KR101326920B1 - Solar cell and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 태양전지의 제조 방법은 지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광 흡수층을 형성하는 단계는 원소들을 제1 증발하는 단계 및 상기 원소들을 제2 증발하는 단계를 포함하고, 상기 제1 증발하는 단계 및 상기 제2 증발하는 단계에서의 상기 원소들의 증착속도가 서로 다르다.
실시예에 따른 태양전지는 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법에 의해 형성된다.A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes forming a back electrode layer on a support substrate; Forming a light absorbing layer on the back electrode layer; Forming a buffer layer on the light absorbing layer; And forming a front electrode layer on the buffer layer, wherein forming the light absorbing layer comprises first evaporating the elements and second evaporating the elements; The deposition rates of the elements in the second evaporation step are different from each other.
The solar cell according to the embodiment is formed by the manufacturing method of the solar cell according to the embodiment.

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a solar cell and a manufacturing method thereof.

태양광 발전을 위한 태양전지의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 기판이 제공되고, 상기 기판 상에 후면전극층이 형성되고, 레이저에 의해서 패터닝되어, 다수 개의 이면전극들이 형성된다.A manufacturing method of a solar cell for solar power generation is as follows. First, a substrate is provided, a back electrode layer is formed on the substrate, and patterned by a laser to form a plurality of back electrodes.

이후, 상기 이면전극들 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 고저항 버퍼층이 차례로 형성된다. 상기 광 흡수층을 형성하기 위해서 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 광 흡수층을 형성하는 방법 등 다양한 방법이 사용되고 있다. 이후, 상기 광 흡수층 상에 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 이후, 상기 버퍼층 상에 징크 옥사이드(ZnO)를 포함하는 고저항 버퍼층이 스퍼터링 공정에 의해서 형성된다. 이후, 상기 광 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 고저항 버퍼층에 홈 패턴이 형성될 수 있다.Then, a light absorption layer, a buffer layer, and a high-resistance buffer layer are sequentially formed on the back electrodes. In order to form the light absorbing layer, various methods such as a method of forming a light absorbing layer while simultaneously or separately evaporating copper, indium, gallium, and selenium have been used. Thereafter, a buffer layer containing cadmium sulfide (CdS) is formed on the light absorbing layer by a sputtering process. Thereafter, a high resistance buffer layer including zinc oxide (ZnO) is formed on the buffer layer by a sputtering process. Thereafter, a groove pattern may be formed in the light absorbing layer, the buffer layer, and the high resistance buffer layer.

이후, 상기 고저항 버퍼층 상에 투명한 도전물질이 적층되고, 상기 홈패턴이 상기 투명한 도전물질이 채워진다. 이후, 상기 투명전극층 등에 홈 패턴이 형성되어, 다수 개의 태양전지들이 형성될 수 있다상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 서로 미스 얼라인되며, 상기 투명전극들 및 상기 이면전극들은 상기 접속배선들에 의해서 각각 전기적으로 연결된다. 이에 따라서, 다수 개의 태양전지들이 서로 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다.Thereafter, a transparent conductive material is stacked on the high resistance buffer layer, and the groove pattern is filled with the transparent conductive material. A groove pattern may be formed on the transparent electrode layer to form a plurality of solar cells. The transparent electrodes and the back electrodes are misaligned with each other, and the transparent electrodes and the back electrodes are connected to the connection wirings. Each of which is electrically connected. Accordingly, a plurality of solar cells can be electrically connected in series with each other.

이와 같이, 태양광을 전기에너지로 변환시키기 위해서, 다양한 형태의 태양광 발전장치가 제조되고, 사용될 수 있다. 이와 같은 태양광 발전장치는 특허 공개 공보 10-2008-0088744 등에 개시된다.Thus, various types of photovoltaic devices can be manufactured and used to convert sunlight into electrical energy. Such a photovoltaic power generation apparatus is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2008-0088744.

한편, 상기 광 흡수층 성장 시, 상기 광 흡수층에 포함되는 그레인(grain)이 과도하게 크게 성장되고, 셀레늄에 의해 보이드(void)가 발생한다. 이와 같은 보이드는 광 흡수층과 후면전극층과의 접촉 면적을 줄여 저항성분이 커지게 한다는 문제가 있다. 또한, 광 흡수층이 후면전극층으로부터 박리되어 태양전지의 신뢰성을 떨어지게 한다는 문제가 있다. On the other hand, when the light absorbing layer is grown, grains included in the light absorbing layer are excessively grown, and voids are generated by selenium. Such voids have a problem of increasing the resistance component by reducing the contact area between the light absorbing layer and the back electrode layer. In addition, there is a problem that the light absorbing layer is peeled off from the back electrode layer to reduce the reliability of the solar cell.

실시예는 고품질의 태양전지를 제공하고자 한다.The embodiment seeks to provide a high quality solar cell.

실시예에 따른 태양전지의 제조 방법은 지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광 흡수층을 형성하는 단계는 원소들을 제1 증발하는 단계 및 상기 원소들을 제2 증발하는 단계를 포함하고, 상기 제1 증발하는 단계 및 상기 제2 증발하는 단계에서의 상기 원소들의 증착속도가 서로 다르다.A method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes forming a back electrode layer on a support substrate; Forming a light absorbing layer on the back electrode layer; Forming a buffer layer on the light absorbing layer; And forming a front electrode layer on the buffer layer, wherein forming the light absorbing layer comprises first evaporating the elements and second evaporating the elements; The deposition rates of the elements in the second evaporation step are different from each other.

실시예에 따른 태양전지는 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법에 의해 형성된다.The solar cell according to the embodiment is formed by the manufacturing method of the solar cell according to the embodiment.

실시예에 따른 태양전지의 제조 방법은 광 흡수층 형성 시, 제1 증발하는 단계 및 제2 증발하는 단계로 구분하여 광 흡수층을 형성함으로써, 초기 성장 시, 셀레늄이 과도하게 증발되어 상기 광 흡수층에 포함되는 그레인(grain)이 갑자기 성장하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 그레인 사이에 보이드(void)가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 광 흡수층과 상기 후면전극층과의 접촉 면적을 늘려 접촉저항을 줄일 수 있고, 태양전지의 신뢰성을 향상할 수 있다. In the solar cell manufacturing method according to the embodiment, when forming the light absorbing layer, divided into the first evaporation step and the second evaporation step to form a light absorbing layer, during the initial growth, selenium is excessively evaporated and included in the light absorbing layer It is possible to prevent the growing grain from growing suddenly. Therefore, it is possible to prevent the generation of voids between the grains. Therefore, the contact resistance can be reduced by increasing the contact area between the light absorbing layer and the back electrode layer, thereby improving the reliability of the solar cell.

또한, 광 흡수층 내의 보이드가 감소함으로써, 상기 광 흡수층과 상기 후면전극층과의 접합력을 향상 할 수 있고, 상기 광 흡수층이 상기 후면전극층으로부터 떨어져 나가는 것을 방지할 수 있다. In addition, by reducing the voids in the light absorbing layer, the bonding force between the light absorbing layer and the back electrode layer can be improved, and the light absorbing layer can be prevented from falling off from the back electrode layer.

실시예에 따른 태양전지는 상기 효과를 가질 수 있다. The solar cell according to the embodiment may have the above effect.

도 1 내지 도 5는 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6은 실시예에 따른 태양전지에서 셀레늄의 양을 측정한 그래프이다. 1 to 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.
6 is a graph measuring the amount of selenium in the solar cell according to the embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명한다. First, a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5.

도 1 내지 도 5는 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 to 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법은, 후면전극층(200)을 형성하는 단계, 광 흡수층(300)을 형성하는 단계, 버퍼층(400)을 형성하는 단계, 전면전극층(500)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 1 to 5, in the solar cell manufacturing method according to the embodiment, forming the back electrode layer 200, forming the light absorbing layer 300, forming the buffer layer 400, and front surface Forming an electrode layer 500 may include.

먼저, 도 1을 참조하면, 지지기판(100) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 몰리브덴 등과 같은 금속이 증착되고, 후면전극층(200)이 형성된다. First, referring to FIG. 1, a metal such as molybdenum is deposited on a support substrate 100 by a sputtering process, and a back electrode layer 200 is formed.

상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 상기 전면전극층(600)을 지지한다.The supporting substrate 100 has a plate shape and supports the rear electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the front electrode layer 600.

상기 지지기판(100)은 절연체일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.The support substrate 100 may be an insulator. The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. In more detail, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100)의 상면에 배치된다. 상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면전극층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo) 등의 금속을 들 수 있다.The back electrode layer 200 is disposed on an upper surface of the support substrate 100. The rear electrode layer 200 is a conductive layer. Examples of the material used for the rear electrode layer 200 include metals such as molybdenum (Mo).

또한, 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.In addition, the rear electrode layer 200 may include two or more layers. At this time, the respective layers may be formed of the same metal or may be formed of different metals.

상기 후면전극층(200)은 공정 조건이 서로 다른 두 번의 공정들에 의해서 형성될 수 있다.The rear electrode layer 200 may be formed by two processes having different process conditions.

상기 지지기판(100) 및 상기 후면전극층(200) 사이에는 확산 방지막과 같은 추가적인 층이 개재될 수 있다.An additional layer such as a diffusion barrier may be interposed between the support substrate 100 and the back electrode layer 200.

이어서, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)을 형성할 수 있다. 상기 광 흡수층(300)을 형성하는 단계는 원소들을 제1 증발하는 단계 및 상기 원소들을 제2 증발하는 단계를 포함한다.2 and 3, the light absorbing layer 300 may be formed on the back electrode layer 200. Forming the light absorbing layer 300 includes first evaporating the elements and second evaporating the elements.

상기 제1 증발하는 단계 및 상기 제2 증발하는 단계에서의 상기 원소들의 증착속도가 서로 다르게 구비된다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 증착속도를 서로 달리하여 제1 증발하는 단계, 제2 증발하는 단계 및 제3 증발하는 단계로 구분할 수 있다. The deposition rates of the elements in the first evaporation and the second evaporation are provided differently. However, embodiments are not limited thereto, and may be classified into a first evaporation step, a second evaporation step, and a third evaporation step with different deposition rates.

여기서, 상기 광 흡수층(300)을 형성하는 단계에서는 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시에 증발시켜 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계)의 광 흡수층(300)을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조를 가질 수 있다. In the forming of the light absorbing layer 300, copper, indium, gallium, and selenium are simultaneously evaporated to form a light absorbing layer 300 of copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based). ) Can be formed. Thus, the light absorbing layer 300 may have a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2; CIGS-based) crystal structure.

상기 제1 증발하는 단계에서는 상기 셀레늄이 제1 증착속도로 증착되어 제1 광 흡수층(351)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제2 증발하는 단계에서는 상기 셀레늄이 제2 증착속도로 증착되어 제2 광 흡수층(352)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제1 증착속도 및 상기 제2 증착속도가 서로 다르게 구비된다. 구체적으로, 상기 제2 증착속도가 상기 제1 증착속도보다 빠르다. 더 구체적으로, 상기 제2 증착속도는 상기 제1 증착속도에 대해 1.5 배 내지 3 배이다. In the first evaporating step, the selenium may be deposited at a first deposition rate to form a first light absorbing layer 351. In addition, in the second evaporation step, the selenium may be deposited at a second deposition rate to form a second light absorbing layer 352. Here, the first deposition rate and the second deposition rate are provided differently. Specifically, the second deposition rate is faster than the first deposition rate. More specifically, the second deposition rate is 1.5 times to 3 times the first deposition rate.

상기 제1 증착속도 및 제2 증착속도는 셀레늄 증발 시 온도를 달리하거나, 셀레늄에 인가되는 스퍼터(sputter)의 파워(power)의 크기를 달리함으로써 구분할 수 있다. The first deposition rate and the second deposition rate may be distinguished by varying the temperature during evaporation of selenium or by varying the magnitude of the power of a sputter applied to selenium.

상기 제1 증발하는 단계에서 형성되는 상기 제1 광 흡수층(351)의 두께(T1)는 최종 광 흡수층(300)의 두께(T2) 중 초기 10 % 내지 40 % 의 두께(T1)일 수 있다. 즉, 상기 제1 증발하는 단계는 초기 10 % 내지 40 % 의 두께가 형성되는 동안 수행될 수 있다. 바람직하게는, 상기 제1 증발하는 단계는 초기 25 % 가량의 두께가 형성되는 동안 수행될 수 있다. 즉, 광 흡수층(300)의 초기 성장 속도를 제어할 수 있다. The thickness T1 of the first light absorbing layer 351 formed in the first evaporating step may be an initial thickness of 10% to 40% of the thickness T1 of the thickness T2 of the final light absorbing layer 300. That is, the first evaporation step may be performed while the initial 10% to 40% thickness is formed. Preferably, the first evaporating step may be performed while the initial thickness of about 25% is formed. That is, the initial growth rate of the light absorbing layer 300 can be controlled.

상기 제1 증발하는 단계에서의 상기 원소들의 조성비는 다음 식을 만족할 수 있다. The composition ratio of the elements in the first evaporation step may satisfy the following equation.

식expression

0.5 ≤ 셀레늄/(인듐 + 갈륨)0.5 ≤ selenium / (indium + gallium)

이를 통해, 상기 제1 증발하는 단계에서 성장되는 상기 제1 광 흡수층(351)에 포함되는 셀레늄의 최소 조성비를 유지할 수 있다.Through this, the minimum composition ratio of selenium included in the first light absorbing layer 351 grown in the first evaporation step may be maintained.

상기 광 흡수층(300) 형성 시, 제1 증발하는 단계 및 제2 증발하는 단계로 구분하여 광 흡수층(300)을 형성함으로써, 초기 성장 시, 셀레늄이 과도하게 증발되어 상기 광 흡수층(300)에 포함되는 그레인(grain)이 갑자기 성장하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 그레인 사이에 보이드(void)가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 광 흡수층(300)과 상기 후면전극층(200)과의 접촉 면적을 늘려 접촉저항을 줄일 수 있고, 태양전지의 신뢰성을 향상할 수 있다. When the light absorbing layer 300 is formed, the light absorbing layer 300 is formed by dividing into a first evaporating step and a second evaporating step. Thus, during initial growth, selenium is excessively evaporated to be included in the light absorbing layer 300. It is possible to prevent the growing grain from growing suddenly. Therefore, it is possible to prevent the generation of voids between the grains. Therefore, the contact resistance can be reduced by increasing the contact area between the light absorbing layer 300 and the back electrode layer 200, and the reliability of the solar cell can be improved.

또한, 상기 광 흡수층(300) 내의 보이드가 감소함으로써, 상기 광 흡수층(300)과 상기 후면전극층(200)과의 접합력을 향상 할 수 있고, 상기 광 흡수층(300)이 상기 후면전극층(200)으로부터 떨어져 나가는 것을 방지할 수 있다.In addition, by reducing the voids in the light absorbing layer 300, it is possible to improve the bonding force between the light absorbing layer 300 and the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300 from the back electrode layer 200 You can prevent it from falling off.

이어서, 도 4를 참조하면, 상기 광 흡수층(300) 상에 버퍼층(400)을 형성하는 단계를 거친다. 여기서, 황화 카드뮴이 스퍼터링 공정 또는 용액성장법(chemical bath depositon;CBD) 등에 의해서 증착되고, 상기 버퍼층(400)이 형성된다.Subsequently, referring to FIG. 4, a buffer layer 400 is formed on the light absorbing layer 300. Here, cadmium sulfide is deposited by a sputtering process or a chemical bath deposit (CBD) or the like, and the buffer layer 400 is formed.

이후, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 고저항 버퍼층이 형성될 수 있다. 상기 고저항 버퍼층은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV일 수 있다.Subsequently, although not illustrated, zinc oxide may be deposited on the buffer layer 400 by a sputtering process, and a high resistance buffer layer may be formed. The high resistance buffer layer includes zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities. The energy band gap of the high resistance buffer layer may be about 3.1 eV to 3.3 eV.

상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층은 낮은 두께로 증착된다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층의 두께는 약 1㎚ 내지 약 80㎚이다.The buffer layer 400 and the high resistance buffer layer are deposited to a low thickness. For example, the thickness of the buffer layer 400 and the high resistance buffer layer is about 1 nm to about 80 nm.

이어서, 도 5를 참조하면, 상기 버퍼층(400) 상에 전면전극층(500)을 형성하는 단계를 거친다. 상기 전면전극층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO), 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 5, the front electrode layer 500 is formed on the buffer layer 400. Examples of the material used for the front electrode layer 600 include Al-doped ZnO (AZO), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO), and the like. .

상기 전면전극층(600)의 두께는 약 500㎚ 내지 약 1.5㎛일 수 있다. 또한, 상기 전면전극층(600)이 알루미늄이 도핑되는 징크 옥사이드로 형성되는 경우, 알루미늄은 약 1.5wt% 내지 약 3.5wt%의 비율로 도핑될 수 있다. 상기 전면전극층(600)은 도전층이다.The thickness of the front electrode layer 600 may be about 500 nm to about 1.5 占 퐉. In addition, when the front electrode layer 600 is formed of zinc oxide doped with aluminum, aluminum may be doped at a ratio of about 1.5 wt% to about 3.5 wt%. The front electrode layer 600 is a conductive layer.

상기 전면전극층(500)은 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드 등과 같은 투명한 도전물질이 상기 버퍼층(400) 상에 스퍼터링 공정에 의해서 증착되어 형성될 수 있다.The front electrode layer 500 may be formed by depositing a transparent conductive material such as zinc oxide doped with aluminum on the buffer layer 400 by a sputtering process.

이하, 도 6을 참조하여, 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법으로 형성된 태양전지에 대해 설명한다. Hereinafter, a solar cell formed by the method of manufacturing a solar cell according to an embodiment will be described with reference to FIG. 6.

도 6은 실시예에 따른 태양전지에서 셀레늄의 양을 측정한 그래프이다.6 is a graph measuring the amount of selenium in the solar cell according to the embodiment.

도 6을 참조하면, 실시예에 따른 태양전지에서 상기 제1 광 흡수층(351) 및 상기 제2 광 흡수층(352)에 포함된 셀레늄의 양이 다르게 구비됨을 알 수 있다. 즉, SIMS를 통해 셀레늄의 양(counter per second, CPS)을 측정하면, 상기 제1 광 흡수층(351)에 포함된 셀레늄의 양보다 상기 제2 광 흡수층(352)에 포함된 셀레늄의 양이 더 많음을 알 수 있다. 이는 앞서 설명한 바와 같이, 셀레늄의 증착 속도를 달리하여 형성하였기 때문이다. Referring to FIG. 6, it can be seen that the amounts of selenium included in the first light absorbing layer 351 and the second light absorbing layer 352 are different in the solar cell according to the embodiment. That is, when the amount of selenium (counter per second, CPS) is measured through SIMS, the amount of selenium included in the second light absorbing layer 352 is greater than the amount of selenium included in the first light absorbing layer 351. You can see plenty. This is because, as described above, formed by varying the deposition rate of selenium.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (8)

지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;
상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광 흡수층을 형성하는 단계는 원소들을 제1 증발하는 단계 및 상기 원소들을 제2 증발하는 단계를 포함하고,
상기 제1 증발하는 단계 및 상기 제2 증발하는 단계에서의 상기 원소들의 증착속도가 서로 다르고,
상기 제1 증발하는 단계에서는 셀레늄이 제1 증착속도로 증착되고, 상기 제2 증발하는 단계에서는 셀레늄이 제2 증착속도로 증착되며,
상기 제2 증착속도는 상기 제1 증착속도에 대해 1.5 배 내지 3 배 인 태양전지의 제조 방법.Forming a back electrode layer on the support substrate;
Forming a light absorbing layer on the back electrode layer;
Forming a buffer layer on the light absorbing layer; And
Forming a front electrode layer on the buffer layer;
Forming the light absorbing layer comprises first evaporating the elements and second evaporating the elements,
The deposition rate of the elements in the first evaporation step and the second evaporation step is different from each other,
In the first evaporation step, selenium is deposited at a first deposition rate, and in the second evaporation step, selenium is deposited at a second deposition rate,
The second deposition rate is a method of manufacturing a solar cell is 1.5 times to 3 times the first deposition rate. 제1항에 있어서,
상기 광 흡수층을 형성하는 단계에서는 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시에 증발시키는 태양전지의 제조 방법.The method of claim 1,
In the step of forming the light absorbing layer, a method of manufacturing a solar cell to evaporate copper, indium, gallium, selenium at the same time. 제2항에 있어서,
상기 제1 증착속도 및 상기 제2 증착속도가 서로 다른 태양전지의 제조 방법.3. The method of claim 2,
The manufacturing method of the solar cell is different from the first deposition rate and the second deposition rate. 제3항에 있어서,
상기 제2 증착속도가 상기 제1 증착속도보다 빠른 태양전지의 제조 방법.The method of claim 3,
The method of claim 1, wherein the second deposition rate is higher than the first deposition rate. 삭제delete 제3항에 있어서,
상기 제1 증발하는 단계는 상기 광 흡수층의 두께 중 초기 10 % 내지 40 % 의 두께가 형성되는 동안 수행되는 태양전지의 제조 방법.The method of claim 3,
The first evaporating step is performed during the initial 10% to 40% of the thickness of the thickness of the light absorbing layer is formed. 제3항에 있어서,
상기 제1 증발하는 단계에서의 상기 원소들의 조성비는 다음 식을 만족하는 태양전지의 제조 방법.
식
0.5 ≤ 셀레늄/(인듐 + 갈륨)The method of claim 3,
The composition ratio of the elements in the first evaporation step satisfies the following equation.
expression
0.5 ≤ selenium / (indium + gallium) 제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 태양전지의 제조 방법으로 제조된 태양전지.The solar cell manufactured by the manufacturing method of the solar cell in any one of Claims 1-4 and 6-7.
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