자(100)를 제조하는 공정에서 함께 일괄적으로 형성할 수 있다. 예컨대 박막 저항으로 구현된 터미네이션부(120)의 소재로는 Ni, Cr, Ni-Cr 합금이 사용될 수 있으며, 그 외 저항으로 사용할 수 있는 소재가 사용될 수 있음은 물론이다.In the first embodiment, an example in which the termination portion 120 is implemented as a thin film resistor is disclosed. The thin film resistor may be formed through a process of manufacturing the RF device 100, for example, a process of depositing a metal used in a typical semiconductor manufacturing process and patterning through photolithography. That is, the thin film resistors can be collectively formed together in the process of manufacturing the RF device 100. For example, Ni, Cr, and Ni-Cr alloy may be used as the material of the termination part 120 implemented by a thin film resistor, and materials that can be used as other resistors may be used.

터미네이션부(120)의 저항값, 즉 임피던스값은 박막 저항의 크기, 두께 및 재질 등을 통해 제어할 수 있다. 예컨대 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)의 입력 전극(13)의 임피던스가 50Ω인 경우에, 터미네이션부(120)는 임피던스가 50Ω이 되게 박막 저항으로 형성될 수 있다.The resistance value of the termination part 120, that is, the impedance value, can be controlled through the size, thickness and material of the thin film resistor. For example, when the impedance of the input electrode 13 of the RF device 100 according to the first embodiment is 50 OMEGA, the termination unit 120 may be formed as a thin film resistor with an impedance of 50 OMEGA.

물론 RF 소자(100)의 입력 전극(13)의 임피던스가 50Ω이 아닌 다른 임피던스값을 가지더라도, 터미네이션부(120)는 박막 저항으로 형성되기 때문에, 반도체 제조 공정을 통해 박막 저항의 디멘젼 변화를 통해 원하는 임피던스값으로 쉽게 매칭시킬 수 있다.Of course, even if the impedance of the input electrode 13 of the RF device 100 has an impedance value other than 50 ?, since the termination part 120 is formed of a thin film resistor, It can be easily matched to the desired impedance value.

따라서 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)의 입력 전극(113)으로 고주파 전기 신호가 입력되는 경우, 고주파 전기 신호는 입력 전극(113)을 통하여 RF 회로부(112)로 전달된다. RF 회로부(112)를 통과한 고주파 전기 신호는 출력 전극(116)으로 배출된다. 출력 전극(116)으로 배출된 고주파 전기 신호는 입력 전극(113)에 임피던스 매칭된 터미네이션부(120)를 통하여 소진된다. 이때 터미네이션부(120)는 출력 전극(116)과 함께 베이스 기판(111)에 집적화되어 있기 때문에, 출력 전극(116)으로 배출된 고주파 전기 신호가 RF 회로부(112)로 반사되는 것을 억제할 수 있다.Therefore, when a high frequency electric signal is inputted to the input electrode 113 of the RF device 100 according to the first embodiment, the high frequency electric signal is transmitted to the RF circuit unit 112 through the input electrode 113. The high frequency electric signal that has passed through the RF circuit unit 112 is discharged to the output electrode 116. The high-frequency electrical signal output to the output electrode 116 is exhausted through the termination unit 120 that is impedance-matched to the input electrode 113. At this time, since the termination unit 120 is integrated with the base substrate 111 together with the output electrode 116, it is possible to suppress the reflection of the high frequency electric signal discharged to the output electrode 116 to the RF circuit unit 112 .

이와 같이 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)는 베이스 기판(111)에 터미네이션부(120)가 형성되기 때문에, 별도의 터미네이션 소자를 사용할 필요가 없다.As described above, in the RF device 100 according to the first embodiment, since the termination portion 120 is formed on the base substrate 111, it is not necessary to use a separate termination element.

또한 제1 실시예에 따른 RF 소자(100)는 터미네이션부(120)가 베이스 기판(111)에 집적화되어 형성되기 때문에, 종래의 본딩 와이어에 따른 RF 기생 성분의 발생을 억제함으로써, RF 기생 성분으로 인한 전기적 특성의 저하를 억제할 수 있다.Since the RF device 100 according to the first embodiment is formed by integrating the termination part 120 on the base substrate 111, it is possible to suppress generation of RF parasitic components according to the conventional bonding wires, It is possible to suppress the deterioration of the electrical characteristics due to the contact resistance.

또한 제1 실시예에 따른 RF 소자(100) 내에 터미네이션부(120)가 형성되기 때문에, 종래의 본딩 와이어를 통하여 RF 소자와 터미네이션 소자를 연결하여 최종 소자를 제조하는 것과 비교하여 제조 공정 시간을 줄일 수 있다. 특히 제1 실시예에 따른 RF 소자(100) 내에 터미네이션부(120)가 반도체 제조 공정을 통하여 집적화되는 경우, 별도의 터미네이션 소자의 제작하는 것과 비교하여 시간 및 비용을 줄일 수 있다.In addition, since the termination unit 120 is formed in the RF device 100 according to the first embodiment, the manufacturing process time is reduced as compared with the case where the final device is manufactured by connecting the RF device and the termination device through the conventional bonding wire . Particularly, when the termination part 120 is integrated in the RF device 100 according to the first embodiment through the semiconductor manufacturing process, time and cost can be reduced as compared with manufacturing a separate termination device.

또한 제1 실시예에 따른 RF 소자(100) 내에 터미네이션부(120)가 형성되기 때문에, 제조된 소자의 전체 크기를 줄여 소형화에 대응할 수 있다.In addition, since the termination portion 120 is formed in the RF device 100 according to the first embodiment, it is possible to reduce the overall size of the manufactured device and to cope with miniaturization.

한편 제1 실시예에서는 터미네이션부(120)를 박막 저항으로 형성하여 베이스 기판(111) 내에 형성한 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 터미네이션부(220)를 칩 형태로 제작하여 베이스 기판(211) 내에 플립 칩 본딩으로 실장할 수 있다.On the other hand, in the first embodiment, an example is shown in which the termination portion 120 is formed as a thin film resistor and formed in the base substrate 111, but the present invention is not limited thereto. For example, as shown in FIGS. 3 and 4, the termination unit 220 may be fabricated in a chip form and mounted on the base substrate 211 by flip chip bonding.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 터미네이션부(220)를 포함하는 RF 소자(200)를 보여주는 평면도이다. 도 4는 도 3의 4-4 선 단면도이다.3 is a plan view showing an RF device 200 including a termination unit 220 according to a second embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 of Fig.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 RF 소자(200)는 베이스 기판(211) 상에 형성된 출력 전극(216)에 터미네이션부(220)가 플립 칩 본딩된 구조를 갖는다.3 and 4, the RF device 200 according to the second embodiment has a structure in which a termination portion 220 is flip-chip bonded to an output electrode 216 formed on a base substrate 211.

제2 실시예에 따른 RF 소자(200)는 터미네이션부(220)를 제외한 RF 소자 부분이 제1 실시예에 따른 RF 소자 부분과 동일하기 때문에, RF 소자 부분에 대한 상세한 설명은 생략하고 터미네이션부(220)를 중심으로 설명하겠다.Since the RF element portion except for the termination portion 220 is the same as the RF element portion according to the first embodiment, a detailed description of the RF element portion is omitted and the termination portion 220) will be mainly described.

터미네이션부(220)는 출력 접지 전극(215)과 출력 신호 전극(214)에 각각 종단 금속 범프(226)를 매개로 플립 칩 본딩되는 터미네이션 칩으로 구현될 수 있다. 물론 터미네이션부(220)는 저항 칩이며, 일면에 종단 금속 범프(226)가 형성된 구조를 갖는다. 종단 금속 범프(226)는 출력 접지 전극(215)에 대응되는 위치에 형성된 종단 접지 범프(225)와, 출력 신호 전극(214)에 대응되는 위치에 형성된 종단 신호 범프(224)를 포함한다. 종단 금속 범프(226)의 소재로는 Au, Ni, 솔더 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다.Termination unit 220 may be implemented as a termination chip that is flip-chip bonded to output ground electrode 215 and output signal electrode 214 via termination metal bumps 226, respectively. Of course, the termination part 220 is a resistive chip, and has a structure in which an ending metal bump 226 is formed on one surface. The termination metal bump 226 includes a termination ground bump 225 formed at a position corresponding to the output ground electrode 215 and a termination signal bump 224 formed at a position corresponding to the output signal electrode 214. As the material of the termination metal bump 226, Au, Ni, solder, or the like may be used, but the present invention is not limited thereto.

이러한 터미네이션부(220)는 베이스 기판(111)에 형성된 출력 전극(216)에 종단 금속 범프(226)를 정렬시킨 상태에서, 플립 칩 본딩 방법으로 접합한다.The termination unit 220 is bonded to the output electrode 216 formed on the base substrate 111 by flip chip bonding in a state in which the termination metal bumps 226 are aligned.

이와 같이 제2 실시예에 따른 RF 소자(200)는 터미네이션부(220)가 베이스 기판(216)에 플립 칩 본딩된 구조를 갖기 때문에, 종래의 본딩 와이어에 따른 RF 기생 성분의 발생을 억제함으로써, RF 기생 성분으로 인한 전기적 특성의 저하를 억제할 수 있다.Since the RF element 200 according to the second embodiment has a structure in which the termination portion 220 is flip-chip bonded to the base substrate 216, the generation of RF parasitic components according to the conventional bonding wires is suppressed, The deterioration of the electrical characteristics due to the RF parasitic component can be suppressed.

또한 제2 실시예에 따른 RF 소자(200) 내에 터미네이션부(220)가 형성되기 때문에, 종래의 본딩 와이어를 통하여 RF 소자와 터미네이션 소자를 연결하여 최종 소자를 제조하는 것과 비교하여 제조 공정 시간을 줄일 수 있다.In addition, since the termination part 220 is formed in the RF device 200 according to the second embodiment, the manufacturing process time is reduced as compared with the case where the final device is manufactured by connecting the RF device and the termination device through the conventional bonding wire .

또한 제2 실시예에 따른 RF 소자(200) 내에 터미네이션부(220)가 형성되기 때문에, 제조된 소자의 전체 크기를 줄여 소형화에 대응할 수 있다.In addition, since the termination portion 220 is formed in the RF device 200 according to the second embodiment, it is possible to reduce the overall size of the manufactured device and to cope with miniaturization.

여기서 제2 실시예에서는 터미네이션부(220)가 출력 전극(216)을 덮는 형태로 플립 칩 본딩된 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 터미네이션부를 저항 칩 형태로 형성하여, 출력 신호 전극과 출력 접지 전극 사이에 개재하여 연결할 수도 있다.In the second embodiment, the example in which the termination portion 220 is flip-chip bonded in such a manner as to cover the output electrode 216 is described. However, the present invention is not limited to this. For example, the termination portion may be formed in the form of a resistor chip and interposed between the output signal electrode and the output ground electrode.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.It should be noted that the embodiments disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

10, 100, 200 : RF 소자
11, 111, 121 : 베이스 기판
12, 112, 212 : RF 회로부
13, 113, 213 : 입력 전극
14, 114, 214 : 출력 신호 전극
15. 115. 215 : 출력 접지 전극
16, 116, 216 : 출력 전극
20 : 터미네이션 소자
24 : 종단 신호 전극
25 : 종단 접지 전극
26 : 종단 전극
120, 220 : 터미네이션부
224 : 종단 신호 범프
225 : 종단 접지 범프
226 : 종단 금속 범프10, 100, 200: RF device
11, 111, 121: base substrate
12, 112 and 212: RF circuit part
13, 113 and 213: input electrodes
14, 114, 214: output signal electrode
15. 115. 215: Output ground electrode
16, 116, and 216: output electrodes
20: Termination element
24: terminal signal electrode
25: terminating ground electrode
26: terminal electrode
120, 220: Termination part
224: Termination signal bump
225: Termination ground bump
226: Termination metal bump

Claims (8)

베이스 기판;
상기 베이스 기판에 형성된 RF 회로부;
상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 RF 회로부에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극;
상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 RF 회로부에서 상기 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극;
상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 출력 전극에 연결되어 상기 출력 전극으로 전달된 상기 고주파 전기 신호를 소진하는 터미네이션부;를 포함하며,
상기 출력 전극은,
상기 RF 회로부에 연결된 적어도 하나의 출력 접지 전극;
상기 출력 접지 전극에 이웃하게 배치되며, 상기 RF 회로부로부터 상기 고주파 전기 신호가 출력되는 출력 신호 전극;을 포함하며,
상기 터미네이션부는 상기 출력 접지 전극과 상기 출력 신호 전극을 연결하도록 상기 베이스 기판에 형성된 박막 저항인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.A base substrate;
An RF circuit portion formed on the base substrate;
An input electrode formed on the base substrate for inputting a high frequency electrical signal to the RF circuit unit;
An output electrode formed on the base substrate and outputting the RF electric signal in the RF circuit unit;
And a termination part formed on the base substrate and connected to the output electrode to deplete the high frequency electric signal transmitted to the output electrode,
The output electrode
At least one output ground electrode connected to the RF circuitry;
And an output signal electrode disposed adjacent to the output ground electrode and outputting the high frequency electric signal from the RF circuit unit,
Wherein the termination unit is a thin film resistor formed on the base substrate to connect the output ground electrode and the output signal electrode. 제1항에 있어서,
상기 터미네이션부는 상기 입력 전극의 임피던스에 매칭되는 박막 저항인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.The method according to claim 1,
Wherein the termination unit is a thin film resistor that matches the impedance of the input electrode. 제1항에 있어서,
상기 베이스 기판은 강유전체 소재의 기판인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.The method according to claim 1,
Wherein the base substrate is a substrate of a ferroelectric material. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 출력 신호 전극을 중심에 두고 양쪽에 각각 출력 접지 전극이 배치되고, 상기 터미네이션부는 상기 출력 신호 전극과 상기 출력 접지 전극 사이에 형성되어 상기 출력 신호 전극과 상기 출력 접지 전극을 연결하는 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.The method according to claim 1,
An output ground electrode is disposed on both sides of the output signal electrode, and the termination unit is formed between the output signal electrode and the output ground electrode to connect the output signal electrode and the output ground electrode. An RF device comprising a termination portion. 베이스 기판;
상기 베이스 기판에 형성된 RF 회로부;
상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 RF 회로부에 고주파 전기 신호를 입력하는 입력 전극;
상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 RF 회로부에서 상기 고주파 전기 신호를 출력하는 출력 전극;
상기 베이스 기판에 형성되며, 상기 출력 전극에 연결되어 상기 출력 전극으로 전달된 상기 고주파 전기 신호를 소진하는 터미네이션부;를 포함하며,
상기 터미네이션부는 상기 출력 전극에 연결되게 상기 베이스 기판에 플립 칩 본딩된 터미네이션 칩인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.A base substrate;
An RF circuit portion formed on the base substrate;
An input electrode formed on the base substrate for inputting a high frequency electrical signal to the RF circuit unit;
An output electrode formed on the base substrate and outputting the RF electric signal in the RF circuit unit;
And a termination part formed on the base substrate and connected to the output electrode to deplete the high frequency electric signal transmitted to the output electrode,
Wherein the termination unit is a termination chip flip-chip bonded to the base substrate to be connected to the output electrode. 제6항에 있어서, 상기 출력 전극은,
상기 RF 회로부에 연결된 적어도 하나의 출력 접지 전극;
상기 출력 접지 전극에 이웃하게 배치되며, 상기 RF 회로부로부터 상기 고주파 전기 신호가 출력되는 출력 신호 전극;을 포함하며,
상기 터미네이션부는 상기 출력 접지 전극과 상기 출력 신호 전극에 각각 종단 금속 범프를 매개로 플립 칩 본딩된 터미네이션 칩인 것을 특징으로 하는 터미네이션부를 포함하는 RF 소자.7. The plasma display apparatus according to claim 6,
At least one output ground electrode connected to the RF circuitry;
And an output signal electrode disposed adjacent to the output ground electrode and outputting the high frequency electric signal from the RF circuit unit,
Wherein the termination unit is a termination chip flip-chip bonded to the output ground electrode and the output signal electrode through termination metal bumps, respectively. 삭제delete
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