KR101425729B1 - Processing method of processed object and splitting method - Google Patents

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유우마 이와츠보
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미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는, 피가공물의 분할에 있어서, 종래보다도 피가공물 내부의 깊은 위치까지 벽개/열개를 발생시킬 수 있는 가공 방법을 제공하는 것이다.
펄스 폭이 psec 오더인 복수의 펄스 레이저광을, 각각의 단위 펄스광의 피조사면에 있어서의 피조사 위치가 공간적 또한 시간적으로 실질적으로 동일해지도록, 하나의 조사용 렌즈로부터 중첩적으로 조사하는 조사 공정과, 복수의 펄스 레이저광을, 피조사 위치가 조사면에 있어서 이산되는 조건에서 가공 예정선을 따라 주사하는 주사 공정을, 복수의 레이저광의 각각의 초점 위치를 피가공물 내부의 서로 다른 깊이 위치로 한 후, 아울러 행함으로써, 피가공물의 다른 깊이 위치에 있어서 가공 예정선의 방향을 따른 피가공물의 벽개 혹은 열개를 발생시키고, 이에 의해 피가공물에 분할을 위한 기점을 형성한다.
A problem to be solved by the present invention is to provide a machining method capable of generating a cleavage / deformation to a deep position inside a workpiece in the dividing of a workpiece, as compared with the conventional method.
An irradiation step of irradiating a plurality of pulsed laser beams having a pulse width of psec order from one collimating lens in an overlapping manner so that irradiated positions on the irradiated surface of each of the unit pulse lights become substantially the same spatially and temporally, And a scanning step of scanning a plurality of pulsed laser beams along a line to be machined under the condition that the irradiated positions are dispersed on the irradiated surface so that the respective focal positions of the plurality of laser beams are moved to different depth positions inside the workpiece Then, by performing the above process, the workpiece along the direction of the line to be machined is cleaved or opened at different depth positions of the workpiece, thereby forming a base point for dividing the workpiece.

Description

피가공물의 가공 방법 및 분할 방법{PROCESSING METHOD OF PROCESSED OBJECT AND SPLITTING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a processing method and a dividing method,

본 발명은, 레이저광을 조사하여 피가공물을 가공하는 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a processing method for processing a workpiece by irradiating a laser beam.

펄스 레이저광(이하, 단순히 레이저광이라고도 칭함)을 조사하여 피가공물을 가공하는 기술(이하, 단순히 레이저 가공 혹은 레이저 가공 기술이라고도 칭함)로서, 펄스 폭이 psec 오더인 초단펄스의 레이저광을 주사(走査)하면서 피가공물의 상면에 조사함으로써, 개개의 단위 펄스광마다의 피조사 영역의 사이에서 피가공물의 벽개(劈開) 혹은 열개(裂開)를 순차 발생시켜 가, 각각에 있어서 형성된 벽개면 혹은 열개면의 연속면으로서 분할을 위한 기점(분할 기점)을 형성하는 방법이 이미 공지이다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).A laser beam of a short pulse having a pulse width of psec order is irradiated (hereinafter referred to simply as " laser processing ") as a technique of processing a workpiece by irradiating pulsed laser light (hereinafter simply referred to as laser beam) And then irradiating the upper surface of the workpiece while scanning the workpiece to scan the surface of the workpiece so that cleavage or cracking of the workpiece is sequentially generated between irradiated regions for each individual unit pulse light, A method of forming a starting point (division starting point) for division as a continuous surface of a surface is well known (see, for example, Patent Document 1).

특허문헌 1에 있어서는, 사파이어 등의 경취성 또한 광학적으로 투명한 재료로 이루어지는 기판 상에, LED 구조 등의 발광 소자 구조를 형성한 피가공물을 칩(분할 소편) 단위로 분할하는 경우에 있어서, 상술한 방법이 특히 유효하다고 되어 있다. 그 이유는, 벽개/열개면에 미세한 요철이 형성됨으로써, 당해 위치에서의 전반사율이 저하되어, 발광 소자에 있어서의 광 취출 효율을 향상시킬 수 있기 때문이다.In Patent Document 1, in the case where a workpiece on which a light emitting device structure such as an LED structure is formed on a substrate made of a light-curable and optically transparent material such as sapphire is divided into chips (divided pieces) Method is said to be particularly effective. The reason for this is that since the fine irregularities are formed on the cleavage / deformation face, the total reflectance at the position is reduced and the light extraction efficiency in the light emitting element can be improved.

일본 특허 출원 공개 제2011-131256호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-131256

피가공물에 분할 기점을 형성하는 경우, 일반적으로, 분할 기점을 깊게 형성할수록 그 후의 분할이 용이하다. 그러나 특허문헌 1에 개시되어 있는 방법의 경우, 벽개/열개가 발생하는 것은 피가공물의 표면 근방뿐이므로, 피가공물의 두께가 커지면, 보다 깊은 위치에까지 벽개/열개를 발생시켜 양호한 분할 기점을 형성하는 것이 곤란해진다고 하는 문제가 있다. 단순히, 레이저광의 조사 파워나 스크라이브 라인의 단위 길이당 조사에너지를 크게 하였다고 해도, 피가공물에 필요 이상의 손상을 부여해 버리게 되어, 바람직하지 않다.In the case of forming a dividing base point on a workpiece, it is generally easier to divide the dividing base point as the dividing base point is formed. However, in the case of the method disclosed in Patent Document 1, since the cleavage / deformation occurs only near the surface of the workpiece, when the thickness of the workpiece increases, cleavage / deformation is caused to a deeper position to form a good division origin There is a problem that it becomes difficult. Even if the irradiation power of the laser beam or the irradiation energy per unit length of the scribe line is simply increased, the workpiece is damaged more than necessary, which is not preferable.

본 발명은 상기 과제에 비추어 이루어진 것이며, 피가공물 분할에 있어서, 종래보다도 피가공물 내부의 깊은 위치까지 벽개/열개를 발생시킬 수 있는 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a machining method capable of generating a cleavage / deformation to a deep position inside a workpiece, as compared with the conventional method.

상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1의 발명은, 피가공물에 분할 기점을 형성하기 위한 가공 방법이며, 펄스 폭이 psec 오더의 초단펄스광인 복수의 펄스 레이저광을, 각각의 단위 펄스광의 상기 피조사면에 있어서의 피조사 위치가 공간적 또한 시간적으로 동일해지도록, 상기 피가공물과 대향 배치시킨 하나의 조사용 렌즈로부터 중첩적으로 조사하는 조사 공정과, 상기 복수의 펄스 레이저광을, 상기 피조사 위치가 상기 조사면에 있어서 이산(離散)되는 조건에서 가공 예정선을 따라 주사하는 주사 공정을, 상기 복수의 레이저광의 각각의 초점 위치를 상기 피가공물 내부의 서로 다른 깊이 위치로 한 후, 아울러 행함으로써, 상기 피가공물의 다른 깊이 위치에 있어서 상기 가공 예정선의 방향을 따른 상기 피가공물의 벽개 혹은 열개를 발생시키고, 이에 의해 상기 피가공물에 분할을 위한 기점을 형성하는 것을 특징으로 한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing method for forming a dividing base point on a workpiece, comprising the steps of: applying a plurality of pulse laser beams, which are ultrarapillary pulses of a pulse width of psec order, Irradiating the plurality of pulsed laser beams from a single collimating lens disposed so as to oppose the workpiece in such a manner that the positions to be irradiated on the workpiece are spatially and temporally the same, A scanning step of scanning along the line to be machined under the discrete conditions on the irradiation surface is performed by setting the focal positions of the plurality of laser beams to different depth positions within the workpiece, To cause cleavage or deformation of the workpiece along the direction of the line to be machined at different depth positions of the workpiece, To form a starting point for division in the workpiece.

청구항 2의 발명은, 청구항 1에 기재된 피가공물의 가공 방법이며, 하나의 광원으로부터 출사시킨 하나의 펄스 레이저광을 서로 다른 복수의 분기광로로 광학적으로 분기시킴으로써 발생하는 복수의 분기광을 상기 복수의 펄스 레이저광으로 하는 동시에, 상기 복수의 분기광로의 각각에, 상기 하나의 조사용 렌즈를 공통으로 포함하는 한편, 합성 초점 거리가 서로 다른 렌즈군을 설치함으로써, 상기 조사용 렌즈로부터 상기 피조사 위치에 대해 조사되는 상기 복수의 펄스 레이저광의 각각의 초점 위치를 다르게 하는 것을 특징으로 한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of processing a workpiece according to the first aspect, wherein a plurality of branch lights generated by optically branching one pulse laser light emitted from one light source into a plurality of different branch light paths, And a lens group having a different focal length from each other is provided in each of the plurality of branching optical paths so as to include the one of the plurality of laser light sources, And the focal position of each of the plurality of pulsed laser beams irradiated to the plurality of pulsed laser beams is different.

청구항 3의 발명은, 청구항 2에 기재된 피가공물의 가공 방법이며, 상기 하나의 광원으로부터 출사시킨 상기 하나의 펄스 레이저광을 제1과 제2 분기광로로 광학적으로 분기시킴으로써 상기 복수의 펄스 레이저광을 제1과 제2 펄스 레이저광으로 하고, 상기 제1 분기광로에 설치하는 상기 렌즈군을 상기 하나의 조사용 렌즈만으로 함으로써, 상기 제1 펄스 레이저광을, 상기 하나의 조사용 렌즈로부터 당해 조사용 렌즈의 초점 거리만큼 이격된 위치가 상기 초점 위치로 되도록 조사하고, 상기 제2 분기광로에, 상기 하나의 조사용 렌즈와 적어도 하나의 초점 위치 조정용 렌즈로 구성되는 상기 렌즈군을 설치함으로써, 상기 렌즈군의 상기 합성 초점 거리를 상기 조사용 렌즈의 상기 초점 거리와는 다른 값으로 하고, 이에 의해 상기 제2 펄스 레이저광의 상기 초점 위치를 상기 제1 펄스 레이저광의 상기 초점 위치와 다르게 하는 것을 특징으로 한다.According to a third aspect of the present invention, in the method of processing a workpiece according to the second aspect, the one pulsed laser light emitted from the one light source is optically branched into first and second branched optical paths, The first pulsed laser light is used as the first pulsed laser light and the lens group provided in the first branched optical path is made only the one used lens, By providing the lens group including the one focusing lens and the at least one focus position adjusting lens in the second branching optical path so that a position spaced by a focal distance of the lens becomes the focus position, The combined focal distance of the second pulsed laser light is set to a value different from the focal length of the tuning lens, Wherein the focal point position a first pulse laser beam is characterized in that different from the focus position.

청구항 4의 발명은, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 피가공물의 가공 방법이며, 상기 주사 공정에 있어서는, 상기 가공 예정선의 방향을, 상기 피가공물의 서로 다른 2개의 벽개 혹은 열개 용이 방향에 대해 등가인 방향으로 하는 것을 특징으로 한다.According to a fourth aspect of the invention, there is provided a method of processing a workpiece according to any one of the first to third aspects, wherein in the scanning step, the direction of the line to be machined is set in two different directions of cleavage or opening In the same direction.

청구항 5의 발명은, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 피가공물의 가공 방법이며, 상기 주사 공정에 있어서는, 상기 가공 예정선의 방향을, 상기 피가공물의 벽개 혹은 열개 용이 방향과 일치시키는 것을 특징으로 한다.According to a fifth aspect of the present invention, in the method of processing a workpiece according to any one of the first to third aspects, in the scanning step, the direction of the line to be processed coincides with the direction of cleavage or opening of the workpiece .

청구항 6의 발명은, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 피가공물의 가공 방법이며, 상기 주사 공정에 있어서는, 상기 가공 예정선의 방향을, 상기 피가공물의 서로 다른 2개의 상기 벽개 혹은 열개 용이 방향에 있어서 교대로 다르게 하는 것을 특징으로 한다.According to a sixth aspect of the present invention, in the method of processing a workpiece according to any one of the first to third aspects, in the scanning step, the direction of the line to be machined is set to be two different opening / In the second embodiment.

청구항 7의 발명은, 피가공물을 분할하는 방법이며, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 방법에 의해 분할 기점이 형성된 피가공물을, 상기 분할 기점을 따라 분할하는 것을 특징으로 한다.According to a seventh aspect of the present invention, a method for dividing a workpiece is characterized in that a workpiece on which a dividing base point is formed by the method according to any one of claims 1 to 3 is divided along the dividing base point.

청구항 1 내지 청구항 7의 발명에 따르면, 피가공물의 변질이나 비산 등의 발생을 국소적인 것에 그치게 하는 한편, 피가공물의 벽개 혹은 열개를 가공 예정선의 방향뿐만 아니라 깊이 방향에 있어서도 적극적으로 발생시킴으로써, 종래보다도 극히 고속으로, 피가공물에 대해 분할 기점을 형성할 수 있다.According to the invention of Claims 1 to 7, occurrence of deterioration or scattering of the workpiece can be limited to a local one, and the cleavage or opening of the workpiece can be positively generated not only in the direction of the line to be processed but also in the depth direction, It is possible to form a division origin point with respect to the workpiece at an extremely high speed.

도 1은 벽개/열개 가공에 의한 가공 형태를 모식적으로 도시하는 도면.
도 2는 동시 복수 초점 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 도면.
도 3은 동시 복수 초점 가공에 있어서의 펄스 레이저광의 진행 방법과 초점 위치를, 통상의 벽개/열개 가공과 대비시켜 도시하는 도면.
도 4는 동시 복수 초점 가공을 행한 사파이어 단결정 기판을 분할함으로써 얻어진 분할 개편의 SEM 이미지.
도 5는 레이저 가공 장치(100)의 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view schematically showing a machining mode by a clevis / opening process; Fig.
Fig. 2 is a view schematically showing a state of simultaneous multi-focus processing; Fig.
Fig. 3 is a view showing the progressing method and focal position of pulsed laser light in simultaneous multi-focus processing, in comparison with normal cleavage / deformation processing. Fig.
Fig. 4 is an SEM image of a split specimen obtained by dividing a sapphire single crystal substrate subjected to simultaneous multiple focus processing. Fig.
5 is a diagram schematically showing the configuration of a laser machining apparatus 100;

<가공의 기본 원리><Basic principle of processing>

본 발명의 실시 형태에 있어서 실현되는 가공의 기본적인 원리는, 특허문헌 1에 개시된 가공의 원리와 마찬가지이다. 그러므로, 이하에 있어서는, 개략만을 설명한다. 본 발명에 있어서 행해지는 가공은, 개략적으로 말하면, 펄스 레이저광(이하, 단순히 레이저광이라고도 칭함)을 주사하면서 피가공물의 상면(피가공면)에 조사함으로써, 개개의 펄스마다의 피조사 영역의 사이에서 피가공물 벽개 혹은 열개를 순차 발생시켜 가, 각각에 있어서 형성된 벽개면 혹은 열개면의 연속면으로서 분할을 위한 기점(분할 기점)을 형성하는 것이다.The basic principle of processing realized in the embodiment of the present invention is similar to the principle of processing disclosed in Patent Document 1. [ Therefore, only the outline will be described below. The processing to be carried out in the present invention is roughly performed by irradiating the top surface (work surface) of the workpiece while scanning the pulsed laser light (hereinafter simply referred to as laser light) And a starting point (division starting point) for dividing is formed as a continuous surface of the cleavage surface or the opening surface formed in each of them.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 열개라 함은, 벽개면 이외의 결정면을 따라 피가공물이 대략 규칙적으로 깨지는 현상을 가리키는 것으로 하고, 당해 결정면을 열개면이라 칭한다. 또한, 결정면을 완전히 따른 미시적인 현상인 벽개나 열개 이외에, 거시적인 깨짐인 크랙이 거의 일정한 결정 방위를 따라 발생하는 경우도 있다. 물질에 따라서는 주로 벽개, 열개 혹은 크랙 중 어느 하나만이 발생하는 것도 있지만, 이후에 있어서는, 설명의 번잡함을 피하기 위해, 벽개, 열개 및 크랙을 구별하지 않고 벽개/열개 등이라 총칭한다. 또한, 상술한 바와 같은 형태의 가공을, 단순히 벽개/열개 가공 등이라고도 칭하는 경우가 있다.In the present embodiment, the term "tearing" refers to a phenomenon that the workpiece is cracked approximately regularly along a crystal plane other than the cleaved plane, and the crystal plane is referred to as a "cracking plane". Further, in addition to microscopic phenomena completely cleaving the crystal plane, cleavage or cracking, macroscopic cracking may occur along a nearly constant crystal orientation. Depending on the material, only the cleavage, the crack or the crack may occur. However, in order to avoid the complicated explanation, the cleavage, the crack and the crack are collectively referred to as the cleavage / crack. In addition, the above-described processing may be referred to as simply cleavage / opening processing.

이하에 있어서는, 피가공물이 육방정의 단결정 물질이며, 그 C면 내에 있어서 서로 120°씩의 각도를 이루어 서로 대칭의 위치에 있는 a1축, a2축 및 a3축의 각 축 방향이 벽개/열개 용이 방향이고, 또한 가공 예정선이, a1축 방향, a2축 방향, a3축 방향 중 어느 하나와 수직한 경우를 예로 설명한다. 보다 일반적으로 말하면, 이것은, 서로 다른 2개의 벽개/열개 용이 방향에 대해 등가인 방향(2개의 벽개/열개 용이 방향의 대칭축이 되는 방향)이 가공 예정선의 방향으로 되는 경우이다. 또한, 이하에 있어서는, 개개의 펄스마다 조사되는 레이저광을 단위 펄스광이라고 칭한다.In the following description, it is assumed that the workpiece is a hexagonal single crystal material, and the directions of axes of the a1 axis, the a2 axis and the a3 axis, which are symmetrical with each other at an angle of 120 deg. , And the line to be machined is perpendicular to any one of the a1 axis direction, the a2 axis direction, and the a3 axis direction. More generally, this is the case in which the directions that are equivalent to the two different cleavage / opening direction directions (the direction that is the symmetry axis of the two cleavage / opening direction) are the direction of the intended processing line. In the following description, the laser light irradiated for each individual pulse is referred to as a unit pulse light.

도 1은 벽개/열개 가공에 의한 가공 형태를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 1에 있어서는, a1축 방향과 가공 예정선(L)이 직교하는 경우를 예시하고 있다. 도 1의 (a)는, 이러한 경우의 a1축 방향, a2축 방향, a3축 방향과 가공 예정선(L)의 방위 관계를 도시하는 도면이다. 도 1의 (b)는, 레이저광의 1펄스째의 단위 펄스광이 가공 예정선(L)의 단부의 피조사 영역 RE11에 조사된 상태를 도시하고 있다.Fig. 1 is a diagram schematically showing a machining mode by cleavage / deformation processing. In Fig. 1, a case where the a1 axis direction and the line to be machined L are perpendicular to each other is illustrated. Fig. 1 (a) is a diagram showing a bearing relationship between the a1 axis direction, the a2 axis direction and the a3 axis direction and the line to be machined L in this case. Fig. 1 (b) shows a state in which the unit pulse light of the first pulse of laser light is irradiated to the irradiated region RE11 at the end of the line to be processed L. Fig.

일반적으로, 단위 펄스광의 조사는, 피가공물의 극미소 영역에 대해 높은 에너지를 부여하므로, 이러한 조사는, 피조사면에 있어서 단위 펄스광의(레이저광의) 피조사 영역 상당 혹은 피조사 영역보다도 넓은 범위에 있어서 물질의 변질·용융·증발 제거 등을 발생시킨다.In general, the irradiation of the unit pulse light gives a high energy to a very small region of the workpiece, and therefore, such irradiation is carried out in such a manner that the irradiation is performed in a range corresponding to the irradiated region of the unit pulse light (laser beam) Which causes degeneration, melting, evaporation, etc. of the material.

그런데, 단위 펄스광의 조사 시간, 결국은 펄스 폭을 극히 짧게 설정하면, 레이저광의 스폿 사이즈보다 좁은, 피조사 영역 RE11의 대략 중앙 영역에 존재하는 물질이, 조사된 레이저광으로부터 운동 에너지를 얻음으로써 플라즈마화되거나 기체 상태 등으로 고온화되거나 하여 변질되고, 나아가서는 피조사면에 수직한 방향으로 비산되는 한편, 이러한 비산에 수반하여 발생하는 반력을 비롯한 단위 펄스광의 조사에 의해 발생하는 충격이나 응력이, 상기 피조사 영역의 주위, 특히 벽개/열개 용이 방향인 a1축 방향, a2축 방향, a3축 방향으로 작용한다. 이에 의해, 당해 방향을 따라, 외관상은 접촉 상태를 유지하면서도 미소한 벽개 혹은 열개가 부분적으로 발생하거나, 혹은 벽개나 열개에까지는 이르지 않아도 열적인 변형이 내재되는 상태가 발생한다. 바꾸어 말하면, 초단펄스의 단위 펄스광의 조사가, 벽개/열개 용이 방향을 향하는 상면에서 볼 때 대략 직선 형상의 약강도 부분을 형성하기 위한 구동력으로서 작용하고 있다고도 할 수 있다.If the irradiation time of the unit pulse light and eventually the pulse width are set to be extremely short, the material present in the substantially central region of the irradiated region RE11, which is narrower than the spot size of the laser light, obtains kinetic energy from the irradiated laser light, And the impact or stress generated by the irradiation of the unit pulse light including the reaction force generated by the scattering in the direction perpendicular to the surface to be irradiated, In the direction of the a1 axis, the a2 axis direction, and the a3 axis direction which are the directions of the irradiation area, in particular, the cleaving / opening direction. As a result, there occurs a state in which minute cleavage or cracking occurs partially while keeping the contact state in the apparent state along the direction, or a thermal deformation is inherent even when cleavage or cracking does not occur. In other words, it can be said that the irradiation of the unit pulse light of the ultrahigh pulse acts as a driving force for forming a weakly strong portion having a substantially linear shape when viewed from the upper face facing the cleaving / opening direction.

도 1의 (b)에 있어서는, 상기 각 벽개/열개 용이 방향에 있어서 형성되는 약강도 부분 중, 가공 예정선(L)의 연장 방향에 가까운 -a2 방향 및 +a3 방향에 있어서의 약강도 부분 W11a, W12a를 파선 화살표로 모식적으로 나타내고 있다.In Fig. 1 (b), among the weak strength portions formed in the respective cleavage / opening direction directions, the weak strength portions W11a in the -a2 direction and the + a3 direction close to the extending direction of the line to be processed L And W12a are schematically shown by dashed arrows.

계속해서, 도 1의 (c)에 도시하는 바와 같이, 레이저광의 2펄스째의 단위 펄스광이 조사되어, 가공 예정선(L) 상에 있어서 피조사 영역 RE11로부터 소정 거리만큼 이격된 위치에 피조사 영역 RE12가 형성되면, 1펄스째와 마찬가지로, 이 2펄스째에 있어서도, 벽개/열개 용이 방향을 따른 약강도 부분이 형성되게 된다. 예를 들어, -a3 방향으로는 약강도 부분 W11b가 형성되고, +a2 방향으로는 약강도 부분 W12b가 형성되고, +a3 방향으로는 약강도 부분 W12c가 형성되고, -a2 방향으로는 약강도 부분 W11c가 형성되게 된다.Subsequently, as shown in Fig. 1 (c), the unit pulse light of the second pulse of the laser beam is irradiated and is irradiated on the line to be processed L at a position spaced apart from the irradiated region RE11 by a predetermined distance When the irradiation region RE12 is formed, a weak intensity portion along the easy cleaving / opening direction is formed in the second pulse similarly to the first pulse. For example, a weak strength portion W11b is formed in the -a3 direction, a weak strength portion W12b is formed in the + a2 direction, a weak strength portion W12c is formed in the + a3 direction, and a weak strength portion W12b is formed in the- The portion W11c is formed.

단, 이 시점에 있어서는, 1펄스째의 단위 펄스광의 조사에 의해 형성된 약강도 부분 W11a, W12a가 각각, 약강도 부분 W11b, W12b의 연장 방향에 존재한다. 즉, 약강도 부분 W11b, W12b의 연장 방향은 다른 개소보다도 작은 에너지로 벽개 또는 열개가 발생할 수 있는(에너지의 흡수율이 높은) 개소로 되어 있다. 그로 인해, 실제로는, 2펄스째의 단위 펄스광의 조사가 행해지면, 그때에 발생하는 충격이나 응력이 벽개/열개 용이 방향 및 그 끝에 존재하는 약강도 부분으로 전파되어, 약강도 부분 W11b로부터 약강도 부분 W11a에 걸쳐, 및 약강도 부분 W12b로부터 약강도 부분 W12a에 걸쳐, 완전한 벽개 혹은 열개가, 거의 조사 순간에 발생한다. 이에 의해, 도 1의 (d)에 도시하는 벽개/열개면 C11a, C11b가 형성된다. 또한, 벽개/열개면 C11a, C11b는, 피가공물의 도면에서 볼 때 수직한 방향에 있어서 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 정도의 깊이에까지 형성될 수 있다. 또한, 벽개/열개면 C11a, C11b에 있어서는, 강한 충격이나 응력을 받은 결과로서 결정면의 슬립이 발생하여, 깊이 방향으로 기복이 발생한다.However, at this point, the weak intensity portions W11a and W12a formed by the irradiation of the unit pulse light of the first pulse exist in the extending directions of the weak intensity portions W11b and W12b, respectively. That is, the extending directions of the weak intensity portions W11b and W12b are positions where the cleavage or deformation can occur (energy absorption rate is high) with energy smaller than other points. Therefore, in practice, when the irradiation of the unit pulse light of the second pulse is performed, the impact or stress generated at that time is propagated to the weak strength portion existing in the cleavage / Over the portion W11a, and from the weaker portion W12b to the weaker portion W12a, complete cleavage or deformation occurs almost at the moment of irradiation. Thereby, the cleavage / opening surfaces C11a and C11b shown in FIG. 1 (d) are formed. In addition, the cleavage / opening surfaces C11a and C11b can be formed to a depth of several micrometers to several tens of micrometers in a direction perpendicular to the view of the workpiece. Further, in the cleavage / cracking surfaces C11a and C11b, slipping occurs on the crystal face as a result of a strong impact or stress, and undulations are generated in the depth direction.

그리고 도 1의 (e)에 도시하는 바와 같이, 그 후, 가공 예정선(L)을 따라 레이저광을 주사함으로써 피조사 영역 RE11, RE12, RE13, RE14····에 순차 단위 펄스광을 조사해 가면, 그 조사시에 발생하는 충격이나 응력에 의해, 도면에서 볼 때 직선 형상의 벽개/열개면 C11a 및 C11b, C12a 및 C12b, C13a 및 C13b, C14a 및 C14b···가 가공 예정선(L)을 따라 순차 형성되어 가게 된다. 이러한 형태로 벽개/열개면을 연속적으로 형성하는 것이, 본 실시 형태에 있어서의 벽개/열개 가공의 기본 원리이다.Then, as shown in Fig. 1 (e), by sequentially irradiating the irradiated regions RE11, RE12, RE13, RE14, ... with the unit pulse light by scanning the laser beam along the line to be processed L Cut planes C11a and C11b, C12a and C12b, C13a and C13b, C14a and C14b ... of the straight line shape as viewed in the drawing are to be cut by the impact or stress generated at the time of irradiation, As shown in FIG. It is the basic principle of the cleavage / opening process in the present embodiment that the cleavage / deformation face is formed continuously in this manner.

다른 견해로 보면, 단위 펄스광의 조사에 의해 열적 에너지가 부여됨으로써 피가공물의 표층 부분이 팽창되고, 피조사 영역 RE11, RE12, RE13, RE14····의 각각의 대략 중앙 영역보다도 외측에 있어서 벽개/열개면 C11a 및 C11b, C12a 및 C12b, C13a 및 C13b, C14a 및 C14b···에 수직한 인장 응력이 작용함으로써, 벽개/열개가 진전되어 있다고도 할 수 있다.In other respects, thermal energy is applied by the irradiation of the unit pulse light, so that the surface layer portion of the workpiece is expanded, and on the outer side of each substantially central region of the irradiated regions RE11, RE12, RE13, RE14, / &Quot;, the tensile stress perpendicular to the openings C11a and C11b, C12a and C12b, C13a and C13b, C14a and C14b · · · · acts.

즉, 도 1에 도시한 경우에 있어서는, 가공 예정선(L)을 따라 이산적으로 존재하는 복수의 피조사 영역과, 그들 복수의 피조사 영역 사이에 형성된 벽개/열개면이, 전체적으로, 피가공물을 가공 예정선(L)을 따라 분할할 때의 분할 기점이 된다. 이러한 분할 기점의 형성 후에는, 소정의 지그나 장치를 사용한 분할을 행함으로써, 가공 예정선(L)을 대략 따르는 형태로 피가공물을 분할할 수 있다.That is, in the case shown in Fig. 1, the plurality of irradiated regions discretely existing along the line to be processed L and the cleavage / Is to be divided along the line L to be machined. After the division starting point is formed, the workpiece can be divided into a shape substantially following the line to be machined L by performing division using a predetermined jig or apparatus.

또한, 도 1에 도시한 경우에 있어서는, 가공 예정선이, a1축 방향, a2축 방향, a3축 방향 중 어느 하나와 수직이 되도록 단위 펄스광이 조사되어 있지만, 이 대신에, 가공 예정선이 a1축 방향, a2축 방향, a3축 방향 중 어느 하나와 평행하게 되도록 단위 펄스광이 조사되는 형태라도 좋고, 혹은 개개의 피조사 영역이, 가공 예정선(L)을 사이에 두는 2개의 벽개/열개 용이 방향을 교대로 따르는 형태로 지그재그 형상으로(지그재그로) 형성되도록, 각각의 피조사 영역을 형성하는 단위 펄스광이 조사되는 형태라도 좋다.1, the unit pulse light is irradiated so that the line to be processed is perpendicular to any of the a1 axis direction, the a2 axis direction, and the a3 axis direction. Instead, the unit pulse light may be irradiated so as to be parallel to any one of the a1 axis direction, the a2 axis direction, and the a3 axis direction, or the individual irradiated regions may be divided into two cleavage / The unit pulse light for forming the to-be-irradiated areas may be irradiated so as to be formed in a zigzag shape (zigzag shape) in a manner of alternately following the direction of easy opening.

이상과 같은 벽개/열개 가공을 실현하기 위해서는, 펄스 폭이 짧은, 단펄스의 레이저광을 조사할 필요가 있다. 구체적으로는, 펄스 폭이 100psec 이하인 레이저광을 사용하는 것이 필요하다. 예를 들어, 1psec 내지 50psec 정도의 펄스 폭을 갖는 레이저광을 사용하는 것이 적합하다.In order to realize the cleavage / opening processing as described above, it is necessary to irradiate laser light having a short pulse width and a short pulse. Specifically, it is necessary to use laser light having a pulse width of 100 psec or less. For example, it is preferable to use laser light having a pulse width of about 1 psec to 50 psec.

<동시 복수 초점 가공><Simultaneous multi-focus processing>

본 실시 형태에 있어서는, 상술한 원리의 벽개/열개 가공을 더욱 발전시킨, 동시 복수 초점 가공으로, 피가공물에 분할 기점을 형성한다. 도 2는 동시 복수 초점 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 3은 동시 복수 초점 가공에 있어서의 펄스 레이저광의 진행 방법과 초점 위치를, 상술한 가공 원리에 따르는 통상의 벽개/열개 가공과 대비시켜 도시하는 도면이다. 도 3의 (a)가 동시 복수 초점 가공의 모습을 도시하고 있고, 도 3의 (b)가 단일의 펄스 레이저광(LB)만을 조사하는 통상의 벽개/열개 가공의 모습을 도시하고 있다.In the present embodiment, division starting points are formed in the workpiece by simultaneous multi-focal processing in which the cleavage / opening processing of the above-mentioned principle is further developed. 2 is a diagram schematically showing a state of simultaneous multiple focus processing. Fig. 3 is a view showing the progressing method and the focal position of the pulsed laser beam in the simultaneous multiple focus processing, in comparison with the normal cleavage / deformation processing according to the above-described processing principle. 3 (a) shows a state of simultaneous multiple focus processing, and Fig. 3 (b) shows a state of a normal cleavage / deformation processing in which only a single pulse laser beam LB is irradiated.

본 실시 형태에 있어서, 동시 복수 초점 가공이라 함은, 개략적으로 말하면, 복수의 펄스 레이저광을, 각각의 단위 펄스광의 피조사면에 있어서의 피조사 위치가 공간적 또한 시간적으로 동일해지도록, 또한 각각의 초점 위치가 피가공물 내부의 서로 다른 깊이 위치로 되도록, 조사용 렌즈로부터 중첩적으로 조사하면서, 피조사 위치가 조사면에 있어서 이산되는 조건에서 가공 예정선을 따라 주사함으로써, 피가공물의 다른 깊이 위치에 있어서 가공 예정선의 방향을 따른 벽개/열개를 발생시키는 가공 형태이다.In the present embodiment, the simultaneous multi-focal processing is roughly referred to as a method in which a plurality of pulsed laser beams are irradiated so that the positions to be irradiated on the surface to be irradiated with each unit pulse light are spatially and temporally the same, Scanning is performed along the line to be machined under the condition that the irradiated position is dispersed on the irradiated surface while being superimposedly irradiated from the calibration lens so that the focal position is at a different depth position inside the workpiece, In the form of a cleavage / deformation along the direction of the line to be processed.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 피조사 위치라 함은, 피가공물의 피조사면에 있어서의 단위 펄스광의 피조사 영역의 중심 위치(목적 위치)를 말한다. 확인적으로 말하면, 동시 복수 초점 가공에 있어서는, 각각의 펄스 레이저광의 단위 펄스광의 피조사 위치는 동일해지지만, 피조사 영역은 달라도 된다.In this embodiment, the irradiated position refers to the center position (target position) of the irradiated area of the unit pulse light on the irradiated surface of the workpiece. As a confirmation, in the simultaneous multi-focus processing, irradiation positions of the unit pulse light beams of the respective pulsed laser beams are the same, but the irradiated areas may be different.

또한, 조사용 렌즈라 함은, 피가공물의 피조사면(피가공면)에 대향 배치되는 렌즈로, 피가공물에 있어서는 펄스 레이저광의 직접적인 출사원이 되는 것이다.The lens used is a lens which is disposed opposite to the surface to be processed (surface to be processed) of the workpiece, and is a source of direct emission of the pulsed laser light in the workpiece.

또한, 피조사면에 있어서의 단위 펄스광의 피조사 위치를 공간적 또한 시간적으로 동일하게 한다고 하는 것은, 피가공물, 가공 예정선을 따른 각각의 피조사 위치에 대해, 모든 펄스 레이저광의 조사 타이밍을 동일하게 한다고 하는 것이다.The reason that the irradiated positions of the unit pulse light on the irradiated surface are spatially and temporally the same means that the irradiating timings of all pulsed laser beams are the same for each irradiated position along the workpiece and the line to be processed .

동시 복수 초점 가공에 따르면, 각각의 펄스 레이저광의 조사용 렌즈로부터 초점 위치까지의 거리를 적절하게 설정함으로써, 각각의 펄스 레이저광에 의해 형성되는 벽개/열개면이 연속된 큰 벽개/열개면이 형성된다. 즉, 단일의 펄스 레이저광만을 조사하는 경우에 비해, 보다 깊은 위치에 분할 기점을 형성하는 것이 가능해진다.According to the simultaneous multi-focus processing, by appropriately setting the distance from the tuning lens to the focus position of each pulsed laser light, a large cleavage / degeneracy plane formed by the respective cleavage / do. That is, as compared with the case of irradiating only a single pulse laser beam, it is possible to form a dividing origin at a deeper position.

또한, 본 실시 형태에서 말하는 초점 위치라 함은, 반드시 조사용 렌즈로부터 그 초점 거리만큼 이격된 위치를 의미하고 있는 것은 아니다. 초점 거리는 렌즈 혹은 렌즈군에 고유의 값이고, 통상, 렌즈의 한쪽면측에 존재하는 초점은 1개뿐이므로, 하나의 조사 렌즈에 관하여 그 한쪽면측에 다른 복수의 초점 위치를 관념할 수는 없기 때문이다. 상세한 것은 후술하지만, 본 실시 형태의 경우는, 조사용 렌즈를 공통으로 사용하면서도 구성이 다른 복수의 렌즈군을 준비하여, 각각의 합성 초점 거리를 다르게 함으로써, 복수의 펄스 레이저광의 초점 위치를 다르게 한 상태를 실현한다. 이러한 경우에 있어서는, 편의상, 조사용 렌즈만을 구비하는 렌즈 구성의 경우도 렌즈군을 이루고 있다고 간주하고, 그 경우에 있어서는, 조사용 렌즈의 초점 거리를 합성 초점 거리로 간주하는 것으로 한다.Note that the focal position in the present embodiment does not always mean a position spaced from the photographing lens by the focal distance. Since the focal length is a value unique to a lens or a lens group, and usually only one focal point exists on one side of the lens, a plurality of focal positions on one side of one lens can not be conceived with respect to one irradiation lens . The details of this embodiment will be described later. In the case of this embodiment, however, a plurality of groups of lenses having different configurations are used while using a common use lens, and the respective combined focal distances are made different, State. In this case, for the sake of convenience, it is assumed that a lens group including only the tuning lens constitutes a lens group, and in that case, the focal length of the tuning lens is regarded as a combined focal length.

도 2 및 도 3의 (a)에는, 동시 복수 초점 가공의 전형적인 예로서, 초점 위치를 다르게 한 2개의 펄스 레이저광이 중첩적으로 조사되는 경우를 도시하고 있다. 보다 상세하게는, 도 2 및 도 3의 (a)에는, 동시 복수 초점 가공시의 펄스 레이저광의 조사 형태의 일례로서, 광축 AX가 공통되는 한편, 조사용 렌즈(LE)로부터 초점 위치까지의 거리가 피가공물(S)의 깊이 방향(두께 방향)에 있어서 다른 제1 가공용 레이저광 LBα와 제2 가공용 레이저광 LBβ를, 각각의 단위 펄스광의 조사 타이밍과 피조사면에 있어서의 피조사 위치를 일치시키면서 중첩적으로 조사하고, 또한 피조사 위치가 가공 예정선을 따라 이산되도록 피가공물(S)에 대해 상대적으로 주사하는 모습이 예시되어 있다.Figs. 2 and 3 (a) show a case where two pulsed laser beams having different focus positions are superimposed on one another as a typical example of simultaneous multiple focus processing. More specifically, Figs. 2 and 3 (a) show, as an example of an irradiation form of pulsed laser light during simultaneous multiple focal processing, the optical axis AX is common, while the distance from the focusing lens LE to the focal position In the depth direction (thickness direction) of the workpiece S, the first processing laser beam LB? And the second processing laser beam LB? Are made to coincide with the irradiation timing of each unit pulse light and the irradiation position on the surface to be irradiated And scanning relative to the workpiece S such that the irradiated positions are dispersed along the line to be machined is exemplified.

보다 상세하게는, 도 2 및 도 3의 (a)에 있어서는, 평행광으로서 조사용 렌즈(LE)에 입사한 제1 가공용 레이저광 LBα의 초점 Fα가, 비평행광의 일종인 수렴광으로서 조사용 렌즈(LE)에 입사한 제2 가공용 레이저광 LBβ의 초점 Fβ보다도 깊게 위치하는 경우를 도시하고 있다.More specifically, in Figs. 2 and 3A, the focal point F alpha of the first processing laser beam LB alpha incident on the controlling lens LE as parallel light is used as converging light, which is a kind of non-parallel light, Is located deeper than the focal point F? Of the second processing laser beam LB? Incident on the lens LE.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 레이저광이 평행광이라 함은, 광축 방향에 있어서 레이저광의 빔 직경이 실질적으로 바뀌지 않는(의도적으로 변화시켜져 있지 않은) 것을 말한다. 이에 대해, 광축 방향에 있어서 레이저광의 빔 직경이 변화되는 레이저광을, 비평행광이라 칭한다. 예를 들어, 평행광을 오목 렌즈 등에 입사시켰을 때, 상기 오목 렌즈로부터의 출사광은 비평행광(발산광)이 된다.In the present embodiment, the parallel light means that the beam diameter of the laser light is not substantially changed (intentionally not changed) in the direction of the optical axis. On the other hand, a laser beam whose beam diameter changes in the optical axis direction is referred to as non-parallel light. For example, when parallel light is incident on a concave lens or the like, the outgoing light from the concave lens becomes non-parallel light (divergent light).

도 2 및 도 3의 (a)에 도시하는 경우, 초점 Fα의 깊이 위치 및 그 근방에서는 제1 가공용 레이저광 LBα의 단위 펄스광에 의한 벽개/열개가 발생하고, 초점 Fβ의 깊이 위치 및 그 근방에서는 제2 가공용 레이저광 LBβ의 단위 펄스광에 의한 벽개/열개가 발생한다. 도 2에 화살표 AR1로 나타내는 바와 같이, 제1 가공용 레이저광 LBα와 제2 가공용 레이저광 LBβ를, 중첩 상태를 유지하면서 피가공물(S)에 대해 상대 이동시키면, 양자에 의해 형성되는 벽개/열개면이 상대 이동 방향뿐만 아니라 깊이 방향에 있어서도 연속되어, 결과적으로 깊이 방향으로 큰 퍼짐을 가진 벽개/열개면이 형성된다.In the case shown in Figs. 2 and 3 (a), the cleavage / deformation due to the unit pulse light of the first processing laser beam LBa occurs at and near the depth position of the focal point F alpha, , The second processing laser beam LB? Is cleaved / opened by the unit pulse light. As shown by the arrow AR1 in Fig. 2, when the first processing laser beam LB? And the second processing laser beam LB? Are moved relative to the workpiece S while maintaining the overlapping state, the cleavage / This is continued not only in the relative movement direction but also in the depth direction, and consequently, a cleavage / deformation face having a large spread in the depth direction is formed.

도 3의 (b)에 도시하는 단일의 펄스 레이저광(LB)만을 조사하는 통상의 경우는, 피가공물의 표면으로부터 확실하게 벽개/열개가 발생하도록 그 초점 F의 위치를 정할 필요가 있지만, 도 2 및 도 3의 (a)에 도시하는 동시 복수 초점 가공의 경우, 피가공물의 표면의 근방에 있어서는, 제2 가공용 레이저광 LBβ가 조사됨으로써 벽개/열개가 발생하므로, 제1 가공용 레이저광 LBα의 조사에 의해 직접적으로 형성되는 벽개/열개면이, 피가공물의 표면에 도달할 필요는 없다.In the usual case of irradiating only the single pulsed laser light LB shown in Fig. 3 (b), it is necessary to determine the position of the focal point F so that cleavage / In the case of the simultaneous multi-focal processing shown in Figs. 2A and 2B and Figs. 3A and 3B, in the vicinity of the surface of the workpiece, the second processing laser beam LBβ is irradiated to cause cleavage / The cleavage / deformation face directly formed by the irradiation need not reach the surface of the workpiece.

그러므로, 동시 복수 초점 가공의 경우, 제1 가공용 레이저광 LBα의 초점 Fα의 위치를, 단일의 펄스 레이저광(LB)을 조사하여 벽개/열개 가공을 행하는 경우의 초점 F의 위치보다도 깊은 위치에 설정할 수 있다.Therefore, in the case of the simultaneous multiple focus processing, the position of the focal point F alpha of the first processing laser beam LB alpha is set at a position deeper than the position of the focal point F in the case of performing the cleavage / opening processing by irradiating a single pulse laser beam LB .

2개의 펄스 레이저광을 중첩시켜 동시 복수 초점 가공을 행하는 경우, 각각에 의해 형성되는 벽개/열개면을 깊이 방향으로 연속시키도록 하기 위해서는, 각각의 레이저광의 초점 위치는, 피조사면으로부터 가까운 쪽(도 2에서는 제2 가공용 레이저광 LBβ)이 4㎛ 내지 45㎛ 정도이고, 피조사면으로부터 먼 쪽(도 2에서는 제1 가공용 레이저광 LBα)이 16㎛ 내지 60㎛ 정도인 것이 바람직하다.In the case where two pulsed laser beams are superimposed to perform simultaneous multiple focus processing, the focal position of each laser beam is set so as to be closer to the target surface 2, the second processing laser beam LB?) Is about 4 to 45 占 퐉, and the second processing laser beam LB? From the surface to be irradiated (the first processing laser beam LB? In Fig. 2) is about 16 to 60 占 퐉.

동시 복수 초점 가공에 있어서의 각각의 펄스 레이저광의 부여 방법에는 다양한 형태가 있지만, 그 적합한 일례로서, 하나의 출사원으로부터 출사된 펄스 레이저광을 광학적으로 2방향으로 분기시키고, 조사용 렌즈는 공용으로 하면서 양쪽에 설치하는 렌즈군을 다르게 함으로써, 양쪽의 펄스 레이저광을 중첩시키는 형태가 있다. 이러한 경우, 각각의 펄스 레이저광의 단위 펄스광의 피조사면에 대한 조사 타이밍을 실질적으로 동일하게 하는 것이 용이하다.There are various types of methods for giving each pulse laser light in the simultaneous multiple focus processing. As a suitable example of such a method, pulse laser light emitted from one emission source is optically branched in two directions, And the two types of lens groups are different from each other so that both pulse laser beams are superimposed. In this case, it is easy to make the irradiation timings of the unit pulse light of each pulse laser light substantially equal to the irradiated surface.

혹은, 그와 같이 분기시키는 대신에, 조사용 렌즈 자체의 구성을 고안함으로써, 초점 위치가 다른 복수의 펄스 레이저광을 발생시키도록 해도 된다.Alternatively, a plurality of pulsed laser beams having different focus positions may be generated by devising the configuration of the tuning lens itself instead of branching as such.

동시 복수 초점 가공을 행하는 경우의 단위 펄스광의 조사 피치(피조사 위치의 중심 간격)는, 3㎛ 내지 50㎛의 범위에서 정해지면 좋다. 이보다도 조사 피치가 크면, 벽개/열개 용이 방향에 있어서의 약강도 부분의 형성이 벽개/열개면을 형성할 수 있을 정도까지 진전되지 않는 경우가 발생하므로, 상술한 바와 같은 벽개/열개면으로 이루어지는 분할 기점을 확실하게 형성한다고 하는 관점에서는 바람직하지 않다. 또한, 주사 속도, 가공 효율, 제품 품질의 점에서는, 조사 피치는 큰 쪽이 바람직하지만, 벽개/열개면의 형성을 보다 확실한 것으로 하기 위해서는, 3㎛ 내지 30㎛의 범위에서 정하는 것이 바람직하고, 3㎛ 내지 20㎛ 정도인 것이 보다 적합하다.The irradiation pitch of the unit pulse light (center distance of the irradiated position) in the case of performing simultaneous multiple focus processing may be set in the range of 3 탆 to 50 탆. If the irradiation pitch is larger than this, the formation of the weak strength portion in the cleavage / opening direction may not progress to such an extent that cleavage / deformation can be formed. Therefore, the cleavage / It is not preferable from the viewpoint of forming the division starting point reliably. It is preferable that the irradiation pitch is larger in terms of the scanning speed, the processing efficiency and the product quality. In order to make the formation of the cleavage / deformation face more reliable, it is preferably set in the range of 3 탆 to 30 탆, Mu] m to 20 [mu] m.

레이저광의 반복 주파수가 R(㎑)인 경우, 1/R(msec)마다 단위 펄스광이 레이저광원으로부터 발생되게 된다. 피가공물에 대해 레이저광이 상대적으로 속도 V(㎜/sec)로 이동하는 경우, 조사 피치 Δ(㎛)는, Δ=V/R로 정해진다. 따라서, 레이저광의 주사 속도 V와 반복 주파수는, Δ가 수 ㎛ 정도로 되도록 정해진다. 예를 들어, 주사 속도 V는 50㎜/sec 내지 3000㎜/sec 정도이고, 반복 주파수 R이 1㎑ 내지 200㎑, 특히는 10㎑ 내지 200㎑ 정도인 것이 적합하다. V나 R의 구체적인 값은, 피가공물의 재질이나 흡수율, 열전도율, 융점 등을 감안하여 적절하게 정해져도 된다.When the repetition frequency of the laser light is R (kHz), the unit pulse light is generated from the laser light source every 1 / R (msec). When the laser beam moves relative to the workpiece at a speed V (mm / sec), the irradiation pitch DELTA (mu m) is determined as DELTA = V / R. Therefore, the scanning speed V and the repetition frequency of the laser beam are set so that? Is about several micrometers. For example, it is preferable that the scanning speed V is about 50 mm / sec to 3000 mm / sec, and the repetition frequency R is about 1 kHz to 200 kHz, particularly about 10 kHz to 200 kHz. The specific values of V and R may be appropriately determined in consideration of the material, the water absorption rate, the thermal conductivity, the melting point, and the like of the workpiece.

레이저광은, 약 1㎛ 내지 10㎛ 정도의 빔 직경으로 조사되는 것이 바람직하다. 단, 중첩되는 각각의 레이저광의 빔 직경은, 달라도 된다.It is preferable that the laser beam is irradiated with a beam diameter of about 1 탆 to 10 탆. However, the beam diameters of the overlapping laser beams may be different.

또한, 각각의 레이저광의 조사 에너지(펄스 에너지)는 0.1μJ 내지 50μJ의 범위 내에서 적절하게 정해져도 된다. 단, 본 실시 형태에 있어서는, 0.1μJ 내지 10μJ의 범위에서 충분히 적합한 가공이 가능하다.The irradiation energy (pulse energy) of each laser beam may be appropriately determined within a range of 0.1 μJ to 50 μJ. However, in the present embodiment, it is possible to carry out sufficiently satisfactory processing in the range of 0.1 μJ to 10 μJ.

도 4는 사파이어 단결정 기판에 대해, 2개의 펄스 레이저광에 의해 동시 복수 초점 가공을 행하여, 이에 의해 형성된 벽개/열개면을 따라 당해 기판을 분할함으로써 얻어진 분할 개편의 SEM(주사 전자 현미경) 이미지이다. 보다 상세하게는, 도 4는 상기 분할 개편의 상면(피가공물의 피조사면)과 벽개/열개면을 포함하는 분할면의 교선 근방의 SEM 이미지이다. 도면 중, 상측 약 1/3의 부분이 상면이고, 그 이외가 분할면이다. 동시 복수 초점 가공에 있어서는, 각각의 펄스 레이저광의 초점 위치는, 피조사면으로부터 가까운 쪽이 6㎛로 설정되고, 피조사면으로부터 먼 쪽이 16㎛로 설정되고, 단위 펄스광의 조사 피치(피조사 위치의 중심 간격)가 10㎛로 설정되어 이루어진다.4 is an SEM (scanning electron microscope) image of a divided piece obtained by performing simultaneous multiple focal processing with two pulsed laser beams on a sapphire single crystal substrate, and dividing the substrate along the cleavage / open face formed thereby. More specifically, FIG. 4 is an SEM image of the vicinity of the intersection of the upper surface (the surface to be processed of the workpiece) of the divided piece and the dividing surface including the cleavage / dehiscence surface. In the figure, approximately one third of the upper side is the upper surface, and the other is the divided surface. In the simultaneous multiple focus processing, the focal position of each pulse laser beam is set to 6 mu m in the side closer to the surface to be irradiated, 16 mu m in the farther side from the irradiated surface, and the irradiation pitch of the unit pulse light Center interval) is set to 10 mu m.

도 4에 따르면, 분할면의 피조사면으로부터 먼 부분에서는, 상하 방향으로 연장되는 쐐기형의 영역과, 그 좌우에 있어서 대략 대칭인, 경사 방향으로 다수의 줄이 형성된 줄무늬 형상 부분이 존재한다. 전자는, 단위 펄스광이 조사된 영역이다. 후자는, 벽개/열개면이지만, 줄무늬 형상 부분은, 0.1㎛ 내지 1㎛ 정도의 고저차를 갖는 미소한 요철이고, 펄스 레이저광이 조사됨으로써 피가공물에 강한 충격이나 응력이 작용함으로써, 특정한 결정면에 슬립이 발생함으로써 형성된 것이다.According to Fig. 4, there are wedge-shaped regions extending in the vertical direction and striped portions in which a plurality of lines are formed in an oblique direction, which are substantially symmetrical on the left and right, at a portion far from the surface to be irradiated. The former is a region irradiated with the unit pulse light. The latter is a cleavage / deformation face, but the stripe-shaped portion is a minute irregularity having a height difference of about 0.1 mu m to 1 mu m. When a pulsed laser beam is irradiated, a strong impact or stress acts on the workpiece, .

도 4에는 단위 펄스광의 조사 피치가 10㎛였던 것이 나타내어져 있지만, 이것을 참고로 하면, 벽개/열개면의 최대 깊이가 33㎛ 전후인 것을 알 수 있다. 통상의 벽개/열개 가공에 있어서의 벽개/열개면의 최대 깊이(분할 기점의 깊이)는 겨우 12㎛ 정도이므로, 동시 복수 초점 가공을 행함으로써, 그 약 3배 정도의 깊이의 위치에, 분할 기점을 형성하는 것이 가능해진다. 따라서, 동시 복수 초점 가공을 행한 후, 분할을 행하도록 함으로써, 보다 고정밀도로 피가공물을 분할하는 것이 가능해진다.4 shows that the irradiation pitch of the unit pulse light was 10 占 퐉. By referring to this, it can be seen that the maximum depth of the cleavage / deformation face is around 33 占 퐉. Since the maximum depth of the cleavage / opening face (the depth of the dividing origin) in the normal cleavage / opening process is only about 12 占 퐉, by performing simultaneous multiple focus processing, Can be formed. Therefore, by performing simultaneous multi-focal processing and then performing division, it becomes possible to divide the workpiece with higher accuracy.

이상과 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 상술한 벽개/열개 가공을 더욱 발전시킨 동시 복수 초점 가공을 행함으로써, 피가공물의 변질이나 비산 등의 발생을 국소적인 것으로 남기는 한편, 피가공물의 벽개 혹은 열개를 가공 예정선의 방향뿐만 아니라 깊이 방향에 있어서도 적극적으로 발생시킴으로써, 종래보다도 극히 고속으로, 피분할체에 대해 분할 기점을 형성할 수 있다.As described above, in the present embodiment, by performing the simultaneous multiple focus processing in which the above-mentioned cleavage / deformation processing is further developed, the occurrence of deterioration or scattering of the workpiece is left as a local one, Is generated not only in the direction of the line to be machined but also in the depth direction, it is possible to form a dividing origin point at the extremely high speed as compared with the conventional one.

<레이저 가공 장치의 개요><Outline of Laser Processing Apparatus>

도 5는 본 실시 형태에 관한 동시 복수 초점 가공을 실현 가능한 레이저 가공 장치(100)의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 또한, 레이저 가공 장치(100)는, 동시 복수 초점 가공에 한정되지 않고, 광학계나 펄스 레이저광의 조사 형태 등을 적절하게 다르게 함으로써, 피가공물에 홈 가공이나 펀칭 가공 등을 행하는 것도 가능하다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 레이저 가공 장치(100)는, 주로 스테이지부(10)와 광학계(20)를 구비한다. 또한, 레이저 가공 장치(100)는, 각 부의 동작을 제어하는 도시하지 않은 제어부를 구비한다.5 is a diagram schematically showing a configuration of a laser machining apparatus 100 capable of realizing simultaneous multiple focus machining according to the present embodiment. The laser machining apparatus 100 is not limited to simultaneous multiple focus machining, and it is also possible to perform groove machining, punch machining, or the like on the workpiece by appropriately changing the irradiation form of the optical system or the pulse laser beam. As shown in Fig. 5, the laser machining apparatus 100 mainly includes a stage unit 10 and an optical system 20. As shown in Fig. The laser machining apparatus 100 also includes a control unit (not shown) for controlling the operation of each unit.

스테이지부(10)는, 피가공물(S)이 적재 고정되는 부위이다. 스테이지부(10)는, 도시하지 않은 흡착 기구를 구비하고, 스테이지부(10)의 상면(10a)에 적재된 피가공물(S)을 흡착 고정할 수 있다. 또한, 스테이지부(10)는 이동 기구(10m)를 구비하고 있고, 이러한 이동 기구(10m)의 작용에 의해, 직교하는 2방향으로의 수평 이동 및 수평면 내에서의 회전 이동이 가능하게 되어 있다.The stage portion 10 is a portion where the workpiece S is mounted and fixed. The stage unit 10 includes an adsorption mechanism (not shown) and can adsorb and fix the workpiece S placed on the upper surface 10a of the stage unit 10. The stage unit 10 is provided with a moving mechanism 10m. By the action of the moving mechanism 10m, horizontal movement in two orthogonal directions and rotational movement in a horizontal plane are enabled.

광학계(20)는, 스테이지부(10)에 적재 고정된 피가공물(S)에 대해 레이저광을 조사하기 위한 부위이다. 광학계(20)는, 레이저광원(21)과, 3개의 1/2 파장판(22)[제1 1/2 파장판(22a), 제2 1/2 파장판(22b), 제3 1/2 파장판(22c)]과, 4개의 편광 빔 스플리터(23)[제1 편광 빔 스플리터(23a), 제2 편광 빔 스플리터(23b), 제3 편광 빔 스플리터(23c), 제4 편광 빔 스플리터(23d)]와, 초점 위치 조정용 렌즈(24)[제1 조정용 렌즈(24a), 제2 조정용 렌즈(24b)]와, 조사용 렌즈(25)를 주로 구비한다.The optical system 20 is a portion for irradiating the workpiece S mounted and fixed on the stage portion 10 with laser light. The optical system 20 includes a laser light source 21 and three half wave plates 22 (first half wave plate 22a, second half wave plate 22b, (The first polarizing beam splitter 23c and the second polarizing beam splitter 23c) and the four polarizing beam splitters 23 (the first polarizing beam splitter 23a, the second polarizing beam splitter 23b, the third polarizing beam splitter 23c, (The first adjusting lens 24a, the second adjusting lens 24b), and the adjusting lens 25, as shown in Fig.

레이저광원(21)은, 직선 편광 또한 평행광인 레이저광(LB0)을 출사시킨다. 이러한 레이저광원(21)으로서는, 다양한 공지의 광원을 사용할 수 있다. 가공 목적에 따라서, 적절한 광원이 선택되어 사용되면 된다. Nd:YAG 레이저나, Nd:YVO4 레이저나 그 밖의 고체 레이저를 사용하는 형태가 적합하다. 또한, 레이저광원(21)에는 셔터(ST)가 부수된다.The laser light source 21 emits laser light LB0, which is linearly polarized light and parallel light. As the laser light source 21, various known light sources can be used. An appropriate light source may be selected and used depending on the processing purpose. Nd: YAG lasers, Nd: YVO 4 lasers or other solid state lasers are suitable. A shutter ST is attached to the laser light source 21.

예를 들어, 사파이어 단결정 기재(基材)가 기초 기판으로서 사용된 LED 기판의 스트리트 위치에 스크라이브 라인을 형성하는 경우이면, psec 레이저를 사용하는 것이 적합하다. 또한, 본 실시 형태에 있어서 LED 기판이라 함은, 각각이 LED를 구성하는 단위 패턴을 2차원적으로 배열한 LED 회로 패턴이 표면에 형성된 반도체 기판을 말하고, 그 스트리트라 함은, 이러한 LED 기판을 개개의 LED 칩으로 분할할(개편화할) 때의 분할 예정 위치를 말한다.For example, in the case where a sapphire single crystal substrate forms a scribe line at a street position of an LED substrate used as a base substrate, it is suitable to use a psec laser. In the present embodiment, the LED substrate refers to a semiconductor substrate on which an LED circuit pattern, in which unit patterns constituting LEDs are two-dimensionally arranged, is formed on the surface, Refers to a predetermined division position at the time of dividing (individualizing) into individual LED chips.

셔터(ST)가 개방되어 레이저광원(21)으로부터 출사된 레이저광(LB0)은, 그 광로 P0 상에 설치되어 이루어지는 제1 1/2 파장판(22a)에 의해, 그 편광의 정도(P 편광과 S 편광의 비율)가 적절하게 조정된다.The laser light LB0 emitted from the laser light source 21 with the shutter ST opened is reflected by the first 1/2 wave plate 22a provided on the optical path P0 and the degree of polarization thereof And S polarized light) is appropriately adjusted.

제1 1/2 파장판(22a)을 거친 레이저광(LB0)은, 광로 P0 상에 설치되어 이루어지는 제1 편광 빔 스플리터(23a)에 도달한다. 제1 편광 빔 스플리터(23a)에 있어서, 레이저광(LB0)은, 제1 분기광로(P1)를 진행하는 제1 분기광(LB1)과, 제2 분기광로(P2)를 진행하는 제2 분기광(LB2)로 분기된다. 바꾸어 말하면, 제1 편광 빔 스플리터(23a)는, 레이저광(LB0)을 제1 분기광(LB1)과 제2 분기광(LB2)으로 분기시키는 분기 수단으로서 기능한다.The laser light LB0 passed through the first 1/2 wave plate 22a reaches the first polarization beam splitter 23a provided on the optical path P0. In the first polarizing beam splitter 23a, the laser light LB0 is incident on the first polarized beam splitter 23a through the first branched light LB1 traveling in the first branched optical path P1 and the second branched light LB2 propagating through the second branched optical path P2 Branching to the second branch light LB2. In other words, the first polarization beam splitter 23a functions as a branching means for branching the laser light LB0 into the first branched light LB1 and the second branched light LB2.

보다 상세하게는, 제1 편광 빔 스플리터(23a)는, 제1 분기광(LB1)은 P 편광의 투과광으로서 출사하고, 제2 분기광(LB2)은 S 편광의 반사광으로서 출사한다. 또한, 제1 편광 빔 스플리터(23a)를 비롯한 편광 빔 스플리터(23)로서는, 투과 효율이 90% 내지 95%이고, 반사 효율은 약 99%인 것을 사용한다. 이에 의해, 편광 빔 스플리터(23)에 있어서의 광학적인 손실은 최소한으로 저감된다.More specifically, the first polarized beam splitter 23a emits the first branched light LB1 as P-polarized transmitted light and the second branched light LB2 as S-polarized reflected light. The polarizing beam splitter 23 including the first polarizing beam splitter 23a has a transmission efficiency of 90% to 95% and a reflection efficiency of about 99%. Thereby, the optical loss in the polarization beam splitter 23 is reduced to a minimum.

제1 분기광로(P1) 및 제2 분기광로(P2)는, 그 도중에 설치된 제1 반사 미러(26) 또는 제2 반사 미러(27)에서 제1 분기광(LB1) 또는 제2 분기광(LB2)이 반사됨으로써, 각각의 방향이 적절하게 변화되어 이루어진다.The first branch light path P1 and the second branch light path P2 are branched from the first reflecting mirror 26 or the second reflecting mirror 27 installed in the middle of the first branch light path P1 and the second branch light path P2, (LB2) is reflected, so that the respective directions are appropriately changed.

또한, 도 5에 있어서는, 제1 반사 미러(26)와 제2 반사 미러(27)가, 도면이 이루는 평면 내에서만 펄스 레이저광을 반사하는 자세로 배치되어 있지만, 이것은 도시의 사정상인 것에 불과하다. 또한, 제1 반사 미러(26)와 제2 반사 미러(27)의 개수도 도 5에 예시한 경우에 한정되지는 않는다. 즉, 제1 반사 미러(26)와 제2 반사 미러(27)는, 광학계(20)를 구성하는 각 요소의 배치 레이아웃상의 요청 등에 따라서, 적절한 개수, 배치 위치 및 자세로 설치된다.5, the first reflection mirror 26 and the second reflection mirror 27 are disposed in a posture that reflects the pulsed laser light only in the plane of the drawing, but this is merely a matter of convenience . The number of the first reflecting mirror 26 and the second reflecting mirror 27 is not limited to the example shown in Fig. That is, the first reflecting mirror 26 and the second reflecting mirror 27 are installed in an appropriate number, arrangement position and attitude in accordance with a request on the arrangement layout of each element constituting the optical system 20 and the like.

제1 분기광로(P1)는, 제2 1/2 파장판(22b)과, 제2 편광 빔 스플리터(23b)를, 제1 분기광(LB1)이 진행하는 방향에 있어서 이 순서로 구비한다. 또한, 제1 분기광로(P1)는, 제2 편광 빔 스플리터(23b)를 투과한 P 편광인 제1 분기광(LB1)이 제4 편광 빔 스플리터(23d)에 도달하도록 구성된다.The first quarter wave plate P1 is provided with the second 1/2 wave plate 22b and the second polarization beam splitter 23b in this order in the direction in which the first quarter wave plate LB1 advances . The first branch light path P1 is configured so that the first branched light LB1 that is P-polarized light transmitted through the second polarized beam splitter 23b reaches the fourth polarized beam splitter 23d.

제2 1/2 파장판(22b)과, 제2 편광 빔 스플리터(23b)는, 제1 분기광(LB1)의 광량을 조정 가능하게 하기 위해 설치되어 이루어진다. 구체적으로 말하면, 제1 편광 빔 스플리터(23a)로부터 P 편광으로서 출사되어 있는 제1 분기광(LB1)은, 제2 1/2 파장판(22b)이 존재하지 않는 경우, 상술한 투과 효율로 제2 편광 빔 스플리터(23b)를 투과하게 된다. 이에 대해, 상술한 바와 같이 제2 1/2 파장판(22b)을 설치한 경우, 제2 1/2 파장판(22b)에서 편광의 정도를 조정함으로써, 제2 편광 빔 스플리터(23b)를 투과 가능한 제1 분기광(LB1)의 P 편광의 비율을 조정할 수 있다. 이에 의해, 결과적으로 제1 분기광(LB1)의 광량이 조정된다.The second 1/2 wave plate 22b and the second polarized beam splitter 23b are provided to adjust the light quantity of the first branched light LB1. Specifically, in the case where the second 1/2 wave plate 22b does not exist, the first branched light LB1 emitted as the P polarized light from the first polarizing beam splitter 23a, Polarized beam splitter 23b. On the other hand, when the second 1/2 wave plate 22b is provided as described above, the degree of polarization of the second 1/2 wave plate 22b is adjusted so that the second polarizing beam splitter 23b is transmitted The ratio of the P-polarized light of the first branched light LB1 can be adjusted. As a result, the light quantity of the first branched light LB1 is adjusted as a result.

한편, 제2 분기광로(P2)는, 제3 1/2 파장판(22c)과, 제3 편광 빔 스플리터(23c)와, 초점 위치 조정용 렌즈(24)를, 제2 분기광(LB2)이 진행하는 방향에 있어서 이 순서로 구비한다. 또한, 도 5에서는 간략화되어 있지만, 제2 분기광로(P2)는, 제3 편광 빔 스플리터(23c)에서 반사된 S 편광인 제2 분기광(LB2)이, 초점 위치 조정용 렌즈(24)를 거친 후, 제4 편광 빔 스플리터(23d)에 도달하도록 구성된다.On the other hand, in the second branch optical path P2, the third 1/2 wave plate 22c, the third polarization beam splitter 23c, and the focus position adjusting lens 24 are arranged so as to form the second branch light LB2, In this order. Although the second branched light path P2 is simplified in FIG. 5, the second branched light LB2, which is the S-polarized light reflected by the third polarized beam splitter 23c, passes through the focus position adjusting lens 24 And is configured to reach the fourth polarization beam splitter 23d.

또한, 제2 분기광로(P2)에 있어서는, 2개의 제2 반사 미러(27)가, 이동 기구(27m)에 의해 이동 가능하게 되어 이루어진다. 이에 의해, 레이저 가공 장치(100)에 있어서는, 제2 분기광로(P2)의 광로 길이를 적절하게 조정할 수 있도록 되어 있다.In the second branch optical path P2, the two second reflecting mirrors 27 are made movable by the moving mechanism 27m. Thus, in the laser machining apparatus 100, the optical path length of the second branch optical path P2 can be appropriately adjusted.

제3 1/2 파장판(22c)과, 제3 편광 빔 스플리터(23c)는, 제2 분기광(LB2)의 광량을 조정 가능하게 하기 위해 설치되어 이루어진다. 구체적으로 말하면, 제1 편광 빔 스플리터(23a)로부터 S 편광으로서 출사되어 있는 제2 분기광(LB2)은, 제3 1/2 파장판(22c)이 존재하지 않는 경우, 상술한 반사 효율로 제3 편광 빔 스플리터(23c)에서 반사되게 된다. 이에 대해, 상술한 바와 같이 제3 1/2 파장판(22c)을 설치한 경우, 제3 1/2 파장판(22c)에서 편광의 정도를 조정함으로써, 제3 편광 빔 스플리터(23c)에서 반사 가능한 제2 분기광(LB2)의 S 편광의 비율을 조정할 수 있다. 이에 의해, 결과적으로 제2 분기광(LB2)의 광량이 조정된다.The third 1/2 wave plate 22c and the third polarized beam splitter 23c are provided to adjust the light quantity of the second branched light LB2. Specifically, in the case where the third 1/2 wave plate 22c does not exist, the second branched light LB2 emitted as the S polarized light from the first polarizing beam splitter 23a, 3 polarization beam splitter 23c. On the other hand, when the third 1/2 wave plate 22c is provided as described above, the degree of polarization in the third 1/2 wave plate 22c is adjusted so that reflection from the third polarization beam splitter 23c It is possible to adjust the ratio of the S polarized light of the second branched light LB2 as much as possible. As a result, the light amount of the second branched light LB2 is adjusted as a result.

또한, 도 5에 도시하는 경우에 있어서는, 오목 렌즈인 제1 조정용 렌즈(24a)와 볼록 렌즈인 제2 조정용 렌즈(24b)에 의해, 초점 위치 조정용 렌즈(24)가 구성되어 이루어진다. 이러한 경우, 평행광으로서 제1 조정용 렌즈(24a)에 입사한 제2 분기광(LB2)은, 전방일수록 광축 주위의 퍼짐이 커지는 비평행광인 발산광으로서 제1 조정용 렌즈(24a)로부터 출사되어, 제2 조정용 렌즈(24b)에 의해 광축 주위에 있어서의 퍼짐 정도가 조정되면서도, 비평행광의 상태에서, 제4 편광 빔 스플리터(23d)에 도달한다.In the case shown in Fig. 5, the focus adjustment lens 24 is constituted by the first adjustment lens 24a, which is a concave lens, and the second adjustment lens 24b, which is a convex lens. In this case, the second branched light LB2 incident on the first adjusting lens 24a as parallel light is emitted from the first adjusting lens 24a as divergent light that is nonparallel light having a larger spread around the optical axis, The degree of spreading around the optical axis is adjusted by the second adjusting lens 24b and reaches the fourth polarization beam splitter 23d in the state of non-parallel light.

제1 분기광로(P1)와 제2 분기광로(P2)는, 제4 편광 빔 스플리터(23d)에 있어서 합류하여, 공통 광로(P3)가 된다. 공통 광로(P3)에는, 조사용 렌즈(25)가 구비되어 있고, 상기 조사용 렌즈(25)의 끝쪽에, 스테이지부(10)가 위치하고 있다.The first branch optical path P1 and the second branch optical path P2 join together in the fourth polarization beam splitter 23d to become the common optical path P3. The common optical path P3 is provided with a tuning lens 25 and the stage 10 is located at the end of the tuning lens 25. [

제1 분기광로(P1)를 경유한 P 편광인 제1 분기광(LB1)은, 제4 편광 빔 스플리터(23d)를 투과하여 공통 광로(P3)를 진행하여, 조사용 렌즈(25)를 거쳐서 스테이지부(10)에 적재된 피가공물(S)에 조사된다. 제1 분기광로(P1) 및 이것에 이어지는 공통 광로(P3) 상에 설치된 렌즈는 조사용 렌즈뿐이므로, 제1 분기광(LB1)은, 조사용 렌즈(25)로부터 그 초점 거리만큼 이격된 위치를 초점 위치로 하여 피가공물(S)에 조사된다.The first branched light LB1 that is P-polarized light via the first branch light path P1 travels through the fourth polarization beam splitter 23d to travel through the common optical path P3, And is irradiated onto the workpiece S loaded on the stage portion 10 via the above- Since the lens provided on the first branch optical path P1 and the common optical path P3 subsequent thereto is only the reference lens, the first branched light LB1 is separated from the collimating lens 25 by the focal distance Is irradiated onto the work (S) with the position as a focus position.

한편, 제2 분기광로(P2)를 경유한 S 편광인 제2 분기광(LB2)은, 제4 편광 빔 스플리터(23d)에서 반사되어 공통 광로(P3)를 진행하여, 조사용 렌즈(25)를 거쳐서 스테이지부(10)에 적재된 피가공물(S)에 조사된다. 이때, 제2 분기광로(P2) 및 이것에 이어지는 공통 광로(P3) 상에는 초점 위치 조정용 렌즈(24)와 조사용 렌즈(25)로 이루어지는 렌즈군이 설치되어 이루어지므로, 제2 분기광(LB2)은, 조사용 렌즈(25)로부터 당해 렌즈군의 합성 초점 거리만큼 이격된 위치를 초점 위치로 하여 피가공물(S)에 조사된다.On the other hand, the second branched light LB2, which is the S-polarized light via the second branched light path P2, is reflected by the fourth polarization beam splitter 23d and travels through the common light path P3, To the workpiece S placed on the stage portion 10 via the workpiece W. At this time, since the lens group consisting of the focus position adjusting lens 24 and the tuning lens 25 is provided on the second branch optical path P2 and the common optical path P3 subsequent thereto, the second branch light LB2 Is irradiated onto the workpiece S from the adjusting lens 25 with a position separated by the combined focal distance of the lens group as the focal position.

이상과 같은 구성을 갖는 레이저 가공 장치(100)에 따르면, 개략, 피가공물(S)을 적재 고정한 스테이지부(10)를 적절하게 이동시키면서, 초점 위치가 서로 다른 제1 분기광(LB1)과 제2 분기광(LB2)을 피가공물(S)에 대해 중첩적으로 조사함으로써, 피가공물(S)의 원하는 가공 위치에 대해 다양한 가공을 행할 수 있다. 그 대표적인 가공 형태가, 상술한 동시 복수 초점 가공이다.According to the laser machining apparatus 100 having the above-described configuration, the stage section 10, on which the workpiece S is mounted and fixed, is appropriately moved while the first branching lights LB1 and LB2, Various processing can be performed on a desired machining position of the workpiece S by superimposing the light beam LB2 on the workpiece S in an overlapping manner. The representative processing type is the simultaneous multi-focal processing described above.

즉, 레이저광원(21)으로서, 펄스 폭이 100psec 이하인 초단펄스광인 펄스 레이저광을 출사 가능한 것으로 하고, 제1 분기광로(P1)와 제2 분기광로(P2)의 광로 길이가 동등해지도록 이동 기구(27m)에 의해 제2 반사 미러(27)의 배치 위치를 조정하여, 조사용 렌즈(25)의 높이 위치 및 제2 분기광로(P2)에 있어서의 초점 위치 조정용 렌즈(24)의 배치 위치를 적절하게 정함으로써 제1 분기광(LB1)과 제2 분기광(LB2)의 초점 위치를 피가공물(S)의 내부에 설정하고, 또한 펄스 레이저광의 반복 주파수나 빔 직경이나 스테이지부(10)의 이동 속도의 조사 조건을 적절하게 설정하면, 레이저 가공 장치(100)에 있어서 동시 복수 초점 가공을 적절하게 행할 수 있다. 그때에, 초점 위치 조정용 렌즈(24)와 조사용 렌즈(25)로 이루어지는 렌즈군의 합성 초점 거리가 조사용 렌즈(25)의 초점 거리보다도 짧아지도록 초점 위치 조정용 렌즈(24)를 배치한 경우에는, 제1 분기광(LB1)이 상술한 제1 가공용 레이저광 LBα로 되고, 제2 분기광(LB2)이 제2 가공용 레이저광 LBβ로 되어, 도 2 및 도 3의 (a)에 도시한 형태에서의 동시 복수 초점 가공을 행할 수 있다.That is, it is possible to emit pulsed laser light, which is ultraraparated pulse light having a pulse width of 100 psec or less, as the laser light source 21 so that the optical path lengths of the first branch light path P1 and the second branch light path P2 become equal The position of the second reflecting mirror 27 is adjusted by the moving mechanism 27m so that the height position of the focusing lens 25 and the height position of the focus position adjusting lens 24 The focal positions of the first branched light LB1 and the second branched light LB2 are set in the interior of the workpiece S by appropriately determining the arrangement position and the repetition frequency of the pulsed laser light, 10 can appropriately be set in the laser processing apparatus 100, the simultaneous multiple focus processing can be appropriately performed. When the focus position adjusting lens 24 is arranged such that the combined focal length of the lens group consisting of the focus position adjusting lens 24 and the tuning lens 25 is shorter than the focal distance of the tuning lens 25 , The first branched light LB1 is the first processing laser beam LBα and the second branched light LB2 is the second processing laser beam LBβ, Concurrent multi-focus processing can be performed.

<변형예><Modifications>

레이저 가공 장치(100)에 있어서 실시 가능한 가공은 상술한 동시 복수 초점 가공에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 보다 펄스 폭이 큰 펄스 레이저광을 출사하는 레이저광원(21)을 사용한 가공을 행하는 것도 가능하다. 또한, 개개의 단 펄스광의 피조사 위치가 연속되는 조건에서 펄스 레이저광을 조사하는 형태에서의 가공도 가능하다. 나아가서는, 제2 분기광로(P2)의 광로 길이를 조정함으로써 제1 가공용 레이저광 LBα와 제2 가공용 레이저광 LBβ의 조사 타이밍을 다르게 한 상태에서의 가공도 가능하다.The processing that can be performed in the laser processing apparatus 100 is not limited to the simultaneous multiple focus processing. For example, it is possible to perform processing using the laser light source 21 that emits pulsed laser light having a larger pulse width. It is also possible to process in the form of irradiating the pulsed laser light under the condition that the irradiating positions of the individual short pulse beams are continuous. Further, by adjusting the optical path length of the second branch optical path P2, it is possible to perform processing in a state in which the irradiation timings of the first processing laser beam LB? And the second processing laser beam LB? Are different.

또한, 상술한 레이저 가공 장치에 있어서는, 레이저광(LB0)을 제1 분기광로(P1)와 제2 분기광로(P2)의 2개로 분기시킴으로써 초점 위치가 다른 2개의 펄스 레이저광을 피가공물(S)에 조사가능하게 되어 있지만, 레이저 가공 장치는, 더 많은 분기광로를 설치하여, 각각의 렌즈군의 합성 초점 거리를 서로 다르게 함으로써, 초점 위치가 다른 3개 이상의 펄스 레이저광을 피가공물(S)에 조사 가능한 구성을 갖고 있어도 된다.Further, in the above-described laser machining apparatus, by branching the laser light LB0 into the first branch light path P1 and the second branch light path P2, It is possible to irradiate the laser beam S onto the workpiece S, but the laser beam machining apparatus is provided with more branch optical paths, and the combined focal distances of the respective lens groups are made different from each other, S may be irradiated.

10 : 스테이지부
10m : 이동 기구
11a : 약강도 부분
20 : 광학계
21 : 레이저광원
22 : 1/2 파장판
23 : 편광 빔 스플리터
24 : 초점 위치 조정용 렌즈
25, LE : 조사용 렌즈
26 : 제1 반사 미러
27 : 제2 반사 미러
27m : 이동 기구
100 : 레이저 가공 장치
AX : 광축
C11a 내지 C14a, C11b 내지 C14b : 벽개/열개면
F, Fα, Fβ : 초점
L : 가공 예정선
LBα : 제1 가공용 레이저광
LBβ : 제2 가공용 레이저광
LB, LB0 : (펄스) 레이저광
LB1 : 제1 분기광
LB2 : 제2 분기광
P0 : 광로
P1 : 제1 분기광로
P2 : 제2 분기광로
P3 : 공통 광로
RE11, RE12, RE13, RE14 : 피조사 영역
S : 피가공물
ST : 셔터
W11a 내지 W11c, W12a 내지 W12c : 약강도 부분
10:
10m: Moving mechanism
11a: weak intensity portion
20: Optical system
21: Laser light source
22: 1/2 wave plate
23: polarizing beam splitter
24: Focusing position adjusting lens
25, LE: Lens for adjustment
26: first reflection mirror
27: a second reflection mirror
27m: mobile device
100: laser processing device
AX: optical axis
C11a to C14a, C11b to C14b: cleavage /
F, F ?, F?: Focus
L: Line to be processed
LB?: Laser beam for first processing
LB?: Second processing laser beam
LB, LB0: (pulse) laser light
LB1: 1st quarter light
LB2: second quarter light
P0: Optical path
P1: 1st quarter optical path
P2: second branch optical path
P3: Common optical path
RE11, RE12, RE13, RE14: irradiated region
S: Workpiece
ST: Shutter
W11a to W11c, W12a to W12c:

Claims (7)

피가공물에 분할 기점을 형성하기 위한 가공 방법이며,
펄스 폭이 psec 오더의 초단펄스광이며, 하나의 광원으로부터 출사시킨 하나의 펄스 레이저광을 광로 길이가 동등해지도록 조정된 제1과 제2 분기광로로 광학적으로 분기시킴으로써 얻을 수 있는 제1과 제2 펄스 레이저광을, 각각의 단위 펄스광의 피조사 위치가 공간적 또한 시간적으로 동일해지도록, 상기 피가공물의 피조사면과 대향 배치시킨 하나의 조사용 렌즈로부터 중첩적으로 조사하는 조사 공정과,
상기 제1과 제2 펄스 레이저광을, 상기 피조사 위치가 상기 피조사면에 있어서 이산되는 조건에서 가공 예정선을 따라 주사하는 주사 공정을 갖고,
상기 제1 펄스 레이저광을 상기 하나의 조사용 렌즈로부터 당해 조사용 렌즈의 초점 거리만큼 이격된 위치가 초점 위치로 되도록 조사하는 동시에, 상기 제2 분기광로에, 상기 하나의 조사용 렌즈와 적어도 하나의 초점 위치 조정용 렌즈로 구성되는 렌즈군을 설치함으로써, 상기 렌즈군의 합성 초점 거리를 상기 조사용 렌즈의 상기 초점 거리와는 다른 값으로 하는 것으로, 상기 제1과 제2 레이저광의 각각의 초점 위치를 상기 피가공물 내부의 서로 다른 깊이 위치로 한 후, 상기 조사 공정과 상기 주사 공정을 아울러 행함으로써, 상기 피가공물의 다른 깊이 위치에 있어서 상기 가공 예정선의 방향을 따른 상기 피가공물의 벽개 혹은 열개를 발생시키고, 이에 의해 상기 피가공물에 분할을 위한 기점을 형성하는 것을 특징으로 하는, 피가공물의 가공 방법.
A machining method for forming a dividing base point on a workpiece,
Which is obtained by optically branching one pulsed laser light emitted from one light source into first and second branched optical paths adjusted so that the optical path lengths become equal, Irradiating the two-pulse laser light superimposedly from a single lens used to face the surface to be processed of the workpiece so that the irradiation positions of the respective unit pulse lights are spatially and temporally the same,
And a scanning step of scanning the first and second pulsed laser lights along a line to be machined under the condition that the irradiated positions are dispersed on the irradiated surface,
Irradiating the first pulsed laser light such that the position of the first pulsed laser light is spaced apart from the one focusing lens by a focal distance of the focusing lens, Wherein a combined focal length of said lens group is set to a value different from said focal length of said lens for use by providing a lens group composed of a focus position adjusting lens of said first lens and said second lens, Of the workpiece along the direction of the line to be machined at different depth positions of the workpiece by performing the irradiation step and the scanning step in combination, , And thereby forming a starting point for dividing the workpiece .
제1항에 있어서, 상기 주사 공정에 있어서는, 상기 가공 예정선의 방향을, 상기 피가공물의 서로 다른 2개의 벽개 혹은 열개 용이 방향에 대해 등가인 방향으로 하는 것을 특징으로 하는, 피가공물의 가공 방법.The method of processing a workpiece according to claim 1, wherein in the scanning step, the direction of the line to be processed is set to a direction equivalent to two different cleavage or easy opening directions of the workpiece. 제1항에 있어서, 상기 주사 공정에 있어서는, 상기 가공 예정선의 방향을, 상기 피가공물의 벽개 혹은 열개 용이 방향과 일치시키는 것을 특징으로 하는, 피가공물의 가공 방법.The method of processing a workpiece according to claim 1, wherein in the scanning step, the direction of the line to be machined is made coincident with the direction of cleavage or opening of the workpiece. 제1항에 있어서, 상기 주사 공정에 있어서는, 상기 가공 예정선의 방향을, 상기 피가공물의 서로 다른 2개의 상기 벽개 혹은 열개 용이 방향에 있어서 교대로 다르게 하는 것을 특징으로 하는, 피가공물의 가공 방법.The method of processing a workpiece according to claim 1, wherein in the scanning step, the direction of the line to be machined is alternately changed in two different directions of cleavage or opening of the workpiece. 피가공물에 분할 기점을 형성하여 분할하는 방법이며,
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 피가공물에 분할 기점을 형성하기 위한 가공 방법을 포함하고, 피가공물을, 상기 가공 방법에 의해 형성된 상기 분할 기점을 따라 분할하는 것을 특징으로 하는, 피가공물에 분할 기점을 형성하여 분할하는 방법.
A method for dividing a workpiece by forming a dividing base point,
A machining method for forming a dividing base point in a workpiece according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the workpiece is divided along the dividing base point formed by the machining method In which a division starting point is formed.
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