KR101422218B1

KR101422218B1 - A Heat Sink comprising a Metal Mesh and Fab ricating Method of the same

Info

Publication number: KR101422218B1
Application number: KR1020120110244A
Authority: KR
Inventors: 김만; 이주열; 정용수; 차수섭; 임재홍; 이상열; 장도연
Original assignee: 한국기계연구원
Priority date: 2012-10-04
Filing date: 2012-10-04
Publication date: 2014-07-30
Also published as: KR20140048353A

Abstract

본 발명은 베이스 기재; 상기 베이스 기재 상에 위치하는 접착층; 및 상기 접착층 상에 위치하는 금속메쉬층을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 복수의 금속메쉬 패턴 및 상기 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀을 포함하는 히트싱크 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 히트싱크를 구성하는 베이스 기재, 금속메쉬층, 접착층의 두께가 일반적인 구조의 히트싱크와 비교하여 매우 얇기 때문에, 히트싱크 자체가 크게 제작되지 않으며, 따라서, 제품의 크기 결정에 있어서 히트싱크가 큰 영향을 미치지 않는다.The present invention relates to a base substrate, An adhesive layer disposed on the base substrate; And a metal mesh layer disposed on the adhesive layer, wherein the metal mesh layer includes a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns, and a method of manufacturing the same, Since the thickness of the base substrate, the metal mesh layer, and the adhesive layer constituting the heat sink is very thin compared to that of the heat sink having a general structure, the heat sink itself is not made large, and therefore, Do not.

Description

[0001] The present invention relates to a heat sink including a metal mesh layer and a method of manufacturing the same,

본 발명은 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크 및 이의 제조방법의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전자제품의 회로에 구비되는 콘덴서 등과 같은 부품소자에 부착되어 상기 소자에서 발생하는 열을 방출하는 히트싱크 및 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat sink including a metal mesh layer and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a heat sink, To a heat sink and a method of manufacturing the same.

일반적으로 히트싱크는 고열이 발생되는 부품에 부착되어 그 열을 외부로 자연방출하는 장치이다.Generally, a heat sink is a device that attaches to a component generating high heat and spontaneously discharges the heat to the outside.

특히, 상기 히트싱크는 전자제품에 사용되는 마이컴 또는 트랜지스터와 같은 소자에 부착되어, 상기 소자에서 발생하는 고열에 의해 상기 소자의 성능이 저하되거나 과열로 인해 상기 소자가 손상되는 것을 방지한다.Particularly, the heat sink is attached to an element such as a microcomputer or a transistor used in an electronic product to prevent the performance of the element from being degraded due to the high heat generated in the element, or to prevent the element from being damaged due to overheating.

일반적인 히트싱크로 사용되는 알루미늄과 같은 금속은 열전도율이 상당히 높으며, 비열이 낮아 적은 열량에도 온도가 쉽게 상승한다.Metals such as aluminum, used as a common heat sink, have a very high thermal conductivity and a low specific heat, which allows the temperature to rise easily even at low calories.

따라서, 종래의 히트싱크는 열용량이 작아서 발열소자가 발열을 시작한 후 곧바로 발열소자의 온도와 일치하는 포화온도, 즉 시간이 지남에 따라 더이상 온도가 변하지 않는 정상상태의 온도에 도달하게 된다.Accordingly, the heat capacity of the conventional heat sink is small, so that the temperature of the heat generating element immediately reaches the saturation temperature which corresponds to the temperature of the heat generating element immediately after the heat generating element starts to heat, that is, the steady state temperature in which the temperature no longer changes over time.

그러므로, 상기 발열소자에서 상기 히트싱크로의 전도에 의한 열전달이 더이상 발생하지 않아 상기 발열소자에서 발생하는 열이 충분히 방출되지 못하여, 상기 발열소자가 손상되는 문제점을 나타내었다.Therefore, heat transfer due to conduction to the heat sink is no longer generated in the heat generating element, and heat generated in the heat generating element is not sufficiently discharged, thereby damaging the heat generating element.

또한, 전기밥솥에 구비되는 발열소자와 같이 제품의 작동 초기에 많은 열이 발생하는 발열소자의 방열을 위한 히트싱크를 설계함에 있어서, 작동 초기에 발생하는 열만을 고려해 히트싱크를 설계하는 것이 아니라, 포화온도를 고려해 필요 이상으로 큰 히트싱크를 설계해야 하는 문제점을 나타내었다.Also, in designing a heat sink for heat dissipation of a heat-generating element that generates a lot of heat at the initial stage of operation of a product, such as a heat-generating element provided in an electric rice cooker, It is necessary to design a heatsink larger than necessary considering the saturation temperature.

즉, 1시간 동안 사용하는 제품에 구비되는 히트싱크와 10분 동안 사용하는 제품에 구비되는 히트싱크를 동일한 크기로 설계해야만 했다.That is, the heat sink included in the product used for one hour and the heat sink provided in the product used for 10 minutes had to be designed to have the same size.

이러한 문제점을 해결하기 위해서는 상기 히트싱크를 크게 제작하여 그 방열면적을 증가시켜야 하는데, 이는 상기 발열소자 및 히트싱크가 구비되는 전자제품의 가격을 상승시키고 상기 제품의 크기를 증가시키기 때문에 바람직한 해결방법이라 할 수 없다.In order to solve this problem, it is necessary to increase the heat dissipation area of the heat sink by increasing the price of the electronic device provided with the heat generating element and the heat sink, and increasing the size of the product. Can not.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 히트싱크의 소형화를 가능하게 하여, 제품의 크기 증대를 방지할 수 있는 히트싱크 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a heat sink capable of reducing the size of a product by making it possible to downsize the heat sink and a method of manufacturing the heat sink.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 지적된 문제점을 해결하기 위해서 본 발명은 베이스 기재; 상기 베이스 기재 상에 위치하는 접착층; 및 상기 접착층 상에 위치하는 금속메쉬층을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 복수의 금속메쉬 패턴 및 상기 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀을 포함하는 히트싱크를 제공한다.In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a semiconductor device comprising: a base substrate; An adhesive layer disposed on the base substrate; And a metal mesh layer positioned on the adhesive layer, wherein the metal mesh layer includes a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns.

또한, 본 발명에서 상기 접착층은 제1접착층 및 제2접착층을 포함하고, 상기 금속메쉬층은 제1금속메쉬층 및 제2금속메쉬층을 포함하며, 상기 제1접착층은 상기 베이스 기재의 제1면에 위치하고, 상기 제2접착층은 상기 베이스 기재의 제2면에 위치하며, 상기 제1금속메쉬층은 상기 제1접착층 상에 위치하고, 상기 제2금속메쉬층은 상기 제2접착층 상에 위치하는 히트싱크를 제공한다.Further, in the present invention, the adhesive layer includes a first adhesive layer and a second adhesive layer, and the metal mesh layer includes a first metal mesh layer and a second metal mesh layer, Wherein the second adhesive layer is located on a second side of the base substrate, the first metal mesh layer is located on the first adhesive layer, and the second metal mesh layer is located on the second adhesive layer Provide a heat sink.

또한, 본 발명은 베이스 기재; 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 각각 형성되고, 복수의 금속메쉬 패턴 및 상기 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀을 포함하는 금속메쉬층; 및 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층을 포함하고, 상기 접착층은 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 각각 위치하는 제1접착층 및 상기 금속메쉬층 상에 각각 위치하는 제2접착층을 포함하며, 상기 제1접착층과 상기 제2접착층이 부착되는 히트싱크를 제공한다.The present invention also relates to a base material comprising: a base substrate; A metal mesh layer formed on the first and second surfaces of the base substrate, the metal mesh layer including a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns; And an adhesive layer for attaching the base substrate and the metal mesh layer, wherein the adhesive layer comprises a first adhesive layer positioned on each of the first and second surfaces of the base substrate, and a second adhesive layer disposed on the second metal layer, And an adhesive layer, wherein the first adhesive layer and the second adhesive layer are attached.

또한, 본 발명은 베이스 기재를 제공하는 단계; 복수의 금속메쉬 패턴 및 상기 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀을 포함하는 금속메쉬층을 제공하는 단계; 상기 베이스 기재 상에 접착층을 형성하는 단계; 및 상기 접착층 상에 금속메쉬층을 위치시키고, 압착하는 단계를 포함하는 히트싱크의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a base substrate; Providing a metal mesh layer comprising a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns; Forming an adhesive layer on the base substrate; And placing the metal mesh layer on the adhesive layer and pressing the metal mesh layer.

또한, 본 발명에서 상기 베이스 기재 상에 접착층을 형성하는 단계는, 상기 베이스 기재의 제1면에 제1접착층을 형성하는 단계 및 상기 베이스 기재의 제2면에 제2접착층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속메쉬층을 제공하는 단계는, 제1금속메쉬층을 제공하는 단계 및 제2금속메쉬층을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 제1금속메쉬층은 상기 제1접착층 상에 위치하고, 상기 제2금속메쉬층은 상기 제2접착층 상에 위치하는 히트싱크의 제조방법을 제공한다.In addition, the step of forming an adhesive layer on the base substrate in the present invention includes the step of forming a first adhesive layer on the first surface of the base substrate and a step of forming a second adhesive layer on the second surface of the base substrate Wherein providing the metal mesh layer comprises providing a first metal mesh layer and providing a second metal mesh layer, wherein the first metal mesh layer is positioned on the first adhesive layer, And the second metal mesh layer is positioned on the second adhesive layer.

또한, 본 발명은 상기 베이스 기재를 제공하는 단계 이후, 상기 베이스 기재를 전처리 하는 단계; 및 상기 전처리 된 베이스 기재를 수세하는 제1수세단계를 더 포함하는 히트싱크의 제조방법을 제공한다.Further, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: pre-treating the base substrate after providing the base substrate; And a first water rinsing step of washing the pretreated base substrate with water.

또한, 본 발명은 상기 베이스 기재 상에 접착층을 형성하는 단계 이후, 상기 접착층이 형성된 베이스 기재를 수세하는 제2수세단계를 더 포함하는 히트싱크의 제조방법을 제공한다.Further, the present invention provides a method for manufacturing a heat sink, further comprising a second water rinsing step of rinsing the base substrate on which the adhesive layer is formed, after the step of forming the adhesive layer on the base substrate.

또한, 본 발명에서 상기 금속메쉬층을 제공하는 단계는, 제조하고자 하는 금속메쉬층의 형상과 대응되는 형상의 메쉬를 포함하는 전주마스터를 제공하는 단계; 전해액에 녹아있는 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co) 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나의 물질을 상기 메쉬의 상면에 전착시켜 금속메쉬를 전착하는 전착단계; 상기 금속메쉬를 상기 메쉬로부터 박리하는 전착층 박리단계; 및 상기 박리된 전착층을 수세하는 전착층수세단계를 포함하는 히트싱크의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, the step of providing the metal mesh layer includes: providing a pole master including a mesh having a shape corresponding to a shape of a metal mesh layer to be manufactured; At least any one of copper (Cu), silver (Ag), chromium (Cr), nickel (Ni), iron (Fe), cobalt (Co), and alloys thereof dissolved in an electrolytic solution is electrodeposited Electrodepositing the metal mesh by electrodeposition; An electrodeposited layer peeling step of peeling the metal mesh from the mesh; And a number of electrodeposition layers for washing the peeled electrodeposited layer.

또한, 본 발명에서 상기 금속메쉬층을 제공하는 단계는 보호필름을 포함하는 금속메쉬층을 제공하는 단계이고, 상기 접착층 상에 금속메쉬층을 위치시키고, 압착하는 단계이후, 상기 금속메쉬층으로부터 상기 보호필름을 제거하는 단계를 더 포함하는 히트싱크의 제조방법을 제공한다.The step of providing the metal mesh layer may include providing a metal mesh layer including a protective film, positioning the metal mesh layer on the adhesive layer, compressing the metal mesh layer, And removing the protective film. The present invention also provides a method of manufacturing a heat sink.

또한, 본 발명에서 상기 보호필름을 포함하는 금속메쉬층을 제공하는 단계는, 상기 전착층박리단계에 있어서, 보호필름에 접착제를 도포하여, 이를 상기 메쉬에 형성된 금속메쉬의 상부에 라미네이션한 후, 상기 보호필름 및 금속메쉬를 동시에 박리한 단계이거나, 상기 전착층수세단계를 거쳐 수세된 금속메쉬 상에 보호필름에 부착한 단계인 것을 특징으로 하는 히트싱크의 제조방법을 제공한다.In the present invention, the step of providing the metal mesh layer including the protective film may include a step of applying an adhesive to the protective film in the step of peeling the electrodeposited layer, laminating the adhesive on the metal mesh formed on the mesh, Wherein the step of peeling the protective film and the metal mesh simultaneously or the step of attaching the protective film and the metal mesh to a protective film on a metal mesh cloth washed through three steps of the electrodeposition layer.

또한, 본 발명은 베이스 기재를 제공하는 단계; 복수의 금속메쉬 패턴 및 상기 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀을 포함하는 금속메쉬층을 제공하는 단계; 상기 베이스 기재 상에 제1접착층을 형성하는 단계; 상기 금속메쉬층 상에 제2접착층을 형성하는 단계; 및 상기 제1접착층을 포함하는 베이스 기재와 상기 제2접착층을 포함하는 금속메쉬층을 배치하되, 상기 제1접착층 상에 상기 제2접착층을 위치시키고, 압착하는 단계를 포함하는 히트싱크의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: providing a base substrate; Providing a metal mesh layer comprising a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns; Forming a first adhesive layer on the base substrate; Forming a second adhesive layer on the metal mesh layer; And placing the second adhesive layer on the first adhesive layer, and pressing the second adhesive layer, placing a metal mesh layer including the base substrate containing the first adhesive layer and the second adhesive layer on the first adhesive layer .

상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 히트싱크를 구성하는 베이스 기재, 금속메쉬층, 접착층의 두께가 일반적인 구조의 히트싱크와 비교하여 매우 얇기 때문에, 히트싱크 자체가 크게 제작되지 않으며, 따라서, 제품의 크기 결정에 있어서 히트싱크가 큰 영향을 미치지 않는다.According to the present invention as described above, since the thickness of the base substrate, the metal mesh layer, and the adhesive layer constituting the heat sink is extremely thin compared with the heat sink having the general structure, the heat sink itself is not made large, The heat sink does not have a large influence on the size determination.

또한, 본 발명에 따른 히트싱크는 매우 얇은 두께로 제조가 가능하기 때문에, 점점 더 소형화되는 전자제품의 부품에 히트싱크로의 적용이 가능하다.Further, since the heat sink according to the present invention can be manufactured with a very thin thickness, it is possible to apply the heat sink to a component of an electronic device which is getting smaller and smaller.

또한, 본 발명에 따른 히트싱크는 대면적으로 제조가 용이하기 때문에, 대형화된 전자제품의 부품에 히트싱크로의 적용도 가능하다.Further, since the heat sink according to the present invention is easily manufactured in a large area, it is also possible to apply the heat sink to a component of a large-sized electronic product.

도 1은 일반적인 히트싱크를 도시한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이다.
도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크의 적용예를 도시한 단면도이고, 도 2d는 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크의 적용예를 도시한 단면도이다.
도 3a는 본 발명에 따른 금속메쉬 제조장치의 메쉬형음극드럼을 도시한 개략적인 사시도이고, 도 3b는 상기 메쉬형음극드럼의 일부를 도시한 단면도이며, 도 3c는 본 발명에 따른 금속메쉬 제조용 연속전주장치를 도시하는 개략적인 구성도이고, 도 3d는 본 발명에 따른 금속메쉬의 제조방법을 도시하는 공정 흐름도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 5b는 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 도시하는 공정 흐름도이며, 도 5c는 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 6a는 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 6b는 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 도시하는 공정 흐름도이며, 도 6c는 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 7a는 본 발명에 따른 금속메쉬층의 일 예를 도시한 실사진이며, 도 7b는 본 발명에 따른 금속메쉬층의 다른 예를 도시한 실사진이다.
도 8a는 본 발명의 제3실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이고, 도 8b는 본 발명의 제4실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이며, 도 8c는 본 발명의 제5실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도다.
도 9a는 본 발명의 제3실시예에 따른 히트싱크의 금속메쉬 패턴의 단면을 도시하는 사진이고, 도 9b는 본 발명의 제4실시예에 따른 히트싱크의 금속메쉬 패턴의 단면을 도시하는 사진이며, 도 9c는 본 발명의 제5실시예에 따른 히트싱크의 금속메쉬 패턴의 단면을 도시하는 사진이다.
도 10은 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이다.
도 11a는 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 11b는 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 도시하는 공정 흐름도이다.
도 12a는 본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 12b는 본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 도시하는 공정 흐름도이다.1 is a sectional view showing a general heat sink.
FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 2C is a sectional view showing an application example of the heat sink according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2D is a sectional view showing an application example of the heat sink according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 3A is a schematic perspective view showing a mesh type cathode drum of the apparatus for manufacturing a metal mesh according to the present invention, FIG. 3B is a sectional view showing a part of the mesh cathode drum, FIG. 3C is a cross- FIG. 3D is a process flow chart showing a method of manufacturing a metal mesh according to the present invention. FIG.
4A to 4D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the heat sink according to the present invention.
FIG. 5A is a schematic structural view for manufacturing a heat sink according to the first embodiment of the present invention, FIG. 5B is a process flowchart showing a method of manufacturing the heat sink according to the first embodiment of the present invention, 5c are schematic structural diagrams for manufacturing a heat sink according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6A is a schematic structural view for manufacturing a heat sink according to a modification of the first embodiment of the present invention, FIG. 6B is a view showing a process for manufacturing a heat sink according to a modification of the first embodiment of the present invention And FIG. 6C is a schematic configuration diagram for manufacturing a heat sink according to a modification of the second embodiment of the present invention.
FIG. 7A is a view showing an example of a metal mesh layer according to the present invention, and FIG. 7B is a view showing another example of a metal mesh layer according to the present invention.
8A is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a third embodiment of the present invention, FIG. 8B is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 8C is a cross- Sectional view showing the heat sink according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 9A is a photograph showing a cross section of a metal mesh pattern of a heat sink according to a third embodiment of the present invention, FIG. 9B is a photograph showing a cross section of a metal mesh pattern of a heat sink according to the fourth embodiment of the present invention And FIG. 9C is a photograph showing a cross section of the metal mesh pattern of the heat sink according to the fifth embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 11A is a schematic structural view for manufacturing a heat sink according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 11B is a process flowchart showing a method of manufacturing the heat sink according to the sixth embodiment of the present invention.
FIG. 12A is a schematic structural view for manufacturing a heat sink according to a modification of the sixth embodiment of the present invention, FIG. 12B is a view showing a process for manufacturing a heat sink according to a modification of the sixth embodiment of the present invention FIG.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

아래 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 상세히 설명한다. 도면에 관계없이 동일한 부재번호는 동일한 구성요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. &Quot; and / or "include each and every combination of one or more of the mentioned items. &Lt; RTI ID = 0.0 >

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. The terms " comprises "and / or" comprising "used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements in addition to the stated element.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성 요소와 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 구성요소들의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 구성요소는 다른 구성요소의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다. The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" And can be used to easily describe a correlation between an element and other elements. Spatially relative terms should be understood in terms of the directions shown in the drawings, including the different directions of components at the time of use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element . Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The components can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 히트싱크를 도시한 단면도이다.1 is a sectional view showing a general heat sink.

도 1을 참조하면, 일반적인 히트싱크는 발열소자(10)에 부착되어 상기 발열소자(10)에서 발생하는 열을 흡수하여 신속하게 발산시킬 수 있도록 판상의 방열판(20)과, 상기 히트싱크의 방열면적을 넓혀 보다 많은 열이 방출되기 위해 상기 방열판의 상면에 형성된 다수개의 방열핀(50)으로 구성된다.Referring to FIG. 1, a general heat sink includes a plate-like heat sink 20 attached to a heat-generating element 10 so as to absorb heat generated by the heat-generating element 10 and rapidly dissipate heat, And a plurality of radiating fins (50) formed on the upper surface of the heat dissipating plate to radiate more heat by enlarging the area.

이때, 상기 히트싱크는 상기 방열소자(10)에서 발생하는 열을 신속하게 발산시키도록 알루미늄과 같이 열전도율이 높은 재료로 구성될 수 있다.At this time, the heat sink may be made of a material having a high thermal conductivity such as aluminum so as to rapidly dissipate the heat generated from the heat dissipation element 10.

전자제품의 작동시 발열소자에서 발생하는 열은 상기 발열소자에 부착된 히트싱크의 방열판(20)을 통해 상기 다수개의 방열핀(50)으로 전도된 후, 그 주위의 공기로 방출된다.Heat generated in the heat generating element during operation of the electronic product is conducted to the plurality of heat dissipating fins (50) through the heat sink (20) of the heat sink attached to the heat generating element, and then is discharged to the surrounding air.

즉, 상기 히트싱크의 방열핀(50)에 의해 상기 발열소자에서 발생하는 열의 방열면적이 넓어져, 이 열이 보다 신속하고 원활하게 방출되는 것이다.That is, the heat radiating fin 50 of the heat sink widens the heat radiating area of the heat generated in the heat generating element, and the heat is released more quickly and smoothly.

하지만, 상술한 바와 같이, 일반적인 히트싱크는 열용량이 작아서 발열소자가 발열을 시작한 후 곧바로 발열소자의 온도와 일치하는 포화온도, 즉 시간이 지남에 따라 더이상 온도가 변하지 않는 정상상태의 온도에 도달하게 된다.However, as described above, since the heat capacity of the general heat sink is small, the temperature of the heat generating element immediately reaches the saturation temperature corresponding to the temperature of the heat generating element, that is, the steady state temperature in which the temperature no longer changes over time do.

따라서, 상기 발열소자에서 상기 히트싱크로의 전도에 의한 열전달이 더이상 발생하지 않아 상기 발열소자에서 발생하는 열이 충분히 방출되지 못하여, 상기 발열소자가 손상되는 문제점이 있으며, 이를 해결하기 위해, 히트싱크를 크게 제작하여 그 방열면적을 증가시켜야 한다.Therefore, the heat generated by the heating element is not sufficiently generated by heat conduction from the heating element to the heat sink, so that the heat generated by the heating element is not sufficiently discharged, thereby damaging the heating element. To solve this problem, The heat dissipation area should be increased.

하지만, 히트싱크의 크기를 증가시키는 것은 결국, 제품의 크기를 증가시키는 것과 직결되고, 따라서, 발열소자 및 히트싱크가 구비되는 전자제품의 가격을 상승시키는 원인이 될 수 있다.However, increasing the size of the heat sink is ultimately associated with increasing the size of the product, and therefore, may cause the price of the electronic device equipped with the heat generating element and the heat sink to increase.

도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이다. FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a second embodiment of the present invention.

먼저, 도 2a를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크(100)는 베이스 기재(110)를 포함한다.First, referring to FIG. 2A, a heat sink 100 according to a first embodiment of the present invention includes a base substrate 110.

상기 베이스 기재(110)는 발열소자에서 발생하는 열을 흡수하기 위한 구성으로, 스테인레스강, 니켈, 구리, 철, 알루미늄, 티탄 또는 이들의 합금, 알루미늄, 구리, 철 또는 스테인레스강의 표면에 카본, 니켈, 티탄, 은을 표면 처리시킨 것 등을 사용할 수 있고, 이들 중 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 바람직하다.The base substrate 110 has a structure for absorbing heat generated in a heat generating element and may be formed of a metal such as carbon, nickel or the like on the surface of stainless steel, nickel, copper, iron, aluminum, titanium or an alloy thereof, aluminum, , Titanium, or silver can be used. Of these, aluminum or an aluminum alloy is preferable.

계속해서, 도 2a를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크(100)는 상기 베이스 기재(110)의 제1면에 위치하는 제1접착층(120a)을 포함하고, 상기 베이스 기재(110)의 제2면에 위치하는 제2접착층(120b)을 포함한다.2A, a heat sink 100 according to a first embodiment of the present invention includes a first adhesive layer 120a positioned on a first surface of the base substrate 110, And a second adhesive layer 120b located on a second side of the first adhesive layer 110. [

제1접착층(120a) 및 제2접착층(120b)은 후술하는 금속 메쉬층을 베이스 기재(110) 상에 부착시키기 위한 것으로, 상기 제1접착층 및 제2접착층은 솔더층일 수 있으며, 이때, 상기 솔더층은 납(Pb), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 카드늄(Cd), 비스무스(Bi), 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The first adhesive layer 120a and the second adhesive layer 120b are for attaching a metal mesh layer to be described later on the base substrate 110. The first adhesive layer and the second adhesive layer may be a solder layer, Layer may be made of lead (Pb), tin (Sn), zinc (Zn), indium (In), cadmium (Cd), bismuth (Bi)

계속해서, 도 2a를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크(100)는 상기 제1접착층(120a) 상에 위치하는 제1금속메쉬층(130a) 및 상기 제2접착층(120b) 상에 위치하는 제2금속메쉬층(130b)을 포함한다.2A, a heat sink 100 according to the first embodiment of the present invention includes a first metal mesh layer 130a and a second metal mesh layer 130b positioned on the first adhesive layer 120a. And a second metal mesh layer 130b positioned on the second metal mesh layer 130b.

상기 제1금속메쉬층(130a) 또는 제2금속메쉬층(130b)은 방열판의 역할을 하는 베이스 기재로부터 열을 전달받아, 열을 방출시키기 위한 방열핀의 역할을 하는 구성으로, 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있으며, 본 발명에서 상기 금속메쉬층의 재질을 한정하는 것은 아니나, 이들 중 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 바람직하다.The first metal mesh layer 130a or the second metal mesh layer 130b receives heat from the base substrate serving as a heat dissipating plate and serves as a heat dissipating fin for discharging heat. The metal mesh may be made of at least one of silver (Ag), chrome (Cr), nickel (Ni), iron (Fe), cobalt (Co), aluminum (Al) The material of the layer is not limited, but aluminum or an aluminum alloy is preferable among them.

이때, 상기 제1금속메쉬층(130a)은 복수의 제1금속메쉬 패턴(131a) 및 상기 제1금속메쉬 패턴(131a)의 사이에 위치하는 제1홀(132a)을 포함하며, 상기 제2금속메쉬층(130b)은 복수의 제2금속메쉬 패턴(131b) 및 상기 제2금속메쉬 패턴(131b)의 사이에 위치하는 제2홀(132b)을 포함한다.The first metal mesh layer 130a includes a plurality of first metal mesh patterns 131a and a first hole 132a located between the first metal mesh patterns 131a, The metal mesh layer 130b includes a plurality of second metal mesh patterns 131b and a second hole 132b located between the second metal mesh patterns 131b.

즉, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크(100)는 베이스 기재(110)의 제1면 및 제2면에 각각 형성되는 금속메쉬층(130a, 130b)을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 각각 복수의 금속메쉬 패턴(131a, 131b) 및 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀(132a, 132b)을 포함하고 있고, 또한, 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층(120a, 120b)을 포함하고 있다.That is, the heat sink 100 according to the first embodiment of the present invention includes the metal mesh layers 130a and 130b formed on the first and second surfaces of the base substrate 110, respectively, And a plurality of metal mesh patterns 131a and 131b and holes 132a and 132b positioned between the metal mesh patterns and an adhesive layer 120a and 120b for attaching the base metal and the metal mesh layer, ).

이때, 상기 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀은 방열면적을 넓혀, 보다 많은 열이 방출되도록 할 수 있다.At this time, the holes located between the metal mesh patterns may enlarge the heat dissipation area, so that more heat can be emitted.

즉, 본 발명에의 히트싱크는, 상기 베이스 기재를 통해 발열소자에서 발생하는 열을 흡수하고, 상기 금속메쉬 패턴은 베이스 기재로부터 열을 전달받아, 열을 방출시키며, 이때, 상기 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀은 방열면적을 넓혀, 보다 많은 열이 방출되도록 할 수 있다.That is, the heat sink according to the present invention absorbs heat generated in the heat generating element through the base substrate, and the metal mesh pattern receives heat from the base substrate to emit heat. At this time, The holes located between the heat dissipation areas can widen the heat dissipation area to allow more heat to be emitted.

이때, 후술할 바와 같이, 상기 베이스 기재의 두께는 1 ~ 100㎛ 일 수 있다.At this time, as described later, the thickness of the base substrate may be 1 to 100 mu m.

또한, 상기 금속메쉬층(130)의 폭은 1 ~ 500㎛ 이고, 상기 금속메쉬층의 두께는 1 ~ 500㎛ 일 수 있고, 또한, 금속메쉬 패턴과 금속메쉬 패턴간의 간격, 즉, 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀의 크기는 1㎛ ~ 3mm 일 수 있다.The metal mesh layer 130 may have a width of 1 to 500 μm and the metal mesh layer may have a thickness of 1 to 500 μm. The distance between the metal mesh pattern and the metal mesh pattern, ie, The size of the hole located between the adjacent holes may be 1 mu m to 3 mm.

또한, 상기 제1접착층 또는 상기 제2접착층의 두께는 1 ~ 20㎛ 일 수 있다.The thickness of the first adhesive layer or the second adhesive layer may be 1 to 20 占 퐉.

상술한 바와 같이, 일반적인 히트싱크는 열용량이 작아서 원활한 방열을 위하여, 히트싱크를 크게 제작하여 그 방열면적을 증가시켜야 하며, 이는 제품의 크기를 증가시키는 것과 직결되어, 전자제품의 가격을 상승시키는 원인이 될 수 있다.As described above, the heat sink of a general heat sink has a small heat capacity, so that a heat sink must be made large and the heat dissipating area thereof must be increased. In order to increase the size of the product, .

하지만, 본 발명에 따른 히트싱크는, 후술할 바와 같은 히트싱크의 제조방법에서 알 수 있는 바와 같이, 베이스 기재, 금속메쉬층, 접착층의 두께가 일반적인 구조의 히트싱크와 비교하여 매우 얇기 때문에, 히트싱크 자체가 크게 제작되지 않으며, 따라서, 제품의 크기 결정에 있어서 히트싱크가 큰 영향을 미치지 않는다.However, since the thickness of the base substrate, the metal mesh layer, and the adhesive layer is extremely thin as compared with the heat sink having the general structure, as can be seen from the manufacturing method of the heat sink as described later, The sink itself is not made large, and therefore, the heat sink does not have a large influence in determining the size of the product.

또한, 본 발명에 따른 히트싱크는 후술하는 히트싱크의 제조방법에서 알 수 있는 바와 같이, 대면적으로 제조가 용이하기 때문에, 대형화된 전자제품의 부품에 히트싱크로의 적용도 가능하다.Further, since the heat sink according to the present invention can be easily manufactured in a large area, as can be seen from a manufacturing method of a heat sink to be described later, the heat sink can be applied to a component of a large-sized electronic product.

다음으로, 도 2b를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크(200)는 베이스 기재(210), 상기 베이스 기재(210) 상에 위치하는 접착층(220) 및 상기 접착층(220) 상에 위치하는 금속메쉬층(230)을 포함한다.2B, a heat sink 200 according to a second embodiment of the present invention includes a base substrate 210, an adhesive layer 220 disposed on the base substrate 210, And a metal mesh layer 230 disposed on the metal mesh layer 230.

상기 금속메쉬층(230)은 복수의 금속메쉬 패턴(231) 및 상기 금속메쉬 패턴(231)의 사이에 위치하는 홀(232)을 포함한다.The metal mesh layer 230 includes a plurality of metal mesh patterns 231 and holes 232 located between the metal mesh patterns 231.

즉, 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크(200)는 베이스 기재(210)의 일면에만 금속메쉬층(230)을 형성하는 실시예로써, 따라서, 본 발명에서는 상기 금속메쉬층을 베이스 기재의 제1면 및/또는 제2면에 형성할 수 있다.That is, in the heat sink 200 according to the second embodiment of the present invention, the metal mesh layer 230 is formed on only one side of the base substrate 210, On the first and / or second surface of the substrate.

상기 제2실시예에 따른 히트싱크는 상술하는 바를 제외하고는 제1실시예에 따른 히트싱크와 동일할 수 있으므로, 이하, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Since the heat sink according to the second embodiment can be the same as the heat sink according to the first embodiment except for the above, a detailed description will be omitted below.

도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크의 적용예를 도시한 단면도이고, 도 2d는 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크의 적용예를 도시한 단면도이다.FIG. 2C is a sectional view showing an application example of the heat sink according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2D is a sectional view showing an application example of the heat sink according to the second embodiment of the present invention.

먼저, 도 2c를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크(100)는 베이스 기재(110)의 제1면 및 제2면에 각각 형성되는 금속메쉬층(130a, 130b)을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 각각 복수의 금속메쉬 패턴(131a, 131b) 및 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀(132a, 132b)을 포함하고 있고, 또한, 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층(120a, 120b)을 포함하고 있다.Referring to FIG. 2C, the heat sink 100 according to the first embodiment of the present invention includes metal mesh layers 130a and 130b formed on the first and second surfaces of the base substrate 110, respectively. And the metal mesh layer includes a plurality of metal mesh patterns 131a and 131b and holes 132a and 132b located between the metal mesh patterns, And adhesive layers 120a and 120b.

이와 같은 히트싱크(100)의 어느 일면을 발열소자(10)의 일정 영역에 설치한다.Any one surface of the heat sink 100 is installed in a certain region of the heat generating element 10.

이때, 발열소자(10)와 마주보는 히트싱크(100)의 일면은 방열판으로 작용할 수 있으며, 발열소자(10)와 마주보는 면의 반대면인 히트싱크(100)의 타면은 방열핀으로 작용할 수 있다.At this time, one surface of the heat sink 100 facing the heat generating element 10 may function as a heat sink, and the other surface of the heat sink 100, which is the surface opposite to the surface facing the heat generating element 10, .

즉, 도 2c에서 제2금속메쉬층(130b) 및 베이스 기재(110)는 방열판으로 작용하여, 발열소자에서 발생하는 열을 흡수하고, 제1금속메쉬층(130a)은 방열판으로부터 열을 전달받아 열을 방출시킬 수 있으며, 이때, 상기 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀(132a)은 방열면적을 넓혀, 보다 많은 열이 방출되도록 할 수 있다.That is, in FIG. 2C, the second metal mesh layer 130b and the base substrate 110 serve as a heat sink to absorb heat generated in the heat generating element, and the first metal mesh layer 130a receives heat from the heat sink Heat may be released. At this time, the holes 132a positioned between the metal mesh patterns may enlarge the heat dissipation area to allow more heat to be emitted.

한편, 도면에서는 제2금속메쉬층(130b)이 위치하는 면이 발열소자와 마주보는 것으로 도시하였으나, 이와는 달리, 제1금속메쉬층(130a)이 위치하는 면이 발열소자와 마주볼 수 있음은 당연한 것이다.Although the surface on which the second metal mesh layer 130b is disposed faces the heating element, the surface on which the first metal mesh layer 130a is located may face the heating element. It is natural.

다음으로, 도 2d를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크(200)는 베이스 기재(210), 상기 베이스 기재(210) 상에 위치하는 접착층(220) 및 상기 접착층(220) 상에 위치하는 금속메쉬층(230)을 포함하고 있고, 또한, 상기 금속메쉬층(230)은 복수의 금속메쉬 패턴(231) 및 상기 금속메쉬 패턴(231)의 사이에 위치하는 홀(232)을 포함한다.2d, a heat sink 200 according to a second embodiment of the present invention includes a base substrate 210, an adhesive layer 220 positioned on the base substrate 210, And the metal mesh layer 230 includes a plurality of metal mesh patterns 231 and holes 232 located between the metal mesh patterns 231, .

이와 같은 히트싱크(200)의 베이스 기재의 면을 발열소자(10)의 일정 영역에 설치한다.The surface of the base substrate of the heat sink 200 is installed in a certain region of the heat generating element 10.

이때, 베이스 기재(210)는 방열판으로 작용하여, 발열소자에서 발생하는 열을 흡수하고, 금속메쉬층(230)은 방열판으로부터 열을 전달받아 열을 방출시킬 수 있으며, 이때, 상기 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀(232)은 방열면적을 넓혀, 보다 많은 열이 방출되도록 할 수 있다.At this time, the base substrate 210 acts as a heat sink to absorb heat generated in the heat generating element, and the metal mesh layer 230 can receive heat from the heat sink to emit heat. At this time, The holes 232 located between the heat dissipation plates 224 and 226 may widen the heat dissipation area to allow more heat to be emitted.

이때, 본 발명에서 상기 베이스 기재의 두께는 1 ~ 100㎛ 일 수 있고, 상기 금속메쉬층의 두께는 1 ~ 500㎛ 일 수 있으며, 상기 접착층의 두께는 1 ~ 20㎛ 일 수 있어, 즉, 본 발명에 따른 히트싱크는, 베이스 기재, 금속메쉬층, 접착층의 두께가 일반적인 구조의 히트싱크와 비교하여 매우 얇기 때문에, 히트싱크 자체가 크게 제작되지 않으며, 따라서, 제품의 크기 결정에 있어서 히트싱크가 큰 영향을 미치지 않는다.In this case, in the present invention, the thickness of the base substrate may be 1 to 100 μm, the thickness of the metal mesh layer may be 1 to 500 μm, and the thickness of the adhesive layer may be 1 to 20 μm, Since the thickness of the base substrate, the metal mesh layer, and the adhesive layer is extremely thin compared with the heat sink having a general structure, the heat sink according to the invention is not made large, and therefore, It does not have a big influence.

이하에서는 본 발명에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the heat sink according to the present invention will be described.

도 3a는 본 발명에 따른 금속메쉬 제조장치의 메쉬형음극드럼을 도시한 개략적인 사시도이고, 도 3b는 상기 메쉬형음극드럼의 일부를 도시한 단면도이며, 도 3c는 본 발명에 따른 금속메쉬 제조용 연속전주장치를 도시하는 개략적인 구성도이고, 도 3d는 본 발명에 따른 금속메쉬의 제조방법을 도시하는 공정 흐름도이다.FIG. 3A is a schematic perspective view showing a mesh type cathode drum of the apparatus for manufacturing a metal mesh according to the present invention, FIG. 3B is a sectional view showing a part of the mesh cathode drum, FIG. 3C is a cross- FIG. 3D is a process flow chart showing a method of manufacturing a metal mesh according to the present invention. FIG.

먼저, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명에 따른 금속메쉬 제조장치의 메쉬형음극드럼(40)은 회전 가능하도록 중심이 되는 회전축(41b)과 상기 회전축(41b)을 감싸면서 일정한 폭을 가지는 원통형 드럼(41a)을 포함한다.3A and 3B, the mesh-type cathode drum 40 of the apparatus for manufacturing a metal mesh according to the present invention includes a rotating shaft 41b which is centered for rotation and a cylindrical shaft 41b which surrounds the rotating shaft 41b and has a constant width The branch includes a cylindrical drum 41a.

이때, 상기 회전축(41b)의 일측 단부에는 상기 드럼(41a)이 회전되도록 회전력을 제공하는 모터와 연결되는 체인이 결합될 수 있다.At this time, a chain connected to a motor that provides a rotational force to rotate the drum 41a may be coupled to one end of the rotation shaft 41b.

한편, 상기 드럼(40)의 표면에는 제조하고자 하는 형상의 메쉬(42)가 형성된다. 이때, 상기 메쉬(42)는 대략 육각형이 여러 개 연결되는 망(網) 형상으로 형성되어 마치 벌집 형태로 구성될 수 있으며, 다만, 상기 메쉬의 형상은 사각형, 삼각형, 오각형 등일 수 있고, 따라서, 본 발명에서 상기 메쉬의 형상을 한정하는 것은 아니다.On the other hand, a mesh 42 having a shape to be manufactured is formed on the surface of the drum 40. At this time, the mesh 42 may be formed in a net shape having a plurality of hexagons connected to each other, and may be formed in a honeycomb shape, but the shape of the mesh may be a square, a triangle, a pentagon, But the shape of the mesh is not limited in the present invention.

상기 메쉬(42)는 도금하고자 하는 전해액의 성분에 따라 단일금속 또는 합금(合金)으로 구성할 수 있으며, 직접 상기 원통형 드럼(41a) 표면을 가공함으로써 원통형 드럼(41a)과 일체로 형성되도록 하여 사용하거나, 금속와이어로 실을 짜듯이 엮어서 형성되는 직조형(Weaving type) 또는 배치형(Batch type)으로 가공되는 메쉬(50)를 상기 원통형 드럼(41a)의 표면에 부착함으로써 사용할 수 있다.The mesh 42 may be formed of a single metal or an alloy depending on the component of the electrolytic solution to be plated and may be integrally formed with the cylindrical drum 41a by directly processing the surface of the cylindrical drum 41a, Or by attaching to the surface of the cylindrical drum 41a a mesh 50 which is formed into a weaving type or a batch type which is formed by weaving a thread with a metal wire.

계속해서, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 메쉬(42)와 메쉬(42)의 사이 공간에는 절연층(43)이 위치하며, 상기 절연층은 에폭시 수지, 테프론계 수지 또는 불소수지 등의 플라스틱 수지일 수 있다.3A and 3B, an insulating layer 43 is disposed in a space between the mesh 42 and the mesh 42, and the insulating layer is made of a plastic such as an epoxy resin, a Teflon-based resin, Resin.

이때, 메쉬와 메쉬의 사이 공간에 절연층(43)을 형성하는 것은, 상술한 바와 같은 원통형 드럼(41a)의 표면에 제조하고자 하는 형상의 메쉬(42)를 형성한 뒤, 공지된 스프레이법 또는 증착법에 의해 절연재 물질을 도포하고, 공지된 화학적 기계적 연마(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 그 단면을 평탄화하여 형성할 수 있다.In this case, the insulating layer 43 may be formed in the space between the mesh and the mesh by forming a mesh 42 having a desired shape on the surface of the cylindrical drum 41a as described above, The insulating material may be applied by a vapor deposition method and planarized by a known chemical mechanical polishing (CMP) process.

이후, 상기 메쉬형음극드럼(40)을 통해, 전주공정에 의해 메쉬형음극드럼의 표면의 메쉬(42)에 금속메쉬층(미도시)을 형성하고, 상기 금속메쉬층(미도시)을 박리시켜, 전주공정에 의해 금속메쉬를 형성할 수 있다.Thereafter, a metal mesh layer (not shown) is formed on the mesh 42 on the surface of the mesh-type cathode drum through the mesh-type cathode drum 40 by the electroplating process, and the metal mesh layer (not shown) So that the metal mesh can be formed by the electrolytic process.

한편, 상기 메쉬형음극드럼은 전주마스터에 해당하는 것으로, 본 발명에서 전주마스터는 전주공정에 의해 금속메쉬층을 형성할 수 있도록, 제조하고자 하는 금속메쉬층의 형상과 대응되는 형상의 메쉬를 포함하는 모든 부재를 통칭하며, 도 3a에서와 같이 드럼형일 수 있고, 이와는 달리, 평판형일 수 있으며, 따라서, 본 발명에서 상기 전주공정을 위한 전주 마스터는 드럼형 또는 평판형일 수 있다.The mesh type negative electrode drum corresponds to a pole master. In the present invention, the pole master includes a mesh having a shape corresponding to the shape of the metal mesh layer to be fabricated so that the metal mesh layer can be formed by the electrolytic process. And may be of a drum type as shown in FIG. 3A, or may be of a flat plate type. Accordingly, in the present invention, the pole master for the electrolytic process may be a drum type or a flat type.

즉, 본 발명에 따른 전주 마스터는 베이스 판 및 상기 베이스 판 상에 형성되고, 제조하고자 하는 금속메쉬층의 형상과 대응되는 형상의 메쉬를 포함하며, 상기 베이스 판의 형상이 드럼형인 경우, 본 발명에 따른 전주 마스터는 드럼형일 수 있고, 상기 베이스 판의 형상이 평판형인 경우, 본 발명에 따른 전주 마스터는 평판형일 수 있음을 의미한다.That is, the electric pole master according to the present invention includes a base plate and a mesh formed on the base plate and having a shape corresponding to the shape of the metal mesh layer to be manufactured. When the shape of the base plate is a drum shape, The pole master according to the present invention may be a drum type, and when the shape of the base plate is a flat type, the pole master according to the present invention may be a flat type.

이하에서는 상술한 바와 같은 메쉬형음극드럼을 통해 금속메쉬층을 형성하는 것을 설명하기로 한다. Hereinafter, formation of the metal mesh layer through the mesh type negative electrode drum as described above will be described.

도 3c를 참조하면, 본 발명에 따른 금속메쉬 제조용 연속전주장치는 도금하고자 하는 전해액을 수용하는 전해조(34)와, 상기 전해조(34)의 전해액에 일부분이 침지(沈漬)되도록 설치되어 인가되는 전원으로 회전하는 메쉬형음극드럼(40)과, 상기 전해조(34)의 전해액에 완전히 침지되도록 설치되어 상기 메쉬형음극드럼(40)과 대응되는 형상으로 형성되며 일정한 거리를 유지하는 양극바스켓(31)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3C, the continuous electric apparatus for manufacturing a metal mesh according to the present invention includes an electrolytic bath 34 for containing an electrolytic solution to be plated, and an electrolytic bath 34 for electrolytically supplying a part of electrolytic solution to the electrolytic bath 34 An anode basket (31) formed so as to be completely immersed in the electrolytic solution of the electrolytic bath (34) and formed in a shape corresponding to the mesh type cathode drum (40) ).

상기 전해액은 본 발명에 따른 금속메쉬층을 형성하기 위하여, 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있으나, 본 발명에서 상기 전해액의 종류를 한정하는 것은 아니다.The electrolyte may be at least one selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag), chromium (Cr), nickel (Ni), iron (Fe), cobalt (Co) And alloys thereof. However, the kind of the electrolytic solution is not limited in the present invention.

계속해서, 도 3c를 참조하면, 상기 전해조(34)는 중앙 하면이 하방향으로 천공된 반원통 형상을 가지며, 이러한 전해조(34)에는 메쉬형음극드럼(40)의 표면에 도금하고자 하는 전해액이 수용될 수 있다.3C, the electrolytic bath 34 has a semicylindrical shape which is drilled downward at the central lower surface. In the electrolytic bath 34, an electrolytic solution to be plated is formed on the surface of the mesh-type cathode drum 40 Lt; / RTI >

또한, 상기 전해조(34)의 하부에는 전해조(34)에서 흘러 넘치는 전해액을 수용하는 보조탱크(30)가 형성되어 전해액이 수용되는 구조는 전해조(34)와 보조탱크(30)의 이중구조로 구성될 수 있다.A structure in which the auxiliary tank 30 containing the electrolytic solution overflowing from the electrolytic bath 34 is formed in the lower part of the electrolytic bath 34 and the electrolytic solution is accommodated is constructed by a dual structure of the electrolytic bath 34 and the auxiliary tank 30 .

따라서, 상기 전해조(34)에는 회전하는 메쉬형음극드럼(40)의 일부분 즉, 절반 정도가 침지(沈漬)되어, 후술할 전해액분사유로(32)에서 분사되는 전해액으로 상기 전해조(34)의 전해액이 교반(攪拌)되고, 이러한 전해액분사유로(32)의 전해액 분사에 의해 전해액이 교반되면서 상기 전해조(34)를 흘러 넘치는 전해액은 상기 보조탱크(30)에 수용되도록 구성된다.Therefore, about half of the rotating, mesh-like cathode drum 40 is immersed in the electrolytic bath 34, and the electrolytic solution injected from the electrolytic solution spraying channel 32, which will be described later, The electrolytic solution is stirred and the electrolytic solution overflowing the electrolytic bath 34 is received in the auxiliary tank 30 while the electrolytic solution is stirred by injecting the electrolytic solution in the electrolytic solution injection path 32.

상기 전해조(34)에는 전해액에 절반 정도 침지되어 회전하는 메쉬형음극드럼(40)이 설치된다. The electrolytic bath 34 is provided with a mesh-type cathode drum 40 which is immersed in the electrolytic solution by about half of the electrolytic solution.

상기 메쉬형음극드럼(40)은 인가되는 전원의 음극(-)에 연결되며, 회전 가능하도록 중심이 되는 회전축(41b)과 상기 회전축(41b)을 감싸면서 일정한 폭을 가지는 원통형 드럼(41a)으로 형성될 수 있다.The mesh type negative electrode drum 40 is connected to a cathode of an applied power source and includes a rotating shaft 41b which is centered for rotation and a cylindrical drum 41a which surrounds the rotating shaft 41b and has a constant width .

한편, 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 회전축(41b)의 일측 단부에는 정류기로부터 음극(-)이 공급되도록 하는 전원공급장치가 구비되고, 타측 단부에는 상기 원통형드럼(41a)이 회전되도록 회전력을 제공하는 모터가 결합될 수 있다.Although not shown in the drawing, a power supply device for supplying a negative (-) voltage from the rectifier is provided at one end of the rotary shaft 41b, and a rotating force is applied to the other end of the cylindrical drum 41a to rotate the cylindrical drum 41a The motor can be coupled.

따라서, 상기 모터에 전원이 인가되어 회전동력이 발생되면 이러한 회전동력은 상기 회전축(41b)으로 전달되어 상기 원통형 드럼(41a)을 회전시키게 된다.Accordingly, when power is applied to the motor to generate rotational power, the rotational power is transmitted to the rotating shaft 41b to rotate the cylindrical drum 41a.

한편, 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 원통형 드럼(41a)의 표면에는 제조하고자 하는 금속메쉬에 구비되는 다수의 홀(도 2a의 132a, 132b)과 대응되는 형상의 메쉬(42)가 형성될 수 있으며, 본 발명의 실시예에서 상기 메쉬(42)는 대략 육각형이 여러 개 연결되는 망(網) 형상으로 형성되어 마치 벌집 형태로 구성될 수 있다.3A, on the surface of the cylindrical drum 41a, a mesh 42 having a shape corresponding to a plurality of holes (132a and 132b in FIG. 2A) included in a metal mesh to be manufactured is formed In the embodiment of the present invention, the mesh 42 may be formed in a net shape in which a plurality of hexagons are connected to each other so as to have a honeycomb shape.

이는 도 3a에서 설명한 바를 참조하기로 하며, 따라서, 이하, 메쉬형음극드럼의 구체적인 설명은 생략하기로 한다.This will be described with reference to FIG. 3A, and therefore, a detailed description of the mesh-type cathode drums will be omitted.

상기 메쉬형음극드럼(40)의 하부에는 불용성 양극(+) 또는 티타늄(Ti)으로 형성되는 양극바스켓(31)이 설치된다.A cathode basket 31 formed of an insoluble anode (+) or titanium (Ti) is provided under the mesh cathode drum 40.

상기 양극바스켓(31)은 상기 전해조(34)의 전해액에 완전히 침지되고 상기 메쉬형음극드럼(40)과 대응되도록 절반이 절개된 원호형상으로 형성되어 일정한 거리를 유지하도록 설치된다.The anode basket 31 is formed so as to have an arc shape in which the anode basket 31 is completely immersed in the electrolytic solution of the electrolytic cell 34 and is half-cut so as to correspond to the mesh-type cathode drum 40,

상기 양극바스켓(31) 내측에는 상기 전해조(34)의 전해액과 동일한 성분의 금속클러스터(Cluster)(33)가 수용될 수 있다.A metal cluster (33) having the same composition as the electrolytic solution of the electrolytic bath (34) can be accommodated inside the anode basket (31).

상기 금속클러스터(33)는 양극바스켓(31)의 내측에서 전해조(34) 내부로 이탈되지 않도록 하는 이탈방지망으로 싸여져 보관된다.The metal clusters 33 are enclosed in a detachment prevention net that prevents the metal clusters 33 from being released into the electrolytic bath 34 from the inside of the anode basket 31.

또한, 상기 금속클러스터(33)는 상기 전해조(34)의 전해액과 동일한 성분의 금속 덩어리로 전해조(34)의 전해액에 용해됨으로써 상기 원통형 드럼(41a)의 표면에 도금되는 전해액의 양과 농도를 맞추는 역할을 수행할 수 있다.The metal clusters 33 are melted in the electrolytic solution of the electrolytic bath 34 with the same mass of metal as the electrolytic solution of the electrolytic bath 34 to thereby adjust the amount and concentration of the electrolytic solution plated on the surface of the cylindrical drum 41a Can be performed.

따라서, 상기 양극바스켓(31)에 전류가 인가되면 상기 금속클러스터(33)로부터 용해된 양(+)이온들은 상기 원통형 드럼(41a)의 표면으로 이동하여 전착됨으로써 도금된다.Therefore, when a current is applied to the anode basket 31, positive ions dissolved from the metal clusters 33 move to the surface of the cylindrical drum 41a and are electrodeposited to be plated.

상기 전해조(34)의 하단부, 보다 상세하게는 상기 양극바스켓(31)의 하단 중앙에는 상기 전해조(34)의 전해액이 교반되도록 전해액을 분사하는 전해액분사유로(32)가 형성될 수 있으며, 상기 전해액분사유로(32)는 내부가 상기 전해조(34) 내부와 연통되며 길이가 긴 원통형의 플라스틱 파이프로 형성될 수 있다.An electrolyte injection path 32 for injecting an electrolyte to stir the electrolytic solution of the electrolytic bath 34 may be formed at the lower end of the electrolytic bath 34 and more specifically at the center of the lower end of the anode basket 31, The injection path 32 may be formed of a cylindrical plastic pipe having a long inside and communicating with the inside of the electrolytic bath 34.

따라서, 상기 전해액분사유로(32)를 통해 상기 전해조(34) 내부로 전해액을 분사하여 공급하게 되면 상기 전해조(34) 내부의 전해액은 교반되며, 상기 메쉬형음극드럼(40)에서 발생되는 수소(H₂)가스를 원활하게 제거할 수 있게 된다.Therefore, when the electrolytic solution is injected into the electrolytic bath 34 through the electrolytic solution injecting channel 32, the electrolytic solution in the electrolytic bath 34 is agitated and the hydrogen generated from the mesh type negative electrode drum 40 H ₂ ) gas can be smoothly removed.

또한, 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 연속전주장치에는 순환-필터링수단이 더 구비될 수 있으며, 상기 순환-필터링수단은 보조탱크(30) 내부의 전해액을 상기 전해조(34)로 순환시키면서 전해액 중의 이물을 제거하는 역할을 수행할 수 있으며, 다만, 이는 일반적인 구성이므로 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Although not shown in the drawing, the continuous electrophotographic apparatus may further include a circulation-filtering means. The circulation-filtering means circulates the electrolytic solution in the auxiliary tank 30 to the electrolytic bath 34, However, since this is a general configuration, a detailed description will be omitted below.

계속해서, 도 3c를 참조하면, 상기 메쉬형음극드럼(40)의 우측상부에는 원통형 드럼(41a)의 외주면에 도금되는 금속메쉬(50)를 박리(剝離)하기 위한 가이드롤러(51)가 구비되고, 상기 금속메쉬(50)의 표면을 세정하기 위한 세정조(60)가 구비될 수 있다.3C, a guide roller 51 for peeling the metal mesh 50 to be plated on the outer circumferential surface of the cylindrical drum 41a is provided at the upper right portion of the mesh type cathode drum 40 And a washing tub 60 for washing the surface of the metal mesh 50 may be provided.

상기 세정조(60)의 우측에는 권취롤러(70)가 구비될 수 있으며, 상기 권취롤러(70)는 세정조(60)를 경유하면서 세정된 금속메쉬(50)를 연속적으로 권취할 수 있다.A winding roller 70 may be provided on the right side of the washing tub 60 and the winding roller 70 may continuously wind the washed metal mesh 50 while passing through the washing tub 60.

이하, 도 3d를 참조하여, 연속전주장치를 이용하여 상기 금속메쉬를 제조하는 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing the metal mesh using the continuous electric pole apparatus will be described with reference to FIG. 3D.

먼저, 인가되는 전원에 의해 상기 전해조(34)의 전해액에 전기가 통전(通電)되게 하여 전기분해가 일어나도록 하고, 상기 전해액분사유로(32)에 의해 전해액을 상기 전해조(34)에 분사함으로써 전해액을 교반시키는 전해액교반단계(S10)가 진행된다. 다만, 본 발명에서 상기 전해액교반단계는 선택적인 사항으로, 경우에 따라 생략되어도 무방하다. First, the electrolytic solution in the electrolytic bath 34 is energized by an applied power source to cause electrolysis to occur, and the electrolytic solution is injected into the electrolytic bath 34 by the electrolytic solution injection channel 32, The electrolytic solution stirring step (S10) is carried out. However, in the present invention, the electrolytic solution stirring step is optional and may be omitted in some cases.

그리고, 상기 전해액교반단계(S10)가 진행된 다음에는 상기 전해조(34) 내부에 설치된 메쉬형음극드럼(40)을 회전시키는 드럼회전단계(S20)를 실시하게 된다. 이때, 상기 드럼회전단계의 경우, 전주 마스터가 드럼형일 경우에 해당하는 단계이며, 전주 마스터가 평판형일 경우 생략될 수 있다.After the electrolytic solution stirring step S10 is performed, a drum rotating step S20 is performed to rotate the mesh-type cathode drum 40 installed in the electrolytic bath 34. At this time, in the case of the drum rotation step, it corresponds to a case where the pole master is a drum type, and may be omitted when the pole master is a flat plate type.

이후 전해액에 녹아있는 구리(Cu), 은(Ag), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나 이상의 물질, 예를 들면, 구리(Cu)를 메쉬의 상면에 전착시켜 금속메쉬층을 형성하는 전착단계(S30)를 실시하게 된다. At least any one or more of copper (Cu), silver (Ag), chromium (Cr), nickel (Ni), iron (Fe), cobalt (Co), aluminum (Al) For example, an electrodepositing step (S30) for forming a metal mesh layer by electrodeposition of copper (Cu) on the upper surface of the mesh is performed.

상기 전착단계(S30)에서의 전류밀도는 0.1 내지 30 mA/㎠일 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 전류밀도의 범위를 제한하는 것은 아니며, 전착을 하고자 하는 물질에 따라, 그 전류밀도를 상이하게 할 수 있다.The current density in the electrodeposition step S30 may be 0.1 to 30 mA / cm < 2 >. However, the present invention does not limit the current density range. Depending on the substance to be electrodeposited, .

예를 들어, 상기한 전류밀도의 범위 중에서 0.1 내지 1 mA/㎠의 범위는 상기 구리(Cu)의 전착이 활발히 발생되는 범위일 수 있으며, 3 내지 15 mA/㎠의 범위는 상기 니켈(Ni)의 전착이 활발히 발생되는 범위일 수 있다. For example, a range of 0.1 to 1 mA / cm < 2 > may be in a range where the electrodeposition of copper (Cu) is actively generated, and a range of 3 to 15 mA / May be a range in which electrodeposition is actively generated.

또한, 금속메쉬층의 전착이 상기한 전류밀도의 범위에서 보다 활발하게 전착될 수 있도록 하기 위해 상기 전해액의 일정 온도 범위 내에서 실시됨이 바람직하다.It is also preferable to perform the electrodeposition of the metal mesh layer within a certain temperature range of the electrolyte solution so that the electrodeposition of the metal mesh layer can be more actively deposited in the current density range.

예를 들어, 상기 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)은 전해액의 온도가 10 내지 50℃ 일 때 전착이 활발하게 진행될 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 전해액의 온도를 한정하는 것은 아니다.For example, the copper (Cu) or nickel (Ni) may actively perform electrodeposition when the temperature of the electrolytic solution is 10 to 50 ° C. However, the temperature of the electrolytic solution is not limited in the present invention.

상기한 조건에 따라 전착단계(S30)가 완료된 이후에는 상기 메쉬형음극드럼(40)의 외면, 보다 구체적으로는 메쉬(도 3b의 42)의 상부에 금속메쉬층이 형성된다.After the electrodepositing step S30 is completed according to the above conditions, a metal mesh layer is formed on the outer surface of the mesh-type cathode drum 40, more specifically, on the mesh (42 of FIG. 3B).

상기 전착단계(S30)가 진행된 이후에는, 상기 메쉬형음극드럼(40)의 외면, 구체적으로 메쉬로부터 금속메쉬층을 박리하는 전착층박리단계(S40)가 이어지게 된다.After the electrodepositing step S30, an electrodeposited layer peeling step (S40) for peeling the metal mesh layer from the outer surface of the mesh-type cathode drum 40, specifically, the mesh, is continued.

상기 전착층박리단계(S40)는 상기 메쉬형음극드럼(40)의 외면에 붙어 있던 금속메쉬층이 상기 가이드롤러(51)의 회전에 의해 상부 우측으로 안내되면서 진행된다.The electrodeposited layer peeling step (S40) advances while the metal mesh layer attached to the outer surface of the mesh type cathode drum (40) is guided to the upper right by the rotation of the guide roller (51).

보다 구체적으로, PET, PC, PMMA 등과 같은 보호필름(미도시)에 접착제를 도포하여, 이를 상기 메쉬형음극드럼의 표면의 메쉬에 형성된 금속메쉬층의 상부에 라미네이션한 후, 상기 보호필름(미도시) 및 금속메쉬층을 동시에 박리하여, 전주공정에 의해 금속메쉬(50)를 형성할 수 있다.More specifically, an adhesive is applied to a protective film (not shown) such as PET, PC, PMMA and the like, laminated on the metal mesh layer formed on the mesh of the mesh type negative electrode drum, And the metal mesh layer are peeled at the same time, and the metal mesh 50 can be formed by the electrolytic process.

상기 전착층박리단계(S40) 이후에는 상기 메쉬형음극드럼(40)으로부터 분리된 금속메쉬(50)를 세정조(60) 내부로 침지시켜 수세하는 전착층수세단계(S50)가 진행되며, 상기 전착층수세단계(S50)를 거쳐 수세된 금속메쉬(50)는 권취롤러(70)로 이송되면서 권취되어 금속메쉬권취단계(S60)가 수행된다.After the electrodeposition layer peeling step S40, three steps of electrodeposition layer S50 are performed in which the metal mesh 50 separated from the mesh cathode drum 40 is dipped in the washing tank 60 and washed with water, The metal mesh 50 washed three times by the number of electrodeposited layers (S50) is wound on the take-up roller 70, and the metal mesh winding step S60 is performed.

상기한 모든 단계가 완료되면 상기 금속메쉬(50)는 권취롤러(70)에 권취된 상태로 보관이 가능하며, 필요에 따라 요구되는 길이 및 형상만큼 절단함으로써 다양한 분야에 적용 가능함은 물론이다.When all the above steps are completed, the metal mesh 50 can be stored in the wound state on the take-up roller 70, and it can be applied to various fields by cutting the metal mesh 50 according to the required length and shape.

한편, 전착층박리단계에 있어서, 상기에서는 보호필름(미도시)에 접착제를 도포하여, 이를 상기 메쉬형음극드럼의 표면의 메쉬에 형성된 금속메쉬층의 상부에 라미네이션한 후, 상기 보호필름(미도시) 및 금속메쉬층을 동시에 박리하여, 전주공정에 의해 금속메쉬(50)를 형성함을 도시하였으나, 이와는 달리, 별도의 보호필름 없이 메쉬형음극드럼의 메쉬로부터 금속메쉬층만을 분리하는 것도 가능하며, 이 경우, 금속메쉬층의 두께가 얇아 공정상 취급이 어려우므로, 상기 전착층수세단계(S50)를 거쳐 수세된 금속메쉬(50)를 별도의 보호필름에 부착하여 사용할 수도 있을 것이다.On the other hand, in the step of peeling the electrodeposition layer, an adhesive is applied to a protective film (not shown) and laminated on the metal mesh layer formed on the mesh of the mesh type negative electrode drum, It is also possible to separate only the metal mesh layer from the mesh of the mesh type negative electrode drum without a separate protective film. However, it is also possible to separate the metal mesh layer from the mesh of the mesh type negative electrode drum In this case, since the thickness of the metal mesh layer is thin, it is difficult to handle in the process. Therefore, the metal mesh 50 washed by the three electrodeposition step (S50) may be attached to a separate protective film.

이상과 같이, 본 발명에서는 금속 메쉬 제조용 연속전주장치를 통해 금속메쉬층을 형성할 수 있으며, 형성된 금속메쉬층은 상술한 바와 같은 히트싱크의 금속메쉬층으로 사용이 가능하다.As described above, in the present invention, the metal mesh layer can be formed through the continuous electric pole for metal mesh production, and the formed metal mesh layer can be used as the metal mesh layer of the heat sink as described above.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 이하, 본 발명에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은 상술한 도 2a의 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 기준으로 설명하기로 한다.4A to 4D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the heat sink according to the present invention. Hereinafter, a method of manufacturing the heat sink according to the present invention will be described with reference to a method of manufacturing the heat sink according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2A.

먼저, 도 4a를 참조하면, 상술한 바와 같은 금속메쉬 제조장치를 통해 금속메쉬층(130)을 제조한다. First, referring to FIG. 4A, a metal mesh layer 130 is manufactured through the above-described metal mesh manufacturing apparatus.

한편, 상기에서는 금속메쉬층을 연속전주장치를 통한 전주공법에 의해 제조하는 것을 설명하였으나, 이와는 달리, 직조 또는 기계가공법에 의해서도 금속메쉬층을 제조할 수 있으며, 따라서, 본 발명에서 상기 금속메쉬층을 제조하는 방법을 한정하는 것은 아니다.Meanwhile, in the above description, the metal mesh layer is manufactured by the electroforming method through the continuous electrodeposition device. Alternatively, the metal mesh layer may be manufactured by weaving or machining, But not limited to,

이때, 상기 금속메쉬층(130)의 폭(d1)은 1 ~ 500㎛ 이고, 상기 금속메쉬층의 두께(d2)는 1 ~ 500㎛ 일 수 있고, 또한, 금속메쉬 패턴과 금속메쉬 패턴간의 간격, 즉, 금속메쉬 패턴(131)의 사이에 위치하는 홀(132)의 크기는 1㎛ ~ 3mm 일 수 있으나, 다만 본 발명에서 이들의 수치를 한정하는 것은 아니다.In this case, the width d1 of the metal mesh layer 130 may be 1 to 500 μm, the thickness d2 of the metal mesh layer may be 1 to 500 μm, and the distance between the metal mesh pattern 130 and the metal mesh pattern That is, the size of the hole 132 located between the metal mesh patterns 131 may be 1 μm to 3 mm, but these numerical values are not limited in the present invention.

다음으로, 도 4b를 참조하면, 베이스 기재(110)의 제1면에 제1접착층(120a)을 형성하고, 상기 베이스 기재(110)의 제2면에 제2접착층(120b)을 형성한다.4B, a first adhesive layer 120a is formed on a first surface of the base substrate 110, and a second adhesive layer 120b is formed on a second surface of the base substrate 110. Referring to FIG.

상기 제1접착층(120a) 및 제2접착층(120b)은 솔더층일 수 있으며, 상기 솔더층은 공지된 전해도금법 또는 무전해도금법 등을 통해 형성할 수 있고, 다만, 본 발명에서 상기 솔더층의 형성방법을 한정하는 것은 아니다.The first adhesive layer 120a and the second adhesive layer 120b may be a solder layer and the solder layer may be formed by a known electrolytic plating method or electroless plating method. However, in the present invention, But does not limit the method.

예를 들면, 상기 솔더층은 공지된 인쇄법에 의해 형성할 수 있으며, 보다 구체적으로, PbSn 또는 CuAgSn 등과 같이 Sn을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄하여 형성할 수 있다.For example, the solder layer can be formed by a known printing method. More specifically, the solder layer can be formed by printing a conductive paste containing Sn, such as PbSn or CuAgSn.

이때, 상기 베이스 기재(110)의 두께는 1 ~ 100㎛ 이고, 상기 제1접착층 또는 상기 제2접착층의 두께는 1 ~ 20㎛ 일 수 있으며, 베이스 기재와 제1접착층 및 제2접착층의 두께(d3)는 2 ~ 120㎛ 일 수 있으나, 다만, 본 발명에서 이들의 수치를 한정하는 것은 아니다.The thickness of the first adhesive layer or the second adhesive layer may be 1 to 20 占 퐉. The thickness of the base substrate, the first adhesive layer and the second adhesive layer (e.g., d3) may be in the range of 2 to 120 mu m, but these numerical values are not intended to limit the present invention.

다음으로, 도 4c를 참조하면, 상기 제1접착층(120a) 상에 제1금속메쉬층(130a)을 위치시키고, 상기 제2접착층(120b) 상에 제2금속메쉬층(130b)을 위치시킨 후, 압착롤러를 통해, 상기 제1금속메쉬층 및 제2금속메쉬층을 각각 제1접착층 및 제2접착층 상에 압착시킨다.Next, referring to FIG. 4C, a first metal mesh layer 130a is placed on the first adhesive layer 120a, a second metal mesh layer 130b is placed on the second adhesive layer 120b, Thereafter, the first metal mesh layer and the second metal mesh layer are pressed on the first adhesive layer and the second adhesive layer, respectively, through a pressing roller.

이때, 상기 제1금속메쉬층 및 제2금속메쉬층을 압착시킴에 있어, 접착층과 금속메쉬층의 접착특성을 향상시키기 위해, 일정온도를 가하는 것이 바람직하며, 상기 일정온도는 150 ~ 500 ℃ 일 수 있다.At this time, in order to improve adhesion characteristics between the adhesive layer and the metal mesh layer, it is preferable to apply a certain temperature to the first metal mesh layer and the second metal mesh layer, .

이로써, 본 발명에 따른 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크를 제조할 수 있고, 즉, 도 4d에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크(100)는 베이스 기재(110)의 제1면 및 제2면에 각각 형성되는 금속메쉬층(130a, 130b)을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 각각 복수의 금속메쉬 패턴(131a, 131b) 및 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀(132a, 132b)을 포함하고 있고, 이때, 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층(120a, 120b)을 포함하고 있다.4D, the heat sink 100 according to the first embodiment of the present invention includes the base substrate 110, the heat sink 100, The metal mesh layers 130a and 130b are formed on the first and second surfaces of the metal mesh layer 131a and 131b, respectively. And includes adhesive layers 120a and 120b for attaching the base substrate and the metal mesh layer.

이하에서는 본 발명에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 보다 구체적으로 서술하기로 한다.Hereinafter, a method for manufacturing the heat sink according to the present invention will be described in more detail.

도 5a는 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 5b는 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 도시하는 공정 흐름도이며, 도 5c는 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이다. 다만, 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은 후술할 바를 제외하고는 상술한 제1실시예의 제조하는 방법과 동일할 수 있으며, 구체적인 공정 흐름도는 후술하는 도 5b를 참조하기로 한다.FIG. 5A is a schematic structural view for manufacturing a heat sink according to the first embodiment of the present invention, FIG. 5B is a process flowchart showing a method of manufacturing the heat sink according to the first embodiment of the present invention, 5c are schematic structural diagrams for manufacturing a heat sink according to a second embodiment of the present invention. However, the method of manufacturing the heat sink according to the second embodiment of the present invention may be the same as the method of manufacturing the first embodiment, except as described below. .

먼저, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은, 베이스 기재 공급부(610)로부터 준비된 베이스 기재(611)를 제공한다(S100).First, referring to FIGS. 5A and 5B, a method of manufacturing a heat sink according to a first embodiment of the present invention provides a base substrate 611 prepared from a base substrate supplying unit 610 (S100).

다음으로, 상기 베이스 기재를 전처리 한다(S110).Next, the base substrate is pretreated (S110).

상기 전처리는 일반적인 화학적 전처리법일 수 있으며, 상기 화학적 전처리법은 산세 및 탈지와 같이, 산성 또는 알카리성 용액에 대상재, 즉 베이스 기재를 침지시키거나, 이러한 용액을 대상재에 분무하여 금속재 표면의 기름, 오염물, 및 불순물 등을 제거하는 방법일 수 있다.The pretreatment may be a general chemical pretreatment. The chemical pretreatment may be carried out by immersing the object material, that is, the base material, in an acidic or alkaline solution, such as pickling and degreasing, Contaminants, impurities, and the like.

본 발명에서 상기 전처리는 전처리 용액이 수용된 전처리용 수조(601)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의한 화학적 전처리법일 수 있으며, 다만, 본 발명에서 전처리하는 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 전처리 공정은 생략할 수 있다.In the present invention, the pretreatment may be a chemical pretreatment method by immersing the base material in a pretreatment water tank 601 containing a pretreatment solution. However, the pretreatment method of the present invention is not limited thereto, The pre-processing step may be omitted.

다음으로, 전처리된 상기 베이스 기재를 수세하는 제1수세단계를 거친다(S120).Next, a first washing step of washing the pretreated base substrate is performed (S120).

상기 제1수세단계는 전처리 공정에서 사용된 전처리 용액 등을 제거하기 위한 공정으로, 수세 용액이 수용된 제1수세용 수조(602)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 수세하는 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 제1수세 공정은 생략할 수 있다.The first water washing step is a step for removing the pretreatment solution used in the pretreatment step and may be performed by immersing the base material in the first water storage tank 602 containing the water wash solution. But the method of washing in the invention is not limited, and the first washing step may be omitted if necessary.

다음으로, 상기 베이스 기재 상에 접착층을 형성한다(S130).Next, an adhesive layer is formed on the base substrate (S130).

상기 접착층은 솔더층일 수 있으며, 상기 솔더층은 도금액을 포함하는 도금용 수조(603)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의해 공지된 전해도금법 또는 무전해도금법 등을 통해 형성할 수 있고, 다만, 본 발명에서 상기 솔더층의 형성방법을 한정하는 것은 아니다.The adhesive layer may be a solder layer, and the solder layer may be formed by a known electrolytic plating method or electroless plating method by a method of immersing the base material in a plating water tank 603 containing a plating liquid, The method of forming the solder layer in the present invention is not limited thereto.

이때, 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 각각 솔더층이 형성될 수 있다.At this time, a solder layer may be formed on the first and second surfaces of the base substrate, respectively.

다음으로, 상기 접착층이 형성된 베이스 기재(612)를 수세하는 제2수세단계를 거친다(S140).Next, the base substrate 612 on which the adhesive layer is formed is subjected to a second water washing step (S140).

상기 제2수세단계는 접착층 형성 공정에서 사용된 도금 용액 등을 수세하기 위한 공정으로, 수세 용액이 수용된 제2수세용 수조(604)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 수세하는 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 제2수세 공정은 생략할 수 있다.The second water rinsing step is a step of washing the plating solution or the like used in the adhesive layer forming step and may be a method of immersing the base substrate in the second water bath 604 for containing water, The method of washing in the present invention is not limited, and if necessary, the second washing step may be omitted.

다음으로, 상기 접착층이 형성된 베이스 기재를 건조하는 단계를 거친다(S150).Next, the base substrate on which the adhesive layer is formed is dried (S150).

상기 건조 단계는 열풍건조로(605)에서 진행되는 열풍건조일 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 건조 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 건조 공정은 생략할 수 있다.The drying step may be hot air drying in the hot air drying furnace 605. However, the drying method is not limited to the present invention, and the drying step may be omitted if necessary.

계속해서, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상술한 바와 같은 금속메쉬 제조장치를 통해 금속메쉬층(621)을 제조하여, 금속메쉬층을 제공한다(S160).5A and 5B, a metal mesh layer 621 is prepared through the above-described metal mesh manufacturing apparatus to provide a metal mesh layer (S160).

이때, 상술한 바와 같이, 상기 금속메쉬층은 금속메쉬 패턴 및 금속메쉬 패턴 사이의 홀을 포함할 수 있으며, 이는 상술한 바와 같으므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.At this time, as described above, the metal mesh layer may include holes between the metal mesh pattern and the metal mesh pattern, which are as described above, and thus a detailed description thereof will be omitted.

한편, 도 5a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크에서는 상기 금속메쉬층을 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 공급하기 위해, 금속메쉬층의 공급부(620a, 620b)가 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 각각 위치할 수 있다.5A, in the heat sink according to the first embodiment of the present invention, in order to supply the metal mesh layer to the first surface and the second surface of the base substrate, a supply portion 620a of the metal mesh layer , 620b may be located on the first and second surfaces of the base substrate, respectively.

다음으로, 접착층을 포함하는 베이스 기재의 상기 접착층 상에, 상기 금속메쉬층을 위치시키고 압착롤러(630a, 630b)에 의해 이를 압착시킨다(S170).Next, the metal mesh layer is placed on the adhesive layer of the base substrate including the adhesive layer, and the metal mesh layer is pressed by the pressing rollers 630a and 630b (S170).

이때, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크에서는 베이스 기재의 제1면에 위치하는 제1접착층 상에 상기 금속메쉬층 제1공급부(620a)로부터 제공된 제1금속메쉬층을 위치시키고, 베이스 기재의 제2면에 위치하는 제2접착층 상에 상기 금속메쉬층 제2공급부(620b)로부터 제공된 제2금속메쉬층을 위치시킨후, 압착롤러를 통해, 상기 제1금속메쉬층 및 제2금속메쉬층을 각각 제1접착층 및 제2접착층 상에 압착시킬 수 있다.At this time, in the heat sink according to the first embodiment of the present invention, the first metal mesh layer provided from the first supply portion 620a of the metal mesh layer is positioned on the first adhesive layer located on the first surface of the base substrate, After the second metal mesh layer provided from the second metal mesh layer supplying portion 620b is positioned on the second adhesive layer located on the second surface of the base material, the first metal mesh layer and the second metal mesh layer The mesh layer can be pressed onto the first adhesive layer and the second adhesive layer, respectively.

이로써, 본 발명의 제1실시예에 따른 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크를 제조할 수 있다.Thus, a heat sink including the metal mesh layer according to the first embodiment of the present invention can be manufactured.

즉, 도 4d에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 히트싱크(631)는 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 각각 형성되는 금속메쉬층을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 각각 복수의 금속메쉬 패턴 및 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀을 포함하고 있고, 이때, 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층을 포함하고 있다.That is, as shown in FIG. 4D, the heat sink 631 according to the first embodiment of the present invention includes a metal mesh layer formed on the first and second surfaces of the base substrate, respectively, Each of which includes a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns and includes an adhesive layer for attaching the base substrate and the metal mesh layer.

다음으로, 도 5c를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은 베이스 기재 공급부(710)로부터 준비된 베이스 기재(711)를 제공한다.Next, referring to FIG. 5C, a method of manufacturing a heat sink according to a second embodiment of the present invention provides a base substrate 711 prepared from a base substrate supply part 710. FIG.

다음으로, 상기 베이스 기재를 전처리 한다.Next, the base substrate is pretreated.

상기 전처리는 전처리 용액이 수용된 전처리용 수조(701)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의한 화학적 전처리법일 수 있다.The pretreatment may be a chemical pretreatment method by immersing the base substrate in a pretreatment water bath 701 containing a pretreatment solution.

다음으로, 전처리된 상기 베이스 기재를 수세하는 제1수세단계를 거친다.Next, the pre-treated base substrate is subjected to a first water washing step.

상기 제1수세단계는 수세 용액이 수용된 제1수세용 수조(702)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The first water rinsing step may be performed by immersing the base substrate in a first water storage tank 702 containing a water wash solution.

다음으로, 상기 베이스 기재 상에 접착층을 형성한다.Next, an adhesive layer is formed on the base substrate.

상기 접착층은 솔더층일 수 있으며, 상기 솔더층은 도금액을 포함하는 도금용 수조(703)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의해 공지된 전해도금법 또는 무전해도금법 등을 통해 형성할 수 있다.The adhesive layer may be a solder layer, and the solder layer may be formed by a known electrolytic plating method or electroless plating method by a method of immersing the base substrate in a plating water tank 703 containing a plating liquid.

한편, 상기 솔더층은 공지된 인쇄법에 의해 형성할 수 있으며, 보다 구체적으로, PbSn 또는 CuAgSn 등과 같이 Sn을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄하여 형성할 수 있다.On the other hand, the solder layer can be formed by a known printing method. More specifically, the solder layer can be formed by printing a conductive paste containing Sn, such as PbSn or CuAgSn.

이때, 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면 중 어느 하나의 면, 예를 들면 제1면에 솔더층이 형성될 수 있으며, 이는 상기 베이스 기재의 제2면에 별도의 보호필름을 부착함으로써, 베이스 기재의 제2면에는 솔더층을 형성하지 않을 수 있다.At this time, a solder layer may be formed on one of the first surface and the second surface of the base material, for example, the first surface, by attaching a separate protective film to the second surface of the base material , And a solder layer may not be formed on the second surface of the base substrate.

다음으로, 상기 접착층이 형성된 베이스 기재(712)를 수세하는 제2수세단계를 거친다.Next, the base substrate 712 on which the adhesive layer is formed is washed in a second washing step.

상기 제2수세단계는 접착층 형성 공정에서 사용된 도금 용액 등을 수세하기 위한 공정으로, 수세 용액이 수용된 제2수세용 수조(604)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The second water rinsing step is a step of washing the plating solution or the like used in the adhesive layer forming step and may be a method of immersing the base substrate in a second water retention tank 604 containing the rinsing solution.

다음으로, 상기 접착층이 형성된 베이스 기재를 건조하는 단계를 거친다.Next, the base substrate on which the adhesive layer is formed is dried.

상기 건조 단계는 열풍건조로(705)에서 진행되는 열풍건조일 수 있다.The drying step may be hot air drying in the hot air drying furnace 705.

계속해서, 도 5c를 참조하면, 상술한 바와 같은 금속메쉬 제조장치를 통해 금속메쉬층(721)을 제조하여, 금속메쉬층을 제공한다.5C, a metal mesh layer 721 is prepared through the above-described metal mesh manufacturing apparatus to provide a metal mesh layer.

한편, 도 5c에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크에서는 상기 금속메쉬층을 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면 중 어느 하나의 면, 예를 들면, 제1면에 공급하기 위해, 금속메쉬층의 공급부(720a)가 베이스 기재의 제1면에만 위치할 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 5C, in the heat sink according to the second embodiment of the present invention, the metal mesh layer is formed on one of the first and second surfaces of the base substrate, for example, The supply portion 720a of the metal mesh layer may be located only on the first surface of the base substrate.

즉, 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크의 제조방법은 베이스 기재의 일면에만 금속메쉬층을 형성하는 실시예로써, 따라서, 본 발명에서는 상기 금속메쉬층을 베이스 기재의 제1면 및/또는 제2면에 형성할 수 있다.That is, the method for manufacturing the heat sink according to the second embodiment of the present invention is an embodiment in which a metal mesh layer is formed on only one side of the base substrate. Therefore, in the present invention, Or on the second surface.

다음으로, 접착층을 포함하는 베이스 기재의 상기 접착층 상에, 상기 금속메쉬층을 위치시키고 압착롤러(730a, 730b)에 의해 이를 압착시킨다.Next, the metal mesh layer is placed on the adhesive layer of the base substrate including the adhesive layer, and the metal mesh layer is pressed by the pressing rollers 730a and 730b.

이때, 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크에서는 베이스 기재의 제1면에 위치하는 제1접착층 상에 상기 금속메쉬층 제1공급부(720a)로부터 제공된 제1금속메쉬층을 위치시킨후, 압착롤러를 통해, 상기 제1금속메쉬층을 제1접착층 상에 압착시킬 수 있다.At this time, in the heat sink according to the second embodiment of the present invention, the first metal mesh layer provided from the first supply part 720a of the metal mesh layer is positioned on the first adhesive layer located on the first surface of the base substrate, The first metal mesh layer can be pressed onto the first adhesive layer through the pressing roller.

이때, 상기 제1금속메쉬층을 압착시킴에 있어, 접착층과 금속메쉬층의 접착특성을 향상시키기 위해, 일정온도를 가하는 것이 바람직하며, 상기 일정온도는 150 ~ 500 ℃ 일 수 있다.At this time, in order to improve the adhesion characteristics between the adhesive layer and the metal mesh layer in the pressing of the first metal mesh layer, it is preferable to apply a constant temperature, and the predetermined temperature may be 150 to 500 ° C.

이로써, 본 발명의 제2실시예에 따른 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크를 제조할 수 있다.Thus, the heat sink including the metal mesh layer according to the second embodiment of the present invention can be manufactured.

즉, 도 2b 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 히트싱크(731)는 베이스 기재의 제1면에 형성되는 금속메쉬층을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 복수의 금속메쉬 패턴 및 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀을 포함하고 있고, 이때, 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층을 포함하고 있다.That is, as shown in FIG. 2B, the heat sink 731 according to the second embodiment of the present invention includes a metal mesh layer formed on the first surface of the base substrate, and the metal mesh layer includes a plurality of metal mesh patterns And a hole located between the metal mesh patterns, wherein the adhesive layer for attaching the base metal and the metal mesh layer is included.

도 6a는 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 6b는 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 도시하는 공정 흐름도이며, 도 6c는 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이다. 다만, 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은 상술한 제1실시예의 제조하는 방법과 동일할 수 있다. 또한, 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은 후술할 바를 제외하고는 상술한 제1실시예 변형예의 제조하는 방법과 동일할 수 있으며, 구체적인 공정 흐름도는 후술하는 도 6b를 참조하기로 한다.FIG. 6A is a schematic structural view for manufacturing a heat sink according to a modification of the first embodiment of the present invention, FIG. 6B is a view showing a process for manufacturing a heat sink according to a modification of the first embodiment of the present invention And FIG. 6C is a schematic configuration diagram for manufacturing a heat sink according to a modification of the second embodiment of the present invention. However, the method of manufacturing the heat sink according to the modified example of the first embodiment of the present invention may be the same as the method of manufacturing the above-described first embodiment. The method of manufacturing the heat sink according to the modification of the second embodiment of the present invention may be the same as the method of manufacturing the modification of the first embodiment described above except for the following, 6b will be referred to.

먼저, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은, 베이스 기재 공급부(810)로부터 준비된 베이스 기재(811)를 제공한다(S200).Referring to FIGS. 6A and 6B, a method of manufacturing a heat sink according to a modification of the first embodiment of the present invention provides a base substrate 811 prepared from a base substrate supply unit 810 (S200).

다음으로, 상기 베이스 기재를 전처리 한다(S210).Next, the base substrate is pretreated (S210).

상기 전처리는 전처리 용액이 수용된 전처리용 수조(801)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의한 화학적 전처리법일 수 있다.The pretreatment may be a chemical pretreatment method by immersing the base material in a pretreatment water tank 801 containing a pretreatment solution.

다음으로, 전처리된 상기 베이스 기재를 수세하는 제1수세단계를 거친다(S220).Next, a first washing step of washing the pretreated base substrate is performed (S220).

상기 제1수세단계는 수세 용액이 수용된 제1수세용 수조(802)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The first water rinsing step may be performed by immersing the base substrate in a first water retention tank 802 containing a water-washing solution.

다음으로, 상기 베이스 기재 상에 접착층을 형성한다(S230).Next, an adhesive layer is formed on the base substrate (S230).

상기 접착층은 솔더층일 수 있으며, 상기 솔더층은 도금액을 포함하는 도금용 수조(803)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의해 공지된 전해도금법 또는 무전해도금법 등을 통해 형성할 수 있다.The adhesive layer may be a solder layer, and the solder layer may be formed by a known electrolytic plating method or electroless plating method by a method of immersing the base material in a plating water tank 803 including a plating liquid.

다음으로, 상기 접착층이 형성된 베이스 기재(812)를 수세하는 제2수세단계를 거친다(S240).Next, the base substrate 812 on which the adhesive layer is formed is washed (S240).

상기 제2수세단계는 수세 용액이 수용된 제2수세용 수조(804)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.And the second water rinsing step may be performed by immersing the base substrate in a second water retention tank 804 containing a water wash solution.

다음으로, 상기 접착층이 형성된 베이스 기재를 건조하는 단계를 거친다(S250).Next, the base substrate on which the adhesive layer is formed is dried (S250).

상기 건조 단계는 열풍건조로(805)에서 진행되는 열풍건조일 수 있다.The drying step may be hot air drying in the hot air drying furnace 805.

계속해서, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상술한 바와 같은 금속메쉬 제조장치를 통해 보호필름을 포함하는 금속메쉬층(821)을 제조하여, 보호필름을 포함하는 금속메쉬층을 제공한다(S260).6A and 6B, a metal mesh layer 821 including a protective film is manufactured through the above-described metal mesh manufacturing apparatus to provide a metal mesh layer including a protective film (S260 ).

상술한 바와 같이, 금속메쉬층을 제조하는 전착층박리단계에 있어서, 보호필름에 접착제를 도포하여, 이를 상기 메쉬형음극드럼의 표면의 메쉬에 형성된 금속메쉬층의 상부에 라미네이션한 후, 상기 보호필름 및 금속메쉬층을 동시에 박리할 수 있다.As described above, in the step of peeling the electrodeposited layer for producing the metal mesh layer, an adhesive is applied to the protective film, laminated on the metal mesh layer formed on the mesh of the surface of the mesh type negative electrode drum, The film and the metal mesh layer can be simultaneously peeled off.

또한, 이와는 달리, 별도의 보호필름 없이 메쉬형음극드럼의 메쉬로부터 금속메쉬층만을 분리하는 것도 가능하며, 이 경우, 공정상 용이 취급을 위하여, 전착층수세단계를 거쳐 수세된 금속메쉬를 별도의 보호필름에 부착하여 사용할 수도 있다.Alternatively, it is also possible to separate only the metal mesh layer from the mesh of the mesh cathode drum without a separate protective film. In this case, in order to facilitate handling in the process, the metal mesh, It may be used by being attached to a protective film.

본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크의 제조방법은 이러한, 보호필름을 포함하는 금속메쉬층을 사용한 것에 해당한다.The manufacturing method of the heat sink according to the modified example of the first embodiment of the present invention corresponds to the use of the metal mesh layer including the protective film.

계속해서, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상술한 바와 같이, 상기 금속메쉬층은 금속메쉬 패턴 및 금속메쉬 패턴 사이의 홀을 포함할 수 있으며, 이는 상술한 바와 같으므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.6A and 6B, as described above, the metal mesh layer may include a hole between the metal mesh pattern and the metal mesh pattern, which is as described above. .

한편, 도 6a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크에서는 상기 금속메쉬층을 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 공급하기 위해, 금속메쉬층의 공급부(820a, 820b)가 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 각각 위치할 수 있다.6A, in a heat sink according to a modification of the first embodiment of the present invention, in order to supply the metal mesh layer to the first surface and the second surface of the base substrate, (820a, 820b) may be located on the first and second surfaces of the base substrate, respectively.

다음으로, 접착층을 포함하는 베이스 기재의 상기 접착층 상에, 상기 금속메쉬층을 위치시키고 압착롤러(830a, 830b)에 의해 이를 압착시킨다(S270).Next, the metal mesh layer is placed on the adhesive layer of the base substrate including the adhesive layer, and the metal mesh layer is pressed by the pressing rollers 830a and 830b (S270).

상기 접착층에 상기 금속메쉬층을 위치시킴에 있어서, 상기 보호필름이 위치하는 반대면의 금속메쉬층을 상기 접착층 상에 위치시킨다.In positioning the metal mesh layer on the adhesive layer, the metal mesh layer on the opposite surface on which the protective film is placed is placed on the adhesive layer.

이때, 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크에서는 베이스 기재의 제1면에 위치하는 제1접착층 상에 상기 금속메쉬층 제1공급부(820a)로부터 제공된 제1금속메쉬층을 위치시키고, 베이스 기재의 제2면에 위치하는 제2접착층 상에 상기 금속메쉬층 제2공급부(820b)로부터 제공된 제2금속메쉬층을 위치시킨후, 압착롤러를 통해, 상기 제1금속메쉬층 및 제2금속메쉬층을 각각 제1접착층 및 제2접착층 상에 압착시킬 수 있다.At this time, in the heat sink according to the modified example of the first embodiment of the present invention, the first metal mesh layer provided from the first supply part 820a of the metal mesh layer is positioned on the first adhesive layer located on the first surface of the base substrate , A second metal mesh layer provided from the second metal mesh layer supplying portion 820b is positioned on a second adhesive layer located on a second surface of the base substrate, and then the first metal mesh layer and the second metal mesh layer 2 metal mesh layer on the first adhesive layer and the second adhesive layer, respectively.

한편, S270 단계까지 진행한 히트싱크(831)는 금속메쉬층이 보호필름을 포함하고 있기 때문에, 접착층과 접착하지 않은 금속메쉬층의 반대면에는 보호필름이 포함되어 있다.On the other hand, since the metal mesh layer includes the protective film, the heat sink 831, which has proceeded to step S270, includes a protective film on the opposite side of the metal mesh layer not adhered to the adhesive layer.

따라서, 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 히트싱크의 제조방법은, 최종 사용시, 상기 금속메쉬층으로부터 보호필름을 제거한다(S280).Accordingly, in the method of manufacturing the heat sink according to the modification of the first embodiment of the present invention, at the time of final use, the protective film is removed from the metal mesh layer (S280).

한편, 제1실시예와 비교하여, 상기 제1실시예의 변형예는 금속메쉬층의 상부, 보다 구체적으로, 접착층과 접착하지 않은 금속메쉬층의 반대면의 상부에 보호필름이 포함되어 있기 때문에, 히트싱크의 보호 특성 및 보관 특성이 용이할 수 있다.On the other hand, as compared with the first embodiment, the modified example of the first embodiment includes the protection film on the upper portion of the metal mesh layer, more specifically, on the opposite side of the metal mesh layer not adhered to the adhesive layer, The protection characteristics and storage characteristics of the heat sink can be facilitated.

이로써, 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크를 제조할 수 있다.Thus, a heat sink including a metal mesh layer according to a modification of the first embodiment of the present invention can be manufactured.

다음으로, 도 6c를 참조하면, 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은 베이스 기재 공급부(910)로부터 준비된 베이스 기재(911)를 제공한다.Next, referring to FIG. 6C, a method of manufacturing a heat sink according to a modification of the second embodiment of the present invention provides a base substrate 911 prepared from the base substrate supplying portion 910. Next, referring to FIG.

상기 전처리는 전처리 용액이 수용된 전처리용 수조(901)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의한 화학적 전처리법일 수 있다.The pretreatment may be a chemical pretreatment method by immersing the base substrate in a pretreatment water tank 901 containing a pretreatment solution.

상기 제1수세단계는 수세 용액이 수용된 제1수세용 수조(902)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The first water washing step may be performed by immersing the base substrate in a first water storage tank 902 containing a water-washing solution.

상기 접착층은 솔더층일 수 있으며, 상기 솔더층은 도금액을 포함하는 도금용 수조(903)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의해 공지된 전해도금법 또는 무전해도금법 등을 통해 형성할 수 있다.The adhesive layer may be a solder layer, and the solder layer may be formed by a known electrolytic plating method or electroless plating method by a method of immersing the base material in a plating water tank 903 containing a plating liquid.

다음으로, 상기 접착층이 형성된 베이스 기재를 수세하는 제2수세단계를 거친다.Next, the base substrate on which the adhesive layer is formed is subjected to a second water washing step.

상기 제2수세단계는 접착층 형성 공정에서 사용된 도금 용액 등을 수세하기 위한 공정으로, 수세 용액이 수용된 제2수세용 수조(904)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The second water rinsing step is a step of washing the plating solution or the like used in the adhesive layer forming step and may be performed by immersing the base substrate in a second water retention tank 904 containing the rinsing solution.

상기 건조 단계는 열풍건조로(905)에서 진행되는 열풍건조일 수 있다.The drying step may be hot air drying in the hot air drying furnace 905.

계속해서, 도 6c를 참조하면, 상술한 바와 같은 금속메쉬 제조장치를 통해 보호필름을 포함하는 금속메쉬층(921)을 제조하여, 보호필름을 포함하는 금속메쉬층을 제공한다.6C, a metal mesh layer 921 including a protective film is prepared through the above-described metal mesh production apparatus, and a metal mesh layer including a protective film is provided.

한편, 도 6c에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 히트싱크에서는 상기 금속메쉬층을 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면 중 어느 하나의 면, 예를 들면, 제1면에 공급하기 위해, 금속메쉬층의 공급부(920a)가 베이스 기재의 제1면에만 위치할 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 6C, in the heat sink according to the modification of the second embodiment of the present invention, the metal mesh layer is formed on one of the first and second surfaces of the base substrate, To supply to the first side, the supply portion 920a of the metal mesh layer may be located only on the first side of the base substrate.

즉, 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 히트싱크의 제조방법은 베이스 기재의 일면에만 금속메쉬층을 형성하는 실시예로써, 따라서, 본 발명에서는 상기 금속메쉬층을 베이스 기재의 제1면 및/또는 제2면에 형성할 수 있다.That is, the method of manufacturing the heat sink according to the modified example of the second embodiment of the present invention is an embodiment of forming a metal mesh layer on only one side of the base substrate. Accordingly, in the present invention, And / or on the second surface.

다음으로, 접착층을 포함하는 베이스 기재의 상기 접착층 상에, 상기 금속메쉬층을 위치시키고 압착롤러(930a, 930b)에 의해 이를 압착시킨다.Next, the metal mesh layer is placed on the adhesive layer of the base substrate including the adhesive layer, and the metal mesh layer is pressed by the pressing rollers 930a and 930b.

이때, 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 히트싱크에서는 베이스 기재의 제1면에 위치하는 제1접착층 상에 상기 금속메쉬층 제1공급부(920a)로부터 제공된 제1금속메쉬층을 위치시킨후, 압착롤러를 통해, 상기 제1금속메쉬층을 제1접착층 상에 압착시킬 수 있다.At this time, in the heat sink according to the modification of the second embodiment of the present invention, the first metal mesh layer provided from the first supply part 920a of the metal mesh layer is positioned on the first adhesive layer located on the first surface of the base substrate Then, the first metal mesh layer can be pressed onto the first adhesive layer through the pressing roller.

한편, 상술한 바와 같이, 상기 단계까지 진행한 히트싱크(931)는 금속메쉬층이 보호필름을 포함하고 있기 때문에, 접착층과 접착하지 않은 금속메쉬층의 반대면에는 보호필름이 포함되어 있다.On the other hand, as described above, since the metal mesh layer includes the protective film, the heat sink 931 that has progressed to the above step includes a protective film on the opposite side of the metal mesh layer not adhered to the adhesive layer.

따라서, 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 히트싱크의 제조방법은, 최종 사용시, 상기 금속메쉬층으로부터 보호필름을 제거한다.Therefore, in the method of manufacturing the heat sink according to the modification of the second embodiment of the present invention, the protective film is removed from the metal mesh layer at the time of final use.

한편, 제2실시예와 비교하여, 상기 제2실시예의 변형예는 금속메쉬층의 상부, 보다 구체적으로, 접착층과 접착하지 않은 금속메쉬층의 반대면의 상부에 보호필름이 포함되어 있기 때문에, 히트싱크의 보호 특성 및 보관 특성이 용이할 수 있다.On the other hand, as compared with the second embodiment, the modified example of the second embodiment includes the protective film on the upper portion of the metal mesh layer, more specifically, on the opposite side of the metal mesh layer not adhered to the adhesive layer, The protection characteristics and storage characteristics of the heat sink can be facilitated.

이로써, 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크를 제조할 수 있다.Thus, a heat sink including a metal mesh layer according to a modification of the second embodiment of the present invention can be manufactured.

도 7a는 본 발명에 따른 금속메쉬층의 일 예를 도시한 실사진이며, 도 7b는 본 발명에 따른 금속메쉬층의 다른 예를 도시한 실사진이다.FIG. 7A is a view showing an example of a metal mesh layer according to the present invention, and FIG. 7B is a view showing another example of a metal mesh layer according to the present invention.

도 7a에서와 같이, 본 발명에 따른 금속메쉬층의 평면 형상은 대략 사각형 형상일 수 있으며, 도 7b에서와 같이, 본 발명에 따른 금속메쉬층의 평면 형상은 대략 육각형일 수 있다.As shown in FIG. 7A, the planar shape of the metal mesh layer according to the present invention may be a substantially rectangular shape. As shown in FIG. 7B, the planar shape of the metal mesh layer according to the present invention may be substantially hexagonal.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 금속메쉬층을 금속 메쉬 제조용 연속전주장치를 통해 제조하는 경우, 상기 연속전주장치는 원통형 드럼을 포함하는데, 상기 원통형 드럼의 표면에 형성된 메쉬의 형태에 따라, 상기 금속메쉬층의 형상이 결정될 수 있다.As described above, in the case where the metal mesh layer according to the present invention is manufactured through the continuous electric pole apparatus for manufacturing a metal mesh, the continuous electric pole apparatus includes a cylindrical drum, and depending on the shape of the mesh formed on the surface of the cylindrical drum, The shape of the metal mesh layer can be determined.

즉, 연속전주장치의 원통형 드럼의 표면에는 제조하고자 하는 형상의 메쉬가 형성되고, 이때, 상기 메쉬는 대략 육각형이 여러 개 연결되는 망(網) 형상으로 형성되어 마치 벌집 형태로 구성될 수 있으며, 또한, 사각형, 삼각형, 오각형 등의 형상으로 형성될 수 있는데, 상기 메쉬의 형상이 육각형인 경우, 상기 금속메쉬층의 평면 형상도 육각형이 되고, 상기 메쉬의 형상이 사각형인 경우, 상기 금속메쉬층의 평면 형상도 사각형이 될 수 있다. 다만, 본 발명에서 상기 금속메쉬층의 형상을 한정하는 것은 아니다.That is, the mesh of the shape to be manufactured is formed on the surface of the cylindrical drum of the continuous electric pole apparatus, and the mesh may be formed in a net shape in which a plurality of hexagons are connected to each other, When the shape of the mesh is a hexagon, the planar shape of the metal mesh layer is also a hexagon, and when the shape of the mesh is a quadrangle, the shape of the metal mesh layer may be a square, a triangle, The planar shape of the projection lens may be a rectangle. However, the shape of the metal mesh layer is not limited in the present invention.

도 8a는 본 발명의 제3실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이고, 도 8b는 본 발명의 제4실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이며, 도 8c는 본 발명의 제5실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도다.8A is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a third embodiment of the present invention, FIG. 8B is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 8C is a cross- Sectional view showing the heat sink according to the second embodiment of the present invention.

이때, 제3실시예 내지 제5실시예에 따른 히트싱크는 후술할 바를 제외하고는 상술한 제1실시예에 따른 히트싱크와 동일할 수 있다.In this case, the heat sink according to the third to fifth embodiments may be the same as the heat sink according to the first embodiment except for the following.

먼저, 도 8a를 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 히트싱크(300)는 베이스 기재(110)의 제1면 및 제2면에 각각 형성되는 금속메쉬층(330a, 330b)을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 각각 복수의 금속메쉬 패턴(331a, 331b) 및 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀(332a, 332b)을 포함하고 있고, 이때, 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층(120a, 120b)을 포함하고 있다.Referring to FIG. 8A, the heat sink 300 according to the third embodiment of the present invention includes metal mesh layers 330a and 330b formed on the first and second surfaces of the base substrate 110, respectively. And the metal mesh layer includes a plurality of metal mesh patterns 331a and 331b and holes 332a and 332b positioned between the metal mesh patterns. At this time, And adhesive layers 120a and 120b.

이때, 본 발명의 제3실시예에 따른 히트싱크는 제1실시예와 비교하여, 금속메쉬 패턴의 형상이 상이할 수 있다.In this case, the shape of the metal mesh pattern may be different from that of the first embodiment in the heat sink according to the third embodiment of the present invention.

보다 구체적으로, 제1금속메쉬층(330a)의 제1금속메쉬 패턴(331a)는 하단부(331a₂) 및 상단부(331a₁)를 포함하고, 제2금속메쉬층(330b)의 제2금속메쉬 패턴(331b)는 하단부(331b₂) 및 상단부(331b₁)를 포함하며, 이때, 각각의 상단부(331a₁, 331b₁)의 폭은 각각의 하단부(331a₂, 331b₂)의 폭보다 큰 것을 특징으로 한다.More specifically, the first metal mesh pattern 331a of the first metal mesh layer 330a includes the lower end portion 331a ₂ and the upper end portion 331a ₁ , and the second metal mesh layer 330b includes the second metal mesh pattern 331a, pattern that (331b) is larger than the width of the lower end (331b _2), and an upper end comprising a (331b _1), wherein, each of the upper end of (331a _{_1,} 331b ₁₎ the lower end is the width of each (331a _{_2,} 331b ₂₎ .

즉, 본 발명에서는 상단부(331a₁, 331b₁)의 폭을 하단부(331a₂, 331b₂)의 폭보다 크게 형성함으로써, 상단부의 표면적을 증대시켜 방열특성을 향상시킬 수 있다.That is, in the present invention, by forming the widths of the upper ends 331a ₁ and 331b ₁ larger than the widths of the lower ends 331a ₂ and 331b ₂ , the surface area of the upper ends can be increased to improve the heat radiation characteristics.

한편, 본 발명에서 상단부와 하단부의 기준은 각각의 금속메쉬층이 접합되는 베이스 기재의 면을 기준으로 하는 것으로, 즉, 제1금속메쉬 패턴은 베이스 기재의 제1면을 기준으로 상단부와 하단부를 구분할 수 있으며, 제2금속메쉬 패턴은 베이스 기재의 제2면을 기준으로 상단부와 하단부를 구분할 수 있다.In the present invention, the reference of the upper and lower ends is based on the surface of the base substrate to which the respective metal mesh layers are bonded, that is, the first metal mesh pattern is formed with the upper and lower ends And the second metal mesh pattern can be divided into an upper portion and a lower portion based on the second surface of the base substrate.

다음으로, 도 8b를 참조하면, 본 발명의 제4실시예에 따른 히트싱크(400)는 베이스 기재(110)의 제1면 및 제2면에 각각 형성되는 금속메쉬층(430a, 430b)을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 각각 복수의 금속메쉬 패턴(431a, 431b) 및 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀(432a, 432b)을 포함하고 있고, 이때, 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층(120a, 120b)을 포함하고 있다.8B, the heat sink 400 according to the fourth embodiment of the present invention includes metal mesh layers 430a and 430b formed on the first and second surfaces of the base substrate 110, respectively, Wherein the metal mesh layer includes a plurality of metal mesh patterns 431a and 431b and holes 432a and 432b located between the metal mesh patterns, The adhesive layers 120a and 120b.

이때, 본 발명의 제4실시예에 따른 히트싱크는 제1실시예와 비교하여, 금속메쉬 패턴의 형상이 상이할 수 있다.At this time, the shape of the metal mesh pattern may be different from that of the heat sink according to the fourth embodiment of the present invention, as compared with the first embodiment.

보다 구체적으로, 제1금속메쉬층(430a)의 제1금속메쉬 패턴(431a)은 하단부(431a₂) 및 상단부(431a₁)를 포함하고, 제2금속메쉬층(430b)의 제2금속메쉬 패턴(431b)은 하단부(431b₂) 및 상단부(431b₁)를 포함하며, 이때, 각각의 상단부(431a₁, 431b₁)의 폭은 각각의 하단부(431a₂, 431b₂)의 폭보다 큰 것을 특징으로 한다.More specifically, the first metal mesh pattern 431a of the first metal mesh layer 430a includes a lower end portion 431a ₂ and an upper end portion 431a ₁ , and the second metal mesh layer 430b includes a second metal mesh pattern 431a, pattern (431b) comprises a lower end (431b ₂₎ and the upper end portion (431b _1), wherein, each of the upper end is the width of the (431a _{_1,} 431b ₁₎ is larger than the width of each lower end portion (431a _{_2,} 431b ₂₎ .

즉, 본 발명에서는 상단부(431a₁, 431b₁)의 폭을 하단부(431a₂, 431b₂)의 폭보다 크게 하고, 금속메쉬 패턴의 하단부에서 상단부로 갈수록 폭이 증가하는 형태일 수 있다.That is, in the present invention, the widths of the upper ends 431a ₁ and 431b ₁ may be greater than the widths of the lower ends 431a ₂ and 431b ₂ , and the width may be increased from the lower end to the upper end of the metal mesh pattern.

다음으로, 도 8c를 참조하면, 본 발명의 제5실시예에 따른 히트싱크(500)는 베이스 기재(110)의 제1면 및 제2면에 각각 형성되는 금속메쉬층(530a, 530b)을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 각각 복수의 금속메쉬 패턴(531a, 531b) 및 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀(532a, 532b)을 포함하고 있고, 이때, 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층(120a, 120b)을 포함하고 있다.Referring to FIG. 8C, the heat sink 500 according to the fifth embodiment of the present invention includes metal mesh layers 530a and 530b formed on the first and second surfaces of the base substrate 110, respectively, Wherein the metal mesh layer includes a plurality of metal mesh patterns 531a and 531b and holes 532a and 532b positioned between the metal mesh patterns, The adhesive layers 120a and 120b.

이때, 본 발명의 제5실시예에 따른 히트싱크는 제1실시예와 비교하여, 금속메쉬 패턴의 형상이 상이할 수 있다.At this time, the shape of the metal mesh pattern may be different from that of the heat sink according to the fifth embodiment of the present invention, as compared with the first embodiment.

보다 구체적으로, 제1금속메쉬층(530a)의 제1금속메쉬 패턴(531a)는 하단부(531a₂) 및 상단부(531a₁)를 포함하고, 제2금속메쉬층(530b)의 제2금속메쉬 패턴(531b)는 하단부(531b₂) 및 상단부(531b₁)를 포함하며, 이때, 각각의 상단부(531a₁, 531b₁)의 폭은 각각의 하단부(531a₂, 531b₂)의 폭보다 작은 것을 특징으로 한다.More specifically, the first metal mesh pattern 531a of the first metal mesh layer 530a includes the lower end portion 531a ₂ and the upper end portion 531a ₁ , and the second metal mesh layer 530b includes the second metal mesh pattern 531a, pattern (531b) is smaller than the width of the lower end (531b _2), and an upper end comprising a (531b _1), wherein, each of the upper end of (531a _{_1,} 531b ₁₎ the lower end is the width of each (531a _{_2,} 531b ₂₎ .

즉, 본 발명에서는 상단부(531a₁, 531b₁)의 폭을 하단부(531a₂, 531b₂)의 폭보다 작게 하여, 상단부의 폭이 하단부의 폭보다 작게 형성할 수 있다.That is, in the present invention, the widths of the upper end portions 531a ₁ and 531b ₁ may be smaller than the widths of the lower end portions 531a ₂ and 531b ₂ , and the width of the upper end portion may be smaller than the width of the lower end portion.

이때, 도 8c에는 상기 상단부(531a₁, 531b₁)의 단면 형상이 반원형태로 도시되어 있으나, 상단부의 폭이 하단부의 폭보다 작게 형성되는 범위 내에서, 상기 상단부의 단면 형상을 제한하는 것은 아니다. In this case, although the sectional shapes of the upper ends 531a ₁ and 531b ₁ are shown in a semicircular shape in FIG. 8c, the sectional shapes of the upper ends are not limited within a range in which the width of the upper ends is smaller than the width of the lower ends .

도 9a는 본 발명의 제3실시예에 따른 히트싱크의 금속메쉬 패턴의 단면을 도시하는 사진이고, 도 9b는 본 발명의 제4실시예에 따른 히트싱크의 금속메쉬 패턴의 단면을 도시하는 사진이며, 도 9c는 본 발명의 제5실시예에 따른 히트싱크의 금속메쉬 패턴의 단면을 도시하는 사진이다.FIG. 9A is a photograph showing a cross section of a metal mesh pattern of a heat sink according to a third embodiment of the present invention, FIG. 9B is a photograph showing a cross section of a metal mesh pattern of a heat sink according to the fourth embodiment of the present invention And FIG. 9C is a photograph showing a cross section of the metal mesh pattern of the heat sink according to the fifth embodiment of the present invention.

도 9a 내지 도 9c에 도시된 바와 같이, 금속메쉬층(330a, 430a, 530a)의 금속메쉬 패턴의 형상이, 상술한 도 8a 내지 도 8c에서 설명한 바와 같이 제조될 수 있다.As shown in Figs. 9A to 9C, the shape of the metal mesh pattern of the metal mesh layers 330a, 430a, and 530a can be manufactured as described in Figs. 8A to 8C.

도 10은 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크를 도시한 단면도이다. 이때, 제6실시예에 따른 히트싱크는 후술할 바를 제외하고는 상술한 제1실시예에 따른 히트싱크와 동일할 수 있다.10 is a cross-sectional view illustrating a heat sink according to a sixth embodiment of the present invention. At this time, the heat sink according to the sixth embodiment may be the same as the heat sink according to the first embodiment except for the following.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크(600)는 베이스 기재(110)의 제1면 및 제2면에 각각 형성되는 금속메쉬층(130a, 130b)을 포함하며, 상기 금속메쉬층은 각각 복수의 금속메쉬 패턴(131a, 131b) 및 금속메쉬 패턴의 사이에 위치하는 홀(132a, 132b)을 포함하고, 상기 베이스 기재와 금속메쉬층을 부착하기 위한 접착층을 포함하고 있다.10, the heat sink 600 according to the sixth embodiment of the present invention includes metal mesh layers 130a and 130b formed on the first and second surfaces of the base substrate 110, respectively, The metal mesh layer includes a plurality of metal mesh patterns 131a and 131b and holes 132a and 132b positioned between the metal mesh patterns and includes an adhesive layer for attaching the base metal and the metal mesh layer have.

이때, 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크는 제1실시예와 비교하여, 접착층의 구조가 상이할 수 있다.At this time, the heat sink according to the sixth embodiment of the present invention may have a different structure of the adhesive layer as compared with the first embodiment.

즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 접착층은 상기 베이스 기재(110)의 제1면 및 제2면에 각각 위치하는 제1접착층(120a, 120b) 및 상기 금속메쉬층(130a, 130b) 상에 각각 위치하는 제2접착층(140a, 140b)을 포함하며, 제1접착층(120a, 120b)과 제2접착층(140a, 140b)의 부착을 통해, 상기 베이스 기재와 상기 금속메쉬층이 부착될 수 있다.10, the adhesive layer includes first adhesive layers 120a and 120b disposed on the first and second surfaces of the base substrate 110, and first adhesive layers 120a and 120b disposed on the metal mesh layers 130a and 130b. The base substrate and the metal mesh layer can be attached to each other through the adhesion of the first adhesive layers 120a and 120b and the second adhesive layers 140a and 140b, have.

도 11a는 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 11b는 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 도시하는 공정 흐름도이다. 이때, 제6실시예에 따른 히트싱크의 제조방법은 후술할 바를 제외하고는 상술한 제1실시예에 따른 히트싱크의 제조방법과 동일할 수 있다.FIG. 11A is a schematic structural view for manufacturing a heat sink according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 11B is a process flowchart showing a method of manufacturing the heat sink according to the sixth embodiment of the present invention. At this time, the manufacturing method of the heat sink according to the sixth embodiment may be the same as the manufacturing method of the heat sink according to the first embodiment except for the following.

도 11a 및 도 11b를 참조하면, 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은, 베이스 기재 공급부(1010)로부터 준비된 베이스 기재(1011)를 제공한다(S300).Referring to FIGS. 11A and 11B, a method of manufacturing a heat sink according to a sixth embodiment of the present invention provides a base substrate 1011 prepared from a base substrate supplying unit 1010 (S300).

다음으로, 상기 베이스 기재를 전처리 한다(S310).Next, the base substrate is pre-treated (S310).

상기 전처리는 전처리 용액이 수용된 전처리용 수조(1001)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의한 화학적 전처리법일 수 있다.The pretreatment may be a chemical pretreatment method by immersing the base material in a pretreatment water tank 1001 containing a pretreatment solution.

다음으로, 전처리된 상기 베이스 기재를 수세하는 제1수세단계를 거친다(S320).Next, a first washing step of washing the pretreated base substrate is performed (S320).

상기 제1수세단계는 수세 용액이 수용된 제1수세용 수조(1002)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The first water washing step may be performed by immersing the base substrate in a first water storage tank 1002 in which the water washing solution is contained.

다음으로, 상기 베이스 기재 상에 제1접착층을 형성한다(S330).Next, a first adhesive layer is formed on the base substrate (S330).

상기 제1접착층은 솔더층일 수 있으며, 상기 솔더층은 도금액을 포함하는 도금용 수조(1003)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의해 공지된 전해도금법 또는 무전해도금법 등을 통해 형성할 수 있다.The first adhesive layer may be a solder layer, and the solder layer may be formed by a known electrolytic plating method or electroless plating method by a method of immersing the base material in a plating water tank 1003 including a plating liquid.

다음으로, 상기 제1접착층이 형성된 베이스 기재(1012)를 수세하는 제2수세단계를 거친다(S340).Next, the base substrate 1012 on which the first adhesive layer is formed is subjected to a second water washing step (S340).

상기 제2수세단계는 수세 용액이 수용된 제2수세용 수조(1004)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The second water rinsing step may be performed by immersing the base substrate in a second water storage tank 1004 containing a water-washing solution.

다음으로, 상기 제1접착층이 형성된 베이스 기재를 건조하는 단계를 거친다(S350).Next, the base substrate on which the first adhesive layer is formed is dried (S350).

상기 건조 단계는 열풍건조로(1005)에서 진행되는 열풍건조일 수 있다.The drying step may be hot air drying in the hot air drying furnace 1005.

계속해서, 도 11a 및 도 11b를 참조하면, 상술한 바와 같은 금속메쉬 제조장치를 통해 금속메쉬층(1021)을 제조하여, 금속메쉬층을 제공한다(S360).11A and 11B, a metal mesh layer 1021 is prepared through the above-described metal mesh manufacturing apparatus to provide a metal mesh layer (S360).

한편, 도 11a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크에서는 상기 금속메쉬층을 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 공급하기 위해, 금속메쉬층의 공급부(1020a, 1020b)가 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 각각 위치할 수 있다.11A, in the heat sink according to the sixth embodiment of the present invention, in order to supply the metal mesh layer to the first surface and the second surface of the base substrate, a supply portion 1020a of the metal mesh layer , 1020b may be located on the first and second surfaces of the base substrate, respectively.

다음으로, 상기 금속메쉬층을 전처리 한다(S361).Next, the metal mesh layer is pretreated (S361).

상기 전처리는 일반적인 화학적 전처리법일 수 있으며, 상기 화학적 전처리법은 산세 및 탈지와 같이, 산성 또는 알카리성 용액에 대상재, 즉 금속메쉬층을 침지시키거나, 이러한 용액을 대상재에 분무하여 금속재 표면의 기름, 오염물, 및 불순물 등을 제거하는 방법일 수 있다.The pretreatment may be a general chemical pretreatment. The chemical pretreatment may be performed by immersing the object material, that is, the metal mesh layer, into an acidic or alkaline solution, such as pickling and degreasing, , Contaminants, impurities, and the like.

본 발명에서 상기 전처리는 전처리 용액이 수용된 전처리용 수조(1021a, 1021b)에 상기 금속메쉬층을 침지시키는 방법에 의한 화학적 전처리법일 수 있으며, 다만, 본 발명에서 전처리하는 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 전처리 공정은 생략할 수 있다.In the present invention, the pretreatment may be a chemical pretreatment method by immersing the metal mesh layer in the pretreatment water tanks 1021a and 1021b containing the pretreatment solution. However, the method of pretreatment in the present invention is not limited thereto, , The pre-processing step may be omitted.

다음으로, 전처리된 상기 금속메쉬층을 수세하는 제1수세단계를 거친다(S362).Next, a first washing step of washing the pretreated metal mesh layer is performed (S362).

상기 제1수세단계는 전처리 공정에서 사용된 전처리 용액 등을 제거하기 위한 공정으로, 수세 용액이 수용된 제1수세용 수조(1022a, 1022b)에 상기 금속메쉬층을 침지시키는 방법에 의할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 수세하는 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 제1수세 공정은 생략할 수 있다.The first water washing step is a step for removing the pretreatment solution used in the pretreatment step and may be performed by immersing the metal mesh layer in the first water storage tank 1022a or 1022b containing the water wash solution. However, the method of washing in the present invention is not limited, and if necessary, the first washing step may be omitted.

다음으로, 상기 금속메쉬층 상에 제2접착층을 형성한다(S363).Next, a second adhesive layer is formed on the metal mesh layer (S363).

상기 접착층은 솔더층일 수 있으며, 상기 솔더층은 도금액을 포함하는 도금용 수조(1023a, 1023b)에 상기 금속메쉬층을 침지시키는 방법에 의해 공지된 전해도금법 또는 무전해도금법 등을 통해 형성할 수 있고, 다만, 본 발명에서 상기 솔더층의 형성방법을 한정하는 것은 아니다.The adhesive layer may be a solder layer, and the solder layer may be formed by a known electrolytic plating method or electroless plating method by immersing the metal mesh layer in a plating water tank 1023a, 1023b containing a plating liquid However, the method of forming the solder layer in the present invention is not limited thereto.

다음으로, 상기 제2접착층이 형성된 금속메쉬층(1022)을 수세하는 제2수세단계를 거친다(S364).Next, the metal mesh layer 1022 on which the second adhesive layer is formed is washed (S264).

상기 제2수세단계는 접착층 형성 공정에서 사용된 도금 용액 등을 수세하기 위한 공정으로, 수세 용액이 수용된 제2수세용 수조(1024a, 1024b)에 상기 금속메쉬층을 침지시키는 방법에 의할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 수세하는 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 제2수세 공정은 생략할 수 있다.The second water rinsing step is a step of washing the plating solution or the like used in the adhesive layer forming step and may be performed by immersing the metal mesh layer in the second water storage tank 1024a or 1024b containing the rinsing solution , But the method of washing in the present invention is not limited, and if necessary, the second washing step may be omitted.

다음으로, 상기 제2접착층이 형성된 금속메쉬층을 건조하는 단계를 거친다(S365).Next, the metal mesh layer on which the second adhesive layer is formed is dried (S365).

상기 건조 단계는 열풍건조로(1025a, 1025b)에서 진행되는 열풍건조일 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 건조 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 건조 공정은 생략할 수 있다.The drying step may be hot air drying in the hot air drying furnaces 1025a and 1025b, but the drying method is not limited in the present invention, and the drying step may be omitted if necessary.

다음으로, 제1접착층을 포함하는 베이스 기재와 제2접착층을 포함하는 금속메쉬층을 배치하되, 상기 제1접착층 상에 상기 제2접착층을 위치시키고, 압착롤러(1030a, 1030b)에 의해 이를 압착시킨다(S370).Next, a metal mesh layer including a base substrate including a first adhesive layer and a second adhesive layer is disposed, the second adhesive layer is placed on the first adhesive layer, and the pressurizing rollers 1030a and 1030b press them (S370).

이때, 상기 제1접착층 및 제2접착층을 압착시킴에 있어, 접착특성을 향상시키기 위해, 일정온도를 가하는 것이 바람직하며, 상기 일정온도는 150 ~ 500 ℃ 일 수 있다.At this time, it is preferable to apply a certain temperature in order to improve the adhesive property in the pressing of the first adhesive layer and the second adhesive layer, and the predetermined temperature may be 150 to 500 ° C.

이로써, 본 발명의 제6실시예에 따른 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크를 제조할 수 있다.Thus, a heat sink including the metal mesh layer according to the sixth embodiment of the present invention can be manufactured.

즉, 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제6실시예에 따른 히트싱크(1031)는 상기 접착층은 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 각각 위치하는 제1접착층 및 상기 금속메쉬층 상에 각각 위치하는 제2접착층을 포함하며, 제1접착층과 제2접착층의 부착을 통해, 상기 베이스 기재와 상기 금속메쉬층이 부착될 수 있다.10, in the heat sink 1031 according to the sixth embodiment of the present invention, the adhesive layer includes a first adhesive layer positioned on the first and second surfaces of the base substrate, Wherein the base substrate and the metal mesh layer are attached to each other through adhesion of the first adhesive layer and the second adhesive layer.

한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 본 발명의 제6실시예에서도, 상술한 제1실시예와 동일하게, 베이스 기재의 제1면 및 제2면 중 어느 하나의 면에만 금속메쉬층이 위치할 수 있다.On the other hand, although not shown in the drawings, in the sixth embodiment of the present invention, as in the first embodiment described above, the metal mesh layer may be located only on one of the first surface and the second surface of the base substrate have.

도 12a는 본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 12b는 본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법을 도시하는 공정 흐름도이다. 다만, 본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은 상술한 제6실시예의 제조하는 방법과 동일할 수 있다. FIG. 12A is a schematic structural view for manufacturing a heat sink according to a modification of the sixth embodiment of the present invention, FIG. 12B is a view showing a process for manufacturing a heat sink according to a modification of the sixth embodiment of the present invention FIG. However, the method of manufacturing the heat sink according to the modified example of the sixth embodiment of the present invention may be the same as the method of manufacturing the sixth embodiment.

도 12a 및 도 12b를 참조하면, 본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 히트싱크를 제조하는 방법은, 베이스 기재 공급부(1110)로부터 준비된 베이스 기재(1111)를 제공한다(S400).Referring to FIGS. 12A and 12B, a method of manufacturing a heat sink according to a modification of the sixth embodiment of the present invention provides a base substrate 1111 prepared from a base substrate supplying portion 1110 (S400).

다음으로, 상기 베이스 기재를 전처리 한다(S410).Next, the base substrate is pretreated (S410).

상기 전처리는 전처리 용액이 수용된 전처리용 수조(1101)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의한 화학적 전처리법일 수 있다.The pretreatment may be a chemical pretreatment method by immersing the base material in a pretreatment water tank 1101 containing a pretreatment solution.

다음으로, 전처리된 상기 베이스 기재를 수세하는 제1수세단계를 거친다(S420).Next, a first washing step of washing the pretreated base substrate is performed (S420).

상기 제1수세단계는 수세 용액이 수용된 제1수세용 수조(1102)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The first water washing step may be performed by immersing the base substrate in a first water storage tank 1102 containing a water-washing solution.

다음으로, 상기 베이스 기재 상에 제1접착층을 형성한다(S430).Next, a first adhesive layer is formed on the base substrate (S430).

상기 제1접착층은 솔더층일 수 있으며, 상기 솔더층은 도금액을 포함하는 도금용 수조(1103)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의해 공지된 전해도금법 또는 무전해도금법 등을 통해 형성할 수 있다.The first adhesive layer may be a solder layer, and the solder layer may be formed by a known electrolytic plating method or electroless plating method by immersing the base substrate in a plating water tank 1103 containing a plating liquid.

다음으로, 상기 제1접착층이 형성된 베이스 기재(1112)를 수세하는 제2수세단계를 거친다(S440).Next, the base substrate 1112 on which the first adhesive layer is formed is washed (S240).

상기 제2수세단계는 수세 용액이 수용된 제2수세용 수조(1104)에 상기 베이스 기재를 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The second water rinsing step may be performed by immersing the base substrate in a second water storage tank 1104 containing a water-washing solution.

다음으로, 상기 접착층이 형성된 베이스 기재를 건조하는 단계를 거친다(S450).Next, the base substrate on which the adhesive layer is formed is dried (S450).

상기 건조 단계는 열풍건조로(1105)에서 진행되는 열풍건조일 수 있다.The drying step may be a hot air drying process in the hot air drying furnace 1105.

계속해서, 도 12a 및 도 12b를 참조하면, 상술한 바와 같은 금속메쉬 제조장치를 통해 보호필름을 포함하는 금속메쉬층(1121)을 제조하여, 보호필름을 포함하는 금속메쉬층을 제공한다(S460).12A and 12B, a metal mesh layer 1121 including a protective film is manufactured through the above-described metal mesh manufacturing apparatus to provide a metal mesh layer including a protective film (S460 ).

본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 히트싱크의 제조방법은 이러한, 보호필름을 포함하는 금속메쉬층을 사용한 것에 해당한다.The manufacturing method of the heat sink according to the modified example of the sixth embodiment of the present invention corresponds to the use of the metal mesh layer including the protective film.

계속해서, 도 12a 및 도 12b를 참조하면, 상술한 바와 같이, 상기 금속메쉬층은 금속메쉬 패턴 및 금속메쉬 패턴 사이의 홀을 포함할 수 있으며, 이는 상술한 바와 같으므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.12A and 12B, as described above, the metal mesh layer may include a hole between a metal mesh pattern and a metal mesh pattern, which is as described above. .

한편, 도 12a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 히트싱크에서는 상기 금속메쉬층을 상기 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 공급하기 위해, 금속메쉬층의 공급부(1120a, 1120b)가 베이스 기재의 제1면 및 제2면에 각각 위치할 수 있다.12A, in a heat sink according to a modification of the sixth embodiment of the present invention, in order to supply the metal mesh layer to the first surface and the second surface of the base substrate, (1120a, 1120b) may be located on the first and second surfaces of the base substrate, respectively.

다음으로, 상기 금속메쉬층을 전처리 한다(S461).Next, the metal mesh layer is pretreated (S461).

상기 전처리는 전처리 용액이 수용된 전처리용 수조(1121a, 1121b)에 상기 금속메쉬층을 침지시키는 방법에 의한 화학적 전처리법일 수 있다.The pretreatment may be a chemical pretreatment method by immersing the metal mesh layer in a pretreatment water tank 1121a or 1121b containing a pretreatment solution.

다음으로, 전처리된 상기 금속메쉬층을 수세하는 제1수세단계를 거친다(S462).Next, a first washing step of washing the pretreated metal mesh layer is performed (S462).

상기 제1수세단계는 수세 용액이 수용된 제1수세용 수조(1122a, 1122b)에 상기 금속메쉬층을 침지시키는 방법에 의할 수 있다.The first water rinsing step may be performed by immersing the metal mesh layer in the first water storage tank 1122a or 1122b containing the water wash solution.

다음으로, 상기 금속메쉬층 상에 제2접착층을 형성한다(S463).Next, a second adhesive layer is formed on the metal mesh layer (S463).

상기 제2접착층은 솔더층일 수 있으며, 상기 솔더층은 도금액을 포함하는 도금용 수조(1123a, 1123b)에 상기 금속메쉬층을 침지시키는 방법에 의해 공지된 전해도금법 또는 무전해도금법 등을 통해 형성할 수 있다.The second adhesive layer may be a solder layer, and the solder layer may be formed by a known electrolytic plating method or electroless plating method by immersing the metal mesh layer in a plating water tank 1123a or 1123b containing a plating liquid .

다음으로, 상기 제2접착층이 형성된 금속메쉬층(1122)을 수세하는 제2수세단계를 거친다(S464).Next, the metal mesh layer 1122 having the second adhesive layer formed thereon is washed with water (step S464).

상기 제2수세단계는 수세 용액이 수용된 제2수세용 수조(1124a, 1124b)에 상기 금속메쉬층을 침지시키는 방법에 의할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 수세하는 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 제2수세 공정은 생략할 수 있다.The second water rinsing step may be carried out by immersing the metal mesh layer in the second water storage tank 1124a or 1124b containing the water rinse solution. However, the method of water rinsing in the present invention is not limited, , The second washing step may be omitted.

다음으로, 상기 제2접착층이 형성된 금속메쉬층을 건조하는 단계를 거친다(S465).Next, the metal mesh layer on which the second adhesive layer is formed is dried (S465).

상기 건조 단계는 열풍건조로(1125a, 1125b)에서 진행되는 열풍건조일 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 건조 방법을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라, 상기 건조 공정은 생략할 수 있다.The drying step may be hot air drying in the hot air drying furnaces 1125a and 1125b. However, the drying method is not limited to the present invention, and the drying step may be omitted if necessary.

다음으로, 제1접착층을 포함하는 베이스 기재와 제2접착층을 포함하는 금속메쉬층을 배치하되, 상기 제1접착층 상에 상기 제2접착층을 위치시키고, 압착롤러(1130a, 1130b)에 의해 이를 압착시킨다(S470).Next, a metal mesh layer including a base material including a first adhesive layer and a second adhesive layer is disposed, the second adhesive layer is placed on the first adhesive layer, and the pressurizing rollers 1130a and 1130b press them (S470).

한편, S470 단계까지 진행한 히트싱크(1131)는 금속메쉬층이 보호필름을 포함하고 있기 때문에, 접착층과 접착하지 않은 금속메쉬층의 반대면에는 보호필름이 포함되어 있다.On the other hand, since the metal mesh layer includes the protective film, the heat sink 1131 proceeding to step S470 includes a protective film on the opposite side of the metal mesh layer not adhered to the adhesive layer.

따라서, 본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 히트싱크의 제조방법은, 최종 사용시, 상기 금속메쉬층으로부터 보호필름을 제거한다(S480).Therefore, in the method of manufacturing the heat sink according to the modification of the sixth embodiment of the present invention, the protective film is removed from the metal mesh layer at the final use (S480).

이로써, 본 발명의 제6실시예의 변형예에 따른 금속메쉬층을 포함하는 히트싱크를 제조할 수 있다.Thus, a heat sink including a metal mesh layer according to a modification of the sixth embodiment of the present invention can be manufactured.

한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 본 발명의 제6실시예의 변형예에서도, 상술한 제1실시예와 동일하게, 베이스 기재의 제1면 및 제2면 중 어느 하나의 면에만 금속메쉬층이 위치할 수 있다.On the other hand, although not shown in the drawing, in the modified example of the sixth embodiment of the present invention, as in the first embodiment described above, the metal mesh layer is positioned only on one of the first surface and the second surface of the base substrate can do.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100, 200, 300, 400 : 히트싱크
110 : 베이스 기재 120a, 120b, 220 : 접착층
130a, 130b, 230, 330a, 330b, 430a, 430b : 금속메쉬층
131a, 131b, 231, 331a, 331b, 431a, 431b : 금속메쉬 패턴
132a, 132b, 232, 332a, 332b, 332a, 332b : 홀100, 200, 300, 400: Heat sink
110: base substrate 120a, 120b, 220: adhesive layer
130a, 130b, 230, 330a, 330b, 430a, 430b: metal mesh layer
131a, 131b, 231, 331a, 331b, 431a, 431b: metal mesh pattern
132a, 132b, 232, 332a, 332b, 332a, 332b: holes

Claims

A base substrate;
An adhesive layer disposed on the base substrate; And
And a metal mesh layer disposed on the adhesive layer,
Wherein the metal mesh layer includes a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns,
Wherein the base substrate is one of stainless steel, nickel, copper, iron, aluminum, titanium or an alloy thereof, or one obtained by surface-treating carbon, nickel, titanium or silver on the surface of aluminum, copper, iron or stainless steel .

The method according to claim 1,
The metal mesh layer may be formed of at least one material selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag), chromium (Cr), nickel (Ni), iron (Fe), cobalt (Co), aluminum .

The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer is a solder layer and the solder layer is formed of lead (Pb), tin (Sn), zinc (Zn), indium (In), cadmium (Cd), bismuth (Bi) Heatsink.

The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer comprises a first adhesive layer and a second adhesive layer, the metal mesh layer comprising a first metal mesh layer and a second metal mesh layer,
Wherein the first adhesive layer is located on a first side of the base substrate and the second adhesive layer is located on a second side of the base substrate,
Wherein the first metal mesh layer is located on the first adhesive layer and the second metal mesh layer is located on the second adhesive layer.

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3. The method of claim 2,
Wherein the base substrate and the metal mesh layer are made of aluminum or an aluminum alloy.

The method according to claim 1,
Wherein the metal mesh pattern includes a lower end portion and an upper end portion,
Wherein a width of the upper end portion is larger than a width of the lower end portion.

The method according to claim 1,
Wherein the metal mesh pattern includes a lower end portion and an upper end portion,
And the width of the metal mesh pattern increases from the lower end to the upper end.

A base substrate;
A metal mesh layer formed on the first and second surfaces of the base substrate, the metal mesh layer including a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns; And
And an adhesive layer for attaching the base substrate and the metal mesh layer,
Wherein the adhesive layer comprises a first adhesive layer positioned on each of the first and second surfaces of the base substrate and a second adhesive layer positioned on the metal mesh layer, respectively, wherein the first adhesive layer and the second adhesive layer are attached ,
Wherein the base substrate is one of stainless steel, nickel, copper, iron, aluminum, titanium or an alloy thereof, or one obtained by surface-treating carbon, nickel, titanium or silver on the surface of aluminum, copper, iron or stainless steel .

Providing a base substrate;
Providing a metal mesh layer comprising a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns;
Forming an adhesive layer on the base substrate; And
Placing a metal mesh layer on the adhesive layer, and pressing the metal mesh layer,
Wherein the base substrate is one of stainless steel, nickel, copper, iron, aluminum, titanium or an alloy thereof, or one obtained by surface-treating carbon, nickel, titanium or silver on the surface of aluminum, copper, iron or stainless steel Of the heat sink.

11. The method of claim 10,
Wherein forming the adhesive layer on the base substrate includes forming a first adhesive layer on the first surface of the base substrate and forming a second adhesive layer on the second surface of the base substrate,
Wherein providing the metal mesh layer comprises providing a first metal mesh layer and providing a second metal mesh layer,
Wherein the first metal mesh layer is positioned on the first adhesive layer and the second metal mesh layer is positioned on the second adhesive layer.

11. The method of claim 10,
After providing the base substrate,
Pretreating the base substrate; And a first rinsing step of washing the pretreated base substrate.

13. The method of claim 12,
After forming the adhesive layer on the base substrate,
And a second water rinsing step of rinsing the base substrate on which the adhesive layer is formed.

11. The method of claim 10,
Wherein providing the metal mesh layer comprises:
Providing a pole master comprising a mesh having a shape corresponding to a shape of a metal mesh layer to be manufactured;
At least any one of copper (Cu), silver (Ag), chromium (Cr), nickel (Ni), iron (Fe), cobalt (Co), and alloys thereof dissolved in an electrolytic solution is electrodeposited Electrodepositing the metal mesh by electrodeposition;
An electrodeposited layer peeling step of peeling the metal mesh from the mesh; And
And a number of electrodeposition layers for washing the peeled electrodeposited layer.

15. The method of claim 14,
Providing the metal mesh layer comprises providing a metal mesh layer comprising a protective film,
Further comprising the step of removing the protective film from the metal mesh layer after positioning and bonding the metal mesh layer on the adhesive layer.

16. The method of claim 15,
Wherein the step of providing the metal mesh layer comprising the protective film comprises:
Wherein the step of peeling the electrodeposited layer comprises the step of applying an adhesive to the protective film, laminating the protective film on the metal mesh formed on the mesh, and peeling the protective film and the metal mesh at the same time,
Wherein the step of attaching to the protective film is carried out on the metal mesh cloth which has been washed through the three steps of the electrodeposition layer.

Providing a base substrate;
Providing a metal mesh layer comprising a plurality of metal mesh patterns and holes positioned between the metal mesh patterns;
Forming a first adhesive layer on the base substrate;
Forming a second adhesive layer on the metal mesh layer; And
Disposing a metal mesh layer including the base substrate including the first adhesive layer and the second adhesive layer and positioning the second adhesive layer on the first adhesive layer and pressing the same,
Wherein the base substrate is one of stainless steel, nickel, copper, iron, aluminum, titanium or an alloy thereof, or one obtained by surface-treating carbon, nickel, titanium or silver on the surface of aluminum, copper, iron or stainless steel Of the heat sink.