KR101376091B1 - The apparatus for treating the workpiece by plasma - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a plasma processing apparatus, capable of efficiently dealing with an object with a curved shape by a plasma discharge port which downwardly and laterally protrudes. The plasma processing apparatus for processing a curved surface according to the present invention includes: a planar dielectric base electrode on which a plurality of through holes are formed; a ground electrode group which is arranged on the lower side of the dielectric base electrode and is composed of a plurality of ground electrodes; a reactive gas supply unit which supplies reactive gas from the upper side to the lower side of the dielectric base electrode; and the plasma discharge port which is installed on the lower side of the ground electrode group to downwardly protrude and discharges the generated plasma to the lower side thereof and the lower lateral side thereof.

Description

곡면 처리용 플라즈마 처리장치{THE APPARATUS FOR TREATING THE WORKPIECE BY PLASMA}Plasma Treatment Equipment for Surface Treatment {THE APPARATUS FOR TREATING THE WORKPIECE BY PLASMA}

본 발명은 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 토출구가 하측 및 측방으로 돌출되어 곡면 형상의 피처리물에 대해서도 효과적으로 대응할 수 있는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus for curved surface treatment, and more particularly, to a plasma processing apparatus for curved surface treatment, in which a plasma discharge port protrudes downwardly and laterally to effectively cope with a curved object.

필름 또는 플라스틱 재질의 구조물 또는 유리 재질의 구조물 등에 접착물을 접착하는 과정에서는 접착성을 향상시키기 위하여 그 표면을 처리하는 과정을 거치는 것이 일반적이다. In the process of adhering an adhesive to a film or plastic structure or a glass structure, the surface of the adhesive is generally treated to improve adhesion.

이러한 표면처리에는 다양한 방법이 이용될 수 있으나, 가장 효과적인 표면 처리 방법은 상압 플라즈마를 이용하여 표면을 처리하는 것이다. 상압 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 방법에 의하면 소재 표면의 접착 성능이 최대로 향상됨은 물론이거니와 상압 플라즈마에 의하여 표면이 세정되는 효과 등 부수적인 효과를 얻을 수 있는 장점도 있다. Various methods may be used for the surface treatment, but the most effective surface treatment method is to treat the surface using atmospheric pressure plasma. According to the method of surface treatment using an atmospheric pressure plasma, the adhesion performance of the surface of the material is not only improved to the maximum, and there is an advantage that the secondary effect such as the effect of cleaning the surface by the atmospheric pressure plasma can be obtained.

그런데 종래의 상압 플라즈마 처리장치는 평면 형태를 가지는 피처리체에 대해서는 소면적 또는 대면적에 대하여 모두 대응가능하게 개발되어 있으나, 피처리체가 곡면 형상을 가지는 것에 대해서는 대응이 어려운 문제점이 있다. 특히, 곡면 형태를 가지는 피처리체에는 필름 등 피부착물을 부착하는 작업이, 평면 형태의 피처리체에 비하여 어려워서 필름 등의 접착성을 향상시키는 전처리 과정이 평면 형태를 가지는 피처리체에 비하여 훨씬 강하게 요구되고 있다.
By the way, the conventional atmospheric pressure plasma processing apparatus has been developed to be able to cope with both the small area and the large area for the target object having a planar shape, but there is a problem that it is difficult to cope with the curved object shape. In particular, the process of attaching a skin complex such as a film to a to-be-processed object is more difficult than a to-be-processed object, and a pretreatment process for improving adhesion of a film or the like is required more strongly than a to-be-processed object. have.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 플라즈마 토출구가 하측 및 측방으로 돌출되어 곡면 형상의 피처리물에 대해서도 효과적으로 대응할 수 있는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다. The technical problem to be solved by the present invention is to provide a plasma processing apparatus for curved surface treatment that the plasma discharge port is protruded to the lower side and side to effectively cope with the curved object.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치는, 다수의 관통홀이 형성되어 있는 평면형의 유전체 베이스 전극; 상기 유전체 베이스 전극의 하측에 배치되며, 다수의 접지 전극들로 구성된 접지 전극군; 상기 유전체 베이스 전극 상측에서 하측 방향으로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 상기 접지 전극군 하측에 하측으로 돌출되도록 설치되며, 발생된 플라즈마를 하방 및 하측방으로 토출하는 플라즈마 토출구;를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus for a curved surface treatment comprising: a planar dielectric base electrode having a plurality of through holes formed therein; A ground electrode group disposed below the dielectric base electrode and configured of a plurality of ground electrodes; A reaction gas supply unit supplying a reaction gas in an upward direction from an upper side of the dielectric base electrode; And a plasma discharge port installed to protrude downward below the ground electrode group and discharging the generated plasma downward and downward.

본 발명에서 상기 플라즈마 토출구는, 평행하게 다수열로 배치되며, 직하방으로 플라즈마를 토출하는 하방 토출구; 및 상기 하방 토출구의 양 측에 각각 배치되며, 측하방으로 플라즈마를 토출하는 측방 토출구;를 포함하는 것이 바람직하다. In the present invention, the plasma discharge port is arranged in a plurality of rows in parallel, the lower discharge port for discharging the plasma directly below; And side discharge ports disposed on both sides of the lower discharge ports, respectively, and configured to discharge the plasma downward and downward.

또한 상기 측방 토출구에는, 플라즈마 토출 각도를 변경할 수 있도록 상기 측방 토출구의 각도를 회동하는 토출구 회동부가 더 구비되는 것이 바람직하다. In addition, the side discharge port is preferably further provided with a discharge port rotating portion for rotating the angle of the side discharge port so that the plasma discharge angle can be changed.

그리고 본 발명의 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에는, 상기 곡면 처리용 플라즈마 처리장치를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동부가 더 구비되는 것이 바람직하다. The curved plasma processing apparatus of the present invention preferably further includes a horizontal moving unit for moving the curved plasma processing apparatus in a horizontal direction.

또한 상기 곡면 처리용 플라즈마 처리장치의 하부에는 피처리물의 위치를 확인하는 위치 감지수단이 더 구비되는 것이 바람직하다. In addition, the lower portion of the curved plasma processing apparatus is preferably provided with a position detecting means for checking the position of the object to be processed.

본 발명의 곡면 처리용 플라즈마 처리장치에 의하면 플라즈마 토출구가 발생된 플라즈마를 하방 및 측방으로 균일하게 토출하므로, 평면과 곡면으로 이루어진 곡면 형상의 피처리체에 대하여 효과적인 표면처리 작업을 진행할 수 있는 효고가 있다. According to the curved plasma processing apparatus of the present invention, since the plasma discharge port is uniformly discharged downward and sideways, there is a Hyogo that can effectively perform the surface treatment work on the curved object to be processed, consisting of a flat surface and a curved surface .

또한 본 발명의 곡면 처리용 플라즈마 처리장치는 플라즈마 처리장치 자체를 수평 방향으로 이동시키면서 표면 처리를 진행하므로 다양한 폭을 가지는 피처리체에 대한 표면 처리가 가능한 장점도 있다.
In addition, the surface treatment plasma processing apparatus of the present invention has the advantage that the surface treatment for the object having a variety of widths because the surface treatment proceeds while moving the plasma processing apparatus itself in the horizontal direction.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치의 구조를 도시하는 정면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 토출구의 구조를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 토출구의 구조를 도시하는 도면이다. 1 is a front view showing the structure of a plasma processing apparatus for curved surface treatment according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the structure of a plasma processing apparatus for curved surface treatment according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing the structure of a plasma discharge port according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing the structure of a plasma discharge port according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다.
Hereinafter, a specific embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 실시예에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치(1)는, 도 1, 2에 도시된 바와 같이, 유전체 베이스 전극(10), 접지 전극군(20), 반응가스 공급부(30) 및 플라즈마 토출구(40)를 포함하여 구성된다. As shown in FIGS. 1 and 2, the curved plasma processing apparatus 1 according to the present exemplary embodiment includes a dielectric base electrode 10, a ground electrode group 20, a reaction gas supply unit 30, and a plasma discharge port ( 40).

먼저 상기 유전체 베이스 전극(10)은 평면형의 형상을 가지며, 상기 플라즈마 처리장치(1) 내에서 반응가스가 이동하는 경로 상에 설치된다. 상기 유전체 베이스 전극(10)에는 고전압의 전원이 연결되며, 상기 유전체 베이스 전극(10)은 세리믹 등의 유전체 위에 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 등이 금속 성분을 도포한 다음 다시 유전체를 덮고, 이를 고온에서 소성함으로써 제작된다. First, the dielectric base electrode 10 has a planar shape and is installed on a path through which the reaction gas moves in the plasma processing apparatus 1. A high voltage power supply is connected to the dielectric base electrode 10, and the dielectric base electrode 10 is formed of silver (Ag), platinum (Pt), palladium (Pd), tungsten (W), nickel on a dielectric such as ceramic. (Ni), chromium (Cr) and the like are produced by applying a metal component and then again covering the dielectric and firing it at a high temperature.

상기 유전체 베이스 전극(10)은 반응 가스의 흐름을 위해 다량의 홀을 천공할 수도 있다. 한편 이러한 구조 이외에 금속판을 사이에 두고 2개의 유전체판을 붙여서 상기 금속판이 함입되게 하는 구조를 가질 수 있는 등 다양한 구조를 가질 수 있다. The dielectric base electrode 10 may drill a large amount of holes for the flow of the reaction gas. On the other hand, in addition to such a structure it can have a variety of structures, such as having a structure in which the metal plate is sandwiched by sandwiching two dielectric plates with a metal plate therebetween.

다음으로 상기 접지 전극군(20)은 상기 플라즈마 처리장치(1)에서 상기 유전체 베이스 전극(10)의 하측에 배치되며, 복수의 접지 전극들로 구성된다. 상기 접지 전극들은 봉 형태를 이루며, 다수개의 접지 전극이 일정 간격 이격되어 설치되는 구조를 가진다. Next, the ground electrode group 20 is disposed below the dielectric base electrode 10 in the plasma processing apparatus 1 and includes a plurality of ground electrodes. The ground electrodes have a rod shape and have a structure in which a plurality of ground electrodes are spaced apart from each other by a predetermined interval.

본 실시예에서 상기 접지 전극(22)은 몰리브덴(Mo), 스테인리스스틸(SUS304), 텅스텐(W)과 같이 일함수가 큰 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. 이때 상기 접지 전극(22)의 단면은 원형이 바람직하며, 상기 접지 전극(22)의 표면에 세라믹과 같은 유전물질을 코팅하여 접지 전극을 구성할 수도 있을 것이다. In the present embodiment, the ground electrode 22 is preferably made of a metal having a large work function such as molybdenum (Mo), stainless steel (SUS304), and tungsten (W). At this time, the cross section of the ground electrode 22 is preferably circular, and may form a ground electrode by coating a dielectric material such as ceramic on the surface of the ground electrode 22.

다음으로 상기 반응가스 공급부(30)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 유전체 베이스 전극(10) 상측에서 하측 방향으로 반응가스를 공급하는 구성요소이다. 본 실시예에서 상기 반응가스 공급부(30)는 외부에서 공급된 반응가스가 고르게 분산되어 상기 유전체 베이스 전극(10) 상으로 공급되도록 하기 위하여 버퍼 공간(32)과 분산 플레이트(33) 등의 구조를 가질 수 있다. Next, as shown in FIG. 2, the reaction gas supply unit 30 is a component that supplies the reaction gas from the upper side to the lower side of the dielectric base electrode 10. In the present embodiment, the reaction gas supply unit 30 has a structure such as a buffer space 32 and a distribution plate 33 so that the reaction gas supplied from the outside may be evenly distributed and supplied onto the dielectric base electrode 10. Can have

다음으로 상기 플라즈마 토출구(40)는 도 1, 2에 도시된 바와 같이, 상기 접지 전극군(20) 하측에 하측으로 돌출되도록 설치되며, 발생된 플라즈마를 하방 및 하측방으로 토출하는 구성요소이다. 전술한 반응가스 공급부(30)에 의하여 공급된 반응가스가 상기 유전체 베이스 전극(10)과 접지 전극군(20)을 통과하면서 발생된 플라즈마를 원하는 방향으로 토출하기 위한 구성요소인 것이다. 이를 위하여 본 실시예에서 상기 플라즈마 토출구(40)는 도 2에 도시된 바와 같이, 하방 토출구(44)와 측방 토출구(42)를 포함하여 구성된다. Next, as shown in FIGS. 1 and 2, the plasma discharge port 40 is installed to protrude downward from the ground electrode group 20, and is a component that discharges the generated plasma downward and downward. The reaction gas supplied by the reaction gas supply unit 30 described above is a component for discharging the plasma generated while passing through the dielectric base electrode 10 and the ground electrode group 20 in a desired direction. To this end, in the present embodiment, the plasma discharge port 40 includes a lower discharge port 44 and a side discharge port 42 as shown in FIG. 2.

먼저 하방 토출구(44)는 직하방으로 플라즈마를 토출하기 위한 것으로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 직하방을 향하는 토출구(44) 다수개가 평행하게 다수열로 배치되는 구조를 가질 수 있다. 또한 상기 하방 토출구(44)는 일체로 형성되는 케이스에 하측 방향으로 형성되는 다수개의 관통홀로 구성될 수도 있다. First, the lower discharge holes 44 are for directly discharging plasma, and as shown in FIG. 3, a plurality of discharge holes 44 facing directly downward may be arranged in a plurality of rows in parallel. In addition, the lower discharge port 44 may be formed of a plurality of through holes formed in the downward direction in the case formed integrally.

한편 상기 측방 토출구(42)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 하방 토출구(44)의 양 측에 각각 배치되며, 측하방으로 플라즈마를 토출하는 구성요소이다. 상기 측방 토출구(42)에 의하여 상기 하방 토출구(44)와 다른 방향으로 플라즈마가 토출되어 도 3에 도시된 바와 같이, 곡면 형상을 가지는 피처리체(2)의 곡면 부분을 효과적으로 표면 처리할 수 있는 것이다. Meanwhile, as shown in FIG. 3, the lateral discharge ports 42 are disposed on both sides of the lower discharge holes 44, respectively, and are components that discharge plasma downwardly. Plasma is discharged in a direction different from the lower discharge port 44 by the side discharge port 42, so that the curved portion of the object 2 having the curved shape can be effectively surface treated as shown in FIG. .

그리고 상기 플라즈마 처리장치의 하면이 직사각형을 이루는 경우에는 상기 측방 토출구(42)가 상기 플라즈마 처리장치 하면의 각 모서리에 1개씩 4개가 설치되어, 하면 직사각형의 4 모서리의 하측방으로 플라즈마를 토출할 수 있는 것이 바람직하다. When the lower surface of the plasma processing apparatus forms a rectangle, four side discharge ports 42 are provided at each corner of the lower surface of the plasma processing apparatus, so that plasma can be discharged to the lower side of the four corners of the lower surface of the plasma processing apparatus. It is desirable to have.

상기 측방 토출구(42)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 하방 토출구(44)의 측면에 토출 방향이 사선으로 형성되도록 형성되는 관통홀로 구성될 수도 있고, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 하방 토출구(44)와는 별도로 분리되어 형성되는 구조를 가질 수도 있다.
As shown in FIG. 3, the lateral discharge port 42 may be formed of a through hole formed in a side of the lower discharge port 44 so that a discharge direction is formed in an oblique line. It may have a structure that is formed separately from the discharge port 44.

한편 상기 측방 토출구(42)에는 플라즈마 토출 각도를 변경할 수 있도록 상기 측방 토출구(42)의 각도를 회동하는 토출구 회동부(46)가 더 구비될 수도 있다. 이 경우에는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 측방 토출구(42)를 일정 각도 범위 내에서 회동시켜서 그 토출 각도를 조정하게 하는 것이다. On the other hand, the side discharge port 42 may be further provided with a discharge port rotating portion 46 for rotating the angle of the side discharge port 42 to change the plasma discharge angle. In this case, as shown in FIG. 4, the side discharge port 42 is rotated within a predetermined angle range to adjust the discharge angle.

다음으로 상기 곡면 처리용 플라즈마 처리장치(1)에는 전체 플라즈마 처리장치를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동부(60)가 더 구비되는 것이 바람직하다. 본 실시예에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치(1)에서 상기 플라즈마 토출구(40)는 그 폭이 다양하게 변화될 수 있지만, 한번 제조된 플라즈마 토출구(40)의 폭이 변화되기는 어렵다. 따라서 다양한 크기의 피처리체(2)에 대응하기 위해서는 상기 플라즈마 토출구(40)가 좌우 방향으로 수평 이동하면서 플라즈마 처리할 필요성이 있다. 따라서 상기 수평 이동부(60)가 상기 플라즈마 처리장치(1) 전체를 수평 방향으로 이동시키면서 광폭을 가지는 피처리체(2)에 대하여 플라즈마 처리가 가능하게 하는 것이다. Next, the curved plasma processing apparatus 1 may further include a horizontal moving unit 60 for moving the entire plasma processing apparatus in a horizontal direction. In the curved plasma processing apparatus 1 according to the present exemplary embodiment, the width of the plasma discharge port 40 may vary, but it is difficult to change the width of the plasma discharge port 40 once manufactured. Therefore, in order to correspond to the object 2 of various sizes, it is necessary to perform plasma treatment while the plasma discharge port 40 moves horizontally in the horizontal direction. Therefore, the horizontal moving unit 60 allows the plasma processing to be performed on the object 2 having the wide width while moving the entire plasma processing apparatus 1 in the horizontal direction.

한편 본 실시예에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치(1)에는 도 3에 도시된 바와 같이, 피처리체(2)가 장착되는 피처리체 장착대(70)가 구비된다. 상기 피처리체 장착대(70)는 상기 피처리체(2)가 처리되는 동안 움직이지 않도록 고정하며, 장착된 피처리체(2)를 도 3에 도시된 바와 같이, 상하 방향으로 이동시켜 처리 과정에서 상기 피처리체(2)가 최대한 상기 플라즈마 토출구(40)에 가깝게 접근하도록 한다. 이렇게 상기 피처리체(2)가 상기 플라즈마 토출구(40)에 가깝게 접근하면, 상기 곡면 형상의 피처리체(2)와 상기 플라즈마 처리장치(1)의 하면 사이에 일정한 밀폐 공간과 같은 처리 공간이 형성된다. 이 공간 내에 플라즈마 토출구(40)에 의하여 토출된 플라즈마가 일정 시간 동안 머물면서 상기 피처리체(2)의 표면을 더욱 효과적으로 처리할 수 있는 장점이 있다. On the other hand, the plasma processing apparatus 1 for surface treatment according to the present embodiment is provided with a workpiece mounting table 70 on which the workpiece 2 is mounted, as shown in FIG. 3. The object to be mounted 70 is fixed so as not to move while the object 2 is being processed, and the mounted object 2 is moved upward and downward as shown in FIG. The object 2 is to be as close as possible to the plasma discharge port 40. When the object 2 approaches the plasma discharge port 40 in this manner, a processing space such as a constant sealed space is formed between the curved object 2 and the lower surface of the plasma processing apparatus 1. . In this space, the plasma discharged by the plasma discharge port 40 stays for a predetermined time, and thus the surface of the object 2 can be more effectively treated.

상기 피처리체 장착대(70)는 처리 과정이 완료되면 상기 피처리체를 하측으로 이동시켜 배출한다. 물론 상기 피처리체 장착대(70)에 승강장치가 구비되지 않고, 상기 플라즈마 처리장치(1)에 승강장치가 구비될 수도 있을 것이다. When the processing target is completed, the target mounting table 70 moves the target to the lower side and discharges it. Of course, the lifting device is not provided on the object mounting table 70, and the lifting device may be provided on the plasma processing device 1.

다음으로 본 실시예에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치(1)의 하부에는 도 3, 4에 도시된 바와 같이, 피처리물(2)의 위치를 확인하는 위치 감지수단(80)이 더 구비되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 상기 플라즈마 처리장치(1)를 좌우로 수평 이동시키면서 처리 과정이 진행될 수 있다. 이 경우에 상기 플라즈마 처리장치(1)의 좌우 이동폭은 피처리체(2)의 폭에 의하여 정해진다. 따라서 상기 위치 감지수단(80)이 피처리체(2)의 돌출된 말단 부분을 감지하여 상기 수평 이동부(60)의 구동을 제어하는 것이다. Next, as shown in FIGS. 3 and 4, a position detecting means 80 for checking a position of the object 2 is further provided below the curved plasma processing apparatus 1 according to the present embodiment. It is preferable. In the present embodiment, the treatment process may proceed while horizontally moving the plasma processing apparatus 1 from side to side. In this case, the horizontal movement of the plasma processing apparatus 1 is determined by the width of the target object 2. Therefore, the position detecting means 80 detects the protruding end portion of the object 2 to control the driving of the horizontal moving part 60.

또한 상기 위치 감지수단(80)은 상기 피처리체 장착대(70)의 승강 동작시에도 상기 피처리체(2)의 높이를 감지하여 상기 피처리체 장착대(70)가 과도하게 상승하는 것을 방지한다. In addition, the position detecting means 80 detects the height of the object 2 even when the object mounting table 70 is lifted and prevents the object mounting table 70 from being excessively raised.

1 : 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 처리용 플라즈마 처리장치
10 : 유전체 베이스 전극 20 : 접지 전극군
30 : 반응가스 공급부 40 : 플라즈마 토출구
50 : 하우징 60 : 수평 이동부
70 : 피처리체 장착대 80 : 위치 감지수단
2 : 피처리체1: plasma processing apparatus for surface treatment according to an embodiment of the present invention
10 dielectric base electrode 20 grounding electrode group
30: reaction gas supply unit 40: plasma discharge port
50 housing 60 horizontal moving part
70: workpiece mounting 80: position sensing means
2:

Claims (5)

다수의 관통홀이 형성되어 있는 평면형의 유전체 베이스 전극;
상기 유전체 베이스 전극의 하측에 배치되며, 다수의 접지 전극들로 구성된 접지 전극군;
상기 유전체 베이스 전극 상측에서 하측 방향으로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부;
상기 접지 전극군 하측에 하측으로 돌출되도록 설치되며, 발생된 플라즈마를 하방 및 하측방으로 토출하는 플라즈마 토출구;
상기 플라즈마 토출구 하측에 상하 방향으로 승강가능하게 구비되며, 상면이 곡면 형상을 가지는 피처리체가 장착되는 피처리체 장착대;
상기 곡면 처리용 플라즈마 처리장치의 하부에 설치되며, 상기 피처리체 장착대에 장착된 피처리체의 위치를 확인하는 위치 감지수단;
상기 곡면 처리용 플라즈마 처리장치를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동부;를 포함하며,
상기 플라즈마 토출구는,
평행하게 다수열로 배치되며, 직하방으로 플라즈마를 토출하는 하방 토출구;
상기 하방 토출구의 양 측에 각각 배치되며, 측하방으로 플라즈마를 토출하는 측방 토출구; 및
상기 측방 토출구에 설치되며, 상기 측방 토출구의 플라즈마 토출 각도를 변경할 수 있도록 상기 측방 토출구의 각도를 회동하는 토출구 회동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 곡면 처리용 플라즈마 처리장치.A planar dielectric base electrode having a plurality of through holes formed therein;
A ground electrode group disposed below the dielectric base electrode and configured of a plurality of ground electrodes;
A reaction gas supply unit supplying a reaction gas in an upward direction from an upper side of the dielectric base electrode;
A plasma discharge port disposed below the ground electrode group to protrude downward, and configured to discharge the generated plasma downward and downward;
A workpiece mounting table provided below the plasma discharge port in a vertically movable direction, the workpiece being mounted on a workpiece having an upper surface curved surface;
Position detecting means installed at a lower portion of the plasma processing apparatus for curved surface processing and checking a position of an object to be mounted on the object mounting table;
And a horizontal moving unit which moves the curved plasma processing apparatus in a horizontal direction.
The plasma discharge port,
A lower discharge port disposed in a plurality of rows in parallel and discharging the plasma directly below;
Side discharge ports disposed on both sides of the lower discharge ports, and configured to discharge plasma downward and downward; And
And a discharge port rotating part installed at the side discharge port and rotating the angle of the side discharge port so as to change the plasma discharge angle of the side discharge port. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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