KR101343800B1 - Electrophoretic display device and method of fabricating the same - Google Patents

Electrophoretic display device and method of fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
KR101343800B1
KR101343800B1 KR1020100043705A KR20100043705A KR101343800B1 KR 101343800 B1 KR101343800 B1 KR 101343800B1 KR 1020100043705 A KR1020100043705 A KR 1020100043705A KR 20100043705 A KR20100043705 A KR 20100043705A KR 101343800 B1 KR101343800 B1 KR 101343800B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
cells
substrate
electrodes
lower substrate
Prior art date
Application number
KR1020100043705A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110124107A (en
Inventor
이용의
이용규
조영태
우성일
김철환
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020100043705A priority Critical patent/KR101343800B1/en
Priority to PCT/KR2011/003470 priority patent/WO2011142584A2/en
Publication of KR20110124107A publication Critical patent/KR20110124107A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101343800B1 publication Critical patent/KR101343800B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675Constructional details
    • G02F1/1679Gaskets; Spacers; Sealing of cells; Filling or closing of cells
    • G02F1/1681Gaskets; Spacers; Sealing of cells; Filling or closing of cells having two or more microcells partitioned by walls, e.g. of microcup type
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675Constructional details
    • G02F1/16756Insulating layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675Constructional details
    • G02F1/1676Electrodes
    • G02F1/16766Electrodes for active matrices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675Constructional details
    • G02F1/1677Structural association of cells with optical devices, e.g. reflectors or illuminating devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675Constructional details
    • G02F1/1676Electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50Protective arrangements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/28Adhesive materials or arrangements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00Function characteristic
    • G02F2203/05Function characteristic wavelength dependent
    • G02F2203/055Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering

Abstract

본 발명의 실시예들은 전기 광학 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치는 서로 대향하는 제 1 및 제 2 기판; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 복수의 격벽들에 의해, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간이 상기 기판들의 주면에 평행한 방향으로 분할되어 정의되는 복수의 셀들; 및 상기 복수의 셀들 내부를 각각 채우는 유전성 용액 및 상기 유전성 용액 내에 분산된 적어도 한 종류 이상의 전기 영동 입자들을 포함하는 광 변환층; 상기 제 1 기판 상에 형성되고, 각각 게이트 전극, 상기 게이트 전극에 의해 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수의 MOS 트랜지스터들; 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 게이트 전극에 각각 전기적으로 접속되는 게이트 라인들; 상기 게이트 라인들과 교차하고, 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 소오스 전극에 전기적으로 접속되는 데이터 라인들; 및 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 드레인 전극에 각각 전기적으로 접속되어 상기 복수의 셀들에 구동 전압을 인가하는 개별 전극들을 포함한다. 상기 광변환층과 상기 제 1 기판은, 상기 복수의 셀들의 저면과 상기 개별 전극들 사이에 접착층이 없이 형성된다.Embodiments of the present invention relate to an electro-optical display device and a manufacturing method thereof. An electrophoretic display device according to an embodiment of the present invention comprises: first and second substrates facing each other; A plurality of cells in which a space between the first substrate and the second substrate is divided in a direction parallel to a main surface of the substrates by a plurality of partition walls disposed between the first substrate and the second substrate; And a light conversion layer including a dielectric solution filling each of the plurality of cells and at least one kind of electrophoretic particles dispersed in the dielectric solution. A plurality of MOS transistors formed on the first substrate, each of the plurality of MOS transistors including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode spaced apart from the gate electrode; Gate lines electrically connected to the gate electrodes of the plurality of MOS transistors, respectively; Data lines intersecting the gate lines and electrically connected to the source electrodes of the plurality of MOS transistors; And individual electrodes electrically connected to the drain electrodes of the plurality of MOS transistors to apply a driving voltage to the plurality of cells. The photoconversion layer and the first substrate are formed without an adhesive layer between the bottom of the plurality of cells and the individual electrodes.

Description

전기 영동 디스플레이 장치 및 그 제조 방법{Electrophoretic display device and method of fabricating the same}Electrophoretic display device and method of fabricating the same

본 발명은 디스플레이 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전기 영동 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to display technology, and more particularly, to an electrophoretic display device and a method of manufacturing the same.

액정 디스플레이 장치를 대체하기 위한 정보 디스플레이 장치로서, 전기 영동 방식(electrophoresis), 통전변색 방식(electro-chromic), 2 색 입자 회전 방식(dichroic particles rotary method) 또는 건식 분체 이동 방식과 같은 기술을 이용한 디스플레이 장치가 제안되어 왔다. 이들 기술들은 통상의 인쇄 매체에 근접한 넓은 시야각, 낮은 소비 전력 및 메모리 효과와 같은 이점들 때문에 액정 디스플레이 장치를 대체할 수 있는 차세대 디스플레이 장치로서 광범위하게 연구되고 있다.An information display device for replacing a liquid crystal display device, the display using a technique such as electrophoresis, electro-chromic, dichroic particles rotary method or dry powder transfer method An apparatus has been proposed. These techniques have been extensively studied as next generation display devices that can replace liquid crystal display devices due to advantages such as wide viewing angle, low power consumption and memory effect in proximity to conventional print media.

이들 디스플레이 장치들 중 전기 영동 방식의 디스플레이 장치는 2 개의 전극들 및 상기 2 개의 전극들 사이에 폐쇄된 유전성 유체 내에 분산된 전기 영동 입자들을 가지며, 상기 전극들 사이에 인가된 전기장에 의해 상기 입자들이 유동하는 현상을 이용하여 정보를 표시한다.Among these display devices, an electrophoretic display device has electrophoretic particles dispersed in two electrodes and a dielectric fluid closed between the two electrodes, and the particles are separated by an electric field applied between the electrodes. Display information using the phenomenon of flow.

상기 전기 영동 디스플레이 장치에 있어서, 전기 영동 입자들의 침전과 같은 바람직하지 못한 특성을 개선하기 위하여, 전극들 사이의 공간을 더 작은 셀로 나누기 위한 시도들이 있어 왔다. 대표적인 예로서, 미국 특허 제5,961,804호에 개시된 바와 같은 마이크로캡슐을 이용한 전기 영동 장치가 있다. In the electrophoretic display device, attempts have been made to divide the space between the electrodes into smaller cells in order to improve undesirable properties such as precipitation of electrophoretic particles. A representative example is an electrophoretic device using microcapsules as disclosed in US Pat. No. 5,961,804.

그러나, 상기 마이크로캡슐을 이용한 디스플레이 장치의 제조 공정은 마이크로캡슐의 캡슐 벽의 화학적 성질로 인하여 습기와 온도에 매우 민감한 문제점이 있으며, 얇은 캡슐 벽은 스크래치에 취약한 문제점을 갖는다. 이러한 문제점들을 해결하기 위하여, 미국 특허 제6312304호에 개시된 바와 같이 2 개의 기판 사이에, 투명 폴리머 매트릭스 또는 결합제를 이용하여 마이크로캡슐들을 삽입하는 구조가 제안된 바 있다. 종래의 폴리머 매트릭스 또는 상기 결합제를 이용하는 구조는, 본질적으로, 구동 소자가 형성된 하부 기판과 마이크로캡슐층을 포함하는 이미지 미디어를 별개로 제조하는 방식으로 이루어진다. 상기 이미지 미디어는, 일반적으로, 상기 기판 상에 순차 적층된 공통 전극과 결합제 내에 분산된 마이크로 캡슐층을 포함한다. 전기 영동 디스플레이 소자를 완성하기 위하여, 상기 이미지 미디어를 접착층을 이용하여 구동 소자가 형성된 하부 기판에 본딩하는 공정이 요구된다. 이와 유사한 예로서, 미국 특허 제6930818호에 개시된 바와 같은 엠보싱 공정을 이용한 마이크로 컵 형태의 셀을 갖는 이미지 미디어도, 구동 소자가 형성된 하부 기판과 별도로 제조되어, 이들을 본딩하는 후속 공정을 통하여 전기 영동 디스플레이 장치를 완성한다.However, the manufacturing process of the display device using the microcapsules is very sensitive to moisture and temperature due to the chemical properties of the capsule wall of the microcapsules, the thin capsule wall has a problem that is vulnerable to scratches. To solve these problems, a structure for inserting microcapsules using a transparent polymer matrix or a binder has been proposed between two substrates as disclosed in US Pat. No. 6312304. Conventional polymer matrices or structures employing the binder consist essentially of a method of separately manufacturing the image media comprising the lower substrate and microcapsule layer on which the drive element is formed. The image media generally includes a microcapsule layer dispersed in a binder and a common electrode sequentially stacked on the substrate. In order to complete the electrophoretic display device, a process of bonding the image media to the lower substrate on which the driving device is formed by using an adhesive layer is required. As a similar example, an image media having a microcup-shaped cell using an embossing process as disclosed in US Pat. Complete the device.

이와 같이 이미지 미디어와 구동 소자가 형성된 하부 기판을 별도로 제조하고, 상기 이미지 미디어와 상기 픽셀 전극이 노출된 하부 기판을 그 사이에 적용되는 접착층을 이용하여 본딩함으로써 전기 영동 디스플레이 장치를 완성하는 종래의 기술들은 접착층으로 인하여 상부 기판과 하부 기판 사이의 전극간 거리가 증가되어, 전기 영동 입자들의 응답속도를 증가시키고, 대조비를 저하시키며, 구동 전압도 증가하는 문제점을 초래한다. 또한, 이를 개선하기 위해서 적합한 재료를 선정하는데 전기적 및 화학적 특성이 별도로 고려되어야 하므로 많은 제약이 따른다. 또한, 상기 이미지 미디어의 셀들과 하부 기판의 구동 소자들 사이의 정렬이 어려우며, 이의 오정렬에 의해 구동시 인접하는 셀들 사이에 간섭(cross-talk)이 발생하여 화질이 열화되는 단점이 있다. 이러한 화질 열화는 서로 다른 컬러의 서브픽셀들을 포함하는 멀티 컬러 전기 영동 장치에서 더욱 빈번하게 발생한다. 이러한 오정렬은 개구율을 감소시켜 대조비의 감소를 초래할 수도 잇다.The conventional technique of manufacturing an electrophoretic display device by separately manufacturing the lower substrate on which the image media and the driving element are formed, and bonding the image media and the lower substrate on which the pixel electrode is exposed using an adhesive layer applied therebetween. Because of the adhesive layer, the distance between electrodes between the upper substrate and the lower substrate is increased, resulting in a problem of increasing the response speed of the electrophoretic particles, lowering the contrast ratio, and increasing the driving voltage. In addition, since the electrical and chemical properties must be considered separately in selecting a suitable material to improve this, there are many restrictions. In addition, alignment between the cells of the image media and the driving elements of the lower substrate is difficult, and the misalignment thereof causes deterioration in image quality due to cross-talk between adjacent cells during driving. This deterioration of image quality occurs more frequently in multi-color electrophoretic devices comprising subpixels of different colors. This misalignment may reduce the aperture ratio and result in a decrease in contrast ratio.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 종래의 이미지 미디어와 달리 전극간 거리 증가의 염려가 없고, 디스플레이 장치의 광학적 특성을 저하시키지 않으면서도 더 빠른 응답속도와 낮은 구동 전압을 확보할 수 있으며, 구동 소자가 형성된 하부 기판과 셀들간의 정렬 공정이 용이하고, 하부 기판 상에 형성된 배선층의 반사광에 의한 화질 열화가 없는 전기 영동 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention, unlike the conventional image media, there is no fear of increasing the distance between the electrodes, it is possible to ensure a faster response speed and a lower driving voltage without lowering the optical characteristics of the display device, It is an object of the present invention to provide an electrophoretic display device in which an alignment process between cells and a lower substrate on which a driving element is formed is easy, and image quality is not degraded by reflected light of a wiring layer formed on the lower substrate.

또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 전술한 이점을 갖는 전기 영동 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electrophoretic display device having the aforementioned advantages.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 일부 영동 디스플레이 장치는, 서로 대향하는 제 1 및 제 2 기판; 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 배치되는 복수의 격벽들에 의해, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이의 공간이 상기 기판들의 주면에 평행한 방향으로 분할되어 정의되는 복수의 셀들; 및 상기 복수의 셀들 내부를 각각 채우는 유전성 용액 및 상기 유전성 용액 내에 분산된 적어도 한 종류 이상의 전기 영동 입자들을 포함하는 광 변환층; 상기 제 1 기판 상에 형성되고, 각각 게이트 전극, 상기 게이트 전극에 의해 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수의 MOS 트랜지스터들; 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 게이트 전극에 각각 전기적으로 접속되는 게이트 라인들; 상기 게이트 라인들과 교차하고, 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 소오스 전극에 전기적으로 접속되는 데이터 라인들; 및 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 드레인 전극에 각각 전기적으로 접속되어 상기 복수의 셀들에 구동 전압을 인가하는 개별 전극들을 포함한다. 상기 전기 영동 디스플레이 장치의 상기 광 변환층과 상기 제 1 기판은, 상기 복수의 셀들의 저면과 상기 개별 전극들 사이에 접착층이 없이 형성된다.According to one or more exemplary embodiments, an electrophoretic display device includes: first and second substrates facing each other; A plurality of cells in which a space between the first substrate and the second substrate is divided in a direction parallel to a main surface of the substrates by a plurality of partition walls disposed between the first substrate and the second substrate; And a light conversion layer including a dielectric solution filling each of the plurality of cells and at least one kind of electrophoretic particles dispersed in the dielectric solution. A plurality of MOS transistors formed on the first substrate and including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode spaced apart from each other by the gate electrode; Gate lines electrically connected to the gate electrodes of the plurality of MOS transistors, respectively; Data lines intersecting the gate lines and electrically connected to the source electrodes of the plurality of MOS transistors; And individual electrodes electrically connected to the drain electrodes of the plurality of MOS transistors to apply a driving voltage to the plurality of cells. The light conversion layer and the first substrate of the electrophoretic display device are formed without an adhesive layer between the bottom of the plurality of cells and the individual electrodes.

일부 실시예에서, 상기 전기 영동 디스플레이 장치는 상기 제 2 기판의 상기 개별 전극들과 마주보는 주면 상에 공통 전극을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 전기 영동 디스플레이 장치는 상기 게이트 라인들 및 상기 데이터 라인들과 중첩되도록 상기 복수의 격벽들의 하지에 불투명막을 더 포함할 수 있다. 상기 불투명막은 블랙 매트릭스일 수 있다.In some embodiments, the electrophoretic display device may further include a common electrode on a main surface facing the individual electrodes of the second substrate. In addition, the electrophoretic display apparatus may further include an opaque film on the bottom of the plurality of partition walls so as to overlap the gate lines and the data lines. The opaque film may be a black matrix.

일부 실시예에서, 상기 불투명막은 상기 셀들의 저면 전체로 연장될 수 있다. 이 경우, 상기 불투명막은 흑색층, 백색층 또는 유색 패턴층일 수 있다.In some embodiments, the opaque film may extend over the bottom of the cells. In this case, the opaque film may be a black layer, a white layer or a colored pattern layer.

일부 실시예에서, 상기 격벽들은 15 ㎛ 내지 20 mm 범위의 피치를 가지며, 상기 게이트 라인들 및 데이터 라인들은 1 ㎛ 내지 20 mm 범위의 피치를 가질 수 있다. 또한, 상기 전기 영동 디스플레이 장치는 상기 불투명막 사이에 매립되고 상기 개별 전극들의 하부에 배치되는 컬러 영역들을 갖는 컬러 필터층을 더 포함할 수도 있다. 일부 실시예에서는, 상기 디스플레이 장치는 상기 복수의 셀들과 상기 제 2 기판과 접하는 경계에 배치되는 밀봉층을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the barrier ribs may have a pitch in a range of 15 μm to 20 mm, and the gate lines and data lines may have a pitch in a range of 1 μm to 20 mm. In addition, the electrophoretic display device may further include a color filter layer having color regions embedded between the opaque layers and disposed under the individual electrodes. In some embodiments, the display device may further include a sealing layer disposed at a boundary between the plurality of cells and the second substrate.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 일부 영동 디스플레이 장치의 제조 방법은, 제 1 기판 상에 매트릭스 형태로 배열되고 각각 게이트 전극, 상기 게이트 전극에 의해 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수의 MOS 트랜지스터들; 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 게이트 전극에 각각 전기적으로 접속되는 게이트 라인들; 및 상기 게이트 라인들과 교차하고, 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 소오스 전극에 각각 전기적으로 접속되는 데이터 라인들을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 상에 상기 복수의 트렌지스터들의 상기 드레인 전극에 각각 전기적으로 접속되는 복수의 개별 전극들을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 상에 상기 제 1 기판의 주면에 평행한 방향으로 이격된 복수의 격벽들을 형성하는 단계; 상기 복수의 격벽들에 의해 정의된 복수의 셀들 각각의 내부에 유전성 용액 및 상기 유전성 용액 내에 분산된 적어도 한 종류 이상의 전기 영동 입자들을 채우는 단계; 및 제 2 기판을 상기 제 1 기판에 결합시키는 단계를 포함한다.According to one or more exemplary embodiments, a method of manufacturing an electrophoretic display device according to an embodiment of the present invention may include a gate electrode, a source electrode spaced apart from each other by a gate electrode, and arranged in a matrix form on a first substrate; A plurality of MOS transistors including a drain electrode; Gate lines electrically connected to the gate electrodes of the plurality of MOS transistors, respectively; And forming data lines crossing the gate lines and electrically connected to the source electrodes of the plurality of MOS transistors, respectively. Forming a plurality of individual electrodes electrically connected to the drain electrodes of the plurality of transistors on the first substrate, respectively; Forming a plurality of partition walls spaced apart in a direction parallel to a main surface of the first substrate on the first substrate; Filling a dielectric solution and at least one kind of electrophoretic particles dispersed in the dielectric solution into each of the plurality of cells defined by the plurality of partitions; And coupling a second substrate to the first substrate.

일부 실시예에서, 상기 제 2 기판의 상기 개별 전극들과 마주보는 주면 상에 공통 전극을 형성하는 단계가 더 수행될 수 있다. 또한, 상기 복수의 격벽들을 형성하는 단계 이전에, 상기 게이트 라인들 및 상기 데이터 라인들과 중첩되도록 상기 제 1 기판 상에 불투명막을 형성하는 단계를 더 수행할 수 있으며, 상기 복수의 격벽들은 상기 불투명막 상에 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 불투명막은 블랙 매트릭스일 수 있다.In some embodiments, the forming of the common electrode on the main surface facing the individual electrodes of the second substrate may be further performed. In addition, before the forming of the plurality of barrier ribs, an opaque layer may be further formed on the first substrate to overlap the gate lines and the data lines, and the plurality of barrier ribs may be opaque. It can be formed on the film. In some embodiments, the opaque film may be a black matrix.

일부 실시예에서, 상기 불투명막 사이에 평탄화층을 형성하는 단계가 더 수행될 수 있다. 또한, 상기 불투명막은 상기 셀들의 저면 전체로 연장되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 불투명막은 블랙층, 백색층 또는 유색 패턴층일 수 있다In some embodiments, a step of forming a planarization layer between the opaque layers may be further performed. In addition, the opaque film may be formed to extend to the entire bottom surface of the cells. In this case, the opaque film may be a black layer, a white layer or a colored pattern layer.

또한, 상기 제 2 기판을 결합시키는 단계 이전에, 상기 복수의 셀들과 상기 제 2 기판과 접하는 경계에 배치되는 밀봉층을 형성하는 단계를 더 수행될 수도 있다.In addition, before the bonding of the second substrate, a step of forming a sealing layer disposed on a boundary between the plurality of cells and the second substrate may be further performed.

본 발명의 실시예들에 따른 전기 영동 디스플레이 장치는, 상기 광변환층과 상기 제 1 기판이, 상기 복수의 셀들의 저면과 상기 개별 전극들 사이에 접착층이 없이 접하기 때문에, 종래의 이미지 미디어와 달리 전극간 거리를 최소화할 수 있으며, 이로 인하여, 전기 영동 입자의 빠른 응답 속도와 낮은 구동 전압을 확보할 수 있다. 또한, 상기 격벽 하부에 배치되는 불투명막에 의해 구동 소자가 형성된 하부 기판과 격벽들간의 정렬 공정이 용이하고, 하부 기판 상의 배선 구조에 의해 초래되는 반사광에 의한 화질 열화가 없는 전기 영동 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
In the electrophoretic display device according to the embodiments of the present invention, since the light conversion layer and the first substrate are in contact with the bottom surface of the plurality of cells and without the adhesive layer between the individual electrodes, the electrophoretic display device may be connected with the conventional image media. Alternatively, the distance between the electrodes can be minimized, thereby ensuring fast response speed and low driving voltage of the electrophoretic particles. In addition, an electrophoretic display device having an easy alignment process between the lower substrate and the partition walls on which the driving element is formed by the opaque film disposed below the partition wall, and without deterioration of image quality due to the reflected light caused by the wiring structure on the lower substrate, and its A manufacturing method can be provided.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치를 도시하는 단면도 및 평면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치를 도시하는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치의 제조 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예들에 따른 전기 영동 디스플레이 장치를 도시하는 단면도 및 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 전기 영동 디스플레이 장치를 도시하는 단면도 및 평면도이다.
도 6a 내지 도 6d는 도 4a 내지 도 5b를 참조하여 전술한 전기 영동 디스플레이 장치들의 제조 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 전기 영동 디스플레이 장치들을 도시하는 단면도들이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 전기 영동 디스플레이 장치들을 도시하는 단면도들이다.
1A is a cross-sectional view and a plan view of an electrophoretic display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an electrophoretic display device according to another embodiment of the present invention.
3A to 3F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrophoretic display device according to an embodiment of the present invention in a process sequence.
4A and 4B are cross-sectional views and plan views illustrating an electrophoretic display apparatus according to one embodiment of the present invention.
5A and 5B are cross-sectional views and plan views illustrating an electrophoretic display device according to other embodiments of the present invention.
6A through 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the electrophoretic display devices described above with reference to FIGS. 4A through 5B according to a process sequence.
7A and 7B are cross-sectional views illustrating electrophoretic display devices according to other embodiments of the present invention.
8A and 8B are cross-sectional views illustrating electrophoretic display devices according to other embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more faithful and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of description, and the same reference numerals refer to the same elements in the drawings. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역 또는 부분을 다른 영역 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various members, parts, regions, and / or parts, these members, parts, regions, and / or parts should not be limited by these terms. Is self-explanatory. These terms are only used to distinguish one member, part, region or part from another region or part. Thus, the first member, part, region, or portion, which will be described below, may refer to the second member, component, region, or portion without departing from the teachings of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 부재들의 크기와 형상은 설명의 편의와 명확성을 위하여 과장될 수 있으며, 실제 구현시, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the drawings, for example, the size and shape of the members may be exaggerated for convenience and clarity of description, and in actual implementation, variations of the illustrated shape may be expected. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as limited to the specific shapes of the regions shown herein.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치(100)를 도시하는 단면도 및 평면도이며, 도 1a는 도 1b의 선 IA-IB를 따라 절취한 단면도이다. 1A and 1B are cross-sectional views and a plan view illustrating an electrophoretic display apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 1A is a cross-sectional view taken along the line IA-IB of FIG. 1B.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 전기 영동 디스플레이 장치(100)는 제 1 기판(10; 본 도면에서는 하부 기판일 수 있음)과 하부 기판(10)에 대향하는 제 2 기판(20; 본 도면에서는 상부 기판일 수 있음)을 포함한다. 일 실시예에서, 하부 기판(10)과 상부 기판(20) 중 적어도 어느 하나, 예를 들면, 상부 기판(20)은 투명하고, 다른 하나인 하부 기판(10)은 투명하지 않을 수도 있다. 또는, 하부 기판(10)과 상부 기판(20)이 모두 투명할 수도 있다. 1A and 1B, the electrophoretic display apparatus 100 may include a first substrate 10 (which may be a lower substrate in this drawing) and a second substrate 20 facing the lower substrate 10 (in this drawing). Upper substrate). In one embodiment, at least one of the lower substrate 10 and the upper substrate 20, for example, the upper substrate 20 may be transparent, and the lower substrate 10, which is the other, may not be transparent. Alternatively, both the lower substrate 10 and the upper substrate 20 may be transparent.

하부 기판(10)과 상부 기판(20)은 유리 기판, 단결정 또는 다결정 조직을 갖는 무기 재료로 형성될 수도 있다. 기판들(10, 20)은 가요성을 가질 수 있으며, 이 경우, 기판들(10, 20)은 수지계 재료로 형성될 수 있다. 상기 수지계 재료는, 예를 들면, 각종 셀룰로오스계 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate; PEN)과 같은 폴리에스테르 수지; 폴리에틸렌 수지; 염화 폴리비닐 수지; 폴리카보네이트(PC); 폴리에테리 술폰(PES); 폴리에테르 에테르케톤(PEEK); 및 황화 폴리페닐렌(PPS) 중 어느 하나 또는 이들의 조합일 수 있다. 그러나, 이들 재료들은 예시적일 뿐, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.The lower substrate 10 and the upper substrate 20 may be formed of an inorganic material having a glass substrate, single crystal or polycrystalline structure. The substrates 10 and 20 may be flexible, and in this case, the substrates 10 and 20 may be formed of a resin-based material. The resin material may be, for example, various cellulose resins; Polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN); Polyethylene resins; Polyvinyl chloride resin; Polycarbonate (PC); Polyethersulfone (PES); Polyetheretherketone (PEEK); And polyphenylene sulfide (PPS), or a combination thereof. However, these materials are exemplary only, and the present invention is not limited thereto.

이들 기판들(10, 20)사이에는, 복수의 격벽들(30)들이 배치된다. 복수의 격벽들(30)에 의해 기판(10, 20) 사이의 공간은, 기판들(10, 20)의 주면에 평행한 방향으로 분할되며, 분할된 작은 공간들에 의해 셀들(V1, V2, V3)이 정의된다. 각 셀은 단독으로 또는 인접한 다른 하나 이상의 셀들과 조합되어, 하나의 서브 픽셀 또는 픽셀을 구성할 수 있다. 격벽들(30)의 패턴은 전기 영동 디스플레이 장치(100)의 픽셀 패턴을 정의할 수 있다. 예를 들면, 격벽들(30)은, 관측자(1)의 위치에서 보았을 때, 사각형, 삼각형, 오각형과 같은 다각형, 원형, 타원형, 그리드형, 벌집형, 미언더(meander)형태 또는 라인 형태로 배열될 수 있다.Between these substrates 10 and 20, a plurality of partitions 30 are disposed. The space between the substrates 10 and 20 by the plurality of partitions 30 is divided in a direction parallel to the main surfaces of the substrates 10 and 20, and the cells V1, V2, V3) is defined. Each cell, alone or in combination with other adjacent one or more cells, may constitute one sub-pixel or pixel. The pattern of the barrier ribs 30 may define a pixel pattern of the electrophoretic display apparatus 100. For example, the partitions 30 may have a polygonal shape such as a rectangle, a triangle, a pentagon, a circle, an ellipse, a grid, a honeycomb, a meander, or a line when viewed from the position of the observer 1. Can be arranged.

격벽들(30)의 높이는 1 ㎛ 내지 0.1 mm 내일 수 있으며, 격벽들(30)의 폭은 5 ㎛ 내지 10 mm 일 수 있다. 또한, 격벽들(30) 사이의 간격은 10 ㎛ 내지 10 mm일 수 있다. 인접하는 격벽들(30)의 피치는, 15 ㎛ 내지 20 mm 범위일 수 있다. 격벽들(30)의 단면 프로파일은, 도시된 바와 같이, 하부 기판(10)의 주면에 대하여 실질적으로 수직할 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 격벽들(30)의 단면 프로파일은, 상부 기판 쪽으로 폭이 점차 감소하는 테이퍼 형상 또는 그 반대의 역테이퍼 형상을 가질 수 있다.The height of the partitions 30 may be within 1 μm to 0.1 mm, and the width of the partitions 30 may be 5 μm to 10 mm. In addition, the spacing between the partitions 30 may be 10 ㎛ to 10 mm. The pitch of adjacent partitions 30 may range from 15 μm to 20 mm. The cross-sectional profile of the partitions 30 may be substantially perpendicular to the major surface of the lower substrate 10, as shown. However, the present invention is not limited thereto, and the cross-sectional profile of the partition walls 30 may have a tapered shape or a reverse tapered shape in which the width gradually decreases toward the upper substrate.

복수의 격벽들(30)은, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리스틸렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, 멜라민계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지와 같은 고분자 재료 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다. 또는 격벽들(30)은 포토리소그래피 공정이 가능한 감광성 수지계 재료로 형성될 수도 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 격벽들(30)은 세라믹과 같은 절연성 무기 재료, 절연물질로 코팅된 금속 재료 또는 전술한 재료들 중 2 이상의 조합, 예를 들면, 절연물질로 코팅된 금속 입자를 포함한 고분자 재료 또는 무기질 입자를 포함한 고분자 재료로 형성될 수 있다. The plurality of partitions 30 may be formed of, for example, a polymer material such as polyethylene, polystyrene, polycarbonate, polyimide, epoxy resin, silicone resin, melamine resin, acrylic resin, phenol resin, or a combination thereof. Can be. Alternatively, the partitions 30 may be formed of a photosensitive resin material capable of performing a photolithography process. However, the present invention is not limited thereto, and the partition walls 30 may be formed of an insulating inorganic material such as ceramic, a metal material coated with an insulating material, or a combination of two or more of the above materials, for example, coated with an insulating material. It may be formed of a polymer material including metal particles or a polymer material including inorganic particles.

전기 영동 디스플레이 장치(100)는, 셀들(V1, V2, V3) 내에 전계를 발생시키기 위한 전극들을 포함한다. 도 1a에 도시된 실시예에서, 상기 전극들은, 기판들(10, 20)의 주면에 수직하는 전계를 발생시킬 수 있도록 서로 대향하는 전극들(41, 42)을 포함할 수 있다. 하부 기판(10) 상의 전극들(42)은 각 셀마다 개별 전극(42R, 42G, 42B)을 포함할 수 있다. 또한, 상부 기판(20) 상의 전극은 개별 전극들(42)에 대향하는 공통 전극(30c)을 포함할 수 있다. 도시하지는 아니하였으나, 일부 실시예에서, 각 셀에 복수의 개별 전극들이 할당될 수 있도록, 격벽들에 의해 한정된 각 셀 내에 복수의 개별 전극들이 형성될 수 있으며, 이 경우, 하나의 셀 내에서 계조를 표현할 수 있게 된다. The electrophoretic display apparatus 100 includes electrodes for generating an electric field in the cells V1, V2, V3. In the embodiment illustrated in FIG. 1A, the electrodes may include electrodes 41 and 42 facing each other to generate an electric field perpendicular to the main surfaces of the substrates 10 and 20. The electrodes 42 on the lower substrate 10 may include individual electrodes 42R, 42G, and 42B for each cell. In addition, the electrode on the upper substrate 20 may include a common electrode 30c opposite the individual electrodes 42. Although not shown, in some embodiments, a plurality of individual electrodes may be formed in each cell defined by the partitions so that a plurality of individual electrodes may be assigned to each cell, in which case the gradation within one cell Can be expressed.

이들 전극들(41, 42) 중 적어도 어느 하나는 투명 전극일 수 있다. 예를 들면, 관찰자(1)에게 가시면을 제공하는 상부 기판(20) 상의 공통 전극(41)은 투명 전극이다. 또한, 투과형 디스플레이 장치를 구성하기 위해서, 픽셀 전극들(42)도 투명 전극일 수 있다. 상기 투명 전극은, 예를 들면, 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide; ITO), 불화 주석 산화물(Fluorinated tin Oxide; FTO), 인듐 산화물(indium oxide; IO) 및 주석 산화물(tin oxide; SnO2)과 같은 투명한 금속 산화물, 폴리아세틸렌(polyacetylene)과 같은 투명한 도전성 수지, 또는 도전성 금속 미립자를 함유하는 도전성 수지 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있으며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 이들 전극들(41, 42) 상에는, 이들을 보호하기 위한 적합한 전기 절연성 보호막(미도시)이 형성될 수도 있다.At least one of these electrodes 41 and 42 may be a transparent electrode. For example, the common electrode 41 on the upper substrate 20 that provides the viewer 1 with a visible surface is a transparent electrode. In addition, to form a transmissive display device, the pixel electrodes 42 may also be transparent electrodes. The transparent electrode may include, for example, Indium-Tin-Oxide (ITO), Fluorinated Tin Oxide (FTO), Indium Oxide (IO), and Tin Oxide; It may be formed of any one or a combination of a transparent metal oxide such as SnO 2 ), a transparent conductive resin such as polyacetylene, or a conductive resin containing conductive metal fine particles, but the present invention is not limited thereto. . On these electrodes 41 and 42, a suitable electrically insulating protective film (not shown) for protecting them may be formed.

개별 전극들(42)은 적합한 스위치 소자, 예를 들면, MOS 박막 트랜지스터(50)에 의하여 구동될 수 있다. MOS 박막 트랜지스터(50)는 채널 영역 및 소오스/드레인 영역을 갖는 반도체층(50A), 게이트 전극(50G), 반도체층(50A)과 게이트(50G) 사이의 게이트 절연막(50I), 및 게이트(50G)에 의해 이격된 상기 소오스/드레인 영역에 각각 전기적으로 접속되는 소오스 전극(50S) 및 드레인 전극(50D)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체층(50A)의 소오스/드레인 영역과 소오스 전극(50S) 및 드레인 전극(50D) 사이에는 오믹 콘택층(50C)이 형성될 수도 있다. MOS 박막 트랜지스터(50)는 적합한 절연 물질로 형성된 패시베이션막(60)에 의해 다른 인접하는 부재들과 전기적으로 고립될 수 있다.Individual electrodes 42 may be driven by a suitable switch element, for example MOS thin film transistor 50. The MOS thin film transistor 50 has a semiconductor layer 50A having a channel region and a source / drain region, a gate electrode 50G, a gate insulating film 50I between the semiconductor layer 50A and the gate 50G, and a gate 50G. The source electrode 50S and the drain electrode 50D may be electrically connected to the source / drain regions spaced apart from each other. In some embodiments, an ohmic contact layer 50C may be formed between the source / drain region of the semiconductor layer 50A and the source electrode 50S and the drain electrode 50D. The MOS thin film transistor 50 may be electrically isolated from other adjacent members by the passivation film 60 formed of a suitable insulating material.

도 1a의 MOS 박막 트랜지스터(50)는, 게이트 전극(50G)이 하부 기판(10) 쪽에 배치되는 역 스테거드 전극 구조(inverted-staggered electrode structure)를 갖는 것으로 개시되어 있지만, 당업자라면, MOS 박막 트랜지스터(50)는 공지의 스테거드 구조를 가질 수도 있음을 이해할 것이다.Although the MOS thin film transistor 50 of FIG. 1A is disclosed as having an inverted-staggered electrode structure in which the gate electrode 50G is disposed toward the lower substrate 10, those skilled in the art will appreciate that It will be appreciated that 50 may have a known staggered structure.

도 1b에 도시된 바와 같이, MOS 박막 트랜지스터들(50)은 하부 기판(10) 상에, 예를 들면, 복수의 행들 × 복수의 열들의 어레이로 배치될 수 있다. MOS 박막 트랜지스터들(50)의 구동을 위하여, 소오스 전극(50S)은 x 방향으로 연장된 데이터 라인들(51)에 전기적으로 접속될 수 있다. 또한, MOS 박막 트랜지스터들(50)의 게이트 전극(50G)은 y 방향으로 연장되어 데이터 라인들(51)과 교차하는 게이트 라인들(52)에 전기적으로 접속될 수 있다. 인접하는 게이트 라인들과 데이터 라인들 각각의 피치는 1 ㎛ 내지 20 mm의 범위일 수 있다. 데이터 라인들(51)과 게이트 라인들(52)의 일단에는 각각 데이터 패드들(51P) 및 게이트 패드들(52P)이 제공되며, 주변 회로(미도시)에 전기적으로 연결된다. 개별 전극들(42R, 42G, 42B)은 데이터 라인들(51)과 게이트 라인들(52)에 의해 어드레싱되는 MOS 박막 트랜지스터들(50)의 드레인 전극(50D)을 통하여 구동된다.As shown in FIG. 1B, the MOS thin film transistors 50 may be disposed on the lower substrate 10, for example, in an array of a plurality of rows by a plurality of columns. In order to drive the MOS thin film transistors 50, the source electrode 50S may be electrically connected to the data lines 51 extending in the x direction. In addition, the gate electrode 50G of the MOS thin film transistors 50 may extend in the y direction to be electrically connected to the gate lines 52 crossing the data lines 51. The pitch of each of the adjacent gate lines and data lines may range from 1 μm to 20 mm. Data pads 51P and gate pads 52P are respectively provided at one end of the data lines 51 and the gate lines 52 and electrically connected to a peripheral circuit (not shown). Individual electrodes 42R, 42G, 42B are driven through drain electrode 50D of MOS thin film transistors 50 addressed by data lines 51 and gate lines 52.

도 1b에 도시된 실시예에서는, MOS 박막 트랜지스터들(50)이 직교하는 행×열 어레이를 갖는 능동 매트릭스가 예시되어 있지만, 본 발명의 실시예에 따른 MOS 박막 트랜지스터들은, 사각형, 삼각형, 원형, 그리드 형, 또는 벌집 형태의 픽셀 형상에 대응하여 다른 형태의 어레이를 가질 수 있음은 자명하다. 또한, 본 실시예에서는, MOS 박막 트랜지스터들(50)에 의한 능동 매트릭스를 도시하고 있지만, 이는 예시적일 뿐, 당업자라면, 다른 동적 구동을 위한 수동 매트릭스 방식의 전극 구성, 또는 정적 구동을 위한 세그먼트 방식의 전극 구성도 본 발명의 실시예에 포함될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the embodiment shown in FIG. 1B, an active matrix having a row by column array in which the MOS thin film transistors 50 are orthogonal is illustrated, but the MOS thin film transistors according to the embodiment of the present invention are rectangular, triangular, circular, It is apparent that the array may have other types of arrays corresponding to the pixel shape of the grid type or honeycomb type. In addition, in the present embodiment, the active matrix by the MOS thin film transistors 50 is shown, but this is only illustrative, those skilled in the art, a passive matrix electrode configuration for other dynamic driving, or a segmentation scheme for static driving It will be appreciated that the electrode configuration of may also be included in the embodiment of the present invention.

다시, 도 1a를 참조하면, 격벽들(30)에 의해 정의된 복수의 셀들 내부에는 유전성 용액과 유전성 용액 내에 분산된 적어도 한 종류 이상의 전기 영동 입자들이 충전된다. 유전성 유체(71)는 고저항을 가지면서 점성이 낮은 유체이다. 유전성 유체(71)는 단일한 유체이거나 2 이상의 유체가 혼합된 것일 수 있다. 유전성 유체(71)의 비중은 유전성 유체(71) 내에 분산된 입자들(72a, 72b)의 비중과 실질적으로 동일하도록 제조될 수 있다. Referring again to FIG. 1A, a plurality of cells defined by the partitions 30 are filled with a dielectric solution and at least one kind of electrophoretic particles dispersed in the dielectric solution. The dielectric fluid 71 is a fluid having high resistance and low viscosity. The dielectric fluid 71 may be a single fluid or a mixture of two or more fluids. The specific gravity of the dielectric fluid 71 may be made to be substantially the same as the specific gravity of the particles 72a and 72b dispersed in the dielectric fluid 71.

유전성 유체(71)는, 비수용액 또는 비극성 액체일 수 있다. 예를 들면, 유전성 유체(71)는, decahydronaphthalene(DECALIN), 5-ethylidene-2-norbornene, 지방산 에스테르 및 파라핀유와 같은 탄화수소 함유 용액, 톨루엔(toluene), 크실렌(xylene), phenylxylylylethane, dodecylbenzene 및 alkylnaphtalene과 같은 방향족 탄화 수소 함유 용액, perfluorodecalin, perfluorotoluene, perfluoroxylene, dichlorobenzotrifluoride, 3,4,5-trichlorobenzotrifluoride, chloropentafluro-benzene, dichlorononane, pentachlorobenzene 및 4염화 에틸렌(tetrachloroethylene)과 같은 할로겐화 용액일 수 있다. 유전성 유체(71) 내에는 입자들(42) 이외에도, 전하 조절제(charge-controlling agent), 양이온성 또는 음이온성 계면 활성제, 금속 비누, 수지 재료, 금속계 결합제(coupling agent) 및 안정화제(stabilizing agent)와 같은 다양한 기능성 첨가물이 첨가될 수 있다.The dielectric fluid 71 may be a nonaqueous solution or a nonpolar liquid. For example, the dielectric fluid 71 is a hydrocarbon-containing solution such as decahydronaphthalene (DECALIN), 5-ethylidene-2-norbornene, fatty acid ester and paraffin oil, toluene, xylene, phenylxylylylethane, dodecylbenzene and alkylnaphtalene Aromatic hydrocarbon-containing solutions such as perfluorodecalin, perfluorotoluene, perfluoroxylene, dichlorobenzotrifluoride, 3,4,5-trichlorobenzotrifluoride, chloropentafluro-benzene, dichlorononane, pentachlorobenzene and tetrachloroethylene. In addition to the particles 42 within the dielectric fluid 71, charge-controlling agents, cationic or anionic surfactants, metal soaps, resin materials, metal-based coupling agents and stabilizing agents Various functional additives such as can be added.

유전성 유체(71)는 투명하거나, 분산된 염료 및/또는 안료에 의해 착색될 수 있다. 일부 실시예에서, 유전성 유체(71)는 투과되어 보이는 입자들(72a, 72b)의 색상을 차단하기 위한 흡광성 색상, 예를 들면, 회색 또는 흑색으로 착색될 수 있다.The dielectric fluid 71 may be colored with transparent or dispersed dyes and / or pigments. In some embodiments, dielectric fluid 71 may be colored with a light absorbing color, such as gray or black, to block the color of visible particles 72a and 72b.

유전성 유체(71) 내에 분산된 입자들(72a, 72b)은 모노 크롬 디스플레이를 구현하기 위하여, 각 셀마다 단일한 색상, 예를 들면, 흑색 및 백색 중 어느 하나의 컬러를 갖는 한 종류의 전기 영동 입자들 또는 2 종류의 전기 영동 입자들을 포함할 수 있다. Particles 72a and 72b dispersed in dielectric fluid 71 are a kind of electrophoresis having a single color, for example, one of black and white, in each cell to achieve a mono chrome display. Particles or two kinds of electrophoretic particles.

또는, 도 1a에 도시된 바와 같이, 입자들은 각 셀(V1, V2, V3) 내에 컬러가 서로 다른 2 종류 이상의 전기 영동 입자들(72a, 72b)을 포함할 수 있으며, 이들 입자들은 서로 다른 전기 영동 이동도를 가질 수 있다. 입자들(72a, 72b)은 각 셀들마다, 무채색이 아닌 적색, 녹색 및 청색을 같이 서로 다른 색상을 갖는 전기 영동 입자들을 포함할 수 있다. 예를 들면, RGB 컬러 시스템에 의한 가색 혼합법에 따른 멀티 컬러 디스플레이를 구현하기 위해서, 제 1 셀(V1), 제 2 셀(V2) 및 제 3 셀(V3)이 각각 적색, 녹색 및 청색 서브픽셀인 경우, 제 1 셀(V1)은 적색의 전기 영동 컬러 입자(72R)를 포함할 수 있다. 마찬가지로, 제 2 셀(V2)와 제 3 셀(V3)은 각각 녹색 및 청색의 전기 영동 컬러 입자들(72G, 72B)을 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, CMY 컬러 시스템에 의해 멀티 컬러를 구현하기 위해서, 제 1 셀(V1), 제 2 셀(V2) 및 제 3 셀(V3)의 컬러 입자들(72b)은 각각 시안색, 마젠타색 및 황색의 전기 영동 컬러 입자들을 포함할 수도 있다. 일부 실시예에서는, 각 셀들(V1, V2, V3) 내에 이들 컬러 입자들(72R, 72G, 72B)과 함께 전기 영동 이동도가 다른 흑색 입자들(72a)을 더 포함할 수 있다. 컬러 입자들(72b)과 흑색 입자들(72a)의 구별되는 구동에 의해 관찰자(1)는 표시된 정보를 식별하게 된다.Alternatively, as illustrated in FIG. 1A, the particles may include two or more kinds of electrophoretic particles 72a and 72b having different colors in each cell V1, V2, and V3, and these particles may be different from each other. It may have a mobilization mobility. Particles 72a and 72b may include electrophoretic particles having different colors, such as red, green, and blue, rather than achromatic colors, in each cell. For example, in order to implement a multi-color display according to the additive color mixing method using the RGB color system, the first cell V1, the second cell V2, and the third cell V3 are respectively a red, green, and blue subfields. In the case of a pixel, the first cell V1 may include red electrophoretic color particles 72R. Similarly, the second cell V2 and the third cell V3 may include green and blue electrophoretic color particles 72G and 72B, respectively. In another embodiment, the color particles 72b of the first cell V1, the second cell V2, and the third cell V3 are cyan and magenta, respectively, in order to implement multi-color by the CMY color system. It may comprise colored and yellow electrophoretic color particles. In some embodiments, each of the cells V1, V2, and V3 may further include black particles 72a having electrophoretic mobility along with these color particles 72R, 72G, and 72B. The distinguishing drive of the color particles 72b and the black particles 72a causes the observer 1 to identify the displayed information.

일부 실시예에서, 유전성 유체와 전기 영동 입자들로 충전된 복수의 셀들(V1, V2, V3)은, 이들 셀들과 상부 기판(20)과 접하는 경계에 배치되는 밀봉층(80)에 의해 밀봉될 수 있다. 밀봉층(80)은 0.01 ㎛에서 약 1000 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 밀봉층(80)은 아크릴레이트, 비닐벤젠(vinylbenzene), 에폭사이드, 올리고머, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 폴리알켄 수지 또는 가교 가능한 다른 폴리머와 같은 투명한 수지층일 수 있다. 밀봉층(80)은 상기 밀봉 조성물을 유전성 유체(71) 상에 도포하고, UV 조사, 전자 빔 조사, 또는 가열과 같은 적절한 경화 공정을 수행함으로써 제공될 수 있다. 선택적으로, 상기 밀봉 조성물은, 첨가제로서 폴리머계 접착제, 광개시제, 촉매, 필러(filler) 및 계면 활성제 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다. 전술한 밀봉 조성물은 예시적이며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 밀봉 조성물은 유전성 유체(71)와 섞이지 않고, 유전성 유체 및 전기 영동 입자들의 비중보다 작은 적합한 다른 재료들을 포함할 수 있다.In some embodiments, the plurality of cells V1, V2, V3 filled with the dielectric fluid and the electrophoretic particles may be sealed by a sealing layer 80 disposed at the boundary in contact with these cells and the upper substrate 20. Can be. The sealing layer 80 may have a thickness of about 0.01 μm to about 1000 μm. The sealing layer 80 may be a transparent resin layer such as acrylate, vinylbenzene, epoxide, oligomer, silicone resin, polyimide resin, polyalkene resin or other crosslinkable polymer. Sealing layer 80 may be provided by applying the sealing composition onto dielectric fluid 71 and performing a suitable curing process, such as UV irradiation, electron beam irradiation, or heating. Optionally, the sealing composition may further include any one or a combination of polymer-based adhesives, photoinitiators, catalysts, fillers and surfactants as an additive. The above-described sealing composition is exemplary and the present invention is not limited thereto. For example, the sealing composition may comprise other materials that are not mixed with the dielectric fluid 71 and are less than the specific gravity of the dielectric fluid and electrophoretic particles.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치(200)를 도시하는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating an electrophoretic display apparatus 200 according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 전기 영동 디스플레이 장치(200)는 도 1a에 도시된 장치(100)와 달리, 상부 기판(20)과 격벽(30) 사이에 컬러 필터층(90)을 더 포함한다. 예를 들면, 컬러 필터층(90)은, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(20)과 공통 전극(41) 사이에 배치될 수 있다. 선택적으로는, 컬러 필터층(90)은 광 변환층(70)과 공통 전극(41) 사이에 배치될 수 있다. 상부 기판(20)의 상부 표면, 즉, 광 변환층(70)과 접하는 면의 반대측 표면 상에 컬러 필터층을 형성하는 경우, 상부 기판(20)에 의한 광 가이딩 효과에 의해 광손실이 증가하고, 이로 인하여 광투과율이 감소될 수 있다. 그러나, 도시된 실시예 및, 선택적으로는, 광 변환층(70)과 공통 전극(41) 사이에 컬러 필터층(90)을 형성하는 경우, 광손실이 최소화되고, 광투과율이 개선되어, 우수한 컬러 표현력을 얻을 수 있다.Referring to FIG. 2, the electrophoretic display apparatus 200 further includes a color filter layer 90 between the upper substrate 20 and the partition wall 30, unlike the apparatus 100 illustrated in FIG. 1A. For example, the color filter layer 90 may be disposed between the substrate 20 and the common electrode 41 as shown in FIG. 2. Optionally, the color filter layer 90 may be disposed between the light conversion layer 70 and the common electrode 41. When the color filter layer is formed on the upper surface of the upper substrate 20, that is, the surface opposite to the surface in contact with the light conversion layer 70, the light loss increases due to the light guiding effect of the upper substrate 20. As a result, light transmittance may be reduced. However, when the color filter layer 90 is formed between the illustrated embodiment and, optionally, the light conversion layer 70 and the common electrode 41, the light loss is minimized and the light transmittance is improved, resulting in excellent color. Can express.

컬러 필터층(90)은 격벽(30)에 의해 서로 분리된 컬러 영역들(90R, 90G, 90B)을 포함할 수 있다. 예를 들면, RGB 컬러 시스템에 의한 가색 혼합법에 따른 멀티 컬러 디스플레이를 구현하기 위해서, 제 1 셀(V1), 제 2 셀(V2) 및 제 3 셀(V3)이 각각 적색, 녹색 및 청색 서브픽셀인 경우, 컬러 필터층(90)은 제 1 셀(V1) 상의 적색 영역, 제 2 셀(V2) 상의 녹색 영역 및 제 3 셀(V3) 상의 청색 영역을 포함할 수 있다. 이 경우, 셀들(V1, V2, V3) 내의 입자들은, 전술한 바와 같이, 백색 또는 흑색의 단일한 종류의 전기 영동 입자만을 포함할 수 있다. 또는, 도 2에 도시된 바와 같이 전하의 부호 및/또는 전하량의 크기에 따라 결정되는 전기 영동 이동도가 서로 다른 흑색 전기 영동 입자들(72a) 및 백색 전기 영동 입자들(72b)와 같은 2 종류 이상의 전기 영동 입자들을 포함할 수 있다. The color filter layer 90 may include color regions 90R, 90G, and 90B separated from each other by the partition wall 30. For example, in order to implement a multi-color display according to the additive color mixing method using the RGB color system, the first cell V1, the second cell V2, and the third cell V3 are respectively a red, green, and blue subfields. In the case of a pixel, the color filter layer 90 may include a red region on the first cell V1, a green region on the second cell V2, and a blue region on the third cell V3. In this case, the particles in cells V1, V2, V3 may contain only a single type of electrophoretic particles of white or black, as described above. Alternatively, as shown in FIG. 2, two types such as black electrophoretic particles 72a and white electrophoretic particles 72b having different electrophoretic mobility determined according to the sign of the charge and / or the magnitude of the charge amount It may include the above electrophoretic particles.

이들 2 종류 이상의 입자들은, 도 1a의 전기 영동 디스플레이 장치(100)와 달리, 각 셀들(V1, V2, V3) 내에 공통으로 분산될 수 있다. 이들 입자들은 구별되는 구동에 의해 컬러 필터층(90)의 컬러 영역들(90R, 90G, 90B)과 조합되어 멀티 컬러를 구현할 수 있다.These two or more kinds of particles, unlike the electrophoretic display apparatus 100 of FIG. 1A, may be commonly dispersed in the cells V1, V2, and V3. These particles can be combined with the color regions 90R, 90G, 90B of the color filter layer 90 to achieve multi-color by distinct drive.

도 1a 내지 도 2를 참조하여 상술한 실시예들에서, 전기 영동 입자들(72a, 72b)은 각 셀(V1, V2, V3) 내에 인가되는 전계에 의해 유동하면서, 상기 유전성 용액(71) 및 격벽들(30)과 함께, 광 반사 및/또는 광 흡수에 의해 정보를 표시하는 광 변환층(70)을 구성한다. 전술한 실시예들에서는, 광 변환층(70)과 개별 전극(42R) 사이에 접착층이 존재하지 않는다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치들은, 개별 전극을 포함하는 하부 기판을 이미지 미디어와 별도의 제조 공정을 통하여 각각 제조한 후, 이들을 접착층을 이용하여 본딩하는 종래의 어셈블리 구조와 근본적으로 구별된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 개별 전극과 셀 사이에 접착층이 없기 때문에, 상부 전극(42c)과 개별 전극들 사이의 거리가 최소화될 수 있으며, 그에 따라, 전기 영동 입자들의 반응 시간이 축소될 수 있을 뿐만 아니라, 전기 영동 입자의 구동 전압이 감소될 수 있는 이점을 갖는다.In the embodiments described above with reference to FIGS. 1A-2, electrophoretic particles 72a, 72b flow by an electric field applied within each cell V1, V2, V3, while the dielectric solution 71 and Together with the partitions 30, a light conversion layer 70 for displaying information by light reflection and / or light absorption is constituted. In the above-described embodiments, there is no adhesive layer between the light conversion layer 70 and the individual electrode 42R. That is, the electrophoretic display apparatuses according to the embodiment of the present invention are manufactured by fabricating a lower substrate including individual electrodes through a separate manufacturing process from the image media, and then bonding them by using an adhesive layer. It is distinguished by. According to the embodiment of the present invention, since there is no adhesive layer between the individual electrodes and the cell, the distance between the upper electrode 42c and the individual electrodes can be minimized, thereby reducing the reaction time of the electrophoretic particles. In addition, it has the advantage that the driving voltage of the electrophoretic particles can be reduced.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 영동 디스플레이 장치의 제조 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다. 이들 도면들에서, 도 1a 내지 도 2와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 부재들에 대한 설명은 모순되지 않는 한 도 1a 내지 도 2의 개시 사항을 참조할 수 있다.3A to 3F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrophoretic display device according to an embodiment of the present invention in a process sequence. In these figures, descriptions of constituent members having the same reference numerals as FIGS. 1A to 2 may refer to the disclosure of FIGS. 1A to 2 unless there is a contradiction.

도 3a를 참조하면, 하부 기판(10) 상에 당해 기술 분야에서 잘 알려진 바와 같이, 게이트 전극(50G), 게이트 절연막(50I), 반도체층(50A), 오믹 콘택층(50C), 소오스 전극(50S) 및 드레인 전극(50D)을 포함하는 MOS 박막 트랜지스터들(50)을 형성한다. 이들 트랜지스터들(50)은, 도 1b를 참조하여 상술한 바와 같이, 하부 기판(10) 상에, 복수의 행들 × 복수의 열들로 이루어진 어레이로 배치되어, 데이터 라인들(51)과 게이트 라인들(52)이 교차되는 영역에 각각 형성될 수 있다. 데이터 라인들(51)과 게이트 라인들(52)은 알루미늄, 은, 구리, 몰리브덴, 크롬, 타이타늄, 탄탈륨, 이들의 합금, 도전성 산화물 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있으며, 단일 층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 3A, as is well known in the art, a gate electrode 50G, a gate insulating film 50I, a semiconductor layer 50A, an ohmic contact layer 50C, and a source electrode may be formed on the lower substrate 10. MOS thin film transistors 50 including the 50S) and the drain electrode 50D are formed. These transistors 50 are arranged in an array of a plurality of rows x a plurality of columns on the lower substrate 10, as described above with reference to FIG. 1B, such that the data lines 51 and the gate lines are arranged. 52 can be formed in each of the areas where they cross. The data lines 51 and the gate lines 52 may be formed of aluminum, silver, copper, molybdenum, chromium, titanium, tantalum, alloys thereof, conductive oxides, or a combination thereof, and may form a single layer or multilayer structure. Can have

MOS 박막 트랜지스터들(50), 데이터 라인들(51)과 게이트 라인들(52)의 표면은 패시베이션막(60)에 의해 인접 부재들과 전기적으로 절연될 수 있다. 패시베이션막(60)은 플라즈마 화학기상증착에 의해 형성되는 Si:C:O 또는 Si:O:F와 같은 저유전율층을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 패시베이션막(60)은 데이터 라인들(51)과 게이트 라인들(52)의 일단부의 표면을 노출시키도록 패터닝되어 데이터 패드들(51P) 및 게이트 패드들(52P)을 제공할 수 있다.Surfaces of the MOS thin film transistors 50, the data lines 51 and the gate lines 52 may be electrically insulated from the adjacent members by the passivation layer 60. The passivation film 60 may include a low dielectric constant layer such as Si: C: O or Si: O: F formed by plasma chemical vapor deposition. In some embodiments, the passivation film 60 is patterned to expose the surfaces of the data lines 51 and one ends of the gate lines 52 to provide data pads 51P and gate pads 52P. Can be.

도 3b를 참조하면, 선택적으로는 패시베이션막(60) 상에 평탄화층(65)을 더 형성할 수 있다. 평탄화층(65)도 패시베이션막(60)과 같이 플라즈마 화학기상증착에 의해 형성되며, 저유전율층을 포함할 수 있다. 그러나, 패시베이션막(60)으로서 평탄도가 우수한 막을 형성하거나, 하부 기판(10) 상에 절연막을 형성하고, 후속하여 화학기계적 연마공정에 의해 이를 평탄화함으로써 평탄화층(65)을 대체할 수도 있다. 이후, 패시베이션막(60) 또는 평탄화층(65) 상에 도전층을 형성하고 이를 패터닝하여, MOS 박막 트랜지스터들의 드레인 전극(50D)에 각각 접속된 개별 전극들(42)을 형성한다. 개별 전극들(42)은, 도 1b에 도시된 바와 같이, 직사각형 패턴을 가질 수 있지만, 이는 예시적이며, 삼각형 및 오각형과 같은 다각형, 원형, 타원형, 벌집, 라인 또는 미언더 패턴을 가질 수 있다. Referring to FIG. 3B, a planarization layer 65 may be further formed on the passivation film 60. The planarization layer 65 may also be formed by plasma chemical vapor deposition, like the passivation film 60, and may include a low dielectric constant layer. However, the passivation film 60 may be replaced with the planarization layer 65 by forming a film having excellent flatness or by forming an insulating film on the lower substrate 10 and subsequently planarizing it by a chemical mechanical polishing process. Thereafter, a conductive layer is formed on the passivation film 60 or the planarization layer 65 and patterned to form individual electrodes 42 each connected to the drain electrode 50D of the MOS thin film transistors. Individual electrodes 42 may have a rectangular pattern, as shown in FIG. 1B, but this is exemplary and may have a polygonal, circular, elliptical, honeycomb, line, or meander pattern, such as triangles and pentagons. .

일부 실시예에서는, 개별 전극들(42)의 형성 공정과 함께, 전술한 데이터 패드들(51P) 및 게이트 패드들(52P)을 동시에 형성할 수 있다. 개별 전극들(42)은 전술한 바와 같이 투명 전극일 수 있다. 선택적으로는, 개별 전극들(42) 상에 절연성 보호막(미도시)을 더 형성할 수 있다.In some embodiments, the data pads 51P and the gate pads 52P described above may be simultaneously formed along with the process of forming the individual electrodes 42. Individual electrodes 42 may be transparent electrodes as described above. Optionally, an insulating protective film (not shown) may be further formed on the individual electrodes 42.

도 3c를 참조하면, 패시베이션막(60) 또는 평탄화층(65)의 상부에 격벽들(30)을 형성한다. 격벽들(30)은 개별 전극들(42) 사이에 형성되며, 바람직하게는, 개별 전극들(42) 사이의 데이터 라인들(51)과 게이트 라인들(52) 상에 형성될 수 있다. 격벽들(30)은, 전술한 바와 같이, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리스틸렌, 폴리카보네이트, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, 멜라민계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지와 같은 고분자 재료 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다. 또는, 격벽들(30)은 감광성 수지계 재료로 형성되거나, 세라믹과 같은 절연성 무기 재료, 절연물질로 코팅된 금속 재료 또는 전술한 재료들 중 2 이상의 조합으로 형성될 수 있다Referring to FIG. 3C, barrier ribs 30 are formed on the passivation layer 60 or the planarization layer 65. The partitions 30 are formed between the individual electrodes 42, and preferably, may be formed on the data lines 51 and the gate lines 52 between the individual electrodes 42. The partition walls 30 are formed of a polymer material such as polyethylene, polystyrene, polycarbonate, epoxy resin, silicone resin, melamine resin, acrylic resin, phenol resin, or a combination thereof, as described above. Can be. Alternatively, the partitions 30 may be formed of a photosensitive resin-based material, or may be formed of an insulating inorganic material such as ceramic, a metal material coated with an insulating material, or a combination of two or more of the above materials.

상기 감광성 포토레지스트로 형성되는 격벽들(30)은 노광 및 현상에 의한 공지의 포토리소그래피 공정을 통하여 형성될 수 있다. 감광성 포토레지스트가 아닌 다른 재료를 이용한 격벽들(30)은, 격벽들(30)이 될 물질층을 증착하고, 상기 물질층 상에 마스크 패턴을 형성하고, 이후, 식각 공정을 수행함으로써 형성될 수도 있다. 그러나, 이러한 격벽들(30)의 형성 공정은 예시적이며 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 격벽들(30)은 본 출원인의 한국출원 제2008-97374호의 도 5에 개시된 바와 같이, 개구 패턴을 갖는 층 구조의 격벽 구조물을 하부 기판(10) 상에 정렬한 후, 부착하여 제공될 수도 있다. 또는, 격벽들(30)은 스크린 프린트, 드릴 비트, 임프린트(imprint), 소프트리소그래피(softlithography), 레이저 드릴링 공정 또는 잉크젯 프린팅 공정에 의해서도 형성될 수 있다.The partitions 30 formed of the photosensitive photoresist may be formed through a known photolithography process by exposure and development. The barrier ribs 30 using a material other than the photosensitive photoresist may be formed by depositing a material layer to be the barrier ribs 30, forming a mask pattern on the material layer, and then performing an etching process. have. However, the process of forming such barrier ribs 30 is exemplary and the present invention is not limited thereto. For example, the barrier ribs 30 may be attached after aligning the barrier rib structure having a layer structure on the lower substrate 10 as disclosed in FIG. 5 of the applicant's Korean application 2008-97374. May be provided. Alternatively, the partitions 30 may also be formed by screen printing, drill bits, imprints, softlithography, laser drilling processes, or ink jet printing processes.

도 3d를 참조하면, 격벽들(30)에 의해 한정된 셀들 내부에 유전성 용액(71)과 유전성 용액(71) 내에 분산된 전기 영동 입자들(72)을 채운다. 셀들(V1, V2, V3)이 동일한 유전성 용액과 전기 영동 입자들을 포함하는 경우에는, 디스펜서를 이용한 스프레이 및 침지와 같은 방법에 의해, 유전성 용액(71)과 유전성 용액(71) 내에 분산된 전기 영동 입자들(72)을 셀들(V1, V2, V3) 내에 채울 수 있다. 그러나, 유전성 용액(71) 및/또는 전기 영동 입자들(72)의 구성이 셀들(V1, V2, V3)마다 서로 다른 경우, 예를 들면, eh 3d에 도시된 바와 같이 멀티 컬러 디스플레이 장치의 구현을 위해, 각 셀들(V1, V2, V3)이 적색, 녹색 및 청색 서브픽셀 중 어느 하나에 대응하고, 셀들(V1, V2, V3) 내에 적색, 녹색 및 청색 컬러 입자들(72R, 72G, 72B)를 채워야 하는 경우에는, 각 셀들(V1, V2, V3)을 선택적으로 개방시키는 마스크층(미도시)을 형성하고, 노출된 셀을 채우는 공정을 수회 반복하여, 셀들 내에 서로 다른 유전성 용액 및/또는 전기 영동 입자들을 채울 수 있다. Referring to FIG. 3D, the dielectric solution 71 and the electrophoretic particles 72 dispersed in the dielectric solution 71 are filled in the cells defined by the partitions 30. If cells V1, V2, V3 contain the same dielectric solution and electrophoretic particles, electrophoresis dispersed in dielectric solution 71 and dielectric solution 71 by methods such as spraying and dipping with a dispenser Particles 72 may be filled into cells V1, V2, V3. However, if the composition of the dielectric solution 71 and / or the electrophoretic particles 72 is different for each of the cells V1, V2, V3, for example, the implementation of a multi-color display device as shown in eh 3d. For this purpose, each of the cells V1, V2, V3 corresponds to any one of the red, green and blue subpixels, and the red, green and blue color particles 72R, 72G, 72B within the cells V1, V2, V3. ), A mask layer (not shown) for selectively opening each of the cells V1, V2, and V3 is formed, and the process of filling the exposed cells is repeated several times, whereby different dielectric solutions and / or Or electrophoretic particles.

선택적으로는, 각 서브픽셀을 구성하는 셀들(V1, V2, V3)마다 서로 다른 유전성 용액(71) 및/또는 전기 영동 입자들(72)을 채우기 위해, 도 3d에 도시한 바와 같이, 노즐들(N1, N2, N3)을 이용한 잉크젯 방식을 이용할 수도 있다. 각 셀들(V1, V2, V3) 내에 분산되는 입자들(72)은 색상과 전기 영동 이동도가 서로 다른 2 종류의 입자들(72K; 72R, 72G, 72B)을 포함할 수 있다. 상기 잉크젯 방식에서는, 각 셀들에 대하여 선택적으로 액적을 분사하는 노즐들(N1, N2, N3)이 하부 기판(10)을 화살표(A) 방향으로 스캐닝하면서, 각 셀들 내에 유전성 용액(71)과 해당 전기 영동 입자들(72)을 채울 수 있다. 이러한 잉크젯 방식은 마스크 형성 공정을 생략할 수 있는 이점이 있다.Optionally, nozzles, as shown in FIG. 3D, to fill different dielectric solutions 71 and / or electrophoretic particles 72 for the cells V1, V2, V3 constituting each subpixel. An inkjet method using (N1, N2, N3) can also be used. Particles 72 dispersed in each of the cells (V1, V2, V3) may include two kinds of particles (72K; 72R, 72G, 72B) different in color and electrophoretic mobility. In the inkjet method, the nozzles N1, N2, and N3 selectively spraying droplets on the respective cells scan the lower substrate 10 in the direction of the arrow A, and the dielectric solution 71 is formed in each of the cells. The electrophoretic particles 72 may be filled. Such an inkjet method has an advantage of omitting a mask forming process.

일부 실시예에서는, 후속하여, 도 3e에 도시된 바와 같이, 유전성 유체(71) 및 전기 영동 입자들(72)로 채워진 셀들(V1, V2, V3) 상에 밀봉층(80)을 형성할 수도 있다. 밀봉층(80)은, 예를 들면, 유전성 용액(71) 내에 함께 밀봉층 조성물을 섞어 셀들에 채우고, 후에 밀봉층 조성물과 유전성 용액이 서로 분리되는 현상을 이용하여 제공될 수 있다. 이를 위해, 상기 밀봉층 재료는 유전성 용액에 대한 용해도가 작고, 비중이 유전성 용액과 전기 영동 입자에 비하여 작은 적합한 재료일 수 있다. 예를 들면, 상기 밀봉층 재료는, 다기능기를 갖는 아크릴레이트, 아크릴레이트계 올리고머 및 광개시제를 포함하는 UV 경화 조성물 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.In some embodiments, the sealing layer 80 may subsequently be formed on the cells V1, V2, V3 filled with the dielectric fluid 71 and the electrophoretic particles 72, as shown in FIG. 3E. have. The sealing layer 80 may be provided by, for example, mixing the sealing layer composition together in the dielectric solution 71 to fill the cells, and then separating the sealing layer composition and the dielectric solution from each other. To this end, the sealing layer material may be a suitable material having a low solubility in the dielectric solution and a specific gravity smaller than that of the dielectric solution and the electrophoretic particles. For example, the sealing layer material may include any one or a combination of UV curing compositions including acrylates, acrylate oligomers, and photoinitiators having a multifunctional group, but the present invention is not limited thereto.

선택적으로, 밀봉층(80)은, 아크릴레이트, 비닐벤젠(vinylbenzene), 에폭사이드, 올리고머, 가교 가능한 폴리머와 같은 밀봉 조성물을 격벽들(30) 사이에 채워진 유전성 유체(71) 상에 도포하고, 이후, UV 조사, 전자 빔 조사, 또는 가열과 같은 적절한 경화 공정을 수행함으로써 제공될 수도 있다.Optionally, the sealing layer 80 applies a sealing composition, such as acrylate, vinylbenzene, epoxide, oligomer, crosslinkable polymer, on the dielectric fluid 71 filled between the partition walls 30, It may then be provided by carrying out a suitable curing process such as UV irradiation, electron beam irradiation, or heating.

이와 같이 격벽들(30)로 정의된 복수의 셀들(V1, V2, V3), 유전성 용액(71) 및 전기 영동 입자들(72)로 이루어진 광 변환층(70)을 완성한 후, 도 3f에 도시된 바와 같이 상기 결과물과 공통 전극(41)이 형성된 상부 기판(20)을 결합함으로써, 전기 영동 디스플레이 장치(도 1의 100 참조)를 완성할 수 있다.After completing the light conversion layer 70 composed of the plurality of cells (V1, V2, V3), the dielectric solution 71 and the electrophoretic particles 72 defined as the partition walls 30, shown in Figure 3f As described above, the electrophoretic display device (see 100 of FIG. 1) may be completed by combining the resultant and the upper substrate 20 on which the common electrode 41 is formed.

선택적으로는, 도 2에 도시된 바와 같은 컬러 필터층(90)을 갖는 전기 영동 디스플레이 장치(200)를 제조하기 위해서는, 상부 기판(2) 상에 순서대로 컬러 필터층(90)과 공통 전극(41)을 형성한 후, 도 3f에서와 같이 상부 기판(20)과 하부 기판(10)을 결합함으로써 얻을 수 있다.
Optionally, in order to manufacture the electrophoretic display apparatus 200 having the color filter layer 90 as shown in FIG. 2, the color filter layer 90 and the common electrode 41 on the upper substrate 2 in order. After forming, it can be obtained by combining the upper substrate 20 and the lower substrate 10 as shown in Figure 3f.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예들에 따른 전기 영동 디스플레이 장치(300)를 도시하는 단면도 및 평면도이다. 도 4a는 도 4b의 선 IVA-IVB를 따라 절취한 단면도이다. 이들 도면들에서, 도 1a 내지 도 3f의 구성 부재와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 부재들에 대한 설명은 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있다.4A and 4B are cross-sectional and plan views illustrating an electrophoretic display apparatus 300 according to one embodiment of the present invention. 4A is a cross-sectional view taken along the line IVA-IVB of FIG. 4B. In these figures, descriptions of the constituent members having the same reference numerals as the constituent members of FIGS. 1A to 3F may refer to the foregoing disclosure unless otherwise contradicted.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 전기 영동 디스플레이 장치(300)는, 전술한 장치들(도 1a의 100 및 도 2의 200)과 달리, 격벽들(30)의 하지에 불투명막(310)을 더 포함한다. 불투명막(310)은 가시광선 중 어느 대역의 파장 범위 또는 가시 광선의 모든 파장 대역에 대하여 불투명한 층일 수 있다. 예를 들면, 불투명막(310)이 격벽들(30)의 패턴과 같이 소정의 패턴을 갖는 경우, 불투명막(310)은 블랙 매트릭스일 수 있다. 불투명막(310)은 도 4b에 도시된 바와 같이, MOS 박막 트랜지스터(50), 데이터 라인들(51) 및 게이트 라인들(52) 상에 배치될 수 있다. 불투명막(310)은, 차광성이 우수한 크롬과 같은 금속 또는 염료 및/또는 안료를 포함하는 폴리에틸렌, 폴리스틸렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, 멜라민계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지와 같은 고분자 수지 재료로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 고분자 수지 재료는, 포토리소그래피 공정이 가능한 감광성 수지 조성물일 수 있다. 이들 불투명막용 재료들은 예시적이며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 불투명막(310)은 금속 산화물 및 세라믹과 같은 절연성 무기 재료일 수도 있다.Referring to FIGS. 4A and 4B, the electrophoretic display apparatus 300, unlike the above-described devices (100 in FIG. 1A and 200 in FIG. 2), uses an opaque film 310 on the bottom of the partition walls 30. It includes more. The opaque film 310 may be an opaque layer for a wavelength range of any band of visible light or all wavelength bands of the visible light. For example, when the opaque film 310 has a predetermined pattern, such as the pattern of the partition walls 30, the opaque film 310 may be a black matrix. The opaque film 310 may be disposed on the MOS thin film transistor 50, the data lines 51 and the gate lines 52, as shown in FIG. 4B. The opaque film 310 is a polyethylene, polystyrene, polycarbonate, polyimide, epoxy resin, silicone resin, melamine resin, acrylic resin, phenolic resin containing a metal or dye and / or pigment such as chromium having excellent light shielding properties. It may be formed of a polymer resin material such as a resin. Preferably, the polymer resin material may be a photosensitive resin composition capable of a photolithography process. These opaque film materials are exemplary, and this invention is not limited to this. For example, the opaque film 310 may be an insulating inorganic material such as metal oxide and ceramic.

일부 실시예에서는, 불투명막(310)은, 도 4a에 도시된 바와 같이, MOS 박막 트랜지스터(50) 상에 형성된 패시베이션막(60) 상에 형성될 수 있다. 선택적으로는, 불투명막(310)은, 도 1a를 참조하여 상술한 바와 같이, MOS 박막 패시베이션막(60) 상에 증착된 평탄화막(도 1a의 65) 상에 형성될 수도 있다. In some embodiments, the opaque film 310 may be formed on the passivation film 60 formed on the MOS thin film transistor 50, as shown in FIG. 4A. Optionally, the opaque film 310 may be formed on the planarization film (65 in FIG. 1A) deposited on the MOS thin film passivation film 60, as described above with reference to FIG. 1A.

일부 실시예에서는, 불투명막(310)에 의한 단차를 개선하기 위하여, 불투명막(310) 사이의 공간이, 도 4a에 도시된 바와 같이, 평탄화층(66)으로 매립될 수 있다. 평탄화층(66)은, 예를 들면, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 조합일 수 있다. 평탄화층(66)의 상부 표면은 후술하는 평탄화 공정에 의해 불투명막(310A)의 상부 표면과 동일한 높이를 가질 수 있다. 개별 전극들(42)은, 평탄화층(66) 상에 형성되고, 평탄화층(66)을 관통하여 MOS 박막 트랜지스터(50)의 드레인 전극 상에 전기적으로 접속된다. In some embodiments, the space between the opaque films 310 may be filled with the planarization layer 66, as shown in FIG. 4A, to improve the step by the opaque film 310. The planarization layer 66 may be, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a combination thereof. The upper surface of the planarization layer 66 may have the same height as the upper surface of the opaque film 310A by the planarization process described later. The individual electrodes 42 are formed on the planarization layer 66 and are electrically connected to the drain electrodes of the MOS thin film transistor 50 through the planarization layer 66.

전기 영동 디스플레이 장치(300)는, 전술한 바와 같이, 격벽들(30)에 의해 정의된 셀들(V1, V2, V3) 내에 유전성 용액(71) 및 전기 영동 입자들(72)을 포함하며, 격벽들(30) 상에는, 공통 전극(41)이 형성된 상부 기판(20)이 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 전기 영동 디스플레이 장치(300)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 상부 기판(20)과 공통 전극(41) 사이에, 각 셀들(V1, V2, V3)에 대응되는 컬러 영역들(90R, 90G, 90B)을 갖는 컬러 필터(90)를 더 포함할 수도 있다. The electrophoretic display device 300 includes a dielectric solution 71 and electrophoretic particles 72 in the cells V1, V2, V3 defined by the partitions 30, as described above, and the partition wall On the fields 30, the upper substrate 20 on which the common electrode 41 is formed may be disposed. In some embodiments, the electrophoretic display apparatus 300 includes a color region corresponding to each of the cells V1, V2, and V3 between the upper substrate 20 and the common electrode 41, as shown in FIG. 2. It may further include a color filter 90 having the fields 90R, 90G, 90B.

일반적으로 데이터 라인들 및 게이트 라인들은 금속막으로 형성된다. 이를 고려할 때, 전기 영동 디스플레이 장치, 특히, 반사형 전기 영동 디스플레이 장치의 경우, 상부 기판(20)을 투과하여 입사되는 광은 데이터 라인들 및 게이트 라인들에 의해 반사되어 관측자(1)에게 관찰될 수 있다. 특히, 데이터 라인들 및 게이트 라인들 상에 배치되는 격벽들(30)의 배치 주기와 상기 라인들의 배치 주기가 입사 광과 반사 광들이 간섭할 수 있는 주기에 해당될 때, 새로운 주기를 갖는 규칙적인 광 간섭 무늬 또는 격자 무늬가 발생할 수 있으며, 이러한 간섭에 의해 디스플레이 장치의 화질은 열화된다.In general, the data lines and the gate lines are formed of a metal film. In view of this, in the case of an electrophoretic display device, particularly a reflective electrophoretic display device, light incident through the upper substrate 20 is reflected by the data lines and the gate lines to be observed by the observer 1. Can be. In particular, when the arrangement period of the partition walls 30 disposed on the data lines and the gate lines and the arrangement period of the lines correspond to a period in which incident light and reflected light can interfere, regular with new periods. Optical interference fringes or grid fringes may occur, and the image quality of the display device is degraded by such interference.

본 발명자들은 격벽들(30)이 투명하고, 격벽들(30)이 30 ㎛ 내지 500 ㎛ 범위의 피치를 갖고, 하부 기판 상에 형성된 데이터 라인들 및 게이트 라인들의 피치가 5 ㎛ 내지 500 ㎛ 범위에 있을 때에, 관찰자의 관찰 각도에 따라 간섭 무늬가 심하게 발생하는 것을 관찰하였다. 그러나, 본 실시예에 따르면, 도 4a에 도시된 바와 같이, 입사 광(ix)은 불투명막(310)에 의해 흡수되기 때문에, 데이터 라인들 및 게이트 라인들에 의해 초래되는 반사 광이 발생되지 않으며, 이로 인하여, 광 간섭에 의한 무늬의 발생이 억제될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 접착층이 없는 격벽 구조에 의해 입자들의 응답 속도와 구동 전압이 감소되면서도, 상기 반복되는 격벽 구조로부터 초래될 수 있는 대조비의 감소와 광 간섭에 따른 화질 저하를 억제할 수 있다. 또한, 불투명막(310)의 추가적인 이점으로서, 격벽들(30)의 형성시 격벽(30)과 데이터 라인들 및 게이트 라인들 사이의 정렬 마진이 증가되어 공정이 용이해진다.The inventors have shown that the partitions 30 are transparent, the partitions 30 have a pitch in the range of 30 μm to 500 μm, and the pitch of the data lines and gate lines formed on the lower substrate is in the range of 5 μm to 500 μm. When there was, it was observed that interference fringes occurred badly depending on the viewing angle of the observer. However, according to the present embodiment, as the incident light i x is absorbed by the opaque film 310 as shown in FIG. 4A, the reflected light caused by the data lines and the gate lines is not generated. In this way, generation of fringes due to light interference can be suppressed. Therefore, according to embodiments of the present invention, while the response speed and the driving voltage of the particles are reduced by the barrier rib structure without the adhesive layer, the reduction in the contrast ratio and the image quality deterioration due to the optical interference, which may result from the repeated barrier rib structure, are reduced. It can be suppressed. In addition, as an additional advantage of the opaque film 310, the alignment margin between the partition wall 30, the data lines, and the gate lines is increased when the partition walls 30 are formed, thereby facilitating the process.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 전기 영동 디스플레이 장치(400)를 도시하는 단면도 및 평면도이다. 도 5a는 도 5b의 선 VA-VB를 따라 절취한 단면도이다. 이들 도면들에서, 도 1a 내지 도 4b의 구성 부재와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 부재들에 대한 설명은 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있다.5A and 5B are cross-sectional and plan views illustrating an electrophoretic display apparatus 400 according to other embodiments of the present invention. FIG. 5A is a cross-sectional view taken along the line VA-VB of FIG. 5B. In these figures, descriptions of the constituent members having the same reference numerals as the constituent members of FIGS. 1A to 4B may refer to the foregoing disclosure unless otherwise contradicted.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 전기 영동 디스플레이 장치(400)는, 도 4a를 참조하여 전술한 전기 영동 디스플레이 장치(300)와 같이, 격벽들(30)의 하지에 불투명막(410)을 더 포함한다. 불투명막(410)은 블랙 매트릭스일 수 있다. 개별 전극들(42R, 42G, 42B)의 일부는 인접하는 불투명막(410)의 가장자리부 상으로 연장될 수 있다. 일부 실시예에서, 개별 전극들(42R, 42G, 42B)은, 도시된 실시예에서와 같이, 인접하는 모든 데이터 라인들(51) 및 게이트 라인들(51), 즉, 각 서브픽셀들을 둘러싸는 데이터 라인들(51) 및 게이트 라인들(52) 상에 형성된 불투명막(410)의 가장자리부 상으로 전방위적으로 연장될 수도 있다.Referring to FIGS. 5A and 5B, the electrophoretic display apparatus 400 may further include an opaque film 410 on the bottom of the partition walls 30, like the electrophoretic display apparatus 300 described above with reference to FIG. 4A. Include. The opaque film 410 may be a black matrix. Some of the individual electrodes 42R, 42G, 42B may extend over the edge of the adjacent opaque film 410. In some embodiments, the individual electrodes 42R, 42G, 42B surround, as in the illustrated embodiment, all adjacent data lines 51 and gate lines 51, i.e., surrounding each subpixel. It may extend all over the edges of the opaque film 410 formed on the data lines 51 and the gate lines 52.

불투명막(410)은, 크롬과 같은 금속, 금속 산화물 또는 염료 및 안료를 포함하는 폴리에틸렌, 폴리스틸렌, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, 멜라민계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지와 같은 고분자 수지 재료로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 고분자 수지 재료는, 포토리소그래피 공정이 가능한 감광성 수지 조성물일 수 있다. 이들 불투명막용 재료들은 예시적이며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 불투명막(310)은 세라믹과 같은 절연성 무기 재료일 수도 있다. 일부 실시예에서, 상기 불투명막이 도전성 재료로 형성된 경우, 불투명막(410) 상에는, 개별 전극들(42R, 42G, 42B)과 전기적 절연을 위한 절연층(415)이 더 형성될 수 있다. 또한, 불투명막(410)에 의한 단차를 개선하기 위하여, 불투명막(410) 사이의 공간은 평탄화층(66)으로 매립될 수 있다. The opaque film 410 is a polyethylene, polystyrene, polyimide, polycarbonate, epoxy resin, silicone resin, melamine resin, acrylic resin, phenol resin, or the like containing a metal such as chromium, metal oxide or dye and pigment It may be formed of a polymeric resin material. Preferably, the polymer resin material may be a photosensitive resin composition capable of a photolithography process. These opaque film materials are exemplary, and this invention is not limited to this. For example, the opaque film 310 may be an insulating inorganic material such as ceramic. In some embodiments, when the opaque film is formed of a conductive material, an insulating layer 415 may be further formed on the opaque film 410 to electrically insulate the individual electrodes 42R, 42G, and 42B. In addition, in order to improve the level difference caused by the opaque film 410, the space between the opaque films 410 may be filled with the planarization layer 66.

개별 전극들(42)은, 평탄화층(66)을 관통하여 MOS 박막 트랜지스터(50)의 드레인 전극(50D)에 전기적으로 접속된다. 일부 실시예에서, 전기 영동 디스플레이 장치(400)는, 상부 기판(20)과 공통 전극(41) 사이에, 각 셀들(V1, V2, V3)에 대응되는 컬러 영역들(90R, 90G, 90B)을 갖는 컬러 필터(90)를 더 포함할 수도 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 격벽들(30)을 경유하는 입사 광(ix)이 불투명막(410)에 의해 흡수되어 이로 인한 반상 광이 발생하지 않는다. 그에 따라, 본 발명의 실시예에 따르면, 화질 개선과 함께, 격벽의 정렬 마진도 증가될 수 있다.
The individual electrodes 42 are electrically connected to the drain electrode 50D of the MOS thin film transistor 50 through the planarization layer 66. In some embodiments, the electrophoretic display apparatus 400 includes color regions 90R, 90G, and 90B corresponding to the cells V1, V2, and V3 between the upper substrate 20 and the common electrode 41. It may further include a color filter 90 having. According to the exemplary embodiments of the present invention, incident light i x passing through the partition walls 30 is absorbed by the opaque film 410, and thus, anti-phase light does not occur. Therefore, according to the embodiment of the present invention, along with image quality improvement, the alignment margin of the partition wall may be increased.

도 6a 내지 도 6d는 도 4a 내지 도 5b를 참조하여 전술한 전기 영동 디스플레이 장치들(300, 400)의 제조 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다. 이들 도면들에서, 전술한 도면들의 구성 부재와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 부재들에 대한 설명은 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있다.6A through 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the electrophoretic display devices 300 and 400 described above with reference to FIGS. 4A through 5B according to a process sequence. In these figures, descriptions of the constituent members having the same reference numerals as the constituent members of the above-described drawings may refer to the foregoing disclosure unless otherwise contradicted.

도 6a를 참조하면, 하부 기판(10) 상에 불투명막(310)을 형성한다. 예를 들면, 복수의 행들 × 복수의 열들의 어레이로 배치된 MOS 박막 트랜지스터들(50)과 데이터 라인들 및 게이트 라인들과 같은 배선 구조가 형성된 하부 기판(10) 상에 불투명막(310)이 될 절연성 고분자 재료층 또는 절연성 무기 재료층을 형성한 후, 포토리소그래피 및/또는 식각 공정을 수행하여, 평탄화층(66)이 형성될 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 불투명막(310)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6A, an opaque film 310 is formed on the lower substrate 10. For example, an opaque film 310 is formed on the MOS thin film transistors 50 arranged in an array of a plurality of rows × a plurality of columns and a lower substrate 10 on which wiring structures such as data lines and gate lines are formed. After forming the insulating polymer material layer or insulating inorganic material layer to be formed, a photolithography and / or etching process may be performed to form an opaque film 310 having an opening that exposes the region where the planarization layer 66 is to be formed. have.

일부 실시예에서는, 불투명막(310)을 형성하기 이전에, MOS 박막 트랜지스터들(50), 데이터 라인들(51) 및 게이트 라인들(52)의 표면 상에 패시베이션막(60)을 더 형성할 수 있다. 선택적으로는, 패시베이션막(60) 상에 평탄화층(도 3b의 65 참조)을 더 형성할 수도 있다. 상기 패시베이션막 및 평탄화층은 플라즈마 화학기상증착에 의해 형성된 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 Si:C:O 및 Si:O:F와 같은 저유전율막을 포함할 수 있다. In some embodiments, the passivation film 60 may be further formed on the surfaces of the MOS thin film transistors 50, the data lines 51 and the gate lines 52 before forming the opaque film 310. Can be. Alternatively, a planarization layer (see 65 in FIG. 3B) may be further formed on the passivation film 60. The passivation film and the planarization layer may include a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a low dielectric film such as Si: C: O and Si: O: F formed by plasma chemical vapor deposition.

후속하여, 불투명막(310)에 의한 단차를 개선하기 위하여, 불투명막(310) 사이의 공간을 평탄화층(66)으로 매립할 수 있다. 예를 들면, 단차 피복성이 우수한 플라즈마 화학기상증착 공정을 이용하여 불투명막(310) 사이의 공간을 매립하는 절연층을 하부 기판(10) 상에 증착하고, 상기 절연층에 대하여 화학기계적 연마 공정 또는 에치백 공정과 같은 평탄화 공정을 수행함으로써 평탄화층(66)을 형성할 수 있다. Subsequently, in order to improve the step by the opaque film 310, a space between the opaque films 310 may be filled with the planarization layer 66. For example, an insulating layer filling the space between the opaque films 310 is deposited on the lower substrate 10 by using a plasma chemical vapor deposition process having excellent step coverage, and a chemical mechanical polishing process on the insulating layer. Alternatively, the planarization layer 66 may be formed by performing a planarization process such as an etch back process.

도 6b를 참조하면, 평탄화층(66)을 관통하여 MOS 박막 트랜지스터의 드레인 전극(50D)에 접속되는 개별 전극들(42R, 42G, 42B)을 형성한다. 예를 들면, 공지의 포토리소그래피 및 식각 공정을 통하여 평탄화층(66)에 드레인 전극(50D)을 노출시키는 개구부를 형성하고, 상기 개구부를 매립하는 전극 재료층을 상기 평탄화층(66) 상에 형성한다. 이후, 상기 전극 재료층을 패터닝하여, 도 6b에 도시된 바와 같은 개별 전극들(42R, 42G, 42B)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 6B, individual electrodes 42R, 42G, and 42B are formed through the planarization layer 66 and connected to the drain electrode 50D of the MOS thin film transistor. For example, an opening for exposing the drain electrode 50D is formed in the planarization layer 66 through a known photolithography and etching process, and an electrode material layer filling the opening is formed on the planarization layer 66. do. The electrode material layer may then be patterned to form individual electrodes 42R, 42G and 42B as shown in FIG. 6B.

개별전극들(42R, 42G, 42B)은 도 6b에 도시된 바와 같이, 불투명막(310)과 기판의 주면에 수평한 방향으로 소정의 거리만큼 이격되어 형성될 수도 있다. 선택적으로는, 도 5a에 도시된 바와 같이, 개별 전극들(42R, 42G, 42B)의 일부가 불투명막(310)의 가장자리부 상으로 연장되도록 형성될 수도 있다. 이 경우, 불투명막(310)이 도전성인 경우, 도 6c에 도시된 바와 같이, 불투명막(410) 상에 절연막(415)을 더 형성할 수도 있다. 이후, 불투명막(410) 사이의 공간을 평탄화층(66)으로 매립할 수 있다. 후속하여, 도 6d에 도시된 바와 같이, 평탄화층(66) 및 절연층(415)을 관통하여 MOS 박막 트랜지스터의 드레인 전극(50D)에 접속되고, 불투명막(410)의 가장자리부 상으로 연장된 개별 전극들(42R, 42G, 42B)을 형성할 수 있다.
As illustrated in FIG. 6B, the individual electrodes 42R, 42G, and 42B may be spaced apart from the opaque film 310 by a predetermined distance in a direction horizontal to the main surface of the substrate. Optionally, as shown in FIG. 5A, some of the individual electrodes 42R, 42G, 42B may be formed to extend over the edge of the opaque film 310. In this case, when the opaque film 310 is conductive, an insulating film 415 may be further formed on the opaque film 410, as shown in FIG. 6C. Thereafter, the space between the opaque layers 410 may be filled with the planarization layer 66. Subsequently, as shown in FIG. 6D, penetrating the planarization layer 66 and the insulating layer 415 is connected to the drain electrode 50D of the MOS thin film transistor and extends over the edge of the opaque film 410. Individual electrodes 42R, 42G, 42B can be formed.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 전기 영동 디스플레이 장치들(500, 600)을 도시하는 단면도들이다. 이들 도면들에서, 도 1a 내지 도 6d의 구성 부재와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 부재들에 대한 설명은 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있다.7A and 7B are cross-sectional views illustrating electrophoretic display devices 500 and 600 according to other embodiments of the present invention. In these figures, descriptions of the constituent members having the same reference numerals as the constituent members of FIGS. 1A to 6D may refer to the foregoing disclosure unless otherwise contradicted.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 불투명막(510, 610) 사이에 컬러 필터층(90)이 더 형성될 수 있다. 컬러 필터층(90)은 서브픽셀을 구성하는 각 셀들(V1, V2, V3)에 대응하여, 예를 들면, 적색 영역(90R), 녹색 영역(90G) 및 청색 영역(90B)을 가질 수 있다. 이와 같이, 불투명막(510, 610)과 컬러 필터층(90)을 동일 기판(10) 상에 형성하는 경우, 이들이 서로 다른 기판 상에 형성되는 경우에 비하여 정렬이 더 용이한 이점이 있다. 7A and 7B, a color filter layer 90 may be further formed between the opaque films 510 and 610. The color filter layer 90 may have, for example, a red region 90R, a green region 90G, and a blue region 90B corresponding to the cells V1, V2, and V3 constituting the subpixel. As such, when the opaque films 510 and 610 and the color filter layer 90 are formed on the same substrate 10, there is an advantage in that alignment is easier than when they are formed on different substrates.

컬러 필터층(90)은 안료 및/또는 염료에 의해 색상을 갖는 고분자 수지로 형성될 수 있으며, 적어도 1 회 이상의 포토리소그래피 공정 또는 잉크젯 공정에 의해 형성될 수 있다. 개별 전극들(42R, 42G, 42B)은, 도 7a에서와 같이, 불투명막(510)과 기판(20)의 주면의 수평 방향으로 소정의 거리만큼 이격되거나, 도 7b에 도시된 바와 같이, 불투명막(610)의 가장자리부 상으로 연장될 수도 있다. 일부 실시예에서는, 불투명막(610) 상에 절연층(615)이 더 형성될 수도 있다.
The color filter layer 90 may be formed of a polymer resin having a color by a pigment and / or a dye, and may be formed by at least one photolithography process or an inkjet process. The individual electrodes 42R, 42G, and 42B are spaced apart by a predetermined distance in the horizontal direction of the main surface of the opaque film 510 and the substrate 20, as shown in FIG. 7A, or as shown in FIG. 7B. It may extend over the edge of the membrane 610. In some embodiments, an insulating layer 615 may be further formed on the opaque film 610.

도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 전기 영동 디스플레이 장치들(700, 800)을 도시하는 단면도들이다. 이들 도면들에서, 도 1a 내지 도 7b의 구성 부재와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 부재들에 대한 설명은 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있다.8A and 8B are cross-sectional views illustrating electrophoretic display apparatuses 700 and 800 according to other embodiments of the present invention. In these figures, descriptions of the constituent members having the same reference numerals as the constituent members of FIGS. 1A to 7B may refer to the foregoing disclosure unless otherwise contradicted.

도 8a를 잠조하면, 불투명막(710)는 도 4a 내지 도 7b를 참조하여 전술한 불투명막과 달리, 복수의 행들 × 복수의 열들의 어레이로 배치된 MOS 박막 트랜지스터들(50), 데이터 라인들 및 게이트 라인들과 같은 배선 구조 상으로 뿐만 아니라, 셀들(V1, V2, V3)의 저면으로도 연장된다. 예를 들면, 도 8a에 도시된 바와 같이, 불투명막(710)은 격벽들(30)의 하부로부터 셀들(V1 V2, V3)의 저면 전체로 연장될 수 있다. 이 경우, 불투명막(710)은, 흑색층, 백색층 또는 유색층일 수 있다.Referring to FIG. 8A, the opaque film 710 is different from the opaque film described above with reference to FIGS. 4A to 7B, and MOS thin film transistors 50 and data lines arranged in an array of a plurality of rows by a plurality of columns. And not only onto the wiring structure as the gate lines, but also to the bottom of the cells V1, V2, V3. For example, as shown in FIG. 8A, the opaque film 710 may extend from the bottom of the partition walls 30 to the entire bottom surface of the cells V1 V2 and V3. In this case, the opaque film 710 may be a black layer, a white layer, or a colored layer.

불투명막(710)을 형성하기 위하여, MOS 박막 트랜지스터들(50) 및 배선 구조(51, 52)가 형성된 하부 기판(10) 전체에 불투명막이 될 재료층, 예를 들면, 크롬과 같은 금속층 또는 염료 및/또는 안료를 포함하는 폴리에틸렌, 폴리이미드, 폴리스틸렌, 폴리카보네이트, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, 멜라민계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지와 같은 고분자 수지 재료층을 형성할 수 있다. 이후, 데이터 패드들(51P) 및 게이트 패드들(52P)의 형성을 위하여, 이들 재료층 내에 패드부를 노출시키기 위한 개구부가 형성하는 공정을 수행할 수 있다. 도 8b를 참조하면, 불투명막(810)을 형성하기 전에, 평탄화층(65)을 더 형성할 수 있다. 그에 따라, 셀들(V1, V2, V3)의 저면 전체로 연장된 불투명막(810)의 평탄도가 개선될 수 있다. In order to form the opaque film 710, a material layer to be an opaque film, for example, a metal layer or a dye such as chromium, on the entire lower substrate 10 on which the MOS thin film transistors 50 and the wiring structures 51 and 52 are formed. And / or a polymer resin material layer such as polyethylene, polyimide, polystyrene, polycarbonate, epoxy resin, silicone resin, melamine resin, acrylic resin, or phenol resin containing a pigment. Thereafter, in order to form the data pads 51P and the gate pads 52P, a process of forming an opening for exposing the pad portion in these material layers may be performed. Referring to FIG. 8B, the planarization layer 65 may be further formed before the opaque film 810 is formed. Accordingly, the flatness of the opaque film 810 extended to the entire bottom surface of the cells V1, V2, and V3 may be improved.

개별 전극들(42R, 42G, 42B)은 불투명막(710, 810)을 관통하여 MOS 트랜지스터들의 드레인 전극(50D)에 전기적으로 연결된다. 도시하지는 않았으나, 불투명막(710, 810)과 개별 전극들(42R, 42G, 42B) 사이에 절연층(도 7b의 615 참조)이 더 형성될 수도 있다. 선택적으로는, 상부 기판(20)과 공통 전극(41) 사이에 컬러 필터층(90)이 배치될 수 있다. 선택적으로는, 컬러 필터층(90)은 광 변환층(70)과 공통 전극(41) 사이에 배치될 수도 있다. 상부 기판(20)의 상부 표면, 즉, 광 변환층(70)과 접하는 면의 반대측 표면 상에 상기 컬러 필터층을 형성하는 경우, 상부 기판(20)에 의한 광 가이딩 효과에 의해 광손실이 증가하고, 이로 인하여 광투과율이 감소한다. 그러나, 도시된 실시예 및, 선택적으로는, 광 변환층(70)과 공통 전극(41) 사이에 컬러 필터층(90)을 형성함으로써, 광손실이 최소화되고, 광투과율이 개선되어, 우수한 컬러 표현력을 얻을 수 있다.Individual electrodes 42R, 42G, and 42B are electrically connected to the drain electrodes 50D of the MOS transistors through the opaque films 710 and 810. Although not shown, an insulating layer (see 615 of FIG. 7B) may be further formed between the opaque films 710 and 810 and the individual electrodes 42R, 42G, and 42B. Optionally, the color filter layer 90 may be disposed between the upper substrate 20 and the common electrode 41. Optionally, the color filter layer 90 may be disposed between the light conversion layer 70 and the common electrode 41. When the color filter layer is formed on the upper surface of the upper substrate 20, that is, the surface opposite to the surface in contact with the light conversion layer 70, the light loss increases due to the light guiding effect of the upper substrate 20. This decreases the light transmittance. However, by forming the color filter layer 90 between the illustrated embodiment and, optionally, the light conversion layer 70 and the common electrode 41, the light loss is minimized and the light transmittance is improved, resulting in excellent color expression. Can be obtained.

이와 같이, 불투명막(710, 810)이 격벽들(30)의 하부로부터 셀들(V1, V2, V3)의 저면 전체로 연장된 경우, 격벽들(30)과 MOS 박막 트랜지스터들(50), 데이터 라인들 및 게이트 라인들과 같은 배선 구조와 정렬을 하기 위한 공정 부담이 최소화될 수 있는 이점이 있다.As such, when the opaque films 710 and 810 extend from the bottom of the partitions 30 to the entire bottom surface of the cells V1, V2, and V3, the partitions 30 and the MOS thin film transistors 50 and data There is an advantage that the process burden for aligning with wiring structures such as lines and gate lines can be minimized.

전술한 실시예들에서는 서로 대향하는 전극 구성에 대하여 도시하고 있지만, 당업자라면, 격벽에 의해 정의된 셀 내에 in-plane 전극 구조를 갖는 셀 구조도 본 발명의 범위에 포함됨을 이해할 수 있을 것이다. Although the above-described embodiments illustrate electrode configurations opposed to each other, those skilled in the art will appreciate that a cell structure having an in-plane electrode structure in a cell defined by a partition wall is also included in the scope of the present invention.

이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and alterations are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention, which are common in the art. It will be obvious to those who have knowledge

..

Claims (21)

서로 대향하는 하부 및 상부 기판;
상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 배치되는 복수의 격벽들에 의해, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 공간이 상기 기판들의 주면에 평행한 방향으로 분할되어 정의되는 복수의 셀들; 및 상기 복수의 셀들 내부를 각각 채우는 유전성 용액 및 상기 유전성 용액 내에 분산된 적어도 한 종류 이상의 전기 영동 입자들을 포함하는 광 변환층;
상기 하부 기판 상에 형성되고, 각각 게이트 전극, 상기 게이트 전극에 의해 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수의 MOS 트랜지스터들;
상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 게이트 전극에 각각 전기적으로 접속되는 게이트 라인들;
상기 게이트 라인들과 교차하고, 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 소오스 전극에 전기적으로 접속되는 데이터 라인들;
상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 드레인 전극에 각각 전기적으로 접속되어 상기 복수의 셀들에 구동 전압을 인가하는 개별 전극들;
상기 복수의 격벽들의 아래에서부터 상기 복수의 셀들 아래로 연장되어 있는 불투명막; 및
상기 상부 기판 상에 형성된 컬러 필터층을 포함하며,
상기 하부 기판 상에 형성된 상기 개별 전극들 중 하나 이상의 전극들의 상면에 접착층이 형성되지 않은 것을 특징으로 하는 전기 영동 디스플레이 장치.
Lower and upper substrates facing each other;
A plurality of cells in which a space between the lower substrate and the upper substrate is divided in a direction parallel to a main surface of the substrates by a plurality of partition walls disposed between the lower substrate and the upper substrate; And a light conversion layer including a dielectric solution filling each of the plurality of cells and at least one kind of electrophoretic particles dispersed in the dielectric solution.
A plurality of MOS transistors formed on the lower substrate, each of the plurality of MOS transistors including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode spaced apart from the gate electrode;
Gate lines electrically connected to the gate electrodes of the plurality of MOS transistors, respectively;
Data lines intersecting the gate lines and electrically connected to the source electrodes of the plurality of MOS transistors;
Individual electrodes electrically connected to the drain electrodes of the plurality of MOS transistors to apply a driving voltage to the plurality of cells;
An opaque film extending below the plurality of cells from below the plurality of partitions; And
It includes a color filter layer formed on the upper substrate,
And an adhesive layer is not formed on an upper surface of one or more of the individual electrodes formed on the lower substrate.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 불투명막은 흑색층, 백색층 또는 유색층인 것을 특징으로 하는 전기 영동 디스플레이 장치.
The method of claim 1,
The opaque film is an electrophoretic display device, characterized in that the black layer, white layer or colored layer.
제 1 항에 있어서,
상기 개별 전극들 중 하나 이상의 전극들 상에 절연성 보호막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 전기 영동 디스플레이 장치.
The method of claim 1,
And an insulating protective film is formed on one or more of the individual electrodes.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 하부 기판 상에 매트릭스 형태로 배열되고 각각 게이트 전극, 상기 게이트 전극에 의해 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 복수의 MOS 트랜지스터들; 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 게이트 전극에 각각 전기적으로 접속되는 게이트 라인들; 및 상기 게이트 라인들과 교차하고, 상기 복수의 MOS 트랜지스터들의 상기 소오스 전극에 각각 전기적으로 접속되는 데이터 라인들을 형성하는 단계;
상기 하부 기판 상에 상기 복수의 트렌지스터들의 상기 드레인 전극에 각각 전기적으로 접속되는 복수의 개별 전극들을 형성하는 단계;
상기 하부 기판 상에 상기 하부 기판의 주면에 평행한 방향으로 이격되어 복수의 셀들을 정의하면서, 상기 하부 기판 상에 형성된 상기 개별 전극들 중 하나 이상의 전극들의 상면에 접착층을 형성하지 않으면서 일 단부가 부착된 복수의 격벽들을 형성하는 단계;
상기 복수의 격벽들에 의해 정의된 복수의 셀들 각각의 내부에 유전성 용액 및 상기 유전성 용액 내에 분산된 적어도 한 종류 이상의 전기 영동 입자들을 채우는 단계; 및
상부 기판을 상기 하부 기판에 대향하도록 상기 복수의 격벽들의 타 단부에 결합시키는 단계를 포함하고,
상기 복수의 격벽들을 형성하는 단계 이전에, 상기 복수의 격벽들의 아래에서부터 상기 복수의 셀들 아래로 연장되는 불투명막을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 상부 기판을 상기 하부 기판에 대향하도록 상기 복수의 격벽들의 타 단부에 결합시키는 단계 이전에, 상기 상부 기판 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 영동 디스플레이 장치의 제조 방법.
A plurality of MOS transistors arranged in a matrix form on a lower substrate and each including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode spaced apart from the gate electrode; Gate lines electrically connected to the gate electrodes of the plurality of MOS transistors, respectively; And forming data lines crossing the gate lines and electrically connected to the source electrodes of the plurality of MOS transistors, respectively.
Forming a plurality of individual electrodes electrically connected to the drain electrodes of the plurality of transistors on the lower substrate;
One end may be formed on the lower substrate while defining a plurality of cells spaced apart in a direction parallel to a main surface of the lower substrate, without forming an adhesive layer on an upper surface of one or more of the individual electrodes formed on the lower substrate. Forming a plurality of attached partitions;
Filling a dielectric solution and at least one kind of electrophoretic particles dispersed in the dielectric solution into each of the plurality of cells defined by the plurality of partitions; And
Coupling an upper substrate to the other end of the plurality of partition walls so as to face the lower substrate,
Prior to forming the plurality of partitions, further comprising forming an opaque film extending below the plurality of cells from below the plurality of partitions,
And forming a color filter layer on the upper substrate before coupling the upper substrate to the other ends of the plurality of partition walls so as to face the lower substrate. .
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 12 항에 있어서,
상기 불투명막은 흑색층, 백색층 또는 유색층인 것을 특징으로 하는 전기 영동 디스플레이 장치의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
The opaque film is a manufacturing method of an electrophoretic display device, characterized in that the black layer, white layer or colored layer.
제 12 항에 있어서,
상기 개별 전극들 중 하나 이상의 전극들 상에 절연성 보호막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 전기 영동 디스플레이 장치의 제조 방법.
13. The method of claim 12,
A method of manufacturing an electrophoretic display device, characterized in that an insulating protective film is further formed on one or more of the individual electrodes.
삭제delete 삭제delete
KR1020100043705A 2010-05-10 2010-05-10 Electrophoretic display device and method of fabricating the same KR101343800B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100043705A KR101343800B1 (en) 2010-05-10 2010-05-10 Electrophoretic display device and method of fabricating the same
PCT/KR2011/003470 WO2011142584A2 (en) 2010-05-10 2011-05-11 Electrophoretic display device and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100043705A KR101343800B1 (en) 2010-05-10 2010-05-10 Electrophoretic display device and method of fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110124107A KR20110124107A (en) 2011-11-16
KR101343800B1 true KR101343800B1 (en) 2013-12-20

Family

ID=44914818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100043705A KR101343800B1 (en) 2010-05-10 2010-05-10 Electrophoretic display device and method of fabricating the same

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101343800B1 (en)
WO (1) WO2011142584A2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023049481A1 (en) * 2021-09-27 2023-03-30 E Ink Corporation Electrophoretic particle film having reduced diffraction in an open state

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2760510C1 (en) 2018-11-30 2021-11-25 Е Инк Калифорния, Ллс Electro-optical displays and methods of their actuation

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006518052A (en) * 2003-02-14 2006-08-03 シピックス・イメージング・インコーポレーテッド Electrophoretic display with dual mode switching

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060030630A (en) * 2004-10-06 2006-04-11 삼성전자주식회사 Electro phoretic display and manufacturing method thereof
KR101143002B1 (en) * 2005-04-11 2012-05-08 삼성전자주식회사 Electrophoretic display
KR101312497B1 (en) * 2006-08-14 2013-10-01 삼성디스플레이 주식회사 Electro Phoretic indication Display Panel And Manufacturing Method Thereof
KR20080046960A (en) * 2006-11-24 2008-05-28 삼성전자주식회사 Electrophoretic display and method for manufacturing thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006518052A (en) * 2003-02-14 2006-08-03 シピックス・イメージング・インコーポレーテッド Electrophoretic display with dual mode switching

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023049481A1 (en) * 2021-09-27 2023-03-30 E Ink Corporation Electrophoretic particle film having reduced diffraction in an open state

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110124107A (en) 2011-11-16
WO2011142584A3 (en) 2012-01-26
WO2011142584A2 (en) 2011-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101419375B (en) Electrophoretic display device and making method thereof
KR101640816B1 (en) Electrophoretic display device and method for fabricating the same
TWI470333B (en) Electrophoretic display device and fabrication method thereof
US20100328756A1 (en) Electrophoretic displaying apparatus
JP2007183632A (en) Display panel and method of manufacturing the same
EP2354839B1 (en) Liquid crystal display
US9007550B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP2005004207A (en) Array substrate, method for manufacturing array substrate, and liquid crystal display
JP2006017750A (en) Electrophoretic display device and method for manufacturing the same
JP2007140440A (en) Electronic ink display device
CN102331648A (en) Electrophoretic display device and method for manufacturing the same
US20140022498A1 (en) Display apparatus
KR101343800B1 (en) Electrophoretic display device and method of fabricating the same
US9423656B2 (en) Liquid crystal display and method for fabricating the same
KR20140039570A (en) Color electronic paper display and forming the same
US11822194B2 (en) Display device
KR101338999B1 (en) Electrophoretic display device and method of fabricating thereof
KR102178887B1 (en) Array substrate and liquid crystal display device inluding the same
KR101209550B1 (en) Electrophoretic desplay, image sheet and method of fabricating the same
KR20140006326A (en) Electrophoretic display device and manufacturing method thereof
KR20100076822A (en) Electrophoretic display device and method for fabricating the same
KR101947379B1 (en) Electrophoretic display device and manufacturing method the same
US9557611B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR101730903B1 (en) Electrophoretic display device
KR20120074913A (en) Method of fabricating array substrate for bistable chiral splay nematic mode liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
N231 Notification of change of applicant
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161118

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171116

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181114

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191113

Year of fee payment: 7