KR101352021B1 - Silicon type compound having bisphenylcarbazol in element and method for preparing of organic thin layer of organic light emitting devices using it - Google Patents

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Abstract

본 발명은 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자의 유기박막층 형성방법에 관한 것으로, 특히 본 발명의 화합물은 청색 발광 특성 및 홀 전달 특성이 우수하며, 동시에 청색 발광 재료로 사용하거나 적색, 녹색, 청색, 백색 등과 같은 다양한 인광 또는 형광 도펀트에 대하여 호스트로 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 전기화학적 증착방법을 통하여 유기발광소자에 적용이 가능하고, 고효율 발광이 가능하며, 저전압, 고휘도, 장수명의 특성을 부여할 수 있는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자의 유기박막층 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) group in a molecule and a method for forming an organic thin film layer of an organic light emitting device using the same, in particular, the compound of the present invention is excellent in blue light emission characteristics and hole transport characteristics, and at the same time blue light emission. It can be used as a material or as a host for various phosphorescent or fluorescent dopants such as red, green, blue, white, etc., and can be applied to organic light emitting devices through the electrochemical deposition method. The present invention relates to a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) group in a molecule capable of imparting high brightness, high brightness, and long life, and a method of forming an organic thin film layer of an organic light emitting device using the same.

유기발광소자, 전기화학적 증착, 카바졸, 실리콘 Organic light emitting device, electrochemical vapor deposition, carbazole, silicon

Description

분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자의 유기박막층 형성방법 {SILICON TYPE COMPOUND HAVING BISPHENYLCARBAZOL IN ELEMENT AND METHOD FOR PREPARING OF ORGANIC THIN LAYER OF ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICES USING IT}Silicon-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in a molecule and a method of forming an organic thin film of an organic light emitting device using the same

도 1은 본 발명의 일실시예인 화학식 1로 표시되는 분자 내에 비스(페닐카바졸)Bis(phenylcarbazol)기를 갖는 실리콘계 화합물로 전기화학적 증착이 됨을 보이는 cyclic voltamonogram이며,1 is a cyclic voltamonogram showing electrochemical deposition with a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) Bis (phenylcarbazol) group in a molecule represented by Chemical Formula 1 according to one embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 다른 실시예인 화학식 1로 표시되는 분자 내에 비스(페닐카바졸)Bis(phenylcarbazol)기를 갖는 실리콘계 화합물로 전기화학적 증착이 됨을 보이는 cyclic voltamonogram이며,2 is a cyclic voltamonogram showing electrochemical deposition with a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) Bis (phenylcarbazol) group in a molecule represented by Chemical Formula 1 according to another embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예인 화학식 1로 표시되는 분자 내에 비스(페닐카바졸)Bis(phenylcarbazol)기를 갖는 실리콘계 화합물로 전기화학적 증착이 됨을 보이는 cyclic voltamonogram이며,3 is a cyclic voltamonogram showing electrochemical deposition with a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) Bis (phenylcarbazol) group in a molecule represented by Chemical Formula 1 according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예인 화학식 2로 표시되는 분자 내에 비스(페닐카바졸)Bis(phenylcarbazol)기를 갖는 실리콘계 화합물로 전기화학적 증착이 됨을 보이는 cyclic voltamonogram이며,4 is a cyclic voltamonogram showing electrochemical deposition with a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) Bis (phenylcarbazol) group in a molecule represented by Chemical Formula 2, which is another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예인 화학식 2의 화합물을 클로로포름 희석시 켜 찍은 UV 스펙트럼이며,5 is a UV spectrum taken when diluting a compound of Formula 2, which is another embodiment of the present invention, with chloroform,

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예인 화학식 2의 화합물을 클로로포름 희석시켜 찍은 PL 스펙트럼이다.6 is a PL spectrum taken by diluting a compound of Formula 2, which is another embodiment of the present invention, with chloroform.

본 발명은 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자의 유기박막층 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 청색 발광 특성 및 홀 전달 특성이 우수하며, 동시에 청색 발광 재료로 사용하거나 적색, 녹색, 청색, 백색 등과 같은 다양한 인광 또는 형광 도펀트에 대하여 호스트로 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 전기화학적 증착방법을 통하여 유기발광소자에 적용이 가능하고, 고효율 발광이 가능하며, 저전압, 고휘도, 장수명의 특성을 부여할 수 있는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자의 유기박막층 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) group in a molecule and a method for forming an organic thin film layer of an organic light emitting device using the same. It can be used as a host for various phosphorescent or fluorescent dopants such as red, green, blue, white, and the like, and can be applied to organic light emitting devices through electrochemical deposition method, high efficiency light emission, low voltage, high brightness In addition, the present invention relates to a compound having a bis (phenylcarbazole) group in a molecule capable of imparting long-life characteristics, and a method of forming an organic thin film layer of an organic light emitting device using the same.

최근 디스플레이 분야에서 유기발광소자(OLED)는 자발광형 표시 소자로 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 또한 무기 EL 소자에 비하여 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있어 디스플레이 소자로 각광받고 있다.In the display field, an organic light emitting diode (OLED) is a self-luminous display device, which has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, and excellent luminance, driving voltage, and response speed, and multicolor, in comparison with inorganic EL devices. It has a merit of being able to be made and it is attracting attention as a display element.

일반적인 유기 EL 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 유기 박막형태의 발광층을 형성되며, 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가지고 있다. 또한 애노드와 발광층 사이에 홀 주입층 또는 홀 수송층을 둘 수 있으며, 발광층과 캐소드 사이에 전자 수송층 또는 전자 주입층을 둘 수 있다. 여기에서 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자주입층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막층들이다.A general organic EL device has an anode in which an anode is formed on a substrate, an organic thin film emitting layer is formed on the anode, and cathodes are sequentially formed. In addition, a hole injection layer or a hole transport layer may be provided between the anode and the light emitting layer, and an electron transport layer or an electron injection layer may be provided between the light emitting layer and the cathode. Here, the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer and the electron injection layer are organic thin film layers made of organic compounds.

상기와 같은 구조를 갖는 유기발광소자의 구동 원리는 다음과 같다. The driving principle of the organic light emitting device having the structure as described above is as follows.

먼저, 상기 애노드 및 캐소드간에 전압을 인가하면 애노드로부터 주입된 홀은 홀 수송층을 경유하여 발광층에 이동된다. 한편, 전자는 캐소드로부터 전자수송층을 경유하여 발광층에 주입되고 발광층 영역에서 캐리어들이 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변화되고, 이로 인하여 발광층의 형광성 분자가 발광함으로서 화상이 형성된다. 이때, 여기상태가 일중항 여기상태를 통하여 기저상태로 떨어지면서 발광하는 것을 형광이라 하며, 삼중항 여기상태를 통하여 기저상태로 떨어지면서 발광하는 것을 인광이라 한다. 상기 형광의 경우 일중항 여기상태의 확률이 25 %(삼중항 상태 75 %)이며, 발광 효율의 한계가 있는 반면 이노강을 사용하면 삼중항 75 %와 일중항 여기상태 25 %까지 이용할 수 있으므로 이론적으로는 내부 양자 효율 100 %까지도 가능하다.First, when a voltage is applied between the anode and the cathode, holes injected from the anode are moved to the light emitting layer via the hole transport layer. On the other hand, electrons are injected into the light emitting layer from the cathode via the electron transport layer, and carriers are recombined in the light emitting layer to generate excitons. The exciton is changed from the excited state to the ground state, whereby the fluorescent molecules in the light emitting layer emit light to form an image. At this time, the excited state is emitted to the ground state through the singlet excited state is called fluorescence, and the emission is emitted to the ground state through the triplet excited state is called phosphorescence. In the case of fluorescence, the probability of singlet excited state is 25% (triple state 75%), and there is a limit of luminous efficiency, whereas inno steel can be used to triplet 75% and singlet excited state 25%. Up to 100% internal quantum efficiency is possible.

한편, 스핀-퀘도 결합이 큰 Ir, Pt와 같은 무거운 원소를 중심에 갖는 인광 색소인 It(ppy)3와 PtOEP를 도판트로 사용하여 삼중항 상태(인광)에서도 효과적으로 빛을 내도록 함으로서 녹색과 적색의 고효율 유기 전계 발광 소자를 개발했다. 이때, 호스트로서 CBP(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl)를 사용하였다.On the other hand, it is effective to emit light in triplet state (phosphorescence) by using it (ppy) 3 and PtOEP, which are phosphorescent pigments centered on heavy elements such as Ir and Pt with large spin-quado bonds, as dopants. Has developed a highly efficient organic electroluminescent device. At this time, CBP (4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl) was used as a host.

그러나, CBP의 유리전이온도가 100 ℃ 이하로 낮고, 결정화가 쉽게 일어나기 때문에 상기 유기 전계 발광 소자의 수명은 150 시간 이하로 짧기 때문에 상업적 사용측면에서 볼 때 불충분하다는 문제점이 있었으며, 상기 문제점을 개량한 새로운 화합물에 대한 연구가 필요한 실정이다.However, since the glass transition temperature of CBP is lower than 100 ° C. and crystallization easily occurs, the organic EL device has a short life of less than 150 hours, which is insufficient from a commercial use point of view. There is a need for research on new compounds.

상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 청색 발광 특성 및 홀 전달 특성이 우수하며, 동시에 청색 발광 재료로 사용하거나 적색, 녹색, 청색, 백색 등과 같은 다양한 인광 또는 형광 도펀트에 대하여 호스트로 사용할 수 있는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems of the prior art, the present invention is excellent in blue light emission characteristics and hole transfer characteristics, and at the same time used as a blue light emitting material or as a host for various phosphorescent or fluorescent dopants such as red, green, blue, white, etc. An object of the present invention is to provide a silicone-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule and a method for producing the same.

본 발명의 다른 목적은 상기 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 화합물을 유기발광소자의 유기박막층에 적용하여 고효율 발광이 가능하며, 저전압, 고휘도, 장수명의 특성을 부여할 수 있는 유기발광소자의 유기박막층, 유기발광소자, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to apply a compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule to the organic thin film layer of the organic light emitting device capable of high-efficiency light-emitting, it is possible to give a low voltage, high brightness, long life characteristics of the organic light emitting device An organic thin film layer, an organic light emitting device, and a display device including the same.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)(bis(phenylcabazol))기를 가지는 실리콘계 화합물을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a silicone-based compound having a bis (phenyl carbazole) group in the molecule represented by the following formula (1) or (2).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112006034401035-pat00001
Figure 112006034401035-pat00001

[화학식 2](2)

Figure 112006034401035-pat00002
Figure 112006034401035-pat00002

상기 화학식 1 또는 2의 식에서,In the formula of Formula 1 or 2,

R은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 50의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 6 내지 50의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 6 내지 50의 치환 또는 비치환된 헤테로고리기, 또는 탄소수 6 내지 50의 치환 또는 비치환된 복소환기이고,Each R independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 6 to 50 carbon atoms, or a 6 to 50 carbon atoms A substituted or unsubstituted heterocyclic group,

R1은 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 50의 치환 또는 비치환된 알킬기이고,Each R 1 is independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms,

n은 1 내지 3의 정수이다.n is an integer of 1 to 3;

또한 본 발명은 브로모벤젠과 카바졸을 반응시켜 (브로모페닐)카바졸 화합물을 제조하고, 상기(브로모페닐)카바졸 화합물에 n-부틸리튬을 가하여 (리튬페닐)카바졸 화합물을 제조한 후, 상기 (리튬페닐)카바졸 화합물와 실란시클로디클로라이드를 반응시키는 것을 특징으로 하는 상기 화학식 1로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물의 제조방법을 제공한다.In the present invention, bromobenzene and carbazole are reacted to produce a (bromophenyl) carbazole compound, and n-butyllithium is added to the (bromophenyl) carbazole compound to prepare a (lithiumphenyl) carbazole compound. Thereafter, the method of preparing a silicone-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in a molecule represented by Chemical Formula 1, wherein the (lithiumphenyl) carbazole compound is reacted with a silanecyclodichloride.

또한 본 발명은 브로모벤젠과 카바졸을 반응시켜 (브로모페닐)카바졸 화합물을 제조하고, 상기(브로모페닐)카바졸 화합물에 다이클로로테트라페닐실란을 반응시키는 것을 특징으로 하는 상기 화학식 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물의 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention is to prepare a (bromophenyl) carbazole compound by reacting bromobenzene and carbazole, and to react the (bromophenyl) carbazole compound with dichlorotetraphenylsilane, the formula (2) It provides a method for producing a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by.

또한 본 발명은 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물로 형성된 유기발광소자의 유기박막층을 제공하다.In another aspect, the present invention provides an organic thin film layer of an organic light emitting device formed of a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by the formula (1) or (2).

또한 본 발명은 애노드와 캐소드 사이에 하나 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기박막층을 적어도 1 개층 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.The present invention also provides an organic light emitting device comprising at least one organic thin film layer in an organic light emitting device comprising at least one organic thin film layer between the anode and the cathode.

또한 본 발명은 상기 유기발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a display device comprising the organic light emitting device.

이하 본 발명을 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물은 청색 발광 특성 및 홀 전달 특성 또는 전자 전달 특성이 우수하며, 청색 발광 재료나 인광, 형광 호스트 재료로 사용하기 적합하다.The silicone-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in a molecule represented by Chemical Formula 1 or 2 of the present invention has excellent blue light emission property, hole transport property or electron transport property, and is used as a blue light emitting material, phosphorescent or fluorescent host material. It is suitable to

상기 화학식 1의 식에서 R은 탄소수 1 내지 50의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 6 내지 50의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 6 내지 50의 치환 또는 비치환된 헤테로고리기, 또는 탄소수 6 내지 50의 치환 또는 비치환된 복소환기일 수 있다.In Formula 1, R is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 6 to 50 carbon atoms, or 6 to 50 carbon atoms. 50 substituted or unsubstituted heterocyclic group.

상기 탄소수 1 내지 50의 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등이 있으며, 상기 알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 인돌, 아지인돌, 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 탄소수 1 내지 50의 알케닐기, 탄소수 1 내지 50의 알키닐기, 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 탄소수 7 내지 50의 아릴알킬기, 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 3 내지 50의 헤테로아릴알킬기로 치환될 수 있으며, 이 중 2 이상은 서로 결합 및 융합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 50 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isobutyl, sec-butyl, pentyl, iso-amyl, hexyl, and the like. One or more hydrogen atoms of the alkyl group may be a halogen atom, a hydroxyl group, or a nitro group. , Cyano group, amino group, amidino group, hydrazine, hydrazone, carboxyl group or salt thereof, sulfonic acid group or salt thereof, phosphoric acid or salt thereof, indole, aziindole, alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, alkenyl group having 1 to 50 carbon atoms, It may be substituted with an alkynyl group having 1 to 50 carbon atoms, an aryl group having 6 to 50 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 50 carbon atoms, a heteroaryl group having 2 to 50 carbon atoms, or a heteroarylalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, among which Two or more may bond and fuse with each other to form a saturated or unsaturated ring.

또한, 상기에서 비치환된 아릴기는 단독 또는 조합하여 사용되어 하나 이상의 고리를 포함하는 탄소수 6 내지 50의 카보사이클 방향족 시스템을 의미하며, 상기 고리들은 팬던트 방법으로 함께 부착되거나 또는 융합될 수 있다. 상기 아릴은 페닐, 나프틸, 테트라히드로나프틸과 같은 방향족 라디칼을 포함하며, 상기 아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.In addition, the unsubstituted aryl group is used alone or in combination to mean a carbocyclic aromatic system having 6 to 50 carbon atoms containing at least one ring, the rings may be attached or fused together in a pendant method. The aryl includes an aromatic radical such as phenyl, naphthyl, tetrahydronaphthyl, and at least one hydrogen atom of the aryl group may be substituted with the same substituent as in the alkyl group described above.

또한 상기 비치환된 헤테로고리기는 N, O, P, 또는 S 중에서 선택된 1, 2, 또는 3개의 헤테로 원자를 포함하고, 나머지 고리원자가 C인 고리원자수 6 내지 50의 1가 모노사이클릭 또는 비사이클릭 방향족 유기 화합물을 의미한다. 상기 헤테로 아릴기 중 하나 이상의 수소원자는 상술한 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.In addition, the unsubstituted heterocyclic group includes 1, 2, or 3 heteroatoms selected from N, O, P, or S, and has 6 to 50 monovalent monocyclic or non-membered ring atoms having C ring atoms. It means a cyclic aromatic organic compound. At least one hydrogen atom in the heteroaryl group may be substituted with the same substituent as in the alkyl group described above.

또한, 상기 비치환된 복소환기란 상기 정의된 바와 같이 아릴기 또는 헤테로고리기를 이루는 2 이상의 고리가 서로 융합한 형태의 고리형 모이어티를 의미하며, 상기 복소환기 중 하나 이상의 수소원자는 상술한 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.In addition, the unsubstituted heterocyclic group means a cyclic moiety in which two or more rings forming an aryl group or a heterocyclic group are fused with each other as defined above, and at least one hydrogen atom of the heterocyclic group is an alkyl group as described above. Substitutable with the same substituents as in the case of.

본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물의 바람직한 구체적인 예로는 하기 화학식 1-1 내지 1-4의 화합물이 있으며, 또한 화학식 2로 표시되는 화합물의 바람직한 화합물로는 R 또는 R1이 수소 또는 메틸인 것이 좋다.Preferred specific examples of the silicone-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by the formula (1) of the present invention include the compounds of the formulas (1-1) to (1-4), and are also preferred compounds of the compound represented by the formula (2) R or R 1 is preferably hydrogen or methyl.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112006034401035-pat00003
Figure 112006034401035-pat00003

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112006034401035-pat00004
Figure 112006034401035-pat00004

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure 112006034401035-pat00005
Figure 112006034401035-pat00005

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure 112006034401035-pat00006
Figure 112006034401035-pat00006

상기 화학식 1-1 내지 1-4의 식에서, R은 상기에서 정의한 바와 같으며, 바람직하기로는 상기 R은 수소인 것이 좋다.In the formulas (1-1) to (1-4), R is as defined above, preferably R is hydrogen.

상기와 같은 본 발명의 화학식 1로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물은 브로모벤젠과 카바졸을 반응시켜 (브로모페닐)카바졸 화합물을 제조하고, 상기(브로모페닐)카바졸 화합물에 n-부틸리튬을 가하여 (리튬페닐)카바졸 화합물을 제조한 다음, 상기 (리튬페닐)카바졸 화합물와 실란시클로디클로라이드를 반응시켜 제조할 수 있다.The silicone compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by Chemical Formula 1 of the present invention as described above reacts bromobenzene and carbazole to prepare a (bromophenyl) carbazole compound, and the (bromophenyl N-butyllithium is added to the carbazole compound to prepare a (lithiumphenyl) carbazole compound, and then reacted with the (lithylphenyl) carbazole compound and a silanecyclodichloride.

구체적으로, 본 발명의 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 화합물은 하기 반응식 1에 따라 제조할 수 있으나, 이는 본 발명의 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 화합물을 제조하기 위한 일예에 해당될 뿐, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 화합물의 제조방법이 하기 반응식 1에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule of the present invention can be prepared according to the following Scheme 1, which corresponds to an example for preparing a compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule of the present invention However, the method for preparing the compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by Chemical Formula 1 of the present invention is not limited to the following Scheme 1.

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

Figure 112006034401035-pat00007
Figure 112006034401035-pat00007

상기 반응식 1에서, n은 1 내지 3의 정수이다.In Scheme 1, n is an integer of 1 to 3.

또한 본 발명의 화학식 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물은 브로모벤젠과 카바졸을 반응시켜 (브로모페닐)카바졸 화합물을 제조하고, 상기(브로모페닐)카바졸 화합물에 다이클로로테트라페닐실란을 반응시켜 제조할 수 있으며, 구체적으로 하기 반응식 2에 따라 제조할 수 있으나, 이는 본 발명의 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물을 제조하기 위한 일 예에 해당될 뿐, 본 발명의 화학식 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 화합물의 제조방법이 하기 반응식 2에 한정되는 것은 아니다.In addition, the silicone-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by the formula (2) of the present invention reacts bromobenzene and carbazole to produce a (bromophenyl) carbazole compound, and the (bromophenyl) carba The sol compound may be prepared by reacting dichlorotetraphenylsilane, and specifically, it may be prepared according to Scheme 2 below, which is an example for preparing a silicone-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in a molecule of the present invention. Only corresponding to the above, the method for preparing a compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by the formula (2) is not limited to the following scheme 2.

[반응식 2][Reaction Scheme 2]

Figure 112006034401035-pat00008
Figure 112006034401035-pat00008

또한 본 발명은 본 발명에 따른 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물로 형성된 유기발광소자의 유기박막층 및 이 유기박막층을 적어도 1 개층 이상 포함하는 유기발광소자를 제공하는 바, 상기 유기발광소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.In addition, the present invention is an organic light-emitting device comprising an organic thin film layer and at least one organic thin film layer of an organic light emitting device formed of a silicon compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by the formula (1) or (2) according to the present invention When provided, the method of manufacturing the organic light emitting device is as follows.

일반적으로, 유기발광소자는 애노드(anode)와 캐소드(cathod) 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 정공저지층(HBL), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 유기박막층을 1 개 이상 포함할 수 있으며, 본 발명에서 설명하는 유기박막층은 유기발광소자의 애노드와 캐소드 사이에 형성되는 유기층의 하나로서, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층, 또는 전자주입층일 수 있으며, 바람직하기로는 정공주입층, 정공수송층 또는 발광층인 것이 좋다.In general, an organic light emitting device includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), a hole blocking layer (HBL), an electron transport layer (ETL), and an electron between an anode and a cathode It may include one or more organic thin film layers such as an injection layer (EIL), the organic thin film layer described in the present invention is one of the organic layer formed between the anode and the cathode of the organic light emitting device, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer , A hole blocking layer, an electron transport layer, or an electron injection layer, preferably, a hole injection layer, a hole transport layer, or a light emitting layer.

먼저, 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 애노드(anode) 전극용 물질을 증착시켜 애노드를 형성한다. 이때, 상기 기판은 통상의 유기발광소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면평활성, 취급용이성, 및 방수성이 우수한 유기기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용하는 것이 좋다. 또한, 애노드 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용할 수 있다. 상기 애노드 전극용 물질은 통상의 애노드 형성방법에 의해 증착할 수 있으며, 구체적으로 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 증착할 수 있다.First, an anode is formed by depositing a material for an anode electrode having a high work function on the substrate. In this case, the substrate may be a substrate used in a conventional organic light emitting device, in particular, it is preferable to use an organic substrate or a transparent plastic substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproof. As the material for the anode electrode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO) and the like which are transparent and excellent in conductivity can be used. The anode electrode material can be deposited by a conventional anode formation method, and specifically, it can be deposited by a deposition method or a sputtering method.

그 다음, 상기 애노드 전극 상부에 정공주입층(HIL) 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법, 전기화학적 증착법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있으며, 특히 전기화학적 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. Subsequently, a hole injection layer (HIL) material may be formed on the anode by vacuum deposition, spin coating, casting, Langmuir-Blodgett (LB), electrochemical deposition, and the like. It is preferable to form by a vapor deposition method.

상기 전기화학적 증착법에 의해 정공주입층을 형성하는 경우 정공주입층을 형성하고자 하는 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물과 전해질이 용매에 용해된 반응조에 피증착 기판을 넣고 전원을 인가시켜 증착시키고자 하는 화합물을 피증착 기판에 증착시켜 정공주입층을 형성하는 방법을 의미한다.When the hole injection layer is formed by the electrochemical deposition method, a silicon compound having an intramolecular bis (phenylcarbazole) group represented by Formula 1 or 2 and an electrolyte in which a hole injection layer is to be formed are avoided in a reaction tank in which a solvent is dissolved. It refers to a method of forming a hole injection layer by depositing a compound to be deposited by placing a deposition substrate and applying power.

상기 반응조에 사용될 수 있는 용매는 증착시키고자 하는 화합물과 전해질을 용해시킬 수 있는 용매이면 특별히 한정되지 않으며, 구체적인 예로는 디클로로메 탄(CH2Cl2), 테트라하이드로퓨란(THF), 아세토니트릴(CH3CN), 벤조니트릴(C6H5CN), 프로필렌 카르보네이트(1,2-propanediol cycliccarbonate), 또는 톨루엔(C6H5CH3) 등이 있다. 다만, 2 층 이상의 유기박막층을 형성시키고자 하는 경우 먼저 형성된 유기박막층의 화합물을 용해시키는 용매는 사용하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 상기 용매의 사용량은 화합물의 농도기준으로 0.01 내지 10 mM인 것이 바람직하다. 그 농도가 너무 묽을 경우에는 전기화학적 증착이 이루어지지 않을 경우가 있고, 너무 진할 경우에는 전기화학적 증착막의 두께 조절 및 전압강하 등의 문제점이 발생할 수 있다.The solvent that can be used in the reactor is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving the compound to be deposited and the electrolyte, and specific examples thereof include dichloromethane (CH 2 Cl 2 ), tetrahydrofuran (THF), and acetonitrile ( CH 3 CN), benzonitrile (C 6 H 5 CN), propylene carbonate (1,2-propanediol cycliccarbonate), or toluene (C 6 H 5 CH 3 ) . However, when it is desired to form two or more organic thin film layers, it is preferable not to use a solvent for dissolving the compound of the organic thin film layer formed first. In addition, the amount of the solvent is preferably 0.01 to 10 mM based on the concentration of the compound. If the concentration is too thin, the electrochemical deposition may not be performed. If the concentration is too high, problems such as thickness control and voltage drop of the electrochemical deposited film may occur.

또한 상기 반응조에 사용될 수 있는 전해질은 상기 용매에 용해되며, 반응조에 용해되어 있는 전원인가시 증착시키고자 하는 화합물을 이온화시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 구체적인 예로는 Me4NBF 4 , Et4NBF4, Pr4NBF4, Bu4NBF4, Me4NClO4, Et4NClO4, Pr4NClO4, Bu4NClO4, Me4NPF6, Et4NPF6, Pr4NPF6, Bu4NPF6, LiClO4, LiBF4, LiPF6, 또는 LiBOB 등이 있다. 상기 반응조에서 지지전해질의 농도는 50 내지 500 mM 이 바람직하다. 상기 전해질의 농도가 너무 묽으면 전압강하 등의 문제점이 발생할 수 있다.In addition, the electrolyte that can be used in the reaction vessel is not particularly limited as long as it can dissolve in the solvent and ionize the compound to be deposited upon application of power applied in the reaction vessel, and specific examples are Me 4 NBF 4 , Et 4 NBF 4 , Pr 4 NBF 4 , Bu 4 NBF 4 , Me 4 NClO 4 , Et 4 NClO 4 , Pr 4 NClO 4 , Bu 4 NClO 4 , Me 4 NPF 6 , Et 4 NPF 6 , Pr 4 NPF 6 , Bu 4 NPF 6 , LiClO 4 , LiBF 4 , LiPF 6 , or LiBOB and the like. The concentration of the supporting electrolyte in the reactor is preferably 50 to 500 mM. If the concentration of the electrolyte is too thin, problems such as voltage drop may occur.

상기 본 발명의 실리콘계 화합물 외에 사용될 수 있는 정공주입층 물질은 특별히 제한되지 않으며, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m- MTDAPB(Advanced Material, 6, p677(1994)) 등의 정공주입층 물질로 사용할 수 있다.The hole injection layer material which can be used in addition to the silicon compound of the present invention is not particularly limited, and TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, which are phthalocyanine compounds or starburst amine derivatives such as copper phthalocyanine disclosed in US Pat. No. 4,356,429. It can be used as a hole injection layer material (Advanced Material, 6, p677 (1994)).

다음으로 상기 정공주입층 상부에 정공수송층(HTL) 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법, 전기화학적 증착법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있으며, 특히 전기화학적 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 전기화학적 증착법에 의해 정공수송층을 형성하는 경우 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. Next, a hole transport layer (HTL) material may be formed on the hole injection layer by a method such as vacuum deposition, spin coating, cast, LB, electrochemical deposition, and the like, in particular, by electrochemical deposition. desirable. In the case of forming the hole transport layer by the electrochemical vapor deposition method, the conditions vary depending on the compound used, but in general, it is preferable to select within the same condition range as the formation of the hole injection layer.

또한, 상기 정공수송층 물질은 특별히 제한되지는 않으나, 본 발명에 따른 화학식 1 또는 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물을 사용하거나, 정공수송층에 사용되고 있는 통상의 공지 물질 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 정공수송층 물질은 본 발명에 따른 화학식 1 또는 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물 이외에 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N.N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상의 아민 유도체 등이 사용될 수 있다.In addition, the hole transport layer material is not particularly limited, but may be a silicon-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by the formula (1) or (2) according to the present invention, or from among conventional known materials used in the hole transport layer It can be used arbitrarily selected. Specifically, the hole transport layer material is a carbazole derivative such as N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole, N, in addition to the silicone-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by the formula (1) or (2) according to the present invention N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- [1,1-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD), N.N'-di (naphthalen-1-yl) Conventional amine derivatives having an aromatic condensed ring such as -N, N'-diphenyl benzidine (? -NPD) can be used.

그 후, 상기 정공수송층 상부에 발광층(EML) 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법, 전기화학적 증착법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있으며, 특히 전기화학적 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 전기화학적 증착 법에 의해 정공수송층을 형성하는 경우 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. Thereafter, the light emitting layer (EML) material may be formed on the hole transport layer by a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, an LB method, an electrochemical deposition method, and the like, and in particular, an electrochemical deposition method. Do. In the case of forming the hole transport layer by the electrochemical vapor deposition method, the conditions vary depending on the compound used, but in general, it is preferable to select within the same condition range as the formation of the hole injection layer.

또한, 상기 발광층 재료는 특별히 제한되지 않으며, 본 발명의 화학식 1 또는 2로 표시되는 실리콘계 화합물을 단독으로 사용하거나 또는 호스트로 사용할 수 있다.In addition, the light emitting layer material is not particularly limited, and the silicon compound represented by Formula 1 or 2 of the present invention may be used alone or as a host.

상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 실리콘계 화합물을 발광 호스트로 사용하는 경우, 인광 또는 형광 도펀트를 함께 사용하여 발광층을 형성할 수 있다. 이때, 형광 도펀트로는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102 또는 IDE105를 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로는 녹색 인광 도판트 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine) iridium), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic(iridium(Ⅲ)bis[4,6-di-fluorophenyl)-pyridinato-N,C2']picolinate), UDC사의 적색 인광 도펀트 RD61 등이 공통 진공증착(도핑) 될 수 있다. When the silicon compound represented by Chemical Formula 1 or 2 is used as a light emitting host, a light emitting layer may be formed by using a phosphorescent or fluorescent dopant together. In this case, as the fluorescent dopant, IDE102 or IDE105 which can be purchased from Idemitsu Co., Ltd. may be used. As the phosphorescent dopant, green phosphorescent dopant Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium) and blue phosphorescent dopant may be used. Phosphorus F2Irpic (iridium (III) bis [4,6-di-fluorophenyl) -pyridinato-N, C2 '] picolinate), UDC's red phosphorescent dopant RD61, and the like can be commonly vacuum deposited (doped).

도펀트의 도핑농도는 특별히 제한되지 않으나, 호스트 대비 100 중량부 대비 도펀트의 농도는 0.01∼15 중량부인 것이 바람직하다. 만약 도펀트의 함량이 0.01 중량부 미만일 경우에는 도펀트량이 충분치 못하여 발색이 제대로 이루어지지 않는다는 문제점이 있으며, 15 중량부를 초과할 경우에는 농도 소광 현상으로 인해 효율이 급격히 감소된다는 문제점이 있다. 발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층(HTL)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법에 의해 적층시키 는 것이 바람직하다. 이때 사용 할 수 있는 정공억제물질은 특별히 제한되지는 않으나, 정공억제재료로 사용되고 있는 공지의 것에서 임의의 것을 선택해서 이용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq, 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP) 등을 사용할 수 있다.The doping concentration of the dopant is not particularly limited, but the concentration of the dopant to 100 parts by weight relative to the host is preferably 0.01 to 15 parts by weight. If the content of the dopant is less than 0.01 parts by weight, there is a problem in that the color development is not performed properly because the amount of the dopant is not sufficient, and if it exceeds 15 parts by weight, the efficiency is drastically reduced due to the concentration quenching phenomenon. In the case of using the phosphorescent dopant in the light emitting layer, it is preferable to further laminate the hole suppression material (HBL) by vacuum deposition or spin coating to prevent the triplet excitons or holes from diffusing into the electron transport layer (HTL). Do. At this time, the hole-inhibiting material that can be used is not particularly limited, but any one of the well-known ones used as the hole-inhibiting material can be selected and used. For example, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, or the hole-inhibiting material described in Japanese Patent Laid-Open No. 11-329734 (A1), and the like, and typical Balq and phenanthrolines ) -Based compound (e.g., BDC Co., Ltd.) may be used.

상기와 같이 형성된 발광층 상부에는 전자수송층(ETL) 재료를 형성되는데, 이때 상기 전자수송층은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, 전기화학적 증착법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있으며, 특히 전기화학적 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.An electron transport layer (ETL) material is formed on the light emitting layer formed as described above, wherein the electron transport layer may be formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, a cast method, an electrochemical deposition method, and the like. It is preferable to form by.

상기 전자수송층 재료는 전자주입전극(Cathode)으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 그 종류가 특별히 제한되지는 않으며, 예를 들어 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3)을 사용할 수 있다. 또한, 전자수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며, 전자주입층 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등의 물질을 이용할 수 있다.The electron transport layer material has a function of stably transporting electrons injected from an electron injection electrode (Cathode) is not particularly limited in kind, for example, quinoline derivatives, especially tris (8-quinolinorate) aluminum ( Alq3) can be used. In addition, an electron injection layer (EIL), which is a material having a function of facilitating injection of electrons from the cathode, may be stacked on the electron transport layer, and the electron injection layer material may be LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, or the like. The substance of can be used.

그 뒤, 상기 전자수송층 상부에 전자주입층(EIL) 물질을 형성할 수 있으며, 이때 상기 전자수송층은 통상의 전자주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, 전기화학적 증착법 등과 같은 방법에 의해 형성할 수 있으며, 특히 전기화학 적 증착법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.Thereafter, an electron injection layer (EIL) material may be formed on the electron transport layer, wherein the electron transport layer may be formed on a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, electrochemical deposition, or the like. It may be formed by, in particular, it is preferable to form by the electrochemical deposition method.

마지막으로 전자주입층 상부에 캐소드 형성용 금속을 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성하고 음극(cathode)으로 사용한다. 여기서 캐소드 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물, 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등이 있다. 또한 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다. Finally, the cathode forming metal is formed on the electron injection layer by a vacuum deposition method or a sputtering method and used as a cathode. As the metal for cathode formation, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function, and a mixture thereof can be used. Specific examples thereof include Li, Mg, Al, Al-Li, Ca, Mg-In, Mg-Ag, . In addition, a transmissive cathode using ITO and IZO may be used to obtain a top emitting device.

본 발명의 유기발광소자는 애노드(anode), 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL), 캐소드(cathode) 구조의 유기발광소자 뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기발광소자의 구조가 가능하며, 필요에 따라 한층 또는 2층의 중간층을 더 형성하는 것도 가능하다. 또한, 정공주입층(HIL), 전자주입층(EIL), 정공저지층(HBL) 등은 반드시 필요하지는 않지만, 이들의 층을 형성함으로써 발광효율을 향상시킬 수 있다.The organic light emitting device of the present invention has an organic structure of an anode, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), a cathode (cathode) structure Not only the light emitting device, but also the structure of the organic light emitting device of various structures is possible, it is also possible to further form one or two intermediate layers as needed. In addition, the hole injection layer (HIL), the electron injection layer (EIL), the hole blocking layer (HBL) and the like are not necessary, but by forming these layers, the luminous efficiency can be improved.

또한 본 발명에서 상기 애노드, 정공주입층(HIT), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 정공저지층(HBL), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL), 캐소드의 선택된 막 사이에 필요에 따라 1층 이상의 중간층을 더 형성할 수도 있다.In the present invention, the anode, hole injection layer (HIT), hole transport layer (HTL), light emitting layer (EML), hole blocking layer (HBL), electron transport layer (ETL), electron injection layer (EIL), between the selected film of the cathode If necessary, one or more intermediate layers may be further formed.

상기와 같이 본 발명에 따라 형성되는 유기박막층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 바람직하게는 20 내지 150 ㎚인 것이 좋다. The thickness of the organic thin film layer formed according to the present invention as described above can be adjusted according to the required degree, preferably 10 to 1,000 nm, more preferably 20 to 150 nm.

또한, 상기와 같이 유기박막층을 형성한 후 필요에 따라 세척공정 또는 건조공정을 더욱 실시할 수 있다. 상기 세척공정을 통하여 유기박막층에 존재할 수 있는 이물질을 제거할 수 있으며, 또한 상기 건조공정은 공지의 유기발광소자의 유기박막층 형성 후 진행될 수 있는 통상의 건조방법들이 적용될 수 있음은 물론이다.In addition, after the organic thin film layer is formed as described above, the washing step or the drying step may be further performed as necessary. Through the washing process, foreign matters that may be present in the organic thin film layer may be removed, and the drying process may be applied to conventional drying methods that may be performed after the formation of the organic thin film layer of a known organic light emitting device.

또한 본 발명은 상기 화학식 1 또는 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물을 증착시켜 형성된 유기박막층은 기판과의 접착력이 우수하며, 유기박막층의 두께를 분자단위로 조절할 수 있기 때문에 표면이 균일하며, 형태안정성이 뛰어난 장점이 있다.In addition, the present invention is an organic thin film layer formed by depositing a silicon-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by the formula (1) or 2 has excellent adhesion to the substrate, the thickness of the organic thin film layer can be adjusted in molecular units Therefore, the surface is uniform, there is an advantage of excellent shape stability.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the scope of the present invention is not limited to the following examples.

[실시예][Example]

본 발명의 실시예에서 모든 작업은 표준 슈랭크(Schlenk) 기술을 이용하여 질소나 아르곤 분위기 하에서 행하여졌다. 테트라하이드로퓨란(THF)은 포타슘 벤조페논을 이용하여 사용 직전 증류하여 사용하였다. 또한 1H 과 13C NMR은 300.1 and 75.4 MHz 의 Varian mercury 300을 이용하여 측정하였다. 또한 모든 수소와 탄소의 화학적 이동은 테트라메틸실란 (Me4Si)을 기준으로 잠금 용매(99.5 % CDCl3)의 잔여 벤젠을 이용하여 측정하였다. 원소 분석은 Carlo Erba사의 CHNS-O EA 1108 analyzer를 이용하여 분석하였다. 형광 양자 수득률은 9,10-다이페닐안트라센을 기준으로 희석 방법을 통하여 구하였다. CV 실험은 BAS 100 electrochemical analyzer를 사용하였다. 이때 글래시 카본을 작업전극으로, 플래티넘 전선을 카운터 전극으로, 그리고 은 전선을 기준 전극으로 3-전극 시스템을 이용하였다. 또한 깨끗하게 증류하고 디개싱한 메틸렌클로라이드를 용매로 사용하고 0.1 M 테트라-노말-부틸암모니움 헥사플루오르포스패이트를 전해질로 사용하였다. 1,4-다이브로모벤젠 2.5 M 헥산에 희석된 노르말-부틸리튬은 알드리치 사로부터 구매하여 정제 없이 바로 사용하였다.In the examples of the present invention all work was done under nitrogen or argon atmosphere using standard Schlenk techniques. Tetrahydrofuran (THF) was distilled off immediately before use with potassium benzophenone. In addition, 1H and 13C NMR were measured using a Varian mercury 300 of 300.1 and 75.4 MHz. In addition, all hydrogen and carbon chemical shifts were measured using residual benzene in a locked solvent (99.5% CDCl 3) based on tetramethylsilane (Me 4 Si). Elemental analysis was performed using a CHNS-O EA 1108 analyzer from Carlo Erba. The fluorescence quantum yield was determined by the dilution method based on 9,10-diphenylanthracene. CV experiments were performed using a BAS 100 electrochemical analyzer. A three-electrode system was used for the glass carbon as the working electrode, the platinum wire as the counter electrode, and the silver wire as the reference electrode. In addition, clean distilled and degassed methylene chloride was used as a solvent, and 0.1 M tetra-normal-butylammonium hexafluorophosphate was used as an electrolyte. Normal-butyllithium diluted in 1,4-dibromobenzene 2.5 M hexane was purchased from Aldrich and used directly without purification.

실시예 1. 실리콘 링을 포함하는 9,9'-비스(페닐카바졸) 유도체의 합성 (하기 화학식 a-d의 화합물)Example 1 Synthesis of 9,9'-bis (phenylcarbazole) Derivatives Including Silicone Rings (Compounds of Formula A-D)

실리콘 링을 포함하는 9,9'-비스(페닐카바졸)(하기 화학식 a-d의 화합물)의 합성은 하기 반응식 1에 따라 제조하였다. 1,4-디브로모벤젠과 카바졸을 울만 축합 반응을 이용하여 (브로모페닐) 카바졸 화합물을 만들고, 여기에 노르말-부틸리튬과 실란시클로디클로라이드를 반응하여 9,9'-비스(페닐카바졸) 유도체 화합물 a-d를 합성하였다. 하지만 4-CBP 화합물 a의 경우 링 결합각이 불안정하여 사각 링이 곧 풀렸다. 그러나 사각형을 제외한 모든 실리콘 링을 포함하는 9,9'-비스(페닐카바졸) 유도체는 컬럼을 통하여 40-50%의 수득률로 분리할 수 있었다.Synthesis of 9,9'-bis (phenylcarbazole) (compound of formula a-d) comprising a silicone ring was prepared according to Scheme 1 below. 1,4-dibromobenzene and carbazole were used to form a (bromophenyl) carbazole compound using a Ullman condensation reaction, followed by reaction of normal-butyllithium and silanecyclodichloride to 9,9'-bis ( Phenylcarbazole) derivative compound ad was synthesized. However, in the case of 4-CBP compound a, the ring bond angle was unstable and the rectangular ring was soon released. However, 9,9'-bis (phenylcarbazole) derivatives, including all silicone rings except squares, could be separated through a column with a yield of 40-50%.

(9-(4-브로모페닐)카바졸 (화합물 a)의 합성)(Synthesis of 9- (4-bromophenyl) carbazole (Compound a))

100 mL 일구 플라스크에 테프론 자석 젖개 막대기, 1,4-디브로모벤젠 (25.184 g, 200 mmol), 카바졸 (8.36 g, 50 mmol), K2CO3(13.82 g, 100 mmol), 및 CuSO4(7.98 g, 50 mmol)를 넣고 용매 없이 210 ℃에서 16 시간 동안 교반하였다. 반응이 끝난 후, 혼합물은 메틸렌클로라이드로 희석하여 필터한 후 필터되어진 용액을 증류수와 브린으로 씻어냈다. 이렇게 얻어진 유기층은 MgSO4를 이용하여 수분을 제거하였다.Teflon magnetic milk stick, 1,4-dibromobenzene (25.184 g, 200 mmol), carbazole (8.36 g, 50 mmol), K 2 CO 3 (13.82 g, 100 mmol), and CuSO in a 100 mL flask 4 (7.98 g, 50 mmol) was added and stirred at 210 ° C. for 16 hours without solvent. After the reaction was completed, the mixture was diluted with methylene chloride and filtered, and then the filtered solution was washed with distilled water and brine. The organic layer thus obtained was dehydrated using MgSO 4 .

1H NMR (CDCl3): δ 8.21 (d, 2H), 7.40 (d, 2H), 7.25 (t, 2H), 7.13 (t, 2H), 7.35 (d, 2H), 7.16 (d, 2H) 13C NMR (CDCl3): δ 111.1, 122.5, 125.7, 128.1, 130.2, 133.3 1 H NMR (CDCl 3 ): δ 8.21 (d, 2H), 7.40 (d, 2H), 7.25 (t, 2H), 7.13 (t, 2H), 7.35 (d, 2H), 7.16 (d, 2H) 13 C NMR (CDCl 3 ): δ 111.1, 122.5, 125.7, 128.1, 130.2, 133.3

(오각형 실리콘 링을 포함하는 9,9'-bis(phenylcarbazole) (화합물 b)의 합성 )(Synthesis of 9,9'-bis (phenylcarbazole) (Compound b) with a pentagonal silicone ring)

9-(4-bromophenyl)carbazole (1) (2.25 g, 12.5 mmol)을 증류된 테트라하이드로퓨란(THF) (10 mL)에 희석시킨 후 -78 ℃에서 2.5 M 노르말-부틸리튬을 한 방울씩 적가하였다. 이 온도에서 30 분을 교반 한 후 디클로로시클로펜틸실란(2 mmol)을 천천히 한 방울씩 적가하였다. 적가가 끝난 후 이 혼합물을 반응 온도를 상온으로 올려 다시 3 시간을 더 교반해 주었다. 용매를 제거한 후 남은 것을 에틸아세테이트/헥산 (부피비 1:10)을 전개제로 실리카 겔 컬럼을 내려 43 %의 수득률로 분리하였다.Dilute 9- (4-bromophenyl) carbazole (1) (2.25 g, 12.5 mmol) in distilled tetrahydrofuran (THF) (10 mL) and add dropwise 2.5 M normal-butyllithium dropwise at -78 ° C. It was. After stirring 30 minutes at this temperature, dichlorocyclopentylsilane (2 mmol) was slowly added dropwise. After the addition was completed, the mixture was heated to room temperature and stirred for another 3 hours. After the solvent was removed, the residue was separated with ethyl acetate / hexane (volume ratio 1:10) by a silica gel column using a developing agent, and then separated at a yield of 43%.

1H NMR (CDCl3): δ8.055, 7.753, 7.320, 7.215 (m, 16H, Cz), 7.536, 7.408 (m, 8H, Ph), 1.839 (m, 4H, CH2), 1.198 (t, 4H, CH2). 13C NMR (CDCl3): 12.741, 28.158 (CH2), 110.098, 120.265, 120.538, 123.695, 126.145, 126.555, 135.963, 136.464, 139.05, 140.811 (CH). 1 H NMR (CDCl 3 ): δ 8.055, 7.753, 7.320, 7.215 (m, 16H, Cz), 7.536, 7.408 (m, 8H, Ph), 1.839 (m, 4H, C H 2), 1.198 (t , 4H, C H 2). 13 C NMR (CDCl 3 ): 12.741, 28.158 ( C H2), 110.098, 120.265, 120.538, 123.695, 126.145, 126.555, 135.963, 136.464, 139.05, 140.811 ( C H).

(오각형 이중결합을 가지는 실리콘 링을 포함하는 9,9'-bis(phenylcarbazole) (화합물 c)의 합성)(Synthesis of 9,9'-bis (phenylcarbazole) (compound c) comprising a silicone ring with a pentagonal double bond)

이 화합물은 상기 화합물 b의 합성시 디클로로시클로펜틸실란 대신 디클로로펜테닐실란을 사용하여 상기 화합물 b와 같은 방법으로 합성하였으며 47 %의 수득률로 분리하였다. This compound was synthesized in the same manner as Compound b using dichloropentenylsilane instead of dichlorocyclopentylsilane in the synthesis of Compound b, and isolated at a yield of 47%.

1H NMR (CDCl3): 8.152, 7.877, 7.414, 7.297 (m, 16H, Cz), 7.654, 7.501 (m, 8H, Ph), 6.145 (m, H, CH2), 2.027 (d, 4H, CH). 13C NMR (CDCl3): 0.359, 17.361 (CH2), 110.038, 120.265, 120.516, 123.672, 126.130, 126.600, 131.229, 134.787, 136.464, 140.743 (CH). 1 H NMR (CDCl 3 ): 8.152, 7.877, 7.414, 7.297 (m, 16H, Cz), 7.654, 7.501 (m, 8H, Ph), 6.145 (m, H, C H 2), 2.027 (d, 4H , C H ). 13 C NMR (CDCl 3 ): 0.359, 17.361 ( C H2), 110.038, 120.265, 120.516, 123.672, 126.130, 126.600, 131.229, 134.787, 136.464, 140.743 ( C H).

(육각형을 가지는 실리콘 링을 포함하는 9,9'-bis(phenylcarbazole) (화합물 d)의 합성)(Synthesis of 9,9'-bis (phenylcarbazole) (compound d) comprising a silicon ring with a hexagon)

이 화합물은 상기 화합물 b의 합성시 디클로로시클로펜틸실란 대신 디클로로헥실실란을 사용하여 상기 화합물 b와 같은 방법으로 합성하였으며 50 %의 수득률로 분리하였다. This compound was synthesized in the same manner as Compound b, using dichlorohexylsilane instead of dichlorocyclopentylsilane in the synthesis of Compound b, and isolated at a yield of 50%.

1H NMR (CDCl3): 8.125, 7.805, 7.380, 7.266 (m, 16H, Cz), 7.588, 7.474 (m, 8H, Ph), 1.890 (m, 4H, CH2), 1.614 (m, 2H, CH2), 1.334 (t, 4H, CH2). 13C NMR (CDCl3): 12.073, 24.789, 30.305 (CH2), 110.159, 120.273, 120.561, 123.710, 126.168, 126.585, 135.902, 136.236, 138.930, 140.81(CH). 1 H NMR (CDCl 3 ): 8.125, 7.805, 7.380, 7.266 (m, 16H, Cz), 7.588, 7.474 (m, 8H, Ph), 1.890 (m, 4H, C H 2), 1.614 (m, 2H , C H 2), 1.334 (t, 4H, C H 2). 13 C NMR (CDCl 3 ): 12.073, 24.789, 30.305 ( C H2), 110.159, 120.273, 120.561, 123.710, 126.168, 126.585, 135.902, 136.236, 138.930, 140.81 ( C H).

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

Figure 112006034401035-pat00009
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Figure 112006034401035-pat00010
Figure 112006034401035-pat00010

실시예 2. 1,1'-비스(9-페닐카보졸)-2,3,4,5-테트라페닐싸이롤의 합성Example 2. Synthesis of 1,1'-bis (9-phenylcarbozol) -2,3,4,5-tetraphenylcyrrole

(브로모페닐)카바졸을 증류된 THF(10 ml)에 녹인 후 -78 ℃에서 2.5 M 헥산에 희석되어 있는 노르말-부틸리튬을 한 방울씩 적가하였다. 이 혼합물을 같은 온도에서 30분 교반 한 후, THF(20 ml)에 희석되어 있는 다이클로로테트라페닐실란 화합물쪽으로 캐뉼러를 이용하여 한 방울씩 적가하였다. 적가 후 상온으로 반응 온도를 올린 후 다시 4시간을 더 교반시켰다. 상기 혼합물에 물을 넣은 후 에틸아세테이트를 이용하여 추출한 후 물과 브린으로 씻어내었다. 이 유기층을 MgSO4를 이용하여 수분을 제거하였다. 용매를 감압하여 제거한 후 남은 것을 에틸아세테이 트와 헥산 (부피비 1:10)의 전개제를 사용하여 실리카 겔 컬럼으로 분리하여 1,1-비스(9-페닐카바졸)-2,3,4,5-테트라페닐싸이롤을 얻을 수 있었다.(Bromophenyl) carbazole was dissolved in distilled THF (10 ml), followed by dropwise addition of normal-butyllithium diluted in 2.5 M hexane at -78 ° C. The mixture was stirred at the same temperature for 30 minutes and then added dropwise using a cannula to the dichlorotetraphenylsilane compound diluted in THF (20 ml). After dropping, the reaction temperature was raised to room temperature, followed by further stirring for 4 hours. Water was added to the mixture, which was then extracted using ethyl acetate, and washed with water and brine. Water was removed from the organic layer using MgSO 4. After the solvent was removed under reduced pressure, the residue was separated by silica gel column using ethyl acetate and a developer of hexane (volume ratio 1:10), and then 1,1-bis (9-phenylcarbazole) -2,3,4 , 5-tetraphenylcyrrole was obtained.

1H NMR (CDCl3): 8.15 (d, 4H), 7.97 (d, 4H), 7.66 (d, 4H), 7.53 (d, 4H), 7.43 (t, 8H), 7.30 (m, 8H), 7.28 (m, 8H) 13C NMR (CDCl3): 111.1, 122.5, 125.7, 128.1, 130.2, 133.31 H NMR (CDCl 3): 8.15 (d, 4H), 7.97 (d, 4H), 7.66 (d, 4H), 7.53 (d, 4H), 7.43 (t, 8H), 7.30 (m, 8H), 7.28 ( m, 8H) 13 C NMR (CDCl 3): 111.1, 122.5, 125.7, 128.1, 130.2, 133.3

실시예 3 전기화학적 증착Example 3 Electrochemical Deposition

상기 실시예 1 및 실시예 2에서 합성한 화합물의 전기화학적 특성과 HOMO, LUMO 준위를 보기 위하여 우리는 Pt 작업전극과 Pt 카운터 전극, 그리고 Ag/Ag+(0.1M) 전극을 기준 전극으로 하여 CV 실험을 하였다. CV는 0.1 M 테트라부틸암모니움테트라플루오르보레이트(Bu4NBF4)를 전해질로 메틸렌클로라이드 용매에 녹여 상온에서 질소 가스를 불어주며 여러 측정 속도를 달리하여 실험하였다. 측정된 값들은 페로션을 기준으로 검정하였다. CV를 이용한 전기화학적 증착은 100 mV/s의 속도로 하였다. 먼저 실리콘 링을 포함하는 9,9-비스(페닐카바졸) 유도체의 전기화학적 특성을 조사하였다. 전기화학적 특성을 분석하던 중 작업 전극에 일정량의 필름이 형성되는 것을 확인하였다. 상기 실시예 1로 합성된 화합물의 CV 그림을 도 1 내지 3에, 실시예 2로 합성된 화합물의 CV 그림을 도 4에 나타내었다. In order to see the electrochemical properties, HOMO and LUMO levels of the compounds synthesized in Examples 1 and 2, we conducted a CV experiment using a Pt working electrode, a Pt counter electrode, and an Ag / Ag + (0.1M) electrode as a reference electrode. Was done. CV was tested by varying the measurement rate by blowing nitrogen gas at room temperature by dissolving 0.1 M tetrabutylammonium tetrafluoroborate (Bu 4 NBF 4 ) as an electrolyte in a methylene chloride solvent. The measured values were assayed based on the lotion. Electrochemical deposition using CV was at a rate of 100 mV / s. First, the electrochemical properties of the 9,9-bis (phenylcarbazole) derivative including the silicone ring were investigated. While analyzing the electrochemical properties, it was confirmed that a certain amount of film was formed on the working electrode. CV picture of the compound synthesized in Example 1 is shown in Figures 1 to 3, CV picture of the compound synthesized in Example 2 is shown in FIG.

도 1 내지 4에 나타난 바와 같이 모두 전기화학적 증착이 되는 것을 확인하였다. As shown in Figures 1 to 4 all confirmed that the electrochemical deposition.

또한 실시예 2에서 합성된 화합물을 클로로포럼에 희석시켜 UV 스펙트럼과 PL 스펙트럼을 측정하였고 그 그림을 그림 5 내지 6에 나타내었다. In addition, the compound synthesized in Example 2 was diluted in chloroforum to measure the UV spectrum and the PL spectrum, the figure is shown in Figures 5 to 6.

싸이롤 화합물의 방출은 싸이롤 용액의 점성도를 높일수록 크게 증가하였으며, 이러한 결과는 싸이롤을 중심으로 하는 단일결합을 축으로 끝에 치환되어 있는 아로마틱 링의 회전에 의해 AIE(Aggregation-Induced Emission)효과를 가져온다는 것을 보여준다. 즉, 상기 화합물이 아세톤 용액 상에 녹아 있을 때는 빛을 방출하지 않았으나 상기 화합물을 녹이지 못하는 물이 아세톤 용액에 어느 정도 더해졌을 때 강한 PL 스펙트럼이 나타내었다. 이를 통해 실시예 2의 화합물은 AIE 현상이 있다는 것을 확인 할 수 있었다. The release of the cyclo compound increased significantly as the viscosity of the cyclo compound increased, and this result was caused by the aggregation-induced emission (AIE) effect by the rotation of an aromatic ring substituted at the end of a single bond centered on the cyclo compound. Shows that it brings That is, when the compound was dissolved in the acetone solution, the light did not emit light, but the strong PL spectrum was shown when water which did not dissolve the compound was added to the acetone solution to some extent. This confirmed that the compound of Example 2 has an AIE phenomenon.

본 발명에 따른 화학식 1 또는 2로 표시되는 분자 내 비스(페닐카바졸)기를 가지는 실리콘계 화합물은 청색 발광 특성 및 홀 전달 특성이 우수하며, 동시에 청색 발광 재료로 사용하거나 적색, 녹색, 청색, 백색 등과 같은 다양한 인광 또는 형광 도펀트에 대하여 호스트로 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 유기발광소자에 적용하여 고효율 발광이 가능하며, 저전압, 고휘도, 장수명의 특성을 부여할 수 있는 효과가 있다.Silicone-based compound having a bis (phenylcarbazole) group in the molecule represented by the formula (1) or (2) according to the present invention is excellent in blue light emission characteristics and hole transfer properties, at the same time used as a blue light emitting material or red, green, blue, white and the like Not only can be used as a host for a variety of phosphorescent or fluorescent dopants, but also can be applied to the organic light emitting device, high efficiency light emission, it has the effect of imparting low voltage, high brightness, long life characteristics.

Claims (10)

삭제delete 유기발광소자의 발광화합물로서 하기 화학식 1-1 내지 1-4 중 어느 하나로 표시되는 화합물: Compounds represented by any one of the following Chemical Formulas 1-1 to 1-4 as a light emitting compound of the organic light emitting device: [화학식 1-1][Formula 1-1]
Figure 112013063357406-pat00013
Figure 112013063357406-pat00013
[화학식 1-2][Formula 1-2]
Figure 112013063357406-pat00014
Figure 112013063357406-pat00014
[화학식 1-3][Formula 1-3]
Figure 112013063357406-pat00015
Figure 112013063357406-pat00015
[화학식 1-4][Formula 1-4]
Figure 112013063357406-pat00016
Figure 112013063357406-pat00016
상기 화학식 1-1 내지 1-4의 식에서, In the formula of Formula 1-1 to 1-4, R은 탄소수 1 내지 50의 알킬기, 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 탄소수 6 내지 50의 헤테로고리기, 또는 탄소수 6 내지 50의 복소환기이다.R is an alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, an aryl group having 6 to 50 carbon atoms, a heterocyclic group having 6 to 50 carbon atoms, or a heterocyclic group having 6 to 50 carbon atoms.
삭제delete 삭제delete 제2항 기재의 화학식 1-1 내지 1-4 중 어느 하나로 표시되는 화합물로 형성된 유기발광소자의 유기박막층.An organic thin film layer of an organic light emitting device formed of a compound represented by any one of Formulas 1-1 to 1-4 described in claim 2. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 유기박막층이 정공주입층(HIT), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 정공저지층(HBL), 전자수송층(ETL), 또는 전자주입층(EIL)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 유기박막층.The organic thin film layer is an organic light emitting device, characterized in that the hole injection layer (HIT), hole transport layer (HTL), light emitting layer (EML), hole blocking layer (HBL), electron transport layer (ETL), or electron injection layer (EIL) Organic thin film layer. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 유기박막층이 화학식 1-1 내지 1-4 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 전기화학적 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 유기박막층.The organic thin film layer of the organic light emitting device, characterized in that the organic thin film layer is a compound represented by any one of formulas 1-1 to 1-4 by electrochemical deposition. 애노드와 캐소드 사이에 하나 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 제5항 기재의 유기박막층을 적어도 1 개층 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device comprising at least one organic thin film layer between an anode and a cathode, the organic light emitting device comprising at least one organic thin film layer according to claim 5. 제8항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 유기발광소자는 연속되는 2개층 이상이 제5항 기재의 유기박막층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The organic light emitting device is an organic light emitting device, characterized in that at least two consecutive layers of the organic thin film layer of claim 5. 제7항 기재의 유기발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.A display device comprising the organic light emitting device of claim 7.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5605542B2 (en) * 2010-03-02 2014-10-15 国立大学法人埼玉大学 Simultaneous detection method of multiple microorganisms by color change of luminescence
KR101582804B1 (en) * 2011-01-13 2016-01-08 중앙대학교 산학협력단 Dendrimer compound having tin core and organic electro luminescent diodes comprising of the same
WO2012096538A2 (en) * 2011-01-13 2012-07-19 중앙대학교 산학협력단 Tin-centered dendrimer compound, and organic electroluminescence device comprising same
KR101259401B1 (en) * 2011-07-29 2013-04-30 중앙대학교 산학협력단 Dendrimer compound having tin core and organic electronic diodes comprising of the same
CN114805424B (en) * 2021-01-19 2023-10-31 中国科学院理化技术研究所 Organosilicon compound, crystal and application thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050029769A (en) * 2003-09-22 2005-03-28 삼성에스디아이 주식회사 4,4'-Bis(carbazol-9-yl)-biphenyl based silicone compound and organic electroluminescence display device
KR20070102305A (en) * 2006-04-14 2007-10-18 주식회사 동진쎄미켐 Preparing method for organic thin layer of organic light emitting devices using electrochemical deposition

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
JPH11329734A (en) 1998-03-10 1999-11-30 Mitsubishi Chemical Corp Organic electroluminescence element
JP3865996B2 (en) * 1999-04-07 2007-01-10 富士フイルムホールディングス株式会社 A specific silane compound, a light emitting device material comprising the same, and a light emitting device containing the same.
JP2005220088A (en) * 2004-02-06 2005-08-18 Chemiprokasei Kaisha Ltd Silicon-containing polyvalent amine, hole transport material composed of the same and organic el element using the same material
US7527878B2 (en) * 2004-03-26 2009-05-05 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence element and silicon compound
KR100751316B1 (en) * 2004-06-25 2007-08-22 삼성에스디아이 주식회사 Organic electroluminescence display

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050029769A (en) * 2003-09-22 2005-03-28 삼성에스디아이 주식회사 4,4'-Bis(carbazol-9-yl)-biphenyl based silicone compound and organic electroluminescence display device
KR20070102305A (en) * 2006-04-14 2007-10-18 주식회사 동진쎄미켐 Preparing method for organic thin layer of organic light emitting devices using electrochemical deposition

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Baoxiu Mi et al., ‘Making silole photovoltaically active by attaching carbazolyl donor groups to the silolyl acceptor core’, Chem. Commun., 2005, 3583-3585
Baoxiu Mi et al., 'Making silole photovoltaically active by attaching carbazolyl donor groups to the silolyl acceptor core', Chem. Commun., 2005, 3583-3585 *

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