KR101414651B1 - Nitride semiconductor light emitting device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 135
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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Abstract
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 플립칩 구조를 가지는 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 지지층; 상기 지지층 상에 위치하며, 상기 지지층을 향한 제 1측과, 상기 제 1측과 반대방향인 제 2측을 가지고, 상기 제 2측은 높이가 서로 다른 제 1면 및 제 2면을 가지는 결합 금속층; 상기 제 1면 상에 위치하는 제 1전극; 상기 제 2면 상에 위치하는 제 2전극; 질화물계 반도체를 포함하고, 상기 제 1전극과 전기적으로 연결되는 제 1반도체층, 상기 제 2전극과 전기적으로 연결되는 제 2반도체층, 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 반도체 구조; 및 상기 결합 금속층의 제 2면과 상기 제 2전극 사이에 위치하는 패시베이션 층을 포함하여 구성될 수 있다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a nitride semiconductor light emitting device having a flip chip structure. The present invention provides a semiconductor device comprising: a support layer; A coupling metal layer located on the support layer and having a first side toward the support layer and a second side opposite to the first side, the second side having a first side and a second side with different heights; A first electrode located on the first surface; A second electrode located on the second surface; A first semiconductor layer including a nitride semiconductor and electrically connected to the first electrode, a second semiconductor layer electrically connected to the second electrode, an active layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A semiconductor structure; And a passivation layer disposed between the second surface of the bonding metal layer and the second electrode.
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 플립칩 구조를 가지는 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a nitride semiconductor light emitting device having a flip chip structure.
발광 소자의 하나인 LED(Light Emitting diode)는 반도체 제조 공정을 이용하여 제작되는 발광 소자로써 1920년대 반도체 소자에 전압을 가하여 발광 현상이 관측된 이후로 1960년대 말에 실용화되기 시작했다. A light emitting diode (LED), which is one of the light emitting devices, is a light emitting device manufactured using a semiconductor manufacturing process. Since the luminescence phenomenon was observed by applying a voltage to a semiconductor device in the 1920s, it began to be put to practical use at the end of the 1960s.
이후 꾸준히 LED의 효율을 개선하기 위한 연구, 개발이 이루어져 왔으며, 특히 기존의 광원을 대체할 정도의 광 특성을 가진 LED에 대한 관심이 커지고 있는 실정이다. 또한, LED에 대한 연구의 증가와 더불어 LED 패키지와 이를 이용한 조명 장치에 대한 연구도 활발히 이루어지고 있다. Since then, researches and developments have been made to improve the efficiency of LED steadily. In particular, there is a growing interest in LEDs having optical characteristics enough to replace conventional light sources. In addition, studies on LED packages and lighting devices using them have been actively conducted along with an increase in research on LEDs.
또한 점광원 및 소형 광소자로, 활용분야가 표시, 신호, 디스플레이, 조명, 바이오, 통신, 휴대전화, LCD, 자동차 산업 등 산업 전반으로 매우 넓으며, 앞으로도 지속성장이 예측된다.
본 발명의 배경이 되는 기술은 한국 공개특허공보 제10-2009-0002835호에 기재되어 있다.It is also a point light source and small-sized optical device, and its application fields are very broad in all industries including display, signal, display, lighting, bio, telecommunication, mobile phone, LCD and automobile industry.
The technology that constitutes the background of the present invention is disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2009-0002835.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 플립칩 구조를 가지는 질화물 반도체 발광 소자를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a nitride semiconductor light emitting device having a flip chip structure.
또한, 광 출력과 열 방출 효율을 향상시킬 수 있는 플립칩 구조를 가지는 질화물 반도체 발광 소자를 제공하고자 한다.Also, a nitride semiconductor light emitting device having a flip chip structure capable of improving light output and heat emission efficiency is provided.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은, 지지층; 상기 지지층 상에 위치하며, 상기 지지층을 향한 제 1측과, 상기 제 1측과 반대방향인 제 2측을 가지고, 상기 제 2측은 높이가 서로 다른 제 1면 및 제 2면을 가지는 결합 금속층; 상기 제 1면 상에 위치하는 제 1전극; 상기 제 2면 상에 위치하는 제 2전극; 질화물계 반도체를 포함하고, 상기 제 1전극과 전기적으로 연결되는 제 1반도체층, 상기 제 2전극과 전기적으로 연결되는 제 2반도체층, 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 반도체 구조; 및 상기 결합 금속층의 제 2면과 상기 제 2전극 사이에 위치하는 패시베이션 층을 포함하여 구성될 수 있다.According to an aspect of the present invention, A coupling metal layer located on the support layer and having a first side toward the support layer and a second side opposite to the first side, the second side having a first side and a second side with different heights; A first electrode located on the first surface; A second electrode located on the second surface; A first semiconductor layer including a nitride semiconductor and electrically connected to the first electrode, a second semiconductor layer electrically connected to the second electrode, an active layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A semiconductor structure; And a passivation layer disposed between the second surface of the bonding metal layer and the second electrode.
본 발명은 다음과 같은 효과가 있는 것이다.The present invention has the following effects.
발광 소자의 전극 구조에 의하여 반사율이 크게 향상될 수 있으며, 복층 구조의 패시베이션 층을 구비하여 활성층의 파장 대역에 해당하는 특정 파장 대역에서 고반사층으로 작용함과 동시에 절연층으로 작용할 수 있으므로 광 출력과 전기적 특성이 향상될 수 있다.The reflectance can be greatly improved by the electrode structure of the light emitting device and the passivation layer having a multi-layer structure can be provided so as to function as a high reflection layer in a specific wavelength band corresponding to the wavelength band of the active layer, The electrical characteristics can be improved.
이러한 발광 소자는 회로 기판 상에 플립칩 본딩되어 장착될 수 있고, 이와 같이 플립칩 본딩되는 발광 소자는 반도체 구조에서 방출되는 열이 전도성이 우수한 결합 금속층과 지지층을 통하여 하부로 효과적으로 방출될 수 있는 효과가 있다.Such a light emitting device can be mounted on a circuit board by flip chip bonding, and the light emitting device that is flip chip bonded as described above can effectively emit heat from the semiconductor structure through the bonding metal layer having excellent conductivity and the support layer .
따라서, 발광 소자의 광 출력과 신뢰성이 크게 향상될 수 있는 효과를 가지는 것이다.Therefore, the light output and reliability of the light emitting device can be greatly improved.
도 1은 발광 소자의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1과 같은 발광 소자의 광 방출 특성을 설명하기 위한 일부 확대도이다.
도 3은 패시베이션 층의 반사도를 나타내는 그래프이다.
도 4는 금속 물질들의 반사도를 나타내는 그래프이다.
도 5는 발광 소자의 장착 상태를 일례를 나타내는 단면도이다.
도 6은 발광 소자의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6과 같은 발광 소자의 광 방출 특성을 설명하기 위한 일부 확대도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting element.
2 is a partially enlarged view for explaining light emission characteristics of the light emitting device as shown in FIG.
3 is a graph showing the reflectivity of the passivation layer.
4 is a graph showing reflectivity of metal materials.
5 is a cross-sectional view showing an example of the mounting state of the light emitting element.
6 is a cross-sectional view showing another example of the light emitting element.
7 is a partially enlarged view for explaining light emission characteristics of the light emitting device as shown in FIG.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다. While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. Rather, the intention is not to limit the invention to the particular forms disclosed, but rather, the invention includes all modifications, equivalents and substitutions that are consistent with the spirit of the invention as defined by the claims.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. It will be appreciated that when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being present on another element "on," it may be directly on the other element or there may be an intermediate element in between .
비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.Although the terms first, second, etc. may be used to describe various elements, components, regions, layers and / or regions, such elements, components, regions, layers and / And should not be limited by these terms.
도 1에서 도시하는 바와 같이, 발광 소자는, 지지층(100) 상에 제 1반도체층(610), 활성층(620), 및 제 2반도체층(630)을 포함하는 반도체 구조(600)가 위치하고, 이 반도체 구조(600)와 지지층(100)을 결합하는 결합 금속층(200)이 구성된다.1, the light emitting device includes a
반도체 구조(600)는 질화물 반도체로 이루어질 수 있다. 즉, 질화 갈륨(GaN), 알루미늄 질화 갈륨(AlGaN), 인듐 질화 갈륨(InGaN), 및 알루미늄 인듐 질화 갈륨(AlInGaN) 반도체를 포함할 수 있으며, 이들의 조합으로 구성될 수도 있다.The
이때, 도 1의 상측에 위치하는 제 1반도체층(610)은 n-형 반도체층일 수 있으며, 그 하측에 위치하는 제 2반도체층(630)은 p-형 반도체층일 수 있다. 그러나 경우에 따라 제 1반도체층(610)이 p-형 반도체층(630)으로 이루어지고 제 2반도체층(630)이 n-형 반도체층으로 이루어질 수도 있음은 물론이다.At this time, the
제 1반도체층(610)이 n-형 반도체층으로 이루어지는 경우에는, 도 1에서와 같이, 제 1반도체층(610)의 두께가 제 2반도체층(630)보다 두꺼울 수 있다.When the
이러한 제 1반도체층(610)과 제 2반도체층(630) 사이에는 활성층(620)이 위치하는데, 이 활성층(620)에서 발광이 일어나게 되며, 이 발광된 빛은 주로 상측으로 방출된다.An
지지층(100)은 반도체 또는 금속을 포함하는 층으로 이루어질 수 있다. 도 1에서는 지지층(100)이 반도체 기판(110)을 포함하는 예를 도시하고 있다. 이때, 반도체 기판(110)과 결합 금속층(200) 사이의 전기적 결합을 위한 제 1접촉층(120)이 구비될 수 있다.The
또한, 반도체 기판(110)의 하측에도 전기적 연결을 위한 제 2접촉층(130)이 위치할 수 있으며, 이러한 제 2접촉층(130)에는 금속 패드(도시되지 않음)가 구비될 수도 있다.Also, a
결합 금속층(200)은 지지층(100)을 향하는 제 1측(201)과 반도체 구조(600)를 향하는 제 2측(202)의 형상이 다르게 구성될 수 있다.The
도시하는 바와 같이, 반도체 구조(600)를 향하는 제 2측(202)은 내측에서 융기되는 구조를 가질 수 있다.As shown, the
즉, 제 2측(202)에는 높이가 서로 다른 제 1면(203)과 제 2면(204)를 가질 수 있다. 이때, 제 1면(203)은, 지지층(100)을 기준으로 볼 때, 제 2면(204)보다 높은 위치에 위치하게 된다.That is, the
따라서, 제 1면(203)으로부터 지지층(100)까지의 거리는 제 2면(204)으로부터 지지층(100)까지의 거리보다 크도록 구성될 수 있다.Thus, the distance from the
또한, 제 1면(203)과 제 2면(204)은 경사면(205)으로 서로 이어질 수 있다.Also, the
한편, 결합 금속층(200)은 지지층(100)과 결합되는 솔더층(220)과, 이 솔더층(220)의 성분이 상측으로 확산되는 것을 방지하는 확산 방지층(210)을 포함하여 구성될 수 있다.The
이와 같이, 제 1면(203)이 높게 형성되는 결합 금속층(200)의 제 1면(203) 상에는 제 1전극(300)이 위치할 수 있다. 이러한 제 1전극(300)은 제 1반도체층(610)과 접하여 전기적으로 연결된다.As described above, the
또한, 제 2면(204)과 경사면(205)에는 전기적 절연을 위한 패시베이션 층(500)이 위치할 수 있다. 패시베이션 층(500)은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiN)로 이루어질 수 있으며, 그 외에도 투명 또는 불투명의 다양한 유전체 물질이 이용될 수 있다.In addition, a
이러한 패시베이션 층(500)이 위치하는 제 2면(204)의 상측에는 제 2전극(400)이 위치할 수 있다.The
이 제 2전극(400) 상에는 제 2반도체층(630)이 위치하여, 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The
따라서, 제 1반도체층(610)은 제 1전극(300)으로부터 전하를 공급받고, 제 2반도체층(630)은 제 2전극(400)으로부터 전하를 공급받을 수 있다.Accordingly, the
도시하는 바와 같이, 제 2전극(400)과 반도체 구조(600)는 지지층(100)과 결합 금속층(200)보다 수평 폭이 넓게 구비된다. 따라서, 제 2전극(400)은 외측으로 노출될 수 있고, 특히, 제 2전극(400)의 노출면은 도 1의 하측면을 향하게 된다.As shown in the figure, the
즉, 제 2전극(400)의 노출된 방향은 결합 금속층(200)의 제 1측(201)과 같은 방향이 될 수 있다.That is, the exposed direction of the
이러한 제 2전극(400)의 노출면에는 금속 패드(410)가 위치할 수 있다.The
따라서, 이러한 구조를 이루는 발광 소자는 추후 회로 기판에 장착되는 경우에 플립칩(flip-chip) 본딩 형태를 이룰 수 있다(도 5 참고).Accordingly, the light emitting device having such a structure can be flip-chip bonded when it is mounted on a circuit board (refer to FIG. 5).
한편, 패시베이션 층(500)은 결합 금속층(200)과 제 2전극(400) 및 반도체 구조(600) 사이의 접촉을 막아 절연을 이룰 수 있다.On the other hand, the
또한, 경사면(205) 상에 위치하는 패시베이션 층(500)의 위치에 반도체 구조(600)의 활성층(620)이 위치하도록 구비될 수 있으며, 따라서 패시베이션 층(500)의 상측 위치는 제 1반도체층(610)에 내입되어 제 1전극(300)의 측면에 이르도록 위치할 수 있다.The
즉, 반도체 구조(600)의 활성층(620)은, 결합 금속층(200)의 제 1면(203)과 제 2면(204) 사이의 높이에 위치할 수 있다.That is, the
반도체 구조(600)의 광 추출 면에는 광 추출 구조(640)가 구비될 수 있는데, 이 광 추출 면은 제 1반도체층(610)의 상면이 될 수 있다.The light extracting surface of the
이러한 광 추출 구조(640)는 돌기(641) 또는 홈(642) 형태의 단위 구조를 가질 수 있으며, 이러한 단위 구조는 제 1반도체층(610)의 면 상에서 규칙적인 주기를 가지도록 형성되거나, 랜덤 구조로 형성될 수 있다.The
한편, 도 2에서 도시하는 바와 같이, 패시베이션 층(500)은 고반사(HR; high reflection)층으로 이루어질 수 있다. 즉, 패시베이션 층(500)은 서로 굴절률이 다른 두 층(510, 520)이 교대로 위치하는 상태로 구성될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 2, the
일례로서, 굴절률이 낮은(파장 450 nm에서 굴절률 1.45) 실리콘 산화물(SiO2)이 제 1층(510)으로, 굴절률이 높은(파장 450 nm에서 굴절률 2.1) 실리콘 질화물(SiN)이 제 2층(520)으로, 서로 교대로 적층되어 고반사층을 이룰 수 있다.As an example, silicon nitride (SiN) having a high index of refraction (wavelength: 450 nm at a wavelength of 450 nm) is used as the
이때, 제 1층(510)과 제 2층(520)의 두께는 발광 파장(λ)에 대하여, λ/4n의 두께를 가질 수 있다. 여기서 n은 제 1층(510) 및 제 2층(520)의 굴절률이다.At this time, the thickness of the
이러한 복층 구조의 패시베이션 층(500)은 활성층(620)의 파장 대역에 해당하는 특정 파장 대역에서 고반사층으로 작용함과 동시에 절연층으로 작용할 수 있게 된다.The
도 3에서는, 이러한 고반사층 구조의 패시베이션 층(500)의 일례로서, 파장 450 nm에서 λ/4n에 해당하는 두께로 제 1층과 제 2층을 적층한 예의 반사율을 나타내고 있다.In Fig. 3, as an example of the
즉, SiO2 막을 740 nm 두께로 증착한 제 1층과, SiN 막을 550 nm 두께로 증착한 제 2층을 각각 6층을 적층한 후의 청색 파장 대역(440 nm) 근처에서의 반사율을 보여주고 있다.That is, it shows the reflectance near the blue wavelength band (440 nm) after laminating 6 layers of the first layer deposited with the SiO 2 film thickness of 740 nm and the second layer deposited with the 550 nm thickness of the SiN film .
도시하는 바와 같이, 파장 410 nm 내지 490 nm 근처에서 반사율이 90% 이상이고, 파장 425 nm 내지 465 nm에서는 반사율이 95% 이상이며, 파장 440 nm에서는 약 96%의 반사율을 보임을 알 수 있다.As shown in the figure, it can be seen that the reflectance is 90% or more at a wavelength of about 410 nm to 490 nm, the reflectance is 95% or more at a wavelength of 425 nm to 465 nm, and the reflectance is about 96% at a wavelength of 440 nm.
또한, 적층하는 제 1층과 제 2층의 수를 증가시킴으로써 반사율을 99%까지 증가시킬 수 있다. 이는 참고 도면인 도 4에서 나타내는 바와 같이, 반사 특성이 우수한 은(Ag)이나 알루미늄(Al)과 같은 금속막보다 높은 반사율을 가지는 것을 알 수 있다.In addition, the reflectance can be increased up to 99% by increasing the number of the first layer and the second layer to be laminated. It can be seen that the reflectance is higher than that of a metal film such as silver (Ag) or aluminum (Al), which has excellent reflection characteristics, as shown in FIG.
이와 같은 구조에 의하여 발광 소자의 광 추출 효율은 크게 향상될 수 있다.With this structure, the light extraction efficiency of the light emitting device can be greatly improved.
다시 도 2를 참조하면, 반도체 구조(600)의 활성층(620)에서 발광되는 빛은 제 1반도체층(610)을 통하여 직접 외부로 방출될 수 있는데, 이때, 광 추출 구조(640)는 이러한 빛이 전반사 되지 않고 외부로 방출될 수 있도록 도울 수 있다.2, the light emitted from the
또한, 활성층(620)에서 하측으로 방출되는 빛은 제 2전극(400)에 의하여 반사되어 상측을 향할 수 있는데, 이러한 제 2전극(400) 또는 제 1전극(300)은 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au) 중 적어도 어느 하나의 반사 물질을 포함하기 때문이다.The
이렇게 상측을 향한 빛은 광 추출 구조(640)에 의하여 외부로 방출될 수 있으며, 반도체 구조(600) 상면에서 전반사되어 다시 내부로 향하는 빛은 제 1전극(300) 또는 패시베이션 층(500)에서 반사되어 반도체 구조(600) 외부로 방출될 수 있는 것이다.The light directed toward the upper side may be emitted to the outside by the
이상에서 설명한 발광 소자는, 위에서 언급한 바와 같이, 회로 기판(700) 상에 플립칩 본딩되어 장착될 수 있다.As described above, the light emitting device described above can be mounted on the
즉, 제 1전극(300)의 전도성이 연결되는 지지층(100)과 제 2전극(400)이 같은 방향을 바라보도록 구비될 수 있으므로, 회로 패턴(710, 720)에 솔더(730, 740)에 의하여 본딩될 수 있다.That is, since the supporting
즉, 지지층(100)은 제 1솔더층(730)에 의하여 제 1패턴(710)에 본딩될 수 있으며, 제 2전극(400)에 연결된 금속 패드(410)는 제 2솔더층(740)에 의하여 제 2패턴(720)에 본딩될 수 있다.That is, the
이때, 경우에 따라, 금속 패드(410)와 제 2솔더층(740) 사이에는 전기적 연결을 위한 연결부(750)가 더 구비될 수 있다.In this case, a
이와 같이, 플립칩 본딩되는 발광 소자는 반도체 구조(600)에서 방출되는 열이 열과 전기적으로 전도성이 우수한 결합 금속층(200)과 지지층(100)을 통하여 하부로 효과적으로 방출될 수 있는 특성을 가진다.As described above, the light emitting device that is flip-chip bonded has a characteristic that heat emitted from the
도 6에서는 수직형 발광 소자의 일례를 나타내고 있다. 이러한 수직형 발광 소자는 반사 방지(AR; anti-reflection)층 구조를 가지는 패시베이션 층(500)이 적용될 수 있다.6 shows an example of a vertical type light emitting device. The
이러한 수직형 발광 소자는 지지층(100) 상에 결합 금속층(200)이 구비되고, 이 결합 금속층(200) 상에는 제 2전극(420)이 위치한다.In this vertical type light emitting device, the
이 제 2전극(420) 상에는 제 2반도체층(630), 활성층(620), 및 제 1반도체층(610)이 차례로 위치하는 반도체 구조(600)가 위치하고, 제 1반도체층(610) 상에는 제 1전극(310)이 위치한다.A
이러한 반도체 구조(600)의 외측에는 패시베이션 층(500)이 위치하며, 이러한 패시베이션 층(500)은 반도체 구조(600)의 측면과 상면의 일부에 위치할 수 있으며, 결합 금속층(200)의 일부 상에도 위치할 수 있다.A
여기서 구체적으로 언급하지 않는 부분은 위에서 설명한 발광 소자에 대한 기술적 사항이 동일하게 적용될 수 있다.The parts not specifically mentioned here can be equally applied to the technical matters of the light emitting device described above.
위에서 설명한 바와 같이, 패시베이션 층(500)은 다층 구조의 반사 방지층 구조를 가진다.As described above, the
도 7에서 도시하는 바와 같이, 활성층(620)에서 발광된 빛은 광 추출 구조(640)에 의하여 외부로 방출되거나, 제 2전극(420)에 의하여 반사되어 외부로 방출될 수 있다.7, the light emitted from the
이때, 반도체 구조(600)의 측면을 향하는 빛은 패시베이션 층(500)에서 반사되지 않고 그대로 방출될 수 있다.At this time, light directed toward the side surface of the
즉, 패시베이션 층(500)을 구성함에 있어서, 제 1층(510)과 제 2층(520)이 빛에 대하여 보강 간섭이 일어나도록 번갈아 적층하여 구성하면 반사 방지 코팅이 되어 광 특성이 향상될 수 있다.That is, when the
이러한 패시베이션 층(500)은 반도체 구조(600)의 누설 전류를 방지하고, 반도체 구조(600)의 충격을 방지하는 보호층으로 작용할 수 있음은 물론이다.It will be appreciated that such a
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.It should be noted that the embodiments of the present invention disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.
100: 지지층 200: 결합 금속층
300: 제 1전극 400: 제 2전극
500: 패시베이션 층 600: 반도체 구조100: support layer 200: bonding metal layer
300: first electrode 400: second electrode
500: passivation layer 600: semiconductor structure
Claims (13)
상기 지지층 상에 위치하며, 상기 지지층을 향한 제 1측과, 상기 제 1측과 반대방향인 제 2측을 가지고, 상기 제 2측은 높이가 서로 다른 제 1면 및 제 2면을 가지는 결합 금속층;
상기 제 1면 상에 위치하는 제 1전극;
상기 제 2면 상에 위치하고, 상면이 상기 결합 금속층을 향하도록 구비되는 제 2전극;
질화물계 반도체를 포함하고, 상기 제 1전극과 전기적으로 연결되는 제 1반도체층, 상기 제 2전극과 전기적으로 연결되는 제 2반도체층, 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하며, 상기 결합 금속층보다 수평 폭이 넓은 반도체 구조; 및
상기 결합 금속층의 제 2면과 상기 제 2전극 사이에 위치하는 패시베이션 층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.Supporting layer;
A coupling metal layer located on the support layer and having a first side toward the support layer and a second side opposite to the first side, the second side having a first side and a second side with different heights;
A first electrode located on the first surface;
A second electrode located on the second surface and having an upper surface facing the bonding metal layer;
A first semiconductor layer including a nitride semiconductor and electrically connected to the first electrode, a second semiconductor layer electrically connected to the second electrode, an active layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A semiconductor structure having a horizontal width larger than that of the bonding metal layer; And
And a passivation layer disposed between the second surface of the bonding metal layer and the second electrode.
상기 지지층과 접하는 솔더층; 및
상기 솔더층 상에 위치하는 확산 방지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.The semiconductor device according to claim 1,
A solder layer in contact with the support layer; And
And a diffusion barrier layer disposed on the solder layer.
반도체 기판; 및
상기 반도체 기판 상에 위치하며, 상기 결합 금속층과 접촉하는 접촉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.The method as claimed in claim 1,
A semiconductor substrate; And
And a contact layer disposed on the semiconductor substrate and in contact with the bonding metal layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120050839A KR101414651B1 (en) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | Nitride semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020120050839A KR101414651B1 (en) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | Nitride semiconductor light emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130127138A KR20130127138A (en) | 2013-11-22 |
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ID=49854794
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120050839A KR101414651B1 (en) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | Nitride semiconductor light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101414651B1 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102169826B1 (en) * | 2014-05-28 | 2020-10-27 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070095089A (en) * | 2006-03-20 | 2007-09-28 | 한국광기술원 | Flip chip emitting diode with dilectic reflector |
| KR20110129620A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-02 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, method for fabricating the light emitting device and light emitting device package |
| KR20120002894A (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-09 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system |
| KR20120006409A (en) * | 2010-07-12 | 2012-01-18 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device |
-
2012
- 2012-05-14 KR KR1020120050839A patent/KR101414651B1/en active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20070095089A (en) * | 2006-03-20 | 2007-09-28 | 한국광기술원 | Flip chip emitting diode with dilectic reflector |
| KR20110129620A (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-02 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, method for fabricating the light emitting device and light emitting device package |
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|---|---|
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