KR101393593B1 - Strain gauge sensor, strain gauge sensor structure and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명의 변형 측정 센서, 그 구조물 및 제조방법은, 서로 이격되어 나란히 형성된 복수의 빔, 빔의 양단과 연결되어 복수의 빔을 감싸 형성되며, 복수의 빔보다 두께가 상대적으로 굵고, 빔의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈을 가지는 프레임, 및 빔에 부착되어 변형률을 측정하는 스트레인 게이지를 포함하며, 이를 통해 복수의 지점에 가해지는 압력 또는 전단력에 따른 변형률을 정밀하게 측정할 수 있고, 변형이 일어나는 지점 각각을 정확히 파악할 수 있다.A deformation measuring sensor, a structure thereof, and a manufacturing method of the present invention are a plurality of beams formed in parallel to each other and spaced apart from each other and connected to both ends of the beam so as to surround a plurality of beams and have a relatively thicker thickness than a plurality of beams, And a strain gauge attached to the beam for measuring the strain. The strain gauge can accurately measure a strain according to a pressure or a shearing force applied to a plurality of points, Each can be grasped accurately.

Description

변형 측정 센서, 그 구조물 및 제조방법 {Strain gauge sensor, strain gauge sensor structure and manufacturing method thereof}Technical Field [0001] The present invention relates to a strain gauge sensor, a strain gauge sensor structure and a manufacturing method thereof,

본 발명은 변형 측정 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 지점에서의 압력 또는 전단력에 따른 변형을 보다 정밀하게 측정하면서 특정 지점의 압력에 의해 다른 지점에서 변형이 일어나는 것을 현저히 감소시킨 변형 측정 센서, 그 구조물 및 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deformation measuring technique, and more particularly to a deformation measuring method and a deformation measuring method in which a deformation at a plurality of points is measured more precisely, , A structure thereof, and a manufacturing method thereof.

압력 센서는 특정 시스템에서 압력을 측정하는 소자로서 공업계측, 자동제어, 의료, 자동차 엔지니어, 환경제어, 전기용품 등 그 용도가 다양하고, 폭넓게 사용되는 센서이다. 압력 센서의 측정원리는 변위, 변형 등에 따른 전기적 변화를 측정하는 것으로 다양한 형태의 센서가 실용화되고 있다. A pressure sensor is a device that measures pressure in a specific system, and is widely used for various applications such as industrial measurement, automatic control, medical, automotive engineer, environmental control, and electric appliances. The measurement principle of a pressure sensor is to measure an electrical change due to displacement, deformation, etc., and various types of sensors are put into practical use.

압력 센서의 유형에는 부로돈관이나 벨로우즈를 사용한 기계식 압력센서와, 스트레인 게이지를 사용한 압저항형 전자식 압력센서나, 두 개 물체 간의 정전용량의 변위를 측정하는 용량형의 전자식 압력센서 등이 있다. 특히 스트레인 게이지를 사용한 압저항형 센서는 성능이나 가격의 측면에서 우위에 있어 가장 많이 사용되고 있는 추세이다.Types of pressure sensors include mechanical pressure sensors using bellows or bellows, pressure resistive electronic pressure sensors using strain gauges, and capacitive electronic pressure sensors measuring the displacement of capacitances between two objects. In particular, piezoresistive sensors using strain gauges are the most popular in terms of performance and price.

스트레인은 변형도 또는 변형률을 나타내는 용어로서, 어느 물체가 인장 또는 압축을 받을 때 원래의 길이에서 늘어나거나 줄어든 길이를 비율로 표시한 것이고, 토목공학, 기계공학, 항공공학, 전자공학 등 구조물이나 기계요소의 해석을 다루는 분야에서 구조물이나 기계요소가 외부의 힘을 받아 변형이 발생할 때 사용하는 용어이다. 스트레인 게이지는 이러한 스트레인에 의하여 구조물이 변형되는 상태와 그 양을 측정하기 위하여 구조물의 표면에 부착하는 게이지로서, 구조물이 변형되는 양을 저항으로 변화하여 측정하는 전기식 스트레인 게이지와 변형되는 구조물의 거리변화를 기계적으로 측정하는 기계식 스트레인 게이지가 있다.Strain refers to the degree of deformation or strain, which is the ratio of the length of an object stretched or shrunk to its original length when stretched or compressed. In the field of dealing with element analysis, it is a term used when a structure or a mechanical element receives external force and deformation occurs. A strain gauge is a gauge attached to the surface of a structure to measure the state and amount of the strain due to such strain. An electric strain gauge measures the strain of the structure by varying the resistance, There are mechanical strain gauges that measure mechanically.

전기식 스트레인 게이지의 소자는 저항 변화가 큰 금속을 사용하는데, 저항 변화가 큰 금속을 사용하는 경우 절연체 위에 와이어 또는 포일 형태로 저항선을 만들어서 저항을 측정한다.An electric strain gage device uses a metal with a large resistance change. When a metal having a large resistance change is used, resistance is measured by forming a resistance wire in the form of a wire or a foil on an insulator.

이러한 스트레인 게이지가 구비된 센서는 기계 등의 고장이나 안전 사고를 방지하고, 사용자로 하여금 돌발 상황을 신속하게 인식하여 대응할 수 있도록 한다. 그리고 이러한 센서는 그 부피가 작을수록 다른 구동 파트에 영향을 안 미치고 공간 효율을 좋게 할 수 있다.Sensors equipped with such strain gauges prevent malfunctions or safety accidents of machines and the like, and enable the user to quickly recognize and respond to an unexpected situation. Also, the smaller the volume of such a sensor, the less influence on other driving parts and the better the space efficiency.

이에 소형이면서도 그 제작이 간편하고 압력 등에 따른 변형을 정밀하게 감지할 수 있는 센서가 요청된다.Therefore, a sensor that is small in size and easy to fabricate and capable of precisely detecting deformation due to pressure or the like is required.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 압력 또는 전단력에 따른 변형을 정밀하게 측정할 수 있으면서도, 특정 지점에서의 압력 또는 전단력에 따른 변형이 발생하는 경우 다른 지점에서 간섭을 받는 현상을 현저히 감소시킨 변형 측정 센서, 그 구조물 및 제조방법을 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to solve the above problems and to provide a method and apparatus for accurately measuring deformation due to a pressure or a shearing force and accurately detecting deformation due to pressure or shearing force at a specific point, A structure and a manufacturing method thereof.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 변형 측정 센서는, 서로 이격되어 나란히 형성된 복수의 빔, 상기 빔의 양단과 연결되어 상기 복수의 빔을 감싸 형성되고, 상기 빔보다 두께가 굵으며, 상기 빔의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈을 가지는 프레임; 및 상기 빔에 부착되어 상기 빔의 변형률을 측정하는 스트레인 게이지를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a deformation measuring sensor including a plurality of beams spaced apart from each other, a plurality of beams connected to both ends of the beam so as to surround the plurality of beams, A frame having an interference preventing groove in the longitudinal direction of the beam; And a strain gauge attached to the beam to measure the strain of the beam.

본 발명의 변형 측정 센서에 있어서, 상기 간섭 방지용 홈은 상기 빔이 상기 프레임과 연결되는 양단과 대응되는 부분에 형성되거나 상기 빔의 양단과 엇갈리도록 형성되는 것을 특징으로 한다.In the deformation measuring sensor of the present invention, the interference preventing groove may be formed at a portion corresponding to both ends of the beam connected to the frame, or may be formed to be offset from both ends of the beam.

본 발명의 변형 측정 센서에 있어서, 상기 프레임에서 상기 간섭 방지용 홈이 위치한 부분의 최소 두께와 상기 빔의 두께가 일치하는 것을 특징으로 한다.In the deformation measuring sensor of the present invention, the minimum thickness of the portion where the interference preventing groove is located in the frame matches the thickness of the beam.

본 발명의 변형 측정 센서에 있어서, 상기 간섭 방지용 홈은 'U'형상, 'V'형상 또는 'ㄷ'형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.In the deformation measuring sensor of the present invention, the interference preventing groove may be formed in a U shape, a V shape, or a C shape.

본 발명의 변형 측정 센서에 있어서, 상기 간섭 방지용 홈은 상기 스트레인 게이지의 배선용 홈으로 이용되는 것을 특징으로 한다.In the strain measuring sensor of the present invention, the interference preventing groove is used as a wiring groove of the strain gage.

본 발명의 변형 측정 센서에 있어서, 상기 빔은 각기둥, 원기둥, 끝단이 절단된 각뿔, 양단이 다른 부분보다 두께가 얇은 기둥, 양단이 다른 부분보다 두께가 굵은 기둥 및 길이 방향으로 하나 이상의 구배 형상을 가지는 기둥 중 하나 이상의 형상을 한 것을 특징으로 한다.In the deformation measuring sensor of the present invention, the beam may be a prismatic column, a cylinder, a pyramid cut at a tip, a column having a thinner thickness than the other portions at both ends, a column having a thicker thickness than the other portions, Characterized in that at least one of the columns has a shape of at least one of the pillars.

본 발명의 변형 측정 센서에 있어서, 상기 스트레인 게이지는 상기 빔의 상부면, 하부면 및 양 측면 중 하나 이상의 면에 부착되는 것을 특징으로 한다.In the strain measuring sensor of the present invention, the strain gage is attached to at least one of the upper surface, the lower surface, and both sides of the beam.

본 발명의 변형 측정 센서에 있어서, 상기 프레임 또는 상기 빔은 철강, 니켈-크롬-몰리브덴 강, 스테인레스 강, 공구강, 경화 스테인레스 강, 알루미늄 합금 또는 두랄루민 소재로 이루어진 것을 특징으로 한다.The deformation measuring sensor of the present invention is characterized in that the frame or the beam is made of steel, nickel-chrome-molybdenum steel, stainless steel, tool steel, hardened stainless steel, aluminum alloy or duralumin.

본 발명의 변형 측정 센서는, 상기 스트레인 게이지가 측정한 변형률에 따른 신호를 처리하는 신호 처리 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The strain measuring sensor of the present invention further includes a signal processing module for processing a signal according to the strain measured by the strain gage.

본 발명의 변형 측정 센서에 있어서, 상기 신호 처리 모듈은, 상기 스트레인 게이지로부터 전달된 신호를 증폭하는 증폭부, 상기 증폭부가 전달한 신호를 디지털화하는 신호 처리부, 및 상기 반도체형 스트레인 게이지들의 오프셋을 조정하는 오프셋 조정부 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the strain measuring sensor of the present invention, the signal processing module may include an amplifier for amplifying a signal transmitted from the strain gauge, a signal processor for digitizing a signal transmitted by the amplifier, and a controller for adjusting the offset of the semiconductor strain gages And an offset adjustment unit.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 변형 측정 센서 구조물은, 서로 이격되어 나란히 형성되어 변형률 측정을 위한 스트레인 게이지가 부착되는 복수의 빔, 및 상기 빔의 양단과 부착되어 상기 복수의 빔을 감싸 형성되고, 상비 빔보다 두께가 굵으며, 상기 빔의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈을 가지는 프레임을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a strain gauge sensor structure including a plurality of beams spaced apart from each other to form a strain gauge for strain measurement, and a plurality of beams attached to both ends of the beam, And a frame having a thickness larger than that of the upper beam and having an interference preventing groove in the longitudinal direction of the beam.

본 발명의 변형 측정 센서 구조물에 있어서, 상기 간섭 방지용 홈은 상기 빔이 상기 프레임과 연결되는 양단과 대응되는 부분에 형성되거나 상기 빔의 양단과 엇갈리도록 형성되는 것을 특징으로 한다.In the deformation measuring sensor structure of the present invention, the interference preventing groove may be formed at a portion corresponding to both ends of the beam connected to the frame, or may be formed to be offset from both ends of the beam.

본 발명의 변형 측정 센서 구조물에 있어서, 상기 프레임에서 상기 간섭 방지용 홈이 위치한 부분의 최소 두께와 상기 빔의 두께가 일치하는 것을 특징으로 한다.In the deformation measuring sensor structure of the present invention, the minimum thickness of the portion where the interference preventing groove is located in the frame matches the thickness of the beam.

본 발명의 변형 측정 센서 구조물에 있어서, 상기 간섭 방지용 홈은 'U'형상, 'V'형상 또는 'ㄷ'형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.In the deformation measuring sensor structure of the present invention, the interference preventing groove may be formed in a U shape, a V shape, or a C shape.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 변형 측정 센서 제조방법은, 평면 형태의 구조물에 길이 방향으로 이격되어 위치한 관통 공간을 뚫어, 서로 이격되어 나란히 위치한 복수의 빔과, 상기 빔의 양단과 연결되어 상기 복수의 빔을 감싸는 형태를 가지며 상기 빔보다 두께가 굵은 프레임을 형성하는 단계, 상기 프레임에 상기 빔의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈을 형성하는 단계, 및 상기 빔의 상부면, 하부면 및 양 측면 중 하나 이상의 면에 스트레인 게이지를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a strain sensor including a plurality of beams spaced longitudinally apart from each other in a longitudinal direction and spaced apart from each other, Forming a frame having a shape that wraps the plurality of beams and is thicker than the beam, forming an interference preventing groove in the frame in the longitudinal direction of the beam, and forming an upper surface, a lower surface, And attaching a strain gauge to at least one of the sides.

본 발명에 따른 변형 측정 센서, 그 구조물 및 제조방법에 따르면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.According to the deformation measuring sensor, the structure and the manufacturing method of the present invention, the following effects can be expected.

첫째, 복수의 지점에 가해지는 압력 또는 전단력에 따른 변형률을 정밀하게 측정할 수 있고, 변형이 일어나는 지점 각각을 정확히 파악할 수 있다.First, it is possible to precisely measure the strain due to the pressure or shear force applied to a plurality of points, and accurately grasp each point where deformation occurs.

둘째, 특정 지점에서의 압력 또는 전단력에 따른 변형이 발생하는 경우 다른 지점에서 간섭을 받는 현상이 현저히 방지된다.Second, when deformation due to pressure or shear force occurs at a specific point, interference at other points is significantly prevented.

셋째, 지지빔 형태의 변형 구조물을 채용하여 비교적 작은 크기의 압력 또는 전단력에 대하여도 변형이 크게 발생하게 되며, 이에 따라 변형 구조물을 소형으로 제작할 수 있어 센서의 전체 크기가 줄어든다.Third, by adopting the support beam type deformation structure, the deformation structure is largely deformed with respect to a relatively small pressure or shearing force. Accordingly, the deformation structure can be made small, thereby reducing the overall size of the sensor.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 변형 측정 센서의 평면 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 변형 측정 센서의 저면 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 변형 측정 센서의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 변형 측정 센서의 정면도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 변형 측정 센서의 구성도이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 신호 처리 모듈의 구성도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 변형 측정 센서의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
1 is a perspective view of a strain sensor according to a first embodiment of the present invention.
2 is a bottom perspective view of a strain sensor according to a first embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a strain sensor according to a first embodiment of the present invention.
4 is a front view of a strain sensor according to a first embodiment of the present invention.
5 is a configuration diagram of a strain sensor according to a second embodiment of the present invention.
6 is a configuration diagram of a signal processing module according to a second embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a deformation measuring sensor according to an embodiment of the present invention.

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.In the following description, only parts necessary for understanding the embodiments of the present invention will be described, and the description of other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and the inventor is not limited to the meaning of the terms in order to describe his invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And variations are possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 변형 측정 센서(100)의 평면 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 변형 측정 센서(100)의 저면 사시도이며, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 변형 측정 센서(100)의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 변형 측정 센서(100)의 정면도이다.2 is a bottom perspective view of a deformation measuring sensor 100 according to a first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a perspective view of the deformation measuring sensor 100 according to the first embodiment of the present invention. 4 is a front view of a deformation measuring sensor 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a front view of the deformation measuring sensor 100 according to the first embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 제1실시예의 변형 측정 센서(100)는 프레임(110), 복수의 빔(120), 스트레인 게이지(130)를 포함한다.1 to 4, a strain measurement sensor 100 of the first embodiment includes a frame 110, a plurality of beams 120, and a strain gauge 130. [

프레임(110)은 중앙에 관통된 공간을 가지고 복수의 빔(120)을 감싸는 형태를 가지며, 복수의 빔(120)보다 두께가 상대적으로 굵다.The frame 110 has a space penetrating the center of the frame 110 to surround the plurality of beams 120 and is thicker than the plurality of beams 120.

복수의 빔(120)은 압력 또는 전단력에 따른 변형 구조물로서 프레임(110)의 관통된 형상에 뚫린 공간(121)을 두고 지지빔 형태로 형성된다. 이때, 복수의 빔(120) 각각은 서로 이격되어 나란히 위치한다. 복수의 빔(120)은 프레임(110)보다 두께가 상대적으로 얇아 압력이나 전단력에 따른 변형이 용이하다.The plurality of beams 120 are formed in a support beam shape with a space 121 opened in a perforated shape of the frame 110 as a deformation structure depending on a pressure or a shearing force. At this time, each of the plurality of beams 120 is spaced apart from one another. The plurality of beams 120 are relatively thinner than the frame 110, so that it is easy to deform due to pressure or shear force.

스트레인 게이지(130)는 복수의 빔(120)에 부착되어 빔(120) 각각의 변형률을 측정한다.A strain gauge 130 is attached to the plurality of beams 120 to measure the strain of each of the beams 120.

제1실시예의 변형 측정 센서(100)에서 프레임(110)은 빔(120)의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈(111)을 가진다. 변형 측정 센서(100)에서 간섭 방지용 홈(111)은 프레임(110)의 저면에 위치한다.In the deformation measuring sensor 100 of the first embodiment, the frame 110 has the interference preventing grooves 111 in the longitudinal direction of the beam 120. [ In the deformation measuring sensor 100, the interference preventing groove 111 is located on the bottom surface of the frame 110.

예를 들어, 변형 측정 센서(100)에 Y축 방향인 수직 방향의 압력이나 X축 방향인 수평 방향의 전단력이 가해지는 경우 압력이 가해진 빔(120) 뿐만 아니라 다른 빔(120)에도 인장 또는 압축에 따른 변형이 발생하는 간섭 현상이 일어난다. 만일, 변형 측정 센서(100) 내 복수의 지점에 압력이나 전단력이 가해지는 경우라면, 이러한 간섭에 따라 어느 빔(120)에 압력이나 전단력이 가해지고 있는지를 정확하게 알기 어렵다.For example, when the deformation measuring sensor 100 is applied with a vertical direction pressure in the Y-axis direction or a horizontal direction shearing force in the X-axis direction, not only the stressed beam 120 but also the other beam 120 is stretched or compressed An interference phenomenon occurs in which a deformation occurs due to the deformation. If a pressure or a shearing force is applied to a plurality of points in the deformation measuring sensor 100, it is difficult to precisely know to which beam 120 the pressure or shearing force is applied due to such interference.

이에 제1실시예의 프레임(110)은 빔(120)의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈(111)을 구비하여, 특정 빔(120)에 압력이나 전단력이 가해지는 경우 다른 빔(120)에 인장 또는 압축이 일어나는 것을 방지한다. 이를 통해 압력이나 전단력이 가해지는 지점을 정확히 파악할 수 있게 되며, 복수의 압력 또는 전단력이 가해지는 경우에는 복수의 지점 각각을 파악하는 것이 가능하다.The frame 110 of the first embodiment is provided with an interference preventing groove 111 in the longitudinal direction of the beam 120 so that when pressure or shearing force is applied to the specific beam 120, . This makes it possible to accurately grasp the point where the pressure or shearing force is applied, and to grasp each of a plurality of points when a plurality of pressures or shearing forces are applied.

이때, 간섭 방지용 홈(111)은, 도 1 내지 도 4와 같이 프레임(110)과 연결되는 빔(120)의 양단과 대응되는 부분에 빔(120)의 길이 방향으로 형성될 수 있고, 빔(120)의 양단과 엇갈리도록 빔(120)의 길이 방향으로 형성될 수 있다.The interference preventing grooves 111 may be formed in the longitudinal direction of the beam 120 at portions corresponding to both ends of the beam 120 connected to the frame 110 as shown in FIGS. 1 to 4, 120 in the longitudinal direction of the beam 120 so as to be staggered.

도 1 내지 도 4에서 간섭 방지용 홈(111)은 'ㄷ' 형상을 가지는 데, 본 발명의 간섭 방지용 홈(111)은, 예를 들어, 'U'형상, 'V'형상 또는 'ㄷ'형상 등 각 빔(120) 간의 인장 또는 압축에 따른 간섭을 최소화 할 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다.1 to 4, the interference preventing groove 111 has a shape of 'C'. The interference preventing groove 111 of the present invention may have a shape such as' U 'shape,' V 'shape or' May be formed in various shapes to minimize the interference due to tension or compression between the back beam 120 and the back beam 120.

이때, 간섭 방지용 홈(111)이 위치한 프레임(110)의 최소 두께는 빔(120)의 두께와 일치할 수 있다. 만일, 간섭 방지용 홈(111)이 'U'형상을 가지는 경우라면, 곡면의 중앙부분과 같이 프레임(110)의 두께가 최소가 되는 부분은 빔(120)과 두께가 같아질 수 있는 것이다. 이는 'V'형상 또는 'ㄷ'형상과 같이 간섭 방지용 홈(111)이 취할 수 있는 다른 형상에서도 마찬가지이다. 이는, 변형 측정 센서(100)의 빔(120) 두께가 프레임(110)의 일반적인 두께보다 상대적으로 얇은 것을 의미하며, 이를 통해 압력 또는 전단력에 따른 변형률은 커지고 간섭은 줄어든다.At this time, the minimum thickness of the frame 110 in which the interference prevention groove 111 is located may coincide with the thickness of the beam 120. If the interference prevention groove 111 has a U shape, a portion where the thickness of the frame 110 becomes the minimum, such as a central portion of the curved surface, may be equal to the thickness of the beam 120. This also applies to other shapes that the interference prevention groove 111 can take such as a 'V' shape or a 'C' shape. This means that the thickness of the beam 120 of the deformation measuring sensor 100 is relatively thinner than the general thickness of the frame 110, thereby increasing strain due to pressure or shearing force and reducing interference.

변형 측정 센서(100)에서 빔(120)은 양단이 프레임(110)에 연결되므로 그 중앙에서 압력에 따른 변형률이 가장 크다. 이에 따라 스트레인 게이지(130)의 측정 중심은 각 빔(120)의 중앙에 위치하는 것이 바람직하다.In the deformation measuring sensor 100, since both ends of the beam 120 are connected to the frame 110, the strain according to the pressure is greatest at the center thereof. Accordingly, it is preferable that the measurement center of the strain gage 130 is positioned at the center of each beam 120. [

이때, 스트레인 게이지(130)가 빔(120)의 상부면 또는 하부면에 위치하는 경우 Y축 방향인 수직 방향의 압력에 따른 변형률을 측정하게 되고, 공간(121)이 형성된 빔(120)의 측면에 위치하는 경우에는 X축 방향인 수평 방향의 전단력에 따른 변형률을 측정하게 된다.When the strain gauge 130 is located on the upper surface or the lower surface of the beam 120, the strain according to the pressure in the vertical direction in the Y-axis direction is measured. The strain according to the shear force in the horizontal direction which is the X-axis direction is measured.

변형 측정 센서(100)에서 빔(120)은 압력이나 전단력에 따른 변형률을 측정하기 용이한, 각기둥, 원기둥, 끝단이 절단된 각뿔, 양단이 다른 부분보다 두께가 얇은 기둥, 양단이 다른 부분보다 두께가 굵은 기둥, 길이 방향으로 하나 이상의 구배 형상을 가지는 기둥 등 다양한 형상을 가질 수 있다.In the deformation measuring sensor 100, the beam 120 is a prismatic prism, a prismatic prism, a prismatic prism cut at the end, a prismatic pole with a thinner thickness than the other prismatic portion, A pillar having one or more gradient shapes in the longitudinal direction, and the like.

스트레인 게이지(130)가 측정한 신호를 전달하는 배선(131)은 프레임(110)에 위치한 배선용 홀이나 프레임(110)의 테두리, 복수의 빔(120) 간에 위치한 관통 공간을 통해 기판의 후면 또는 내부의 도체회로에 연결된다. 이때, 간섭 방지용 홈(111)은 스트레인 게이지(130)의 배선용 홈으로 이용될 수도 있다.The wiring 131 for transmitting the signal measured by the strain gage 130 is connected to the rear surface or the inside of the substrate through a hole for wiring located in the frame 110 or a rim of the frame 110, Of the conductor circuit. At this time, the interference preventing groove 111 may be used as a wiring groove of the strain gauge 130.

제1실시예의 변형 측정 센서(100)에서 복수의 빔(120) 형상은 서로 이격되어 위치하고, 양단이 프레임(110)과 연결된 구조를 가진다. 이에 따라, 통상의 평면 형태 기판에 스트레인 게이지를 부착하여 변형률을 측정하는 경우에 비해 압력 또는 전단력에 따른 변형률이 상대적으로 커진다. 따라서 변형 측정 센서(100)에서는 압력 또는 전단력에 따른 변형 구조물인 빔(120)을 소형으로 제작할 수 있고, 이는 변형 측정 센서(100)의 전체적인 크기가 줄어드는 효과를 제공한다.In the deformation measuring sensor 100 of the first embodiment, the plurality of beams 120 are located apart from each other and have both ends connected to the frame 110. As a result, the strain due to the pressure or shear force becomes relatively larger than that in the case where the strain gauge is attached to a conventional planar substrate to measure the strain. Therefore, in the deformation measuring sensor 100, the beam 120, which is a deformation structure depending on the pressure or the shearing force, can be made compact, thereby reducing the overall size of the deformation measuring sensor 100.

종래와 같이 평면 형태의 기판 상에 스트레인 게이지를 위치시켜 압력에 따른 변형률을 측정하는 경우, 압력에 따른 변형률이 전체적으로 크지 않아 측정 정확도가 떨어진다. 또한, 기판의 가장자리에서는 변형률이 상대적으로 작은 반면 기판의 중앙부에서는 변형률이 상대적으로 커, 기판의 중앙부에 스트레인 게이지를 위치시키는 것이 측정에 유리하므로 다 지점에서 압력을 측정하는 것이 어렵다.When a strain gauge is placed on a planar substrate as in the prior art to measure strain according to pressure, the strain due to pressure is not large as a whole, resulting in poor measurement accuracy. In addition, it is difficult to measure the pressure at a multi-point because it is advantageous to measure the strain at the edge of the substrate while the strain is relatively large at the center of the substrate and the strain gauge is located at the center of the substrate.

반면 제1실시예의 변형 측정 센서(100)는 복수의 빔(120) 형상을 가지므로, 간섭이 방지된 각 빔(120)에서의 변형률을 비교하여 각 빔(120) 중 어느 부분에 압력 또는 전단력이 가해지고 있는지를 감지할 수 있다. 즉, 변형 측정 센서(100)에서는 복수의 지점에 가해지는 압력이나 전단력에 따른 변형률을 정확하게 측정할 수 있고, 각 빔(120)의 중앙부에 위치한 스트레인 게이지(130)의 변형률 측정 성능이 비교적 균일하게 되는 장점이 있다.In contrast, since the deformation measuring sensor 100 of the first embodiment has a plurality of beams 120, the strain of each beam 120, which is prevented from interference, is compared to determine the pressure or shear force Can be detected. That is, in the deformation measuring sensor 100, the strain according to the pressure applied to a plurality of points or the shear force can be accurately measured, and the strain measuring performance of the strain gage 130 located at the center of each beam 120 is relatively uniform .

변형 측정 센서(100)에서 프레임(110) 또는 빔(120)은 철강, 니켈-크롬-몰리브덴 강, 스테인레스 강, 공구강, 경화 스테인레스 강, 알루미늄 합금 또는 두랄루민 등의 소재로 이루어질 수 있으며, 각 소재의 물성치에 따라 여러 다양한 소재를 채택하는 것이 가능하다.In the deformation measuring sensor 100, the frame 110 or the beam 120 may be made of a material such as steel, nickel-chrome-molybdenum steel, stainless steel, tool steel, hardened stainless steel, aluminum alloy or duralumin, It is possible to adopt various materials depending on the material properties.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 변형 측정 센서(200)의 구성도이고, 도 6은 본 발명의 변형 측정 센서(200)에 포함된 신호 처리 모듈(140)의 구성도이다.FIG. 5 is a configuration diagram of a strain measuring sensor 200 according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a configuration diagram of a signal processing module 140 included in the strain measuring sensor 200 of the present invention.

도 5를 참조하면, 변형 측정 센서(200)는 프레임(110), 복수의 빔(120), 스트레인 게이지(130) 및 신호 처리 모듈(140)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the strain measurement sensor 200 includes a frame 110, a plurality of beams 120, a strain gage 130, and a signal processing module 140.

프레임(110)은 중앙에 관통된 공간을 가지고 복수의 빔(120)을 감싸는 형태를 가진다. 이때, 프레임(110)의 후면부에는 빔(120)의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈(111)이 위치하여, 특정 빔(120)에 가해지는 압력이나 전단력 따라 다른 빔(120)이 간섭을 받는 것을 방지한다.The frame 110 has a space penetrating the center of the frame 110 to surround the plurality of beams 120. At this time, the interference preventing grooves 111 are positioned on the rear surface of the frame 110 in the longitudinal direction of the beam 120 to prevent interference with other beams 120 due to the pressure or shearing force applied to the specific beams 120 do.

이때, 간섭 방지용 홈(111)은 'U'형상, 'V'형상 또는 'ㄷ'형상 등으로 이루어질 수 있으며, 간섭 방지용 홈(111)은 프레임(110)과 연결되는 빔(120)의 양단과 대응되는 부분에 형성될 수 있고, 빔(120)의 양단과 엇갈리도록 형성될 수도 있다.In this case, the interference preventing groove 111 may be formed in a U shape, a V shape, a C shape, or the like, and the interference prevention groove 111 may be formed in a shape corresponding to both ends of the beam 120 connected to the frame 110 And may be formed to be staggered with both ends of the beam 120. [

복수의 빔(120)은 프레임(110)의 관통된 형상에 지지빔 형태로 형성된다. 이때, 복수의 빔(120) 각각은 서로 이격되어 나란히 위치한다. 빔(120)은 예를 들어, 각기둥, 원기둥, 끝단이 절단된 각뿔, 양단이 다른 부분보다 두께가 얇은 기둥, 양단이 다른 부분보다 두께가 굵은 기둥 및 길이 방향으로 하나 이상의 구배 형상을 가지는 기둥 등 변형률 측정이 용이한 다양한 형상을 가질 수 있다.The plurality of beams 120 are formed in the form of a supporting beam in a perforated shape of the frame 110. At this time, each of the plurality of beams 120 is spaced apart from one another. The beam 120 may be, for example, a prismatic column, a prismatic column, a pyramid with a cut end, a column having a thickness thinner than the other column at both ends, a column having a thicker thickness than the other columns at both ends, It is possible to have various shapes that facilitate strain measurement.

이때, 빔(120)의 두께는 간섭 방지용 홈(111)이 위치한 부분의 프레임(110) 최소 두께와 일치할 수 있다.At this time, the thickness of the beam 120 may coincide with the minimum thickness of the frame 110 where the interference prevention groove 111 is located.

그리고 프레임(110) 또는 빔(120)은 물성치를 고려하여 철강, 니켈-크롬-몰리브덴 강, 스테인레스 강, 공구강, 경화 스테인레스 강, 알루미늄 합금 또는 두랄루민 소재로 이루어질 수 있다.The frame 110 or the beam 120 may be made of steel, nickel-chromium-molybdenum steel, stainless steel, tool steel, hardened stainless steel, aluminum alloy, or duralumin in consideration of physical properties.

스트레인 게이지(130)는 복수의 빔(120)에 위치하여 빔(120) 각각의 변형률을 측정한다. 이때, 스트레인 게이지(130)는 빔(120)의 상부면, 하부면 또는 양측면 중 어느 하나 이상에 위치하여 압력 또는 전단력에 따른 변형률을 측정한다.The strain gauge 130 is located in a plurality of beams 120 to measure the strain of each of the beams 120. At this time, the strain gauge 130 is located on at least one of the upper surface, the lower surface, or both sides of the beam 120, and measures the strain according to the pressure or shear force.

스트레인 게이지(130)의 배선(131)은 배선용 홀(132)을 통해 기판의 후면이나 내부의 도체회로와 연결된다. 이때, 간섭 방지용 홈(111)은 배선용 홀(132)을 통과한 배선(131)을 위한 통로로 기능할 수 있다.The wiring 131 of the strain gauge 130 is connected to the conductor circuit on the backside or inside of the substrate through the wiring hole 132. At this time, the interference prevention groove 111 can function as a passage for the wiring 131 which has passed through the wiring hole 132.

신호 처리 모듈(140)은 스트레인 게이지(130)의 신호를 처리하는 구성이다.The signal processing module 140 is a structure for processing the signal of the strain gage 130.

제2실시예의 변형 측정 센서(200)에서 신호 처리 모듈(140)은 변형 측정 센서(200)와 동일한 기판상에 존재하며, 기판의 도체회로를 통해 스트레인 게이지(130)가 측정한 변형률 측정 신호를 전달받는다. 이와 같이 단일 기판 상에 위치한 변형 측정 센서(200)의 구성은 신호 처리 모듈(140)을 포함한 변형 측정 센서(200)의 제작을 용이하게 한다.The signal processing module 140 in the deformation measuring sensor 200 of the second embodiment is on the same substrate as the deformation measuring sensor 200 and detects the strain measuring signal measured by the strain gage 130 through the conductor circuit of the substrate Receive. The configuration of the deformation measuring sensor 200 located on a single substrate facilitates the fabrication of the deformation measuring sensor 200 including the signal processing module 140.

도 6을 참조하면, 신호 처리 모듈(140)은 증폭부(141), 신호 처리부(142), 오프셋 조정부(143)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the signal processing module 140 includes an amplification unit 141, a signal processing unit 142, and an offset adjustment unit 143.

증폭부(141)는 박막의 반도체 등으로 형성되는 스트레인 게이지(130)의 신호를 증폭하는데, 이를 통해 스트레인 게이지(130)의 소신호가 적절히 분석할 수 있을 정도로 증폭된다. 이렇게 증폭된 신호는 신호 처리부(142) 또는 오프셋 조정부(143)로 전달된다.The amplifying unit 141 amplifies the signal of the strain gage 130 formed of a thin film semiconductor or the like, thereby amplifying the signal of the strain gage 130 to such an extent that it can properly analyze it. The amplified signal is transmitted to the signal processing unit 142 or the offset adjustment unit 143.

신호 처리부(142)는 증폭부(141)로부터 증폭된 신호를 수신하여 디지털화하는 구성이다. 즉, 스트레인 게이지(130)가 센싱 정보를 전달하면 신호 처리부(142)는 해당 센싱 정보들을 디지털화하여 복수의 빔(120)에 발생한 압력을 수치화하도록 제어할 수 있다.The signal processing unit 142 receives the amplified signal from the amplifying unit 141 and digitizes it. That is, when the strain gauge 130 transmits the sensing information, the signal processing unit 142 may digitize the sensing information to control the pressure generated in the plurality of beams 120 to be numerical values.

오프셋 조정부(143)는 스트레인 게이지(130)의 센싱 정보 오프셋을 처리하는 구성이다. 예를 들어, 박막의 반도체 타입의 스트레인 게이지(130)는 복수의 빔(120)에 부착되는 과정에서 변형이 발생할 수 있다. 이에, 스트레인 게이지(130)는 압력이 가해지지 않은 상태에서 저항 센싱을 수행하고, 오프셋 조정부는 이러한 센싱 결과에 따라 초기화를 지원한다. 이러한 과정을 통해 압력에 따른 변형률을 측정할 때의 측정 오류를 개선할 수 있다.The offset adjustment unit 143 is configured to process the sensing information offset of the strain gage 130. [ For example, a strain gage 130 of a thin film semiconductor type may experience deformation in the course of attaching to a plurality of beams 120. Thus, the strain gage 130 performs resistance sensing in the absence of pressure, and the offset adjustment unit supports initialization according to the result of the sensing. This process improves the measurement error when measuring strain due to pressure.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 변형 측정 센서의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a deformation measuring sensor according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 먼저 변형 측정 센서의 구조물을 이루는 복수의 빔과 프레임을 형성한다(S10).Referring to FIG. 7, first, a plurality of beams and a frame forming a structure of the deformation measuring sensor are formed (S10).

이때, 복수의 빔과 프레임은 물성치를 고려하여 철강, 니켈-크롬-몰리브덴 강, 스테인레스 강, 공구강, 경화 스테인레스 강, 알루미늄 합금 또는 두랄루민 소재 등으로 이루어질 수 있다.In this case, the plurality of beams and frames may be made of steel, nickel-chrome-molybdenum steel, stainless steel, tool steel, hardened stainless steel, aluminum alloy, duralumin or the like in consideration of physical properties.

단계(S10)에서는 예를 들어, 평면 형상의 소재에 이격된 관통 공간을 뚫어 해당 공간을 기준으로 나누어지는 복수의 빔과 프레임을 형성할 수 있다. 또한, 형상 가공을 통해 복수의 빔 및 프레임을 형성할 수도 있는데, 이때 복수의 빔은 각기둥, 원기둥, 끝단이 절단된 각뿔, 양단이 다른 부분보다 두께가 얇은 기둥, 양단이 다른 부분보다 두께가 굵은 기둥 및 길이 방향으로 하나 이상의 구배 형상을 가지는 기둥 중 하나 이상의 형상을 가지도록 하여 변형률 측정이 용이하도록 할 수 있다.In step S10, for example, a plurality of beams and a frame, which are divided based on the space, may be formed by piercing the through space spaced apart from the planar material. It is also possible to form a plurality of beams and frames by shaping, wherein the plurality of beams are prisms, cylinders, pyramids with cut ends, columns with thinner thickness at the opposite ends, The shape of at least one of the columns and the columns having one or more gradient shapes in the longitudinal direction can be made to facilitate the strain measurement.

이때, 복수의 빔은 프레임보다 두께가 상대적으로 얇아 압력이나 전단력에 따른 변형이 상대적으로 용이하다.At this time, the plurality of beams are relatively thin in thickness than the frame, so that deformation due to pressure or shear force is relatively easy.

이후, 프레임에 빔의 길이 방향으로 파인 간섭 방지용 홈을 형성한다(S20).Thereafter, interference preventing grooves formed in the longitudinal direction of the beam are formed in the frame (S20).

예를 들어, 간섭 방지용 홈은 프레임이 형상 가공되는 경우 해당 프레임과 함께 형성될 수 있고, 가공된 프레임을 깎아 형성될 수도 있다.For example, the interference preventing groove may be formed together with the frame when the frame is formed, and may be formed by cutting the processed frame.

간섭 방지용 홈은 특정 빔에 압력 등이 가해지는 경우 다른 빔이 간섭을 받아 변형이 일어나는 것을 최소화 하는데, 간섭 방지용 홈은 빔이 프레임과 연결되는 양단과 대응되는 부분에 형성되거나, 빔의 양단과 엇갈리도록 형성될 수 있다.The interference preventing groove minimizes the occurrence of deformation due to the interference of other beams when a specific beam is applied to a specific beam. The interference preventing groove may be formed at a portion corresponding to both ends of the beam connected to the frame, As shown in FIG.

이때, 간섭 방지용 홈은 'U'형상, 'V'형상 또는 'ㄷ'형상으로 형성될 수 있고, 이러한 형상에 따라 프레임에서 간섭 방지용 홈이 위치한 부분의 최소 두께와 빔의 두께가 일치할 수 있다.In this case, the interference preventing groove may be formed in a U shape, a V shape, or a C shape, and the minimum thickness of the portion where the interference preventing groove is located in the frame may match the thickness of the beam .

그리고 변형 구조물인 빔의 상부면, 하부면, 또는 양 측면 중 하나 이상에 스트레인 게이지를 부착한다(S30).The strain gage is attached to at least one of the upper surface, the lower surface, or both sides of the beam, which is the deformation structure (S30).

빔의 상부면이나 하부면에 스트레인 게이지를 부착하는 경우에는 수직 방향의 압력에 따른 변형률을 측정할 수 있고, 측면에 스트레인 게이지를 부착하는 경우에는 수평 방향의 전단력에 따른 변형률을 측정할 수 있다.When a strain gauge is attached to the upper or lower surface of the beam, the strain according to the pressure in the vertical direction can be measured. When the strain gauge is attached to the side, the strain according to the shear force in the horizontal direction can be measured.

이때, 간섭 방지용 홈은, 특정 빔에 압력이나 전단력이 가해지는 경우 다른 빔이 이에 간섭을 받아 변형되는 것을 방지한다.At this time, the interference preventing groove prevents the other beam from being deformed due to the interference when a pressure or a shearing force is applied to the specific beam.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.It should be noted that the embodiments disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of specific examples for the purpose of understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

100, 200: 변형 측정 센서
110: 프레임
111: 간섭 방지용 홈
120: 빔
121: 공간
130: 스트레인 게이지
131: 배선
132: 배선용 홀
140: 신호 처리 모듈
141: 증폭부
142: 신호 처리부
143: 오프셋 조정부
100, 200: strain sensor
110: frame
111: interference prevention groove
120: beam
121: Space
130: Strain gauge
131: Wiring
132: wiring hole
140: Signal processing module
141:
142:
143:

Claims (15)

서로 이격되어 나란히 형성된 복수의 빔;
상기 빔의 양단과 연결되어 상기 복수의 빔을 감싸 형성되고, 상기 빔보다 두께가 굵으며, 상기 빔의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈을 가지는 프레임; 및
상기 빔에 부착되어 상기 빔의 변형률을 측정하는 스트레인 게이지;
를 포함하고,
상기 간섭 방지용 홈은 상기 빔이 상기 프레임과 연결되는 양단과 대응되는 부분에 형성되거나 상기 빔의 양단과 엇갈리도록 형성되는 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서.
A plurality of beams spaced apart from each other;
A frame connected to both ends of the beam to surround the plurality of beams and thicker than the beam and having an interference preventing groove in the longitudinal direction of the beam; And
A strain gauge attached to the beam to measure a strain of the beam;
Lt; / RTI >
Wherein the interference preventing groove is formed in a portion corresponding to both ends of the beam connected to the frame or is formed so as to be staggered with both ends of the beam.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 프레임에서 상기 간섭 방지용 홈이 위치한 부분의 최소 두께와 상기 빔의 두께가 일치하는 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the minimum thickness of the portion where the interference preventing groove is located in the frame matches the thickness of the beam.
제1항에 있어서,
상기 간섭 방지용 홈은 'U'형상, 'V'형상 또는 'ㄷ'형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the interference preventing groove is formed in a U shape, a V shape, or a C shape.
제1항에 있어서,
상기 간섭 방지용 홈은 상기 스트레인 게이지의 배선용 홈으로 이용되는 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서.
The method according to claim 1,
And the interference preventing groove is used as a wiring groove of the strain gage.
제1항에 있어서,
상기 빔은 각기둥, 원기둥, 끝단이 절단된 각뿔, 양단이 다른 부분보다 두께가 얇은 기둥, 양단이 다른 부분보다 두께가 굵은 기둥 및 길이 방향으로 하나 이상의 구배 형상을 가지는 기둥 중 하나 이상의 형상을 한 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the beam has at least one of a prismatic shape, a cylindrical shape, a prismatic prism with a cut end, a column with a thinner thickness than the other portions at both ends, a thicker column at both ends than the other portions, and a column having at least one gradient shape in the longitudinal direction Features a deformation measuring sensor.
제1항에 있어서,
상기 스트레인 게이지는 상기 빔의 상부면, 하부면 및 양 측면 중 하나 이상의 면에 부착되는 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the strain gauge is attached to at least one of a top surface, a bottom surface, and both sides of the beam.
제1항에 있어서,
상기 프레임 또는 상기 빔은 철강, 니켈-크롬-몰리브덴 강, 스테인레스 강, 공구강, 경화 스테인레스 강, 알루미늄 합금 또는 두랄루민 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the frame or the beam is made of steel, nickel-chrome-molybdenum steel, stainless steel, tool steel, hardened stainless steel, aluminum alloy or duralumin.
제1항에 있어서,
상기 스트레인 게이지가 측정한 변형률에 따른 신호를 처리하는 신호 처리 모듈;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서.
The method according to claim 1,
A signal processing module for processing a signal according to a strain measured by the strain gauge;
Further comprising a sensor for detecting the deformation of the sensor.
제9항에 있어서,
상기 신호 처리 모듈은
상기 스트레인 게이지로부터 전달된 신호를 증폭하는 증폭부;
상기 증폭부가 전달한 신호를 디지털화하는 신호 처리부; 및
반도체형 스트레인 게이지들의 오프셋을 조정하는 오프셋 조정부;
중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서.
10. The method of claim 9,
The signal processing module
An amplifying unit for amplifying a signal transmitted from the strain gauge;
A signal processing unit for digitizing a signal transmitted by the amplifying unit; And
An offset adjusting unit for adjusting the offset of the semiconductor strain gages;
Wherein the sensor comprises at least one of a sensor and a sensor.
서로 이격되어 나란히 형성되어 변형률 측정을 위한 스트레인 게이지가 부착되는 복수의 빔; 및
상기 빔의 양단과 부착되어 상기 복수의 빔을 감싸 형성되고, 상비 빔보다 두께가 굵으며, 상기 빔의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈을 가지는 프레임;
을 포함하고,
상기 간섭 방지용 홈은 상기 빔이 상기 프레임과 연결되는 양단과 대응되는 부분에 형성되거나 상기 빔의 양단과 엇갈리도록 형성되는 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서 구조물.
A plurality of beams spaced apart from one another so as to form strain gauges for strain measurement; And
A frame attached to both ends of the beam to surround the plurality of beams, thicker than the upper beam, and having a groove for preventing interference in the longitudinal direction of the beam;
/ RTI >
Wherein the interference preventing groove is formed in a portion corresponding to both ends of the beam connected to the frame or is formed to be staggered with both ends of the beam.
삭제delete 제11항에 있어서,
상기 프레임에서 상기 간섭 방지용 홈이 위치한 부분의 최소 두께와 상기 빔의 두께가 일치하는 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서 구조물.
12. The method of claim 11,
Wherein the minimum thickness of the portion where the interference preventing groove is located in the frame matches the thickness of the beam.
제11항에 있어서,
상기 간섭 방지용 홈은 'U'형상, 'V'형상 또는 'ㄷ'형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서 구조물.
12. The method of claim 11,
Wherein the interference preventing groove is formed in a U shape, a V shape, or a C shape.
평면 형태의 구조물에 길이 방향으로 이격되어 위치한 관통 공간을 뚫어, 서로 이격되어 나란히 위치한 복수의 빔과, 상기 빔의 양단과 연결되어 상기 복수의 빔을 감싸는 형태를 가지며 상기 빔보다 두께가 굵은 프레임을 형성하는 단계;
상기 프레임에 상기 빔의 길이 방향으로 간섭 방지용 홈을 형성하는 단계; 및
상기 빔의 상부면, 하부면 및 양 측면 중 하나 이상의 면에 스트레인 게이지를 부착하는 단계;
를 포함하고,
상기 간섭 방지용 홈을 형성하는 단계에서 상기 간섭 방지용 홈은, 상기 빔이 상기 프레임과 연결되는 양단과 대응되는 부분에 형성되거나 상기 빔의 양단과 엇갈리도록 형성되는 것을 특징으로 하는 변형 측정 센서 제조방법.
A plurality of beams spaced apart from each other and spaced apart from each other in a longitudinally spaced apart space in a planar structure and a frame connected to both ends of the beam to surround the plurality of beams and thicker than the beam, ;
Forming an interference preventing groove in the frame in the longitudinal direction of the beam; And
Attaching a strain gauge to at least one of an upper surface, a lower surface and both sides of the beam;
Lt; / RTI >
Wherein the interference preventing groove is formed in a portion corresponding to both ends of the beam connected to the frame or is formed to be offset from both ends of the beam in the step of forming the interference preventing groove.
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