KR101422615B1 - Source array detecting Device, System and Method - Google Patents

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KR101422615B1 KR1020130012370A KR20130012370A KR101422615B1 KR 101422615 B1 KR101422615 B1 KR 101422615B1 KR 1020130012370 A KR1020130012370 A KR 1020130012370A KR 20130012370 A KR20130012370 A KR 20130012370A KR 101422615 B1 KR101422615 B1 KR 101422615B1
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Abstract

An array light source detecting system according to an embodiment of the present invention includes: an array light source where unit light sources are arranged vertically and horizontally; and an array light source detecting apparatus for detecting light reflected from the array light source. The array light source detecting apparatus includes a detection unit for imaging the light reflected from the array light source; and a light processing unit for calculating the position and the intensity of the array light source by measuring and calculating the light of the array light light which is imaged in the detection unit.

Description

배열 광원 검출 장치, 시스템 및 방법{Source array detecting Device, System and Method}     [0001] The present invention relates to an array light detecting apparatus,

본 발명은 광원의 위치 검출 장치, 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배열 광원 검출 장치, 시스템 및 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an apparatus, a system, and a method for detecting the position of a light source, and more particularly, to an apparatus, system, and method for detecting an array light source.

일반적으로 디스플레이 또는 반도체 소자와 같은 전자 부품 제조를 위해, 기판에 감광액을 도포하여 감광층을 형성한 후, 기판상에 형성된 감광층 중 특정 부위에만 빛을 노광하여 노광된 감광층의 성질을 변형시키는 노광 공정이 이용된다. 일반적인 노광 공정은 감광액 도포 후 엣지 부분만을 식각 용제로 제거한 후, 노광 영역을 개방하는 마스크를 준비하고, 준비된 마스크 상에 직선 광을 조사시켜, 마스크의 개방 부위만을 통해 직선 광이 감광층에 도달하게 된다.In general, in order to manufacture an electronic component such as a display or a semiconductor device, a photosensitive layer is formed on a substrate to form a photosensitive layer, and then light is exposed only to a specific portion of the photosensitive layer formed on the substrate to change the properties of the exposed photosensitive layer An exposure process is used. In a general exposure process, a mask for opening the exposure area is prepared after removing only the edge portion of the photosensitive material with an etching solvent, linear light is irradiated onto the prepared mask, and linear light reaches the photosensitive layer through only the open portion of the mask do.

그런데 이와 같은 노광 공정을 위해서는 노광 영역만을 개방하는 마스크가 반드시 필요하게 되므로, 노광을 위해서 마스크를 별도로 제작하여 이용해야 하는 불편함이 있다. 특히, 노광 영역을 변경해야 할 경우, 해당 노광 영역에 대응하는 마스크를 별도로 제작하여 이용해야 하는 불편함이 있다. 뿐만 아니라, 마스크의 두께에 따라 조사되는 빛이 회절 또는 굴절될 수 있어 미세 피치를 달성하기 어려운 문제가 있다. 이에 따라, 마스크 없이 노광을 수행할 수 있는 방법이 요구되고 있으며, 그에 따라 마이크로 어레이 미러를 이용한 방법이 시도되고 있다.However, in order to perform such an exposure process, a mask for opening only the exposure region is necessarily required. Therefore, it is inconvenient to separately manufacture and use a mask for exposure. Particularly, when the exposure area needs to be changed, it is inconvenient to separately use a mask corresponding to the exposure area. In addition, there is a problem that light irradiated according to the thickness of the mask may be diffracted or refracted, making it difficult to achieve a fine pitch. Accordingly, there is a demand for a method capable of performing exposure without a mask, and accordingly, a method using a microarray mirror has been attempted.

이러한 마이크로 어레이 미러를 이용한 방법의 일례로 광을 조사하는 조명부, 외부 신호를 받아 선택적으로 상기 조명부의 광을 반사시키는 복수개의 마이크로미러들이 배열되어 있는 디지털 마이크로 미러 소자(Digital Micromirror Divice, DMD), 디지털 마이크로미러 소자에서 반사된 광의 해상도를 조정하여 노광시키는 막으로 투과시키는 프로젝션 렌즈(200)로 구성된다. 여기서, 조명부가 디지털 마이크로미러 소자의 마이크로미러에 광을 조사하면, 디지털 마이크로 소자는 노광하고자 하는 영역에 대응하도록 광을 선택적으로 반사하게 되며, 이렇게 반사된 광은 프로젝션 렌즈(200)를 통해 기판위에 형성된 감광층에 조사되게 된다.As an example of the method using such a microarray mirror, there is a lighting unit for irradiating light, a digital micromirror device (DMD) in which a plurality of micromirrors selectively receiving light of the illumination unit are arranged, And a projection lens 200 which transmits the light reflected by the micromirror element to a film to be exposed by adjusting the resolution. When the illumination unit irradiates the micromirror of the digital micromirror device with light, the digital micro device selectively reflects the light corresponding to the area to be exposed, and the reflected light is projected onto the substrate through the projection lens 200 So that the formed photosensitive layer is irradiated.

본 발명은 상기의 DMD소자와 같은 배열광원을 이용하는 장치에서 배열 광원의 정확한 위치와 광원의 세기 등을 검출하기 위한 것이다.The present invention is for detecting an accurate position of an array light source and intensity of a light source in an apparatus using an array light source such as the DMD element.

도 1은 배열광원(100)을 이용한 디지털 노광기술의 일실시예이다. 도 1을 참조하면, 배열광원(100)을 특정 각도로 기울이고 화살표 방향으로 이동할 경우, 같은 직선 상에 다수 개의 개구가 존재하게 되고, 같은 직선상에 함께 있는 개구는 패턴의 같은 직선 성분을 노광하게 된다. 따라서, 배열개구의 위치 균일도는 직선의 균일도에 직접적인 영향을 주게 된다.1 is an embodiment of a digital exposure technique using an array light source 100. FIG. Referring to FIG. 1, when the array light source 100 is tilted at a certain angle and moved in the direction of an arrow, a plurality of openings exist on the same straight line, and openings coextending on the same straight line expose the same straight line component of the pattern do. Therefore, the position uniformity of the array opening directly affects the uniformity of the straight line.

그러므로, 배열광원(100)의 위치를 정밀하게 측정하여 직선의 균일도를 분석하는 것과 노광기 사용에 따른 배열광원(100)의 위치변화를 검출하는 것은 디지털 노광기 운영에 매우 중요한 일이다. Therefore, it is very important to analyze the uniformity of the straight line by accurately measuring the position of the array light source 100 and to detect the change in the position of the array light source 100 according to the use of the aligner.

그러나, 배열광원(100)을 이루는 단위광원(110) 각각의 정확한 위치를 신속하게 검출하기 위한 기술은 아직 개발되지 않고 있다.
However, a technique for quickly detecting the exact position of each unit light source 110 constituting the array light source 100 has not been developed yet.

본 발명의 실시 예들은 배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 검출부(310) 및 상기 검출부(310)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치 및 세기를 검출하고자 한다. The embodiments of the present invention measure and calculate the intensity of light of the detector 310 in which light reflected by the array light source 100 is imaged and the array light source 100 forming the detector 310, ) And the position and intensity of the light.

또한 배열광원(100) 및 상기 배열광원검출장치(300) 사이에 프로젝션렌즈(200)를 두어 상기 배열광원(100)에서 반사하는 광의 해상도를 조정하고자 한다.In addition, a projection lens 200 is disposed between the array light source 100 and the array light source detecting device 300 to adjust the resolution of light reflected from the array light source 100. FIG.

또한, 상기 배열광원검출장치(300)는 스테이지(330)를 포함하여 x축방향 또는 y축방향으로 이동할 수 있도록 하고자 한다.The array light source detecting apparatus 300 may include a stage 330 to move in the x-axis direction or the y-axis direction.

또한 배열광원검출장치(300)의 검출부(310) 상부에는 필터(350)를 두어 상기 배열광원(100)에서 반사되는 광의 세기를 줄일 수 있도록 하고자 한다.
A filter 350 is disposed on the detector 310 of the array light source detecting apparatus 300 to reduce the intensity of light reflected from the array light source 100.

본 발명의 일 측면에 따른 배열광원검출시스템은 단위광원(110)이 가로 및 세로로 배열된 배열광원(100) 및 상기 배열광원(100)에서 반사하는 광을 검출하는 배열광원검출장치(300)를 포함하되, 상기 배열광원검출장치(300)는 상기 배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 검출부(310) 및 상기 검출부(310)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치 및 세기를 연산하는 광처리부를 포함한다.An array light source detection system according to an aspect of the present invention includes an array light source 100 in which a unit light source 110 is arranged in the horizontal and vertical directions and an array light source detecting device 300 that detects light reflected in the array light source 100, Wherein the array light source detecting device 300 measures the intensity of the light of the detector 310 in which light reflected by the array light source 100 is imaged and the array light source 100 that is imaged on the detector 310, And a light processing unit for computing the position and intensity of the array light source 100 by operating.

또한, 상기 배열광원(100) 및 상기 배열광원검출장치(300) 사이에 위치하며, 상기 배열광원(100)에서 반사하는 광의 해상도를 조정하는 프로젝션렌즈(200)를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a projection lens 200 disposed between the array light source 100 and the array light source detection device 300 and adapted to adjust the resolution of light reflected from the array light source 100.

또한, 상기 배열광원검출장치(300)는 x축방향 또는 y축방향으로 이동가능한 스테이지(330)를 더 포함할 수 있다.In addition, the array light source detecting apparatus 300 may further include a stage 330 movable in the x-axis direction or the y-axis direction.

또한, 상기 배열광원검출장치(300)의 검출부(310) 상부에는 상기 배열광원(100)에서 반사되는 광의 세기를 줄이기 위한 필터(350)를 더 포함할 수 있다.The array light source 300 may further include a filter 350 disposed on the detector 310 to reduce the intensity of light reflected from the array light source 100.

또한, 상기 검출부(310)는 단위검출픽셀(320)이 가로와 세로 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the detection unit 310 may be configured such that the unit detection pixels 320 are disposed horizontally and vertically.

또한, 상기 단위검출픽셀(320)은 감광영역(321)과 비감광영역(322)으로 구분되는 것을 특징으로 할 수 있다.The unit detection pixel 320 may be divided into a light-sensitive area 321 and a non-light-sensitive area 322.

본 발명의 다른 측면에 따른 배열광원검출장치(300)는 배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 단위검출픽셀(320)이 가로와 세로로 배치되는 검출부(310) 및 상기 단위검출픽셀(320)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치를 검출하는 광처리부를 포함한다. The array light source detection apparatus 300 according to another aspect of the present invention includes a detection unit 310 in which unit detection pixels 320 in which light reflected by an array light source 100 is imaged are arranged horizontally and vertically, And a light processing unit for detecting the position of the array light source 100 by measuring and calculating the light intensity of the array light source 100 forming an image on the array light source 100.

또한, x축방향 또는 y축방향으로 이동가능한 스테이지(330)를 더 포함할 수 있다.Further, it may further include a stage 330 movable in the x-axis direction or the y-axis direction.

또한, 상기 검출부(310) 상부에는 상기 배열광원(100)에서 반사하는 광의 세기를 줄이기 위한 필터(350)를 더 포함할 수 있다.The detector 310 may further include a filter 350 for reducing the intensity of the light reflected from the array light source 100.

또한, 상기 단위검출픽셀(320)은 감광영역(321)과 비감광영역(322)으로 구분되는 것을 특징으로 할 수 있다.The unit detection pixel 320 may be divided into a light-sensitive area 321 and a non-light-sensitive area 322.

본 발명의 다른 측면에 따른 배열광원검출방법은 배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 단위검출픽셀(320)이 가로와 세로로 배치되는 검출부(310) 및 상기 단위검출픽셀(320)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치를 검출하는 광처리부를 포함하는 배열광원검출장치(300)를 이용하여 배열광원(100)의 위치 및 세기를 검출하는 방법으로서, 상기 배열광원검출장치(300)의 가로축 및 세로축을 상기 배열광원(100)의 가로축 및 세로축에 대응되도록 정렬하는 배열광원검출장치(300)정렬단계;상기 배열광원검출장치(300)정렬에 따라 상기 배열광원(100)의 단위광원(110)에서 반사하는 광이 결상하는 배열광원검출장치(300)의 검출부(310) 구역을 나누는 검출영역구획단계; 상기 검출영역구획단계에 의해 구획된 검출영역을 x축 및 y축방향을 각각 스캔하여 x축 및 y축방향에서 결상되는 광의 세기 피크값을 측정하여 각각 단위광원(110)의 x축 및 y축 위치로 결정하는 위치결정단계; 상기 위치결정단계에서의 스캔과정에서 발생한 광 세기 데이터 평균값을 구하여 광의 세기 및 균일도를 구하는 광데이터처리단계를 포함한다.The method of detecting an array light source according to another aspect of the present invention includes a detection unit 310 in which unit detection pixels 320 in which light reflected by an array light source 100 is imaged are arranged horizontally and vertically, The position and intensity of the array light source 100 are measured using the array light source detecting apparatus 300 including a light processing unit for measuring and calculating the intensity of the light of the array light source 100 and detecting the position of the array light source 100. [ , The method comprising the steps of: arranging an array light source detecting device (300) for aligning the horizontal axis and the vertical axis of the array light source detecting device (300) so as to correspond to the horizontal axis and the vertical axis of the array light source (100) A detection region dividing step of dividing a region of the detecting unit 310 of the arrayed light source detecting apparatus 300 in which light reflected by the unit light sources 110 of the arrayed light source 100 is imaged according to alignment; The detection area partitioned by the detection area dividing step is scanned in the x-axis and the y-axis directions, respectively, to measure intensity peak values of light image formed in the x-axis and y-axis directions, A position determination step of determining the position of the object; And an optical data processing step of obtaining an average value of light intensity data generated in the scanning process in the positioning step to obtain intensity and uniformity of light.

또한, 상기 검출영역구획단계는 가로 및 세로로 단위검출픽셀(320)이 각각 3개 이상씩 배치되어 9개 이상의 단위검출픽셀(320)로 이루어진 단위검출구역(340)으로 구획하며 하나의 단위광원(110)이 상기 단위검출구역(340)의 중심에 위치하는 것을 특징으로 할 수 있다.
In the detection region dividing step, three or more unit detection pixels 320 are arranged horizontally and vertically, and the unit detection regions 340 are divided into nine unit detection pixels 320, (110) is located at the center of the unit detection zone (340).

본 발명의 실시 예들은 배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 검출부(310) 및 상기 검출부(310)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치 및 세기를 검출할 수 있다.The embodiments of the present invention measure and calculate the intensity of light of the detector 310 in which light reflected by the array light source 100 is imaged and the array light source 100 forming the detector 310, Can be detected.

또한 배열광원(100) 및 상기 배열광원검출장치(300) 사이에 프로젝션렌즈(200)를 두어 상기 배열광원(100)에서 반사하는 광의 해상도를 조정할 수 있다.In addition, the projection lens 200 may be disposed between the array light source 100 and the array light source detecting device 300 to adjust the resolution of the light reflected from the array light source 100.

또한, 상기 배열광원검출장치(300)는 스테이지(330)를 포함하여 x축방향 또는 y축방향으로 이동할 수 있다.In addition, the array light source detecting apparatus 300 may include the stage 330 and move in the x-axis direction or the y-axis direction.

또한 배열광원검출장치(300)의 검출부(310) 상부에는 필터(350)를 두어 상기 배열광원(100)에서 반사되는 광의 세기를 줄일 수 있다.
A filter 350 may be disposed on the detector 310 of the array light source detecting apparatus 300 to reduce the intensity of light reflected from the array light source 100.

도 1은 도 1은 배열광원을 이용한 디지털 노광기술의 일실시예이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원위치검출시스템를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치의 단위검출픽셀에 광이 결상된 것을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치에 배열광원이 결상된 후 구역을 나누는 단계를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치에 결상된 광을 스캔하는 단계를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치에 결상된 광을 스캔하여 얻어진 데이터 값을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치로서, 필터, 스테이지가 결합된 형태를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출방법의 순서를 도시한 것이다.FIG. 1 is an embodiment of a digital exposure technique using an array light source.
FIG. 2 illustrates an array light source position detection system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating a state in which light is imaged on the unit detection pixels of the apparatus for detecting an array light source according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 illustrates a step of dividing a region after an array light source is formed on an array light source detecting apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 illustrates a step of scanning light formed on an array light source according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.
FIG. 6 illustrates data values obtained by scanning light formed on an array light source device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram illustrating an arrangement of a filter and a stage, according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 illustrates a sequence of an array light source detection method according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예에 따른 구성 및 작용을 상세하게 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, configurations and operations according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출시스템를 도시한 것이다. 도2를 참조하면 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출시스템은 단위광원(110)이 가로 및 세로로 배열된 배열광원(100) 및 상기 배열광원(100)에서 반사하는 광을 검출하는 배열광원검출장치(300)를 포함하되, 상기 배열광원검출장치(300)는 상기 배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 검출부(310) 및 상기 검출부(310)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치 및 세기를 연산하는 광처리부를 포함한다.2 illustrates an array light source detection system according to an embodiment of the present invention. 2, an array light source detection system according to an exemplary embodiment of the present invention includes an array light source 100 in which unit light sources 110 are arranged in the horizontal and vertical directions, and an array The array light source detecting apparatus 300 includes a detecting unit 310 for forming light reflected by the array light source 100 and a light source 100 for forming an image on the detecting unit 310. [ And calculates a position and an intensity of the array light source 100 by measuring and calculating the light intensity of the array light source 100.

배열광원(100)은 하나하나의 단위광원(110)이 가로와 세로 방향으로 배열된 상태를 나타내는 것으로서, 반드시 직사각형 형태로 배치되는 것을 의미하는 것은 아니다. 본 발명은 배열광원(100)이 일반적으로 이용되는 디지털 노광분야에 주로 사용될 것이나 이에 한정되는 것은 아니며 배열광원이 사용되는 모든 분야에 적용할 수 있다. The array light sources 100 indicate the state in which the unit light sources 110 are arranged in the horizontal and vertical directions, and do not necessarily mean that they are arranged in a rectangular shape. Although the present invention is mainly used in the digital exposure field in which the array light source 100 is generally used, the present invention is not limited thereto and can be applied to all fields in which an array light source is used.

배열광원(100)에서 반사되는 광은 배열광원검출장치(300)의 검출부(310)에 결상하게 된다. The light reflected from the array light source 100 is imaged on the detection unit 310 of the array light source detection apparatus 300.

이때, 상기 배열광원(100) 및 상기 배열광원검출장치(300) 사이에는 프로젝션렌즈(200)가 위치할 수 있는데 프로젝션렌즈(200)를 통하여 상기 배열광원(100)에서 반사하는 광의 해상도를 조정할 수 있다.The projection lens 200 may be disposed between the array light source 100 and the array light source detecting device 300. The resolution of the light reflected by the array light source 100 can be adjusted through the projection lens 200. [ have.

또한, 상기 배열광원검출장치(300)는 x축방향 또는 y축방향으로 이동가능한 스테이지(330)를 더 포함할 수 있다. 스테이지(330)를 통하여 x축방향 또는 y축방향으로 배열광원검출장치(300)를 이동시킴으로서 배열광원(100)에 대응되게 배열광원검출장치(300)를 위치시킬 수 있게 된다. In addition, the array light source detecting apparatus 300 may further include a stage 330 movable in the x-axis direction or the y-axis direction. The arrayed light source detecting apparatus 300 can be positioned corresponding to the arrayed light source 100 by moving the arrayed light source detecting apparatus 300 in the x-axis direction or the y-axis direction through the stage 330.

광처리부(미도시)에서는 검출부(310)에 결상된 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하는데, x축 및 y축 방향으로 일정간격으로 스캔하여 측정되는 광의 세기가 가장 큰 지점을 단위광원(110)의 위치로 검출하게 된다. The optical processing unit (not shown) measures and computes the light intensity of the arrayed light source 100 formed on the detection unit 310. The light intensity measured by scanning the light in the x- and y- The position of the light source 110 is detected.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치(300)의 단위검출픽셀(320)에 광이 결상된 것을 도시한 것이다. 도 3을 참조하면, 배열광원(100)의 단위광원(110)에서 반사되는 광은 단위검출픽셀(320)이 가로와 세로로 배치되는 검출부(310)의 어느 하나의 단위검출픽셀(320)에 결상하게 된다. FIG. 3 illustrates that light is imaged on the unit detection pixel 320 of the apparatus 300 for detecting an array light source according to an embodiment of the present invention. 3, the light reflected by the unit light source 110 of the array light source 100 is incident on one of the unit detection pixels 320 of the detection unit 310 in which the unit detection pixels 320 are horizontally and vertically arranged. .

이때, 결상되는 단위광원(323)의 크기는 검출부(310)의 단위검출픽셀(320)의 크기보다 작거나 비슷하다. 디지털 노광장치에서는 단위 광원의 크기가 일반적으로 3um 정도로서, 그 크기가 일반적으로 단위검출픽셀(320)의 크기 보다 작으며, 특히 정밀한 측정을 위하여 디지털 노광기의 결상면에서 광학계를 사용하지 않고 직접 배열광원검출장치(300)를 노광면에 설치하여 배열광원(100)의 분포를 검출하려고 할 경우 고밀도 대면적 배열광원검출장치(300)를 사용하여야 하므로 이때, 단위검출픽셀(320)의 크기는 5um 이상이 되어야 한다. 따라서, 단위광원(110)은 단위검출픽셀(320)의 크기보다 작은 것이 일반적이며 도 3역시 배열광원검출장치(300)의 단위검출픽셀(320)보다 작은 크기의 단위광원(110)이 단위검출픽셀(320)에 결상된 모습을 나타낸다. At this time, the size of the unit light source 323 formed is smaller than or similar to the size of the unit detection pixels 320 of the detection unit 310. In the digital exposure apparatus, the size of the unit light source is generally about 3 micrometers, and the size thereof is generally smaller than that of the unit detection pixels 320. In particular, for accurate measurement, In order to detect the distribution of the array light source 100 by installing the detecting device 300 on the exposure surface, the high-density large-area array light source detecting device 300 should be used. . 3, a unit light source 110 having a size smaller than that of the unit detecting pixels 320 of the light source detecting apparatus 300 is detected by the unit detecting unit 320, And the image is formed on the pixel 320. FIG.

또한, 상기 단위검출픽셀(320)은 감광영역(321)과 비감광영역(322)으로 구분되는데, 단위광원(110)에서 반사되는 광은 감광영역(321)에 결상하게 된다. The unit detection pixel 320 is divided into a light-sensitive area 321 and a non-light-sensitive area 322. The light reflected by the unit light source 110 is imaged on the light-

배열광원(100)에서 반사된 광이 배열광원검출장치(300)의 검출부(310)의 단위검출픽셀(320)에 결상되면, 검출부(310)의 픽셀 구역을 나누게 된다. When the light reflected from the array light source 100 is imaged on the unit detection pixels 320 of the detection unit 310 of the array light source detection apparatus 300, the pixel regions of the detection unit 310 are divided.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치(300)에 배열광원(100)이 결상된 후 구역을 나누는 단계를 도시한 것인데, 도 4를 참조하면 가로 및 세로로 단위검출픽셀(320)이 각각 3개씩 배치되어 9개의 단위검출픽셀(320)로 이루어진 단위검출구역(340)으로 검출부(310)를 구획하며 하나의 단위광원(110)이 상기 단위검출구역(340)의 중심에 위치한다. 9개의 단위검출픽셀(320)로 단위검출구역(340)을 구획하는 것은 최소한의 개수로 배열광원(100)에서의 단위광원(110)들 사이의 간격 등을 고려하여 그 많은 수의 단위검출픽셀(320)을 포함하는 단위검출구역(340)의 구획도 가능하다. FIG. 4 illustrates dividing a region after the array light source 100 is formed in the array light source detecting apparatus 300 according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, 320 are arranged in the unit detection area 340 so as to divide the detection part 310 with the unit detection area 340 composed of nine unit detection pixels 320 and one unit light source 110 is arranged at the center of the unit detection area 340 Located. The division of the unit detection region 340 by the nine unit detection pixels 320 is performed in consideration of the interval between the unit light sources 110 in the minimum number of array light sources 100, And a unit detection zone 340 including the detection unit 320 is also possible.

또한, 단위광원(110)의 간격과 단위검출픽셀(320)의 간격의 차이로 인하여, 단위검출구역(340)에 단위광원(110)이 결상되지 못하는 경우도 발생할 수 있지만, 전체적으로 볼 때 검출부(310)를 단위검출구역(340)으로 구획하는 것이 가능하다. The unit light source 110 may not be formed in the unit detection area 340 because of the difference between the interval of the unit light sources 110 and the interval of the unit detection pixels 320. However, 310 to the unit detection zone 340. [

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치(300)에 결상된 광을 스캔하는 단계를 도시한 것이다. 도 5에서는 9개의 단위검출픽셀(320)로 이루어진 단위검출구역(340)에서 결상된 광을 스캔하는 단계를 도시하고 있다. 하나의 단위검출구역(340)에는 하나의 단위광원(110)에서 반사하는 광이 결상되어 있는데 이를 x축방향으로 일정간격으로 움직이면서 스캔하여 간격마다의 광의 세기 데이터를 광처리부에서 수집하고, y축방향으로 마찬가지로 스캔하여 광의 세기 데이터를 수집하게 된다. FIG. 5 illustrates a step of scanning light formed on an array light source detecting apparatus 300 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 5, a step of scanning the light image formed in the unit detection zone 340 including nine unit detection pixels 320 is shown. In one unit detection area 340, light reflected by one unit light source 110 is formed. The light is scanned while being moved at regular intervals in the x-axis direction. Light intensity data for each interval is collected by the optical processing unit. And the intensity data of the light is collected.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치(300)에 결상된 광을 스캔하여 얻어진 광의 세기 데이터 값을 도시한 것이다. 도 6은 x축방향으로의 스캔에 따른 데이터 값을 나타낸 것인데, 도 6에서 확인할 수 있는 바와 같이 x축방향으로 일정간격으로 스캔하다보면, 그 값이 최대가 되는 지점을 확인할 수 있다. 이 지점이 x축방향에서의 위치를 나타내는 것이다. 마찬가지방법으로 y축방향으로 일정간격으로 스캔하면 그 값이 최대가 되는 지점을 확인할 수 있고, 그 지점이 y축방향에서의 위치가 된다. 따라서, x축 및 y축방향으로의 한번의 스캔을 통하여 배열광원(100)을 이루는 단위광원(110) 각각의 x,y위치를 측정할 수 있게 되는 것이다. FIG. 6 shows intensity data values of light obtained by scanning light formed on the array light source detecting apparatus 300 according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 shows the data values according to the scan in the x-axis direction. As can be seen from FIG. 6, when the scan is performed at regular intervals in the x-axis direction, the point at which the value is maximized can be confirmed. This point represents the position in the x-axis direction. In the same way, when scanning is performed at regular intervals in the y-axis direction, a point at which the value is maximized can be confirmed, and the position becomes a position in the y-axis direction. Accordingly, x and y positions of each of the unit light sources 110 constituting the array light source 100 can be measured through one scan in the x-axis and y-axis directions.

그러나, x축 및 y축 방향의 더욱 정확한 위치 측정을 위해서는 x축 및 y축 방향으로의 한번으로의 스캔이 아닌 여러 번 스캔하여 각각의 결과를 합산하는 방식을 이용할 수도 있다. However, for more accurate position measurement in the x- and y-axis directions, it is possible to use a method of scanning several times rather than one-time scanning in the x- and y-axis directions, and summing the results of each scan.

예컨대, 단위광원(110)의 경우 반드시 단위검출픽셀(320)의 정중앙에 위치하는 것도 아니며, 단위검출픽셀(320)의 감광영역(321)의 형태 역시 반드시 일정한 것이 아니다. 이러한 요인으로 인해 한번의 스캔으로는 측정된 위치는 단위광원(110)의 정확한 위치가 아닐 수 있다. 이를 보완하기 위하여 x축방향으로 스캔한 후, y축방향으로 일정간격 이동한 후 다시 x축방향으로 스캔하여 그 데이터 값을 합산하여 결과를 낼 수 있다. For example, in the case of the unit light source 110, it is not necessarily located in the center of the unit detection pixel 320, and the shape of the light sensing area 321 of the unit detection pixel 320 is not necessarily constant either. Due to such factors, the position measured by one scan may not be the exact position of the unit light source 110. In order to compensate for this, it is possible to scan the image in the x-axis direction, move it in the y-axis direction at regular intervals, scan in the x-axis direction again, and sum the data values.

이때, x축 방향의 스캔 간격과 y 축 방향의 스캔간격은 측정의 정밀도를 해석하여 분석시간을 최소화 되는 적정한 스캔간격으로 정한다. 단일광원의 y축 위치는 x 축을 구할 때와 같은 방법으로 x, y 축을 바꾸어서 실험을 하고 분석을 하여 구한다. At this time, the scan interval in the x-axis direction and the scan interval in the y-axis direction are determined to be an appropriate scan interval that minimizes the analysis time by analyzing the accuracy of measurement. The position of the y-axis of a single light source is obtained by performing experiments and analysis by changing the x- and y-axes in the same manner as in obtaining the x-axis.

또한, 단위검출영역에서 측정한 광의 세기 데이터 값을 합산하고, 이 값을 다른 단위검출영역에서 측정한 광의 세기 데이터 합산 값과 비교하면 배열광원(100)의 균일도를 파악할 수 있다. The uniformity of the array light source 100 can be determined by summing the intensity data values of the light measured in the unit detection area and comparing the values with the intensity data sum value measured in the different unit detection areas.

또한, 단위검출픽셀(320)의 감광영역(321)이 모두 동일한 것도 아니며 결상하는 위치 역시 차이가 있는 점을 고려하여, 단위검출영역 내에 있는 모든 단위검출픽셀(320)에서의 광의 세기 데이터 값을 합산하여 다른 단위검출픽셀(320)에서의 값과 비교하여 균일도를 더욱 정확하게 파악할 수 있다. In addition, taking into consideration that the photosensitive regions 321 of the unit detecting pixels 320 are not all the same, and the positions where imaging is also different, the intensity data values of the light in all the unit detecting pixels 320 in the unit detecting region And can be compared with the values in the other unit detection pixels 320 to more accurately grasp the uniformity.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원검출장치(300)로서, 필터(350), 스테이지(330)가 결합된 형태를 도시한 것이다. 배열광원검출장치(300)를 x축 또는 y축방향으로 이동하기 위하여 스테이지(300)가 필요한데 더욱 정밀하게 움직이기 위하여 나노 스테이지를 이용할 수 있다. 이때 스테이지(330)의 스트로크는 배열광원검출장치(300)의 단위검출픽셀(320) 크기의 3배 이상이 되도록 충분히 커야 한다. FIG. 7 is a diagram illustrating an apparatus 300 for detecting an array light source according to an exemplary embodiment of the present invention, in which a filter 350 and a stage 330 are combined. The stage 300 is required to move the array light source detecting device 300 in the x-axis direction or the y-axis direction, and a nanostage can be used to move more precisely. At this time, the stroke of the stage 330 should be sufficiently large to be three times or more the size of the unit detection pixel 320 of the array light source detecting apparatus 300.

또한, 일반적으로 배열광원(100)이 배열광원검출장치(300) 검출부(310)로 바로 입사될 경우, 광의 세기가 너무 강해서 배열광원검출장치(300)에서 배열광원(100)의 정확한 형태를 파악하기 힘들다. 이점을 보완하기 위해서 배열광원검출장치(300) 상부에 필터(350)를 설치하게 된다. 필터(350)는 얇은 유리기판으로 윗면에는 입사되는 광을 반사시키는 거울을 코팅하고 아래 면에는 입사되는 광을 반사를 방지하는 무반사 코팅이 된 유리 기판을 사용할 수 있다. 여기서, 거울의 반사율은 사용하는 광원의 세기와 검출기를 감도를 고려하여 정하게 된다.Generally, when the array light source 100 is directly incident on the detector 310 of the array light source detecting apparatus 300, the light intensity is too strong, so that the array light source detecting apparatus 300 can grasp the exact shape of the array light source 100 It is hard to do. In order to overcome this problem, a filter 350 is installed on the array light source detecting device 300. The filter 350 may be a thin glass substrate, a glass substrate coated with a mirror that reflects incident light on the upper surface thereof, and an anti-reflective coating that prevents reflection of incident light on the lower surface thereof. Here, the reflectance of the mirror is determined by considering the intensity of the light source used and the sensitivity of the detector.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 배열광원(100)검출방법의 순서를 도시한 것이다. 본 발명의 다른 측면에 따른 배열광원(100)검출방법은 배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 단위검출픽셀(320)이 가로와 세로로 배치되는 검출부(310) 및 상기 단위검출픽셀(320)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광을 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치를 검출하는 광처리부를 포함하는 배열광원검출장치(300)를 이용하여 배열광원(100)의 위치 및 세기를 검출하는 방법으로서, 상기 배열광원검출장치(300)의 가로축 및 세로축을 상기 배열광원(100)의 가로축 및 세로축에 대응되도록 정렬하는 배열광원검출장치(300)정렬단계;상기 배열광원검출장치(300)정렬에 따라 상기 배열광원(100)의 단위광원(110)에서 반사하는 광이 결상하는 배열광원검출장치(300)의 검출부(310) 구역을 나누는 검출영역구획단계; 상기 검출영역구획단계에 의해 구획된 검출영역을 x축 및 y축방향을 각각 스캔하여 x축 및 y축방향에서 결상되는 광의 세기 피크값을 측정하여 각각 단위광원(110)의 x축 및 y축 위치로 결정하는 위치결정단계; 상기 위치결정단계에서의 스캔과정에서 발생한 광 세기 데이터 평균값을 구하여 광의 세기 및 균일도를 구하는 광데이터처리단계를 포함한다.FIG. 8 shows a sequence of a method of detecting an array light source 100 according to an embodiment of the present invention. A method of detecting an array light source 100 according to another aspect of the present invention includes a detection unit 310 in which unit detection pixels 320 in which light reflected by an array light source 100 is imaged are arranged horizontally and vertically, And a light processing unit for measuring the position of the array light source 100 by measuring and calculating light of the array light source 100 forming the array light source 100. The array light source detecting apparatus 300 includes: And aligning the horizontal axis and the vertical axis of the array light source detection device (300) so as to correspond to the horizontal axis and the vertical axis of the array light source (100), wherein the array light source detection device A detecting region dividing step of dividing a region of the detecting unit 310 of the arrayed light source detecting apparatus 300 in which light reflected by the unit light source 110 of the arrayed light source 100 is imaged in accordance with the arrangement of the apparatus 300; The detection area partitioned by the detection area dividing step is scanned in the x-axis and the y-axis directions, respectively, to measure intensity peak values of light image formed in the x-axis and y-axis directions, A position determination step of determining the position of the object; And an optical data processing step of obtaining an average value of light intensity data generated in the scanning process in the positioning step to obtain intensity and uniformity of light.

즉, 배열광원검출장치(100)를 검출하고자 하는 배열광원(100) 아래에 위치시키고 가로축 및 세로축이 배열광원(100)의 가로축 및 세로축에 대응되도록 우선 위치시켜야 한다. 이후 배열광원검출장치(100)의 검출부(310) 단위검출픽셀(320)에 배열광원(100)의 단위광원(110)이 결상되는 것을 확인한 후, 측정하고자 하는 단위광원(110) 마다 검출영역을 구획하게 된다. 이렇게 구획된 검출영역 하나하나가 단위검출영역이 된다. 검출영역을 구획한 이후에는 결상된 단위광원(323)의 세기를 측정하며 x축 및 y축방향으로 스캔하게 x,y의 위치를 위치를 구할 수 있게 되며, 정확한 위치 및 광의 균일도 측정 등의 방법은 상술한 바와 같다.
That is, the array light source detecting apparatus 100 should be positioned below the array light source 100 to be detected, and the horizontal axis and the vertical axis should be located first in correspondence with the horizontal axis and the vertical axis of the array light source 100. After confirming that the unit light source 110 of the array light source 100 is formed in the unit detection pixel 320 of the detection unit 310 of the array light source detection apparatus 100, . Each of the detection regions partitioned in this way becomes the unit detection region. After the detection area is divided, the intensity of the unit light source 323 is measured and the positions of x and y can be obtained by scanning in the x-axis and y-axis directions, and a method of accurately measuring the position and the uniformity of light Are as described above.

100 : 배열광원 110 : 단위광원
200 : 프로젝션 렌즈 300 : 배열광원검출장치
310 : 검출부 320 : 단위검출픽셀
330 : 스테이지 321 : 감광영역
322 : 비감광영역 323: 결상된 단위광원
340 : 단위검출구역 350 : 필터100: array light source 110: unit light source
200: projection lens 300: array light source detection device
310: Detection unit 320: Unit detection pixel
330: stage 321: photosensitive zone
322: non-photosensitive region 323: unitary light source
340: Unit detection zone 350: Filter

Claims (12)

단위광원(110)이 가로 및 세로로 배열된 배열광원(100) 및
상기 배열광원(100)에서 반사하는 광을 검출하는 배열광원검출장치(300)를 포함하되,
상기 배열광원검출장치(300)는
상기 배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 검출부(310) 및 상기 검출부(310)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치 및 세기를 연산하는 광처리부를 포함하며,
상기 검출부(310)는 단위검출픽셀(320)이 가로와 세로 배치되는 것을 특징으로 하는 배열광원검출시스템.
An array light source 100 in which the unit light sources 110 are arranged in the horizontal and vertical directions,
And an array light source detecting device (300) for detecting light reflected from the array light source (100)
The array light source detecting apparatus 300 includes:
The position and intensity of the array light source 100 may be measured and calculated by measuring and calculating the intensity of light of the detector 310 in which light reflected by the array light source 100 is imaged and the array light source 100 forming the detector 310, And a control unit for controlling the light-
Wherein the detection unit (310) is arranged such that the unit detection pixels (320) are horizontally and vertically arranged.
제 1 항에 있어서,
상기 배열광원(100) 및 상기 배열광원검출장치(300) 사이에 위치하며, 상기 배열광원(100)에서 반사하는 광의 해상도를 조정하는 프로젝션렌즈(200)를 더 포함하는 배열광원검출시스템.
The method according to claim 1,
Further comprising a projection lens (200) disposed between the array light source (100) and the array light source detecting device (300) and adjusting a resolution of light reflected from the array light source (100).
제 1 항에 있어서,
상기 배열광원검출장치(300)는 x축방향 또는 y축방향으로 이동가능한 스테이지(330)를 더 포함하는 배열광원검출시스템.
The method according to claim 1,
The array light source detection apparatus (300) further includes a stage (330) movable in an x-axis direction or a y-axis direction.
제 1 항에 있어서,
상기 배열광원검출장치(300)의 검출부(310) 상부에는 상기 배열광원(100)에서 반사되는 광의 세기를 줄이기 위한 필터(350)를 더 포함하는 배열광원검출시스템.


The method according to claim 1,
The array light source detection system of claim 1, further comprising a filter (350) for reducing the intensity of light reflected by the array light source (100) on the detection unit (310) of the array light source detection device (300).


삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 단위검출픽셀(320)은 감광영역(321)과 비감광영역(322)으로 구분되는 것을 특징으로 하는 배열광원검출시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the unit detection pixel (320) is divided into a light-sensitive area (321) and a non-light-sensitive area (322).
배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 단위검출픽셀(320)이 가로와 세로로 배치되는 검출부(310) 및 상기 단위검출픽셀(320)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치를 검출하는 광처리부를 포함하는 배열광원검출장치.
The unit detection pixels 320 in which the light reflected by the array light source 100 is imaged are arranged in the horizontal direction and the vertical direction and the intensity of the light of the array light source 100 forming the unit detection pixel 320 is And a light processing section for measuring and calculating the position of the array light source (100).
제 7 항에 있어서,
x축방향 또는 y축방향으로 이동가능한 스테이지(330)를 더 포함하는 배열광원검출장치.
8. The method of claim 7,
further comprising a stage (330) movable in the x-axis direction or the y-axis direction.
제 7 항에 있어서,
상기 검출부(310) 상부에는 상기 배열광원(100)에서 반사하는 광의 세기를 줄이기 위한 필터(350)를 더 포함하는 배열광원검출장치.
8. The method of claim 7,
And a filter (350) for reducing the intensity of light reflected by the array light source (100) on the detection unit (310).
제 7 항에 있어서,
상기 단위검출픽셀(320)은 감광영역(321)과 비감광영역(322)으로 구분되는 것을 특징으로 하는 배열광원검출장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the unit detection pixel (320) is divided into a light-sensitive area (321) and a non-light-sensitive area (322).
배열광원(100)에서 반사되는 광이 결상하는 단위검출픽셀(320)이 가로와 세로로 배치되는 검출부(310) 및 상기 단위검출픽셀(320)에 결상하는 상기 배열광원(100)의 광의 세기를 측정 및 연산하여 상기 배열광원(100)의 위치를 검출하는 광처리부를 포함하는 배열광원검출장치(300)를 이용하여 배열광원(100)의 위치 및 세기를 검출하는 방법으로서,
상기 배열광원검출장치(300)의 가로축 및 세로축을 상기 배열광원(100)의 가로축 및 세로축에 대응되도록 정렬하는 배열광원검출장치(300)정렬단계;
상기 배열광원검출장치(300)정렬에 따라 상기 배열광원(100)의 단위광원(110)에서 반사하는 광이 결상하는 배열광원검출장치(300)의 검출부(310) 구역을 나누는 검출영역구획단계;
상기 검출영역구획단계에 의해 구획된 검출영역을 x축 및 y축방향을 각각 스캔하여 x축 및 y축방향에서 결상되는 광의 세기 피크값을 측정하여 각각 단위광원(110)의 x축 및 y축 위치로 결정하는 위치결정단계;
상기 위치결정단계에서의 스캔과정에서 발생한 광 세기 데이터 평균값을 구하여 광의 세기 및 균일도를 구하는 광데이터처리단계를 포함하는 배열광원검출방법.
The unit detection pixels 320 in which the light reflected by the array light source 100 is imaged are arranged in the horizontal direction and the vertical direction and the intensity of the light of the array light source 100 forming the unit detection pixel 320 is A method for detecting the position and intensity of an array light source (100) using an array light source detection apparatus (300) including a light processing unit (100) for detecting the position of the array light source (100)
Aligning the array light source detecting device 300 to align the horizontal axis and the vertical axis of the array light source detecting device 300 so as to correspond to the horizontal axis and the vertical axis of the array light source 100;
A detecting region dividing step of dividing a region of the detecting unit 310 of the arrayed light source detecting apparatus 300 in which light reflected by the unit light source 110 of the arrayed light source 100 is imaged in accordance with the arrangement of the arrayed light source detecting apparatus 300;
The detection area partitioned by the detection area dividing step is scanned in the x-axis and the y-axis directions, respectively, to measure intensity peak values of light image formed in the x-axis and y-axis directions, A position determination step of determining the position of the object;
And an optical data processing step of obtaining an average value of light intensity data generated in a scanning process in the positioning step to obtain intensity and uniformity of light.
제 11 항에 있어서,
상기 검출영역구획단계는 가로 및 세로로 단위검출픽셀(320)이 각각 3개 이상씩 배치되어 9개이상의 단위검출픽셀(320)로 이루어진 단위검출구역(340)으로 구획하며 하나의 단위광원(110)이 상기 단위검출구역(340)의 중심에 위치하는 것을 특징으로 하는 배열광원검출방법.
12. The method of claim 11,
The detection region segmentation step includes dividing the detection region into a unit detection region 340 including nine or more unit detection pixels 320 by arranging three or more unit detection pixels 320 horizontally and vertically, ) Is located at the center of the unit detection zone (340).
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