KR101364247B1 - Manufacturing method of semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR101364247B1
KR101364247B1 KR1020120134345A KR20120134345A KR101364247B1 KR 101364247 B1 KR101364247 B1 KR 101364247B1 KR 1020120134345 A KR1020120134345 A KR 1020120134345A KR 20120134345 A KR20120134345 A KR 20120134345A KR 101364247 B1 KR101364247 B1 KR 101364247B1
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semiconductor light
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박은현
전수근
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주식회사 세미콘라이트
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Abstract

Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor light emitting device which includes a semiconductor light emitting device chip covered with an encapsulant. The present invention relates to the method for manufacturing the semiconductor light emitting device, which includes the steps of: covering a plurality of semiconductor light emitting device chips with the encapsulant by using a wall with a bonding surface extending unit to enhance bonding strength with the encapsulant; and cutting at least one semiconductor light emitting device chip among the semiconductor light emitting device chips with the encapsulant.

Description

반도체 발광소자를 제조하는 방법{MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor light-

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 봉지제와의 결합 면적을 확대한 벽을 이용하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device as a whole, and more particularly, to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device using a wall in which a bonding area with an encapsulant is enlarged.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The III-nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 도전막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다.FIG. 1 is a diagram showing a conventional semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200, a first semiconductor layer (not shown) having a first conductivity 300, an active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes, and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited, A conductive film 600 and an electrode 700 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 300. An electrode 800 serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed and exposed.

도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901), 전극막(902) 및 전극막(903)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다.FIG. 2 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Flip Chip). The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a first semiconductor layer 300 having a first conductivity, An active layer 400 for generating light through recombination of holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the substrate 100, An electrode film 901, an electrode film 902 and an electrode film 903 are formed in three layers. An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300 have.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 제2 반도체층(500)에 제1 반도체층(300)으로 빛을 반사시키기 위한 금속 반사막(910)이 형성되어 있고, 지지 기판(930) 측에 전극(940)이 형성되어 있다. 금속 반사막(910)과 지지 기판(930)은 웨이퍼 본딩층(920)에 의해 결합된다. 제1 반도체층(300)에는 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다.FIG. 3 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Vertical Chip). The semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer 300 having a first conductivity, an active layer 300 that generates light through recombination of electrons and holes, A second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity is sequentially deposited on the first semiconductor layer 500 and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity is deposited on the second semiconductor layer 500, A reflective film 910 is formed, and an electrode 940 is formed on the side of the supporting substrate 930. The metal reflective film 910 and the supporting substrate 930 are joined by the wafer bonding layer 920. An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300.

도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 플립 칩의 형태로, 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 반사막(950)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있으며, 기판(100) 및 반도체층(300,400,500)을 둘러싸도록 봉지제(1000)가 형성되어 있다. 반사막(950)은 도 2에서와 같이 금속층으로 이루어질 수 있지만, 도 5에 도시된 바와 같이, SiO2/TiO2로 된 DBR(Distributed Bragg Reflector)과 같은 절연체 반사막으로 이루어질 수 있다. 반도체 발광소자는 전기 배선(820,960)이 구비된 PCB(1200; Printed Circuit Board)에 도전 접착제(830,970)를 통해 장착된다. 봉지제(1000)에는 주로 형광체가 함유된다. 여기서 반도체 발광소자는 봉지제(1000)를 포함하므로, 구분을 위해, 봉지제(1000)를 제외한 반도체 발광소자 부분을 반도체 발광소자 칩이라 부를 수 있다.4 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044, wherein the semiconductor light emitting device is formed on a substrate 100 and a substrate 100 in the form of a flip chip, An active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the first semiconductor layer 300, A reflective film 950 for reflecting light is formed on the substrate 100 side and an electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300. The substrate 100, An encapsulant 1000 is formed to surround the semiconductor layers 300, 400 and 500. The reflective layer 950 may be formed of a metal layer as shown in FIG. 2, but may be formed of an insulator reflective layer such as DBR (Distributed Bragg Reflector) made of SiO 2 / TiO 2 , as shown in FIG. The semiconductor light emitting device is mounted on a PCB (Printed Circuit Board) 1200 provided with electric wiring 820, 960 through conductive adhesive 830, 970. The encapsulant 1000 mainly contains a phosphor. Here, since the semiconductor light emitting device includes the sealing agent 1000, the semiconductor light emitting element portion excluding the sealing agent 1000 may be referred to as a semiconductor light emitting element chip.

도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, an n-type semiconductor layer (not shown) grown on the buffer layer 200, 300, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500, A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600 and an n-side bonding pad 800 formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching. A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600.

도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저 필름 또는 플레이트로 된 장착면(10) 위에, 반도체 발광소자 칩(20)이 놓인다. 다음으로, 격벽(82; Partition)과 개구부(81)가 구비된 스텐실 마스크(80)를, 반도체 발광소자 칩(20)이 노출되도록 장착면(10) 위에 놓는다. 다음으로, 봉지제(40)를 개구부(81)에 투입한 다음, 일정 시간 봉지제(40)를 경화한 후, 스텐실 마스크(80)를 장착면(10)으로부터 분리한다. 스텐실 마스크(80)는 주로 금속 재질로 이루어진다.6 and 7 are views showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044. First, a semiconductor light emitting device chip 20 is mounted on a mounting surface 10 made of a film or a plate. Lt; / RTI > Next, a stencil mask 80 having a partition 82 and an opening 81 is placed on the mounting surface 10 such that the semiconductor light emitting device chip 20 is exposed. Next, after the encapsulant 40 is put into the opening 81, the encapsulant 40 is cured for a certain period of time, and then the stencil mask 80 is separated from the mounting surface 10. The stencil mask 80 is mainly made of a metal material.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 봉지제로 덮힌 반도체 발광소자 칩을 구비하는, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 봉지제와 결합력이 강화되도록 접착면 확장부가 구비된 벽을 이용하여, 복수의 반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계; 그리고, 봉지제와 함께, 복수의 반도체 발광소자 칩 중 적어도 하나의 반도체 발광소자 칩을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, a method of manufacturing a semiconductor light emitting device comprising a semiconductor light emitting device chip covered with an encapsulant, wherein the adhesive surface is extended to enhance the bonding force with the encapsulant. Covering the plurality of semiconductor light emitting device chips with an encapsulant using an additional wall; And cutting the at least one semiconductor light emitting device chip of the plurality of semiconductor light emitting device chips together with the encapsulating agent. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device is provided.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면,
도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 8 내지 도 12는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 다른 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 16은 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 17은 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 다른 예를 나타내는 도면,
도 18은 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 19 내지 도 23은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 24는 본 개시에 따른 벽의 다른 예를 나타내는 도면,
도 25는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 26 내지 도 27은 본 개시에 따른 벽의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 28은 도 26 내지 도 27에 도시된 벽에 봉지제가 놓여진 상태를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device (lateral chip)
2 is a view showing another example (Flip Chip) of a conventional semiconductor light emitting device,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device (Vertical Chip)
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
5 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device,
6 and 7 are views showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device shown in U.S. Patent No. 6,650,044,
8 to 12 illustrate an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
13 is a view showing another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure,
14 is a view showing still another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure;
15 is a view showing still another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure;
16 is a view showing still another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure;
17 is a view showing another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure,
18 is a view showing still another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure;
19 to 23 illustrate an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
24 shows another example of a wall according to the present disclosure,
25 illustrates another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
26 to 27 show another example of a wall according to the present disclosure,
FIG. 28 is a view showing a state in which an encapsulant is placed on the wall illustrated in FIGS. 26 to 27.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).

도 8 내지 도 12는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.8 to 12 are diagrams showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

먼저, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 장착면(10)에 반도체 발광소자 칩(20)을 놓은 다음, 반도체 발광소자 칩(20)이 노출되도록 스텐실 마스크(30)를 놓는다. 반도체 발광소자 칩(20)은 도 1, 도 2, 도 3 및 도 5에 도시된 일 형태를 가질 수 있으며, 특별히 제한된 형태를 가지는 것은 아니지만, 전극(700,800,901,902,903)이 아래쪽을 향할 수 있는 플립 칩 형태인 것이 바람직하다. 전극(700,800)이 위쪽을 향하는 경우에, 스텐실 공정에서, 전극(700,800)을 봉지제 외부로 노출시키는 추가의 포토리소그라피 공정이 추가되어야 하는 단점을 가지게 된다.First, as shown in FIGS. 8 and 9, the semiconductor light emitting device chip 20 is placed on the mounting surface 10, and then the stencil mask 30 is placed to expose the semiconductor light emitting device chip 20. The semiconductor light emitting device chip 20 may have one form shown in FIGS. 1, 2, 3, and 5, and the semiconductor light emitting device chip 20 may not have a particularly limited form, but may have a flip chip form in which the electrodes 700, 800, 901, 902, and 903 may face downwards. Is preferably. In the case where the electrodes 700 and 800 are facing upwards, in the stencil process, an additional photolithography process for exposing the electrodes 700 and 800 to the outside of the encapsulant has to be added.

다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 봉지제(40)가 격벽(31) 사이에 놓인 반도체 발광소자 칩(20)에 투입된다. 봉지제(40)를 격벽(31)의 높이에 맞추어 반도체 발광소자 칩(20)에 투입할 수 있으면 좋지만, 공정상 쉽지 않은 경우에는, 격벽(31)의 높이를 기준으로 그 위에 남아있는 봉지제(40)를 제거하는 공정이 추가될 수 있다. 봉지제(40)에는 주로 형광체가 함유된다. 예를 들어, 반도체 발광소자 칩이 GaN계 반도체 발광소자 칩인 경우에, 청색 광을 발광하며, YAG와 같은 황색 형광체가 사용될 수 있다.Next, as shown in FIG. 10, the encapsulant 40 is injected into the semiconductor light emitting device chip 20 between the partition walls 31. The encapsulant 40 may be introduced into the semiconductor light emitting device chip 20 according to the height of the partition wall 31, but when it is not easy in the process, the encapsulant remaining on the basis of the height of the partition wall 31 is used. The process of removing 40 can be added. The encapsulant 40 mainly contains phosphors. For example, when the semiconductor light emitting device chip is a GaN-based semiconductor light emitting device chip, it emits blue light and a yellow phosphor such as YAG can be used.

다음으로, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 봉지제(40)가 형상을 유지할 수 있을 정도로 경화가 이루어진 후에, 스텐실 마스크 제거액(50)이 투입되고, 스텐실 마스크(30), 적어도 봉지제(40) 사이의 격벽(31)이 제거된다. 본 개시에 따라서, 제거가능한 스텐실 마스크(30)를 사용함으로써, 종래에 재활용 가능한 스텐실 마스크를 사용할 때에 비해, 스텐실 마스크(30)와 봉지제(40)의 분리에 따르는 격벽(31)의 형상적 제약이 불필요하게 되므로, 다양한 형태의 격벽(31), 나아가 다양한 형태의 봉지제(40) 측면 형상을 구현할 수 있게 되는 이점을 가지게 된다.Next, as shown in FIGS. 11 and 12, after curing is performed to the extent that the encapsulant 40 can maintain its shape, the stencil mask removal liquid 50 is introduced, and the stencil mask 30, at least the encapsulant, is added. The partition 31 between the 40 is removed. According to the present disclosure, by using the removable stencil mask 30, the shape restriction of the partition 31 due to the separation of the stencil mask 30 and the encapsulant 40, as compared with the conventional use of the recyclable stencil mask. Since this becomes unnecessary, it has the advantage that the side wall shape of the various types of partition wall 31, and also the various types of encapsulant 40 can be realized.

도 13은 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 스텐실 마스크(30)의 격벽(32)이 사다리꼴의 단면을 가진다. 따라서 봉지제(40)의 측 단면은 경사면이 된다.13 is a view showing another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure, wherein the partition wall 32 of the stencil mask 30 has a trapezoidal cross section. Therefore, the side cross section of the sealing agent 40 becomes an inclined surface.

도 14는 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 스텐실 마스크(30)의 격벽(33)이 2중 경사면인 단면을 가지며, 봉지제(40)의 측 단면은 2중 경사면을 가진다.14 is a view showing another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure, wherein the partition wall 33 of the stencil mask 30 has a double inclined surface, and the side cross section of the encapsulant 40 is 2. Has a slope.

도 15는 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 스텐실 마스크(30)의 격벽(34)이 곡면을 가지며, 봉지제(40)의 측 단면은 곡면을 가진다.15 is a view showing another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure, wherein the partition wall 34 of the stencil mask 30 has a curved surface, and the side cross section of the encapsulant 40 has a curved surface.

도 16은 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 스텐실 마스크(30)의 격벽(35)이 하부에서만 곡면을 가지며, 봉지제(40)의 측 단면은 하부에서만 곡면을 가진다.16 is a view showing another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure, the partition wall 35 of the stencil mask 30 has a curved surface only at the bottom, the side cross-section of the encapsulant 40 is curved only at the bottom Has

도 17은 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 스텐실 마스크(30)의 격벽(36)이 요철을 가지면, 봉지제(40)의 측 단면은 요철을 가지게 된다.17 is a view showing another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure. When the partition wall 36 of the stencil mask 30 has irregularities, the side cross section of the encapsulant 40 has irregularities.

도 18은 본 개시에 따른 스텐실 마스크 격벽의 형상의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 스텐실 마스크(30)를 위에서 보았을 때, 스텐실 마스크(30)의 격벽(37)에 요철이 형성되어 있다.FIG. 18 is a view showing another example of the shape of the stencil mask partition wall according to the present disclosure, and when the stencil mask 30 is viewed from above, unevenness is formed in the partition wall 37 of the stencil mask 30.

도 19 내지 도 23은 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저, 도 19에 도시된 바와 같이, 장착면(10; 예: 블루 테이프)에 벽(90; Wall, 예: 금속 프레임 또는 플라스틱 프레임)이 놓인다. 다음으로, 도 20에 도시된 바와 같이, 반도체 발광소자 칩(20)이 놓이고, 형광체(41)를 함유하는 봉지제(40)가 벽(90)에 의해 제한되어 공급된다. 장착면(10)에 반도체 발광소자 칩(20)이 먼저 놓이고, 벽(90)이 놓일 수 있음은 물론이다. 형광체(41)는 생략될 수 있으며, 벽(90)은 봉지제(40)의 형상을 경계지우는 한편, 높이를 경계 지우는데 사용될 수 있다. 반도체 발광소자 칩(20)의 수에 제한은 없으나, 공정의 효율을 위해 복수 개의 칩이 구비된다. 봉지제(40)가 경화되면, 도 21에 도시된 바와 같이, 장착면(10)을 제거한다. 다음으로, 도 22에 도시된 바와 같이, 벽(90)을 제거하고, 도 23에 도시된 바와 같이, 블레이드 또는 톱(Saw)을 이용하여, 봉지제(40)를 갖춘 반도체 발광소자 칩(20)으로 분리한다. 이때, 봉지제(40)의 측면(42)을 수직방향으로 곧게 형성해도 좋지만, 봉지제(40)를 전체적으로 사다리꼴 또는 역사다리꼴로 형성하여, 광 방출을 향상시킬 수 있게 된다. 단면이 삼각인 블레이드(도시 생략)를 위쪽에서 절단함으로써 사다리꼴을 만들 수 있으며, 단면이 삼각인 블레이드를 아래쪽에서 절단함으로써 역사다리꼴을 만들 수 있게 된다. 벽(90)을 제거할 수 있는 물질로 만들 수 있음은 물론이다. 반도체 발광소자 칩(20)이 놓인 다음, 벽(90)이 놓일 수도 있으며, 봉지제(40)를 공급한 후, 벽(90)을 놓는 것도 가능하다. 벽(90)의 역할은 봉지제(90)의 외곽 형상의 경계 지움 및/또는 봉지제(40)의 높이를 결정하는 것이다. 경우에 따라 장착면(10)을 그대로 두고 절단할 수도 있다.19 to 23 illustrate an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. First, as shown in FIG. 19, a wall 90 is mounted on a mounting surface 10 (eg, a blue tape). Wall, eg metal frame or plastic frame). Next, as shown in FIG. 20, the semiconductor light emitting device chip 20 is placed, and the encapsulant 40 containing the phosphor 41 is supplied by being limited by the wall 90. The semiconductor light emitting device chip 20 may be placed on the mounting surface 10 first, and the wall 90 may be placed thereon. Phosphor 41 may be omitted, and wall 90 may be used to demarcate the shape of encapsulant 40, while delimiting the height. The number of the semiconductor light emitting device chips 20 is not limited, but a plurality of chips are provided for the efficiency of the process. When the encapsulant 40 is cured, the mounting surface 10 is removed, as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 22, the wall 90 is removed, and as shown in FIG. 23, the semiconductor light emitting device chip 20 having the encapsulant 40 is formed by using a blade or a saw. Separate with). At this time, the side surface 42 of the encapsulant 40 may be formed straight in the vertical direction, but the encapsulant 40 can be formed in a trapezoid or inverted trapezoid as a whole, thereby improving light emission. Trapezoids can be made by cutting a blade with a triangular cross section from the top, and an inverted trapezoid can be made by cutting a blade with a triangular cross section from the bottom. Of course, the wall 90 can be made of a removable material. After the semiconductor light emitting device chip 20 is placed, the wall 90 may be placed, and after the encapsulant 40 is supplied, the wall 90 may be laid. The role of the wall 90 is to determine the perimeter of the encapsulant 90 and / or the height of the encapsulant 40. In some cases, the mounting surface 10 may be cut as it is.

도 24는 본 개시에 따른 벽의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 벽(90)이 요철(91)을 가진다. 요철(91)은 벽(90)과 봉지제(40)의 결합력을 향상시켜, 공정 효율을 향상시킨다. 도 19 내지 도 23에 개시된 예의 경우에, 도 1 내지 도 18에 개시된 예와 달리, 격벽(82,31)이 구비되지 않으므로, 봉지제(40)와 벽(90) 사이의 결합력이 떨어질 수 있으며, 접착면 확장부로서 벽(90)에 요철(91)을 구비함으로써 결합력을 향상시킬 수 있게 된다.24 is a view showing another example of the wall according to the present disclosure, in which the wall 90 has an unevenness 91. The unevenness 91 improves the bonding force between the wall 90 and the encapsulant 40, thereby improving process efficiency. In the case of the example disclosed in FIGS. 19 to 23, unlike the example disclosed in FIGS. 1 to 18, since the partitions 82 and 31 are not provided, the bonding force between the encapsulant 40 and the wall 90 may be degraded. By providing the concave-convex 91 on the wall 90 as the adhesive surface extension, the bonding force can be improved.

도 25는 본 개시에 따라 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 장착면(10)이 구비된 상태 또는 장착면(10)을 제거한 상태에서, 반도체 발광소자 칩(20)을 개별적으로 분리하기에 앞서, 절단선(43)을 따라 봉지제(40)를 절단하는 과정을 설명한다. 절단선(43)을 따른 절단은 반도체 발광소자 칩(20)을 개별적으로 절단하는 공정 이후에 행할 수도 있다.25 is a view illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, wherein the semiconductor light emitting device chip 20 is mounted in a state where the mounting surface 10 is provided or the mounting surface 10 is removed. Prior to separate, the process of cutting the encapsulant 40 along the cutting line 43 will be described. Cutting along the cutting line 43 may be performed after the step of individually cutting the semiconductor light emitting device chip 20.

도 26 내지 도 27은 본 개시에 따른 벽의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 벽(90)이 접착면 확장부로서 요철(91) 대신에, 그 하부에서 받침(92)을 가진다. 받침(92)을 가짐으로써, 벽(90)의 상부 폭보다 하부 폭이 커진다.26 to 27 show another example of a wall according to the present disclosure, in which the wall 90 has a support 92 at the bottom thereof, instead of the unevenness 91 as an adhesive surface extension. By having the base 92, the lower width is larger than the upper width of the wall 90.

도 28은 도 26 내지 도 27에 도시된 벽에 봉지제가 놓여진 상태를 나타내는 도면으로서, 받침(92)을 구비함으로써, 봉지제(40)가 받침(92) 위로 얹혀져서 양자의 결합 면적이 확대됨을 알 수 있다.FIG. 28 is a view showing a state in which an encapsulant is placed on the wall shown in FIGS. 26 to 27. The encapsulant 40 is placed on the wall so that the encapsulant 40 is placed on the envelop 92 so that the bonding area of the encapsulant is enlarged. Able to know.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 봉지제로 덮힌 반도체 발광소자 칩을 구비하는, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 봉지제와 결합력이 강화되도록 접착면 확장부가 구비된 벽을 이용하여, 복수의 반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계; 그리고, 봉지제와 함께, 복수의 반도체 발광소자 칩 중 적어도 하나의 반도체 발광소자 칩을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법. 바람직하게는 블루 테이프와 같은 장착면을 이용함으로써, 반도체 발광소자 칩이 제조된 상태를(통상 칩은 스크라이빙/브레이킹 후에 블루 테이프 위에 놓여서 운반된다.) 그대로 이용할 수 있는 이점을 가지게 되지만, 반드시 칩이 별도의 장착면에 놓여야 하는 것은 아니며, 칩이 놓일 수 있다면 어떠한 면이 사용되어도 좋다.(1) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device comprising a semiconductor light emitting device chip covered with an encapsulant, wherein the plurality of semiconductor light emitting device chips are encapsulated using a wall provided with an adhesive surface extension so as to enhance the bonding force with the encapsulant. Zero covering; And cutting the at least one semiconductor light emitting device chip of the plurality of semiconductor light emitting device chips together with the encapsulating agent. Preferably, by using a mounting surface such as blue tape, the semiconductor light emitting device chip has the advantage that the state where the semiconductor light emitting chip is manufactured (typically, the chip is carried on the blue tape after scribing / breaking) can be used as it is. The chip does not have to be placed on a separate mounting surface, and any surface may be used if the chip can be placed.

(2) 절단하는 단계 전 또는 후에, 벽으로부터, 봉지제가 덮힌 복수의 반도체 발광소자 칩을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(2) separating the plurality of semiconductor light emitting device chips covered with the encapsulant from the wall before or after the cutting step; manufacturing a semiconductor light emitting device comprising a.

(3) 접착면 확장부는 봉지제와 벽이 결합하는 측에 구비된 요철인 것을 특징으로 한느 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(3) A method for manufacturing a semiconductor light emitting element, wherein the adhesive surface extension portion is an unevenness provided at the side where the encapsulant and the wall are coupled to each other.

(4) 접착면 확장부는 봉지제와 벽이 결합하는 측에서 벽 하부에 구비되며, 봉지체가 얹히는 받침인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(4) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that the adhesive surface expansion portion is provided on the lower part of the wall at the side where the encapsulant and the wall are coupled to each other, and the support on which the encapsulant is placed.

(5) 복수의 반도체 발광소자 칩 각각은 전극을 구비하며, 절단하는 단계 후에, 전극이 봉지제가 덮히지 않은 반대측으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(5) A method of manufacturing a semiconductor light emitting element, wherein each of the plurality of semiconductor light emitting element chips includes an electrode, and after the cutting step, the electrode is exposed to the opposite side not covered with the encapsulant.

(6) 봉지제가 형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(6) A method for producing a semiconductor light emitting device, wherein the encapsulating agent contains a phosphor.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 봉지제의 측면을 절단(Cutting)을 통해 형성할 수 있게 된다.According to the method of manufacturing one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the side surface of the encapsulant can be formed through cutting.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 봉지제가 구비된 반도체 발광소자를 절단을 통해 제조함에 있어서, 제조를 용이하게 할 수 있게 된다.According to another method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in manufacturing a semiconductor light emitting device provided with an encapsulant through cutting, it is possible to facilitate the manufacturing.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 봉지제와 벽의 결합력을 높혀 공정 효율을 향상시킬 수 있게 된다.According to another method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to improve the process efficiency by increasing the bonding force between the sealing agent and the wall.

10: 장착면 20: 반도체 발광소자 칩 30: 스텐실 마스크 격벽Reference Signs List 10 mounting surface 20 semiconductor light emitting device chip 30 stencil mask partition wall

Claims (10)

봉지제로 덮힌 반도체 발광소자 칩을 구비하는, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
봉지제와 결합력이 강화되도록 접착면 확장부가 구비된 벽을 이용하여, 복수의 반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계; 그리고,
봉지제와 함께, 복수의 반도체 발광소자 칩 중 적어도 하나의 반도체 발광소자 칩을 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.In the method of manufacturing a semiconductor light emitting device comprising a semiconductor light emitting device chip covered with an encapsulant,
Covering the plurality of semiconductor light emitting device chips with an encapsulant using a wall provided with an adhesive surface extension to enhance the bonding force with the encapsulant; And,
Cutting the at least one semiconductor light emitting device chip of the plurality of semiconductor light emitting device chips together with the encapsulant. 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계 전 또는 후에, 벽으로부터, 봉지제가 덮힌 복수의 반도체 발광소자 칩을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Before or after the step of cutting, separating the plurality of semiconductor light emitting device chips covered with the encapsulant from the wall. 청구항 1에 있어서,
접착면 확장부는 봉지제와 벽이 결합하는 측에 구비된 요철인 것을 특징으로 한느 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that the adhesive surface expansion portion is irregularities provided on the side of the sealing agent and the wall coupling. 청구항 1에 있어서,
접착면 확장부는 봉지제와 벽이 결합하는 측에서 벽 하부에 구비되며, 봉지체가 얹히는 받침인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
The adhesive surface extension part is provided on the lower part of the wall at the side where the encapsulant and the wall are coupled, the method of manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that the support is mounted on the encapsulation. 청구항 1에 있어서,
복수의 반도체 발광소자 칩 각각은 전극을 구비하며,
절단하는 단계 후에, 전극이 봉지제가 덮히지 않은 반대측으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Each of the plurality of semiconductor light emitting device chips includes an electrode,
After the cutting step, the electrode is exposed to the opposite side not covered with the encapsulant. 청구항 3에 있어서,
절단하는 단계 전 또는 후에, 벽으로부터, 봉지제가 덮힌 복수의 반도체 발광소자 칩을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to claim 3,
Before or after the step of cutting, separating the plurality of semiconductor light emitting device chips covered with the encapsulant from the wall. 청구항 4에 있어서,
절단하는 단계 전 또는 후에, 벽으로부터, 봉지제가 덮힌 복수의 반도체 발광소자 칩을 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 4,
Before or after the step of cutting, separating the plurality of semiconductor light emitting device chips covered with the encapsulant from the wall. 청구항 6에 있어서,
복수의 반도체 발광소자 칩 각각은 전극을 구비하며,
절단하는 단계 후에, 전극이 봉지제가 덮히지 않은 반대측으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 6,
Each of the plurality of semiconductor light emitting device chips includes an electrode,
After the cutting step, the electrode is exposed to the opposite side not covered with the encapsulant. 청구항 7에 있어서,
복수의 반도체 발광소자 칩 각각은 전극을 구비하며,
절단하는 단계 후에, 전극이 봉지제가 덮히지 않은 반대측으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 7,
Each of the plurality of semiconductor light emitting device chips includes an electrode,
After the cutting step, the electrode is exposed to the opposite side not covered with the encapsulant. 청구항 1 내지 청구항 9 중의 어느 한 항에 있어서,
봉지제가 형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the encapsulant contains a phosphor.
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