KR101341850B1 - 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템 - Google Patents

유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따르면, 마스크(Mask)를 사용하는 증착 챔버(Chamber)가 마스크 세정을 위해 진공 분위기를 벗어나고 세정 된 마스크를 다시 사용하기 위해서는 다시 증착 챔버를 진공 분위기로 조성해야 하는 불필요한 시간 소요와 세정 후, 대기의 파티클(Particle)이 대기 중에 노출된 마스크에 부착되어 세정의 효과가 떨어지고 세정 된 후, 파티클이 부착된 마스크가 유기 증착과정에서 유기 증착의 불량과 OLED생산 효율을 떨어뜨리는 원인이 되는바, 이 원인을 해결하기 위해 진공 분위기 안에서 마스크 세정과 세정 된 마스크를 유기 증착 챔버 및 메탈(Metal) 증착 챔버에 각각 이동되는 건식세정공정을 구비하는 유기 증착 마스크의 플라즈마(Plasma) 건식세정을 위한 시스템을 통하여 OLED생산 효율을 높이는데 효과와 플라즈마 건식세정방식을 이용하여 습식세정방식에서 많이 사용한 화학물질의 소모의 양을 줄이고 사용된 물질의 폐기의 어려움 및 환경오염 및 안정성의 문제를 유발시키지 않고 마스크에 부착된 파티클만 제거할 수 있도록 하는 친환경적인 건식세정 시스템을 제공하는데 효과가 있는 마스크 건식세정 챔버를 포함하는 증착 시스템.

Description

유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템 { System for Plasma Dry Cleaning of Organic Deposition Mask}
본 발명은 진공 분위기에서 유기 증착에 사용되어 지는 마스크(Mask)를 플라즈마(Plasma)를 이용하여 건식세정을 하는 시스템에 관한 것으로서, 구체적으로 증착을 위해 사용된 마스크를 세정하기 위해서 진공 분위기의 케이스(Case) 안에 있는 이송용 로봇암(Robot Arm)에 의하여 다수 증착 챔버(Chamber)에서 사용된 마스크가 진공 분위기에서 건식세정 챔버로 이동되며, OLED(Oraginc Light Emitting Diode)의 생산시스템과 호환성이 높은 건식세정 시스템을 통하여 OLED 생산 효율을 높이는 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템에 관한 것이다.
현재의 웨이퍼(Wafer) 및 마스크(Mask)를 세척하는 데 있어서 세정 방식은 건식세정, 습식세정으로 구분되며 습식세정을 하기 위해서는 마스크 및 웨이퍼를 웨트 스테이션 (Wet stationn)으로 이동 후 산성 세정액을 사용한다. 하지만 산성 세정액의 사용은 환경오염 및 박막의 손실을 유발할 수 있다. 또한, 습식세정을 하기 위해서는 증착기에서 사용된 마스크는 마스크 챔버(Chamber)를 거쳐서 마스크를 웨트 스테이션 (Wet station)으로 이동해야 하는 이동시간 때문에 빠른 시간 내에 많은 마스크를 세정할 수 없다는 문제가 제기되었다.
이러한 문제에 대해 한국 공개특허 2003-0049848에서는 산성 세정액이 저장된 저장조 내부에 알카리 전해 이온수를 공급함으로써 산성 세정액의 반응을 억제시켜 탈이온수 소모량을 줄이고 웨이퍼 박막의 두께 균일도를 향상시킬 수 있도록 제안하였으며, 웨이퍼에서 제거된 파티클(Particle)이 다시 웨이퍼에 재흡착하는 것을 방지하도록 제안하였다.
그리고 한국 공개특허 10-2006-0041495에서는 다수 개의 포토 마스크를 세정액이 담기 세정조 내에 일정시간 침지 시켜 세정처리효율이 높고, 완벽하게 오염물질을 제거할 수 있도록 제안하였다. 그러나 종래기술은 습식세정을 하기 위해서는 사용된 마스크를 대기 중에 노출 후, 웨트 스테이션 (Wet station)으로 이동하여 마스크를 세정하며, 상기 세정 후 다시 상기 마스크 장입 챔버 안에 넣고 이송용 로봇암이 진공 분위기를 벗어난 증착 챔버로 마스크를 이송 후, 상기 증착 챔버를 다시 진공 분위기로 조성해야 하는 시간이 필요한 점이 있고 마스크 세정 후, 마스크 장입 챔버에 세정 된 마스크를 인입시 대기 중에 노출된 마스크에 대기에 존재하는 파티클이 부착되어 세정의 효과가 떨어지는 점과 파티클이 부착된 마스크를 통해 유기 증착의 불량으로 OLED 생산 효율을 떨어뜨리는 원인이 되는바, 진공 분위기 안에서 마스크 세정과 세정 된 마스크를 유기 증착 챔버 및 메탈 증착 챔버에 각각 이동되는 건식세정시스템을 구비하는 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템이 요구되는 실정이다.
본 발명의 목적은 마스크(Mask)를 사용하는 증착 챔버(Chamber)가 마스크 세정을 위해 진공 분위기를 벗어나고 세정 된 마스크를 다시 사용하기 위해서는 다시 증착 챔버를 진공 분위기로 조성하는 불필요한 과정과 세정 후, 대기의 파티클(Particle)이 대기 중에 노출된 마스크에 부착되어 세정의 효과가 떨어지고 세정 된 후, 파티클이 부착된 마스크가 유기 증착과정에서 유기 증착의 불량과 OLED 생산 효율을 떨어뜨리는 원인이 되는바, 이 원인을 해결하기 위해 진공 분위기 안에서 마스크 세정과 세정 된 마스크를 유기 증착 챔버 및 메탈 증착 챔버에 각각 이동되는 건식세정시스템을 구비하는 유기 증착 마스크의 플라즈마(Plasma) 건식세정을 위한 시스템을 통하여 OLED생산 효율을 높이는데 그 목적이 있다.
또한 플라즈마 건식세정방식을 이용하여 습식세정방식에서 많이 사용한 화학물질의 소모의 양을 줄이고 사용된 물질의 폐기의 어려움 및 환경오염 및 안정성의 문제를 유발시키지 않고 마스크에 부착된 파티클만 제거할 수 있도록 하는 친환경적인 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템을 제공하는데도 그 목적이 있다.
인라인(In-line) 시스템으로 연결되어 진공 분위기에서 마스크(Mask)를 통해 글래스(Glass)에 적어도 하나의 유기물을 증착하는 적어도 하나의 유기 증착 챔버(Chamber), 진공 분위기에서 마스크를 세정하기 위한 건식세정 챔버, 상기 유기 증착 챔버와 상기 유기 증착용 마스크 전용 건식세정 챔버 간에 상기 유기 증착용 마스크를 진공상태에서 이송하는 유기 증착용 마스크 전용 이송용 로봇암(Robot Arm), 클러스터(Cluster) 시스템으로 연결되어 진공 분위기에서 마스크를 통하여 글래스에 적어도 하나의 레이어(Layer)를 증착하는 증착 챔버, 클러스터 시스템으로 어레이 연결되어 진공 분위기에서 적어도 하나의 증착 챔버 및 상기 건식 세정 챔버와 연결 가능한 이송용 로봇암을 포함하며, 클러스터 타입에서 상기 이송용 로봇암은 상기 건식세정 챔버에서 세정 된 마스크를 진공 분위기 내에서 상기 증착 챔버로 마스크를 이동시키는 것을 특징으로 하는 건식세정공정을 구비하는 유기 증착 시스템.
본 발명에 따르면, 마스크(Mask)를 사용하는 증착 챔버(Chamber)가 마스크 세정을 위해 진공 분위기를 벗어나며 세정 된 마스크를 다시 사용하기 위해서는 다시 증착 챔버를 진공 분위기로 조성해야하는 불필요한 시간 소요와 세정 후, 대기의 파티클(Particle)이 대기 중에 노출된 마스크에 부착되어 세정의 효과가 떨어지고 세정 된 후, 파티클이 부착된 마스크가 유기 증착과정에서 유기 증착의 불량과 OLED 생산 효율을 떨어뜨리는 원인이 되는바, 이 원인을 해결하기 위해 진공 분위기 안에서 마스크 세정과 세정 된 마스크를 유기 증착 챔버 및 메탈(Metal) 증착 챔버에 각각 이동되는 건식세정공정을 구비하는 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식 세정을 위한 시스템을 통하여 OLED 생산 효율을 높이는데 효과가 있다.
또한 플라즈마 건식세정방식을 이용하여 습식세정방식에서 많이 사용한 화학물질의 소모의 양을 줄이고 사용된 물질의 폐기의 어려움 및 환경오염 및 안정성의 문제를 유발시키지 않고 마스크에 부착된 파티클만 제거할 수 있도록 하는 친환경적인 건식세정 시스템을 제공하는데도 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 마스크를 세정하는 웨트 스테이션(Wet station)과 인라인(In-line) 시스템의 개념도를 도시한다.
도 2는 도 1에 도시된 종래의 웨트 스테이션과 비교 설명하기 위해 건식세정 챔버(Chamber)를 구비하는 인라인(In-line) 시스템에 대한 개념도를 도시한다.
도 3는 종래기술에 따른 마스크를 세정하는 웨트 스테이션(Wet station)과 클러스터(Cluster) 챔버(Chamber)의 개념도를 도시한다.
도 4는 도 3에 도시된 종래의 웨트 스테이션(Wet station) 및 클러스터(Cluster) 챔버(Chamber)와 본 발명의 건식 세정 챔버를 구비하는 클러스터 시스템과 비교 설명하기 위한 대한 개념도를 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 인라인(In-line) 시스템에서 패스(Pass)챔버(Chamber)를 통해 이입된 유기 증착 마스크를 플라즈마(Plasma)를 통한 건식세정을 하는 개념도를 도시한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 종래기술에 따른 마스크를 세정하는 웨트 스테이션 (Wet station)과 인라인(In-line) 시스템의 개념도를 도시한 것이다.
도시된 인라인(In-line)(100) 시스템은 유기물을 글래스(Glass)에 증착시키는 챔버(Chamber) 구조로서 유기물 증착, 전극 증착을 진공 분위기에서 연속으로 증착하면서 R,G,B 패터닝을 동시 가능한 완전자동화 인라인(In-line)(100) 시스템의 일괄 증착 공정 시스템이다. 공정장비 가운데 유기 증착 챔버의 증착 방식은 파인 메탈 마스크(FMM:Fine Metal Mask) 방식으로서 진공 분위기 안에서 마스크를 기판에 정렬하여 원하는 영역에만 유기물을 증착하여 화소를 형성하는 방식이다. 이 방식의 경우 R,G,B 빛의 3 원색을 각각의 발광 층에 직접 형성하기 때문에 높은 발광효율을 보여줄 있다. 하지만 이러한 방식은 마스크의 패턴들을 작게 만들기 어렵다는 점과 유기 증착 챔버의 진공 분위기 하측에 있는 유기물증발원으로 부 터 상측에 패턴이 크게 형성되어 있는 마스크에 유기물 증발원이 부착되고 상측에 있는 마스크가 글래스로 부 터 처짐 현상이 발생하면서 많은 파티클(Particle)이 마스크에 부착된다. 이렇게 생긴 파티클을 제거하기 위해서는 대기 중에 있는 이송용 로봇암(200)이 마스크를 마스크 장입 챔버(210)에 인입 한 후, 마스크를 대기 중으로 빼내어 각종 화학물질을 이용하여 마스크를 세정하는 웨트 스테이션 (Wet station)(100)에 이동 후 마스크의 파티클을 제거한다.
도 2는 도 1에 도시된 종래의 웨트 스테이션과 비교 설명하기 위해 건식세정 챔버를 구비하는 인라인 시스템에 대한 개념도를 도시한다.
도 1의 대기 중의 노출되어 있는 이송용 로봇암(200)과 비교하여 진공 분위기인 케이스(Case) 내부에서 X축, Y축, Z축 방향으로 확장, 회전, 위/아래(Extension, Rotation, Up/down)의 구동 방향을 갖는 제1 이송용 로봇암(Robort Arm)(410)은 글래스(Glass)와 마스크를 장입 시키는 장입 챔버로 사용 되어지는 글래스 스탁커(Glass Stocker) 챔버에 마스크를 장입시켜 제1 유기 증착 챔버(Chamber) 내지 제2 유기 증착 챔버에서 마스크(Mask)가 사용되어 지도록 한 후, 어테치(Attach) 챔버에서 글래스와 마스크가 분리된 후 마스크만 패스(Pass) 챔버(101)를 통과하여 제1 플라즈마 건식세정 챔버, 제1 이송용 로봇암(410) 및 인버터(Inverter) 챔버를 구비한 제1 클러스터 챔버(Cluster Chamber)로 이동되어 클러스터 챔버의 일 측에 설치된 진공 분위기의 제1 플라즈마 건식세정 챔버(310)에서 마스크의 A면을 세정하고 A면이 세정 된 마스크를 진공 분위기인 케이스 안에 있는 제1 이송용 로봇암(410)이 진공 분위기인 인버터 챔버에 장입 시켜 마스크를 회전시킨 후 세정 되지않은 B면을 제1 이송용 로봇암(410)이 다시 제1 건식세정 챔버(310)에 장입 시켜 건식세정을 한다.
제1 건식세정 챔버(310)는 알에프(RF:Radio Frequency) 플라즈마 및 마이크로파(Microwave) 플라즈마 중 어느 하나로 사용이 가능하며 알에프(RF:Radio Frequency) 플라즈마는 축전결합 플라즈마(CCP:Capacitively Coupled Plasma), 유도결합 플라즈마(ICP:Inductively Coupled Plasma), 변형결합 플라즈마 (TCP:Transformer Coupled Plasma), 및 나선형 공진 플라즈마(HRP:Helical Resonator Plasma) 타입 중 하나 플라즈마 이고, 마이크로파(Microwave) 플라즈마는, 마이크로파(Microwave) 플라즈마, 전자 사이로트론 공진 플라즈마(Electron Cyclotron Resonance Plasma, ECR) 타입 중 하나 플라즈마로 사용이 가능하다. 알에프(RF:Radion Frequency) 플라즈마 또는 마이크로파(Microwave) 플라즈마는 O2, N2, Cl2, CF4, SiH4, C3F8 및 Ar 중 어느 하나 이상의 가스를 이용한 플라즈마에서 마스크를 세정한다. 플라즈마 챔버에서 마스크의 건식세정이 끝난 후 상기 제1 이송용 로봇암(410)이 세정이 끝난 마스크를 쿨링(cooling)챔버로 이동시킨 후 마스크가 플라즈마 건식세정을 통한 열팽창이 일어나지 않도록 마스크의 열을 식힌 후, 제1 이송용 로봇암(410)이 세정된 마스크를 어태치 챔버로 이송시켜 어태치 챔버에서 글래스와 마스크를 부착후 패스 챔버(101)를 통해 마스크를 유기 증착 챔버로 이동시킨다.
제2 플라즈마 건식세정 챔버, 제2 이송용 로봇암 및 글래스 스탁커(Glass Stocker) 챔버를 구비한 제2 클러스터 챔버(Cluster Chamber) 인라인(In-line)(100)으로 금속(Metal)증착 챔버에서 사용된 마스크가 어테치 챔버에서 글래스와 마스크가 분리된 후 패스 챔버를 통해 마스크만 이송된다. 진공 분위기 케이스 안에 들어있는 제2 이송용 로봇암(420)에 의하여 제2 플라즈마 건식세정 챔버(320)로 마스크를 장입 시켜 건식세정을 한다. 제2 플라즈마 건식세정 챔버(320)는 제1 플라즈마 건식세정 챔버(310)에서 설명했던 플라즈마 발생기의 타입 중 하나 플라즈마로 사용이 가능하다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 마스크 장입 챔버(210)는 마스크를 대기 중으로 빼낸 후, 웨트 스테이션에서 세정을 하여야 한다. 반면, 도 2에 도시된 본 발명에 따른 플라즈마 건식세정 방법을 통해 마스크가 세정되고 세정된 마스크가 진공 분위기에서 진공 분위기 케이스 안에 있는 이송용 로봇암(400)에 의하여 다른 챔버로 마스크가 이동된다. 이는 마스크가 대기 중에 노출되지 않음을 의미한다. 따라서, 마스크를 세정하는 증착기의 불필요한 진공 분위기 조성시간이 필요가 없는 점과 마스크가 깨끗하게 세정되어 OLED 생산 효율을 높이는 장점이 있다.
도 3는 종래기술에 따른 마스크를 세정하는 웨트 스테이션 (Wet station)과 클러스터(Cluster)챔버의 개념도를 도시한 것이다.
도시된 클러스터(Cluster) 시스템는 마스크(Mask) 장입 챔버(Chamber)(210), 제1 유기 증착 챔버 내지 제2 유기 증착 챔버 및 레이어(Layer) 증착 챔버(310~350)들 로 구성되어 있으며, 마스크 장입 챔버(310)에 있는 마스크(311)는 적어도 하나의 암을 가지면서 대기 중에서 X축, Y축, Z축 방향으로 확장, 회전, 위/아래(Extension, Rotation, Up/down)의 구동 방향을 갖는 이송용 로봇암(Robort Arm)(300)에 의하여, 도 1에서 설명하였던 파인 메탈 마스크(FMM:Fine Metal Mask) 증착 방식으로 증착하는 제1 유기 증착 챔버 내지 제2 유기 증착 챔버 및 레이어 증착 챔버(310~350)들로 마스크가 이동된다. 제1 유기 증착 챔버 내지 제2 유기 증착 챔버 및 레이어 증착 챔버들(210~250)에서 사용된 마스크가 세정 되기 위해서는 대기 중에 노출된 이송용 로봇암(300)이 사용된 마스크를 마스크 장입 챔버(310)로 이동시킨 후, 마스크 장입 챔버(310)에서 마스크를 대기 중으로 빼내어 사용된 마스크를 도 1에서 설명하였던 웨트 스테이션(110)으로 이동 후 세정을 한다.
도 4는 도 3에 도시된 종래의 웨트 스테이션 및 클러스터 챔버와 본 발명의 건식 세정 챔버를 구비하는 클러스터 시스템과 비교 설명하기 위한 대한 개념도를 도시한다.
도시된 클러스터(Cluster) 챔버(Chamber)는 마스크 장입 챔버(310), 제1 유기 증착 챔버 내지 제2 유기 증착 챔버, 레이어(Layer) 증착 챔버(310~350)들 및 이송용 로봇암(400)로 구성되어 있으며, 마스크 장입 챔버(210)내에 있는 마스크(311)는 진공 분위기 케이스(Case) 안에 있는 상기 이송용 로봇암(400)에 의하여, 도 1에서 설명하였던 파인 메탈 마스크(FMM:Fine Metal Mask) 증착 방식으로 증착하는 제1 유기 증착 챔버 내지 제2 유기 증착 챔버 및 레이어 증착 챔버(310~350)로 이동을 하게 된다. 사용된 마스크를 세정하기 위해서 진공 분위기의 케이스 내부에 있는 이송용 로봇암(400)이 제1 유기 증착 챔버 내지 제2 유기 증착 챔버 및 레이어 증착 챔버(310~350)에서 사용된 마스크를 진공 분위기에서 진공 분위기의 플라즈마 건식세정 챔버(410)내부에 장입 시켜 마스크가 플라즈마(Plasma) 건식세정이 되도록 한다.
플라즈마 건식세정 챔버(310)의 타입은 도 2에서 설명된 플라즈마의 타입, 예컨대, 알에프(RF:Radio Frequency)플라즈마 및 마이크로파(Microwave) 플라즈마 중 어느 하나가 적용될 수 있으며 알에프 플라즈마는 축전결합 플라즈마, 유도결합 플라즈마, 유도결합 플라즈마, 및 나선형 공진 플라즈마 타입 중 하나일 수 있고, 마이크로파 플라즈마 발생 챔버는,
마이크로파 플라즈마 및 전자 사이로트론 공진 플라즈마의 플라즈마 타입 중 하나일 수 있다. 플라즈마 건식세정 챔버(410)는 확대에서 다양한 타입의 플라즈마 발생 챔버 중 유도결합 플라즈마(ICP:Inductively Coupled Plasma)(420)를 나타낸다.
도 3에 도시된 바와 같이, 종래의 마스크 장입 챔버(310)는 마스크를 대기 중으로 빼낸 후, 웨트 스테이션(110)에서 세정을 하여야 한다. 반면, 도 4에 도시된 본 발명에 따른 플라즈마 건식세정 방법을 통해 클러스터 시스템 안에서 마스크가 세정되고 세정된 마스크가 진공 분위기에서 진공 분위기 케이스 안에 있는 이송용 로봇암(400)에 의하여 다른 챔버로 마스크가 이동된다. 이는 OLED 생산 공정 중 마스크가 대기 중에 노출되지 않음을 의미한다. 따라서, 마스크를 세정하는 증착기의 불필요한 진공 분위기 조성시간이 필요가 없다는 점과 마스크가 깨끗하게 세정 되어 OLED 생산 효율을 높이는 장점이 있다.
도 5는 본 발명에 따른 인라인(In-line)(100) 시스템에서 패스 챔버(Pass Chamber)를 통해 이입된 유기 증착 마스크를 플라즈마(Plasma)를 통한 건식세정을 하는 개념도를 도시한 것이며, 마스크(Mask) 장입 챔버를 통해 인입된 마스크는 패스 챔버(101)를 통과하며, 이송용 로봇암(Robot Arm)(400)은 패스 챔버를 통과한 마스크를 플라즈마 건식세정 챔버(310)로 이송하여 진공 분위기 안에서 글래스와 마스크가 도 2에서 설명되었던 어느 하나 이상의 가스를 이용한 플라즈마를 통해 건식세정(312)이 되도록 한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구 범위에서 청구 하 는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
100: 인라인 시스템 310: 제1 건식세정 챔버
320: 제2 건식세정 챔버

Claims (12)

  1. 진공 분위기에서 유기 증착 마스크(Mask)를 통해 글래스(Glass)에 적어도 하나 이상의 유기물을 증착하는 적어도 하나 이상의 유기 증착 챔버(Chamber);
    진공 분위기에서 상기 유기 증착 마스크를 세정하기 위한 유기 증착 마스크 전용 제1 플라즈마 건식세정 챔버;
    상기 유기 증착 챔버와 상기 유기 증착 마스크 전용 제1 플라즈마 건식세정 챔버 간에 상기 유기 증착 마스크를 진공 분위기에서 이송하는 유기 증착 마스크 전용 제1 이송용 로봇암;
    상기 제1 플라즈마 건식세정 챔버에서 일 면이 세정된 마스크를 상기 제1 이송용 로봇암으로부터 이송되는 마스크를 회전시키는 인버터(Inverter)챔버;및
    상기 제1 플라즈마 건식세정 챔버, 상기 제1 이송용 로봇암 및 상기 인버터 챔버를 구비한 제1 클러스터 챔버(Cluster Chamber); 로 구성되며,
    상기 제1 클러스터 챔버, 제1 어태치 챔버(Attach Chamber), 제1 패스 챔버(Pass Chamber), 유기 증착 챔버 및 글래스 스탁커(Glass Stocker) 순서인 인라인(In-line)으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    진공 분위기에서 금속 증착 마스크를 통해 글래스에 금속 증착을 수행하여 전극을 형성하는 금속 증착 챔버;
    진공 분위기에서 상기 금속 증착 마스크를 세정하기 위한 금속 증착 마스크 전용 제2 건식세정 챔버;
    상기 금속 증착 챔버와 상기 금속 증착 마스크 전용 제2 플라즈마 건식세정 챔버 간에 상기 금속 증착 마스크를 진공상태에서 이송하는 금속 증착 마스크 전용 제2 이송용 로봇암;
    마스크 및 글래스를 장입시키는 글래스 스탁거(Glass Stocker)챔버 및
    상기 제2 플라즈마 건식세정 챔버, 제2 이송용 로봇암 및 상기 글래스 스탁커 챔버를 구비한 제2 클러스터 챔버(Cluster Chamber); 로 구성되며,
    상기 제2 클러스터 챔버, 제2 어태치 챔버, 제2 패스 챔버 및 금속 증착 챔버 순서인 인라인으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템.
  3. 제 1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 건식세정 챔버와 제2 플라즈마 건식세정 챔버는,
    알에프(RF:Radio Frequency) 플라즈마 또는 마이크로파(Microwave) 플라즈마 중 어느 하나의 플라즈마를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 알에프(RF:Radio Frequency) 플라즈마는,
    축전결합 플라즈마(CCP:Capacitively Coupled Plasma), 유도결합 플라즈마(ICP:Inductively Coupled Plasma), 변형결합 플라즈마 (TCP:Transformer Coupled Plasma) 및 나선형 공진 플라즈마(HRP:Helical Resonator Plasma) 중 어느 하나의 플라즈마이고,
    상기 마이크로파(Microwave) 플라즈마는,
    마이크로파(Microwave) 플라즈마 및 전자 사이로트론 공진 플라즈마(ECR:Electron Cyclotron Resonance Plasma) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 알에프(RF:Radio Frequency)플라즈마 또는 마이크로파(Microwave) 플라즈마는 O2, N2, Cl2, CF4, SiH4, C3F8 및 Ar 중 어느 하나 이상의 가스를 이용한 플라즈마인 것을 특징으로 하는 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이송용 로봇암,
    하나 이상의 암을 구비하며, 각 암은,
    X축, Y축, Z축 방향으로 확장, 회전, 상/하(Extension, Rotation, Up/down)의 구동 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 증착 마스크의 플라즈마 건식세정을 위한 시스템.
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