KR101352584B1 - Plasma processing apparatus and antenna thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 처리되는 공정 공간을 가지는 챔버, 상기 챔버의 상부 리드를 관통하여 상기 챔버의 상기 공정공간으로 노출되며 서로 이격된 제 1안테나 로드와 제 2안테나 로드, 상기 챔버의 상기 공정 공간 내부에 위치하는 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드를 연결하는 안테나 연결 로드, 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드 그리고 상기 안테나 연결 로드의 외부를 감싸며, 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드 그리고 상기 안테나 연결 로드 사이의 공간을 채우도록 된 절연커버, 상기 제 1안테나 로드에 RF를 인가하는 RF전원 공급부를 구비하는 것으로, 이러한 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 플라즈마 처리장치의 챔버 내부에 위치하는 안테나에 코너 부분이 발생하지 않도록 하는 절연커버를 설치하여 플라즈마 처리 공정 중 폴리머가 안테나에 증착되는 것을 방지하도록 하여 기판에 대한 플라즈마 처리효율을 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다. According to an embodiment of the present invention, a plasma processing apparatus includes a chamber having a process space in which a substrate is processed, a first antenna rod and a second antenna rod spaced apart from each other through the upper lead of the chamber and exposed to the process space of the chamber. An antenna connecting rod connecting the first antenna rod and the second antenna rod located inside the process space of the first antenna rod, the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connecting rod; Insulating cover to fill the space between the antenna rod, the second antenna rod and the antenna connection rod, RF power supply for applying RF to the first antenna rod, the plasma processing apparatus according to the present invention Insulation that prevents corners from occurring in the antenna located inside the chamber of the plasma processing apparatus The cover is installed to prevent the polymer from being deposited on the antenna during the plasma processing process, thereby improving the plasma processing efficiency of the substrate.

Description

플라즈마 처리장치 및 이를 위한 안테나{Plasma processing apparatus and antenna thereof}Plasma processing apparatus and antenna for the same

본 발명은 플라즈마 처리장치 및 이를 위한 안테나에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 로우 임피던스로 플라즈마를 발생시키도록 하는 로우 임피던스 안테나를 구비하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a plasma processing apparatus and an antenna therefor, and more particularly, to a plasma processing apparatus having a low impedance antenna for generating a plasma with a low impedance.

일반적으로 플라즈마 처리장치는 기판에 박막을 형성하는 플라즈마 CVD 장치, 플라즈마 스퍼터링 장치, 플라즈마 에칭장치 및 플라즈마 이온 주입 및 도핑장치 등에 사용된다. BACKGROUND ART In general, a plasma processing apparatus is used for a plasma CVD apparatus, a plasma sputtering apparatus, a plasma etching apparatus, a plasma ion implantation and a doping apparatus, etc. for forming a thin film on a substrate.

플라즈마를 생성하는 방법으로는 용량 결합형 플라즈마를 생성하는 방법, 유도 결합형 플라즈마를 생성하는 방법, ECR(Electron Cyclotron Resonance Ion Source) 플라즈마를 생성하는 방법 그리고 마이크로파 플라즈마를 생성하는 방법 등 여러 가지 방법이 있다. There are various methods of generating plasma, including a method of generating a capacitively coupled plasma, a method of generating an inductively coupled plasma, a method of generating an ECR (Electron Cyclotron Resonance Ion Source) plasma, and a method of generating a microwave plasma. have.

이 중에서 유도 결합형 플라즈마를 생성하는 방법은 고밀도로 균일한 플라즈마를 얻기 위하여 고주파 안테나를 설치하고, 이 고주파 안테나에 고주파 전력을 인가하여 유도 결합 플라즈마를 발생시키는 것이다.Among them, a method of generating an inductively coupled plasma is to install a high frequency antenna in order to obtain a high density and uniform plasma, and generate an inductively coupled plasma by applying high frequency power to the high frequency antenna.

한편, 플라즈마 처리장치와 관련하여 종래기술로 한국공개특허 제 2007-0083212가 있다. 이 '212' 공개특허는 플라즈마 처리 챔버 내부에 설치되는 안테나를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 장치를 공개하고 있다. On the other hand, there is a Korean Patent Publication No. 2007-0083212 as a prior art in relation to the plasma processing apparatus. This '212' patent discloses an apparatus for generating plasma using an antenna installed inside the plasma processing chamber.

이 '212' 공개특허의 플라즈마 처리장치는 플라즈마 생성실의 천정벽을 통하여 1개의 고주파 안테나가 삽입 설치되고, 이 고주파 안테나는 절연성 부재로 피복되어 있고, 그 절연성 부재는 플라즈마 생성실의 천정벽에 설치한 절연성부재에 삽입되어 있다. 그리고 안테나는 본 예에서는 U자 형상 또는 대략 U자 형상의 구성을 개시하고 있고, 이 안테나의 외표면에는 전기 절연성부재가 덮여 있다. In the plasma processing apparatus of the '212' patent publication, one high frequency antenna is inserted through a ceiling wall of a plasma generating chamber, and the high frequency antenna is covered with an insulating member, and the insulating member is attached to the ceiling wall of the plasma generating chamber. It is inserted into the installed insulating member. In this example, the antenna discloses a U-shaped or substantially U-shaped configuration, and the outer surface of the antenna is covered with an electrically insulating member.

그런데, 이와 같은 U자형 또는 대략 U자형 형상의 안테나 구성은 플라즈마 처리 공정 중 안테나의 표면에 형성된 전기 절연성부재가 일부 식각됨에 따라 절연안테나의 내측과 외측 코너 부분에 전기 절연성부재의 식각으로 발생하는 다량의 폴리머가 챔버 외부로 배기되지 못하고, 증착되는 현상이 발생한다. However, such a U-shaped or substantially U-shaped antenna configuration is a large amount generated by the etching of the electrically insulating member on the inner and outer corner portions of the insulating antenna as the electrically insulating member formed on the surface of the antenna during the plasma treatment process is partially etched. Of the polymer is not exhausted to the outside of the chamber and deposition occurs.

그리고 이 폴리머들은 공정 중 기판 상부면으로 낙하하여 공정 불량을 초래하는 문제점이 있다.
In addition, these polymers have a problem of dropping to the upper surface of the substrate during the process causes a process failure.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 본 발명의 목적은 챔버 내부에 위치하는 안테나의 코너 부분에 폴리머가 증착되는 것을 방지하도록 하는 플라즈마 처리장치 및 이를 위한 안테나를 제공하기 위한 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus and an antenna for preventing a polymer from being deposited at a corner of an antenna located inside a chamber.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 처리되는 공정 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버의 상부 리드를 관통하여 상기 챔버의 상기 공정공간으로 노출되며 서로 이격된 제 1안테나 로드와 제 2안테나 로드; 상기 챔버의 상기 공정 공간 내부에 위치하는 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드를 연결하는 안테나 연결 로드; 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드 그리고 상기 안테나 연결 로드의 외부를 감싸며, 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드 그리고 상기 안테나 연결 로드 사이의 공간을 채우도록 된 절연커버; 상기 제 1안테나 로드에 RF를 인가하는 RF전원 공급부를 구비한다.A plasma processing apparatus according to the present invention includes a chamber having a process space in which a substrate is processed; First and second antenna rods penetrating the upper lid of the chamber and exposed to the process space of the chamber and spaced apart from each other; An antenna connection rod connecting the first antenna rod and the second antenna rod positioned in the process space of the chamber; An insulation cover surrounding the outside of the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connection rod and filling a space between the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connection rod; An RF power supply unit is configured to apply RF to the first antenna rod.

상기 절연커버의 외측면은 피처리물 방향으로 폭이 좁아지도록 경사지게 형성될 수 있다. The outer side surface of the insulating cover may be formed to be inclined to narrow the width in the direction of the workpiece.

상기 절연커버의 외측면의 코너 부분은 굴곡지게 형성될 수 있다.The corner portion of the outer surface of the insulating cover may be formed to be bent.

상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드의 각각의 외면에는 절연층이 형성될 수 있다. An insulating layer may be formed on each outer surface of the first antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connection rod.

상기 절연커버는 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드 사이의 공간에 채워지는 절연블럭과 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드의 외측을 덮는 절연튜브를 포함할 수 있다.The insulating cover is an insulating block that fills a space between the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connection rod, and covers the outer side of the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connection rod. It may include a tube.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치용 안테나는 서로 이격된 제 1안테나 로드와 제 2안테나 로드; 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드를 연결하는 안테나 연결 로드; 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드 그리고 상기 안테나 연결 로드의 외부를 감싸며, 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드 그리고 상기 안테나 연결 로드 사이의 공간을 채우도록 된 절연튜브를 구비한다.An antenna for a plasma processing apparatus according to the present invention includes a first antenna rod and a second antenna rod spaced apart from each other; An antenna connection rod connecting the first antenna rod and the second antenna rod; And an insulating tube surrounding the outside of the first antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connection rod, and filling a space between the first antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connection rod.

절연튜브의 외측면은 피처리물 방향으로 폭이 좁아지도록 경사지게 형성될 수 잇다.The outer surface of the insulating tube may be formed to be inclined to narrow the width in the direction of the workpiece.

상기 절연튜브의 외측면의 코너 부분은 굴곡지게 형성될 수 있다.The corner portion of the outer surface of the insulating tube may be formed to be bent.

상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드의 각각의 외면에는 절연층이 형성될 수 있다. An insulating layer may be formed on each outer surface of the first antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connection rod.

상기 절연튜브는 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드 사이의 공간에 채워지는 절연블럭과 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드의 외측을 덮는 절연덮개를 포함할 수 있다.
The insulating tube includes an insulating block filling the space between the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connection rod, and covering the outer side of the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connection rod. It may include a cover.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치 및 이를 위한 안테나는 플라즈마 처리장치의 챔버 내부에 위치하는 안테나에 코너 부분이 발생하지 않도록 하는 절연커버를 설치하여 플라즈마 처리 공정 중 폴리머가 안테나에 증착되는 것을 방지하도록 하여 기판에 대한 플라즈마 처리효율을 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다. Plasma processing apparatus and antenna for this in accordance with the present invention by installing an insulating cover to prevent the corner portion is generated in the antenna located inside the chamber of the plasma processing apparatus to prevent the polymer is deposited on the antenna during the plasma processing process substrate There is an effect to improve the plasma processing efficiency for.

이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The technical effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other technical effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 안테나를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 안테나를 도시한 단면도이다.1 is a view showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view illustrating an antenna of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing an antenna of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 이하에서 개시되는 실시예에서는 플라즈마 처리장치를 실시예로 하여 설명한다. 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 기판에 박막을 형성하는 플라즈마 CVD 장치, 플라즈마 스퍼터링 장치, 플라즈마 에칭장치 및 플라즈마 이온 주입 및 도핑장치 등에 사용될 수 있다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the embodiment disclosed below, the plasma processing apparatus is described as an embodiment. The plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention may be used for a plasma CVD apparatus, a plasma sputtering apparatus, a plasma etching apparatus and a plasma ion implantation and doping apparatus for forming a thin film on a substrate.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 처리되는 공정공간을 형성하는 챔버(100)를 구비한다. 그리고 챔버(100)의 상부에는 리드(120)가 구비되고, 챔버(100)의 내부 하측에는 플라즈마 처리가 이루어지는 기판이 안착되는 서셉터(110)가 설치된다. As shown in FIG. 1, a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100 forming a process space in which a substrate is processed. In addition, a lid 120 is provided at an upper portion of the chamber 100, and a susceptor 110 on which a substrate on which a plasma process is performed is mounted is installed at an inner lower side of the chamber 100.

이 서셉터(110)에는 바이어스 전원이 연결될 수 있고, 또한 서셉터(110)에는 기판을 척킹하기 위한 정전척이 설치될 수 있다. 그리고 챔버(100) 내부에는 고진공으로 펌핑되는 배출구(미도시)가 형성되고, 배출구는 고진공 펌프(미도시)에 연결되어 있다.A bias power source may be connected to the susceptor 110, and an electrostatic chuck for chucking the substrate may be installed in the susceptor 110. In addition, a discharge port (not shown) pumped with high vacuum is formed in the chamber 100, and the discharge port is connected to a high vacuum pump (not shown).

챔버(100) 상부의 리드(120)에는 챔버(100) 내부의 공정 공간에 위치하는 안테나(200)가 설치된다. 본 발명의 실시예에 따른 안테나(200)는 종래에 비하여 안테나의 길이가 짧은 로우 인덕턴스 안테나(Low inductance antenna)로 구비된다.An antenna 200 located in the process space inside the chamber 100 is installed in the lid 120 above the chamber 100. Antenna 200 according to an embodiment of the present invention is provided as a low inductance antenna (Low inductance antenna) shorter than the conventional antenna.

그리고 다른 실시예로 안테나(200)는 2개 이상으로 설치될 수 있다. 또한 안테나(200)는 챔버(100)의 리드(120)를 관통하여 챔버(100) 내부로 노출되어 있다.In another embodiment, two or more antennas 200 may be installed. In addition, the antenna 200 passes through the lid 120 of the chamber 100 and is exposed to the inside of the chamber 100.

이하에서는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 로우 인덕턴스 안테나의 구성에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the configuration of the low inductance antenna of the plasma processing apparatus according to the present embodiment will be described in more detail.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 안테나를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 안테나를 도시한 단면도이다.2 is a perspective view illustrating an antenna of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an antenna of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2와 도 3에 도시된 바와 같이 안테나(200)는 챔버(100)의 상부 리드(120)를 수직 관통하여 공정 공간으로 돌출되게 형성되는 제 1안테나 로드(210)와 제 2안테나 로드(220) 그리고 챔버(100) 내부에 노출된 제 1안테나 로드(210)와 제 2안테나 로드(220)의 하단부를 연결하는 안테나 연결로드(230)를 구비한다. As shown in FIGS. 2 and 3, the antenna 200 vertically penetrates the upper lid 120 of the chamber 100 to protrude into the process space, and the first antenna rod 210 and the second antenna rod 220. And an antenna connection rod 230 connecting the lower end portions of the first antenna rod 210 and the second antenna rod 220 exposed inside the chamber 100.

이 제 1안테나 로드(210)와 제 2안테나 로드(220) 그리고 안테나 연결로드(230)는 일체형으로 구비된다. 그리고 제 1안테나 로드(210)와 제 2안테나 로드(220) 그리고 안테나 연결로드(230)는 구리 또는 알루미늄 재질로 제조될 수 있다. The first antenna rod 210, the second antenna rod 220, and the antenna connection rod 230 are integrally provided. The first antenna rod 210, the second antenna rod 220, and the antenna connection rod 230 may be made of copper or aluminum.

또한 제 1안테나 로드(210)와 상기 제 2안테나(220)로드와 안테나 연결로드(230)의 표면은 절연층(240)에 의하여 덮여있을 수 있다. 이 절연층(240)은 석영(SiO2), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 산화이트륨(Y2O3) 및 탄화규소(SiC) 중의 어느 하나로 된 것일 수 있다. 다른 실시예로 이 절연층(240)은 형성되지 않을 수 있다.In addition, surfaces of the first antenna rod 210, the second antenna 220 rod, and the antenna connection rod 230 may be covered by the insulating layer 240. The insulating layer 240 may be made of any one of quartz (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), aluminum nitride (AlN), yttrium oxide (Y 2 O 3), and silicon carbide (SiC). In another embodiment, the insulating layer 240 may not be formed.

그리고 제 1안테나 로드(210)와 제 2안테나 로드(220) 그리고 안테나 연결로드(230)의 외부를 감싸며, 제 1안테나 로드(210)와 제 2안테나 로드(220) 그리고 안테나 연결로드(230) 사이의 공간을 채우도록 된 절연커버(250)를 구비한다. 따라서, 설치면에 해당하는 리드(120)의 저면과 제 1안테나 로드(210), 제 2안테나 로드(220), 안테나 연결로드(230) 사이는 절연커버(250)에 의해 채워지게 된다. 이 절연커버(250)는 석영(SiO2), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 산화이트륨(Y2O3) 및 탄화규소(SiC) 중의 어느 하나로 된 것일 수 있다. The first antenna rod 210, the second antenna rod 220, and the outside of the antenna connection rod 230 surround the first antenna rod 210, the second antenna rod 220, and the antenna connection rod 230. An insulating cover 250 is provided to fill the space therebetween. Therefore, the bottom surface of the lead 120 corresponding to the installation surface, the first antenna rod 210, the second antenna rod 220, the antenna connection rod 230 is filled by the insulating cover 250. The insulating cover 250 may be made of any one of quartz (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), aluminum nitride (AlN), yttrium oxide (Y 2 O 3), and silicon carbide (SiC).

그리고 이 절연커버(250)의 외측면은 피처리물 방향으로 폭이 좁아지도록 경사지게 형성되어 있다. 따라서 외면에 폴리머와 같은 이물질이 누적 증착되지 못하도록 되어 있다. 또한 모든 모서리 부분과 코너 부분은 굴곡지게 형성되어 있다. 따라서 절연커버(250)의 모서리 부분과 코너 부분과 같은 에지(edge) 부분에서의 폴리머 증착이 발생하는 것을 최소화하도록 되어 있다.The outer surface of the insulating cover 250 is formed to be inclined so as to narrow in the direction of the workpiece. Therefore, foreign matters such as polymers are not accumulated on the outer surface. In addition, all corners and corners are curved. Therefore, the polymer deposition is minimized in the edge portion such as the corner portion and the corner portion of the insulating cover 250.

한편, 이 절연커버(250)는 제 1안테나 로드(210)와 제 2안테나 로드(220) 그리고 안테나 연결로드(230) 모두를 감싸는 형태로 된 일체물로 형성될 수 있고, 다른 실시예로는 제 1안테나 로드(210)와 제 2안테나 로드(220) 그리고 안테나 연결로드(230) 사이의 공간에 채워지는 절연블럭(251)과 제 1안테나 로드(210)와 제 2안테나 로드(220) 그리고 안테나 연결로드(230)의 외측을 덮는 절연튜브(252) 포함하는 구성으로 실시될 수 있다.On the other hand, the insulating cover 250 may be formed of an integral body formed to surround all of the first antenna rod 210, the second antenna rod 220 and the antenna connection rod 230, in another embodiment An insulating block 251, a first antenna rod 210 and a second antenna rod 220 filled in a space between the first antenna rod 210, the second antenna rod 220, and the antenna connection rod 230; It may be implemented in a configuration including an insulating tube 252 covering the outside of the antenna connection rod 230.

이하에서는 전술한 바와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 작용 상태에 대하여 설명한다.Hereinafter, an operation state of the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention configured as described above will be described.

본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버(100) 내부로 기판이 반입되어 서셉터(110) 상에 기판이 안착되면 챔버(100) 내부는 고진공 상태로 펌핑된다. In the plasma processing apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention, when the substrate is loaded into the chamber 100 and the substrate is seated on the susceptor 110, the chamber 100 is pumped in a high vacuum state.

그리고 챔버(100) 내부가 펌핑되면 이후 RF 전원공급부(130)는 안테나(200)에 RF를 공급한다. RF가 안테나(200)에 공급되면 챔버(100) 내부로 연장된 안테나(200)에서 유도 전자기장이 발생한다.When the inside of the chamber 100 is pumped, the RF power supply unit 130 supplies RF to the antenna 200. When RF is supplied to the antenna 200, an induced electromagnetic field is generated in the antenna 200 extending into the chamber 100.

이 유도 전자기장에 의하여 챔버(100) 내부로 공급된 공정가스를 여기하여 챔버(100) 내부에 플라즈마가 발생하도록 한다. 이때 발생한 플라즈마에 의하여 기판에 대한 처리가 이루어진다. 이 기판의 처리는 식각, 증착, 이온 도핑 등 플라즈마를 이용한 다양한 처리를 일컫는다.The induced electromagnetic field excites the process gas supplied into the chamber 100 to generate plasma in the chamber 100. The substrate is processed by the generated plasma. The treatment of this substrate refers to various treatments using plasma, such as etching, deposition, and ion doping.

한편, 공정의 진행 중 안테나를 감싸고 있는 절연커버(250)는 플라즈마에 의하여 일부 식각된다. 그러나 본 실시예에서 안테나(200)를 감싸고 있는 절연커버(250)는 피처리물 방향으로 경사지게 형성되고 있고, 또한 꼭지부분 또는 모서리 부분과 같은 에지 부분이 없다. Meanwhile, the insulating cover 250 surrounding the antenna during the process is partially etched by the plasma. However, in this embodiment, the insulating cover 250 surrounding the antenna 200 is formed to be inclined in the direction of the workpiece, and also there is no edge portion such as a corner portion or a corner portion.

따라서 절연커버(250)의 식각으로 발생하는 폴리머가 증착되거나 모여있을 수 있는 위치나 공간이 존재하지 않기 때문에 절연커버(250)의 식각으로 발생하는 폴리머들은 챔버(100) 외부로 다른 배기 가스들과 함께 배기된다. 이에 따라 안테나(200)에서 발생하는 폴리머에 누적에 의한 공정 불량 요소가 배제되는 이점이 있다. Therefore, since there is no location or space in which the polymers generated by the etching of the insulating cover 250 may be deposited or gathered, the polymers generated by the etching of the insulating cover 250 may be separated from other exhaust gases outside the chamber 100. Exhausted together. Accordingly, there is an advantage in that the process failure factor due to accumulation in the polymer generated in the antenna 200 is excluded.

이상의 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시예를 통하여 본 발명의 실시예를 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.The embodiments of the present invention have been described through the embodiments described in the drawings and the detailed description of the present invention, but these are merely exemplary, and those skilled in the art to which the present invention pertains have various modifications and equivalents therefrom. Examples are possible. Therefore, the technical protection scope of the present invention will be defined by the appended claims.

Claims (10)

기판이 처리되는 공정 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버의 상부 리드를 관통하여 상기 챔버의 상기 공정공간으로 돌출되며 서로 이격된 제 1안테나 로드와 제 2안테나 로드;
상기 챔버의 상기 공정 공간 내부에 위치하는 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드를 연결하는 안테나 연결 로드;
상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드 그리고 상기 안테나 연결 로드의 외부를 감싸며, 상기 상부 리드의 저면과 상기 제 1안테나 로드, 상기 제 2안테나 로드 및 상기 안테나 연결 로드 사이의 공간을 채우도록 된 절연커버;
상기 제 1안테나 로드에 RF를 인가하는 RF전원 공급부를 포함하고,
상기 절연커버의 외측면은 피처리물 방향으로 폭이 좁아지도록 경사지게 형성된 플라즈마 처리장치.
A chamber having a process space in which the substrate is processed;
A first antenna rod and a second antenna rod which penetrate the upper lid of the chamber and protrude into the process space of the chamber and are spaced apart from each other;
An antenna connection rod connecting the first antenna rod and the second antenna rod positioned in the process space of the chamber;
It surrounds the outside of the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connection rod, and fills a space between the bottom surface of the upper lead and the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connection rod. Insulation cover;
It includes an RF power supply for applying RF to the first antenna rod,
The outer surface of the insulating cover is formed inclined so that the width narrows in the direction of the workpiece.
삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 절연커버의 외측면의 코너 부분은 굴곡지게 형성된 플라즈마 처리장치.
The plasma processing apparatus of claim 1, wherein a corner portion of the outer surface of the insulating cover is curved.
제 1항에 있어서, 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드의 각각의 외면에는 절연층이 형성되는 플라즈마 처리장치.
The plasma processing apparatus of claim 1, wherein an insulating layer is formed on an outer surface of each of the first antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connection rod.
제 1항, 제 3항 그리고 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연커버는 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드 사이의 공간에 채워지는 절연블럭과 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드의 외측을 덮는 절연튜브를 포함하는 플라즈마 처리장치.
5. The insulating block of claim 1, wherein the insulating cover is filled with a space between the first antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connecting rod. And an insulating tube covering an antenna rod, the second antenna rod, and an outer side of the antenna connection rod.
서로 이격되어 공정 공간으로 돌출되게 설치되는 제 1안테나 로드와 제 2안테나 로드;
상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드를 연결하는 안테나 연결 로드;
상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드 그리고 상기 안테나 연결 로드의 외부를 감싸며, 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드 그리고 상기 안테나 연결 로드 사이의 공간을 채우도록 된 절연커버를 포함하며,
상기 절연커버의 외측면은 피처리물 방향으로 폭이 좁아지도록 경사지게 형성되고,
상기 공정 공간의 설치면과 상기 제1 안테나 로드, 상기 제2 안테나 로드 그리고 연결로드 사이의 공간은 상기 절연커버에 의해 채워지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용 안테나.
A first antenna rod and a second antenna rod spaced apart from each other to protrude into the process space;
An antenna connection rod connecting the first antenna rod and the second antenna rod;
And an insulation cover surrounding the outside of the first antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connection rod, and filling a space between the first antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connection rod.
The outer surface of the insulating cover is formed to be inclined to narrow the width in the direction of the workpiece,
And the space between the installation surface of the process space and the first antenna rod, the second antenna rod and the connection rod is filled by the insulating cover.
삭제delete 제 6항에 있어서, 상기 절연커버의 외측면의 코너 부분은 굴곡지게 형성된 플라즈마 처리장치용 안테나.
The antenna of claim 6, wherein a corner portion of the outer surface of the insulating cover is curved.
제 6항에 있어서, 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드의 각각의 외면에는 절연층이 형성되는 플라즈마 처리장치용 안테나.
7. The antenna of claim 6, wherein an insulating layer is formed on an outer surface of each of the first antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connection rod.
제 6항, 제8항 그리고 제 9항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 절연커버는 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드 사이의 공간에 채워지는 절연블럭과 상기 제 1안테나 로드와 상기 제 2안테나 로드와 상기 안테나 연결로드의 외측을 덮는 절연튜브를 포함하는 플라즈마 처리장치용 안테나.10. The method of claim 6, 8 and 9, wherein the insulating cover is an insulating block filled in the space between the first antenna rod, the second antenna rod and the antenna connecting rod and the first And an insulating tube covering an outer side of the antenna rod, the second antenna rod, and the antenna connection rod.
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