KR101381738B1 - Method of manufacturing auxiliary electrode in organic light emitting diode - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a method of forming auxiliary wires in an organic light emitting diode. The method of forming the auxiliary wires in the organic light emitting diode according to one embodiment of the present invention includes a first step of preparing a substrate provided with a first electrode at a top surface thereof and depositing negative photoresist on the top surface of the first electrode; a second step of performing an exposure and development process with respect to the negative photoresist through a photolithography process so that first and second electrode pattern parts, each of which has a pair of pattern parts that are reversely tapered and spaced apart from each other by a predetermined distance, are formed at both side portions of the top surface of the first electrode, respectively; a third step of forming an organic layer only at a region of the top surface of the first electrode interposed between the first and second electrode pattern parts; and a fourth step of forming a second electrode at an upper portion of the organic layer and forming auxiliary at regions between the pattern parts, respectively, by simultaneously depositing a metallic thin film on the upper portion of the organic layer, the regions between the part of the pattern parts constituting the first wire pattern part and the regions between the pair of the pattern parts constituting the second wire pattern part.

Description

유기발광소자의 보조배선 형성 방법{METHOD OF MANUFACTURING AUXILIARY ELECTRODE IN ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}Auxiliary wiring formation method of organic light emitting device {METHOD OF MANUFACTURING AUXILIARY ELECTRODE IN ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}

본 발명은 유기발광소자의 보조배선 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대면적 유기발광소자에서의 보조배선 형성과 관련하여 종래 공정을 간소화시킨 보조배선 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming auxiliary wirings of an organic light emitting device, and more particularly, to a method for forming auxiliary wirings, which simplifies a conventional process in connection with forming auxiliary wirings in a large area organic light emitting device.

유기발광소자(OLED, Organic Light Emitting Diode)는 유기물질의 전계발광현상(Electroluminescence)을 이용하는 자체 발광형 소자로 디스플레이 및 조명 분야에서 각광을 받고 있다. Organic light emitting diodes (OLEDs) are self-luminous devices that use electroluminescence of organic materials, and are being spotlighted in the field of display and lighting.

이와 같은 유기발광소자는 애노드 전극에서 주입된 정공(hole)과 캐소드 전극에서 주입된 전자(electron)가 여기상태를 거쳐 다시 재결합하는 과정에서 발광되는 원리를 이용한 것인데, 통상적으로는 기판 위에 적층되는 양 전극(애노드 전극 및 캐소드 전극) 사이에 다양한 유기물층(예를 들어, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등)을 적층시켜 구성된다. 이 때, 애노드 전극으로는 일반적으로 ITO(indium tin oxide)가 사용되며, 캐소드 전극으로는 애노드 전극보다 일함수가 낮은 금속을 사용하게 된다. Such an organic light emitting device uses a principle in which holes injected from an anode electrode and electrons injected from a cathode electrode emit light in a process of recombination through an excited state, and are typically stacked on a substrate. Various organic material layers (for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc.) are laminated between electrodes (anode electrode and cathode electrode). In this case, indium tin oxide (ITO) is generally used as the anode electrode, and a metal having a lower work function than the anode electrode is used as the cathode electrode.

그런데, 유기발광소자의 발광면적이 커지게 될 경우에는 금속으로 형성되는 캐소드 전극에 비하여 상대적으로 애노드 전극의 저항이 크므로, 정공의 주입이 원활하지 못하게 되는 현상이 나타나게 된다. 그 결과, 양 전극과 가까운 부분만이 발광하게 되거나 전하수송체(정공 또는 전자)가 일부지역에 몰리게 되므로 소자가 파괴되는 등의 안정성 문제가 발생하게 되었다. However, when the light emitting area of the organic light emitting diode becomes large, the anode electrode has a relatively large resistance as compared to the cathode electrode formed of metal, and thus the hole injection is not smooth. As a result, only a portion close to both electrodes emits light, or charge carriers (holes or electrons) are concentrated in some areas, resulting in stability problems such as destruction of the device.

상술한 문제점을 해결하기 위해서, 애노드 전극에 저항이 작은 금속으로 보조배선(auxiliary electrode)을 형성시키는 방법이 사용되어 왔다. In order to solve the above problem, a method of forming an auxiliary electrode of a metal having a low resistance on the anode has been used.

도 1 내지 도 9는 종래 보조배선을 형성시키는 방법을 개략적으로 도시한 도면인 바, 상기 도면들을 참조하여 종래 보조배선을 형성시키는 방법에 대해 설명하도록 한다. 1 to 9 are schematic views illustrating a method of forming a conventional auxiliary wiring, and a method of forming a conventional auxiliary wiring will be described with reference to the drawings.

우선 기판(10)상에 애노드 전극(11)을 증착하고(도 1 참조), 애노드 전극(11) 상에 보조배선으로 기능할 금속박막(12)을 전면 증착한다(도 2 참조). 다음으로, 금속박막(12)으로 보조배선을 형성하기 위하여 금속박막(12) 상부에 포지티브 포토레지스트(13, positive photoresist)를 전면 도포하고 베이킹(baking)을 거친다(도 3 참조). 다음으로, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용하여 포지티브 포토레지스트(13)를 패터닝하여 포지티브 포토레지스트 패턴부(14)를 형성한다. 상기 포토리소그래피 공정은 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 것으로 일반적인 공정이므로 구체적인 설명은 생략하도록 한다(도 4 참조). 다음으로, 포지티브 포토레지스트 패턴부(14)에 대응하여 금속박막(12)을 식각시켜 보조배선(15)을 형성한다(도 5 참조). 보조배선(15)을 형성한 다음에는 보조배선(15) 상부에 형성된 포지티브 포토레지스트 패턴부(14)를 제거하고(도 6 참조), 보조배선(15)의 상부면이 유기물과 직접 접촉하는 것을 방지하기 위하여 절연부(16)로 보조배선(15)을 포함한 애노드 전극(11) 상부면에 전면 코팅한다(도 7 참조). 이후, 포토리소그래피 공정을 통해 절연부(16)를 패터닝하여 절연부(16)가 보조배선(15)을 감싸는 형태가 되도록 형성한 다음(도 8 참조), 절연부(16)를 포함한 애노드 전극(11) 상부면에 유기물층(17)을 증착하고 다시 유기물층(17) 상부에는 캐소드 전극(18)을 증착함으로써 유기발광소자를 완성하게 된다. First, the anode electrode 11 is deposited on the substrate 10 (see FIG. 1), and the metal thin film 12 to function as an auxiliary line is deposited on the anode electrode 11 (see FIG. 2). Next, in order to form an auxiliary wiring with the metal thin film 12, a positive photoresist 13 is coated on the metal thin film 12 and then baked (see FIG. 3). Next, the positive photoresist 13 is patterned using a photolithography process to form the positive photoresist pattern portion 14. The photolithography process includes an exposure process and a development process, and thus a detailed description thereof will be omitted (see FIG. 4). Next, the metal thin film 12 is etched in correspondence with the positive photoresist pattern portion 14 to form the auxiliary wiring 15 (see FIG. 5). After the auxiliary wiring 15 is formed, the positive photoresist pattern portion 14 formed on the auxiliary wiring 15 is removed (see FIG. 6), and the upper surface of the auxiliary wiring 15 is in direct contact with the organic material. In order to prevent the front surface is coated on the upper surface of the anode electrode 11 including the auxiliary wiring 15 with the insulating portion (16). Subsequently, the insulating part 16 is patterned through a photolithography process to form the insulating part 16 so as to surround the auxiliary wiring 15 (see FIG. 8), and then the anode electrode including the insulating part 16 ( 11) The organic light emitting device is completed by depositing the organic layer 17 on the upper surface and depositing the cathode electrode 18 on the organic layer 17 again.

그런데, 상술한 것과 같은 종래 보조배선을 형성시키는 방법은 노광 공정 및 현상 공정이 포함되는 포토리소그래피 공정이 2회 이상 사용되므로 공정이 전반적으로 복잡해지는 문제가 있었으며, 유기물층이 보조배선을 덮는 형태로 형성되므로 상기 유기물층이 균일한 두께로 형성되지 못하여 발광효율이 저하되는 문제점이 있었다. However, the conventional method of forming the auxiliary wiring as described above has a problem that the overall process is complicated because the photolithography process including the exposure process and the developing process is used two or more times, and the organic material layer is formed in such a manner as to cover the auxiliary wiring. Therefore, the organic material layer was not formed to a uniform thickness, there was a problem that the luminous efficiency is reduced.

따라서, 유기발광소자에서 보조배선을 형성시킴에 있어서, 보다 간단하고 발광효율을 유지 가능한 방법이 모색되고 있다.Therefore, in forming the auxiliary wiring in the organic light emitting device, a simpler and easier method of maintaining the luminous efficiency has been sought.

본 발명의 실시예들은 유기발광소자의 보조배선을 형성함에 있어 간단한공정으로 보조배선을 제조 가능할 뿐더러, 유기물층을 균일한 두께로 형성하여 발광효율이 저하되지 않는 유기발광소자의 보조배선 형성 방법을 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention provide a method for forming an auxiliary wiring of an organic light emitting diode, in which the auxiliary wiring can be manufactured by a simple process in forming the auxiliary wiring of the organic light emitting diode, and the organic material layer is formed to a uniform thickness so that the luminous efficiency is not reduced. I would like to.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상부면에 제1 전극이 형성된 기판을 마련하고, 상기 제1 전극 상부면에 네가티브 포토레지스트를 도포하는 1단계; 포토리소그래피 공정을 이용하여, 역테이퍼 형상을 가지며 소정 간격 이격되는 한 쌍의 패턴부로 구성되는 제1 배선패턴부 및 제2 배선패턴부가 상기 제1 전극 상부면 양측부에 각각 형성되도록 상기 네가티브 포토레지스트를 노광 및 현상하는 2단계; 상기 제1 전극 상부면에 유기물층을 형성하되, 상기 제1 배선패턴부와 제2 배선패턴부 사이에 존재하는 영역에만 형성하는 3단계; 및 상기 유기물층 상부 영역, 상기 제1 배선패턴부를 이루는 한 쌍의 패턴부 사이의 영역 및 상기 제2 배선패턴부를 이루는 한 쌍의 패턴부 사이의 영역에 금속박막을 동시에 증착함으로써, 상기 유기물층 상부 영역에는 제2 전극을 형성하고 상기 패턴부 사이의 영역에는 보조배선을 각각 형성하는 4단계를 포함하는 유기발광소자의 보조배선 형성 방법이 제공될 수 있다. According to an aspect of the invention, the step of providing a substrate having a first electrode formed on the upper surface, and applying a negative photoresist on the first electrode upper surface; By using the photolithography process, the negative photoresist is formed such that the first wiring pattern portion and the second wiring pattern portion formed of a pair of pattern portions having an inverse taper shape and spaced apart by a predetermined interval are formed on both sides of the upper surface of the first electrode, respectively. Exposing and developing step 2; Forming an organic layer on an upper surface of the first electrode and forming only an area between the first wiring pattern portion and the second wiring pattern portion; And simultaneously depositing a metal thin film in an area between the organic material layer upper region, a region between the pair of pattern portions forming the first wiring pattern portion, and an area between the pair of pattern portions forming the second wiring pattern portion, An auxiliary wiring forming method of an organic light emitting diode may be provided, including forming a second electrode and forming four auxiliary wirings in a region between the pattern portions.

이 때, 상기 제1 전극은 ITO(Indium tin oxide), FTO(fluorine doped tin oxide), AZO(aluminum doped zink oxide), IZO(indium zink oxide) 또는 GZO(gallium doped ZnO)일 수 있다. In this case, the first electrode may be indium tin oxide (ITO), fluorine doped tin oxide (FTO), aluminum doped zink oxide (AZO), indium zink oxide (IZO), or gallium doped ZnO (GZO).

한편, 상기 금속박막은 상기 제1 전극보다 낮은 일함수를 갖는 금속으로 형성되는 것으로, 금, 은, 알루미늄, 칼슘, 마그네슘, 바륨, 몰리브덴 및 Al로 이루어진 군에서 선택되는 금속 또는 이들의 합금일 수 있다. Meanwhile, the metal thin film is formed of a metal having a lower work function than the first electrode, and may be a metal selected from the group consisting of gold, silver, aluminum, calcium, magnesium, barium, molybdenum and Al, or an alloy thereof. have.

또한, 상기 유기물층 상부에 증착되는 금속박막은 상기 유기물층의 면적보다 작은 크기로 형성될 수 있다. In addition, the metal thin film deposited on the organic material layer may be formed to a size smaller than the area of the organic material layer.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명의 일 측면에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법으로 제조되는 유기발광소자가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, an organic light emitting device manufactured by the auxiliary wiring forming method of the organic light emitting device according to an aspect of the present invention may be provided.

본 발명의 실시예들은 네가티브 포토레지스트로 역테이퍼 형상을 가지는 배선패턴부를 형성하여 보조배선과 캐소드 전극을 동시에 형성함으로써, 제조공정을 크게 줄일 수 있다. 또한, 포토리소그래피 공정을 최소한으로 적용시키는 것이 가능하므로 제조공정을 줄일 수 있다. Embodiments of the present invention can greatly reduce the manufacturing process by forming a wiring pattern portion having a reverse tapered shape with a negative photoresist to form an auxiliary wiring and a cathode electrode at the same time. In addition, it is possible to apply the photolithography process to a minimum, thereby reducing the manufacturing process.

또한, 유기물층과 보조배선을 독립적으로 배치하여 유기물층을 균일한 두께로 형성시킴으로써, 유기물층의 비균일한 두께로 인한 발광효율의 저하를 방지할 수 있다.In addition, by separately placing the organic material layer and the auxiliary wiring to form an organic material layer with a uniform thickness, it is possible to prevent the degradation of the luminous efficiency due to the non-uniform thickness of the organic material layer.

도 1 내지 도 9는 종래 보조배선을 형성시키는 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10 내지 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법의 공정도이다.
도 15는 도 14의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.1 to 9 are diagrams schematically showing a method of forming a conventional auxiliary wiring.
10 to 14 are flowcharts illustrating a method for forming auxiliary wirings of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
15 is a view schematically showing another embodiment of FIG. 14.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법은 상부면에 제1 전극이 형성된 기판을 마련하고, 상기 제1 전극 상부면에 네가티브 포토레지스트를 도포하는 1단계; 포토리소그래피 공정을 이용하여, 역테이퍼 형상을 가지며 소정 간격 이격되는 한 쌍의 패턴부로 구성되는 제1 배선패턴부 및 제2 배선패턴부를 상기 제1 전극 상부면 양측부에 각각 형성되도록 상기 네가티브 포토레지스트를 노광 및 현상하는 2단계; 상기 제1 전극 상부면에 유기물층을 형성하되, 상기 제1 배선패턴부 및 제2 배선패턴부 사이 영역에만 형성하는 3단계; 및 상기 유기물 상부 및 상기 패턴부 사이에 금속박막을 동시에 증착함으로써, 상기 유기물 상부에는 제2 전극을 형성하고 상기 패턴부 사이에는 보조배선을 형성하는 4단계를 포함한다. 이하, 각 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법의 각 단계에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다. The auxiliary wiring forming method of the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises the steps of providing a substrate having a first electrode formed on the upper surface, and applying a negative photoresist on the upper surface of the first electrode; Using the photolithography process, the negative photoresist is formed such that the first wiring pattern portion and the second wiring pattern portion each having a reverse taper shape and a pair of pattern portions spaced at predetermined intervals are formed on both sides of the first electrode upper surface, respectively. Exposing and developing step 2; Forming an organic layer on an upper surface of the first electrode and forming only an area between the first wiring pattern portion and the second wiring pattern portion; And simultaneously depositing a metal thin film between the upper part of the organic material and the pattern part, forming a second electrode on the upper part of the organic material, and forming an auxiliary wiring between the pattern parts. Hereinafter, each step of the auxiliary wiring forming method of the organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 10 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법의 공정도이다. 10 to 14 are flowcharts illustrating a method for forming auxiliary wirings of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 우선 상부면에 제1 전극(120)이 형성된 기판(110)을 마련한다. 기판(110)은 유리, PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PP(polypropylene), PI(polyimide), PC(polycarbornate), PS(polystylene), POM(polyoxyethylene), AS(acrylonitrile styrene copolymer) 수지, ABS(acrylonitrile butadiene styrene copolymer) 수지 및 TAC(Triacetyl cellulose) 등을 포함하는 플라스틱과 같은 유연하고 투명한 물질일 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.Referring to FIG. 10, first, a substrate 110 having a first electrode 120 formed on an upper surface thereof is prepared. Substrate 110 is glass, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polypropylene (PP), polyimide (PP), polycarbornate (PC), polystylene (PS), polyoxyethylene (POM), acrylonitrile styrene copolymer (AS) It may be a flexible and transparent material such as a plastic, including a resin, an acrylonitrile butadiene styrene copolymer (ABS) resin, triacetyl cellulose (TAC), and the like, but is not limited thereto.

제1 전극(120)은 애노드의 기능을 하는 것으로, 제2 전극(160, 도 14 참조)보다 일함수가 큰 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(120)은 ITO(indium tin oxide), 금, 은, 플로린이 도핑된 틴 옥사이드(fluorine doped tin oxide; FTO), 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(aluminum doped zink oxide, AZO), IZO(indium zink oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 또는 PEDOT:PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate))일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 애노드로 기능하는 모든 종류의 공지의 물질들이 사용될 수 있다. The first electrode 120 functions as an anode, and a material having a larger work function than the second electrode 160 (see FIG. 14) may be used. For example, the first electrode 120 may be formed of indium tin oxide (ITO), gold, silver, or fluorine doped tin oxide (FTO), or aluminum doped zink oxide (AZO). ), Indium zink oxide (IZO), ZnO-Ga 2 O 3 , ZnO-Al 2 O 3 , or PEDOT: PSS (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene): poly (styrenesulfonate)), but is not limited thereto. All kinds of known materials which function as anodes can be used.

다만, 설명의 편의를 위해서 본 명세서에서는 기판(110)이 유리 기판이고, 제1 전극(120)이 ITO로 형성된 경우를 중심으로 설명하도록 한다. However, for convenience of description, in the present specification, the substrate 110 is a glass substrate, and the first electrode 120 is formed of ITO.

다음으로 도 11을 참조하면, 제1 전극(120) 상부면에 네가티브 포토레지스트(130)를 도포한다. 네가티브 포토레지스트(130)는 기판 내지 박막에 대하여 도포한 후에, 노광 및 현상 공정을 거쳤을 때에(포토리소그래피 공정) 비노광부가 제거되는 형태의 포토레지스트를 의미한다. 한편, 상술한 네가티브 포토레지스트(130)와 반대되는 포토레지스트로는 포지티브 포토레지스트가 있는데, 포지티브 포토레지스트는 포토리소그래피 공정에서 노광부가 제거되는 형태의 포토레지스트를 의미한다.Next, referring to FIG. 11, a negative photoresist 130 is coated on the upper surface of the first electrode 120. The negative photoresist 130 refers to a photoresist in which a non-exposed part is removed after the coating and the thin film are applied to the substrate and the thin film and then subjected to the exposure and development processes (photolithography step). On the other hand, the photoresist opposite to the negative photoresist 130 described above is a positive photoresist, a positive photoresist means a photoresist of the form that the exposed portion is removed in the photolithography process.

네가티브 포토레지스트(130)는 특정 물질로 한정되지 않으며, 통상적으로 입수 가능한 네가티브 포토레지스트(130)를 모두 사용 가능하다. 또한, 네가티브 포토레지스트(130)가 도포되는 두께 역시 특정 수치로 한정되지 않는다(이상 1 단계).The negative photoresist 130 is not limited to a specific material, and any of the negative photoresist 130 available in general may be used. In addition, the thickness to which the negative photoresist 130 is applied is also not limited to a specific value (above 1 step).

다음으로 도 12를 참조하면, 포토리소그래피 공정을 이용하여 네가티브 포토레지스트(130)를 노광 및 현상하여 배선패턴부(140)를 형성한다. 포토리소그래피 공정은 잘 알려진 공정이므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다. Next, referring to FIG. 12, the wiring pattern part 140 is formed by exposing and developing the negative photoresist 130 using a photolithography process. Since the photolithography process is a well known process, a detailed description thereof will be omitted.

배선패턴부(140)는 역테이퍼 형상을 가지며 소정 간격 이격되는 한 쌍의 패턴부(P)로 구성된다. 설명의 편의를 위하여, 도 12를 기준으로 제1 전극(120) 상부면 좌측에 형성된 한 쌍의 패턴부(P)를 제1 배선패턴부(141)라 칭하고, 제1 전극(120) 상부면 우측에 형성된 한 쌍의 패턴부(P)를 제2 배선패턴부(142)라 칭하기로 한다. The wiring pattern part 140 has a reverse taper shape and is composed of a pair of pattern parts P spaced apart from each other by a predetermined interval. For convenience of description, the pair of pattern portions P formed on the left side of the upper surface of the first electrode 120 is referred to as a first wiring pattern portion 141 based on FIG. 12 and the upper surface of the first electrode 120 is referred to. The pair of pattern portions P formed on the right side will be referred to as a second wiring pattern portion 142.

제1,2 배선패턴부(141,142)를 구성하는 패턴부(P)는 역테이퍼 형상을 갖는다(역사다리꼴). 여기에서 역테이퍼 형상이란 패턴부(P)가 상부에서 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 형상을 가지는 것을 의미한다. 이는 네가티브 포토레지스트(130)를 기판(110)의 상부면을 기준으로 노광 및 현상공정을 거쳐 패터닝하였을 때에 나타나는 현상으로(참고로 포지티브 포토레지스트를 패터닝할 때에는 패턴부가 사다리꼴의 테이퍼 형상을 갖는다), 패턴부(P)가 역테이퍼 형상을 가지기 때문에 네가티브 포토레지스트(130)로 형성된 패턴 상에 타겟 박막을 형성하는 경우에도 패턴부(P)의 측벽에 상기 타겟 박막의 잔류물들이 쌓이지 않는다는 장점이 있다. The pattern portion P constituting the first and second wiring pattern portions 141 and 142 has an inverse taper shape (inverse trapezoid). Here, the inverse taper shape means that the pattern portion P has a shape that becomes narrower from the top to the bottom. This is a phenomenon that occurs when the negative photoresist 130 is patterned through an exposure and development process based on the upper surface of the substrate 110 (for reference, the pattern portion has a trapezoidal tapered shape when patterning the positive photoresist). Since the pattern portion P has an inverse taper shape, even when a target thin film is formed on a pattern formed of the negative photoresist 130, residues of the target thin film do not accumulate on the sidewalls of the pattern portion P. .

패턴부(P)의 크기는 한정되지 않으며, 한 쌍의 패턴부(P)의 간격 또한 특정 수치로 한정되지 않는다. 후술하겠지만 한 쌍의 패턴부(P)의 간격은 보조배선(170)의 너비와 대응하므로, 형성하고자 하는 보조배선(170)의 크기에 대응하여 한 쌍의 패턴부(P)의 간격을 조정하는 것이 가능하다. The size of the pattern portion P is not limited, and the interval between the pair of pattern portions P is not limited to any particular value. As will be described later, since the spacing of the pair of pattern portions P corresponds to the width of the auxiliary wiring 170, the spacing of the pair of pattern portions P is adjusted to correspond to the size of the auxiliary wiring 170 to be formed. It is possible.

상기와 같이 제1,2 배선패턴부(141,142)가 형성되고 나면, 이로 인하여 생성되는 두 개의 영역을 새로 정의할 수 있다. 첫 번째 영역은 제1 배선패턴부(141)와 제2 배선패턴부(142) 사이의 영역이고, 두 번째 영역은 제1 배선패턴부(141)를 이루는 한 쌍의 패턴부(P) 사이의 영역과 제2 배선패턴부(142)를 이루는 한 쌍의 패턴부(P) 사이의 영역이다. 도 12에서는 상기 첫 번째 영역을 A로 표기하였고, 상기 두 번째 영역을 B로 표기하였음을 밝혀둔다(이상 2단계). After the first and second wiring pattern parts 141 and 142 are formed as described above, two regions to be generated may be newly defined. The first area is an area between the first wiring pattern part 141 and the second wiring pattern part 142, and the second area is between a pair of pattern parts P forming the first wiring pattern part 141. It is an area between the pair of pattern parts P forming the area and the second wiring pattern part 142. In FIG. 12, the first region is denoted as A, and the second region is denoted as B (two or more steps).

다음으로 도 13을 참조하면, 제1 전극(120) 상부면에 유기물층(150)을 형성하되, 제1 배선패턴부(141) 및 제2 배선패턴부(142) 사이 영역(영역 A)에만 형성한다. 즉, 상술한 두 개의 영역(영역 A 및 영역 B)중에서 중앙에 위치한 영역(영역 A)에만 유기물층(150)을 형성한다. 형성 방법은 한정되지 않으며, 통상의 유기물 증착 공정을 사용할 수 있다. Next, referring to FIG. 13, the organic material layer 150 is formed on the upper surface of the first electrode 120, but only in an area (region A) between the first wiring pattern part 141 and the second wiring pattern part 142. do. That is, the organic material layer 150 is formed only in the region (region A) located at the center among the two regions (region A and region B) described above. The formation method is not limited, and a conventional organic material deposition process can be used.

유기물층(150)은 유기발광소자에서 사용되는 통상의 유기물들로 이루어진 것으로, 다양한 기능의 유기물층이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 예를들어, 유기물층(150)은 정공수송층-발광층-전자수송층으로 이루어진 구조일 수 있다. 이 때, 상기 정공수송층, 발광층, 전자수송층은 특정 물질로 한정되지 않으며, 통상의 유기발광소자에서 정공수송층, 발광층, 전자수송층으로 기능하는 모든 종류의 공지된 물질들이 사용될 수 있다. The organic material layer 150 is formed of ordinary organic materials used in the organic light emitting device, and may include a structure in which organic material layers having various functions are stacked. For example, the organic material layer 150 may have a structure consisting of a hole transport layer-light emitting layer-electron transport layer. At this time, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer is not limited to a specific material, and all kinds of known materials that function as a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer in a conventional organic light emitting device can be used.

유기물층(150)의 두께는 특정 수치로 한정되지 않으며, 다양한 두께를 가지도록 형성되는 것이 가능하다. The thickness of the organic material layer 150 is not limited to a specific value, and may be formed to have various thicknesses.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법에서는 유기물층(150)과 보조배선(170, 도 14 참조)가 독립적으로 배치되므로 유기물층(150)이 균일한 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 따라서, 유기물층이 비균일한 두께로 형성될 때 발생할 수 있는 발광효율의 저하 문제가 일어나지 않는다는 장점이 있다(이상 3단계).In the auxiliary wiring forming method of the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, since the organic material layer 150 and the auxiliary wiring 170 (refer to FIG. 14) are disposed independently, the organic material layer 150 may be formed to have a uniform thickness. have. Therefore, there is an advantage that the problem of deterioration in luminous efficiency that may occur when the organic material layer is formed to have a non-uniform thickness does not occur (at least three steps).

다음으로 도 14를 참조하면, 유기물층(150) 상부에는 제2 전극(160)을 형성하고, 제1,2 배선패턴부(141,142)를 이루는 각 패턴부(P) 사이에는 보조배선(170)을 형성한다. 이 때, 제2 전극(160)과 보조배선(170)은 동시에 형성될 수 있다. 이는 유기물층(150) 상부와 패턴부(P) 사이에 금속박막을 동시에 증착함으로써 수행될 수 있다. Next, referring to FIG. 14, the second electrode 160 is formed on the organic layer 150, and the auxiliary wiring 170 is interposed between the pattern portions P forming the first and second wiring pattern portions 141 and 142. Form. In this case, the second electrode 160 and the auxiliary line 170 may be formed at the same time. This may be performed by simultaneously depositing a metal thin film between the organic layer 150 and the pattern portion P.

구체적으로, 유기물층(150)이 형성되어 있는 영역 A와, 제1,2 배선패턴부(141,142)를 구성하는 각 패턴부(P) 사이에 형성되어 있는 영역 B에 금속박막을 동시에 증착함으로써 제2 전극(160) 및 보조배선(170)이 형성될 수 있다. Specifically, the second thin film is simultaneously deposited in the region A in which the organic layer 150 is formed and in the region B formed between the pattern portions P constituting the first and second wiring pattern portions 141 and 142. The electrode 160 and the auxiliary line 170 may be formed.

이 때, 상기 금속박막은 제1 전극(120)보다 낮은 일함수를 가지는 금속일 수 있으며, 예를 들면, 금, 은, 알루미늄, 칼슘, 마그네슘, 바륨, 몰리브덴 및 Al로 이루어진 군에서 선택되는 금속 또는 이들의 합금일 수 있다. 그러나 상기 금속박막이 상기 열거한 물질들로 한정되는 것은 아니며, 애노드로 기능하는 모든 종류의 공지된 물질들이 사용될 수 있다. In this case, the metal thin film may be a metal having a lower work function than that of the first electrode 120. For example, the metal thin film may be selected from the group consisting of gold, silver, aluminum, calcium, magnesium, barium, molybdenum, and Al. Or alloys thereof. However, the metal thin film is not limited to the above-listed materials, and all kinds of known materials serving as anodes may be used.

제2 전극(160)은 애노드로 기능하는 것으로, 제1 전극(120)보다 일함수가 작은 물질이 사용될 수 있다. 또한, 보조배선(170)은 [발명의 배경이 되는 기술]에서 설명한 것과 같은 대면적의 유기발광소자 제조시에 나타나는 문제점(전압강하, 안정성 문제)을 해결하기 위한 것으로, 전도성이 높아 저항이 작은 금속으로 제조되면 충분하고 일함수의 크기는 한정되지 않는다. 이 때, 제2 전극(160)으로 기능하는 일함수가 작은 물질들은 금속들로 대부분 전도성이 높아 저항이 작은 금속이므로, 제2 전극(160)과 보조배선(170)을 동일한 물질로 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 제2 전극(160)과 보조배선(170)을 동시에 형성하는 것이 가능하며, 이에 따라 전체 공정 스텝이 줄어드는 효과가 있다. The second electrode 160 functions as an anode, and a material having a work function smaller than that of the first electrode 120 may be used. In addition, the auxiliary wiring 170 is to solve the problems (voltage drop, stability problems) appearing in manufacturing a large area organic light emitting device as described in [Technology that is the background of the invention], and has high resistance and low resistance. It is sufficient if it is made of metal and the size of the work function is not limited. At this time, since the materials having a small work function functioning as the second electrode 160 are mostly metals having high conductivity and low resistance, forming the second electrode 160 and the auxiliary wiring 170 with the same material is preferable. It is possible. Therefore, it is possible to form the second electrode 160 and the auxiliary wiring 170 at the same time, thereby reducing the overall process step.

또한, 제2 전극(160)과 보조배선(170)을 동시에 형성할 때에, 제1,2 배선전극부(141,142)의 패턴부(P)는 네가티브 포토레지스트를 패터닝하여 역테이퍼 형상을 가지므로 패턴부(P)의 측벽에 금속박막의 잔류물들이 쌓일 우려가 없다는 장점이 있다. In addition, when the second electrode 160 and the auxiliary wiring 170 are simultaneously formed, the pattern portion P of the first and second wiring electrode portions 141 and 142 has a reverse taper shape by patterning a negative photoresist. There is an advantage that the residues of the metal thin film do not accumulate on the sidewall of the portion P.

상기 [발명의 배경이 되는 기술]에서 설명한 종래 보조배선을 형성시키는 방법에서는 포지티브 포토레지스트를 패터닝하여 보조배선을 형성하였는 바, 보조배선이 유기물과 직접 접촉하는 것을 방지하기 위하여 절연부로 보조배선을 코팅하기 위한 추가 공정들이 도입되어야만 했다. In the conventional method of forming the auxiliary wiring described in [Background Art of the Invention], the auxiliary wiring is formed by patterning the positive photoresist, and the auxiliary wiring is coated with an insulating part to prevent the auxiliary wiring from directly contacting the organic material. Additional processes had to be introduced to do this.

또한, 포지티브 포토레지스트를 패터닝하면 테이퍼 형상의 패턴부들이 형성되므로, 포지티브 포토레지스트를 패터닝 한 후에 금속박막을 증착시키는 공정을 사실상 수행할 수 없었다. 왜냐하면, 이 경우에는 포지티브 포토레지스트를 패터닝하여 형성된 패턴부의 측벽에 금속박막의 잔류물들이 쌓이기 때문이다. 따라서, 포지티브 포토레지스트를 이용하는 경우에는 반드시 금속박막을 증착한 후에, 상기 금속박막 상부에 포지티브 포토레지스트를 도포하여야만 하였으며 이는 많은 공정들을 추가적으로 수반하게 되는 문제가 있었다. In addition, since the patterned portions having the tapered shape are formed when the positive photoresist is patterned, a process of depositing a metal thin film after patterning the positive photoresist is virtually impossible. This is because in this case, residues of the metal thin film accumulate on the sidewalls of the pattern portion formed by patterning the positive photoresist. Therefore, in the case of using a positive photoresist, after depositing a metal thin film, a positive photoresist must be applied on the metal thin film, which involves a lot of processes.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법에서는 네가티브 포토레지스트를 사용함으로써, 제2 전극(160) 및 보조배선(170)을 동시에 형성할 수 있으며 별도의 절연부가 필요하지 않을 뿐만 아니라, 네가티브 포토레지스트로 패턴부를 형성한 다음에 금속박막을 영역 A 및 B에 선택적으로 증착시킴으로써 종래의 제조공정을 크게 줄일 수 있다. However, in the method of forming the auxiliary wiring of the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present invention, the second electrode 160 and the auxiliary wiring 170 may be simultaneously formed by using negative photoresist, and a separate insulating part is not required. In addition, the conventional manufacturing process can be greatly reduced by forming a pattern portion with a negative photoresist and then selectively depositing a metal thin film in the regions A and B. FIG.

제2 전극(160) 및 보조배선(170)의 두께는 한정되지 않으며, 다양한 두께로 형성될 수 있다. 한편, 제2 전극(160)은 유기물층(150)의 상부 면적보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 즉, 유기물층(150)의 상부에 금속박막을 증착시킬 때에 유기물층(150)의 상부 면적보다 작은 크기로 상기 금속박막을 증착시킬 수 있다. 이와 관련하여, 도 15에서는 제2 전극(160)이 유기물층(150)의 면적보다 작은 크기로 형성된 경우를 도시하였음을 밝혀둔다. The thickness of the second electrode 160 and the auxiliary line 170 is not limited, and may be formed in various thicknesses. Meanwhile, the second electrode 160 may be formed to have a size smaller than the upper area of the organic layer 150. That is, when the metal thin film is deposited on the organic layer 150, the metal thin film may be deposited to a size smaller than the upper area of the organic layer 150. In this regard, FIG. 15 shows that the second electrode 160 is formed to have a size smaller than the area of the organic layer 150.

제2 전극(160)이 유기물층(150)의 면적보다 작은 크기로 형성되는 경우에는, 제2 전극(160)의 형성시 또는 제2 전극(160)이 형성되고 난 후의 미스매치(mismatch)로 인하여 제1 전극(120)과 접촉할 우려가 없으므로 보다 신뢰성 높은 소자를 제조하는 것이 가능하다(이상 4단계).When the second electrode 160 is formed to have a smaller size than the area of the organic layer 150, due to mismatches when the second electrode 160 is formed or after the second electrode 160 is formed. Since there is no fear of contact with the first electrode 120, it is possible to manufacture a more reliable device (4 steps above).

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법에서는 네가티브 포토레지스트로 역테이퍼 형상을 가지는 배선패턴부를 형성하여 보조배선과 캐소드 전극을 동시에 형성함으로써, 제조공정을 크게 줄일 수 있다. 또한, 포토리소그래피 공정을 최소한으로 적용시키는 것이 가능하므로 제조공정을 줄일 수 있다. 또한, 유기물층과 보조배선을 독립적으로 배치하여 유기물층을 균일한 두께로 형성시킴으로써, 유기물층의 비균일한 두께로 인한 발광효율의 저하를 방지할 수 있다.As described above, in the method of forming the auxiliary wiring of the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present invention, a wiring pattern portion having a reverse taper shape is formed of negative photoresist to simultaneously form the auxiliary wiring and the cathode electrode, thereby greatly increasing the manufacturing process. Can be reduced. In addition, it is possible to apply the photolithography process to a minimum, thereby reducing the manufacturing process. In addition, by separately placing the organic material layer and the auxiliary wiring to form an organic material layer with a uniform thickness, it is possible to prevent the degradation of the luminous efficiency due to the non-uniform thickness of the organic material layer.

한편, 본 발명은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법으로 제조되는 유기발광소자를 추가적으로 제공할 수 있다. On the other hand, the present invention may further provide an organic light emitting device manufactured by the auxiliary wiring forming method of the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, many modifications and changes may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

10: 기판 11: 애노드 전극
12: 금속박막 13: 포지티브 포토레지스트
14: 포지티브 포토레지스트 패턴부 15: 보조배선
16: 절연부 17: 유기물층
18: 캐소드 전극 110: 기판
120: 제1 전극 130: 네가티브 포토레지스트
140: 배선패턴부 141: 제1 배선패턴부
142: 제2 배선패턴부 150: 유기물층
160: 제2 전극 170: 보조배선
P: 패턴부10: substrate 11: anode electrode
12: metal thin film 13: positive photoresist
14: positive photoresist pattern portion 15: auxiliary wiring
16: insulation 17: organic material layer
18: cathode electrode 110: substrate
120: first electrode 130: negative photoresist
140: wiring pattern portion 141: first wiring pattern portion
142: second wiring pattern portion 150: organic material layer
160: second electrode 170: auxiliary wiring
P: pattern portion

Claims (5)

상부면에 제1 전극이 형성된 기판을 마련하고, 상기 제1 전극 상부면에 네가티브 포토레지스트를 도포하는 1단계;
포토리소그래피 공정을 이용하여, 역테이퍼 형상을 가지며 소정 간격 이격되는 한 쌍의 패턴부로 구성되는 제1 배선패턴부 및 제2 배선패턴부가 상기 제1 전극 상부면 양측부에 각각 형성되도록 상기 네가티브 포토레지스트를 노광 및 현상하는 2단계;
상기 제1 전극 상부면에 유기물층을 형성하되, 상기 제1 배선패턴부와 제2 배선패턴부 사이에 존재하는 영역에만 형성하는 3단계; 및
상기 유기물층 상부 영역, 상기 제1 배선패턴부를 이루는 한 쌍의 패턴부 사이의 영역 및 상기 제2 배선패턴부를 이루는 한 쌍의 패턴부 사이의 영역에 금속박막을 동시에 증착함으로써, 상기 유기물층 상부 영역에는 제2 전극을 형성하고 상기 패턴부 사이의 영역에는 보조배선을 각각 형성하는 4단계를 포함하는 유기발광소자의 보조배선 형성 방법.Preparing a substrate having a first electrode formed on an upper surface thereof, and applying a negative photoresist to the upper surface of the first electrode;
By using the photolithography process, the negative photoresist is formed such that the first wiring pattern portion and the second wiring pattern portion formed of a pair of pattern portions having an inverse taper shape and spaced apart by a predetermined interval are formed on both sides of the upper surface of the first electrode, respectively. Exposing and developing step 2;
Forming an organic layer on an upper surface of the first electrode and forming only an area between the first wiring pattern portion and the second wiring pattern portion; And
By simultaneously depositing a metal thin film in the region between the upper portion of the organic layer, the region between the pair of pattern portions forming the first wiring pattern portion, and the region between the pair of pattern portions forming the second wiring pattern portion, And forming two electrodes and forming auxiliary wirings in the regions between the pattern portions, respectively. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극은 ITO(Indium tin oxide), FTO(fluorine doped tin oxide), AZO(aluminum doped zink oxide), IZO(indium zink oxide) 또는 GZO(gallium doped ZnO)인 유기발광소자의 보조배선 형성 방법.The method according to claim 1,
The first electrode may be a secondary wiring forming method of an organic light emitting diode, which is indium tin oxide (ITO), fluorine doped tin oxide (FTO), aluminum doped zink oxide (AZO), indium zink oxide (IZO), or gallium doped ZnO (GZO). . 청구항 1에 있어서,
상기 금속박막은 상기 제1 전극보다 낮은 일함수를 갖는 금속으로 형성되는 것으로, 금, 은, 알루미늄, 칼슘, 마그네슘, 바륨, 몰리브덴 및 Al로 이루어진 군에서 선택되는 금속 또는 이들의 합금인 유기발광소자의 보조배선 형성 방법.The method according to claim 1,
The metal thin film is formed of a metal having a lower work function than the first electrode, and is an organic light emitting diode which is a metal selected from the group consisting of gold, silver, aluminum, calcium, magnesium, barium, molybdenum and Al or an alloy thereof. Auxiliary wiring formation method. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기물층 상부에 증착되는 금속박막은 상기 유기물층의 면적보다 작은 크기로 형성되는 유기발광소자의 보조배선 형성 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The metal thin film deposited on the organic layer is formed in a smaller size than the area of the organic layer auxiliary wiring forming method of the organic light emitting device. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 유기발광소자의 보조배선 형성 방법으로 제조되는 유기발광소자.An organic light emitting device manufactured by the auxiliary wiring forming method of the organic light emitting device according to any one of claims 1 to 3.
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