KR101362439B1 - Trap for semiconductor fabrication - Google Patents

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Abstract

금속성 물질의 포획성이 향상된 반도체 제조용 트랩장치가 개시된다. 개시된 본 발명에 의한 반도체 제조용 트랩장치는, 반도체 제조 환경을 제공하는 처리챔버로부터 공기를 펌핑하는 진공펌프에 의해 배기되는 가스 중 부산물을 포획하기 위한 것으로서, 처리챔버와 진공펌프 사이에 배치되어 가스의 부산물을 포획하는 트랩유닛 및, 트랩유닛의 외면을 감싸도록 마련되어 자력에 의해 가스의 부산물 중 금속성 물질을 선별하여 포획시키는 자력유닛을 포함한다. 이러한 구성에 의하면, 가스의 금속성 물질에 대한 포획성이 향상됨에 따라 진공펌프로 유입되는 금속성 물질을 차단할 수 있어 펌핑 효율 향상과 수명 향상에 기여할 수 있게 된다.
Disclosed is a trap apparatus for manufacturing a semiconductor having improved trapping of a metallic material. The trap apparatus for semiconductor manufacturing according to the present invention according to the present invention is for trapping a by-product of gas exhausted by a vacuum pump that pumps air from a processing chamber providing a semiconductor manufacturing environment, and is disposed between the processing chamber and the vacuum pump to A trap unit for capturing the by-products, and a magnetic unit provided to surround the outer surface of the trap unit to select and capture the metallic material in the by-products of the gas by magnetic force. According to such a configuration, as the trapping property of the gas to the metallic material is improved, the metallic material flowing into the vacuum pump can be blocked, thereby contributing to the improvement of the pumping efficiency and the life.

Description

반도체 제조용 트랩장치{TRAP FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION}Trap device for semiconductor manufacturing {TRAP FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION}

본 발명은 반도체 제조용 트랩장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 가스로부터 금속성 물질을 선별 포획하여 포획성을 향상시켜 효율 향상에 기여할 수 있는 반도체 제조용 트랩장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a trapping device for semiconductor manufacturing, and more particularly, to a trapping device for semiconductor manufacturing that can selectively capture metallic material from gas to improve trapping and contribute to efficiency improvement.

일반적으로 반도체 제조 설비에는 반도체 제조공정이 이루어지는 처리챔버와, 처리챔버 내에서 제조 공정 중 발생되어 배기되는 배기가스를 펌핑하는 진공펌프의 사이에 트랩장치가 마련된다. 상기 트랩장치는 상기 처리챔버에서 발생된 배기가스의 부산물을 파우더 즉, 분말 형태로 응축하여 포획한다. In general, a semiconductor manufacturing apparatus is provided with a trap device between a processing chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed and a vacuum pump for pumping exhaust gas generated and exhausted during the manufacturing process in the processing chamber. The trap device condenses and captures by-products of the exhaust gas generated in the treatment chamber in powder, that is, powder form.

한편, 상기 배기가스에 포함된 부산물은 서로 다른 입자 크기를 가지는 복수의 성분들이 포함되지만, 상기 트랩장치는 입자의 크기에 상관없이 배기가스의 모든 부산물을 동시에 포획하게 된다. 이로 인해, 유기금속화학증착(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)법이 적용된 반도체 제조공정의 트랩장치의 경우, 배기가스 중 상대적으로 입자가 크고 무거운 금속성 즉, 자성을 가지는 물질의 포획율이 저하되는 문제점을 가진다. 상기 배기가스에서 포획되지 못하는 금속성 물질은 진공펌프로 유입됨에 따라, 펌핑 효율 저하를 야기한다. 뿐만 아니라, 상기 진공펌프 내에 금속성 물질이 잔류됨에 따른 진공펌프의 수명을 저하시키는 원인이 된다.
Meanwhile, the by-products included in the exhaust gas include a plurality of components having different particle sizes, but the trap device simultaneously captures all the by-products of the exhaust gas regardless of the particle size. As a result, in the case of a trap apparatus of a semiconductor manufacturing process to which the Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) method is applied, the capture rate of a relatively large and heavy metallic material, that is, a magnetic material, in the exhaust gas is reduced. Has the problem. As the metallic material that cannot be captured in the exhaust gas flows into the vacuum pump, the pumping efficiency is lowered. In addition, it causes a decrease in the life of the vacuum pump as the metallic material remains in the vacuum pump.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 금속성 물질의 포획성을 향상시킴으로써 효율 향상에 기여할 수 있는 반도체 제조용 트랩장치에 관한 것이다.
The present invention has been made in view of the above problems, and relates to a trap device for semiconductor manufacturing that can contribute to efficiency improvement by improving the trapping property of a metallic material.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 제조용 트랩장치는, 반도체 제조 환경을 제공하는 처리챔버로부터 공기를 펌핑하는 진공펌프에 의해 배기되는 가스 중 부산물을 포획하기 위한 것으로서, 상기 처리챔버와 진공펌프 사이에 배치되어, 상기 가스의 부산물을 포획하는 트랩유닛 및, 상기 트랩유닛의 외면을 감싸도록 마련되어, 자력에 의해 상기 가스의 부산물 중 금속성 물질을 선별하여 포획시키는 자력유닛을 포함한다. The trap apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention for achieving the above object is to capture by-products of the gas exhausted by a vacuum pump that pumps air from a processing chamber providing a semiconductor manufacturing environment, and the processing chamber and the vacuum pump. It disposed between the trap unit for trapping the by-product of the gas, and provided to surround the outer surface of the trap unit, and a magnetic unit for selecting and capturing the metallic material in the by-product of the gas by magnetic force.

일측에 의하면, 상기 트랩유닛은 상기 처리챔버와 진공펌프 사이의 상기 가스의 배기 경로에 순차적으로 설치되는 메인 및 서브 트랩을 포함하며, 상기 자력유닛은 상기 메인 및 서브 트랩 중 적어도 어느 하나에 설치된다. According to one side, the trap unit includes a main and a sub trap sequentially installed in the exhaust path of the gas between the processing chamber and the vacuum pump, the magnetic force unit is installed in at least one of the main and sub traps. .

일측에 의하면, 상기 트랩유닛은 포획된 상기 금속성 물질을 배출시키는 배출라인을 구비한다. According to one side, the trap unit has a discharge line for discharging the trapped metallic material.

일측에 의하면, 상기 자력유닛은, 상기 트랩유닛의 외측을 감싸는 영구자석 및, 상기 영구자석의 외측을 감싸도록 마련되되, 선택적으로 상기 영구자석과 반대극성으로 자화되어 상기 금속성 물질을 간섭하는 상기 영구자석의 자력을 선택적으로 제거시키는 전자석을 포함한다. According to one side, the magnetic force unit, the permanent magnet surrounding the outer side of the trap unit, and provided to surround the outer side of the permanent magnet, the permanent magnetized in the opposite polarity with the permanent magnet selectively interfering with the metallic material It includes an electromagnet for selectively removing the magnetic force of the magnet.

일측에 의하면, 상기 자력유닛은, 상기 트랩유닛의 외면을 감싸는 제1자력체 및, 상기 제1자력체의 외면을 감싸도록 마련되어, 선택적으로 상기 제1자력체와 반대 극성을 가지는 제2자력체를 포함한다. According to one side, the magnetic unit, the first magnetic body surrounding the outer surface of the trap unit, and the second magnetic body is provided to surround the outer surface of the first magnetic body, optionally having a polarity opposite to the first magnetic body It includes.

본 발명에 의한 반도체 제조용 트랩장치는 반도체 제조 환경을 제공하는 처리챔버로부터 공기를 펌핑하는 진공펌프에 의해 배기되는 가스 중 부산물을 포획하기 위한 것으로서, 상기 처리챔버와 진공펌프 사이에 배치되어, 상기 가스의 부산물을 포획하는 트랩유닛 및, 상기 가스의 부산물 중 금속성 물질을 자력에 의해 상기 트랩유닛의 일측으로 부착시켜 선별 포획시키는 자력유닛을 포함한다. The trap apparatus for semiconductor manufacturing according to the present invention is for trapping a by-product of gas exhausted by a vacuum pump for pumping air from a processing chamber providing a semiconductor manufacturing environment, and is disposed between the processing chamber and the vacuum pump, And a trap unit for capturing byproducts of the gas, and a magnetic unit attaching and trapping a metallic material in the byproducts of the gas to one side of the trap unit by magnetic force.

일측에 의하면, 상기 트랩유닛은 상기 처리챔버와 진공펌프 사이의 상기 가스의 배기 경로에 순차적으로 설치되는 다단 설치되는 복수의 트랩을 포함하며, 상기 복수의 트랩 중 적어도 어느 하나에 상기 자력유닛이 설치된다. According to one side, the trap unit includes a plurality of traps are provided in a plurality of stages sequentially installed in the exhaust path of the gas between the processing chamber and the vacuum pump, the magnetic force unit is installed in at least one of the plurality of traps do.

일측에 의하면, 상기 자력유닛은 선택적으로 자력이 제거되어 상기 트랩유닛의 일측에 부착된 상기 금속성 물질이 상기 트랩유닛으로부터 분리되어 수거된다. According to one side, the magnetic force unit is selectively removed by the magnetic force is the metal material attached to one side of the trap unit is collected separately from the trap unit.

일측에 의하면, 상기 자력유닛은, 상기 트랩유닛을 감싸는 영구자석을 포함하는 제1자력체 및, 상기 제1자력체를 감싸도록 마련되되, 선택적으로 상기 제1자력체와 반대극성으로 자화되어 상기 금속성 물질을 간섭하는 상기 제1자력체의 자력을 선택적으로 제거시키는 전자석을 포함하는 제2자력체를 포함한다.
According to one side, the magnetic unit, the first magnetic body including a permanent magnet surrounding the trap unit, and is provided to surround the first magnetic body, optionally magnetized in the opposite polarity with the first magnetic body to the And a second magnetic body comprising an electromagnet that selectively removes the magnetic force of the first magnetic body that interferes with the metallic material.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 제조용 트랩장치는, 첫째, 처리챔버로부터 배기된 가스로부터 응축되어 포획되는 부산물 중에서 상대적으로 입자가 크고 무거운 금속성 물질만을 별도로 포획하여 처리할 수 있게 되어, 포획성 향상에 기여할 수 있게 된다. The trap apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention having the configuration as described above, firstly, captures and treats only a relatively large and heavy metallic material among by-products condensed and trapped by the gas exhausted from the processing chamber, and is captured. You can contribute to improving your gender.

둘째, 진공펌프로 유입되는 가스의 금속성 물질에 대한 포획성 향상으로 인해, 진공펌프의 펌핑 효율 향상에 기여할 수 있게 된다. 또한, 진공펌프에 금속성 물질이 잔류되지 않아, 진공펌프의 수명 향상에 따른 경제성 향상의 효과도 기대할 수 있게 된다.
Second, due to the improved trapping of the metal flowing into the vacuum pump for the metallic material, it is possible to contribute to the improvement of the pumping efficiency of the vacuum pump. In addition, since no metallic substance remains in the vacuum pump, it is possible to expect the effect of improving the economics by improving the life of the vacuum pump.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 반도체 제조용 트랩장치를 개략적으로 도시한 구성도,
도 2는 도 1에 도시된 트랩장치를 확대하여 개략적으로 도시한 단면도, 그리고,
도 3은 도 1에 도시된 반도체 제조용 트랩장치의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 구성도이다. 1 is a configuration diagram schematically showing a trap apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a sectional view schematically showing an enlarged trap apparatus shown in FIG. 1, and
3 is a configuration diagram schematically showing a modified embodiment of the trap apparatus for manufacturing a semiconductor shown in FIG. 1.

이하, 첨부된 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to or limited by the embodiments.

도 1을 참고하면, 일실시예에 의한 반도체 제조용 트랩장치(10)는 트랩유닛(20)과 자력유닛(30)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a trap apparatus 10 for manufacturing a semiconductor according to an embodiment includes a trap unit 20 and a magnetic force unit 30.

참고로, 본 발명에서 설명하는 트랩장치(10)는 도 1의 도시와 같이 처리챔버(C)와 진공펌프(P)를 포함하는 반도체 제조설비에 적용되는 것으로서, 처리챔버(C)와 진공펌프(P) 사이에서 처리챔버(C)로부터 배기되는 가스(G)의 부산물을 포획한다. 여기서, 상기 처리챔버(C)는 미도시된 가스공급원으로부터 가스(G)를 공급받아 반도체 제조환경을 제공하며, 상기 진공펌프(P)는 처리챔버(C)에서 제조공정이 수행된 반도체의 증착을 위한 공기를 펌핑한다. 이러한 처리챔버(C)와 진공펌프(P) 사이에 진공의 라인이 형성되며, 이 진공 라인을 따라 가스(G)가 처리챔버(C)로부터 배기되어 진공펌프(P) 측으로 유입된다. 이때, 자세히 도시되지 않았으나 가스(G)의 배기 압력을 조절하기 위한 밸브가 처리챔버(C)와 진공펌프(P) 사이에 마련된다. 상기 처리챔버(C) 및 진공펌프(P)의 구성은 공지의 기술로부터 이해 가능하므로 자세한 설명은 생략한다.
For reference, the trap device 10 described in the present invention is applied to a semiconductor manufacturing equipment including a processing chamber C and a vacuum pump P, as shown in FIG. 1, and the processing chamber C and the vacuum pump. By-products of the gas G exhausted from the processing chamber C are captured between (P). Here, the processing chamber (C) receives a gas (G) from a gas supply source (not shown) to provide a semiconductor manufacturing environment, and the vacuum pump (P) is a deposition of a semiconductor in which a manufacturing process is performed in the processing chamber (C). Pump the air for A vacuum line is formed between the processing chamber C and the vacuum pump P, and gas G is exhausted from the processing chamber C along the vacuum line and flows into the vacuum pump P side. At this time, although not shown in detail, a valve for adjusting the exhaust pressure of the gas G is provided between the processing chamber C and the vacuum pump P. Since the configuration of the processing chamber (C) and the vacuum pump (P) can be understood from a known technique, detailed description thereof will be omitted.

상기 트랩유닛(20)은 처리챔버(C)의 반도체 제조 공정 중 발생되어 배기되는 가스(G)의 경로 상에 설치되어, 가스(G) 내에 포함된 부산물을 포획한다. 이를 위해, 상기 트랩유닛(20)은 도 2의 도시와 같이, 유입구(21)와 배기구(22)를 구비하며, 대략 원통 형상을 가진다. 그러나, 상기 트랩유닛(20)의 형상은 한정되지 않으며, 반도체 제조 환경에 따라 다양하게 가변 가능함은 당연하다. The trap unit 20 is installed on the path of the gas G generated and exhausted during the semiconductor manufacturing process of the processing chamber C to capture the by-product contained in the gas G. To this end, the trap unit 20 has an inlet 21 and an exhaust port 22, as shown in Figure 2, has a substantially cylindrical shape. However, the shape of the trap unit 20 is not limited, it is obvious that it can be variously changed according to the semiconductor manufacturing environment.

상기 트랩유닛(20)은 배기된 가스(G)를 대략 160도의 고온으로 가열함으로써, 가스(G)를 응축하여 분말 형태로 부산물을 포획한다. 이러한 트랩유닛(20)의 트랩 구성은 공지의 기술로부터 이해 가능함에 따라, 자세한 설명은 생략한다. The trap unit 20 heats the exhausted gas G to a high temperature of approximately 160 degrees, thereby condensing the gas G to capture the by-product in powder form. Since the trap configuration of the trap unit 20 can be understood from a known technique, detailed description thereof will be omitted.

상기 자력유닛(30)은 트랩유닛(20)의 외면을 감싸도록 마련되어, 자력으로 가스(G)의 부산물 중 자성을 가지는 금속성 물질(M)을 포획시킨다. 상기 자력유닛(30)은 제1자력체(31)와 제2자력체(32)를 포함한다. The magnetic force unit 30 is provided to surround the outer surface of the trap unit 20 to capture the metallic material M having magnetic properties by-product of the gas G by magnetic force. The magnetic unit 30 includes a first magnetic body 31 and the second magnetic body (32).

상기 제1자력체(31)는 트랩유닛(20)의 외측면을 감싼다. 이때, 상기 제1자력체(31)는 도 2의 도시와 같이, 상기 트랩유닛(20)의 외측면으로부터 소정 간격 이격되어 트랩유닛(20)의 외부를 감싸는 것으로 도시 및 예시하나, 트랩유닛(20)의 외측면에 부착되도록 설치될 수도 있다. The first magnetic body 31 surrounds the outer surface of the trap unit 20. At this time, as shown in FIG. 2, the first magnetic body 31 is illustrated and illustrated to surround the outside of the trap unit 20 by being spaced apart from the outer surface of the trap unit 20 by a predetermined interval. It may be installed to be attached to the outer surface of 20).

상기 제1자력체(31)는 항상 자력을 가지는 페라이트(Ferrite)와 같은 영구자석을 포함한다. 이에 따라, 상기 트랩유닛(20)을 통해 포획된 부산물 중 금속성 물질(M)이 제1자력체(31)를 향해 도 2와 같이 이동함으로써, 트랩유닛(20)의 일측 즉, 내주면에 부착된다. The first magnetic body 31 includes a permanent magnet, such as ferrite, which always has a magnetic force. Accordingly, the metallic material M of the by-product captured through the trap unit 20 moves toward the first magnetic body 31 as shown in FIG. 2, thereby being attached to one side of the trap unit 20, that is, the inner circumferential surface thereof. .

상기 제2자력체(32)는 제1자력체(31)의 외측면을 감싸도록 마련된다. 이때, 상기 트랩유닛(20)이 원통 형상을 가짐에 따라, 상기 제1 및 제2자력체(31)(32)는 트랩유닛(20)에 대응하여 중공의 도넛 형상을 가진다. 그러나, 이러한 제1 및 제2자력체(31)(32)의 형상 또한, 트랩유닛(20)과 마찬가지로 반도체 제조 환경에 따라 가변 가능하다. The second magnetic body 32 is provided to surround the outer surface of the first magnetic body 31. In this case, as the trap unit 20 has a cylindrical shape, the first and second magnetic bodies 31 and 32 have a hollow donut shape corresponding to the trap unit 20. However, the shapes of the first and second magnetic bodies 31 and 32 can also be varied depending on the semiconductor manufacturing environment as with the trap unit 20.

상기 제2자력체(32)는 선택적으로 자화되는 전자석을 포함한다. 이때, 상기 제2자력체(32)는 제1자력체(31)와 반대극성으로 자화된다. 이렇게 제2자력체(32)가 제1자력체(31)와 반대극성으로 자화될 경우, 제1자력체(31)의 자력이 제2자력체(32)에 의해 간섭됨으로써, 제1자력체(31)의 자력에 상실된다. 이로 인해, 상기 트랩유닛(20)의 내주면에 부착된 가스(G)의 부산물 중 금속성 물질(M)이 트랩유닛(20)의 내주면으로부터 분리되게 된다. 상기 분리된 금속성 물질(M)은 도 2와 같이, 트랩유닛(20)에 마련된 배출라인(23)을 따라 외부로 배출되어 별도로 수거된다. 여기서, 상기 배출라인(23)은 금속성 물질(M) 뿐만 아니라, 가스(G)로부터 응축되어 포획되는 타 부산물의 배출경로로써 제공될 수 있다.
The second magnetic body 32 includes an electromagnet that is magnetized selectively. At this time, the second magnetic body 32 is magnetized in the opposite polarity with the first magnetic body 31. When the second magnetic body 32 is magnetized in the opposite polarity with the first magnetic body 31, the magnetic force of the first magnetic body 31 is interfered by the second magnetic body 32, the first magnetic body Loss of magnetic force of (31). As a result, the metallic material M in the by-product of the gas G attached to the inner circumferential surface of the trap unit 20 is separated from the inner circumferential surface of the trap unit 20. The separated metallic material (M) is discharged to the outside along the discharge line 23 provided in the trap unit 20, as shown in Figure 2 is collected separately. Here, the discharge line 23 may be provided as a discharge path of other by-products condensed and captured from the gas G as well as the metallic material M.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 제조용 트랩장치(10)의 트랩동작을 도 1 및 도 2를 참고하여 설명한다. The trapping operation of the trap apparatus 10 for semiconductor manufacturing according to the present invention having the above configuration will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1과 같이, 상기 처리챔버(C)와 진공펌프(P) 사이에서 가스(G)의 배기 경로 상에 마련된 트랩장치(10)로 가스(G)가 유입된다. 상기 트랩장치(10)로 유입되는 가스(G)는 도 2와 같이 트랩유닛(20)의 내부에서 가스(G)를 가열하여 부산물을 응축하여 분말 형태로 포획한다. 이때, 응축된 가스(G)의 부산물 중 금속성 물질(M)은 트랩유닛(20)의 외면을 감싸는 자력유닛(30)의 제1자력체(21)의 자력에 의해 트랩유닛(20)의 내주면을 따라 부착된다. As shown in FIG. 1, the gas G flows into the trap device 10 provided on the exhaust path of the gas G between the processing chamber C and the vacuum pump P. The gas G introduced into the trap device 10 heats the gas G inside the trap unit 20 as shown in FIG. 2 to condense by-products and capture them in powder form. At this time, the metallic material (M) of the by-product of the condensed gas (G) is the inner peripheral surface of the trap unit 20 by the magnetic force of the first magnetic body 21 of the magnetic unit 30 surrounding the outer surface of the trap unit 20 Attached along.

상기 트랩유닛(20)의 내주면으로 부착되어 별도로 포획된 금속성 물질(M)은 제1자력체(31)가 전자석인 제2자력체(32)에 의해 자력이 제거되면, 트랩유닛(20)의 내측면으로부터 분리되어 배출라인(23)을 통해 배출된다.
The metallic material M attached to the inner circumferential surface of the trap unit 20 and separately captured is removed from the trap unit 20 when the magnetic force is removed by the second magnetic body 32 of which the first magnetic body 31 is an electromagnet. Separated from the inner side is discharged through the discharge line (23).

한편, 도 1의 도시에서는 상기 처리챔버(C)와 진공펌프(P)의 사이에 트랩유닛(20)이 단일개 마련되는 것으로 예시하였으나, 꼭 이에 한정되지 않는다. 즉, 도 3의 도시와 같이, 트랩유닛(20')이 메인 트랩(20a)과 서브 트랩(20b)을 포함하는 즉, 복수의 트랩을 구비하는 변형 실시예도 가능하다. 이 경우, 상기 메인 트랩(20a)이 가스(G)의 부산물을 1차 포획하고, 가스(G)의 배출 경로에서 후측에 배치된 서브 트랩(20b)이 가스(G)의 미처 포획되지 못한 부산물을 2차 포획함으로써, 포획성을 향상시킨다. 아울러, 상기 메인 및 서브 트랩(20a)(20b) 중 적어도 어느 한 트랩에 상술한 자력유닛(30)이 설치되며, 도 3의 도시에서는 메인 트랩(20a)에 설치되는 것으로 예시한다. 그러나, 상기 메인 및 서브 트랩(20a)(20b) 모두에도 자력유닛(30)이 설치되어 금속성 물질(M)을 별도로 포획하여 배출하도록 구성될 수도 있다.
Meanwhile, although illustrated in FIG. 1, a single trap unit 20 is provided between the processing chamber C and the vacuum pump P, but is not limited thereto. That is, as shown in FIG. 3, a modified embodiment in which the trap unit 20 'includes a main trap 20a and a sub trap 20b, that is, a plurality of traps is possible. In this case, the main trap 20a first captures by-products of the gas G, and the by-products in which the sub-trap 20b disposed at the rear side in the discharge path of the gas G are not captured by the gas G are present. By capturing the secondary, the trapping ability is improved. In addition, the magnetic force unit 30 described above is installed in at least one of the main and sub traps 20a and 20b, and is illustrated as being installed in the main trap 20a in FIG. 3. However, the magnetic force unit 30 may also be installed in both the main and sub traps 20a and 20b to separately capture and discharge the metallic material M.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It can be understood that

10: 반도체 제조용 트랩장치 20: 트랩유닛
30: 자력유닛 31: 제1자력체
32: 제2자력체 M: 금속성 물질10: trap device for semiconductor manufacturing 20: trap unit
30: magnetic unit 31: the first magnetic body
32: second magnetic body M: metallic material

Claims (9)

삭제delete 반도체 제조 환경을 제공하는 처리챔버로부터 공기를 펌핑하는 진공펌프에 의해 배기되는 가스 중 부산물을 포획하기 위한 반도체 제조용 트랩장치에 있어서,
상기 처리챔버와 진공펌프 사이에 배치되어, 상기 가스의 부산물을 포획하는 트랩유닛; 및
상기 트랩유닛의 외면을 감싸도록 마련되어, 자력에 의해 상기 가스의 부산물 중 금속성 물질을 선별하여 포획시키는 자력유닛;을 포함하고,
상기 트랩유닛은 상기 처리챔버와 진공펌프 사이의 상기 가스의 배기 경로에 순차적으로 설치되는 메인 및 서브 트랩을 포함하며,
상기 자력유닛은 상기 메인 및 서브 트랩 중 적어도 어느 하나에 설치되는 반도체 제조용 트랩장치.
A trap apparatus for semiconductor manufacturing for capturing by-products of gases exhausted by a vacuum pump pumping air from a processing chamber providing a semiconductor manufacturing environment,
A trap unit disposed between the processing chamber and the vacuum pump to trap a byproduct of the gas; And
And a magnetic force unit provided to surround an outer surface of the trap unit, and configured to select and capture a metallic material in the by-product of the gas by magnetic force.
The trap unit includes a main and a sub trap sequentially installed in the exhaust path of the gas between the processing chamber and the vacuum pump,
The magnetic force unit is a trap device for manufacturing a semiconductor is provided in at least one of the main and sub traps.
제2항에 있어서,
상기 트랩유닛은 포획된 상기 금속성 물질을 배출시키는 배출라인을 구비하는 반도체 제조용 트랩장치.
3. The method of claim 2,
The trap unit is a semiconductor device trap device having a discharge line for discharging the trapped metallic material.
제2항에 있어서,
상기 자력유닛은,
상기 트랩유닛의 외측을 감싸는 영구자석; 및
상기 영구자석의 외측을 감싸도록 마련되되, 선택적으로 상기 영구자석과 반대극성으로 자화되어 상기 금속성 물질을 간섭하는 상기 영구자석의 자력을 선택적으로 제거시키는 전자석;
을 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.
3. The method of claim 2,
The magnetic unit,
A permanent magnet surrounding the outer side of the trap unit; And
An electromagnet provided to surround the outer side of the permanent magnet, and selectively magnetized in the opposite polarity with the permanent magnet to selectively remove the magnetic force of the permanent magnet that interferes with the metallic material;
Trap device for semiconductor manufacturing comprising a.
제2항에 있어서,
상기 자력유닛은,
상기 트랩유닛의 외면을 감싸는 제1자력체; 및
상기 제1자력체의 외면을 감싸도록 마련되어, 선택적으로 상기 제1자력체와 반대 극성을 가지는 제2자력체;
를 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.
3. The method of claim 2,
The magnetic unit,
A first magnetic body surrounding an outer surface of the trap unit; And
A second magnetic body provided to surround an outer surface of the first magnetic body and optionally having a polarity opposite to that of the first magnetic body;
Trap device for semiconductor manufacturing comprising a.
삭제delete 반도체 제조 환경을 제공하는 처리챔버로부터 공기를 펌핑하는 진공펌프에 의해 배기되는 가스 중 부산물을 포획하기 위한 반도체 제조용 트랩장치에 있어서,
상기 처리챔버와 진공펌프 사이에 배치되어, 상기 가스의 부산물을 포획하는 트랩유닛; 및
상기 가스의 부산물 중 금속성 물질을 자력에 의해 상기 트랩유닛의 일측으로 부착시켜 선별 포획시키는 자력유닛;을 포함하고,
상기 트랩유닛은 상기 처리챔버와 진공펌프 사이의 상기 가스의 배기 경로에 순차적으로 설치되는 다단 설치되는 복수의 트랩을 포함하며,
상기 복수의 트랩 중 적어도 어느 하나에 상기 자력유닛이 설치되는 반도체 제조용 트랩장치.
A trap apparatus for semiconductor manufacturing for capturing by-products of gases exhausted by a vacuum pump pumping air from a processing chamber providing a semiconductor manufacturing environment,
A trap unit disposed between the processing chamber and the vacuum pump to trap a byproduct of the gas; And
And a magnetic unit attaching and capturing a metallic material in the byproduct of the gas to one side of the trap unit by magnetic force.
The trap unit includes a plurality of traps are provided in a multi-stage sequentially installed in the exhaust path of the gas between the processing chamber and the vacuum pump,
A trap apparatus for manufacturing a semiconductor, wherein the magnetic force unit is installed in at least one of the plurality of traps.
제7항에 있어서,
상기 자력유닛은 선택적으로 자력이 제거되어 상기 트랩유닛의 일측에 부착된 상기 금속성 물질이 상기 트랩유닛으로부터 분리되어 수거되는 반도체 제조용 트랩장치.
The method of claim 7, wherein
The magnetic force unit is a semiconductor device trap apparatus for selectively removing the magnetic force so that the metallic material attached to one side of the trap unit is collected separately from the trap unit.
반도체 제조 환경을 제공하는 처리챔버로부터 공기를 펌핑하는 진공펌프에 의해 배기되는 가스 중 부산물을 포획하기 위한 반도체 제조용 트랩장치에 있어서,
상기 처리챔버와 진공펌프 사이에 배치되어, 상기 가스의 부산물을 포획하는 트랩유닛; 및
상기 가스의 부산물 중 금속성 물질을 자력에 의해 상기 트랩유닛의 일측으로 부착시켜 선별 포획시키는 자력유닛;을 포함하고,
상기 자력유닛은,
상기 트랩유닛을 감싸는 영구자석을 포함하는 제1자력체; 및
상기 제1자력체를 감싸도록 마련되되, 선택적으로 상기 제1자력체와 반대극성으로 자화되어 상기 금속성 물질을 간섭하는 상기 제1자력체의 자력을 선택적으로 제거시키는 전자석을 포함하는 제2자력체;
를 포함하는 반도체 제조용 트랩장치.
A trap apparatus for semiconductor manufacturing for capturing by-products of gases exhausted by a vacuum pump pumping air from a processing chamber providing a semiconductor manufacturing environment,
A trap unit disposed between the processing chamber and the vacuum pump to trap a byproduct of the gas; And
And a magnetic unit attaching and capturing a metallic material in the byproduct of the gas to one side of the trap unit by magnetic force.
The magnetic unit,
A first magnetic body including a permanent magnet surrounding the trap unit; And
A second magnetic body including an electromagnet provided to surround the first magnetic body, and selectively removing the magnetic force of the first magnetic body that is magnetized in the opposite polarity with the first magnetic body to interfere with the metallic material ;
Trap device for semiconductor manufacturing comprising a.
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