KR101451303B1 - 신규한 방향족 화합물, 이의 제조방법, 이를 이용하여 표면 개질된 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재 - Google Patents

신규한 방향족 화합물, 이의 제조방법, 이를 이용하여 표면 개질된 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재 Download PDF

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Abstract

본 발명은 신규한 방향족 화합물, 이의 제조방법, 이를 이용하여 표면 개질된 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 방향족 화합물은 탄소나노튜브의 고유 구조를 변형시키지 않고 탄소나노튜브 표면과 비공유 결합으로 개질된 탄소나노튜브를 폴리카보네이트 매트릭스에 균질하게 분산시킴으로써, 제조된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 면 저항을 낮춰 전자파 차폐율을 높이고, 전기 전도도 및 기계적 강도를 향상시키는 효과가 있다. 따라서, 본 발명의 신규한 방향족 화합물로 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재는 휴대용 PC, 디지털 카메라 내외장, 휴대폰 하우징, TV 프레임 등의 전자제품 소재로 유용하게 사용될 수 있다.

Description

신규한 방향족 화합물, 이의 제조방법, 이를 이용하여 표면 개질된 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재{Novel aromatic compound, preparation method thereof, surface modified carbon nanotube and carbon nanotube/polycarbonate nanocomposites using the same}
본 발명은 신규한 방향족 화합물, 이의 제조방법, 이를 이용하여 표면 개질된 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조방법에 관한 것이다.
나노복합재(nanocomposite)는 나노기술 분야 중 나노재료의 사용량이 가장 많은 분야 중 하나로서, 고전적 복합재를 대체할 가장 가능성 있는 복합재로 여겨지고 있다. 대부분의 나노복합재는 고분자를 기지로 하여 나노기술과 고분자가 결합된 것으로, 구체적으로 고분자 매트릭스에 다양한 형태의 나노구조체 즉, 나노입자, 나노판상입자, 나노섬유, 나노튜브 등을 분산시켜 복합시킴으로써 물성을 향상시키는데 목적이 있다. 이 기술의 핵심은 어떤 종류의 충전제를 사용하여 어떤 방법으로 고분자 내에 균질하게 분산시키는데 있다.
나노복합재의 장점으로는 기존의 충전제 또는 강화제의 입자크기(일반적으로, ㎛ 이상)가 나노 크기까지 줄어듦으로, 이를 분산시키면 표면적이 극대화되고, 투입량을 최소화할 수 있다는 것이다. 따라서 기존 수지의 내충격성, 인장성 등의 손실 없이도 강도나 내마모성 등의 기계적 성능과 전기적 성능을 한층 높일 수 있다.
탄소나노튜브(Carbon Nano Tubes; CNT)는 탄소 동소체 중의 하나로서, 일반적으로 수 ㎚ 내지 수십 ㎚의 지름과 수 ㎛에서 수백 ㎛의 길이를 갖는, 종횡비가 수십에서 수천에 달하는 극히 작은 실린더형 재료이다. 상기 탄소나노튜브는 그 직경에 따라 0.7nm - 3 ㎚인 단일벽 탄소나노튜브(Single-wall carbon nanotubes; SWNT), 2 nm - 20 ㎚인 다중벽 탄소나노튜브(Multi-wall carbon nanotubes; MWNT)로 나눌 수 있으며, 우수한 기계적 성질, 전기적 선택성, 뛰어난 전계방출 특성 및 고효율의 수소저장매체 특성 때문에 나노 크기의 전자 디바이스, 나노센서, 고기능성 복합재 등 다양한 분야에서 응용될 수 있다.
그러나, 이러한 탄소나노튜브의 우수한 성질에도 불구하고, 현재 제조된 탄소나노튜브 복합재의 물리적, 전기적 성질은 기대하는 정도에 미치지 못하고 있다.이는 탄소나노튜브 간의 강한 정전기적 인력으로 인하여 탄소나노튜브를 용매에 녹이거나 고분자 내의 고른 분산이 어렵기 때문이다. 따라서 탄소나노튜브/고분자 복합재는 고분자 매트릭스에 탄소나노튜브를 효과적으로 분산시켜 충전제로서의 나노튜브의 장점을 최대한 발현시키는 것이 중요하다.
종래, 탄소나노튜브의 효과적 분산을 위하여 연구되고 있는 분산법은 초음파를 이용한 물리적 방법과 튜브표면에 화학적인 방법으로, 저분자 물질 혹은 고분자 물질을 도입하여 튜브 간의 인력을 차단함으로써 분산을 가능하게 하는 표면 개질 방법이다. 그러나, 물리적 방법의 경우에는 초음파의 세기와 시간에 따라 튜브에 손상을 주게 되어 튜브의 우수한 성질과 특성을 유지하기 어려우므로, 보다 효과적인 화학적인 방법을 이용한 표면 개질 연구가 보다 활발히 진행되고 있다.
그 결과, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)에 탄소나노튜브(CNT)를 첨가하여 탄성률과 전도성을 향상시킨 복합재 및 그 제조방법이 공지된 바 있다(특허문헌 1). 또한, 탄소나노튜브를 극성 아민기와 비닐기를 동시에 포함하는 공단량체와 비이온성 분산제에 의해 표면을 개질시키는 방법이 공지된 바 있다(특허문헌 2).
그러나, 상기 방법들은 탄소나노튜브의 표면을 개질하는 방법이 매우 까다롭고, 여러 단계의 공정을 거쳐야 하며, 인체에 매우 유해한 유기용매의 사용을 필요로 하므로, 경제, 환경 및 산업적 활용 측면에서 큰 문제점이 있다.
한편, 폴리카보네이트(PC)는 1956년 독일의 바이엘(Bayer) 사에서 처음으로 제조된 고분자 수지로서, 일반적으로 비스페놀 A와 포스겐의 반응으로 생성되는 폴리탄산에스테르이다. 폴리카보네이트는 엔지니어링플라스틱의 일종으로 투명성이 높고 열에 안정하며 기계적 강도(인장강도 820 Kg/㎠, 충격치 900 cm/㎠)가 특히 우수한 특성을 가진다. 따라서, 상기 폴리카보네이트는 실리콘과 함께 내마모성 코팅(coating), 충격 보강용 대체 유리창, 은행, 대사관, 감옥의 방호창, 내마모성이 요구되는 군용 항공기나 버스의 창문, 광고판, 자판기의 패널(panel) 등에 사용되고 있을 뿐만 아니라, ABS, 폴리에스테르(polyester, PBT 또는 PET), SMA(styrene maleic anhydride), MPPO(modified Polyphenylene Oxide) 등과 혼합하여 내충격성, 내열성 및 저온 유연성이 요구되는 자동차의 내외장재 등에 사용되고 있다.
현재까지 보다 다양한 폴리카보네이트의 활용 및 폴리카보네이트를 포함하는 고분자의 물성 향상을 위한 많은 연구가 진행되었으며, 그 결과 폴리카보네이트와 폴리스티렌 또는 스티렌계 공중합체의 혼합물을 용융 혼련과정에서 탄소나노튜브를 첨가함으로써 기계적 물성을 향상시키는 방법이 공지된 바 있다(특허문헌 3 및 특허문헌 4). 그러나, 상기 방법은 탄소나노튜브의 분산이 균질하게 이루어지지 않아 탄소나노튜브의 우수한 기계적 물성이 충분히 발현되지 못하는 문제가 있다.
이에, 본 발명자들은 폴리카보네이트 매트릭스에 탄소나노튜브가 균질하게 분산되어 폴리카보네이트의 물성이 향상된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 바노복합재를 연구하던 중, 신규한 방향족 화합물로 탄소나노튜브의 표면을 개질한 후, 이를 이용하여 제조되는 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 전기적 물성 및 기계적 물성이 향상됨을 확인하고, 본 발명을 완성하였다.
대한민국 특허등록 제665676호; 대한민국 특허등록 제759754호; 대한민국 공개특허 제2006-0007723호; 대한민국 등록특허 10-0633536.
본 발명의 목적은 신규한 방향족 화합물을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 화합물로 표면이 개질된 탄소나노튜브를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 화합물로 표면이 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112013024552523-pat00001
(상기 반응식 1에서, R1, R2 및 n은 본 명세서에서 정의한 바와 같다).
또한, 본 발명은 상기 화합물이 표면에 비공유 결합을 형성하여 흡착됨으로써 표면 개질된 탄소나노튜브를 제공한다.
나아가, 본 발명은 상기 화합물로 개질된 탄소나노튜브가 폴리카보네이트 매트릭스에 균질하게 분산된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제공한다.
본 발명에 따른 신규한 방향족 화합물은 탄소나노튜브의 고유 구조를 변형시키지 않고 탄소나노튜브 표면과 비공유 결합으로 개질된 탄소나노튜브를 폴리카보네이트 매트릭스에 균질하게 분산시킴으로써, 제조된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 면 저항을 낮춰 전자파 차폐율을 높이고, 전기 전도도 및 기계적 강도를 향상시키는 효과가 있다. 따라서, 본 발명의 신규한 방향족 화합물로 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재는 높은 전자파 차폐율, 전기 전도도 및 기계적 강도가 요구되는 휴대용 PC, 디지털 카메라 내외장, 휴대폰 하우징, TV 프레임 등의 전자제품 소재로 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 7에서 제조된 화합물로 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재의 투과전자현미경 이미지이다.
도 2는 본 발명의 비교예 1에서 제조된 표면 개질되지 않은 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재의 투과전자현미경 이미지이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 방향족 화합물을 제공한다:
Figure 112013024552523-pat00002
상기 화학식 1에서,
R1은 C6-C14의 단일고리, 이중고리 또는 삼중고리인 아릴이고;
R2는 C1-C4의 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 C1-C4의 직쇄 또는 측쇄 알콕시이고; 및
n은 0 내지 6의 정수이다.
바람직하게는,
상기 R1은 페닐, 나프틸 또는 안트라센이고;
R2는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 메톡시, 에톡시, 프로폭시 또는 부톡시이고; 및
n은 0 내지 4의 정수이다.
더욱 바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물은 다음과 같다:
4-(2-(4-메톡시페닐)프로판-2-일)페닐 안트라센-9-카르복실레이트;
4-(2-(4-메톡시페닐)프로판-2-일)페닐 2-(나프탈렌-1-일)아세테이트; 또는
4-(2-(4-메톡시페닐)프로판-2-일)페닐 4-페닐부타노에이트.
본 발명에 따른 신규한 방향족 화합물은 페닐, 나프틸, 안트라센와 같은 아릴기를 포함하는 구조를 갖는다. 이때, 상기 아릴기는 탄소나노튜브 표면의 sp2 탄소로 구성된 육각 벌집 구조의 흑연판과 π 결합형태의 비공유 결합을 형성함으로써, 흡착되는 탄소나노튜브 표면의 sp2 탄소 구조를 변형으로 인한 전기적 물성의 변화없이 표면에 비공유 흡착하는 역할을 수행한다. 또한, 형성된 비공유 결합은 탄소나노튜브의 분극률 및 탄소나노튜브 입자 간의 반데르발스 힘(Van der Waals force)을 약화시켜 탄소나노튜브 입자 간의 응집력을 약화시키므로, 탄소나노튜브의 분산력이 향상된다.
본 발명의 화학식 1의 방향족 화합물은 염의 형태로 사용할 수 있으며, 염으로는 유리산(free acid)에 의해 형성된 산 부가염이 유용하다. 산 부가염은 염산, 질산, 인산, 황산, 브롬화수소산, 요오드화수소산, 아질산, 아인산 또는 과염소산과 같은 무기산류와 지방족 모노 및 다이카르복실레이트, 페닐-치환된 알카노에이트, 하이드록시 알카노에이트 및 알칸디오에이트, 방향족 산류, 지방족 및 방향족 설폰산류와 같은 무독성 유기산으로부터 얻는다. 이러한 무독한 염류로는 설페이트, 피로설페이트, 바이설페이트, 설파이트, 바이설파이트, 나이트레이트, 포스페이트, 모노하이드로겐 포스페이트, 다이하이드로겐 포스페이트, 메타포스페이트, 피로포스페이트 클로라이드, 브로마이드, 아이오다이드, 플루오라이드, 아세테이트, 프로피오네이트, 데카노에이트, 카프릴레이트, 아크릴레이트, 포메이트, 이소부티레이트, 카프레이트, 헵타노에이트, 프로피올레이트, 옥살레이트, 말로네이트, 석시네이트, 수베레이트, 세바케이트, 푸마레이트, 말리에이트, 부틴-1,4-디오에이트, 헥산-1,6-디오에이트, 벤조에이트, 클로로벤조에이트, 메틸벤조에이트, 다이나이트로 벤조에이트, 하이드록시벤조에이트, 메톡시벤조에이트, 프탈레이트, 테레프탈레이트, 벤젠설포네이트, 톨루엔설포네이트, 클로로벤젠설포네이트, 크실렌설포네이트, 페닐아세테이트, 페닐프로피오네이트, 페닐부티레이트, 시트레이트, 락테이트, β-하이드록시부티레이트, 글리콜레이트, 말레이트, 타트레이트, 메탄설포네이트, 프로판설포네이트, 나프탈렌-1-설포네이트, 나프탈렌-2-설포네이트 또는 만델레이트를 포함한다.
본 발명에 따른 산 부가염은 통상의 방법, 예를 들면, 화학식 1의 유도체를 과량의 산 수용액 중에 용해시키고, 이 염을 수혼화성 유기 용매, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 아세톤 또는 아세토나이트릴을 사용하여 침전시켜서 제조할 수 있다. 침전된 염은 동량의 화학식 1의 유도체 및 수용액 중의 산 또는 알코올을 가열하여 증발건조시키거나 석출된 염을 흡입 여과시켜 제조할 수도 있다.
또한, 염기를 사용하여 금속염을 만들 수 있다. 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 염은 예를 들면, 화합물을 과량의 알칼리 금속 수산화물 또는 알칼리 토금속 수산화물 용액에 용해시키고, 비용해 화합물 염을 여과한 후, 여액을 증발, 건조시켜 얻는다. 이때, 금속염으로는 나트륨, 칼륨 또는 칼슘염을 제조하는 것이 제약상 적합하다. 또한, 이에 대응하는 은 염은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 염을 적당한 은 염(예를 들면, 질산은)과 반응시켜 얻는다.
본 발명은 상기 화학식 1의 화합물 및 이의 염 뿐만 아니라, 이로부터 제조될 수 있는 가능한 용매화물, 수화물 등을 모두 포함한다.
또한, 본 발명은 하기 반응식 1로 나타낸 바와 같이,
화학식 2로 표시되는 화합물을 염소화 반응시켜 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및
상기 단계 1에서 제조된 화학식 3의 화합물과 화학식 4로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 것을 특징으로 하는 방향족 화합물의 제조방법을 제공한다:
[반응식 1]
Figure 112013024552523-pat00003
(상기 반응식 1에서, R1, R2 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다).
이하, 상기 제조방법을 각 단계별로 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명에 따른 상기 단계 1은 화학식 2로 표시되는 화합물을 염소화 반응시켜 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 보다 구체적으로, 질소 존재 하에서 반응용매에 용해된 화학식 2로 표시되는 화합물에 염소화제를 첨가한 후, 교반하여 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다.
이때, 상기 염소화제로는 포스포러스 트라이클로라이드(PCl3), 포스포릴클로라이드(POCl3), 싸이오닐클로라이드(SOCl2), 설퍼릴클로라이드(SO2Cl2), 포스겐(COCl2) 또는 옥사릴클로라이드(C2O2Cl2)를 사용할 수 있다. 바람직하게는 옥사릴클로라이드(C2O2Cl2)를 사용할 수 있다.
또한, 상기 반응용매로는 다이클로로메탄, 다이클로로에탄, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 다이에틸에테르, 톨루엔, 자이렌, 크실렌, 벤젠, 클로로벤젠, 다이메틸포름아마이드 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 다이클로로메탄을 사용할 수 있다.
나아가, 반응온도는 특별히 제한되는 것은 아니나, -10℃ 내지 상온의 온도 범위에서 수행하는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명에 따른 상기 단계 2는 상기 단계 1에서 제조된 화학식 3의 화합물과 화학식 4로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 보다 구체적으로는, 염기 존재 하에서 화학식 3으로 표시되는 화합물이 용해된 반응용액에 화학식 4로 표시되는 화합물을 첨가하고 교반하여 화학식 3의 클로로카보닐기와 화학식 4의 하이드록시기가 커플링된 화학식 1의 방향족 화합물을 제조하는 단계이다.
이때, 상기 염기로는 메틸아민, 에틸아민, 다이메틸아민, 다이에틸아민, 트라이메틸아민, 트라이에틸아민, 사이클로헥실아민, 다이에틸이소프로필아민 또는 피리딘을 사용할 수 있고, 바람직하게는 트라이에틸아민을 사용할 수 있다.
또한, 상기 반응용액에 사용된 반응용액은 다이클로로메탄, 다이클로로에탄, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 다이에틸에테르, 톨루엔, 자이렌, 크실렌, 벤젠, 클로로벤젠 또는 다이메틸포름아마이드일 수 있고, 바람직하게는 테트라하이드로퓨란일 수 있다.
나아가, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물이 비공유 결합으로 탄소나노튜브 표면에 흡착되어 표면 개질된 탄소나노튜브를 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112013024552523-pat00004
(상기 화학식 1에서, R1, R2 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다).
일반적으로 물질은 작아지면 주변 물질과 빠르게 응집하려는 강한 인력을 갖는다. 마찬가지로 탄소나노튜브 또한 작은 크기에 따른 매우 강한 자체 응집성을 가지며, 이로 인한 고분자 내의 균질한 분산 및 혼합이 어려운 단점이 있다. 그러나, 본 발명에 따른 탄소나노튜브는 신규한 방향족 화합물을 비공유 결합으로 표면에 흡착시켜 개질됨으로써 고분자 내의 분산력을 현저히 개선시킬 수 있다.
이때, 본 발명에 따른 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWNT), 다중벽 탄소나노튜브(MWNT), 탄소나노섬유(CNF), 플러렌(C60), 탄소나노파우더(CNP), 다이아몬드 나노파우더(DNP) 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 발명은 상기 표면 개질된 탄소나노튜브의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 표면 개질된 탄소나노튜브의 제조방법은 용매 존재 하에서 화학식 1의 방향족 화합물와 탄소나노튜브를 혼합하여 탄소나노튜브 표면에 화합물을 흡착시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따라 탄소나노튜브의 표면의 개질은 상기 화학식 1의 방향족 화합물이 포함된 용액에 탄소나노튜브를 혼합한 후, 초음파 조사하거나 교반하여 수행된다. 이때, 화학식 1의 화합물은 본 발명에 따른 화합물에 포함된 아릴기와 탄소나노튜브 사이의 π-π 인력(interaction)에 의해 탄소나노튜브의 표면에 흡착된다. 즉, 표면 개질은 용액 내에서 탄소나노튜브에 화합물이 흡착함으로써 이루어진다. 본 발명에 사용되는 용매는 메틸렌클로라이드를 사용할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
나아가, 본 발명은 폴리카보네이트 매트릭스에 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물로 표면 개질된 탄소나노튜브가 균질하게 분산된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112013024552523-pat00005
(상기 화학식 1에서, R1, R2 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다).
본 발명에 따른 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재는 당업계에서 통상적으로 사용되는 방법을 이용하여 제조될 수 있으며, 예를 들면 용액 성형법(solvent-casting), 용융 성형법(melt-compounding) 등을 방법을 이용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
이때, 본 발명에 사용되는 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWNT), 다중벽 탄소나노튜브(MWNT), 탄소나노섬유(CNF), 플러렌(C60), 탄소나노파우더(CNP), 다이아몬드 나노파우더(DNP) 또는 이들의 혼합물이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 탄소나노튜브의 크기는 복합제의 용도에 따라 다양하게 선택하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 대량생산의 용이성, 작업성, 경제성, 생산의 용이성, 복합제의 특성 및 구입 용이성 등을 고려하여 100 ㎚ 내지 100 ㎛의 길이를 갖고, 0.5 ㎚ 내지 50 ㎚의 직경인 것을 사용할 수 있다.
상기 폴리카보네이트에 탄소나노튜브를 분산하는 방법은 통상적으로 고체입자를 고분자 용액에 균질하게 혼합하기 위하여 사용되는 교반 방법들이 모두 적용될 수 있으며, 적절한 분산제를 혼합하여 사용할 수도 있다. 특히, 나노 크기의 탄소나노튜브를 분산시킬 경우에는 초음파 분산법을 사용하는 것이 균질한 분산을 위하여 바람직하다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재는 전자제품 소재로 사용될 수 있으며, 적용 가능한 전자제품 소재로는 높은 전자파 차폐율, 전기 전도도 및 기계적 강도가 요구되는 휴대용 PC, 디지털 카메라 내외장, 휴대폰 하우징, TV 프레임 또는 기타 IT 제품을 들 수 있다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재는 화학식 1의 방향족 화합물로 표면 개질한 후에도 탄소나노튜브의 구조가 변형되지 않고, 폴리카보네이트에 탄소나노튜브가 균질하게 분산되며, 이로 인해 표면 개질되지 않은 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재 대비, 약 0.47배 - 0.6배의 낮은 면 저항 및 약 2.3배 - 3.2배의 높은 전기 전도도를 갖는 것으로 나타났다. 이로부터, 본 발명에 따른 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재는 전기 전도도가 우수할 뿐만 아니라, 낮은 면 저항으로 인한 높은 전자파 차폐 효과가 현저히 우수한 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재는 기계적 물성이 우수할 뿐만 아니라, 전기 전도도가 뛰어나고, 낮은 면 저항으로 인한 전자파 차폐 효과가 현저히 우수하므로, 높은 전자파 차폐율, 전기 전도도 및 기계적 강도가 요구되는 휴대용 PC, 디지털 카메라 내외장, 휴대폰 하우징, TV 프레임, 기타 IT 제품과 같은 전자제품 소재로 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 실시예 및 실험예를 통해 본 발명을 상세히 설명한다.
단, 하기의 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 1> 4-(2-(4- 메톡시페닐 )프로판-2-일) 페닐 안트라센-9- 카르복실레이트의 제조
Figure 112013024552523-pat00006
단계 1: 안트라센-9- 카보닐 클로라이드의 제조
질소(N2) 존재 하에서, 9-안트라센카르복실산(1 g, 4.5 mmol)이 용해된 다이클로로메탄(100 ml) 용액을 0℃ - 5℃로 냉각시킨 다음, 옥사릴클로라이드(0.9 g, 6.7 mmol) 및 다이메틸포름아마이드(1 방울)를 서서히 가하였다. 상기 시약이 모두 첨가되면, 0℃ - 5℃를 유지하면서 30분 동안 교반하고, 실온으로 승온하여 3시간 동안 추가 교반하였다. 반응이 종결되면 용매를 감압농축하고 하루 동안 진공건조시켜 별도의 정제없이 목적화합물을 얻었다.
단계 2: 4-(2-(4- 메톡시페닐 )프로판-2-일) 페닐 안트라센-9- 카르복실레이트의 제조
질소(N2) 존재 하에서, 4-(2-(4-메톡시페닐)프로판-2-일)페놀(1.0 g, 4.1 mmol)이 용해되어 있는 테트라하이드로퓨란(100 ml)에 트라이에틸아민(0.8 g, 8.3 mmol)을 첨가하였다. 상기 시약이 모두 첨가되면, 0℃ - 5℃를 유지하면서 다이클로로메탄(10 ml)에 용해시킨 상기 단계 1에서 제조된 화합물(1.0 g, 4.1 mmol)을 천천히 적가했다. 그 후, 실온으로 서서히 승온하여 5시간 동안 교반하고, 반응혼합물을 감압농축하여 용매를 제거하였다. 남은 잔여물은 에틸아세테이트에 용해시키고 소금물로 세척한 후, 마그네슘설페이트(MgSO4)로 건조시켰다. 건조된 혼합물을 감압농축하고 컬럼크로마토그래피(실리카겔, n-헥산:에틸아세테이트=4:1)로 정제하여 목적화합물(0.55 g, 30%)을 얻었다.
1H-NMR (CDCl3) : δ 1.75 (s, 6H), 3.83 (s, 3H), 6.88 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.24 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.39 (s, 4H), 7.52-7.64 (m, 4H), 8.09 (d, 2H, J = 8 Hz), 8.28 (d, 2H, J = 8 Hz), 8.62 (s, 1H).
< 실시예 2> 4-(2-(4- 메톡시페닐 )프로판-2-일) 페닐 2-(나프탈렌-1-일)아세테이트의 제조
Figure 112013024552523-pat00007
단계 1: 2-(6,7- 다이하이드로나프탈렌 -1-일)아세틸 클로라이드의 제조
질소(N2) 존재 하에서, 1-나프틸아세트산(1g, 5.4 mmol)이 용해된 다이클로로메탄(100 ml) 용액을 0℃ - 5℃로 냉각시킨 다음, 옥사릴클로라이드(1.0 g, 8.1 mmol) 및 다이메틸포름아마이드(1 방울)를 서서히 가하였다. 상기 시약이 모두 첨가되면, 0℃ - 5℃를 유지하면서 30분 동안 교반하고, 실온으로 승온하여 3시간 동안 추가 교반하였다. 반응이 종결되면 용매를 감압농축하고 하루 동안 진공건조시켜 별도의 정제없이 목적화합물을 얻었다.
단계 2: 4-(2-(4- 메톡시페닐 )프로판-2-일) 페닐 2-(나프탈렌-1-일)아세테이트의 제조
질소(N2) 존재 하에서, 4-(2-(4-메톡시페닐)프로판-2-일)페놀(1.0 g, 4.1 mmol)이 용해되어 있는 테트라하이드로퓨란(100 ml)에 트라이에틸아민(0.8 g, 8.3 mmol)을 첨가하였다. 상기 시약이 모두 첨가되면, 0℃ - 5℃를 유지하면서 다이클로로메탄(10 ml)에 용해시킨 상기 단계 1에서 제조된 화합물(0.8 g, 4.1 mmol)을 천천히 적가했다. 그 후, 실온으로 서서히 승온하여 5시간 동안 교반하고, 반응혼합물을 감압농축하여 용매를 제거하였다. 남은 잔여물은 에틸아세테이트에 용해시키고 소금물로 세척한 후, 마그네슘설페이트(MgSO4)로 건조시켰다. 건조된 혼합물을 감압농축하고 컬럼크로마토그래피(실리카겔, n-헥산:에틸아세테이트=9:1)로 정제하여 목적화합물(0.59 g, 35%)을 얻었다.
1H-NMR (CDCl3) : δ 1.64 (s, 6H), 3.79 (s, 3H), 4.31 (s, 2H), 6.80 (d, 2H, J = 9 Hz), 6.92 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.15 (dd, 4H, J = 8.7Hz, 9 Hz), 7.45-7.61 (m, 4H), 7.88 (dd, 2H, J = 7.5Hz, 7.8 Hz), 8.13 (d, 1H, J = 8.1Hz).
< 실시예 3> 4-(2-(4- 메톡시페닐 )프로판-2-일) 페닐 4- 페닐부타노에이트의 제조
Figure 112013024552523-pat00008
단계 1: 4- 페닐부타노일 클로라이드의 제조
질소(N2) 존재 하에서, 4-페닐부티릭산(1g, 6.1 mmol)이 용해된 다이클로로메탄(100 ml) 용액을 0℃ - 5℃로 냉각시킨 다음, 옥사릴클로라이드(1.2 g, 9.1 mmol) 및 다이메틸포름아마이드(1 방울)를 서서히 가하였다. 상기 시약이 모두 첨가되면, 0℃ - 5℃를 유지하면서 30분 동안 교반하고, 실온으로 승온하여 3시간 동안 추가 교반하였다. 반응이 종결되면 용매를 감압농축하고 하루 동안 진공건조시켜 별도의 정제없이 목적화합물을 얻었다.
단계 2: 4-(2-(4- 메톡시페닐 )프로판-2-일) 페닐 4- 페닐부타노에이트의 제조
질소(N2) 존재 하에서, 4-(2-(4-메톡시페닐)프로판-2-일)페놀(1.5 g, 6.2 mmol)이 용해되어 있는 테트라하이드로퓨란(100 ml)에 트라이에틸아민(1.3 g, 12.4 mmol)을 첨가하였다. 상기 시약이 모두 첨가되면, 0℃ - 5℃를 유지하면서 다이클로로메탄(10 ml)에 용해시킨 상기 단계 1에서 제조된 화합물(1.1 g, 6.2 mmol)을 천천히 적가했다. 그 후, 실온으로 서서히 승온하여 5시간 동안 교반하고, 반응혼합물을 감압농축하여 용매를 제거하였다. 남은 잔여물은 에틸아세테이트에 용해시키고 소금물로 세척한 후, 마그네슘설페이트(MgSO4)로 건조시켰다. 건조된 혼합물을 감압농축하고 컬럼크로마토그래피(실리카겔, n-헥산:에틸아세테이트=4:1)로 정제하여 목적화합물(1.08 g, 45%)을 얻었다.
1H-NMR (CDCl3) : δ 1.71 (s, 6H), 2.08-2.18 (m, 2H), 2.62 (t, 2H), 2.79 (t, 2H), 3.83 (s, 3H), 6.87 (d, 2H, J = 8.7 Hz), 7.02 (d, 2H, J = 8.7 Hz), 7.21 (d, 2H, J = 8.7 Hz), 7.28 (dd, 5H, J = 1.8 Hz, 2.1 Hz), 7.36 (t, 2H).
< 실시예 4> 표면 개질된 탄소나노튜브의 제조 1
상기 실시예 1에서 제조된 화합물(0.1 g) 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT, 0.1 g)를 테트라하이드로퓨란(50 ml)에 첨가한 다음, 상온에서 30분 동안 초음파 처리하였다. 그 후, 초음파 처리된 반응물을 여과하고 여과물을 테트라하이드로퓨란으로 세척한 다음, 진공 오븐에서 건조하여 표면이 개질된 탄소나노튜브를 제조하였다.
< 실시예 5> 표면 개질된 탄소나노튜브의 제조 2
상기 실시예 2에서 제조된 화합물(0.1 g) 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT, 0.1 g)를 테트라하이드로퓨란(50 ml)에 첨가한 다음, 상온에서 30분 동안 초음파 처리하였다. 그 후, 초음파 처리된 반응물을 여과하고 여과물을 테트라하이드로퓨란으로 세척한 다음, 진공 오븐에서 건조하여 표면이 개질된 탄소나노튜브를 제조하였다.
< 실시예 6> 표면 개질된 탄소나노튜브의 제조 3
상기 실시예 3에서 제조된 화합물(0.1 g) 및 다중벽 탄소나노튜브(MWNT, 0.1 g)를 테트라하이드로퓨란(50 ml)에 첨가한 다음, 상온에서 30분 동안 초음파 처리하였다. 그 후, 초음파 처리된 반응물을 여과하고 여과물을 테트라하이드로퓨란으로 세척한 다음, 진공 오븐에서 건조하여 표면이 개질된 탄소나노튜브를 제조하였다.
< 실시예 7> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조 1
본 발명에 따른 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재는 용융 성형법(melt casting)을 이용하여 제조하였다. 먼저, 폴리카보네이트(10 g)를 가열하여 용융시킨 후, 상기 실시예 4에서 표면 개질된 탄소나노튜브(1 phr)를 첨가하였다. 그 후, 이축 압출기(twin screw extruder, 마이크로 컴파운더)를 사용하여 250℃에서 10분 동안 혼련하고 사출한 다음, 상온에서 냉각시켜 표면 개질화된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
< 실시예 8> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조 2
상기 실시예 7에 있어서, 실시예 4에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 사용하는 대신에 실시예 5에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 표면이 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
<실시예 9> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조 3
상기 실시예 7에 있어서, 실시예 4에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 사용하는 대신에 실시예 6에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 표면이 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
< 실시예 10> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조 4
상기 실시예 7에 있어서, 실시예 4에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 1 phr 첨가하는 대신에 3 phr 첨가하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 표면이 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
< 실시예 11> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조 5
상기 실시예 7에 있어서, 실시예 4에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 1 phr 첨가하는 대신에 실시예 5에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 3 phr 첨가하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 표면이 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
< 실시예 12> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조 6
상기 실시예 7에 있어서, 실시예 4에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 1 phr 첨가하는 대신에 실시예 6에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 3 phr 첨가하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 표면이 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
< 실시예 13> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조 7
상기 실시예 7에 있어서, 표면 개질된 탄소나노튜브를 1 phr 첨가하는 대신에 5 phr 첨가하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 표면이 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
< 실시예 14> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조 8
상기 실시예 7에 있어서, 실시예 4에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 1 phr 첨가하는 대신에 실시예 5에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 5 phr 첨가하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 표면이 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
< 실시예 15> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조 9
상기 실시예 7에 있어서, 실시예 4에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 1 phr 첨가하는 대신에 실시예 6에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 5 phr 첨가하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 표면이 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
< 비교예 1> 표면 개질되지 않은 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 제조
상기 실시예 7에서 실시예 4에서 표면 개질된 탄소나노튜브를 사용하는 대신에 표면 개질되지 않은 탄소나노튜브(5 phr)를 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 수행하여 표면 개질되지 않은 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재를 제조하였다.
< 실험예 1> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 분산성 평가
본 발명에 따라 표면 개질된 탄소나노튜브의 고분자 내 분산성을 평가하기 위하여 하기와 같은 실험을 수행하였다.
본 발명에 따른 실시예 7의 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재 및 비교예 1의 표면 개질되지 않은 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 투과전자현미경(TEM, Tecnai G2 20 microscope)을 촬영하여 분산 정도를 평가하였다. 그 결과를 도 1 및 도 2에 나타내었다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 화학식 1의 방향족 화합물로 표면 개질된 탄소나노튜브를 이용하여 제조된 실시예 7의 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재는 폴리카보네이트 매트릭스에 탄소나노튜브 간의 응집현상 없이 균질하게 분산되는 것으로 확인되었다. 반면, 표면이 개질되지 않은 탄소나노튜브를 이용하여 제조된 비교예 1의 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재는 탄소나노튜브 간의 응집현상이 뚜렷한 것으로확인되었다. 이로부터, 본 발명에 따른 탄소나노튜브는 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물로 표면 개질됨으로써 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재 제조 시, 고분자 내에서 응집현상 없이 균질하게 분산되는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재는 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물로 표면 개질된 탄소나노튜브를 폴리카보네이트 매트릭스 내에 응집현상 없이 균질하게 분산시켜 제조되어 전기적 물성, 전기 전도도 및 기계적 물성을 향상시키는 효과가 우수하므로, 높은 전자파 차폐율 및 기계적 강도가 요구되는 휴대용 PC, 디지털 카메라 내외장, 휴대폰 하우징, TV 프레임 등의 전자제품 소재로 유용하게 사용될 수 있다.
< 실험예 2> 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 물성 평가
본 발명에 따른 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재의 물성 평가하기 위하여 하기와 같은 실험을 수행하였다.
먼저, 본 발명에 따른 실시예 7 내지 실시예 15, 및 비교예 1에서 제조된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재에 대한 면 저항은 디지털 전압계(KEIYHLEY 195A digital multimeter) 및 프로그램 가능 전류원(programmable current source)을 사용하여 4-침범(4-point probe)으로 측정하였다. 또한, 면 저항을 측정하였던 나노 복합재에 대하여 만능재료시험기(Universal testing machine)을 이용한 굴곡탄성율을 측정하였다. 이때, 측정샘플은 ASTM D 760에 의해 제작되었으며, 측정조건은 3점 굴곡시험(three-point bending tert)에 의한 1.0 mm/min의 cross-head speed로 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
나노복합재 개질 화합물 탄소나노튜브 첨가량(phr) 면 저항
(Ω/□)		 굴곡탄성율
(MPa)
실시예 7 실시예 1의 화합물 1 20 3.2
실시예 8 실시예 2의 화합물 1 23 3.1
실시예 9 실시예 3의 화합물 1 25 3.2
실시예 10 실시예 1의 화합물 3 15 3.3
실시예 11 실시예 2의 화합물 3 15 3.5
실시예 12 실시예 3의 화합물 3 18 3.2
실시예 13 실시예 1의 화합물 5 12 3.8
실시예 14 실시예 2의 화합물 5 13 3.6
실시예 15 실시예 3의 화합물 5 15 3.4
비교예 1 - 5 68 2.3
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재는 표면이 개질되지 않은 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재에 비하여 우수한 물성을 갖는 것을 알 수 있다. 보다 구체적으로, 면 저항의 경우 표면이 개질되지 않은 탄소나노튜브를 이용하여 제조된 비교예 1의 나노복합재는 68 Ω/□으로 나타난 반면, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물로 표면 개질된 탄소나노튜브를 이용하여 제조된 나노복합재는 12 Ω/□ - 25 Ω/□로 나타났다. 이는 표면 개질되지 않은 탄소나노튜브를 이용하여 제조된 비교예 1의 나노복합재에 비하여, 본 발명에 따른 나노복합재가 약 0.17배 내지 0.36배의 현저히 낮은 면 저항값을 갖는 것을 의미한다. 또한, 굴곡탄성율의 경우 비교예 1은 2.3 MPa로 나타난 반면, 본 발명에 따른 나노복합재는 약 3.1 MPa - 3.8 MPa로 나타났다. 이는 표면 개질되지 않은 탄소나노튜브를 이용하여 제조된 비교예 1의 나노복합재에 비하여, 본 발명에 따른 나노복합재가 약 1.3배 내지 1.7배의 현저히 높은 굴곡탄성율을 갖는 것을 의미한다. 이로부터, 본 발명에 따른 표면 개질된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재는 표면 개질되지 않은 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재에 비하여 면 저항을 현저히 감소시켜 전자 차폐효과가 향상되었을 뿐만 아니라, 굴곡탄성율을 개선하여 높은 굴곡강도를 나타내는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 탄소나노튜브/폴리카보네이트 복합재는 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물로 표면 개질된 탄소나노튜브를 폴리카보네이트 매트릭스 내에 응집현상 없이 균질하게 분산시켜 제조되어 전기적 물성 및 기계적 물성을 향상시키는 효과가 우수하므로, 높은 전자파 차폐율, 전기 전도도 및 기계적 강도가 요구되는 휴대용 PC, 디지털 카메라 내외장, 휴대폰 하우징, TV 프레임 등의 전자제품 소재로 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 방향족 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112013024552523-pat00009

    (상기 화학식 1에서,
    R1은 C6-C14 단일고리, 이중고리 또는 삼중고리인 아릴이고;
    R2는 C1-C4의 직쇄 또는 측쇄 알킬 또는 C1-C4의 직쇄 또는 측쇄 알콕시이고; 및
    n은 0 내지 6의 정수이다).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 R1은 페닐, 나프틸 또는 안트라센이고;
    R2는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 메톡시, 에톡시, 프로폭시 또는 부톡시이고; 및
    n은 0 내지 4의 정수인 것을 특징으로 하는 방향족 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은:
    4-(2-(4-메톡시페닐)프로판-2-일)페닐 안트라센-9-카르복실레이트;
    4-(2-(4-메톡시페닐)프로판-2-일)페닐 2-(나프탈렌-1-일)아세테이트; 및
    4-(2-(4-메톡시페닐)프로판-2-일)페닐 4-페닐부타노에이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 방향족 화합물.
  4. 하기 반응식 1로 나타낸 바와 같이,
    화학식 2로 표시되는 화합물을 염소화 반응시켜 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및
    상기 단계 1에서 제조된 화학식 3의 화합물과 화학식 4로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 것을 특징으로 하는 방향족 화합물의 제조방법:
    [반응식 1]
    Figure 112013024552523-pat00010

    (상기 반응식 1에서, R1, R2 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같다).
  5. 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물이 비공유 결합으로 탄소나노튜브 표면에 흡착되어 표면 개질된 탄소나노튜브:
    [화학식 1]
    Figure 112013024552523-pat00011

    (상기 화학식 1에서, R1, R2 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같다).
  6. 제5항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWNT), 다중벽 탄소나노튜브(MWNT), 탄소나노섬유(CNF), 플러렌(C60), 탄소나노파우더(CNP), 다이아몬드 나노파우더(DNP) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 표면 개질된 탄소나노튜브.
  7. 용매 존재 하에서, 하기 화학식 1의 방향족 화합물와 탄소나노튜브를 혼합하여 탄소나노튜브에 화합물을 흡착시키는 단계를 포함하는 제5항의 탄소나노튜브의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure 112013024552523-pat00012

    (상기 화학식 1에서, R1, R2 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같다).
  8. 제7항에 있어서,
    상기 용매는 클로로포름(CHCl3), 다이클로로메탄(DCM), 테트라하이드로퓨란(THF) 및 이들의 혼합용매로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법.
  9. 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물로 표면 개질된 탄소나노튜브가 폴리카보네이트 매트릭스에 균질하게 분산된 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재:
    [화학식 1]
    Figure 112013024552523-pat00013

    (상기 화학식 1에서, R1, R2 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같다).
  10. 제9항에 있어서,
    상기 나노복합재는 전자제품 소재에 사용되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브/폴리카보네이트 나노복합재.
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