KR101414652B1 - 질화물 반도체 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제 1전도성 반도체층; 상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층; 상기 활성층 상에 위치하는 제 2전도성 반도체층; 상기 제 2전도성 반도체층 상에 위치하고, 제 2전도성 InGaN 층을 포함하는 오믹 접합층; 상기 오믹 접합층 상에 위치하는 투명 전극; 상기 제 1전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및 상기 투명 전극 상에 위치하는 제 2전극을 포함하여 구성될 수 있다.

Description

질화물 반도체 발광 소자 {Nitride semiconductor light emitting device}
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.
질화 갈륨(GaN)으로 대표되는 질화물계 화합물 반도체(Nitride Compound Semiconductor)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2 eV)을 가지고 있어, LED를 포함한 고출력 전자부품 소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다.
이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.
이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광 기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.
따라서, 현재 질화물계 반도체는 청색/녹색 레이저 다이오드와 발광 다이오드(LED)의 제작에 기본물질로 사용되고 있다. 특히 고출력 LED는 백색 조명용 광원으로 주목받고 있어 앞으로 LED 조명으로서의 응용이 더욱 확대될 것으로 예상된다.
본 발명의 배경이 되는 기술은 한국 공개특허공보 제10-2006-0112064호에 기재되어 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 오믹 접촉 특성이 개선되어 동작 전압을 낮출 수 있는 질화물 반도체 발광 소자를 제공하고자 한다.
또한, 동시에 도펀트 효율과 표면 조직도를 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 소자를 제공하고자 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제 1전도성 반도체층; 상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층; 상기 활성층 상에 위치하는 제 2전도성 반도체층; 상기 제 2전도성 반도체층 상에 위치하고, 제 2전도성 InGaN 층을 포함하는 오믹 접합층; 상기 오믹 접합층 상에 위치하는 투명 전극; 상기 제 1전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및 상기 투명 전극 상에 위치하는 제 2전극을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, InGaN 층의 In 조성은 Ga 대비 1% 내지 30%인 것이 유리하다.
오믹 접합층은, 상기 제 2전도성 InGaN 층 상에 캡층을 더 포함할 수 있다.
이러한 캡층은, 제 2전도성 GaN 층일 수 있다.
이때, 캡층의 두께는 0.1 nm 내지 10 nm인 것이 유리하다.
여기서, 제 2전도성 GaN 층은, 상기 제 2전도성 반도체층보다 전도성이 크게 형성될 수 있다.
또한, 제 2전도성 InGaN 층 및 제 2전도성 GaN 층 중 적어도 하나의 도핑 농도는 1019cm-3 내지 1021cm-3일 수 있다.
제 2전도성 InGaN 층은 상기 제 2전도성 반도체층과 투명 전극 사이의 일함수를 낮추기 위해 구비될 수 있다.
여기서, 활성층과 제 2전도성 반도체층 사이에는, 전자 장벽층을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 다음과 같은 효과가 있는 것이다.
먼저, InGaN 층을 포함하는 오믹 접합층을 구성함으로써 오믹 접촉 특성을 개선할 수 있다. 또한, 캡층을 함께 구성함으로써, 오믹 접촉 특성을 개선함과 동시에, 홀 농도의 저하 및 표면 조직도의 저하가 발생하지 않도록 할 수 있다.
따라서, 투명 전극으로 이용되는 금속을 포함하는 물질과의 일함수 차이를 줄일 수 있고, 낮은 Mg 효율을 극복할 수 있으며, 더 향상된 표면 조직도를 가지도록 함으로써, 더 향상되고 안정적인 동작 전압을 구현할 수 있는 것이다.
도 1은 질화물 반도체 발광 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 질화물 반도체 발광 소자의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 질화물 반도체 발광 소자의 또 다른 예를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.
도 1에서 도시하는 바와 같이, 질화물 반도체 발광 소자는, 기판(10) 상에 제 1전도성 반도체층(20), 활성층(30) 및 제 2전도성 반도체층(40)을 포함하는 다이오드 구조를 포함한다.
기판(10)은 이러한 다이오드 구조를 포함하는 질화물 반도체를 성장시키기 위한 성장 기판으로서, 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC), 스피넬 등의 기판이 이용될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
경우에 따라, 패턴을 가지는 사파이어 기판(PSS; patterned sapphire substrate)이 이용될 수도 있다. 이러한 패턴을 가지는 사파이어 기판은 발광 소자의 광 추출 구조를 향상시킬 수 있다.
이때, 활성층(30)은 양자 장벽층(32) 사이에 양자 우물층(31)이 위치하는 양자 우물 구조(quantum well structure)를 가지며, 이러한 양자 우물 구조는 다수개 구비될 수 있다. 즉, 다중 양자 우물 구조(multi-quantum well; MQW)를 가질 수 있다.
기판(10)과 제 1전도성 반도체층(20) 사이에는 버퍼층(21)이 더 포함될 수 있으며, 이러한 버퍼층(21)은 결함 완화층과 핵층(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
이 중에서, 핵층은 기판(10) 상에서 저온으로 성장되어 기판(10) 상에 성장 핵을 형성할 수 있고, 이러한 성장 핵을 통하여 질화물 반도체가 안정적으로 성장될 수 있도록 도울 수 있다. 이러한 핵층은 AlN으로 형성될 수 있으며, 대략 25 nm의 두께로 형성될 수 있다.
결함 완화층은 이러한 핵층 상에서 상대적으로 고온으로 성장될 수 있으며, 기판(10)과 제 1전도성 반도체층(20) 사이에 전위(dislocation)와 같은 결함의 발생을 완화시키기 위하여 형성될 수 있다.
또한, 발광 소자는, 제 1전도성 반도체층(20)의 일부가 드러나도록 하는 개구부(81)를 가지며, 이 개구부(81)에 제 1전도성 반도체층(20)과 전기적으로 연결되는 제 1전극(80)이 위치하는 수평형 구조를 가질 수 있다.
한편, 제 2전도성 반도체층(40) 상에는 투명 전극(50)이 위치하고, 이 투명 전극(50) 상에는 제 2전극(70)이 위치하여, 이 투명 전극(50)과 제 2전극(70)은 제 2전도성 반도체층(40)과 전기적으로 연결된다.
또한, 제 2전도성 반도체층(40)과 투명 전극(50) 사이의 전기적 접촉 특성의 향상을 위하여 오믹 접합층(60)을 더 포함할 수 있다.
이하, 제 1전도성은 n-형이고, 제 2전도성은 p-형인 예를 들어 설명한다. 그러나, 제 1전도성이 p-형이 될 수 있고, 제 2전도성은 n-형이 될 수도 있음은 물론이다.
위에서 설명한 바와 같이, 오믹 접합층(60)은 p-형 반도체층(40)과 투명 전극(50) 사이에서 전기적 접촉 특성을 향상시킬 수 있으며, 마찬가지로 p-형의 전기적 특성을 가질 수 있다.
p-형 반도체층(40)은 활성층(30) 상에 형성되어 다이오드 구조를 이루게 되며, 0.03 내지 1 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
이와 같은 발광 소자는 조명, 디스플레이, 자동차, 휴대폰 등의 여러 산업에 응용되면서 더 낮은 동작 전압을 요구하고 있으며, 이와 같이, 동작 전압을 낮추기 위하여 p-형 반도체층(40)의 높은 저항으로 인한 개선 요구가 있다.
이러한 p-형 반도체층(40)의 높은 저항으로 인한 동작 전압을 개선하기 위하여 오믹 접합층(60)은 p-형 반도체층(40)과 투명 전극(50) 사이의 일함수(work function) 차이를 낮추는 작용을 할 수 있다.
이와 같이, p-형 반도체층(40)과 투명 전극(50) 사이의 일함수 차이를 낮추기 위하여, 오믹 접합층(60)으로서 p-형 InGaN 층이 이용될 수 있다.
그러나, p-형 InGaN 층은 p-형 도펀트인 마그네슘(Mg)의 효율이 GaN보다 낮으므로, 홀(hole) 농도가 더 저하될 수 있고, 표면 조직도(surface morphology) 또한 GaN 보다 낮을 수 있다.
따라서, 도 2에서 도시하는 바와 같이, 오믹 접합층(60)으로서 p-형 InGaN 층(61)과 함께, 이 p-형 InGaN 층(61) 상에 위치하는 캡층(62)을 함께 구성함으로써, 오믹 접촉 특성을 개선함과 동시에, 홀 농도의 저하 및 표면 조직도의 저하가 발생하지 않도록 할 수 있다.
즉, 오믹 접합층(60)은 p-형 InGaN 층(61) 상에 p-형 캡층(62)을 포함할 수 있다. 이러한 p-형 캡층(62)은 p-형 GaN을 이용할 수 있다.
따라서, 오믹 접합층(60)을 이용하여, 투명 전극(50)으로 이용되는 금속을 포함하는 물질과의 일함수 차이를 줄일 수 있고, p-형 InGaN 층(61)의 낮은 Mg 효율을 극복할 수 있으며, 더 향상된 표면 조직도를 가지도록 함으로써, 더 향상되고 안정적인 동작 전압을 구현할 수 있는 것이다.
이와 같이, 투명 전극(50)과의 일함수 차이를 줄이기 위하여, p-형 InGaN 층(61)은 0.5 nm 내지 10 nm 정도의 두께로 형성할 수 있는데, 이보다 두꺼우면 오믹 접합층(60)으로서 장점을 살리지 못할 수 있고, 이보다 얇으면 오믹 접합층(60)으로 작용하지 못할 수 있다.
이러한 p-형 InGaN 층(61)의 인듐(In) 조성은 갈륨(Ga) 대비 1% 내지 30%를 가지도록 하는 것이 유리하다.
또한, 이러한 p-형 InGaN 층(61)의 Mg 농도는 1019cm-3 내지 1021cm-3일 수 있으며, 1020cm-3 내지 1021cm-3 정도로 과 도핑되는 것이 유리하다.
한편, p-형 InGaN 층(61) 상에 위치하는 캡층인, p-형 GaN 층(62)은 두께가 0.1 nm 내지 10 nm 정도로, p-형 반도체층(40)의 두께보다 얇게 형성할 수 있다.
또한, 이러한 p-형 GaN 층(62)의 Mg 농도는 1019cm-3 내지 1021cm-3일 수 있으며, 1020cm-3 내지 1021cm-3 정도로 과 도핑되는 것이 유리하다. 즉, p-형 InGaN 층(61)과 p-형 GaN 층(62) 모두 과 도핑되어 형성될 수 있다. 그러나, 경우에 따라, p-형 GaN 층(62)은 도핑되지 않을 수도 있다.
또한, 도 3에서 도시하는 바와 같이, 활성층(30)과 p-형 반도체층(40) 사이에는 전자 장벽층(90)이 더 포함될 수 있다.
이러한 전자 장벽층(90)은 전자가 활성층(30)에서 구속되지 않고 p-형 반도체층(40)으로 넘어가서 발광에 기여하지 않게 되는 현상을 방지할 수 있다.
전자 장벽층(90)은 p-형 반도체층(40)으로 이용할 수 있는 질화 갈륨(GaN)보다 에너지 밴드갭이 큰 알루미늄 질화 갈륨(AlGaN)으로 형성할 수 있다.
이하, 위에서 설명한 발광 소자의 제조 과정을 설명하면 아래와 같다.
기판(10) 위에 반도체 층들을 성장하기 위한 성장법으로는 유기 금속 화학 기상 증착법(metal organic chemical vapor deposition; MOCVD), 수소화물 기상 성장법(hydride vapor phase epitaxy; HVPE) 또는 분자선 성장법(molecular beam epitaxy; MBE) 등을 사용할 수 있다.
이하, 유기 금속 화학 기상 증착법(MOCVD)을 이용하여 성장한 예를 설명한다.
이러한 MOCVD 법을 이용하여 성장하기 위한 소스 가스는, 인듐(In) 소스로서 트리메틸인듐(trimethyl indium; TMI, In(CH3)3)을 사용할 수 있고, 갈륨(Ga) 소스로서는 트리메틸갈륨(TMG) 및/또는 트리에틸갈륨(triethyl galium; TEG)을 사용할 수 있다.
또한, 알루미늄(Al) 소스 가스로는 트리메틸알루미늄(trimethyl aluminum; TMAl, Al(CH3)3)을 사용할 수 있으며, 질소(N) 소스 가스로는 암모니아(NH3) 또는 디메틸히드라진(DMHy)을 사용할 수 있다.
이러한 소스 가스를 이용하여 기판(10) 상에 버퍼층(21)을 먼저 형성한다.
위에서 설명한 바와 같이, 버퍼층(21)은 핵층과 결함 완화층을 포함할 수 있으며, 이러한 버퍼층(21)은 도핑되지 않은 반도체층으로 형성될 수 있다.
핵층은 400 내지 600 ℃의 상대적으로 저온에서 (Al, Ga)N으로 형성될 수 있으며, AlN으로 형성되는 것이 유리하다.
결함 완화층은 이러한 핵층 상에 연속적으로 형성하며, 기판(10)과 n-형 반도체층(20) 사이에서 전위(dislocation)와 같은 결함의 발생을 완화시킬 수 있다.
이후, 이러한 버퍼층(21) 상에 n-형 반도체층(20)을 형성한다.
n-형 반도체층(20)은 n-형 전극(80)과 전기적으로 연결되는데, n-형 특성을 띠도록 하기 위하여 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)과 같은 불순물로 도핑될 수 있다.
이러한 n-형 반도체층(20) 상에는 활성층(30)을 형성한다. 먼저, 양자 장벽층(31)을 성장시키고, 이어서 양자 우물층(32)을 형성한다.
따라서, 이와 같은 활성층(30)은 양자 장벽층(31) 사이에 양자 우물층(32)이 위치하도록 형성하며, 이러한 양자 우물층(32)은 GaN 또는 InGaN 층을 포함할 수 있다.
활성층(30)은 이러한 양자 우물층(32)과 양자 장벽층(31)이 다수개 구비되는 다중 양자 우물 구조(MQW)를 이룰 수 있으며, 이러한 다중 양자 우물 구조 내의 양자 장벽층(31) 들은 상대적으로 더 두꺼운 장벽층, 에너지 밴드갭(energy band-gap)이 더 큰 장벽층, 또는 p-형 불순물로 도핑된 장벽층 등을 포함할 수 있다.
이러한 다중 양자 우물 구조 내의 양자 장벽층(31)과 양자 우물층(32)의 In 조성 및 각 층의 적층 회수는 발광 소자의 목적으로 하는 발광 파장에 따라 임의로 설정할 수 있다.
이와 같은 활성층(30) 상에는 AlGaN으로 이루어지는 전자 장벽층(90)을 형성할 수 있다. 이러한 전자 장벽층(90)은 그 두께와 Al 조성을 임의로 설정할 수 있고, 경우에 따라 생략하는 것도 가능하다.
이러한 전자 장벽층(90) 상에는 p-형 반도체층(40)을 형성할 수 있으며, 0.03 내지 1 ㎛의 두께로 형성한다.
p-형 반도체층(40) 상에는 p-형 오믹 접합층(60)을 형성하는데, 먼저, 얇은 두께의 p-형 InGaN 층(61)을 형성하고, 그 위에 얇은 두께의 p-형 GaN 층(62)을 형성한다.
이러한 오믹 접합층(60)의 두께 및 도핑 농도 등의 특성은 위에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
오믹 접합층(60) 상에는 투명 전극(50)을 형성하는데, 이러한 투명 전극(50)은 Ni/Au와 같은 금속 또는 ITO와 같은 투명 전도성 산화물로 형성할 수 있다.
이러한 투명 전극(50) 상에는 p-형 전극(70)을 형성한다. 이 p-형 전극(70)은 리프트 오프와 같은 공정으로 형성할 수 있다.
한편, n-형 반도체층(20)이 드러나도록 개구부(81)를 형성하고, 이렇게 드러난 n-형 반도체층(20) 상에 n-형 전극(80)을 형성한다.
이러한 n-형 전극(80)은 Ti/Al과 같은 금속을 이용하여 리프트 오프 공정을 이용하여 형성할 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
10: 기판 20: n-형 반도체층
21: 버퍼층 30: 활성층
40: p-형 반도체층 50: 투명 전극
60: 오믹 접합층 61: p-형 InGaN 층
62: p-형 GaN 층 70: p-형 전극
80: n-형 전극 90: 전자 장벽층

Claims (9)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 제 1전도성 반도체층;
    상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층;
    상기 활성층 상에 위치하는 제 2전도성 반도체층;
    상기 제 2전도성 반도체층 상에 위치하고, 제 2전도성 InGaN 층을 포함하는 오믹 접합층;
    상기 오믹 접합층 상에 위치하는 투명 전극;
    상기 오믹 접합층과 투명 전극 사이에 위치하고, 제 2전도성 GaN 층을 포함하는 캡층;
    상기 제 1전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및
    상기 투명 전극 상에 위치하는 제 2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 InGaN 층의 In 조성은 Ga 대비 1% 내지 30%인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 오믹 접합층 및 캡층은, 홀 농도의 저하 및 표면 조직도의 저하를 방지하기 위한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 캡층은, 제 2전도성 반도체층보다 두께가 얇은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제 2전도성 GaN 층은, 상기 제 2전도성 반도체층보다 전도성이 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제 2전도성 InGaN 층 및 제 2전도성 GaN 층 중 적어도 하나의 도핑 농도는 1019cm-3 내지 1021cm-3인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 캡층의 두께는 0.1 nm 내지 10 nm인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 제 2전도성 InGaN 층은 상기 제 2전도성 반도체층과 투명 전극 사이의 일함수를 낮추기 위한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 활성층과 제 2전도성 반도체층 사이에는, 전자 장벽층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100661606B1 (ko) 2005-10-11 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자
KR20080000098A (ko) * 2006-06-26 2008-01-02 서울옵토디바이스주식회사 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법
KR20100124072A (ko) * 2009-05-18 2010-11-26 (주)더리즈 확산방지층을 갖는 발광다이오드
KR20110126793A (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100661606B1 (ko) 2005-10-11 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자
KR20080000098A (ko) * 2006-06-26 2008-01-02 서울옵토디바이스주식회사 질화갈륨계 화합물 반도체 및 그 제조방법
KR20100124072A (ko) * 2009-05-18 2010-11-26 (주)더리즈 확산방지층을 갖는 발광다이오드
KR20110126793A (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지

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