KR101332109B1 - Power generating circuit and switching circuit having the same - Google Patents

Power generating circuit and switching circuit having the same Download PDF

Info

Publication number
KR101332109B1
KR101332109B1 KR1020120120340A KR20120120340A KR101332109B1 KR 101332109 B1 KR101332109 B1 KR 101332109B1 KR 1020120120340 A KR1020120120340 A KR 1020120120340A KR 20120120340 A KR20120120340 A KR 20120120340A KR 101332109 B1 KR101332109 B1 KR 101332109B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
control signal
transistor
output
generation circuit
power generation
Prior art date
Application number
KR1020120120340A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120139623A (en
Inventor
박성환
김유신
윤선우
백동현
Original Assignee
한국과학기술원
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원, 삼성전기주식회사 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020120120340A priority Critical patent/KR101332109B1/en
Publication of KR20120139623A publication Critical patent/KR20120139623A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101332109B1 publication Critical patent/KR101332109B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/165Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/166Soft switching
    • H03K17/167Soft switching using parallel switching arrangements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0036Means reducing energy consumption

Abstract

본 발명은 전원발생회로 및 전원발생회로가 구비된 스위칭회로에 관한 것으로, 제2제어신호가 제어단자에 인가되고, 제1제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제1트랜지스터; 상기 제1제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제2제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제2트랜지스터; 상기 제어신호 중 어느 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 접지되는 제3트랜지스터; 및 상기 제어신호 중 다른 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 상기 제3모스트랜지스터의 타단과 연결되며, 타단은 출력단자와 연결되는 제4모스트랜지스터;를 포함할 수 있다.The present invention relates to a power supply circuit and a switching circuit having a power supply circuit, wherein a second control signal is applied to the control terminal, a first control signal is applied to one end, and the first transistor is connected to the output terminal. ; A second transistor to which the first control signal is applied to a control terminal, the second control signal is applied to one end, and the other end thereof is connected to an output terminal; A third transistor in which any one of the control signals is applied to a control terminal and one end of which is grounded; And a fourth MOS transistor, the other one of the control signals being applied to a control terminal, one end of which is connected to the other end of the third MOS transistor, and the other end of which is connected to the output terminal.

Description

전원발생회로 및 전원발생회로가 구비된 스위칭회로{POWER GENERATING CIRCUIT AND SWITCHING CIRCUIT HAVING THE SAME}Switching circuit with power generation circuit and power generation circuit {POWER GENERATING CIRCUIT AND SWITCHING CIRCUIT HAVING THE SAME}

본 발명은 전원발생회로 및 전원발생회로가 구비된 스위칭회로에 관한 것이다.The present invention relates to a power supply circuit and a switching circuit provided with a power generator circuit.

최근 전자전기 분야에서는 전자기기의 소형화 및 전력소모 감소를 통한 배터리 지속시간 연장 등이 화두가 되고 있다.Recently, in the field of electronics and electronics, the miniaturization of electronic devices and the reduction of power consumption extend the battery duration.

한편, 전력소모량이 비교적 작은 부품들의 경우에도, 외부에서 별도의 전원을 공급받아야 했기 때문에 긴밀하게 연관된 각종 부품들과 온칩(ON-CHIP)화 하기가 어려웠고, 외부전원을 공급받기 위한 별도의 핀이 구비되어야 하므로 소형화에 한계가 있었다.On the other hand, even in the case of parts with relatively low power consumption, since it was necessary to receive a separate power source from the outside, it was difficult to make it on-chip with various closely related parts, and a separate pin for receiving an external power source Since it must be provided, there was a limit to downsizing.

도 1은 종래기술에 따른 스위칭회로의 구성을 개략적으로 예시한 도면이다.1 is a view schematically illustrating a configuration of a switching circuit according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래의 스위칭회로는 칩셋(chipset) 등의 제어부로부터 제어신호를 인가받는 파워앰프(PA)와 스위치부(Switch)가 동일한 전원소스(Vs)로 부터 전원을 공급받아 작동되었다.Referring to FIG. 1, the conventional switching circuit operates by receiving power from the same power source Vs as the power amplifier PA and the switch unit receiving a control signal from a controller such as a chipset. .

그러나, 도 1에서 예시한 바와 같이 파워앰프와 스위치부가 동일한 전원소스(Vs)로 부터 전원을 공급받는 경우, 파워앰프의 노이즈와 스위치부의 노이즈 사이에서 상호 간섭현상이 발생하되며, 이러한 상호 간섭현상은 각종 소자의 성능열화를 초래할 수 있다는 문제가 있었다.However, as illustrated in FIG. 1, when the power amplifier and the switch unit are supplied with power from the same power source Vs, mutual interference occurs between the noise of the power amplifier and the noise of the switch unit. There has been a problem that performance degradation of various devices can be caused.

또한, 외부전원에 의하여 스위치부가 작동되는 경우에는, 스위치부로 인가되는 제어신호의 온/오프 또는 하이/로우 여부에 무관하게 지속적인 전원이 공급되므로 불필요한 전력소모가 발생한다는 문제가 있었다.
In addition, when the switch unit is operated by an external power source, there is a problem that unnecessary power consumption occurs because continuous power is supplied regardless of whether the control signal applied to the switch unit is on / off or high / low.

상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 창안된 본 발명은, 제어신호를 인가받아 전원을 발생하는 전원발생회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention devised to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a power generation circuit for generating a power by receiving a control signal.

또한, 본 발명은 상기 전원발생회로가 구비된 스위칭회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
In addition, an object of the present invention is to provide a switching circuit with the power generating circuit.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명의 일실시예에 따른 전원발생회로는, 칩셋에서 출력되는 복수의 제어신호 중 선택되며, 각각 개별적으로 전압레벨이 결정되는 제1제어신호 및 제2제어신호를 인가 받는 전원발생회로에 있어서, 제2제어신호가 제어단자에 인가되고, 제1제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제1트랜지스터; 상기 제1제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제2제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제2트랜지스터; 상기 제어신호 중 어느 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 접지되는 제3트랜지스터; 및 상기 제어신호 중 다른 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 상기 제3트랜지스터의 타단과 연결되며, 타단은 출력단자와 연결되는 제4트랜지스터;를 포함할 수 있다.The power generation circuit according to an embodiment of the present invention, which is designed to achieve the above object, is selected from a plurality of control signals output from a chipset, and a first control signal and a second voltage level are respectively determined. A power generation circuit receiving a control signal, comprising: a first transistor having a second control signal applied to a control terminal, a first control signal applied to one end, and the other end connected to an output terminal; A second transistor to which the first control signal is applied to a control terminal, the second control signal is applied to one end, and the other end thereof is connected to an output terminal; A third transistor in which any one of the control signals is applied to a control terminal and one end of which is grounded; And a fourth transistor having another control signal of the control signal applied to the control terminal, one end of which is connected to the other end of the third transistor, and the other end of which is connected to the output terminal.

이때, 상기 제1제어신호 또는 제2제어신호가 온 신호인 경우에 상기 출력단자로 전원전압이 출력될 수 있다.In this case, when the first control signal or the second control signal is an on signal, a power supply voltage may be output to the output terminal.

또한, 상기 제1제어신호 또는 제2제어신호가 온 신호인 경우에만 상기 출력단자로 전원전압이 출력되고, 상기 제1제어신호 및 제2제어신호가 오프 신호인 경우에는 상기 출력단자로 0전압이 출력될 수 있다.In addition, a power supply voltage is output to the output terminal only when the first control signal or the second control signal is an on signal, and zero voltage is output to the output terminal when the first control signal and the second control signal are off signals. Can be output.

또한, 상기 제1트랜지스터, 제2트랜지스터, 제3트랜지스터 및 제4트랜지스터는 P형 모스트랜지스터일 수 있다.In addition, the first transistor, the second transistor, the third transistor and the fourth transistor may be a P-type MOS transistor.

한편, 본 발명의 일실시예에 따른 전원발생회로가 구비된 스위칭회로는, 전술한 전원발생회로; 제어신호에 따라 온/오프되는 스위치부; 및 제어신호를 인가받는 파워앰프;를 포함할 수 있다.On the other hand, the switching circuit with a power generation circuit according to an embodiment of the present invention, the power generation circuit described above; A switch unit turned on / off according to a control signal; And a power amplifier receiving a control signal.

이때, 상기 파워앰프에 전원을 공급하는 전원부;를 더 포함할 수 있다.At this time, the power supply for supplying power to the power amplifier; may further include.

또한, 상기 파워앰프에 전원을 공급하는 전원부;를 더 포함하며, 상기 스위치부는 상기 전원발생회로에서 발생되는 전원을 공급받는 것일 수 있다.
The apparatus may further include a power supply unit supplying power to the power amplifier, wherein the switch unit may receive power generated from the power generation circuit.

상기와 같이 구성된 본 발명의 전원발생회로는 제어신호만으로 전원을 발생시킬 수 있으므로 각종 전자기기의 소형화가 가능하다는 유용한 효과를 제공한다.Since the power generation circuit of the present invention configured as described above can generate power only by a control signal, it provides a useful effect of miniaturization of various electronic devices.

또한, 온 또는 하이에 해당하는 제어신호가 인가될 경우에만 전원이 발생되므로, 종래와 같이 외부전원이 지속적으로 공급되는 경우에 비하여 전력소모가 감소될 수 있다.In addition, since power is generated only when a control signal corresponding to on or high is applied, power consumption may be reduced as compared with the case where the external power is continuously supplied as in the related art.

또한, 본 발명의 전원발생회로가 구비된 스위칭회로 역시 종전보다 소형화 될 수 있으며, 파워앰프와 스위치를 온-칩화 할 경우에도 파워앰프의 노이즈와 스위치부의 노이즈 사이에 발생되는 상호 간섭현상이 최소화되므로 각종 소자의 성능열화를 최소화할 수 있다.
In addition, the switching circuit with the power generation circuit of the present invention can also be miniaturized than before, and even when the power amplifier and the switch on-chip, the mutual interference between the noise of the power amplifier and the noise of the switch is minimized. Performance degradation of various devices can be minimized.

도 1은 종래기술에 따른 스위칭회로의 구성을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 스위칭회로를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 전원발생회로를 개략적으로 예시한 회로도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 전원발생회로를 개략적으로 예시한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 전원발생회로를 개략적으로 예시한 회로도이다.
도 6은 도 4의 변형예를 개략적으로 예시한 회로도이다.
도 7은 도 6에 따른 전원발생회로 입출력단의 신호를 보인 도면이다.
도 8은 도 4에 따른 전원발생회로 입출력단의 신호를 보인 도면이다.
1 is a view schematically illustrating a configuration of a switching circuit according to the prior art.
2 is a view schematically illustrating a switching circuit according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram schematically illustrating a power generation circuit according to a first embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram schematically illustrating a power generation circuit according to a second embodiment of the present invention.
5 is a circuit diagram schematically illustrating a power generation circuit according to a third embodiment of the present invention.
6 is a circuit diagram schematically illustrating a modification of FIG. 4.
7 is a view illustrating a signal of a power generation circuit input and output terminal according to FIG. 6.
8 is a view illustrating a signal of a power generation circuit input and output terminal according to FIG. 4.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.The advantages and features of the present invention and the techniques for achieving them will be apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. The present embodiments are provided so that the disclosure of the present invention is not only limited thereto, but also may enable others skilled in the art to fully understand the scope of the invention. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
The terms used herein are intended to illustrate the embodiments and are not intended to limit the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is to be understood that the terms 'comprise', and / or 'comprising' as used herein may be used to refer to the presence or absence of one or more other components, steps, operations, and / Or additions.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 스위칭회로를 개략적으로 예시한 도면이다.2 is a view schematically illustrating a switching circuit according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 스위칭회로(100)는, 파워앰프(110), 스위치부(120) 및 전원발생회로(130)를 포함할 수 있다.2, the switching circuit 100 according to an embodiment of the present invention may include a power amplifier 110, a switch unit 120, and a power generation circuit 130.

상기 전원발생회로(130)는 각종 칩셋(chipset)으로 구현될 수 있는 제어부(140)에서 생성된 제어신호를 인가받아 상기 스위치부(120)에 공급되는 전원전압(VDD)을 생성하는 기능을 수행할 수 있다.The power generation circuit 130 receives a control signal generated from the controller 140, which may be implemented by various chipsets, and generates a power voltage VDD supplied to the switch unit 120. can do.

또한, 상기 파워앰프(110)는 별도의 외부 전원소스(Vs)로부터 전원을 공급받고, 상기 스위치부(120)는 상기 전원발생회로(130)로부터 전원을 공급받을 수 있다.In addition, the power amplifier 110 may receive power from a separate external power source (Vs), and the switch unit 120 may receive power from the power generation circuit 130.

이에따라, 상기 스위치부(120)는 별도의 외부 전원 없이도 상기 전원발생회로(130)에서 발생되는 전원을 인가받아 구동될 수 있으므로 스위칭회로(100) 전체의 사이즈가 감소될 수 있다.Accordingly, since the switch unit 120 may be driven by receiving power generated from the power generation circuit 130 without a separate external power source, the size of the entire switching circuit 100 may be reduced.

또한, 상기 파워앰프(110)와 상기 스위치부(120)가 별개의 전원에 의하여 구동되므로 파워앰프(110)의 노이즈와 스위치부(120)의 노이즈가 간섭되는 현상이 최소화 될 수 있으며, 스위칭회로의 신뢰성이 향상될 수 있다.
In addition, since the power amplifier 110 and the switch unit 120 are driven by separate power sources, the interference of the noise of the power amplifier 110 and the noise of the switch unit 120 may be minimized. The reliability of can be improved.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 전원발생회로(130)를 예시한 도면이다.3 is a diagram illustrating a power generation circuit 130 according to a first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 전원발생회로는, 두 개의 트랜지스터, 접지트랜지스터, 연결트랜지스터 및 출력단자를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the power generation circuit according to the first embodiment of the present invention may include two transistors, a ground transistor, a connection transistor, and an output terminal.

상기 두 개의 트랜지스터는 각각 제어단자와 두 개의 단자를 포함할 수 있는데, 상기 제어단자와 나머지 단자 중 한 개의 단자에는 서로 다른 제어신호가 인가될 수 있다.Each of the two transistors may include a control terminal and two terminals, and different control signals may be applied to one of the control terminal and the other terminal.

상기 트랜지스터에는 두 개의 제어신호 중 어느 한 개의 제어신호가 일단에 인가되고, 다른 한 개의 제어신호는 제어단자에 인가되며 타단은 출력단자와 연결될 수 있다.One of the two control signals is applied to the transistor at one end, the other control signal is applied to the control terminal, and the other end may be connected to the output terminal.

상기 접지트랜지스터의 제어단자에는 상기 제어신호 중 어느 한 개가 인가되고, 일단은 접지된다.One of the control signals is applied to the control terminal of the ground transistor, and one end is grounded.

상기 연결트랜지스터의 제어단자에는 상기 제어신호 중 다른 한 개의 제어신호가 인가되고, 일단은 상기 접지트랜지스터의 타단과 연결되며, 타단은 출력단자와 연결될 수 있다.
The other control signal of the control signal is applied to the control terminal of the connection transistor, one end of which is connected to the other end of the ground transistor, and the other end thereof may be connected to the output terminal.

한편, 상기 두 개의 트랜지스터, 접지트랜지스터 및 연결트랜지스터는 모스트랜지스터로 구현될 수 있다.Meanwhile, the two transistors, the ground transistor, and the connection transistor may be implemented as a MOS transistor.

이때, 상기 모스트랜지스터들은 P형 모스트랜지스터일 수 있다.
In this case, the MOS transistors may be P-type MOS transistors.

도 3에서 상기 두 개의 트랜지스터는 M1, M2로 볼 수 있으며, 상기 접지트랜지스터는 M3, 상기 연결트랜지스터는 M4로 볼 수 있다.
In FIG. 3, the two transistors may be referred to as M1 and M2, the ground transistor may be referred to as M3, and the connection transistor may be referred to as M4.

한편, 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 전원발생회로(130)는 제1모스트랜지스터(M1) 내지 제4모스트랜지스터(M4)를 포함할 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 3, the power generation circuit 130 according to the first embodiment of the present invention may include first to fourth MOS transistors M1 to M4.

상기 제1모스트랜지스터(M1)는 게이트에 제2제어신호가 인가되고, 소스에 제1제어신호가 인가되며, 드레인이 출력단자에 연결되는 것이고, 상기 제2모스트랜지스터(M2)는 게이트에 제1제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제2제어신호가 인가되며, 드레인이 출력단자에 연결되는 것일 수 있다.The first MOS transistor M1 has a second control signal applied to a gate, a first control signal is applied to a source, a drain is connected to an output terminal, and the second MOS transistor M2 has a gate applied to a gate. The first control signal may be applied, the second control signal may be applied to a source, and the drain may be connected to the output terminal.

또한, 상기 제3모스트랜지스터(M3)는 상기 제2제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 접지되는 것일 수 있으며, 상기 제4모스트랜지스터(M4)는 상기 제1제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 상기 제3모스트랜지스터(M3)의 드레인에 연결되며, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In addition, the third MOS transistor M3 may have the second control signal applied to a gate, and the source may be grounded. The fourth MOS transistor M4 may have the first control signal applied to the gate. The source may be connected to the drain of the third MOS transistor M3, and the drain may be connected to the output terminal.

이때, 도시하지는 않았지만, 상기 제3모스트랜지스터(M3)의 게이트에 제1제어신호가 인가되고, 상기 제4모스트랜지스터(M4)의 게이트에 제2제어신호가 인가될 수도 있다.In this case, although not illustrated, a first control signal may be applied to the gate of the third MOS transistor M3 and a second control signal may be applied to the gate of the fourth MOS transistor M4.

또한, 상기 제1제어신호 또는 제2제어신호가 온 신호인 경우에 상기 출력단자로 전원전압이 출력될 수 있다.In addition, when the first control signal or the second control signal is an on signal, a power supply voltage may be output to the output terminal.

또한, 상기 제1제어신호 또는 제2제어신호가 온 신호인 경우에만 상기 출력단자로 전원전압이 출력되고, 상기 제1제어신호 및 제2제어신호가 오프 신호인 경우에는 상기 출력단자로 0전압이 출력될 수 있다.In addition, a power supply voltage is output to the output terminal only when the first control signal or the second control signal is an on signal, and zero voltage is output to the output terminal when the first control signal and the second control signal are off signals. Can be output.

또한, 상기 제1트랜지스터, 제2트랜지스터, 제3트랜지스터 및 제4트랜지스터는 P형 모스트랜지스터일 수 있다.In addition, the first transistor, the second transistor, the third transistor and the fourth transistor may be a P-type MOS transistor.

Vc1Vc1 Vc2Vc2 OUTOUT HH LL HH LL HH HH LL LL 00

상기 표1에서 예시한 바와 같이 제1제어신호(Vc1), 제2제어신호(Vc2)가 H 또는 L일 수 있는데, 각각의 경우에 본 발명의 제1실시예에 따른 전원발생회로(130)에서 전원전압이 발생하는 원리에 대하여 이하에서 설명하도록 한다.As illustrated in Table 1, the first control signal Vc1 and the second control signal Vc2 may be H or L. In each case, the power generation circuit 130 according to the first embodiment of the present invention. The principle of generating a power supply voltage will be described below.

먼저, 도 3을 참조하면, Vc1이 H이고, Vc2가 L인 경우, 제1모스트랜지스터(M1)가 온 상태가 될 수 있으며 출력단자(OUT)로 H가 출력될 수 있다.First, referring to FIG. 3, when Vc1 is H and Vc2 is L, the first MOS transistor M1 may be turned on and H may be output to the output terminal OUT.

또한, Vc1이 L이고, Vc2가 H인 경우, 제2모스트랜지스터(M2)가 온 상태가 될 수 있으며, 출력단자(OUT)로 H가 출력될 수 있다.In addition, when Vc1 is L and Vc2 is H, the second MOS transistor M2 may be turned on and H may be output to the output terminal OUT.

그러나, Vc1, Vc2가 모두 L인 경우에는 제1모스트랜지스터(M1)와 제2모스트랜지스터(M2)가 모두 오프 상태가 되며, 출력단자(OUT)로 L이 출력되는 것이다.However, when both Vc1 and Vc2 are L, both the first and second MOS transistors M1 and M2 are turned off, and L is output to the output terminal OUT.

한편, Vc1, Vc2가 L, L인 경우에는 제3모스트랜지스터(M3)와 제4모스트랜지스터(M4)가 도통되어 출력단자가 접지되며, Vc1, Vc2 중 어느 한 개라도 H가 되면 출력단자는 접지되지 않는다.On the other hand, when Vc1 and Vc2 are L and L, the third MOS transistor M3 and the fourth MOS transistor M4 are turned on, and the output terminal is grounded. When any one of Vc1 and Vc2 becomes H, the output terminal is not grounded. Do not.

따라서, 출력단자는 H를 출력하거나, 접지되어 0전압을 출력할 수 있다.Therefore, the output terminal may output H or may be grounded to output zero voltage.

일반적으로 트랜지스터는 오프 시에도 미세한 전류가 누설될 수 있는데, 따라서, 도 6에서 예시한 전원발생회로에서는 모든 제어신호가 L임에도 출력단자로 미세한 전류가 누설되어 비정상적인 작동을 유발할 수 있다.In general, the transistor may leak a minute current even when turned off. Therefore, in the power generation circuit illustrated in FIG. 6, a minute current may leak from the output terminal even if all the control signals are L, thereby causing abnormal operation.

그러나, 도 3에서 예시한 바와 같이 제3모스트랜지스터와 제4모스트랜지스터가 구비된 경우에는, 어느 한 제어신호가 H인 상태에서 제어신호들 모두가 L인 상태로 변경될 때 전원발생회로(130)에 잔류하던 미세전류를 접지단자를 통하여 신속하게 제거함으로써 출력단자로 H 또는 0만이 출력되도록 할 수 있게 되는 것이다.However, as illustrated in FIG. 3, when the third MOS transistor and the fourth MOS transistor are provided, the power generation circuit 130 when one of the control signals is changed from the state of H to all of the control signals to L By quickly removing the residual microcurrent through the ground terminal, only H or 0 can be output to the output terminal.

이해를 돕기 위하여 도 7 및 도 8에서 전원발생회로 입출력단의 신호를 예시하였다. 이때, 도 7은 도 6에 따른 전원발생회로 입출력단의 신호를 예시한 도면이고, 도 8은 도 4에 따른 전원발생회로 입출력단의 신호를 예시한 도면이다.For convenience of understanding, signals of the power generation circuit input / output terminals are illustrated in FIGS. 7 and 8. 7 is a diagram illustrating signals of the power generation circuit input and output terminal according to FIG. 6, and FIG. 8 is a diagram illustrating signals of the power generation circuit input and output terminal according to FIG. 4.

도 7 및 도 8을 비교해 보면, 도 7의 경우 Vc1, Vc2, Vc3가 (L, L, L)인 경우 Vout이 완전히 0이 되지 못하지만, 도 8의 경우 Vc1, Vc2, Vc3가 (L, L, L)인 경우 Vout이 완전히 0이 됨을 확인할 수 있다.
7 and 8, when Vc1, Vc2, and Vc3 are (L, L, and L), Vout is not completely 0. In the case of FIG. 8, Vc1, Vc2, and Vc3 are (L, L). , L), it can be seen that Vout is completely zero.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 전원발생회로(130-1)를 예시한 도면으로써, 제어신호가 3개인 경우에 적용될 수 있는 전원발생회로(130-1)를 예시하고 있다.4 is a diagram illustrating a power generation circuit 130-1 according to a second embodiment of the present invention, and illustrates a power generation circuit 130-1 that may be applied to three control signals.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 전원발생회로(130-1)는 제1모스트랜지스터(M1) 내지 제9모스트랜지스터(M9)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the power generation circuit 130-1 according to the second embodiment of the present invention may include first to ninth transistors M1 to M9.

이때, 상기 제1모스트랜지스터(M1)는 게이트에 제3제어신호가 인가되고, 소스에 제1제어신호가 인가되는 것이고, 상기 제2모스트랜지스터(M2)는 게이트에 제2제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제1모스트랜지스터(M1)의 드레인이 연결되고, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In this case, a third control signal is applied to a gate of the first MOS transistor M1, a first control signal is applied to a source, and a second control signal of the second MOS transistor M2 is applied to a gate thereof. The drain of the first MOS transistor M1 may be connected to a source, and the drain may be connected to an output terminal.

또한, 상기 제3모스트랜지스터(M3)는 게이트에 제1제어신호가 인가되고, 소스에 제2제어신호가 인가되는 것이고, 상기 제4모스트랜지스터(M4)는 게이트에 제3제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제3모스트랜지스터(M3)의 드레인이 연결되고, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In addition, the third MOS transistor M3 has a first control signal applied to a gate, a second control signal is applied to a source, and the fourth MOS transistor M4 has a third control signal applied to a gate. The drain of the third MOS transistor M3 may be connected to a source, and the drain may be connected to an output terminal.

또한, 상기 제5모스트랜지스터(M5)는 게이트에 제2제어신호가 인가되고, 소스에 제3제어신호가 인가되는 것이고, 상기 제6모스트랜지스터(M6)는 게이트에 제1제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제5모스트랜지스터(M5)의 드레인이 연결되고, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In addition, the fifth MOS transistor M5 has a second control signal applied to a gate, a third control signal is applied to a source, and the sixth MOS transistor M6 has a first control signal applied to a gate. The drain of the fifth MOS transistor M5 may be connected to a source, and the drain may be connected to an output terminal.

또한, 상기 제7모스트랜지스터(M7)는 상기 제3제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 접지되는 것일 수 있으며, 상기 제8모스트랜지스터(M8)는 상기 제2제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 상기 제7모스트랜지스터(M7)의 드레인에 연결되는 것일 수 있으며, 상기 제9모스트랜지스터(M9)는 상기 제1제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 상기 제8모스트랜지스터(M8)의 드레인에 연결되며, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In addition, the third control signal may be applied to the gate and the source may be grounded in the seventh MOS transistor M7, and the second control signal may be applied to the gate of the eighth MOS transistor M8. A source may be connected to the drain of the seventh MOS transistor M7. The ninth MOS transistor M9 may be applied with the first control signal to a gate, and the source may be connected to the eighth MOS transistor M8. The drain may be connected to the output terminal.

이때, 도시하지는 않았지만, 상기 제7모스트랜지스터(M7) 내지 제9모스트랜지스터(M9)의 게이트에는 순서를 달리하여 제1제어신호, 제2제어신호 및 제3제어신호가 각각 하나씩 인가될 수 있다.In this case, although not shown, the first control signal, the second control signal, and the third control signal may be applied to the gates of the seventh MOS transistor M7 to the ninth MOS transistor M9 in different orders. .

또한, 상기 제1제어신호, 제2제어신호 및 제3제어신호 중 어느 한 제어신호가 온 신호인 경우에 상기 출력단자로 전원전압이 출력될 수 있다.In addition, when any one of the first control signal, the second control signal and the third control signal is an ON signal, a power supply voltage may be output to the output terminal.

또한, 상기 제1제어신호, 제2제어신호 및 제3제어신호가 온 신호인 경우에만 상기 출력단자로 전원전압이 출력되고, 상기 제1제어신호, 제2제어신호 및 제3제어신호가 오프 신호인 경우에는 상기 출력단자로 0전압이 출력될 수 있다.In addition, a power supply voltage is output to the output terminal only when the first control signal, the second control signal, and the third control signal are on signals, and the first control signal, the second control signal, and the third control signal are turned off. In the case of a signal, zero voltage may be output to the output terminal.

또한, 상기 제1모스트랜지스터(M1) 내지 제9모스트랜지스터(M9)는 P형 모스트랜지스터일 수 있다.In addition, the first to ninth transistors M1 to M9 may be P-type MOS transistors.

Vc1Vc1 Vc2Vc2 Vc3Vc3 OUTOUT HH LL LL HH LL HH LL HH LL LL HH HH LL LL LL 00

상기 표2에서 예시한 바와 같이 제1제어신호(Vc1), 제2제어신호(Vc2) 및 제3제어신호(Vc3)가 H 또는 L일 수 있는데, 각각의 경우에 본 발명의 제2실시예에 따른 전원발생회로(130-1)에서 전원전압이 발생하는 원리에 대하여 이하에서 설명하도록 한다.As illustrated in Table 2, the first control signal Vc1, the second control signal Vc2, and the third control signal Vc3 may be H or L. In each case, the second embodiment of the present invention is used. The principle in which the power supply voltage is generated in the power generation circuit 130-1 will be described below.

먼저, 도 4를 참조하면, Vc1이 H이고, Vc2가 L이며, Vc3가 L인 경우, 제1모스트랜지스터(M1) 및 제2모스트랜지스터(M2)가 온 상태가 될 수 있으며 출력단자(OUT)로 H가 출력될 수 있다.First, referring to FIG. 4, when Vc1 is H, Vc2 is L, and Vc3 is L, the first and second MOS transistors M1 and M2 may be turned on and the output terminal OUT. H can be output.

또한, Vc1이 L이고, Vc2가 H이며, Vc3가 L인 경우, 제3모스트랜지스터(M3) 및 제4모스트랜지스터(M4)가 온 상태가 될 수 있으며 출력단자(OUT)로 H가 출력될 수 있다.In addition, when Vc1 is L, Vc2 is H, and Vc3 is L, the third MOS transistor M4 and the fourth MOS transistor M4 may be turned on and H may be output to the output terminal OUT. Can be.

또한, Vc1이 L이고, Vc2가 L이며, Vc3가 H인 경우, 제5모스트랜지스터(M5) 및 제6모스트랜지스터(M6)가 온 상태가 될 수 있으며 출력단자(OUT)로 H가 출력될 수 있다.In addition, when Vc1 is L, Vc2 is L, and Vc3 is H, the fifth MOS transistor M5 and the sixth MOS transistor M6 may be turned on, and H may be output to the output terminal OUT. Can be.

그러나, Vc1, Vc2, Vc3가 모두 L인 경우에는 제1모스트랜지스터(M1) 내지 제6모스트랜지스터(M6)가 모두 오프 상태가 되며, 출력단자(OUT)로 L이 출력되는 것이다.However, when Vc1, Vc2, and Vc3 are all L, the first to sixth MOS transistors M1 to M6 are all turned off, and L is output to the output terminal OUT.

한편, Vc1, Vc2, Vc3가 L, L, L인 경우에는 제7모스트랜지스터(M7) 내지 제9모스트랜지스터(M9)가 도통되어 출력단자(out)가 접지되며, Vc1, Vc2, Vc3 중 어느 한 개라도 H가 되면 출력단자는 접지되지 않는다.On the other hand, when Vc1, Vc2, and Vc3 are L, L, and L, the seventh MOS transistor M7 to ninth MOS transistor M9 are turned on so that the output terminal out is grounded, and any one of Vc1, Vc2, Vc3 is grounded. If any one is H, the output terminal is not grounded.

따라서, 출력단자는 H를 출력하거나, 접지되어 0전압을 출력할 수 있다.Therefore, the output terminal may output H or may be grounded to output zero voltage.

일반적으로 트랜지스터는 오프 시에도 미세한 전류가 누설될 수 있는데, 따라서, 도 6에서 예시한 전원발생회로에서는 모든 제어신호가 L임에도 출력단자로 미세한 전류가 누설되어 비정상적인 작동을 유발할 수 있다.In general, the transistor may leak a minute current even when turned off. Therefore, in the power generation circuit illustrated in FIG. 6, a minute current may leak from the output terminal even if all the control signals are L, thereby causing abnormal operation.

그러나, 도 4에서 예시한 바와 같이 제7모스트랜지스터 내지 제9모스트랜지스터가 구비된 경우에는, 어느 한 제어신호가 H인 상태에서 제어신호들 모두가 L인 상태로 변경될 때 전원발생회로(130-1)에 잔류하던 미세전류를 접지단자를 통하여 신속하게 제거함으로써 출력단자로 H 또는 0만이 출력되도록 할 수 있게 되는 것이다.However, as illustrated in FIG. 4, when the seventh to nineth MOS transistors are provided, the power generation circuit 130 when all of the control signals are changed to L when either of the control signals is H By quickly removing the microcurrent remaining in -1) through the ground terminal, only H or 0 can be output to the output terminal.

이해를 돕기 위하여 도 7 및 도 8에서 전원발생회로 입출력단의 신호를 예시하였다. 이때, 도 7은 도 6에 따른 전원발생회로 입출력단의 신호를 예시한 도면이고, 도 8은 도 4에 따른 전원발생회로 입출력단의 신호를 예시한 도면이다.For convenience of understanding, signals of the power generation circuit input / output terminals are illustrated in FIGS. 7 and 8. 7 is a diagram illustrating signals of the power generation circuit input and output terminal according to FIG. 6, and FIG. 8 is a diagram illustrating signals of the power generation circuit input and output terminal according to FIG. 4.

도 7 및 도 8을 비교해 보면, 도 7의 경우 Vc1, Vc2, Vc3가 (L, L, L)인 경우 Vout이 완전히 0이 되지 못하지만, 도 8의 경우 Vc1, Vc2, Vc3가 (L, L, L)인 경우 Vout이 완전히 0이 됨을 확인할 수 있다.
7 and 8, when Vc1, Vc2, and Vc3 are (L, L, and L), Vout is not completely 0. In the case of FIG. 8, Vc1, Vc2, and Vc3 are (L, L). , L), it can be seen that Vout is completely zero.

도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 전원발생회로(130-2)를 예시한 도면으로써, 제어신호가 4개인 경우에 적용될 수 있는 전원발생회로(130-2)를 예시하고 있다.FIG. 5 is a diagram illustrating a power generation circuit 130-2 according to a third embodiment of the present invention, and illustrates a power generation circuit 130-2 that can be applied to four control signals.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 전원발생회로(130-2)는 제1모스트랜지스터(M1) 내지 제16모스트랜지스터(M16)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the power generation circuit 130-2 according to the third embodiment of the present invention may include first to sixth MOS transistors M1 to M16.

이때, 상기 제1모스트랜지스터(M1)는 게이트에 제2제어신호가 인가되고, 소스에 제1제어신호가 인가되는 것이고, 상기 제2모스트랜지스터(M2)는 게이트에 제3제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제1모스트랜지스터(M1)의 드레인이 연결되는 것이고, 상기 제3모스트랜지스터(M3)는 게이트에 제4제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제2모스트랜지스터(M2)의 드레인이 연결되며, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In this case, the first control transistor is applied to the gate the second control signal, the first control signal is applied to the source, the second control transistor (M2) is applied to the gate the third control signal A drain of the first MOS transistor M1 is connected to a source, a fourth control signal is applied to a gate of the third MOS transistor M3, and a drain of the second MOS transistor M2 is applied to a source. The drain may be connected to the output terminal.

또한, 상기 제4모스트랜지스터(M4)는 게이트에 제1제어신호가 인가되고, 소스에 제2제어신호가 인가되는 것이고, 상기 제5모스트랜지스터(M5)는 게이트에 제3제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제4모스트랜지스터(M4)의 드레인이 연결되는 것이고, 상기 제6모스트랜지스터(M6)는 게이트에 제4제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제5모스트랜지스터(M5)의 드레인이 연결되며, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In addition, the fourth MOS transistor M4 has a first control signal applied to a gate, a second control signal applied to a source, and the fifth MOS transistor M5 has a third control signal applied to a gate. A drain of the fourth MOS transistor M4 is connected to a source, and a fourth control signal is applied to a gate of the sixth MOS transistor M6, and a drain of the fifth MOS transistor M5 is applied to a source. The drain may be connected to the output terminal.

또한, 상기 제7모스트랜지스터(M7)는 게이트에 제1제어신호가 인가되고, 소스에 제3제어신호가 인가되는 것이고, 상기 제8모스트랜지스터(M8)는 게이트에 제2제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제7모스트랜지스터(M7)의 드레인이 연결되는 것이고, 상기 제9모스트랜지스터(M9)는 게이트에 제4제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제8모스트랜지스터(M8)의 드레인이 연결되며, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In addition, the first control signal is applied to the gate and the third control signal is applied to the gate of the seventh MOS transistor M7, and the second control signal is applied to the gate of the eighth MOS transistor M8. A drain of the seventh MOS transistor M7 is connected to a source, and a fourth control signal is applied to a gate of the ninth MOS transistor M9, and a drain of the eighth MOS transistor M8 is applied to a source. The drain may be connected to the output terminal.

또한, 상기 제10모스트랜지스터(M10)는 게이트에 제1제어신호가 인가되고, 소스에 제4제어신호가 인가되는 것이고, 상기 제11모스트랜지스터(M11)는 게이트에 제2제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제10모스트랜지스터(M10)의 드레인이 연결되는 것이고, 상기 제12모스트랜지스터(M12)는 게이트에 제3제어신호가 인가되고, 소스에 상기 제11모스트랜지스터(M11)의 드레인이 연결되며, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In addition, the first control signal is applied to the gate and the fourth control signal is applied to the source of the tenth MOS transistor M10, and the second control signal is applied to the gate of the eleventh MOS transistor M11. A drain of the tenth MOS transistor M10 is connected to a source, and a third control signal is applied to a gate of the twelfth MOS transistor M12, and a drain of the eleventh MOS transistor M11 is applied to a source. The drain may be connected to the output terminal.

또한, 상기 제13모스트랜지스터(M13)는 상기 제4제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 접지되는 것일 수 있으며, 상기 제14모스트랜지스터(M14)는 상기 제3제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 상기 제13모스트랜지스터(M13)의 드레인에 연결되는 것일 수 있으며, 상기 제15모스트랜지스터(M15)는 상기 제2제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 상기 제14모스트랜지스터(M14)의 드레인에 연결되는 것일 수 있으며, 상기 제16모스트랜지스터(M16)는 상기 제1제어신호가 게이트에 인가되고, 소스는 상기 제15모스트랜지스터(M15)의 드레인에 연결되며, 드레인은 출력단자와 연결되는 것일 수 있다.In addition, the fourth MOS transistor M13 may be the fourth control signal applied to the gate, and the source may be grounded. The fourteenth MOS transistor M14 may be the third control signal applied to the gate. A source may be connected to a drain of the thirteenth MOS transistor M13. The fifteenth MOS transistor M15 may be applied with the second control signal to a gate, and the source may be connected to the fourteenth MOS transistor M14. The sixteenth MOS transistor M16 may be connected to a drain, and the first control signal is applied to a gate, a source is connected to a drain of the fifteenth MOS transistor M15, and a drain is connected to an output terminal. It may be.

이때, 도시하지는 않았지만, 상기 제13모스트랜지스터(M13) 내지 제16모스트랜지스터(M16)의 게이트에는 순서를 달리하여 제1제어신호, 제2제어신호, 제3제어신호 및 제4제어신호가 각각 하나씩 인가될 수 있다.In this case, although not shown, the first control signal, the second control signal, the third control signal, and the fourth control signal are respectively different in the order of the gates of the thirteenth MOS transistor M13 to the sixteenth MOS transistor M16. Can be applied one by one.

또한, 상기 제1제어신호, 제2제어신호, 제3제어신호 및 제4제어신호 중 어느 한 제어신호가 온 신호인 경우에 상기 출력단자로 전원전압이 출력될 수 있다.In addition, when any one of the first control signal, the second control signal, the third control signal and the fourth control signal is an ON signal, a power supply voltage may be output to the output terminal.

또한, 상기 제1제어신호, 제2제어신호, 제3제어신호 및 제4제어신호가 온 신호인 경우에만 상기 출력단자로 전원전압이 출력되고, 상기 제1제어신호, 제2제어신호, 제3제어신호 및 제4제어신호가 오프 신호인 경우에는 상기 출력단자로 0전압이 출력될 수 있다.Also, a power supply voltage is output to the output terminal only when the first control signal, the second control signal, the third control signal and the fourth control signal are on signals, and the first control signal, the second control signal, and the first control signal are output. When the third control signal and the fourth control signal are off signals, zero voltage may be output to the output terminal.

또한, 상기 제1모스트랜지스터(M1) 내지 제16모스트랜지스터(M16)는 P형 모스트랜지스터일 수 있다.In addition, the first MOS transistor M1 to the sixteenth MOS transistor M16 may be P-type MOS transistors.

Vc1Vc1 Vc2Vc2 Vc3Vc3 Vc4Vc4 OUTOUT HH LL LL LL HH LL HH LL LL HH LL LL HH LL HH LL LL LL HH HH LL LL LL LL OO

상기 표에서 예시한 바와 같이 제1제어신호(Vc1), 제2제어신호(Vc2), 제3제어신호(Vc3) 및 제4제어신호(Vc4)가 H 또는 L일 수 있는데, 각각의 경우에 본 발명의 제3실시예에 따른 전원발생회로(130-2)에서 전원전압이 발생하는 원리에 대하여 이하에서 설명하도록 한다.As illustrated in the above table, the first control signal Vc1, the second control signal Vc2, the third control signal Vc3 and the fourth control signal Vc4 may be H or L, in each case. A principle of generating a power voltage in the power generation circuit 130-2 according to the third embodiment of the present invention will be described below.

먼저, 도 5를 참조하면, Vc1이 H이고, Vc2 내지 Vc3가 L인 경우, 제1모스트랜지스터(M1), 제2모스트랜지스터(M2) 및 제3모스트랜지스터(M3)가 온 상태가 될 수 있으며 출력단자(OUT)로 H가 출력될 수 있다.First, referring to FIG. 5, when Vc1 is H and Vc2 to Vc3 are L, the first MOS transistor M1, the second MOS transistor M2, and the third MOS transistor M3 may be turned on. H may be output to the output terminal OUT.

또한, Vc1이 L이고, Vc2이 H이며, Vc3이 L이고, Vc4이 L인 경우, 제4모스트랜지스터(M4), 제5모스트랜지스터(M5) 및 제6모스트랜지스터(M6)가 온 상태가 될 수 있으며 출력단자(OUT)로 H가 출력될 수 있다.In addition, when Vc1 is L, Vc2 is H, Vc3 is L, and Vc4 is L, the fourth MOS transistor M4, the fifth MOS transistor M5, and the sixth MOS transistor M6 are in an on state. H may be output to the output terminal OUT.

또한, Vc1이 L이고, Vc2이 L이며, Vc3이 H이고, Vc4이 L인 경우, 제7모스트랜지스터(M7), 제8모스트랜지스터(M8) 및 제9모스트랜지스터(M9)가 온 상태가 될 수 있으며 출력단자(OUT)로 H가 출력될 수 있다.In addition, when Vc1 is L, Vc2 is L, Vc3 is H, and Vc4 is L, the seventh MOS transistor M7, the eighth MOS transistor M8, and the ninth MOS transistor M9 are in an on state. H may be output to the output terminal OUT.

또한, Vc1이 L이고, Vc2이 L이며, Vc3이 L이고, Vc4이 H인 경우, 제10모스트랜지스터(M10), 제11모스트랜지스터(M11) 및 제12모스트랜지스터(M12)가 온 상태가 될 수 있으며 출력단자(OUT)로 H가 출력될 수 있다.In addition, when Vc1 is L, Vc2 is L, Vc3 is L and Vc4 is H, the tenth MOS transistor M10, the eleventh MOS transistor M11 and the twelfth MOS transistor M12 are in an on state. H may be output to the output terminal OUT.

그러나, Vc1, Vc2, Vc3, Vc4가 모두 L인 경우에는 제1모스트랜지스터(M1) 내지 제12모스트랜지스터(M12)가 모두 오프 상태가 되며, 출력단자(OUT)로 L이 출력되는 것이다.
However, when Vc1, Vc2, Vc3, and Vc4 are all L, all of the first to twelfth MOS transistors M1 to M12 are turned off, and L is output to the output terminal OUT.

한편, Vc1, Vc2, Vc3, Vc4가 L, L, L, L인 경우에는 제13모스트랜지스터(M13) 내지 제16모스트랜지스터(M16)가 도통되어 출력단자(out)가 접지되며, Vc1, Vc2, Vc3, Vc4 중 어느 한 개라도 H가 되면 출력단자는 접지되지 않는다.On the other hand, when Vc1, Vc2, Vc3, and Vc4 are L, L, L, and L, the thirteenth MOS transistor M13 to sixteenth MOS transistor M16 are turned on so that the output terminal out is grounded, and Vc1, Vc2 If any one of Vc3 and Vc4 is H, the output terminal is not grounded.

따라서, 출력단자는 H를 출력하거나, 접지되어 0전압을 출력할 수 있다.Therefore, the output terminal may output H or may be grounded to output zero voltage.

일반적으로 트랜지스터는 오프 시에도 미세한 전류가 누설될 수 있는데, 따라서, 도 6에서 예시한 전원발생회로에서는 모든 제어신호가 L임에도 출력단자로 미세한 전류가 누설되어 비정상적인 작동을 유발하거나, 불필요한 전력 소모를 발생시킬 수 있다.In general, a transistor may leak a small current even when turned off. Therefore, in the power generation circuit illustrated in FIG. 6, a minute current leaks to the output terminal even though all control signals are L, causing abnormal operation or unnecessary power consumption. Can be generated.

그러나, 도 5에서 예시한 바와 같이 제13모스트랜지스터 내지 제16모스트랜지스터가 구비된 경우에는, 어느 한 제어신호가 H인 상태에서 제어신호들 모두가 L인 상태로 변경될 때 전원발생회로(130-2)에 잔류하던 미세전류를 접지단자를 통하여 신속하게 제거함으로써 출력단자로 H 또는 0만이 출력되도록 할 수 있게 되는 것이다.However, as illustrated in FIG. 5, when the thirteenth to sixteenth MOS transistors are provided, the power generation circuit 130 is changed when all of the control signals are changed to L when either of the control signals is H. FIG. By quickly removing the microcurrent remaining in -2) through the ground terminal, only H or 0 can be output to the output terminal.

이해를 돕기 위하여 도 7 및 도 8에서 전원발생회로 입출력단의 신호를 예시하였다. 이때, 도 7은 도 6에 따른 전원발생회로 입출력단의 신호를 예시한 도면이고, 도 8은 도 4에 따른 전원발생회로 입출력단의 신호를 예시한 도면이다.For convenience of understanding, signals of the power generation circuit input / output terminals are illustrated in FIGS. 7 and 8. 7 is a diagram illustrating signals of the power generation circuit input and output terminal according to FIG. 6, and FIG. 8 is a diagram illustrating signals of the power generation circuit input and output terminal according to FIG. 4.

도 7 및 도 8을 비교해 보면, 도 7의 경우 Vc1, Vc2, Vc3가 (L, L, L)인 경우 Vout이 완전히 0이 되지 못하지만, 도 8의 경우 Vc1, Vc2, Vc3가 (L, L, L)인 경우 Vout이 완전히 0이 됨을 확인할 수 있으며, 외부전원에 의하여 계속 H 상태에 있는 경우 보다 전력 소모가 절감될 수 있는 것이다.
7 and 8, when Vc1, Vc2, and Vc3 are (L, L, and L), Vout is not completely 0. In the case of FIG. 8, Vc1, Vc2, and Vc3 are (L, L). , L), it can be seen that Vout is completely zero, and the power consumption can be reduced more than if the H state by the external power source.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the disclosure and the equivalents of the disclosure and / or the scope of the art or knowledge of the present invention. The foregoing embodiments are intended to illustrate the best mode contemplated for carrying out the invention and are not intended to limit the scope of the present invention to other modes of operation known in the art for utilizing other inventions such as the present invention, Various changes are possible. Accordingly, the foregoing description of the invention is not intended to limit the invention to the precise embodiments disclosed. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

100 : 스위칭회로
110 : 파워앰프
120 : 스위치부
130 : 전원발생회로
140 : 제어부
Vc1, Vc2, Vc3, Vc4 : 제어신호
M1 ~ M16 : 모스트랜지스터
100: switching circuit
110: power amplifier
120:
130: power generation circuit
140:
Vc1, Vc2, Vc3, Vc4: control signal
M1 ~ M16: Most transistors

Claims (7)

칩셋에서 출력되는 복수의 제어신호 중 선택되며, 각각 개별적으로 전압레벨이 결정되는 제1제어신호 및 제2제어신호를 인가 받는 전원발생회로에 있어서,
상기 제2제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제1제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제1트랜지스터;
상기 제1제어신호가 제어단자에 인가되고, 상기 제2제어신호가 일단에 인가되며, 타단이 출력단자에 연결되는 제2트랜지스터;
상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호 중 어느 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 접지되는 제3트랜지스터; 및
상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호 중 상기 제3트랜지스터의 제어단자에 인가되지 않는 다른 한 개의 제어신호가 제어단자에 인가되고, 일단은 상기 제3트랜지스터의 타단과 연결되며, 타단은 출력단자와 연결되는 제4트랜지스터;
를 포함하는
전원발생회로.
In the power generation circuit is selected from a plurality of control signals output from the chipset, each of which receives a first control signal and a second control signal, the voltage level is determined individually,
A first transistor to which the second control signal is applied to a control terminal, the first control signal is applied to one end, and the other end thereof is connected to an output terminal;
A second transistor to which the first control signal is applied to a control terminal, the second control signal is applied to one end, and the other end thereof is connected to an output terminal;
A third transistor having one of the first control signal and the second control signal applied to a control terminal, and having one end grounded; And
Another control signal, which is not applied to the control terminal of the third transistor, of the first control signal and the second control signal is applied to the control terminal, and one end thereof is connected to the other end of the third transistor, and the other end thereof is output. A fourth transistor connected to the terminal;
Containing
Power generation circuit.
제1항에 있어서,
상기 제1제어신호 또는 상기 제2제어신호가 온 신호인 경우에 상기 출력단자로 전원전압이 출력되는 것인
전원발생회로.
The method of claim 1,
When the first control signal or the second control signal is an on signal that the power supply voltage is output to the output terminal
Power generation circuit.
제1항에 있어서,
상기 제1제어신호 또는 상기 제2제어신호가 온 신호인 경우에만 상기 출력단자로 전원전압이 출력되고, 상기 제1제어신호 및 상기 제2제어신호가 오프 신호인 경우에는 상기 출력단자로 0전압이 출력되는 것인
전원발생회로.
The method of claim 1,
A power supply voltage is output to the output terminal only when the first control signal or the second control signal is an on signal, and zero voltage is output to the output terminal when the first control signal and the second control signal are off signals. Is output
Power generation circuit.
제1항에 있어서,
상기 제1트랜지스터, 상기 제2트랜지스터, 상기 제3트랜지스터 및 상기 제4트랜지스터는 P형 모스트랜지스터인
전원발생회로.
The method of claim 1,
The first transistor, the second transistor, the third transistor and the fourth transistor are P-type MOS transistors.
Power generation circuit.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 전원발생회로;
상기 칩셋에서 출력되는 복수의 제어신호 중 선택되는 적어도 하나의 제어신호에 따라 온/오프되는 스위치부; 및
상기 칩셋에서 출력되는 복수의 제어신호 중 선택되는 적어도 하나의 제어신호를 인가받는 파워앰프;
를 포함하는
전원발생회로가 구비된 스위칭회로.
A power generation circuit according to any one of claims 1 to 4;
A switch unit turned on / off according to at least one control signal selected from a plurality of control signals output from the chipset; And
A power amplifier receiving at least one control signal selected from a plurality of control signals output from the chipset;
Containing
Switching circuit with a power generation circuit.
제5항에 있어서,
상기 파워앰프에 전원을 공급하는 전원부;
를 더 포함하는
전원발생회로가 구비된 스위칭회로.
The method of claim 5,
A power supply unit supplying power to the power amplifier;
Further comprising
Switching circuit with a power generation circuit.
제5항에 있어서,
상기 파워앰프에 전원을 공급하는 전원부;
를 더 포함하며,
상기 스위치부는 상기 전원발생회로에서 발생되는 전원을 공급받는 것인
전원발생회로가 구비된 스위칭회로.
The method of claim 5,
A power supply unit supplying power to the power amplifier;
More,
The switch unit is to receive the power generated by the power generation circuit
Switching circuit with a power generation circuit.
KR1020120120340A 2012-10-29 2012-10-29 Power generating circuit and switching circuit having the same KR101332109B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120120340A KR101332109B1 (en) 2012-10-29 2012-10-29 Power generating circuit and switching circuit having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120120340A KR101332109B1 (en) 2012-10-29 2012-10-29 Power generating circuit and switching circuit having the same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20110058585A Division KR101214678B1 (en) 2011-06-16 2011-06-16 Power generating circuit and switching circuit having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120139623A KR20120139623A (en) 2012-12-27
KR101332109B1 true KR101332109B1 (en) 2013-11-21

Family

ID=47906016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120120340A KR101332109B1 (en) 2012-10-29 2012-10-29 Power generating circuit and switching circuit having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101332109B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000027846A (en) * 1998-10-29 2000-05-15 김영환 Nand type logic circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000027846A (en) * 1998-10-29 2000-05-15 김영환 Nand type logic circuit

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120139623A (en) 2012-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7285987B2 (en) Self DC-bias high frequency logic gate, high frequency NAND gate and high frequency NOR gate
US7908499B2 (en) Semiconductor integrated circuit comprising master-slave flip-flop and combinational circuit with pseudo-power supply lines
US8242637B2 (en) Power source switching circuit
US20110298524A1 (en) Power switch circuit
US7616031B2 (en) Hard reset and manual reset circuit assembly
US10965116B2 (en) Overvoltage-proof circuit capable of preventing damage caused by overvoltage
KR101332109B1 (en) Power generating circuit and switching circuit having the same
KR101332039B1 (en) Power generating circuit and switching circuit having the same
KR101214678B1 (en) Power generating circuit and switching circuit having the same
KR101500603B1 (en) Low power current-mode signal processing circuit using sub-threshold mosfet operation
US9939835B2 (en) Reference potential generation circuit
US9692415B2 (en) Semiconductor device having low power consumption
US8742829B2 (en) Low leakage digital buffer using bootstrap inter-stage
US9356513B2 (en) Sequence circuit
US9153959B2 (en) Phase detection circuit
TW201616143A (en) Power management system and detection apparatus for power module thereof
TWI386108B (en) Esd protection circuit applied to electronic apparatus
EP3606047A3 (en) Solid-state imaging device and method for driving a solid-state imaging device
KR101376810B1 (en) Inverter
JP2014127207A (en) Solid state disk
TW201530302A (en) Circuit of on/off switch test
US20130002356A1 (en) Operational amplifier
KR101353212B1 (en) Inverter and switching circuit having the same
KR20140084975A (en) Gate driver having a function preventing shoot-through current
US9755582B2 (en) Switch circuit, sampling switch circuit and switch capacitor circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161004

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171011

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181002

Year of fee payment: 6