KR101341429B1 - Vacuum equipment for processing substrate - Google Patents

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Abstract

기판 처리용 진공장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치는, 기판이 처리되는 챔버모듈, 챔버모듈 내로 충전 가스를 공급하는 퍼지 라인부 및 퍼지 라인부에 이웃하게 배치되며 퍼지 라인부에 의해 조성된 챔버모듈 내의 압력을 미세 조절하기 위해 충전 가스를 챔버모듈 내로 보충하는 백필 라인부를 포함하며, 챔버모듈은 충전 가스가 챔버모듈의 상부로부터 하방을 향해 균일하게 공급되도록, 퍼지 라인부와 백필 라인부 중 적어도 어느 하나가 연결되는 상부 포트; 및 챔버모듈 내의 충전 가스를 배출시켜 챔버모듈 내에 진공 압력을 제공하되, 상부 포트의 반대 편에 배치되는 펌핑 라인부를 포함한다.A vacuum apparatus for processing a substrate is disclosed. According to an embodiment of the present invention, a substrate processing vacuum apparatus includes a chamber module in which a substrate is processed, a purge line part supplying a filling gas into the chamber module, and a chamber disposed adjacent to the purge line part and formed by the purge line part. A backfill line portion for replenishing the filling gas into the chamber module to finely control the pressure in the module, wherein the chamber module includes at least one of a purge line portion and a backfill line portion so that the filling gas is uniformly supplied downward from the top of the chamber module. An upper port to which one is connected; And a pumping line part which discharges the filling gas in the chamber module to provide a vacuum pressure in the chamber module and is disposed on the opposite side of the upper port.

Description

기판 처리용 진공장치{VACUUM EQUIPMENT FOR PROCESSING SUBSTRATE}VACUUM EQUIPMENT FOR PROCESSING SUBSTRATE}

본 발명은, 기판 처리용 진공장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 진공 조건의 감압된 분위기에서 기판의 반송을 진행할 수 있는 기판 처리용 진공장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing vacuum apparatus, and more particularly, to a substrate processing vacuum apparatus capable of carrying a substrate in a reduced pressure atmosphere under vacuum conditions.

증착공정은 기판의 필수적인 공정으로 졸겔(sol-gel)방법, 스퍼터링 (sputtering)방법, 전기도금(electro-plating)방법, 증기(evaporation)방법, 화학기상 증착(chemical vapor deposition)방법, 분자 빔 에피탁시(molecule beam eptaxy)방법, 원자층 증착방법 등에 의하여 기판 상에 가공막을 형성하는 공정이다.The deposition process is an essential process of the substrate: sol-gel method, sputtering method, electroplating method, evaporation method, chemical vapor deposition method, molecular beam epi It is a process of forming a process film on a board | substrate by a molecular beam eptaxy method, an atomic layer deposition method, etc.

화학기상 증착방법에 사용되는 기판 처리용 진공장치는 증착공정 대상의 기판이 증착 공정으로 인입되기 위한 인입 로드락 챔버모듈과, 증착이 완료된 기판이 취출되기 위한 취출 로드락 챔버모듈과, 인입 로드락 챔버모듈 및 취출 로드락 챔버모듈과 연결되며 기판의 반송 로봇이 내부에 구비된 트랜스퍼 챔버모듈과, 트랜스퍼 챔버모듈의 일측에 연결되어 실질적인 증착 공정을 진행하는 복수의 프로세스 챔버모듈을 구비한다.The vacuum apparatus for substrate processing used in the chemical vapor deposition method includes an inlet load lock chamber module for introducing a substrate to be deposited into a deposition process, an ejection load lock chamber module for extracting a substrate having been deposited, and an inlet load lock The transfer chamber module is connected to the chamber module and the takeout load lock chamber module, and a transfer robot of the substrate is provided therein, and a plurality of process chamber modules connected to one side of the transfer chamber module to perform a substantial deposition process.

여기서, 하나의 프로세스 챔버모듈을 통해 서로 다른 종류의 증착막을 증착하는 경우 챔버모듈 내부 및 기판의 오염 문제가 야기될 수 있으므로, 보통은 하나의 프로세스 챔버모듈에서 한 종류의 증착막에 대한 증착 공정을 진행한다.In this case, when depositing different types of deposition films through one process chamber module, contamination of the inside of the chamber module and the substrate may occur, so that a deposition process for one type of deposition film is usually performed in one process chamber module. do.

한편, 트랜스퍼 챔버모듈(Transfer chamber)은 진공을 유지하기 위한 펌핑 라인과, 대기압을 만들기 위한 퍼지 라인과, 챔버모듈 내부의 압력을 일정하게 유지하기 위한 질소 백필라인(N2 backfill)이 설치된다.The transfer chamber module is provided with a pumping line for maintaining a vacuum, a purge line for creating an atmospheric pressure, and a nitrogen backfill line (N2 backfill) for maintaining a constant pressure inside the chamber module.

증착공정에서는 트랜스퍼 챔버모듈의 압력을 프로세스 챔버모듈의 압력보다 높게 유지 해야 한다. 즉, 프로세스 챔버모듈에서 생성된 파티클/가스 등이 트랜스퍼 챔버모듈로 넘어 오는걸 방지하기 위해서, 트랜스퍼 챔버모듈의 압력을 다른 챔버모듈보다 높게 유지한다. 트랜스퍼 챔버모듈이 오염되면 글라스 즉 기판에 심각한 손상을 입힐 수 있다.In the deposition process, the pressure of the transfer chamber module should be kept higher than the pressure of the process chamber module. That is, in order to prevent particles / gas generated in the process chamber module from being transferred to the transfer chamber module, the pressure of the transfer chamber module is maintained higher than that of other chamber modules. Contamination of the transfer chamber module can seriously damage the glass, or substrate.

이와 같이 트랜스퍼 챔버모듈은 트랜스퍼 챔버모듈의 적정 압력을 유지하기 위한 적정 가스를 챔버모듈 내부에 항상 넣어주기 위해서, 챔버모듈 하부에 퍼지 라인과 질소 백필라인(N2 backfill)을 구성하고, 미소 량을 챔버모듈 내부에 넣기 위해 질소 백필라인의 조절밸브와 펌핑 라인의 스로틀 밸브를 구성하여 챔버모듈 내부에 대한 압력조절을 할 수 있었다.In this way, the transfer chamber module forms a purge line and a nitrogen backfill line (N2 backfill) at the bottom of the chamber module so as to always put a proper gas to maintain the proper pressure of the transfer chamber module inside the chamber module. In order to put the chamber module inside, the control valve of the nitrogen backfill line and the throttle valve of the pumping line were configured to control the pressure inside the chamber module.

트랜스퍼 챔버모듈은 반송 로봇이 장착되어 각각의 프로세스 챔버모듈로 기판을 운송 및 반출하는 기능을 하는데, 반송 로봇의 동작으로 인해 내부에서 발생되는 미세 파티클이 트랜스퍼 챔버모듈 하부로 침적될 수 있다.The transfer chamber module is equipped with a transfer robot to transport and take out substrates to each process chamber module, and fine particles generated therein may be deposited under the transfer chamber module due to the operation of the transfer robot.

이러한 경우, 트랜스퍼 챔버모듈의 침적된 미세 파티클이 항상 트랜스퍼 챔버모듈의 상방으로 유출되는 퍼지 라인 또는 질소 백필라인(N2 backfill)에 의해 챔버모듈 내부에서 비산되어 기판을 오염시킬 수 있는 인자가 될 수 있었다.In this case, the deposited fine particles of the transfer chamber module may be scattered inside the chamber module by the purge line or the nitrogen backfill line (N2 backfill) that always flows upward of the transfer chamber module, which may be a factor that may contaminate the substrate. there was.

이상과 같은 트랜스퍼 챔버모듈의 내부에 공급되는 가스에 의해 파티클이 비산되어 기판이 오염되는 문제는 트랜스퍼 챔버모듈 뿐만 아니라, 가스를 주입하여 일정한 진공 압력을 유지한 상태에서 기판을 처리하는 다른 챔버모듈에서도 발생할 수 있다.The problem of particles being scattered by the gas supplied into the transfer chamber module as described above contaminates the substrate, as well as the transfer chamber module, but also in other chamber modules that process the substrate while injecting gas to maintain a constant vacuum pressure. May occur.

KR 10-0800377 B1KR 10-0800377 B1

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 챔버모듈에 주입되어 진공 배기되는 가스에 의한 챔버모듈의 바닥에 침적된 파티클의 비산을 억제 및 방지하여 기판에 대한 오염 인자의 발생을 줄일 수 있는 기판 처리용 진공장치를 제공하는 것이다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention, substrate processing that can reduce the generation of contamination factors on the substrate by inhibiting and preventing the scattering of particles deposited on the bottom of the chamber module by the gas injected into the chamber module and evacuated It is to provide a vacuum device for.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판이 처리되는 챔버모듈; 상기 챔버모듈 내로 충전 가스를 공급하는 퍼지 라인부; 및 상기 퍼지 라인부에 이웃하게 배치되며, 상기 퍼지 라인부에 의해 조성된 상기 챔버모듈 내의 압력을 미세 조절하기 위해 상기 충전 가스를 상기 챔버모듈 내로 보충하는 백필 라인부를 포함하며, 상기 챔버모듈은, 상기 충전 가스가 상기 챔버모듈의 상부로부터 하방을 향해 균일하게 공급되도록, 상기 퍼지 라인부와 상기 백필 라인부 중 적어도 어느 하나가 연결되는 상부 포트; 및 상기 챔버모듈 내의 충전 가스를 배출시켜 상기 챔버모듈 내에 진공 압력을 제공하되, 상기 상부 포트의 반대 편에 배치되는 펌핑 라인부를 포함하는 기판 처리용 진공장치를 제공할 수 있다.According to an aspect of the invention, the chamber module is processed; A purge line unit supplying a filling gas into the chamber module; And a backfill line part disposed adjacent to the purge line part and replenishing the filling gas into the chamber module to finely control the pressure in the chamber module formed by the purge line part, wherein the chamber module includes: An upper port to which at least one of the purge line part and the backfill line part are connected such that the filling gas is uniformly supplied downward from an upper portion of the chamber module; And discharging the filling gas in the chamber module to provide a vacuum pressure in the chamber module, and may include a pumping line part disposed on an opposite side of the upper port.

상기 상부 포트와 상기 펌핑 라인부는 상기 챔버모듈의 대각선 방향을 따라 대향하게 배치될 수 있다.The upper port and the pumping line part may be disposed to face in a diagonal direction of the chamber module.

상기 상부 포트에 연결되어 상기 상부 포트를 통해 공급되는 상기 충전 가스를 확산시키는 디퓨저부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a diffuser unit connected to the upper port to diffuse the filling gas supplied through the upper port.

상기 디퓨저부는, 상기 챔버모듈의 상부에 결합되며, 상기 상부 포트가 연결되는 통공이 형성되어 있는 커넥터 플레이트; 및 상기 커넥터 플레이트의 저면에 결합되며, 상기 챔버모듈의 내부로 배치되는 다공판을 더 포함할 수 있다.The diffuser unit may include a connector plate coupled to an upper portion of the chamber module and having a through hole connected to the upper port; And a porous plate coupled to a bottom surface of the connector plate and disposed in the chamber module.

상기 다공판은 복수이며, 복수의 상기 다공판 사이에 메쉬가 배치될 수 있다.The porous plate may be provided in plurality, and a mesh may be disposed between the plurality of porous plates.

복수의 상기 다공판 중 어느 하나는 다공을 둘러싸는 단차부를 포함하며, 복수의 상기 다공판의 평면 사이에 상기 메쉬가 배치될 수 있다.Any one of the plurality of porous plates may include a stepped portion surrounding the pores, and the mesh may be disposed between planes of the plurality of porous plates.

상기 단차부는 원형이며, 상기 단차부에는 원주 방향으로 체결 홀이 마련되며, 상기 체결 홀에는 상기 커넥터 플레이트에 결합되는 체결 볼트가 배치될 수 있다.The stepped portion may have a circular shape, and the stepped portion may be provided with a fastening hole in a circumferential direction, and the fastening bolt coupled to the connector plate may be disposed in the fastening hole.

상기 커넥터 플레이트의 통공에는 상기 상부 포트의 연결을 위한 피팅이 결합될 수 있다.A fitting for connecting the upper port may be coupled to the through hole of the connector plate.

상기 커넥터 플레이트는 원형이며, 상기 커넥터 플레이트에는 원주 방향으로 체결 홀이 마련되며, 상기 체결 홀에는 상기 커넥터 플레이트를 상기 챔버모듈의 상면부에 결합시키는 체결 볼트가 배치될 수 있다.The connector plate may have a circular shape, and a fastening hole may be provided in the connector plate in a circumferential direction, and a fastening bolt may be disposed in the fastening hole to couple the connector plate to an upper surface of the chamber module.

상기 디퓨저부는 상기 챔버모듈의 상부에 결합되며, 상기 상부 포트가 연결되는 통공이 형성되어 있으며, 상기 챔버모듈의 내부로 배치되는 메쉬가 저면에 마련되는 메쉬 플레이트를 포함할 수 있다.The diffuser unit may be coupled to an upper portion of the chamber module, a through hole connected to the upper port is formed, and a mesh plate disposed in the chamber module may be provided on a bottom surface thereof.

상기 백필 라인부에 설치되어 상기 백필 라인부로 공급되는 상기 충전 가스의 유량을 조절하는 유량제어 밸브모듈을 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a flow control valve module installed at the backfill line part to adjust a flow rate of the filling gas supplied to the backfill line part.

상기 퍼지 라인부와 상기 백필 라인부는 상호 독립적으로 배치되되, 상기 챔버모듈은 상기 퍼지 라인부가 연결되는 하부 포트를 더 포함할 수 있다.The purge line part and the backfill line part may be disposed independently of each other, and the chamber module may further include a lower port to which the purge line part is connected.

상기 퍼지 라인부와 상기 백필 라인부는 상기 상부 포트에 함께 연결되되, 상기 상부 포트에 연결되는 제1 공용 배관; 및 상기 제1 공용 배관과의 사이에 상기 퍼지 라인부와 상기 백필 라인부가 병렬로 배치되어 연결되는 제2 공용 배관을 더 포함할 수 있다.A first common pipe connected to the upper port with the purge line part and the backfill line part connected to the upper port; And a second common pipe connected between the first common pipe and the purge line part and the backfill line part disposed in parallel.

상기 챔버모듈은 상기 기판을 반송하기 위한 핸들링 로봇이 설치된 트랜스퍼 챔버모듈이거나, 상기 트랜스퍼 챔버모듈로 로딩되거나 상기 트랜스퍼 챔버모듈로부터 언로딩되는 상기 기판이 수용되는 로드락 챔버모듈일 수 있다.The chamber module may be a transfer chamber module in which a handling robot for transporting the substrate is installed, or a load lock chamber module in which the substrate loaded or unloaded from the transfer chamber module is accommodated.

상기 트랜스퍼 챔버모듈에는 기판의 증착을 위한 공정 가스가 주입되어 기판에 증착 물질이 증착되는 다수의 프로세스 챔버모듈이 인접하여 연결될 수 있다.A process gas for depositing a substrate may be injected into the transfer chamber module so that a plurality of process chamber modules for depositing a deposition material on the substrate may be adjacently connected.

다수의 상기 프로세스 챔버모듈에 일대일로 연결되는 다수의 검사 배관; 및 상기 검사 배관이 하나의 배관으로 병합되어 다수의 상기 프로세스 챔버모듈의 각각에 대한 가스를 분석하거나 누출을 분석하기 위한 RGA(Residual Gas Analyzer) 모듈을 더 포함할 수 있다.A plurality of test tubing connected one to one to the plurality of process chamber modules; And the test pipe may be merged into a single pipe to further include a residual gas analyzer (RGA) module for analyzing a gas or leak for each of the plurality of process chamber modules.

본 발명에 따르면, 챔버모듈의 상부 포트에 퍼지 라인부 또는 백필 라인부 중 적어도 하나가 연결되어 챔버모듈의 상부로부터 하방을 향해 충전 가스가 공급되도록 함으로써 챔버모듈에 주입되어 진공 배기되는 충전 가스에 의한 챔버모듈의 바닥에 침적된 파티클의 비산을 억제 및 방지하여 기판에 대한 오염 인자의 발생을 줄일 수 있는 기판 처리용 진공장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, at least one of the purge line part or the backfill line part is connected to the upper port of the chamber module so that the filling gas is supplied downward from the upper part of the chamber module, and the filling gas is injected into the chamber module and evacuated. It is possible to provide a substrate processing vacuum apparatus that can reduce and prevent generation of contamination factors on a substrate by suppressing and preventing scattering of particles deposited on the bottom of the chamber module.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 챔버모듈의 상부 포트에 충전 가스를 확산시키는 메쉬 구조가 마련된 디퓨저부를 제공함으로써 충전 가스가 챔버모듈의 상부에서 하부를 향해 공급될 때, 균일하게 퍼지어 챔버모듈의 바닥에 침적된 파티클에 대한 자극을 피할 수 있는 기판 처리용 진공장치를 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, by providing a diffuser portion provided with a mesh structure for diffusing the filling gas in the upper port of the chamber module, when the filling gas is supplied from the top to the bottom of the chamber module to uniformly spread the bottom of the chamber module It is possible to provide a substrate processing vacuum apparatus that can avoid stimulation to particles deposited on the substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치의 개략적인 배치도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치의 챔버모듈에 대한 개략적인 구성을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치의 챔버모듈에 대한 개략적인 구성을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜스퍼 챔버모듈에 대한 사시도이다.
도 5는 도 4의 우측면도이다.
도 6은 도 4의 디퓨저부의 분해도이다.
도 7은 도 4의 디퓨저부의 단면도이다.
도 8은 도 4의 디퓨저부의 다른 실시 예로서, 메쉬 플레이트의 사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치의 평면 배치도이다.
1 is a schematic layout view of a substrate processing vacuum apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the chamber module of the vacuum processing apparatus for substrate according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the chamber module of the vacuum processing apparatus for substrate according to another embodiment of the present invention.
4 is a perspective view of a transfer chamber module according to an embodiment of the present invention.
5 is a right side view of FIG. 4.
6 is an exploded view of the diffuser unit of FIG. 4.
7 is a cross-sectional view of the diffuser unit of FIG. 4.
8 is a perspective view of a mesh plate according to another embodiment of the diffuser of FIG. 4.
9 is a plan view showing a substrate processing vacuum apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings and the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치의 개략적인 배치도이다.1 is a schematic layout view of a substrate processing vacuum apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치는 기판이 반입되는 로드락 챔버모듈(100)과, 기판을 로드락 챔버모듈(100)로부터 반송 로봇(미도시)에 의해 로딩하여 기판을 처리할 프로세스 공정으로 반송하는 트랜스퍼 챔버모듈(110)과, 트랜스퍼 챔버모듈(110)에 인접하게 연결되어 기판을 처리하는 프로세스 챔버모듈(130)을 포함한다.As shown in FIG. 1, a substrate processing vacuum apparatus according to an embodiment of the present invention includes a load lock chamber module 100 into which a substrate is loaded and a substrate from a load lock chamber module 100. Transfer chamber module 110 to be loaded by a) to transfer to the process process to process the substrate, and a process chamber module 130 is connected adjacent to the transfer chamber module 110 to process the substrate.

로드락 챔버모듈(100)이나 트랜스퍼 챔버모듈(110)은 내부 공간을 선택적으로 대기압 상태 또는 원하는 감압 상태로 조절할 수 있는 기판의 수용 공간을 갖는다. 로드락 챔버모듈(100)과 트랜스퍼 챔버모듈(110) 사이에는 외부로부터 기밀을 유지할 수 있는 밸브 유닛으로서, 게이트 밸브(미도시)가 설치될 수 있다. 또한, 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 내부에는 기판을 지지하여 이송할 수 있는 핸드부를 갖는 수평 다관절 로봇으로서, 반송 로봇(미도시)이 설치된다.The load lock chamber module 100 or the transfer chamber module 110 has an accommodating space in which the internal space can be selectively adjusted to an atmospheric pressure or a desired reduced pressure state. A gate valve (not shown) may be installed between the load lock chamber module 100 and the transfer chamber module 110 as a valve unit capable of maintaining airtightness from the outside. In addition, a transfer robot (not shown) is installed in the transfer chamber module 110 as a horizontal articulated robot having a hand part capable of supporting and transferring a substrate.

기판은 대기압 상태에서 로드락 챔버모듈(100)에 반입되며, 로드락 챔버모듈(100)에서 트랜스퍼 챔버모듈(110) 측으로 기판의 로딩은 로드락 챔버모듈(100)이 진공 배기로 감압된 상태에서 진행될 수 있다.The substrate is loaded into the load lock chamber module 100 at atmospheric pressure, and the loading of the substrate from the load lock chamber module 100 to the transfer chamber module 110 is performed while the load lock chamber module 100 is decompressed by vacuum exhaust. Can proceed.

즉, 대기압 상태에서 기판이 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 내부 공간으로 로딩되며, 이어서 진공 배기로 감압된 상태에서 기판이 프로세스 챔버모듈(130)로 로딩될 수 있다. 기판이 처리되는 프로세스 챔버모듈(130)은 트랜스퍼 챔버모듈(110)보다 압력이 낮은 상태가 된다.That is, the substrate may be loaded into the internal space of the transfer chamber module 110 in the atmospheric pressure state, and then the substrate may be loaded into the process chamber module 130 under the reduced pressure by vacuum evacuation. The process chamber module 130 in which the substrate is processed has a lower pressure than the transfer chamber module 110.

기판이 로드락 챔버모듈(100)로부터 프로세스 챔버모듈(130)까지 로딩되는 과정에서는 기판의 반송 경로를 따라 기판을 오염시킬 수 있는 오염 인자가 처리 장소로 유입되지 않도록 압력이 설정된다. 즉, 트랜스퍼 챔버모듈(110)이 로드락 챔버모듈(100)보다 압력이 높은 상태에서 기판이 로딩되고, 프로세스 챔버모듈(130)이 트랜스퍼 챔버모듈(110)보다 압력이 낮은 상태에서 기판이 로딩된다.In the process of loading the substrate from the load lock chamber module 100 to the process chamber module 130, the pressure is set so that a contamination factor that may contaminate the substrate along the conveyance path of the substrate does not flow into the processing site. That is, the substrate is loaded while the transfer chamber module 110 has a higher pressure than the load lock chamber module 100, and the substrate is loaded while the process chamber module 130 has a lower pressure than the transfer chamber module 110. .

로드락 챔버모듈(100)이나 트랜스퍼 챔버모듈(110)은 기판이 로딩되는 과정에서 충전 가스가 주입되어 배출됨으로써 일정한 진공 압력을 유지할 수 있고, 내부에 있는 미세 파티클이나 이물질과 같은 기판에 대한 오염 인자는 충전 가스와 함께 배출되어 제거될 수 있다.The load lock chamber module 100 or the transfer chamber module 110 may maintain a constant vacuum pressure by injecting and discharging filling gas in the process of loading the substrate, and contaminants on the substrate such as fine particles or foreign matter therein. May be discharged and removed together with the filling gas.

이상과 같이 로드락 챔버모듈(100)과 트랜스퍼 챔버모듈(110) 그리고, 프로세스 챔버모듈(130)에 기판이 로딩될 때 압력이 조절되는 과정를 설명하였다. 이제부터 로드락 챔버모듈(100)이나 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 내부에 대한 충전 가스의 주입과 진공 배기을 위한 구체적인 구성요소를 설명하여 미세 파티클에 의한 기판의 오염을 방지할 수 있는 기술을 설명할 것이다.As described above, the process of adjusting the pressure when the substrate is loaded into the load lock chamber module 100, the transfer chamber module 110, and the process chamber module 130 has been described. Hereinafter, the specific components for the injection of the filling gas and the evacuation of the filling gas into the interior of the load lock chamber module 100 or the transfer chamber module 110 will be described. will be.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치의 챔버모듈에 대한 개략적인 구성을 도시한 단면도이다. 도 2를 참조하여 도 1의 로드락 챔버모듈(100) 또는 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 내부 공간에 대한 충전 가스의 주입과 진공 배기를 위한 구체적인 구성요소를 설명한다.Figure 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the chamber module of the vacuum processing apparatus for substrate according to an embodiment of the present invention. Referring to Figure 2 will be described the specific components for the injection and vacuum evacuation of the filling gas to the interior space of the load lock chamber module 100 or transfer chamber module 110 of FIG.

도 1과 도 2를 참조하면, 로드락 챔버모듈(100)이나 트랜스퍼 챔버모듈(110)과 같은 챔버모듈(140)에는, 내부 공간의 압력을 높이기 위한 충전 가스를 공급하는 퍼지 라인부(142)와 백필 라인부(145), 및 챔버모듈(140)의 내부에 대한 진공 압력을 제공하는 펌핑 라인부(149)가 연결된다. 본 실시 예에 따른 퍼지 라인부(142)와, 백필 라인부(145)와, 펌핑 라인부(149)는 그 배관이 라인으로 도시되어 있다.1 and 2, a chamber module 140 such as a load lock chamber module 100 or a transfer chamber module 110, a purge line unit 142 for supplying a filling gas to increase pressure in an internal space. And a backfill line unit 145 and a pumping line unit 149 providing a vacuum pressure to the inside of the chamber module 140 are connected. The purge line unit 142, the backfill line unit 145, and the pumping line unit 149 according to the present exemplary embodiment are shown in a line with their pipes.

퍼지 라인부(142)와 백필 라인부(145)는 상호 이웃하게 배치된다. 그리고, 퍼지 라인부(142)는 챔버모듈(140)의 하부에 연결되며, 백필 라인부(145)는 챔버모듈(140)의 상부에 연결된다. 챔버모듈(140)의 상부에는 백필 라인부(145)가 연결되는 상부 포트(150)가 마련되며, 그 하부에는 퍼지 라인부(142)가 연결되는 하부 포트(151)가 마련된다.The purge line part 142 and the backfill line part 145 are disposed adjacent to each other. The purge line part 142 is connected to the lower part of the chamber module 140, and the backfill line part 145 is connected to the upper part of the chamber module 140. An upper port 150 to which the backfill line part 145 is connected is provided at the upper portion of the chamber module 140, and a lower port 151 to which the purge line part 142 is connected to the lower part is provided.

퍼지 라인부(142)가 충전 가스를 공급하여 챔버모듈(140)은 대기압 상태에 접근할 수 있다. 아울러, 챔버모듈(140)에 대한 보다 미세한 압력은 백필 라인부(145)에 의해 조절될 수 있다.The purge line unit 142 supplies the filling gas so that the chamber module 140 can approach an atmospheric pressure state. In addition, the finer pressure on the chamber module 140 may be adjusted by the backfill line unit 145.

백필 라인부(145)가 챔버모듈(140)의 상부 포트(150)에 연결됨으로써 백필 라인부(145)를 통해 주입되는 충전 가스는 챔버모듈(140)의 상부 공간으로부터 하방을 향해 공급된다. 즉, 백필 라인부(145)가 챔버모듈(140)의 하부에 연결되어 백필 라인부(145)를 통해 충전 가스가 주입될 때, 챔버모듈(140)의 바닥부에 침적되어 있던 미세 파티클이 비산되는 상황을 방지할 수 있다.Since the backfill line unit 145 is connected to the upper port 150 of the chamber module 140, the filling gas injected through the backfill line unit 145 is supplied downward from the upper space of the chamber module 140. That is, when the backfill line unit 145 is connected to the lower portion of the chamber module 140 and the filling gas is injected through the backfill line unit 145, fine particles accumulated at the bottom of the chamber module 140 are scattered. This can prevent the situation.

이상과 같이 백필 라인부(145)는 챔버모듈(140)의 상부 포트(150)에 연결되어 미세 파티클의 비산을 억제하며, 퍼지 라인부(142)에 의해 조성된 챔버모듈(140) 내의 압력을 미세하게 조절할 수 있다.As described above, the backfill line unit 145 is connected to the upper port 150 of the chamber module 140 to suppress the scattering of fine particles, and to control the pressure in the chamber module 140 formed by the purge line unit 142. Fine adjustment is possible.

백필 라인부(145)는 충전 가스의 유동량을 조절하기 위한 유량조절 밸브모듈을 포함할 수 있다. 유량조절 밸브모듈은 MFC(155, Mass Flow Controller)이며, 도시되지 않았으나 가스 질량 센서와 이에 연동하는 유량 조절 밸브를 포함할 수 있다.The backfill line unit 145 may include a flow control valve module for controlling the flow amount of the filling gas. The flow control valve module may be a mass flow controller (MFC) 155, and may include a gas mass sensor and a flow control valve interworked with the gas mass sensor.

펌핑 라인부(149)는 챔버모듈(140) 내의 충전 가스를 배출시켜 챔버모듈(140) 내에 진공 압력을 제공하도록 상부 포트(150)의 반대 편에 배치된다. 펌핑 라인부(149)는 상부 포트(150)와 챔버모듈(140)의 대각선 방향을 따라 대향하게 배치된다. 즉, 상부 포트(150)가 챔버모듈(140)의 우측 상면부에 배치된다면, 펌핑 라인부(149)는 챔버모듈(140)의 좌측 저면부에 연결될 수 있다. 반대로, 상부 포트(150)가 좌측 상면부에 배치된다면, 펌핑 라인부(149)는 챔버모듈(140)의 우측 저면부에 연결될 수도 있을 것이다.The pumping line part 149 is disposed on the opposite side of the upper port 150 to discharge the filling gas in the chamber module 140 to provide a vacuum pressure in the chamber module 140. The pumping line part 149 is disposed to face in the diagonal direction between the upper port 150 and the chamber module 140. That is, if the upper port 150 is disposed on the upper right side of the chamber module 140, the pumping line unit 149 may be connected to the lower left side of the chamber module 140. On the contrary, if the upper port 150 is disposed at the upper left side, the pumping line unit 149 may be connected to the lower right side of the chamber module 140.

백필 라인부(145)가 상부 포트(150)에 연결되어 충전 가스를 챔버모듈(140)의 상부 공간으로 공급할 때, 펌핑 라인부(149)는 대각선 방향의 반대 측에서 주입된 충전 가스를 흡입하여 배출한다. 이때, 충전 가스는 대각선 방향의 펌핑 라인부(149) 측으로 유동 방향이 결정될 수 있으므로, 챔버모듈(140)의 내부 공간을 전반적으로 통과하여 배출될 수 있다. 또한 챔버모듈(140)의 내부에서 발생된 미세 파티클은 상부에서 하부의 대각선 방향으로 유동하는 충전 가스와 함께 유동되어 배출될 수 있다.When the backfill line unit 145 is connected to the upper port 150 to supply the filling gas to the upper space of the chamber module 140, the pumping line unit 149 sucks the filling gas injected from the opposite side in the diagonal direction. Discharge. In this case, since the flow direction of the filling gas may be determined toward the pumping line part 149 in the diagonal direction, the filling gas may be discharged through the entire internal space of the chamber module 140. In addition, the fine particles generated inside the chamber module 140 may flow with the filling gas flowing in a diagonal direction from the top to the bottom may be discharged.

이상과 같이 챔버모듈(140)의 내부 공간에서 상부 포트(150)와 하부 포트(151)가 상하 위치로 대향하게 배치되어 있고, 상부 포트(150)에 백필 라인부(145)가 연결되며, 하부 포트(151)에 퍼지 라인부(142)가 연결된 실시 예를 설명하였다. 이러한 실시 예에서는 퍼지 라인부(142)가 하부 포트(151)에 충전 가스를 공급할 때, 백필 라인부(145)가 상부 포트(150)를 통해 충전 가스를 보충함으로써 챔버모듈(140)의 압력이 미세하게 설정되고, 백필 라인부(145)에 의한 미세 파티클의 비산을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 상부 포트(150)를 통해 공급되는 충전 가스가 하부 포트(151)를 통해 공급되는 충전 가스의 유동력을 일부 상쇄하여, 미세 파티클이 급격히 비산되는 경우를 방지할 수 있다.As described above, the upper port 150 and the lower port 151 are disposed to face up and down in the internal space of the chamber module 140, and the backfill line part 145 is connected to the upper port 150, and the lower portion An embodiment in which the purge line unit 142 is connected to the port 151 has been described. In this embodiment, when the purge line unit 142 supplies the filling gas to the lower port 151, the pressure of the chamber module 140 is increased by the backfill line unit 145 supplementing the filling gas through the upper port 150. It is finely set and can prevent the scattering of the fine particles by the backfill line unit 145, and the filling gas supplied through the upper port 150 is supplied with the filling gas supplied through the lower port 151. The power can be partially canceled to prevent the case where the fine particles are suddenly scattered.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치의 챔버모듈에 대한 개략적인 구성을 도시한 단면도이다. 도 3의 챔버모듈(140)에 결합된 상부 포트(150)에는 퍼지 라인부(142)와 백필 라인부(145)가 연결되며, 모든 충전 가스는 챔버모듈(140)의 상부 공간으로부터 하부 공간으로 유동된다.Figure 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the chamber module of the vacuum processing apparatus for substrate according to another embodiment of the present invention. The upper port 150 coupled to the chamber module 140 of FIG. 3 is connected to the purge line part 142 and the backfill line part 145, and all the filling gas is transferred from the upper space to the lower space of the chamber module 140. Flows.

퍼지 라인부(142)와 백필 라인부(145)는 제1 공용 배관(161)과 제2 공용 배관(162)을 사용하여 상부 포트(150)에 함께 연결된다. 즉, 퍼지 라인부(142)와 백필 라인부(145)는 제1 공용 배관(161)과 제2 공용 배관(162) 사이에 병렬로 배치된다. 제2 공용 배관(162)에는 충전 가스의 공급부(미도시)가 연결될 수 있다. 퍼지 라인부(142)와 백필 라인부(145)는 충전 가스의 유동을 개폐할 수 있는 개폐밸브(165)를 포함할 수 있다.The purge line part 142 and the backfill line part 145 are connected together to the upper port 150 using the first common pipe 161 and the second common pipe 162. That is, the purge line part 142 and the backfill line part 145 are disposed in parallel between the first shared pipe 161 and the second shared pipe 162. The supply unit (not shown) of the filling gas may be connected to the second common pipe 162. The purge line unit 142 and the backfill line unit 145 may include an on / off valve 165 that can open and close the flow of the filling gas.

충전 가스는 제2 공용 배관(162)의 상류 전단부로 유입되어 퍼지 라인부(142)와 백필 라인부(145)의 분기 지점에 해당하는 제2 공용 배관(162)의 하류 후단부에서 분기되고, 제1 공용 배관(161)의 상류 전단부에서 합류될 수 있다.The filling gas flows into the upstream front end of the second common pipe 162 and branches from the downstream rear end of the second common pipe 162 corresponding to the branch point of the purge line part 142 and the backfill line part 145. It may be joined at an upstream front end of the first common pipe 161.

백필 라인부(145)의 개폐밸브(165)가 잠기면, 제2 공용 배관(162)의 충전 가스는 퍼지 라인부(142) 만을 거쳐 제1 공용 배관(161)을 통해 챔버모듈(140)의 상부 포트(150)로 공급될 수 있다. 반대로, 퍼지 라인부(142)의 개폐밸브(165)가 잠기면, 제2 공용 배관(162)의 충전 가스는 백필 라인부(145) 만을 거쳐 제1 공용 배관(161)을 통해 상부 포트(150)로 공급된다.When the on-off valve 165 of the backfill line part 145 is locked, the filling gas of the second common pipe 162 passes through the purge line part 142 only and the upper portion of the chamber module 140 through the first common pipe 161. May be supplied to the port 150. On the contrary, when the opening / closing valve 165 of the purge line part 142 is locked, the filling gas of the second common pipe 162 passes through the first common pipe 161 via the backfill line part 145 only and the upper port 150. Is supplied.

이때도 백필 라인부(145)는 유량조절 밸브모듈로서 MFC(155)를 포함하며, MFC(155)에 의해 백필 라인부(145)를 통과하는 충전 가스의 유량이 미세하게 조절될 수 있다. 또한 챔버모듈(140)의 하부에는 챔버모듈(140)에 주입된 충전 가스를 배기할 수 있는 펌핑 라인부(149)가 연결된다. 상부 포트(150)와 펌핑 라인부(149)는 도 2와 같은 대각선 방향으로 배치된다.In this case, the backfill line unit 145 may include the MFC 155 as a flow control valve module, and the flow rate of the filling gas passing through the backfill line unit 145 may be finely adjusted by the MFC 155. In addition, a lower portion of the chamber module 140 is connected to a pumping line unit 149 for exhausting the filling gas injected into the chamber module 140. The upper port 150 and the pumping line part 149 are disposed in a diagonal direction as shown in FIG. 2.

이상과 같이 챔버모듈(140)의 상부 포트(150)에 퍼지 라인부(142)와 백필 라인부(145)가 함께 연결되는 실시 예를 설명하였다. 이러한 실시 예에서는 백필 라인부(145)의 충전 가스뿐만 아니라 퍼지 라인부(142)의 충전 가스도 챔버모듈(140)의 상부 공간으로 통해 하부 공간으로 공급될 수 있으므로, 퍼지 라인부(142)에 의한 챔버모듈(140)의 바닥부에 침적된 미세 파티클이나 이물질의 비산을 방지할 수 있다.As described above, the embodiment in which the purge line part 142 and the backfill line part 145 are connected together to the upper port 150 of the chamber module 140 has been described. In this embodiment, not only the filling gas of the backfill line unit 145 but also the filling gas of the purge line unit 142 may be supplied to the lower space through the upper space of the chamber module 140, and thus to the purge line unit 142. It is possible to prevent the scattering of fine particles or foreign matter deposited on the bottom of the chamber module 140 by the.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜스퍼 챔버모듈에 대한 사시도이며, 도 5는 도 4의 우측면도이고, 도 6은 도 4의 디퓨저부의 분해도이며, 도 7은 도 4의 디퓨저부의 단면도이다.4 is a perspective view of a transfer chamber module according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a right side view of FIG. 4, FIG. 6 is an exploded view of the diffuser unit of FIG. 4, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the diffuser unit of FIG. 4. .

도 2와 도 3에 도시된 챔버모듈(140)의 상부 포트(150)에는 충전 가스를 확산시킬 수 있는 디퓨저부(170)가 연결될 수 있다. 즉, 도 2와 도 3의 챔버모듈(140)은 도 4와 같은 트랜스퍼 챔버모듈(110)이 해당될 수 있으며, 그 상부 포트(150)에 디퓨저부(170)가 연결될 수 있다. 도 4와 도 5를 참조하면, 트랜스퍼 챔버모듈(110)은 우측 상면부에 백필 라인부(145)가 연결되는 상부 포트(150)가 마련되며, 기판이 내부 공간으로 반입될 수 있는 슬롯 게이트(111)가 마련된다.The diffuser unit 170 capable of diffusing the filling gas may be connected to the upper port 150 of the chamber module 140 illustrated in FIGS. 2 and 3. That is, the chamber module 140 of FIGS. 2 and 3 may correspond to the transfer chamber module 110 shown in FIG. 4, and the diffuser unit 170 may be connected to the upper port 150. 4 and 5, the transfer chamber module 110 is provided with an upper port 150 to which the backfill line unit 145 is connected to the upper right side surface thereof, and a slot gate through which the substrate can be carried into the internal space ( 111 is provided.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 디퓨저부(170)는 상부 포트(150)가 연결되는 통공(171a)이 형성되어 있는 커넥터 플레이트(171)와, 커넥터 플레이트(171)의 저면에 결합되는 복수의 다공판(172, 174)을 포함한다. 커넥터 플레이트(171)의 하부는 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 내부 공간으로 배치된다.4 to 7, the diffuser unit 170 includes a connector plate 171 having a through hole 171a to which the upper port 150 is connected, and a plurality of couplers coupled to the bottom surface of the connector plate 171. Porous plates 172 and 174. The lower portion of the connector plate 171 is disposed in the inner space of the transfer chamber module 110.

커넥터 플레이트(171)의 통공(171a)에는 상부 포트(150)의 연결을 위한 피팅(173)이 결합된다. 커넥터 플레이트(171)는 원형이며, 커넥터 플레이트(171)에는 원주 방향으로 6개의 체결 홀(175)이 마련되며, 각 체결 홀(175)에는 커넥터 플레이트(171)를 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 상면부에 결합시키는 체결 볼트(176)가 삽입되어 배치될 수 있다. 도시하진 않았으나, 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 상면부에는 체결 볼트(176)가 체결되는 나사 홀이 형성된다. 체결 볼트(176)가 체결 홀(175)을 통해 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 상면부에 결합됨으로써 커넥터 플레이트(171)는 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 상면부에 결합된다.A fitting 173 for connecting the upper port 150 is coupled to the through hole 171a of the connector plate 171. The connector plate 171 is circular, and the connector plate 171 is provided with six fastening holes 175 in the circumferential direction, and each of the fastening holes 175 is provided with a connector plate 171 on the upper surface of the transfer chamber module 110. A fastening bolt 176 coupled to the part may be inserted and disposed. Although not shown, a screw hole to which the fastening bolt 176 is fastened is formed in an upper surface of the transfer chamber module 110. The fastening bolt 176 is coupled to the upper surface of the transfer chamber module 110 through the fastening hole 175 so that the connector plate 171 is coupled to the upper surface of the transfer chamber module 110.

복수의 다공판(172, 174) 사이에는 충전 가스의 유동 압력을 줄여 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 내부 공간으로 보다 확산시킬 수 있는 메쉬(180, mesh)가 개재될 수 있다. 충전 가스는 상부 포트(150)를 통해 커넥터 플레이트(171)의 통공(171a)을 거친 후, 다공판(172)의 다공(172a)을 통해 메쉬(180)에 도달하고, 다시 다공판(174)의 다공(174a)을 통해 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 내부로 공급된다. 이때, 충전 가스는 복수의 다공판(172, 174)과 그 사이에 개재된 메쉬(180)를 거치면서 유동 압력과 속도가 떨어지므로 넓게 퍼지면서 확산될 수 있다.A mesh 180 may be interposed between the plurality of porous plates 172 and 174 to reduce the flow pressure of the filling gas to diffuse into the inner space of the transfer chamber module 110. The filling gas passes through the through hole 171a of the connector plate 171 through the upper port 150, and then reaches the mesh 180 through the hole 172a of the porous plate 172, and then again the porous plate 174. It is supplied into the transfer chamber module 110 through the pores (174a) of the. At this time, the filling gas may be spread while spreading widely because the flow pressure and the speed decrease while passing through the plurality of porous plates 172 and 174 and the mesh 180 interposed therebetween.

다공판(172)은 상면에 다공(172a)을 둘러싸는 단차부(177)를 포함하며, 복수의 다공판(172)의 평면 사이에 메쉬(180)가 배치된다. 단차부(177)는 원형이며, 단차부(177)에는 원주 방향으로 체결 홀(178)이 마련되며, 체결 홀(178)에는 커넥터 플레이트(171)에 결합되는 체결 볼트(179)가 배치된다.The porous plate 172 includes a stepped portion 177 that surrounds the hole 172a on an upper surface thereof, and a mesh 180 is disposed between the planes of the plurality of porous plates 172. The stepped portion 177 is circular, and the stepped portion 177 is provided with a fastening hole 178 in the circumferential direction, and a fastening bolt 179 coupled to the connector plate 171 is disposed in the fastening hole 178.

다공판(172)의 단차부(177)는 커넥터 플레이트(171)의 저면으로부터 다공(172a)을 이격시킨다. 충전 가스는 그 이격된 공간에 갇힌 상태에서 다공(172a)을 거쳐 메쉬(180) 측으로 유동하여 다시, 다공(174a)을 거쳐 트랜스퍼 챔버모듈(110)의 내부 공간으로 공급될 수 있다.The stepped portion 177 of the porous plate 172 spaces the pores 172a from the bottom surface of the connector plate 171. The filling gas may flow to the mesh 180 through the pores 172a in a state of being enclosed in the spaced space, and may be supplied to the internal space of the transfer chamber module 110 via the pores 174a.

이상과 같이 커넥터 플레이트(171)와, 복수의 다공판(172, 174)과, 그 사이에 개재되는 메쉬(180)로 구성될 수 있는 디퓨저부(170)의 실시 예를 설명하였다. 디퓨저부(170)는 이에 한정되지 않을 뿐만 아니라, 도 8과 같이 커넥터 플레이트(171)의 저면에 메쉬를 구성하기 위한 메쉬 플레이트(181)가 제공됨으로써 보다 간단하게 구성될 수도 있을 것이다.As described above, the embodiment of the diffuser unit 170, which may be composed of the connector plate 171, the plurality of porous plates 172 and 174, and the mesh 180 interposed therebetween, has been described. The diffuser unit 170 is not limited thereto, and may be more simply configured by providing a mesh plate 181 for forming a mesh on the bottom surface of the connector plate 171 as shown in FIG. 8.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치의 평면 배치도이다.9 is a plan view showing a substrate processing vacuum apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리용 진공장치는 도 1과 같이 기판을 반송하기 위한 반송 로봇이 설치된 트랜스퍼 챔버모듈(110)과, 트랜스퍼 챔버모듈(110)로 로딩되거나 트랜스퍼 챔버모듈(110)로부터 언로딩되는 기판이 수용되는 로드락 챔버모듈(100)과, 트랜스퍼 챔버모듈(110)에 인접하여 연결되며 기판의 증착을 위한 공정 가스가 주입되어 기판에 증착 물질이 증착되는 다수의 프로세스 챔버모듈(130)을 포함할 수 있다. 상기한 실시예들의 상부 포트(150), 하부 포트(151), 퍼지 라인부(142), 백필 라인부(145), 펌핑 라인부(149), 디퓨저부(170) 등은 트랜스퍼 챔버모듈(110)이나 로드락 챔버모듈(100)에 동일하게 구성될 수 있다.Referring to FIG. 8, a substrate processing vacuum apparatus according to another embodiment of the present invention may be loaded into a transfer chamber module 110 and a transfer chamber module 110 in which a transfer robot for transferring a substrate is installed as shown in FIG. 1. A load lock chamber module 100, which receives a substrate to be loaded or unloaded from the transfer chamber module 110, and is adjacent to the transfer chamber module 110, and a process gas for depositing the substrate is injected to deposit a deposition material on the substrate. A plurality of process chamber modules 130 may be deposited. The upper port 150, the lower port 151, the purge line unit 142, the backfill line unit 145, the pumping line unit 149, the diffuser unit 170, and the like of the above-described embodiments may be transferred to the transfer chamber module 110. ) Or the load lock chamber module 100 may be configured in the same manner.

특히, 본 발명의 또 다른 실시예서는 다수의 프로세스 챔버모듈(130)에 일대일로 연결되는 다수의 검사 배관(185)과, 검사 배관(185)이 하나의 배관으로 병합되어 다수의 프로세스 챔버모듈(130)의 각각에 대한 가스를 분석하거나 누출을 분석하기 위한 RGA(Residual Gas Analyzer) 모듈을 더 포함할 수 있다. RGA 모듈(186)은 각각의 검사 배관(185)을 통해 각각의 프로세스 챔버모듈(130)로부터 가스를 입수하여 다수의 프로세스 챔버모듈(130)에 대한 가스의 상태를 검사할 수 있다.In particular, according to another embodiment of the present invention, a plurality of test pipes 185 and test pipes 185 connected to the plurality of process chamber modules 130 in a one-to-one manner are merged into a single pipe to provide a plurality of process chamber modules ( 130 may further include a residual gas analyzer (RGA) module for analyzing a gas or analyzing a leak for each of 130). The RGA module 186 may inspect the state of the gas for the plurality of process chamber modules 130 by obtaining gas from each process chamber module 130 through each inspection pipe 185.

한편, 도시하지는 않았으나, 본 발명의 실시예들은 도 1과 도 9에 도시된 각 챔버모듈의 배치로 한정되는 것이 아니라, 레이아웃이나 각 부의 구성 등에 있어서 여러 가지의 변형이 가능하다. 일 예로, 복수의 트랜스퍼 챔버모듈(110)이 직렬로 연결되는 구성도 가능할 수 있다.On the other hand, although not shown, embodiments of the present invention are not limited to the arrangement of the respective chamber modules shown in Figs. 1 and 9, various modifications are possible in the layout or configuration of each part. For example, a configuration in which the plurality of transfer chamber modules 110 are connected in series may be possible.

이상의 챔버모듈은 주로 단일 기판을 처리할 수 있는 증착장치에 적용되는 챔버모듈에 대해 설명하였지만, 챔버모듈은 다수의 기판을 동시에 처리할 수 있는 배치식 챔버모듈이 될 수 있을 뿐만 아니라, 기판을 열처리하기 위한 어닐링 챔버모듈이 될 수도 있다.Although the above chamber module has been mainly described as a chamber module applied to a deposition apparatus capable of processing a single substrate, the chamber module may not only be a batch chamber module capable of simultaneously processing a plurality of substrates, but also heat-treat the substrates. It may be an annealing chamber module to.

또한 충전 가스는 불활성 가스로서 아르곤이나 질소 가스를 사용할 수 있다.The filling gas may be argon or nitrogen gas as an inert gas.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.

100: 로드락 챔버모듈 110: 트랜스퍼 챔버모듈
111: 슬롯 게이트
130: 프로세스 챔버모듈 140: 챔버모듈
142: 퍼지 라인부 145: 백필 라인부
149: 펌핑 라인부 150: 상부 포트
151: 하부 포트 155: MFC
161: 제1 공용 배관 162: 제2 공용 배관
165: 개폐밸브 170: 디퓨저부
171: 커넥터 플레이트
172, 174: 다공판 173: 피팅
175, 178: 체결 홀 176, 179: 체결 볼트
177: 단차부 180: 메쉬
181: 메쉬 플레이트 185: 검사 배관
186: RGA 모듈
100: load lock chamber module 110: transfer chamber module
111: slot gate
130: process chamber module 140: chamber module
142: purge line portion 145: backfill line portion
149: pumping line portion 150: upper port
151: lower port 155: MFC
161: first public pipe 162: second public pipe
165: on-off valve 170: diffuser portion
171: connector plate
172, 174: perforated plate 173: fitting
175, 178: fastening hole 176, 179: fastening bolt
177: stepped 180: mesh
181: mesh plate 185: inspection piping
186: RGA module

Claims (16)

기판이 처리되는 챔버모듈;
상기 챔버모듈 내로 충전 가스를 공급하는 퍼지 라인부; 및
상기 퍼지 라인부에 이웃하게 배치되며, 상기 퍼지 라인부에 의해 조성된 상기 챔버모듈 내의 압력을 미세 조절하기 위해 상기 충전 가스를 상기 챔버모듈 내로 보충하는 백필 라인부를 포함하며,
상기 챔버모듈은,
상기 충전 가스가 상기 챔버모듈의 상부로부터 하방을 향해 균일하게 공급되도록, 상기 퍼지 라인부와 상기 백필 라인부 중 적어도 어느 하나가 연결되는 상부 포트;
상기 챔버모듈 내의 충전 가스를 배출시켜 상기 챔버모듈 내에 진공 압력을 제공하되, 상기 상부 포트의 반대 편에 배치되는 펌핑 라인부; 및
상기 상부 포트에 연결되어 상기 상부 포트를 통해 공급되는 상기 충전 가스를 확산시키는 디퓨저부를 포함하며,
상기 디퓨저부는,
상기 챔버모듈의 상부에 결합되며, 상기 상부 포트가 연결되는 통공이 형성되어 있는 커넥터 플레이트; 및
상기 커넥터 플레이트의 저면에 결합되며, 상기 챔버모듈의 내부로 배치되는 다공판을 포함하며,
상기 다공판은 복수이며, 복수의 상기 다공판 사이에 메쉬가 배치되며,
상기 챔버모듈은, 상기 기판을 반송하기 위한 핸들링 로봇이 설치된 트랜스퍼 챔버모듈이며,
상기 트랜스퍼 챔버모듈에는, 기판의 증착을 위한 공정 가스가 주입되어 기판에 증착 물질이 증착되는 다수의 프로세스 챔버모듈이 인접하여 연결되며,
다수의 상기 프로세스 챔버모듈에 일대일로 연결되는 다수의 검사 배관; 및
상기 검사 배관이 하나의 배관으로 병합되어 다수의 상기 프로세스 챔버모듈의 각각에 대한 가스를 분석하거나 누출을 분석하기 위한 RGA(Residual Gas Analyzer) 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 진공장치.
A chamber module in which a substrate is processed;
A purge line unit supplying a filling gas into the chamber module; And
A backfill line portion disposed adjacent to the purge line portion and replenishing the filling gas into the chamber module to finely control the pressure in the chamber module formed by the purge line portion,
The chamber module comprises:
An upper port to which at least one of the purge line part and the backfill line part are connected such that the filling gas is uniformly supplied downward from an upper portion of the chamber module;
A pumping line part configured to discharge the filling gas in the chamber module to provide a vacuum pressure in the chamber module, the pumping line part being disposed opposite the upper port; And
A diffuser part connected to the upper port to diffuse the filling gas supplied through the upper port,
The diffuser unit,
A connector plate coupled to an upper portion of the chamber module and having a through hole connected to the upper port; And
It is coupled to the bottom surface of the connector plate, and comprises a porous plate disposed inside the chamber module,
The porous plate is a plurality, the mesh is disposed between the plurality of the porous plate,
The chamber module is a transfer chamber module provided with a handling robot for transporting the substrate,
In the transfer chamber module, a plurality of process chamber modules in which a process gas for deposition of a substrate is injected to deposit a deposition material on the substrate are adjacently connected.
A plurality of test tubing connected one to one to the plurality of process chamber modules; And
And the inspection pipe is merged into one pipe and further includes a residual gas analyzer (RGA) module for analyzing a gas or leak for each of the plurality of process chamber modules.
제1항에 있어서,
상기 상부 포트와 상기 펌핑 라인부는 상기 챔버모듈의 대각선 방향을 따라 대향하게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 진공장치.
The method of claim 1,
And the upper port and the pumping line part are disposed to face in a diagonal direction of the chamber module.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
복수의 상기 다공판 중 어느 하나는 다공을 둘러싸는 단차부를 포함하며,
복수의 상기 다공판의 평면 사이에 상기 메쉬가 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 진공장치.
The method of claim 1,
One of the plurality of porous plates includes a stepped portion surrounding the pores,
And said mesh is disposed between a plurality of planes of said porous plate.
제6항에 있어서,
상기 단차부는 원형이며, 상기 단차부에는 원주 방향으로 체결 홀이 마련되며, 상기 체결 홀에는 상기 커넥터 플레이트에 결합되는 체결 볼트가 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 진공장치.
The method according to claim 6,
The stepped portion is circular, the stepped portion is provided with a fastening hole in the circumferential direction, the fastening hole is disposed in the fastening hole coupled to the connector plate, characterized in that the substrate processing vacuum apparatus.
제1항에 있어서,
상기 커넥터 플레이트의 통공에는 상기 상부 포트의 연결을 위한 피팅이 결합되는 것을 특징으로 기판 처리용 진공장치.
The method of claim 1,
The through hole of the connector plate is a substrate processing vacuum apparatus, characterized in that the fitting for the connection of the upper port is coupled.
제1항에 있어서,
상기 커넥터 플레이트는 원형이며, 상기 커넥터 플레이트에는 원주 방향으로 체결 홀이 마련되며, 상기 체결 홀에는 상기 커넥터 플레이트를 상기 챔버모듈의 상면부에 결합시키는 체결 볼트가 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 진공장치.
The method of claim 1,
The connector plate is circular, and the connector plate is provided with a fastening hole in the circumferential direction, and the fastening hole for coupling the connector plate to the upper surface of the chamber module is disposed in the fastening hole. Device.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 백필 라인부에 설치되어 상기 백필 라인부로 공급되는 상기 충전 가스의 유량을 조절하는 유량제어 밸브모듈을 더 포함하는 기판 처리용 진공장치.
The method of claim 1,
And a flow rate control valve module installed in the backfill line part to adjust a flow rate of the filling gas supplied to the backfill line part.
제1항에 있어서,
상기 퍼지 라인부와 상기 백필 라인부는 상호 독립적으로 배치되되,
상기 챔버모듈은 상기 퍼지 라인부가 연결되는 하부 포트를 더 포함하는 기판 처리용 진공장치.
The method of claim 1,
The purge line portion and the backfill line portion are disposed independently of each other,
The chamber module further includes a lower port to which the purge line part is connected.
제1항에 있어서,
상기 퍼지 라인부와 상기 백필 라인부는 상기 상부 포트에 함께 연결되되,
상기 상부 포트에 연결되는 제1 공용 배관; 및
상기 제1 공용 배관과의 사이에 상기 퍼지 라인부와 상기 백필 라인부가 병렬로 배치되어 연결되는 제2 공용 배관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 진공장치.
The method of claim 1,
The purge line portion and the backfill line portion are connected together to the upper port,
A first common pipe connected to the upper port; And
And a second common pipe in which the purge line part and the backfill line part are arranged in parallel between the first common pipe and connected to each other.
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