KR101318022B1 - 러빙장치 및 이를 이용한 배향막 러빙 방법 - Google Patents

러빙장치 및 이를 이용한 배향막 러빙 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저전압 구동에 의해 양호한 직진성을 갖는 이온빔을 형성하여 배향막의 파손 및 러빙불량을 방지할 수 있는 배향막 러빙장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 배향막 러빙장치는, 하우징의 내부로 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부; 하우징의 상면에 삽입 고정되는 캐소드 전극; 캐소드 전극과 연동하여 상기 불활성 가스에 대한 플라즈마 방전을 수행하여 이온빔을 형성하는 애노드 전극; 및 이온빔의 진행 방향에 수직방향으로 자계를 형성하여 배향막이 형성된 기판방향으로 이온빔을 직진시키는 자석 어셈블리를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

러빙장치 및 이를 이용한 배향막 러빙 방법{Rubbing device and method for rubbing an alignment film}
도 1은 일반적인 액정표시장치의 평면도.
도 2는 종래의 러빙드럼을 이용한 배향막에 대한 접촉식 러빙공정을 나타낸 개략도.
도 3은 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 구성 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 분해 사시도
도 5는 도 3에서 I-I'선을 따라 절취된 배향막 러빙장치의 구성 단면도.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 배향막 러빙장치를 이용한 러빙공정을 도시한 배향막 러빙 공정도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 배향막 러빙장치 110 : 하우징
112 : 가스홈 111 : 가스 주입공
120 : 캐소드 122 : 제 1 캐소드 전극
124 : 제 2 캐소드 전극 130 : 애노드 전극
140 : 자석 어셈블리 142 : 자기 요크 어셈블리
144 : 영구자석 150 : 가스 공급부
152 : 가스홀 200 : 기판
210 : 배향막 212 : 배향홈
300 : 이송수단
본 발명은 배향막 러빙장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 저전압 구동에 의해 양호한 직진성을 갖는 이온빔을 형성하여 배향막의 파손 및 러빙불량을 방지할 수 있는 배향막 러빙장치 및 방법에 관한 것이다.
최근, 정보화 사회가 도래함에 따라 다양한 정보를 사용자에게 제공하는 전달매체로서의 역학을 수행하는 영상표시장치에 대한 중요성이 어느 때보다 강조되고 있다.
이러한 영상표시장치의 주류를 이루고 있었던 종래의 음극선관(Cathode Ray Tube) 또는 브라운관은 무게와 부피가 큰 문제점이 있었고, 이러한 문제점을 해소하기 위해 다양한 종류의 평판표시소자(Flat Panel Display)가 개발되고 있다.
평판표시소자에는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시소자(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 일렉트로루미네센스(Electroluminescence : EL) 등이 있고 이들 대부분이 실용화되어 시판되고 있다.
이 중에서 액정표시소자는 전자제품의 경박단소화 추세를 만족할 수 있고 양산성이 향상되고 있어 많은 응용분야에서 음극선관 또는 브라운관을 빠른 속도로 대체하고 있다.
특히, 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, "TFT"라 한다)를 이용하여 액정셀을 구동하는 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 화질이 우수하고 소비전력이 낮은 장점이 있으며, 최근의 양산기술 확보와 연구개발의 성과로 대형화와 고해상도화로 급속히 발전하고 있다.
도 1을 참조하여 상술한 바와 같은 액정표시장치의 구성 및 동작에 대해 설명하면 다음과 같다.
액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하는 것으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터 기판 및 컬러필터기판, 두 기판 사이에 일정한 셀갭 유지를 위해 위치하는 스페이서 및 그 셀갭에 채워진 액정 등을 구비한다.
여기서, 박막 트랜지스터 기판(70)은 서로 교차되게 형성된 게이트 라인(71) 및 데이터 라인(72), 그들(71,72)의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터(73), 박막 트랜지스터(73)와 접속된 화소전극(74) 및 액정 배향을 위해 도포된 하부 배향막 (미도시)으로 구성된다.
이때, 박막 트랜지스터(73)는 데이터 라인(72)에 접속된 소스전극, 채널을 사이에 두고 소스전극과 대향하는 드레인 전극 및 채널을 형성하는 반도체층으로 구성된다. 이때, 반도체층은 소스전극과 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 활성층과, 활성층 상에 위치하여 소스전극 및 드레인 전극과 오믹 접촉을 수행하는 오믹 접촉층을 포함한다.
칼라필터기판(80)은 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스(81), 칼라 구현을 위한 칼러 필터(82), 화소 전극(74)과 수직전계를 이루는 공통전극(83) 및 액정 배향을 위해 도포된 상부 배향막(84)으로 구성된다.
이때, 배향막은 박막 트랜지스터 기판(70)과 컬러필터기판(80) 사이에 개재되는 액정(90)을 소정 방향으로 배향시키기 역할을 수행하는 것으로서, 배향막 상에는 러빙장치를 이용하여 폴리이미드 등의 유기막에 대한 러빙공정이 수행됨에 따라 액정이 정렬되는 배향홈(미도시)이 형성된다.
여기서, 액정표시장치는 박막 트랜지스터 기판과 컬러필터기판을 별도로 제작하여 합착한 다음 액정을 주입하고 봉입함으로써 완성하게 된다.
종래, 상술한 바와 같이 구성된 액정표시장치를 구성하는 배향막은, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10)상에 폴리이미드 등과 같은 배향물질(20)을 도포한 후 러빙드럼(30)을 이용한 접촉식 러빙공정을 수행함으로써 형성되었다.
즉, 기판(10)상에 폴리이미드 등의 고분자 화합물인 배향막(20)을 프린팅 방법 등에 의해 도포하고 이 표면을 나이론이나 폴리에스테르 레이온 섬유를 식모한 천이 감긴 러빙드럼(30)으로 고속 회전시켜 문지름으로써 중합체의 표면에 아주 미세한 홈을 형성하는 방법이다.
이때, 러빙 공정을 거치면서 액정 분자는 배향막(20) 표면에서 일정한 선경사각(θ)을 갖고 배향되는데 이러한 러빙방법은 공정이 간단하며 대면적화와 고속처리가 가능하여 공업적으로 널리 이용되는 장점이 있다.
그러나, 배향포(31)와 배향막(20)의 마찰강도에 따라 배향막(20)에 형성되는 미세홈 (microgroove)의 형태가 달라지기 때문에 액정분자의 배열이 불균일하게 되어 위상왜곡(phase distortion)과 광산란(light scattering)이 발한다는 문제점이 있었다.
또한, 러빙 드럼(30)의 배향포(31)가 고분자 표면을 러빙함으로써 발생하는 정전기(ESD: ElectroStatic Discharge)로 인한 기판(2) 손상과 러빙드럼(30)에서 생성되는 미세한 먼지 등에 의해 생산수율이 저하되는 문제점이 있었다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 목적은 배향막의 러빙 시에 발생되는 이온빔의 퍼짐현상을 방지할 수 있는 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 배향막의 러빙시에 발생되는 이온빔의 직진성을 향상시켜 러빙불량을 방지할 수 있는 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 저전압 구동에 의해 양호한 직진성을 갖는 이온빔을 형성함으로써 배향막의 손상을 방지할 수 있는 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙방법을 제공 하는 데 있다.
본 발명은 비접촉식 러빙방식을 통해 배향막에 대한 러빙공정을 수행함으로써 배향막의 생산수율을 향상시킬 수 있는 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 배향막 러빙장치는, 기판상에 형성된 배향막에 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 배향막 러빙장치에 있어서,하우징의 내부로 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부; 하우징의 상면에 삽입 고정되는 캐소드 전극; 캐소드 전극과 연동하여 상기 불활성 가스에 대한 플라즈마 방전을 수행하여 이온빔을 형성하는 애노드 전극; 및 이온빔의 진행 방향에 수직방향으로 자계를 형성하여 상기 배향막이 형성된 기판방향으로 이온빔을 직진시키는 자석 어셈블리를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
여기서, 본 발명의 러빙장치를 구성하는 하우징은 직육면체 형상으로 구성되되, 하우징의 상면에는 이온빔을 기판상에 형성된 배향막으로 주사시키기 위한 슬릿홈이 외주면을 따라 연속적으로 형성되어 있다.
본 발명의 러빙장치를 구성하는 가스 공급부는 상면에 외부로부터 공급되는 이온 가스를 하우징 내부로 공급하기 위한 가스공이 형성된 것을 특징으로 한다.
여기서, 가스 공급부의 상면에 형성된 가스공은 하우징의 상면에 형성된 슬릿과 대응되도록 외주면을 따라 연속적으로 형성되어 있다.
본 발명에 따른 러빙장치를 구성하는 자석 어셈블리는, 가스 공급부의 중심부에 형성된 홈에 삽입 고정되는 요크부; 및 요크부에 고정되는 다수의 영구자석을 구비하되, 영구자석은 이온빔의 진행방향에 수직 방향으로 자기장을 형성하여 상기 이온빔을 배향막이 형성된 기판 쪽으로 진행시키는 것을 특징으로 한다.
여기서, 자석 어셈블리를 구성하는 영구자석은 가스 공급부로부터 공급되는 이온가스를 캐소드 및 애노드 전극 사이에 트랩 시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 배향막 러빙 방법은, 기판상에 형성된 배향막에 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 배향막 러빙 방법에 있어서, 이송수단을 통해 상기 배향막이 형성된 기판을 러빙장치가 위치한 방향으로 이송시키는 단계; 러빙장치에 구동전압을 인가하여 배향막 러빙시 이용되는 이온빔을 형성하는 단계; 이온빔을 상기 기판 방향으로 가속시켜 상기 배향막을 순차 조사하는 단계; 및 이온빔의 순차 조사에 연동하여 상기 배향막 상에 균일한 배향홈을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 배향막 러빙장치 및 이를 이용한 러빙 방법에 대해 상세하게 설명한다.
먼저, 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 구성 및 동작에 대해 상세하게 설명한다. 여기서, 도 3은 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 배향막 러빙장치의 분해 사시도 이고, 도 5는 도 2에서 I-I'선을 따라 절취된 배향막 러빙장치의 단면도이다.
본 발명에 따른 배향막 러빙장치(100)는 이송수단(300)을 통해 이송되는 기판(200)상에 형성된 배향막(220)으로 이온빔을 주사시켜 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 것으로서, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 하우징(110)과, 하우징(110)의 상부에 형성되는 캐소드 전극(120)과, 소정의 절연체에 의해 하우징(110)과 절연된 상태로 캐소드 전극(120)의 하부에 위치하는 애노드 전극(130)과, 양 전극의 플라즈마 방전에 의해 형성된 이온빔을 배향막(220)이 형성된 기판(200) 방향으로 진행시키기 위한 자석 어셈블리(140)와, 외부로부터 공급되는 이온가스를 하우징(110) 내부로 공급하는 가스 공급부(150)를 포함하여 구성되어 있다.
여기서, 하우징(110)은 내부가 빈 직육면체 형상의 구조체로서, 상면에는 플라즈마 상태로 이온빔이 출사되는 슬릿 형상의 가스홈(112)이 형성되어 있고, 후면에는 가스 라인을 통해 공급되는 가스가 주입되는 가스 주입공(111)이 형성되어 있다.
이때, 가스홈(112)은 가스 공급부(150)에 형성된 가스홀(152)의 위치와 대응되게 하우징(110) 상면의 외주면을 따라 연속적으로 형성되어 있고, 가스 주입공(111)은 가스 공급부(150)에 형성된 가스홀(152)의 위치와 대응되게 하우징(110) 후면의 외주면을 따라 연속적으로 형성되어 있다.
캐소스 전극(120)은 잭 스크류(jack screw)를 통해 하우징(110)의 상면에 고정된 제 1 캐소드 전극(122)과, 제 1 캐소드 전극(122)의 하면에 형성된 제 2 캐소드 전극(124)으로 구성되어 있다.
이때, 제 1 캐소드 전극(122)은 하우징(110)의 외주면을 따라 고리 형상으로 형성되어 있고, 제 2 캐소스 전극(124)은 하우징(110)의 상면에 형성된 가스홈(112)의 내측에 형성됨으로써 가스 이온이 가스홈(112)을 통해 외부로 토출되는 것을 방해하지는 않는다.
애노드 전극(130)은 하우징(110)과 가스 공급부(150) 사이에 형성된 틈에 삽입 고정되며, 캐소드 전극(120)을 구성하는 제 2 캐소드 전극(124)과 소정 간격 이격 되어 형성된다.
이때, 캐소드 전극(120)과 애노드 전극(130)은 외부로부터 인가되는 저전압, 보다 구체적으로는 약 1 KeV의 저전압에 연동하여 가스 공급부(150)로부터 공급되는 이온가스를 플라즈마 상태로 여기시킴으로써 기판(200)상의 배향막(220)을 러빙시에 이용되는 이온빔을 형성한다.
자석 어셈블리(140)는 가스 공급부(150)로부터 공급되는 가스를 양 전극 사이에 트랩시키는 동시에 플라즈마 상태의 이온빔을 배향막(220)이 형성된 기판(200) 방향으로 직진시키는 역할을 수행한다.
이때, 자석 어셈블리(140)는 가스 공급부(150)의 중심부에 형성된 홈에 잭 스크류를 통해 삽입 고정되는 자기 요크 어셈블리(142)와, 자기 요크 어셈블리(142)에 고정된 다수의 영구자석(144)으로 구성된다.
여기서, 자석 어셈블리(140)를 구성하는 다수의 영구자석(144)은 이온빔의 진행방향과 수직 방향으로 자계를 형성함으로써 이온빔이 분산되는 것을 방지할 뿐만 아니라 배향막(220)이 형성된 기판(200) 방향으로 이온빔을 직진시키는 역할을 수행한다.
즉, 자석 어셈블리에 의해 기판 쪽으로 진행하는 이온빔이 분산되는 것을 방지함으로써, 이온빔의 퍼짐 현상으로 인하여 발생되는 배향막의 러빙불량을 방지함으로써 양호한 배향특성을 갖는 배향막을 형성할 수 있는 것이다.
가스 공급부(150)는 가스 라인으로부터 공급되는 가스를 하우징(110)의 후면에 형성된 가스 주입공(111)을 통해 공급받은 후, 이를 하우징(110)의 내부로 토출시키는 역할을 수행한다.
이때, 가스 공급부(150)의 상면에 형성된 가스홀(152)은 하우징(110) 상면에 형성된 가스홈(112)에 대응되도록 외주면을 따라 형성되어 있다.
이하, 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 러빙장치를 이용하여 기판상의 배향막에 대한 러빙 방법을 상세히 설명한다.
먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판상에 액정 배향을 위한 배향홈이 형성될 배향막을 전면 형성한다.
여기서, 배향막은 기판과 액정의 계면에 형성되어 액정분자를 소정 방향으로 배향시키는 역할을 수행하는 것으로서, 폴리이미드나 폴리아미드산이 주로 이용되고 있다.
이때, 배향막은 약 0.05~0.1um 정도의 두께로 기판상에 균일하게 형성되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 기판(200)상에 배향막(220)을 전면 형성한 후, 도 6b에 도시된 바와 같이, 이송수단(300)을 통해 배향막(220)이 형성된 기판(200)을 본 발명에 따른 러빙장치(100)가 설치된 위치로 이송시킨다.
여기서, 이송수단(300)을 통해 기판(200)이 러빙장치(200)가 설치된 위치로 이송됨에 따라, 도 6c에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 러빙장치(200)는 외부로부터 인가되는 저전압, 보다 구체적으로는 약 1Kev의 저전압에 연동하여 이온빔을 가속한 후 이를 기판(200)상에 형성된 배향막(220)으로 순차 주사한다.
이때, 이온빔은 러빙장치(100)를 구성하는 자석 어셈블리(140)의 영구자석(144)에 의해 형성되는 자계에 의해 양호한 직진성을 유지하면서 기판(200) 방향으로 가속되어 배향막(220)에 대한 순차 주사를 수행한다.
즉, 러빙장치를 통해 출사되는 이온빔은 영구자석(144)에 의해 형성되는 자계에 의해 퍼짐 현상이 방지되고, 이에 의해 양호한 직진성을 유지하면서 기판(200) 방향으로 가속되어 배향막(220)에 대한 러빙 공정을 수행한다.
상술한 바와 같이 러빙장치로부터 출사되는 이온빔에 의해 배향막(220)이 순차 주사됨에 따라, 도 6d에 도시된 바와 같이, 균일한 배향 특성을 갖는 배향홈(222)이 형성된 배향막(220)을 최종적으로 완성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 직진성이 양호한 러빙장치를 통해 배향막에 대한 비접촉식 러빙공정을 수행함으로써, 배향막의 러빙시에 발생되는 이온빔의 퍼짐현상을 방지할 수 있다는 효과를 갖는다.
본 발명은 배향막에 주사되는 이온빔의 직진성을 향상시킴으로써, 배향막의 러빙시에 발생 되는 러빙 불량을 방지하여 균일한 배향홈을 형성할 수 있다는 효과 를 갖는다.
본 발명은 저전압을 이용하여 배향막에 주사되는 이온빔을 가속시킴으로써, 러빙시에 발생되는 배향막의 손상을 방지할 수 있다는 효과를 갖는다.
본 발명은 비접촉식 러빙방식을 통해 배향막에 대한 러빙공정을 수행함으로써, 종래의 접촉식 러빙공정과 비교하여 배향막의 생산수율을 향상시킬 수 있다는 효과를 갖는다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (12)

  1. 기판상에 형성된 배향막에 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 배향막 러빙장치에 있어서,
    하우징의 내부로 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 하우징의 상면에 삽입 고정되는 캐소드 전극;
    상기 캐소드 전극과 연동하여 상기 불활성 가스에 대한 플라즈마 방전을 수행하여 이온빔을 형성하는 애노드 전극; 및
    상기 이온빔의 진행 방향에 수직방향으로 자계를 형성하여 상기 배향막이 형성된 기판방향으로 이온빔을 직진시키는 자석 어셈블리를 포함하여 구성되고,
    상기 자석 어셈블리는,
    상기 가스 공급부의 중심부에 형성된 홈에 삽입 고정되는 요크부; 및
    상기 요크부에 고정되는 다수의 영구자석을 구비하고,
    상기 영구자석은, 상기 이온빔의 진행방향에 수직방향으로 자계를 형성하여 상기 이온빔의 분산을 방지하고, 상기 이온빔을 기판 방향으로 직진시키고, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스를 상기 캐소드 전극 및 애노드 전극 사이에 트랩시키는 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징의 상면에는 상기 이온빔을 출사시키기 위한 가스홈이 형성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가스홈은 외주면을 따라 슬릿 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징의 후면에는 상기 불활성 가스가 공급되는 가스 주입공이 형성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 공급부의 상면에는 상기 불활성 가스를 상기 하우징의 내부로 토출시키기 위한 가스홀이 형성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 가스홀은 상기 하우징의 가스홈과 대응되도록 외주면을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 이온빔을 가속시키기 위해 상기 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 가속전압은 1keV이하의 저전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 배향막 러빙장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 기판상에 형성된 배향막에 액정 배향을 위한 배향홈을 형성하는 배향막 러빙 방법에 있어서,
    이송수단을 통해 상기 배향막이 형성된 기판을 러빙장치가 위치한 방향으로 이송시키는 단계;
    상기 러빙장치에 구동전압을 인가하여 배향막 러빙시 이용되는 이온빔을 형성하는 단계;
    상기 이온빔을 상기 기판 방향으로 가속시켜 상기 배향막을 순차 조사하는 단계; 및
    상기 이온빔의 순차 조사에 연동하여 상기 배향막 상에 균일한 배향홈을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 러빙장치는,
    하우징의 내부로 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 하우징의 상면에 삽입 고정되는 캐소드 전극;
    상기 캐소드 전극과 연동하여 상기 불활성 가스에 대한 플라즈마 방전을 수행하여 이온빔을 형성하는 애노드 전극; 및
    상기 이온빔의 진행 방향에 수직방향으로 자계를 형성하여 상기 배향막이 형성된 기판방향으로 이온빔을 직진시키는 자석 어셈블리를 포함하여 구성되고,
    상기 자석 어셈블리는,
    상기 가스 공급부의 중심부에 형성된 홈에 삽입 고정되는 요크부; 및
    상기 요크부에 고정되는 다수의 영구자석을 구비하고,
    상기 영구자석은, 상기 이온빔의 진행방향에 수직방향으로 자계를 형성하여 상기 이온빔의 분산을 방지하고, 상기 이온빔을 기판 방향으로 직진시키고, 상기 가스 공급부로부터 공급되는 불활성 가스를 상기 캐소드 전극 및 애노드 전극 사이에 트랩시키는 것을 특징으로 하는 배향막 러빙방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 이온빔을 가속시키기 위해 상기 러빙장치에 인가되는 가속전압은 1keV 이하의 저전압인 것을 특징으로 하는 배향막 러빙방법.
  12. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980080425A (ko) * 1997-03-18 1998-11-25 니시히라순지 이온화 스퍼터링장치
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