KR101327492B1

KR101327492B1 - Apparatus for grinding wafer backside

Info

Publication number: KR101327492B1
Application number: KR1020070060827A
Authority: KR
Inventors: 박필규
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2007-06-21
Filing date: 2007-06-21
Publication date: 2013-11-08
Also published as: KR20080112436A

Abstract

웨이퍼 이면 연삭 장치는 회전척, 연삭부, 제1 측정부, 제2 측정부 및 두께 산출부를 포함한다. 회전척은 이면이 노출되도록 놓여지는 웨이퍼의 중심축과 동일한 중심축을 가지면서 웨이퍼를 회전시킨다. 연삭부는 회전척에 놓여진 웨이퍼의 이면을 연삭한다. 제1 측정부는 연삭부에 의해 연삭이 이루어지는 웨이퍼의 이면과 이격되게 위치하며, 연삭이 이루어진 웨이퍼 이면과의 제1 거리를 측정한다. 제2 측정부는 회전척과 이격되게 위치하며, 회전척의 표면으로부터 이격된 제2 거리를 측정한다. 두께 산출부는 제1 측정부에 의해 측정되는 제1 거리와 제2 측정부에 의해 측정되는 제2 거리를 입력 받고, 제1 거리와 제2 거리를 이용하여 연삭이 이루어지는 웨이퍼의 두께를 산출한다. 따라서, 웨이퍼의 이면과 비접촉 상태에서 웨이퍼의 두께를 정밀하게 측정할 수 있다. The wafer back surface grinding apparatus includes a rotary chuck, a grinding unit, a first measuring unit, a second measuring unit, and a thickness calculating unit. The rotary chuck rotates the wafer while having the same central axis as the central axis of the wafer on which the backside is exposed. The grinding portion grinds the back surface of the wafer placed on the rotary chuck. The first measuring unit is positioned to be spaced apart from the back surface of the wafer to be ground by the grinding unit, and measures the first distance from the back surface of the wafer to be ground. The second measuring unit is positioned to be spaced apart from the rotary chuck, and measures a second distance spaced from the surface of the rotary chuck. The thickness calculator receives the first distance measured by the first measuring unit and the second distance measured by the second measuring unit, and calculates the thickness of the wafer to be ground using the first distance and the second distance. Therefore, the thickness of the wafer can be accurately measured in the non-contact state with the back surface of the wafer.

Description

Wafer back grinding device {APPARATUS FOR GRINDING WAFER BACKSIDE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이면 연삭 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a schematic view showing a wafer back surface grinding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 이면 연삭 장치의 일부를 위에서 바라본 도면이다. FIG. 2 is a view from above of a portion of the wafer back grinding device shown in FIG.

도 3은 도 1의 웨이퍼 이면 연삭 장치 중 제1 측정부와 제2 측정부를 구체적으로 나타낸 도면이다.3 is a view illustrating in detail the first and second measuring units of the wafer back surface grinding apparatus of FIG. 1.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 이면 연삭 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.Figure 4 is a schematic view showing a wafer back grinding device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 웨이퍼 20 : 에어10: wafer 20: air

100 : 회전척 110 : 표면100: rotation chuck 110: surface

200 : 연삭부 210 : 연삭 휠200: grinding portion 210: grinding wheel

220 : 연삭 지그 300 : 제1 측정부220: grinding jig 300: first measuring unit

400 : 제2 측정부 500 : 두께 산출부400: second measuring unit 500: thickness calculating unit

600 : 제1 구동부 700 : 제2 구동부600: first driving unit 700: second driving unit

900 : 제1 분사부 950 : 제2 분사부900: first injection unit 950: second injection unit

1000 : 웨이퍼 이면 연삭 장치1000: Wafer Back Grinding Device

본 발명은 웨이퍼 이면 연삭 장치에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 웨이퍼를 회전시키면서 연삭하는 웨이퍼 이면 연삭 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer backside grinding apparatus, and more particularly, to a wafer backside grinding apparatus for grinding while rotating a wafer.

일반적으로, 웨이퍼는 실리콘 재질로 이루어져 반도체 소자를 제조하는데 사용된다. 구체적으로, 상기 웨이퍼는 그 일면에 일 예로, 증착 공정, 평탄화 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 세정 공정 및 검사 공정 등의 공정들을 통해 회로 패턴이 형성된 다수의 칩들은 포함한다. In general, the wafer is made of a silicon material is used to manufacture a semiconductor device. In detail, the wafer includes a plurality of chips on one surface of which a circuit pattern is formed through processes such as a deposition process, a planarization process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a cleaning process, and an inspection process.

최근, 상기 칩들을 적층하여 형성된 상기 반도체 소자들이 널리 사용되고 있음에 따라, 상기 웨이퍼의 두께를 박형화시키는 추세에 있다. 이에, 상기 웨이퍼는 상기 칩들을 절단시키기 전에, 상기 회로 패턴이 형성되지 않은 이면을 연삭 공정을 진행시켜 그 두께를 감소시키고 있다. 여기서, 상기 연삭이 이루어진 웨이퍼의 두께는 약 100㎛ 내지 약 300㎛으로 매우 정밀한 수준이다. In recent years, as the semiconductor devices formed by stacking the chips are widely used, there is a trend to reduce the thickness of the wafer. Thus, before cutting the chips, the wafer reduces the thickness by performing a grinding process on the back surface on which the circuit pattern is not formed. Here, the thickness of the wafer is grinding is very precise level of about 100㎛ to about 300㎛.

상기 연삭 공정은 별도의 웨이퍼 이면 연삭 장치에 의해 진행된다. 상기 웨이퍼 이면 연삭 장치는 일반적으로, 웨이퍼를 회전시켜 가면서 이에 연삭 휠을 접촉시켜 상기 연삭 공정을 진행한다. The grinding process is performed by a separate wafer backside grinding device. The wafer backside grinding device generally proceeds with the grinding process by contacting the grinding wheel while rotating the wafer.

여기서, 상기 웨이퍼 이면 연삭 장치를 통해 상기 연삭 공정이 진행되는 동안, 그 중단 시점을 결정하기 위하여 상기 연삭 공정이 진행되는 웨이퍼의 두께를 실시간으로 측정 후, 이를 다시 상기 웨이퍼 이면 연삭 장치에 피드백할 필요성이 있다. Here, during the grinding process through the wafer backside grinding device, it is necessary to measure the thickness of the wafer on which the grinding process is performed in real time to determine the interruption time point, and then feed it back to the wafer backside grinding device. There is this.

그러나, 상기 연삭 공정이 진행될 때, 상기 웨이퍼가 회전함에 따라, 실시간적으로 상기 연삭이 이루어지는 웨이퍼의 두께를 정밀하게 측정하기에는 어려운 문제점이 있다. However, when the grinding process is performed, as the wafer rotates, it is difficult to accurately measure the thickness of the wafer on which the grinding is performed in real time.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼를 정밀하게 측정할 수 있는 웨이퍼 이면 연삭 장치를 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a wafer backside grinding apparatus capable of accurately measuring a wafer.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 웨이퍼 이면 연삭 장치는 회전척, 연삭부, 제1 측정부, 제2 측정부 및 두께 산출부를 포함한다. 상기 회전척은 이면이 노출되도록 놓여지는 웨이퍼의 중심축과 동일한 중심축을 가지면서 상기 웨이퍼를 회전시킨다. 상기 연삭부는 상기 회전척에 놓여진 웨이퍼의 이면을 연삭한다. 상기 제1 측정부는 상기 연삭부에 의해 연삭이 이루어지는 웨이퍼의 이면과 이격되게 위치하며, 상기 연삭이 이루어진 웨이퍼 이면과의 제1 거리를 측정한다. 상기 제2 측정부는 상기 회전척과 이격되게 위치하며, 상기 회전척의 표면으로부터 이격된 제2 거리를 측정한다. 상기 두께 산출부는 상기 제1 측정부에 의해 측정되는 제1 거리와 상기 제2 측정부에 의해 측정되는 제2 거리를 입력 받고, 상기 제1 거리와 상기 제2 거리를 이용하여 상기 연삭이 이루어지는 웨이퍼의 두께를 산출한다.In order to achieve the above object of the present invention, a wafer back grinding device according to one feature includes a rotary chuck, a grinding unit, a first measuring unit, a second measuring unit and a thickness calculating unit. The rotary chuck rotates the wafer while having the same central axis as the central axis of the wafer on which the backside is exposed. The grinding portion grinds the back surface of the wafer placed on the rotary chuck. The first measuring unit is positioned to be spaced apart from the back surface of the wafer to be ground by the grinding unit, and measures the first distance from the back surface of the wafer to be ground. The second measuring unit is spaced apart from the rotary chuck and measures a second distance spaced from the surface of the rotary chuck. The thickness calculator receives a first distance measured by the first measuring unit and a second distance measured by the second measuring unit, and the wafer is ground using the first distance and the second distance. The thickness of is calculated.

한편, 상기 웨이퍼 이면 연삭 장치는 상기 제1 측정부에 의해 측정이 이루어지는 웨이퍼의 이면으로 에어를 분사하는 제1 분사부 및 상기 제2 측정부에 의해 측정이 이루어지는 회전척의 표면으로 에어를 분사하는 제2 분사부를 더 포함한다.On the other hand, the wafer back grinding device is a first injection unit for injecting air to the back surface of the wafer to be measured by the first measuring unit and the agent for injecting air to the surface of the rotating chuck is measured by the second measuring unit It further comprises two injection parts.

상기 제1 분사부는 그 내부에 상기 제1 측정부가 배치되도록 구성되고, 상기 제2 분사부는 그 내부에 상기 제2 측정부가 배치되도록 구성될 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 분사부는 상기 연삭이 이루어지는 방향을 기준으로 상기 제1 측정부의 앞에 위치하고, 상기 제2 분사부는 상기 연삭이 이루어지는 방향을 기준으로 상기 제2 측정부의 앞에 위치할 수 있다.The first injection unit may be configured such that the first measurement unit is disposed therein, and the second injection unit may be configured such that the second measurement unit is disposed therein. Alternatively, the first injection unit may be located in front of the first measurement unit based on the direction in which the grinding is performed, and the second injection unit may be located in front of the second measurement unit in the direction in which the grinding is performed.

상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부는 상기 연삭이 이루어지는 방향으로 기울어지게 에어를 분사할 수 있다. 또한, 상기 제1 측정부와 상기 제2 측정부는 상기 회전척의 중심과 동일 선 상에 배치될 수 있다. The first injection unit and the second injection unit may inject air inclined in the direction of the grinding. In addition, the first measuring unit and the second measuring unit may be disposed on the same line as the center of the rotary chuck.

이러한 웨이퍼 이면 연삭 장치에 따르면, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 동안 실시간으로 상기 웨이퍼의 두께를 측정하기 위하여 제1 측정부와 제2 측정부를 각각 상기 웨이퍼의 이면과 상기 웨이퍼가 놓여지는 회전축의 표면으로부터 이격되도록 배치시켜 그 거리를 측정함으로써, 상기 웨이퍼의 이면에 직접적으로 영향을 주지 않으면서 그 두께를 정밀하게 측정할 수 있다. According to such a wafer back surface grinding apparatus, in order to measure the thickness of the wafer in real time while grinding the back surface of the wafer, the first measuring part and the second measuring part are separated from the back surface of the wafer and the surface of the rotating shaft on which the wafer is placed. By arrange | positioning so that the distance can be measured, the thickness can be measured accurately, without directly affecting the back surface of the said wafer.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이면 연삭 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명 하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 이해하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다. Hereinafter, a wafer back grinding device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention, and are actually shown in a smaller scale than the actual dimensions in order to understand the schematic configuration.

또한, 제1 및 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Also, the terms first and second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이면 연삭 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이며, 도 2는 도 1의 웨이퍼 이면 연삭 장치의 일부를 위에서 바라본 도면이다.1 is a configuration diagram schematically showing a wafer back surface grinding apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view from above a portion of the wafer back surface grinding apparatus of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이면 연삭 장치(1000)는 회전척(100), 연삭부(200), 제1 측정부(300), 제2 측정부(400) 및 두께 산출부(500)를 포함한다. 1 and 2, the wafer back grinding apparatus 1000 according to the embodiment of the present invention may include a rotary chuck 100, a grinding unit 200, a first measuring unit 300, and a second measuring unit ( 400 and a thickness calculator 500.

상기 회전척(100)은 평면 방향(x, y)을 따라 형성된 표면(110)에 반도체 소자를 제작하기 위한 핵심 부품으로, 실리콘 재질의 얇은 단결정 판으로 형성된 웨이퍼(10)가 이송되어 이면이 노출되도록 놓여진다. 이때, 상기 표면(110)과 상기 웨이퍼(10) 사이에는 상기 웨이퍼(10)에 형성된 회로 패턴을 보호하기 위하여 보호 테이프(미도시)가 배치될 수 있다.The rotary chuck 100 is a core component for manufacturing a semiconductor device on a surface 110 formed along a plane direction (x, y), and a wafer 10 formed of a thin single crystal plate made of silicon is transferred to expose a back surface thereof. To be placed. In this case, a protection tape (not shown) may be disposed between the surface 110 and the wafer 10 to protect a circuit pattern formed on the wafer 10.

상기 웨이퍼(10)는 별도의 이송 장치를 통해 잉곳으로부터 절단된 후 바로 상기 표면(110)으로 이송될 수 있다. 이와 달리, 상기 웨이퍼(10)는 별도의 적재 장소에 상기 웨이퍼(10)를 다수개 보관한 후, 여기로부터 상기 표면(110)으로 이송될 수도 있다. The wafer 10 may be transferred to the surface 110 immediately after being cut from the ingot through a separate transfer device. Alternatively, the wafer 10 may be transferred to the surface 110 from the wafer 10 after storing a plurality of the wafer 10 in a separate loading place.

상기 회전척(100)은 놓여진 상기 웨이퍼(10)를 회전시킨다. 이를 적절하게 구현하기 위해, 상기 회전척(100)은 상기 표면(110)을 포함하는 적어도 일부가 원기둥 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이때, 상기 회전척(100)과 상기 웨이퍼(10)의 제1 중심축(c1)은 서로 일치될 필요성이 있다. 이는, 상기 웨이퍼(10)가 상기 제1 중심축(c1)을 중심으로 정확하게 원운동을 하도록 하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 연삭부(200)에 의해 연삭시, 위치에 따라 균일하게 연삭되도록 하기 위해서이다. The rotary chuck 100 rotates the placed wafer 10. In order to implement this properly, it is preferable that at least a portion of the rotary chuck 100 including the surface 110 has a cylindrical shape. In this case, the rotation chuck 100 and the first central axis c1 of the wafer 10 need to coincide with each other. This allows the wafer 10 to be accurately circularly moved about the first central axis c1 so that the wafer 10 is ground evenly according to the position when the wafer 10 is ground by the grinding part 200. For that.

상기 회전척(100)은 제1 구동부(600)와 구조적으로 연결된다. 상기 제1 구동 부(600)는 상기 회전척(100)의 원운동을 위한 회전력을 발생시키기 위하여 구동 모터를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 구동부(600)는 상기 회전척(100)의 회전 속도를 제어하기 위하여 자체적으로 회전 속도 제어가 가능한 상기 구동 모터를 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 구동부(600)는 상기 회전척(100)의 회전 속도를 단계적으로 간단하게 나누기 위하여 다수의 기어 연결 타입이 적용될 수 있다. The rotary chuck 100 is structurally connected to the first driver 600. The first driving unit 600 may include a driving motor to generate a rotational force for the circular motion of the rotary chuck 100. Specifically, the first drive unit 600 may include the drive motor capable of controlling the rotational speed thereof in order to control the rotational speed of the rotary chuck 100. On the contrary, a plurality of gear connection types may be applied to the first driving unit 600 to simply divide the rotational speed of the rotary chuck 100 step by step.

상기 연삭부(200)는 상기 회전척(100)의 표면(110) 상에 배치된다. 구체적으로, 상기 연삭부(200)는 상기 표면(110)에 놓여지는 상기 웨이퍼(10)의 가장자리에서 상기 제1 중심축(c1)까지의 제1 영역(CA1)을 포함하여 배치된다. The grinding part 200 is disposed on the surface 110 of the rotary chuck 100. In detail, the grinding part 200 includes a first area CA1 from an edge of the wafer 10 disposed on the surface 110 to the first central axis c1.

상기 연삭부(200)는 상기 표면(110)에 수직한 z 방향을 따라 가압하여 상기 웨이퍼(10)의 이면을 연삭한다. 구체적으로, 상기 연삭부(200)는 상기 웨이퍼(10)의 이면과 실질적으로 접하여 상기 웨이퍼(10)의 이면을 연삭하는 연삭 휠(210) 및 상기 연삭 휠(210)을 고정하는 연삭 지그(220)를 포함한다.The grinding part 200 presses along the z direction perpendicular to the surface 110 to grind the back surface of the wafer 10. Specifically, the grinding part 200 is in contact with the back surface of the wafer 10 and the grinding wheel 210 for grinding the back surface of the wafer 10 and the grinding jig 220 for fixing the grinding wheel 210. ).

상기 연삭 휠(210)은 상기 평면 방향(x, y)을 따라 배치되어 넓은 면이 상기 웨이퍼(10)의 이면과 접하도록 배치된다. 상기 연삭 휠(210)은 상기 웨이퍼(10)의 이면과 접하는 면이 얼마 정도 거치냐에 따라 규격이 정해지며, 그 단위는 메쉬(mesh)가 사용될 수 있다. 본 실시예에서의 상기 연삭 휠(210)은 매우 민감한 반도체 소자에 부품인 상기 웨이퍼(10)의 이면을 연삭하므로, 일반적인 다른 연삭 공정에서보다 상대적으로 높은 수치의 메쉬, 즉 고은 것을 사용할 수 있다.The grinding wheel 210 is disposed along the planar direction (x, y) so that a wide surface is in contact with the back surface of the wafer 10. The grinding wheel 210 is determined according to how much the surface in contact with the back surface of the wafer 10 passes, the unit may be a mesh (mesh) may be used. Since the grinding wheel 210 in the present embodiment grinds the back surface of the wafer 10 as a component in a highly sensitive semiconductor device, a mesh having a higher value, that is, a higher level, may be used than in other general grinding processes.

상기 연삭 휠(210)은 일정 주기마다 교환해 주는 소모성 자재이다. 상기 주 기는 상기 연삭 휠(210)의 관리 상태와 연삭 공정 중 연삭되는 부분에서 발생되는 열을 식혀주기 위한 절삭유 또는 절삭수의 주입 상태에 따라 얼마든지 가변될 수 있다. The grinding wheel 210 is a consumable material that is exchanged at regular intervals. The main period may vary depending on the management state of the grinding wheel 210 and the injection state of the cutting oil or cutting water for cooling the heat generated in the grinding portion during the grinding process.

상기 연삭 지그(220)는 고정되는 상기 웨이퍼(10)를 기준으로 상기 회전척(100)과 반대되는 위치에서 상기 연삭 휠(210)을 고정한다. 여기서, 상기 연삭 지그(220)는 상기 연삭 휠(210)이 소모성 자재이기 때문에, 상기 연삭 휠(210)의 결합 및 분리가 가능하도록 한 구조를 가질 수 있다. The grinding jig 220 fixes the grinding wheel 210 at a position opposite to the rotary chuck 100 based on the wafer 10 to be fixed. Here, the grinding jig 220 may have a structure that allows the grinding wheel 210 to be coupled and separated because the grinding wheel 210 is a consumable material.

상기 연삭 지그(220)는 상기 연삭 휠(210)이 상기 웨이퍼(10)의 이면을 상기 z 방향을 따라 가압하여 연삭되도록 하기 위하여 별도의 제2 구동부(700)와 연결될 수 있다. 상기 제2 구동부(700)는 구동 모터를 포함하여 상기 연삭 지그(220)를 회전시킬 수도 있다. 이로써, 상기 연삭 지그(220)를 통해 상기 연삭 휠(210)을 회전시킴으로써, 상기 웨이퍼(10)의 이면을 연삭하는 공정을 보다 효율적으로 진행시킬 수도 있다. The grinding jig 220 may be connected to a separate second driving part 700 in order for the grinding wheel 210 to press the back surface of the wafer 10 in the z direction to be ground. The second driving unit 700 may include a driving motor to rotate the grinding jig 220. Thus, by rotating the grinding wheel 210 through the grinding jig 220, the process of grinding the back surface of the wafer 10 may be more efficiently carried out.

이때, 상기 제2 구동부(700)에 의한 상기 연삭 휠(210)의 회전 방향과 상기 제1 구동부(600)에 의한 상기 웨이퍼(10)의 회전 방향을 동일하게 할 필요성이 있다. 이는, 상기 연삭 휠(210)이 상기 웨이퍼(10)의 제1 영역(CA1)을 포함하여 배치되어 있기 때문에, 상기 연삭 휠(210)과 상기 웨이퍼(10)의 이면이 접하는 면에서 각각은 서로 반대 방향으로 회전하도록 하여 더 심한 마찰을 유도하기 위해서이다. In this case, it is necessary to make the rotation direction of the grinding wheel 210 by the second driver 700 the same as the rotation direction of the wafer 10 by the first driver 600. Since the grinding wheel 210 is disposed to include the first area CA1 of the wafer 10, the grinding wheel 210 and the back surface of the wafer 10 are in contact with each other. This is to induce more friction by rotating in the opposite direction.

한편, 상기 연삭 휠(210)의 제2 중심축(c2)은 상기 연삭 휠(210)이 상기 웨이퍼(10)의 이면에서 실질적으로, 동일한 한 방향으로만 마찰되도록 하기 위하여 상기 웨이퍼(10)의 가장자리에 대응되거나 그 외곽으로 벗어나서 형성될 필요성이 있다.On the other hand, the second central axis c2 of the grinding wheel 210 of the wafer 10 in order to cause the grinding wheel 210 to be rubbed in substantially the same one direction on the back surface of the wafer 10. It is necessary to be formed corresponding to or out of the edge.

상기 제1 측정부(300)는 상기 웨이퍼(10)의 제1 중심축(c1)을 기준으로 상기 연삭부(200)와 반대되는 위치인 제2 영역(CA2)에서 연삭이 이루어지는 상기 웨이퍼(10)의 이면과 이격되도록 배치된다. 특히, 상기 제1 측정부(300)는 상기 연삭 공정에서 발생될 수 있는 이물질로부터 최대한 영향을 덜 받도록 하기 위하여 상기 제2 영역(CA2) 중 가장 떨어진 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 이물질은 상기 연삭 공정에서 연삭된 상기 웨이퍼(10)의 조각일 수도 있고, 상기 연삭부(200)와 상기 웨이퍼(10) 사이에서 발생된 열을 식혀주는 절삭유 또는 절삭수의 일부일 수 있다. The first measuring unit 300 is the wafer 10 which is ground in the second area CA2 which is the position opposite to the grinding unit 200 with respect to the first central axis c1 of the wafer 10. It is arranged to be spaced apart from the back side. In particular, the first measuring unit 300 is preferably disposed at the position farthest from the second area CA2 in order to be less affected by foreign matter that may be generated in the grinding process. Here, the foreign matter may be a piece of the wafer 10 ground in the grinding process, or may be part of cutting oil or cutting water that cools the heat generated between the grinding part 200 and the wafer 10. .

이하, 상기 제1 측정부(300)는 도 3을 추가적으로 참조하여 설명하고자 한다.Hereinafter, the first measuring unit 300 will be described with reference to FIG. 3.

도 3을 추가적으로 참조하면, 상기 제1 측정부(300)는 제1 광(L1)을 조사하는 제1 광조사부(310) 및 상기 제1 광(L1)을 감지하는 제1 광감지부(320)를 포함하여 상기 웨이퍼(10)의 이면과의 최단의 제1 거리(d1)를 측정한다. 여기서, 상기 제1 광(L1)은 실질적으로 직진성의 레이저광일 수 있다. Referring to FIG. 3, the first measuring unit 300 may include a first light irradiating unit 310 for irradiating a first light L1 and a first light detecting unit 320 for detecting the first light L1. ), The shortest first distance d1 from the back surface of the wafer 10 is measured. Here, the first light L1 may be a substantially straight laser light.

상기 제1 측정부(300)가 상기 웨이퍼(10)의 이면과의 제1 거리(d1)를 측정하는 방법을 간단하게 설명하면, 먼저 상기 제1 광조사부(310)는 상기 제1 광(L1)을 상기 z 방향을 기준으로 약간 기울어지도록 상기 웨이퍼(10)의 이면에 조사한다. 이어, 상기 조사된 레이저광은 상기 웨이퍼(10)의 이면에서 반사되어 상기 제1 광감지부(320)로 향하게 된다. 마지막으로, 상기 제1 광감지부(320)는 상기 반사된 제1 광(L1)을 감지한다. When the first measuring unit 300 briefly describes a method for measuring the first distance d1 from the back surface of the wafer 10, the first light irradiating unit 310 first includes the first light L1. ) Is irradiated to the back surface of the wafer 10 to be slightly inclined with respect to the z direction. Subsequently, the irradiated laser light is reflected from the back surface of the wafer 10 to be directed to the first light sensing unit 320. Finally, the first light detector 320 detects the reflected first light L1.

이로써, 상기 제1 측정부(300)는 상기 레이저광의 속도와 상기 웨이퍼(10)의 이면에서 반사되어 감지되는데 걸린 시간을 고려하여 상기 제1 거리(d1)를 정밀하게 측정할 수 있다. As a result, the first measuring unit 300 may accurately measure the first distance d1 in consideration of the speed of the laser light and the time taken to be detected by being reflected from the back surface of the wafer 10.

이를 통해, 작업자는 상기 제1 측정부(300)에 의하여 측정된 제1 거리(d1)를 통해 상기 웨이퍼(10)의 이면이 실질적으로 얼마만큼 연삭되었지를 파악할 수 있다. 하지만, 상기 제1 측정부(300)만으로는 상기 웨이퍼(10)의 실질적인 두께를 파악할 수 없기 때문에, 상기 제2 측정부(400)가 사용된다. Through this, the operator can determine how much the back surface of the wafer 10 has been substantially ground through the first distance d1 measured by the first measuring unit 300. However, since the actual thickness of the wafer 10 cannot be determined by the first measuring unit 300 alone, the second measuring unit 400 is used.

상기 제2 측정부(400)는 놓여지는 상기 웨이퍼(10)의 외곽 중 상기 제1 측정부(300)와 같이 상기 연삭부(200)의 반대 위치에 배치된다. 구체적으로, 상기 제2 측정부(400)는 상기의 반대되는 위치에서 상기 회전척(100)의 표면(110)과 이격되도록 배치된다. 이에, 상기 제2 측정부(400)는 상기 표면(110)과의 최단인 제2 거리(d2)를 측정할 수 있다. The second measuring unit 400 is disposed at an opposite position of the grinding unit 200 as the first measuring unit 300 of the outer portion of the wafer 10 to be placed. Specifically, the second measuring unit 400 is disposed to be spaced apart from the surface 110 of the rotary chuck 100 at the opposite position. Thus, the second measurement unit 400 may measure the second distance d2 that is the shortest with respect to the surface 110.

상기 제2 측정부(400)는 상기 제1 측정부(300)와 마찬가지로, 제2 광(L2)을 조사하는 제2 광조사부(410) 및 상기 표면(110)에서 반사되는 상기 제2 광(L2)을 감지하는 제2 광감지부(420)를 포함한다. 여기서, 상기 제2 측정부(400)가 상기 제2 거리(d2)를 측정하는 방법은 실질적으로 상기 제1 측정부(300)가 상기 제1 거 리(d1)를 측정하는 방법과 동일할 수 있으므로, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다. Like the first measurement unit 300, the second measurement unit 400 may include the second light irradiation unit 410 for irradiating the second light L2 and the second light reflected from the surface 110. And a second light detecting unit 420 for detecting L2). Here, the method of measuring the second distance d2 by the second measuring unit 400 may be substantially the same as the method of measuring the first distance d1 by the first measuring unit 300. Therefore, detailed description thereof will be omitted.

상기 두께 산출부(500)는 상기 제1 측정부(300) 및 상기 제2 측정부(400)와 전기적으로 연결되어 상기 제1 거리(d1) 및 상기 제2 거리(d2)에 대한 데이터를 입력 받는다. The thickness calculator 500 is electrically connected to the first measurement unit 300 and the second measurement unit 400 to input data for the first distance d1 and the second distance d2. Receive.

상기 두께 산출부(500)는 상기 제1 측정부(300)에서 측정된 상기 제1 거리(d1)와 상기 제2 측정부(400)에서 측정된 상기 제2 거리(d2)를 통하여 실질적인 상기 웨이퍼(10)의 두께를 산출한다. 이때, 기본적으로 상기 제1 측정부(300)와 상기 제2 측정부(400)의 상기 z 방향에 따른 높이차(hd)가 이미 설정될 필요성이 있다. 즉, 상기 제1 측정부(300)와 상기 제2 측정부(400)는 연삭 도중에 그 위치가 변동되지 않고, 기설정된 상기 높이차(hd)만큼 항상 유지될 필요성이 있다. The thickness calculator 500 is substantially the wafer through the first distance d1 measured by the first measuring unit 300 and the second distance d2 measured by the second measuring unit 400. The thickness of (10) is calculated. At this time, it is necessary to basically set the height difference (hd) in the z direction of the first measuring unit 300 and the second measuring unit 400 already. That is, the position of the first measuring unit 300 and the second measuring unit 400 does not change during grinding, and it is necessary to always maintain the preset height difference hd.

이로써, 상기 두께 산출부(500)는 상기 제2 거리(d2)와 상기 제3 거리(d3)를 수학적으로 더한 다음, 이에서 상기 제1 거리(d1)를 감함으로써, 간단하게 상기 웨이퍼(10)의 두께를 산출할 수 있다. As a result, the thickness calculator 500 mathematically adds the second distance d2 and the third distance d3, and then subtracts the first distance d1 therefrom, thereby simplifying the wafer 10. ) Thickness can be calculated.

이와 같이 산출된 상기 웨이퍼(10)의 두께는 작업자에 의해 기설정된 값과 비교하여 상기 웨이퍼 이면 연삭 장치(1000)에 의한 연삭 공정을 언제 멈출지를 결정짓는 수단으로 사용될 수 있다. The thickness of the wafer 10 calculated as described above may be used as a means for determining when to stop the grinding process by the wafer backside grinding apparatus 1000 as compared with a predetermined value by an operator.

이에, 상기 두께 산출부(500)에서 산출된 두께를 통해 연삭 공정을 멈추는 과정을 간단하게 설명하면, 먼저 상기 두께 산출부(500)는 작업자로 하여금 기설정된 두께가 입력된 제어부(800)와 연결된다. 이어, 상기 제어부(800)는 기설정된 두 께를 상기 두께 산출부(500)에서 산출된 두께와 비교하여 같게 되면, 전기적으로 연결된 상기 제2 구동부(700)로 연삭 공정을 차단하기 위한 차단 신호를 인가한다. 이어, 상기 제2 구동부(700)는 상기 연삭 휠(210)을 상기 웨이퍼(10)의 이면으로부터 이탈시킨다. Accordingly, the process of stopping the grinding process through the thickness calculated by the thickness calculating unit 500 will be described briefly. First, the thickness calculating unit 500 is connected to the controller 800 in which the operator inputs a predetermined thickness. do. Subsequently, the controller 800 compares the predetermined thickness with the thickness calculated by the thickness calculator 500, and when the control unit 800 is equal to the thickness, the cutoff signal for blocking the grinding process by the second driving unit 700 which is electrically connected. Is authorized. Subsequently, the second driving part 700 separates the grinding wheel 210 from the back surface of the wafer 10.

이때, 상기 제어부(800)는 상기 제1 구동부(600)와 전기적으로 연결되어 상기 두께 산출부(500)에서 산출된 두께와 작업자로 하여금 기설정된 두께가 같게 되면, 상기 회전척(100)의 회전을 멈추도록 할 수도 있다. 이와 달리, 상기 제1 구동부(600)는 상기 제2 구동부(700)와 연결되어 상기 제어부(800)로 하여금 동시에 제어될 수도 있다.At this time, the control unit 800 is electrically connected to the first driving unit 600, when the thickness calculated by the thickness calculating unit 500 and the predetermined thickness by the operator is equal, the rotation of the rotary chuck 100 You can also stop it. Alternatively, the first driver 600 may be connected to the second driver 700 to be simultaneously controlled by the controller 800.

한편, 상기 제1 측정부(300)와 상기 제2 측정부(400)는 상기 연삭부(200)의 중심과 동일 선 상에 배치되는 것이 바람직하다. 이는, 상기 연삭부(200)가 상기 웨이퍼(10)의 이면을 연삭할 때, 동일하게 적용되는 위치를 상기 제1 측정부(300)와 상기 제2 측정부(400)가 측정하여 실질적인 상기 웨이퍼(10)의 두께를 산출하기 위해서이다. On the other hand, the first measuring unit 300 and the second measuring unit 400 is preferably arranged on the same line as the center of the grinding unit 200. This is because when the grinding unit 200 grinds the back surface of the wafer 10, the first measuring unit 300 and the second measuring unit 400 measure the same position to be substantially applied to the wafer. This is for calculating the thickness of (10).

결과적으로, 상기 웨이퍼 이면 연삭 장치(1000)에서 상기 웨이퍼(10)의 이면을 연삭하면서 실시간으로 상기 웨이퍼(10)의 두께를 측정함에 있어서, 상기 웨이퍼(10)의 이면으로부터 이격된 상기 제1 측정부(300) 및 상기 회전척(100)의 표면(110)으로부터 이격된 상기 제2 측정부(400)로부터 측정된 상기 제1 거리(d1) 및 상기 제2 거리(d2)를 이용함으로써, 상기 웨이퍼(10)의 이면와의 직접적인 접촉을 배제시키면서 상기 두께 산출부(500)를 통해 정밀하게 상기 웨이퍼(10)의 두께를 정밀하게 측정할 수 있다. As a result, in measuring the thickness of the wafer 10 in real time while grinding the back surface of the wafer 10 in the wafer backside grinding apparatus 1000, the first measurement spaced apart from the back surface of the wafer 10. By using the first distance d1 and the second distance d2 measured from the second measuring unit 400 spaced apart from the part 300 and the surface 110 of the rotary chuck 100, The thickness of the wafer 10 may be precisely measured through the thickness calculator 500 while excluding direct contact with the back surface of the wafer 10.

또한, 상기 제1 측정부(300)와 상기 제2 측정부(400)에 대한 마모가 발생될 가능성이 없으므로, 이들을 별도로 보정할 필요성이 없다. In addition, since the wear of the first measuring unit 300 and the second measuring unit 400 is unlikely to occur, there is no need to correct them separately.

한편, 상기 웨이퍼 이면 연삭 장치(1000)는 제1 분사부(900) 및 제2 분사부(950)를 더 포함한다. Meanwhile, the wafer back grinding apparatus 1000 further includes a first injector 900 and a second injector 950.

상기 제1 분사부(900)는 놓여지는 상기 웨이퍼(10)의 이면 중 상기 제1 측정부(300)가 측정하는 위치, 즉 상기 제1 측정부(300)의 상기 제1 광조사부(310)로부터 상기 제1 광(L1)이 조사되는 위치에 에어(20)를 분사한다. 이는, 상기 제1 측정부(300)가 상기 제1 거리(d1)를 측정할 때, 상기 연삭부(200)의 연삭으로 인한 이물질로 인하여 간섭되어 상기 제1 거리(d1)에 오차가 발생되는 것을 방지하기 위해서이다. The first injection unit 900 is a position measured by the first measurement unit 300 among the back surfaces of the wafer 10, that is, the first light irradiation unit 310 of the first measurement unit 300. Air 20 is injected at a position from which the first light L1 is irradiated. This is because when the first measurement unit 300 measures the first distance d1, an interference occurs due to a foreign material due to the grinding of the grinding unit 200, and an error occurs in the first distance d1. To prevent that.

구체적으로, 상기 제1 분사부(900)는 상기 제1 측정부(300)가 내부에 배치되도록 구성된다. 즉, 상기 제1 분사부(900)는 상기 제1 측정부(300)를 감싸면서 정확하게 상기 제1 측정부(300)가 측정하는 위치에 에어(20)를 분사한다. Specifically, the first injection unit 900 is configured such that the first measurement unit 300 is disposed therein. That is, the first injector 900 injects the air 20 at the position measured by the first measurer 300 precisely while surrounding the first measurer 300.

상기 제2 분사부(950)는 상기 회전척(100)의 표면(110) 중 상기 제2 측정부(400)가 측정하는 위치, 즉 상기 제2 측정부(400)의 상기 제2 광조사부(410)로부터 상기 제2 광(L2)이 조사되는 위치에 에어(20)를 분사한다.The second injection unit 950 is a position measured by the second measurement unit 400 among the surfaces 110 of the rotary chuck 100, that is, the second light irradiation unit of the second measurement unit 400 ( The air 20 is injected to the position where the second light L2 is irradiated from the 410.

상기 제2 분사부(950)는 상기 제2 측정부(400)가 내부에 배치되도록 형성된다. 즉, 상기 제2 분사부(950)는 그 위치를 제외하고는 상기 제1 분사부(900)와 동일한 구성 및 기능을 하므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. The second injection unit 950 is formed such that the second measurement unit 400 is disposed therein. That is, since the second injection unit 950 has the same configuration and function as the first injection unit 900 except for the position thereof, a detailed description thereof will be omitted.

이와 같이, 상기 웨이퍼 이면 연삭 장치(1000)는 상기 제1 분사부(900)와 상기 제2 분사부(950)를 통하여 상기 제1 측정부(300)와 상기 제2 측정부(400)가 각각 측정하는 위치를 연삭 공정 중 발생될 수 있는 이물질로부터 보호함으로써, 상기 이물질로 인하여 상기 제1 측정부(300) 및 상기 제2 측정부(400)로부터 각각 측정된 상기 제1 거리(d1) 및 상기 제2 거리(d2)의 측정 오차를 방지할 수 있다. As described above, the wafer back surface grinding apparatus 1000 includes the first measurement unit 300 and the second measurement unit 400 through the first injection unit 900 and the second injection unit 950, respectively. By protecting the position to be measured from foreign matter that may be generated during the grinding process, the first distance d1 and the first measured distance from the first measuring part 300 and the second measuring part 400 due to the foreign matter, respectively. The measurement error of the second distance d2 can be prevented.

본 실시예에서는, 제1 분사부와 제2 분사부의 구조를 제외하고는 도 1, 도 2 및 도 3에 도시된 구성과 동일할 수 있으므로, 동일한 참조 번호를 사용하며 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다. In the present embodiment, except for the structure of the first injection unit and the second injection unit may be the same as the configuration shown in Figs. 1, 2 and 3, the same reference numerals are used and detailed description thereof will be omitted. Let's do it.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 이면 연삭 장치(1100)의 제1 분사부(910)는 제1 측정부(350)의 바로 앞에 배치되어 에어(20)를 분사한다. Referring to FIG. 4, the first jetting unit 910 of the wafer back surface grinding apparatus 1100 according to another exemplary embodiment of the present invention is disposed immediately in front of the first measuring unit 350 to inject air 20.

구체적으로, 상기 제1 분사부(910)는 상기 웨이퍼(10)의 연삭이 이루어지는 방향을 기준으로 상기 제1 측정부(350)의 앞에 위치한다. 이를 간단하게 정리하면, 상기 제1 분사부(910)는 상기 연삭부(200)와 상기 제1 측정부(350)의 사이에 대응되는 제2 영역(CA2) 중 상기 제1 측정부(350)와 가장 가깝게 배치된다. In detail, the first injector 910 is positioned in front of the first measuring unit 350 based on the grinding direction of the wafer 10. In brief, the first injection unit 910 may include the first measurement unit 350 of the second area CA2 corresponding to the grinding unit 200 and the first measurement unit 350. Is placed closest to

또한, 상기 제1 분사부(910)는 상기 웨이퍼(10)의 연삭이 이루어지는 방향으로 약간 기울어지게 에어(20)를 분사한다. 이로써, 상기 제1 분사부(910)는 분사되는 에어(20)를 통해 상기 연삭부(200)를 통한 연삭 공정에서 발생된 이물질이 상기 제1 측정부(350)의 측정 위치로 접근하는 것을 방지할 수 있다. In addition, the first injector 910 injects the air 20 to be slightly inclined in the direction in which the wafer 10 is ground. As a result, the first injection unit 910 prevents foreign substances generated in the grinding process through the grinding unit 200 from approaching the measurement position of the first measurement unit 350 through the air 20 injected. can do.

상기 웨이퍼 이면 연삭 장치(1100)의 제2 분사부(960)는 상기 웨이퍼(10)의 연삭이 이루어지는 방향을 기준으로 상기 제2 측정부(450)의 앞에 위치한다. 이를 간단하게 정리하면, 상기 제2 분사부(960)는 상기 웨이퍼(10)의 이면의 외곽 영역 중 상기 제2 측정부(450)와 가장 가깝게 배치된다. The second jetting unit 960 of the wafer back surface grinding apparatus 1100 is positioned in front of the second measuring unit 450 based on the direction in which the wafer 10 is ground. In brief, the second injector 960 is disposed closest to the second measurement unit 450 in the outer region of the rear surface of the wafer 10.

상기 제2 분사부(960)는 상기 제1 분사부(910)와 마찬가지로, 상기 웨이퍼(10)의 연삭이 이루어지는 방향으로 약간 기울어지게 에어(20)를 분사한다. 이는, 상기 제1 분사부(910)와 동일한 기능을 하기 위한 것이므로, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.Like the first injector 910, the second injector 960 injects the air 20 to be slightly inclined in the direction in which the wafer 10 is ground. This is to perform the same function as the first injection unit 910, and thus the detailed description thereof will be omitted.

이와 같이, 상기 웨이퍼 이면 연삭 장치(1100)는 상기 제1 분사부(910)와 상기 제2 분사부(960)를 통해 상기 제1 측정부(350)와 상기 제2 측정부(450)의 측정 위치에 상기 연삭 공정에서 발생되는 이물질이 접근하는 것을 방지할 수 있다. As such, the wafer back surface grinding apparatus 1100 measures the first measurement unit 350 and the second measurement unit 450 through the first injection unit 910 and the second injection unit 960. It is possible to prevent the foreign matter generated in the grinding process to approach the position.

이와 같은 웨이퍼 이면 연삭 장치에 따르면, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 동안 실시간으로 상기 웨이퍼의 두께를 측정하기 위하여 제1 측정부와 제2 측정부를 각각 상기 웨이퍼의 이면과 상기 웨이퍼가 놓여지는 회전축의 표면으로부터 이격되도록 배치시켜 그 거리를 측정함으로써, 상기 웨이퍼의 이면에 직접적으로 영향을 주지 않으면서 그 두께를 정밀하게 산출할 수 있다. According to such a wafer back surface grinding apparatus, in order to measure the thickness of the wafer in real time while grinding the back surface of the wafer, the first measuring part and the second measuring part are respectively from the back surface of the wafer and the surface of the rotating shaft on which the wafer is placed. By arranging to be spaced apart and measuring the distance, the thickness can be accurately calculated without directly affecting the back surface of the wafer.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통 상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the above description of the present invention has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will have the idea of the present invention described in the claims to be described below. It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

Claims

A rotary chuck which rotates the wafer while having the same central axis as the central axis of the wafer on which the back surface is exposed;

Grinding part for grinding the back surface of the wafer placed on the rotary chuck;

A first measuring unit positioned to be spaced apart from the back surface of the wafer to be ground by the grinding unit and measuring a first distance from the back surface of the wafer to be ground;

A second measuring unit positioned to be spaced apart from the rotary chuck and measuring a second distance spaced apart from a surface of the rotary chuck;

The first distance measured by the first measuring unit and the second distance measured by the second measuring unit are input, and the thickness of the wafer on which the grinding is performed is calculated using the first distance and the second distance. A thickness calculator;

A first injector for injecting air to the back surface of the wafer to be measured by the first measuring unit; And

A second injection part for injecting air to the surface of the rotary chuck in which the measurement is made by the second measurement part;

And the first injector is configured such that the first measuring unit is disposed therein, and the second injector is configured such that the second measuring unit is disposed therein.

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The method of claim 1, wherein the first injection unit is located in front of the first measuring unit based on the grinding direction, the second injection unit is located in front of the second measuring unit based on the direction in which the grinding is performed. Wafer back surface grinding apparatus to be used.

The wafer back surface grinding apparatus according to claim 4, wherein the first jetting part and the second jetting part inject air in an inclined direction in the grinding operation.

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