KR101382881B1 - Manifold of semiconductor equipment - Google Patents

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KR101382881B1
KR101382881B1 KR1020120142436A KR20120142436A KR101382881B1 KR 101382881 B1 KR101382881 B1 KR 101382881B1 KR 1020120142436 A KR1020120142436 A KR 1020120142436A KR 20120142436 A KR20120142436 A KR 20120142436A KR 101382881 B1 KR101382881 B1 KR 101382881B1
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박종신
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박종신
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

The present invention relates to a manifold of semiconductor vacuum equipment. According to one embodiment of the present invention, the manifold of semiconductor vacuum equipment includes a first member, a second member, and a third member. The bonding surface of the first member and the second member has a ′��prime; shape. The bonding surface of the second member and the third member has a ′��prime; shape. V-shaped grooves are formed in the bonding cross section. The V-shaped groove is filled with welding bead.

Description

반도체 진공 장비의 매니폴드 {Manifold of semiconductor equipment}Manifold of Semiconductor Vacuum Equipment

본 발명은 매니폴드에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 진공 장비의 매니폴드에 관한 것이다.The present invention relates to a manifold, and more particularly to a manifold of semiconductor vacuum equipment.

일반적으로 반도체 진공 장비는 고온 저압에서 챔버의 내부로 웨이퍼의 막을 형성하는데 필요한 소정의 가스를 공급함으로써 웨이퍼의 표면에 요구되는 재질의 막질이 형성되도록 하는 것이다. 여기서, 가스 공급관과 가스 배기관은 챔버의 하단에 고정 플랜지와 같은 수단을 통하여 결합되는 매니폴드에 의해 챔버와 연결된다.In general, semiconductor vacuum equipment is to supply a predetermined gas required to form a film of the wafer into the chamber at a high temperature and low pressure so that the film quality of the required material is formed on the surface of the wafer. Here, the gas supply pipe and the gas exhaust pipe are connected to the chamber by a manifold coupled to the bottom of the chamber through a means such as a fixing flange.

도 1은 종래의 매니폴드(10)의 종단면도를 나타낸 것이다. 도 1을 참조하면, 일반적으로 챔버 하단에 결합되는 매니폴드(10)는 대략 링 형상으로 구비된 3개의 부재가 적층되어 용접에 의해 접합 된다. 도 1에 도시된 것처럼, 두 개의 부재가 접하는 곳을 용접하여 접합한다. 더욱 구체적으로 설명하면, 제1 용접부(W1) 및 제2 용접부(W2)는 제1 부재(11) 및 제2 부재(12)가 접하는 부분을 용접하는 것으로 제1 부제(11) 및 제2 부재(12)가 접하는 외부에 태그용접 한 것이고, 제3 용접부(W3)는 제2 부재(12)에서 연장된 제3 부재(13) 및 플랜지부(14)가 접하는 내부에 올용접을 한 것이다.1 illustrates a longitudinal cross-sectional view of a conventional manifold 10. Referring to FIG. 1, in general, the manifold 10 coupled to the bottom of the chamber is laminated with three members provided in a substantially ring shape and joined by welding. As shown in Figure 1, the two parts are in contact with each other by welding. In more detail, the first welding portion W1 and the second welding portion W2 are welded to a portion where the first member 11 and the second member 12 are in contact with each other. The tag welding was carried out to the outside which 12 contacts, and the 3rd welding part W3 weld-welded the inside which the 3rd member 13 extended from the 2nd member 12 and the flange part 14 contact.

여기서, 제1 용접부(W1) 및 제2 용접부(W2)의 태그용접의 경우, 제1 부재(11) 및 제2 부재(12)의 외부로 용접살이 구비되는 것으로 이것은 마감이 좋지 않다는 단점이 있으며, 제3 용접부(W3)의 올용접의 경우 용접이 어려운 단점이 있다.Here, in the case of the tag welding of the first welding portion (W1) and the second welding portion (W2), the weld is provided to the outside of the first member 11 and the second member 12, which has a disadvantage that the finish is not good. In case of the all-welding of the third welding part W3, welding is difficult.

도 1에 도시된 것처럼 제1 부재(11)의 하면에 수직으로 연장된 링부재(P)를 더 구비하고, 제3 부재(13)의 상단에 외측으로 배치된 플랜지부(14)의 상면에 수직으로 연장된 링부재(P)를 더 구비한다. 종래의 링부재(P)는 링부재(P)가 배치되는 면에 홈을 파고 홈에 링부재(P)를 고정하여 용접에 의해 제1 부재(11) 및 플랜지부(14)에 결합된다. 하지만, 용접에 의해 결합된 링부재(P)의 경우 외관이 지저분하고 용접에 의해 손상되는 문제점이 있다.As shown in FIG. 1, a ring member P extending vertically to the lower surface of the first member 11 is further provided, and the upper surface of the flange portion 14 disposed outwardly on the upper end of the third member 13. It further comprises a ring member (P) extending vertically. The conventional ring member P is connected to the first member 11 and the flange portion 14 by welding by digging a groove on the surface on which the ring member P is disposed and fixing the ring member P to the groove. However, the ring member (P) coupled by welding has a problem that the appearance is dirty and damaged by welding.

본 발명의 목적은 용접이 용이한 반도체 진공 장비의 매니폴드를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a manifold of semiconductor vacuum equipment that is easy to weld.

위와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 진공 장비의 매니폴드는 링 형상으로서 중앙에 홀이 형성되어 내주면과 외주면이 형성된 제1 부재; 원통 형상으로서 상기 제1 부재 내주면의 직경과 동일한 직경의 내주면이 형성되고, 상기 제1 부재 외주면의 직경보다 작은 직경의 외주면이 형성되는 상측부와, 링 형상으로서 중앙에 홀이 형성되어 내주면과 외주면이 형성되며 상기 상측부의 하단에서 외측으로 절곡되어 수평 연장된 중앙부와, 그리고 원통 형상으로서 상기 중앙부 내주면의 직경보다 큰 직경의 내주면이 형성되고, 상기 중앙부의 외주면과 동일한 직경의 외주면이 형성된 하측부가 구비되는 제2 부재; 원통 형상으로서 상기 제2 부재 하측부의 내주면 및 외주면과 동일한 직경의 내주면 및 외주면이 형성된 제3 부재; 및 링 형상으로서 중앙에 홀이 형성되어 내주면과 외주면이 형성되며 상기 제3 부재의 상단 외측으로 절곡되어 수평 연장된 플랜지부를 포함하되, 반도체 진공 장비의 챔버 하단에 배치되어 상기 챔버로 가스를 공급 및 배기하는 반도체 진공 장비의 매니폴드에 있어서, 상기 제1 부재 내주면의 하단 및 상기 제2 부재의 상기 상측부의 내주면의 상단이 접합되는 단면에 V자 홈이 형성되어 상기 V자 홈에 용접살이 채워지는 제1 용접부; 및 상기 제2 부재의 상기 하측부의 내주면의 하단 및 상기 제3 부재 내주면의 상단이 접합되는 단면에 V자 홈이 형성되어 상기 V자 홈에 용접살이 채워지는 제2 용접부를 포함한다.In order to achieve the above object, the manifold of the semiconductor vacuum equipment according to an embodiment of the present invention is a ring-shaped first member having a hole formed in the center and the inner peripheral surface and the outer peripheral surface; An inner circumferential surface having a diameter equal to the diameter of the inner circumferential surface of the first member is formed in a cylindrical shape, an outer circumferential surface having a diameter smaller than the diameter of the outer circumferential surface of the first member is formed, and a hole is formed in the center as a ring shape to form an inner circumferential surface and an outer circumferential surface. The center portion is formed and is bent outwardly from the lower end of the upper portion and horizontally extended, and the inner circumferential surface having a diameter larger than the diameter of the inner circumferential surface as a cylindrical shape is formed, the lower side formed with an outer circumferential surface of the same diameter as the outer circumferential surface of the central portion A second member; A third member having a cylindrical shape having an inner circumferential surface and an outer circumferential surface having the same diameter as the inner and outer circumferential surfaces of the lower portion of the second member; And a flange having a ring shape formed at a center thereof to form an inner circumferential surface and an outer circumferential surface, the flange portion being bent outward of the upper end of the third member and extending horizontally, disposed at a lower end of the chamber of the semiconductor vacuum equipment to supply gas to the chamber. And exhausting the manifold of the semiconductor vacuum equipment, wherein a V-shaped groove is formed in a cross section where the lower end of the inner peripheral surface of the first member and the upper end of the inner peripheral surface of the upper portion of the second member are joined to fill the V-shaped groove. The first weld; And a second welding part in which a V-shaped groove is formed at a cross section at which a lower end of the inner peripheral surface of the lower part of the second member and an upper end of the inner peripheral surface of the third member are joined to each other, thereby filling the V-shaped groove with the welding teeth.

여기서, 상기 용접살은, 상기 제1 부재 내지 상기 제3 부재와 동일한 성분을 포함할 수 있다.Here, the weld teeth may include the same components as the first member to the third member.

또한, 상기 용접살은, 상기 제1 부재 내지 상기 제3부재의 내주면과 동일한 표면이 평탄하게 마감 처리될 수 있다.In addition, the weld strip, the same surface as the inner peripheral surface of the first member to the third member may be finished with a flat finish.

나아가, 상기 제1 부재는 하면에 수직으로 연장되도록 깎아서 일체로 형성된 링부재를 더 포함하고, 상기 플랜지부는, 상면에 수직으로 연장되도록 깎아서 일체로 형성된 링부재를 더 포함할 수 있다.Further, the first member may further include a ring member integrally formed by shaving to extend perpendicularly to a lower surface, and the flange part may further include a ring member integrally formed by shaving to extend perpendicularly to an upper surface.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 진공 장비의 매니폴드에 의하면,According to the manifold of the semiconductor vacuum equipment according to the embodiment of the present invention,

첫째, 두 개의 부재의 접합면에 단면이 V자인 홈을 형성하여 V자 홈에 용접살을 채워 두 개의 부재를 접합함으로써 실드커버를 사용하지 않을 수 있고, 용접 개소를 줄일 수 있다.First, by forming a V-shaped groove on the joining surface of the two members and filling the V-shaped groove with a welding bar to join the two members, the shield cover may not be used and the welding location can be reduced.

둘째, 용접살을 접합 부재의 내주면과 동일하도록 평탄하게 하여 마감을 깔끔하게 할 수 있다.Second, the weld can be flattened to be the same as the inner peripheral surface of the joining member so that the finish can be neat.

셋째, 플랜지부에 형성된 링부재를 용접하여 구비하지 않고, 깎아서 형성하여 링부재의 손상을 방지할 수 있다.Third, it is possible to prevent the ring member from being damaged by forming it by cutting the ring member formed by the flange without welding.

도 1은 종래의 반도체 진공 장비의 매니폴드를 나타낸 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 진공 장비의 매니폴드를 저면에서 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 진공 장비의 매니폴드를 나타낸 종단면도이다.1 is a longitudinal cross-sectional view showing a manifold of a conventional semiconductor vacuum equipment.
2 is a perspective view showing the manifold of the semiconductor vacuum equipment according to the embodiment of the present invention from the bottom.
3 is a longitudinal sectional view showing a manifold of a semiconductor vacuum device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that, in the drawings, the same components are denoted by the same reference symbols as possible. Further, the detailed description of known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, some of the components in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically illustrated.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 진공 장비의 매니폴드를 저면에서 나타낸 사시도, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 진공 장비의 매니폴드를 나타낸 종단면도이다.Figure 2 is a perspective view showing a manifold of a semiconductor vacuum equipment according to an embodiment of the present invention from the bottom, Figure 3 is a longitudinal sectional view showing a manifold of the semiconductor vacuum equipment according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 반도체 진공 장비의 매니폴드(100)는 반도체 진공 장비의 챔버 하단에 배치되어 챔버로 가스를 공급 및 배기하되, 제1 부재(110), 제2 부재(120), 제3 부재(130), 플랜지부(140), 제1 용접부(200) 및 제2 용접부(300)를 포함한다.2 and 3, the manifold 100 of the semiconductor vacuum equipment is disposed at the bottom of the chamber of the semiconductor vacuum equipment to supply and exhaust gas to the chamber, and the first member 110 and the second member 120. , The third member 130, the flange part 140, the first welding part 200, and the second welding part 300.

제1 부재(110)는 링 형상으로 중앙에 홀이 형성되어 내주면과 외주면이 형성된다.The first member 110 has a ring shape and a hole is formed in the center thereof to form an inner circumferential surface and an outer circumferential surface.

제2 부재(120)는 상측부(121), 중앙부(122) 및 하측부(123)를 포함하고 제1 부재(110)와 용접에 의해 접합한다.The second member 120 includes an upper portion 121, a central portion 122, and a lower portion 123 and is bonded to the first member 110 by welding.

더욱 구체적으로 설명하면 상측부(121)는 원통 형상으로 제1 부재(110) 내주면의 직경과 동일한 직경의 내주면이 형성되고, 제1 부재(110) 외주면의 직경보다 작은 직경의 외주면이 형성된다. 중앙부(122)는 링 형상으로 중앙에 홀이 형성되어 내주면과 외주면이 형성되며 상측부(121)의 하단에서 외측으로 절곡되어 수평 연장된다. 하측부(123)는 원통 형상으로 중앙부(122) 내주면의 직경보다 큰 직경의 내주면이 형성되고, 중앙부(122)의 외주면과 동일한 직경의 외주면이 형성되어 배치된다.More specifically, the upper side 121 has a cylindrical shape and an inner circumferential surface having the same diameter as that of the inner circumferential surface of the first member 110 is formed, and an outer circumferential surface having a diameter smaller than the diameter of the outer circumferential surface of the first member 110 is formed. The central portion 122 has a ring shape and a hole is formed at the center thereof to form an inner circumferential surface and an outer circumferential surface, and are bent outwardly from the lower end of the upper portion 121 to extend horizontally. The lower side portion 123 has a cylindrical shape and an inner circumferential surface having a diameter larger than that of the inner circumferential surface of the central portion 122 is formed, and an outer circumferential surface having the same diameter as the outer circumferential surface of the central portion 122 is formed and disposed.

도 2 및 도 3에 도시된 것처럼, 제2 부재(120)의 하측부(123)는 일면에 가스 공급관(122a) 및 가스 배기관(122b)이 배치되어, 매니폴드(100)를 이용하여 챔버 내부로 가스를 공급 및 배기할 수 있다.2 and 3, the lower side 123 of the second member 120 has a gas supply pipe 122a and a gas exhaust pipe 122b disposed on one surface thereof, and the inside of the chamber using the manifold 100. Furnace gas can be supplied and exhausted.

나아가, 종래의 매니폴드(10)는 도 1에 도시된 것처럼, 제1 부재(11)가 단면이 l 자 형상인 제2 부재(12)와 용접되는 반면, 본 발명의 매니폴드(100)는 도 3에 도시된 것처럼, 제1 부재(110)의 단면이 ㅡ 자 형상으로 구비되어 제2 부재(120)와 용접되는 것으로 종래의 매니폴드(10)에 비해 본 발명의 매니폴드(100)의 제1 부재(110)와 제2 부재(120)의 용접이 용이하며 더욱이 용접개소도 줄일 수 있다.Furthermore, the conventional manifold 10 is welded with the second member 12 having a l-shaped cross section while the manifold 100 of the present invention is welded, as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the cross section of the first member 110 is provided in a? -Shape to be welded to the second member 120, so that the manifold 100 of the present invention is compared with the conventional manifold 10. Welding of the first member 110 and the second member 120 is easy, and the welding location can be further reduced.

다음으로, 제3 부재(130)는 제2 부재 하측부의 내주면 및 외주면과 동일한 직경의 내주면 및 외주면이 형성된 원통 형상으로 구비된다.Next, the third member 130 is provided in a cylindrical shape having an inner circumferential surface and an outer circumferential surface having the same diameter as the inner circumferential surface and the outer circumferential surface of the lower portion of the second member.

플랜지부(140)는 링 형상으로 중앙에 홀이 형성되어 내주면과 외주면이 형성되며 제3 부재(130)의 상단 외측으로 절곡되어 수평 연장되도록 배치된다.The flange portion 140 has a ring shape and a hole is formed in the center thereof to form an inner circumferential surface and an outer circumferential surface, and are arranged to be horizontally extended by bending to the outside of the upper end of the third member 130.

즉, 종래의 매니폴드(10)의 경우 도 1에 도시된 것처럼 제3 부재(13)와 플랜지부(14)를 용접하는 반면, 본 발명의 매니폴드(100)는 도 3에 도시된 것처럼 제3 부재(130)와 제2 부재(120)를 용접에 의해 접합하고 플랜지부(140)는 제3 부재(130)의 상단에 구비되도록 가공하여 용접을 쉽게 할 수 있다.That is, in the case of the conventional manifold 10, while welding the third member 13 and the flange portion 14 as shown in Figure 1, the manifold 100 of the present invention is made as shown in FIG. The third member 130 and the second member 120 may be joined by welding, and the flange 140 may be processed to be provided at the upper end of the third member 130 to facilitate welding.

다음으로, 제1 용접부(200)는 도 3에 도시된 것처럼 제1 부재(110) 내주면의 하단 및 제2 부재(120)의 상측부(121)의 내주면의 상단이 접합되는 단면에 V자 홈이 형성되어 V자 홈에 용접살이 채워져 제1 부재(110)와 제2 부재(120)를 접합한다.Next, as shown in FIG. 3, the first welding part 200 has a V-shaped groove in a cross section where the lower end of the inner circumferential surface of the first member 110 and the upper end of the inner circumferential surface of the upper portion 121 of the second member 120 are joined. This is formed so that the weld fills the V-shaped groove to join the first member 110 and the second member 120.

또한, 제2 용접부(300)는 제2 부재(120)의 하측부(123)의 내주면의 하단 및 제3 부재(130) 내주면의 상단이 접합되는 단면에 V자 홈이 형성되어 V자 홈에 용접살이 채워져 제2 부재(120)와 제3 부재(130)를 접합한다.In addition, the second welding part 300 has a V-shaped groove formed at a cross section where the lower end of the inner circumferential surface of the lower side 123 of the second member 120 and the upper end of the inner circumferential surface of the third member 130 are joined to each other to form a V-shaped groove. The welding rod is filled to bond the second member 120 and the third member 130 to each other.

여기서, 제1 용접부(200) 및 제2 용접부(300)는 제1 부재(110) 내지 제3 부재(130)와 동일한 성분을 포함할 수 있으며, 제1 용접부(200) 및 제2 용접부(300)는 제1 부재(110) 내지 제3 부재(130)의 내주면과 동일하도록 표면이 평탄하게 처리되어 마감이 용이하다.Here, the first welding part 200 and the second welding part 300 may include the same components as the first member 110 to the third member 130, and the first welding part 200 and the second welding part 300. ) Has a flat surface to be the same as the inner peripheral surface of the first member 110 to the third member 130 is easy to finish.

도 3에 도시된 것처럼 제1 부재(110)는 하면에 링부재(P)를 더 포함하는데, 링부재(P)는 하면에 수직으로 연장되도록 깎아서 형성된다. 즉, 도 1에 도시된 것처럼 종래에 링부재(P)는 용접하여 형성되는 것에 비해, 도 3에 도시된 것처럼 본 발명의 링부재(P)는 깎아서 형성되기 때문에 종래에 비해 견고하게 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, the first member 110 further includes a ring member P on the lower surface, and the ring member P is formed by shaving to extend perpendicular to the lower surface. That is, as shown in FIG. 1, the ring member P is conventionally formed by welding, whereas the ring member P of the present invention is formed by shaving as shown in FIG. have.

마찬가지로, 플랜지부(140)는 상면에 링부재(P)를 더 포함하는데, 링부재(P)는 상면에 수직으로 연장되도록 깎아서 형성된다.
Similarly, the flange portion 140 further includes a ring member P on the upper surface, and the ring member P is formed by cutting to extend perpendicular to the upper surface.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.It should be noted that the embodiments of the present invention disclosed in the present specification and drawings are only illustrative of the present invention in order to facilitate the understanding of the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.

100...매니폴드 110...제1 부재
120...제2 부재 130...제3 부재
140...플랜지부 200...제1 용접부
300...제2 용접부 P...링부재100 ... manifold 110 ... first member
120 ... second member 130 ... third member
140 Flange 200 First weld
300 ... 2nd welding part P ... ring member

Claims (4)

링 형상으로서 중앙에 홀이 형성되어 내주면과 외주면이 형성된 제1 부재; 원통 형상으로서 상기 제1 부재 내주면의 직경과 동일한 직경의 내주면이 형성되고, 상기 제1 부재 외주면의 직경보다 작은 직경의 외주면이 형성되는 상측부와, 링 형상으로서 중앙에 홀이 형성되어 내주면과 외주면이 형성되며 상기 상측부의 하단에서 외측으로 절곡되어 수평 연장된 중앙부와, 그리고 원통 형상으로서 상기 중앙부 내주면의 직경보다 큰 직경의 내주면이 형성되고, 상기 중앙부의 외주면과 동일한 직경의 외주면이 형성된 하측부가 구비되는 제2 부재; 원통 형상으로서 상기 제2 부재 하측부의 내주면 및 외주면과 동일한 직경의 내주면 및 외주면이 형성된 제3 부재; 및 링 형상으로서 중앙에 홀이 형성되어 내주면과 외주면이 형성되며 상기 제3 부재의 상단 외측으로부터 절곡되어 상기 제3 부재와 일체로 수평 연장된 플랜지부를 포함하되, 반도체 진공 장비의 챔버 하단에 배치되어 상기 챔버로 가스를 공급 및 배기하는 반도체 진공 장비의 매니폴드에 있어서,
상기 제1 부재 및 상기 제2 부재의 접합단면은 'ㄱ'자 형상이되, 상기 제1 부재 내주면의 하단 및 상기 제2 부재의 상기 상측부의 내주면의 상단이 접합되는 단면에 V자 홈이 형성되어 상기 V자 홈에 용접살이 채워지는 제1 용접부; 및
상기 제2 부재 및 상기 제3 부재의 접합단면은 'ㄴ'자 형상이되, 상기 제2 부재의 상기 하측부의 내주면의 하단 및 상기 제3 부재 내주면의 상단이 접합되는 단면에 V자 홈이 형성되어 상기 V자 홈에 용접살이 채워지는 제2 용접부를 포함하는 반도체 진공 장비의 매니폴드.A first member having a ring shape in the center thereof, the first member having an inner circumferential surface and an outer circumferential surface; An inner circumferential surface having a diameter equal to the diameter of the inner circumferential surface of the first member is formed in a cylindrical shape, an outer circumferential surface having a diameter smaller than the diameter of the outer circumferential surface of the first member is formed, and a hole is formed in the center as a ring shape to form an inner circumferential surface and an outer circumferential surface. The center portion is formed and is bent outwardly from the lower end of the upper portion and horizontally extended, and the inner circumferential surface having a diameter larger than the diameter of the inner circumferential surface as a cylindrical shape is formed, the lower side formed with an outer circumferential surface of the same diameter as the outer circumferential surface of the central portion A second member; A third member having a cylindrical shape having an inner circumferential surface and an outer circumferential surface having the same diameter as the inner and outer circumferential surfaces of the lower portion of the second member; And a flange having a ring shape formed at a center thereof to form an inner circumferential surface and an outer circumferential surface, the flange portion being bent from an outer side of the upper end of the third member to extend horizontally integrally with the third member. In the manifold of the semiconductor vacuum equipment to supply and exhaust gas to the chamber,
A joining end surface of the first member and the second member has a '-' shape, and a V-shaped groove is formed in a cross section where the lower end of the inner circumferential surface of the first member and the upper end of the inner circumferential surface of the upper part of the second member are joined. A first welding part in which the V-groove is filled with weld bars; And
A joining end surface of the second member and the third member has a 'b' shape, and a V-shaped groove is formed in a cross section where the lower end of the inner peripheral surface of the lower part of the second member and the upper end of the inner peripheral surface of the third member are joined. And a second welding portion in which the V-groove is filled with the welding teeth. 청구항 1에 있어서,
상기 용접살은,
상기 제1 부재 내지 상기 제3 부재와 동일한 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 매니폴드.The method according to claim 1,
The weld rod,
A manifold comprising the same components as the first member to the third member. 청구항 2에 있어서,
상기 용접살은,
상기 제1 부재 내지 상기 제3부재의 내주면과 동일한 표면이 평탄하게 마감 처리된 것을 특징으로 하는 매니폴드.The method according to claim 2,
The weld rod,
Manifold, characterized in that the same surface as the inner peripheral surface of the first member to the third member is a flat finish. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 부재는
하면에 수직으로 연장되도록 깎아서 일체로 형성된 링부재를 더 포함하고,
상기 플랜지부는,
상면에 수직으로 연장되도록 깎아서 일체로 형성된 링부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매니폴드.The method according to claim 1,
The first member
It further comprises a ring member integrally formed by cutting to extend perpendicular to the lower surface,
The flange portion
The manifold further comprises a ring member integrally formed by cutting to extend perpendicular to the upper surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6233147A (en) * 1985-08-06 1987-02-13 マツクダ−ミツド，インコ−ポレ−テツド Composition for electroplating, manufacture and surfactant compound therefor
KR970017985A (en) * 1995-09-29 1997-04-30 김주용 Thin film deposition equipment
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KR20050114460A (en) * 2004-06-01 2005-12-06 삼성전자주식회사 Wafer heating furnace and apparatus for chemical vapor deposition including the same

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