JPH10223719A - Substrate carrier system, substrate processor and substrate carrier method - Google Patents
Substrate carrier system, substrate processor and substrate carrier methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を搬送する基
板搬送装置およびそれを備えた基板処理装置ならびに基
板搬送方法に関する。The present invention relates to a substrate transfer apparatus for transferring a substrate, a substrate processing apparatus having the same, and a substrate transfer method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を
行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装
置の処理室で処理される基板は周囲の雰囲気に大きな影
響を受けるので、処理室内は清浄な状態に保たれる。2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus is used to perform various processes on substrates such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a glass substrate for a photomask. Since the substrate processed in the processing chamber of the substrate processing apparatus is greatly affected by the surrounding atmosphere, the processing chamber is kept clean.
【０００３】処理室内で処理された基板を直ちに大気中
に搬出すると、処理された基板が大気の影響を受けるこ
とになる。特に、処理室内で加熱された基板を直ちに大
気中に搬出すると、基板が大気中の酸素、反応性ガス、
汚染物質等と反応して基板の酸化や汚染が生じ、プロセ
スの品質や安定性を損ねる要因となる。基板を処理室内
で十分に冷却してから搬出することも可能であるが、基
板の冷却のための時間が必要となるので、スループット
が低下する。特に、処理室自体も蓄熱している場合に
は、基板の冷却に長い時間がかかる。When a substrate processed in a processing chamber is immediately carried out to the atmosphere, the processed substrate is affected by the atmosphere. In particular, when a substrate heated in the processing chamber is immediately carried out to the atmosphere, the substrate is exposed to oxygen, reactive gas,
It reacts with contaminants and the like to cause oxidation and contamination of the substrate, which is a factor that impairs the quality and stability of the process. Although it is possible to carry out the substrate after sufficiently cooling it in the processing chamber, the time is required for cooling the substrate, so that the throughput is reduced. In particular, when the processing chamber itself also stores heat, it takes a long time to cool the substrate.
【０００４】また、処理室内に基板を搬入する際には、
処理室内に基板とともに大気が侵入し、処理室の内部が
汚染される。処理の開始前にガスパージや減圧等により
処理室内をガスで置換する処理を行うと、プロセスの安
定化やスループットの向上が妨げられる。When a substrate is carried into a processing chamber,
Air enters the processing chamber together with the substrate, and the inside of the processing chamber is contaminated. If a process of replacing the inside of the processing chamber with a gas by gas purging, depressurization, or the like is performed before the start of the processing, stabilization of the process and improvement in throughput are hindered.
【０００５】そこで、処理室の基板の出入口に密閉空間
である搬送室を接続し、搬送室内に窒素等の不活性ガス
を充填する、あるいは真空に保持しておくことにより処
理室への基板の搬入および搬出時ならびに搬送工程にお
ける基板の汚染を防止している。[0005] Therefore, a transfer chamber, which is a closed space, is connected to the entrance of the substrate in the processing chamber, and the transfer chamber is filled with an inert gas such as nitrogen or is kept in a vacuum so that the substrate can be transferred to the processing chamber. This prevents contamination of the substrate at the time of loading and unloading and at the time of the transporting process.
【０００６】図８は処理室および搬送室を備えた従来の
クラスタ型の基板処理装置の一例を示す平面図であり、
図９は図８の基板処理装置の概略断面図である。FIG. 8 is a plan view showing an example of a conventional cluster type substrate processing apparatus having a processing chamber and a transfer chamber.
FIG. 9 is a schematic sectional view of the substrate processing apparatus of FIG.
【０００７】図８の基板処理装置では、搬送室１ａの周
囲に４つの処理室３および２つの受け渡し室（ロードロ
ック）８が放射状に接続されている。搬送室１ａ内に
は、２つの基板保持部（基板保持アーム）１２を有する
搬送機構１１が設けられている。搬送機構１１は、受け
渡し室８と処理室３との間および処理室３間で基板を搬
送する。In the substrate processing apparatus shown in FIG. 8, four processing chambers 3 and two transfer chambers (load locks) 8 are radially connected around a transfer chamber 1a. In the transfer chamber 1a, a transfer mechanism 11 having two substrate holding units (substrate holding arms) 12 is provided. The transfer mechanism 11 transfers the substrate between the transfer chamber 8 and the processing chamber 3 and between the processing chambers 3.
【０００８】図９に示すように、搬送室１ａには、処理
室３に対して基板を搬入および搬出するための開口部１
３および受け渡し室８との間で基板の受け渡しを行うた
めの開口部１４が形成されている。開口部１３には、ガ
スの流通を遮断可能なスリットバルブ５１が設けられ、
開口部１４にも、同様にガスの流通を遮断可能なスリッ
トバルブ８１が設けられている。As shown in FIG. 9, an opening 1 for carrying a substrate into and out of the processing chamber 3 is provided in the transfer chamber 1a.
An opening 14 for transferring a substrate between the transfer chamber 3 and the transfer chamber 8 is formed. The opening 13 is provided with a slit valve 51 capable of blocking gas flow,
The opening 14 is also provided with a slit valve 81 that can similarly block the flow of gas.
【０００９】この搬送室１ａには、パージガス供給口７
１および排気口７２が設けられている。パージガス供給
口７１は配管７３およびバルブ７４を介してパージガス
供給源に接続され、排気口７２は配管７５を介して排気
手段に接続されている。これにより、搬送室１ａ内は、
減圧によるガス置換またはＮ2 等の不活性ガスによる大
気圧下または準大気圧下でのパージが可能となってい
る。The transfer chamber 1a has a purge gas supply port 7
1 and an exhaust port 72 are provided. The purge gas supply port 71 is connected to a purge gas supply source via a pipe 73 and a valve 74, and the exhaust port 72 is connected to an exhaust unit via a pipe 75. Thereby, the inside of the transfer chamber 1a is
Purging under atmospheric pressure or sub-atmospheric pressure with an inert gas such as N 2 or the like is possible.
【００１０】受け渡し室８内には、カセット保持部８３
が真空エレベータ８４により昇降可能に設けられてい
る。このカセット保持部８３上には複数の基板１００を
保持するカセット８５が載置される。また、受け渡し室
８には、外部との間でカセット８５を搬入および搬出す
るための開口部９１が形成され、この開口部９１にガス
の流通を遮断可能なゲートバルブ８２が設けられてい
る。In the transfer chamber 8, a cassette holding portion 83 is provided.
Is provided so as to be able to move up and down by a vacuum elevator 84. A cassette 85 for holding a plurality of substrates 100 is placed on the cassette holding section 83. The transfer chamber 8 has an opening 91 for loading and unloading the cassette 85 to and from the outside. The opening 91 is provided with a gate valve 82 that can shut off gas flow.
【００１１】この受け渡し室８には、パージガス供給口
８６および排気口８７が設けられている。パージガス供
給口８６は配管８９およびバルブ８８を介してパージガ
ス供給源に接続され、排気口８７は配管９０を介して排
気手段に接続されている。これにより、受け渡し室８内
は、減圧によるガス置換または不活性ガスによる大気圧
下または準大気圧下でのパージが可能となっている。The transfer chamber 8 is provided with a purge gas supply port 86 and an exhaust port 87. The purge gas supply port 86 is connected to a purge gas supply source via a pipe 89 and a valve 88, and the exhaust port 87 is connected to an exhaust unit via a pipe 90. Thereby, the inside of the transfer chamber 8 can be purged under reduced pressure or under an atmospheric pressure or a sub-atmospheric pressure by an inert gas.
【００１２】基板の処理前に、受け渡し室８のゲートバ
ルブ８２を開き、開口部９１を介して外部から受け渡し
室８内のカセット保持部８３にカセット８５を搬入す
る。ゲートバルブ８２を閉じた後、受け渡し室８内に侵
入した大気を清浄な状態にするために、減圧によるガス
置換または不活性ガスによるパージを行う。Before processing the substrate, the gate valve 82 of the transfer chamber 8 is opened, and the cassette 85 is loaded into the cassette holding portion 83 in the transfer chamber 8 from the outside through the opening 91. After closing the gate valve 82, in order to keep the air that has entered the transfer chamber 8 clean, gas replacement by pressure reduction or purging with an inert gas is performed.
【００１３】基板の搬送時には、搬送室１ａと受け渡し
室８との間のスリットバルブ８１を開く。搬送室１ａ内
の搬送機構１１が、基板保持部１２を伸張して受け渡し
室８内のカセット８５に保持された基板を受け取った
後、１つの処理室３内に搬送する。処理室３内で処理さ
れた基板は、搬送機構１１により他の処理室３に搬送さ
れる。あるいは、同様の処理が並行して行われる。この
とき、搬送室１ａ内は減圧下に保たれ、あるいはＮ2 等
の不活性ガスにより大気圧または準大気圧下でパージさ
れている。When transferring the substrate, the slit valve 81 between the transfer chamber 1a and the transfer chamber 8 is opened. After the transfer mechanism 11 in the transfer chamber 1 a extends the substrate holding unit 12 and receives the substrate held in the cassette 85 in the transfer chamber 8, the transfer mechanism 11 transfers the substrate into one processing chamber 3. The substrate processed in the processing chamber 3 is transferred to another processing chamber 3 by the transfer mechanism 11. Alternatively, similar processing is performed in parallel. At this time, the inside of the transfer chamber 1a is kept under reduced pressure or purged with an inert gas such as N 2 at atmospheric pressure or sub-atmospheric pressure.
【００１４】このようにして、１つの基板が４つの処理
室３に順次搬送され、各処理室３において所定の処理が
行われる。あるいは、同様の処理が並行して行われる。
すべての処理が終了した基板は、搬送機構１１により他
方の受け渡し室８内のカセット８５に格納される。In this manner, one substrate is sequentially transferred to the four processing chambers 3 and predetermined processing is performed in each processing chamber 3. Alternatively, similar processing is performed in parallel.
The substrate on which all processing has been completed is stored in the cassette 85 in the other transfer chamber 8 by the transport mechanism 11.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】従来の基板処理装置に
おいては、上記のように、受け渡し室８内に侵入した大
気を清浄な状態にするために受け渡し室８内を減圧によ
りガス置換し、またはＮ 2 等の不活性ガスによりパージ
する必要があった。そのため、スループットが低下す
る。SUMMARY OF THE INVENTION In a conventional substrate processing apparatus,
In this case, as described above, the large
The inside of the delivery chamber 8 is depressurized to keep the air clean.
Gas replacement or N Two Purging with inert gas such as
I needed to. As a result, throughput decreases.
You.
【００１６】また、受け渡し室８には、ガスシール性お
よび耐圧を有する構造および機構が必要となり、かつ真
空排気のために、配管、バルブ、ポンプ等の機構が必要
となる。さらに、搬送室１ａと受け渡し室８との間およ
び受け渡し室８と外部との間にガスの流通を遮断可能な
シール性の高いバルブが必要となる。これらの結果、基
板の処理コストが高くなるという問題がある。Further, the transfer chamber 8 requires a structure and a mechanism having gas sealing properties and pressure resistance, and also requires a mechanism such as a pipe, a valve, and a pump for evacuation. Further, a valve having a high sealing property capable of blocking gas flow between the transfer chamber 1a and the transfer chamber 8 and between the transfer chamber 8 and the outside is required. As a result, there is a problem that the processing cost of the substrate increases.
【００１７】一方、搬送室１ａ内で例えば直径８インチ
の基板を搬送する場合には、搬送室１ａの容積は５０Ｌ
（リットル）程度となる。この搬送室１ａ内の雰囲気を
１０ｐｐｍ以下の純度まで不活性ガスで置換するために
は、搬送室１ａ内を１５０Ｌ／分の流量でパージしても
１日以上かかる。このように、搬送室１ａ内を高純度の
ガス雰囲気に置換するために非常に長時間を要するた
め、実用性が低い。On the other hand, when a substrate having a diameter of, for example, 8 inches is transferred in the transfer chamber 1a, the volume of the transfer chamber 1a is 50L.
(Liter). In order to replace the atmosphere in the transfer chamber 1a with an inert gas to a purity of 10 ppm or less, it takes one day or more even if the inside of the transfer chamber 1a is purged at a flow rate of 150 L / min. As described above, it takes a very long time to replace the inside of the transfer chamber 1a with a high-purity gas atmosphere, so that the practicability is low.
【００１８】また、搬送室１ａ内を減圧排気した後に不
活性ガスでパージすることにより、ガス置換を行う方法
もあるが、搬送室１ａや搬送機構１１を減圧対応とする
ために耐圧構造、真空排気機構およびガスシール構造を
設けなければならない。これにより、コストが上昇す
る。There is also a method in which the inside of the transfer chamber 1a is evacuated to a reduced pressure and then purged with an inert gas to perform gas replacement. However, in order to make the transfer chamber 1a and the transfer mechanism 11 compatible with the reduced pressure, a pressure-resistant structure, vacuum An exhaust mechanism and a gas seal structure must be provided. This increases costs.
【００１９】本発明の目的は、基板の処理におけるスル
ープットを向上させるとともに基板の処理コストを低減
しつつ基板の搬送雰囲気を清浄に保つことが可能な基板
搬送装置およびそれを備えた基板処理装置ならびに基板
搬送方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a substrate transfer apparatus capable of maintaining a clean substrate transfer atmosphere while improving the throughput in substrate processing and reducing the substrate processing cost, and a substrate processing apparatus having the same. An object of the present invention is to provide a method of transporting a substrate.
【００２０】本発明の他の目的は、低コストで搬送室内
を短時間で清浄な雰囲気に置換することが可能な基板搬
送装置を提供することである。Another object of the present invention is to provide a substrate transfer apparatus capable of replacing a transfer chamber with a clean atmosphere in a short time at low cost.
【００２１】[0021]
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板搬送装置は、基板を搬送する基板搬送装
置であって、開口部を有する搬送室と、搬送室内に配置
されて基板を搬送するとともに開口部を介して外部との
間で基板の受け渡しを行う搬送手段と、搬送室内に所定
の気体を供給するとともに搬送手段により開口部を介し
て基板の受け渡しが行われるときに搬送室の内部から開
口部を通して外部に向かう気体の流れを形成する気体供
給手段とを備えたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus for transferring a substrate, comprising: a transfer chamber having an opening; and a substrate disposed in the transfer chamber. Transport means for transferring a substrate to and from the outside through an opening, and supplying a predetermined gas into the transfer chamber and transferring the substrate when the transfer of the substrate is performed through the opening by the transfer means. Gas supply means for forming a gas flow from the inside of the chamber to the outside through the opening.
【００２２】本発明に係る基板搬送装置においては、搬
送手段により搬送室の開口部を介して外部との間で基板
の受け渡しが行われるときに、搬送室の内部から開口部
を通して外部に向かう気体の流れが形成されるので、搬
送室内に外気が侵入することが防止される。In the substrate transfer apparatus according to the present invention, when the transfer means transfers the substrate to and from the outside through the opening of the transfer chamber, the gas flowing from the inside of the transfer chamber to the outside through the opening is provided. Is formed, thereby preventing outside air from entering the transfer chamber.
【００２３】それにより、搬送室の外部に設けられる基
板の受け渡し部を密閉空間として減圧によるガス置換ま
たは不活性ガスによるパージを行う必要がなくなり、受
け渡し部にガスシール性および耐圧を有する機構および
真空排気のための機構が不要となる。したがって、基板
の処理におけるスループットを向上させるとともに基板
の処理コストを低減しつつ基板の搬送雰囲気を清浄に保
つことが可能となる。This eliminates the need to use a transfer part for the substrate provided outside the transfer chamber as a closed space and perform gas replacement by decompression or purging with an inert gas. A mechanism for exhaust is not required. Therefore, it is possible to improve the throughput in the processing of the substrate and to keep the transfer atmosphere of the substrate clean while reducing the processing cost of the substrate.
【００２４】第２の発明に係る基板搬送装置は、第１の
発明に係る基板搬送装置の構成において、気体供給手段
が、搬送手段により開口部を介して基板の受け渡しが行
われるときに搬送室内を外部に対して陽圧にするもので
ある。これにより、搬送室内から外部に向かう気体の流
れが形成される。According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate transfer apparatus according to the first aspect of the present invention, wherein the gas supply means includes a transfer chamber when the transfer of the substrate through the opening is performed by the transfer means. Is a positive pressure to the outside. Thus, a gas flow from the transfer chamber to the outside is formed.
【００２５】第３の発明に係る基搬送装置は、第１また
は第２の発明に係る基板搬送装置の構成において、搬送
室の開口部に設けられて搬送室内を外部と遮断する開閉
自在な開閉部材をさらに備えたものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate transfer apparatus according to the first or second aspect, wherein the substrate transfer apparatus is provided at an opening of the transfer chamber to open and close the transfer chamber from the outside. A member is further provided.
【００２６】この場合、開口部を介して外部との間で基
板の受け渡しが行われるときに開閉部材が開かれ、基板
の受け渡し時以外に開閉部材が閉じられる。それによ
り、基板の受け渡し時以外に搬送室内に供給する気体の
流量を低減することが可能となる。In this case, the opening / closing member is opened when the substrate is transferred to / from the outside through the opening, and the opening / closing member is closed except when the substrate is transferred. This makes it possible to reduce the flow rate of the gas supplied into the transfer chamber other than when transferring the substrate.
【００２７】第４の発明に係る基板搬送装置は、第１ま
たは第２の発明に係る基板搬送装置の構成において、搬
送室の開口部から外部に延びる通路を形成する通路形成
部材をさらに備えたものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate transfer apparatus according to the first or second aspect, further comprising a passage forming member for forming a passage extending from the opening of the transfer chamber to the outside. Things.
【００２８】この場合、開口部を介して外部との間で基
板の受け渡しが行われるときに、搬送室内から外部に向
かう長い気体の流れが形成されるので、基板とともに外
気が搬送室内に引き込まれることが防止される。また、
外気の流れの乱れにより外気が搬送室内に侵入すること
が抑制される。In this case, when the substrate is transferred to and from the outside through the opening, a long gas flow from the transfer chamber to the outside is formed, so that the outside air is drawn into the transfer chamber together with the substrate. Is prevented. Also,
Intrusion of outside air into the transfer chamber due to disturbance of the flow of outside air is suppressed.
【００２９】第５の発明に係る基板搬送装置は、第４の
発明に係る基板搬送装置の構成において、通路形成部材
に設けられて搬送室の内部を外部と遮断する開閉自在な
開閉部材をさらに備えたものである。The substrate transfer apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the substrate transfer apparatus according to the fourth aspect, further comprising an openable and closable member provided in the passage forming member for shutting off the inside of the transfer chamber from the outside. It is provided.
【００３０】この場合、開口部を介して外部との間で基
板の受け渡しが行われるときに開閉部材が開かれ、基板
の受け渡し時以外に開閉部材が閉じられる。それによ
り、基板の受け渡し時以外に搬送室内に供給する気体の
流量を低減することが可能となる。In this case, the opening / closing member is opened when the substrate is transferred to / from the outside through the opening, and the opening / closing member is closed except when the substrate is transferred. This makes it possible to reduce the flow rate of the gas supplied into the transfer chamber other than when transferring the substrate.
【００３１】第６の発明に係る基板搬送装置は、第４ま
たは第５の発明に係る基板搬送装置の構成において、搬
送手段により開口部を介して基板の受け渡しが行われる
ときに通路形成部材により形成される通路中に外部に向
かう気体の流れが形成されるように排気を行う排気部を
さらに備えたものである。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the substrate transfer apparatus according to the fourth or fifth aspect of the invention, wherein the transfer means transfers the substrate through the opening by the passage forming member when the transfer is performed by the transfer means. The air conditioner further includes an exhaust unit that exhausts gas so that a gas flow toward the outside is formed in the formed passage.
【００３２】この場合、開口部から基板の受け渡し部へ
のガスの流出量を削減し、不要なガスの排出を低減した
りパーティクルの巻き上げを低減することが可能とな
る。In this case, it is possible to reduce the amount of gas flowing out from the opening to the transfer part of the substrate, to reduce unnecessary gas discharge, and to reduce the winding of particles.
【００３３】第７の発明に係る基板搬送装置は、第１〜
第６のいずれかの発明に係る基板搬送装置の構成におい
て、搬送室の中央部に関して互いに反対側の位置に気体
の導入部および気体の排出部が設けられたものである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus comprising:
In the configuration of the substrate transfer apparatus according to any one of the sixth inventions, a gas introduction portion and a gas discharge portion are provided at positions opposite to each other with respect to a center portion of the transfer chamber.
【００３４】この場合、気体の導入部から搬送室内に導
入された気体が搬送室内の中央部を通って反対側に配置
された気体の排出部から排出されるので、気体が搬送室
内の全体に効率良く行き渡る。したがって、減圧排気を
行うことなく、低コストで搬送装置内を高純度の気体雰
囲気に短時間で置換することができる。In this case, the gas introduced into the transfer chamber from the gas introduction portion passes through the central portion of the transfer chamber and is discharged from the gas discharge portion disposed on the opposite side, so that the gas is transferred to the entire transfer chamber. Get around efficiently. Therefore, it is possible to replace the inside of the transfer device with a high-purity gas atmosphere in a short time at low cost without performing vacuum evacuation.
【００３５】第８の発明に係る基板処理装置は、第１〜
第６のいずれかの発明に係る基板搬送装置の構成におい
て、搬送室の開口部に対して反対側の位置に気体の導入
部が設けられたものである。The substrate processing apparatus according to the eighth invention comprises
In the structure of the substrate transfer apparatus according to any one of the sixth inventions, a gas introduction portion is provided at a position opposite to the opening of the transfer chamber.
【００３６】この場合、気体の導入部から搬送室内に導
入された気体が搬送室内の中央部を通って反対側に配置
された開口部から排出されるので、気体が搬送室内の全
体に効率良く行き渡る。したがって、減圧排気を行うこ
となく、低コストで搬送室内を高純度の気体雰囲気に短
時間で置換することができる。In this case, the gas introduced into the transfer chamber from the gas introduction portion passes through the central portion of the transfer chamber and is discharged from the opening disposed on the opposite side, so that the gas is efficiently transferred to the entire transfer chamber. Go around. Therefore, the transfer chamber can be replaced with a high-purity gas atmosphere in a short time at a low cost without performing vacuum evacuation.
【００３７】第９の発明に係る基板搬送装置は、第６の
発明に係る基板搬送装置の構成において、搬送室の開口
部に対して反対側の位置に気体の導入部が設けられ、通
路形成部材に気体の排出部が設けられたものである。A substrate transfer apparatus according to a ninth aspect of the present invention is the substrate transfer apparatus according to the sixth aspect of the present invention, wherein a gas introduction portion is provided at a position opposite to the opening of the transfer chamber to form a passage. The member is provided with a gas discharge unit.
【００３８】この場合、気体の導入部から搬送室内に導
入された気体が搬送室内の中央部を通って反対側に配置
された開口部から排出され、さらに通路形成部材の内部
を通って気体の排出部から排出されるので、気体が搬送
室内の全体に効率良く行き渡る。したがって、減圧排気
を行うことなく、低コストで搬送室内を高純度の気体雰
囲気に短時間で置換することができる。In this case, the gas introduced from the gas introduction portion into the transfer chamber passes through the central portion of the transfer chamber, is discharged from the opening disposed on the opposite side, and further passes through the inside of the passage forming member, thereby causing the gas to flow therethrough. Since the gas is discharged from the discharge unit, the gas is efficiently distributed throughout the transfer chamber. Therefore, the transfer chamber can be replaced with a high-purity gas atmosphere in a short time at a low cost without performing vacuum evacuation.
【００３９】第１０の発明に係る基板搬送装置は、基板
を搬送する基板搬送装置であって、開口部を有する搬送
室と、搬送室内に配置されて基板を搬送するとともに開
口部を介して外部との間で基板の受け渡しを行う搬送手
段とを備え、搬送室の中央部に関して互いに反対側の位
置に気体の導入部および気体の排出部が設けられたもの
である。A substrate transfer device according to a tenth aspect of the present invention is a substrate transfer device for transferring a substrate, comprising: a transfer chamber having an opening; a transfer chamber disposed in the transfer chamber for transferring the substrate; And a transfer means for transferring the substrate between the transfer chamber and a gas introduction part and a gas discharge part at positions opposite to each other with respect to the center of the transfer chamber.
【００４０】この場合、気体の導入部から搬送室内に導
入された気体が搬送室内の中央部を通って反対側に配置
された気体の排出部から排出されるので、気体が搬送室
内の全体に効率良く行き渡る。したがって、減圧排気を
行うことなく、低コストで搬送室内を高純度の気体雰囲
気に短時間で置換することができる。In this case, the gas introduced into the transfer chamber from the gas introduction portion passes through the central portion of the transfer chamber and is discharged from the gas discharge portion disposed on the opposite side, so that the gas is transferred to the entire transfer chamber. Get around efficiently. Therefore, the transfer chamber can be replaced with a high-purity gas atmosphere in a short time at a low cost without performing vacuum evacuation.
【００４１】第１１の発明に係る基板搬送装置は、第７
〜第１０のいずれかの発明に係る基板搬送装置の構成に
おいて、気体の導入部に気体の流速を低減させて気体を
拡散させる流速低減拡散手段が設けられたものである。According to the eleventh aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus comprising:
In the configuration of the substrate transfer device according to any one of the tenth to tenth aspects, a flow rate reducing / diffusing means for reducing the gas flow rate and diffusing the gas is provided at the gas introduction portion.
【００４２】これにより、気体の導入部から搬送室内に
導入される気体が搬送室内の一部の領域に集中すること
が防止され、気体が搬送室内の全体に容易に行き渡る。
それにより、搬送室内をより短時間で高純度の気体雰囲
気に置換することができる。This prevents the gas introduced into the transfer chamber from the gas inlet from being concentrated in a partial area of the transfer chamber, and the gas easily spreads throughout the transfer chamber.
Thus, the transfer chamber can be replaced with a high-purity gas atmosphere in a shorter time.
【００４３】第１２の発明に係る基板処理装置は、基板
に所定の処理を行う処理室、基板の受け渡しを行う受け
渡し部および基板を搬送する基板搬送装置を備える。基
板搬送装置は、搬送室、搬送手段および気体供給手段を
含み、受け渡し部は、１または複数の基板を保持する基
板保持手段を含む。A twelfth aspect of the present invention provides a substrate processing apparatus including a processing chamber for performing predetermined processing on a substrate, a transfer unit for transferring the substrate, and a substrate transfer device for transferring the substrate. The substrate transfer device includes a transfer chamber, a transfer unit, and a gas supply unit, and the transfer unit includes a substrate holding unit that holds one or a plurality of substrates.
【００４４】搬送室は、処理室に接続される開閉自在な
第１の開口部および受け渡し部側に設けられた第２の開
口部を有する。搬送手段は、搬送室内に配置され、基板
を搬送するとともに、第１の開口部を介して処理室に対
して基板の搬入および搬出を行い、第２の開口部を介し
て受け渡し部との間で基板の受け渡しを行う。気体供給
手段は、搬送室内に所定の気体を供給するとともに、搬
送手段により第２の開口部を介して受け渡し部との間で
基板の受け渡しが行われるときに搬送室の内部から開口
部を通して外部に向かう気体の流れを形成する。The transfer chamber has a first opening which can be opened and closed and which is connected to the processing chamber, and a second opening which is provided on the side of the transfer section. The transfer unit is disposed in the transfer chamber, transfers the substrate, transfers the substrate into and out of the processing chamber through the first opening, and transfers the substrate to and from the transfer unit through the second opening. To deliver the substrate. The gas supply means supplies a predetermined gas into the transfer chamber and, when the transfer means transfers the substrate between the transfer section and the transfer section through the second opening, the inside of the transfer chamber to the outside through the opening. To form a flow of gas toward.
【００４５】本発明に係る基板処理装置においては、基
板搬送装置の搬送手段により搬送室の開口部を介して受
け渡し部との間で基板の受け渡しが行われるときに、搬
送室の内部から開口部を通して外部に向かう気体の流れ
が形成されるので、搬送室内に外気が侵入することが防
止される。In the substrate processing apparatus according to the present invention, when the transfer of the substrate to and from the transfer section through the opening of the transfer chamber by the transfer means of the substrate transfer apparatus, the opening from the inside of the transfer chamber. Thus, a flow of gas toward the outside is formed, thereby preventing outside air from entering the transfer chamber.
【００４６】それにより、受け渡し部を密閉空間として
減圧によるガス置換または不活性ガスによるパージを行
う必要がなくなり、受け渡し部にガスシール性および耐
圧を有する機構および真空排気のための機構が不要とな
る。したがって、基板の処理におけるスループットを向
上させるとともに基板の処理コストを低減しつつ基板の
搬送雰囲気を清浄に保つことが可能となる。This eliminates the necessity of performing gas replacement by decompression or purging with an inert gas by using the transfer section as a closed space, and eliminates the need for a mechanism having gas sealing properties and pressure resistance and a mechanism for evacuation in the transfer section. . Therefore, it is possible to improve the throughput in the processing of the substrate and to keep the transfer atmosphere of the substrate clean while reducing the processing cost of the substrate.
【００４７】第１３の発明に係る基板搬送方法は、開口
部を有する搬送室内で基板を搬送するとともに開口部を
介して外部との間で基板の受け渡しを行う基板搬送方法
において、搬送室内に所定の気体を供給するとともに搬
送室の一端部から他端部方向に向かう気体の流れを形成
するものである。According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer method for transferring a substrate in a transfer chamber having an opening and transferring the substrate to and from the outside through the opening. And a gas flow is formed from one end of the transfer chamber toward the other end.
【００４８】本発明に係る基板搬送方法においては、搬
送室内に所定の気体を供給するとともに搬送室の一端部
から他端部の方向に向かう気体の流れが形成される。In the substrate transfer method according to the present invention, a predetermined gas is supplied into the transfer chamber and a gas flow is formed from one end of the transfer chamber to the other end.
【００４９】それにより、搬送室内の全体に効率よく気
体が行き渡る。したがって、基板の処理におけるスルー
プットを向上させるとともに、基板の処理コストを低減
しつつ基板の搬送雰囲気を清浄に保つことができる。As a result, gas can be efficiently distributed throughout the transfer chamber. Therefore, it is possible to improve the throughput in the processing of the substrate and to keep the substrate transfer atmosphere clean while reducing the processing cost of the substrate.
【００５０】第１４の発明に係る基板搬送方法は、開口
部を有する搬送室内で基板を搬送するとともに開口部を
介して外部との間で基板の受け渡しを行う基板搬送方法
において、搬送室の開口部を介して基板の受け渡しを行
うときに、搬送室内に所定の気体を供給するとともに、
搬送室の内部から開口部を通して外部に向かう気体の流
れを形成するものである。According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer method for transferring a substrate in a transfer chamber having an opening and transferring the substrate to and from the outside through the opening. When transferring the substrate through the unit, while supplying a predetermined gas into the transfer chamber,
This is to form a gas flow from the inside of the transfer chamber to the outside through the opening.
【００５１】本発明に係る基板搬送方法においては、搬
送室の開口部を介して外部との間で基板の受け渡しを行
うときに、搬送室の内部から開口部を通して外部に向か
う気体の流れを形成することにより、搬送室内に外気が
侵入することが防止される。In the substrate transfer method according to the present invention, when a substrate is transferred to and from the outside through the opening of the transfer chamber, a gas flow from the inside of the transfer chamber to the outside through the opening is formed. This prevents outside air from entering the transfer chamber.
【００５２】それにより、搬送室の外部に設けられる基
板の受け渡し部を密閉空間として減圧によるガス置換ま
たは不活性ガスによるパージを行う必要がなくなり、受
け渡し部にガスシール性をおよび耐圧を有する機構およ
び真空排気のための機構が不要となる。したがって、基
板の処理におけるスループットを向上させるとともに基
板の処理コストを低減しつつ基板の搬送雰囲気を清浄に
保つことが可能となる。This eliminates the necessity of performing gas replacement by pressure reduction or purging with an inert gas by using the transfer section of the substrate provided outside the transfer chamber as a closed space, and the transfer section has a gas sealing property and pressure resistance. A mechanism for evacuation becomes unnecessary. Therefore, it is possible to improve the throughput in the processing of the substrate and to keep the transfer atmosphere of the substrate clean while reducing the processing cost of the substrate.
【００５３】[0053]
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例にお
けるクラスタ型の基板処理装置を示す平面図であり、図
２は図１の基板処理装置の概略断面図である。FIG. 1 is a plan view showing a cluster type substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view of the substrate processing apparatus shown in FIG.
【００５４】図１の基板処理装置では、搬送室１の周囲
に３つの処理室３、２つの受け渡し部（インタフェース
部）２およびバッファ部１５が放射状に設けられてい
る。搬送室１内には、２つの基板保持部（基板保持アー
ム）１２を有する搬送機構１１が設けられている。搬送
機構１１の２つの基板保持部１２は、鉛直方向の軸の回
りで回転可能かつスライド機構により伸縮可能に構成さ
れている。この搬送機構１１は、受け渡し部２と処理室
３との間および処理室３間で基板を搬送する。また、バ
ッファ部１５は基板を一時的に保持する。In the substrate processing apparatus of FIG. 1, three processing chambers 3, two transfer units (interface units) 2, and a buffer unit 15 are provided radially around the transfer chamber 1. A transfer mechanism 11 having two substrate holding units (substrate holding arms) 12 is provided in the transfer chamber 1. The two substrate holders 12 of the transport mechanism 11 are configured to be rotatable about a vertical axis and extendable by a slide mechanism. The transfer mechanism 11 transfers a substrate between the transfer unit 2 and the processing chamber 3 and between the processing chambers 3. The buffer unit 15 temporarily holds the substrate.
【００５５】図２に示すように、搬送室１には、処理室
３に対して基板を搬入および搬出するための開口部１３
および受け渡し部２との間で基板の受け渡しを行うため
の開口部１４が形成されている。開口部１３には、Ｏリ
ング等によりガスの流通を遮断可能なスリットバルブ５
１が設けられている。As shown in FIG. 2, an opening 13 for loading and unloading a substrate to and from the processing chamber 3 is provided in the transfer chamber 1.
An opening 14 for transferring a substrate to and from the transfer unit 2 is formed. The opening 13 has a slit valve 5 that can shut off the gas flow by an O-ring or the like.
1 is provided.
【００５６】搬送室１の外側には、開口部１４から外方
に延びる断面矩形状の通路を形成する通路形成部材（覆
い状部材）５２が設けられている。開口部１４と通路形
成部材５２との間には、Ｏリング等によりガスの流通を
遮断可能なスリットバルブ５３が設けられている。Outside the transfer chamber 1, there is provided a passage forming member (cover-like member) 52 which extends outward from the opening 14 and forms a passage having a rectangular cross section. Between the opening 14 and the passage forming member 52, there is provided a slit valve 53 that can shut off gas flow by an O-ring or the like.
【００５７】搬送室１には、パージガス供給口５４が設
けられている。パージガス供給口５４は、配管５５、開
閉バルブ５６および流量調整可能なバイパスバルブ５７
を介してガス供給装置１１０に接続されている。開閉バ
ルブ５６およびバイパスバルブ５７は並列に接続されて
いる。また、通路形成部材５２の先端部に排気口５８が
設けられている。排気口５８は、配管５９を介して排気
装置１２０に接続されている。The transfer chamber 1 is provided with a purge gas supply port 54. The purge gas supply port 54 includes a pipe 55, an opening / closing valve 56, and a bypass valve 57 capable of adjusting a flow rate.
Is connected to the gas supply device 110 via the. The on-off valve 56 and the bypass valve 57 are connected in parallel. Further, an exhaust port 58 is provided at a tip end of the passage forming member 52. The exhaust port 58 is connected to an exhaust device 120 via a pipe 59.
【００５８】このような構成により、搬送室１内は、所
定のパージガスにより大気圧下または準大気圧下でのパ
ージが可能となっている。パージガスとしては、可燃
性、毒性および腐蝕性を有さないガスを選択し、例えば
Ｎ2 等の不活性ガスやＯ2 等の所望のガスを用いる。With such a configuration, the inside of the transfer chamber 1 can be purged under atmospheric pressure or sub-atmospheric pressure by a predetermined purge gas. The purge gas, flammable, select the toxicity and no corrosive gases, for example, a desired gas of an inert gas and O 2, etc. such as N 2.
【００５９】受け渡し部２はカセットモジュールであ
り、昇降装置２１およびカセット保持部２２からなる。
昇降装置２１はカセット保持部２２を昇降させる。カセ
ット保持部２２上には、複数の基板１００を保持するカ
セット２３が載置される。また、このカセット保持部２
２には、カセット２３および基板１００の有無を検出す
る検出器が設けられる。受け渡し部２に、ＵＬＰＡ（Ul
tra Low Penetration Air ）フィルタ等のクリーニング
ユニットを設けてもよい。The transfer unit 2 is a cassette module, and includes a lifting device 21 and a cassette holding unit 22.
The elevating device 21 elevates the cassette holding unit 22. On the cassette holding section 22, a cassette 23 holding a plurality of substrates 100 is placed. Also, the cassette holding unit 2
2, a detector for detecting the presence or absence of the cassette 23 and the substrate 100 is provided. ULPA (Ul
tra Low Penetration Air) A cleaning unit such as a filter may be provided.
【００６０】本実施例では、パージガス供給口５４がガ
スの導入部に相当し、排気口５８がガスの排出部に相当
する。In the present embodiment, the purge gas supply port 54 corresponds to a gas introduction section, and the exhaust port 58 corresponds to a gas discharge section.
【００６１】搬送室１内は、スリットバルブ５３を開い
た状態で、排気口５８から排気を行いつつ開閉バルブ５
６および配管５５を介してガス供給装置１１０により供
給されるパージガスにより大気圧下または準大気圧下で
パージされる。With the slit valve 53 opened, the inside of the transfer chamber 1 is evacuated from the exhaust port 58 while opening and closing the valve 5.
The gas is purged under atmospheric pressure or sub-atmospheric pressure by a purge gas supplied from the gas supply device 110 through the pipe 6 and the pipe 55.
【００６２】このとき、パージガス供給口５４と排気口
５８とが搬送室１の中央部に関して互いに反対側の位置
（対向する位置）に配置されているので、パージガス供
給口５４から搬送室１内に導入されたパージガスが搬送
室１内の中央部を通って排気口５８から排出される。こ
れにより、搬送室１内の全体にパージガスが効率良く行
き渡る。したがって、搬送室１内を高純度のガス雰囲気
に短時間で置換することができる。At this time, since the purge gas supply port 54 and the exhaust port 58 are arranged at positions opposite to each other (opposed positions) with respect to the center of the transfer chamber 1, the purge gas supply port 54 and the exhaust port 58 enter the transfer chamber 1 from the purge gas supply port 54. The introduced purge gas passes through the central portion in the transfer chamber 1 and is discharged from the exhaust port 58. As a result, the purge gas efficiently spreads throughout the transfer chamber 1. Therefore, the inside of the transfer chamber 1 can be replaced with a high-purity gas atmosphere in a short time.
【００６３】例えば、搬送室１内の雰囲気を１５０Ｌ／
分の流量で数十分間パージすることにより１０ｐｐｍ以
下の高純度のガス雰囲気を得ることができる。For example, the atmosphere in the transfer chamber 1 is set to 150 L /
By purging for several tens of minutes at a minute flow rate, a high-purity gas atmosphere of 10 ppm or less can be obtained.
【００６４】ガスパージ後、スリットバルプ５３が閉止
され、搬送室１内はほぼ大気圧のパージガスの雰囲気に
保たれる。これにより、外部の受け渡し部２との間での
基板の受け渡し時以外に、搬送室１内に供給するパージ
ガスの流量を減らすことができる。After the gas purging, the slit valve 53 is closed, and the inside of the transfer chamber 1 is maintained at an atmosphere of a purge gas at substantially atmospheric pressure. This makes it possible to reduce the flow rate of the purge gas supplied into the transfer chamber 1 except when transferring the substrate to and from the external transfer unit 2.
【００６５】なお、イオン注入活性化アニールやメタル
シリサイデーションのように窒素を用いるプロセスでは
搬送室１内を窒素雰囲気に保ち、酸化処理のように酸素
を用いるプロセスでは搬送室１内を酸素雰囲気に保つこ
とが好ましい。In a process using nitrogen such as ion implantation activation annealing or metal silicidation, the inside of the transfer chamber 1 is kept in a nitrogen atmosphere, and in a process using oxygen such as an oxidation treatment, the inside of the transfer chamber 1 is set in an oxygen atmosphere. Is preferably maintained.
【００６６】搬送室１と受け渡し部２との間で基板の受
け渡しを行う際には、開閉バルブ５６および配管５５を
介して搬送室１内にパージガスを供給するとともに、ス
リットバルブ５３を開き、排気口５８から排気を行うこ
とにより、搬送室１内をパージする。このとき、搬送室
１内が外部に対して陽圧になるように、バイパスバルブ
５７でパージガスの流量を調整する。これにより、搬送
室１の内部から開口部１４および通路形成部材５２内の
通路を通って外部へ向かうパージガスの流れが形成され
る。When a substrate is transferred between the transfer chamber 1 and the transfer section 2, a purge gas is supplied into the transfer chamber 1 via the open / close valve 56 and the pipe 55, and the slit valve 53 is opened to exhaust gas. By exhausting air from the port 58, the inside of the transfer chamber 1 is purged. At this time, the flow rate of the purge gas is adjusted by the bypass valve 57 so that the inside of the transfer chamber 1 has a positive pressure with respect to the outside. Thus, a flow of the purge gas from the inside of the transfer chamber 1 to the outside through the opening 14 and the passage in the passage forming member 52 is formed.
【００６７】この状態で、搬送機構１１の基板保持部１
２が通路形成部材５２内の通路を通って外部に突出し、
受け渡し部２のカセット２３に保持された基板１００を
受け取って搬送室１内に戻り、あるいは基板を保持した
基板保持部１２が通路形成部材５２内の通路を通って外
部に突出し、受け渡し部２のカセット２３に基板を格納
して搬送室１内に戻る。In this state, the substrate holding unit 1 of the transport mechanism 11
2 projects outside through the passage in the passage forming member 52,
The substrate 100 held in the cassette 23 of the transfer unit 2 is received and returned to the transfer chamber 1, or the substrate holding unit 12 holding the substrate projects outside through the passage in the passage forming member 52, and The substrates are stored in the cassette 23 and return to the transfer chamber 1.
【００６８】この場合、搬送室１の内部から通路形成部
材５２内の通路を通って外部へ向かうパージガスの流れ
により、外気が搬送室１内に侵入することが防止され
る。また、通路形成部材５２の長さにわたって外部に向
かうパージガスの流れが形成されるので、基板保持部１
２が外部から搬送室１内に戻る際に、基板の表面や基板
保持部１２の細部に存在する大気が外部に押し戻され
る。したがって、基板の受け渡し時に受け渡し部２に特
別な雰囲気制御を行う必要はない。In this case, the flow of the purge gas from the inside of the transfer chamber 1 to the outside through the passage in the passage forming member 52 prevents the outside air from entering the transfer chamber 1. Further, since the flow of the purge gas toward the outside is formed over the length of the passage forming member 52, the substrate holding portion 1 is formed.
When the substrate 2 returns to the inside of the transfer chamber 1 from the outside, the air present on the surface of the substrate and details of the substrate holding portion 12 is pushed back to the outside. Therefore, it is not necessary to perform special atmosphere control on the transfer unit 2 when transferring the substrate.
【００６９】基板の受け渡しの終了後、スリットバルブ
５３が閉止される。基板の搬送時には、搬送室１内はほ
ぼ大気圧のパージガスの雰囲気に保たれる。搬送機構１
１は、受け渡し部２から受け取った基板を１つの処理室
３内に搬送し、処理室３内で処理された基板を他の処理
室３に搬送する。すべての処理が終了した基板は、搬送
機構１１により上記の方法で受け渡し部２のカセット２
３に格納される。After the transfer of the substrate is completed, the slit valve 53 is closed. During the transfer of the substrate, the inside of the transfer chamber 1 is kept in an atmosphere of a purge gas at substantially atmospheric pressure. Transport mechanism 1
1 transports a substrate received from the transfer unit 2 into one processing chamber 3 and transports a substrate processed in the processing chamber 3 to another processing chamber 3. The substrate on which all the processing is completed is transferred to the cassette 2 of the transfer unit 2 by the transfer mechanism 11 by the above-described method.
3 is stored.
【００７０】特に、処理室３内で高温に加熱された基板
は一旦複数枚保持可能なバッファ部１５（図１参照）内
に載置され、冷却された後に他の処理部３に搬送され、
あるいは外部の受け渡し部２に搬出される。In particular, the substrate heated to a high temperature in the processing chamber 3 is once placed in a buffer unit 15 (see FIG. 1) capable of holding a plurality of substrates, cooled, and conveyed to another processing unit 3.
Alternatively, it is carried out to the external transfer unit 2.
【００７１】本実施例の基板処理装置では、搬送機構１
１により搬送室１の開口部１４を介して受け渡し部２と
の間で基板の受け渡しが行われるときに、搬送室１の内
部から通路形成部材５２を通して外部に向かうパージガ
スの流れが形成されるので、搬送室１内に外気が侵入す
ることが防止される。それにより、受け渡し部２を密閉
空間として減圧によるガス置換または不活性ガスによる
パージを行う必要がなくなる。In the substrate processing apparatus of this embodiment, the transfer mechanism 1
When a substrate is transferred between the transfer unit 1 and the transfer unit 2 through the opening 14 of the transfer chamber 1, the flow of the purge gas from the inside of the transfer chamber 1 to the outside through the passage forming member 52 is formed. Thus, outside air can be prevented from entering the transfer chamber 1. This eliminates the need to use the transfer unit 2 as a closed space to perform gas replacement by decompression or purging by inert gas.
【００７２】したがって、搬送室１と受け渡し部２との
間にガスリークが極めて少ない（シール性の高い）高価
なスリットバルブやゲートバルブを用いることなく、搬
送室１内を所望の純度のガス雰囲気に保ちながら外部と
の間で基板の受け渡しが可能となる。Therefore, the inside of the transfer chamber 1 can be set to a gas atmosphere of a desired purity without using an expensive slit valve or gate valve with very little gas leak (high sealing property) between the transfer chamber 1 and the transfer section 2. The substrate can be exchanged with the outside while maintaining the same.
【００７３】また、受け渡し部２に、ガス雰囲気の遮断
およびガス置換が可能な耐圧性の高いロードロック機構
が必要なくなる。したがって、受け渡し部２にロードロ
ック室やガスリークの極めて少ない高価なゲートバル
ブ、ガス供給系、昇降装置のガスシール機構、真空ポン
プ、これらの制御系等が不要となる。Further, the transfer unit 2 does not require a load lock mechanism having a high pressure resistance capable of shutting off the gas atmosphere and replacing the gas. Therefore, the transfer section 2 does not require a load lock chamber, an expensive gate valve with very little gas leak, a gas supply system, a gas seal mechanism of a lifting / lowering device, a vacuum pump, and a control system therefor.
【００７４】さらに、排気口５８がパージガス供給口５
４に対してほぼ反対側に配置されているので、搬送室１
内を減圧排気することなく、大気圧下または準大気圧下
で高純度のガス雰囲気に短時間で効率良く置換すること
ができる。Further, the exhaust port 58 is connected to the purge gas supply port 5.
4, the transfer chamber 1
It is possible to efficiently replace the atmosphere with a high-purity gas atmosphere under atmospheric pressure or sub-atmospheric pressure in a short time without depressurizing and exhausting the inside.
【００７５】これらの結果、基板の処理におけるスルー
プットが向上するとともに、基板の処理コストを低減し
つつ基板の搬送雰囲気を清浄に保つことが可能となる。As a result, it is possible to improve the throughput in the processing of the substrate and to keep the transfer atmosphere of the substrate clean while reducing the processing cost of the substrate.
【００７６】本実施例では、排気口５８が通路形成部材
５２の先端部に設けられているので、スリットバルブ５
３を閉じることにより搬送室１内の排気を停止すること
ができる。したがって、排気系にバルブを設けることな
く搬送室１内のガス置換を短時間で行うことができる。
また、パージガスの消費量も低減できる。In this embodiment, since the exhaust port 58 is provided at the tip of the passage forming member 52, the slit valve 5
By closing 3, the exhaust in the transfer chamber 1 can be stopped. Therefore, gas replacement in the transfer chamber 1 can be performed in a short time without providing a valve in the exhaust system.
Further, the consumption of the purge gas can be reduced.
【００７７】なお、状況に応じてバイパスバルブ５７に
よりパージガスの流量を調整することが好ましい。例え
ば、外気の侵入しやすい基板搬入出の際にはパージガス
の流量を増やし、それ以外は流量を絞ることによりパー
ジガスの消費を節約する。It is preferable to adjust the flow rate of the purge gas by the bypass valve 57 according to the situation. For example, the flow rate of the purge gas is increased at the time of loading / unloading the substrate where outside air easily enters, and the flow rate of the purge gas is reduced at other times to save the consumption of the purge gas.
【００７８】図３は通路形成部材の他の例を示す概略断
面図である。図３の例では、通路形成部材５２の上部お
よび下部にそれぞれパージガスを供給する配管６１，６
２を接続するとともに、通路形成部材５２の上面および
下面に１または複数のパージガス供給口（図示せず）を
形成し、通路形成部材５２の上面および下面から内部に
パージガスを供給する。FIG. 3 is a schematic sectional view showing another example of the passage forming member. In the example of FIG. 3, pipes 61 and 6 for supplying a purge gas to upper and lower portions of the passage forming member 52, respectively.
2, and one or more purge gas supply ports (not shown) are formed on the upper surface and the lower surface of the passage forming member 52 to supply the purge gas to the inside from the upper surface and the lower surface of the passage forming member 52.
【００７９】これにより、通路形成部材５２内の通路を
通して受け渡し部２との間で基板の受け渡しを行う場合
に、搬送機構１１の細部や、基板と搬送機構１１との間
の細部のガスも充分にパージされる。その結果、搬送室
１内への外気の引込みが十分に阻止される。Thus, when transferring the substrate to and from the transfer section 2 through the passage in the passage forming member 52, the gas in the details of the transfer mechanism 11 and the details between the substrate and the transfer mechanism 11 can be sufficiently supplied. Purged. As a result, the outside air is prevented from being drawn into the transfer chamber 1 sufficiently.
【００８０】図４は通路形成部材のさらに他の例を示す
概略断面図である。図４の例では、通路形成部材５２内
の通路に開閉自在な扉６３が配設されている。この扉６
３は、支持部材６４および１対のローラ６５により上下
方向に移動可能となっている。また、通路形成部材５２
のほぼ先端部の上面および下面にそれぞれ排気口６８が
形成されている。排気口６８は配管６９を介して排気装
置に接続される。FIG. 4 is a schematic sectional view showing still another example of the passage forming member. In the example of FIG. 4, a door 63 that can be opened and closed is provided in a passage in the passage forming member 52. This door 6
3 can be moved vertically by a support member 64 and a pair of rollers 65. In addition, the passage forming member 52
An exhaust port 68 is formed on each of the upper surface and the lower surface substantially at the distal end. The exhaust port 68 is connected to an exhaust device via a pipe 69.
【００８１】扉６３が閉じている状態で扉６３の周囲に
隙間６７が形成されている。これにより、扉６３の閉止
状態で通路形成部材５２内の通路中に開口部１４側から
外部に向かうパージガスの流れが形成される。When the door 63 is closed, a gap 67 is formed around the door 63. As a result, a flow of the purge gas from the opening 14 side to the outside is formed in the passage in the passage forming member 52 with the door 63 closed.
【００８２】図４の例では、扉６３の開閉時に扉６３が
周囲の部材と接触しないので、部材間の摩擦によるパー
ティクル（粒子）の発生が防止される。また、排気口６
８が通路形成部材５２の先端部に設けられているので、
扉６３を閉じることにより搬送室１内の排気をほぼ停止
することができる。したがって、排気系にバルブを設け
ることなく搬送室１内のガス置換を短時間で行うことが
できる。また、パージガスの消費量も低減できる。In the example of FIG. 4, since the door 63 does not come into contact with the surrounding members when the door 63 is opened and closed, generation of particles (particles) due to friction between the members is prevented. In addition, exhaust port 6
8 is provided at the distal end of the passage forming member 52,
By closing the door 63, the exhaust in the transfer chamber 1 can be almost stopped. Therefore, gas replacement in the transfer chamber 1 can be performed in a short time without providing a valve in the exhaust system. Further, the consumption of the purge gas can be reduced.
【００８３】図５は本発明の第２の実施例におけるクラ
スタ型の基板処理装置の概略断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a cluster type substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【００８４】図５の基板処理装置が図１および図２の基
板処理装置と異なるのは次の点である。配管５５とパー
ジガス供給口５４との間にガス流速低減拡散部１１０が
設けられている。また、排気口５８が搬送室１の一端部
にあるパージガス供給口５４に対して反対側の位置（対
向する位置）に設けられ、開口部１４側の他端部にある
排気口５８が配管５９を介して排気装置１２０に接続さ
れている。他の部分の構成は、図１および図２の基板処
理装置の構成と同様である。The substrate processing apparatus of FIG. 5 differs from the substrate processing apparatuses of FIGS. 1 and 2 in the following points. A gas flow reduction diffusion unit 110 is provided between the pipe 55 and the purge gas supply port 54. In addition, an exhaust port 58 is provided at a position opposite to (opposite to) the purge gas supply port 54 at one end of the transfer chamber 1, and an exhaust port 58 at the other end at the opening 14 side is connected to a pipe 59. Is connected to the exhaust device 120 via the. The configuration of other parts is the same as the configuration of the substrate processing apparatus of FIGS.
【００８５】図６はガス流速低減拡散部１１０の一例を
示す断面図である。図６のガス流速低減拡散部１１０
は、上面にガス入口１１２を有しかつ下面にガス出口１
１３を有するハウジング１１１内にＵＬＰＡ（Ultra Lo
w Penetration Air Filter）等のエアフィルタ１１４を
収納することにより構成される。ガス流速低減拡散部１
１０のガス入口１１２は配管５５に接続され、ガス出口
１１３は搬送室１のパージガス供給口５４に配置され
る。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the gas flow rate reducing diffusion section 110. The gas flow rate reducing diffusion unit 110 shown in FIG.
Has a gas inlet 112 on the upper surface and a gas outlet 1 on the lower surface.
ULPA (Ultra Lo
w Penetration Air Filter) or the like. Gas flow velocity reducing diffusion unit 1
The ten gas inlets 112 are connected to the pipe 55, and the gas outlets 113 are arranged at the purge gas supply ports 54 of the transfer chamber 1.
【００８６】このような構造により、配管５５を通して
供給されるパージガスの流速がエアフィルタ１１４によ
り低減されるとともに、その流動方向が拡散される。ま
た、パージガス中の不純物がエアフィルタ１１４により
除去され、搬送室１内に清浄なパージガスが供給され
る。With such a structure, the flow rate of the purge gas supplied through the pipe 55 is reduced by the air filter 114, and the flow direction is diffused. Further, impurities in the purge gas are removed by the air filter 114, and a clean purge gas is supplied into the transfer chamber 1.
【００８７】図７はガス流速低減拡散部１１０の他の例
を示す断面図である。図７のガス流速低減拡散部１１０
は、上面にガス入口１１２を有しかつ下面にガス出口１
１３を有するハウジング１１１内に複数のバッフル板１
１５を配置することにより構成される。ガス流速低減拡
散部１１０のガス入口１１２は配管５５に接続され、ガ
ス出口１１３は搬送室１のパージガス供給口５４に配置
される。FIG. 7 is a cross-sectional view showing another example of the gas flow rate reducing and diffusing unit 110. The gas flow rate reducing diffusion unit 110 shown in FIG.
Has a gas inlet 112 on the upper surface and a gas outlet 1 on the lower surface.
A plurality of baffle plates 1 in a housing 111 having
15 are arranged. The gas inlet 112 of the gas flow rate reducing diffusion unit 110 is connected to the pipe 55, and the gas outlet 113 is disposed at the purge gas supply port 54 of the transfer chamber 1.
【００８８】このような構造により、配管５５を通して
供給されるパージガスの流速がバッフル板１５で低減さ
れるとともに、その流動方向が拡散される。With such a structure, the flow velocity of the purge gas supplied through the pipe 55 is reduced by the baffle plate 15 and the flow direction is diffused.
【００８９】なお、図６のエアフィルタ１１４または図
７のバッフル板１１５の代わりに、金属メッシュ、多孔
質セラミックス等の他のガス流速低減拡散部材を用いて
もよい。Note that, instead of the air filter 114 in FIG. 6 or the baffle plate 115 in FIG. 7, another gas flow reducing diffusion member such as a metal mesh or porous ceramic may be used.
【００９０】図５の基板処理装置では、スリットバルブ
５３を閉じた状態で排気口５８から排気を行いつつ開閉
バルブ５６および配管５５を介してガス供給装置１１０
によりパージガスを供給することにより搬送室１内が大
気圧下または準大気圧下でパージされる。In the substrate processing apparatus shown in FIG. 5, while the slit valve 53 is closed, the gas is supplied from the gas supply device 110
By supplying a purge gas, the inside of the transfer chamber 1 is purged under atmospheric pressure or sub-atmospheric pressure.
【００９１】この場合、排気口５８がパージガス供給口
５４に対して反対側に配置されているので、パージガス
供給口５４から搬送室１内に導入されたパージガスが搬
送室１内の中央部を通って排気口５８から排出される。
それにより、搬送室１内の全体にパージガスが効率良く
行き渡る。したがって、減圧排気を行うことなく、搬送
室１内を高純度のガス雰囲気に短時間で置換することが
できる。In this case, since the exhaust port 58 is located on the opposite side of the purge gas supply port 54, the purge gas introduced into the transfer chamber 1 from the purge gas supply port 54 passes through the central portion of the transfer chamber 1. And is discharged from the exhaust port 58.
As a result, the purge gas is efficiently distributed throughout the transfer chamber 1. Therefore, the inside of the transfer chamber 1 can be replaced with a high-purity gas atmosphere in a short time without performing reduced-pressure evacuation.
【００９２】例えば、搬送室１内の雰囲気を１５０Ｌ／
分の流量で数十分間パージすることにより１０ｐｐｍ以
下の高純度のガス雰囲気を得ることができる。For example, the atmosphere in the transfer chamber 1 is set to 150 L /
By purging for several tens of minutes at a minute flow rate, a high-purity gas atmosphere of 10 ppm or less can be obtained.
【００９３】また、パージガス供給口５４にガス流速低
減拡散部１１０が設けられているので、搬送室１内に導
入されるパージガスの流速が低減されるとともにその流
動方向が拡散される。それにより、パージガスが搬送室
１内の一部の領域に集中せずに搬送室１内の全体に効率
良く行き渡り、搬送室１内を高純度のガス雰囲気により
短時間で置換することが可能となる。Further, since the gas flow rate reducing diffusion section 110 is provided at the purge gas supply port 54, the flow rate of the purge gas introduced into the transfer chamber 1 is reduced and the flow direction thereof is diffused. Accordingly, the purge gas can efficiently spread throughout the entirety of the transfer chamber 1 without concentrating on a part of the area within the transfer chamber 1, and the inside of the transfer chamber 1 can be replaced with a high-purity gas atmosphere in a short time. Become.
【００９４】なお、第１の実施例の基板処理装置におい
ても、第２の実施例の基板処理装置と同様に、配管５５
とパージガス供給口５４との間にガス流速低減拡散部１
１０を設けてもよい。In the substrate processing apparatus of the first embodiment, as in the substrate processing apparatus of the second embodiment, the piping 55
Between the gas flow rate reducing diffusion section 1 and the purge gas supply port 54
10 may be provided.
【００９５】また、第１および第２の実施例の基板処理
装置において、搬送室１内をパージガスで置換する際に
パージガスを開口部１４を通して外部に排出する場合に
は、搬送室１または通路形成部材５２に排気口５８を設
けなくてもよい。In the substrate processing apparatus of the first and second embodiments, when the purge gas is discharged to the outside through the opening 14 when the inside of the transfer chamber 1 is replaced with the purge gas, the transfer chamber 1 or the passage forming passage is formed. The exhaust port 58 need not be provided in the member 52.
【００９６】この場合にも、開口部１４がパージガス供
給口５４に対して反対側に配置されているので、パージ
ガス供給口５４から搬送室１内に導入されたパージガス
が搬送室１内の中央部を通って開口部１４から排出され
る。これにより、パージガスが搬送室１内の全体に効率
良く行き渡るため、搬送室１内を大気圧下または準大気
圧下で高純度のガス雰囲気に短時間で置換することがで
きる。この場合、開口部１４がガスの排出部に相当す
る。Also in this case, since the opening 14 is arranged on the opposite side to the purge gas supply port 54, the purge gas introduced into the transfer chamber 1 from the purge gas supply port 54 Through the opening 14. As a result, the purge gas efficiently spreads throughout the transfer chamber 1, so that the inside of the transfer chamber 1 can be replaced with a high-purity gas atmosphere at atmospheric pressure or subatmospheric pressure in a short time. In this case, the opening 14 corresponds to a gas discharge unit.
【００９７】なお、上記第１および第２の実施例では、
搬送室１内に隣接して基板を一時的に保持するバッファ
部１５を設けているが、バッファ部１５の代わりに基板
の中心を合わせる中心合わせ機構またはオリエンテーシ
ョンフラット（直線状切欠き）やノッチ（円弧状切欠
き）等の切欠き部の方向を合わせる結晶方位合わせ機構
を設けてもよく、バッファ部１５に加えて中心合わせ機
構または結晶方位合わせ機構を設けてもよい。In the first and second embodiments,
A buffer section 15 for temporarily holding a substrate is provided adjacent to the inside of the transfer chamber 1, but instead of the buffer section 15, a centering mechanism for aligning the center of the substrate, an orientation flat (straight cutout) or a notch ( A crystal orientation adjusting mechanism for adjusting the direction of a notch such as an arc-shaped notch may be provided, and a center alignment mechanism or a crystal orientation adjusting mechanism may be provided in addition to the buffer unit 15.
【００９８】また、スリットバルブ５３の弁体収納部に
パージガスを排気する排気口を設けてもよい。それによ
り、搬送室１内に袋状部分がなくなり、ガス置換を短時
間で行うことが可能となる。Further, an exhaust port for exhausting purge gas may be provided in the valve body accommodating portion of the slit valve 53. As a result, there is no bag-like portion in the transfer chamber 1, and gas replacement can be performed in a short time.
【００９９】また、搬送室１を耐圧容器により構成し、
搬送室１に真空排気系を設けることにより、搬送室１内
を減圧によるガス置換可能としてもよい。The transfer chamber 1 is constituted by a pressure-resistant container,
By providing a vacuum evacuation system in the transfer chamber 1, the inside of the transfer chamber 1 may be replaced with a gas by decompression.
【０１００】また、搬送室１に排気系を設けてもよい。
この場合には、排気系にバルブを設け、搬送室１を外部
と連通させたときにバルブにより搬送室１内の排気を閉
止してもよい。The transfer chamber 1 may be provided with an exhaust system.
In this case, a valve may be provided in the exhaust system, and the exhaust in the transfer chamber 1 may be closed by the valve when the transfer chamber 1 is communicated with the outside.
【０１０１】さらに、スリットバルブ５３を通路形成部
材５２の先端部に設けてもよい。この場合、排気系にバ
ルブを設け、搬送室１を外部と連通させたときにバルブ
により搬送室１内の排気を閉止してもよい。Further, a slit valve 53 may be provided at the tip of the passage forming member 52. In this case, a valve may be provided in the exhaust system, and when the transfer chamber 1 is communicated with the outside, the exhaust in the transfer chamber 1 may be closed by the valve.
【０１０２】上記第１および第２の実施例では、受け渡
し部２がカセットを保持するカセットモジュールである
場合を説明したが、受け渡し部２が基板を保持する基板
インタフェースモジュールであってもよい。この場合、
基板インタフェースモジュールは、基板の保持機構およ
び基板の検出器により構成される。In the first and second embodiments, the case where the transfer unit 2 is a cassette module for holding a cassette has been described. However, the transfer unit 2 may be a board interface module for holding a board. in this case,
The board interface module includes a board holding mechanism and a board detector.
【０１０３】また、搬送機構１１の構成は上記第１およ
び第２の実施例の構成に限定されず、例えば、複数のア
ーム部材を関節機構により折り畳み自在に連結してなる
搬送機構を用いてもよい。The structure of the transfer mechanism 11 is not limited to the structures of the first and second embodiments. For example, a transfer mechanism in which a plurality of arm members are foldably connected by an articulation mechanism may be used. Good.
【０１０４】本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用
基板に加熱を伴う処理を行う基板処理装置、ＲＴＰ（急
速枚葉熱処理）装置、ＲＴＣＶＤ装置、バッチ炉、ベー
クオーブン等の１つ以上の処理室を有する基板処理装
置、またはこれらの処理室と洗浄装置、ＰＶＤ（物理的
気相成長）装置等の処理室を有しかつ連続的な処理を可
能とするクラスタ型の基板処理装置等の種々の基板処理
装置に適用することができる。The present invention relates to at least one processing apparatus such as a substrate processing apparatus for performing processing involving heating on a substrate for a semiconductor wafer or a liquid crystal display device, an RTP (rapid single-wafer heat treatment) apparatus, an RTCVD apparatus, a batch furnace, or a bake oven. Such as a cluster type substrate processing apparatus having a processing chamber such as a substrate processing apparatus, a processing apparatus such as a cleaning apparatus, a PVD (Physical Vapor Deposition) apparatus, and capable of continuous processing. Can be applied to the substrate processing apparatus.
【図１】本発明の第１の実施例における基板処理装置の
平面図である。FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の基板処理装置の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of the substrate processing apparatus of FIG.
【図３】通路形成部材の他の例を示す概略断面図であ
る。FIG. 3 is a schematic sectional view showing another example of the passage forming member.
【図４】通路形成部材のさらに他の例を示す概略断面図
である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing still another example of the passage forming member.
【図５】本発明の第２の実施例における基板処理装置の
平面図である。FIG. 5 is a plan view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図６】ガス流速低減拡散部の一例を示す断面図であ
る。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of a gas flow rate reducing diffusion unit.
【図７】ガス流速低減拡散部の他の例を示す断面図であ
る。FIG. 7 is a cross-sectional view showing another example of the gas flow rate reducing diffusion unit.
【図８】従来のクラスタ型の基板処理装置の一例を示す
平面図である。FIG. 8 is a plan view showing an example of a conventional cluster type substrate processing apparatus.
【図９】図８の基板処理装置の概略断面図である。FIG. 9 is a schematic sectional view of the substrate processing apparatus of FIG.
１ 搬送室 ２ 受け渡し部 ３ 処理室 １１ 搬送機構 １３，１４ 開口部 ２３ カセット ５１，５３ スリットバルブ ５２ 通路形成部材 ５４ パージガス供給口 ５５，５９，６１，６２ 配管 ５６ 開閉バルブ ５７ バイパスバルブ ５８，６８ 排気口 ６３ 扉 １１０ ガス流速低減拡散部 REFERENCE SIGNS LIST 1 transfer chamber 2 transfer section 3 processing chamber 11 transfer mechanism 13, 14 opening 23 cassette 51, 53 slit valve 52 passage forming member 54 purge gas supply port 55, 59, 61, 62 pipe 56 opening / closing valve 57 bypass valve 58, 68 exhaust Mouth 63 Door 110 Gas flow velocity reducing diffusion part
Claims (14)
開口部を介して外部との間で基板の受け渡しを行う搬送
手段と、 前記搬送室内に所定の気体を供給するとともに、前記搬
送手段により前記開口部を介して基板の受け渡しが行わ
れるときに前記搬送室の内部から前記開口部を通して外
部に向かう気体の流れを形成する気体供給手段とを備え
たことを特徴とする基板搬送装置。1. A substrate transfer apparatus for transferring a substrate, comprising: a transfer chamber having an opening; and a transfer chamber disposed in the transfer chamber for transferring the substrate and transferring the substrate to and from the outside through the opening. A transfer means for supplying a predetermined gas into the transfer chamber, and a gas flowing from the inside of the transfer chamber to the outside through the opening when the transfer of the substrate is performed through the opening by the transfer means. And a gas supply unit for forming a flow of the substrate.
り前記開口部を介して基板の受け渡しが行われるときに
前記搬送室内を外部に対して陽圧にすることを特徴とす
る請求項１記載の基板搬送装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the gas supply unit applies a positive pressure to the outside of the transfer chamber when the transfer of the substrate through the opening by the transfer unit is performed. Substrate transfer equipment.
記搬送室内を外部と遮断する開閉自在な開閉部材をさら
に備えたことを特徴とする請求項１または２記載の基板
搬送装置。3. The substrate transfer apparatus according to claim 1, further comprising an openable and closable member provided at the opening of the transfer chamber to shut off the transfer chamber from the outside.
る通路を形成する通路形成部材をさらに備えたことを特
徴とする請求項１または２記載の基板搬送装置。4. The substrate transfer device according to claim 1, further comprising a passage forming member that forms a passage extending from the opening of the transfer chamber to the outside.
室の内部と外部を遮断する開閉自在な開閉部材をさらに
備えたことを特徴とする請求項４記載の基板搬送装置。5. The substrate transfer device according to claim 4, further comprising an openable and closable member provided in said passage forming member to shut off the inside and outside of said transfer chamber.
基板の受け渡しが行われるときに前記通路形成部材によ
り形成される通路中に外部に向かう気体の流れが形成さ
れるように排気を行う排気部をさらに備えたことを特徴
とする請求項４または５記載の基板搬送装置。6. An exhaust system that exhausts gas so that a flow of gas toward the outside is formed in a passage formed by the passage forming member when a transfer of the substrate is performed through the opening by the transfer unit. The substrate transfer device according to claim 4, further comprising a unit.
側の位置に気体の導入部および気体の排出部が設けられ
たことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基
板搬送装置。7. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein a gas introduction part and a gas discharge part are provided at positions opposite to each other with respect to a center part of the transfer chamber. .
の位置に気体の導入部が設けられたことを特徴とする請
求項１〜６のいずれかに記載の基板搬送装置。8. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein a gas introduction portion is provided at a position opposite to the opening of the transfer chamber.
の位置に気体の導入部が設けられ、前記通路形成部材に
気体の排出部が設けられたことを特徴とする請求項６記
載の基板搬送装置。9. A gas introduction part is provided at a position opposite to the opening of the transfer chamber, and a gas discharge part is provided at the passage forming member. Substrate transfer equipment.
て、 開口部を有する搬送室と、 前記搬送室内に配置され、基板を搬送するとともに前記
開口部を介して外部との間で基板の受け渡しを行う搬送
手段とを備え、 前記搬送室の中央部に関して互いに反対側の位置に気体
の導入部および気体の排出部が設けられたことを特徴と
する基板搬送装置。10. A substrate transfer apparatus for transferring a substrate, comprising: a transfer chamber having an opening; and a transfer chamber disposed in the transfer chamber for transferring the substrate and transferring the substrate to and from the outside through the opening. And a transfer means for performing the following steps: a gas introduction part and a gas discharge part are provided at positions opposite to each other with respect to the center of the transfer chamber.
させて気体を拡散させる流速低減拡散手段が設けられた
ことを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載の基
板搬送装置。11. The substrate transfer apparatus according to claim 7, wherein a flow velocity reducing / diffusing means for reducing the flow velocity of the gas and diffusing the gas is provided at the gas introduction part.
の受け渡しを行う受け渡し部および基板を搬送する基板
搬送装置を備え、 前記基板搬送装置は、 前記処理室に接続される開閉自在な第１の開口部および
前記受け渡し部側に設けられた第２の開口部を有する搬
送室と、 前記搬送室内に配置され、基板を搬送するとともに、前
記第１の開口部を介して前記処理室に対して基板の搬入
および搬出を行い、前記第２の開口部を介して前記受け
渡し部との間で基板の受け渡しを行う搬送手段と、 前記搬送室内に所定の気体を供給するとともに、前記搬
送手段により前記第２の開口部を介して前記受け渡し部
との間で基板の受け渡しが行われるときに前記搬送室の
内部から前記開口部を通して外部に向かう気体の流れを
形成する気体供給手段とを含み、 前記受け渡し部は、１または複数の基板を保持する基板
保持手段を含むことを特徴とする基板処理装置。12. A processing chamber for performing a predetermined process on a substrate, a transfer unit for transferring the substrate, and a substrate transfer device for transferring the substrate, wherein the substrate transfer device is connected to the processing chamber and is openable and closable. A transfer chamber having a first opening and a second opening provided on the side of the transfer section; and a transfer chamber disposed in the transfer chamber for transferring a substrate and passing through the first opening to the processing chamber. Transport means for loading and unloading substrates to and from the transfer unit via the second opening, and supplying a predetermined gas into the transfer chamber; Gas transfer means for forming a gas flow from the inside of the transfer chamber to the outside through the opening when the substrate is transferred to and from the transfer unit through the second opening. Seen, the delivery unit, a substrate processing apparatus which comprises a substrate holding means for holding one or more substrates.
するとともに前記開口部を介して外部との間で基板の受
け渡しを行う基板搬送方法において、前記搬送室内に所
定の気体を供給するとともに前記搬送室の一端部から他
端部方向に向かう気体の流れを形成することを特徴とす
る基板搬送方法。13. A substrate transfer method for transferring a substrate in a transfer chamber having an opening and transferring the substrate to and from the outside through the opening, wherein a predetermined gas is supplied to the transfer chamber. A substrate transfer method, comprising: forming a gas flow from one end of a transfer chamber toward the other end.
するとともに前記開口部を介して外部との間で基板の受
け渡しを行う基板搬送方法において、前記搬送室の前記
開口部を介して基板の受け渡しを行うときに、前記搬送
室内に所定の気体を供給するとともに前記搬送室の内部
から前記開口部を通して外部に向かう気体の流れを形成
することを特徴とする基板搬送方法。14. A substrate transfer method for transferring a substrate in a transfer chamber having an opening and transferring the substrate to and from the outside through the opening, wherein the substrate is transferred through the opening in the transfer chamber. A method of transferring a substrate, comprising: supplying a predetermined gas into the transfer chamber and forming a gas flow from the inside of the transfer chamber to the outside through the opening when performing the transfer.
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|---|---|---|---|
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| JP98097A Expired - Fee Related JP3589823B2 (en) | 1996-12-06 | 1997-01-07 | Substrate transfer device, substrate processing device, and substrate transfer method |
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