KR101451931B1 - 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법 및 양자점 태양전지의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법 및 양자점 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로, 콜로이드 양자점 박막을 기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 실시 예에 의하면 콜로이드 양자점 박막 내의 캐리어의 이동성이 향상되며, 태양전지의 효율이 향상된다.
Description
본 발명은 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 방법 및 양자점 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
무기물 나노 파티클의 경우, 그 크기가 보어 반경(Bohr Radius)보다 작아지면 양자 제한 효과(quantum confinement effect)에 의하여 화학적 및 물리적 성질이 그 크기에 따라 변화되는 특징을 가지며, 이를 양자점(quantum dot)이라고 정의한다. 이러한 양자점은 고효율의 발광 소자, 태양전지 또는 바이오 이미징 등의 분야에서 활용되고 있으며, 고부가가치의 산업을 창출할 수 있는 무한한 발전 가능성을 지니고 있다. 유기 용매 내에 전구체 물질을 넣어 화학적인 습식 방법으로 성장시킨 양자점을 콜로이드 양자점(colloidal quantum dot)이라고 한다. 콜로이드 양자점은 대량 생산이 가능하며 제조 공정 비용이 낮은 장점을 갖는다.
0차원의 물질인 양자점을 1차원 또는 2차원의 구조로 만들기 위해 콜로이드 양자점의 표면에 부착되어 있는 유기물 리간드의 길이를 제어하며, 콜로이드 양자점을 표면 처리를 통해 자가 정렬(self-assembly)하여 선(wire)이나 박막(thin film)을 형성한다. 그런데, 양자점 표면의 유기물 리간드의 증발(evaporation)로 인하여 콜로이드 양자점의 내부에 빈 공간(void)이 과도하게 발생하며, 박막 내에서 수직 또는 수평방향으로 갈라지는 크랙(crack)이 발생하고, 양자점들의 응집현상으로 인하여 불균일한 박막이 형성되는 문제점이 발생된다. 이로 인하여 전자소자에서 중요한 요소인 캐리어(carrier)의 이동성이 저하되며, 태양전지로 적용되기에 적합한 정도의 높은 전력 변환 효율을 얻지 못하는 문제점이 발생한다.
본 발명은 양자점 표면의 유기물 리간드의 증발(evaporation)로 인하여 인접 양자점 사이에 발생되는 빈 공간(void)을 줄여 콜로이드 양자점의 캐리어의 이동을 향상시키는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법 및 양자점 태양전지의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 콜로이드 양자점 박막의 크랙(crack) 발생을 줄이고, 콜로이드 양자점 박막을 균일하게 형성하며, 높은 전력 변환 효율을 얻을 수 있는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법 및 양자점 태양전지의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법은, 제1 콜로이드 양자점 박막을 기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리하여 제2 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계를 포함한다.
일 실시 예로, 상기 제2 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계는, 상기 제1 콜로이드 양자점 박막을, 상온에서 150℃ 이하의 온도에서 30분 이상 4시간 이하의 시간 동안 가압 표면 처리할 수 있다.
일 실시 예로, 상기 제2 콜로이드 양자점 박막의 인접 양자점 간의 거리는 상기 제1 콜로이드 양자점 박막의 인접 양자점 간의 거리보다 작을 수 있다.
일 실시 예로, 상기 제2 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계는, 질소, 아르곤, 산소, 및 이산화탄소 가스 중 하나 이상을 포함하는 기체를 이용하여 가압 표면 처리를 수행할 수 있다.
일 실시 예로, 상기 제1 콜로이드 양자점 박막은, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, 및 InAs 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따른 양자점 태양전지의 제조 방법은, 기판상에 투명전극을 형성하는 단계; 상기 투명전극 상에 금속산화물층을 형성하는 단계; 상기 금속산화물층 상에 양자점층을 형성하는 단계; 및 상기 콜로이드 양자점층 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 양자점층을 형성하는 단계는, 기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리하여 제조된 콜로이드 양자점 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시 예로, 상기 양자점층을 형성하는 단계는, 질소, 아르곤, 산소, 및 이산화탄소 가스 중 하나 이상을 포함하는 기체를 이용하여 가압 표면 처리된 콜로이드 양자점 박막을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면 콜로이드 양자점 박막의 인접 양자점 사이에 발생하는 빈 공간(void)을 줄여 콜로이드 양자점 박막의 캐리어의 이동성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 의하면 콜로이드 양자점 박막의 크랙(crack) 발생을 줄이고, 콜로이드 양자점 박막을 균일하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 의하면 가압 표면 처리한 콜로이드 양자점 박막으로 양자점 태양전지를 구현하여 양자점 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법을 수행하기 위한 고압 챔버를 나타내는 사시도이다.
도 3은 가압 표면 처리 전과, 후의 콜로이드 양자점 박막의 유전 상수 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 양자점 태양전지의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 양자점 태양전지의 제조 방법에 의해 제조된 양자점 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 6은 가압 표면 처리하지 않은 콜로이드 양자점 박막을 이용한 양자점 태양전지와, 가압 표면 처리한 콜로이드 양자점 박막을 이용한 양자점 태양전지의 전류밀도-전압 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법을 수행하기 위한 고압 챔버를 나타내는 사시도이다.
도 3은 가압 표면 처리 전과, 후의 콜로이드 양자점 박막의 유전 상수 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 양자점 태양전지의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 양자점 태양전지의 제조 방법에 의해 제조된 양자점 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 6은 가압 표면 처리하지 않은 콜로이드 양자점 박막을 이용한 양자점 태양전지와, 가압 표면 처리한 콜로이드 양자점 박막을 이용한 양자점 태양전지의 전류밀도-전압 그래프이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 콜로이드 양자점 박막(colloidal quantum dot film)의 제조 방법은 콜로이드 양자점 박막을 기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리를 수행함으로써, 박막 내의 인접 양자점 간의 빈 공간(void)을 줄이고, 박막의 크랙(crack)을 방지할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면 고압으로 가압 표면 처리된 콜로이드 양자점 박막을 이용하여 태양전지를 구현함으로써 콜로이드 양자점 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법을 나타내는 순서도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법은, 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계(S11)와, 콜로이드 양자점 박막을 기상을 이용하여 고압으로 가압 표면 처리하는 단계(S12)를 포함한다. 설명의 편의를 위해, 단계 S11에서 제조된 가압 표면 처리 전의 콜로이드 양자점 박막을 '제1 콜로이드 양자점 박막'이라 하고, 단계 S12에서 가압 표면 처리된 콜로이드 양자점 박막을 '제2 콜로이드 양자점 박막'이라 한다.
단계 S11에서 제1 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 일 예를 들면, 단계 S11에서 유기 용매 내에 II-VI족, III-V족, IV-VI족, 또는 IV족 등의 전구체 물질을 넣은 후 진공 및 고온에서 화학적인 습식 방법으로 성장시켜 제1 콜로이드 양자점(colloidal quantum dot)을 제조할 수 있다. 예를 들어 실리콘, 유리 또는 PET 등의 기판 위에 하나 또는 복수개의 물질로 구성된 콜로이드 양자점을 스핀코팅 또는 딥코팅하여 증착할 수 있다. 이때, 콜로이드 양자점을 표면 처리하여 자가 정렬(self-assembly)시킴으로써 콜로이드 양자점의 표면에 부착되어 있는 유기물 리간드의 길이를 제어하며, 이를 통해 제1 콜로이드 양자점 박막을 형성할 수 있다.
그런데, 단계 S11에서 제조된 제1 콜로이드 양자점 박막은 양자점 표면의 유기물 리간드의 증발(evaporation)로 인하여 박막 내에 빈 공간(void)이 발생하며, 박막 내에서 수직 또는 수평방향으로 갈라지는 크랙(crack)이 쉽게 발생할 수 있다. 뿐만 아니라, 박막 내에서 양자점들이 응집하여 균일한 박막을 형성하기 어려워진다. 이는 제1 콜로이드 양자점 박막의 캐리어(carrier)의 이동성을 저하시키는 결과를 초래한다. 이에 본 발명의 실시 예는 단계 S12에서 제1 콜로이드 양자점 박막을 고압으로 가압 표면 처리하는 단계를 수행한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법을 수행하기 위한 고압 챔버를 나타내는 사시도이다. 도 1 내지 도 2를 참조하면, 단계 S12에서 제1 콜로이드 양자점 박막(10)을 고압 챔버(20) 내에 배치시킨 후, 가스 주입구(21)를 통해 불활성 가스 등의 기체를 고압 챔버(20) 내에 공급하여, 기상(gas phase)에 의해 제1 콜로이드 양자점 박막(10)을 고압으로 가압 표면 처리한다.
일 실시 예에 있어서, 제1 콜로이드 양자점 박막(10)은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, 또는 InAs 일 수 있다. 대안적으로 제1 콜로이드 양자점 박막(10)은 Ag, Au, 또는 Cu 등의 금속 나노파티클(nano particle)일 수도 있다. 일 실시 예에 있어서, 제1 콜로이드 양자점 박막(10)은 막대, 구, 타원체, 디스크, 삼각형, 사각형, 다이아몬드 그룹 중에서 하나 또는 그 이상의 형태를 가질 수 있다.
가압 표면 처리된 제2 콜로이드 양자점 박막은 제1 콜로이드 양자점 박막에 비해 인접 양자점 간의 거리가 줄어들고, 인접 양자점 간의 빈 공간(void)이 감소된다. 기상 가압 표면 처리의 효과를 얻기 위하여 요구되는 기상 압력은 2기압 이상 70기압 이하이다. 2기압 미만의 압력으로 기상 가압 표면 처리를 수행하는 경우, 양자점 박막 내에서의 전자 이동성 향상 효과가 미미하므로 가압 표면 처리의 하한을 20기압으로 한다. 반대로, 70기압을 초과하는 압력에서는 기상 공급에 따른 전자 이동성 향상분이 포화되므로 공정 비용적인 측면에서 가압 표면 처리의 상한을 70기압으로 정할 수 있다.
이때, 제1 콜로이드 양자점 박막(10)의 두께와 종류 등에 따라 가스 주입구(21)와 가스 배출구(22)를 통한 기상의 공급 및 배출을 제어하여 고압 챔버(20) 내의 기상 압력을 조절할 수 있다. 일 실시 예로, 단계 S12에서 가압 표면 처리는 상온에서 150℃ 이하의 온도에서 30분 이상 4시간 이하의 시간 동안 수행될 수 있다. 가압 표면 처리에 사용될 수 있는 기체는 예를 들어 질소, 아르곤, 산소, 또는 이산화탄소 가스일 수 있다.
도 3은 가압 표면 처리 전과, 후의 콜로이드 양자점 박막의 유전 상수 변화를 나타낸 그래프이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 가압 표면 처리된 제2 콜로이드 양자점 박막의 유전 상수는, 가압 표면 처리 전인 제1 콜로이드 양자점 박막의 유전 상수 대비 약 7.3배로 월등히 증가하였음을 알 수 있다. 이는 고압의 가압 표면 처리에 의하여 콜로이드 양자점 박막의 인접 양자점 간의 빈 공간이 줄어들고, 양자점들이 균일하게 배열됨에 따른 효과이며, 이에 따라 전자의 이동성이 향상된다.
이는, 인접 양자점 간의 거리가 감소함에 따라 공간 파동 함수(spatial wave function)의 중첩(overlap)이 증가되고 전기적 결합에너지(electronic coupling energy)가 변화하며, 주변 양자점들에서 강한 결합 영역(strongly coupled domains)이 형성되기 때문이다. 뿐만 아니라, 고압의 가압 표면 처리에 의하여 인접 양자점들 사이에서 응집(agglomeration)이 거의 일어나지 않거나, 인접 양자점 간의 경계 부분 또는 리간드 원자(ligand atom)에서만 부분적으로 응집이 일어나므로, 개별 양자점의 결정성이 유지되어 전자의 이동성이 향상된다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 양자점 태양전지의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 양자점 태양전지의 제조 방법에 의해 제조된 양자점 태양전지의 개략적인 단면도이다. 도 4 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 양자점 태양전지의 제조 방법은, 기판(51)상에 투명전극(52)을 형성하는 단계(S41), 투명전극(52) 상에 금속산화물층(53)을 형성하는 단계(S42), 금속산화물층(53) 상에 양자점층(54)을 형성하는 단계(S43), 및 양자점층(54) 상에 전극(55)을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시 예로, 단계 S41에서 유리 기판 또는 유연(flexible) 기판 등의 기판(51)상에 투명전극(52)의 패턴을 형성할 수 있다. 일 실시 예로, 투명전극(52)은 ITO, FTO, 또는 고분자필름일 수 있다. 일 실시 예로, 단계 S42에서, 기판(51)상의 투명전극(52) 위에 ZnO 또는 TiO2 등의 금속산화물 용액을 스퍼터(sputter), 스핀코팅(spin coating), 또는 딥코팅(dip coating) 등을 이용하여 금속산화물층(53)을 박막으로 증착할 수 있다. 대안적으로, 금속산화물층(53)의 형성을 위한 금속산화물은 SnO2, WO3, Nb2O5, 또는 TiSrO3 일 수도 있다.
일 실시 예에 있어서, 단계 S43에서 기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리하여 제조된 콜로이드 양자점 박막을 형성하여 양자점층(54)을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 단계 S43에서 금속산화물층(53) 상에 형성되는 콜로이드 양자점 박막은, 도 1의 단계 S12에 의해 제조된 제2 콜로이드 양자점 박막일 수 있으며, 기상에 의한 가압 표면 처리에 관한 중복되는 설명은 생략한다.
일 실시 예로, 단계 S43에서 콜로이드 양자점 박막을 한층으로 코팅하여 양자점층(54)을 형성할 수도 있고, 혹은 원하는 양자점층(54)의 두께를 얻기 위해 동일하거나 서로 다른 콜로이드 양자점 박막을 수 회의 스핀코팅(spin coating) 또는 딥코팅(dip coating)을 반복하여 복수 개의 박막을 적층함으로써 양자점층(54)을 형성할 수도 있다. 양자점층(54)은 가압 표면 처리된 콜로이드 양자점 박막으로 형성되므로, 높은 흡광계수를 가지며, 태양광을 흡수하여 전자를 생성하고 금속산화물층(53)까지 전자를 효율적으로 전달할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 단계 S44에서 활성층이 증착된 양자점 태양전지를 열증착(thermal evaporation) 장치 안으로 이동시켜서 은(Ag), 금(Au) 또는 알루미늄(Al) 등의 금속을 증착함으로써 전극(55)을 형성할 수 있다. 이때, 금속은 120nm 이내의 두께로 증착될 수 있다. 전극의 증착이 끝난 후 고온에서 열처리를 수행함으로써, 최종적으로 양자점 태양전지를 제조할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 의하면 가압 표면 처리된 콜로이드 양자점 박막을 이용하여 양자점 태양전지를 제조하므로, 캐리어의 이동도가 향상되며, 양자점 태양전지의 효율이 증가된다.
도 5에 도시한 실시 예에서는 기판(51)의 바로 위에 투명전극(52)이 형성되고, 투명전극(52)의 바로 위에 금속산화물층(53)이 형성되고, 금속산화물층(53)의 바로 위에 양자점층(54)이 형성되고, 양자점층(54)의 바로 위에 전극(55)이 형성되지만, 기판(51), 투명전극(52), 금속산화물층(53), 양자점층(54), 전극(55)의 사이에 하나 이상의 층이 개재되는 것도 가능할 것이다.
유리(glass) 기판(51)상에 포토리소그라피 작업을 통해 염산:질산:증류수를 섞은 용액에서 1시간 동안 습식각하여, 선폭이 4 mm인 직사각형의 ITO 투명전극(52)의 패터닝을 형성시키고, 패턴이 형성된 투명전극(52)의 위에 0.7M의 ZnO 용액을 증착하여 박막의 금속산화물층(53)을 형성하였다.
이어서, 고압 챔버 내에서 50mg/ml의 PbS 콜로이드 양자점을 질소를 이용한 기상에 의해 10기압의 고압으로 가압 표면 처리를 수행한 후 2500rpm에서 25초간 스핀코팅을 수 회 반복하여 금속산화물층(53) 위에 활성층(active layer)으로서 양자점층(54)을 박막으로 형성하였다.
이어서, 활성층(54)이 증착된 양자점 태양전지를 열증착(thermal evaporation) 장치 안으로 이동시켜서 은(Ag)을 증착하여 전극(55)을 형성하였다. 전극(55)의 증착이 끝난 후 다시 무습, 무산소 분위기의 글로브박스에서 120℃에서 10분간 열처리를 수행함으로써, 최종적으로 양자점 태양전지를 제조하고 이를 발명 예로 하였다. 발명 예와 비교를 위하여, 가압 표면 처리를 하지 않은 점을 제외하고 나머지 조건은 모두 동일하게 하여 양자점 태양전지를 제조하였으며, 이를 비교 예로 하였다.
도 6은 가압 표면 처리하지 않은 콜로이드 양자점 박막을 이용한 양자점 태양전지와, 가압 표면 처리한 콜로이드 양자점 박막을 이용한 양자점 태양전지의 전류밀도-전압 그래프(J-V 그래프)이다. 도 6에서 전류 밀도는 로그(log) 스케일로 나타낸 것이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 가압 표면 처리한 콜로이드 양자점 박막을 이용한 양자점 태양전지는, 가압 표면 처리하지 않은 콜로이드 양자점 박막을 이용한 양자점 태양전지에 비하여 우수한 J-V 특성을 갖는 것을 확인할 수 있다. 따라서 본 발명의 실시 예에 따라 고압으로 가압 표면 처리된 콜로이드 양자점 박막을 이용하여 제조한 태양 전지는 매우 우수한 전력 변환 효율을 갖게 된다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
10: 콜로이드 양자점 박막 20: 고압 챔버
21: 가스 주입구 22: 가스 배출구
51: 기판 52: 투명전극
53: 금속산화물층 54: 양자점층
55: 전극
21: 가스 주입구 22: 가스 배출구
51: 기판 52: 투명전극
53: 금속산화물층 54: 양자점층
55: 전극
Claims (7)
- 제1 콜로이드 양자점 박막을 기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리하여 제2 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계를 포함하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 제2 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계는,
상기 제1 콜로이드 양자점 박막을, 상온에서 150℃ 이하의 온도에서 30분 이상 4시간 이하의 시간 동안 가압 표면 처리하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 콜로이드 양자점 박막의 인접 양자점 간의 거리는 상기 제1 콜로이드 양자점 박막의 인접 양자점 간의 거리보다 작은 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 콜로이드 양자점 박막을 제조하는 단계는,
질소, 아르곤, 산소, 및 이산화탄소 가스 중 하나 이상을 포함하는 기체를 이용하여 가압 표면 처리를 수행하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법. - 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 콜로이드 양자점 박막은,
CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, 및 InAs 중의 적어도 하나를 포함하는 콜로이드 양자점 박막의 제조 방법. - 기판상에 투명전극을 형성하는 단계;
상기 투명전극 상에 금속산화물층을 형성하는 단계;
상기 금속산화물층 상에 양자점층을 형성하는 단계; 및
상기 양자점층 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 양자점층을 형성하는 단계는,
기상을 이용하여 2기압 이상 70기압 이하의 고압으로 가압 표면 처리하여 제조된 콜로이드 양자점 박막을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 태양전지의 제조 방법. - 제6 항에 있어서,
상기 양자점층을 형성하는 단계는,
질소, 아르곤, 산소, 및 이산화탄소 가스 중 하나 이상을 포함하는 기체를 이용하여 가압 표면 처리된 콜로이드 양자점 박막을 형성하는 양자점 태양전지의 제조 방법.
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