KR101430691B1 - Apparatus and Method for removing air in viahole of semiconductor - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼 비아홀의 기포제거장치가 개시된다. 기포제거장치는, 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척을 회동시키는 척 회동부; 상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼의 표면에 기포 제거용 액체를 주입하는 액체 주입장치; 상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼를 둘러싸는 챔버를 밀폐하는 챔버밀폐장치; 및 상기 챔버 내를 진공상태로 형성하는 챔버진공장치;를 포함한다. 비아홀에 잔존하는 기포를 안정적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 기포 제거와 건조를 하나의 장비로 해결할 수 있어 효과적이다.An apparatus for bubble removal of a semiconductor wafer via hole is disclosed. The bubble removing apparatus includes a wafer chuck for holding and fixing a back surface of a wafer; A chuck rotation unit for rotating the wafer chuck; A liquid injecting device for injecting a bubbling liquid onto the surface of the wafer fixed to the wafer chuck; A chamber sealing device that seals a chamber enclosing the wafer fixed to the wafer chuck; And a chamber vacuum device for forming the inside of the chamber in a vacuum state. It is effective not only to stably remove the bubbles remaining in the via hole but also to solve the bubbling and drying with one equipment.

Description

반도체 비아홀의 기포제거장치 및 방법{Apparatus and Method for removing air in viahole of semiconductor}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an apparatus and a method for removing air bubbles in a semiconductor via hole,

본 발명은 반도체 비아홀의 기포제거장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for removing bubbles in a semiconductor via hole.

전자제품의 소형화 및 대용량화로 인해, 반도체의 높은 집적도가 요구되어왔다. 이로 인해, 반도체의 직접도는 비약적인 발전을 하였으나, 최근들어 직접도만을 높이는 방법은 한계에 봉착하여, 복수개의 칩을 하나의 패키지에 적층하는 3D 패키지 방식이 개발되었다. 3D 패키징 방법으로 복수개의 칩을 적층한 후 모서리에 와이어로 연결하는 방법이 있었다. 그러나, 이 방법은 약간의 면적이 늘어나는 문제점이 있을 뿐만 아니라, 칩들 사이의 중간층이 필요하다는 단점이 있다.Due to miniaturization and large capacity of electronic products, high integration of semiconductors has been required. As a result, the directivity of the semiconductor has been remarkably developed. Recently, however, a method of increasing the directivity has been limited, and a 3D package method of stacking a plurality of chips in one package has been developed. There is a method of stacking a plurality of chips by a 3D packaging method and then connecting them to the corners by wires. However, this method has a disadvantage in that it requires not only an increase in area but also an intermediate layer between the chips.

이와 같은 문제점을 해소하기 위해 칩내에 수직 전기연결부를 형성하여 적층하는 TSV(Through Silicon Via) 방법이 제시되었다. TSV 방식을 사용하기 위해서는 반도체 표면에 단순히 회로를 형성하는 것과 달리, 두께 방향으로 좁고 길게 형성된 비아홀에 전도체를 채워넣는 공정이 필요하다. 이는 표면에 도금하는 것과는 전혀 다른 문제점을 발생시킨다.In order to overcome such a problem, a through silicon via (TSV) method in which a vertical electrical connection portion is formed in a chip is proposed. In order to use the TSV method, a process for filling a conductor with a via hole formed in a narrow and long shape in a thickness direction is required, unlike a circuit simply forming a circuit on a semiconductor surface. This causes a completely different problem from plating on the surface.

특히, 좁고 길게 형성된 비아홀에 기포가 내재하는 경우 이에 전도체가 채워지지 않아, 이에 대한 효과적이고 안정적인 대책이 필요하다.Particularly, when air bubbles are formed in the narrow and long via-holes, the conductors are not filled with the bubbles, and effective and stable countermeasures are required.

본 발명의 실시예는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 비아홀의 기포를 효과적이고 안정적으로 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포제거장치 및 방법을 제공하고자 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and method for removing bubbles in a via hole of a semiconductor wafer which can effectively and stably remove bubbles in a via hole.

본 발명의 실시예는 상기와 같은 과제를 해결하고자, 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척; 상기 웨이퍼 척을 회동시키는 척 회동부; 상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼의 표면에 기포 제거용 액체를 주입하는 액체 주입장치; 상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼를 둘러싸는 챔버를 밀폐하는 챔버밀폐장치; 및 상기 챔버 내를 진공상태로 형성하는 챔버진공장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포제거장치를 제공한다.In order to solve the above-described problems, an embodiment of the present invention provides a wafer chuck for holding and fixing a back surface of a wafer; A chuck rotation unit for rotating the wafer chuck; A liquid injecting device for injecting a bubbling liquid onto the surface of the wafer fixed to the wafer chuck; A chamber sealing device that seals a chamber enclosing the wafer fixed to the wafer chuck; And a chamber vacuum device for forming the inside of the chamber in a vacuum state.

여기서, 상기 챔버 내에 기체를 주입할 수 있는 기체 주입구가 형성된 것이 바람직하다.Here, it is preferable that a gas injection port capable of injecting gas into the chamber is formed.

상기 웨이퍼 척의 회동시 비산되는 상기 기포 제거용 액체를 회수하는 액체 회수부;를 더 포함하고, 상기 액체 회수부는, 내주의 일부가 원주방향으로 개구된 튜브형상으로 형성되며, 상기 웨이퍼 척의 외주를 감싸도록 형성된 것이 효과적이다.And a liquid collecting part for collecting the bubble removing liquid scattered when the wafer chuck rotates, wherein the liquid collecting part is formed in a tubular shape having a part of an inner periphery thereof opened in the circumferential direction, and surrounds the outer periphery of the wafer chuck .

상기 웨이퍼 척을 상하로 승강시키는 승강장치;를 더 포함하는 것이 바람직하다.And an elevating device for elevating and lowering the wafer chuck up and down.

여기서, 상기 웨이퍼 척의 상기 웨이퍼의 배면과 맞닿는 면에는 웨이퍼 파지용 진공홀이 형성되며, 상기 웨이퍼 파지용 진공홀에 진공을 발생시키는 척용 진공장치;를 더 포함한다.The wafer chuck may further include a chuck vacuum device having a vacuum hole for holding a wafer on a surface of the wafer chuck which contacts the back surface of the wafer and generating a vacuum in the vacuum hole for holding the wafer.

상기 웨이퍼 파지용 진공홀에 상기 척용 진공장치 및 상기 챔버 진공장치에 선택적으로 연결될 수 있도록 변환하는 진공장치 전환부;를 더 포함하는 것이 효과적이다.And a vacuum device switching part for selectively connecting the vacuum device for chuck and the chamber vacuum device to the vacuum hole for holding the wafer.

상기 챔버밀폐장치는, 상기 웨이퍼척의 상기 웨이퍼 테두리 외측으로 돌출되도록 연장된 척 밀폐부; 및 상기 척 밀폐부에 개폐가능하도록 형성되는 밀폐 캡;을 포함한다.Wherein the chamber sealing device comprises: a chuck seal extending to protrude outside the wafer edge of the wafer chuck; And a sealing cap which is openable and closable to the chuck seal.

상기 챔버진공장치와 연결된 진공흡입공과 설치된 상기 웨이퍼 사이에 설치된 확산판;을 더 포함하는 것이 바람직하다.And a diffusion plate provided between the vacuum suction hole connected to the chamber vacuum device and the wafer.

한편, 본 발명은 다른 카테고리로, 비아홀이 형성된 웨이퍼의 표면에 기포 제거용 액체를 도포하는 액체 도포단계; 액체가 도포된 상기 웨이퍼를 밀폐된 챔버에 위치하는 단계; 상기 챔버에 진공을 가하여, 상기 비아홀에 잔존하는 기포를 제거하는 진공단계; 상기 챔버에 기체를 주입한 후 상기 챔버를 개방하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 회전시켜 상기 웨이퍼 상에 잔존하는 기포 제거용 액체를 제거하는 건조단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포 제거 방법을 제공한다.On the other hand, the present invention can be applied to other categories, including a liquid applying step of applying a liquid for removing bubbles to a surface of a wafer on which a via hole is formed; Placing the wafer onto which the liquid has been applied in an enclosed chamber; A vacuum step of applying vacuum to the chamber to remove bubbles remaining in the via hole; Opening the chamber after injecting gas into the chamber; And a drying step of rotating the wafer to remove the bubble removing liquid remaining on the wafer.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명의 과제해결 수단에 의하면 다음과 같은 사항을 포함하는 다양한 효과를 기대할 수 있다. 다만, 본 발명이 하기와 같은 효과를 모두 발휘해야 성립되는 것은 아니다.As described above, according to the present invention, various effects including the following can be expected. However, the present invention does not necessarily achieve the following effects.

먼저, 본 발명의 일실시예에 따르면, 비아홀에 잔존하는 기포를 안정적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 기포 제거와 건조를 하나의 장비로 해결할 수 있어, 효과적이다.First, according to the embodiment of the present invention, not only the bubbles remaining in the via holes can be stably removed, but also the bubbling and drying can be solved by one equipment, which is effective.

또한, 액체 회수부로 인해서 비산되는 액체가 장비의 다른 부위로 스며드는 것을 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent the liquid that is scattered due to the liquid recovery portion from permeating to other parts of the equipment.

그리고, 승강장치를 구비함으로써, 액체 회수부와 간섭받지 않고, 웨이퍼를 로딩 및 언로딩할 수 있다.By providing the lift device, the wafer can be loaded and unloaded without being interfered with the liquid recovery portion.

또한, 진공장치 전환부를 구비함으로써, 기포 제거시, 웨이퍼의 상하에 가해지는 압력이 동일하도록 하여, 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다. Further, by providing the vacuum device switching portion, it is possible to prevent the wafers from being damaged by making the pressure applied to the top and bottom of the wafer equal at the time of bubble removal.

그리고, 확산판을 구비함으로써, 기체의 흐름이 고르게 되도록 하여 기포 제거용 액체가 한 쪽으로 치우치는 것을 방지할 수 있다.By providing the diffusion plate, the flow of the gas can be made even, and the bubble removing liquid can be prevented from being biased toward one side.

도 1은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포제거장치의 개념단면도
도 2는 도 1의 Ⅱ부분의 확대단면도
도 3은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포 제거방법을 도시한 순서도1 is a conceptual cross-sectional view of a bubble removing device for a semiconductor wafer via hole according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of part II of FIG.
3 is a flowchart showing a bubble removing method of a semiconductor wafer via hole according to an embodiment of the present invention

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포제거장치의 개념단면도, 도 2는 도 1의 Ⅱ부분의 확대단면도이다.1 is a conceptual cross-sectional view of a bubble removing apparatus for a semiconductor wafer via hole according to an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is an enlarged sectional view of a portion II of Fig.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포제거장치는, 웨이퍼(1)의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척(100)과, 상기 웨이퍼 척을 회동시키는 척 회동부(200)와, 상기 웨이퍼 척(100)을 상하로 승강시키는 승강장치(600)와, 상기 웨이퍼 척(100)에 고정된 상기 웨이퍼의 표면에 기포 제거용 액체를 주입하는 액체 주입장치(700)와, 상기 웨이퍼 척(100)에 고정된 상기 웨이퍼(1)를 둘러싸는 챔버(301)를 밀폐하는 챔버밀폐장치(300)와, 상기 챔버(301) 내를 진공상태로 형성하는 챔버진공장치(400)와, 상기 웨이퍼 척(100)의 회동시 비산되는 상기 기포 제거용 액체를 회수하는 액체 회수부(500)을 포함한다. As shown in these figures, an apparatus for removing bubbles in a semiconductor wafer via hole according to an embodiment of the present invention includes a wafer chuck 100 for supporting and fixing the back surface of a wafer 1, a chuck rotation unit 200 A lifting device 600 for vertically moving the wafer chuck 100 up and down; a liquid injecting device 700 for injecting a bubbling liquid onto the surface of the wafer fixed to the wafer chuck 100; A chamber sealing apparatus 300 for sealing the chamber 301 surrounding the wafer 1 fixed to the wafer chuck 100 and a chamber vacuum apparatus 400 for forming a vacuum state in the chamber 301, And a liquid recovery unit 500 for recovering the bubble removing liquid scattered when the wafer chuck 100 rotates.

웨이퍼 척(100)의 상기 웨이퍼(1)의 배면과 맞닿는 면에는 웨이퍼 파지용 진공홀(101)이 형성되며, 상기 웨이퍼 파지용 진공홀(101)에 진공을 발생시키는 척용 진공장치(110)와, 상기 웨이퍼 파지용 진공홀(101)에 상기 척용 진공장치(110) 및 상기 챔버 진공장치(400)에 선택적으로 연결될 수 있도록 변환하는 진공장치 전환부(120)를 더 포함한다.A vacuum hole 101 for wafer holding is formed on a surface of the wafer chuck 100 which is in contact with the backside of the wafer 1 and a vacuum device 110 for a chuck for generating a vacuum in the wafer hole holding hole 101 And a vacuum apparatus switching unit 120 for selectively connecting the vacuum apparatus for chuck 110 and the vacuum apparatus 400 to the vacuum hole 101 for holding a wafer.

웨이퍼 척(100)은 웨이퍼(1)의 배면과 직접 맞닿으며, 전술한 웨이퍼 파지용 진공홀(101)이 형성된 웨이퍼 지지판(130)과, 지지판(130)을 지지하며 구동축(201)과 연결되는 척 본체(140)을 포함한다. 척 본체는 지지판(130)을 지지하며, 기포제거용 액체가 구동축 등 내측으로 스며드는 것을 방지하는 내측 지지리브(141)와, 상기 웨이퍼척의 상기 웨이퍼 테두리 외측으로 돌출되도록 연장된 척 밀폐부(142)와, 척 밀폐부(142)의 끝단에서 하향 돌출된 외측 리브(143)을 포함한다. 외측 리브(143)의 배면 측에는 기포제거용 액체가 배면으로 타고 스며드는 것을 방지하기 위한 액체 침투 방지홈(144)가 형성된다.The wafer chuck 100 directly contacts the back surface of the wafer 1 and includes a wafer support plate 130 on which the above described vacuum hole 101 for wafer holding is formed, And a chuck body 140. The chuck body supports the support plate 130 and includes an inner supporting rib 141 for preventing the bubble removing liquid from penetrating into the drive shaft or the like, a chuck seal 142 extending to protrude outside the wafer rim of the wafer chuck, And an outer rib 143 protruding downward from the end of the chuck seal 142. A liquid infiltration preventing groove 144 is formed on the back side of the outer rib 143 to prevent the liquid for removing bubbles from riding on the back surface.

척용 진공장치(110)는 진공펌프이며, 웨이퍼 파지용 진공홀(101)에 진공을 발생시킬 수 있으면 어떠한 구성으로 구성될 수도 있으며, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. 진공장치 전환부(120)는 전환 밸브 등으로 구성될 수 있다. 챔버 진공장치(400)가 작동되어 챔버 내에 진공이 되는 경우, 파지용 진공홀(101)에 가해지는 압력과 차이가 있을 경우, 웨이퍼의 파지가 안정적이지 않을 수 있으므로, 챔버진공장치(400)와 파지용 진공홀(101)을 진공장치 전환부(120)로 연결해줌으로써, 보다 안정적으로 웨이퍼를 위치시킬 수 있다.The chuck vacuum device 110 is a vacuum pump and may be constructed in any configuration as long as it can generate a vacuum in the wafer hole holding vacuum hole 101, and a detailed description thereof will be omitted. The vacuum device switching unit 120 may be constituted by a switching valve or the like. In the case where the chamber vacuum device 400 is operated to generate a vacuum in the chamber and there is a difference between the pressure applied to the vacuum hole 101 for holding the wafer and the grasping of the wafer may not be stable, By connecting the vacuum hole 101 for holding by the vacuum switching unit 120, it is possible to position the wafer more stably.

척 회동부(200)는 모터 등이 될 수 있으며, 척 승강장치(600)는 에어실린더로 구성되었으나, 솔레노이드 등으로 구현될 수 있다.The chuck rotation unit 200 may be a motor or the like, and the chuck lift apparatus 600 is configured by an air cylinder, but may be implemented by a solenoid or the like.

액체 주입장치(700)는 회동할 수 있으며, 기포 제거용 액체를 주입하는 장치이다. 이와 같은 액체를 원하는 양만큼 주입하는 액체 주입장치는 일반적으로 많이 알려져 있으므로, 자세하 설명은 생략한다. 기포 제거용 액체는 순수물(purified water)로서 DIW(deionized water) 등이 사용될 수 있다.The liquid injection device 700 is a device that can pivot and inject liquid for removing bubbles. A liquid injecting apparatus for injecting such a liquid by a desired amount is generally well known, and a detailed description thereof will be omitted. The bubbling liquid may be DIW (deionized water) or the like as purified water.

챔버 밀폐장치(300)는 전술한 척 밀폐부(142)와, 상기 척 밀폐부(142)에 개폐가능하도록 형성되는 밀폐 캡(310)과, 밀폐캡(310)의 척 밀폐부(142)와 접하는 면에 설치되는 실링(311) 및 밀폐 캡(310)을 승하강 시키는 밀폐캡 승강장치(320)을 포함한다.The chamber sealing device 300 includes the above-described chuck closing part 142, a sealing cap 310 which is openable and closable to the chuck sealing part 142, a chuck sealing part 142 of the sealing cap 310, And a sealing cap lifting device 320 for lifting and lowering the sealing cap 311 and the sealing cap 310 provided on the contacting surface.

밀폐 캡(310)에는, 별도로 구비된 기체주입장치(800)와 연결되며 상기 챔버(301) 내에 기체를 주입할 수 있는 기체 주입구(302)가 형성되며, 상기 챔버진공장치(400)와 연결된 진공흡입공(303)이 형성된다. 또한, 진공흡입공(303) 및 기체 주입구(302)와 웨이퍼 사이에 설치된 확산판(304)를 더 포함한다. 확산판(304)은 주입되는 기체 및 흡입되는 공기가 챔버 내에 골고루 퍼지도록 하여, 기포 제거용 액체가 한 부분으로 쏠리는 것을 방지한다. 기체 주입구(302) 내로 주입되는 기체는 질소(N2) 등이 사용될 수 있다.The sealing cap 310 is connected to a gas injection device 800 provided separately and is formed with a gas inlet 302 through which the gas can be injected into the chamber 301. A vacuum connected to the chamber vacuum device 400 A suction hole 303 is formed. Further, it further includes a vacuum suction hole 303 and a diffusion plate 304 provided between the gas inlet 302 and the wafer. The diffuser plate 304 allows the injected gas and the sucked air to spread evenly in the chamber, preventing the defoaming liquid from leaning to one part. The gas injected into the gas inlet 302 may be nitrogen (N 2) or the like.

밀폐캡 승강장치(320)는 밀폐캡(310)을 승하강할 수 있도록 랙, 피니언으로 구현되거나, 실린더 등 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.The closed cap lifting device 320 may be implemented as a rack or a pinion, or may be implemented in various forms such as a cylinder so that the closed cap 310 can be lifted and lowered, and a detailed description thereof will be omitted.

상기 액체 회수부(500)는, 내주의 일부가 원주방향으로 개구된 환형 튜브형상으로 형성되며, 상기 웨이퍼 척(100)의 외주를 감싸도록 형성된다. 따라서, 웨이퍼 척(100)이 회전하여, 웨이퍼 상에 잔존하는 기포 제거용 액체가 외부로 비산되는 것을 막아준다. 액체 회수부(500)에 액체가 배출될 수 있는 배출구(미도시)가 연결된다.The liquid recovery unit 500 is formed in an annular tube shape having a part of its inner periphery opened in the circumferential direction and is formed to surround the outer periphery of the wafer chuck 100. Therefore, the wafer chuck 100 rotates to prevent the bubble removing liquid remaining on the wafer from scattering to the outside. And an outlet (not shown) through which the liquid can be discharged is connected to the liquid recovery unit 500.

이하, 본 발명의 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포 제거방법을 기술하면서, 전술한 기포 제거장치에 대한 동작을 함께 기술한다.Hereinafter, the method of removing bubbles in a semiconductor wafer via hole of the present invention will be described, and the operation of the above-described bubbling apparatus will be described together.

도 3은 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포 제거방법을 도시한 순서도이다.3 is a flowchart showing a bubble removing method of a semiconductor wafer via hole according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예의 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포 제거방법은 비아홀이 형성된 웨이퍼(1)의 표면에 기포 제거용 액체를 도포하는 액체 도포단계(1100)와, 액체가 도포된 상기 웨이퍼를 밀폐된 챔버(301)에 위치하는 단계(1200)와, 상기 챔버(301)에 진공을 가하여, 상기 비아홀에 잔존하는 기포를 제거하는 진공단계(1300)와, 상기 챔버(301)에 기체를 주입한 후 상기 챔버를 개방하는 단계(1400)와, 상기 웨이퍼(1)를 회전시켜 상기 웨이퍼 상에 잔존하는 기포 제거용 액체를 제거하는 건조단계(1500)를 포함한다.3, a method for removing bubbles in a semiconductor wafer via hole according to an embodiment of the present invention includes a liquid applying step 1100 for applying a bubbling liquid to the surface of a wafer 1 having a via hole formed thereon, A vacuum step 1300 for removing the air bubbles remaining in the via hole by applying a vacuum to the chamber 301; A step 1400 of opening the chamber after gas is injected into the chamber, and a drying step 1500 of rotating the wafer 1 to remove the bubble removing liquid remaining on the wafer.

액체 도포단계(1100)에서는 먼저, 웨이퍼(1)를 웨이퍼 척(100)의 상면에 위치시킨다. 이때, 액체 회수부(500)와 간섭을 피하기 위해, 승강장치(500)가 웨이퍼 척을 상측으로 이동시킨 상태에서 웨이퍼(1)를 웨이퍼 척(100)의 상면에 위치시킨다. 이때, 로봇을 이용하여 웨이퍼를 웨이퍼 척(100)에 위치시킨다. In the liquid application step 1100, the wafer 1 is first placed on the upper surface of the wafer chuck 100. At this time, in order to avoid interference with the liquid recovery unit 500, the wafer 1 is placed on the upper surface of the wafer chuck 100 in a state in which the lifting device 500 moves the wafer chuck upward. At this time, the wafer is placed on the wafer chuck 100 using the robot.

그 다음, 척용 진공장치(110)를 구동하여, 웨이퍼가 웨이퍼 척(100)에 고정되도로 한다. 따라서, 웨이퍼가 유동되는 것을 방지한다.Then, the vacuum apparatus for chuck 110 is driven to fix the wafer to the wafer chuck 100. Thus, the wafer is prevented from flowing.

그 다음, 승강장치를 사용하여 웨이퍼 척(100)을 하강시킨다.Then, the wafer chuck 100 is lowered using the lift device.

그 다음, 액체 주입장치(700)가 회동하여, 웨이퍼(1)의 상면에 기포 제거용 액체를 주입한 후, 다시 원래의 위치로 회동한다. 이때, 액체의 양을 조절하여, 웨이퍼의 표면에 골고루 기포 제거용 액체가 퍼지도록 하는 것이 바람직하다.Then, the liquid injecting apparatus 700 is rotated to inject liquid for removing bubbles onto the upper surface of the wafer 1, and then the liquid is pushed back to its original position. At this time, it is preferable to adjust the amount of the liquid so that the bubble removing liquid spreads evenly on the surface of the wafer.

웨이퍼를 밀폐된 챔버에 위치하는 단계(1200)에서는, 밀폐캡 승강장치(320)를 구동하여, 밀폐캡(310)을 하강시켜, 챔버를 밀폐함으로써, 웨이퍼를 밀폐된 챔버 내에 위치시킨다.In step 1200, where the wafer is placed in a closed chamber, the closed cap lifting device 320 is driven to lower the sealing cap 310, thereby sealing the chamber, thereby placing the wafer in the closed chamber.

진공단계(1300)에서는, 먼저, 진공장치 전환부(120)를 사용하여, 웨이퍼 파지용 진공홀(101)과, 챔버 진공장치(400)가 연결되도록 한다. 그 다음 챔버 진공장치(400)를 구동하여, 챔버(301)와 웨이퍼 파지용 진공홀(101)에 동일한 진공압이 형성되도록 한다. 이때 가해지는 진공압은 약 1torr 정도이며, 충분히 기포가 제거될 정도의 시간동안 진공상태를 유지한다. 그 결과, 비아홀에 기포가 모두 제거될 수 있다.In the vacuum step 1300, first, the vacuum apparatus switching part 120 is used to connect the vacuum hole 101 for wafer holding and the chamber vacuum device 400. Next, the chamber vacuum device 400 is driven so that the same vacuum pressure is formed in the chamber 301 and the vacuum hole 101 for wafer holding. At this time, the vacuum pressure applied is about 1 torr, and the vacuum is maintained for a sufficient time to remove the bubbles. As a result, all the bubbles can be removed from the via hole.

챔버를 개방하는 단계(1400)에서는, 진공이 유지된 상태에서 강제로 챔버를 개방하는 경우, 많은 동력이 필요할 뿐만 아니라, 개방시 가해지는 충격으로 웨이퍼가 손상될 수 있다. 따라서, 기체 주입구(302)를 통해서 질소 기체를 주입하여, 대기압과 동일한 상태가 되도록 한다. 또한, 진공장치 전환부(120)를 사용하여, 웨이퍼 파지용 진공홀(101)이 척용 진공장치(110)에 의해 진공압이 발생하도록 한다. 그 다음, 밀폐캡 승강장치(320)를 구동하여 밀폐캡(310)을 승강시킨다.In the step 1400 of opening the chamber, when the chamber is forcibly opened while the vacuum is maintained, not only a lot of power is required, but also the wafer may be damaged by an impact applied at the time of opening. Therefore, nitrogen gas is injected through the gas inlet 302 so as to be in the same state as the atmospheric pressure. Further, by using the vacuum device switching unit 120, vacuum pressure is generated by the chuck vacuum device 110 in the vacuum hole 101 for wafer holding. Then, the closed cap lifting device 320 is driven to lift the sealing cap 310 up and down.

건조단계(1500)에서는, 척 회동부(200)를 구동하여, 웨이퍼를 회전시켜, 표면에 잔존하는 액체를 제거한다. 그러나, 잔존하는 액체를 완전히 건조하는 것은 아니며, 다음 공정에 필요한 정도로 액체가 잔존하도록 한다. 이때, 비산되는 액체는 액체 회수부(500)를 통해서 회수된다.In the drying step 1500, the chucking rotation part 200 is driven to rotate the wafer to remove the liquid remaining on the surface. However, the remaining liquid is not completely dried, but the liquid remains to the extent necessary for the next step. At this time, the liquid to be scattered is recovered through the liquid recovery unit 500.

그 다음, 승강장치(500)를 사용하여 웨이퍼 척을 상승시킨 후, 공정을 완료하게 된다. Then, the wafer chuck is lifted by using the lifting device 500, and then the process is completed.

한편, 건조단계(1500) 이후에 세정단계를 거칠 수도 있다.On the other hand, after the drying step 1500, the cleaning step may be performed.

상기와 같이, 본 발명의 일실시예에 따르면, 비아홀에 잔존하는 기포를 안정적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 기포 제거와 건조를 하나의 장비로 해결할 수 있어, 효과적이다.As described above, according to the embodiment of the present invention, not only the bubbles remaining in the via hole can be stably removed, but also the bubbling and drying can be solved by one equipment, which is effective.

또한, 액체 회수부로 인해서 비산되는 액체가 장비의 다른 부위로 스며드는 것을 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent the liquid that is scattered due to the liquid recovery portion from permeating to other parts of the equipment.

그리고, 승강장치를 구비함으로써, 액체 회수부와 간섭받지 않고, 웨이퍼를 로딩 및 언로딩할 수 있다.By providing the lift device, the wafer can be loaded and unloaded without being interfered with the liquid recovery portion.

또한, 진공장치 전환부를 구비함으로써, 기포 제거시, 웨이퍼의 상하에 가해지는 압력이 동일하도록 하여, 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다. Further, by providing the vacuum device switching portion, it is possible to prevent the wafers from being damaged by making the pressure applied to the top and bottom of the wafer equal at the time of bubble removal.

그리고, 확산판을 구비함으로써, 기체의 흐름이 고르게 되도록 하여 기포 제거용 액체가 한 쪽으로 치우치는 것을 방지할 수 있다.By providing the diffusion plate, the flow of the gas can be made even, and the bubble removing liquid can be prevented from being biased toward one side.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

1: 웨이퍼 100: 웨이퍼 척
200: 척 회동부 700: 액체 주입장치
301: 챔버 300: 챔버밀폐장치
400: 챔버진공장치 302: 기체 주입구
500: 액체 회수부 600: 승강장치
101: 웨이퍼 파지용 진공홀 110: 척용 진공장치
120: 진공장치 전환부 142: 척 밀폐부
310: 밀폐 캡 304: 확산판
1100: 액체 도포단계
1200: 웨이퍼를 밀폐된 챔버에 위치하는 단계
1300: 진공단계 1400: 개방하는 단계
1500: 건조단계1: wafer 100: wafer chuck
200: chuck rotation part 700: liquid injection device
301: chamber 300: chamber sealing device
400: chamber vacuum device 302: gas inlet
500: liquid recovery unit 600:
101: vacuum hole for wafer holding 110: vacuum device for chuck
120: Vacuum switching unit 142: Chuck seal
310: sealing cap 304: diffuser plate
1100: liquid application step
1200: placing the wafer in a hermetically sealed chamber
1300: Vacuum step 1400: opening step
1500: drying step

Claims (10)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 웨이퍼의 배면을 지지고정하는 웨이퍼 척;
상기 웨이퍼 척을 회동시키는 척 회동부;
상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼의 표면에 기포 제거용 액체를 주입하는 액체 주입장치;
상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼를 둘러싸는 챔버를 밀폐하는 챔버밀폐장치; 및
상기 챔버 내를 진공상태로 형성하는 챔버진공장치;
를 포함하고,
상기 웨이퍼 척의 상기 웨이퍼의 배면과 맞닿는 면에는 웨이퍼 파지용 진공홀이 형성되며,
상기 웨이퍼 파지용 진공홀에 진공을 발생시키는 척용 진공장치; 및,
상기 웨이퍼 파지용 진공홀에 상기 척용 진공장치 및 상기 챔버 진공장치에 선택적으로 연결될 수 있도록 변환하는 진공장치 전환부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포 제거장치.
A wafer chuck for supporting and fixing the back surface of the wafer;
A chuck rotation unit for rotating the wafer chuck;
A liquid injecting device for injecting a bubbling liquid onto the surface of the wafer fixed to the wafer chuck;
A chamber sealing device that seals a chamber enclosing the wafer fixed to the wafer chuck; And
A chamber vacuum device for forming the inside of the chamber in a vacuum state;
Lt; / RTI >
A vacuum hole for wafer holding is formed on a surface of the wafer chuck which abuts the back surface of the wafer,
A vacuum device for a chuck for generating a vacuum in the vacuum hole for holding the wafer; And
A vacuum device switching unit for selectively connecting the chamber-use vacuum device and the chuck vacuum device to the wafer-holding vacuum hole;
Further comprising the step of removing the bubbles in the semiconductor wafer via holes.
삭제delete 제 6 항에 있어서,
상기 챔버진공장치와 연결된 진공흡입공과 설치된 상기 웨이퍼 사이에 설치된 확산판;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포 제거장치.
The method according to claim 6,
A diffusion plate installed between the vacuum suction hole connected to the chamber vacuum device and the wafer installed;
Further comprising a bubble removing device for removing bubbles of the semiconductor wafer via hole.
삭제delete 비아홀이 형성된 웨이퍼의 표면에 기포 제거용 액체를 도포하는 액체 도포단계;
액체가 도포된 상기 웨이퍼를 밀폐된 챔버에 위치하는 단계;
상기 챔버에 진공을 가하여, 상기 비아홀에 잔존하는 기포를 제거하는 진공단계;
상기 챔버에 기체를 주입한 후 상기 챔버를 개방하는 단계; 및
상기 웨이퍼를 회전시켜 상기 웨이퍼 상에 잔존하는 기포 제거용 액체를 제거하는 건조단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 비아홀의 기포 제거 방법.

A liquid applying step of applying a liquid for removing bubbles to a surface of a wafer on which a via hole is formed;
Placing the wafer onto which the liquid has been applied in an enclosed chamber;
A vacuum step of applying vacuum to the chamber to remove bubbles remaining in the via hole;
Opening the chamber after injecting gas into the chamber; And
A drying step of rotating the wafer to remove the bubble removing liquid remaining on the wafer;
And removing the bubbles from the semiconductor wafer via holes.

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