JPH07140647A - Positive resist composition - Google Patents

Positive resist composition

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JPH07140647A
JPH07140647A JP15724993A JP15724993A JPH07140647A JP H07140647 A JPH07140647 A JP H07140647A JP 15724993 A JP15724993 A JP 15724993A JP 15724993 A JP15724993 A JP 15724993A JP H07140647 A JPH07140647 A JP H07140647A
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JP
Japan
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positive resist
resist composition
oxypropionate
propylene glycol
ether acetate
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Application number
JP15724993A
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Japanese (ja)
Inventor
Isato Ono
勇人 大野
Tetsuya Kato
哲也 加藤
Satoshi Niikura
聡 新倉
Koichi Takahashi
浩一 高橋
Hidekatsu Obara
秀克 小原
Toshimasa Nakayama
寿昌 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a positive resist composition excellent in film forming property, preservable stability and step coverage property and also, excellent in safety. CONSTITUTION:The positive resist composition is obtained by dissolving an alkali soluble resin (A) and a quinone diazide group containing compound (B) in a solvent mixture (C) of an alkyl 2-oxypropionate (a) with a propylene glycol monoalkyl ether acetate (b) and if necessary, a hydrocarbon based organic solvent (c).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、新規なポジ型レジスト
組成物、さらに詳しくは、電子部品材料製造などにおい
て好適に用いられる塗膜性、保存安定性、ステップカバ
レッジ性に優れ、かつ安全性にも優れたポジ型レジスト
組成物に関するものである。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a novel positive resist composition, more specifically, excellent coating film properties, storage stability, step coverage properties, and safety properties, which are preferably used in the production of electronic component materials. It also relates to an excellent positive resist composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子などの電子部
品材料の製造においては、基板上にパターンを形成させ
る方法としてホトリソグラフィーによるパターン転写方
法が用いられている。このホトリソグラフィーはシリコ
ンウエハーなどの基板上にレジストをスピンナーを用い
て塗布、乾燥し、次いでマスクを介して活性光線を照射
し、現像することでマスクパターンを基板上に転写した
のち、エッチングする方法である。このエッチング用の
マスクとして用いられるレジストには、初期はネガ型が
用いられてきたが、ネガ型レジストは現像液中での膨張
による解像限界及びコンタクト露光におけるマスク損傷
の問題から、現在は解像性に優れたポジ型レジストが多
く用いられている。
2. Description of the Related Art In the manufacture of electronic component materials such as semiconductor devices and liquid crystal display devices, a pattern transfer method by photolithography is used as a method for forming a pattern on a substrate. In this photolithography, a resist is applied on a substrate such as a silicon wafer using a spinner, dried, and then irradiated with an actinic ray through a mask and developed to transfer a mask pattern onto the substrate, and then etching. Is. The resist used as the mask for this etching was initially of the negative type, but the negative type resist is currently used because of the problem of resolution limit due to expansion in the developing solution and mask damage in contact exposure. A positive resist having excellent image quality is often used.

【0003】ところで、近年シリコンウエハーやガラス
基板が大型化しており、レジストを基板上に塗布するに
当って、塗膜の均一性が優れたものが望まれ、また表面
に凹凸を有する基板上に塗膜を形成する場合に凹部上に
形成される塗膜の膜厚と凸部上に形成される塗膜の膜厚
との膜厚差が小さいほど、解像性の優れたレジストパタ
ーンが形成できるため、塗膜の膜厚差の小さい、すなわ
ちステップカバレッジ性に優れたものが要求され、また
化学品の環境や人体に対する影響力が大きな問題となっ
ており、環境に悪影響を与えず、健康に対して害を与え
ないレジストが強く要望され、レジストの溶剤について
種々の検討が行われている。
By the way, in recent years, silicon wafers and glass substrates have become large in size, and it is desired that a coating film have excellent uniformity in coating a resist on the substrate. When forming a coating film, the smaller the film thickness difference between the coating film formed on the concave portion and the coating film formed on the convex portion, the better the resist pattern formed. Therefore, it is required that the difference in the film thickness of the coating film is small, that is, that the step coverage is excellent, and the impact of chemicals on the environment and the human body is a big problem, and it does not adversely affect the environment and health. There is a strong demand for a resist that does not harm the above, and various studies have been conducted on the resist solvent.

【0004】従来、ポジ型レジストの溶剤としては多く
のものが知られており、例えばエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、シクロペンタノン(特開昭
59−155838号公報)、モノオキシモノカルボン
酸エステル類(特開昭62−123444号公報)、環
状ケトンとアルコールとの混合溶剤(米国特許第452
6856号明細書)、プロピレングリコールアルキルエ
ーテル(特開昭61−7837号公報)など知られてい
るが、いずれの溶剤も均一性やステップカバレッジ性が
劣り、塗膜性が良好とはいえず、また環境や人体に悪影
響を与える溶剤もあり、実用面で劣るという欠点があっ
た。
Conventionally, many solvents are known as solvents for positive resists, such as ethylene glycol monoethyl ether acetate, cyclopentanone (JP-A-59-155838), and monooxymonocarboxylic acid esters. (JP-A-62-123444), a mixed solvent of cyclic ketone and alcohol (US Pat. No. 452).
6856), propylene glycol alkyl ether (JP-A-61-7837) and the like, but none of the solvents has poor uniformity and step coverage, and cannot be said to have good coatability. In addition, some solvents have a bad effect on the environment and the human body, so that they are inferior in practical use.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の溶剤を用いたポジ型レジスト組成物が有する問題
点を解決し、塗膜性、保存安定性、ステップカバレッジ
性に優れ、かつ安全性にも優れたポジ型レジスト組成物
を提供することを目的としてなされたものである。
The present invention solves the problems of such a positive resist composition using a conventional solvent, is excellent in coating property, storage stability, and step coverage property, and The purpose of the present invention is to provide a positive resist composition having excellent safety.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有するポジ型レジスト組成物を開発すべく
鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂とキノンジ
アジド基含有化合物とを、特定の混合溶剤に溶解させた
場合にその目的に達成しうることを見出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに至った。
As a result of intensive studies to develop a positive resist composition having the above-mentioned preferable properties, the present inventors have identified an alkali-soluble resin and a quinonediazide group-containing compound as specific compounds. It was found that the object can be achieved when dissolved in a mixed solvent, and the present invention has been completed based on this finding.

【0007】すなわち、本発明は、(A)アルカリ可溶
性樹脂と、(B)キノンジアジド基含有化合物とを、
(C)(イ)2‐オキシプロピオン酸アルキルと(ロ)
プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
との混合溶剤、に溶解して成るポジ型レジスト組成物を
提供するものである。
That is, the present invention comprises (A) an alkali-soluble resin and (B) a quinonediazide group-containing compound.
(C) (a) alkyl 2-oxypropionate and (b)
The present invention provides a positive resist composition dissolved in a mixed solvent with propylene glycol monoalkyl ether acetate.

【0008】本発明組成物において、(A)成分として
用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラ
ック樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共
重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニルフェ
ノール、ポリα‐メチルビニルフェノールなどが挙げら
れ、中でも特にアルカリ可溶性ノボラック樹脂が好まし
い。このアルカリ可溶性ノボラック樹脂については特に
制限はなく、従来ポジ型ホトレジスト組成物において被
膜形成用物質として慣用されているもの、例えばフェノ
ール、クレゾール、キシレノールなどの芳香族ヒドロキ
シ化合物とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸
性触媒の存在下に縮合させたものなどが用いられる。こ
のアルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、低分子領域
をカットした重量平均分子量が2000〜20000、
好ましくは5000〜15000の範囲のものが好適で
ある。
Examples of the alkali-soluble resin used as the component (A) in the composition of the present invention include novolac resins, acrylic resins, copolymers of styrene and acrylic acid, polymers of hydroxystyrene, polyvinylphenol, poly α. -Methyl vinylphenol and the like are mentioned, and among them, alkali-soluble novolac resin is particularly preferable. The alkali-soluble novolak resin is not particularly limited, and those conventionally used as film-forming substances in positive photoresist compositions, such as aromatic hydroxy compounds such as phenol, cresol, and xylenol, and aldehydes such as formaldehyde are used. Those condensed in the presence of an acidic catalyst are used. The alkali-soluble novolac resin has a weight average molecular weight of 2,000 to 20,000 with the low molecular weight region cut.
The range of 5000 to 15000 is preferable.

【0009】本発明組成物においては、(B)成分の感
光性成分として、キノンジアジド基含有化合物が用いら
れる。このキノンジアジド基含有化合物としては、例え
ばオルトベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノンジ
アジド、オルトアントラキノンジアジドなどのキノンジ
アジド類のスルホン酸と、フェノール性水酸基又はアミ
ノ基を有する化合物とを部分若しくは完全エステル化、
あるいは部分若しくは完全アミド化したものなどが挙げ
られる。フェノール性水酸基又はアミノ基を有する化合
物としては、例えば2,3,4‐トリヒドロキシベンゾ
フェノン、2,2′,4,4′‐テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、2,3,4,4′‐テトラヒドロキシベン
ゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン、没食
子酸アルキル、没食子酸アリール、フェノール、フェノ
ール樹脂、p‐メトキシフェノール、ジメチルフェノー
ル、ヒドロキノン、ポリヒドロキシジフェニルアルカ
ン、ポリヒドロキシジフェニルアルケン、ビスフェノー
ルA、α,α′,α″‐トリス(4‐ヒドロキシフェニ
ル)‐1,3,5‐トリイソプロピルベンゼン、1‐
[1‐(4‐ヒドロキシジフェニル)イソプロピル]‐
4‐[1,1‐ビス(4‐ヒドロキシジフェニル)エチ
ル]ベンゼン、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン又
はそのメチル置換体、ナフトール、ピロカテコール、ピ
ロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガ
ロール1,3‐ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を
一部残してエステル化又はエーテル化された没食子酸、
アニリン、p‐アミノジフェニルアミンなどが挙げられ
る。特に好ましいキノンジアジド基含有化合物は、ポリ
ヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン‐1,2‐ジ
アジド‐5‐スルホン酸又はナフトキノン‐1,2‐ジ
アジド‐4‐スルホン酸との完全エステル化物や部分エ
ステル化物であり、特に平均エステル化度が70モル%
以上のものが好ましい。さらに、ポリヒドロキシベンゾ
フェノンとしては、2,3,4,4′‐テトラヒドロキ
シベンゾフェノンが好ましく、この化合物から合成した
エステル化物を含むキノンジアジド基含有化合物は、後
述する混合溶剤との相容性に優れるため特に好ましい。
In the composition of the present invention, a quinonediazide group-containing compound is used as the photosensitive component of the component (B). Examples of the quinonediazide group-containing compound include orthobenzoquinonediazide, orthonaphthoquinonediazide, sulfonic acids of quinonediazides such as orthoanthraquinonediazide, and partial or complete esterification of a compound having a phenolic hydroxyl group or an amino group,
Alternatively, a partially or completely amidated product may be used. Examples of the compound having a phenolic hydroxyl group or an amino group include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone and 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone. Polyhydroxybenzophenone, alkyl gallate, aryl gallate, phenol, phenolic resin, p-methoxyphenol, dimethylphenol, hydroquinone, polyhydroxydiphenylalkane, polyhydroxydiphenylalkene, bisphenol A, α, α ′, α ″ -tris (4-hydroxyphenyl) -1,3,5-triisopropylbenzene, 1-
[1- (4-hydroxydiphenyl) isopropyl]-
4- [1,1-bis (4-hydroxydiphenyl) ethyl] benzene, tris (hydroxyphenyl) methane or its methyl-substituted product, naphthol, pyrocatechol, pyrogallol, pyrogallol monomethyl ether, pyrogallol 1,3-dimethyl ether, gallic acid , Gallic acid esterified or etherified with some hydroxyl groups left,
Examples thereof include aniline and p-aminodiphenylamine. A particularly preferred quinonediazide group-containing compound is a complete or partial esterification product of polyhydroxybenzophenone and naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid or naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonic acid, and Average degree of esterification is 70 mol%
The above is preferable. Further, as the polyhydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone is preferable, and the quinonediazide group-containing compound including the esterified product synthesized from this compound has excellent compatibility with the mixed solvent described later. Particularly preferred.

【0010】本発明組成物においては、該感光性成分と
して、前記のキノンジアジド基含有化合物を単独で含有
してもよいし、2種以上含有してもよい。
In the composition of the present invention, the above-mentioned quinonediazide group-containing compound may be contained alone or in combination of two or more as the photosensitive component.

【0011】このキノンジアジド基含有化合物は、例え
ば前記ポリヒドロキシベンゾフェノンを、ナフトキノン
‐1,2‐ジアジド‐5‐スルホニルクロリド又はナフ
トキノン‐1,2‐ジアジド‐4‐スルホニルクロリド
とをジオキサンなどの適当な溶媒中において、トリエタ
ノールアミン、炭酸アルカリや炭酸水素アルカリなどの
アルカリの存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分
エステル化することにより製造することができる。
This quinonediazide group-containing compound is obtained by using, for example, the above-mentioned polyhydroxybenzophenone, naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonyl chloride or naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonyl chloride in a suitable solvent such as dioxane. It can be produced by condensing in the presence of an alkali such as triethanolamine, an alkali carbonate or an alkali hydrogen carbonate, and performing complete esterification or partial esterification.

【0012】本発明組成物においては、(C)成分の溶
剤として、(イ)2‐オキシプロピオン酸アルキルと
(ロ)プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセ
テートとの混合溶剤が使用される。
In the composition of the present invention, a mixed solvent of (a) alkyl 2-oxypropionate and (b) propylene glycol monoalkyl ether acetate is used as the solvent for component (C).

【0013】該(イ)成分の2‐オキシプロピオン酸ア
ルキルとしては、例えば2‐オキシプロピオン酸メチ
ル、2‐オキシプロピオン酸エチル、2‐オキシプロピ
オン酸プロピルなどを挙げることができるが、これらの
中で特に2‐オキシプロピオン酸エチルが好適である。
また、これらの2‐オキシプロピオン酸アルキルは単独
で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
Examples of the (2-) component alkyl 2-oxypropionate include methyl 2-oxypropionate, ethyl 2-oxypropionate, propyl 2-oxypropionate, and the like. Particularly preferred is ethyl 2-oxypropionate.
Further, these alkyl 2-oxypropionates may be used alone or in combination of two or more kinds.

【0014】また、該(ロ)成分として用いられるプロ
ピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとし
ては、そのアルキル基がメチル、エチル、プロピル、ブ
チルなどのものを挙げることができ、特にプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。ま
た、これらのプロピレングリコールモノアルキルエーテ
ルアセテートは単独で用いてもよいし、2種以上を組み
合わせて用いてもよい。
Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate used as the component (b) include those whose alkyl group is methyl, ethyl, propyl, butyl, etc., and propylene glycol monomethyl ether acetate is particularly preferable. . In addition, these propylene glycol monoalkyl ether acetates may be used alone or in combination of two or more kinds.

【0015】本発明においては、前記(イ)成分と
(ロ)成分との混合溶剤に、場合により、さらに(ハ)
成分として炭化水素系有機溶剤を配合することができ
る。この炭化水素系有機溶剤としては、キシレンなどの
芳香族炭化水素系のものが好ましく、これによって、ア
ルカリ可溶性樹脂やキノンジアジド基含有化合物の溶解
性を向上でき、保存安定性の良好なポジ型レジスト組成
物を調製することができる。
In the present invention, a mixed solvent of the above-mentioned (a) component and (b) component may be added, and if necessary, (c)
A hydrocarbon organic solvent can be added as a component. The hydrocarbon-based organic solvent is preferably an aromatic hydrocarbon-based solvent such as xylene, whereby the solubility of the alkali-soluble resin or the quinonediazide group-containing compound can be improved, and the positive resist composition has good storage stability. Can be prepared.

【0016】本発明組成物において用いられる混合溶剤
における各成分の混合割合については、該(イ)成分と
(ロ)成分の2成分を含有する場合は、(イ)成分10
〜90重量%及び(ロ)成分90〜10重量%を含有す
るのが好ましく、(イ)成分と(ロ)成分と(ハ)成分
の3成分を含有する場合には、(イ)成分10〜90重
量%、(ロ)成分5〜80重量%及び(ハ)成分5〜1
0重量%を含有するのが好ましい。各成分の混合割合が
前記範囲を逸脱すると、本発明の目的である塗膜性、保
存安定性、ステップカバレッジ性、安全性が改善された
ポジ型レジスト組成物を得ることができないため好まし
くない。
Regarding the mixing ratio of each component in the mixed solvent used in the composition of the present invention, in the case of containing the two components (a) and (b), the component (a) is 10
To 90 wt% and (b) component 90 to 10 wt% are preferable, and when three components of (a) component, (b) component and (c) component are contained, (a) component 10 ~ 90 wt%, (b) component 5 to 80 wt% and (c) component 5-1
It preferably contains 0% by weight. If the mixing ratio of each component deviates from the above range, it is not preferable because a positive resist composition having improved coating property, storage stability, step coverage property, and safety, which is the object of the present invention, cannot be obtained.

【0017】本発明組成物は、さらに必要に応じて相容
性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良す
るための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して
得られるパターンをより一層可視的にするための着色
料、またより増感効果を向上させるための増感剤、コン
トラスト向上剤などの慣用されているものを添加配合さ
せることができる。
The composition of the present invention may further contain a compatible additive such as an additional resin, a plasticizer, a stabilizer or a pattern obtained by development for improving the performance of the resist film. A colorant for making it more visible, a sensitizer for further improving the sensitizing effect, and a commonly used one such as a contrast improving agent can be added and blended.

【0018】本発明組成物は前記した混合有機溶剤に、
前記のアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合
物及び必要に応じて配合される添加成分をそれぞれ必要
量溶解し、溶液の形で用いるのが有利である。
The composition of the present invention is added to the above-mentioned mixed organic solvent,
It is advantageous to dissolve the alkali-soluble resin, the quinonediazide group-containing compound, and the additional components to be blended, if necessary, in the required amounts and use them in the form of a solution.

【0019】本発明組成物の好適な使用方法について1
例を示すと、まずシリコンウエハーのような基板上に、
アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物とを
前記した混合有機溶剤に溶解して得た溶液をスピンナ
ー、ロールコーターなどで塗布し、乾燥して感光層を形
成させ、次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀
灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンラ
ンプなどを用い所要のマスクパターンを介して露光する
か、縮小投影露光装置により露光するか、マスクパター
ンを介してエキシマレーザーやX線を照射するか、ある
いは電子線を走査しながら照射する。次に、これを現像
液、例えば1〜10重量%テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液に浸漬する
と、露光によって可溶化した部分が選択的に溶解除去さ
れて、マスクパターンに忠実な画像を得ることができ
る。
About the preferred method of using the composition of the present invention 1
For example, first, on a substrate such as a silicon wafer,
A solution obtained by dissolving an alkali-soluble resin and a quinonediazide group-containing compound in the above-mentioned mixed organic solvent is applied by a spinner, a roll coater or the like and dried to form a photosensitive layer, and then a light source that emits ultraviolet rays, for example, low pressure. Use a mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, an arc lamp, a xenon lamp, etc. to expose through a required mask pattern, a reduction projection exposure device, or an excimer laser or X-ray through the mask pattern. Alternatively, the electron beam is emitted while scanning. Next, when this is immersed in a developing solution, for example, an alkaline aqueous solution such as a 1-10 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, the portion solubilized by exposure is selectively dissolved and removed, and an image faithful to the mask pattern is obtained. Can be obtained.

【0020】このようなパターンは半導体加工にかぎら
ず、リソグラフィーを用いて加工する分野、例えばLC
D、TAB、PCB、ケミカルミーリング、印刷などに
も同様に優れた効果が得られる。特に本発明組成物は従
来の有機溶剤では均一性に優れた塗膜が得られなかっ
た、大型基板や角型基板への塗布において、極めて高い
塗膜を容易に得ることができるという実用的な効果を奏
する。
Such a pattern is not limited to semiconductor processing, but is applied in fields where lithography is used, such as LC.
The same excellent effect can be obtained for D, TAB, PCB, chemical milling, printing and the like. In particular, the composition of the present invention could not obtain a coating film excellent in uniformity with a conventional organic solvent, and when applied to a large substrate or a rectangular substrate, a very high coating film can be easily obtained. Produce an effect.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、その
調製溶剤として、2‐オキシプロピオン酸アルキルとプ
ロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートと
場合により用いられる炭化水素系有機溶剤との混合溶剤
を使用することにより、塗膜性、保存安定性、スッテッ
プカバレッジ性に優れた塗布膜を形成することができ、
また該調製溶剤は環境や人体に対して悪影響を与えない
ため、実用上極めて有効なものである。
The positive resist composition of the present invention uses a mixed solvent of alkyl 2-oxypropionate, propylene glycol monoalkyl ether acetate and optionally a hydrocarbon organic solvent as a preparation solvent. By doing so, it is possible to form a coating film having excellent coating properties, storage stability, and step coverage,
Further, the prepared solvent is extremely effective in practice because it does not adversely affect the environment and the human body.

【0022】[0022]

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの例によって何ら制限され
るものではない。
EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0023】なお、各例における物性は次の方法によっ
て求められたものである。 (1)均一性 ポジ型レジスト組成物の塗布液を6インチシリコンウエ
ハー上に3000rpm、20秒間塗布し、90℃で9
0秒間ホットプレート上にて乾燥することで塗布膜を形
成し、その塗布膜の膜厚をウエハー全面にわたって測定
し、ウエハー上での膜厚のバラツキが±20Å以下のも
のを○、±21〜40Åのものを△、±41Å以上のも
のを×として評価した。
The physical properties in each example are obtained by the following methods. (1) Uniformity A coating solution of a positive resist composition was coated on a 6-inch silicon wafer at 3000 rpm for 20 seconds, and the coating was performed at 90 ° C. for 9 minutes.
A coating film is formed by drying on a hot plate for 0 seconds, and the film thickness of the coating film is measured over the entire surface of the wafer. When the variation in film thickness on the wafer is ± 20Å or less, ○, ± 21 to Those with 40 Å were evaluated as Δ, and those with ± 41 Å or more were evaluated as x.

【0024】(2)保存安定性 調製されたポジ型レジスト組成物の塗布液を0.2μm
のメンブランフィルターを通してろ過したのち40℃に
おいて3か月静置した後の溶液中の析出物の有無を観察
し、析出物がないものを無、析出物があるものを有と評
価した。
(2) Storage stability A coating solution of the prepared positive resist composition was applied to 0.2 μm.
After being filtered through a membrane filter of No. 3 and allowed to stand at 40 ° C. for 3 months, the presence or absence of precipitates in the solution was observed.

【0025】(3)ステップカバレッジ性 ポジ型レジスト組成物の塗布液を、2.0μm幅のライ
ンアンドスペースで、膜厚0.5μmの酸化シリコン膜
パターンが形成された6インチシリコンウエハー上に、
酸化シリコン膜パターンのないフラットな面での乾燥膜
厚が1.5μmになるようにスピンナーで塗布し、乾燥
することでウエハー全面に塗布膜を形成し、ライン部分
上に形成された塗布膜の膜厚と、スペース部分上に形成
された塗布膜の膜厚との差を測定し、その差が0.10
μm以下のものを○、0.11〜0.20のものを△、
0.21μm以上のものを×として評価した。
(3) Step Coverage Property A coating solution of the positive resist composition was applied onto a 6-inch silicon wafer on which a silicon oxide film pattern having a film thickness of 0.5 μm was formed in a line and space having a width of 2.0 μm.
It is applied by a spinner so that the dry film thickness on a flat surface without a silicon oxide film pattern is 1.5 μm, and dried to form the applied film on the entire surface of the wafer. The difference between the film thickness and the film thickness of the coating film formed on the space portion was measured, and the difference was 0.10.
∘ for μm or less, Δ for 0.11 to 0.20
Those having 0.21 μm or more were evaluated as x.

【0026】実施例1 2,3,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン1
モルとナフトキノン‐1,2‐ジアジド‐5‐スルホニ
ルクロリド3モルとのエステル化反応生成物2gとクレ
ゾールノボラック樹脂8gとを、2‐オキシプロピオン
酸エチル40gとプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート10gとの混合溶剤に溶解してポジ型レ
ジスト組成物の塗布液を調製した。この塗布液について
物性を調べ、その結果を表1に示す。
Example 1 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone 1
Mole of naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonyl chloride (3 moles), a mixed solvent of 2 g of an esterification reaction product and 8 g of cresol novolac resin with 40 g of ethyl 2-oxypropionate and 10 g of propylene glycol monomethyl ether acetate. To prepare a coating solution of the positive resist composition. The physical properties of this coating solution were examined, and the results are shown in Table 1.

【0027】実施例2〜7、比較例1〜2 表1に示すような混合溶剤を用いた以外は、実施例1と
同様にしてポジ型レジスト組成物の塗布液を調製した。
この塗布液について物性を調べ、その結果を表1に示
す。
Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 to 2 Coating solutions of positive resist compositions were prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed solvent shown in Table 1 was used.
The physical properties of this coating solution were examined, and the results are shown in Table 1.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】実施例8 2‐オキシプロピオン酸エチル40gとプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート5gとキシレン5
gとからなる混合溶剤を用いた以外は、実施例1と同様
にしてポジ型レジスト組成物の塗布液を調製した。この
塗布液について物性を調べ、評価したところ均一性は
○、保存安定性は無、ステップカバレッジ性は○であっ
た。
Example 8 40 g of ethyl 2-oxypropionate, 5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate and 5 of xylene
A positive resist composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed solvent consisting of g was used. When the physical properties of this coating solution were examined and evaluated, the uniformity was ◯, the storage stability was not found, and the step coverage was ◯.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 浩一 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 小原 秀克 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Koichi Takahashi, 150 Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (72) Hidekatsu Ohara 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki, Kanagawa Higashi Kyoka Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Hisasamu Nakayama 150 Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)アルカリ可溶性樹脂と、(B)キ
ノンジアジド基含有化合物とを、(C)(イ)2‐オキ
シプロピオン酸アルキルと(ロ)プロピレングリコール
モノアルキルエーテルアセテートとの混合溶剤、に溶解
して成るポジ型レジスト組成物。
1. A mixed solvent of (A) an alkali-soluble resin and (B) a quinonediazide group-containing compound, (C) (a) an alkyl 2-oxypropionate and (b) a propylene glycol monoalkyl ether acetate. A positive resist composition prepared by dissolving in.
【請求項2】 (A)アルカリ可溶性樹脂と、(B)キ
ノンジアジド基含有化合物とを、(C)(イ)2‐オキ
シプロピオン酸アルキルと(ロ)プロピレングリコール
モノアルキルエーテルアセテートと(ハ)炭化水素系有
機溶剤との混合溶剤、に溶解して成るポジ型レジスト組
成物。
2. An alkali-soluble resin (A) and a quinonediazide group-containing compound (B) are added to (C) (a) alkyl 2-oxypropionate, (b) propylene glycol monoalkyl ether acetate and (c) carbonized. A positive resist composition which is dissolved in a mixed solvent with a hydrogen-based organic solvent.
【請求項3】 2‐オキシプロピオン酸アルキルが、2
‐オキシプロピオン酸エチルである請求項1又は2記載
のポジ型レジスト組成物。
3. An alkyl 2-oxypropionate is 2
-The positive resist composition according to claim 1 or 2, which is ethyl oxypropionate.
【請求項4】 プロピレングリコールモノアルキルエー
テルアセテートが、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートである請求項1、2又は3記載のポジ
型レジスト組成物。
4. The positive resist composition according to claim 1, wherein the propylene glycol monoalkyl ether acetate is propylene glycol monomethyl ether acetate.
【請求項5】 キノンジアジド基含有化合物が、2,
3,4,4′‐テトラヒドロキシベンゾフェノンとナフ
トキノン‐1,2‐ジアジド‐4‐スルホン酸又はナフ
トキノン‐1,2‐ジアジド‐5‐スルホン酸とのエス
テル化反応生成物を含むものである請求項1ないし4の
いずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
5. The quinonediazide group-containing compound is 2,
A product comprising an esterification reaction product of 3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone and naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonic acid or naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid. The positive resist composition as described in any one of 4 above.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003073167A1 (en) * 2002-02-27 2003-09-04 Clariant International Ltd. Photosensitive resin composition

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WO2003073167A1 (en) * 2002-02-27 2003-09-04 Clariant International Ltd. Photosensitive resin composition

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