KR101444611B1 - Wafer polishing apparatis - Google Patents

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KR101444611B1
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조태형
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주식회사 엘지실트론
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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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    • B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
    • B24B37/16—Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved

Abstract

The present invention relates to a wafer polishing apparatus capable of rapidly and smoothly discharging slurry and foreign substances supplied during a polishing process. The slurry is supplied between an upper surface plate and a lower surface plate, and a wafer engaged between the upper surface plate and the lower surface plate is polished while the upper surface plate and the lower surface plate rotates. The lower surface plate includes a lower surface plate body having a hole for introducing the slurry; and a storage body which is installed on the lower side of the lower surface plate body and is capable of storing the slurry flowing down from the hole of the lower surface plate body. The storage body is installed to be separated by sliding in the horizontal direction to the lower surface plate body.

Description

웨이퍼 연마장치 {WAFER POLISHING APPARATIS}[0001] WAFER POLISHING APPARATUS [0002]

본 발명은 연마 공정 시에 공급되는 슬러리 및 이물질을 신속하고 원활하게 배출시킬 수 있는 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus capable of quickly and smoothly discharging slurry and foreign matter supplied in a polishing process.

일반적으로 원통형으로 제조된 잉곳은 원판형 웨이퍼로 슬라이싱된 다음, 웨이퍼의 절단된 표면을 연마시키기 위하여 래핑 공정이 진행된다.Generally, an ingot made in a cylindrical shape is sliced into a disk-shaped wafer, and then a lapping process is carried out to polish the cut surface of the wafer.

보통, 래핑 공정은 웨이퍼의 표면에 슬러리를 공급하면서 상/하정반에 의해 가압한 상태에서 연마시키게 된다.Normally, the lapping process is performed while the slurry is supplied to the surface of the wafer while being pressed by the upper / lower half.

한국공개특허 제2009-0073737호에는 실시간 연마량을 측정하는 측정 유닛을 포함하는 기판 연마장치가 개시되어 있는데, 상면에 연마홈이 형성되는 정반과, 연마 지지대와, 워크피스 홀더와, 각각 웨이퍼와 워크피스와 접촉하도록 정반의 연마홈에 설치된 두 개의 측정 유닛을 포함하도록 구성된다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 2009-0073737 discloses a substrate polishing apparatus including a measuring unit for measuring a real-time polishing amount. The polishing apparatus includes a polishing plate having a polishing groove formed on its upper surface, a polishing support, a workpiece holder, And two measurement units provided in the polishing groove of the platen so as to be in contact with the workpiece.

따라서, 정반의 연마홈을 따라 슬러리가 흐르면, 각각의 측정 유닛이 측정된 값의 차이값을 통하여 연마량을 실시간으로 측정할 수 있다.Therefore, when the slurry flows along the polishing groove of the table, each measuring unit can measure the polishing amount in real time through the difference value of the measured values.

도 1은 종래 기술에 따른 하정반이 도시된 도면으로써, 하정반(1)의 표면에는 슬러리가 흐를 수 있는 소정의 그루브(G)가 구비되고, 상기 그루프(G)가 교차하는 지점에 슬러리가 빠져나갈 수 있는 홀(H)이 구비된다.FIG. 1 is a diagram showing a bottom plate according to the prior art. In FIG. 1, a bottom surface of a bottom plate 1 is provided with a predetermined groove G through which slurry can flow, And a hole (H) through which the light emitting diode (OLED) can escape.

그런데, 종래의 웨이퍼 연마장치는 연마 공정이 진행될수록 슬러리를 비롯하여 연마물질이 하정반(1)의 표면에 구비된 그루브(G)에 쌓일 수 있고, 이로 인하여 연마물질에 의하여 웨이퍼에 스크레치가 발생되어 연마 품질을 떨어뜨리는 문제점이 있다.However, in the conventional wafer polishing apparatus, as the polishing process proceeds, the polishing material including the slurry can be accumulated in the groove G provided on the surface of the lower polishing plate 1, whereby scratches are generated on the wafer by the polishing material There is a problem that the polishing quality is lowered.

따라서, 하정반(1) 표면의 그루브(G)에 쌓인 슬러리를 제거하기 위하여 작업자가 직접 날카로운 도구를 이용하여 홈파기를 수행하는 크리닝 작업을 실시하지만, 홈파기 작업으로 인하여 하정반(G) 표면을 손상시킬 뿐 아니라 작업 효율 및 생산성을 떨어뜨리는 문제점이 있다.Therefore, in order to remove the slurry accumulated on the groove G on the surface of the lower surface of the lower plate 1, the operator carries out a cleaning operation to perform grooving by using a sharp tool. However, due to the grooving operation, But also the work efficiency and productivity are deteriorated.

물론, 하정반(1)에 구비된 홀(H)의 크기를 크게 구성하여 그루브(G)에 쌓인 슬러리를 신속하게 배출시킬 수 있지만, 하정반(1)의 그루브(G) 상에 잔류하는 슬러리의 양을 조절하지 못하고 빠르게 제거할 수 있어 연마 공정이 원활하게 진행되지 못하는 문제점이 있다.Of course, it is possible to rapidly discharge the slurry deposited on the groove G by making the size of the hole H provided in the lower half 1 large, but the slurry remaining on the groove G of the lower half 1, The polishing rate can not be controlled and the polishing rate can be removed quickly, so that the polishing process can not proceed smoothly.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 하정반에 공급되는 슬러리가 하정반 표면에 퇴적되는 것을 방지할 뿐 아니라 적절한 속도로 배출되도록 하며, 나아가 사용된 슬러리를 손쉽게 제거할 수 있는 웨이퍼 연마장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to prevent slurry supplied to a lower stage from being deposited on a lower stage surface, The present invention is directed to a wafer polishing apparatus capable of polishing a wafer.

본 발명은 상정반과 하정반 사이에 슬러리가 공급되는 동시에 상정반과 하정반이 회전하면서 그 사이에 맞물린 웨이퍼를 연마시키는 웨이퍼 연마장치에 있어서, 상기 하정반은, 슬러리가 유입될 수 있는 홀이 구비된 하정반 본체와, 상기 하정반 본체의 하측에 구비되고, 상기 하정반 본체의 홀로부터 흘러내린 슬러리를 저장할 수 있는 홈이 구비된 저장체를 포함하고, 상기 저장체는 상기 하정반 본체에 대해 수평 방향으로 슬라이딩 분리 가능하게 설치되는 웨이퍼 연마장치를 제공한다.The present invention is directed to a wafer polishing apparatus for supplying a slurry between an upper half of a wafer and a lower half of a wafer, and polishing the wafer engaged between the upper half and the lower half while rotating the upper half and the lower half, And a storage body provided on a lower side of the lower half body and having a groove capable of storing a slurry flowing down from the hole of the lower half body, wherein the storage body is horizontally The present invention provides a wafer polishing apparatus which is slidably and detachably mounted in a direction of a wafer.

본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치는 하정반이 홀이 구비된 하정반 본체와 홈이 구비된 저장체로 구성되고, 그에 따라 슬러리가 하정반 본체의 홀을 통하여 배출되어 저장체의 홈에 저장되기 때문에 슬러리와 연마물질 등이 하정반 표면에 축적되는 것을 방지할 뿐 아니라 적절한 속도로 배출되도록 하고, 이로 인하여 웨이퍼 표면에 생길 수 있는 스크레치를 방지하여 연마 품질을 높일 수 있을 뿐 아니라 하정반 표면에 적절한 슬러리의 양이 잔류되도록 하여 원활한 연마 공정을 수행할 수 있는 이점이 있다.The wafer polishing apparatus according to the present invention comprises a lower half body having a hole and a storage body provided with a groove, and the slurry is discharged through the holes of the lower half body and stored in the groove of the storage body, And the abrasive material are prevented from accumulating on the lower surface of the lower polishing plate and discharged at an appropriate speed. As a result, scratches that may occur on the wafer surface can be prevented to improve the polishing quality, So that a smooth polishing process can be performed.

또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치는 하정반 본체와 저장체와 고정체가 적층된 상태로 조립되는데, 저장체가 고정체의 편심된 축을 중심으로 회전 가능하게 설치되거나, 고정체가 적어도 두 개 이상으로 분할되어 분리 가능하게 설치되기 때문에 슬러리가 담겨진 저장체를 분리하여 손쉽게 크리닝 작업을 수행할 수 있고, 나아가 하정반 표면에 남겨진 슬러리를 제거하기 위하여 수행하던 홈파기 작업을 생략할 수 있어 하정반의 손상을 방지할 뿐 아니라 작업 효율 및 생산성을 높일 수 있는 이점이 있다.In addition, the wafer polishing apparatus according to the present invention is assembled in a state in which the lower half body, the storage body, and the holding body are stacked, wherein the storage body is rotatably installed around the eccentric axis of the holding body, It is possible to easily perform the cleaning operation by separating the slurry containing the slurry and to eliminate the grooving operation performed to remove the slurry remaining on the lower surface of the slurry, But also the work efficiency and productivity can be increased.

도 1은 종래 기술에 따른 하정반이 도시된 도면.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치가 도시된 분해 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 하정반이 도시된 측면도.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 하정반 본체가 도시된 배면도.
도 5는 도 4의 A-A선에 따른 단면도.
도 6은 도 4의 B-B선에 따른 단면도.
도 7a 내지 도 7b는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 저장체의 다양한 일예가 도시된 평면도.
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 하정반 분리구조가 도시된 사시도.1 shows a lower half according to the prior art.
2 is an exploded perspective view showing a wafer polishing apparatus according to the present invention.
3 is a side view showing a lower half of a wafer polishing apparatus according to the present invention.
Fig. 4 is a rear view of the lower polishing body of the wafer polishing apparatus according to the present invention. Fig.
5 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
6 is a sectional view taken along line BB in Fig.
7A to 7B are plan views showing various examples of a storage body of a wafer polishing apparatus according to the present invention.
8 is a perspective view showing a lower semi-detached structure of the wafer polishing apparatus according to the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치가 도시된 분해 사시도이다.2 is an exploded perspective view showing a wafer polishing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치는 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼를 가압한 상태에서 회전될 수 있는 상정반(100) 및 하정반(200)으로 이루어지며, 상기 하정반(200)은 슬러리가 표면에 공급되는 하정반 본체(210)와, 상기 하정반 본체(210)를 통과한 슬러리가 저장되는 저장체(220)와, 상기 하정반 본체(210)와 저장체(220)를 고정시키는 고정체(230)와, 상기 저장체(220)를 상기 고정체(230)에 대해 편심 회전 가능하게 하는 고정핀(240)을 포함하도록 구성된다.2, the wafer polishing apparatus according to the present invention comprises an upper polishing plate 100 and a lower polishing plate 200 which can be rotated while the wafer is being pressed, A storage body 220 for storing the slurry that has passed through the lower half body 210 and a fixing body 220 for fixing the lower half body 210 and the storage body 220, And a fixing pin 240 for eccentrically rotating the storage body 220 with respect to the fixing body 230.

상기 상정반(100)은 상하 방향으로 이송되며, 상기 하정반(200)과 맞물려 서로 반대 방향으로 회전하면서 연마 공정을 수행할 수 있다. 물론, 상기 상정반(100)이 없더라도 웨이퍼를 고정한 상태에서 상기 하정반(200)에 가압하여 회전시킬 수 있는 별도의 워크피스 등이 적용될 수도 있으며, 별도로 슬러리를 공급하는 장치가 구비될 수 있다.The supposing plate 100 is vertically conveyed and can be polished while being rotated in the opposite direction by engaging with the lower plate 200. Of course, a separate workpiece or the like, which can be pressed and rotated to the lower stage 200 in a state where the wafer is fixed, may be applied even if there is no wafer 100, and an apparatus for separately supplying the slurry may be provided.

상기 하정반(200)은 상기 하정반 본체(210)와 저장체(220)와 고정체(230)가 상하 방향으로 적층된 형태로써, 일체로 회전 가능하게 설치된다. The lower stage 200 is integrally rotatably installed with the lower stage body 210, the storage body 220 and the fixing body 230 stacked in the vertical direction.

이때, 상기 하정반 본체(210)의 중심에 나사산이 구비된 조립홀(211)이 구비되고, 상기 고정체(230)의 중심에 나사산이 구비된 조립돌기(231)가 구비되며, 상기 저장체(220)의 중심에 관통홀(221)이 구비된다. 따라서, 상기 저장체(220)의 관통홀(221)이 상기 고정체(230)의 조립돌기(231)에 끼워진 다음, 상기 하정반 본체(210)의 조립홀(211)이 상기 고정체(230)의 조립돌기(231)에 조립됨에 따라 상기 하정반 본체(210)와 저장체(220)가 상기 고정체(230)에 고정된다. At this time, an assembly hole 211 having a screw thread is provided at the center of the lower half body 210, and an assembling protrusion 231 having a thread at the center of the fixing body 230 is provided, And a through hole 221 is provided at the center. The through hole 221 of the storage body 220 is inserted into the assembly protrusion 231 of the fixture 230 and the assembly hole 211 of the fixture body 210 is inserted into the fixture 230 The lower half body 210 and the storage body 220 are fixed to the fixing body 230. As shown in FIG.

또한, 상기 고정핀(240)은 상기 고정체(230)의 편심된 위치에 상향 돌출되도록 고정된 형태로 구비되며, 상기 저장체(220)는 상기 고정핀(240)의 위치와 대응되는 편심된 위치에 편심홀(222)이 구비된다. 따라서, 상기 저장체(220)의 편심홀(222)이 상기 고정핀(240)에 끼워지도록 조립되고, 클리닝 작업 시에 상기 저장체(220)는 상기 고정핀(240)을 중심으로 회전됨에 따라 상기 하정반 본체(210)와 고정체(230)로부터 슬라이딩 이동된 상태에서 움직일 수 있다.The fixing pin 240 is fixed to protrude upwards from the eccentric position of the fixing body 230 and the storage body 220 is fixed to the eccentric position corresponding to the position of the fixing pin 240. [ An eccentric hole 222 is provided. Accordingly, the eccentric hole 222 of the storage body 220 is assembled to fit into the fixing pin 240, and the storage body 220 is rotated about the fixing pin 240 during the cleaning operation And can be moved while being slidably moved from the lower half body 210 and the fixing body 230.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 하정반이 도시된 측면도이다.Fig. 3 is a side view showing a lower half of a wafer polishing apparatus according to the present invention.

상기 하정반(200)은 도 3에 도시된 바와 같이 상기 고정체(230) 위에 상기 저장체(220)와 하정반 본체(210)가 적층된 구조인데, 슬러리가 상기 하정반 본체(210)의 표면에 공급됨에 따라 웨이퍼의 연마 공정이 진행된다.3, the bottom plate 200 has a structure in which the storage body 220 and the bottom plate body 210 are stacked on the fixing body 230. When the slurry passes through the bottom plate 210 of the bottom plate body 210 As the wafer is supplied to the surface, the polishing process of the wafer proceeds.

상기 하정반 본체(210)는 웨이퍼의 표면을 연마시킬 뿐 아니라 슬러리가 빠져나갈 수 있는 홀(210H)이 구비되는데, 상기 홀(210H)의 형상은 한정되지 아니하지만, 상기 홀(210H)의 배열 및 구성은 하기에서 자세히 설명하기로 한다. The lower half body 210 is provided with a hole 210H for polishing the surface of the wafer and allowing the slurry to escape. The shape of the hole 210H is not limited, but an array of the holes 210H And the configuration will be described in detail below.

이때, 상기 하정반 본체(210)에 구비된 홀(210H)의 깊이는 기존의 하정반에 구비된 홀의 깊이를 비롯하여 일정기간 사용 시에 슬러리와 연마물질에 의해 막혀져서 짧아진 하정반 홈의 깊이를 고려하여 결정될 수 있지만, 실시예에서는 기존의 하정반에 구비된 홀의 깊이와 동일하게 17mm로 구성될 수 있다.At this time, the depth of the hole 210H provided in the lower half body 210 is not limited to the depth of the hole provided in the lower half of the conventional body, and the depth of the lower half- But in the embodiment it can be constructed as 17 mm equal to the depth of the holes provided in the existing lower half.

상기 저장체(220)는 상기 하정반 본체(210)의 홀(210H)로부터 빠져나온 슬러리가 저장되는 홈(220H)이 구비되는데, 상기 홈은 작은 홈이 여러 개 배열된 형태로 구성되거나, 하나의 큰 홈 형태로 구성될 수도 있으며, 한정되지 아니한다. The storage body 220 is provided with a groove 220H for storing a slurry that has escaped from the hole 210H of the lower half body 210. The groove may be formed by arranging a plurality of small grooves, But it is not limited thereto.

실시예에서는 상기 저장체(220)에 구비된 홈(220H)의 깊이가 5mm로 구성될 수 있다. 따라서, 상기 하정반 본체(210)의 홀(210H)과 저장체(220)의 홈(220H)을 통하여 슬러리가 적층될 수 있는 깊이는 더욱 깊게 구성될 수 있다.In an embodiment, the depth of the groove 220H provided in the storage body 220 may be 5 mm. Therefore, the depth at which the slurry can be stacked through the hole 210H of the lower half body 210 and the groove 220H of the storage body 220 can be made deeper.

또한, 상기 하정반 본체(210)의 홀(210H)은 상기 저장체(220)의 홈(220H) 상측에 소정의 간격을 두고 위치되는데, 이는 상기 하정반 본체(210)의 홀(210H)을 통하여 유입된 슬러리가 상기 저장체(220)의 홈(220H) 사이의 공간을 통하여 흐를 수 있도록 하여 상기 저장체(220)의 홈(220H) 전체에 골고루 저장될 수 있도록 한다.The hole 210H of the lower half body 210 is spaced apart from the upper side of the groove 220H of the storage body 220 by a predetermined distance so that the hole 210H of the lower half body 210 So that the slurry flowing through the space between the grooves 220H of the storage body 220 can be uniformly stored throughout the grooves 220H of the storage body 220. [

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 하정반 본체가 도시된 배면도이고, 도 5는 도 4의 A-A선에 따른 단면도이며, 도 6은 도 4의 B-B선에 따른 단면도이다.FIG. 4 is a rear view showing the lower half body of the wafer polishing apparatus according to the present invention, FIG. 5 is a sectional view taken along line A-A of FIG. 4, and FIG. 6 is a sectional view taken along line B-B of FIG.

상기 하정반 본체(210)는 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이 소정의 간격을 두고 복수개의 격자(212)가 조립된 형상으로 구성되며, 상기 격자들(212) 사이의 공간이 상기에서 설명한 바와 같이 슬러리가 배출되는 홀(210H)로 구성된다. 물론, 상기 격자들(212)의 형상과 배열에 따라 상기 홀의 배열과 구성이 달라질 수 있으며, 한정되지 아니한다.As shown in FIGS. 4 to 6, the lower half body 210 has a shape in which a plurality of grids 212 are assembled at predetermined intervals, and a space between the grids 212 is formed as described above And a hole 210H through which the slurry is discharged as shown in FIG. Of course, the arrangement and configuration of the holes may vary depending on the shape and arrangement of the gratings 212, and are not limited.

상기 격자들(212)은 중심에 조립홀(211)이 구비된 원판 형상으로 배열되는데, 상기 격자들(212)의 외둘레를 고정시키기 위하여 고정링(213)이 장착되고, 상기 격자들(212)을 일렬로 고정시키기 위하여 상기 격자들(212)의 하면 중심에 일렬로 지지대(214)가 장착된다.The gratings 212 are arranged in the shape of a disk having an assembly hole 211 at the center thereof. A fixing ring 213 is mounted to fix the outer circumference of the gratings 212, and the gratings 212 The support bars 214 are mounted in a line in the center of the lower surface of the gratings 212 to fix them in a line.

이때, 상기 지지대(214)는 슬러리가 원활하게 흘러내릴 수 있는 형태로 구성되는 것이 바람직하며, 실시예에서는 경사진 삿갓 형태의 단면적을 가진 형태로 구성될 수 있으며, 한정되지 아니한다.At this time, it is preferable that the support table 214 is configured so that the slurry can smoothly flow down. In the embodiment, the support table 214 may have a sloped shape with a cross-sectional shape, but is not limited thereto.

도 7a 내지 도 7b는 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 저장체의 다양한 일예가 도시된 평면도이다.7A to 7B are plan views showing various examples of the storage body of the wafer polishing apparatus according to the present invention.

상기 저장체(220)는 도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와 같이 중심에 관통홀이 구비된 원판 형상으로써, 원주 방향으로 적어도 두 개 이상으로 분리 가능하게 구성될 수 있다.As shown in FIGS. 7A to 7C, the storage body 220 may have a disk shape having a through hole at the center thereof, and may be configured to be detachable at least two or more in the circumferential direction.

도 7a에 도시된 저장체(220)는 원주방향으로 180°의 각을 가진 원호 형상의 저장홈이 두 개로 분리 가능하게 구성되고, 도 7b에 도시된 저장체(220)는 원주방향으로 120°의 각을 가진 원호 형상의 저장홈이 세 개로 분리 가능하게 구성되며, 도 7c에 도시된 저장체(220)는 원주방향으로 90°의 각을 가진 원호 형상의 저장홈이 네 개로 분리 가능하게 구성된다.The storage body 220 shown in FIG. 7A is configured to be separable into two arcuate storage grooves having an angle of 180 ° in the circumferential direction, and the storage body 220 shown in FIG. The storage body 220 shown in FIG. 7C is configured such that the arc-shaped storage grooves having an angle of 90 degrees in the circumferential direction can be separated into four storage grooves. do.

물론, 상기와 같이 저장체(200)는 동일한 각도를 가진 저장홈들이 분리 가능하게 구성될 수도 있지만, 다른 각도를 가진 저장홈이 분리 가능하게 구성될 수도 있으며, 한정되지 아니한다.Of course, the storage body 200 may be constructed such that the storage grooves having the same angle can be separated, but the storage grooves having different angles can be configured to be detachable.

따라서, 상기 저장체(200)는 여러 개의 저장홈들이 분할된 형태로 상기에서 설명한 별도의 고정핀이 없더라도 원주 방향으로 분해가 가능하고, 보다 손쉽게 상기 저장체에 담긴 슬러리를 제거하는 클리닝 작업이 이루어질 수 있다.Therefore, the storage body 200 can be disassembled in the circumferential direction even if there is no separate fixing pin as described above, and the cleaning operation for removing the slurry contained in the storage body is performed more easily .

도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 하정반 분리구조가 도시된 사시도이다.Fig. 8 is a perspective view showing the lower semi-separating structure of the wafer polishing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치의 하정반 분리구조를 도 2와 도 8을 참조하여 살펴보면, 연마 공정이 진행되는 동안 상기 하정반 본체(210)의 표면에 공급된 슬러리는 상기 하정반 본체(210)의 홀(210H)을 통하여 상기 저장체(220)의 홈(220H)에 저장되고, 연마 공정이 수차례 반복된 이후에 상기 저장체(220)의 홈(220H)에 쌓인 슬러리를 제거하기 위한 클리닝 작업을 수행하기 위하여 상기 저장체(220)를 분리하게 된다.2 and 8, the slurry supplied to the surface of the lower half body 210 during the polishing process is transferred to the lower half body 210 of the wafer polishing apparatus according to the present invention, The slurry accumulated in the grooves 220H of the storage body 220 after the polishing process is repeated several times, is stored in the grooves 220H of the storage body 220 through the holes 210H of the storage body 220, And separates the storage body 220 to perform an operation.

이때, 상기 고정체(230) 위에 상기 저장체(220)와 하정반 본체(210)가 적층된 구조인데, 상기 고정체(230)의 조립돌기(231)는 상기 저장체(220)의 관통홀(221)을 관통하여 상기 하정반 본체(210)의 조립홀(211)과 맞물린 상태로 고정된다.The assembling protrusion 231 of the fixture 230 is inserted into the through hole of the reservoir 220 and the upper surface of the reservoir 220, (211) of the lower half body (210) through the through hole (221).

따라서, 상기 하정반 본체(210)를 회전시키면, 상기 하정반 본체(210)의 조립홀(211)이 상기 고정체(230)의 조립돌기(231)로부터 분해되면서 상기 하정반 본체(210)와 고정체(230) 사이에 간격이 넓혀지게 된다.Therefore, when the lower half body 210 is rotated, the assembly hole 211 of the lower half body 210 is disassembled from the assembling protrusion 231 of the fixing body 230, The interval between the fixing members 230 is widened.

이후, 상기 저장체(220)를 상기 고정체(230)의 편심된 위치 즉, 상기 고정핀(240)을 중심으로 회전시키면, 상기 저장체(220)가 원주 방향으로 슬라이딩 이동되어 상기 하정반 본체(210)와 고정체(230)로부터 노출되고, 상기 저장체(220)에 담긴 슬러리를 제거하기 위한 클리닝 작업이 수행될 수 있다.When the storage body 220 is rotated about the eccentric position of the fixing body 230, that is, the fixing pin 240, the storage body 220 is slid in the circumferential direction, A cleaning operation may be performed to remove the slurry contained in the storage body 220, which is exposed from the fixing body 210 and the fixing body 230.

이와 같이, 연마 공정 중에 슬러리는 상기 하정반 본체(210)를 거쳐 상기 저장체(220)로 배출되어 저장되기 때문에 슬러리와 연마물질 등이 하정반 표면에 축적되는 것을 방지할 뿐 아니라 적절한 속도로 배출되도록 하고, 연마 공정 완료 후에 상기 저장체(220)를 원주 방향으로 슬라이딩 이동시켜 슬러리를 제거하는 클리닝 작업을 손쉽게 수행하기 때문에 기존에 하정반 표면에 슬러리를 제거하기 위한 홈파기 작업을 생략할 수 있다.
Since the slurry is discharged and stored in the storage body 220 through the lower half body 210 during the polishing process, it is possible to prevent the slurry and the polishing material from accumulating on the lower half surface, And the cleaning operation for removing the slurry by sliding the storage body 220 in the circumferential direction after the completion of the polishing process can be performed easily, so that the grooving work for removing the slurry on the surface of the lower polishing body can be omitted .

200 : 하정반 210 : 하정반 본체
220 : 저장체 230 : 고정체200: Lower and upper body 210: Lower and upper body
220: storage body 230: fixed body

Claims (8)

상정반과 하정반 사이에 슬러리가 공급되는 동시에 상정반과 하정반이 회전하면서 그 사이에 맞물린 웨이퍼를 연마시키는 웨이퍼 연마장치에 있어서,
상기 하정반은,
슬러리가 유입될 수 있는 홀이 구비된 하정반 본체와,
상기 하정반 본체의 하측에 구비되고, 상기 하정반 본체의 홀로부터 흘러내린 슬러리를 저장할 수 있는 홈이 구비되며, 편심된 위치에 편심홀이 구비된 저장체와,
상기 저장체의 편심홀에 끼워지도록 조립된 고정핀을 포함하고,
상기 저장체는 상기 고정핀을 기준으로 수평 방향으로 회전 가능하도록 설치되는 웨이퍼 연마장치.A wafer polishing apparatus for polishing a wafer sandwiched therebetween while a slurry is supplied between an assumed half and a bottom half, and an assumed half and a bottom half are rotated,
In the lower half,
A lower half body having a hole through which the slurry can flow,
A reservoir provided on the lower side of the lower half body and provided with a groove capable of storing slurry flowing down from the lower half body and having an eccentric hole at an eccentric position,
And a fixing pin assembled to fit into the eccentric hole of the storage body,
Wherein the storage body is installed to be rotatable in a horizontal direction with respect to the fixing pin. 제1항에 있어서,
상기 하정반은,
상기 저장체 하측에 구비되고, 상기 하정반 본체가 조립됨에 따라 상기 하정반 본체와 저장체를 고정시키는 고정체를 더 포함하는 웨이퍼 연마장치.The method according to claim 1,
In the lower half,
And a fixing body provided below the storage body and fixing the lower body and the storage body as the lower body is assembled. 제2항에 있어서,
상기 하정반 본체는 하면 중심에 나사산이 구비된 조립홀이 구비되고,
상기 고정체는 상기 하정반 본체의 조립홀과 맞물리도록 상면 중심에 조립돌기가 구비되며,
상기 저장체는 상기 고정체의 조립돌기가 관통하도록 설치되는 웨이퍼 연마장치.3. The method of claim 2,
The lower half body includes an assembly hole having a thread at the center of the lower face,
The fixing body is provided with an assembling protrusion at the center of the upper surface so as to be engaged with an assembling hole of the lower half body,
Wherein the storage body is provided so as to penetrate the assembly projections of the fixture. 제2항에 있어서,
상기 고정핀은 상기 고정체의 편심된 위치에 고정되고, 상기 저장체의 편심홀을 관통하도록 설치되는 웨이퍼 연마장치.3. The method of claim 2,
Wherein the fixing pin is fixed at an eccentric position of the fixing body and is provided so as to penetrate through the eccentric hole of the storage body. 제1항에 있어서,
상기 하정반 본체는 상기 홀들을 연통시키기 위하여 상기 저장체 상측에 소정 간격을 두고 설치된 웨이퍼 연마장치.The method according to claim 1,
And the lower half body is provided on the upper side of the storage body at a predetermined interval to communicate the holes. 제1항에 있어서,
상기 하정반 본체는 상기 홀들 사이에 복수개의 격자가 구비되고,
상기 격자들은 그 하측에 일렬로 배열된 지지대에 의해 연결되는 웨이퍼 연마장치.The method according to claim 1,
Wherein the lower half body is provided with a plurality of grids between the holes,
Wherein the gratings are connected by a support arranged in a row on the underside thereof. 제6항에 있어서,
상기 지지대는 슬러리들이 흘러내릴 수 있도록 경사진 삿갓 형태의 단면을 가지도록 구성된 웨이퍼 연마장치.The method according to claim 6,
Wherein the support is configured to have a sloped cross-section such that slurries can flow down. 제1항에 있어서,
상기 저장체는 원주 방향으로 적어도 두 개 이상으로 분리 가능하게 구성되는 웨이퍼 연마장치.


The method according to claim 1,
Wherein the storage body is configured to be detachable in at least two or more directions in the circumferential direction.


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