KR101330077B1 - 발열 판재의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 발열 판재의 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명의 발열 판재의 제조 방법은 제1면 및 제2면을 갖는 베이스의 제1면에 용매에 나노파티클이 분산되어 있는 분산액을 코팅하는 단계와, 분산액의 용매를 제거하여 베이스의 제1면의 적어도 일부 영역에 나노파티클층을 형성하는 단계와, 나노파티클층 상부에 급전부를 형성하는 단계와, 급전부에 기설정된 전압을 기설정 시간동안 인가하여 나노파티클이 상호 연계(necking)된 발열층을 형성하는 단계와, 발열층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

발열 판재의 제조방법{Manufacturing method of heating plate}

본 발명은 발열 판재의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 나노파티클 발열막을 포함하는 발열 판재의 제조방법에 관한 것이다.

일반적인 면상발열체는 전기 통전에 의해 발생하는 방사열을 이용하고 있어 온도조절이 용이하고 공기가 오염되지 않아 위생적이며 소음이 없기 때문에 히팅 매트나 히팅 패드, 침대 매트리스, 보온 이불이나 담요, 아파트나 일반주택 등의 주거용 난방장치 등에 폭넓게 이용되고 있다.

상기 면상발열체의 발열원으로 니크롬, 동니켈 합금과 같은 금속 저항선이 주로 사용되고 있으나, 이와 같은 니크롬 등의 금속 저항선들은 전기가 한 선을 통해 전체 부하 전류가 흐르기 때문에 금속 저항선과 도체 간의 접속 부위에 접촉저항에 의한 과열 문제가 있고, 합포 원단으로 고분자 필름 등을 이용함으로써 뻣뻣한 감이 있었다.

이상과 같은 저항선의 문제, 즉 고르지 못한 발열 등의 문제를 개선하기 위해 제안되는 것이 도전막에 의한 발열구조이다. 도전막은 일반적으로 산화 주석, 산화 인듐 등의 화합물 박막, 귀금속이나 구리 등의 금속 박막 등이 있다. 또한, 근래에는 도전막으로 CNT(carbon nano tube)를 이용하기도 한다.

그러나 기존의 발열성 박막은 열적 증착, 물리적 증착, 화학적 증착 등에 의한 하기 때문에 대면적화가 어려울 뿐 아니라 그 공정수도 매우 많아서 제조 단가가 높다. 또한, 가열 속도도 느리고 많은 전력을 소비하는 문제가 있다.

또한, 발열성 박막을 증착 후 기판과 강하게 결합시키기 위해서 열처리를 하게 되는데 이러한 열처리 과정에서 발열성 박막뿐만 아니라 기적층된 물질들까지 열처리를 받게 되어 기적층된 물질들이 물성 변화가 생길 수 있는 문제가 있다.

본 발명의 예시적 실시예에 따르면, 대면적의 발열층의 형성이 용이하고 품질이 좋으며, 고온에서 강인한 발열 판재를 베이스의 물성 변화가 없도록 열처리 오븐의 사용없이 제조하는 제조방법이 제공된다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 발열 판재의 제조 방법은 제1면 및 제2면을 갖는 베이스의 제1면에 용매에 나노파티클이 분산되어 있는 분산액을 코팅하는 단계; 상기 분산액의 용매를 제거하여 상기 베이스의 제1면의 적어도 일부 영역에 나노파티클층을 형성하는 단계; 상기 나노파티클층 상부에 급전부를 형성하는 단계; 상기 급전부에 기설정된 전압을 기설정 시간동안 인가하여 상기 나노파티클이 상호 연계(necking)된 발열층을 형성하는 단계; 및 상기 발열층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 급전부는 금속, 전도성 에폭시, 전도성 페이스트, 솔더, 전도성 필름 중 하나로 형성한다.

상기 나노파티클은 산화물반도체물질로 형성된다.

상기 나노파티클은 ZnO, SnO, MgO, InO 중의 적어도 어느 하나의 산화물과 실리카 중의 적어도 어느 하나로 된 산화물반도체물질을 포함한다.

상기 산화물은 도펀트를 포함한다.

상기 도펀트는 In, Sb, Al, Ga, C, Sn 중 적어도 어느 하나를 포함한다.

상기 기설정된 전압은 상기 나노파티클층의 면적, 두께, 상기 분산액의 나노파티클의 농도 중 하나 이상을 고려하여 설정된다.

상기 전기 처리는 상기 기설정된 시간으로 2회 이상 반복하여 전압을 인가할 수 있다.

상기 나노파티클 형성단계 전에, 상기 베이스에 대한 발열층의 접착력을 강화하기 위한 접착력 강화층 또는 접착력 강화층을 위한 제2 나노파티클층을 형성하는 단계를 더 포함한다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 의한 발열 판재의 제조 방법은 제1면 및 제2면을 갖는 베이스의 제1면에 급전부를 형성하는 단계; 상기 베이스의 제1면의 일부 또는 전부 및 상기 급전부의 상부면 중 하나 이상에 용매에 나노파티클이 분산되어 있는 분산액을 코팅하는 단계; 상기 분산액의 용매를 제거하여 상기 베이스의 제1면의 일부 또는 전부 및 상기 급전부의 상부면 중 하나 이상에 나노파티클층을 형성하는 단계; 상기 급전부에 기설정된 전압을 기설정 시간동안 인가하여 상기 나노파티클이 상호 연계(necking)된 발열층을 형성하는 단계; 및 상기 발열층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 급전부는 금속, 전도성 에폭시, 전도성 페이스트, 솔더, 전도성 필름 중 하나로 형성한다.

상기 나노파티클은 산화물반도체물질로 형성된다.

상기 나노파티클은 ZnO, SnO, MgO, InO 중의 적어도 어느 하나의 산화물과 실리카 중의 적어도 어느 하나로 된 산화물반도체물질을 포함한다.

상기 산화물은 도펀트를 포함한다.

상기 도펀트는 In, Sb, Al, Ga, C, Sn 중 적어도 어느 하나를 포함한다.

상기 기설정된 전압은 상기 나노파티클층의 면적, 두께, 상기 분산액의 나노파티클의 농도 중 하나 이상을 고려하여 설정된다.

상기 전기 처리는 상기 기설정된 시간으로 2회 이상 반복하여 전압을 인가할 수 있다.

상기 분산액을 코팅하는 단계 전에, 상기 베이스에 대한 발열층의 접착력을 강화하기 위한 접착력 강화층 또는 접착력 강화층을 위한 제2 나노파티클층을 형성하는 단계를 더 포함한다.

상기의 해결수단에 의한 본 발명의 발열 판재의 제조방법에 따르면, 대면적의 발열 판재를 제조할 때 고온의 오븐 장비 대신에 파워 서플라이로 전기 처리를 함으로써, 저비용, 빠른 공정 시간으로 발열 판재를 제조할 수 있어 발열 판재의 생산성을 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 해결수단에 의한 본 발명의 제조방법에 따르면, 열처리시 발생하는 베이스등의 물성변화를 최소화할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열 판재의 기본적 구조이다
도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 발열 판재의 발열층의 구체적인 적층 구조의 일례를 도시한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발열 판재의 적층 구조이다
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발열 판재의 적층 구조이다
도 5a 및 도 5b은 온습도 센서를 갖는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발열 판재의 적층 구조를 보인다
도 6a, 6b은 본 발명의 또 다른 실시 예들에 따른 발열 판재에서 베이스에 대한 발열층의 평면적 배치 형태를 예시한다.
도 7은 열처리한 경우의 발열층의 표면을 전자현미경으로 촬영한 영상이고, 도 8은 열처리한 경우의 발열층의 단면을 전자현미경으로 촬영한 영상이다.
도 9는 열처리를 통해 형성된 발열층의 인가전압에 따른 히팅 성능을 도시한 도면이다.
도 10은 인가전압을 20 V에서 50 V까지 변화시키며 각각 5분간 인가하면서 시간에 따른 발열층의 온도를 측정한 결과를 도시한 도면이다.
도 11은 전기 처리한 경우 인가 전압에 따라 발열층의 단면을 전자현미경으로 촬영한 영상이다.
도 12는 발열층의 면 저항을 처리 방식에 따라 측정한 결과를 도시한 도면이다.
도 13는 전기 처리시 전압 인가 횟수에 따른 발열층의 발열 성능을 도시한 도면이다. 인가 전압은 15V이며, 1회에 3분 간 전압을 인가한다.
도 14는 전기 처리 방식에 따른 발열층의 전자현미경 영상을 도시한 도면이다.
도 15은 본 발명의 한 실시 예에 따른 발열 판재의 제조 공정 흐름도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발열 판재의 제조 공정 흐름도이다.
도 17는 본 발명의 또 실시 예에 따른 발열 판재의 제조 공정 흐름도이다.
도 18은 본 발명의 제조 방법에 따라 제조한 발열 판재의 제상 성능을 테스트한 결과를 도시한 도면이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.

도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 예들에 따른 발열 판재와 그 제조방법을 설명하다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열 판재의 기본적 구조이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 베이스(10)의 일측면인 제1면에 발열층(11)과 보호층(12)이 순서대로 적층되어 있다. 상기 보호층(12)은 상기 발열층(11)을 전기, 물리적으로 보호하는 것으로 절연성물질로 형성된다.

상기 발열층(11)은 실리카 또는 산화물반도체 등으로 된 다수의 도전성 나노파티클이 물리적으로 연계(necking)된 성긴 조직(loose texture) 구조를 가질 수 있다. 이는 후술되는 제조공정에서 열처리 조건에 따르는 것으로 치밀한 조직(Close-Packed Texture)을 가지게 할 수도 있고, 다른 실시 예에 따르면 완전한 막 상태를 가질 수도 있다.

종래에, 발열체로 사용되던 CNT(carbon nano tube) 물질은 350℃가 되면 이산화탄소로 분해되어 물성을 유지 못하는 문제가 있어, 빠른 가열이 힘든 문제가 있지만, 상기 발열층(11)은 400℃ 이상도 견디기 때문에 보다 빠른 가열이 가능하다.

상기 발열층(11)은 단일 층으로 형성될 수 도 있으나, 도 2에 도시된 바와 같이 다수의 단위 발열층(11a)이 하나로 집적된 적층 구조를 가질 수 있다. 이는 하나의 발열층으로부터 발열 판재에 필요한 물리적 특성이나 전기적 특성을 얻을 수 없는 경우에 적용할 수 있다.

한편, 상기 발열층(11)과 베이스(10)의 사이에는 발열층(11)을 베이스(10)에 확고히 고정하기 위한 접착력 강화층(13)이 마련될 수 있다. 이 접착력 향상 층(12)은 실리카 나 폴리머로 형성될 수 있으며, 여기에 도전성 입자, 예를 들어 나노파티클이 포함될 수 있다. 접착력 강화층(13)이 도전체로서 전기적 저항을 가지며, 따라서, 발열층의 한 요소로서의 기능을 가질 수 있다. 이러한 접착력 향상 층(12)은 선택적인 요소로서 이하의 설명에서 경우에 따라 설명 및 도면에서 생략된다.

도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발열 판재를 도시한다. 베이스(10) 위에 발열층(11)이 형성되고 그 양측에 전극(14a), 배선(14b), 접속부 또는 단자(14c)를 포함하는 급전부(14)가 마련된다. 도 4에서 급전부를 대표하는 것으로 전극(14a)은 발열층(11)에 직접 접촉되며, 배선(14b)는 외부 회로에 발열층(11)을 연결하며, 단자(14c)는 배선(14b)이 전극(14a)에 안정적으로 고정시킨다. 상기 발열층(11) 위에는 보호층(12)이 마련되는데, 이는 발열층(10) 양측의 전극(14a)을 포함하는 급전부(14)를 덮으며, 다른 실시 예에 따르면 덮지 않을 수 도 있다. 이하의 도면에서는 급전부(14)의 전극(14a)을 상징적으로 도시하며, 나머지 부분은 도면의 복잡성을 피하기 위하여 생략된다.

도 5a, 5b는 본 발명의 또 다른 실시 예들에 따른 발열 판재를 도시한다. 기본적인 구조는 도 4에 도시된 실시예의 발열 판재와 동일한 구조를 가지며, 다만 온도와 습도를 검출하는 온도센서, 습도센서 또는 온/습도 센서 (15a, 15b)를 구비한다. 도 5a에 도시된 발열 판재는 베이스(10)의 제1면 측에 센서(15a)가 마련되고, 도 5b에 도시된 발열 판재는 베이스(10)의 타 측면인 제2면에 센서(15b)가 마련되는 구조를 가진다.

전술한 실시 예에서는 베이스(10)의 전체 면에 발열층이 형성되는 전면 발열구조의 발열 판재가 설명되었다. 그러나 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 베이스(10)의 제1면이 다수의 영역으로 분할 또는 획정(defined)되고, 이렇게 획정된 다수 영역 중 어느 하나의 영역 또는 선택된 복수의 영역에만 형성될 수도 있다.

도 6a은 베이스(10)의 제1면이 중앙의 사각 영역과 그 둘레의 테두리 영역으로 획정되었을 때, 중앙의 사각영역에만 발열층(11)이 형성된 실시 예의 발열 판재를 도시한다. 여기에서 발열층(11)이 형성되지 않는 테두리 영역의 폭 조절에 의해 발열층(11)의 영역이 크게 확장될 수 있으며, 이 경우 기능적으로 발열이 필요 없고 오히려 타 구조물에 고정하기 위한 고정부분으로서 테두리 부분을 남겨야 할 필요가 있을 때 효과적이다.

도 6b는 베이스(10)의 제1면이 격자 형태로 배치되는 획정 선에 의해 바둑판 형태의 영역이 마련되고 발열층(11)이 다이아몬드 또는 마름모 형태로 배열된 구조를 갖는 발열 판재를 도시한다. 이는 베이스(10)의 제1면이 다수의 영역으로 분할 또는 획정되고, 그리고 전체 영역 중에 선택적으로 발열층(11)이 형성될 수 있음을 상징적으로 예시하는 것이다.

상기와 같은 구조의 발열 판재는 다양한 분야에 응용될 수 있다. 예를 들어, 건축물의 외부 유리, 창호, 욕실 거울, 자동차용 좌우 전후 차창에 적용할 수 있고, 실외에 설치되는 디스플레이의 표면 보호용 스크린 등에 적용할 수 있다. 이러한 발열 판재는 응용대상에 따라 투명, 반투명, 불투명성의 베이스를 이용할 수 있다. 또한, 발열층 및 보호층 역시 응용대상에 따라 투명, 반투명, 불투명의 구조를 가지게 할 수 있다. 베이스는 다양한 형태의 판재를 이용할 수 있는데, 판상의 형태를 가질 수 도 있는데, 만곡된 형태 예를 들어 반원통, 반구면 등의 다양한 형태를 가질 수 도 있으며, 본 발명의 기술적 범위는 어느 특정 형태에 국한되지 않는다.

이하, 본 발명의 실시 예들에 따른 발열 판재의 제조방법을 설명한다.

베이스(10) 위에 형성되는 발열층(11)은 전술한 바와 같이 적어도 하나의 단위 발열층(11a)을 포함하며, 바람직하게는 그 하부에 베이스(10)와의 접착력이 우수한 재료로 된 접착력 강화층(13)이 형성된다.

상기 접착력 강화층(13)은 상기 베이스(10)와 접착력이 우수한 나노파티클 분산액으로 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 디핑 방법, 브러슁(Brushing) 또는 기타 습식 코팅 방법에 의해 형성될 수 있다.

나노파티클은 용매에 분산되어 있으므로 대면적 베이스(10)에 도포하기 용이하고 그 층수의 조절에 의해 총 두께의 조절이 용이하다. 또한, 분산액 중의 나노파티클의 농도를 조절함으로써 발열층(11)의 도전성을 용이하게 조절할 수 있다.

광투과가 요구되는 발열 판재의 경우에 있어서, 밴드갭 에너지가 3.3eV 이상인 물질로 된 접착력 강화층(13) 및 발열층(11)은 400 내지 700㎚의 가시광선은 흡수하지 않으므로 밴드갭 에너지가 3.3eV 이상인 물질을 이용하여 접착력 강화층(13) 및 발열층(11)을 형성하는 것이 바람직하다.

상기 발열층(11)의 총 두께는 가시광선의 투과를 고려하여 100nm 이하가 되도록 조절함으로써 가시광선에 대해 투명한 발열층을 얻을 수 있게 된다.

급전부(14a, 14b)에 포함되는 전극 또는 단자는 도전성 물질로서 금속 재료, 전도성 에폭시, 전도성 페이스트, 솔더, 전도성 필름 등에 의해 형성될 수 있다. 금속재료 전극은 증착 방법에 의해 얻어지며, 전도성 에폭시 또는 전도성 페이스트에 의한 전극은 스크린 프린팅, 솔더는 솔더링 방법, 전도성 필름은 라미네이팅 방법에 의해 얻어질 수 있다.

상기 배선(14b)은 상기 전극(14a)에 접속되도록 와이어 본딩, 솔더링 방법 등에 의해서도 형성될 수 있다.

상기 보호층(12)은 상기 베이스(10) 상에 형성된 발열층(11), 상기 전극(14a)을 포함하는 급전부(14) 위에 형성되어 이들을 외부로부터 보호한다.

상기 보호층(18)은 유전체 산화물, 페릴린, 나노입자, 고분자 필름 등으로 형성되며, 유전체 산화물 또는 페릴린 등에 의한 보호층(12)은 증착법에 의해 형성 되고, 나노파티클을 포함하는 보호층(12)은 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 디핑 방법, 브러슁 또는 기타 습식 코팅 방법에 의해 형성될 수 있다.

전술한 온도, 습도 또는 온습도 센서(15a, 15b)는 검출된 신호를 별도의 피드백 회로로 송출하여 발열층(11)에 의한 발열이 피드백 제어되도록 하여, 온도나 습도의 변화에 따라 적절한 발열이 일어나도록 하여, 김서림과 성에를 제거한다.

한편, 베이스(10) 상의 급전부는 접착력 강화층(13)과 발열층(11)의 사이에 마련될 수 있는데, 이 경우 접착력 강화층(13)에 급전부(14a, 14a)의 전극을 형성하고, 이 이후에 발열층(11)을 형성한다. 이때에 차후 단자 및 배선의 형성을 위해 발열층(11)은 상기 급전부(14a, 14a)를 벗어나 부분에만 형성되게 할 수 있다.

상기 접착력 강화층(13) 및 발열층(11)을 형성하는 방법으로 열처리(thermal sintering)를 통한 방법이 있다. 즉, 상기 접착력 강화층(13)과 발열층(11)은, 나노파티클 분산액을 베이스(10)의 표면 전체 또는 일부분에 도포하고 열처리함으로써 얻어진다. 상기 발열층(11)을 얻기 위한 도전성 나노파티클 분산액은 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 디핑 방법, 브러슁 또는 기타 습식 코팅 방법에 의해 형성될 수 있다. 나노파티클 분산액에 의한 막은 열처리를 통해 건조되며, 건조 후 잔류하는 나노파티클은 나노파티클의 융점 가까이까지 가열됨으로써 소결되어 성긴 조직 또는 치밀한 조직의 접착력 강화층(13)과 발열층(11)이 얻어진다. 열처리 온도는 나노파티클의 입경에 의존하며 입경이 작아질수록 열처리 온도도 낮아진다. 상기 베이스(10)의 나노파티클 분산액에 의한 코팅층 또는 나노파티클 층의 열처리는 발열플레이트(hot plate) 또는 오븐(oven)을 이용해 진행할 수 있으며, 이때에 온도는 200~500℃의 범위에서 이루어 졌다.

또한, 상기 접착력 강화층(13) 및 발열층(11)을 형성하는 방법으로 전력 인가를 통해 소결하는 방법이 있다. 즉, 상기 접착력 강화층(13)과 발열층(11)은, 나노파티클 분산액을 베이스(10)의 표면 전체 또는 일부분에 도포하고 그 적층된 급전부에 전압을 인가하여 전기 처리(electrical sintering)함으로써 얻어진다.

본 발명의 전기 처리를 통한 발열 판재의 발열층 형성에 대한 사항을 설명하기에 앞서, 열처리를 통한 발열층 형성에 대한 사항을 간략히 설명한다.

표 1은 열처리 시의 발열 특성을 알아보기 위한 열처리 온도와 발열층(11)의 면저항과의 관계를 나타낸 표이다.

열처리 온도	면저항(㏀/□)
As-deposited	186
200℃	3.636
300℃	0.763
400℃	0.633

발열층(11)의 면저항이 열처리 온도가 높아질수록 감소하며, 열처리가 없는 경우의 박막의 면 저항은 186 ㏀/□인데 반해 400 ℃에서 열처리를 하면서 0.633 ㏀/□으로 약 1000배 정도 감소함을 알 수 있다.

도 7은 열처리한 경우의 발열층의 표면을 전자현미경으로 촬영한 영상이고, 도 8은 열처리한 경우의 발열층의 단면을 전자현미경으로 촬영한 영상이다.

도 7(a)는 열처리전의 발열층의 표면, 도 7(b)는 200℃로 열처리한 경우의 발열층의 표면, 도 7(c)는 300℃로 열처리한 경우의 발열층의 표면, 도 7(d)는 400℃로 열처리한 경우의 발열층의 표면이다. 도 7을 참조하면, 열처리의 온도가 높아질수록 나노파티클 간의 네킹이 잘 이루어져서 그레인의 크기가 커짐을 확인할 수 있다.

도 8(a)는 열처리전의 발열층의 단면, 도 8(b)는 200℃로 열처리한 경우의 발열층의 단면, 도 8(c)는 300℃로 열처리한 경우의 발열층의 단면, 도 8(d)는 400℃로 열처리한 경우의 발열층의 단면이다. 열처리의 온도가 높아질수록 나노파티클 간의 네킹이 잘 이루어져서 그레인의 크기가 커짐을 더욱 명확히 확인할 수 있다.

도 9는 열처리를 통해 형성된 발열층의 인가전압에 따른 히팅 성능을 도시한 도면이다. 도 9(a)는 인가전압이 10V인 경우의 시간에 따른 온도 상승을 도시한 도면이고, 도 9(b)는 인가전압이 15V인 경우의 시간에 따른 온도 상승을 도시한 도면이고, 도 9(c)는 인가전압이 20V인 경우의 시간에 따른 온도 상승을 도시한 도면이고, 도 9(d)는 인가 전압과 열처리 온도에 따른 최대 상승 온도의 관계를 도시한 도면이다.

도 9를 참조하면, 열처리 온도가 높을수록 인가 전압이 높을수록 발열 온도 및 발열 속도가 증가함을 확인할 수 있다.

상기와 같이 열처리 온도가 높아짐에 따라서 발열 성능이 향상되는 이유를 살펴보면 다음과 같다. 열처리 온도가 높을수록 나노 파티클 간의 네킹이 더욱 크게 일어나고, 박막의 두께가 감소되며 그레인이 커지게 된다, 그레인이 커지면서 전류의 흐름을 방해하는 발열층 내의 전체 그레인의 경계면 면적이 감소되어 전류가 더 잘 흐르게 된다. 이 때문에, 열처리 온도가 높을수록 발열층의 면저항의 감소되고, 발열 성능이 향상된다.

그런데, 실험을 통해 살펴본 바에 따르면, 나노 파티클 코팅의 열처리 후에 발열층을 사용 시 발열 동안 발열층의 발열 특성이 변화되는 것을 확인할 수 있다. 즉, 발열층은 인가 전압에 의해서 나노 파티클간의 네킹이 달리됨을 추정할 수 있다. 또한, 전압을 인가함에 따라서 발열 특성이 향상되는 현상도 확인할 수 있다. 따라서, 발열층을 형성 시 열처리가 아닌 전기 처리를 할 경우의 성능 변화등을 분석한 사항을 설명한다.

발열층은 전기 처리시 인가전압에 따라 발열의 특성이 다르므로 인가 전압에 따른 발열 특성을 살펴본다.

도 10은 인가전압을 20 V에서 50 V까지 변화시키며 각각 5분간 인가하면서 시간에 따른 발열층의 온도를 측정한 결과를 도시한 도면이다.

a 곡선은 20V로 전기 처리하는 경우의 발열층의 발열 곡선이고, b 곡선은 30V로 전기 처리하는 경우의 발열층의 발열 곡선이고, c 곡선은 40V로 전기 처리하는 경우의 발열층의 발열 곡선이고, d 곡선은 50V로 전기 처리하는 경우의 발열층의 발열 곡선이다.

인가 전압에 따라서 발열층의 발열 온도가 상승하는 것을 확인할 수 있다. 다만, 50V를 인가한 경우에 포화 발열 온도는 300℃를 약간 상회하는 정도임을 확인할 수 있다.

도 11은 전기 처리한 경우 인가 전압에 따라 발열층의 단면을 전자현미경으로 촬영한 영상이다. 도 11(a)는 인가전압이 20V인 경우의 발열층의 단면 영상이고, 도 11(b)는 인가전압이 30V인 경우의 발열층의 단면 영상이고, 도 11(c)는 인가전압이 40V인 경우의 발열층의 단면 영상이고, 도 11(d)는 인가전압이 50V인 경우의 발열층의 단면 영상이다.

도 11을 참조하면, 발열층의 표면이 내부에 비해서 나노 파티클 간의 네킹의 정도가 낮음을 확인할 수 있다. 전압이 인가될 시, 발열층 내부에서는 전자에 의해 전달되는 에너지가 대부분 나노 파티클로 흡수되어 네킹을 형성하는데 사용된다. 이에 반해 표면에서는 전자에 의해 전달되는 에너지의 많은 부분이 손실되기 때문에 나노 파티클의 네킹 정도가 낮아진다.

또한, 도 10 및 도 11을 참조하면, 전기 처리를 한 경우가 동일한 온도에서 열처리한 경우보다 발열층의 나노 파티클 간의 네킹이 더 활발히 이루어져서 그레인의 크기가 큼을 확인할 수 있다. 예를 들어, 전기 처리 시 50V를 인가한 경우는 300℃의 발열이 일어나므로 이러한 온도로 열처리된 경우와 비교가 가능하다. 그런데, 전기 처리한 경우에는 거의 벌크 형태로 네킹이 일어난 것을 확인할 수 있다. 즉, 전기 처리에 의한 소결 현상은 열처리에 의한 소결 형상보다 나노 파티클을 네킹시키는데 더욱 효과적임을 알 수 있다.

나아가, 200℃에서 열처리한 경우보다 50V를 인가하여 표면 온도가 300℃가 되도록 전기 처리한 경우가 그레인이 더욱 벌크화 됨을 확인할 수 있다.

표 2는 전기 처리를 위해 인가한 전압과 형성된 발열층의 면저항의 관계를 나타낸 표이다.

인가 전압	면저항 (㏀/□)
전기 처리 전	3.826
20 V	2.956
30 V	1.061
40 V	0.872
50 V	0.633

도 12는 발열층의 면 저항을 처리 방식에 따라 측정한 결과를 도시한 도면이다.

a는 처리전의 발열층의 면저항이고, b는 400℃에서 5분간 열처리한 경우의 발열층의 면저항이고, c는 50V로 3분간 전기 처리한 경우의 발열층의 면저항이다.

표 2를 참조하면, 인가 전압을 높일수록 소결의 효과가 커짐을 확인할 수 있다. 특히, 표 2 및 도 12를 참조하면, 50 V 전압을 인가 시 면저항값은 633 ㏀/□까지 낮아졌는데, 이는 400℃에서 열처리 한 샘플과 비슷한 값의 면저항값이다. 상기의 사실들에 비추어볼 때, 발열층을 형성 시 고온의 오븐 장비 대신에 파워 서플라이로 전기 처리를 함으로써, 열처리 효과와 동일하거나 그 이상의 효과를 기대할 수 있다.

또한, 오븐이나 발열플레이트를 사용할 경우, 접착력 강화층 및 발열층뿐만 아니라 베이스 등에도 고온의 열이 그대로 작용하기 때문에 베이스 등의 구조에 물성 변화를 끼칠 수 있다. 이에 반해 전기 처리를 할 경우, 접착력 강화층(13) 및 발열층(11)만을 집중적으로 소결 처리하므로, 베이스(10) 등에 미치는 영향이 크게 감소하게 된다.

즉, 전기 처리의 경우 발열층 내부에 직접적으로 에너지를 공급해서 나노 파티클이 네킹되도록 할 수 있어, 내부의 구조 변화에 많은 에너지가 소모되고 외부로는 비교적 적은 에너지만이 방출된다. 이에 반해, 열처리의 경우 외부로부터 발열층 내부까지 열이 침투되도록 하기 위해서 외부에서 많은 에너지를 공급해야 한다. 따라서, 전기 처리의 경우에는 나노 파티클을 네킹하는 동안 타구조에 영향을 적게 줄 수 있는데 반해, 열처리의 경우에는 타구조에도 비슷한 수준의 영향을 줄 수 밖에 없는 문제가 있다.

따라서, 전기 처리를 통해 제조하는 것이 열처리를 통해 제조하는 것에 비해, 제조시의 장비 간소화, 구조 변형 방지 등에 도움이 된다.

도 13는 전기 처리시 전압 인가 횟수에 따른 발열층의 발열 성능을 도시한 도면이다. 인가 전압은 15V이며, 1회에 3분 간 전압을 인가한다. a는 1회 인가, b는 2회 인가, c는 3회 인가, d는 4회 인가한 경우의 발열층의 발열 성능을 도시한 도면이다.

전압 인가 횟수가 증가할수록 전기적 소결 효과에 의해 면 저항이 낮아지게 되고 승온 속도 및 최고 발열 온도가 커지게 됨을 획인할 수 있다.

도 14는 전기 처리 방식에 따른 발열층의 전자현미경 영상을 도시한 도면이다.

도 14(a)는 50V의 전압을 5분간 3회 인가한 경우의 발열층의 단면 영상이고, 도 14(b)는 50V의 전압을 1시간 1회 인가한 경우의 발열층의 단면 영상이고, 도 14(c)는 50V의 전압을 1시간 1회 인가한 경우의 발열층의 표면 영상이다.

50V의 전압을 5분간 3회 반복하여 인가하여 형성된 발열층의 면 저항은 0.01582 ㏀/□이다. 이에 반해, 50V의 전압을 1시간 동안 인가하여 형성된 발열층의 면 저항은 83 ㏀/□로 크게 증가하였다. 도 14(c)를 참조하면, 50V의 전압을 1시간 동안 인가한 경우 나노 파티클 사이에 네킹이 과도하게 일어나서 포러스(porus)한 형태를 형성함으로써 전기적 흐름이 더 안 좋아지게 되었기 때문이다. 따라서, 전기적 소결 효과를 위해서는 인가 전압뿐 아니라 전압 인가 시간도 최적화할 필요가 있다.

일반적인 발열층의 형성을 위해서는 발열층의 면적, 두꼐, 코팅되는 나노파티클의 종류 및 농도 등을 고려하여 인가 전압 및 인가 시간을 설정할 수 있다. 또한, 전극 간의 거리도 인가 전압 및 인가 시간에 영향을 줄 수 있다.

전기 처리를 위한 전압 인가의 일 예로서, 20V 내지 80V의 전압을 인가할 수 있고, 인가 시간은 3분 내지 8분 사이의 시간으로 1회 내지 다수회를 반복하여 인가할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시 예들에 따른 발열 판재의 제조방법을 설명한다.

상기 베이스(10)는 판재로서 평판형, 반원통형, 반구면형 등으로 투명, 반투명, 불투명 재료로 형성된다.

도 15은 본 발명에 따른 발열 판재 제조방법의 기본적 과정을 보인다.

S100 단계:

베이스의 크리닝이 요구된다. 크리닝은 베이스의 재료에 상응하는 공지의 솔벤트 또는 에쳔트 등을 이용할 수 있다.

S110 단계:

상기 크리닝과는 별도로 나노파티클 분산액을 조제(준비)한다. S110 단계는 베이스 크리닝과 병행되며 일반적으로는 베이스 크리닝에 비해 선행될 수 있다. 용매로서는 메탄올과 수산화 칼슘의 혼합액, 메탄올과 수산화칼슘이 혼합된 혼합액, 벤젠(benzene) 단일 물질이 이용되며, 나노파티클로서는 도핑된 산화물 반도체로서 ZnO, SnO, MgO, InO 중의 적어도 어느 하나와 실리카 중 적어도 어느 하나가 이용될 수 있다. 도펀트로는 In, Sb, Al, Ga, C, Sn 중에 적어도 어느 하나가 이용된다. 분산액을 조제하는 과정에서 용매를 50~200℃로 가열한 상태에서 전구체로서 위에 언급된 산화물 반도체 나노파티클을 첨가한다.

S120 단계:

크리닝된 베이스에 나노파티클 분산액을 코팅한다. 코팅법은 전술한 바와 같은 다양한 방법이 이용될 수 있으며, 그 코팅 영역은 베이스의 전체 또는 베이스에서 획정된 적어도 어느 한 영역이다. 또한, 필요에 따라서는 코팅된 분산액에서 용매를 제거할 수도 있다.

S130 단계:

발열층의 상부에 전극을 형성된다. 전극은 금속, 전도성 에폭시, 전도성 페이스트, 솔더, 전도성 필름 등으로 형성할 수 있다. 금속 전극은 증착 방법에 의해 형성되고, 전도성 에폭시 또는 전도성 페이스트 전극은 공지의 스크린 프린팅, 솔더는 솔더링 방법으로 형성되고, 그리고 전도성 필름은 라미네이팅 방법에 의해 형성될 수 있다.

S140 단계:

전술한 바와 같은 방법에 의해 배선을 연결한다. 배선은 전극에 대해 와이어 본딩, 솔더링 방법 등에 의해 형성될 수 있다.

필요에 따라서는 배선 연결 단계가 아래에서 기술하는 발열층 형성 단계 후에 수행될 수 있다.

S150 단계:

상기 전극 형성 후 또는 배선 형성 후 상기 전극 또는 배선에 전압을 인가하여 전기 처리를 한다. 전기 처리를 통해 나노파티클이 서로 네킹되도록 하여 발열층을 형성한다. 이때에 전기 처리에 의해 나노파티클이 분산되어 있는 용매의 증발(건조)가 수반된다. 어떤 경우에는 용매의 증발이 별도로 수행될 수 있으나, 일반적으로는 전기 처리에 수반하여 동시에 진행될 수 있다. 그러나 전기 처리시 건조가 먼저 진행되고 그 후에 잔류하는 나노파티클에 대한 소결이 이루어져 나노파티클이 물리적으로 연계(necking)된 발열층을 얻을 수 있게 된다. 이때에 발열층에는 나노파티클 간의 연계에 따른 물리적 연결 구조를 가지게 되며, 그 조직에 보이드(void)가 존재할 수 도 있으며, 어떤 경우에는 보이드가 없는 완전히 치밀한 조직이 얻어질 수 있다.

S160 단계:

최종적으로 보호층을 상기 발열층 위에 형성한다. 보호층은 유전체 산화물, 페릴린 나노입자, 고분자 필름 등을 사용하여 형성되며, 나노 입자, 유전체 산화물 또는 페릴린 보호층은 증착 방법으로 형성되며, 나노파티클 보호층은 스프레이 코팅, 스핀 코팅 또는 디핑 방법 등에 의해 형성될 수 있다.

위에서 설명된 단계에서 상기 S120 단계와 S130 단계가 복수 회 반복 실시함으로써 다층 구조의 발열층을 얻을 수 있게 된다. 한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 전극을 형성하는 S140 단계는 S120 단계보다 선행될 수 있으며, 이 경우 전극은 발열층의 하부에 위치한 상태에서 발열층에 전기적으로 접속될 수 있다.

도 16은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발열 판재의 제조방법을 보인다.

S200 단계:

크리닝이 된 베이스에 별도로 조제된 나노파티클이 분산되어 있는 제 1 분산액을 코팅한 후 이를 건조하여 접착력 강화층 형성을 위한 나토파티클층을 형성한다. 용매로서는 메탄올과 수산화 칼슘의 혼합액, 메탄올과 수산화칼슘이 혼합된 혼합액, 벤젠(benzene) 단일 물질이 이용되며, 나노파티클로는 산화물 반도체로서 ZnO, SnO, MgO, InO 중의 어느 하나, 또는 실리카가 이용될 수 있다. 이러한 산화물 반도체에는 도펀트를 포함할 수 있는데, 도펀트로는 In, Sb, Al, Ga, C, Sn 중에 적어도 어느 하나가 이용될 수 있다. 분산액을 조제하는 과정에서 용매를 50~200℃로 가열한 상태에서 전구체로서 위에 언급된 산화물 반도체 나노파티클을 첨가한다.

S210 단계:

상기 접착력 강화층 위에 나노파티클이 분산되어 있는 제 2 분산액을 코팅하여 발열층 형성을 위한 나노 파티클을 적층할 수 있다. 제 2 분산액은 제1분산액과 다른 나노파티클을 포함할 수 있으며, 용매도 다를 수 있다. 용매로는 제 1 분산액과 마찬가지로, 메탄올과 수산화 칼슘의 혼합액, 메탄올과 수산화칼슘이 혼합된 혼합액, 벤젠(benzene) 단일 물질이 이용되며, 나노파티클로는 산화물 반도체로서 ZnO, SnO, MgO, InO 등 중의 적어도 어느 하나, 또는 실리카가 이용될 수 있다. 이러한 산화물 반도체에는 도펀트를 포함할 수 있는데, 도펀트로는 In, Sb, Al, Ga, C, Sn 중에 적어도 어느 하나가 이용될 수 있다. 분산액을 조제하는 과정에서 용매를 50~200℃로 가열한 상태에서 전구체로서 위에 언급된 산화물 반도체 나노파티클을 첨가한다. 또한, 필요에 따라서는 코팅된 분산액에서 용매를 제거할 수도 있다.

S220 단계:

발열층의 상부에 전극을 형성된다. 전극은 금속, 전도성 에폭시, 전도성 페이스트, 솔더, 전도성 필름 등으로 형성할 수 있다. 금속 전극은 증착 방법에 의해 형성되고, 전도성 에폭시 또는 전도성 페이스트 전극은 공지의 스크린 프린팅, 솔더는 솔더링 방법으로 형성되고, 그리고 전도성 필름은 라미네이팅 방법에 의해 형성될 수 있다.

S230 단계:

전극에 연결되는 배선을 형성한다. 배선은 전극에 대해 와이어 본딩, 솔더링 방법 등에 의해 형성될 수 있다.

S240 단계:

상기 전극 형성 후 또는 배선 형성 후 상기 전극 또는 배선에 전압을 인가하여 전기 처리를 한다. 전기 처리를 통해 나노파티클이 서로 네킹되도록 하여 접착력 강화층 및 발열층을 형성한다. 발열층의 형성에 대한 자세한 설명은 전술한 바 생략한다.

S250 단계:

최종적으로 보호층을 상기 발열층 위에 형성한다. 보호층은 유전체 산화물, 페릴린 나노입자, 고분자 필름 등을 사용하여 형성되며, 나노 입자, 유전체 산화물 또는 페릴린 보호층은 증착 방법으로 형성되며, 나노파티클 보호층은 스프레이 코팅, 스핀 코팅 또는 디핑 방법 등에 의해 형성될 수 있다.

위에서 설명된 단계에서 상기 S200 단계와 210 단계가 각각 복수 회 반복 실시함으로써 다층 구조의 접합력 강화층 및 발열층을 얻을 수 있게 된다. 한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 전극을 형성하는 S220 단계는 S210 단계보다 선행될 수 있으며, 이 경우 전극은 발열층의 하부에 위치한 상태에서 발열층에 전기적으로 접속될 수 있다.

도 17은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발열 판재의 제조방법을 보인다.

S300 단계:

크리닝이 된 베이스에 전술한 바와 같은 조건으로 조제된 나노파티클이 분산되어 있는 제 1 분산액을 이용해 접착력 강화층을 형성하거나, 접착력 강화층 형성을 위한 나노파티클층을 형성한다. 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 접착력 강화층은 단일 층 또는 복 층의 구조를 가질 수 있다. 여기에서 접착력 강화층은 본 발명의 다른 실시 예에 따라 실리카나 폴리머로 형성될 수 있으며 여기에 나노파티클이 포함될 수 도 있으며, 그리고 증착이나 스핀 코팅 등 다양한 기존의 방법에 의해 형성될 수 있다. 또한, 접착력 강화층은 투명, 불투명, 반투명 물질에 의해서도 형성될 수 있다.

S310 단계:

접착력 강화층 상부 양측에 전극을 형성된다. 전극은 금속, 전도성 에폭시, 전도성 페이스트, 솔더, 전도성 필름 등으로 형성할 수 있다. 전극을 형성에 대한 자세한 설명은 전술한 바 생략한다.

S320 단계:

전극에 연결되는 배선을 형성한다. 배선은 전극에 대해 와이어 본딩, 솔더링 방법 등에 의해 형성될 수 있다.

S330 단계:

상기 접착력 강화층과 전극 위에 전술한 바와 같은 조건의 제 2 분산액을 코팅한 후 이를 전기 처리함으로써 발열층을 형성한다. 이러한 발열층의 형성은 복 수회 반복 실시될 수 있으며 반복 과정에서 사용되는 나노파티클이나 용매를 다르게 적용할 수 도 있다.

S340 단계:

최종적으로 보호층을 상기 발열층 위에 형성한다. 보호층은 유전체 산화물, 페릴린 나노입자, 고분자 필름 등을 사용하여 형성되며, 나노 입자, 유전체 산화물 또는 페릴린 보호층은 증착 방법으로 형성되며, 나노파티클 보호층은 스프레이 코팅, 스핀 코팅 또는 디핑 방법 등에 의해 형성될 수 있다.

위에서 설명된 단계에서 상기 S300 단계 및 330 단계를 각각 복수 회 반복 실시함으로써 다층 구조의 접합력 강화층 및 발열층을 얻을 수 있게 된다. 한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 전극을 형성하는 S310 단계는 S300 단계보다 선행될 수 있으며, 이 경우 전극은 접착력 강화층의 하부에 위치한 상태에서 발열층에 전기적으로 접속될 수 있다.

전술한 바와 같은 실시 예에 있어서, 다층구조의 발열층은 서로 다른 나노파티클에 의한 단위 적층을 포함할 수도 있다. 그리고 최종 보호층이 형성된 후에는, 보호층 상에 또는 상기 베이스 반대 면에 온습도센서 및 피드백 회로를 마련하는 단계가 추가될 수 있다. 그러나 이러한 온습도센서 및 피드백 회로는 선택적인 요소로서 본 발명의 기술적 범위를 제한하지 않는다. 또한, 발열층에 전력을 공급하는 급전부의 구체적인 형태, 예를 들어 전극의 위치 및 형태, 배선의 형태 및 배치는 매우 다양한 형태로 구현될 수 있는데, 이는 발열층에 성공적으로 전력을 공급할 수 있는 어떠한 형태로의 변형이 가능하며, 이 또한 본 발명의 기술적 범위를 제한하지 않는다.

상기와 같은 구조 및 제조방법에 의해 얻어지는 발열 판재는 구조가 간단하고 저비용을 제조할 수 있다. 특히 낮은 소비 전력으로 구동되므로 효율적인 발열을 할 수 있으며, 온습도 센서를 가짐으로써 김서림등이 육안으로 확인되기 전에 자동으로 작동을 시킬 수 있다.

도 18은 본 발명의 제조 방법에 따라 제조한 발열 판재의 제상 성능을 테스트한 결과를 도시한 도면이다.

도 18(a)와 같이 발열 판재를 드라이아이스 위에 올려놓아 표면에 성에가 생기도록 한 후에 20 V 를 인가한 결과, 10초 후에 도 18(b)와 같이 성에가 제거되면서 투명해지면서 발열 판재 아래의 로고가 보이게 됨을 확인할 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 당업자에게 있어 명백할 것이다.

10: 베이스 11, 11a: 발열층
12: 보호층 13: 접착력 강화층
14a: 급전부 14b: 배선
15a, 15b: 온/습도 센서

Claims (10)

1. 제1면 및 제2면을 갖는 베이스의 제1면에, 용매에 나노파티클이 분산되어 있는 분산액을 코팅하는 단계;
   상기 분산액의 용매를 제거하여 상기 베이스의 제1면의 적어도 일부 영역에 나노파티클층을 형성하는 단계;
   상기 나노파티클층 상부에 급전부를 형성하는 단계;
   상기 급전부에 기설정된 전압을 기설정 시간동안 인가하여 상기 나노파티클이 상호 연계(necking)된 발열층을 형성하는 단계; 및
   상기 발열층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계;를 포함하고,
   상기 기설정된 전압은 상기 나노파티클층의 면적, 두께, 상기 분산액의 나노파티클의 농도 중 하나 이상을 고려하여 설정되는 것을 특징으로 하는 발열 판재의 제조 방법.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 나노파티클은 ZnO, SnO, MgO, InO 중의 적어도 어느 하나의 산화물과 실리카 중의 적어도 어느 하나로 된 산화물반도체물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발열 판재의 제조 방법.
3. 삭제
4. 삭제
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 나노파티클 형성단계 전에, 상기 베이스에 대한 발열층의 접착력을 강화하기 위한 접착력 강화층 또는 접착력 강화층을 위한 제2 나노파티클층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발열 판재의 제조 방법.
6. 제1면 및 제2면을 갖는 베이스의 제1면에 급전부를 형성하는 단계;
   상기 베이스의 제1면의 일부 또는 전부 및 상기 급전부의 상부면 중 하나 이상에 용매에 나노파티클이 분산되어 있는 분산액을 코팅하는 단계;
   상기 분산액의 용매를 제거하여 상기 베이스의 제1면의 일부 또는 전부 및 상기 급전부의 상부면 중 하나 이상에 나노파티클층을 형성하는 단계;
   상기 급전부에 기설정된 전압을 기설정 시간동안 인가하여 상기 나노파티클이 상호 연계(necking)된 발열층을 형성하는 단계; 및
   상기 발열층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계;를 포함하고,
   상기 기설정된 전압은 상기 나노파티클층의 면적, 두께, 상기 분산액의 나노파티클의 농도 중 하나 이상을 고려하여 설정되는 것을 특징으로 하는 발열 판재의 제조 방법.
   
7. 제6항에 있어서,
   상기 나노파티클은 ZnO, SnO, MgO, InO 중의 적어도 어느 하나의 산화물과 실리카 중의 적어도 어느 하나로 된 산화물반도체물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발열 판재의 제조 방법.
8. 삭제
9. 삭제
10. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 분산액을 코팅하는 단계 전에, 상기 베이스에 대한 발열층의 접착력을 강화하기 위한 접착력 강화층 또는 접착력 강화층을 위한 제2 나노파티클층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발열 판재의 제조 방법.

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