KR101403254B1 - Manufacturing method for device with nano structure - Google Patents

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Abstract

본 발명은 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 1차 기판 상에 2차 기판을 형성하는 단계; 상기 1차 기판을 상기 2차 기판으로부터 분리 제거하는 단계; 상기 1차 기판과 접촉되어 있던 상기 2차 기판의 표면상에 나노 구조체를 형성하는 단계; 상기 나노 구조체 상에 3차 기판을 형성하는 단계; 및 상기 2차 기판을 상기 나노 구조체로부터 분리 제거하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 의하면, 표면 조도가 낮은 1차 기판을 이용하여 나노 구조체가 형성될 2차 기판을 형성하고 2차 기판 상에 형성된 나노 구조체를 3차 기판으로 전사하는 이중 전사 방식으로 나노 구조체를 구비한 소자를 제조함으로써, 나노 구조체가 형성되는 2차 기판을 표면 조도가 낮게 형성할 수 있고 이로써 나노 구조체가 높은 표면 조도로 인해 불균일하게 형성되는 것을 방지할 수 있으므로, 그 광학적, 전기적, 기계적 특성을 극대화할 수 있을 뿐만 아니라, 소자에 포함되는 3차 기판이 플라스틱 기판이라도 나노 구조체가 형성되는 2차 기판은 금속 기판을 적용할 수 있으므로 고온에서 형성된 고품질의 나노 구조체를 형성할 수 있으며, 연마 등의 기판 평탄화 작업이 불필요하므로 저렴하고 용이하게 제조할 수 있고, 보호층과 분리층을 이용해 제조 공정 중의 1차ㆍ2차 기판의 손상을 최소화하여 1차ㆍ2차 기판을 반복적으로 재사용할 수 있으므로 제조 비용을 더욱 절감할 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a device having a nanostructure, comprising: forming a secondary substrate on a primary substrate; Separating and removing the primary substrate from the secondary substrate; Forming a nanostructure on the surface of the secondary substrate in contact with the primary substrate; Forming a tertiary substrate on the nanostructure; And separating and removing the secondary substrate from the nanostructure.
According to the present invention, there is provided a double transfer method in which a secondary substrate on which a nanostructure is to be formed is formed using a primary substrate having a low surface roughness, and a nanostructure formed on the secondary substrate is transferred to a tertiary substrate, By manufacturing the device, it is possible to form the secondary substrate on which the nanostructure is formed with a low surface roughness, thereby preventing uneven formation of the nanostructure due to high surface roughness, thereby maximizing the optical, electrical, and mechanical characteristics In addition, since the secondary substrate on which the nanostructure is formed can be a metal substrate even if the tertiary substrate included in the device is a plastic substrate, a high-quality nanostructure formed at a high temperature can be formed, Since a planarization operation is unnecessary, it can be manufactured inexpensively and easily, and manufacturing using a protective layer and a separation layer Information minimize damage to the primary and secondary substrate of the can further reduce the manufacturing cost can be reused for the primary and secondary substrate repeatedly.

Description

나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법 {MANUFACTURING METHOD FOR DEVICE WITH NANO STRUCTURE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a device having a nanostructure,

본 발명은 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 광학적, 전기적, 기계적 특성이 극대화된 고품질의 나노 구조체를 구비한 소자를 저렴하고 용이하게 제조할 수 있는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a device having a nanostructure, and more particularly, to a method of manufacturing a device including a nanostructure capable of manufacturing a device having a high-quality nanostructure maximized in optical, electrical, And a method of manufacturing a device.

최근, 멀티미디어의 발달과 함께 유연성, 휴대성을 갖고 있는 다기능성 전자소자의 중요성이 증대되고 있다. 특히 높은 광추출 또는 광반사, 광센서, 마이크, 냄새 센서, 투명 전극, 고효율 전극, 초소형 발전기 등 다양한 기능들이 작은 면적의 소자에 집적화가 이루어져야 한다.Recently, with the development of multimedia, the importance of multifunctional electronic devices having flexibility and portability is increasing. In particular, various functions such as high light extraction or light reflection, optical sensors, microphones, odor sensors, transparent electrodes, high-efficiency electrodes, and miniature generators must be integrated into small-area devices.

구체적으로, 유기 발광 다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diode), 액정 표시 장치(LCD; Liquid Crystal Display), 전기영동장치(EPD; Electrophoretic Display), 플라스마 디스플레이 패널(PDP; Plasma Display Panel), 박막 트랜지스터(TFT; Thin-Film Transistor), 마이크로프로세서(microprocessor), 램(RAM; Random Access Memory), 태양전지(Solar cell), 진단 칩(diagnostic chip), 전지(Battery) 등의 전자소자들의 고성능화, 다기능화가 필요하다. Specifically, the organic light emitting diode (OLED), the liquid crystal display (LCD), the electrophoretic display (EPD), the plasma display panel (PDP), the thin film transistor (TFT), a microprocessor, a random access memory (RAM), a solar cell, a diagnostic chip, and a battery, need.

이러한 집적화된 고성능, 다기능의 소자를 만들기 위해서는 물질을 나노 스케일로 제조한 나노 구조체를 적용하는 것이 필수적이므로, 나노 구조체를 지지할 수 있는 소정의 기판 상에 다양한 방식으로 나노 구조체를 형성하려는 시도가 이루어지고 있다.In order to make such an integrated high-performance, multi-functional device, it is necessary to apply a nanostructure made of nanoscale material, so an attempt has been made to form a nanostructure on a predetermined substrate capable of supporting the nanostructure ought.

이렇게 기판 상에 나노 구조체를 형성할 때에는 나노 구조체를 균일하게 형성하기 위해 기판의 표면 조도를 낮게 형성하는 것이 중요하다. 종래의 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법의 경우 나노 구조체가 형성될 기판의 표면을 연마 작업 등으로써 목적한 표면 조도를 확보하고 해당 표면에 나노 구조체를 형성하게 된다.When forming the nanostructure on the substrate, it is important to reduce the surface roughness of the substrate in order to uniformly form the nanostructure. In the conventional method of manufacturing a device having a nanostructure, the desired surface roughness is secured by polishing the surface of the substrate on which the nanostructure is to be formed, and the nanostructure is formed on the surface.

그러나 이러한 연마 작업 등의 기판 표면 평탄화 작업은 소자의 제조 비용을 적잖이 상승시키며, 그 작업의 난이도도 높고 복잡할 뿐만 아니라, 연속적인 작업도 불가능한 단점이 있다.However, such planarization of the surface of the substrate, such as the polishing operation, raises the manufacturing cost of the device to a small extent, and the operation is difficult and complicated, and continuous operation is also impossible.

또한, 종래의 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법을 통해 기판 상에 형성된 나노 구조체는 대개 나노 구조체 자체의 표면 조도가 높아 나노 구조체의 표면에 다른 구성요소들을 올려 전자소자를 제작하면, 나노 구조체와 다른 구성요소와의 관계에서 누설 전류, 단락 등에 의한 불량이 발생하고 수율이 감소하는 문제점이 있다.The nanostructure formed on the substrate through the conventional method of manufacturing a device having a nanostructure generally has high surface roughness of the nanostructure itself, so that when the electronic device is manufactured by placing other components on the surface of the nanostructure, There is a problem that defects due to leakage current, short circuit, etc. occur in relation to other components and the yield is reduced.

그리고 일반적으로 나노 구조체의 형성 온도는 200℃ ~ 800℃ 이상의 고온이 필요하며, 나노 구조체를 더 고온에서 형성할수록 그 품질은 향상되므로, 나노 구조체를 지지해 주는 역할을 하는 기판은 고온에서 견딜 수 있는 고가의 실리콘과 같은 세라믹 기판이나 유리 기판을 주로 사용해 왔으나, 유연성이 없고 재사용 또한 불가능한 단점이 있다.In general, the formation temperature of the nanostructure is required to be higher than 200 ° C. to 800 ° C., and the quality of the nanostructure increases as the nanostructure is formed at a higher temperature. Therefore, the substrate, which supports the nanostructure, Ceramic substrates and glass substrates such as expensive silicon have been mainly used, but they are not flexible and reusable.

한편, 최근 전자소자에 많이 요구되고 있는 특성 중 하나는 스트레칭 및 휨이 가능한 플렉서블한 특성이다.On the other hand, one of the characteristics that are required for electronic devices in recent years is a flexible characteristic capable of stretching and warping.

예를 들어, 플렉서블 디스플레이 분야에 적용하기 위한 나노 구조체를 구비한 소자는, 다양한 가역적 스트레칭 등의 변형을 견딜 수 있어야 한다. 이렇게 플렉서블한 특성을 가지면서 널리 적용될 수 있는 것이 플라스틱 기판이지만, 플라스틱 기판은 내열성이 약해 나노 구조체의 형성 온도를 높일 수 없으므로 그 표면에는 양질의 나노 구조체를 형성할 수 없는 한계가 있다.For example, a device having a nanostructure for application in a flexible display field should be able to withstand various deformations such as reversible stretching. Although the plastic substrate can be widely applied while having such flexible characteristics, the plastic substrate has a low heat resistance and can not raise the formation temperature of the nanostructure. Therefore, there is a limit in that a high-quality nanostructure can not be formed on the surface of the plastic substrate.

상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 나노 구조체가 형성될 기판의 표면 조도를 저렴하고 용이하게 낮게 형성할 수 있으며, 소자에 포함되는 기판의 내열성이 약하더라도 나노 구조체는 고온에서 고품질로 형성할 수 있으며, 나노 구조체로 인한 표면 조도의 증가 없이 양질의 소자가 높은 수율로 제작 및 완성되게 할 수 있는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to reduce the surface roughness of a substrate on which a nanostructure is to be formed to a low and easily low level. Even if the substrate contained in the device is poor in heat resistance, And to provide a method of manufacturing a device having a nanostructure that can produce and complete a high-quality device at a high yield without increasing the surface roughness due to the nanostructure.

상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 1차 기판 상에 2차 기판을 형성하는 단계; 상기 1차 기판을 상기 2차 기판으로부터 분리 제거하는 단계; 상기 1차 기판과 접촉되어 있던 상기 2차 기판의 표면상에 나노 구조체를 형성하는 단계; 상기 나노 구조체 상에 3차 기판을 형성하는 단계; 및 상기 2차 기판을 상기 나노 구조체로부터 분리 제거하는 단계;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a device including a nanostructure, including: forming a secondary substrate on a primary substrate; Separating and removing the primary substrate from the secondary substrate; Forming a nanostructure on the surface of the secondary substrate in contact with the primary substrate; Forming a tertiary substrate on the nanostructure; And separating and removing the secondary substrate from the nanostructure.

상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 상기 2차 기판의 표면상에 상기 나노 구조체를 형성한 후 상기 나노 구조체의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우는 단계;를 더 포함하거나, 상기 2차 기판을 상기 나노 구조체로부터 분리 제거한 후 상기 나노 구조체의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우는 단계;를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming the nanostructure on the surface of the secondary substrate and then filling the internal gap of the nanostructure with a planarization material, Separating the nanostructure from the nanostructure and filling the inner gap of the nanostructure with a planarizing material.

상기 나노 구조체의 내부 간극을 상기 평탄화 물질로 채우는 단계는, 상기 나노 구조체의 내부 간극을 폴리머, 졸-겔 산화물, 패럴린 중 어느 하나의 평탄화 물질로 채우는 단계;일 수 있다.The step of filling the inner gap of the nanostructure with the planarizing material may include filling the inner gap of the nanostructure with a planarizing material selected from polymer, sol-gel oxide, and paralin.

상기 나노 구조체 상에 상기 3차 기판을 형성하는 단계는, 상기 나노 구조체 상에 저점도 도전성 페이스트 형성, 반경화 접착 필름 부착, 접착층 형성, 액상의 접착제 코팅, 금속-금속 확산을 통한 본딩 중 어느 하나의 작업을 통해 상기 3차 기판을 상기 나노 구조체 상에 접착 형성하는 단계;일 수 있다.The step of forming the tertiary substrate on the nanostructure may include a step of forming a low-viscosity conductive paste on the nanostructure, attaching a semi-cured adhesive film, forming an adhesive layer, applying a liquid adhesive, And bonding the tertiary substrate to the nanostructure through an operation of forming the nanostructure on the nanostructure.

상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 상기 1차 기판과 상기 2차 기판 사이에 위치되게 희생층을 형성하는 단계;를 더 포함하며, 상기 1차 기판을 상기 2차 기판으로부터 분리 제거하는 단계는, 상기 희생층의 화학적 제거에 의한 것일 수 있다.The method of manufacturing a device including the nanostructure may further include forming a sacrificial layer between the primary substrate and the secondary substrate to separate the primary substrate from the secondary substrate The step may be by chemical removal of the sacrificial layer.

상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 상기 2차 기판과 상기 나노 구조체의 사이에 위치되게 희생층을 형성하는 단계;를 더 포함하며, 상기 2차 기판을 상기 나노 구조체로부터 분리 제거하는 단계는, 상기 희생층의 화학적 제거에 의한 것일 수 있다.The method may further include forming a sacrificial layer between the secondary substrate and the nanostructure, separating and removing the secondary substrate from the nanostructure, May be by chemical removal of the sacrificial layer.

상기 1차 기판은, 상기 2차 기판이 형성되는 표면이 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 100 nm 또는 0 nm < Rt < 1,000 nm의 표면 조도를 갖는 것으로 적용될 수 있다.The primary substrate has a surface roughness of 0 nm <Ra <100 nm or 0 nm <Rt <1,000 nm when the surface on which the secondary substrate is formed is measured with a three-dimensional profiler in a range of 456 μm × 608 μm . &Lt; / RTI &gt;

상기 1차 기판은, 상기 2차 기판이 형성되는 표면이 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 10 nm 또는 0 nm < Rt < 100 nm의 표면 조도를 갖는 것으로 적용될 수 있다.The primary substrate has a surface roughness of 0 nm <Ra <10 nm or 0 nm <Rt <100 nm when the surface on which the secondary substrate is formed is measured with a three-dimensional profiler in the range of 456 μm × 608 μm . &Lt; / RTI &gt;

상기 2차 기판은, 상기 나노 구조체가 형성되는 표면이 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 100 nm 또는 0 nm < Rt < 1,000 nm의 표면 조도를 갖게 구현될 수 있다.The secondary substrate has a surface roughness of 0 nm <Ra <100 nm or 0 nm <Rt <1,000 nm when the surface on which the nanostructure is formed is measured with a three-dimensional profiler in the range of 456 μm × 608 μm .

상기 2차 기판은, 상기 나노 구조체가 형성되는 표면이 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 10 nm 또는 0 nm < Rt < 1,00 nm의 표면 조도를 갖게 구현될 수 있다.The secondary substrate has a surface of 0 nm <Ra <10 nm or 0 nm <Rt <1,00 nm when the surface on which the nanostructure is formed is measured with a three-dimensional profiler in the range of 456 μm × 608 μm It can be realized to have roughness.

상기 1차 기판은, 상기 2차 기판으로부터 분리 제거된 후, 후속되는 다른 2차 기판의 형성 작업에 그대로 재사용되게 구현될 수 있다.The primary substrate may be separated and removed from the secondary substrate, and then reused as it is for subsequent secondary substrate formation operations.

상기 1차 기판은, 판 형상, 롤 형상, 시트 형상 중 어느 하나의 형상으로 구비될 수 있다.The primary substrate may be provided in any one of a plate shape, a roll shape, and a sheet shape.

상기 1차 기판은, 유리 또는 실리콘으로 이루어질 수 있다.The primary substrate may be made of glass or silicon.

상기 1차 기판은, 고분자 물질로 이루어질 수 있다.The primary substrate may be made of a polymer material.

상기 1차 기판은, Ni, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 Fe 합금일 수 있다.The primary substrate may be an Fe alloy containing at least one of Ni, Mo, and Cr.

상기 1차 기판은, Ti 또는 Ti 합금일 수 있다.The primary substrate may be Ti or a Ti alloy.

상기 1차 기판은, Cu, Ni, Al, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다.The primary substrate may be a material containing at least one of Cu, Ni, Al, Mo, and Cr.

상기 2차 기판은, 상기 1차 기판 상에 1 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다.The secondary substrate may be formed on the primary substrate to a thickness of 1 占 퐉 to 500 占 퐉.

상기 2차 기판은, 상기 1차 기판 상에 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다.The secondary substrate may be formed on the primary substrate to a thickness of 1 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less.

상기 2차 기판은, Fe, Ag, Au, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, In. Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Zr, Mg, INVAR 및 스테인리스강으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 금속 물질로 이루어질 수 있다.The secondary substrate is made of Fe, Ag, Au, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, In. And a metal material including at least one selected from the group consisting of Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Zr, Mg, INVAR and stainless steel.

상기 2차 기판은, Cu, Ni, Co, Ru, Rh, Pt, Ir 및 Pd으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 금속 물질로 이루어질 수 있다.The secondary substrate may be made of a metal material including at least one selected from the group consisting of Cu, Ni, Co, Ru, Rh, Pt, Ir and Pd.

상기 1차 기판 상에 상기 2차 기판을 형성하는 단계는, 주조법, 전자선 증착법, 열 증착법, 스퍼터 증착법, 화학기상 증착법 및 전기 도금법 중 하나 이상의 방법을 이용하여 이루어질 수 있다.The step of forming the secondary substrate on the primary substrate may be performed using one or more of a casting method, an electron beam evaporation method, a thermal evaporation method, a sputter deposition method, a chemical vapor deposition method, and an electroplating method.

상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 상기 2차 기판이 형성될 상기 1차 기판의 표면에 산성 또는 염기성 용액에 대해 내부식성을 갖는 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.The method for fabricating a device having the nanostructure may further include forming a protective layer having corrosion resistance against an acidic or basic solution on the surface of the primary substrate on which the secondary substrate is to be formed.

상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 상기 보호층을 형성하기 전에 상기 1차 기판의 표면을 플라즈마 처리 또는 자외선 조사 처리하는 단계;를 더 포함할 수 있다.The method for fabricating a device having the nanostructure may further include a step of plasma-treating or ultraviolet-irradiating the surface of the primary substrate before forming the protective layer.

상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 상기 보호층을 형성하기 전에 상기 1차 기판의 표면상에 Mo, Ni, Cr, Ti 및 Fe 중 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어져 상기 보호층의 박리를 방지하는 결합층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.The method for fabricating a device including the nanostructure may include forming a protective layer on the surface of the primary substrate, the protective layer being formed of a material containing at least one of Mo, Ni, Cr, Ti, and Fe, And forming a bonding layer for preventing the bonding layer.

상기 보호층을 형성하는 단계는, 전자선 증착법, 스퍼터 증착법 및 이온 플레이팅법 중 하나 이상의 방법을 이용하여 이루어질 수 있다.The forming of the protective layer may be performed using one or more of electron beam deposition, sputter deposition, and ion plating.

상기 보호층을 형성하는 단계는, 상기 보호층의 박리를 방지하기 위해 이온 빔을 조사하면서 상기 1차 기판의 표면에 상기 보호층을 형성하는 단계;일 수 있다.The forming of the protective layer may include forming the protective layer on the surface of the primary substrate while irradiating an ion beam to prevent peeling of the protective layer.

상기 보호층을 형성하는 단계는, 상기 보호층의 박리를 방지하기 위해 상기 1차 기판을 100 ℃ 이상 800 ℃ 이하로 가열한 상태로 상기 1차 기판의 표면에 상기 보호층을 형성하는 단계;일 수 있다.The forming of the protective layer may include forming the protective layer on the surface of the primary substrate while heating the primary substrate to 100 ° C to 800 ° C to prevent peeling of the protective layer, .

상기 보호층은, Au, Pt, Ir, Pd, Os, Rh, Ru 및 그 산화물로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.The protective layer may be made of a material containing at least one selected from the group consisting of Au, Pt, Ir, Pd, Os, Rh, Ru and oxides thereof.

상기 보호층은, Mo, Ni, Cr, Ti, Fe, Al, B, C의 산화물 및 그 질화물로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.The protective layer may be made of a material including at least one selected from the group consisting of oxides of Mo, Ni, Cr, Ti, Fe, Al, B and C and nitrides thereof.

상기 보호층은, 상기 1차 기판의 표면상에 1 nm 이상 1,000 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.The protective layer may be formed on the surface of the primary substrate to a thickness of 1 nm or more and 1,000 nm or less.

상기 보호층은, 상기 1차 기판 상에 10 nm 이상 100 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.The protective layer may be formed on the primary substrate to a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less.

상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 상기 2차 기판이 형성될 상기 1차 기판의 표면에 상기 2차 기판의 용이한 분리를 위해 분리층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a device including the nanostructure may further include forming a separation layer on the surface of the primary substrate on which the secondary substrate is to be formed to facilitate separation of the secondary substrate.

상기 분리층을 형성하는 단계는, 상기 1차 기판의 표면을 산화 처리 또는 질화 처리함으로써 균일한 부동태 피막의 상기 분리층을 형성하는 단계;일 수 있다.The step of forming the separation layer may be a step of forming the separation layer of a uniform passive film by oxidizing or nitriding the surface of the primary substrate.

상기 분리층을 형성하는 단계는, 상기 1차 기판의 표면을 공기, 산소, 질소 중 어느 하나의 가스 분위기에서 자외선 조사 처리, 레이저 조사 처리, 전자선 조사 처리 및 플라즈마 처리 중 하나 이상의 작업을 통해 상기 분리층을 형성하는 단계;일 수 있다.The step of forming the separation layer may include separating the surface of the primary substrate by at least one of an ultraviolet irradiation treatment, a laser irradiation treatment, an electron beam irradiation treatment and a plasma treatment in a gas atmosphere of air, oxygen, Forming a layer.

상기 분리층은, 상기 1차 기판 상에 1 nm 이상 100 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.The separation layer may be formed on the primary substrate to a thickness of 1 nm or more and 100 nm or less.

상기 분리층은, 상기 1차 기판 상에 1 nm 이상 20 nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.The separation layer may be formed on the primary substrate to a thickness of 1 nm or more and 20 nm or less.

상기 1차 기판 상에 상기 2차 기판을 형성하는 단계는, 상기 1차 기판의 표면을 평탄화하기 위한 평탄화층을 상기 1차 기판의 표면에 형성하는 단계; 및 상기 평탄화층 상에 상기 2차 기판을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.The forming of the secondary substrate on the primary substrate may include forming a planarization layer on the surface of the primary substrate to planarize the surface of the primary substrate; And forming the secondary substrate on the planarization layer.

상기 평탄화층은, 고분자 화합물을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.The planarization layer may be formed of a material including a polymer compound.

상기 평탄화층은, 폴리에스테르(Polyester), 폴리에스테르를 포함하는 공중합체, 폴리이미드(Polyimide:PI), 폴리이미드를 포함하는 공중합체, 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리아크릴산을 포함하는 공중합체, 폴리스티렌(polystyrene), 폴리스티렌을 포함하는 공중합체, 폴리설파이트(polysulfate), 폴리설파이트를 포함하는 공중합체, 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아믹산을 포함하는 공중합체, 폴리아민(polyamine), 폴리아민을 포함하는 공중합체, 폴리비닐 알콜(Polyvinylalcohol; PVA), 폴리 알릴아민(Polyallyamine) 및 폴리아크릴산(polyacrylic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 화합물을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.The planarization layer may be formed of a material selected from the group consisting of a polyester, a copolymer including a polyester, a polyimide (PI), a copolymer including polyimide, a polyacrylic acid, a copolymer containing polyacrylic acid, A copolymer comprising polystyrene, a copolymer including polystyrene, a polysulfate, a copolymer containing polysulfite, a polyamic acid, a copolymer including polyamic acid, a polyamine, a polyamine, And at least one polymer compound selected from the group consisting of polyvinyl alcohol (PVA), polyallylamine, and polyacrylic acid.

상기 나노 구조체는, 나노점, 나노공, 나노선, 나노튜브, 나노원뿔, 나노각뿔, 나노각기둥 및 나노시트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 형상으로 형성될 수 있다.The nanostructure may be formed in a shape including at least one selected from the group consisting of nano dots, nanopores, nanowires, nanotubes, nano cones, nano prisms, nano prisms, and nanosheets.

상기 나노 구조체는, Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Te, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Ti, Bi, 그 산화물, 그 질화물 및 그 탄화물 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.The nanostructure may be formed of at least one selected from the group consisting of Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, As, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, A material containing at least one selected from the group consisting of Cd, In Sn, Sb, Te, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Ti, Bi, &Lt; / RTI &gt;

상기 나노 구조체는, 탄소 나노튜브, 탄소 나노공 및 그래핀 중 어느 하나일 수 있다.The nanostructure may be any one of carbon nanotubes, carbon nanoparticles, and graphenes.

상기 나노 구조체는, 실리콘 나노선일 수 있다.The nanostructure may be a silicon nanowire.

이러한 본 발명의 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 의하면, 표면 조도가 낮은 1차 기판을 이용하여 나노 구조체가 형성될 2차 기판을 형성하고 2차 기판 상에 형성된 나노 구조체를 다양한 기판이 제한 없이 적용될 수 있는 3차 기판으로 전사하는 이중 전사 방식으로 나노 구조체를 구비한 소자를 제조함으로써, 나노 구조체가 형성되는 2차 기판을 표면 조도가 낮게 형성할 수 있다.According to the method of manufacturing a device having a nanostructure of the present invention, a secondary substrate on which a nanostructure is to be formed is formed using a primary substrate having a low surface roughness, and a nanostructure formed on a secondary substrate The secondary substrate on which the nanostructure is formed can be formed to have a low surface roughness by manufacturing a device having the nanostructure by the double transfer method in which the nanostructure is transferred to the tertiary substrate which can be applied without using the nanostructure.

이를 통해 나노 구조체가 높은 표면 조도로 인해 불균일하게 형성되는 것을 방지할 수 있으므로, 나노 구조체를 매우 균일하게 형성함으로써 광학적, 전기적, 기계적 특성을 극대화할 수 있다.As a result, it is possible to prevent the nanostructure from being unevenly formed due to high surface roughness, so that it is possible to maximize optical, electrical and mechanical characteristics by forming the nanostructure very uniformly.

그리고 소자에 포함되는 3차 기판이 플라스틱 기판이라도 나노 구조체가 형성되는 2차 기판은 내열성이 강한 금속 기판을 적용할 수 있으므로 나노 구조체를 고온에서 고품질로 형성할 수 있다.Even if the third substrate included in the device is a plastic substrate, a metal substrate having a high heat resistance can be applied to the secondary substrate on which the nanostructure is formed, so that the nanostructure can be formed at high temperature and high quality.

또한, 기존의 제조방법과 비교하여 연마 작업 등의 기판을 평탄화하기 위한 작업이 불필요하므로 나노 구조체를 구비한 소자를 저렴하고 용이하게 제조할 수 있다.In addition, since an operation for planarizing a substrate such as a polishing operation is unnecessary as compared with the conventional manufacturing method, a device including the nanostructure can be manufactured inexpensively and easily.

게다가 전술된 바와 같은 이중 전사방식을 이용함과 더불어 1차 기판에 보호층을 형성하거나 분리층이 개재되게 2차 기판을 형성함으로써 제조 공정 중의 1차 기판과 2차 기판이 손상되거나 이물질이 개입하는 것을 효과적으로 방지함으로써, 1차 기판과 2차 기판을 반복적으로 재사용할 수도 있으므로, 제조 비용을 더욱 절감할 수 있다.In addition, by using the double transfer method as described above, a protection layer is formed on the primary substrate or a secondary substrate is formed with the separation layer interposed therebetween, so that the primary substrate and the secondary substrate in the manufacturing process are damaged or foreign matter intervenes By effectively preventing this, it is possible to repeatedly reuse the primary substrate and the secondary substrate, thereby further reducing the manufacturing cost.

뿐만 아니라, 나노 구조체가 형성되는 2차 기판을 유연한 기판으로도 적용할 수 있으므로, 나노 구조체의 형성을 롤-투-롤(Roll To Roll) 방식으로 진행할 수 있다. 이에 따라 나노 구조체가 형성되는 기판을 롤에 감은 형태로 운반 가능하며, 필요에 따라 소자를 생산하는 후속 공정까지 연속적으로 이루어질 수 있으므로 생산 속도를 높일 수 있고, 경제성도 제고할 수 있다.In addition, since the secondary substrate on which the nanostructure is formed can be applied as a flexible substrate, the formation of the nanostructure can be performed by a roll-to-roll method. Accordingly, the substrate on which the nanostructure is formed can be transported in the form of being wound on a roll, and the subsequent process for producing the device can be continuously performed, if necessary, so that the production speed can be increased and the economical efficiency can be enhanced.

또한, 나노 구조체의 내부 간극을 평탄화 물질로 채움으로써 나노 구조체의 표면 조도도 낮게 제어하여, 나노 구조체 상에 형성되는 소자의 다른 구성요소와의 관계에서 누설 전류, 단락에 의한 불량이 발생하거나 및 수율이 감소하는 것을 방지할 수 있다.Also, by filling the internal gaps of the nanostructure with a planarizing material, the surface roughness of the nanostructure can be controlled to be low, resulting in defects due to leakage current and short circuit in relation to other components of the device formed on the nanostructure, Can be prevented from decreasing.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법을 도시한 순서도,
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법을 설명하기 위한 개략도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 있어서, 1차 기판에 보호층을 추가 형성한 변형 실시예를 도시한 개략도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 있어서, 1차 기판에 결합층과 보호층을 순서대로 추가 형성한 변형 실시예를 도시한 개략도,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 있어서, 1차 기판과 2차 기판의 사이에 개재되게 분리층을 추가 형성한 변형 실시예를 도시한 개략도,
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 있어서, 1차 기판에 평탄화층을 추가 형성한 변형 실시예를 도시한 개략도이다.1 is a flowchart showing a method of manufacturing a device having a nanostructure according to a preferred embodiment of the present invention,
FIGS. 2A to 2H are schematic views for explaining a method of manufacturing a device having a nanostructure according to a preferred embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a schematic view showing a modification of a method of manufacturing a device having a nanostructure according to a preferred embodiment of the present invention, in which a protective layer is additionally formed on a primary substrate,
FIG. 4 is a schematic view showing a modified embodiment of a method of manufacturing a device having a nanostructure according to a preferred embodiment of the present invention, in which a bonding layer and a protective layer are sequentially formed on a primary substrate,
FIG. 5 is a schematic view showing an alternative embodiment in which a separation layer is additionally formed between a primary substrate and a secondary substrate in a method of manufacturing a device having a nanostructure according to a preferred embodiment of the present invention,
6 is a schematic view showing a modified embodiment of a method of fabricating a device having a nanostructure according to a preferred embodiment of the present invention, in which a planarization layer is additionally formed on a primary substrate.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자(이하, '통상의 기술자'라 한다)가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 그 범위가 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art will be able to easily carry out the present invention . The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 집적화된 고성능ㆍ다기능의 전자소자를 제조하기 위해 필요한, 나노 구조체를 지지할 수 있는 소정의 기판 상에 나노 구조체를 형성한 소자의 제조방법으로서, 이러한 나노 구조체를 구비한 소자 상에 다른 구성요소들이 구비됨으로써 집적화된 고성능ㆍ다기능의 전자소자를 이루게 된다.A method of manufacturing a device having a nanostructure according to the present invention is a method of manufacturing a device in which a nanostructure is formed on a predetermined substrate capable of supporting a nanostructure, which is required for manufacturing an integrated high performance multi- And other elements are provided on the element having such a nanostructure, thereby providing an integrated high-performance and multi-functional electronic device.

본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 소자에 포함되는 기판으로서 유연성을 갖는 플라스틱 기판 등을 이용할 경우에 더욱 바람직하게 적용될 수 있는 제조방법으로서, 본 명세서에 첨부된 도면에서 각 구성요소 및 영역들 일부의 크기나 두께는 발명을 더욱 명확하게 설명하기 위해 과장 도시된 것임을 밝혀둔다.The method of manufacturing a device having a nanostructure according to the present invention is a manufacturing method that can be more preferably applied when a flexible plastic substrate or the like is used as a substrate included in a device, It should be noted that the sizes and thicknesses of some of the elements and regions are exaggerated in order to more clearly illustrate the invention.

이하, 첨부된 도 1 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of fabricating a device having a nanostructure according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6 attached hereto.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 크게 1차 기판(100) 상에 2차 기판(200)을 형성하는 단계(s100), 1차 기판(100)을 2차 기판(200)으로부터 분리 제거하는 단계(s200), 1차 기판(100)과 접촉되어 있던 2차 기판(200)의 표면상에 나노 구조체(300)를 형성하는 단계(s300), 나노 구조체(300)의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우는 단계(s400), 평탄화 물질을 채운 나노 구조체(300') 상에 3차 기판(400)을 부착 형성하는 단계(s500) 및 2차 기판(200)을 나노 구조체(300')로부터 분리 제거하는 단계(s600)를 포함하여 이루어진다.A method of fabricating a device having a nanostructure according to a preferred embodiment of the present invention includes the steps of forming a secondary substrate 200 on a primary substrate 100, A step (s200) of separating and removing the nanostructure 300 from the car substrate 200, a step (s300) of forming the nanostructure 300 on the surface of the secondary substrate 200 which has been in contact with the primary substrate 100, A step (s500) of attaching a tertiary substrate (400) on the nanostructure (300 ') filled with a planarizing material and a step (500) of forming the secondary substrate (200) (S600) from the structure 300 '.

상기 1차 기판(100)은 낮은 표면 조도의 나노 구조체 형성면을 갖는 2차 기판(200)을 전사로 형성하기 위해 매개체 역할을 하는 것으로서, 2차 기판(200)이 형성되는 표면이 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 100 nm 또는 0 nm < Rt < 1,000 nm의 표면 조도, 더욱 바람직하게는 0 nm < Ra < 10 nm 또는 0 nm < Rt < 100 nm의 표면 조도를 갖는 기판으로서, 유리, 실리콘, 또는 고분자 물질 등으로 이루어진 기판이 적용될 수 있다.The primary substrate 100 serves as a medium to form a secondary substrate 200 having a nanostructure forming surface with a low surface roughness. The surface on which the secondary substrate 200 is formed has a three-dimensional profile Ra <100 nm or 0 nm <Rt <1,000 nm, more preferably 0 nm <Ra <10 nm or 0 nm <Rt <100 nm when measuring the range of 456 μm × 608 μm, As a substrate having a surface roughness of 100 nm, a substrate made of glass, silicon, or a polymer material can be applied.

상기 1차 기판(100)이 이 정도의 표면 조도가 요구되는 것은 추후 나노 구조체(300)가 형성될 2차 기판(200)의 표면 조도를 이에 대응되는 정도로 확보함으로써, 표면 조도가 높음에 따라 불균일한 나노 구조체(300)가 형성되는 것을 방지하기 위함이다.The degree of surface roughness of the primary substrate 100 is required because the surface roughness of the secondary substrate 200 to be formed thereafter is secured to a degree corresponding thereto, Thereby preventing formation of one nanostructure 300.

상기 1차 기판(100)은 이 외에도 Ni, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 Fe 합금이나, Ti 또는 Ti 합금, Cu, Ni, Al, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 이루어진 기판이 적용될 수도 있다.The primary substrate 100 may further include a substrate made of a material containing at least one of an Fe alloy including at least one of Ni, Mo and Cr, Ti or a Ti alloy, Cu, Ni, Al, Mo, .

그리고 상기 1차 기판(100)은 그 형상이 판 형상, 롤 형상, 시트 형상 등 다양한 것으로 적용될 수 있을 것이나, 추후 나노 구조체(300)의 형성을 롤-투-롤 방식으로 신속하고 경제적으로 진행하기 위해서는 롤 형상이나 시트 형상으로 구비되는 것이 더 바람직할 것이다.The primary substrate 100 may have various shapes such as a plate shape, a roll shape, a sheet shape, and the like. However, the formation of the nanostructure 300 can be rapidly and economically performed in a roll-to- It may be more preferable to be provided in a roll shape or a sheet shape.

이 경우 1차 기판(100)은 롤-투-롤 방식을 적용할 수 있는 금속 기판이나 플라스틱 필름과 같은 고분자 재료가 적용될 수도 있다. 그러나 1차 기판(100)은 금속 기판이 적용되는 것이 더 바람직하다.In this case, a polymer material such as a metal substrate or a plastic film to which a roll-to-roll method can be applied may be applied to the primary substrate 100. However, it is more preferable that the primary substrate 100 is a metal substrate.

그 이유는, 금속의 경우 유연성을 갖고 있으므로 롤-투-롤 공정이 가능하며, 도금으로 2차 기판(200)을 형성시 별도의 도금 하지층의 성막 없이 바로 1차 기판(100) 상에 제조가 가능하므로 경제성이 높다.The reason for this is that since the metal has flexibility, it is possible to perform a roll-to-roll process, and when the secondary substrate 200 is formed by plating, It is economical.

그리고 도금으로 2차 기판(200) 형성시 1차 기판(100)이 산성 또는 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 갖고 있어야 하므로 내부식성이 높은 합금이 바람직하다. 특히, Ni, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 Fe 합금이나, Ti 또는 Ti 합금, Cu, Ni, Al, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. Since the primary substrate 100 must have corrosion resistance against the acidic or basic plating solution when the secondary substrate 200 is formed by plating, an alloy having high corrosion resistance is preferable. In particular, it is preferably made of a Fe alloy containing at least one of Ni, Mo and Cr, or a metal containing at least one of Ti, Ti, Cu, Ni, Al, Mo and Cr.

이러한 1차 기판(100)은 2차 기판(200)의 형성 작업이 완료된 후에 2차 기판(200)으로부터 분리 제거되지만, 다른 2차 기판(200)의 형성 작업에 그대로 재사용될 수 있다.Although the primary substrate 100 is separated from the secondary substrate 200 after the formation of the secondary substrate 200 is completed, the secondary substrate 200 can be reused as it is for forming the other secondary substrate 200.

상기 2차 기판(200)은 도 2a에 도시된 바와 같이, 1차 기판(100) 상에 형성되며(s100), 이후 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같이, 1차 기판(100)으로부터 분리되어 1차 기판(100)의 표면에 대응되는 낮은 표면 조도를 갖는 나노 구조체 형성면을 구비하게 된다(s200).2A, the secondary substrate 200 is formed on the primary substrate 100 (S100), and then separated from the primary substrate 100, as shown in FIGS. 2B and 2C And has a nanostructure forming surface having a low surface roughness corresponding to the surface of the primary substrate 100 (s200).

이후 도 2d에 도시된 바와 같이, 이렇게 낮은 표면 조도를 갖는 나노 구조체 형성면 상에 나노 구조체(300)가 형성된다(s300).Then, as shown in FIG. 2D, the nanostructure 300 is formed on the nanostructure forming surface having such low surface roughness (s300).

이와 같이 상기 2차 기판(200)은 나노 구조체(300)가 형성될 때에 나노 구조체(300)를 지지하는 역할을 하며, 나노 구조체(300)를 고온에서 높은 품질로 형성할 수 있도록 내열성을 갖는 금속 기판을 적용하는 하는 것이 보다 바람직하다.As described above, the secondary substrate 200 supports the nanostructure 300 when the nanostructure 300 is formed. The secondary substrate 200 is made of a metal having heat resistance so that the nanostructure 300 can be formed with high quality at a high temperature. It is more preferable to apply a substrate.

이에 따라 상기 2차 기판(200)은 Fe, Ag, Au, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, In. Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Zr, Mg, INVAR 및 스테인리스강으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 물질이나, Cu, Ni, Co, Ru, Rh, Pt, Ir 및 Pd으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 금속 물질로써 1차 기판(100) 상에 형성될 수 있다.The secondary substrate 200 is made of Fe, Ag, Au, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, In. At least one metal material selected from the group consisting of Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Zr, Mg, INVAR and stainless steel, Cu, Ni, Pd, and the like, and may be formed on the primary substrate 100 as a metallic material including at least one selected from the group consisting of Pd.

그리고 이러한 2차 기판(200) 형성 공정은 주조법, 전자선 증착법, 열 증착법, 스퍼터 증착법, 화학기상 증착법 및 전기 도금법 중 하나 이상의 방법을 이용하여 이루어질 수 있다.The secondary substrate 200 may be formed using one or more of a casting method, an electron beam evaporation method, a thermal evaporation method, a sputter deposition method, a chemical vapor deposition method, and an electroplating method.

또한, 상기 2차 기판(200)은 표면 조도가 낮은 1차 기판(100)의 상면에 형성되므로, 1차 기판(100)과의 접촉면은 1차 기판(100) 상면의 표면 조도에 대응되게, 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 100 nm 또는 0 nm < Rt < 1,000 nm의 표면 조도, 더욱 바람직한 경우 0 nm < Ra < 10 nm 또는 0 nm < Rt < 100 nm의 표면 조도를 갖게 형성된다.Since the secondary substrate 200 is formed on the upper surface of the primary substrate 100 having a lower surface roughness, the contact surface with the primary substrate 100 corresponds to the surface roughness of the upper surface of the primary substrate 100, When measuring the range of 456 占 퐉 占 608 占 퐉 with a 3D profiler, the surface roughness of 0 nm <Ra <100 nm or 0 nm <Rt <1,000 nm, more preferably 0 nm <Ra <10 nm or 0 nm < Rt < 100 nm.

이렇게 충분히 낮은 표면 조도를 갖는 2차 기판(200)의 표면에 나노 구조체(300)를 형성할 경우, 나노 구조체(300)가 매우 균일하게 형성될 수 있으며, 추후 2차 기판(200)이 나노 구조체(300)로부터 분리되었을 때에도 나노 구조체(300)의 2차 기판(200)과 접촉되었던 표면은 낮은 표면 조도를 갖게 형성된다.When the nanostructure 300 is formed on the surface of the secondary substrate 200 having such a sufficiently low surface roughness, the nanostructure 300 can be formed very uniformly, The surface of the nanostructure 300 that has come into contact with the secondary substrate 200 is formed to have a low surface roughness.

이에 따라, 균일한 나노 구조체(300) 형성으로 나노 구조체(300)의 우수한 광학적, 전기적, 기계적 특성을 극대화할 수 있으며, 나노 구조체(300) 상에 형성되는 소자의 다른 구성요소와의 관계에서도 누설 전류, 단락에 의한 불량이 불생하지 않고, 제조 수율도 저하되지 않는 장점이 있다.Accordingly, it is possible to maximize the excellent optical, electrical, and mechanical characteristics of the nanostructure 300 by forming the uniform nanostructure 300, There is an advantage that defects due to electric current and short circuit are not incurred and the production yield is not lowered.

한편, 상기 2차 기판(200)은, 전술된 바와 같은 금속 물질로 이루어지면서 그 상면에 나노 구조체(300)가 형성될 때에 나노 구조체(300)를 안정적으로 지지할 수 있는 과도하지 않은 두께인 1 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 두께로 형성된다.On the other hand, the secondary substrate 200 is made of a metal material as described above, and has a non-excessive thickness 1 that can stably support the nanostructure 300 when the nanostructure 300 is formed on the top surface thereof Mu] m to 500 [mu] m, and more preferably 1 [mu] m to 100 [mu] m.

이 정도의 두께가 바람직한 이유는, 상기 2차 기판(200)이 1 ㎛보다 작게 형성될 경우에는 나노 구조체(300)가 형성될 때에 나노 구조체(300)를 안정적으로 지지할 수 없으며, 500 ㎛보다 크게 형성될 경우에는 1차 기판(100) 상에 2차 기판(200)을 형성하는 제조 시간 및 비용이 의미 없이 증가하기 때문이다.This thickness is preferable because if the secondary substrate 200 is formed to be smaller than 1 탆, the nanostructure 300 can not be stably supported when the nanostructure 300 is formed, The manufacturing time and cost for forming the secondary substrate 200 on the primary substrate 100 are increased significantly.

또 한편, 본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 1차 기판(100)과 2차 기판(200) 사이에 위치되게 희생층을 형성하는 공정을 더 포함함으로써, 1차 기판(100)을 2차 기판(200)으로부터 분리 제거하는 공정(s200)이 이 희생층의 화학적 제거에 의한 형태로 구현될 수도 있다.The method of manufacturing a device having a nanostructure according to the present invention further includes a step of forming a sacrificial layer between the primary substrate 100 and the secondary substrate 200, 100 may be separated from the secondary substrate 200 (s200) by chemical removal of the sacrificial layer.

물론, 1차 기판(100)과 2차 기판(200)의 분리는 기계적인 분리 방식으로 구현될 수도 있다.Of course, the separation of the primary substrate 100 and the secondary substrate 200 may be realized by a mechanical separation method.

이 경우, 본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 도 3에 도시된 바와 같이, 2차 기판(200)을 전해 도금 방식으로 형성할 때에 사용되는 산성 또는 염기성의 도금 용액이나, 희생층의 화학적 제거에 사용되는 산성 또는 염기성 식각 용액 등으로부터 1차 기판(100)을 보호하는 내부식성을 갖는 보호층(110)을 1차 기판(100)의 표면에 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다.In this case, as shown in FIG. 3, a method of manufacturing a device including a nanostructure according to the present invention may be an acidic or basic plating solution used for forming the secondary substrate 200 by electrolytic plating, The method further includes forming a protective layer 110 having corrosion resistance on the surface of the primary substrate 100 to protect the primary substrate 100 from an acidic or basic etching solution used for chemical removal of the sacrificial layer .

이와 같은 보호층(110)은 내부식성이 강한 Au, Pt, Ir, Pd, Os, Rh, Ru 및 그 산화물로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질이나, Mo, Ni, Cr, Ti, Fe, Al, B, C의 산화물 및 그 질화물로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질로써 전자선 증착법, 스퍼터 증착법 및 이온 플레이팅법 중 하나 이상의 방법을 이용하여 1차 기판(100) 상에 형성될 수 있다.The protective layer 110 may include at least one selected from the group consisting of Au, Pt, Ir, Pd, Os, Rh, Ru and oxides thereof having high corrosion resistance, , Oxides of Al, B, and C, and nitrides thereof, may be formed on the primary substrate 100 using one or more of electron beam deposition, sputter deposition, and ion plating. have.

그리고 이와 같이 1차 기판(100) 상에 보호층(110)이 형성되면, 2차 기판(200)으로부터 1차 기판(100)을 분리 제거하는 작업 등의 경우에 보호층(110)이 1차 기판(100)으로부터 박리될 수 있으므로, 본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 도 4에 도시된 바와 같이, 보호층(110)의 박리를 방지하는 결합층(120)을 1차 기판(100) 상에 먼저 형성하고, 이 결합층(120) 상에 보호층(110)을 형성하는 형태로 구현될 수 있다.When the protective layer 110 is formed on the primary substrate 100 and the primary substrate 100 is separated from and removed from the secondary substrate 200, 4, a method of manufacturing a device having a nanostructure according to the present invention is characterized in that a bonding layer 120 for preventing peeling of a protective layer 110 is formed on a substrate 1 And the passivation layer 110 may be formed on the bonding layer 120 in advance.

이러한 결합층(120)은 보호층(110) 박리 방지의 역할을 충실히 수행할 수 있도록 Mo, Ni, Cr, Ti 및 Fe 중 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.The bonding layer 120 may be made of a material containing at least one of Mo, Ni, Cr, Ti, and Fe so as to faithfully perform the role of preventing peeling of the protective layer 110.

그러나 이 같이 보호층(110)이 쉽게 박리되는 것을 방지하기 위한 방법은 결합층(120) 형성으로 한정되는 것은 아니며, 제조방법 상의 다른 방식이 적용될 수도 있다.However, the method for preventing the protective layer 110 from being easily peeled off is not limited to the formation of the bonding layer 120, and other methods of the manufacturing method may be applied.

예를 들어, 보호층(110)을 형성하기 전에 1차 기판(100)의 표면을 플라즈마 처리 또는 자외선 조사 처리하는 전처리 작업이 이루어지거나, 1차 기판(100)의 표면에 보호층(110)을 형성하면서 이온 빔을 조사하거나, 1차 기판(100)을 100 ℃ 이상 800 ℃ 이하의 온도로 가열한 상태로 보호층(110)을 형성하는 방식이 적용될 수도 있다.For example, the surface of the primary substrate 100 may be subjected to a plasma treatment or an ultraviolet ray irradiation treatment before the protective layer 110 is formed, or a protective layer 110 may be formed on the surface of the primary substrate 100 Or a method of forming the protective layer 110 by heating the primary substrate 100 to a temperature of 100 ° C or higher and 800 ° C or lower may be applied.

상기 보호층(110)은 1차 기판(110) 보호의 기능을 충실히 수행할 수 있도록 1차 기판(100)의 표면상에 1 nm 이상 1,000 nm 이하, 더욱 바람직하게는 10 nm 이상 100 nm 이하로 형성된다.The protective layer 110 is formed on the surface of the primary substrate 100 so as to faithfully perform the function of protecting the primary substrate 110 with a thickness of 1 nm or more and 1,000 nm or less, more preferably 10 nm or more and 100 nm or less .

상기 보호층(110)이 너무 얇게 형성되면 1차 기판(110) 보호의 기능을 충실히 수행할 수 없고, 너무 두껍게 형성되면 제조 비용이 상승하거나 2차 기판(200)의 표면 조도에 영향을 미칠 수 있기 때문에 바람직하지 않다.If the protective layer 110 is formed to be too thin, the function of protecting the primary substrate 110 can not be faithfully performed. If the protective layer 110 is formed too thick, the manufacturing cost may increase or the surface roughness of the secondary substrate 200 may be affected Which is not desirable.

한편, 본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 도 5에 도시된 바와 같이, 2차 기판(200)이 형성될 1차 기판(100)의 표면에 2차 기판(200)이 용이하게 분리되게 하기 위한 분리층(130)을 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다.5, a secondary substrate 200 is formed on a surface of a primary substrate 100 on which a secondary substrate 200 is to be formed, And forming a separation layer 130 for facilitating separation.

이러한 분리층(130)은 1차 기판(100)의 표면을 산화 처리 또는 질화 처리하여 균일한 부동태 피막을 생성하는 형태로 형성될 수 있고, 공기, 산소, 질소 중 어느 하나의 가스 분위기에서 자외선 조사 처리, 레이저 조사 처리, 전자선 조사 처리 및 플라즈마 처리 중 하나 이상의 작업으로써 형성될 수도 있다.The separation layer 130 may be formed in such a manner that a surface of the primary substrate 100 is oxidized or nitrided to produce a uniform passive film. The separation layer 130 may be formed by irradiating ultraviolet light Processing, laser irradiation processing, electron beam irradiation processing, and plasma processing.

이 분리층(130)은 자체 내구성을 확보하면서도 2차 기판(200)의 용이한 분리 기능을 수행할 수 있도록 1 nm 이상 100 nm 이하, 더 바람직하게는 1 nm 이상 20 nm 이하의 두께로 형성된다. 상기 분리층(130)을 이보다 얇게 형성하게 되면 2차 기판(200)의 용이한 분리 기능을 충분히 수행할 수 없을 뿐만 아니라, 자체적인 내구성도 확보할 수 없고, 이보다 두껍게 형성되면 제조 비용이 상승하거나 2차 기판(200)의 표면 조도에 영향을 미칠 수 있기 때문에 바람직하지 않다.The separation layer 130 is formed to have a thickness of 1 nm or more and 100 nm or less, more preferably 1 nm or more and 20 nm or less, so as to perform the easy separation function of the secondary substrate 200 while securing its own durability . If the separating layer 130 is formed to be thinner than the separating layer 130, the separating function of the secondary substrate 200 can not be sufficiently performed and its own durability can not be ensured. If the separating layer 130 is thicker than the separating layer 130, The surface roughness of the secondary substrate 200 may be affected.

또 한편, 본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 도 6에 도시된 바와 같이, 1차 기판(100)의 표면을 목적한 수준에 대응되는 표면 조도로 구비하기 어려운 경우에 있어서, 1차 기판(100)의 표면을 평탄화하여 목적한 표면 조도를 확보하기 위해 1차 기판(100)의 표면에 평탄화층(140)을 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다.6, in the case where it is difficult to provide the surface of the primary substrate 100 with the surface roughness corresponding to the desired level, the method of manufacturing the device having the nanostructure according to the present invention And a step of forming a planarization layer 140 on the surface of the primary substrate 100 to planarize the surface of the primary substrate 100 to secure a desired surface roughness.

상기 평탄화층(140)은 1차 기판(100)을 통해 전사 형성된 2차 기판(200)의 나노 구조체(300)가 형성될 표면에 형성될 수도 있다.The planarization layer 140 may be formed on the surface of the secondary substrate 200 on which the nanostructure 300 is to be formed by being transferred through the primary substrate 100.

이러한 평탄화층(140)는 표면 조도의 확보가 용이한 폴리에스테르(Polyester), 폴리에스테르를 포함하는 공중합체, 폴리이미드(Polyimide:PI), 폴리이미드를 포함하는 공중합체, 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리아크릴산을 포함하는 공중합체, 폴리스티렌(polystyrene), 폴리스티렌을 포함하는 공중합체, 폴리설파이트(polysulfate), 폴리설파이트를 포함하는 공중합체, 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아믹산을 포함하는 공중합체, 폴리아민(polyamine), 폴리아민을 포함하는 공중합체, 폴리비닐 알콜(Polyvinylalcohol; PVA), 폴리 알릴아민(Polyallyamine) 및 폴리아크릴산(polyacrylic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 화합물을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.The planarization layer 140 may be formed of a material such as a polyester, a copolymer including a polyester, a polyimide (PI), a copolymer including polyimide, a polyacrylic acid, , Copolymers comprising polyacrylic acid, copolymers comprising polystyrene, polystyrene, copolymers including polysulfates, polysulfites, polyamic acids, polyamic acids, A material comprising at least one polymer compound selected from the group consisting of polyamines, polyamines, copolymers including polyamines, polyvinyl alcohols (PVA), polyallylamines, and polyacrylic acid. &Lt; / RTI &gt;

그 후, 도 2d에 도시된 바와 같이, 1차 기판(100)을 이용한 전사 작업으로 목적한 표면 조도가 확보된 2차 기판(200)의 표면상에 나노 구조체(300)가 형성된다.Thereafter, as shown in FIG. 2D, the nanostructure 300 is formed on the surface of the secondary substrate 200 whose surface roughness is ensured by the transfer operation using the primary substrate 100. As shown in FIG.

이러한 나노 구조체(300)는, 탄소 나노튜브, 탄소 나노공, 그래핀 중 어느 하나 또는 실리콘 나노선일 수 있고, Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Te, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Ti, Bi, 그 산화물, 그 질화물 및 그 탄화물 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어진 나노점, 나노공, 나노선, 나노튜브, 나노원뿔, 나노각뿔, 나노각기둥, 나노시트 등의 형상을 갖는 구조체일 수도 있다.The nanostructure 300 may be any one of carbon nanotubes, carbon nano-balls, and graphenes, or a silicon nano-wire. The nanostructure 300 may be formed of a metal such as Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, In, Sn, As, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Te, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, , Nanopores, nanowires, nanotubes, nano cones, nano prisms, nano prisms, nanosheets, and the like made of materials including at least one selected from the group consisting of Ti, Bi, oxides thereof, Shaped structure.

즉, 상기 나노 구조체(300)는 최종적으로 완성하고자 하는 전자소자가 무엇인지, 어떤 기능을 수행하도록 형성되는 것인지 등의 요인에 따라 다양한 물질 및 형상으로 이루어질 수 있다.That is, the nanostructure 300 may have various materials and shapes depending on factors such as what electronic device is to be finally formed, what function is to be performed, and the like.

그 다음, 도 2e에 도시된 바와 같이, 나노 구조체(300)의 내부 간극을 평탄화 물질로 채워 표면 조도가 낮은 나노 구조체(300')를 형성하는 공정이 이루어진다(s400). 이러한 공정은 나노 구조체(300')의 표면 조도도 낮게 제어함으로써, 추후 나노 구조체(300') 상에 형성될 소자의 다른 구성요소와의 관계에서 누설 전류, 단락에 의한 불량이 발생하고 제조 수율이 감소하는 것을 방지하기 위함이다.Next, as shown in FIG. 2E, a process of forming a nanostructure 300 'having a low surface roughness by filling the inner gap of the nanostructure 300 with a planarizing material is performed (S400). This process is performed by controlling the surface roughness of the nanostructure 300 'to be low so that defects due to leakage currents and short-circuits are generated in relation to other components of the device to be formed on the nanostructure 300' In order to prevent the decrease.

이러한 나노 구조체(300)의 내부 간극을 액상의 폴리머, 졸-겔 산화물, 기상의 패럴린 중 어느 하나의 평탄화 물질로 채울 수 있다. 상기 평탄화 물질은 액상 및 기상의 형태를 갖고 있기 때문에 나노 크기의 내부 간극도 잘 채울 수 있다. 그러나 나노 구조체(300)의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우는 공정의 구현 방식이 이에 한정되는 것은 아니다.The inner gap of the nanostructure 300 may be filled with a liquid-phase polymer, a sol-gel oxide, or a gas phase paralin. Since the planarizing material has a liquid phase and a vapor phase, the nano-sized inner gap can be well filled. However, the method of filling the inner gap of the nanostructure 300 with the planarizing material is not limited thereto.

그리고 이와 같은 나노 구조체(300)의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우는 공정은 최종 완성될 소자의 품질과 제조 수율을 향상시키기 위해 선택적으로 이루어질 수 있는 것으로서, 본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 있어서 필수적인 공정은 아님을 밝혀둔다.The process of filling the inner gap of the nanostructure 300 with the planarizing material can be selectively performed to improve the quality of the final device and the yield of the device. The fabrication of the device having the nanostructure according to the present invention It is noted that this is not an essential process in the method.

한편, 나노 구조체(300)의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우는 공정은 전술된 바와 같이, 2차 기판(200) 상에 나노 구조체(300)를 형성한 직후에 이루어질 수 있으나, 추후에 2차 기판(200)을 나노 구조체(300)로부터 분리 제거한 후에 이루어질 수도 있다.The process of filling the inner gap of the nanostructure 300 with the planarizing material may be performed immediately after the nanostructure 300 is formed on the secondary substrate 200 as described above, 200 may be separated and removed from the nanostructure 300.

이후, 도 2f에 도시된 바와 같이, 평탄한 물질을 채운 나노 구조체(300') 상에 소자의 구성요소로서 포함되는 3차 기판(400)을 부착 형성한다(s500).Then, as shown in FIG. 2F, a tertiary substrate 400 included as a component of the device is formed on the nanostructure 300 'filled with a flat material (S500).

이러한 3차 기판(400)의 부착 형성 공정은 3차 기판(400)의 표면이나 나노 구조체(300') 표면에 저점도 도전성 페이스트를 형성하거나, 반경화 에폭시 필름과 같은 반경화 접착 필름을 부착하거나, 접착층을 형성하거나, 액상의 접착제를 코팅하는 작업, 금속-금속 확산을 통한 본딩 작업 등을 통해 이루어질 수 있다. 물론, 이러한 3차 기판(400)의 부착 형성 공정에는 액상의 접착제를 가열하거나 자연 건조시켜 경화시키는 작업 등이 포함될 수 있다.The adhesion formation process of the tertiary substrate 400 may be performed by forming a low viscosity conductive paste on the surface of the tertiary substrate 400 or the surface of the nanostructure 300 ', attaching a semi-cured adhesive film such as a semi-cured epoxy film , Forming an adhesive layer, coating a liquid adhesive, bonding through metal-metal diffusion, or the like. Of course, the adhesion forming process of the tertiary substrate 400 may include an operation of heating the liquid adhesive or naturally drying and curing the adhesive.

상기 3차 기판(400)은 최종적으로 완성하고자 하는 전자소자의 필요에 따라 플렉서블한 플라스틱 기판 등 다양한 기판이 제한 없이 적용될 수 있다.Various substrates such as a flexible plastic substrate can be applied to the tertiary substrate 400 according to the need of an electronic device to be finally completed.

본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 3차 기판(400)은 나노 구조체(300') 상에 부착되는 형태로 구현되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 나노 구조체(300') 상에 증착되는 형태 등 다양한 형태로 구현될 수 있다.In the preferred embodiment of the present invention, the tertiary substrate 400 is mounted on the nanostructure 300 '. However, the present invention is not limited thereto, and the nanostructure 300' And can be implemented in various forms.

그 후, 도 2g에 도시된 바와 같이, 소자에 포함되는 구성요소가 아니며 고품질의 나노 구조체(300)를 형성하기 위해 사용되었던 2차 기판(200)을 나노 구조체(300')로부터 분리 제거한다(s600).Thereafter, as shown in FIG. 2G, the secondary substrate 200, which is not a component included in the device and used for forming the high-quality nanostructure 300, is separated from the nanostructure 300 ' s600).

이러한 2차 기판(200)의 분리 제거 공정을 용이하게 진행하기 위해, 본 발명에 따른 나노구조체를 구비한 소자의 제조방법은, 2차 기판(200)과 나노 구조체(300)의 사이에 위치되게 희생층을 형성하는 공정을 더 포함할 수 있으며, 이러한 2차 기판(200)의 분리 제거 공정은 이 같은 희생층의 화학적 제거에 의한 것일 수 있다.
In order to easily carry out the separation and removal process of the secondary substrate 200, a method of manufacturing a device including a nanostructure according to the present invention includes the steps of: The step of separating and removing the secondary substrate 200 may be performed by chemical removal of the sacrificial layer.

이하에서는 본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법의 구체적인 실험 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a device having a nanostructure according to the present invention will be described in detail.

본 발명의 실시예에서는 1차 기판(100)으로서 표면 조도가 3D profiler로 458 ㎛ × 609 ㎛의 범위를 측정할 때, Ra < 5 nm 인 Cu/Au/Ti 기판을 사용하였는데, Cu/Au/Ti 각 층의 두께는 80 ㎛ / 100 nm / 100 nm로 구성되어 있는 1차 기판(100)을 우선 제조하였다.In the embodiment of the present invention, a Cu / Au / Ti substrate having a Ra <5 nm was used as the primary substrate 100 when the surface roughness was measured in a range of 458 μm × 609 μm in a 3D profiler. The primary substrate 100 having a thickness of each layer of Ti of 80 占 퐉 / 100 nm / 100 nm was first prepared.

이러한 1차 기판(100)의 표면 조도는 3차원 프로파일러로 458 ㎛ × 609 ㎛의 범위를 측정할 때, Ra < 5 nm 였다.The surface roughness of the primary substrate 100 was measured with a three-dimensional profiler in the range of 458 탆 609 탆, and Ra <5 nm.

다음, 2차 기판(200)으로는 1차 기판(100)의 Ti층 표면에 Cu를 전해 도금 방법으로 30 ㎛를 형성하였다.Next, as the secondary substrate 200, Cu was deposited on the surface of the Ti layer of the primary substrate 100 by electrolytic plating to form a thickness of 30 mu m.

그 다음, Si 과 1000:1 이상의 선택비를 Cu 에천트를 사용하여 2차 기판(200)의 일부를 제거함으로써 1차 기판(100)과 2차 기판(200)을 분리 한 후, 2차 기판(200)의 분리면 상에 추가적으로 Au를 5 nm 전자선 증착을 하였다. 증착된 Au는 Si 나노선의 시드(seed)로서 Si 전구체가 Au 내에 용해되고 Si 나노선을 석출하는 촉매로서 사용된다.Subsequently, the primary substrate 100 and the secondary substrate 200 are separated by removing a part of the secondary substrate 200 by using a Cu etchant with Si and a selection ratio of 1000: 1 or more, An additional 5 nm electron beam deposition was performed on the separation surface of the substrate 200. The deposited Au is a seed of a Si nanowire, and the Si precursor is dissolved in Au and used as a catalyst for precipitating Si nanowires.

여기서 1차 기판(100)으로부터 분리한 2차 기판(200)도 3차원 프로파일러로 458 ㎛ × 609 ㎛의 범위를 측정할 때, Ra < 5 nm 인 표면 조도를 갖는 것으로 확인되었다.It was confirmed that the secondary substrate 200 separated from the primary substrate 100 had a surface roughness Ra <5 nm when the range of 458 탆 609 탆 was measured with a three-dimensional profiler.

이후, CVD 방식으로 400℃에서 Au 촉매를 이용하여 500 nm 길이의 Si 나노선을 성장시켜 2차 기판(200) 상에 나노 구조체(300)를 형성하였다.Thereafter, Si nanowires having a length of 500 nm were grown at 400 ° C using an Au catalyst to form the nanostructure 300 on the secondary substrate 200.

다음, 3차 기판(400)인 PMMA 시트 위에 패턴된 저점도 도전성 페이스트를 형성하고, 2차 기판(200) 위에 성장된 나노 구조체(300) 상에 3차 기판(400)을 접착 형성하였다.Next, a patterned low viscosity conductive paste is formed on the PMMA sheet as the third substrate 400, and the tertiary substrate 400 is adhered on the nanostructure 300 grown on the secondary substrate 200.

그 후, 1000:1 이상의 선택비를 갖는 Cu 부식액에 침지하여 2차 기판(200)의 Cu와 나노 구조체(300) 사이를 분리하였다. 이와 같은 방법으로 나노 구조체(300)를 3차 기판(400)인 PMMA 기판에 전사하여 고온에서 성장된 고품질의 나노 구조체(300)를 3차 기판(400) 상에 형성하였다.Thereafter, the substrate was immersed in a Cu etchant having a selectivity of 1000: 1 or more to separate the Cu of the secondary substrate 200 from the nanostructure 300. In this manner, the nanostructure 300 is transferred to a PMMA substrate, which is a tertiary substrate 400, and a high-quality nanostructure 300 grown at a high temperature is formed on the tertiary substrate 400.

특히 이렇게 CVD 방식으로 나노 구조체(300)를 형성하는 경우에 표면 조도가 높은 표면 상태는 불균일한 나노 구조체(300)를 형성하는 문제가 발생하게 된다. 따라서 나노 구조체(300)가 형성되는 2차 기판(100)의 표면 조도를 낮추어야 균일한 나노 구조체(300)를 형성할 수 있다.Particularly, when the nanostructure 300 is formed by the CVD method, there is a problem that the nanostructure 300 having uneven surface state is formed with a high surface roughness. Therefore, the surface roughness of the secondary substrate 100 on which the nanostructure 300 is formed must be lowered to form a uniform nanostructure 300.

또한, 그래핀과 같은 2차원 평면으로 형성되는 나노 구조체(300)의 경우 2차 기판(200)의 표면을 따라 형성되므로 2차 기판(200)의 높은 표면 조도, 스크래치, 개재물 등은 2차원 구조를 손상시키고 나노 구조체(300)의 특성 저하에 결정적인 영향을 미친다. 따라서 나노 구조체(300)가 형성되는 2차 기판(200)의 표면 조도가 낮을수록 나노 구조를 손상시키지 않고 고품질의 나노 구조체를 얻을 수 있다.In addition, since the nanostructure 300 formed of a two-dimensional plane such as graphene is formed along the surface of the secondary substrate 200, high surface roughness, scratches, inclusions, etc. of the secondary substrate 200 have a two- Thereby deteriorating the properties of the nanostructure 300. [0064] Therefore, the lower the surface roughness of the secondary substrate 200 on which the nanostructure 300 is formed, the higher-quality nanostructure can be obtained without damaging the nanostructure.

한편, 대면적 연속 공정이 수행되는 본 발명에서는 신뢰성 있는 2차 기판(200)을 만들기 위해, 1차 기판(100)의 손상으로 인해 발생하는 2차 기판(200)의 불량을 감소시킬 수 있는 기술 적용이 매우 중요하다.Meanwhile, in the present invention in which a large area continuous process is performed, in order to make a reliable secondary substrate 200, a technique capable of reducing defects of the secondary substrate 200 caused by damage to the primary substrate 100 Application is very important.

특히, 요구되는 1차 기판(100)의 표면 조도가 유지되어야 하는 수준은 종래 도금 기술에서 허용되는 수준과는 비교할 수 없을 정도로 높다. 롤 형상을 사용하는 종래 기술들 경우에 음극의 표면 거칠기는 5 ㎛ 내지 10 ㎛ 수준이며, 산업적 필요에 의해 표면 조도를 낮추는 경우에도 1 ㎛ 이상이 허용된다.In particular, the level at which the surface roughness of the required primary substrate 100 is maintained is so high that it can not be compared with the level allowed in the conventional plating technique. In the case of the conventional techniques using the roll shape, the surface roughness of the cathode is in the range of 5 탆 to 10 탆, and even if the surface roughness is lowered by industrial necessity, 1 탆 or more is allowed.

그러나, 본 발명은 극히 낮은 표면 조도(Ra)인 100 nm 이하, 보다 바람직하게는 태양전지의 경우 50 nm, 유기전자소자의 경우에는 4 nm 이하의 표면 조도가 유지되야 한다. 요구되는 표면 거칠기 뿐 아니라 결함 밀도도 종래 기술과 본 발명의 차이는 매우 크다.However, the present invention is required to maintain surface roughness of 100 nm or less, which is extremely low surface roughness (Ra), more preferably 50 nm in the case of a solar cell, and 4 nm or less in the case of an organic electronic device. The difference between the prior art and the present invention is very large as well as the required surface roughness and defect density.

종래 도금기술은 주로 유연 회로 기판에 사용되고 있으나, 그 크기는 주로 모바일 기기의 면적에서 높은 표면 거칠기도 허용이 된다. 이에 비해 본 발명이 적용되는 나노 구조체가 사용되는 디스플레이, 조명, 태양전지의 분야는 40~50 인치 이상의 대면적화가 필수적이어서 단위 cm2당 10-5 이하의 결함 밀도로 표면 거칠기가 극히 낮은 수준으로 유지되어야 한다.Conventional plating techniques are mainly used for flexible circuit boards, but the surface roughness is allowed to be high in the area of a mobile device. In comparison with this display, the lighting, the field 40 to the extremely low surface roughness as a defect density of 10 -5 or less than one per 50-inch area then upset essential unit cm 2 of solar cell that is the invention it is applied using nanostructures Should be maintained.

따라서, 1차 기판(100)으로부터 2차 기판(200)을 분리한 후 표면 거칠기를 유지하며, 반복적인 사용에도 표면 거칠기를 유지하기 위해서는 종래 기술과 차별화된 기술적 해결 수단이 요구된다.Therefore, in order to maintain the surface roughness after separating the secondary substrate 200 from the primary substrate 100 and to maintain the surface roughness even after repeated use, a technical solution different from the prior art is required.

이에 따라, 본 발명에서는 표면 조도가 매우 낮으며 경제성이 높은 저가의 2차 기판(200)을 만들기 위해서는 1차 기판(100)의 재활용이 필수적으로 필요하다. 1차 기판(100)을 반복적으로 사용하기 위해서는 2차 기판(200)과 분리 후에도 1차 기판(100)의 손상이 없어서 표면 조도가 유지되어야 한다.Accordingly, in order to form a low-cost secondary substrate 200 having a very low surface roughness and high economic efficiency, recycling of the primary substrate 100 is indispensable. In order to use the primary substrate 100 repeatedly, there is no damage to the primary substrate 100 even after separation from the secondary substrate 200, so that the surface roughness must be maintained.

특히, 1차 기판(100)의 일부분이 박리 되거나 외부로부터 불순물이 부착되어 반복적 연마를 하는 것은 바람직하지 않다. 2차 기판(200)을 형성하기 위한 목적으로 1차 기판(100)에 반복적 성막을 하는 것 또한 높은 공정 비용을 발생시키므로 바람직하지 않다.Particularly, it is not preferable that a part of the primary substrate 100 is peeled off or impurities are adhered from the outside to perform repetitive polishing. Repeated film formation on the primary substrate 100 for the purpose of forming the secondary substrate 200 also causes a high process cost, which is not preferable.

또한, 1차 기판(100)과 2차 기판(200)의 분리시 1차 기판(100)과 접합되어 있던 2차 기판(200)의 손상이 없어서 2차 기판의 표면 조도가 유지되어야 하는 조건도 충족시켜야 한다.In addition, there is no damage to the secondary substrate 200 bonded to the primary substrate 100 when the primary substrate 100 and the secondary substrate 200 are separated from each other, and the conditions under which the surface roughness of the secondary substrate must be maintained It must meet.

구체적으로는, 1차 기판(100)이 부식, 스크래치, 개재물 부착 등으로 손상되어 표면 거칠기가 높아지면, 2차 기판(200) 분리면의 거칠기도 높아지게 된다. 그러면, 나노 구조체(300)가 형성된 3차 기판(400)의 소자에도 단락, 누설 전류 증가 등의 문제가 발생한다. 또한, 이로 인한 수율 감소는 불량품 생산 원가에 비례하여 기하급수적인 비용 상승을 초래한다.Concretely, if the primary substrate 100 is damaged due to corrosion, scratches, inclusions, etc., and the surface roughness is increased, the roughness of the separation surface of the secondary substrate 200 also becomes high. Then, the elements of the tertiary substrate 400 on which the nanostructure 300 is formed also suffer from problems such as short-circuit and leakage current increase. In addition, the reduction in yields leads to an exponential increase in cost in proportion to the production cost of defective products.

즉, 1차 기판(100)의 손상은 1차 기판(100)뿐 아니라, 2차 기판(200), 나노 구조체를 갖는 소자 등에 모두 문제를 발생시키게 된다.That is, the damage of the primary substrate 100 causes problems not only in the primary substrate 100, but also in the secondary substrate 200, the element having the nanostructure, and the like.

이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로는 1차 기판(100) 형성시 반복적으로 1차 기판(100)상에 별도의 층을 성막하는 방법이 있으나, 추가적인 비용이 들고 추가되는 층이 2차 기판(200)에 부착될 수 있는 단점이 있다.As a method for solving such a problem, there is a method of repeatedly depositing a layer on the primary substrate 100 repeatedly when the primary substrate 100 is formed, but the additional layer is added to the secondary substrate 200 ). &Lt; / RTI &gt;

다른 방법으로 손상이 발생한 1차 기판(100)을 연마를 하는 방법이 있으나, 대량 생산 시 1차 기판(100)의 넓은 면적을 연마하기에는 시간 및 비용이 많이 든다. 특히 1차 기판(100)이 얇은 두께의 박막을 연마하는 것은 원형 운동을 하는 롤형상 1차 기판(100)을 연마하는 소위 버핑보다 기술적 난이도가 매우 높아 현실적으로 사용하기 힘들다. 버핑 기술 또한 본 발명에서 요구하는 수준으로 Ra와 Rt 표면 조도를 양산에서 적용하는 것이 불가능하다.There is another method of polishing the primary substrate 100 in which damage has occurred. However, it takes a lot of time and cost to polish a large area of the primary substrate 100 in mass production. Particularly, the primary substrate 100 polishes a thin film having a very high technical difficulty than the so-called buffing which polishes the roll-shaped primary substrate 100 which performs a circular movement, which is difficult to use in practice. It is impossible to apply Ra and Rt surface roughness in mass production to the level required by the present invention.

따라서 본 발명에 있어서 1차 기판(100)에 보호층(110)을 형성하여 제조 공정 중에 1차 기판(100)이 손상되거나 이물질이 개입하는 것을 효과적으로 방지함으로써 1차 기판(100)을 반복적으로 재사용할 수 있게 하는 것은 큰 의미가 있다.Therefore, in the present invention, the protective layer 110 is formed on the primary substrate 100 to effectively prevent the primary substrate 100 from being damaged or intervening during the manufacturing process, thereby repeatedly reusing the primary substrate 100 It is of great significance to be able to do it.

한편, 본 발명에서는 Ra 가 100 nm 더욱 바람직하게는 10 nm 이하 수준의 표면 거칠기를 유지하는 방법을 제공하고 있다.On the other hand, the present invention provides a method of maintaining a surface roughness Ra at a level of 100 nm, more preferably 10 nm or less.

구체적인 방법으로 1차 기판(100)은 전도성 및 내부식성이 있는 음극이 바람직하다. 1차 기판(100) 표면 손상의 주요 원인은 Ph 2~3에 이르는 산성 도금 용액에 의한 부식, 세정 과정 중 물에 의한 부식, 공기 중의 불균일 표면 산화가 있으며, 기존 전자소자 공정에 쓰이는 유리 기판에 요구되는 기판 청결도 수준을 갖기 위해서는, 금속 재질의 플렉서블 기판 제조 공정 환경 하에서 1차 기판(100)이 손상되지 않도록 1차 기판(100)은 내부식성을 가져야 한다.As a specific method, the primary substrate 100 is preferably a cathode having conductivity and corrosion resistance. The primary cause of surface damage on the primary substrate 100 is corrosion by acid plating solution ranging from Ph 2 to 3, corrosion by water during the cleaning process, and uneven surface oxidation in the air. In order to have a required level of substrate cleanliness, the primary substrate 100 must have corrosion resistance so that the primary substrate 100 is not damaged in a flexible substrate manufacturing process environment of a metal material.

이러한 1차 기판(100)을 이루는 물질은 내부식성을 갖는 금속이면 어떤 재료도 무방하나, 단일 조성을 갖는 금속 기판이 전도성 음극으로 바람직하다. 복층으로 구성되어 있는 1차 기판(100)의 경우 층간 박리에 의한 손상이 발생할 수 있다.The material constituting the primary substrate 100 may be any material as long as it is a corrosion-resistant metal, but a metal substrate having a single composition is preferable as the conductive cathode. In the case of the primary substrate 100 composed of multiple layers, damage due to delamination may occur.

따라서 복층으로 구성되어 있는 1차 기판(100)의 반복적인 사용을 위해서는 1차 기판(100)은 보호층(110), 평탄화층(140), 분리층(130) 등을 더 포함하며 구체적으로는 다음과 같은 기술적 구성 요소들을 추가하는 것이 바람직하다.Therefore, in order to repeatedly use the primary substrate 100 composed of a plurality of layers, the primary substrate 100 further includes a protective layer 110, a planarization layer 140, a separation layer 130, and the like. It is desirable to add the following technical components:

상기 보호층(110), 평탄화층(140), 분리층(130)은 도금에 의해 2차 기판(200)을 형성할 때 주로 사용되나, 전해 도금 공정이 아닌 다른 방식으로 2차 기판(200)을 형성할 때에도 필요에 따라 사용될 수 있다.The protective layer 110, the planarization layer 140 and the separation layer 130 are mainly used for forming the secondary substrate 200 by plating. However, the secondary substrate 200 may be formed by a method other than the electrolytic plating process. It can be used as needed.

상기 보호층(110)은 1차 기판(100)에 산성 도금 용액 또는 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 추가로 부가하는 역할을 하는 것으로, 전기 도금 공정에 사용되기 때문에 전도성 있으며 내부식성이 있는 금속 또는 금속 산화물, 금속 질화물 등을 각 도금용액 조성에 맞추어서 사용될 수 있다.The protective layer 110 serves to add corrosion resistance to the acidic plating solution or the basic plating solution on the primary substrate 100. Since the conductive layer is used in the electroplating process, Metal oxides, metal nitrides, etc. may be used in accordance with the composition of each plating solution.

이러한 보호층(110)은 도금액에 의한 표면 부식을 막아 반복적인 사용을 하더라도 1차 기판(100)의 표면 손상을 방지할 수 있다. 그러나, 1차 기판(100)에 형성된 보호층(110)은 2차 기판(200)과 분리시 2차 기판(200)으로 전사될 수 있으며, 이는 보호층(110) 박리 및 도금액에 의한 1차 기판(100)의 손상이 초래되므로 보호층(110)이 1차 기판(100)과 안정적으로 결합될 수 있도록 표면의 산화층 및 불순물 제거나 표면 에너지 변화를 유도할 수 있는 전술된 바와 같은 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리등의 여러 수단이 구비되어야 한다.The protective layer 110 prevents surface corrosion by the plating liquid and prevents surface damage of the primary substrate 100 even if it is repeatedly used. However, the protective layer 110 formed on the primary substrate 100 can be transferred to the secondary substrate 200 when separated from the secondary substrate 200. This is because the protective layer 110 is peeled off and the primary The surface of the protective layer 110 can be stably bonded with the primary substrate 100 due to damage to the substrate 100. The plasma treatment, Ultraviolet ray irradiation treatment, and the like.

다른 방법으로 결합력이 높은 물질을 보호층(110) 형성 단계 이전에 성막하는 것으로 Mo, Ni, Cr, Ti, Fe 등이 결합층(120)으로 바람직하다. 또한, 보호층(110) 형성 방법으로는 증착 에너지가 낮은 열 증착 방식보다는 스퍼터링 증착방식, 전자선 증착 방법 또는 이온 플레이팅 방법을 사용하여 물질의 증착 시 에너지를 높여 표면과 잘 결합할 수 있도록 보호층(110)의 형성 방법을 선택하는 것이 바람직하다.Alternatively, Mo, Ni, Cr, Ti, Fe, or the like may be used as the bonding layer 120 by depositing a material having a high bonding force before the protective layer 110 is formed. The protective layer 110 may be formed by a sputtering deposition method, an electron beam deposition method, or an ion plating method rather than a thermal deposition method in which a deposition energy is low. It is preferable to select the method of forming the first electrode 110.

또한, 보호층(110) 형성 중 이온 빔을 추가적으로 조사하여 보호층 물질의 증착 시 추가적인 에너지를 부여하여 보호층(110)의 결합력을 높이는 방법을 사용할 수도 있다. 또한, 보호층(110) 형성 시 1차 기판(100)의 온도를 높여서 보호층의 결합력을 높이는 방법을 사용할 수 있으며 100 ℃ 이상 800 ℃ 이하로 가열하여 1차 기판(100)의 온도를 높이는 방법을 사용할 수 있다.In addition, a method may be used in which the ion beam is additionally irradiated during the formation of the protective layer 110 to increase the binding force of the protective layer 110 by applying additional energy when depositing the protective layer material. A method of increasing the bonding force of the protective layer by raising the temperature of the primary substrate 100 when forming the protective layer 110 can be used and a method of raising the temperature of the primary substrate 100 by heating to 100 ° C or more and 800 ° C or less Can be used.

상기 보호층(110)의 두께는 1 nm 이상 1,000 nm 이하, 더 바람직하게는 10 nm 이상 100 nm 이하를 선택할 수 있다. 일반적으로 기판 위에 한 층을 성막시 표면의 불균일도는 1 % ~ 10 %는 존재할 수 있으며, 따라서, 1,000 nm 이상의 두께는 최악의 경우 100 nm 이상의 표면 불균일도를 만들게 되므로 보호층(110)의 두께는 상술한 바와 같이 제한되는 것이 바람직하다.The thickness of the protective layer 110 may be selected to be 1 nm or more and 1,000 nm or less, more preferably 10 nm or more and 100 nm or less. In general, the thickness of the protective layer 110 may be in the range of 1% to 10% of the thickness of the protective layer 110 when the thickness of the protective layer 110 is 100 nm or more. Is preferably limited as described above.

이러한 성막에 따른 표면 불균일도를 반영하는 것은 본 발명의 모든 기술적 사항과 관련이 있는 것으로 특별히 기술하지 않아도 표면 조도를 유지하기 위해 필요한 경우 각 층에 공히 적용할 수 있다. Reflecting the surface unevenness due to the film formation is related to all the technical matters of the present invention and can be applied to each layer as necessary to maintain the surface roughness even if it is not specifically described.

본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 있어서, 1차 기판(100)은 산화 처리 또는 질화 처리하여 표면에 부동태 피막의 분리층(130)을 형성시킨 것을 특징으로 하며, 이 분리층(130)의 두께는 1nm 이상 100nm 이하인 것을 특징으로 하는데, 바람직하게는 1nm 이상 20nm이하인 것이 권장된다. 내부식성을 갖는 1차 기판(100)의 세정 및 추가적인 표면 처리는 1차 기판(100) 표면에 1 nm 내지 100 nm, 좀 더 일반적으로는 1 nm 내지 20 nm 두께의 안정적인 부동태 피막을 표면에 제공한다.In the method of manufacturing a device having a nanostructure according to the present invention, the primary substrate 100 is oxidized or nitrided to form a passivation film separation layer 130 on the surface, (130) has a thickness of 1 nm or more and 100 nm or less, preferably 1 nm or more and 20 nm or less. Cleaning and additional surface treatment of the primary substrate 100 with corrosion resistance provides a stable passivation film on the surface of the primary substrate 100 with a thickness of 1 nm to 100 nm, more typically 1 nm to 20 nm thick do.

상술한 두께는 요구되는 1차 기판(100)에 요구되는 최대의 표면 거칠기인 100 nm이하이므로 표면 거칠기에 큰 영향을 미치지 않으면서 내부식성 증대 역할을 수행하게 된다. 롤 형상의 1차 기판(100)은 산성 또는 염기성 도금 용액에 1,000 ~ 5,000 시간 이상 담겨 있으나 시트 형태의 1차 기판(100)은 도금용액에 2차 기판(200) 형성하는 잠시 동안만 도금액에 침지되고 나오므로 종래 기술들에서 사용되었던 수 ㎛ 두께보다 작아도 내부식성을 유지할 수 있다.The above-mentioned thickness is less than 100 nm which is the maximum surface roughness required for the required primary substrate 100, so that it plays a role of increasing the corrosion resistance without greatly affecting the surface roughness. The roll-shaped primary substrate 100 is immersed in an acidic or basic plating solution for 1,000 to 5,000 hours or more, but the sheet-like primary substrate 100 is immersed in the plating solution for only a short time to form the secondary substrate 200 in the plating solution It is possible to maintain corrosion resistance even if it is smaller than the thickness of several mu m used in the prior art.

이러한 시트 형태의 1차 기판(100) 상에 형성된 수~수십 nm 두께의 분리층(130)으로서 형성된 부동태 피막은 도금을 위한 전기 전도에는 큰 영향을 미치지 않는 범위이다. 시트 형태의 1차 기판(100)은 롤 형상의 1차 기판(100)에 비해 넓은 면적을 도금할 수 있으나, 1차 기판(100)의 두께가 한정되어 있어 롤 형상의 1차 기판(100)에 비해 높은 전압, 전류를 인가하기 어렵다. 따라서 낮은 전압, 전류 조건에서도 도금이 잘 되어야 하므로 높은 전도도가 바람직하다. 이러한 이유로 분리층(130)으로서의 부동태 피막의 두께가 낮게 한정되는 것이 바람직하다.The passive film formed as the separation layer 130 having a thickness of several to several tens of nm formed on the sheet-like primary substrate 100 has a range that does not greatly affect the electric conduction for plating. The primary substrate 100 in a sheet form can be plated over a larger area than the primary substrate 100 in the form of a roll but the thickness of the primary substrate 100 is limited, It is difficult to apply a high voltage and a current. Therefore, high conductivity is desirable because plating must be performed well under low voltage and current conditions. For this reason, it is preferable that the thickness of the passive film as the separation layer 130 is limited to a low value.

가장 중요한 분리층(130)의 역할은 1차 기판(100)과 2차 기판(200) 사이 계면 분리를 용이하게 하며, 1차 기판(100)을 구성하는 층들 간의 박리를 방지하는 결합력을 조절하는 역할을 하므로 금속 재질의 2차 기판(200) 제조에 있어서 매우 바람직하다. 부동태 피막과 그 상부층에 성막되는 금속층과 계면 결합력이 금속층/금속층 결합력보다 낮게 조절이 되므로 부동태 피막이 분리층(130) 역할을 할 수 있는 것이다. The most important function of the separation layer 130 is to facilitate the interfacial separation between the primary substrate 100 and the secondary substrate 200 and to adjust the bonding force to prevent peeling between the layers constituting the primary substrate 100 So that it is very preferable in manufacturing the secondary substrate 200 made of a metal material. The passive film can function as the separating layer 130 because the interfacial bonding force between the passive film and the metal layer formed thereon is controlled to be lower than the bonding force between the metal layer and the metal layer.

한편, 자연발생적 부동태 피막은 1차 기판(100) 상에 불균일하게 형성될 수도 있으나, 만약 부동태 피막의 구조나 두께가 불균일하게 형성되면 다소 불안정한 부분에서는 수소가스 침투로 인하여 수산화물이 형성되거나, 높은 염소 이온 농도하에서 금속 염화물이 형성되어 1차 기판(100)을 부식으로 손상시킨다.On the other hand, the naturally occurring passive film may be formed on the primary substrate 100 non-uniformly. However, if the structure or thickness of the passive film is unevenly formed, hydroxides may be formed due to hydrogen gas penetration in a somewhat unstable part, Metal chloride is formed under an ionic concentration to corrode the primary substrate 100 by corrosion.

따라서 상술한 본 발명의 요구되는 표면 거칠기 및 결함밀도를 고려하여 볼 때 1차 기판(100)은 자연발생적 부동태 피막보다는 인위적인 산화 처리 또는 질화 처리하여 표면에 균일하고 우수한 품질의 부동태 피막을 형성시킨 것이 더 바람직하다.Therefore, considering the required surface roughness and defect density of the present invention, the primary substrate 100 is an artificial oxidation treatment or a nitriding treatment rather than a spontaneous generation passivation coating to form a uniform passive film on the surface thereof More preferable.

또 한편, 1차 기판(100)의 표면 조도 확보가 용이하지 않을 때는 액상의 고분자 화합물을 코팅하여 1차 기판(100)에 평탄화층(140)을 형성할 수 있다. 또한, 고분자 평탄 필름을 접착하는 형태로 1차 기판(100)에 평탄화층(140)을 형성할 수도 있다.On the other hand, when the surface roughness of the primary substrate 100 is not easily secured, the planarization layer 140 can be formed on the primary substrate 100 by coating a liquid polymer compound. In addition, the planarization layer 140 may be formed on the primary substrate 100 in such a manner that the polymeric flat film is adhered.

그리고 본 발명에 있어서, 2차 기판(200) 위에 형성된 나노 구조체(300)만으로 표면 조도가 확보되지 않거나, 3차 기판(400)으로 나노 구조체(300)를 전사하여도 표면 조도가 확보가 안 될 때는, 나노 구조체(300)를 2차 기판(200)에 형성한 후 나노 구조체(300)의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우거나, 3차 기판(400)에 형성된 나노 구조체(300)의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우는 단계를 더 포함할 수 있다.In the present invention, the surface roughness can not be secured only by the nanostructure 300 formed on the secondary substrate 200, or the surface roughness can not be secured even when the nanostructure 300 is transferred onto the tertiary substrate 400 The inner space of the nanostructure 300 is filled with a planarizing material after the nanostructure 300 is formed on the secondary substrate 200 or the inner gap of the nanostructure 300 formed on the tertiary substrate 400 is Filling with a planarizing material.

이러한 평탄화 물질로 채우는 방법은 산화물을 졸-겔 방법으로 형성하거나 액상의 폴리머를 코팅하여 사용할 수 있으며, 특히 1차 기판(100)의 평탄화층(140)으로 사용하였던 물질들이 사용될 수도 있다. 그리고 패럴린을 코팅하여 사용하여도 무방하다. 평탄화 물질로 채울 때 용도에 따라 나노 구조체(300) 전부를 덮을 수도 있고 나노 구조체(300)를 전극으로 사용할 경우는 나노 구조체(300)의 일부 부분이 표면에 드러나게 할 수도 있다.The method of filling with the planarizing material may be a method of forming the oxide by a sol-gel method or coating a liquid polymer, and in particular, the materials used for the planarization layer 140 of the primary substrate 100 may be used. It is also acceptable to coat with paralin. When the nanostructure 300 is filled with a planarizing material, the entire surface of the nanostructure 300 may be covered depending on the application. If the nanostructure 300 is used as an electrode, a part of the nanostructure 300 may be exposed on the surface.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법에 의하면, 표면 조도가 낮은 1차 기판(100)을 이용하여 나노 구조체(300)가 형성될 2차 기판(200)을 형성하고 2차 기판(200) 상에 형성된 나노 구조체(300)를 3차 기판(400)으로 전사하는 이중 전사 방식으로 나노 구조체를 구비한 소자를 제조함으로써, 나노 구조체(300)가 형성되는 2차 기판(200)을 표면 조도가 낮게 형성할 수 있고 이로써 나노 구조체(300)가 높은 표면 조도로 인해 불균일하게 형성되는 것을 방지할 수 있으므로, 그 광학적, 전기적, 기계적 특성을 극대화할 수 있을 뿐만 아니라, 소자에 포함되는 3차 기판(400)이 플라스틱 기판이라도 나노 구조체(300)가 형성되는 2차 기판(200)은 금속 기판을 적용할 수 있으므로 고온에서 형성된 고품질의 나노 구조체(300)를 형성할 수 있으며, 연마 등의 기판 평탄화 작업이 불필요하므로 저렴하고 용이하게 제조할 수 있고, 보호층(110)과 분리층(130)을 이용해 제조 공정 중의 1차 기판(100)과 2차 기판(200)의 손상을 최소화하여 1차 기판(100)과 2차 기판(200)을 반복적으로 재사용할 수 있으므로 제조 비용을 더욱 절감할 수 있다.As described above, according to the method of manufacturing a device having a nanostructure according to the present invention, the secondary substrate 200 on which the nanostructure 300 is to be formed is formed using the primary substrate 100 having a low surface roughness And then the nanostructure 300 formed on the secondary substrate 200 is transferred to the tertiary substrate 400 to manufacture a device having the nanostructure by the double transfer method, The surface roughness of the nanostructure 300 can be reduced and the nanostructure 300 can be prevented from being unevenly formed due to a high surface roughness. Therefore, not only the optical, electrical, and mechanical characteristics of the nanostructure 300 can be maximized, Even if the tertiary substrate 400 included in the nanostructure 300 is a plastic substrate, the secondary substrate 200 on which the nanostructure 300 is formed can be a metal substrate and can form a high-quality nanostructure 300 formed at a high temperature , It is possible to reduce the damage of the primary substrate 100 and the secondary substrate 200 during the manufacturing process by using the protective layer 110 and the separation layer 130 The primary substrate 100 and the secondary substrate 200 can be reused repeatedly, thereby further reducing the manufacturing cost.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 통상의 기술자에게 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부되어 있는 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art in light of the above teachings. Of course.

＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＊
100 : 1차 기판 110 : 보호층
120 : 결합층 130 : 분리층
140 : 평탄화층 200 : 2차 기판
300 : 나노 구조체 300' : 평탄화 물질을 채운 나노 구조체
400 : 3차 기판Description of the Related Art [0002]
100: primary substrate 110: protective layer
120: bonding layer 130: separating layer
140: planarization layer 200: secondary substrate
300: Nano structure 300 ': Nano structure filled with planarization material
400: Third substrate

Claims (44)

1차 기판 상에 2차 기판을 형성하는 단계;
상기 1차 기판을 상기 2차 기판으로부터 분리 제거하는 단계;
상기 1차 기판과 접촉되어 있던 상기 2차 기판의 표면상에 나노 구조체를 형성하는 단계;
상기 나노 구조체 상에 3차 기판을 형성하는 단계; 및
상기 2차 기판을 상기 나노 구조체로부터 분리 제거하는 단계;
를 포함하고 상기 2차 기판이 형성될 상기 1차 기판의 표면에 산성 또는 염기성 용액에 대해 내부식성을 갖는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.Forming a secondary substrate on the primary substrate;
Separating and removing the primary substrate from the secondary substrate;
Forming a nanostructure on the surface of the secondary substrate in contact with the primary substrate;
Forming a tertiary substrate on the nanostructure; And
Separating and removing the secondary substrate from the nanostructure;
And forming a protective layer having corrosion resistance against an acidic or basic solution on the surface of the primary substrate on which the secondary substrate is to be formed. . 제1항에 있어서,
상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은,
상기 2차 기판의 표면상에 상기 나노 구조체를 형성한 후 상기 나노 구조체의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우는 단계;를 더 포함하거나,
상기 2차 기판을 상기 나노 구조체로부터 분리 제거한 후 상기 나노 구조체의 내부 간극을 평탄화 물질로 채우는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
A method of fabricating a device having the nanostructure includes:
Forming a nanostructure on the surface of the secondary substrate and then filling the internal gap of the nanostructure with a planarizing material;
Further comprising the step of separating and removing the secondary substrate from the nanostructure and then filling the internal gap of the nanostructure with a planarization material. 제2항에 있어서,
상기 나노 구조체의 내부 간극을 상기 평탄화 물질로 채우는 단계는,
상기 나노 구조체의 내부 간극을 폴리머, 졸-겔 산화물, 패럴린 중 어느 하나의 평탄화 물질로 채우는 단계;
인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.3. The method of claim 2,
The step of filling the internal gap of the nanostructure with the planarizing material may include:
Filling the inner gap of the nanostructure with a planarizing material selected from the group consisting of polymer, sol-gel oxide, and paralin;
Wherein the nanostructure comprises a nanostructure. 제1항에 있어서,
상기 나노 구조체 상에 상기 3차 기판을 형성하는 단계는,
상기 나노 구조체 상에 저점도 도전성 페이스트 형성, 반경화 접착 필름 부착, 접착층 형성, 액상의 접착제 코팅, 금속-금속 확산을 통한 본딩 중 어느 하나의 작업을 통해 상기 3차 기판을 상기 나노 구조체 상에 접착 형성하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The step of forming the third substrate on the nanostructure may include:
Bonding the tertiary substrate to the nanostructure through any one of the steps of: forming a low viscosity conductive paste on the nanostructure; attaching a semi-cured adhesive film; forming an adhesive layer; applying a liquid adhesive; ;
Wherein the nanostructure comprises a nanostructure. 제1항에 있어서,
상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은,
상기 1차 기판과 상기 2차 기판 사이에 위치되게 희생층을 형성하는 단계;를 더 포함하며,
상기 1차 기판을 상기 2차 기판으로부터 분리 제거하는 단계는,
상기 희생층의 화학적 제거에 의한 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
A method of fabricating a device having the nanostructure includes:
And forming a sacrificial layer between the primary substrate and the secondary substrate,
Wherein the step of separating and removing the primary substrate from the secondary substrate comprises:
Wherein the sacrificial layer is chemically removed. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 21. &lt; / RTI &gt; 제1항에 있어서,
상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은,
상기 2차 기판과 상기 나노 구조체의 사이에 위치되게 희생층을 형성하는 단계;를 더 포함하며,
상기 2차 기판을 상기 나노 구조체로부터 분리 제거하는 단계는,
상기 희생층의 화학적 제거에 의한 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
A method of fabricating a device having the nanostructure includes:
And forming a sacrificial layer between the secondary substrate and the nanostructure,
The step of separating and removing the secondary substrate from the nanostructure comprises:
Wherein the sacrificial layer is chemically removed. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 21. &lt; / RTI &gt; 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판은,
상기 2차 기판이 형성되는 표면이 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 100 nm 또는 0 nm < Rt < 1,000 nm의 표면 조도를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the primary substrate comprises:
Wherein the surface on which the secondary substrate is formed has a surface roughness of 0 nm < Ra < 100 nm or 0 nm < Rt < 1,000 nm when measured in a range of 456 mu m x 608 mu m in a three- A method of fabricating a device having a nanostructure. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판은,
상기 2차 기판이 형성되는 표면이 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 10 nm 또는 0 nm < Rt < 100 nm의 표면 조도를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the primary substrate comprises:
Characterized in that the surface on which the secondary substrate is formed has a surface roughness of 0 nm <Ra <10 nm or 0 nm <Rt <100 nm when measured in a range of 456 μm × 608 μm in a three-dimensional profiler A method of fabricating a device having a nanostructure. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 2차 기판은,
상기 나노 구조체가 형성되는 표면이 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 100 nm 또는 0 nm < Rt < 1,000 nm의 표면 조도를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the secondary substrate comprises:
Characterized in that the surface on which the nanostructure is formed has a surface roughness of 0 nm <Ra <100 nm or 0 nm <Rt <1,000 nm when measured in a range of 456 μm × 608 μm in a three- A method for fabricating a device having a structure. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 2차 기판은,
상기 나노 구조체가 형성되는 표면이 3차원 프로파일러로 456 ㎛ × 608 ㎛의 범위를 측정할 때, 0 nm < Ra < 10 nm 또는 0 nm < Rt < 1,00 nm의 표면 조도를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the secondary substrate comprises:
The surface on which the nanostructure is formed has a surface roughness of 0 nm < Ra < 10 nm or 0 nm < Rt < 100 nm when measuring a range of 456 m x 608 m in a three- Wherein the nanostructure comprises a nanostructure. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판은,
상기 2차 기판으로부터 분리 제거된 후, 후속되는 다른 2차 기판의 형성 작업에 그대로 재사용되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the primary substrate comprises:
Wherein the second substrate is separated and removed from the secondary substrate, and then reused as it is in the subsequent formation of another secondary substrate. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판은,
판 형상, 롤 형상, 시트 형상 중 어느 하나의 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the primary substrate comprises:
Wherein the nanostructure is provided in one of a plate shape, a roll shape, and a sheet shape. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판은,
유리 또는 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the primary substrate comprises:
Wherein the nanostructure is made of glass or silicon. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판은,
고분자 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the primary substrate comprises:
Wherein the nanostructure is made of a polymer material. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판은,
Ni, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 Fe 합금인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the primary substrate comprises:
Wherein the Fe alloy is at least one of Fe, Ni, Mo and Cr. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판은,
Ti 또는 Ti 합금인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the primary substrate comprises:
Ti or a Ti alloy. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 21. &lt; / RTI &gt; 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판은,
Cu, Ni, Al, Mo, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the primary substrate comprises:
Cu, Ni, Al, Mo, and Cr. The method of manufacturing a device having a nanostructure, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 2차 기판은,
상기 1차 기판 상에 1 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the secondary substrate comprises:
Wherein the first substrate is formed to have a thickness of 1 占 퐉 to 500 占 퐉 on the primary substrate. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 2차 기판은,
상기 1차 기판 상에 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the secondary substrate comprises:
Wherein the first substrate is formed with a thickness of 1 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less on the first substrate. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 2차 기판은,
Fe, Ag, Au, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, In. Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Zr, Mg, INVAR 및 스테인리스강으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the secondary substrate comprises:
Fe, Ag, Au, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, In. And a metal material including at least one selected from the group consisting of Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Zn, Pb, V, Zr, Mg, INVAR and stainless steel. Gt; 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 2차 기판은,
Cu, Ni, Co, Ru, Rh, Pt, Ir 및 Pd으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the secondary substrate comprises:
Wherein the metal material comprises at least one selected from the group consisting of Cu, Ni, Co, Ru, Rh, Pt, Ir and Pd. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판 상에 상기 2차 기판을 형성하는 단계는,
주조법, 전자선 증착법, 열 증착법, 스퍼터 증착법, 화학기상 증착법 및 전기 도금법 중 하나 이상의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein forming the secondary substrate on the primary substrate comprises:
Wherein at least one of a casting method, an electron beam evaporation method, a thermal evaporation method, a sputter deposition method, a chemical vapor deposition method, and an electroplating method is used. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은,
상기 보호층을 형성하기 전에 상기 1차 기판의 표면을 플라즈마 처리 또는 자외선 조사 처리하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
A method of fabricating a device having the nanostructure includes:
Subjecting the surface of the primary substrate to a plasma treatment or an ultraviolet ray irradiation treatment before forming the protective layer;
Wherein the nanostructure is formed on the surface of the nanostructure. 제1항에 있어서,
상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은,
상기 보호층을 형성하기 전에 상기 1차 기판의 표면상에 Mo, Ni, Cr, Ti 및 Fe 중 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어져 상기 보호층의 박리를 방지하는 결합층을 형성하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
A method of fabricating a device having the nanostructure includes:
Forming a bonding layer on the surface of the primary substrate before the protective layer is formed, the bonding layer being made of a material containing at least one of Mo, Ni, Cr, Ti, and Fe to prevent peeling of the protective layer;
Wherein the nanostructure is formed on the surface of the nanostructure. 제1항에 있어서,
상기 보호층을 형성하는 단계는,
전자선 증착법, 스퍼터 증착법 및 이온 플레이팅법 중 하나 이상의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The step of forming the protective layer may include:
An electron beam deposition method, a sputter deposition method, and an ion plating method is used. 제1항에 있어서,
상기 보호층을 형성하는 단계는,
상기 보호층의 박리를 방지하기 위해 이온 빔을 조사하면서 상기 1차 기판의 표면에 상기 보호층을 형성하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The step of forming the protective layer may include:
Forming a protective layer on the surface of the primary substrate while irradiating an ion beam to prevent peeling of the protective layer;
Wherein the nanostructure comprises a nanostructure. 제1항에 있어서,
상기 보호층을 형성하는 단계는,
상기 보호층의 박리를 방지하기 위해 상기 1차 기판을 100 ℃ 이상 800 ℃ 이하로 가열한 상태로 상기 1차 기판의 표면에 상기 보호층을 형성하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The step of forming the protective layer may include:
Forming the protective layer on the surface of the primary substrate while heating the primary substrate to 100 ° C to 800 ° C to prevent peeling of the protective layer;
Wherein the nanostructure comprises a nanostructure. 제1항에 있어서,
상기 보호층은,
Au, Pt, Ir, Pd, Os, Rh, Ru 및 그 산화물로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The protective layer may be formed,
Au, Pt, Ir, Pd, Os, Rh, Ru, and an oxide thereof. 제1항에 있어서,
상기 보호층은,
Mo, Ni, Cr, Ti, Fe, Al, B, C의 산화물 및 그 질화물로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The protective layer may be formed,
And a material including at least one selected from the group consisting of oxides of Mo, Ni, Cr, Ti, Fe, Al, B, and C, and nitrides thereof. 제1항에 있어서,
상기 보호층은,
상기 1차 기판의 표면상에 1 nm 이상 1,000 nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The protective layer may be formed,
Wherein the first substrate is formed with a thickness of 1 nm or more and 1,000 nm or less on the surface of the primary substrate. 제1항에 있어서,
상기 보호층은,
상기 1차 기판 상에 10 nm 이상 100 nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The protective layer may be formed,
Wherein the nanostructure is formed on the primary substrate to have a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법은,
상기 2차 기판이 형성될 상기 1차 기판의 표면에 상기 2차 기판의 용이한 분리를 위해 분리층을 형성하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
A method of fabricating a device having the nanostructure includes:
Forming a separation layer on the surface of the primary substrate on which the secondary substrate is to be formed, for easy separation of the secondary substrate;
Wherein the nanostructure is formed on the surface of the nanostructure. 제33항에 있어서,
상기 분리층을 형성하는 단계는,
상기 1차 기판의 표면을 산화 처리 또는 질화 처리함으로써 균일한 부동태 피막의 상기 분리층을 형성하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.34. The method of claim 33,
The step of forming the separation layer may include:
Forming an isolation layer of a uniform passive film by oxidizing or nitriding the surface of the primary substrate;
Wherein the nanostructure comprises a nanostructure. 제33항에 있어서,
상기 분리층을 형성하는 단계는,
상기 1차 기판의 표면을 공기, 산소, 질소 중 어느 하나의 가스 분위기에서 자외선 조사 처리, 레이저 조사 처리, 전자선 조사 처리 및 플라즈마 처리 중 하나 이상의 작업을 통해 상기 분리층을 형성하는 단계;
인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.34. The method of claim 33,
The step of forming the separation layer may include:
Forming the separation layer through at least one of an ultraviolet irradiation treatment, a laser irradiation treatment, an electron beam irradiation treatment and a plasma treatment in a gas atmosphere of any one of air, oxygen, and nitrogen;
Wherein the nanostructure comprises a nanostructure. 제33항에 있어서,
상기 분리층은,
상기 1차 기판 상에 1 nm 이상 100 nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.34. The method of claim 33,
Wherein,
Wherein the first substrate is formed to have a thickness of 1 nm or more and 100 nm or less on the primary substrate. 제33항에 있어서,
상기 분리층은,
상기 1차 기판 상에 1 nm 이상 20 nm 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.34. The method of claim 33,
Wherein,
Wherein the first substrate is formed with a thickness of 1 nm or more and 20 nm or less on the primary substrate. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 기판 상에 상기 2차 기판을 형성하는 단계는,
상기 1차 기판의 표면을 평탄화하기 위한 평탄화층을 상기 1차 기판의 표면에 형성하는 단계; 및
상기 평탄화층 상에 상기 2차 기판을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein forming the secondary substrate on the primary substrate comprises:
Forming a planarization layer on the surface of the primary substrate for planarizing the surface of the primary substrate; And
Forming the second substrate on the planarization layer;
Wherein the nanostructure comprises a nanostructure. 제38항에 있어서,
상기 평탄화층은,
고분자 화합물을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.39. The method of claim 38,
Wherein the planarization layer comprises:
A method for manufacturing a device having a nanostructure, which comprises a material including a polymer compound. 제38항에 있어서,
상기 평탄화층은,
폴리에스테르(Polyester), 폴리에스테르를 포함하는 공중합체, 폴리이미드(Polyimide:PI), 폴리이미드를 포함하는 공중합체, 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리아크릴산을 포함하는 공중합체, 폴리스티렌(polystyrene), 폴리스티렌을 포함하는 공중합체, 폴리설파이트(polysulfate), 폴리설파이트를 포함하는 공중합체, 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아믹산을 포함하는 공중합체, 폴리아민(polyamine), 폴리아민을 포함하는 공중합체, 폴리비닐 알콜(Polyvinylalcohol; PVA), 폴리 알릴아민(Polyallyamine) 및 폴리아크릴산(polyacrylic acid)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 화합물을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.39. The method of claim 38,
Wherein the planarization layer comprises:
A copolymer including a polyester, a copolymer including a polyester, a polyimide (PI), a copolymer including a polyimide, a polyacrylic acid, a copolymer containing polyacrylic acid, polystyrene, Copolymers including polystyrene, copolymers including polysulfates, polysulfides, copolymers including polyamic acid, polyamic acid, polyamines, copolymers including polyamines, A method for manufacturing a device having a nanostructure, which comprises a material comprising at least one polymer compound selected from the group consisting of polyvinyl alcohol (PVA), polyallylamine, and polyacrylic acid. Way. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노 구조체는,
나노점, 나노공, 나노선, 나노튜브, 나노원뿔, 나노각뿔, 나노각기둥 및 나노시트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The nano-
The method of manufacturing a device having a nanostructure, wherein the nanostructure is formed in a shape including at least one selected from the group consisting of nano-dots, nanopores, nanowires, nanotubes, nano cones, nano prisms, nano prisms, . 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노 구조체는,
Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In Sn, Sb, Te, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Ti, Bi, 그 산화물, 그 질화물 및 그 탄화물 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The nano-
The present invention relates to a method for producing a thin film of a metal such as Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, And at least one selected from the group consisting of Sb, Te, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Ti, Bi, Wherein the nanostructure comprises a nanostructure. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노 구조체는,
탄소 나노튜브, 탄소 나노공 및 그래핀 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The nano-
Carbon nanotubes, carbon nanotubes, carbon nanotubes, and graphenes. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노 구조체는,
실리콘 나노선인 것을 특징으로 하는 나노 구조체를 구비한 소자의 제조방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The nano-
Wherein the nanostructure is a silicon nanowire.
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