KR101417753B1 - 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법은, 플렉서블 기판 상에 산화아연 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 상에 산화아연 나노구조물을 제작하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층에 대하여 제1차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 상기 플렉서블 기판에 대하여 제2차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 및 상기 산화아연 나노구조물에 대하여 제3차 에칭을 수행하는 단계를 포함한다. 이에 의하여 나노패턴이 직접 형성된 플렉서블 기판을 획득할 수 있다.

Description

나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법{NANO STRUCTURES IN FLEXABLE SUBSTRATE AND PRODUCING METHOD THEREOF}
본 발명은 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
1차원적 나노사이즈의 재료들은 최근 그들의 고유한 광학적, 전기적인 특성과 함께 전자공학, 광전자공학에서의 잠재적인 사용으로 인하여 많은 연구가 되어지고있다. 최근에는 나노구조물이 큰 주목을 받고 있는 바 이는 상기 나노구조물이 광결정 현상, 발광소자, 유기발광소자 및 태양전지까지 그 응용영역이 확장되고 있기 때문이다. 또한 광결정 현상에 관한 연구가 활발히 진행되면서 정렬된 구조를 갖는 나노구조물의 제조방법 또한 주목을 받고 있다. 이러한 나노구조물을 주기적으로 성장시키기 위하여 나노패턴을 이용하는 방법이 주로 사용되고 있는데, 이러한 나노패턴을 제작하기 위하여서는 전자빔 리소그래피 또는 나노 임프린트와 같은 장비가 요구된다. 그러나 상기 전자빔 리소그래피의 경우에는 나노패턴의 제조공정이 복잡하고 제조시간이 오래 걸리는 단점이 존재하고, 상기 나노 임프린트의 경우에는 나노 크기의 패턴 제작 시에 사용되는 스템프가 고가일 뿐만 아니라 스템프의 패턴을 조절할 수 없는 문제점이 있다.
또한 종래에는 플렉서블 기판 상에 나노패턴을 빠르고 쉽게 제작할 수 있는 방법이 공지되어 있지 않다.
따라서, 본 발명의 목적은 플렉서블 기판 상에 쉽고 빠르게 나노패턴을 형성할 수 있는, 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법을 제공하고자 하기 위함이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서, 플렉서블 기판 상에 산화아연 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 상에 산화아연 나노구조물을 제작하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층에 대하여 제1차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 상기 플렉서블 기판에 대하여 제2차 에칭을 수행하는 단계와; 상기 산화아연 버퍼층 및 상기 산화아연 나노구조물에 대하여 제3차 에칭을 수행하는 단계를 포함하는 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법에 의하여 달성될 수 있다.
상기 제1차 에칭 및 상기 제2차 에칭단계는, 이온 에칭, 반응성 이온 에칭 또는 플라즈마 에칭을 수행하고, 상기 제3차 에칭은 습식 에칭을 수행할 수 있다.
상기 제1차 에칭 및 상기 제2차 에칭단계는, 가스의 종류, 가스의 유량 또는 플라즈마 형성 시 전류에 따라 에칭 형태를 조절할 수 있다.
상기 산화아연 나노구조물의 제작단계는, 상기 산화아연 버퍼층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 소정의 형태로 제1차 노광하는 단계와; 상기 플렉서블 기판을 소정 각도로 회전시킨 후 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 소정의 형태로 제2차 노광하는 단계와; 상기 포토레지스트층을 현상하여 나노패턴을 형성하는 단계와; 수열합성법을 이용하여 상기 플렉서블 기판 상에 상기 산화아연 나노구조물을 성장시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 산화아연 나노구조물의 제작단계는, 상기 산화아연 나노구조물을 성장시킨 후 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1차 노광단계 및 상기 제2차 노광단계는, 노광시간을 조절하여 노광되는 포토레지스트층의 너비를 조절할 수 있다.
상기 산화아연 나노구조물의 성장단계는, 증류수에 전구체를 녹인 전구체 용액을 이용하고, 80 내지 100℃의 온도에서 일정시간 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 산화아연 나노구조물의 성장단계는, 상기 전구체 용액의 pH를 조절하여 형성되는 나노구조물의 두께 또는 크기를 조절할 수 있다.
한편, 상기 목적은, 본 발명에 따라, 상기 기재한 어느 한 방법에 의하여 제조되는 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판에 의해 달성될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 쉽고 빠르게 나노패턴이 형성된, 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 의한 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판은 플렉서블 태양전지 또는 플렉서블 유기발광소자에 응용할 수 있으며, 반도체 소자 공정 진행 시에 나타나게 되는 산화아연 박막이나 광결정의 공정방해요소에 대한 부담이 감소되어 소자 본연의 특성을 강화시킬 수 있는 장점을 갖는다.
도 1(A)는 일반 기판 상에 나노구조물을 형성한 경우를 도시하고, 도 1(B)는 플렉서블 기판 상에 나노구조물을 형성한 경우를 도시하고 있고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판의 제조방법의 개략적인 흐름도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판에 나노패턴을 형성하는 과정을 도시하고 있고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판 상에 산화아연 나노구조물을 형성하는 과정을 도시하고 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다. 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙이도록 한다.
도 1(A)는 일반 기판 상에 나노구조물을 형성한 경우를 도시하고, 도 1(B)는 플렉서블 기판 상에 나노구조물을 형성한 경우를 도시하고 있다.
도 1 (A)를 참조하면, 일반 기판(100) 상에 산화아연 버퍼층(110)을 증착한 후 나노구조물(120)을 형성하면 나노구조물(120)의 특성을 그대로 사용할 수 있다.
그러나, 도1 (B)와 같이, 플렉서블 기판(200) 상에 산화아연 버퍼층(210)을 증착한 후 나노구조물(220)을 형성하게 될 경우, 플렉서블 기판(200)의 특성 상 기판의 변형에 의하여 나노구조물(220)의 변형 및/또는 파손이 발생하여 광결정으로 사용하기 어려운 단점이 있다.
이에 따라, 본 발명에서는 플렉서블 기판에 직접 나노패턴을 형성하여 광전소자용 기판으로 사용할 수 있는 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판의 제조방법의 개략적인 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판의 제조방법은 플렉서블 기판 상에 산화아연 버퍼층을 형성하는 단계(S11)와; 상기 산화아연 버퍼층 상에 산화아연 나노구조물을 제작하는 단계(S12)와; 상기 산화아연 버퍼층에 대하여 제1차 에칭을 수행하는 단계(S13)와; 상기 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 상기 플렉서블 기판에 대하여 제2차 에칭을 수행하는 단계(S14)와; 상기 산화아연 버퍼층 및 상기 산화아연 나노구조물에 대하여 제3차 에칭을 수행하는 단계(S15)와; 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판을 획득하는 단계(S16)를 포함한다.
이하, 도 3(A) 내지 도3(E)를 참조하여 상기 각 단계를 더욱 상세히 설명한다.
도 3(A) 내지 도 3(E)는 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 기판에 나노패턴을 형성하는 과정을 도시하고 있다.
도 3 (A)는, 먼저 플렉서블 기판(300) 상에 산화아연 버퍼층(310)을 형성하고, 상기 산화아연 버퍼층(310) 상에 산화아연 나노구조물(320)이 제작된 상태를 나타내고 있다. 도 3 (A)는, 상기 도 2의 단계 S11 및 S12를 통하여 나노구조물이 형성된 플렉서블 기판(300)을 도시하고 있다.
플렉서블 기판(300)은 다양한 종류의 플렉서블 기판을 사용할 수 있으며, 예를 들어 박형 유리(very thin glass), 메탈호일(metal foil), 플라스틱(plastic) 기판을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 폴리에틸렌텔레프탈레이트(Polyethylene terephtalate) 또는 플렉서블 PET(Polyethylene terephtalate)를 포함할 수 있다.
상기 산화아연 버퍼층(310)은 스퍼터를 이용하여 상온에서 Ar의 분위기 하에서 플렉서블 기판(300) 상에 산화아연 버퍼층(310)을 증착할 수 있다.
상기 산화아연 버퍼층(310)이 형성되면, 상기 산화아연 버퍼층(310) 상에 산화아연 나노구조물(320)을 제작한다. 상기 나노구조물(320)의 제작 단계는 도 2의 단계 S12에 대응하는 것으로서, 도 4를 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
도 3 (B)는 상기 산화아연 버퍼층(310)에 대하여 제1차 에칭이 수행된 상태를 나타내고 있다. 도 3 (B)는, 상기 도 2의 단계 S13단계에 대응한다.
상기 제1차 에칭은, 건식 에칭에 의하여 수행될 수 있으며, 예를 들어 이온 에칭, 반응성 이온 에칭 또는 유도 결합형 플라즈마 에칭을 통하여 수행될 수 있다. 상기 에칭의 수행 단계는, 가스의 종류, 가스의 유량 또는 플라즈마 형성 시 전류에 따라 에칭 형태를 조절할 수 있다. 예를 들어, 나노 기둥형태를 에칭하게 되면 도 3(B)와 같이 기둥의 말단 부분이 뾰족해지고 아래 부분은 기둥형태를 유지하게 될 수 있다.
도 3 (B)에서 보는 바와 같이, 상기 제1차 에칭단계를 통하여, 산화아연 버퍼층(310)은 산화아연 나노구조물(320)이 존재하는 영역을 제외하고는 에칭이 된다.
도 3 (C)는 플렉서블 기판(300)에 대하여 제2차 에칭이 수행된 상태를 나타내고 있다. 도 3 (C)는, 상기 도 2의 단계 S14단계에 대응한다.
상기 도 3 (B)에서와 같이 산화아연 버퍼층(310)에 대한 제1차 에칭이 완료되면, 상기 산화아연 나노구조물(320)을 마스크로 이용하여 플렉서블 기판(300)에 대하여 제2차 에칭을 수행한다. 상기 제2차 에칭 역시 제1차 에칭과 마찬가지로 건식 에칭으로 수행될 수 있으며, 이온 에칭, 반응성 이온 에칭 또는 플라즈마 에칭에 의하여 수행될 수 있다.
도 3 (C)에서 보는 바와 같이, 상기 제2차 에칭단계를 통하여, 플렉서블 기판(300a)은 산화아연 나노구조물(320)이 존재하는 영역을 제외하고는 에칭이 된다.
도 3 (D)는 산화아연 버퍼층(310) 및 산화아연 나노구조물(320)에 대하여 제3차 에칭이 수행된 상태를 나타내고 있다. 도 3 (D)는, 상기 도 2의 단계 S15단계에 대응한다.
상기 도 3 (C)에서 플렉서블 기판(300)에 대하여 제2차 에칭이 완료되면, 상기 플렉서블 기판(300) 상에 잔존하는 산화아연 버퍼층(310) 및 산화아연 나노구조물(320)에 대하여 제3차 에칭을 수행한다. 상기 제3차 에칭은 염산 또는 BOE를 사용하여 습식 에칭으로 수행될 수 있다. 상기 제3차 에칭은 상기 플렉서블 기판(300)을 제외한 산화아연 나노구조물(320)을 제거하는 공정으로서, 염산 또는 BOE를 이용하여 약 1분 내지 3분, 바람직하게는 2분 동안 습식 에칭을 수행한 후에, DI water(Delonize water)에 4 내지 6분 동안 린스공정을 실시하는 공정이다.
상기 제3차 에칭단계를 수행하면, 도 3 (D)에서 보는 바와 같이, 나노패턴(330)이 직접 플렉서블 기판(300a)에 형성되게 된다.
도 3(E)는 상기 도 2의 단계 S16단계에 대응하는 것으로서, 도 3 (E)에서 보는 바와 같이, 본 발명에 의할 경우, 나노패턴(330)이 직접 플렉서블 기판(300a)에 형성되어 있어서, 플렉서블 기판의 특성으로 인하여 기판의 변형이 일어나더라도 나노패턴(330)의 변형 및/또는 파손이 발생하지 않게 된다. 이는 도 1(B)와 같이 플렉서블 기판(200) 본연의 특성을 고려하지 않고 산화아연 버퍼층(210)에 나노구조물(220)을 형성할 경우 플렉서블 기판(200)의 변형에 의하여 나노구조물(220)의 변형 및/또는 파손이 발생하는 것과는 비교된다. 따라서, 본 발명에 따른 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판은 플렉서블 기판을 사용하는 광전소자의 광 추출 효율 및 광입사 효율을 증가시켜 유기발광소자, 무기 EL 또는 태양전지 등에 있어서 광전소자 특성을 향상시킬 수 있는 효과를 가지게 된다.
도 4 (A) 내지 도 4(D)는 플렉서블 기판 상에 나노구조물을 제작하는 과정을 도시하고 있는 것으로서, 도 2의 단계 S12를 상세하게 설명한다.
도 4 (A)를 참조하면, 플렉서블 기판(301) 상에 산화아연 버퍼층(311)을 증착시킨 후 그 위에 포토레지스트층(340)을 코팅한다. 상기 포토레지스트층(340)은 스핀코팅법(2500rpm, 30s) 을 이용하여 상기 산화아연 버퍼층(311) 상에 코팅된다.
도 4 (B)를 참조하면, 상기 플렉서블 기판(301)의 산화아연 버퍼층(311) 상에 코팅된 포토레지스트층(340)을 제1차 노광한다. 상기 제1차 노광에서는 상기 포토레지스트층(340)을 라인형태로 노광하되, 노광되는 부분의 상기 포토레지스트층(341)이 모두 제거되도록 노광한다. 상기 제1차 노광은 레이저 간섭 리소그래피(laser interference lithography)를 이용하여 수행될 수 있다.
이어서, 도 4 (C)를 참조하면, 상기 제1차 노광단계 수행한 후 제2차 노광을 수행할 수 있다. 상기 제2차 노광은 상기 플렉서블 기판(301)을 소정 각도, 예를 들어 45°, 90° 등으로 회전시킨 후 수행될 수 있다. 이 때, 제2차 노광 역시 상기 제1차 노광과 마찬가지로 상기 포토레지스트층(340)을 라인형태로 노광하되, 노광하는 부분의 포토레지스트층(343)이 모두 제거되도록 노광을 수행할 수 있다. 상기 제2차 노광 역시 레이저 간섭 리소그래피(laser interference lithography)를 이용하여 수행될 수 있다.
이어서, 도 4 (D)를 참조하면, 상기 제2차 노광이 완료된 후 포토레지스트층(340)을 현상하여 나노패턴(344)이 형성되어 있는 플렉서블 기판(301)을 획득할 수 있다.
상기 나노패턴(344)이 형성되어 있는 플렉서블 기판(301)에 수열합성법을 이용하여 산화아연 나노구조물을 성장시킨다. 증류수에 나트륨 시트레이트(Na citrate) 전구체를 녹여 전구체 용액을 제조하고, Na4OH의 첨가 양을 조절하여 pH를 pH 8 내지 12, 바람직하게는 pH 10 내지 11, 더욱 바람직하게는 pH 10.9로 조절한 다음 용기에 넣어 밀봉한 후, 80 내지 100℃, 바람직하게는 90℃의 온도에서 80 내지 100분, 바람직하게는 90분 동안 가열하여 산화아연 나노구조물이 성장되도록 한다.
상기 산화아연 나노구조물은 나노패턴(344)이 형성되지 않은 영역에서 균일한 성장을 하게 된다. 그 후 필요없어진 포토레지스트층의 나노패턴(344)은 에층과 유사한 원리를 이용한 탄화장치 등에 의하여 제거될 수 있다.
상기 나노패턴(344)은 제1차 노광 및 제2차 노광의 시간 또는 제2차 노광시 플렉서블 기판의 회전 각도에 따라 다양한 형태로 제조될 수 있는 바, 예를 들어 나노점패턴 또는 나노메쉬패턴을 포함할 수 있다.
나노패턴의 너비(a’, b’)는 포토레지스트층(341, 342)의 너비(a, b)를 조절함으로써 조잘할 수 있는 바, 상기 포토레지스트층(341, 342)의 너비(a, b)는 상기 제1차 노광 및 제2차 노광의 시간 조절에 의하여 조절된다. 즉, 노광 시간이 길어지면 포토레지스트층이 많이 노광되어 나노패턴(344)의 너비(a’, b’)를 작게 할 수 있으며, 노광 시간을 짧게 하면 포토레지스트 층이 상대적으로 적게 노광되어 나노패턴(344)의 너비(a’, b’)를 크게할 수 있다. 예를 들어, 본 발명에서는 노광시간을 가로 100초, 세로 100초로 2회 노광을 실시하였으며, 상기 노광시간은 형상하고자 하는 나노패턴의 너비를 고려하여 적절하게 조절할 수 있다.
상기 도 4 (A) 내지 도 4 (D)는 플렉서블 기판 상에 나노 점 패턴을 형성한 경우의 실예를 도시하고 있으며, 나노메쉬패턴의 경우에는 도 4 (B) 및 도 4 (C)의 제1차 및 제2차 노광 단계에서 노광시간을 짧게 하여 포토레지스트층의 일부분만을 노광시켜 제1차 노광 및 제2차 노광이 중복되어 노광된 부분만이 구멍을 형성하도록 함으로써 나노메쉬패턴을 구현할 수 있다. 그 이외에는 도 3(A) 내지 도 3(D)의 기재 방법과 동일/유사한 방법을 따른다.
상기 기재한 바와 같이, 도 4 (A)내지 도 4 (D)에 기재된 방법을 통하여 플렉서블 기판의 산화아연 버퍼층에 산화아연 나노구조물을 제작할 수 있다. 이는 레이저 간섭 리소그래피 및 저온 수열합성법을 이용하여 나노구조물을 제작하는 경우로서, 고가의 장비가 필요하지 않으면서 간단하게 정렬된 나노구조물을 제작할 수 있다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
300: 플렉서블 기판 300a: 나노패턴이 형성된 플렉서블 기판
310: 산화아연 버퍼층
320: 산화아연 나노구조물

Claims (9)

  1. 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서,
    플렉서블 기판 상에 산화아연 버퍼층을 형성하는 산화아연 버퍼층 형성단계;
    상기 산화아연 버퍼층에 일정한 간격으로 산화아연 나노구조물을 형성하는 산화아연 나노구조물 형성단계;
    상기 일정 간격으로 형성된 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 산화아연 버퍼층을 식각하는 버퍼층 식각단계;
    상기 일정 간격으로 형성된 산화아연 나노구조물을 마스크로 이용하여 상기 플렉서블 기판을 식각하는 플렉서블 기판 식각단계; 및
    상기 일정한 패턴으로 남아있는 산화아연 버퍼층 및 산화아연 나노구조물을 식각하여 제거하는 제거단계;를 포함하는 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 버퍼층 식각단계 및 상기 플렉서블 기판 식각단계는 이온 에칭, 반응성 이온 에칭 또는 플라즈마 에칭을 수행하여 이루어지고,
    상기 제거단계는 습식 에칭을 수행하여 이루어지는 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 버퍼층 식각단계 및 상기 플렉서블 기판 식각단계는,
    가스의 종류, 가스의 유량 또는 플라즈마 형성 시 전류에 따라 에칭 형태가 조절되는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 산화아연 나노구조물의 제작단계는,
    상기 산화아연 버퍼층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계와;
    레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 소정의 형태로 제1차 노광하는 단계와;
    상기 플렉서블 기판을 소정 각도로 회전시킨 후 레이저 간섭 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 소정의 형태로 제2차 노광하는 단계와;
    상기 포토레지스트층을 현상하여 나노패턴을 형성하는 단계와;
    수열합성법을 이용하여 상기 플렉서블 기판 상에 상기 산화아연 나노구조물을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 산화아연 나노구조물의 제작단계는,
    상기 산화아연 나노구조물을 성장시킨 후 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1차 노광단계 및 상기 제2차 노광단계는,
    노광시간을 조절하여 노광되는 포토레지스트층의 너비를 조절하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 산화아연 나노구조물의 성장단계는,
    증류수에 전구체를 녹인 전구체 용액을 이용하고, 80 내지 100℃의 온도에서 일정시간 가열하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 산화아연 나노구조물의 성장단계는,
    상기 전구체 용액의 pH를 조절하여 형성되는 나노구조물의 두께 또는 크기를 조절하는 것인 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판의 제조방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 방법에 의하여 제조되는 나노패턴을 갖는 플렉서블 기판.
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