KR101395372B1 - Exhausting apparatus for single crystal grower - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스 중에 포함된 불순물이 배기 배관으로부터 챔버로 역류되는 것을 저감시킬 뿐 아니라 불순물을 검출할 수 있는 단결정 성장장치의 배기장치에 관한 것이다.
본 발명은 잉곳으로 성장되는 도가니를 구비하는 챔버; 상기 챔버 내부의 가스를 배기시키는 배기 배관; 상기 배기 배관과 연결되고, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공펌프; 및 상기 배기 배관에 구비되고, 불순물의 역류 시 불순물을 걸러주는 저항수단;을 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 잉곳으로 성장되는 도가니를 구비하는 챔버; 상기 챔버 내부의 가스를 배기시키는 배기 배관; 상기 배기 배관과 연결되고, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공펌프; 및 상기 배기 배관의 입구에 가스의 유동 방향으로 세워지도록 장착되고, 불순물이 부착될 수 있는 검출판;을 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치를 제공할 수 있다.The present invention relates to an exhaust apparatus of a single crystal growth apparatus capable of not only reducing the backflow of impurities contained in a gas from an exhaust pipe to a chamber but also detecting impurities.
The present invention relates to a process for producing a crucible, comprising: a chamber having a crucible grown as an ingot; An exhaust pipe for exhausting gas inside the chamber; A vacuum pump connected to the exhaust pipe, for evacuating the inside of the chamber; And resistance means provided in the exhaust pipe for filtering out impurities when the impurities are backflowed.
The present invention also provides a method of manufacturing a crucible, comprising: a chamber having a crucible grown as an ingot; An exhaust pipe for exhausting gas inside the chamber; A vacuum pump connected to the exhaust pipe, for evacuating the inside of the chamber; And a detection plate mounted so as to be erected in the flow direction of the gas at the inlet of the exhaust pipe and to which the impurities can be adhered.

Description

단결정 성장장치의 배기장치 {EXHAUSTING APPARATUS FOR SINGLE CRYSTAL GROWER}[0001] EXHAUSTING APPARATUS FOR SINGLE CRYSTAL GROWER [0002]

본 발명은 가스 중에 포함된 불순물이 배기 배관으로부터 챔버로 역류되는 것을 저감시킬 뿐 아니라 불순물을 검출할 수 있는 단결정 성장장치의 배기장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an exhaust apparatus of a single crystal growth apparatus capable of not only reducing the backflow of impurities contained in a gas from an exhaust pipe to a chamber but also detecting impurities.

일반적으로 실리콘 웨이퍼의 제조를 위해서는 단결정 실리콘을 잉곳(Ingot) 형태로 성장시키는데, 잉곳을 성장시키기 위하여 초크랄스키(Czochralski, CZ) 법이 적용될 수 있다.Generally, for the production of silicon wafers, monocrystalline silicon is grown in an ingot shape. Czochralski (CZ) method can be applied to grow an ingot.

단결정 잉곳 성장 공정은 고체의 실리콘을 도가니에 넣은 다음, 열을 가하여 액상으로 만들고, 단결정 잉곳으로 성장시킨다. 이때, 진공 상태에서 잉곳 성장이 이루어진다.In the single crystal ingot growing process, solid silicon is put into a crucible, and then heat is applied to form a liquid phase, which is then grown into a single crystal ingot. At this time, the ingot is grown in a vacuum state.

그런데, 단결정 잉곳을 성장시키는 동안 단결정 성장장치 내부에는 비활성 가스, 예를 들어 아르곤(Ar)을 이용하여 고온의 실리콘 멜트(Silicon melt)에서 방출되는 불순물, 예를 들어 산화막 물질 등을 배기 배관으로 배출시키고 있다. Meanwhile, during the growth of the single crystal ingot, an impurity such as an oxide film material, which is emitted from a high-temperature silicon melt by using an inert gas such as argon (Ar), is discharged to the inside of the single- I have to.

이와 같은 불순물은 모두 단결정 성장장치 외부로 배출되기 못할 뿐 아니라 단결정 성장장치의 내부에 증착되기 때문에 이로 인하여 단결정 성장 시에 로스(Loss)의 원인으로 작용하고 있다.All of these impurities are not discharged outside the single crystal growth apparatus, but are deposited inside the single crystal growth apparatus, thereby causing loss in single crystal growth.

따라서, 단결정 성장 종료 후 단결정 성장장치 내부에 부착된 불순물을 제거하기 위하여 작업자가 메뉴얼 작업으로 세정을 진행하거나, 자동화된 챔버 세정 장치에 의해 세정을 진행하고 있다.Therefore, in order to remove the impurities adhering to the inside of the single crystal growth apparatus after the completion of the single crystal growth, the operator carries out cleaning by manual operation or cleaning by an automated chamber cleaning apparatus.

이와 같은, 반복적으로 잉곳 성장 작업을 위하여 잉곳을 배출하거나, 고체 실리콘을 투입하기 위하여 챔버를 개방시키게 되며, 이로 인하여 외부 공기 중에 불순물이 챔버 내부로 유입된다. The ingot is discharged repeatedly for the ingot growing operation or the chamber is opened to inject the solid silicon, whereby impurities in the outside air are introduced into the chamber.

하지만, 잉곳을 성장시키기 위하여 챔버 내부를 진공 상태로 만들게 되는데, 챔버와 연결된 배기 배관 측에 구비된 진공 펌프를 가동시키면, 챔버 내부의 불순물이 배기 가스와 같이 빠져나가게 된다.However, in order to grow the ingot, the inside of the chamber is made to be in a vacuum state. When the vacuum pump provided on the side of the exhaust pipe connected to the chamber is operated, the impurities inside the chamber escape like the exhaust gas.

상기와 같은 종래 기술의 단결정 성장 장치의 배기장치는 초기에 진공 펌프가 켜질 때 불안정하게 작동됨에 따라 배기 가스가 배기 배관에서 역류되거나, 일정시간 동안 진공 펌프가 작동되어 챔버 내부가 진공 상태에 도달했을 때 챔버 및 배기 배관 내부의 압력 차가 없는 상태에서 배기 가스에 포함된 불순물이 분자 유동에 의해 산발적으로 역류되기도 하며, 진공 펌프의 용량이 한정됨에 따라 그 용량보다 많은 배기 가스가 유입될 때 마찬가지로 배기 가스에 포함된 불순물이 분자 유동 상태에서 역류되고 있는 실정이다. Since the exhaust apparatus of the conventional single crystal growth apparatus as described above is operated unstably when the vacuum pump is initially turned on, the exhaust gas is flowed backward in the exhaust pipe or the vacuum pump is operated for a certain period of time, Impurities contained in the exhaust gas are scattered back by the molecular flow in the absence of a pressure difference inside the chamber and the exhaust pipe, and when the exhaust gas having a capacity exceeding the capacity of the vacuum pump is introduced, the exhaust gas The impurities contained in the molecular flow state are reversed.

또한, 챔버 내부로 분자 유동되는 불순물의 역류를 감지하기 어렵고, 분자 유동되는 불순물의 역류로 인하여 눈에 보이지 않을 만큼 미세한 불순물이 챔버 내부로 유입된 경우 마찬가지로 검출하기 어려운 실정이다.In addition, it is difficult to detect the reverse flow of the impurities flowing into the chamber, and it is difficult to detect when impurities which are not visible are introduced into the chamber due to backflow of the impurities flowing through the molecules.

따라서, 챔버 내부로 분자 유동되는 불순물의 역류로 인하여 불순물이 챔버 내에서 잉곳 성장 시에 결정 로스로 작용하여 실리콘 웨이퍼의 불량률을 높일 뿐 아니라 실리콘 웨이퍼의 품질을 저하시키고, 나아가 챔버 내부로 유입된 불순물을 제거하기 위하여 추가적인 크리닝 작업이 진행됨에 따라 작업 효율이 저하시키는 문제점이 있다.
Therefore, due to the reverse flow of impurities flowing into the chamber, the impurities act as a crystal loss in the growth of the ingot in the chamber, thereby increasing the defect rate of the silicon wafer and deteriorating the quality of the silicon wafer. Further, There is a problem that the efficiency of the cleaning is lowered due to the progress of the additional cleaning work.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 배기 배관을 따라 챔버로 분자 유동되는 불순물의 역류를 저감시킬 수 있는 단결정 성장장치의 배기장치를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an exhaust apparatus for a single crystal growth apparatus capable of reducing the reverse flow of impurities that flow in a chamber along an exhaust pipe.

또한, 본 발명은 배기 배관을 따라 챔버로 분자 유동에 의해 역류된 불순물을 검출할 수 있는 단결정 성장장치의 배기장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
It is another object of the present invention to provide an exhaust apparatus for a single crystal growth apparatus capable of detecting impurities counteracted by molecular flow into a chamber along an exhaust pipe.

본 발명은 잉곳으로 성장되는 도가니를 구비하는 챔버; 상기 챔버 내부의 가스를 배기시키는 배기 배관; 상기 배기 배관과 연결되고, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공펌프; 및 상기 배기 배관에 구비되고, 불순물의 역류 시 불순물을 걸러주는 저항수단;을 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치를 제공할 수 있다.The present invention relates to a process for producing a crucible, comprising: a chamber having a crucible grown as an ingot; An exhaust pipe for exhausting gas inside the chamber; A vacuum pump connected to the exhaust pipe, for evacuating the inside of the chamber; And resistance means provided in the exhaust pipe for filtering out impurities when the impurities are backflowed.

또한, 본 발명에서, 상기 배기 배관은 상기 챔버의 하부에 연결되고, 상기 저항수단은 상기 챔버와 연결된 배기 배관의 입구에 구비될 수 있다.Further, in the present invention, the exhaust pipe may be connected to a lower portion of the chamber, and the resistance means may be provided at an inlet of an exhaust pipe connected to the chamber.

또한, 본 발명에서, 상기 저항수단은 상기 배기 배관의 입구 내주면을 따라 형성된 복수개의 요철부일 수 있다.Further, in the present invention, the resistance means may be a plurality of concave-convex portions formed along the inner circumferential surface of the inlet of the exhaust pipe.

바람직하게는, 상기 요철부는 가스의 배기 방향으로 자른 단면이 삼각형일 수 있다.Preferably, the concavo-convex portion may have a triangular cross section cut in the gas exhaust direction.

또한, 본 발명에서, 상기 저항수단은 상기 배기 배관 내주면을 가로지르도록 설치된 메쉬부를 포함할 수 있다.Further, in the present invention, the resistance means may include a mesh portion disposed to cross the inner circumferential surface of the exhaust pipe.

바람직하게는, 상기 메쉬부는 홀의 크기가 500㎛ 이하일 수 있다.Preferably, the mesh portion may have a hole size of 500 mu m or less.

또한, 본 발명에서, 상기 저항수단은 상기 배기 배관의 입구에 장착되고, 가스의 배기 방향으로 갈수록 직경이 좁아지는 깔대기를 포함할 수 있다.Further, in the present invention, the resistance means may include a funnel mounted at an inlet of the exhaust pipe, the diameter of which narrows toward the exhaust direction of the gas.

바람직하게는, 상기 깔대기는 상기 배기 배관의 내주면을 향하는 외주면에 요철부가 구비될 수 있다.Preferably, the funnel may be provided with a concave / convex portion on an outer circumferential surface facing the inner circumferential surface of the exhaust pipe.

바람직하게는, 상기 깔대기는 상면에 가스의 배기 흐름을 안내하는 복수개의 홈이 구비될 수 있다.Preferably, the funnel may be provided with a plurality of grooves for guiding the exhaust flow of the gas on the upper surface thereof.

또한, 본 발명에서, 상기 배관 입구에 배기 가스의 유동 방향으로 세워지도록 장착되고, 불순물이 부착될 수 있는 검출판;을 더 포함할 수 있다.Further, in the present invention, it may further comprise a detection plate mounted to be erected in the flow direction of the exhaust gas to the pipe inlet, and to which the impurities can be adhered.

바람직하게는, 상기 검출판은 실리콘 웨이퍼일 수 있다. Preferably, the detection plate may be a silicon wafer.

한편, 본 발명은 잉곳으로 성장되는 도가니를 구비하는 챔버; 상기 챔버 내부의 가스를 배기시키는 배기 배관; 상기 배기 배관과 연결되고, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공펌프; 및 상기 배기 배관의 입구에 가스의 유동 방향으로 세워지도록 장착되고, 불순물이 부착될 수 있는 검출판;을 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치를 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a crucible, An exhaust pipe for exhausting gas inside the chamber; A vacuum pump connected to the exhaust pipe, for evacuating the inside of the chamber; And a detection plate mounted so as to be erected in the flow direction of the gas at the inlet of the exhaust pipe and to which the impurities can be adhered.

또한, 본 발명에서, 상기 배기 배관의 입구에 안착되고, 상기 검출판이 상면에 고정되며, 가스의 배기 방향으로 갈수록 직경이 좁아지는 깔대기;를 더 포함할 수 있다.Further, in the present invention, the apparatus may further include a funnel which is seated at the inlet of the exhaust pipe, the detection plate is fixed to the upper surface, and the diameter becomes narrower toward the exhaust direction of the gas.

바람직하게는, 상기 깔대기는 상기 배기 배관의 내주면을 향하는 외주면에 요철부가 구비될 수 있다.Preferably, the funnel may be provided with a concave / convex portion on an outer circumferential surface facing the inner circumferential surface of the exhaust pipe.

바람직하게는, 상기 깔대기는 상면에 상기 검출판이 끼워질 수 있는 한 쌍의 홈이 구비될 수 있다.Preferably, the funnel may be provided with a pair of grooves on the upper surface thereof to which the detection plate can be fitted.

또한, 본 발명에서, 상기 검출판은 실리콘 웨이퍼일 수 있다.Further, in the present invention, the detection plate may be a silicon wafer.

또한, 본 발명에서, 상기 배기 배관의 입구 내주면을 따라 형성된 복수개의 요철부;를 더 포함할 수 있다.Further, in the present invention, it may further include a plurality of concave-convex parts formed along the inner circumferential surface of the inlet of the exhaust pipe.

바람직하게는, 상기 요철부는 가스의 배기 방향으로 자른 단면이 삼각형일 수 있다.Preferably, the concavo-convex portion may have a triangular cross section cut in the gas exhaust direction.

또한, 본 발명에서, 상기 배기 배관 내주면을 가로지르도록 설치된 메쉬부;를 더 포함할 수 있다.Further, in the present invention, it may further comprise a mesh portion provided to cross the inner circumferential surface of the exhaust pipe.

바람직하게는, 상기 메쉬부는 홀의 크기가 500㎛ 이하일 수 있다.
Preferably, the mesh portion may have a hole size of 500 mu m or less.

본 발명에 따른 단결정 성장장치의 배기장치는 배기 배관 상에 역류 방향의 유동에 대해 유로 저항으로 작용하는 요철부, 깔대기, 메쉬부가 구비되기 때문에 분자 유동되는 불순물의 역류를 방지할 뿐 아니라 불순물을 걸러줄 수 있으며, 이로 인하여 잉곳 성장 시에 결정 로스를 저감시킬 뿐 아니라 잉곳에 의해 만들어진 실리콘 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Since the exhaust device of the single crystal growth apparatus according to the present invention is provided with the concave-convex portion, the funnel portion and the mesh portion acting as the flow path resistance against the flow in the backward flow direction on the exhaust pipe, Therefore, there is an advantage that not only the crystal loss during the ingot growth but also the quality of the silicon wafer produced by the ingot can be improved.

또한, 본 발명에 따른 단결정 성장장치의 배기장치는 배기 배관 입구에 배기 가스의 유동 방향으로 세워지도록 검사판이 구비되기 때문에 분자 유동되는 불순물이 검사판에 흡착되어 검출될 수 있으며, 이로 인하여 검출된 불순물을 통하여 분자 유동되는 불순물의 역류를 인지할 뿐 아니라 불순물을 분석하여 잉곳 성장 시에 결정 로스의 원인을 분석할 수 있는 이점이 있다.
In addition, since the exhaust device of the single crystal growth apparatus according to the present invention is provided with the test plate so as to be erected in the flow direction of the exhaust gas at the inlet of the exhaust pipe, impurities which flow through the molecules can be adsorbed and detected on the test plate, It is possible to analyze the cause of the crystal loss at the time of growing the ingot by analyzing the impurities.

도 1은 본 발명에 따른 단결정 성장장치의 일예가 도시된 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 단결정 성장장치의 챔버 하부가 도시된 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 단결정 성장장치의 배기장치 주요부가 도시된 측단면도.
도 4는 도 3에 적용된 배기 배관의 일예가 도시된 사시면.
도 5는 도 3에 적용된 깔대기의 일예가 도시된 단면 사시도.
도 6은 도 3에 적용된 깔대기의 일예가 도시된 평면도.
도 7은 본 발명에 따른 단결정 성장장치의 배기장치 적용 시 불순물 검출 상태가 도시된 도면.1 is a schematic view showing an example of a single crystal growing apparatus according to the present invention;
FIG. 2 is a plan view showing a lower portion of a chamber of a single crystal growing apparatus according to the present invention. FIG.
3 is a side cross-sectional view of a main part of an exhaust system of a single crystal growth apparatus according to the present invention.
Fig. 4 is a view showing an example of the exhaust pipe applied to Fig.
5 is a cross-sectional perspective view illustrating an example of a funnel applied to FIG. 3;
FIG. 6 is a plan view showing an example of a funnel applied to FIG. 3; FIG.
FIG. 7 is a view showing an impurity detection state when the exhaust apparatus of the single crystal growth apparatus according to the present invention is applied. FIG.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

도 1은 본 발명에 따른 단결정 성장장치의 일예가 도시된 개략도이고, 도 2는 본 발명에 따른 단결정 성장장치의 챔버 하부가 도시된 평면도이다.FIG. 1 is a schematic view showing an example of a single crystal growing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a lower portion of a chamber of a single crystal growing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 단결정 성장장치는 잉곳이 성장되는 공간인 챔버(110)와, 상기 챔버(110) 내부에 구비된 도가니(130)와, 상기 도가니를 가열하는 히터(140)와, 상기 챔버(110) 상부에 구비되어 잉곳이 성장되는 케이블을 감아 인상하는 인상수단(미도시)과, 상기 챔버(110) 하부에 구비되어 배기 가스를 배출시키는 배기 배관(150)과, 상기 배기 배관(150)과 연결되어 상기 챔버(110) 내부를 진공으로 만들어주는 진공 펌프(160)와, 상기 배기 배관(150)으로부터 분자 유동으로 역류되는 불순물을 걸러주는 저항수단(미도시)과, 상기 배기 배관(150)으로부터 분자 유동으로 역류되는 불순물을 검출하는 검출수단(미도시)을 포함할 수 있다.A single crystal growth apparatus according to the present invention includes a chamber 110 in which an ingot is grown, a crucible 130 provided in the chamber 110, a heater 140 for heating the crucible, (Not shown) for lifting the cable, which is provided on the upper portion of the chamber 110, for lifting up the cable, and an exhaust pipe 150 provided below the chamber 110 to exhaust the exhaust gas. A vacuum pump 160 connected to the exhaust pipe 150 for evacuating the inside of the chamber 110 and resistive means for filtering impurities back flowing into the molecular flow from the exhaust pipe 150; (Not shown) for detecting impurities that flow back to the molecular flow from the gas flow channel (not shown).

상기 챔버(110)는 반도체 등의 전자부품 소재로 사용되는 실리콘 웨이퍼용 단결정 잉곳(Ingot)을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다. The chamber 110 provides a space in which predetermined processes for growing a single crystal ingot for a silicon wafer used as an electronic component material such as a semiconductor are performed.

이때, 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 성장시키는 방법으로 단결정인 종자결정(Seed crystal)을 용융 실리콘에 담근 다음, 천천히 끌어올리면서 결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Czochralsk : CZ) 법을 채용할 수 있다.At this time, a Czochralski (CZ) method may be employed in which a single crystal seed crystal is immersed in molten silicon and a crystal is grown while slowly pulling it up, as a method of growing a silicon single crystal ingot (IG) .

이 방법에 따르면, 종자결정으로부터 가늘고 긴 결정을 성장시키는 네킹(Necking) 공정을 거치고 나면, 결정을 직경 방향으로 성장시켜 목표직경으로 만드는 솔더링(Shouldering) 공정을 거리고, 이후에 일정한 직경을 갖는 결정으로 성장시키는 바디 그로잉(Body growing) 공정을 거치며, 일정한 길이만큼 바디그로잉이 진행된 후에 결정의 직경을 서서히 감소시킨 다음, 결국 용융 실리콘과 분리하는 테일링(Tailing) 공정을 순차적으로 걸치면서 단결정 잉곳이 성장된다.According to this method, after a necking process for growing elongated crystals from a seed crystal, a process of growing a crystal in a radial direction to make a target diameter is performed, and then a crystal having a constant diameter After the body growing process, the body is grown by a body growing process, the diameter of the crystal is gradually decreased after progressing the body growth, and finally the tiling process is performed to separate the silicon from the molten silicon. It grows.

상기 도가니(130)는 실리콘 용액을 담을 수 있도록 상기 챔버(110) 내부에 구비되고, 석영 재질로 이루어질 수 있다. 물론, 상기 도가니(130)를 지지할 수 있도록 흑연으로 이루어지는 도가니 지지대(미도시)가 상기 도가니(130) 외부에 구비될 수 있다. 또한, 상기 챔버(110)의 하부를 관통하여 상기 도가니 지지대를 고정시키는 회전축(131)이 구비되고, 상기 회전축(131)은 구동수단(미도시)에 의해 회전됨에 따라 상기 도가니(130)를 회전 및 승강 운동시키면서 고체와 액체 계면이 동일한 높이를 유지할 수 있도록 한다.The crucible 130 is provided in the chamber 110 to contain the silicon solution, and may be made of quartz. Of course, a crucible support (not shown) made of graphite can be provided outside the crucible 130 to support the crucible 130. The crucible 130 is rotated by the driving means (not shown) to rotate the crucible 130. The crucible 130 is rotated by the driving means (not shown) And allowing the solid and liquid interfaces to maintain the same height while moving up and down.

상기 히터(140)는 상기 도가니(130)를 가열하도록 상기 챔버(110) 내벽에 구비되는데, 상기 도가니 지지대를 에워싸는 원통형으로 이루어질 수 있으며, 하측에 전원을 공급하는 전원선(141)이 연결된다. 또한, 상기 챔버(110) 내벽에는 상기 히터(140)의 열이 상기 챔버(110)의 벽면을 통하여 방출되는 것을 방지하기 위하여 복사 단열체(미도시)가 구비될 수 있다. 이때, 상기 히터는 상기 도가니(130) 내에 적재된 고순도의 다결정 실리콘 덩어리를 용융하여 실리콘 용액을 만들게 된다.The heater 140 is provided on the inner wall of the chamber 110 to heat the crucible 130. The heater 140 may be formed in a cylindrical shape to surround the crucible support and a power supply line 141 for supplying power to the lower side is connected. In addition, a radiator (not shown) may be installed on the inner wall of the chamber 110 to prevent the heat of the heater 140 from being discharged through the wall of the chamber 110. At this time, the heater melts the high-purity polycrystalline silicon mass loaded in the crucible 130 to produce a silicon solution.

상기 인상수단은 케이블(미도시)을 감아 인상할 수 있도록 챔버(110)의 상부에 설치될 수 있으며, 상기 케이블의 하부에 설치되는 종자결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 단결정 잉곳의 성장 중 실리콘 융액으로부터 열을 차단하기 위하여 열실드(120)가 상기 챔버(110) 내에 더 구비될 수 있다.The lifting means may be installed on the upper part of the chamber 110 so as to lift up the cable (not shown), and may include a seed crystal provided under the cable. In addition, a heat shield 120 may further be provided in the chamber 110 to block heat from the silicon melt during growth of the single crystal ingot.

따라서, 상기 종자결정은 상기 도가니(130) 내의 실리콘 용액에 접촉되어 인상됨에 따라 단결정 잉곳을 성장시키게 되며, 상기 인상수단은 케이블을 감아 인상하는 동시에 회전 운동하면서 단결정 잉곳을 성장시키되, 실리콘 단결정 잉곳이 상기 도가니(130)의 회전축(131)과 동일한 축을 중심으로 하여 상기 도가니(130)의 회전 방향 또는 반대방향으로 회전시키면서 끌어올릴 수 있다.Therefore, the seed crystal grows in contact with the silicon solution in the crucible 130 and is pulled up to grow a single crystal ingot. The lifting means lifts up the cable and lifts the single crystal ingot while rotating, The crucible 130 can be rotated while being rotated about the same axis as the rotation axis 131 of the crucible 130 in the rotation direction or the opposite direction of the crucible 130.

상기 배기 배관(150)은 상기 챔버(110) 하부에 연결되며, 상기 챔버(110) 내부의 가스를 배출시키는 유로를 형성한다. 이때, 상기 배기 배관(150)은 잉곳을 성장시키기 이전에 상기 챔버(110)에 유입된 외부 공기를 배기시키거나, 잉곳을 성장시키는 중에도 융액으로부터 발생하는 가스도 역시 배기시킨다. The exhaust pipe 150 is connected to the lower portion of the chamber 110 to form a flow path for discharging the gas inside the chamber 110. At this time, the exhaust pipe 150 exhausts the outside air introduced into the chamber 110 before the ingot is grown, and also exhausts the gas generated from the melt even when the ingot is grown.

상기 진공펌프(160)는 상기 배기 배관(150)과 연결되며, 상기 챔버(110) 내부를 진공 상태로 만들어 주기 위하여 잉곳을 성장시키기 이전에 작동되며, 잉곳을 성장시키는 중에도 진공 상태를 유지하기 위하여 작동된다. The vacuum pump 160 is connected to the exhaust pipe 150. The vacuum pump 160 is operated before the ingot is grown to make the inside of the chamber 110 vacuum, .

상기 저항수단은 상기 배기 배관(150)으로부터 상기 챔버(110)로 배기 가스가 역류되는 것을 저감시키고, 나아가 분자 유동으로 역류하는 불순물을 걸러주기 위하여 구비되는데, 상기 배기 배관(150)이 상기 챔버(110)와 연결된 부분 즉, 배기 배관(150)의 입구(151)에 구비되며, 하기에서 자세한 구성을 설명하기로 한다. 이때, 상기 저항수단은 배기 가스의 분자 유동으로 인한 역류를 저감시킬 수 있으며, 분자 유동은 대게 대기압에서 고진공 영역인 10 ~ 3 torr이하에서 발생되는 것으로써, 고기압에서 저기압으로 기체 유동이 이뤄지지 않고 정체된 듯한 현상을 말한다.The resistance means is provided to reduce backflow of exhaust gas from the exhaust pipe 150 to the chamber 110 and further to filter impurities that flow back into the molecular flow. The exhaust pipe 150 is connected to the chamber 110, that is, the inlet 151 of the exhaust pipe 150, and a detailed configuration will be described below. At this time, the resistance means can reduce the reverse flow due to the molecular flow of the exhaust gas, and the molecular flow generally occurs at a high vacuum region of 10 to 3 torr or less in the atmospheric pressure, so that the gas flow is not performed from the high pressure to the low pressure, .

상기 검출수단은 분자 유동으로 역류하는 불순물을 검출하기 위하여 상기 배기 배관(150)의 입구(151)에 구비되며, 하기에서 자세한 구성을 설명하기로 한다.The detection means is provided at the inlet 151 of the exhaust pipe 150 to detect impurities that flow back into the molecular flow, and a detailed configuration will be described below.

도 3 내지 도 6은 본 발명에 따른 단결정 성장장치의 배기장치 주요부가 도시된 도면이다.3 to 6 are views showing the main parts of an exhaust system of a single crystal growing apparatus according to the present invention.

상기 저항수단은 상기 배기 배관(150)에 구비된 요철부(210)와, 상기 배기 배관(150) 내부에 구비된 메쉬부(220)와, 상기 배기 배관(150)의 입구(151)에 안착된 깔대기(230)를 포함할 수 있다.The resistance means includes a recessed portion 210 provided in the exhaust pipe 150, a mesh portion 220 provided in the exhaust pipe 150, A funnel 230 may be included.

상기 요철부(210)는 상기 배기 배관(150)의 입구(151) 내주면 일부 구간에 복수개가 구비되며, 역류하는 불순물에 저항으로 작용할 수 있다. 이때, 상기 요철부(210)는 배기 가스의 유동 방향으로 자른 단면이 삼각형으로 형성될 수 있고, 그 외에도 다양한 형태와 배열로 형성될 수 있으며, 상기 요철부(210)의 하단이 역류하는 불순물의 유동과 수직하게 부딪히도록 형성되는 것이 바람직하다. A plurality of the concave and convex portions 210 may be provided in a part of an inner circumferential surface of the inlet 151 of the exhaust pipe 150 and may act as a resistance against backflowing impurities. At this time, the concave-convex portion 210 may be formed in a triangular shape in cross section cut in the flow direction of the exhaust gas, and may be formed in various shapes and arrangements. In addition, It is preferable to be formed to collide perpendicularly with the flow.

상기 메쉬부(220)는 상기 배기 배관(150) 내주면을 가로지르도록 설치되며, 상기 요철부(210)보다 하측에 위치한다. 이때, 상기 메쉬부(220)는 역류하는 불순물을 걸러주되, 이를 위하여 불순물을 걸러줄 수 있도록 격자의 크기가 500㎛ 이하로 형성될 수 있으며, 과도하게 작게 형성되는 것은 바람직하지 않다. The mesh portion 220 is installed to cross the inner circumferential surface of the exhaust pipe 150 and is located below the concave and convex portion 210. At this time, the mesh part 220 filters the impurities which flow backward, and the size of the lattice may be formed to be less than 500 탆 so as to filter the impurities, and it is not preferable that the mesh part 220 is formed to be excessively small.

상기 깔대기(230)는 상기 배기 배관(150)의 입구(151)에 탈착 가능하게 안착되거나, 상기 배기 배관(150)의 입구(151)에 일체로 형성될 수 있으며, 하부로 갈수록 그 직경이 좁하지게 형성됨에 따라 역류하는 불순물에 저항으로 작용할 수 있다. 이때, 상기 배기 배관(150)의 요철부(210)와 마주보는 상기 깔대기(230)의 외주면에도 마찬가지로 요철부(231)가 구비되며, 상기 깔대기(230)의 요철부(231) 역시 그 단면이 삼각형으로 형성될 수 있으며, 그 외에도 다양한 형태와 배열로 형성될 수 있다. 또한, 상기 깔대기(230) 상면에는 배기 가스의 배출을 안내하는 복수개의 홈(232)이 구비될 수 있으며, 하기에서 상기 홈(232)은 상기 검출수단을 장착할 수 있는 용도로도 활용될 수 있도록 서로 대향되는 방향에 한 쌍이 구비될 수 있다. 또한, 상기 깔대기(230)의 내주면에는 배기 가스의 유동 방향을 안내하는 나선형 홈이나, 추가로 불순물을 걸러줄 수 있는 메쉬부 등이 구비될 수 있지만, 도면에서는 생략하기로 한다.The funnel 230 may be detachably mounted on the inlet 151 of the exhaust pipe 150 or integrally formed with the inlet 151 of the exhaust pipe 150 and may have a smaller diameter It can act as a resistance against backflowing impurities. The concave and convex portion 231 of the funnel 230 is also provided on the outer peripheral surface of the funnel 230 opposite to the concave and convex portion 210 of the exhaust pipe 150, And may be formed in various shapes and arrangements. In addition, the upper surface of the funnel 230 may be provided with a plurality of grooves 232 for guiding the discharge of the exhaust gas. Hereinafter, the grooves 232 may be utilized for mounting the detecting means. A pair may be provided in a direction opposite to each other. The inner surface of the funnel 230 may include a helical groove for guiding the flow direction of the exhaust gas, a mesh portion for filtering impurities, and the like, but will not be described here.

상기 검출수단은 상기 배기 배관(150)의 입구(151)에 배기 가스의 유동 방향으로 세워진 검사판(300)을 포함할 수 있다. 상기 검사판(300)은 상기 깔대기(230)의 홈들(232)에 장착될 수 있으며, 배기 가스의 유동 방향으로 세워지도록 설치된다. 이때, 상기 검사판(300)은 불순물이 흡착될 수 있는 재질로 제작되는데, 빛에 비춘 경우 손쉽게 불순물을 관찰할 수 있는 특성을 지닌 실리콘 웨이퍼가 사용될 수 있다.The detection means may include an inspection plate 300 erected in the flow direction of the exhaust gas to the inlet 151 of the exhaust pipe 150. The inspection plate 300 can be mounted on the grooves 232 of the funnel 230 and installed to stand up in the flow direction of the exhaust gas. At this time, the inspection plate 300 is made of a material capable of adsorbing impurities, and a silicon wafer having a property of easily observing impurities when exposed to light can be used.

상기와 같이 구성된 단결정 성장장치의 배기장치의 작동 상태를 도 1 및 도 3을 참조하여 살펴보면, 다음과 같다.The operation of the exhaust system of the single crystal growth apparatus having the above-described structure will be described with reference to FIGS. 1 and 3. FIG.

상기 챔버(110) 내부에서 성장된 잉곳을 꺼내고, 상기 챔버(110) 내부를 크리닝 작업하더라도 불순물이 포함된 외부 공기가 상기 챔버(110) 내부로 유입된다.The ingot grown inside the chamber 110 is taken out and external air containing impurities flows into the chamber 110 even if the interior of the chamber 110 is cleaned.

상기 챔버(110) 내부를 진공 상태로 만들기 위하여 상기 진공펌프(160)를 작동시키면, 상기 진공펌프(160)의 초기 작동 시 불완전한 작동으로 인하여 상기 배기 배관(150)으로부터 상기 챔버(110) 내부로 배기 가스가 역류할 수 있다. 또한, 상기 진공펌프(160)가 안정적인 작동을 하여 상기 챔버(110) 내부가 진공 상태에 도달하면, 고기압에서 저기압으로 흐르던 배기 가스의 유동이 불규칙하게 진행됨에 따라 산발적으로 상기 배기 배관(150)으로부터 상기 챔버(110) 내부로 배기 가스가 역류할 수 있다. 또한, 상기 진공펌프(160)의 용량을 초과하여 작동되는 경우에도 마찬가지로 상기 배기 배관(150)으로부터 상기 챔버(110) 내부로 배기 가스가 역류할 수도 있다. 이때, 상기 배기 배관(150)으로부터 상기 챔버(110) 내부로 유입되는 배기 가스는 분자 유동에 의해 역류하는 것으로 간주하며, 분자 유동에 의한 배기 가스의 역류로 인하여 불순물 역시 분자 유동으로 돌아다니게 된다.When the vacuum pump 160 is operated to make the interior of the chamber 110 vacuum, an incomplete operation during the initial operation of the vacuum pump 160 causes the exhaust pipe 150 to flow into the chamber 110 The exhaust gas can flow backward. When the vacuum pump 160 operates stably and the inside of the chamber 110 reaches the vacuum state, the flow of the exhaust gas flowing from the high pressure to the low pressure is irregularly progressed, so that the exhaust pipe 150 The exhaust gas can flow back into the chamber 110. Also, when the capacity of the vacuum pump 160 is exceeded, the exhaust gas may flow back into the chamber 110 from the exhaust pipe 150. At this time, the exhaust gas flowing into the chamber 110 from the exhaust pipe 150 is regarded as flowing backward by the molecular flow, and the impurities also travel to the molecular flow due to the reverse flow of the exhaust gas due to the molecular flow.

이와 같이, 상기 배기 배관(150)을 따라 불순물이 분자 유동으로 역류하면, 상기 배기 배관(150)을 따라 상승하는 불순물은 상기 메쉬부(220)를 거치면서 일부 걸러진다.When the impurities flow back into the molecular flow along the exhaust pipe 150, the impurities rising along the exhaust pipe 150 are partially filtered while passing through the mesh unit 220.

또한, 상기 메쉬부(220)를 통과한 불순물이 상기 배기 배관(150)의 내주면을 따라 상승한 경우, 불순물은 상기 배기 배관(150)의 요철부(210)에 부딪혀 추가로 걸러지게 되며, 다시 배기 방향으로 유동 방향이 변화되기도 한다. When the impurities passing through the mesh part 220 rise along the inner circumferential surface of the exhaust pipe 150, the impurities are further filtered by the irregularities 210 of the exhaust pipe 150, The direction of flow may be changed.

또한, 상기 메쉬부(220)를 통과한 불순물이 상기 배기 배관(150)의 중앙 부분을 따라 상승한 경우, 불순물은 상기 깔대기(230)의 외측면 및 이에 구비된 요철부(231)에 부딪혀 마찬가지로 추가로 걸러지게 되며, 다시 배기 방향으로 유동 방향이 변화되기도 한다.When the impurities passing through the mesh portion 220 are lifted along the center portion of the exhaust pipe 150, the impurities impinge on the outer surface of the funnel 230 and the irregularities 231 provided thereon, And the flow direction is changed again in the exhaust direction.

하지만, 상기 메쉬부(220), 요철부(210), 깔대기(230)에 의해서도 걸러지거나 유동 방향이 전환되지 않은 불순물은 상기 깔대기(230)의 중심을 통하여 상기 챔버(110) 내부로 역류하게 된다. 이때, 상기 챔버(110)로 역류된 불순물은 상기 검사판(300)을 따라 지나가면서 상기 검사판(300)에 흡착된다.However, the impurities which are not filtered by the mesh portion 220, the concave and convex portions 210 and the funnel 230 are flowed back into the chamber 110 through the center of the funnel 230 . At this time, the impurities back flowing into the chamber 110 are adsorbed on the inspection plate 300 while passing along the inspection plate 300.

도 7은 본 발명에 따른 단결정 성장장치의 배기장치 적용 시 불순물 검출 상태가 도시된 도면이다.7 is a view showing the state of detecting impurities when the exhaust apparatus of the single crystal growing apparatus according to the present invention is applied.

따라서, 잉곳 성장이 완료될 때까지 상기와 같은 과정이 이루어지며, 잉곳 성장이 완료되면, 상기 검사판(300)을 꺼낸 다음, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 검사판(300)을 빛에 비추어 불순물의 양과 종류 등을 확인하고, 이를 근거로 잉곳의 결정 로스 원인을 밝힐 수 있으며, 나아가 추후의 잉곳 성장 공정에서 보다 나은 품질을 위하여 제어 조건을 변경할 수 있다.
Accordingly, the above process is performed until the ingot growth is completed. When the ingot growth is completed, the inspection plate 300 is taken out, and then the inspection plate 300 is irradiated with light as shown in FIG. 7 It is possible to identify the cause of the crystal loss of the ingot on the basis of the amount and kind of the impurities, and furthermore, the control condition can be changed for better quality in a later ingot growing step.

본 발명은 분자 유동하는 불순물이 배기 배관으로부터 챔버로 역류되더라도 메쉬부, 요철부, 깔대기에 의해 순차적으로 걸러줌으로써, 분자 유동되는 불순물의 역류를 저감시키고, 나아가 챔버 내에서 만들어지는 잉곳의 결정 로스를 저감시키고, 이런 잉곳에 의해 만들어진 실리콘 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, even if impurities flowing in a molecule flow back to the chamber from the exhaust pipe, the reverse flow of the impurities flowing in the molecular flow is reduced by sequentially filtering by the mesh portion, the concave-convex portion and the funnel, And the quality of the silicon wafer produced by such an ingot can be improved.

또한, 본 발명은 분사 유동하는 불순물이 배기 배관으로부터 챔버로 역류되더라도 검사판에 흡착되도록 함으로써, 분자 유동되는 불순물의 역류를 감지할 수 있고, 나아가 잉곳 성장 공정 진행 시에 불순물의 양과 종류를 확인할 뿐 아니라 이를 토대로 잉곳의 결정 로스의 원인을 분석할 수 있으며, 추후 공정에서 제어 요소를 변경할 수 있어 손쉽게 품질을 개선시킬 수 있다.
Further, according to the present invention, impurities flowing through the exhaust pipe are adsorbed on the inspection plate even if the impurities flow from the exhaust pipe back into the chamber, so that the reverse flow of the impurities flowing in the molecules can be sensed. Further, On the basis of this, it is possible to analyze the cause of the crystal loss of the ingot, and it is possible to easily change the control element in the subsequent process, thereby improving the quality.

150 : 배기 배관 210 : 요철부
220 : 메쉬부 230 : 깔대기
300 : 검사판150: exhaust pipe 210: concave /
220: mesh part 230: funnel
300: Inspection board

Claims (20)

잉곳으로 성장되는 도가니를 구비하는 챔버;
상기 챔버 내부의 가스를 배기시키는 배기 배관;
상기 배기 배관과 연결되고, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공펌프; 및
상기 배기 배관에 구비되고, 불순물의 역류 시 불순물을 걸러주는 저항수단;을 포함하고,
상기 배기 배관은 상기 챔버의 하부에 연결되고,
상기 저항수단은 상기 챔버와 연결된 배기 배관의 입구 내주면을 따라 형성된 복수개의 요철부인 단결정 성장장치의 배기장치.A chamber having a crucible grown as an ingot;
An exhaust pipe for exhausting gas inside the chamber;
A vacuum pump connected to the exhaust pipe, for evacuating the inside of the chamber; And
And resistance means provided in the exhaust pipe for filtering out impurities when the impurities flow backward,
Wherein the exhaust pipe is connected to a lower portion of the chamber,
Wherein the resistance means is a plurality of concave-convex portions formed along an inner circumferential surface of an inlet of an exhaust pipe connected to the chamber. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 요철부는 가스의 배기 방향으로 자른 단면이 삼각형인 단결정 성장장치의 배기장치.The method according to claim 1,
Wherein the concavo-convex portion has a triangular cross-section in a gas exhausting direction. 제1항에 있어서,
상기 저항수단은 상기 배기 배관 내주면을 가로지르도록 설치된 메쉬부를 더 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치.The method according to claim 1,
Wherein the resistance means further comprises a mesh portion provided so as to cross the inner circumferential surface of the exhaust pipe. 제5항에 있어서,
상기 메쉬부는 홀의 크기가 500㎛ 이하인 단결정 성장장치의 배기장치.6. The method of claim 5,
Wherein the mesh portion has a size of a hole of 500 mu m or less. 제1항에 있어서,
상기 저항수단은 상기 배기 배관의 입구에 장착되고, 가스의 배기 방향으로 갈수록 직경이 좁아지는 깔대기를 더 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치.The method according to claim 1,
Wherein the resistance means is mounted at an inlet of the exhaust pipe and further comprises a funnel whose diameter becomes narrower toward the exhaust direction of the gas. 제7항에 있어서,
상기 깔대기는 상기 배기 배관의 내주면을 향하는 외주면에 요철부가 구비된 단결정 성장장치의 배기장치.8. The method of claim 7,
Wherein the funnel is provided with a concavo-convex portion on an outer circumferential surface facing the inner circumferential surface of the exhaust pipe. 제7항에 있어서,
상기 깔대기는 상면에 가스의 배기 흐름을 안내하는 복수개의 홈이 구비된 단결정 성장장치의 배기장치.8. The method of claim 7,
Wherein the funnel is provided with a plurality of grooves for guiding an exhaust flow of gas on an upper surface thereof. 제9항에 있어서,
상기 배관 입구에 배기 가스의 유동 방향으로 세워지도록 장착되고, 불순물이 부착될 수 있는 검출판;을 더 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치.10. The method of claim 9,
And a detection plate mounted so as to stand up in the flow direction of the exhaust gas to the pipe inlet and to which an impurity can be adhered. 제10항에 있어서,
상기 검출판은 실리콘 웨이퍼인 단결정 성장장치의 배기장치. 11. The method of claim 10,
Wherein the detection plate is a silicon wafer. 잉곳으로 성장되는 도가니를 구비하는 챔버;
상기 챔버 내부의 가스를 배기시키는 배기 배관;
상기 배기 배관과 연결되고, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 만드는 진공펌프; 및
상기 배기 배관의 입구에 가스의 유동 방향으로 세워지도록 장착되고, 불순물이 부착될 수 있는 검출판;을 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치.A chamber having a crucible grown as an ingot;
An exhaust pipe for exhausting gas inside the chamber;
A vacuum pump connected to the exhaust pipe, for evacuating the inside of the chamber; And
And a detection plate which is mounted so as to be erected in the flow direction of the gas at the inlet of the exhaust pipe and to which the impurities can be adhered. 제12항에 있어서,
상기 배기 배관의 입구에 안착되고, 상기 검출판이 상면에 고정되며, 가스의 배기 방향으로 갈수록 직경이 좁아지는 깔대기;를 더 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치.13. The method of claim 12,
And a funnel which is seated at an inlet of the exhaust pipe and is fixed to the upper surface of the detection plate and whose diameter becomes narrower toward the exhaust direction of the gas. 제13항에 있어서,
상기 깔대기는 상기 배기 배관의 내주면을 향하는 외주면에 요철부가 구비된 단결정 성장장치의 배기장치.14. The method of claim 13,
Wherein the funnel is provided with a concavo-convex portion on an outer circumferential surface facing the inner circumferential surface of the exhaust pipe. 제13항에 있어서,
상기 깔대기는 상면에 상기 검출판이 끼워질 수 있는 한 쌍의 홈이 구비된 단결정 성장장치의 배기장치.14. The method of claim 13,
Wherein the funnel is provided with a pair of grooves through which the detection plate can be fitted on an upper surface thereof. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 검출판은 실리콘 웨이퍼인 단결정 성장장치의 배기장치.16. The method according to any one of claims 12 to 15,
Wherein the detection plate is a silicon wafer. 제16항에 있어서,
상기 배기 배관의 입구 내주면을 따라 형성된 복수개의 요철부;를 더 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치17. The method of claim 16,
And a plurality of concave-convex portions formed along the inner circumferential surface of the inlet of the exhaust pipe. 제17항에 있어서,
상기 요철부는 가스의 배기 방향으로 자른 단면이 삼각형인 단결정 성장장치의 배기장치.18. The method of claim 17,
Wherein the concavo-convex portion has a triangular cross-section in a gas exhausting direction. 제16항에 있어서,
상기 배기 배관 내주면을 가로지르도록 설치된 메쉬부;를 더 포함하는 단결정 성장장치의 배기장치.17. The method of claim 16,
And a mesh portion provided so as to cross the inner circumferential surface of the exhaust pipe. 제19항에 있어서,
상기 메쉬부는 홀의 크기가 500㎛ 이하인 단결정 성장장치의 배기장치.

20. The method of claim 19,
Wherein the mesh portion has a size of a hole of 500 mu m or less.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN116519401B (en) * 2023-06-26 2023-09-08 北京建工环境修复股份有限公司 Air detection unmanned aerial vehicle equipment

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5397596A (en) * 1990-06-28 1995-03-14 Applied Materials, Inc. Method of reducing particulate contaminants in a chemical-vapor-deposition system
KR100233148B1 (en) 1996-09-13 1999-12-01 윤종용 A vacuum pump
KR20040017482A (en) * 2002-08-21 2004-02-27 삼성전자주식회사 Powder exclution eqipment by dry etching apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2007045666A (en) 2005-08-10 2007-02-22 Ricoh Co Ltd Crystal growth apparatus and crystal production method
KR20100072739A (en) * 2008-12-22 2010-07-01 주식회사 실트론 Cooling module for manufacturing apparatus for crystal ingot and cooling method using the cooling module

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5397596A (en) * 1990-06-28 1995-03-14 Applied Materials, Inc. Method of reducing particulate contaminants in a chemical-vapor-deposition system
KR100233148B1 (en) 1996-09-13 1999-12-01 윤종용 A vacuum pump
KR20040017482A (en) * 2002-08-21 2004-02-27 삼성전자주식회사 Powder exclution eqipment by dry etching apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2007045666A (en) 2005-08-10 2007-02-22 Ricoh Co Ltd Crystal growth apparatus and crystal production method
KR20100072739A (en) * 2008-12-22 2010-07-01 주식회사 실트론 Cooling module for manufacturing apparatus for crystal ingot and cooling method using the cooling module

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