KR101394669B1 - Gas flux dispenser and etching apparatus for substrate comprising the same - Google Patents

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KR101394669B1
KR101394669B1 KR1020120150190A KR20120150190A KR101394669B1 KR 101394669 B1 KR101394669 B1 KR 101394669B1 KR 1020120150190 A KR1020120150190 A KR 1020120150190A KR 20120150190 A KR20120150190 A KR 20120150190A KR 101394669 B1 KR101394669 B1 KR 101394669B1
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etching gas
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gas
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정선욱
홍진
이주일
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세메스 주식회사
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Abstract

Provided is a gas flux dispenser comprising a gas entrance for importing etching gas; a first travelling tube for parts of imported etching gas to travel in; a second travelling tube for the rest of the imported etching gas to travel in; and a flux controlling tube for controlling the flow ratio of the etching gas travelling in the first and second travelling tubes by being connected to the first travelling tube in parallel. In addition, the present invention includes gas flux dispenser including the gas entrance importing etching gas, the first travelling tube for parts of imported etching gas to travel in, the second travelling tube for the rest of the imported etching gas to travel in, and the flux controlling tube for controlling the flow ratio of the etching gas travelling in the first and second travelling tubes by being connected to the first travelling tube in parallel; a chamber providing the etching gas travelled through the first and second travelling tubes; a substrate supporter for supporting a substrate for etching the internal chamber; a first injector which is installed on the upper part of the chamber for spraying etching gas passing through the first travelling tube toward the central part of the substrate; and a plurality of second injectors which are installed at the upper part of the chamber for spraying the etching gas passing through the second travelling tube toward the edge of the substrate.

Description

가스 유량 분류기 및 이를 포함한 기판 식각 장치{GAS FLUX DISPENSER AND ETCHING APPARATUS FOR SUBSTRATE COMPRISING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a gas flow classifier and a substrate etching apparatus including the gas flow sorter.

본 발명은 가스 유량 분류기 및 이를 포함한 기판 식각 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a gas flow classifier and a substrate etching apparatus including the same.

반도체의 웨이퍼 에칭(etching) 공정에서는 중앙 공급부(center injection)를사용하여 웨이퍼(wafer)에 에칭 가스를 공급한다. In a semiconductor wafer etching process, a center injection is used to supply an etching gas to a wafer.

에칭 가스의 공급을 위하여 종래 3-Way 밸브(Valve)를 사용하여 웨이퍼에 분사되는 에칭 가스의 유량비를 조절하였다.A conventional 3-way valve was used to control the flow rate of the etching gas to be injected onto the wafer in order to supply the etching gas.

종래 3-way 밸브는 인렛(Inlet) 1 포트(Port)와 아웃렛(Outlet) 2 포트(Port)로 구성되어 있고 온/오프(On/Off) 밸브가 2개가 아웃렛 포트에 구성되어 있다. Conventional 3-way valves consist of one inlet port and two outlet ports, and two on / off valves are configured in the outlet port.

온/오프 밸브의 구동에 따라서 아웃렛 포트로의 공급 또는 차단의 기능만이 있고, 아웃렛 포트로의 각각 토출되는 유량 비율을 조절하는 기능이 없다. There is only a function of supplying or shutting off to the outlet port according to driving of the on / off valve, and there is no function of controlling the flow rate ratio discharged to the outlet port.

따라서, 유량 비율을 기능을 위해서는 추가적인 시스템을 설치하여 조절할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to adjust the flow rate by installing an additional system for the function.

관련한 기술로는 대한민국 특허공개공보 제2010-0092651호(2010.08.23 공개, 로켓 추진제 유량 조절 장치)가 있다.
Related art is Korean Patent Publication No. 2010-0092651 (published on Aug. 23, 2010, a rocket propellant flow rate control device).

본 발명의 실시예에 따라, 아웃렛 포트에 유량 조절관을 병렬로 연결하여, 아웃렛 포트로 토출되는 에칭 가스의 유량비를 조절할 수 있는 가스 유량 분류기 및 이를 포함한 기판 식각 장치를 제공하는 것이다.
According to an embodiment of the present invention, there is provided a gas flow rate sorter capable of controlling a flow rate ratio of an etching gas discharged to an outlet port by connecting a flow rate control tube to an outlet port in parallel, and a substrate etching apparatus including the gas flow rate sorter.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 에칭(etching) 가스가 유입되는 유입부; 유입된 상기 에칭 가스 중 일부가 분류(分流)되어 이동하는 제1 이동관; 유입된 상기 에칭 가스의 나머지가 이동하는 제2 이동관; 및 상기 제1 이동관에 병렬로 연결되어 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관으로 각각 이동되는 상기 에칭 가스의 유량비를 조절하는 유량 조절관을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 유량 분류기가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus including: an inlet through which an etching gas is introduced; A first moving pipe through which a part of the introduced etching gas is divided and moved; A second moving pipe through which the remainder of the introduced etching gas moves; And a flow rate adjusting pipe connected to the first moving pipe in parallel for adjusting a flow rate of the etching gas moved to the first moving pipe and the second moving pipe, respectively.

상기 유량 조절관은 각각의 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관에 병렬로 연결될 수 있다.The flow control tube may be connected to each of the first moving tube and the second moving tube in parallel.

상기 제1 이동관에 연결되어 상기 제1 이동관을 개폐하는 제1 온/오프(ON/OFF)밸브; 및 상기 제2 이동관에 연결되어 상기 제2 이동관을 개폐하는 제2 온/오프(ON/OFF)밸브를 더 포함하여, 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관으로 이동되는 상기 에칭 가스의 유량비를 조절할 수 있다.A first ON / OFF valve connected to the first moving pipe to open / close the first moving pipe; And a second ON / OFF valve connected to the second moving pipe to open / close the second moving pipe, wherein the flow rate ratio of the etching gas moved to the first moving pipe and the second moving pipe is adjusted .

상기 유량 조절관은 단면적의 넓이가 다른 유량 조절관으로 교체 가능할 수 있다.The flow control tube may be replaced with a flow control tube having a different cross-sectional area.

상기 유량 조절관은 오리피스일 수 있다.The flow control tube may be an orifice.

상기 유입부로 유입되는 상기 가스의 이동통로를 개폐하는 제3 온/오프(ON/OFF)밸브를 더 포함할 수 있다.And a third ON / OFF valve for opening / closing the passage of the gas flowing into the inlet.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 에칭(etching) 가스가 유입되는 유입부; 유입된 상기 에칭 가스 중 일부가 분류(分流)되어 이동하는 제1 이동관; 유입된 상기 에칭 가스의 나머지가 이동하는 제2 이동관; 및 상기 제1 이동관에 병렬로 연결되어 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관으로 각각 이동되는 상기 에칭 가스의 유량비를 조절하는 유량 조절관을 포함하는 가스 유량 분류기; 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관을 통과한 상기 에칭 가스가 공급되는 챔버; 상기 챔버 내부에 식각을 위한 기판을 지지하는 기판 지지대; 상기 챔버의 상부에 설치되어, 상기 제1 이동관을 통과한 상기 에칭 가스를 상기 기판의 중앙부를 향하여 분사하는 제1 인젝터; 및 상기 챔버의 상부에 설치되어, 상기 제2 이동관을 통과한 상기 에칭 가스를 기판의 가장자리부를 향하여 분사하는 복수의 제2 인젝터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an etching apparatus comprising: an inlet through which an etching gas is introduced; A first moving pipe through which a part of the introduced etching gas is divided and moved; A second moving pipe through which the remainder of the introduced etching gas moves; And a flow rate regulator connected in parallel to the first moving pipe to regulate a flow rate of the etching gas moved to the first moving pipe and the second moving pipe, respectively; A chamber to which the etching gas having passed through the first moving tube and the second moving tube is supplied; A substrate support for supporting a substrate for etching into the chamber; A first injector installed at an upper portion of the chamber for spraying the etching gas passed through the first moving pipe toward a central portion of the substrate; And a plurality of second injectors disposed on the upper portion of the chamber for spraying the etching gas passed through the second moving pipe toward an edge portion of the substrate.

상기 유량 조절관은 각각의 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.Wherein the flow control tube is connected in parallel to each of the first moving tube and the second moving tube.

상기 유량 조절관은 각각의 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관에 병렬로 연결될 수 있다.The flow control tube may be connected to each of the first moving tube and the second moving tube in parallel.

상기 제1 이동관에 연결되어 상기 제1 이동관을 개폐하는 제1 온/오프(ON/OFF)밸브; 및 상기 제2 이동관에 연결되어 상기 제2 이동관을 개폐하는 제2 온/오프(ON/OFF)밸브를 더 포함하여, 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관으로 이동되는 상기 에칭 가스의 유량비를 조절할 수 있다.A first ON / OFF valve connected to the first moving pipe to open / close the first moving pipe; And a second ON / OFF valve connected to the second moving pipe to open / close the second moving pipe, wherein the flow rate ratio of the etching gas moved to the first moving pipe and the second moving pipe is adjusted .

상기 유량 조절관은 단면적의 넓이가 다른 유량 조절관으로 교체 가능할 수 있다.The flow control tube may be replaced with a flow control tube having a different cross-sectional area.

상기 유량 조절관은 오리피스일 수 있다.The flow control tube may be an orifice.

상기 유입부로 유입되는 상기 가스의 이동통로를 개폐하는 제3 온/오프(ON/OFF)밸브를 더 포함할 수 있다.
And a third ON / OFF valve for opening / closing the passage of the gas flowing into the inlet.

본 발명의 실시예들에 따르면, 가스 유량 분류기 및 이를 포함한 기판 식각 장치를 이용하여 아웃렛 포트에 유량 조절관을 병렬로 연결하여, 아웃렛 포트로 토출되는 에칭 가스의 유량비를 조절할 수 있다.
According to embodiments of the present invention, the flow rate control pipe can be connected in parallel to the outlet port by using the gas flow rate sorter and the substrate etching apparatus including the gas flow rate sorter to adjust the flow rate of the etching gas discharged to the outlet port.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 유량 조절기를 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 식각 장치를 나타낸 개략도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a schematic diagram of a gas flow controller in accordance with an embodiment of the present invention.
2 is a schematic view showing a substrate etching apparatus according to another embodiment of the present invention;

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하, 본 발명에 따른 가스 유량 분류기 및 이를 포함한 기판 식각 장치의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of a gas flow classifier according to the present invention and a substrate etching apparatus including the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like elements, And redundant explanations thereof will be omitted.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 유량 분류기는 유입부(400), 제1 이동관(100), 제2 이동관(200), 및 유량 조절관(300)을 포함한다.1, a gas flow sorter according to an embodiment of the present invention includes an inlet 400, a first moving tube 100, a second moving tube 200, and a flow control tube 300 .

유입부(400)는 기판(S)의 에칭 공정에서 에칭을 위한 에칭 가스가 챔버(20)로 공급되어야 하는데, 이를 위한 에칭 가스가 유입되는 곳이다.The inlet 400 is where the etching gas for etching in the etching process of the substrate S is supplied to the chamber 20 where the etching gas is introduced.

유입된 에칭 가스는 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류(分流)되어 챔버(20)로 공급될 수 있다.The introduced etching gas may be divided into the first moving tube 100 and the second moving tube 200 and supplied to the chamber 20.

제1 이동관(100)으로 유입된 에칭 가스의 일부가 분류되어 이동하고, 제2 이동관(200)으로 유입된 에칭 가스 중 나머지가 분류되어 이동하게 된다.A part of the etching gas introduced into the first moving tube 100 moves and the remaining part of the etching gas flowing into the second moving tube 200 is classified and moved.

본 발명의 유량 조절관(300)은 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되는 에칭 가스의 유량비를 조절할 수 있게된다.The flow rate control tube 300 of the present invention can control the flow rate ratio of the etching gas classified into the first moving tube 100 and the second moving tube 200.

이때, 유량 조절관(300)은 제1 이동관(100) 또는 제2 이동관(200) 중 어느 하나에 연결되거나, 또는 도 1에 도시된 바와 같이 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200) 모두에 연결될 수 도 있다.The flow control tube 300 may be connected to either the first moving tube 100 or the second moving tube 200 or may be connected to the first moving tube 100 and the second moving tube 200, It can also be connected to everyone.

또한, 유량 조절관(300)은 교체 가능하게 설치되어, 다른 유량 조절관(300)으로 교체할 수 있게 된다.In addition, the flow control tube 300 is replaceable and can be replaced with another flow control tube 300.

제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)의 관의 사이즈가 고정되어 있는 경우, 유량 조절관(300)이 설치되지 않은 경우 유입부(400)로 유입된 에칭 가스는 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되는 유량비는 고정되어 있다.If the size of the pipes of the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 is fixed and the flow control pipe 300 is not provided, the etching gas introduced into the inlet 400 flows into the first moving pipe 100 And the second moving pipe 200 are fixed.

이때, 다양한 사이즈의 유량 조절관(300)을 사용자의 요구에 따라 제1 이동관(100) 또는 제2 이동관(200)에 병렬로 설치함으로써, 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되는 에칭 가스의 유량비를 변경할 수 있게된다.At this time, the flow control pipes 300 of various sizes are installed in parallel in the first moving pipe 100 or the second moving pipe 200 according to the user's request, so that the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 The flow rate ratio of the etching gas to be sorted can be changed.

예를 들어, 제1 이동관(100)의 사이즈 및 제2 이동관(200)의 사이즈가 동일하고, 유량 조절관(300)이 설치되지 않은 경우, 유입부(400)로 유입된 에칭 가스는 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 1:1으로 나누어져 분류될 것이다.For example, when the size of the first moving tube 100 and the size of the second moving tube 200 are the same, and the flow control tube 300 is not provided, the etching gas introduced into the inlet 400 flows into the first Will be divided into a moving tube 100 and a second moving tube 200 in a 1: 1 manner.

이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 유량 조절기(10)의 제1 이동관(100)과 동일한 사이즈의 유량 조절관(300)을 제1 이동관(100)에 병렬로 연결하게 되면, 제1 이동관(100)으로 분류되어 이동하는 전체 에칭 가스 및 제2 이동관(200)으로 이동하는 에칭 가스의 유량비는 2:1이 될 것이다.If the flow control tube 300 of the same size as the first moving tube 100 of the gas flow controller 10 according to the embodiment of the present invention is connected to the first moving tube 100 in parallel, The flow rate of the total etching gas moving into the first moving tube 200 and the moving amount of the etching gas moving to the second moving tube 200 will be 2: 1.

즉, 유량 조절관(300)의 설치만으로 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되어 이동하는 에칭 가스의 유량비를 조절할 수 있게 된다.That is, it is possible to control the flow rate ratio of the etching gas moving into the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 by only installing the flow control pipe 300.

또한, 유량 조절관(300)이 교체 가능하여, 다양한 크기의 유량 조절관(300)을 교체로 사용함으로써 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되어 이동하는 에칭 가스의 유량비를 다양하게 조절할 수 있게 된다.The flow rate control tube 300 can be replaced and the flow rate ratio of the etching gas that is classified into the first moving tube 100 and the second moving tube 200 can be changed by using the flow rate control tube 300 of various sizes as a replacement. And can be variously adjusted.

또한, 유량 조절관(300)은 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)에 각각에 병렬로 연결될 수 도 있다.In addition, the flow rate control tube 300 may be connected to the first moving tube 100 and the second moving tube 200 in parallel, respectively.

이때, 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)에 연결되는 유량 조절관(300)의 사이즈를 다르게 함으로써, 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되어 이동하는 에칭 가스의 유량비를 다양하게 조절할 수 있게 된다.The size of the flow control tube 300 connected to the first moving tube 100 and the second moving tube 200 is different from that of the first moving tube 100 and the second moving tube 200, Can be controlled in various ways.

다음으로, 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)에 연결되는 유량 조절관(300)의 사이즈가 동일한 경우에는 후술하는 제1 온/오프 밸브(110) 및 제2 온/오프 밸브(210)를 이용하여 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)을 개폐하여 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되어 이동하는 에칭 가스의 유량비를 조절할 수도 있다.Next, when the sizes of the flow control tubes 300 connected to the first moving tube 100 and the second moving tube 200 are the same, the first on / off valve 110 and the second on / off valve 210 may be used to open or close the first and second moving pipes 100 and 200 to adjust the flow rate of the etching gas that is classified into the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)에 모두 유량 조절부가 결합될 수 있다.As shown in FIG. 1, according to an embodiment of the present invention, a flow rate controller may be coupled to both the first moving tube 100 and the second moving tube 200.

이때, 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)에는 각각 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)을 개폐할 수 있는 제1 온/오프 밸브(110) 및 제2 온/오프 밸브(210)가 설치될 수 있다.At this time, the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 are respectively provided with a first on / off valve 110 and a second on / off valve 110 capable of opening and closing the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200, A valve 210 may be provided.

제1 온/오프 밸브(110) 또는 제2 온/오프 밸브(210)를 선택적으로 개폐함으로써, 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되어 이동하는 에칭 가스의 유량비가 조절된다.The flow rate ratio of the etching gas moving and classified into the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 is adjusted by selectively opening and closing the first ON / OFF valve 110 or the second ON / OFF valve 210 .

예를 들면, 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)의 사이즈가 동일하고, 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200) 각각에 모두 동일한 사이즈의 유량 조절부가 설치될 수 있다.For example, the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 are the same size, and the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 may be provided with a flow rate adjusting unit of the same size.

이때, 제1 온/오프 밸브(110)를 개방하고, 제2 온/오프 밸브(210)를 폐쇄함으로써 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되는 에칭 가스의 유량비를 조절할 수 있게 되는 것이다.At this time, the flow rate of the etching gas classified into the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 can be adjusted by opening the first on / off valve 110 and closing the second on / off valve 210 It will be.

또한, 필요에 따라 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)에 설치되는 유량 조절관(300)의 사이즈가 동일하지 않게 하여, 제1 온/오프 밸브(110) 및 제2 온/오프 밸브(210)의 선택적 개폐에 따라서 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되어 이동하는 에칭 가스의 유량비를 다양하게 조절할 수 있게 된다.Off valve 110 and the second on / off valve 300 may be arranged so that the sizes of the flow control tube 300 provided in the first and second moving pipes 100 and 200 are not the same, The flow rate ratio of the etching gas moving into the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 according to the selective opening and closing of the valve 210 can be variously adjusted.

이때 유량 조절관(300)은 오리피스로 형성될 수 있다. At this time, the flow control tube 300 may be formed of an orifice.

다양한 사이즈의 오리피스를 교체 사용함으로써, 작업자가 필요로 하는 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 이동하는 에칭 가스의 유량비를 얻을 수 있게 된다.The flow rate ratio of the etching gas moving to the first moving pipe 100 and the second moving pipe 200 required by the operator can be obtained by using the orifices of various sizes.

본 발명의 일 실시예에 따른 가스 유량 분류기는 유입부(400)로 에칭 가스의 이동통로를 개폐하는 제3 온/오프 밸브(410)를 더 포함할 수 있다.The gas flow sorter according to an embodiment of the present invention may further include a third on / off valve 410 for opening and closing the passage of the etching gas into the inlet 400.

제3 온/오프 밸브(410)를 개폐함으로써, 기판(S)의 에칭을 위한 에칭 가스의 공급 및 차단을 할 수 있게 된다.
By opening and closing the third on / off valve 410, the etching gas for etching the substrate S can be supplied and cut off.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상술한 가스 유량 분류기를 포함한 기판(S) 식각 장치가 제공된다.As shown in FIG. 2, according to another embodiment of the present invention, a substrate (S) etching apparatus including the above-described gas flow classifier is provided.

상술한 가스 유량 분류기와 동일한 구성은 이하 설명을 생략한다.The same components as those of the above-described gas flow rate classifier are not described here.

본 발명에 따른 기판(S) 식각 장치는 가스 유량 분류기, 챔버(20), 기판 지지대(30), 제1 인젝터 및 제2 인젝터(50)를 포함한다.The substrate (S) etching apparatus according to the present invention includes a gas flow classifier, a chamber 20, a substrate support 30, a first injector and a second injector 50.

챔버(20)는 기판 지지대(30) 및 에칭 가스를 수용하여 기판(S)을 식각하는 장소를 제공한다. The chamber 20 provides a location for receiving the substrate support 30 and the etching gas to etch the substrate S. [

상술한 가스 유량 분류기를 통하여 분류된 에칭 가스를 공급하여 기판 지지대(30) 위에 놓여지는 기판(S)을 식각하게 된다.An etching gas is supplied through the above-described gas flow classifier to etch the substrate S placed on the substrate support 30.

이때, 기판 지지대(30)는 정전력에 의하여 기판(S)을 고정 지지하는 정전척 일 수 있다.At this time, the substrate support 30 may be an electrostatic chuck that fixes and supports the substrate S by electrostatic force.

또한, 가스 유량 분류기의 제1 이동관(100)을 통과한 에칭 가스는 기판(S)의 중앙부를 향하여 분사될 수 있고, 제2 이동관(200)을 통과한 에칭 가스는 기판(S)의 가장자리부를 향하여 분사될 수 있다.The etching gas that has passed through the first moving tube 100 of the gas flow classifier may be injected toward the center of the substrate S and the etching gas that has passed through the second moving tube 200 may cause the edge of the substrate S Lt; / RTI >

기판(S)의 사이즈에 따라 에칭 가스가 중앙부에 집중될 필요가 있을 수 있고, 에칭의 진행 정도에 따라 에칭 가스가 기판(S)의 가장자리부에 집중될 필요가 있을 수 있다.The etching gas may need to be concentrated at the center depending on the size of the substrate S and it may be necessary that the etching gas is concentrated on the edge portion of the substrate S in accordance with the progress of the etching.

제1 이동관(100)을 통과한 에칭 가스는 제1 이동관(100)과 연결된 제1 연결관(41)을 통하여 제1 인젝터로 공급되어 챔버(20) 내로 분사되고, 제2 이동관(200)을 통과한 에칭 가스는 제2 이동관(200)과 연결된 제2 연결관(51)을 통하여 제2 인젝터(50)로 공급되어 챔버(20)내로 분사될 수 있다. 도 2를 참조하면, 제1 인젝터(40)는 에칭 가스를 기판(S)의 중앙부를 향하여 수직하게 분사하고, 제2 인젝터(50)는 에칭 가스를 기판(S)의 가장자리부를 향하여 경사지게 분사한다. The etching gas passing through the first moving pipe 100 is supplied to the first injector through the first connecting pipe 41 connected to the first moving pipe 100 and injected into the chamber 20, The etchant gas may be supplied to the second injector 50 through the second connection pipe 51 connected to the second moving pipe 200 and injected into the chamber 20. 2, the first injector 40 vertically injects the etching gas toward the center of the substrate S, and the second injector 50 injects the etching gas obliquely toward the edge of the substrate S .

이때, 가스 유량 분류기의 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)에 분류되어 유입되는 에칭가스의 유량비를 조절함으로써, 제1 인젝터로 공급되어 챔버(20)내로 분사되는 유량 및 제2 인젝터(50)로 공급되어 챔버(20) 내로 분사되는 유량의 비가 조절될 수 있다.At this time, the flow rate of the etching gas supplied to the first injector and injected into the chamber 20 is adjusted by controlling the flow rate ratio of the etching gas introduced into the first moving tube 100 and the second moving tube 200 of the gas flow classifier, The ratio of the flow rate supplied into the chamber 20 and the flow rate injected into the chamber 20 can be adjusted.

작업자는 필요에 따라, 기판(S)의 중앙부에 분사되는 에칭 가스의 유량을 증가시키거나 또는 가장자리부에 분사되는 에칭 가스의 유량을 증가시킬 필요가 있고, 이때 가스 유량 분류기의 유동 조절관의 크기 또는 제1 온/오프 밸브(110) 및 제2 온/오프 밸브(210)의 선택적 개폐를 통하여 이러한 목적을 달성할 수 있게 된다.The operator needs to increase the flow rate of the etching gas injected to the central portion of the substrate S or increase the flow rate of the etching gas injected to the edge portion as necessary, wherein the size of the flow control tube of the gas flow classifier Off valve 110 and the second on / off valve 210 in order to achieve the above object.

제1 이동관(100) 또는 제2 이동관(200)에 병렬로 연결되는 유량 조절관(300) 또는 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)에 설치되는 제1 온/오프 밸브(110) 및 제2 온/오프 밸브(210)의 개폐를 통하여 유입된 에칭 가스의 제1 이동관(100) 및 제2 이동관(200)으로 분류되어 이동하는 에칭 가스의 유량비를 조절하고, 결국 제1 이동관(100)과 연결된 제1 인젝터 및 제2 이동관(200)과 연결된 제2 인젝터(50)에서 기판(S)의 중앙부 및 기판(S)의 가장자리부로 분사되는 에칭 가스의 유량비가 조절되게 된다.Off valve 110 installed in the flow control pipe 300 or the first and second moving pipes 100 and 200 connected in parallel to the first or second moving pipe 100 or 200, Off valve 210 and the first and second moving pipes 100 and 200 of the etching gas flowing through the first and second on / off valves 210 and 210, The flow rate of the etching gas injected to the central portion of the substrate S and the edge portion of the substrate S in the second injector 50 connected to the first injector and the second moving pipe 200 connected to the first injector 100 is controlled.

기판(S)의 중앙부 및 기판(S)의 가장자리부로 분사되는 에칭 가스의 유량비를 조절함으로써, 기판(S)의 균일한 식각을 통하여 기판(S)의 식각 불량률을 크게 감소시킬 수도 있다.The etch rate of the substrate S can be greatly reduced through uniform etching of the substrate S by controlling the flow rate ratio of the etching gas injected to the central portion of the substrate S and the edge portion of the substrate S. [

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기판(S) 식각 장치는 챔버(20)의 하단부에 가스 배출구(60)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the substrate (S) etching apparatus of the present invention may further include a gas outlet 60 at the lower end of the chamber 20.

제1 인젝터 및 제2 인젝터(50)를 통하여 챔버(20) 내로 분사된 에칭 가스는 가스 배출구(60)를 통하여 외부로 배출될 수 있게 된다.
The etchant gas injected into the chamber 20 through the first injector and the second injector 50 can be discharged to the outside through the gas outlet 60.

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention as set forth in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

S: 기판
10: 가스 유량 조절기
20: 챔버
30: 기판 지지대
40: 제1 인젝터
41; 제1 연결관
50: 제2 인젝터
51: 제2 연결관
60: 가스 배출구
100: 제1 이동관
110: 제1 온/오프 밸브
200: 제2 이동관
210: 제2 온/오프 밸브
300: 유량 조절관
400: 유입부
410: 제3 온/오프 밸브S: substrate
10: Gas flow regulator
20: chamber
30: Substrate support
40: First injector
41; The first connector
50: the second injector
51: Second connector
60: gas outlet
100: first moving tube
110: first on / off valve
200: second moving pipe
210: second on / off valve
300: Flow control tube
400: inlet
410: third on / off valve

Claims (12)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 에칭(etching) 가스가 유입되는 유입부와,
상기 유입부에서 분기되고 유입된 상기 에칭 가스 중 일부가 분류(分流)되어 이동하는 제1 이동관;
상기 유입부에서 분기되고 유입된 상기 에칭 가스의 나머지가 이동하는 제2 이동관;
상기 제1 이동관에 연결되어 상기 제1 이동관을 개폐하는 제1 온/오프(ON/OFF)밸브;
상기 제2 이동관에 연결되어 상기 제2 이동관을 개폐하는 제2 온/오프(ON/OFF)밸브;
상기 제1 이동관에 병렬로 연결되어 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관으로 각각 이동되는 상기 에칭 가스의 유량비를 조절하는 유량 조절관을 포함하는 가스 유량 분류기;
상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관을 통과한 상기 에칭 가스가 공급되는 챔버;
상기 챔버 내부에 식각을 위한 기판을 지지하는 기판 지지대;
상기 챔버의 상부에 설치되어, 상기 제1 이동관을 통과한 상기 에칭 가스를 상기 기판의 중앙부를 향하여 수직하게 분사하는 제1 인젝터; 및
상기 챔버의 상부에 설치되어, 상기 제2 이동관을 통과한 상기 에칭 가스를 기판의 가장자리부를 향하여 경사지게 분사하는 복수의 제2 인젝터를 포함하되,
상기 유량 조절관은 오리피스인 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.An inflow portion into which an etching gas flows,
A first moving pipe through which a part of the etching gas branched and flowed from the inflow part is divided and moved;
A second moving pipe through which the remainder of the etching gas branched and introduced into the inlet moves;
A first ON / OFF valve connected to the first moving pipe to open / close the first moving pipe;
A second on / off valve connected to the second moving pipe to open / close the second moving pipe;
And a flow rate control tube connected in parallel to the first moving tube to control a flow rate ratio of the etching gas moved to the first moving tube and the second moving tube, respectively;
A chamber to which the etching gas having passed through the first moving tube and the second moving tube is supplied;
A substrate support for supporting a substrate for etching into the chamber;
A first injector installed at an upper portion of the chamber and vertically injecting the etching gas passed through the first moving pipe toward a central portion of the substrate; And
And a plurality of second injectors provided at an upper portion of the chamber and injecting the etching gas that has passed through the second moving pipe obliquely toward the edge portion of the substrate,
Wherein the flow rate control tube is an orifice . 제7항에 있어서,
상기 유량 조절관은 각각의 상기 제1 이동관 및 상기 제2 이동관에 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the flow control tube is connected in parallel to each of the first moving tube and the second moving tube.
삭제delete 제7항에 있어서,
상기 유량 조절관은 단면적의 넓이가 다른 유량 조절관으로 교체 가능한 것을 특징으로 하는 기판 식각 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the flow control tube is replaceable by a flow control tube having a different cross-sectional area.
삭제delete 제7항에 있어서,
상기 유입부로 유입되는 상기 가스의 이동통로를 개폐하는 제3 온/오프(ON/OFF)밸브를 더 포함하는 기판 식각 장치.8. The method of claim 7,
And a third ON / OFF valve for opening / closing a passage of the gas flowing into the inlet.
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