KR101377615B1 - Ｈｔｓ 스트립 전도체들로 만들어진 바이필라 권선 및 권선스페이서를 가진 저항성 초전도성 전류 제한기 - Google Patents

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Abstract

저항성 초전도성 전류 제한기 장치는 HTS 스트립 전도체(12)로 만들어진 바이필라 권선(11)을 포함하고, 인접한 권선들(W1,Wi+1) 권선들 사이에 스페이서(13)가 제공되고, 냉각제에 대해 투명하다. 스페이서(13)는 그 위에 부착된 충분히 대량의 스페이서 엘리먼트들을 가진 전기 절연 지지 테이프(15)를 포함한다. 스페이서 엘리먼트들은 이격되고 고온 전도성을 가진 재료로 만들어진다. 스페이서 엘리먼트들(16i) 사이의 공간들은 냉각제를 위한 냉각 채널들(17)을 형성한다.

Description

ＨＴＳ 스트립 전도체들로 만들어진 바이필라 권선 및 권선 스페이서를 가진 저항성 초전도성 전류 제한기{RESISTIVE SUPERCONDUCTIVE CURRENT LIMITER DEVICE HAVING BIFILAR WINDING MADE OF HTS STRIP CONDUCTORS AND WINDING SPACER}
본 발명은 리본 형태의 적어도 하나의 HTS 전도체로 구성된 적어도 하나의 바이필라(bifilar) 코일 권선을 가진 저항 타입의 초전도성 전류 제한기 장치에 관한 것이고, 적어도 하나의 전기 절연 스페이서는 코일 권선의 인접 턴들 사이에 배열되고, 상기 스페이서는 적어도 기판에서 냉각제에 대해 투명하다. 이와 같은 저항성 전류 제한기 장치는 DE 10 2004 048 646 A1에 개시된다.
초전도성 금속 산화물 화합물들은 77K의 높은 임계 온도(TC)를 가지는 것으로 공지되었고, 그러므로 높은 TC 초전도체 재료들 또는 HTS 재료들이라 불리고, 특히 액체-질소(LN2) 냉각을 허용하고, 대응 HTS 전도체들을 사용하여 초전도성 전류 제한기 장치들을 설계하기 위하여 만들어졌다. 상기 전류 제한기 장치는 상기된 DE-A1 서류에 개시된다. 상기 전류 제한기 장치는 금속 텍스츄어 지지 리본, 특히 소위 니켈 합금(예를들어, "적용된 초전도성", 4권 10-11번, 1996년 403 내지 427 페이지)으로 구성된 RABiTS 리본을 가진 리본 형태의 적어도 하나의 HTS 전도체로 형성된다. CeO2 또는 Y2O3 같은 산화 버퍼 재료들, 및 특히 YBa2Cu3Ox(소위 "YBCO")로 구성된 HTS 재료로 만들어진 층 시스템은 이런 지지 리본상에 증착된다. 이 구조는 또한 소위 열지점(예를들어 DE 198 36 860 A1)을 억제하기 위하여 일반적으로 얇은 전도성 커버링 층이 코팅되고, 상기 열지점들에서 커버링 층 및 금속 기판 리본 사이의 전기적 섬락들을 방지하기 위한 조치들이 취해진다. 대응하는 전도체 타입은 또한 코팅된 전도체라 불린다. 공지된 전류 제한기 장치의 경우, 이와 같은 HTS 리본 전도체를 포함하는 나선형 바이필라 코일 권선은 감겨지고, 냉각제 LN2에 대해 우수한 접근성을 가진다. 이런 목적을 위하여, 리본 형태이고 절연 재료로 구성된 스페이서는 또한 HTS 리본 전도체에 감겨지고, 동시에 인접한 코일 턴들 사이의 적당한 상호 절연을 보장한다.
WO 99/33122는 초전도성 전도체 트랙을 가진 저항 타입의 초전도성 전류 제한기 장치를 개시한다. 초전도성 전도체 트랙은 바이필라 디스크 권선 형태이고, 절연 리본들은 전기 절연을 위해 권선의 인접한 리본 층들 사이에 배치된다. 이들과 같은 절연 리본들은 예를들어 물결 모양이거나 이랑 모양의 구조를 가질 수 있다.
EP 0 444 792 A2는 박막 초전도체(코팅된 전도체)를 포함하는 초전도성 코일을 개시한다. 박막 초전도체는 소위 팬케이크 코일을 형성하기 위하여 성형될 수 있다. 이 경우, 인접한 턴들은 지지 리본의 크기 방향으로 서로 효과적으로 이격되는 웨브(web)형 스페이싱 엘리먼트들에 의해 서로 이격될 수 있다.
요구된 HTS 리본 전도체 재료의 양, 및 특정 비용들은 대응하는 전류 제한기 장치들의 재정 능력 때문에 중요한 요소들이다. 재료의 양은 파라미터들인 "(IC/w)의 폭당 임계 전류" 및 "리본의 길이당 최대 허용 가능 전압 강하(U/L)"에 의해 자체적으로 좌우된다. 양쪽 파라미터들은 가능한 한 높아야 한다. 변수 IC/w는 반도체 층의 특성들 및 생산 방법에 의해서만 좌우되고, 변수 U/L은 층 구조의 비초전도성 부분들의 특성에 좌우되고, 즉 특히 기판 리본 및 커버링 층에 좌우된다. 미리 결정된 스위치 오프 시간 동안, 제한 단계(U/L)2 동안 전류 제한기 코일 권선의 최종 온도는 전도체 구조의 모든 층들 상에 부가된 영역 관련 열 용량 및 시트 저항의 곱셈에 의해 좌우된다. 예를들어, 열량이 필수적으로 기판 리본에 의해 형성되는 니켈 합금 기판 리본을 가진 RABiTS 리본 전도체에 대해, 변수 U/L는 50ms의 스위치 오프 시간 및 300K의 최종 온도에 대해 0.4V/cm와 동일하다. HTS 전도체 트랙이 사파이어로 구성된 확장된 기판 플레이트상에 형성되고 금 커버링 층을 가지는 전류 제한기 장치의 다른 공지된 타입에서, U/L은 9 내지 10V/cm 범위에서 대비된다. 이와 같은 "사파이어 플레이트 전도체"에 대해 이런 상당히 높은 값을 가지는 이유는 이용 가능한 높은 열 용량을 가진 기판이 실제로 동시에 절연체 같은 주울 없는 열을 형성하기 때문이다.
본 발명의 목적은 HTS 리본 전도체들(코팅된 전도체들)을 사용하여 동일한 타입의 공지된 전류 제한기 장치들보다 전도체 길이당 보다 높은 최대 허용 가능한 전압 및 보다 우수한 열 소산을 가지도록 처음에 언급된 특징들을 가진 전류 제한기 장치를 설계하는 것이다.
이 목적은 청구항 제 1 항에서 지정된 조치들에 의해 달성된다. 처음에 언급된 특징들을 가진 전류 제한기 장치는 스페이서가 리본 형태이고, 전기적으로 절연 재료로 구성되고 적어도 하나의 편평한 면들상에 전기적으로 절연 재료로 구성된 스페이싱 엘리먼트들이 제공된 지지 리본을 가지도록 설계되고, 상기 스페이싱 엘리먼트들은 지지 리본의 크기 방향으로 서로 이격되고 높은 열 전도성을 가진 재료로 구성된다. 이런 환경에서, 표현 '높은 열 전도성'은 적어도 10W/m·K의 값(λ)을 의미한다.
전류 제한기 장치의 이런 고안과 연관된 장점들은 특히 전기 절연 기능 외에, 스페이서가 소위 "열 싱크"로서 작동하는 것이다. 이 경우, 이런 열 싱크는 통상의 절연 재료 특정 열들로 인해, 변수 U/L가 "베어(bare)" 리본 전도체(스페이서 없이)에 비해 상당히 증가(즉 적어도 2의 팩터만큼)되도록 설계된다. 특히, 이것은 특히 0.5mm보다 큰 적당한 두께(턴들 사이의 분리 간격에서 측정됨)에 의해 달성될 수 있다. 이 경우 열 싱크는 바람직하게 이런 목적을 위하여 충분히 융통성있게 설계될 수 있기 때문에, HTS 리본 전도체로 구성된 대응하는 코일 권선들의 생산을 제한하지 않는다. 게다가, 상기 열 싱크의 열 전도성은 HTS 리본 전도체의 금속 구성요소들에서 형성된 주울 열이 전류 제한기들의 제한 시간 동안 충분히 깊게 침투하도록, 즉 높은 열 확산 상수가 달성되어, 전도체 단위 영역당 높은 열 용량이 발생하도록 충분히 높게 설정될 수 있다. 게다가, 금속 HTS 리본 전도체 및 전기적으로 절연 열 싱크 사이의 열적 접촉 저항은 충분히 낮게 유지될 수 있다. 마지막으로, 열 싱크는 제한 단계 후 냉각 시간을 최소 크기로 길게한다. 냉각 시간이 필수적으로 열 소산을 위하여 이용할 수 있는 표면 영역 대 저장된 에너지의 비율에 의해 좌우되기 때문에, 냉각을 위한 냉각제에 이용되는 범위 표면 영역은 증가된 열 용량과 유사하게, 스페이서의 구성에 의해 증가될 수 있다.
본 발명에 따른 초전도성 전류 제한기 장치의 바람직한 고안들은 청구항 제 1 항에 따른 청구항들에서 지정된다. 이 경우, 이 청구항에 따른 실시예는 종속항들 중 하나의 특징들과 결합될 수 있거나, 바람직하게 다수의 종속항들과 결합될 수 있다. 이에 따라 본 발명에 따른 전류 제한기 장치는 부가적으로 다음 특징들을 가진다:
- 스페이싱 엘리먼트들은 바람직하게 웨브들(web) 형태일 수 있다. 이들 같은 스페이싱 엘리먼트들은 우수한 열 소산을 위하여 충분히 고형이도록 설계되고, 상호 간격은 우수한 냉각 투명성을 위하여 선택될 수 있다. 요구된 지지 리본 가요성은 이 경우 실제로 제한되지 않는다.
- 스페이싱 엘리먼트들은 바람직하게 세라믹 재료로 형성된다. 높은 열 전도성을 위한 요구조건은 특히 Al2O3 또는 AlN에 의해 만족된다.
- 스페이싱 엘리먼트들은 지지 리본의 한측면상 또는 편평한 면 또는 면들의 양쪽 측면들상에 장착되어, 지지 리본과 함께, 상기 스페이싱 엘리먼트들은 미리 제조될 수 있는 공통 구성요소를 형성한다. 이것은 스페이서의 보편적인 이용을 허용한다.
- 지지 리본상 스페이싱 엘리먼트들의 장착은 이 경우 바람직하게 접착 본딩에 의해 달성될 수 있다.
- 지지 리본은 바람직하게 플라스틱 재료로 구성된다. 대응하는 지지 리본들은 한 측면상에서 충분히 가요적이지만, 다른 한편으로 지지 리본들은 턴들 사이의 우수한 전기 절연을 보장한다.
- 게다가, 스페이싱 엘리먼트들은 각각의 경우 상기 스페이싱 엘리먼트들 위에 자리한 HTS 전도체 부분에 기계적으로 접속될 수 있다. 적당한 접속은 이들 HTS 전도체 부분들에 우수한 열적 접촉을 달성하는 것을 가능하게 한다.
- 이런 목적을 위하여, 스페이싱 엘리먼트들은 각각의 HTS 전도체 부분에 접착되어 본딩되거나, 대응 영역들의 초기 주석 처리 후 납땜될 수 있다.
본 발명에 따른 전류 제한기 장치의 다른 바람직한 고안은 상기되지 않았고, 특히 다음 텍스트에 설명되고, 본 발명에 따른 전류 제한기 장치의 바람직한 고안들이 표시되는 도면으로부터 명백하게 되는 청구항들에 기재된다.
도 1은 전류 제한기 장치의 바이필라 코일의 기본 설계의 평면도를 도시한다.
도 2는 권선 구조를 위한 제 1 실시예 옵션을 도시하는, 단면 형태의 도 1에 도시된 바와 같은 코일 권선의 상세도이다.
도 3은 도 2에 대응한 방식으로 도시된 권선 구조의 다른 실시예 옵션을 도 시한다.
이 경우, 대응 부분들은 각각의 도면들에서 동일한 참조 부호들로 제공된다.
도 1은 일반적으로 11로 표시된 본 발명에 따른 전류 제한기 장치의 코일 권선의 설계의 주요 부분들을 도시한다. 이 설계는 그 자체로 공지된 인용된 DE 10 2004 047 646 A1에 개시된 바와 같은 대응 장치들의 바이필라 코일 권선들의 실시예들을 바탕으로 한다. 코일 권선에는 디스크 형태의 편평한 권선으로서, 리본 형태의 적어도 하나의 HTS 전도체(12), 특히 코팅된 전도체 타입의 YBCO(YBa2Cu3OX) 리본 전도체가 생성된다. 대응하는 리본 전도체들은 특히 금속으로 구성된 기판상에 적어도 하나의 중간 버퍼 층을 가진 YBCO 층을 가지며, YBCO 층은 일반적으로 전도성 커버링 층(예를들어 인용된 DE A1 서류)에 의해 커버된다. 코일 권선(11)의 생성 동안, 적어도 기판들에서 냉각제를 위하여 투명한 스페이서(13)는 YBCO 리본 전도체(12)가 감겨지고, 상기 스페이서(13)는 이런 목적을 위하여 충분히 가요적이고 인접한 턴들(Wi,Wi+1)이 분리되는 것을 보장하고, 또한 요구된 냉각제 투명성을 보장한다. 스페이서(13)가 적어도 부분적으로 절연 재료로 구성되기 때문에, 이것은 턴들 사이에 요구된 전기 절연을 보장한다. 게다가, 도면은 Ih로서 순방향 및 Ir로서 리턴 방향으로 스위칭되거나 제한될 전류(I)의 전류 흐름 방향들을 화살표들에 의해 표시한다.
본 발명에 따른 스페이서(13)의 하나의 고안은 도 2에 도시되고, 도 2는 도 1에 도시된 편평한 코일 권선(11)의 상세도이다. 이 경우 스페이서(13)의 도시된 실시예는 예를들어 상업적으로 판매되는 절연 필름으로 구성된 가요적인 전기 절연 지지 리본(15)을 포함하고, 상기 전기 절연 지지 리본의 폭은 HTS 리본 전도체(12)의 폭과 매칭되고, 바람직하게 대략 동일하다.
게다가, 전기적으로 절연 지지 리본(15)은 보다 높은 내성 전압을 위한 특정 요구조건들과 부합하도록 HTS 리본 전도체(12)보다 넓을 수 있다.
웨브형 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 HTS 전도체 크기 방향으로 정확하게 길이 방향으로 이런 지지 리본(15)의 두 개의 편평한 면들(15a 및 15b)에서 차례로 배치된다. 예를들어, 이들 스페이싱 엘리먼트들은 지지 리본(15) 상에 접착하여 본딩될 수 있다. 지지 리본(15)과 함께, 상기 스페이싱 엘리먼트들은 바람직하게 미리 제조되고 권선 구성을 위하여 충분히 가요적일 수 있는 구성요소를 형성한다. 길이방향에 관련하여 횡으로 연장하는 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 미리 결정된 두께(d) 및 미리 결정된 상호 간격(a)을 가진다. 스페이싱 엘리먼트들의 폭은 지지 리본(15)의 폭과 적어도 대략적으로 대응하고 및/또는 각각 인접한 코일 턴의 HTS 리본 전도체(12)의 폭과 적어도 대략적으로 대응한다. 지지 리본(15)의 폭은 바람직하게 HTS 리본 전도체(12)의 폭보다 크고, 특히 지지 리본(15)의 폭은 특히 필수적으로 HTS 리본 전도체(12)의 폭의 값보다 두 배를 가질 수 있다.
두께(d) 및 간격(a)은 스페이싱 엘리먼트들(16i)이 스위칭 기능 및 열지점 억제를 위하여 충분히 수동적인 히트 싱크를 나타낼 수 있도록 바람직하게 선택된 다. 만약 높은 열 전도성의 세라믹(예를들어 Al2O3 또는 AlN)이 특히 스페이싱 엘리먼트들(16i)을 위하여 선택되면, d 및 a는 예를들어 적어도 대략적으로 1mm 내지 5mm와 동일한 크기 정도일 수 있다. 이것은 스페이싱 엘리먼트들(16i)이 리본 전도체의 길이 방향으로 1mm 및 5mm 사이의 거리만큼 이격될 수 있다는 것을 의미한다. 이런 방향으로 측정된 두께(d)는 이 경우 1mm 및 5mm 사이일 수 있다. 상기 세라믹들의 열적 전도성(λ)은 이 경우 약 10W/mK 내지 60W/mK(20℃에서) 범위이고, 예를들어 Al2O3에 대해 45W/mK이다.
따라서 "웨브 리본"으로서 간주될 수 있는 스페이서(13)는 감겨질 수 있는데, 그 이유는 상기 스페이서가 바이필라 편평한 코일 권선(11)을 형성하기 위하여 공지된 방식으로 HTS 리본 전도체(12)와 함께 충분히 가요적이기 때문이다. 이 경우, 적어도 지지 리본(15)은 동시에 코일 권선의 개별 턴들(Wi,Wi+1) 사이에 전기 절연을 제공한다. 웨브형 스페이싱 엘리먼트들(16i) 사이에 냉각 채널들(17)을 형성하는 나머지 중간 스페이스들은 LN2 같은 냉각제에 대해 우수한 투명성을 허용한다. 이 경우, 열 싱크로서 작동하는 스페이서(13) 및 HTS 리본 전도체(12)가 처음에 서로 분리되는 것이 바람직하고, 즉 그들이 독립된 처리 단계들에서 미리 제조되고, 및/또는 다른 제조자들로부터 얻어질 수 있다. 따라서 HTS 리본 전도체(12)의 제조자는 변화되지 않은 그의 표준 처리를 유지할 수 있다.
물론, 다른 실시예들은 그들이 열 싱크의 높은 열 전도성 및 충분히 큰 "열량"을 제공하는 것이 가능하면 스페이싱 엘리먼트들(16i)에 사용될 수 있어서, 상 기된 기능들이 달성되게 한다. 예를들어, 다른 크기들은 스페이싱 엘리먼트들을 위한 거리(a) 및/또는 두께(d)뿐 아니라 다른 모양들을 위해 제공될 수 있다.
HTS 리본 전도체(12) 및 스페이싱 엘리먼트들(16i)을 가진 스페이서(13) 사이에 우수한 열 접촉을 보장하는 것은 특히 바람직하다. 이들 부분들 사이의 대응하는 "고형 몸체 접촉"을 형성하기 위하여, 예를들어 권선 처리 후 낮은 점성도 주입 수지를 편평한 코일 권선에 주입하는 것은 가능하고, 상기 수지는 HTS 리본 전도체(12) 및 인접한 스페이싱 엘리먼트들(16i) 사이의 좁은 갭들로 침투하지만, 다시 스페이싱 엘리먼트들(16i) 사이의 영역으로 흘러나가고, 따라서 일단 다시 스페이싱 엘리먼트들(16i) 사이의 목표된 냉각 채널들(17)을 다시 개방하거나 개방된 채로 둔다.
다른 기술들은 물론 스페이싱 엘리먼트들(16i) 및 HTS 리본 전도체(12) 사이의 적당한 열 접촉을 형성하기 위하여 사용될 수 있다. 예를들어, HTS 리본 전도체(12)와 터치하는 예를들어 세라믹인 스페이싱 엘리먼트들(16i)의 면들은 금속화될 수 있고 납땜 층이 제공될 수 있다. 마무리된 코일 권선은 그 다음 땜납의 용융 온도로 가열되어, HTS 리본 전도체(12)의 금속성 미리 주석 처리된 표면 또는 일반적으로 전도성 커버링 층과 함께 조인트를 형성한다. 도면들에서, 스페이싱 엘리먼트들(16i) 및 HTS 리본 전도체 사이의 대응 납땜 지점들(또는 다른 접속 기술에 따른 부착 지점들)은 18로 표시된다.
상기된 설계는 스페이싱 엘리먼트들(16i), 그러므로 전체 스페이서(13)에 대한 코일 권선에 관련하여 적당한 방사상 크기 또는 두께를 허용한다. 이런 크기 또는 두께는 바람직하게 열 확산 깊이보다 클 수 있다. 예를들어 300K의 온도 및 50ms의 일반적인 스위칭 시간 값에서 웨브형 Al2O3 스페이싱 엘리먼트들(16i)의 경우에서, 이런 열 확산 깊이는 약 0.8mm이다. 동시에, 이것은 냉각 채널들(17)과 면하는 스페이싱 엘리먼트들(16i)의 측 표면들에 의해 큰 냉각 표면 영역을 보장하게 한다.
도 2는 HTS 리본 전도체(12)상 화살표들에 의해 코일 권선의 바이필라 설계로부터 발생하는 인접한 코일 턴들(Wi,Wi+1)에서 평행하지만 반대 전류 흐름 방향들(Ih 및 Ir)을 도시한다.
도 2에 도시된 스페이서들(13)의 실시예는 스페이싱 엘리먼트들(16i)이 지지 리본(15)의 양쪽 측면들 상에 설치된다는 가정을 바탕으로 한다. 이것과 대조하여, 도 3은 지지 리본(15)의 측면상에 배열된 스페이싱 엘리먼트들(16i)을 가진 스페이서(13')의 실시예를 도시한다.

Claims (15)

  1. 리본 형태의 적어도 하나의 HTS 전도체(12)로 구성된 적어도 하나의 바이필라(bifilar) 코일 권선(11)을 가진 저항성 타입의 초전도성 전류 제한기 장치로서,
    적어도 하나의 전기 절연 스페이서(13,13')는 상기 코일 권선의 인접한 턴들(Wi,Wi+1) 사이에 배열되고, 상기 스페이서(13,13')는 적어도 서브영역들에서 냉각제에 대해 투명하고,
    상기 스페이서(13,13')는 지지 리본(15)을 가지고,
    상기 지지 리본은, 리본 형태이고, 전기적으로 절연 재료로 구성되고, 상기 지지 리본의 편평한 면들(15a,15b) 중 적어도 한 면상에 전기적으로 절연 재료로 구성된 스페이싱 엘리먼트들(16i)이 제공되며,
    상기 스페이싱 엘리먼트들은 상기 지지 리본의 크기 방향으로 서로 이격되고 적어도 10W/m·K의 높은 열 전도성을 가진 재료로 구성되는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 20℃에서 10 내지 200W/m·K 의 열 전도성을 가지는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 웨브들(webs) 형태인,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 세라믹 재료로 형성되는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 세라믹 재료로서 Al2O3 또는 AlN이 제공되는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 상기 지지 리본(15)상에 장착되는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 상기 지지 리본(15)에 접착하여 본딩되는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 리본(15)은 플라스틱 재료로 구성되는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i) 및 지지 리본(15)은 미리 제조될 수 있는 공통 구성요소를 형성하는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 1 mm 내지 5mm의 거리(a)로 길이방향으로 이격되는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들은 1mm 내지 5mm의 길이 방향 두께(d)를 가지는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 리본(15) 및 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i) 중 적어도 하나는 HTS 리본 전도체(12)의 폭에 대응하는 폭을 가지는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 리본(15) 및 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i) 중 적어도 하나는 리본 전도체(12)의 폭의 두 배에 대응하는 폭을 가지는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 각각의 경우 상기 스페이싱 엘리먼트 위에 놓이는 HTS 리본 전도체(12)의 부분에 기계적으로 접속되는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 스페이싱 엘리먼트들(16i)은 각각의 HTS 리본 전도체 부분에 접착되어 본딩되거나 납땜되는,
    초전도성 전류 제한기 장치.
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