KR101318086B1 - Resist Composition - Google Patents

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KR101318086B1
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가츠노리 마끼자와
도루 가따야마
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가부시끼가이샤 다이셀
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0048Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents

Abstract

본 발명은 레지스트 제조시의 용해성, 현상시의 레지스트막 밀착성의 특성을 높일 뿐만 아니라, 레지스트 안정성을 향상시키고, 안전성도 우수한 레지스트 조성물을 제공한다. The present invention provides a resist composition which not only improves the solubility in the preparation of a resist and the resist film adhesion property at the time of development but also improves the resist stability and is also excellent in safety.

또한, 본 발명은 레지스트 성분과 유기 용제를 포함하는 레지스트 조성물이며, 상기 유기 용제가 (a1) C3 -6 알칸디올, (a2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올, (b1) C5 -6 알칸디올 모노아세테이트, (b2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트, (c1) C5 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 용제인 레지스트 조성물을 제공한다.In addition, the present invention provides a resist composition comprising a resist composition and an organic solvent, the organic solvent (a1) C 3 -6 alkanediols, (a2) an alkoxy mono- -C 3 -6 alkanediols, (b1) C 5 - 6 alkanediol mono acetate, (b2) a mono-alkoxy -C 3-6 alkane diol monoacetate, (c1) C 5 -6 alkane diol diacetate and (c2) a mono-alkoxy the group consisting of -C 3-6 alkane diol diacetate It provides a resist composition which is at least one solvent selected from.

레지스트 조성물 Resist composition

Description

레지스트 조성물 {Resist Composition}Resist Composition

도 1은 단면 형상의 평가 시험에 있어서, 유리 기판과 레지스트 패턴의 접촉 부분에 언더컷이 발생한 상태(평가:×)를 나타내는 모식도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic diagram which shows the state (evaluation: x) which the undercut generate | occur | produced in the contact part of a glass substrate and a resist pattern in the evaluation test of a cross-sectional shape.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 유리 기판1: glass substrate

2: 레지스트 패턴2: Resist pattern

3: 언더컷부3: undercut portion

[문헌 1] 일본 특허 공고 (평)3-1659호 공보[Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-1659

[문헌 2] 일본 특허 공개 (평)6-324483호 공보[Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-324483

본 발명은 자외선, 원자외선, X선, 전자선 등의 입자선 등의 방사선에 감응하는 레지스트 조성물이며, 사용시의 안전성이 우수하고, 도포성, 현상시의 잔막률, 현상 후의 패턴의 선폭 균일성이 우수함과 동시에, 현상시의 밀착성도 우수한 레지스트 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a resist composition which is sensitive to radiation such as ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, X-rays, electron beams and the like and is excellent in safety at the time of use and has excellent properties such as coatability, residual film ratio at the time of development, And is excellent in adhesiveness at the time of development.

집적 회로, 칼라 필터, 액정 소자 등의 제조에서는 미세 가공이 요구되는데, 이 요구를 충족하기 위해 종래부터 레지스트가 이용되고 있다. 일반적으로 레지스트에는 포지티브형과 네가티브형이 있으며, 통상 어느 것이나 용제에 용해되어 용액 상태의 레지스트 조성물이 된다.Microfabrication is required in the manufacture of integrated circuits, color filters, liquid crystal devices and the like, and resists have been conventionally used to satisfy this demand. Generally, there are a positive type and a negative type of resist, and either of them is usually dissolved in a solvent to form a resist composition in solution.

상기 레지스트 조성물은 실리콘 기판, 유리 기판 등의 기판 상에 스핀 코팅, 롤러 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 등의 공지 도포법에 의해 도포된 후, 예비 베이킹되어 레지스트막이 형성되고, 그 후 레지스트의 감광 파장 영역에 따라 자외선, 원자외선, X선, 전자선 등의 입자선 등에 의해 노광되어 현상된 후, 필요에 따라 건식 에칭이 실시되어 원하는 레지스트 패턴이 형성된다. The resist composition is coated on a substrate such as a silicon substrate or a glass substrate by a known coating method such as spin coating, roller coating, slit coating, inkjet, or the like, followed by prebaking to form a resist film, and then a photosensitive wavelength region of the resist. After exposure and development by particle rays, such as an ultraviolet-ray, an ultraviolet-ray, X-ray, an electron beam, etc., dry etching is performed as needed, and a desired resist pattern is formed.

상기 레지스트 조성물에 사용되는 용매로는 종래부터 여러가지의 것이 사용되고 있으며, 용해성, 도포성, 감도, 현상성, 형성되는 패턴 특성 등을 고려하여 선택, 사용되고 있다. 예를 들면, 상기 용해성, 도포성, 레지스트 형성 특성 등 여러가지 특성이 우수한 용제로서 에틸렌글리콜 모노에틸에테르아세테이트가 알려져 있었지만, 최근 인체에 대한 안전성의 문제가 지적되고 있어 안전성이 높고, 나아가 수지 용해성, 개시제 용해성이 우수한 레지스트 형성 특성 등의 성능이 개선된 용매가 요구되고 있다.Various solvents are conventionally used as the solvent used in the resist composition, and are selected and used in consideration of solubility, coating property, sensitivity, developability, pattern characteristics to be formed, and the like. For example, ethylene glycol monoethyl ether acetate has been known as a solvent having excellent properties such as solubility, coatability, and resist formation properties. However, recently, a problem of safety to humans has been pointed out, and thus safety is high, and resin solubility and initiator are further increased. There is a need for a solvent having improved performance such as resist formation properties having excellent solubility.

이들의 해결책으로서 에틸렌글리콜 모노에틸에테르아세테이트 대신에 용매로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 등이 개시되어 있다(예를 들면, 일본 특허 공고 (평)3-1659호 공보). 그러나, 이들 에틸렌글리콜 모노에틸에테르아세테이트에 비하여 안전성이 높다고 여겨지는 용제에 대해서는 레지스트 형성 특성 및 용해성 등의 특성이 불충분하다는 문제가 있었다. 예를 들면, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트의 경우, 레지스트를 기판 상에 도포했을 때 막중 잔존 용제량이 적어짐으로써 막 두께 분포에 이상이 발생하거나, 선폭 균일성, 현상시의 레지스트막의 밀착성 등이 저하된다. As these solutions, propylene glycol monomethyl ether acetate and the like are disclosed as solvents instead of ethylene glycol monoethyl ether acetate (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H3-1659). However, there existed a problem that the solvent which is considered to be high in safety compared with these ethylene glycol monoethyl ether acetate has inadequate characteristics, such as resist formation property and solubility. For example, in the case of propylene glycol monomethyl ether acetate, when the resist is applied onto a substrate, the amount of remaining solvent in the film decreases, thereby causing an abnormality in the film thickness distribution, or decreasing the line width uniformity and the adhesion of the resist film during development. .

또한, β형 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트를 사용하여 수지 용해성, 개시제 용해성을 개선하는 기술이 개시되어 있지만, 수지 용해성, 개시제 용해성의 점에서는 아직 불충분하였다(예를 들면, 일본 특허 공개 (평)6-324483호 공보). Moreover, although the technique which improves resin solubility and initiator solubility using (beta) -type propylene glycol monomethyl ether acetate is disclosed, it is still inadequate in the point of resin solubility and initiator solubility (for example, Unexamined-Japanese-Patent No. 6). -324483).

본 발명의 목적은 레지스트 제조시의 용해성, 현상시의 레지스트막 밀착성의 특성을 높일 뿐만 아니라, 레지스트 안정성을 향상시키고, 안전성도 우수한 레지스트 조성물을 제공하는 것에 있다. An object of the present invention is to provide a resist composition that not only improves the solubility in producing a resist and the resist film adhesion during development, but also improves the stability of the resist and is excellent in safety.

본 발명자들은 예의 연구한 결과, 특정한 유기 용제를 사용함으로써 상기 목적을 달성할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명에 이르렀다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly researching, the present inventors discovered that the said objective can be achieved by using a specific organic solvent, and came to this invention.

즉, 본 발명은 레지스트 성분과 유기 용제를 포함하는 레지스트 조성물이며, 상기 유기 용제가 (a1) C3 -6 알칸디올, (a2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올, (b1) C5 -6 알칸디올 모노아세테이트, (b2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트, (c1) C5 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지 는 군으로부터 선택된 1종 이상의 용제를 포함하는 레지스트 조성물을 제공한다. That is, the present invention provides a resist composition comprising a resist composition and an organic solvent, the organic solvent (a1) C 3 -6 alkanediols, (a2) an alkoxy mono- -C 3 -6 alkanediols, (b1) C 5 - It is done in 6 alkanediol mono acetate, (b2) a mono-alkoxy -C 3 -6 alkane diol monoacetate, (c1) C 5 -6 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 alkane diol diacetate Provides a resist composition comprising at least one solvent selected from the group.

상기 레지스트 조성물에 있어서는 2종 이상의 유기 용제를 조합할 수 있다. 유기 용제의 바람직한 조합으로서, In the said resist composition, 2 or more types of organic solvent can be combined. As a preferable combination of the organic solvent,

(1) (a1) C3 -6 알칸디올 및 (a2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 디올류와, (b1') C3 -6 알칸디올 모노아세테이트, (b2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트, (c1') C3-6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 아세테이트류와의 조합, (1) (a1) C 3 -6 alkanediols and (a2) an alkoxy mono- -C 3 -6 and one or more diols selected from the group consisting of alkanediols, (b1 ') C 3 -6 alkane diol monoacetate, (b2) a mono-alkoxy -C 3 -6 alkane diol monoacetate, (c1 ') C 3-6 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 least one selected from the group consisting of an alkane diol diacetate Combination with acetates,

(2) (b1) C5 -6 알칸디올 모노아세테이트 및 (b2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 모노아세테이트류와, (c1') C3 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 디아세테이트류와의 조합, (2) (b1) C 5 -6 alkane diol monoacetate and (b2) a mono-alkoxy -C 3 -6 alkanediol and monoacetate monomethyl acetates least one selected from the group consisting of, (c1 ') C 3 -6 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 combination of the alkanediol di least one di-acetates selected from the group consisting of acetate,

(3) (b1') C3 -6 알칸디올 모노아세테이트 및 (b2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 모노아세테이트류와, (c1) C5 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 디아세테이트류와의 조합을 들 수 있다. (3) (b1 ') C 3 and -6 alkane diol monoacetate and (b2) a mono-alkoxy -C 3 -6 alkane diol monoacetate monomethyl acetates least one selected from the group consisting of, (c1) C 5 -6 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 may be mentioned a combination of the alkanediol di-di-acetates least one selected from the group consisting of acetate.

상기 레지스트 조성물에 있어서, 유기 용제로서 카르복실산 알킬에스테르류 및 지방족 케톤류로부터 선택된 1종 이상의 용제를 더 포함할 수 있다. The resist composition may further include one or more solvents selected from carboxylic acid alkyl esters and aliphatic ketones as organic solvents.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [

본 발명에서는 유기 용제로서, (a1) C3 -6 알칸디올, (a2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올, (b1) C5 -6 알칸디올 모노아세테이트, (b2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트, (c1) C5 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 용제가 사용된다. As the organic solvent in the present invention, (a1) C 3 -6 alkanediols, (a2) an alkoxy mono- -C 3 -6 alkanediols, (b1) C 5 -6 alkane diol monoacetate, (b2) a mono-alkoxy -C 3 -6 alkane diol monoacetate, (c1) a C 5 -6 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 alkane diol diacetate one or more kinds of solvents selected from the group consisting of is used.

이들 유기 용제는 각각 단독으로 사용되는 것 외에, 2종 이상을 임의의 비율로 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 다른 유기 용제와 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 각 유기 용제에 있어서, 「알콕시」로서는 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시기 등의 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지쇄상 알콕시기가 바람직하다. These organic solvents can be used individually, respectively, and can mix and use 2 or more types by arbitrary ratios. Moreover, it can mix and use with another organic solvent. Moreover, in each said organic solvent, as "alkoxy", a C1-C4 linear or branched alkoxy group, such as a methoxy, ethoxy, propoxy, butoxy group, is preferable.

상기 C3 -6 알칸디올 (a1)로서는 알킬쇄의 탄소수가 3 내지 6인 직쇄상 또는 분지쇄상의 알칸디올이면 되며, 예를 들면 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 1,2-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 3-메틸-1,3-부탄디올, 3-에틸-1,3-부탄디올, 1,2-펜탄디올, 1,4-펜탄디올, 1,5-펜탄디올, 2,3-펜탄디올, 2,4-펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 1,2-헥산디올 등을 들 수 있다. The C 3 -6 alkane diol (a1) As the number of carbon atoms of the alkyl chain is an alkane diol of 3 to 6 straight or branched chain and, for example, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 2- Methyl-1,3-propanediol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 3-methyl-1,3-butanediol, 3-ethyl-1,3-butanediol, 1,2 -Pentanediol, 1,4-pentanediol, 1,5-pentanediol, 2,3-pentanediol, 2,4-pentanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 3-methyl-1,5 -Pentanediol, 1,2-hexanediol, etc. are mentioned.

상기 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 (a2)로서는 알킬쇄에 알콕시기가 하나 결합하고, 알킬쇄의 탄소수가 3 내지 6인 직쇄상 또는 분지쇄상의 알칸디올이면 되며, 예를 들면 3-메톡시-1,2-프로판디올, 3-에톡시-1,2-프로판디올, 3-프로폭시-1,2-프로 판디올, 3-부톡시-1,2-프로판디올, 2-메톡시-1,3-프로판디올, 2-에톡시-1,3-프로판디올, 2-프로폭시-1,3-프로판디올, 2-부톡시-1,3-프로판디올 등을 들 수 있다.The mono alkoxy -C 3 -6 alkane diols (a2) Examples of alkoxy groups are bonded one to the alkyl chain, and is the number of carbon atoms of the alkyl chain is an alkane diol of 3 to 6 straight or branched, for example 3-methoxy -1,2-propanediol, 3-ethoxy-1,2-propanediol, 3-propoxy-1,2-propanediol, 3-butoxy-1,2-propanediol, 2-methoxy- 1,3-propanediol, 2-ethoxy-1,3-propanediol, 2-propoxy-1,3-propanediol, 2-butoxy-1,3-propanediol, etc. are mentioned.

상기 C5 -6 알칸디올 모노아세테이트 (b1)로서는 알킬쇄의 탄소수가 5 내지 6인 직쇄상 또는 분지쇄상의 알칸디올 모노아세테이트이면 되며, 예를 들면 3-메틸-1,3-부탄디올 모노아세테이트, 3-에틸-1,3-부탄디올 모노아세테이트, 1,2-펜탄디올 모노아세테이트, 1,4-펜탄디올 모노아세테이트, 1,5-펜탄디올 모노아세테이트, 2,3-펜탄디올 모노아세테이트, 2,4-펜탄디올 모노아세테이트, 2-메틸-2,4-펜탄디올 모노아세테이트, 3-메틸-1,5-펜탄디올 모노아세테이트, 1,2-헥산디올 모노아세테이트 등을 들 수 있다. The C 5 -6 alkanediol mono acetate (b1) as the carbon atoms in the alkyl chain and is an alkane diol monoacetate straight or branched 5 to 6, for example, 3-methyl-1,3-butanediol monoacetate, 3-ethyl-1,3-butanediol monoacetate, 1,2-pentanediol monoacetate, 1,4-pentanediol monoacetate, 1,5-pentanediol monoacetate, 2,3-pentanediol monoacetate, 2, 4-pentanediol monoacetate, 2-methyl-2,4-pentanediol monoacetate, 3-methyl-1,5-pentanediol monoacetate, 1,2-hexanediol monoacetate, etc. are mentioned.

상기 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트 (b2)로서는 알킬쇄에 알콕시기가 하나 결합하고, 알킬쇄의 탄소수가 3 내지 6인 직쇄상 또는 분지쇄상의 알칸디올 모노아세테이트이면 되며, 예를 들면 3-메톡시-1,2-프로판디올 모노아세테이트, 3-에톡시-1,2-프로판디올 모노아세테이트, 3-프로폭시-1,2-프로판디올 모노아세테이트, 3-부톡시-1,2-프로판디올 모노아세테이트, 2-메톡시-1,3-프로판디올 모노아세테이트, 2-에톡시-1,3-프로판디올 모노아세테이트, 2-프로폭시-1,3-프로판디올 모노아세테이트, 2-부톡시-1,3-프로판디올 모노아세테이트 등을 들 수 있다.The mono alkoxy -C 3 -6 alkane diol monoacetate (b2) as if one alkoxy group is bonded to an alkyl chain, and an alkane diol mono-acetate of the carbon atoms in the alkyl chain with 3 to 6 is straight or branched, and, e.g. 3-methoxy-1,2-propanediol monoacetate, 3-ethoxy-1,2-propanediol monoacetate, 3-propoxy-1,2-propanediol monoacetate, 3-butoxy-1,2 Propanediol monoacetate, 2-methoxy-1,3-propanediol monoacetate, 2-ethoxy-1,3-propanediol monoacetate, 2-propoxy-1,3-propanediol monoacetate, 2- Butoxy-1,3-propanediol monoacetate, and the like.

상기 C5 -6 알칸디올 디아세테이트 (c1)로서는 알킬쇄의 탄소수가 5 내지 6인 직쇄상 또는 분지쇄상의 알칸디올 디아세테이트이면 되며, 예를 들면 3-메틸-1,3-부탄디올 디아세테이트, 3-에틸-1,3-부탄디올 디아세테이트, 1,2-펜탄디올 디아세 테이트, 1,4-펜탄디올 디아세테이트, 1,5-펜탄디올 디아세테이트, 2,3-펜탄디올 디아세테이트, 2,4-펜탄디올 디아세테이트, 2-메틸-2,4-펜탄디올 디아세테이트, 3-메틸-1,5-펜탄디올 디아세테이트, 1,2-헥산디올 디아세테이트 등을 들 수 있다. The C 5 -6 alkane diol diacetate (c1) as the carbon atoms in the alkyl chain is an alkane diol diacetate in 5 to 6 straight or branched chain and, for example, 3-methyl-1,3-butanediol diacetate, 3-ethyl-1,3-butanediol diacetate, 1,2-pentanediol diacetate, 1,4-pentanediol diacetate, 1,5-pentanediol diacetate, 2,3-pentanediol diacetate, 2 , 4-pentanediol diacetate, 2-methyl-2,4-pentanediol diacetate, 3-methyl-1,5-pentanediol diacetate, 1,2-hexanediol diacetate, and the like.

상기 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트 (c2)로서는 알킬쇄에 알콕시기가 하나 결합하고, 알킬쇄의 탄소수가 3 내지 6인 직쇄상 또는 분지쇄상의 알칸디올 디아세테이트이면 되며, 예를 들면 3-메톡시-1,2-프로판디올 디아세테이트, 3-에톡시-1,2-프로판디올 디아세테이트, 3-프로폭시-1,2-프로판디올 디아세테이트, 3-부톡시-1,2-프로판디올 디아세테이트, 2-메톡시-1,3-프로판디올 디아세테이트, 2-에톡시-1,3-프로판디올 디아세테이트, 2-프로폭시-1,3-프로판디올 디아세테이트, 2-부톡시-1,3-프로판디올 디아세테이트 등을 들 수 있다. The mono alkoxy -C 3 -6 alkane diol diacetate (c2) is as the one alkoxy group is bonded to an alkyl chain, and the carbon number of the alkyl chain alkanediol di-acetate of 3 to 6 straight or branched chain and, for example, 3-methoxy-1,2-propanediol diacetate, 3-ethoxy-1,2-propanediol diacetate, 3-propoxy-1,2-propanediol diacetate, 3-butoxy-1,2 Propanediol diacetate, 2-methoxy-1,3-propanediol diacetate, 2-ethoxy-1,3-propanediol diacetate, 2-propoxy-1,3-propanediol diacetate, 2- Butoxy-1,3-propanediol diacetate etc. are mentioned.

이들 유기 용제 중에서도 특히 바람직한 것으로서 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올 등의 C3-6 알칸디올; 3-메톡시-1,2-프로판디올 등의 모노알콕시-C3 -6 알칸디올(특히, 모노C1-4 알콕시-C3-6 알칸디올); 1,5-펜탄디올 디아세테이트, 2-메틸-2,4-펜탄디올 디아세테이트 등의 C5 -6 알칸디올 디아세테이트; 3-메톡시-1,2-프로판디올 디아세테이트 등의 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트(특히, 모노 C1 -4 알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트)를 들 수 있다.Especially preferred among these organic solvents are 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol C 3-6 alkanediols such as; Mono alkoxy -C 3 -6 alkanediol (in particular, a mono C 1-4 alkoxy -C 3-6 alkanediols) such as 3-methoxy-1,2-propanediol; 1,5-diol diacetate, 2-methyl-2,4-pentanediol di-C 5 -6 alkanediol, such as acetate, diacetate; 3-methoxy-l, 2 may be a mono-alkoxy -C 3 -6 alkane diol diacetate (in particular, mono C 1 -C 3 -6 -4 alkoxy alkane diol diacetate), such as propanediol diacetate.

단독으로 사용하여 특히 우수한 효과가 얻어지는 용제로서는, 예를 들면 1,5-펜탄디올 디아세테이트, 2-메틸-2,4-펜탄디올 디아세테이트 등의 C5 -6 알칸디올 디아세테이트; 3-메톡시-1,2-프로판디올 디아세테이트 등의 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트(특히, 모노 C1 -4 알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트)를 들 수 있다.The solvent obtained a particularly excellent effect used alone, for example, 1,5-pentanediol diacetate, 2-methyl-2,4-pentanediol di-C 5 -6 alkanediol, such as acetate, diacetate; 3-methoxy-l, 2 may be a mono-alkoxy -C 3 -6 alkane diol diacetate (in particular, mono C 1 -C 3 -6 -4 alkoxy alkane diol diacetate), such as propanediol diacetate.

2종 이상의 유기 용제를 병용하는 경우의 바람직한 조합으로서는, As a preferable combination in the case of using 2 or more types of organic solvents together,

(1) (a1) C3 -6 알칸디올 및 (a2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 디올류와, (b1') C3 -6 알칸디올 모노아세테이트, (b2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트, (c1') C3 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 아세테이트류와의 조합, (1) (a1) C 3 -6 alkanediols and (a2) an alkoxy mono- -C 3 -6 and one or more diols selected from the group consisting of alkanediols, (b1 ') C 3 -6 alkane diol monoacetate, (b2) a mono-alkoxy -C 3 -6 alkane diol monoacetate, (c1 ') C 3 -6 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 least one selected from the group consisting of an alkane diol diacetate Combination with acetates,

(2) (b1) C5 -6 알칸디올 모노아세테이트 및 (b2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 모노아세테이트류와, (c1') C3 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 디아세테이트류와의 조합, (2) (b1) C 5 -6 alkane diol monoacetate and (b2) a mono-alkoxy -C 3 -6 alkanediol and monoacetate monomethyl acetates least one selected from the group consisting of, (c1 ') C 3 -6 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 combination of the alkanediol di least one di-acetates selected from the group consisting of acetate,

(3) (b1') C3 -6 알칸디올 모노아세테이트 및 (b2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 모노아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 모노아세테이트류와, (c1) C5 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 디아세테이트류와의 조합을 들 수 있다. (3) (b1 ') C 3 and -6 alkane diol monoacetate and (b2) a mono-alkoxy -C 3 -6 alkane diol monoacetate monomethyl acetates least one selected from the group consisting of, (c1) C 5 -6 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 may be mentioned a combination of the alkanediol di-di-acetates least one selected from the group consisting of acetate.

(a1), (a2), (b1), (b2), (c1), (c2)은 상기와 동일하다. 상기 (b1') C3 -6 알칸디올 모노아세테이트에는 (b1)에 포함되는 용매 이외에, 1,2-프로판디올 모노아세테이트, 1,3-프로판디올 모노아세테이트, 2-메틸-1,3-프로판디올 모노아세테이트, 1,2-부탄디올 모노아세테이트, 1,3-부탄디올 모노아세테이트, 1,4-부탄디올 모노아세테이트 등의 C3 -4 알칸디올 모노아세테이트가 포함된다. 또한, (c1') C3 -6 알칸디올 디아세테이트에는 (c1)에 포함되는 용매 이외에, 1,2-프로판디올 디아세테이트, 1,3-프로판디올 디아세테이트, 2-메틸-1,3-프로판디올 디아세테이트, 1,2-부탄디올 디아세테이트, 1,3-부탄디올 디아세테이트, 1,4-부탄디올 디아세테이트 등의 C3 -4 알칸디올 디아세테이트가 포함된다. (a1), (a2), (b1), (b2), (c1) and (c2) are the same as above. The (b1 ') C 3 -6 alkanediol in addition to mono-acetate, the solvent contained in (b1), 1,2- propanediol monoacetate, 1,3-propanediol monoacetate, 2-methyl- diol monoacetate, include 1,2-butanediol monoacetate, 1,3-butanediol monoacetate, 1,4-butanediol monoacetate, etc. C 3 -4 alkane diol monoacetate. In addition, (c1 ') C 3 -6 alkanediol di addition to acetate, the solvent contained in (c1), 1,2- propanediol diacetate, 1,3-propanediol diacetate, and 2-methyl-1,3 such as propanediol diacetate, 1,2-butanediol diacetate, 1,3-butanediol diacetate, 1,4-butanediol diacetate include C 3 -4 alkane diol diacetate.

보다 구체적으로는 2종 이상의 혼합 용매로서, 예를 들면 1,2-프로판디올과 1,2-프로판디올 디아세테이트, 1,3-프로판디올과 1,3-프로판디올 디아세테이트, 1,3-부탄디올과 1,3-부탄디올 디아세테이트, 1,4-부탄디올과 1,4-부탄디올 디아세테이트, 1,5-펜탄디올 모노아세테이트와 1,5-펜탄디올 디아세테이트, 2-메틸-2,4-펜탄디올과 2-메틸-2,4-펜탄디올 디아세테이트, 3-메톡시-1,2-프로판디올과 3-메톡시-1,2-프로판디올 디아세테이트 등을 바람직한 혼합 용매로서 들 수 있다. 특히, 알킬쇄부가 공통되는 디올류와 모노아세테이트류, 알킬쇄부가 공통되는 디올류와 디아세테이트류, 알킬쇄부가 공통되는 모노아세테이트류와 디아세테이트류를 각각 조합하는 것이 바람직하다. More specifically, two or more kinds of mixed solvents, for example, 1,2-propanediol and 1,2-propanediol diacetate, 1,3-propanediol and 1,3-propanediol diacetate, 1,3- Butanediol and 1,3-butanediol diacetate, 1,4-butanediol and 1,4-butanediol diacetate, 1,5-pentanediol monoacetate and 1,5-pentanediol diacetate, 2-methyl-2,4- Pentanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol diacetate, 3-methoxy-1,2-propanediol, 3-methoxy-1,2-propanediol diacetate, and the like can be given as preferred mixed solvents. . In particular, it is preferable to combine the diols and monoacetates which the alkyl chain part has in common, the diols and diacetates which the alkyl chain part has in common, and the monoacetates and diacetates which the alkyl chain part has in common, respectively.

C3 -4 알칸디올 모노아세테이트나 C3 -4 알칸디올 디아세테이트는 단독으로 사용 하지 않으며, 전자의 경우에는 상기 디올류나 디아세테이트류와, 후자의 경우에는 상기 디올류나 모노아세테이트류와 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.C 3 -4 alkanediol mono acetate or C 3 -4 alkane diol diacetate is used not used alone, in the former case, if the flow or diol and di-acetates, and the latter is combined with the diol acetates flow or in mono It is desirable to.

상기한 바와 같이 2종의 유기 용제를 혼합하여 사용하는 경우, 양자의 비율은 용매의 종류나 목적에 따라 적당하게 선택된다. 예를 들면, 상기 (1)의 경우와 같이 디올류와 아세테이트류(모노아세테이트류 및(또는) 디아세테이트류)를 혼합하여 사용하는 경우, 양자의 비율은 전자/후자(중량비)=10/90 내지 99/1, 바람직하게는 40/60 내지 95/5, 더욱 바람직하게는 50/50 내지 90/10, 특히 바람직하게는 60/40 내지 90/10 정도이다. 또한, 상기 (2)나 (3)의 경우와 같이 모노아세테이트류와 디아세테이트류를 혼합하여 사용하는 경우에는, 전자/후자(중량비)=1/99 내지 99/1, 바람직하게는 10/90 내지 90/10, 더욱 바람직하게는 20/80 내지 80/20, 특히 바람직하게는 30/70 내지 70/30 정도이다.As mentioned above, when mixing and using 2 types of organic solvent, the ratio of both is suitably selected according to the kind and objective of a solvent. For example, in the case of using a mixture of diols and acetates (monoacetates and / or diacetates) as in the case of (1) above, the ratio of both is the former / the latter (weight ratio) = 10/90 To 99/1, preferably 40/60 to 95/5, more preferably 50/50 to 90/10, particularly preferably about 60/40 to 90/10. In the case of using a mixture of monoacetates and diacetates as in the case of (2) or (3) above, the former / the latter (weight ratio) = 1/99 to 99/1, preferably 10/90 To 90/10, more preferably 20/80 to 80/20, particularly preferably about 30/70 to 70/30.

본 발명에서의 유기 용제에는 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 다른 유기 용제 (d)를 첨가(병용)할 수 있다. 첨가 가능한 다른 유기 용제 (d)로서는, 예를 들면 카르복실산 알킬에스테르류, 지방족 케톤 등을 들 수 있다. 상기 카르복실산 에스테르류에는, 예를 들면 락트산 알킬에스테르, 아세트산 알킬에스테르, 프로피온산 알킬에스테르, 알콕시프로피온산 알킬에스테르 등의, 히드록실기, 알콕시기(예를 들면, C1 -4 알콕시기 등) 등의 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1 내지 4 정도의 지방족 카르복실산의 알킬에스테르(예를 들면, C1 -6 알킬에스테르 등) 등이 포함된다.Another organic solvent (d) can be added (combined) to the organic solvent in this invention, unless the effect of this invention is impaired. As another organic solvent (d) which can be added, carboxylic acid alkyl ester, aliphatic ketone, etc. are mentioned, for example. In the carboxylic acid esters, for example, such as lactic acid esters, acetic acid esters, propionic acid esters, alkoxy acid esters, hydroxyl groups, alkoxy groups (e.g., C 1 -4 alkoxy group, etc.), etc. that may have an aliphatic carboxylic acid alkyl ester with a carbon number of about 1 to 4 substituents which, and the like (for example, C 1 -6 alkyl esters, etc.).

보다 구체적으로, 락트산 알킬에스테르로서는 락트산 메틸, 락트산 에틸 등의 락트산 C1 -6 알킬에스테르 등을, 아세트산 알킬에스테르로서는 아세트산 프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 n-아밀 등의 아세트산 C1 -6 알킬에스테르 등을, 프로피온산 알킬에스테르로서는 프로피온산 메틸, 프로피온산 에틸, 프로피온산 프로필, 프로피온산 부틸 등의 프로피온산 C1 -6 알킬에스테르 등을, 알콕시프로피온산 알킬에스테르로서는 메톡시프로피온산 메틸, 에톡시프로피온산 에틸, 메톡시프로피온산 에틸, 에톡시프로피온산 메틸 등의 C1 -4 알콕시-프로피온산 C1 -6 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 또한, 지방족 케톤으로서는 2-부타논, 2-펜타논, 2-헥사논, 2-헵타논 등의 탄소수 3 내지 10 정도의 지방족 케톤 등을 들 수 있다. More specifically, the lactic acid alkyl ester as methyl lactate, ethyl lactate, such as C 1 -6 alkyl esters such as the acetate, acetic acid alkyl ester as propyl acetate, n- butyl acetate, C 1 -6 alkyl esters such as amyl acetate, n- etc., as the acid alkyl ester propionic acid methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, the propionic acid ester such as C 1 -6 alkyl, such as butyl, alkoxy propionic acid alkyl ester, methyl methoxy propionate, ethyl ethoxy propionate, ethyl methoxy propionate, a C 1 -4 alkoxy, such as ethoxy-propionic acid methyl-propionic acid and the like can be mentioned C 1 -6 alkyl esters. Examples of the aliphatic ketone include aliphatic ketones having about 3 to 10 carbon atoms such as 2-butanone, 2-pentanone, 2-hexanone and 2-heptanone.

또한, 첨가 가능한 다른 유기 용제 (d)로서, 상기 이외에 모노프로필렌글리콜 알킬에테르, 디프로필렌글리콜 알킬에테르 등의 글리콜에테르류; 모노프로필렌글리콜 알킬에테르아세테이트(프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트 등) 등의 글리콜에테르아세테이트류를 들 수 있다. Moreover, as another organic solvent (d) which can be added, Glycol ether, such as monopropylene glycol alkyl ether and dipropylene glycol alkyl ether, in addition to the above; Glycol ether acetates such as monopropylene glycol alkyl ether acetate (propylene glycol methyl ether acetate and the like).

다른 유기 용제 (d)의 양은 수지의 용해성이나 레지스트용 용제로서의 다른 특성을 손상시키지 않는 범위에서 적당하게 선택할 수 있지만, 레지스트 조성물 중의 유기 용제 전량에 대하여 통상 80 중량% 이하, 바람직하게는 70 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 50 중량% 이하, 특히 바람직하게는 10 중량% 이하이며, 실질적으로 0 중량%일 수 있다. The amount of the other organic solvent (d) can be appropriately selected within the range of not impairing the solubility of the resin or other properties as the resist solvent, but is usually 80% by weight or less, preferably 70% by weight, based on the total amount of the organic solvent in the resist composition. Or less, more preferably 50% by weight or less, particularly preferably 10% by weight or less, and may be substantially 0% by weight.

본 발명의 레지스트 조성물에서의 레지스트 성분은, 종래 주지 또는 공지된 포지티브형 또는 네가티브형 레지스트 중 어느 하나일 수 있다. 본 발명에서 사용 할 수 있는 레지스트의 대표적인 것을 예시하면, 포지티브형에서는 예를 들면 퀴논디아지드계 감광제와 알칼리 가용성 수지를 포함하는 것, 화학 증폭형 레지스트 등을, 네가티브형에서는 예를 들면 폴리신남산 비닐 등의 감광성기를 갖는 고분자 화합물을 포함하는 것, 방향족 아지드 화합물을 함유하는 것 또는 환화 고무와 비스아지드 화합물을 포함하는 아지드 화합물을 함유하는 것, 디아조 수지를 포함하는 것, 부가 중합성 불포화 화합물을 포함하는 광중합성 조성물, 알칼리 가용 수지와 가교제, 산발생제를 포함하는 화학 증폭형 네가티브 레지스트 등을 들 수 있다. The resist component in the resist composition of the present invention may be either conventionally known or known positive or negative resist. Representative examples of the resist that can be used in the present invention include, for example, a quinonediazide-based photosensitive agent and an alkali-soluble resin in a positive type, a chemically amplified resist, and the like, for example, polycinnamic acid. Containing a high molecular compound having a photosensitive group such as vinyl, containing an aromatic azide compound or containing an azide compound containing a cyclized rubber and a bisazide compound, containing a diazo resin, addition polymerization Photopolymerizable compositions containing a unsaturated unsaturated compound, a chemically amplified negative resist containing an alkali-soluble resin, a crosslinking agent, and an acid generator, and the like.

본 발명에 있어서는, 사용되는 레지스트 재료로서 바람직한 것으로서 퀴논디아지드계 감광제와 알칼리 가용성 수지를 포함하는 것을 들 수 있다. 퀴논디아지드계 감광제와 알칼리 가용성 수지를 포함하는 포지티브형 레지스트는 종래부터 여러가지의 것이 알려져 있지만, 본 발명에서는 어떠한 것이든 좋으며, 특별히 한정되는 것은 아니다. In the present invention, those containing a quinonediazide photosensitive agent and an alkali-soluble resin are preferable as a resist material to be used. The positive resist containing a quinonediazide type photosensitive agent and alkali-soluble resin is known conventionally, but what kind of thing is good in this invention, It does not specifically limit.

이들 퀴논디아지드계 감광제와 알칼리 가용성 수지를 포함하는 포지티브형 레지스트에서 사용되는 퀴논디아지드계 감광제의 일례를 예시하면, 1,2-벤조퀴논디아지드-4-술폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산, 이들 술폰산의 에스테르 또는 아미드 등을 들 수 있다. 술폰산의 에스테르 또는 아미드 화합물은, 해당하는 퀴논디아지드 술폰산 또는 퀴논디아지드술포닐 클로라이드와, 수산기를 갖는 화합물 또는 아미노기를 갖는 화합물과의 축합 반응에 의해 얻을 수 있다.Examples of the quinonediazide-based photosensitizers used in positive resists containing these quinonediazide-based photosensitizers and alkali-soluble resins include 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid and 1,2-naphthoquinone. Diazide-4-sulfonic acid, 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid, esters or amides of these sulfonic acids, and the like. The ester or amide compound of sulfonic acid can be obtained by condensation reaction of the corresponding quinonediazide sulfonic acid or quinonediazidesulfonyl chloride with a compound having a hydroxyl group or a compound having an amino group.

수산기를 갖는 화합물로서는 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 페놀, 나프톨, p-메톡시페놀, 비스페놀 A, 피로카테콜, 피로갈롤, 피로갈롤 메틸에테르, 갈산, α,α',α''-트리스(4-히드록시페닐)-1,3,5-트리이소프로필벤젠, 트리스(히드록시페닐)메탄 등을, 또한 아미노기를 갖는 화합물로서는 아닐린, p-아미노디페닐아민 등을 들 수 있다. 이들 퀴논디아지드계 감광제는 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. Examples of the compound having a hydroxyl group include dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phenol, naphthol, p-methoxyphenol, bisphenol A, pyrocatechol, pyrogallol, pyrogallol methyl ether, gallic acid, α, α ', α' '-tris (4-hydroxyphenyl) -1,3,5-triisopropylbenzene, tris (hydroxyphenyl) methane, and the like, and further include amino groups such as aniline and p-amino Diphenylamine etc. are mentioned. These quinone diazide-based photosensitizers can be used alone or as a mixture of two or more thereof.

한편, 알칼리 가용성 수지로서는, 예를 들면 노볼락 수지, 폴리비닐페놀, 폴리비닐알코올, 아크릴산 또는 메타크릴산의 공중합체 등을 들 수 있다. On the other hand, as alkali-soluble resin, the copolymer of novolak resin, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol, acrylic acid, or methacrylic acid, etc. are mentioned, for example.

노볼락 수지로서는, 예를 들면 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 크실레놀, 트리메틸페놀, t-부틸페놀, 에틸페놀, 2-나프톨, 1,3-디히드록시나프탈렌 등의 페놀류 중 1종 또는 2종 이상과, 포름알데히드, 파라포름알데히드 등의 알데히드류와의 중축합 생성물을 들 수 있다. 이들 노볼락 수지 등의 알칼리 가용성 수지는 필요에 따라 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있고, 나아가 피막 형성성 등의 개선을 위해 다른 수지를 첨가할 수 있다. 또한, 퀴논디아지드술폰산 에스테르로서 페놀류와 알데히드류 또는 케톤류와의 중축합물과 퀴논디아지드술폰산과의 에스테르를 사용할 수 있다. Examples of the novolak resins include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, xylenol, trimethylphenol, t-butylphenol, ethylphenol, 2-naphthol, 1,3-dihydroxynaphthalene, and the like. And polycondensation products of one or two or more of the phenols with aldehydes such as formaldehyde and paraformaldehyde. Alkali-soluble resins, such as these novolak resins, can be used in combination of 2 or more type as needed, Furthermore, another resin can be added for the improvement of film formation property, etc .. As the quinonediazidesulfonic acid ester, polycondensates of phenols, aldehydes or ketones and esters of quinonediazidesulfonic acid can be used.

상기 퀴논디아지드계 감광제와 알칼리 가용성 수지의 사용 비율은, 구체적으로 사용되는 감광제 및 알칼리 가용성 수지에 따라 상이하며, 일반적으로는 중량비로 1:1 내지 1:20의 범위가 바람직하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니다. The use ratio of the quinonediazide-based photosensitive agent and the alkali-soluble resin is different depending on the photosensitive agent and the alkali-soluble resin specifically used, and in general, the weight ratio is preferably in the range of 1: 1 to 1:20. It is not limited to this.

또한, 화학 증폭형 레지스트도 본 발명에서 바람직하게 사용할 수 있는 포지티브형 레지스트이다. 상기 화학 증폭형 레지스트는 방사선 조사에 의해 산을 발생시키고, 이 산의 촉매 작용에 의한 화학 변화에 의해 방사선 조사 부분의 현상액에 대한 용해성을 변화시켜 패턴을 형성하는 것이며, 예를 들어 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 산발생 화합물과, 산의 존재하에 분해하여 페놀성 수산기 또는 카르복실기와 같은 알칼리 가용성기가 생성되는 산감응성기 함유 수지를 포함하는 것이다. A chemically amplified resist is also a positive resist which can be preferably used in the present invention. The chemically amplified resist generates an acid by irradiation with radiation, and forms a pattern by changing the solubility of the developer in the irradiation portion by chemical change caused by the catalysis of the acid, for example, by radiation. And an acid sensitive group-containing resin which decomposes in the presence of an acid to generate an acid and generates an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group or carboxyl group.

상기 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 산발생 화합물로서는, 비스(이소프로필술포닐)디아조메탄과 같은 비스술포닐디아조메탄류, 메틸술포닐 p-톨루엔술포닐메탄과 같은 비스술포닐메탄류, 시클로헥실술포닐 시클로헥실카르보닐디아조메탄과 같은 술포닐카르보닐디아조메탄류, 2-메틸-2-(4-메틸페닐술포닐)프로피오페논과 같은 술포닐카르보닐알칸류, 2-니트로벤질 p-톨루엔술포네이트와 같은 니트로벤질술포네이트류, 피로갈롤 트리스메탄술포네이트와 같은 알킬 또는 아릴술포네이트류, 벤조인토실레이트와 같은 벤조인술포네이트류, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드와 같은 N-술포닐옥시이미드류, (4-플루오로-벤젠술포닐옥시)-3,4,6-트리메틸-2-피리돈과 같은 피롤리돈류, 2,2,2-트리플루오로-1-트리플루오로메틸-1-(3-비닐페닐)-에틸 4-클로로벤젠술포네이트와 같은 술폰산 에스테르류, 트리페닐술포늄 메탄술포네이트와 같은 오늄염류 등을 들 수 있으며, 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. As an acid generating compound which generate | occur | produces an acid by the said irradiation, bissulfonyl diazomethanes, such as bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bissulfonyl methane, such as methylsulfonyl p-toluenesulfonyl methane Sulfonylcarbonyldiazomethanes such as cyclohexylsulfonyl cyclohexylcarbonyldiazomethane, sulfonylcarbonylalkanes such as 2-methyl-2- (4-methylphenylsulfonyl) propiophenone, 2-nitro Nitrobenzylsulfonates such as benzyl p-toluenesulfonate, alkyl or arylsulfonates such as pyrogallol trismethanesulfonate, benzoinsulfonates such as benzointosylate, N- (trifluoromethylsulfonyl N-sulfonyloxyimides such as oxy) phthalimide, pyrrolidones such as (4-fluoro-benzenesulfonyloxy) -3,4,6-trimethyl-2-pyridone, 2,2,2 -Trifluoro-1-trifluoromethyl-1- (3-vinylphenyl) -ethyl 4- Sulfonic acid esters such as chlorobenzenesulfonate, onium salts such as triphenylsulfonium methanesulfonate, and the like, and these compounds may be used alone or in combination of two or more thereof.

또한, 산의 존재하에 분해하여 페놀성 수산기 또는 카르복실기와 같은 알칼 리 가용성기를 생성하는 산감응성기 함유 수지는, 산의 존재하에 분해하는 산감응성기와 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지부로 구성된다. 상기 산감응성기로서는 벤질기와 같은 치환 메틸기, 1-메톡시에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등의 1-치환 에틸기, t-부틸기 등의 1-분지 알킬기, 트리메틸실릴기 등의 실릴기, 트리메틸게르밀기 등의 게르밀기, t-부톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기, 아세틸기 등의 아실기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로푸라닐기, 테트라히드로티오피라닐기, 테트라히드로티오푸라닐기 등의 환식 산분해기 등을 들 수 있다. 이들 산분해성기 중 바람직한 것은 벤질기, t-부틸기, t-부톡시카르보닐기, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로푸라닐기, 테트라히드로티오피라닐기, 테트라히드로티오푸라닐기 등이다. The acid-sensitive group-containing resin that decomposes in the presence of an acid to produce an alkali-soluble group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group is composed of an alkali-soluble resin portion having an acid-sensitive group and an alkali-soluble group that decompose in the presence of an acid. Examples of the acid-sensitive group include silyl groups such as substituted methyl groups such as benzyl groups, 1-substituted ethyl groups such as 1-methoxyethyl group and 1-benzyloxyethyl group, 1-branched alkyl groups such as t-butyl group, and trimethylsilyl group, and trimethylger Cyclic acid decomposers, such as an alkylcarbonyl group, such as the germanyl group, such as a mill, and t-butoxycarbonyl group, an acyl group, such as an acetyl group, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, a tetrahydrothiopyranyl group, and a tetrahydrothiofuranyl group, etc. Can be mentioned. Preferred among these acid-decomposable groups are benzyl group, t-butyl group, t-butoxycarbonyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydrothiopyranyl group, tetrahydrothiofuranyl group and the like.

페놀성 수산기 또는 카르복실기와 같은 알칼리 가용성기를 갖는 알칼리 가용성 수지로서는, 예를 들면 히드록시스티렌, 히드록시-α-메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌, 히드록시아다만틸(메트)아크릴레이트, 카르복시아다만틸(메트)아크릴레이트, 비닐벤조산, 카르복시메틸스티렌, 카르복시메톡시스티렌, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산 등의 비닐 단량체로부터의 중합체 또는 공중합체, 이들 단량체 중 1종 이상과 다른 단량체의 공중합체, 노볼락 수지와 같은 중축합 수지를 들 수 있다. As alkali-soluble resin which has alkali-soluble group, such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group, For example, hydroxy styrene, hydroxy- (alpha) -methylstyrene, hydroxymethyl styrene, hydroxy adamantyl (meth) acrylate, carboxyadamant Polymers from vinyl monomers such as methyl (meth) acrylate, vinylbenzoic acid, carboxymethylstyrene, carboxymethoxystyrene, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid Or polycondensation resins such as copolymers, copolymers of one or more of these monomers with other monomers, and novolak resins.

화학 증폭형 레지스트로서는, 상기의 것 외에도 알칼리 가용성 수지, 산발생제, 산의 존재하에 분해되어 알칼리 가용성 수지의 용해성 제어 효과를 저하시키거나, 또는 알칼리 가용성 수지의 용해성을 촉진시키는 화합물을 함유하는 것도 알려 져 있으며, 이러한 것도 사용할 수 있다. As the chemically amplified resist, in addition to the above, a compound which decomposes in the presence of an alkali-soluble resin, an acid generator and an acid to lower the solubility control effect of the alkali-soluble resin or promotes the solubility of the alkali-soluble resin may be contained. It is known and these can be used.

이들 레지스트 성분은, 상기 유기 용제에 용해되어 본 발명의 레지스트 조성물로 할 수 있다. 레지스트 성분의 비율은 사용하는 레지스트의 종류, 용매의 종류에 따라 적당하게 설정할 수 있지만, 통상 레지스트 고형 성분 100 중량부에 대하여 50 내지 3000 중량부, 바람직하게는 70 내지 2000 중량부, 더욱 바람직하게는 100 내지 1000 중량부의 유기 용제가 사용된다. 특히, 100 내지 500 중량부의 유기 용제를 사용하면, 알칼리 가용성 수지의 고용해성을 나타내는 경우가 많다.These resist components can be melt | dissolved in the said organic solvent, and it can be set as the resist composition of this invention. Although the ratio of a resist component can be suitably set according to the kind of resist and the kind of solvent used, it is 50-50 weight part normally with respect to 100 weight part of resist solid components, Preferably it is 70-2000 weight part, More preferably, 100 to 1000 parts by weight of an organic solvent is used. In particular, when 100 to 500 parts by weight of the organic solvent is used, the solubility of the alkali-soluble resin is often exhibited.

또한, 이들 레지스트 조성물에는, 사용 목적에 따라 계면 활성제, 증감제 등의 종래부터 공지된 각종 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 또한, 수가용성인 경우에는 물을 첨가하여 사용할 수 있다.In addition, various conventionally known additives, such as surfactant and a sensitizer, can be mix | blended with these resist compositions suitably. In the case of water solubility, water may be added and used.

본 발명의 레지스트 조성물은 반도체 장치의 제조 또는 액정 표시 소자의 제조 등 여러가지의 용도에서 사용할 수 있지만, 반도체 제조용 또는 액정 표시 소자 제조용의 포토레지스트 조성물로서 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴의 형성은, 예를 들면 다음과 같이 하여 행해진다.Although the resist composition of this invention can be used for various uses, such as manufacture of a semiconductor device or manufacture of a liquid crystal display element, it is preferable to use as a photoresist composition for semiconductor manufacture or a liquid crystal display element manufacture. Formation of the resist pattern using the resist composition of this invention is performed as follows, for example.

우선, 본 발명의 레지스트 조성물은 레지스트 소재를 상기 용제에 용해함으로써 제조되는데, 이렇게 제조된 본 발명의 레지스트 조성물은 필요에 따라 필터 여과에 의해 불용물이 제거되고, 스핀 코팅, 롤 코팅, 리버스 롤 코팅, 유연 도포, 닥터 코팅 등 종래부터 공지된 도포법에 의해 예비 베이킹 후의 막 두께가, 예를 들면 0.01 내지 1000 ㎛가 되도록 실리콘, 유리 등의 기판 상에 도포된다. First, the resist composition of the present invention is prepared by dissolving a resist material in the solvent. The resist composition of the present invention thus prepared is free of insoluble matters by filter filtration as necessary, and is spin coated, roll coated, reverse roll coated. The film thickness after prebaking is apply | coated on board | substrates, such as silicone and glass, for example by 0.01-1000 micrometers by the conventionally well-known coating method, such as casting | flow_spread coating and doctor coating.

기판에 도포된 레지스트 조성물은, 예를 들면 핫 플레이트 상에서 예비 베이킹되어 용제가 제거되고, 레지스트막이 형성된다. 예비 베이킹 온도는 사용하는 용제 또는 레지스트의 종류에 따라 상이하며, 통상 30 내지 200 ℃, 바람직하게는 50 내지 150 ℃ 정도의 온도에서 행해진다. The resist composition applied to the substrate is, for example, prebaked on a hot plate to remove the solvent and to form a resist film. The preliminary baking temperature varies depending on the type of solvent or resist used, and is usually performed at a temperature of about 30 to 200 ° C, preferably about 50 to 150 ° C.

레지스트막이 형성된 후 노광이 행해지는데, 사용하는 레지스트에 의해 각각 감광 영역이 상이하기 때문에, 레지스트의 감광 대역에 따른 노광원을 이용하여 노광이 행해진다. 노광은, 예를 들면 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 초고압 수은 램프, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, F2 레이저, 연X선 조사 장치, 전자선 묘화 장치 등 공지된 조사 장치를 이용하고, 필요에 따라 마스크를 통하여 자외선, 원자외선, X선, 전자선 등에 의해 소정의 패턴상의 조사가 행해진다. 노광 후, 현상성, 해상도, 패턴 형상 등을 개선하기 위해, 필요에 따라 후 베이킹이 행해진 후 현상이 행해진다. 또한, 현상 후, 필요하다면 반사 방지막 등의 제거를 위해 가스 플라즈마 등에 의한 건식 에칭이 행해지고, 레지스트 패턴이 형성된다. Although exposure is performed after a resist film is formed, since a photosensitive area | region differs with each resist to be used, exposure is performed using the exposure source according to the photosensitive band of a resist. Exposure uses a well-known irradiation apparatus, such as a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, an F2 laser, a soft X-ray irradiation apparatus, an electron beam drawing apparatus, and a mask as needed. Irradiation of a predetermined pattern is performed by ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, electron beams, or the like. After exposure, after baking is performed as needed, in order to improve developability, resolution, pattern shape, etc., image development is performed. After the development, dry etching using a gas plasma or the like is performed to remove the antireflection film or the like, if necessary, and a resist pattern is formed.

상기 레지스트의 현상은, 통상 현상액을 사용하여 노광 영역과 미노광 영역의 용제에 대한 용해성 또는 알칼리 용액에 대한 용해성의 차이를 이용하여 행해진다. 알카리성 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨 등의 무기 알칼리류, 암모니아, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디에틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 벤질아민 등의 아민류, 포름아미드 등의 아미드류, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH), 수산화테트라에틸암모늄, 콜린 등의 4급 암모늄염류, 피롤, 피페라진 등의 환상 아민류 등을 용해한 수용액 또는 수성 용액이 사용된다. The development of the resist is usually performed using a developer using a difference in solubility in a solvent in an exposed area and an unexposed area or a solubility in an alkaline solution. Examples of the alkaline developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate and sodium silicate, amines such as ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, diethylethanolamine, triethanolamine and benzylamine, Aqueous solutions or aqueous solutions in which amides such as formamide, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide and quaternary ammonium salts such as choline, and cyclic amines such as pyrrole and piperazine are dissolved.

<실시예><Examples>

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto.

<실시예 1 내지 6, 비교예 1 내지 3><Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 to 3>

2,4,4,4'-테트라히드록시벤조페논 1 몰과 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-술포닐 클로라이드 3 몰의 에스테르화 반응 생성물 2 g과, 크레졸 노볼락 수지 8 g을 하기 표 1에 나타낸 조성의 용제(숫자는 중량비) 40 g에 용해하여 포지티브형 포토레지스트 조성물의 도포액을 제조하였다. 이와 같이 하여 얻은 도포액에 대하여 하기 (1) 내지 (4)의 평가 시험을 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.2 g of esterification reaction product of 1 mol of 2,4,4,4'-tetrahydroxybenzophenone and 3 mol of naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonyl chloride, and 8 g of cresol novolak resin Was dissolved in 40 g of a solvent (numbers by weight) having the composition shown in Table 1 below to prepare a coating liquid for a positive photoresist composition. The evaluation test of following (1)-(4) was done about the coating liquid obtained in this way. The results are shown in Table 1.

(1) 석출물의 유무(1) Presence or absence of precipitate

제조한 도포액을 0.2 ㎛의 멤브레인 필터로 여과한 것을 40 ℃에서 정치하고, 2 개월 경과 시점에서의 도포액 중의 석출물의 유무에 대하여 조사하였다.The prepared coating liquid was filtered with a 0.2 μm membrane filter and left at 40 ° C. to check for the presence or absence of precipitates in the coating liquid at the time of 2 months.

(2) 감도 변화(2) Sensitivity change

3 개월 후의 포토레지스트 조성물의 감도 변화의 유무에 대하여 조사하였다. 즉, 제조 직후의 도포액을 기재에 도포하여 건조시킨 경우와, 제조하고 3 개월 경과한 도포액을 기재에 도포하여 건조시킨 경우의 최소 노광량(감도)을 비교하여 전혀 변화가 없었던 것을 「○」, 감도가 저하한 것을 「×」라고 하였다.The presence or absence of a change in sensitivity of the photoresist composition after 3 months was examined. That is, when the coating liquid immediately after manufacture was apply | coated to a base material and dried, the minimum exposure amount (sensitivity) when applying and drying the coating liquid which passed 3 months after manufacture was compared, and it showed that there was no change at all. The thing with which the sensitivity fell was called "x".

(3) 단면 형상(3) Cross-sectional shape

제조한 도포액을 유리 기판 상에 슬릿 코팅하고, 핫 플레이트에서 90 ℃, 90 초간 건조하여 막 두께 1.3 ㎛의 레지스트막을 형성하고, 이 막에 스테퍼를 이용하여 소정의 마스크를 통해 노광한 후, 핫 플레이트 상에서 110 ℃로 90 초간 가열하고, 이어서 2.38 중량%의 수산화테트라메틸암모늄 수용액(TMAH)으로 현상하고, 30 초간 수세ㆍ건조하여 얻어진 레지스트 패턴의 단면 형상을 관찰하여, 이하의 기준으로 평가하였다.The prepared coating liquid was slit coated on a glass substrate and dried on a hot plate at 90 DEG C for 90 seconds to form a resist film having a film thickness of 1.3 mu m and exposed to light through a predetermined mask using a stepper, The plate was heated on a plate at 110 占 폚 for 90 seconds, then developed with a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH), washed with water for 30 seconds, and dried.

○: 유리 기판과 레지스트 패턴의 접촉 부분에 언더컷이 발생하지 않음(Circle): Undercut does not generate | occur | produce in the contact part of a glass substrate and a resist pattern.

×: 유리 기판과 레지스트 패턴의 접촉 부분에 언더컷이 발생함(도 1 참조). X: Undercut occurred at the contact portion between the glass substrate and the resist pattern (see Fig. 1).

(4) 도포 상태(4) Coating condition

제조한 도포액을 유리 기판 상에 슬릿 코팅하고, 핫 플레이트에서 90 ℃에서 90 초간 건조한 것의 막 두께를 측정하고, 면내를 균일하게 도포할 수 있는 것을 「양호」, 면내를 균일하게 도포하지 못하는 것을 「불량」하다고 하였다. The coating solution prepared was slit-coated on a glass substrate, the film thickness of the thing dried at 90 ° C. for 90 seconds on a hot plate was measured, and it was "good" that the surface could be applied uniformly, and the surface could not be applied uniformly. "It was bad."

Figure 112006050752942-pat00001
Figure 112006050752942-pat00001

표 중의 약칭은 이하와 같다. The abbreviations in the table are as follows.

1,3-MPGDA: 2-메틸-1,3-프로판디올디아세테이트1,3-MPGDA: 2-methyl-1,3-propanediol diacetate

HG: 2-메틸-2,4-펜탄디올HG: 2-methyl-2,4-pentanediol

HGDA: 2-메틸-2,4-펜탄디올디아세테이트HGDA: 2-methyl-2,4-pentanediol diacetate

GLMMA: 3-메톡시-1,2-프로판디올 모노아세테이트GLMMA: 3-methoxy-1,2-propanediol monoacetate

GLMDA: 3-메톡시-1,2-프로판디올 디아세테이트GLMDA: 3-methoxy-1,2-propanediol diacetate

PGMEA: 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트PGMEA: Propylene glycol methyl ether acetate

EL: 락트산 에틸EL: Ethyl lactate

<실시예 7 내지 8, 비교예 4><Examples 7 to 8, Comparative Example 4>

모노히드록시아다만틸아크릴레이트와 테트라히드로푸라닐메타크릴레이트를 공중합시켜, 모노히드록시아다만틸아크릴레이트 단위 70 mol%와 테트라히드로피라닐메타크릴레이트 단위 30 mol%의 중량 평균 분자량 8,000의 공중합물을 얻었다. 얻어진 수지에 고형 성분이 25 중량%가 되도록, 하기 표 2에 기재된 조성의 용제를 첨가하고, 50 ℃에서 10 분간 가열하여 수지의 용해 속도(용해성)를 조사하였다. 결과를 표 2에 나타내었다. 표 중의 약칭은 상기와 동일하다.Monohydroxyadamantyl acrylate and tetrahydrofuranyl methacrylate were copolymerized to obtain a weight average molecular weight of 8,000 of 70 mol% of monohydroxyadamantyl acrylate units and 30 mol% of tetrahydropyranyl methacrylate units. A copolymer was obtained. The solvent of the composition shown in following Table 2 was added so that solid component might be 25 weight% to obtained resin, and it heated at 50 degreeC for 10 minutes, and investigated the dissolution rate (soluble property) of resin. The results are shown in Table 2. Abbreviations in the table are the same as above.

○: 균질한 투명 용액이 됨○: becomes a homogeneous transparent solution

×: 용기벽에 입상의 불용성 수지가 잔존해 있음×: Granular insoluble resin remains on the container wall

Figure 112006050752942-pat00002
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<산업상 이용 가능성>Industrial availability

본 발명의 레지스트 조성물은 용제 용해성이 우수하고, 인체에 안전성 내지 안정성이 우수하기 때문에 반도체 장치나 액정 표시 소자 등의 제조용 포토레지스트 조성물로서 유용하다. Since the resist composition of this invention is excellent in solvent solubility and excellent in safety or stability to a human body, it is useful as a photoresist composition for manufacture, such as a semiconductor device and a liquid crystal display element.

본 발명에 따르면, 레지스트 제조시의 용해성을 높이고, 레지스트 안정성을 비약적으로 향상시킴과 동시에, 레지스트 도포시에 레지스트막 중의 잔존 용제량을 유지함으로써 건조 속도를 조정하고, 막 두께 균일성, 선폭 균일성, 현상시의 레지스트막 밀착성 등의 특성을 향상시키며, 또한 안정성이 높은 레지스트 조성물이 제공된다. According to the present invention, the solubility in producing the resist is improved, the stability of the resist is greatly improved, and the drying rate is adjusted by maintaining the amount of residual solvent in the resist film at the time of applying the resist, and the film thickness uniformity and line width uniformity are maintained. The resist composition which improves the characteristics, such as the resist film adhesiveness at the time of image development, and is highly stable is provided.

Claims (5)

레지스트 성분과 유기 용제를 포함하며, Contains a resist component and an organic solvent, 상기 유기 용제가 (a2) 모노알콕시-C3-6 알칸디올, (b1) C5-6 알칸디올 모노아세테이트, (b2) 모노알콕시-C3-6 알칸디올 모노아세테이트, (c1) C5-6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3-6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 용제를 포함하는 레지스트 조성물.The organic solvent is (a2) monoalkoxy-C 3-6 alkanediol, (b1) C 5-6 alkanediol monoacetate, (b2) monoalkoxy-C 3-6 alkanediol monoacetate, (c1) C 5- A resist composition comprising at least one solvent selected from the group consisting of 6 alkanediol diacetate and (c2) monoalkoxy-C 3-6 alkanediol diacetate. 제1항에 있어서, 유기 용제가 (a2) 모노알콕시-C3-6 알칸디올과, (b1') C3-6 알칸디올 모노아세테이트, (b2) 모노알콕시-C3-6 알칸디올 모노아세테이트, (c1') C3-6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3-6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 아세테이트류의 조합을 포함하는 레지스트 조성물. The organic solvent of claim 1, wherein the organic solvent is (a2) monoalkoxy-C 3-6 alkanediol, (b1 ') C 3-6 alkanediol monoacetate, (b2) monoalkoxy-C 3-6 alkanediol monoacetate A resist composition comprising a combination of one or more acetates selected from the group consisting of (c1 ') C 3-6 alkanediol diacetate and (c2) monoalkoxy-C 3-6 alkanediol diacetate. 제1항에 있어서, 유기 용제가 (b1) C5 -6 알칸디올 모노아세테이트 및 (b2) 모노알콕시-C3-6 알칸디올 모노아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 모노아세테이트류와, (c1') C3 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 디아세테이트류의 조합을 포함하는 레지스트 조성물. The method of claim 1 wherein the organic solvent (b1) C 5 -6 alkane diol monoacetate and (b2) a mono-alkoxy -C 3-6 alkane diol monoacetate monomethyl acetates least one selected from the group consisting of, (c1 ') C 3 -6 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 resist composition comprising a combination of a di-acetates least one selected from the group consisting of an alkane diol diacetate. 제1항에 있어서, 유기 용제가 (b1') C3 -6 알칸디올 모노아세테이트 및 (b2) 모노알콕시-C3-6 알칸디올 모노아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 모노아세테이트류와, (c1) C5 -6 알칸디올 디아세테이트 및 (c2) 모노알콕시-C3 -6 알칸디올 디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 디아세테이트류의 조합을 포함하는 레지스트 조성물. According to claim 1, wherein the organic solvent is (b1 ') C 3 -6 alkane diol monoacetate and (b2) a mono-alkoxy -C 3-6 alkane diol monoacetate monomethyl acetates least one selected from the group consisting of, ( c1) -6 C 5 alkane diol diacetate and (c2) an alkoxy mono- -C 3 -6 resist composition comprising a combination of a di-acetates least one selected from the group consisting of an alkane diol diacetate. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 용제로서 카르복실산 알킬에스테르류 및 지방족 케톤류로부터 선택된 1종 이상의 용제를 더 포함하는 레지스트 조성물. The resist composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising one or more solvents selected from carboxylic acid alkyl esters and aliphatic ketones as organic solvents.
KR1020060066754A 2005-07-19 2006-07-18 Resist Composition KR101318086B1 (en)

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