KR101417828B1 - 대면적 광 균일 노광장치 - Google Patents

대면적 광 균일 노광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101417828B1
KR101417828B1 KR1020120096394A KR20120096394A KR101417828B1 KR 101417828 B1 KR101417828 B1 KR 101417828B1 KR 1020120096394 A KR1020120096394 A KR 1020120096394A KR 20120096394 A KR20120096394 A KR 20120096394A KR 101417828 B1 KR101417828 B1 KR 101417828B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
ultraviolet
light source
area
uniform
Prior art date
Application number
KR1020120096394A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140030527A (ko
Inventor
류충엽
박대성
Original Assignee
주식회사 에이치비테크놀러지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이치비테크놀러지 filed Critical 주식회사 에이치비테크놀러지
Priority to KR1020120096394A priority Critical patent/KR101417828B1/ko
Publication of KR20140030527A publication Critical patent/KR20140030527A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101417828B1 publication Critical patent/KR101417828B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 한번의 노광 공정을 통해서 대면적의 피노광체를 균일하게 노광시킬 수 있는 노광장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치는 자외선 가이드부를 이용하여 한번의 노광 공정을 통해서 피노광체인 대면적의 디스플레이 패널에 자외선을 균일하게 조사할 수 있으며, 이에 따라 불균일한 자외선 노광에 의해 발생할 수 있는 디스플레이 패널의 얼룩 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 노광시간을 줄여 생산효율을 증가시키고 전력 소모를 줄일 수 있는 효과가 있다. 또한, 렌즈와 미러가 없이도 노광 공정을 수행할 수 있고, 별도의 과도한 냉각장치를 구비할 필요도 없으므로, 이에 따라 종래의 노광장치에 비하여 구조의 단순화 및 부피의 감소, 장비의 경량화가 가능함으로써 제조비용 및 설비비용을 줄일 수 있는 효과도 있다.

Description

대면적 광 균일 노광장치{EXPOSURE DEVICE FOR LARGE-AREA AND UNIFORMITY OF LIGHT}
본 발명은 대면적 광 균일 노광장치에 관한 것으로, 더 자세하게는 한번의 노광 공정을 통해서 대면적의 피노광체를 균일하게 노광시킬 수 있는 노광장치에 관한 것이다.
일반적으로 노광장치라 함은 광원으로부터 발산되는 빛(자외선)을 원하는 패턴이 형성된 마스크를 통해 빛에 반응하는 물질인 감광액(Photo-resist)이 코팅된 피노광체에 쬐어줌으로써, 피노광체에 원하는 패턴을 전사시키는 장치를 말한다.
이러한 노광장치는 LCD(liquid crystal display), PDP(Plasma Display Panel), PCB(Printed Circuit Board), OLED(Organic Light Emitting Diode) 등의 디스플레이 제품의 패널 제조공정에서 널리 사용되고 있다.
도 1은 디스플레이 제품의 제조공정에서 일반적으로 사용되는 노광장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 노광장치는 광원(110)으로부터 발생된 빛(자외선)을 포토마스크(130)의 패턴을 통해 감광막(150)에 조사하여 감광막(150)이 패턴 형상으로 노광되도록 하며, 빛(자외선)이 피노광체의 전면에 균일하게 조사될 수 있도록 광원(110)과 피노광체인 감광막(150) 사이에 미러와 렌즈들(M, L1, L2)이 정해진 위치와 각도로 미리 셋팅되는 구조를 갖는다.
하지만, 이와 같은 구조의 노광장치는 피노광체와 광원 간의 거리가 멀어질수록 빛의 손실이 커져 피노광체에 전달되는 광량(光量)이 적어지기 때문에, 피노광체에 일정량의 광량을 조사시키기 위해서는 대용량의 광원(자외선 램프)을 사용하고 노광시간을 증가시킬 수밖에 없었다.
이는 결국 노광시간의 증가로 인하여 생산효율이 저조할 수밖에 없음은 물론이고, 대용량의 광원(자외선 램프)을 사용해야 하기 때문에 전력의 소모가 높을 수 밖에 없다는 문제점이 지적되고 있으며, 아울러 대용량의 광원(자외선 램프)에서 발생되는 고온의 열을 냉각시키기 위해 추가로 냉각장치를 구비하거나 방열 부재를 설치해야 하는 것도 문제점으로 지적되고 있다. 실제로, 중대형의 노광장치의 경우에는 25kW정도의 대용량 자외선램프 두 개를 사용하고 있는 실정이어서 그 전력 소모가 막대할 뿐만 아니라, 수백 도가 넘는 열을 냉각하기 위해 별도의 냉각장치를 구비하고 있다.
또한, 종래의 노광장치는 피노광체의 면적이 변화되는 경우에 미러와 렌즈들(M, L1, L2)을 재 셋팅하여야 하므로, 노광 준비시간의 증가와 그에 따른 생산비용의 증가가 문제점으로 지적되고 있으며, 아울러 광원(110)으로부터 발산되는 빛이 미러와 렌즈(M, L1, L2)를 거치는데 필요한 공간이 확보되어야 하기 때문에 노광장치의 부피도 커질 수밖에 없다는 문제점도 있다. 게다가, 노광장치의 부피가 커짐에 따라 광원으로부터 피노광체가 멀어질수록 자외선이 공기 중에서 소실되어 피노광체로 입사되는 효율이 떨어질 수도 있다.
특히, 종래의 노광장치에서 광원(110)으로부터 발생된 빛은 부채꼴 형태로 퍼져 나가기 때문에 피노광체를 균일하게 노광시키는 것이 사실상 어렵다. 게다가, 대면적의 노광 영역을 노광시키기 위해 다수의 광원을 사용하는 경우, 광원들 간의 조사 광량에도 일정 편차가 있기 때문에 정밀한 노광 공정을 수행하는 것이 매우 어려우며, 이로 인해 대면적 디스플레이 패널에서 화면의 얼룩이 발생할 우려가 있다는 문제점이 있다. 또한, 대면적의 노광 영역을 노광시키기 위해 노광 영역을 분할하여 여러 번에 걸쳐 노광하는 경우, 분할된 경계 부분에서 노광 공정이 중복으로 수행되기 때문에 화면의 얼룩이 발생할 우려가 있다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 한번의 노광 공정을 통해서 대면적의 피노광체를 균일하게 노광시킬 수 있는 노광장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 노광시간을 줄여 생산효율을 증가시키고 전력 소모를 줄일 수 있는 노광장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 렌즈와 미러가 없이도 노광이 가능하고 별도의 냉각장치를 구비할 필요가 없어 구조의 단순화 및 부피의 경량화가 가능한 노광장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 광 균일 노광장치는, 자외선 광원으로부터 발생되는 자외선을 면광원으로 바꾸어 피노광체의 노광 영역으로 균일하게 조사하는 광 균일 조사장치; 상기 광 균일 조사장치를 고정 및 지지하는 프레임; 및 상기 광 균일 조사장치를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 광 균일 조사장치는, 자외선을 발생시키는 광원부와, 상기 광원부로부터 발생되는 자외선을 면광원으로 바꾸어 피노광체의 노광 영역으로 균일하게 조사되도록 가이드하는 자외선 가이드부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 광 균일 조사장치는 상기 자외선 가이드부로부터 방출되는 자외선을 피노광체 측으로 반사시키는 반사부를 더 포함하며, 상기 반사부는 자외선의 반사가 가능한 은색 또는 백색의 물질을 포함하는 반사시트, 거울, 또는 은박지를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 광원부는 상기 자외선 가이드부의 적어도 하나 이상의 측면에 배치되며, 자외선을 발생시키는 자외선 광원과, 상기 자외선 광원으로부터 발생된 자외선이 외부로 소실되는 것을 방지함과 동시에 자외선을 상기 자외선 가이드부의 입사면으로 반사시키는 반사판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 여기에서, 상기 자외선 광원은 하나 이상의 점광원인 UV 램프 또는 UV 엘이디(LED)로 구성되거나, 또는 선광원인 UV 램프로 구성되는 것이 바람직하다.
바람직하게, 상기 자외선 가이드부는 실리콘 수지, 우레탄, 폴리스티렌(Polystyrene, PS), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리메틸 메타크릴산(Polymethyl methacrylate, PMMA), MS(Methylmetha acrylate Styrene)를 포함하는 고투명성 수지재료, 납유리, 소다라임 유리(soda lime glass), 붕규산 유리(borosilicate glass), 석영(SiO2), 사파이어 (Al2O3)를 포함하는 투명성 금속산화물, 플루오라이트(Calcium fluoride, CaF2), 플루오르화마그네슘(Magnesium fluoride, MgF2), 징크셀레나이드(ZnSe)를 포함하는 투명 결정성 재료 중 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 자외선 가이드부에는 자외선의 균일한 조사를 위해 사출성형, 스템프 성형, 레이저 성형, 브이 커트(V-cut) 성형, 압출성형, 에칭(etching), 샌드블라스팅(sand blasting), 스탬핑(stamping) 중 적어도 어느 하나 이상의 공법을 이용하여 도광 패턴이 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 대면적 광 균일 노광장치는 피노광체의 노광 영역을 이동하면서 피노광체의 노광 영역으로 자외선을 균일하게 조사하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 대면적 광 균일 노광장치는 이동 중인 피노광체의 노광 영역으로 자외선을 균일하게 조사하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치는 자외선 가이드부를 이용하여 한번의 노광 공정을 통해서 피노광체인 대면적의 디스플레이 패널에 자외선을 균일하게 조사할 수 있으며, 이에 따라 불균일한 자외선 노광에 의해 발생할 수 있는 디스플레이 패널의 얼룩 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치는 자외선 가이드부를 이용하여 저전력으로 피노광체인 대면적의 디스플레이 패널에 자외선을 조사할 수 있으므로, 이에 따라 노광시간을 줄여 생산효율을 증가시키고 전력 소모를 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치는 렌즈와 미러가 없이도 노광 공정을 수행할 수 있고, 별도의 과도한 냉각장치를 구비할 필요도 없으므로, 이에 따라 종래의 노광장치에 비하여 구조의 단순화 및 부피의 감소, 장비의 경량화가 가능함으로써 제조비용 및 설비비용을 줄일 수 있는 효과도 있다.
도 1은 디스플레이 제품의 제조공정에서 일반적으로 사용되는 노광장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 광 균일 노광장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 대면적 광 균일 노광장치의 A-A' 방향의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치를 이용한 노광 공정의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 바람직한 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하거나 간략하게 설명한다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 광 균일 노광장치(200)를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 대면적 광 균일 노광장치(200)의 A-A' 방향의 단면도이다.
먼저, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 광 균일 노광장치(200)는, 자외선 광원을 포함하는 광 균일 조사장치(210)와, 상기 광 균일 조사장치(210)를 고정 및 지지하는 프레임(250)과, 상기 광 균일 조사장치(210)를 제어하는 제어부(미도시)를 포함하여 구성된다.
상기 광 균일 조사장치(210)는 자외선을 발생시키는 광원부(220)와, 상기 광원부(220)로부터 발생되는 자외선을 면광원으로 바꾸어 피노광체의 노광 영역으로 균일하게 조사되도록 가이드하는 자외선 가이드부(230)와, 상기 자외선 가이드부(230)로부터 방출되는 자외선을 피노광체인 디스플레이 패널측으로 반사하는 반사부(240)를 포함하여 구성된다.
상기 광원부(220)는 자외선을 발생시키는 자외선 광원(221)과, 상기 자외선 광원(221)으로부터 발생되는 자외선이 외부로 소실되는 것을 방지함과 동시에 자외선을 상기 자외선 가이드부(230)의 입사면으로 반사시키는 반사판(222)을 포함하여 구성된다.
여기에서, 상기 자외선 광원(221)은 점광원인 UV 램프나 UV 엘이디(LED)를 하나 이상 이용하여 구성하거나 또는 선광원인 UV 램프를 이용하여 구성할 수 있다.
상기 자외선 가이드부(230)는 상기 광원부(220)로부터 발생되는 자외선을 굴절, 반사 및 확산시켜, 다시 말해 면광원으로 바꾸어 피노광체인 디스플레이 패널에 균일하게 조사되도록 가이드하는 역할을 한다.
여기에서, 상기 자외선 가이드부(230)는 자외선 투과율이 높은 실리콘 수지, 우레탄, 폴리스티렌(Polystyrene, PS), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리메틸 메타크릴산(Polymethyl methacrylate, PMMA), MS(Methylmetha acrylate Styrene) 등을 포함하는 고투명성 수지재료, 납유리, 소다라임 유리(soda lime glass), 붕규산 유리(borosilicate glass), 석영(SiO2), 사파이어 (Al2O3) 등을 포함하는 투명성 금속산화물, 플루오라이트(Calcium fluoride, CaF2), 플루오르화마그네슘(Magnesium fluoride, MgF2), 징크셀레나이드(ZnSe) 등을 포함하는 투명 결정성 재료 중 적어도 어느 하나로 이루어진다.
그리고, 상기 자외선 가이드부(230)에는 자외선의 균일한 조사를 위해 도광 패턴(231)이 형성될 수 있는데, 상기 도광 패턴(231)은 사출성형, 스템프 성형, 레이저 성형, 브이 커트(V-cut) 성형, 압출성형, 에칭(etching), 샌드블라스팅(sand blasting), 스탬핑(stamping) 중 적어도 어느 하나 이상의 공법으로 형성할 수 있다. 이때, 자외선 광원(예를 들어 자외선 램프 또는 자외선 다이오드 등)에 가까운 곳은 패턴의 밀도와 크기를 낮거나 작게 형성하고, 상대적으로 먼 곳은 패턴의 밀도와 크기를 높고 크게 형성하는 것이 바람직하다.
상기 반사부(240)는 상기 자외선 가이드부(230)로부터 방출되는 자외선을 피노광체인 디스플레이 패널 측으로 반사시켜 노광 효율을 향상시키는 역할을 한다.
여기에서, 상기 반사부(240)는 자외선의 반사가 가능한 은색 또는 백색의 물질(예를 들어, 알루미늄, 마그네슘, 은, 니켈, 백금, 크롬 등)을 포함하는 반사시트, 거울 또는 은박지를 이용하여 형성할 수 있으며, 경우에 따라 상기 프레임(250)의 내면에도 자외선을 반사하기 위한 반사부(미도시)를 형성하는 것도 가능하다.
이와 같이 구성된 상기 광 균일 조사장치(210)는 상기 프레임(250)의 내부 공간(251)에 삽입되어 장착된다.
여기에서, 상기 프레임(250)은 하단부에 형성된 걸림턱(252)에 의해 상기 광 균일 조사장치(210)를 고정 및 지지하면서, 피노광체측에 형성된 개방부를 통해 상기 광 균일 조사장치(210)로부터 방출되는 자외선이 피노광체측으로 조사되도록 한다.
본 실시예에서는 직사각형 형상의 광 균일 조사장치를 사용하는 경우에 대하여 설명하였지만, 당업자라면 이에 한정하지 않고 다각형상, 중공형상 등과 같이 다양한 형상의 광 균일 조사장치를 사용하는 것도 가능함은 물론이다.
또한, 도시하지는 않았지만 자외선 광원(221)에서 발생하는 열이 자외선 가이드부(230)나 피노광체에 도달하지 않도록 광 균일 조사장치(210)에 별도의 방열 부재를 설치하는 것도 가능하다. 이때, 상기 방열 부재는 자외선의 투과율은 높고 적외선 이하 열선에 대한 투과율은 낮은 재료를 사용함이 바람직하다.
이하, 본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치(200)를 이용한 노광 공정에 대하여 좀 더 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치(200)를 이용한 노광 공정의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 본 발명의 대면적 광 균일 노광장치(200)를 도 3에 도시된 바와 같이 이송장치(300)에 장착한다. 이때, 본 발명의 대면적 광 균일 노광장치(200)는 이송장치(300)의 하단부에 형성된 걸림턱에 의해 고정 및 지지된다.
그 다음, 제어부(미도시)에 의해 상기 광 균일 조사장치(210)의 광원부(220)에 전원을 공급하면, 상기 광원부(220)로부터 자외선이 발생되어 상기 자외선 가이드부(230)로 입사되며, 상기 자외선 가이드부(230)는 상기 광원부(220)로부터 발생되는 자외선을 면광원으로 바꾸어 피노광체인 디스플레이 패널의 전체 면적에 걸쳐 자외선이 균일하게 조사되도록 가이드한다.
이때, 상기 자외선 가이드부(230)의 도광 패턴(231)에 의해 자외선이 더욱 균일하게 디스플레이 패널에 조사되며, 상기 반사부(240)에 의해 자외선이 외부로 손실되는 것이 최소화되면서 디스플레이 패널 측으로 조사된다.
한편, 본 실시예에서는 디스플레이 패널에 상응하는 면적의 자외선 가이드부(230)를 이용하여 노광 공정을 수행하는 경우에 대하여 설명하였지만, 경우에 따라 자외선 가이드부의 면적을 작게 하고 이송장치(300)에 의해 본 발명의 대면적 광 균일 노광장치(200)를 이동시켜가면서 디스플레이 패널을 노광하거나, 디스플레이 패널 자체를 인라인 공정방식으로 이동시켜가면서 디스플레이 패널을 부분적 또는 전체적으로 노광하는 것도 가능하며, 특히 이동식인 경우 고정식에 비하여 공정 시간이 짧아지고, 또한 넓은 자외선 가이드부 자체가 가지는 노광산포를 최소화함으로써 균일한 노광이 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치(200)는 자외선 가이드부(230)를 이용하여 한번의 노광 공정을 통해서 피노광체인 대면적의 디스플레이 패널에 자외선을 균일하게 조사할 수 있으며, 이에 따라 불균일한 자외선 노광에 의해 발생할 수 있는 디스플레이 패널의 얼룩 현상을 방지할 수 있는 잇점이 있다.
그리고, 본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치(200)는 자외선 가이드부(230)를 이용하여 저전력으로 피노광체인 대면적의 디스플레이 패널에 자외선을 균일하게 조사할 수 있으므로, 이에 따라 노광시간을 줄여 생산효율을 증가시키고 전력 소모를 줄일 수 있는 잇점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 대면적 광 균일 노광장치(200)는 렌즈와 미러가 없이도 노광 공정을 수행할 수 있고, 별도의 과도한 냉각장치를 구비할 필요도 없으므로, 이에 따라 종래의 노광장치에 비하여 구조의 단순화 및 부피의 감소, 장비의 경량화가 가능함으로써 제조비용 및 설비비용도 줄일 수 있는 잇점이 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 설명하였다. 그러나, 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공 되어지는 것으로, 본 발명의 범위가 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 여러 가지 다른 형태로 변형이 가능함은 물론이다.
200 : 대면적 광 균일 노광장치
210 : 광 균일 조사장치 220 : 광원부
221 : 자외선 광원 222 : 반사판
230 : 자외선 가이드부 231 : 도광 패턴
240 : 반사부 250 : 프레임
251 : 프레임의 내부 공간 252 : 프레임의 걸림턱
300 : 이송장치

Claims (10)

  1. 광 균일 조사장치, 상기 광 균일 조사장치를 고정 및 지지하는 프레임 및 상기 광 균일 조사장치를 제어하는 제어부를 포함하는 광 균일 노광 장치에 있어서,
    상기 광 균일 조사장치는 자외선을 발생시키는 광원부와, 상기 광원부로부터 발생되는 자외선을 면광원으로 바꾸어 피노광체의 노광 영역으로 균일하게 조사되도록 가이드하는 자외선 가이드부를 포함하고,
    상기 자외선 가이드부에는 자외선의 균일한 조사를 위해 도광 패턴이 형성되며, 상기 도광 패턴의 밀도 및 크기는 상기 광원부에 가까운 곳이 먼 곳에 비해 상대적으로 낮고 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적 광 균일 노광장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광 균일 조사장치는
    상기 자외선 가이드부로부터 방출되는 자외선을 피노광체 측으로 반사시키는 반사부를 더 포함하며,
    상기 반사부는 자외선의 반사가 가능한 은색 또는 백색의 물질을 포함하는 반사시트, 거울, 또는 은박지를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적 광 균일 노광장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광원부는 상기 자외선 가이드부의 적어도 하나 이상의 측면에 배치되는 것을 특징으로 하는 대면적 광 균일 노광장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광원부는
    자외선을 발생시키는 자외선 광원과,
    상기 자외선 광원으로부터 발생된 자외선이 외부로 소실되는 것을 방지함과 동시에 자외선을 상기 자외선 가이드부의 입사면으로 반사시키는 반사판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 대면적 광 균일 노광장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 자외선 광원은 하나 이상의 점광원인 UV 램프 또는 UV 엘이디(LED)로 구성되거나, 또는 선광원인 UV 램프로 구성되는 것을 특징으로 하는 대면적 광 균일 노광장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 자외선 가이드부는 실리콘 수지, 우레탄, 폴리스티렌(Polystyrene, PS), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리메틸 메타크릴산(Polymethyl methacrylate, PMMA), MS(Methylmetha acrylate Styrene)를 포함하는 고투명성 수지재료, 납유리, 소다라임 유리(soda lime glass), 붕규산 유리(borosilicate glass), 석영(SiO2), 사파이어 (Al2O3)를 포함하는 투명성 금속산화물, 플루오라이트(Calcium fluoride, CaF2), 플루오르화마그네슘(Magnesium fluoride, MgF2), 징크셀레나이드(ZnSe)를 포함하는 투명 결정성 재료 중 적어도 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 대면적 광 균일 노광장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 도광 패턴은 사출성형, 스템프 성형, 레이저 성형, 브이 커트(V-cut) 성형, 압출성형, 에칭(etching), 샌드블라스팅(sand blasting), 스탬핑(stamping) 중 적어도 어느 하나 이상의 공법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적 광 균일 노광장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 대면적 광 균일 노광장치는 피노광체의 노광 영역을 이동하면서 피노광체의 노광 영역으로 자외선을 균일하게 조사하는 것을 특징으로 하는 대면적 광 균일 노광장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 대면적 광 균일 노광장치는 이동 중인 피노광체의 노광 영역으로 자외선을 균일하게 조사하는 것을 특징으로 하는 대면적 광 균일 노광장치.
KR1020120096394A 2012-08-31 2012-08-31 대면적 광 균일 노광장치 KR101417828B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120096394A KR101417828B1 (ko) 2012-08-31 2012-08-31 대면적 광 균일 노광장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120096394A KR101417828B1 (ko) 2012-08-31 2012-08-31 대면적 광 균일 노광장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140030527A KR20140030527A (ko) 2014-03-12
KR101417828B1 true KR101417828B1 (ko) 2014-07-14

Family

ID=50642950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120096394A KR101417828B1 (ko) 2012-08-31 2012-08-31 대면적 광 균일 노광장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101417828B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101634449B1 (ko) 2014-10-20 2016-06-28 임세도 노광장치
KR101701642B1 (ko) 2015-10-20 2017-02-01 이기승 노광장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123724A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、並びに露光装置
KR101121470B1 (ko) * 2010-11-01 2012-03-16 나노전광 주식회사 노광 장비 용 면 광원
KR20120041479A (ko) * 2010-10-21 2012-05-02 엘지이노텍 주식회사 노광장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123724A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、並びに露光装置
KR20120041479A (ko) * 2010-10-21 2012-05-02 엘지이노텍 주식회사 노광장치
KR101121470B1 (ko) * 2010-11-01 2012-03-16 나노전광 주식회사 노광 장비 용 면 광원

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140030527A (ko) 2014-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5658752B2 (ja) フリーフォームのライトモジュ−ル
JP4765837B2 (ja) バックライト装置及び液晶表示装置
CN105605437B (zh) 发光器件
KR101335791B1 (ko) 디스플레이 장치의 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
EP2495490B1 (en) Led lighting device which has stable structure and is easily assembled and disassembled
JP2008135388A (ja) バックライト付きディスプレイの光源
KR20150071437A (ko) 디스플레이 기기
KR101185523B1 (ko) 일체형 도광판이 구비된 ｌｅｄ 평판조명장치
JP2013026422A (ja) 発光装置および表示装置
KR20010072962A (ko) 광원 및 졸-겔 일체형 디퓨저 장치
US20190011789A1 (en) Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
KR20100133888A (ko) 광조사 장치
US9720161B2 (en) LCD backlight device having light guide plate with optical scattering dots
CN104423176A (zh) 光学系统及曝光机
KR102047833B1 (ko) 조명장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
KR101417828B1 (ko) 대면적 광 균일 노광장치
JP2010218693A (ja) 点状光源用導光板
KR102125827B1 (ko) 조명장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
CN104698678A (zh) 光通量控制构件、发光装置以及显示装置
KR102497470B1 (ko) 조명장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
JP2011108925A (ja) 発光モジュール
KR20120065213A (ko) 레이저 가공 프로세스 장치
CN107781721B (zh) 光束控制部件、发光装置、面光源装置、以及显示装置
KR101180016B1 (ko) 기판 주변 노광장치
KR102047847B1 (ko) 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
N231 Notification of change of applicant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee