KR101389089B1 - Method of manufacturing silicon nitride phosphor using metal silicon oxynitride phosphor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 기존의 금속실리콘산질화물계 형광체에 탄소를 첨가하여 실리콘산질화물계 형광체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법에 의하면 기존의 금속실리콘산질화물계 형광체를 이용하여 비교적 낮은 온도 및 상압 조건에서 물성이 우수한 실리콘질화물계 형광체를 제조할 수 있다.The present invention relates to a method for producing a silicon nitride-based phosphor, and more particularly to a method for producing a silicon oxynitride-based phosphor by adding carbon to the existing metal silicon oxynitride-based phosphor.
According to the method of manufacturing a silicon nitride phosphor according to the present invention, it is possible to prepare a silicon nitride phosphor having excellent physical properties at relatively low temperature and atmospheric pressure using a conventional metal silicon oxynitride phosphor.
Description
본 발명은 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 금속실리콘산질화물계 형광체를 이용하여 비교적 낮은 온도 및 상압 조건에서 물성이 우수한 실리콘질화물계 형광체를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a silicon nitride phosphor. More specifically, the present invention relates to a method for producing a silicon nitride phosphor having excellent physical properties at relatively low temperature and atmospheric pressure using a metal silicon oxynitride phosphor.
현재 백색 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 휴대폰 디스플레이의 백라이트 광원, 카메라가 장착된 휴대폰의 플래시 광원, LCD 모니터의 백라이트 광원 등으로 사용하고 있으며, 에너지 가격의 급격한 상승으로 인해 종래의 백열등 및 형광등을 대체하기 위한 새로운 조명등 기구에 대한 기술 개발이 진행되고 있다.Currently, white light emitting diodes (LEDs) are used as backlight light sources for mobile phone displays, flash light sources for mobile phones equipped with cameras, and backlight sources for LCD monitors. Development of new lighting fixtures to replace the
백색 발광다이오드는 효율면에서 백열등의 수배, 형광등과 비슷한 수준이며, 수명은 형광등의 10배, 백열등의 20배 이상으로서 현재 기술 수준으로도 LED 조명기구는 기존 조명기구에 비해 80% 이상의 에너지 절감 효과가 있어, 차세대 조명기구로서 그 입지를 확고히 하고 있다. 아직은 가격이 비싸기 때문에 보급화에는 다소 시간이 필요하지만 현재와 같은 고유가 시대에 본 기술의 적용은 막대한 에너지 절약을 기할 수가 있어 새로운 조명 시장으로의 보급이 확대될 것으로 예상된다.In terms of efficiency, white light-emitting diodes are similar to incandescent lamps and fluorescent lamps, and their lifetimes are 10 times that of fluorescent lamps and 20 times more than incandescent lamps. And firmly established its position as the next generation lighting equipment. Due to the high price, it will take some time to commercialize. However, in the current high oil price era, the application of this technology can save enormous energy and it is expected to expand into new lighting market.
현재 반도체 광원을 이용하여 조명등을 제조하는 방법으로는 적색, 녹색, 청색의 발광다이오드를 조합하여 백색 발광다이오드 등을 제조하는 방법이 있는데, 이는 동작 전압이 불균일하고 주변 온도에 따라 각각의 칩의 출력이 변하여 색 좌표가 달라지기 때문에 각각의 색을 균일하게 혼합하는 것에 어려움이 있어 순수 백색광을 얻기 힘들다. 따라서, 상기와 같은 문제점을 보완하기 위하여, 청색 발광다이오드에 YAG계 주황색 형광체를 이용한 백색 발광다이오드나, 근자외선 또는 자색 발광다이오드에 적색, 녹색, 청색 형광체 또는 황적색 형광체를 조합하여 연색지수를 개선한 백색 발광다이오드 등이 이용되고 있다. 특히, 청색 발광다이오드 칩 위에 유로피움(Eu)을 활성제로 사용하고, 알칼리토금속을 함유한 실리케이트계 형광체를 이용하는 방법이 많이 이용되고 있는데, 실리케이트계 형광체의 경우 열처리 과정에서 잔유물이 많이 생성되고 내구성이 좋지 않다. 또한 실리콘질화물계 형광체의 경우 고온 또는 고압과 같은 조건에서 합성해야 해서 합성이 까다롭다는 문제점이 있다.Currently, a method of manufacturing a lamp using a semiconductor light source is a method of manufacturing white light emitting diodes by combining red, green, and blue light emitting diodes, which are uneven in operating voltage and output of each chip according to ambient temperature. Since the color coordinates change due to this change, it is difficult to uniformly mix each color, and thus it is difficult to obtain pure white light. Accordingly, in order to solve the above problems, the color rendering index is improved by combining a white light emitting diode using a YAG-based orange phosphor in a blue light emitting diode, or a combination of red, green, blue phosphor or yellow-red phosphor in a near-ultraviolet or violet light emitting diode. White light emitting diodes and the like are used. In particular, a method of using europium (Eu) as an activator on a blue light emitting diode chip and using a silicate-based phosphor containing alkaline earth metal has been widely used. In the case of the silicate-based phosphor, a large amount of residue is generated during the heat treatment process and durability is achieved. Not good. In addition, the silicon nitride-based phosphor has a problem that the synthesis is difficult because it must be synthesized under conditions such as high temperature or high pressure.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기존의 금속실리콘산질화물계 형광체를 이용하여 비교적 낮은 온도 및 상압 조건에서 물성이 우수한 실리콘질화물계 형광체를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a silicon nitride-based phosphor having excellent physical properties at relatively low temperature and atmospheric pressure by using a conventional metal silicon oxynitride-based phosphor. .
상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식1로 표시되는 금속실리콘산질화물 형광체를 제조하는 제1단계; 상기 금속실리콘산질화물 형광체, 알칼리금속 전구체, 알칼리토금속 전구체, 산화수가 +3인 전이금속 또는 란타늄족 금속 전구체, 유로피움 전구체, 실리콘 전구체, 탄소 및 용매를 칭량하여 혼합물을 형성하는 제2단계; 상기 혼합물을 건조하는 제3단계; 및 상기 건조된 혼합물을 수소와 질소의 혼합가스 분위기에서 소결하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a first step of manufacturing a metal silicon oxynitride phosphor represented by the formula (1); A second step of weighing the metal silicon oxynitride phosphor, an alkali metal precursor, an alkaline earth metal precursor, a transition metal or lanthanum group metal precursor having an oxidation number of +3, europium precursor, silicon precursor, carbon, and a solvent to form a mixture; A third step of drying the mixture; And a fourth step of sintering the dried mixture in a mixed gas atmosphere of hydrogen and nitrogen.
[화학식1][Chemical Formula 1]
SrpAaBbCcSieOxNyXz:Eu2 + d Sr p A a B b C c Si e O x N y X z : Eu 2 + d
상기 화학식 1에서, A는 알칼리금속이고, B는 알칼리토금속이고, C는 +3의 산화수를 갖는 전이금속 또는 란타늄족 금속이고, X는 할로겐 원소이며, 0≤a≤0.5, 0≤b≤0.5, 0≤c≤0.5, 0≤d≤0.5, 0<p≤1-d, 1.5≤e≤3, 1.5≤x≤2, 1.666≤y≤2, 0≤z≤1이고, 단 a, b, c 및 z 는 동시에 0이 될 수 없으며, 9≤2x+3y≤10 이다.In Formula 1, A is an alkali metal, B is an alkaline earth metal, C is a transition metal or lanthanum group metal having an oxidation number of +3, X is a halogen element, 0≤a≤0.5, 0≤b≤0.5 , 0≤c≤0.5, 0≤d≤0.5, 0 <p≤1-d, 1.5≤e≤3, 1.5≤x≤2, 1.666≤y≤2, 0≤z≤1, provided that a, b , c and z cannot be zero at the same time, and 9≤2x + 3y≤10.
[화학식2](2)
SrpAaBbCcSieNy -z/3Xz:Eu2 + d Sr p A a B b C c Si e N y -z / 3 X z : Eu 2 + d
상기 화학식 2에서 A는 알칼리금속이고, B는 알칼리토금속이고, C는 +3의 산화수를 갖는 전이금속 또는 란타늄족 금속이고, X는 할로겐 원소이며, 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤c≤1, 0<d≤0.5, 0<p≤2-d, 3≤e≤6, 5.3≤y≤9.4, 0≤z≤1이고, 단 a, b, c 및 z 는 동시에 0이 될 수 없다.In Formula 2, A is an alkali metal, B is an alkaline earth metal, C is a transition metal or a lanthanide group metal having an oxidation number of +3, X is a halogen element, 0 ≦ a ≦ 1, 0 ≦ b ≦ 1, 0≤c≤1, 0 <d≤0.5, 0 <p≤2-d, 3≤e≤6, 5.3≤y≤9.4, 0≤z≤1, provided that a, b, c and z are simultaneously 0 This can't be.
상기 혼합물을 건조하는 제3단계는 100℃ 내지 150℃의 오븐에서 수행될 수 있다.The third step of drying the mixture may be performed in an oven at 100 ℃ to 150 ℃.
상기 전구체들은 각각의 금속의 산화물, 염화물, 수산화물, 질화물, 탄산화물 및 초산화물로 이루어진 군에서 선택된 단일 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.The precursors may be a single or a mixture of two or more selected from the group consisting of oxides, chlorides, hydroxides, nitrides, carbonates and superoxides of the respective metals.
상기 알칼리토금속 전구체는 알칼리토금속의 탄산화물일 수 있다.The alkaline earth metal precursor may be a carbonate of alkaline earth metal.
상기 실리콘 전구체는 질화실리콘일 수 있다. The silicon precursor may be silicon nitride.
상기 용매는 증류수, 탄소수 1개 내지 4개의 알코올 또는 아세톤으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다.The solvent may be at least one selected from the group consisting of distilled water, 1 to 4 carbon atoms or acetone.
상기 소결은 1550℃ 내지 1700℃의 온도에서 3시간 내지 10시간 동안 열처리하여 수행될 수 있다.The sintering may be performed by heat treatment for 3 hours to 10 hours at a temperature of 1550 ℃ to 1700 ℃.
상기 수소와 질소의 혼합가스에서 상기 질소와 수소의 부피비는 75 : 25 내지 95 : 5 일 수 있다.The volume ratio of nitrogen and hydrogen in the mixed gas of hydrogen and nitrogen may be 75:25 to 95: 5.
상기 실리콘질화물계 형광체는 형광체 입자의 크기가 1μm 내지 20μm일 수 있다.The silicon nitride-based phosphor may have a phosphor particle having a size of about 1 μm to about 20 μm.
본 발명에 따른 금속실리콘산질화물계 형광체를 이용한 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법에 의하면 비교적 낮은 온도 및 상압 조건에서 물성이 우수한 실리콘질화물계 형광체를 제조할 수 있다.According to the method for producing a silicon nitride phosphor using the metal silicon oxynitride phosphor according to the present invention, it is possible to produce a silicon nitride phosphor having excellent physical properties under relatively low temperature and atmospheric pressure conditions.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘질화물계 형광체들의 발광중심파장 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘질화물계 형광체의 X선 회절 분광법(XRD) 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예 4에 따른 실리콘질화물계 형광체를 발광파장 460nm인 청색 발광 다이오드에 도포하여 제조한 백색 LED와 상기 실리콘질화물계 형광체와 금속실리콘산질화물계 형광체를 혼합하여 상기 청색 발광 다이오드에 도포하여 제조한 백색 LED의 발광스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 4 내지 6은 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘질화물계 형광체의 주사전자현미경(SEM) 이미지들이다.1 shows the emission center wavelength spectrum of silicon nitride-based phosphors according to embodiments of the present invention.
2 shows X-ray diffraction spectroscopy (XRD) spectra of silicon nitride-based phosphors according to embodiments of the present invention.
FIG. 3 shows a blue LED obtained by mixing a white LED prepared by applying a silicon nitride phosphor according to Example 4 to a blue light emitting diode having a light emission wavelength of 460 nm, the silicon nitride phosphor, and a metal silicon oxynitride phosphor; It shows the emission spectrum of the white LED produced by coating on.
4 to 6 are scanning electron microscope (SEM) images of silicon nitride-based phosphors according to embodiments of the present invention.
본 발명에 따른 하기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법은 하기 화학식1로 표시되는 금속실리콘산질화물 형광체를 제조하는 제1단계; 상기 금속실리콘산질화물 형광체, 알칼리금속 전구체, 알칼리토금속 전구체, 산화수가 +3인 전이금속 또는 란타늄족 금속 전구체, 유로피움 전구체, 실리콘 전구체, 탄소 및 용매를 칭량하여 혼합물을 형성하는 제2단계; 상기 혼합물을 건조하는 제3단계; 상기 건조된 혼합물을 수소와 질소의 혼합가스 분위기에서 소결하는 제4단계를 포함한다.Method for producing a silicon nitride-based phosphor represented by the formula (2) according to the present invention comprises the first step of producing a metal silicon oxynitride phosphor represented by the formula (1); A second step of weighing the metal silicon oxynitride phosphor, an alkali metal precursor, an alkaline earth metal precursor, a transition metal or lanthanum group metal precursor having an oxidation number of +3, europium precursor, silicon precursor, carbon, and a solvent to form a mixture; A third step of drying the mixture; And a fourth step of sintering the dried mixture in a mixed gas atmosphere of hydrogen and nitrogen.
[화학식1][Chemical Formula 1]
SrpAaBbCcSieOxNyXz:Eu2 + d Sr p A a B b C c Si e O x N y X z : Eu 2 + d
상기 화학식 1에서, A는 알칼리금속이고, B는 알칼리토금속이고, C는 +3의 산화수를 갖는 전이금속 또는 란타늄족 금속이고, X는 할로겐 원소이며, 0≤a≤0.5, 0≤b≤0.5, 0≤c≤0.5, 0≤d≤0.5, 0<p≤1-d, 1.5≤e≤3, 1.5≤x≤2, 1.666≤y≤2, 0≤z≤1이고, 단 a, b, c 및 z 는 동시에 0이 될 수 없으며, 9≤2x+3y≤10 이다.In Formula 1, A is an alkali metal, B is an alkaline earth metal, C is a transition metal or lanthanum group metal having an oxidation number of +3, X is a halogen element, 0≤a≤0.5, 0≤b≤0.5 , 0≤c≤0.5, 0≤d≤0.5, 0 <p≤1-d, 1.5≤e≤3, 1.5≤x≤2, 1.666≤y≤2, 0≤z≤1, provided that a, b , c and z cannot be zero at the same time, and 9≤2x + 3y≤10.
[화학식2](2)
SrpAaBbCcSieNy -z/3Xz:Eu2 + d Sr p A a B b C c Si e N y -z / 3 X z : Eu 2 + d
상기 화학식 2에서 A는 알칼리금속이고, B는 알칼리토금속이고, C는 +3의 산화수를 갖는 전이금속 또는 란타늄족 금속이고, X는 할로겐 원소이며, 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤c≤1, 0<d≤0.5, 0<p≤2-d, 3≤e≤6, 5.3≤y≤9.4, 0≤z≤1이고, 단 a, b, c 및 z 는 동시에 0이 될 수 없다.In Formula 2, A is an alkali metal, B is an alkaline earth metal, C is a transition metal or a lanthanide group metal having an oxidation number of +3, X is a halogen element, 0 ≦ a ≦ 1, 0 ≦ b ≦ 1, 0≤c≤1, 0 <d≤0.5, 0 <p≤2-d, 3≤e≤6, 5.3≤y≤9.4, 0≤z≤1, provided that a, b, c and z are simultaneously 0 This can't be.
본 발명에 따른 상기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법을 더욱 상세히 설명하면 하기와 같다. Hereinafter, the method for preparing the silicon nitride phosphor represented by Chemical Formula 2 according to the present invention will be described in more detail .
본 발명에 따른 상기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법 중 제1단계에서는, 상기 화학식1로 표시되는 금속실리콘산질화물 형광체를 제조한다. In the first step of the method for producing a silicon nitride phosphor represented by Chemical Formula 2 according to the present invention, a metal silicon oxynitride phosphor represented by Chemical Formula 1 is prepared.
상기 화학식1로 표시되는 금속실리콘산질화물 형광체는 이 분야에서 공지된 방법에 의해 제조할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니지만, 금속 소스 및 실리콘 소스를 포함하는 1차 전구체를 형성하고, 상기 1차 전구체를 질소 함유 가스 분위기 하에서 소성하여 제조할 수 있다.The metal silicon oxynitride phosphor represented by Chemical Formula 1 may be prepared by a method known in the art, but is not limited thereto, and forms a primary precursor including a metal source and a silicon source, and forms the primary precursor. Can be produced by firing in a nitrogen-containing gas atmosphere.
본 발명에 따른 상기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법 중 제2단계에서는, 상기 금속실리콘산질화물 형광체, 알칼리금속 전구체, 알칼리토금속 전구체, 산화수가 +3인 전이금속 또는 란타늄족 금속 전구체, 유로피움 전구체, 실리콘 전구체, 탄소 및 용매를 칭량하고 밀링하여 혼합물을 형성한다.In the second step of the method for producing a silicon nitride-based phosphor represented by the formula (2) according to the present invention, the metal silicon oxynitride phosphor, alkali metal precursor, alkaline earth metal precursor, transition metal or lanthanum group metal precursor having an oxidation number of +3 The europium precursor, silicon precursor, carbon and solvent are weighed and milled to form a mixture.
상기 전구체들은 각각의 금속의 산화물, 염화물, 수산화물, 질화물, 탄산화물 및 초산화물 중에서 선택된 단일 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다. 특히, 상기 알칼리토금속 전구체는 광도 특성이 우수한 탄산화물을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 실리콘 전구체는 산소의 영향을 최소화하기 위하여 질화실리콘을 사용하는 것이 바람직하다.The precursors may use a single or a mixture of two or more selected from oxides, chlorides, hydroxides, nitrides, carbonates and superoxides of the respective metals. In particular, the alkaline earth metal precursor is preferably to use a carbonate having excellent luminous properties, the silicon precursor is preferably used to the silicon nitride to minimize the effect of oxygen.
상기 밀링은 당 기술 분야에서 일반적으로 사용되는 방법으로 수행되며, 특별히 한정되지는 않지만 막자유발, 습식 볼밀 또는 건식 볼밀 등의 방법으로 수행될 수 있다. The milling is carried out by a method generally used in the art, and is not particularly limited, and may be performed by a method such as mortar, wet ball mill, or dry ball mill.
상기 용매는 당 기술 분야에서 일반적으로 사용되는 것으로서, 특별히 한정되지는 않지만 증류수, 탄소수 1개 내지 4개의 알코올 또는 아세톤 등이 사용될 수 있다. The solvent is generally used in the art, and is not particularly limited, but distilled water, alcohol having 1 to 4 carbon atoms or acetone may be used.
본 발명에 따른 상기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법 중 제3단계에서는 상기 제2단계에서 형성된 상기 혼합물을 건조한다.In the third step of the method for producing a silicon nitride-based phosphor represented by
상기 건조는 상기 용매를 증발시키기 위한 것으로서, 100℃ 미만의 온도에서 수행하는 경우 상기 용매가 충분히 증발하지 않을 수 있고, 150℃ 초과의 온도에서 수행하는 경우 상기 용매가 본 발명에 따른 형광체의 구성 성분과 반응하여 부산물을 생성할 수 있으므로, 상기 건조는 100℃ 내지 150℃의 온도에서 수행하는 것이 바람직하다. The drying is for evaporating the solvent, the solvent may not be sufficiently evaporated when carried out at a temperature of less than 100 ℃, the solvent is a component of the phosphor according to the invention when carried out at a temperature of more than 150 ℃ Since the by-products can be produced by reaction with, the drying is preferably performed at a temperature of 100 ℃ to 150 ℃.
상기 건조는 오븐 또는 건조 오븐 등을 사용하여 수행될 수 있으며, 바람직하게는 상기 오븐 또는 건조 오븐 등을 사용하여 진공 분위기에서 1시간 내지 24시간 동안 상기 용매를 증발시켜 상기 혼합물을 건조시킬 수 있다.The drying may be performed using an oven or a drying oven. Preferably, the mixture may be dried by evaporating the solvent for 1 to 24 hours in a vacuum atmosphere using the oven or a drying oven.
본 발명에 따른 상기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법 중 제4단계에서는, 상기 제3단계에서 건조된 혼합물을 수소와 질소의 혼합가스 분위기에서 소결한다.In the fourth step of the method for producing a silicon nitride-based phosphor represented by Formula 2 according to the present invention, the mixture dried in the third step is sintered in a mixed gas atmosphere of hydrogen and nitrogen.
상기 소결 시에, 상기 질소와 수소의 혼합 가스를 사용하는 것은 형광체를 환원시켜 활성제가 치환될 수 있게 하기 위한 것으로서, 상기 혼합 가스에서 상기 수소의 부피비가 5% 미만인 경우에는 상기 형광체의 환원이 완전하게 이루어지지 않아 실리콘질화물계 결정이 완전하게 생성되지 않고, 상기 수소의 부피비가 25%를 초과하는 경우에는 고온에서 수행되는 상기 소결 과정에서 상기 혼합가스가 폭발할 수 있다. 따라서, 상기 혼합가스의 상기 질소와 수소의 부피비는 75 : 25 내지 95 : 5 일 수 있다.In the sintering, the use of the mixed gas of nitrogen and hydrogen is to reduce the phosphor so that the active agent can be replaced, and when the volume ratio of the hydrogen in the mixed gas is less than 5%, the reduction of the phosphor is completed. If the silicon nitride-based crystals are not completely formed, and the volume ratio of hydrogen exceeds 25%, the mixed gas may explode during the sintering process performed at a high temperature. Therefore, the volume ratio of the nitrogen and hydrogen of the mixed gas may be 75:25 to 95: 5.
상기 소결은 상기 제3단계에서 건조된 혼합물을 도가니에 넣고 1550℃ 내지 1700℃로 온도를 높여 2시간 내지 5시간 동안 열처리하여 수행될 수 있다. 특히, 상기 소결이 1550℃ 미만의 온도에서 수행될 경우 완전한 질화물이 아닌 산질화물과 질화물의 혼합물이 생성되어 형광체의 발광 휘도를 감소시켜 발광 효율을 저하시킬 수 있고, 1700℃ 초과의 온도에서 수행될 경우 실리콘질화물계 형광체 외에 불순물이 형성되어 순수한 실리콘질화물계 형광체 분말을 제조하기 어려워 분말의 결정 크기가 균일하지 않고 발광 휘도가 감소될 수 있다. 따라서, 상기 소결은 1550℃ 내지 1700℃의 온도에서 수행되는 것이 바람직하며, 이는 기존의 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법들이 1700℃ 초과의 온도에서 소결하는 것을 고려할 때 비교적 낮은 온도에서 소결할 수 있는 효과를 갖는 것이다. The sintering may be carried out by placing the mixture dried in the third step into a crucible and heat treatment for 2 to 5 hours by raising the temperature to 1550 ℃ to 1700 ℃. In particular, when the sintering is carried out at a temperature of less than 1550 ℃ to produce a mixture of oxynitride and nitride rather than a complete nitride to reduce the luminous brightness of the phosphor to lower the luminous efficiency, it can be carried out at a temperature above 1700 ℃ In this case, impurities are formed in addition to the silicon nitride-based phosphor, making it difficult to produce pure silicon nitride-based phosphor powder, so that the crystal size of the powder is not uniform and luminescence brightness may be reduced. Therefore, the sintering is preferably carried out at a temperature of 1550 ℃ to 1700 ℃, which is an effect that can be sintered at a relatively low temperature in consideration of the sintering at a temperature of more than 1700 ℃ conventional silicon nitride-based phosphors To have.
이후, 상기 결과물을 세척하여, 상기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체를 얻을 수 있다.Thereafter, the resultant may be washed to obtain a silicon nitride-based phosphor represented by
필요에 따라서는 상기와 같은 공정에 의해 얻은 형광체를 분쇄 및 추가 소결하는 단계를 반복하여 우수한 결정성을 갖는 상기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체를 얻을 수도 있다.
If necessary, the silicon nitride-based phosphor represented by
상기 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the present invention.
이하는 본 발명의 상기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법에 대한 실시예들이다. 그러나 본 발명의 기술적 범위는 하기 실시예들에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위 및 그와 균등한 것들에 의하여 정해져야 한다.The following are examples of the method for producing the silicon nitride-based phosphor represented by the formula (2) of the present invention. However, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the following examples, but should be defined by the claims and their equivalents.
[실시예 1]Example 1
Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 30mg을 아세톤을 이용하여 습식혼합을 하였다. 이후, 상기 혼합물을 120? 건조기에서 6시간 동안 건조시켜 아세톤을 완전히 휘발시켰다. 아세톤이 완전히 건조된 상기 혼합물을 탄소 및 질화보론 도가니에 넣어 1600?에서 3 시간 동안 열처리하였다. 이때, 수소 750 cc/min 및 질소 4200 cc/min이 혼합된 혼합가스를 공급하여 열처리함으로써 환원 분위기에서 열처리가 되도록 한 후, 형광체 입자를 분쇄하였다. 이를 증류수로 3회 세척한 후 오븐에서 건조하여 Sr1 .94Si4N6 .67:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다. Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + of 0.03 0.5g 30mg and carbon were wet-mixed with acetone. Thereafter, the mixture was 120? The acetone was completely volatilized by drying for 6 hours in a dryer. The mixture, completely dried with acetone, was placed in a carbon and boron nitride crucible and heat-treated at 1600 ° C for 3 hours. At this time, the mixture was mixed with hydrogen and 750 cc / min of hydrogen and 4200 cc / min of nitrogen to supply heat treatment to heat treatment in a reducing atmosphere, and then, the phosphor particles were pulverized. This was washed three times with distilled water and dried in an oven Sr 1 .94 Si 4 N 6 .67 :
[실시예 2][Example 2]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 35mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4N6 .67:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 3][Example 3]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 40mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4N6 .67:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 4]Example 4
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4N6 .67:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 5][Example 5]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 50mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4N6 .67:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 6][Example 6]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SiO2 0.06g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4 .8N7 .73:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g, in the same manner as in Example 1 except for the use of SiO 2 and carbon 0.06g 45mg Sr 1 .94 Si 4 .8 N 7 .73: Eu 2 + 0.06 was obtained for the silicon nitride-based fluorescent material.
[실시예 7][Example 7]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SiO2 0.076g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5N8:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g,
[실시예 8][Example 8]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SiO2 0.09g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5 .2N8 .26:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g,
[실시예 8][Example 8]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SiO2 0.09g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5 .2N8 .26:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g,
[실시예 9][Example 9]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, Si3N4 0.14g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4 .8N7 .73:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2: the Eu 2 + 0.03 0.5g, Si 3
[실시예 10][Example 10]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, Si3N4 0.178g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5N8:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2: the Eu 2 + 0.03 0.5g, Si 3
[실시예 11][Example 11]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, Si3N4 0.21g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5 .2N8 .26:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2: the Eu 2 + 0.03 0.5g, Si 3
[실시예 12][Example 12]
상기 실시예 1에서 Sr0 .997Si2O2N2:Eu2 + 0.003 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .994Si4N6 .67:Eu2 + 0. 006실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .997 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 13][Example 13]
상기 실시예 1에서 Sr0 .98Si2O2N2:Eu2 + 0.02 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .96Si4N6 .67:Eu2 + 0. 04실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .98 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 14][Example 14]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 15][Example 15]
상기 실시예 1에서 Sr0 .96Si2O2N2:Eu2 + 0.04 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .92Si4N6 .67:Eu2 + 0. 08실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .96 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 16][Example 16]
상기 실시예 1에서 Sr0 .95Si2O2N2:Eu2 + 0.05 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .9Si4N6 .67:Eu2 + 0. 1실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .95 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.05 and 0.5g carbon 45mg Sr 1 .9 Si 4 N 6 .67: Eu 2 + 0. 1 to obtain a silicon nitride-based fluorescent material.
[실시예 17][Example 17]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Ba0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Ba0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .87 in Example 1 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 18][Example 18]
상기 실시예 1에서 Sr0 .77Ba0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .54Ba0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .77 in Example 1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 19][Example 19]
상기 실시예 1에서 Sr0 .67Ba0 .3Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .34Ba0 .6Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .67 Ba 0 .3 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 20][Example 20]
상기 실시예 1에서 Sr0 .57Ba0 .4Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .14Ba0 .8Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .57 Ba 0 .4 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 21][Example 21]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Ca0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Ca0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Ca 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 21][Example 21]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Ca0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Ca0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Ca 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 22][Example 22]
상기 실시예 1에서 Sr0 .77Ca0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .54Ca0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .77 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 23][Example 23]
상기 실시예 1에서 Sr0 .67Ca0 .3Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .34Ca0 .6Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .67 Ca 0 .3 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 24][Example 24]
상기 실시예 1에서 Sr0 .57Ca0 .4Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .14Ca0 .8Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .57 in Example 1 Ca 0 .4 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 25][Example 25]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2F0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4N6 .53F0.4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2
[실시예 26][Example 26]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Sr0 .1Si2O2N2F0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Sr0 .2Si4N6 .53F0.4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Sr 0 .1 Si 2 O 2 N 2
[실시예 27][Example 27]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Ca0 .1Si2O2N2F0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Ca0 .2Si4N6 .53F0.4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Ca 0 .1 Si 2 O 2 N 2
[실시예 28][Example 28]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ca0 .1Si2O2N2F0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Ca0 .2Si4N6 .53F0.4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Ca 0 .1 Si 2 O 2 N 2
[실시예 29][Example 29]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Ba0 .1Si2O2N2F0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Ba0 .2Si4N6 .53F0.4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2
[실시예 30][Example 30]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ba0 .1Si2O2N2F0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Ba0 .2Si4N6 .53F0.4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2
[실시예 31][Example 31]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2Cl0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4N6 .53Cl0 .4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2
[실시예 32][Example 32]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Sr0 .1Si2O2N2Cl0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Sr0 .2Si4N6 .53Cl0 .4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Sr 0 .1 Si 2 O 2
[실시예 33][Example 33]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Ca0 .1Si2O2N2Cl0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Ca0 .2Si4N6 .53Cl0 .4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Ca 0 .1 Si 2 O 2
[실시예 34][Example 34]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ca0 .1Si2O2N2Cl0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Ca0 .2Si4N6 .53Cl0 .4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Ca 0 .1 Si 2 O 2
[실시예 35][Example 35]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Ba0 .1Si2O2N2Cl0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Ba0 .2Si4N6 .53Cl0 .4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Ba 0 .1 Si 2 O 2
[실시예 36][Example 36]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ba0 .1Si2O2N2Cl0 .2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Ba0 .2Si4N6 .53Cl0 .4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Ba 0 .1 Si 2 O 2
[실시예 37][Example 37]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Li0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Li0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Li 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 38][Example 38]
상기 실시예 1에서 Sr0 .92Li0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Li0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .92 in Example 1 Li 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 39][Example 39]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Na0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Na0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Na 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 40][Example 40]
상기 실시예 1에서 Sr0 .92Na0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Na0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .92 in Example 1 Na 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 41][Example 41]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97K0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94K0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 42][Example 42]
상기 실시예 1에서 Sr0 .92K0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84K0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .92 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 43][Example 43]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Sr0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Sr0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Sr 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 44][Example 44]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ca0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Ca0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Ca 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 45][Example 45]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ba0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Ba0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 46][Example 46]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Mg0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Mg0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Mg 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 47][Example 47]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Mg0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Mg0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Mg 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 48][Example 48]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 49][Example 49]
상기 실시예 1에서 Sr0 .94Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .88Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .94 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 50][Example 50]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 51][Example 51]
상기 실시예 1에서 Sr0 .94Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .88Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .94 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 52][Example 52]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Li0 .1Na0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Li0 .2Na0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Li 0 .1 Na 0 .1 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 74 Li 0 .2 Na 0 .2 Si 4 N 6 .67:
[실시예 53][Example 53]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Li0 .1K0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Li0 .2K0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Li 0 .1 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 74 Li 0 .2 K 0 .2 Si 4 N 6 .67:
[실시예 53][Example 53]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Li0 .1K0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Li0 .2K0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Li 0 .1 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 74 Li 0 .2 K 0 .2 Si 4 N 6 .67:
[실시예 54][Example 54]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72Li0 .1Mg0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44Li0 .2Mg0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 Li 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 44 Li 0 .2 Mg 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 55][Example 55]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72Li0 .1Ca0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44Li0 .2Ca0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 Li 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 44 Li 0 .2 Ca 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 56][Example 56]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72Li0 .1Ba0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44Li0 .2Ba0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 Li 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 44 Li 0 .2 Ba 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 57][Example 57]
상기 실시예 1에서 Sr0 .89Li0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .78Li0 .2Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .89 Li 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 78 Li 0 .2 Sc 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 58][Example 58]
상기 실시예 1에서 Sr0 .89Li0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .78Li0 .2Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .89 Li 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 78 Li 0 .2 Y 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 59][Example 59]
상기 실시예 1에서 Sr0 .87Na0 .1K0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .74Na0 .2K0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .87 Na 0 .1 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 74 Na 0 .2 K 0 .2 Si 4 N 6 .67:
[실시예 60][Example 60]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72Na0 .1Mg0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44Na0 .2Mg0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 Na 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 44 Na 0 .2 Mg 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 61][Example 61]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72Na0 .1Ca0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44Na0 .2Ca0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 Na 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 44 Na 0 .2 Ca 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 62][Example 62]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72Na0 .1Ba0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44Na0 .2Ba0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 Na 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 44 Na 0 .2 Ba 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 63][Example 63]
상기 실시예 1에서 Sr0 .89Na0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .78Na0 .2Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .89 Na 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 78 Na 0 .2 Sc 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 64][Example 64]
상기 실시예 1에서 Sr0 .89Na0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .78Na0 .2Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .89 Na 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 78 Na 0 .2 Y 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 65][Example 65]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72K0 .1Mg0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44K0 .2Mg0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 K 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 44 K 0 .2 Mg 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 66][Example 66]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72K0 .1Ca0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44K0 .2Ca0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 K 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 44 K 0 .2 Ca 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 67][Example 67]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72K0 .1Ba0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44K0 .2Ba0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 K 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 44 K 0 .2 Ba 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 68][Example 68]
상기 실시예 1에서 Sr0 .89K0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .78K0 .2Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .89 K 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 78 K 0 .2 Sc 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 69][Example 69]
상기 실시예 1에서 Sr0 .89K0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .78K0 .2Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .89 K 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 78 K 0 .2 Y 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 70][Example 70]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72Mg0 .2Ca0 .05Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44Mg0 .4Ca0 .1Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 Mg 0 .2 Ca 0 .05 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 44 Mg 0 .4 Ca 0 .1 Si 4 N 6 .67:
[실시예 71][Example 71]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72Mg0 .2Ba0 .05Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .44Mg0 .4Ba0 .1Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 Mg 0 .2 Ba 0 .05 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 44 Mg 0 .4 Ba 0 .1 Si 4 N 6 .67:
[실시예 72][Example 72]
상기 실시예 1에서 Sr0 .74Mg0 .2Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .48Mg0 .4Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .74 Mg 0 .2 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 48 Mg 0 .4 Sc 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 73][Example 73]
상기 실시예 1에서 Sr0 .72Mg0 .2Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .48Mg0 .4Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .72 Mg 0 .2 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 48 Mg 0 .4 Y 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 74][Example 74]
상기 실시예 1에서 Sr0 .77Ca0 .1Ba0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .54Ca0 .2Ba0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .77 in Example 1 Ca 0 .1 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 54 Ca 0 .2 Ba 0 .2 Si 4 N 6 .67:
[실시예 75][Example 75]
상기 실시예 1에서 Sr0 .84Ca0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .68Ca0 .2Sc0 .02Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .84 Ca 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 68 Ca 0 .2 Sc 0 .02 Si 4 N 6 .67:
[실시예 76][Example 76]
상기 실시예 1에서 Sr0 .84Ca0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .68Ca0 .2Y0 .02Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .84 Ca 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 68 Ca 0 .2 Y 0 .02 Si 4 N 6 .67:
[실시예 77]Example 77
상기 실시예 1에서 Sr0 .84Ba0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .68Ba0 .2Sc0 .02Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .84 Ba 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 68 Ba 0 .2 Sc 0 .02 Si 4 N 6 .67:
[실시예 78][Example 78]
상기 실시예 1에서 Sr0 .84Ba0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .68Ba0 .2Y0 .02Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .84 Ba 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 68 Ba 0 .2 Y 0 .02 Si 4 N 6 .67:
[실시예 79][Example 79]
상기 실시예 1에서 Sr0 .925Sc0 .01Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .68Sc0 .02Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 Sr 0 .925 Sc 0 .01 Y 0 .02 Si 2 O 2
[실시예 80][Example 80]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Li0 .1Na0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Li0 .2Na0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Li 0 .1 Na 0 .1 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Li 0 .2 Na 0 .2 Si 4 N 6 .67:
[실시예 81][Example 81]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Li0 .1K0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Li0 .2K0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Li 0 .1 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Li 0 .2 K 0 .2 Si 4 N 6 .67:
[실시예 82][Example 82]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Li0 .1Mg0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Li0 .2Mg0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Li 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Li 0 .2 Mg 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 83][Example 83]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Li0 .1Ca0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Li0 .2Ca0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Li 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Li 0 .2 Ca 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 84][Example 84]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Li0 .1Ba0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Li0 .2Ba0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Li 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Li 0 .2 Ba 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 85][Example 85]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Li0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Li0 .2Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Li 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Li 0 .2 Sc 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 86][Example 86]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Li0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Li0 .2Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Li 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 84 Li 0 .2 Y 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 87][Example 87]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Na0 .1K0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Na0 .2K0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Na 0 .1 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Na 0 .2 K 0 .2 Si 4 N 6 .67:
[실시예 88][Example 88]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Na0 .1Mg0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Na0 .2Mg0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Na 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Na 0 .2 Mg 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 89][Example 89]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Na0 .1Ca0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Na0 .2Ca0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Na 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Na 0 .2 Ca 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 90][Example 90]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Na0 .1Ba0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Na0 .2Ba0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Na 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Na 0 .2 Ba 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 91][Example 91]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Na0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Na0 .2Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Na 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Na 0 .2 Sc 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 92][Example 92]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Na0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Na0 .2Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Na 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 84 Na 0 .2 Y 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 93][Example 93]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97K0 .1Mg0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84K0 .2Mg0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 K 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 K 0 .2 Mg 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 94][Example 94]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97K0 .1Ca0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84K0 .2Ca0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 K 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 K 0 .2 Ca 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 95][Example 95]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97K0 .1Ba0 .2Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84K0 .2Ba0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 K 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 K 0 .2 Ba 0 .4 Si 4 N 6 .67:
[실시예 96][Example 96]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97K0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84K0 .2Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 K 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 K 0 .2 Sc 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 97][Example 97]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97K0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84K0 .2Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 K 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 K 0 .2 Y 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 98][Example 98]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Mg0 .2Ca0 .05Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Mg0 .4Ca0 .1Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Mg 0 .2 Ca 0 .05 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 84 Mg 0 .4 Ca 0 .1 Si 4 N 6 .67:
[실시예 99][Example 99]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Mg0 .2Ba0 .05Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Mg0 .4Ba0 .1Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Mg 0 .2 Ba 0 .05 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 84 Mg 0 .4 Ba 0 .1 Si 4 N 6 .67:
[실시예 100][Example 100]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Mg0 .2Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Mg0 .4Sc0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Mg 0 .2 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Mg 0 .4 Sc 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 101][Example 101]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Mg0 .2Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Mg0 .4Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Mg 0 .2 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Mg 0 .4 Y 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 102][Example 102]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ca0 .1Ba0 .1Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Ca0 .2Ba0 .2Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Ca 0 .1 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Ca 0 .2 Ba 0 .2 Si 4 N 6 .67:
[실시예 103][Example 103]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ca0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Ca0 .2Sc0 .02Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Ca 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Ca 0 .2 Sc 0 .02 Si 4 N 6 .67:
[실시예 104][Example 104]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ca0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Ca0 .2Y0 .02Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Ca 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 84 Ca 0 .2 Y 0 .02 Si 4 N 6 .67:
[실시예 105][Example 105]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ba0 .1Sc0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Ba0 .2Sc0 .02Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Ba 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Ba 0 .2 Sc 0 .02 Si 4 N 6 .67:
[실시예 106][Example 106]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Ba0 .1Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Ba0 .2Y0 .02Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Ba 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 to 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1. 84 Ba 0 .2 Y 0 .02 Si 4 N 6 .67:
[실시예 107][Example 107]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Sc0 .01Y0 .02Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .84Sc0 .02Y0 .04Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 In the Sr 0 .97 Sc 0 .01 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for using the Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg and carbon Sr 1. 84 Sc 0 .02 Y 0 .04 Si 4 N 6 .67:
[실시예 108][Example 108]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.003g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .993Si4N6 .67:Eu2 + 0. 007실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.003g and and is Sr 1 .993 Si 4 N 6 .67 in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.007 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 109][Example 109]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.007g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .984Si4N6 .67:Eu2 + 0. 016실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.007g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .984 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.016 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 110][Example 110]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .977Si4N6 .67:Eu2 + 0. 023실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.01g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .977 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.023 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 111][Example 111]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.014g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .968Si4N6 .67:Eu2 + 0. 032실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.014g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .968 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.032 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 112][Example 112]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.017g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .953Si4N6 .67:Eu2 + 0. 039실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.017g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .953 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.039 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 113][Example 113]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.021g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .961Si4N6 .67:Eu2 + 0. 047실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.021g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .961 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.047 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 114][Example 114]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.025g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .944Si4N6 .67:Eu2 + 0. 056실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.025g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .944 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.056 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 115][Example 115]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.029g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .935Si4N6 .67:Eu2 + 0. 065실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.029g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .935 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.065 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 116][Example 116]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.031g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .931Si4N6 .67:Eu2 + 0. 069실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.031g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .931 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.069 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 117][Example 117]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.035g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .922Si4N6 .67:Eu2 + 0. 078실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.035g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .922 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.078 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 118][Example 118]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.038g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .916Si4N6 .67:Eu2 + 0. 084실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.038g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .916 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.084 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 119][Example 119]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.04g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .912Si4N6 .67:Eu2 + 0. 088실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.04g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .912 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.088 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 120][Example 120]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.07g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .85Si4N6 .67:Eu2 + 0. 15실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.07g and and is carried out similarly to the procedures of Example 1 Sr 1 .85 Si except for the use of carbon 45mg 4 N 6 .67: Eu 2 + 0. 15 to obtain a silicon nitride-based fluorescent material.
[실시예 121][Example 121]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.1g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .793Si4N6 .67:Eu2 + 0. 207실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.1g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1 .793 Si 4 N 6 .67:
[실시예 122][Example 122]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.14g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .721Si4N6 .67:Eu2 + 0. 279실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.14g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .721 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.279 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 123][Example 123]
상기 실시예 1에서 SrSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.17g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .671Si4N6 .67:Eu2 + 0. 329실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 SrSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.17g and in Example 1 in the same manner as Sr 1 .671 Si 4 N 6 .67 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.329 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 124][Example 124]
상기 실시예 1에서 CaSi2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.005g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Ca1 .991Si4N6 .67:Eu2 + 0. 009실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 CaSi 2 O 2 N 2 0.5g , Eu 2 O 3 0.005g and and is Ca 1 .991 Si 4 N 6 .67 in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg: Eu 2 + 0.009 silicon to obtain a nitride-based fluorescent material.
[실시예 125][Example 125]
상기 실시예 1에서 Sr0 .5Ca0 .5Si2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.005g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr0 .99CaSi4N6 .67:Eu2 + 0. 01실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .5 Ca 0 .5 Si 2 O 2
[실시예 126][Example 126]
상기 실시예 1에서 Sr0 .5Ba0 .5Si2O2N2 0.5g, Eu2O3 0.005g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr0 .987BaSi4N6 .67:Eu2 + 0. 013실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .5 Ba 0 .5 Si 2 O 2
[실시예 127][Example 127]
상기 실시예 1에서 Ca0 .99Si2O2N2:Eu2 + 0.01 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Ca1 .98Si4N6 .67:Eu2 + 0. 02실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Ca 0 .99 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 128][Example 128]
상기 실시예 1에서 Ca0 .98Si2O2N2:Eu2 + 0.02 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Ca1 .96Si4N6 .67:Eu2 + 0. 04실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Ca 0 .98 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 129][Example 129]
상기 실시예 1에서 Ca0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Ca1 .94Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Ca 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 130][Example 130]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si1 .5O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si3N5 .32:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 0 .97 Sr 1 Si eseo .5 O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g and in the same manner as in Example 1 except for the use of carbon 45mg Sr 1 .94 Si 3 N 5 . 32: Eu 2 + 0. 06 to obtain a silicon nitride-based fluorescent material.
[실시예 131]Example 131
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si1 .6O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si3 .2N5 .59:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 Sr 0 .97 Si 1 .6 O 2 in N 2: Eu, and Sr 1 .94 is carried in the same manner as in Example 1, except 2 + 0.03 0.5g and the use of carbon 45mg Si 3 .2 N 5 .59: Eu 2 + 0. 06 to obtain a silicon nitride-based fluorescent material.
[실시예 132][Example 132]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si1 .7O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si3 .4N5 .86:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 1 .7 O 2 N 2 :
[실시예 133][Example 133]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si1 .8O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si3 .6N6 .13:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example Sr 0 .97 Si 1 eseo 1 .8 O 2 N 2: in the example as Sr 1 .94 1 in the same manner except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg carbon and Si 3 N .6 6 .13: Eu 2 + 0. 06 to obtain a silicon nitride-based fluorescent material.
[실시예 134][Example 134]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si1 .9O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si3 .8N6 .4:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 1 .9 O 2 N 2 :
[실시예 135][Example 135]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 136][Example 136]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2 .1O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4 .2N6 .93:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 .1 O 2 N 2 :
[실시예 137][Example 137]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2 .2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4 .4N7 .2:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 .2 O 2 N 2 :
[실시예 138][Example 138]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2 .3O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4 .6N7 .46:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 .3 O 2 N 2 :
[실시예 139][Example 139]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2 .4O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si4 .8N7 .76:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 .4 O 2 N 2 :
[실시예 140][Example 140]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2 .5O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5N8:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 Sr 2 Si 0 .97 .5 in O 2 N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g and the embodiment is except for the use of carbon in the same manner as in Example 1, 45mg Sr 1 .94 Si 5 N 8: Eu 2 + 0. 06 to obtain a silicon nitride-based fluorescent material.
[실시예 141][Example 141]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2 .6O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5 .2N8 .26:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 Sr 0 .97 .6 Si 2 O 2 in N 2: Eu, and Sr 1 .94 is carried in the same manner as in Example 1, except 2 + 0.03 0.5g and the use of carbon 45mg Si 5 .2 N 8 .26: Eu 2 + 0. 06 to obtain a silicon nitride-based fluorescent material.
[실시예 142][Example 142]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2 .7O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5 .4N8 .53:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 .7 O 2 N 2 :
[실시예 143][Example 143]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2 .8O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5 .6N8 .8:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 .8 O 2 N 2: in the example as Sr 1 .94 1 in the same manner except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g 45mg Si and carbon-5 .6 N 8 .8: Eu 2 + 0. 06 to obtain a silicon nitride-based fluorescent material.
[실시예 144][Example 144]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2 .9O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si5 .8N9 .06:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Sr 0 .97 in Example 1 Si 2 .9 O 2 N 2 :
[실시예 145][Example 145]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si3O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94Si6N9 .33:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 3 O 2 N 2:
[실시예 146][Example 146]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SrCl2 0.005g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Sr0.024Si4N6.67Cl0.048:Eu2+ 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 in N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g ,
[실시예 147][Example 147]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SrCl2 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Sr0 .05Si4N6 .67Cl0 .1:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 148][Example 148]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SrCl2 0.02g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Sr0 .1Si4N6 .67Cl0 .2:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 149][Example 149]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, CaCl2 0.005g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ca0.036Si4N6.67Cl0.072:Eu2+ 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 in N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g ,
[실시예 150][Example 150]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, CaCl2 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ca0.072Si4N6.67Cl0.144:Eu2+ 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 in N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g ,
[실시예 151]Example 151
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, CaCl2 0.02g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ca0.144Si4N6.67Cl0.288:Eu2+ 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 in N 2: Eu 2 + 0.03 0.5g ,
[실시예 152][Example 152]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SrF2 0.005g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Sr0 .032Si4N6 .67F0.064:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 153][Example 153]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SrF2 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Sr0 .064Si4N6 .67F0.13:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 154][Example 154]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, SrF2 0.02g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Sr0 .13Si4N6 .67F0.26:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 155][Example 155]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, CaF2 0.005g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ca0 .052Si4N6 .67F0.104:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 156][Example 156]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, CaF2 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ca0 .104Si4N6 .67F0.208:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 157][Example 157]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, CaF2 0.02g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ca0 .208Si4N6 .67F0.416:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 158][Example 158]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, BaF2 0.005g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ba0 .012Si4N6 .67F0.024:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 159][Example 159]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, BaF2 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ba0 .023Si4N6 .67F0.046:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 160][Example 160]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, BaF2 0.02g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ba0 .046Si4N6 .67F0.092:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 161][Example 161]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, AlF3 0.05g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Al0 .31Si4N6 .67F0.093:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 162][Example 162]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, AlF3 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Al0 .063Si4N6 .67F0.189:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 163][Example 163]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, AlF3 0.02g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Al0 .125Si4N6 .67F0.378:Eu2 + 0.06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 164]Example 164
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, MgO 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Mg0 .202Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 165][Example 165]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, MgO 0.05g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Mg0 .505Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 166][Example 166]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, MgO 0.1g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Mg1 .011Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 167][Example 167]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, CaCO3 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ca0 .041Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 168][Example 168]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, CaCO3 0.05g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ca0 .203Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 169][Example 169]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, CaCO3 0.1g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Ca0 .406Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.In Example 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
[실시예 170][Example 170]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, Y2O3 0.005g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Y0 .009Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g, Y 2 O 3 0.005g and carbon 45mg Sr 1 .94 Y 0 .009 Si 4 N 6 .67 :
[실시예 171][Example 171]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, Y2O3 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Y0 .018Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g, Y 2 O 3 0.01g and carbon 45mg Sr 1 .94 Y 0 .018 Si 4 N 6 .67 :
[실시예 172][Example 172]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, Y2O3 0.02g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Y0 .036Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g, Y 2 O 3 0.02g and carbon 45mg Sr 1 .94 Y 0 .036 Si 4 N 6 .67 :
[실시예 173][Example 173]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, Li2CO3 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Li0 .055Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g, Li 2 CO 3 0.01g and carbon 45mg Sr 1 .94 Li 0 .055 Si 4 N 6 .67 :
[실시예 174][Example 174]
상기 실시예 1에서 Sr0 .97Si2O2N2:Eu2 + 0.03 0.5g, Na2CO3 0.01g 및 탄소 45mg을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Sr1 .94 Na0 .038Si4N6 .67:Eu2 + 0. 06실리콘질화물계 형광체를 얻었다.
The embodiments 1 Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2: in the same manner as in Example 1 except for the use of Eu 2 + 0.03 0.5g, Na 2 CO 3 0.01g and carbon 45mg Sr 1 .94 Na 0 .038 Si 4 N 6 .67 :
한편, 상기 각 성분들의 사용량에 따른 본 발명의 실리콘질화물계 형광체의 실시예들을 하기 표 1에 나타내었다.Meanwhile, examples of the silicon nitride phosphor of the present invention according to the amount of each component used are shown in Table 1 below.
(M =Mg, Sr, Ca, Ba 중 1종 이상 선택)MSi 2 O 2 N 2
(Select one or more of M = Mg, Sr, Ca, and Ba)
(M = Li, Na, K, Mg, Sr, Ca, Ba, Sc, Y 중 1종 이상 선택)SrMSi 2 O 2 N 2 : Eu 2 +
(M = Li, Na, K, Mg, Sr, Ca, Ba, Sc, Y one or more selected)
(M = Sr, Ca, Ba, Al)MCl (2,3) , MF (2,3)
(M = Sr, Ca, Ba, Al)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.06 g)SiO 2
(0.06 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.076 g)SiO 2
(0.076 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.09 g)SiO 2
(0.09 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.14 g)Si 3 N 4
(0.14 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.178 g)Si 3 N 4
(0.178 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.21 g)Si 3 N 4
(0.21 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .997 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .98 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .96 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .95 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .77 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .67 Ba 0 .3 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .57 Ba 0 .4 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Ca 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .77 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .67 Ca 0 .3 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .57 Ca 0 .4 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Sr 0 .1 Si 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Ca 0 .1 Si 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ca 0 .1 Si 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Sr 0 .1 Si 2 O 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Ca 0 .1 Si 2 O 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ca 0 .1 Si 2 O 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Ba 0 .1 Si 2 O 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ba 0 .1 Si 2 O 2
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Li 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .92 Li 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Na 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .92 Na 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Mg 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Mg 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .94 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .94 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Li 0 .1 Na 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Li 0 .1 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 Li 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 Li 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 Li 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .89 Li 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .89 Li 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .87 Na 0 .1 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 Na 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 Na 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 Na 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .89 Na 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .89 Na 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 K 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 K 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 K 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .89 K 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .89 K 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 Mg 0 .2 Ca 0 .05 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .72 Mg 0 .2 Ba 0 .05 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .74 Mg 0 .2 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .74 Mg 0 .2 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .77 Ca 0 .1 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .84 Ca 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .84 Ca 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .84 Ba 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .84 Ba 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .925 Sc 0 .01 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Li 0 .1 Na 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Li 0 .1 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Li 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Li 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Li 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Li 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Li 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Na 0 .1 K 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Na 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Na 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Na 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Na 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Na 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 K 0 .1 Mg 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 K 0 .1 Ca 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 K 0 .1 Ba 0 .2 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 K 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 K 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Mg 0 .2 Ca 0 .05 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Mg 0 .2 Ba 0 .05 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Mg 0 .2 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Mg 0 .2 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ca 0 .1 Ba 0 .1 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ca 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ca 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ba 0 .1 Sc 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Ba 0 .1 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Sc 0 .01 Y 0 .02 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.003 g)Eu 2 O 3
(0.003 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.007 g)Eu 2 O 3
(0.007 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.01 g)Eu 2 O 3
(0.01 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.014 g)Eu 2 O 3
(0.014 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.017 g)Eu 2 O 3
(0.017 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.021 g)Eu 2 O 3
(0.021 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.025 g)Eu 2 O 3
(0.025 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.029 g)Eu 2 O 3
(0.029 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.031 g)Eu 2 O 3
(0.031 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.035 g)Eu 2 O 3
(0.035 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.038 g)Eu 2 O 3
(0.038 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.04 g)Eu 2 O 3
(0.04 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.07 g)Eu 2 O 3
(0.07 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.1 g)Eu 2 O 3
(0.1 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.14 g)Eu 2 O 3
(0.14 g)
( 0.5 g )SrSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.17g)Eu 2 O 3
(0.17 g)
( 0.5 g )CaSi 2 O 2 N 2
(0.5 g)
( 0.005 g)Eu 2 O 3
(0.005 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .5 Ca 0 .5 Si 2 O 2
(0.5 g)
( 0.005 g)Eu 2 O 3
(0.005 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .5 Ba 0 .5 Si 2 O 2
(0.5 g)
( 0.005 g)Eu 2 O 3
(0.005 g)
( 0.5 g ) Ca 0 .99 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Ca 0 .98 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Ca 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 1 .5 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 1 .6 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 1 .7 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 1 .8 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 1 .9 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 .1 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 .2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 .3 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 .4 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 .5 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 .6 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 .7 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 .8 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 .9 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 3 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.005 g )SrCl 2
(0.005 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g )SrCl 2
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.02 g )SrCl 2
(0.02 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.005 g )CaCl 2
(0.005 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g )CaCl 2
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.02 g )CaCl 2
(0.02 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.005 g )SrF 2
(0.005 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g )SrF 2
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.02 g )SrF 2
(0.02 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.005 g )CaF 2
(0.005 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g )CaF 2
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.02 g )CaF 2
(0.02 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.005 g )BaF 2
(0.005 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g )BaF 2
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.02 g )BaF 2
(0.02 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.05 g )AlF 3
(0.05 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g )AlF 3
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.02 g )AlF 3
(0.02 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g)MgO
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.05 g)MgO
(0.05 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.1 g)MgO
(0.1 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g)CaCO 3
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.05 g)CaCO 3
(0.05 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.1 g)CaCO 3
(0.1 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.005 g )Y 2 O 3
(0.005 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g )Y 2 O 3
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.02 g )Y 2 O 3
(0.02 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g )Li 2 CO 3
(0.01 g)
( 0.5 g ) Sr 0 .97 Si 2 O 2 N 2:
(0.5 g)
( 0.01 g )Na 2 CO 3
(0.01 g)
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘질화물계 형광체들의 발광중심파장 스펙트럼을 나타낸 것이다.1 shows the emission center wavelength spectrum of silicon nitride-based phosphors according to embodiments of the present invention.
도 1을 참조하면, 상기 본 발명의 실시예 4에 따른 Sr1 .94Si4N6 .67:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체는 약 460nm의 여기파장에서 약 612nm의 발광중심파장을 나타내고 있고, 상기 본 발명의 실시예 7에 따른 Sr1 .94Si5N8:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체는 약 460nm의 여기파장에서 약 612nm의 발광중심파장을 나타내고 있고, 상기 본 발명의 실시예 18에 따른 Sr1 .54Ba0 .4Si4N6 .67:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체는 약 460nm의 여기파장에서 약 624nm의 발광중심파장을 나타내고 있고, 상기 본 발명의 실시예 24에 따른 Sr1 .14Ca0 .8Si5N8:Eu2 + 0.06 실리콘질화물계 형광체는 약 460nm의 여기파장에서 약 630nm의 발광중심파장을 나타내고 있고, 상기 본 발명의 실시예 25에 따른 Sr1.94Si4N6.53F0.4:Eu2+ 0.06 실리콘질화물계 형광체는 약 460nm의 여기파장에서 약 615nm의 발광중심파장을 나타내고 있고, 상기 본 발명의 실시예 29에 따른 Sr1.74Ba0.2Si4N6.53F0.4:Eu2+ 0.06 실리콘질화물계 형광체는 약 460nm의 여기파장에서 약 615nm의 발광중심파장을 나타내고 있으며, 상기 본 발명의 실시예 126에 따른 Sr1.671Si4N6.67:Eu2+ 0.329 실리콘질화물계 형광체는 약 460nm의 여기파장에서 약 650nm의 발광중심파장을 나타내고 있음을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 실리콘질화물계 형광체는 460nm의 여기파장에서 약 610nm 내지 650nm의 발광특성을 나타냄을 확인할 수 있다. Referring to Figure 1, according to an embodiment of the present invention Example 4 Sr 1 .94 Si 4 N 6 .67:
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘질화물계 형광체의 X선 회절 분광법(XRD) 스펙트럼을 나타낸 것이다.2 shows X-ray diffraction spectroscopy (XRD) spectra of silicon nitride-based phosphors according to embodiments of the present invention.
도 2를 참조하면, 상기 본 발명의 실시예 4, 실시예 7, 실시예 18 및 실시예 24에 따른 형광체는 실리콘질화물계 형광체의 XRD 스펙트럼 패턴을 갖고 있음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the phosphors according to Examples 4, 7, 7, and 24 of the present invention have XRD spectral patterns of silicon nitride phosphors.
도 3은 본 발명의 실시예 4에 따른 실리콘질화물계 형광체를 발광파장 460nm인 청색 발광 다이오드에 도포하여 제조한 백색 LED와 상기 실리콘질화물계 형광체와 금속실리콘산질화물계 형광체를 혼합하여 상기 청색 발광 다이오드에 도포하여 제조한 백색 LED의 발광스펙트럼을 나타낸 것이다.FIG. 3 shows a blue LED obtained by mixing a white LED prepared by applying a silicon nitride phosphor according to Example 4 to a blue light emitting diode having a light emission wavelength of 460 nm, the silicon nitride phosphor, and a metal silicon oxynitride phosphor; It shows the emission spectrum of the white LED produced by coating on.
도 3을 참조하면, 빨간색 점선은 본 발명의 실시예 4에 따른 실리콘질화물계 형광체를 10mg을 실리콘 수지 0.2g과 함께 청색 발광 다이오드에 도포한 것이고, 검은색 실선은 본 발명의 실시예 4에 따른 실리콘질화물계 형광체 2.5mg 및 금속실리콘산질화물계 형광체 11.3mg을 실리콘 수지 0.4g과 함께 청색 발광 다이오드에 도포한 것이다. 금속실리콘산질화물계 형광체 SrSi2O2N2:Eu2 +와 본 발명의 실시예 4에 따른 실리콘질화물계 형광체 Sr2Si5N8:Eu2 +는 넓은 반치폭(FWHM)을 가지고 있어 녹색 형광체와 혼합하여 백색 LED를 제작할 경우, 녹색에서 적색 영역에 이르는 넓은 발광을 보여줄 수 있음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 3, the red dotted line is a 10 wt% silicon nitride-based phosphor according to Example 4 of the present invention coated with 0.2 g of a silicone resin on a blue light emitting diode, and the solid black line is according to Example 4 of the present invention. 2.5 mg of silicon nitride phosphor and 11.3 mg of metal silicon oxynitride phosphor were coated on a blue light emitting diode with 0.4 g of a silicone resin. Metal silicon oxynitride-based
도 4 내지 6은 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘질화물계 형광체의 주사전자현미경(SEM) 이미지들이다.4 to 6 are scanning electron microscope (SEM) images of silicon nitride-based phosphors according to embodiments of the present invention.
Claims (9)
상기 금속실리콘산질화물 형광체, 알칼리금속 전구체, 알칼리토금속 전구체, 산화수가 +3인 전이금속 또는 란타늄족 금속 전구체, 유로피움 전구체, 실리콘 전구체, 탄소 및 용매를 칭량하여 혼합물을 형성하는 제2단계;
상기 혼합물을 건조하는 제3단계; 및
상기 건조된 혼합물을 수소와 질소의 혼합가스 분위기에서 소결하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 화학식2로 표시되는 실리콘질화물계 형광체의 제조 방법:
[화학식1]
SrpAaBbCcSieOxNyXz:Eu2+ d
상기 화학식 1에서, A는 알칼리금속이고, B는 알칼리토금속이고, C는 +3의 산화수를 갖는 전이금속 또는 란타늄족 금속이고, X는 할로겐 원소이며, 0≤a≤0.5, 0≤b≤0.5, 0≤c≤0.5, 0≤d≤0.5, 0<p≤1-d, 1.5≤e≤3, 1.5≤x≤2, 1.666≤y≤2, 0≤z≤1이고, 단 a, b, c 및 z 는 동시에 0이 될 수 없으며, 9≤2x+3y≤10 이다.
[화학식2]
SrpAaBbCcSieNy-z/3Xz:Eu2+ d
상기 화학식 2에서 A는 알칼리금속이고, B는 알칼리토금속이고, C는 +3의 산화수를 갖는 전이금속 또는 란타늄족 금속이고, X는 할로겐 원소이며, 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤c≤1, 0<d≤0.5, 0<p≤2-d, 3≤e≤6, 5.3≤y≤9.4, 0≤z≤1이고, 단 a, b, c 및 z 는 동시에 0이 될 수 없다.A first step of preparing a metal silicon oxynitride phosphor represented by the formula (1);
A second step of forming a mixture by weighing the metal silicon oxynitride phosphor, an alkali metal precursor, an alkaline earth metal precursor, a transition metal or lanthanum group metal precursor having an oxidation number of +3, europium precursor, silicon precursor, carbon and a solvent;
A third step of drying the mixture; And
Method for producing a silicon nitride-based phosphor represented by the formula (2) comprising the step of sintering the dried mixture in a mixed gas atmosphere of hydrogen and nitrogen:
[Chemical Formula 1]
Sr p A a B b C c Si e O x N y X z : Eu 2+ d
In Formula 1, A is an alkali metal, B is an alkaline earth metal, C is a transition metal or lanthanum group metal having an oxidation number of +3, X is a halogen element, 0≤a≤0.5, 0≤b≤0.5 , 0≤c≤0.5, 0≤d≤0.5, 0 <p≤1-d, 1.5≤e≤3, 1.5≤x≤2, 1.666≤y≤2, 0≤z≤1, provided that a, b , c and z cannot be zero at the same time, and 9≤2x + 3y≤10.
(2)
Sr p A a B b C c Si e N yz / 3 X z : Eu 2+ d
In Formula 2, A is an alkali metal, B is an alkaline earth metal, C is a transition metal or a lanthanide group metal having an oxidation number of +3, X is a halogen element, 0 ≦ a ≦ 1, 0 ≦ b ≦ 1, 0≤c≤1, 0 <d≤0.5, 0 <p≤2-d, 3≤e≤6, 5.3≤y≤9.4, 0≤z≤1, provided that a, b, c and z are simultaneously 0 This can't be.
The method of claim 1, wherein the silicon nitride-based phosphor has a phosphor particle having a size of 1 μm to 20 μm.
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