KR101315525B1 - 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지는 상면의 중앙에 발광다이오드가 탑재되는 기판과, 상기 기판의 하면에 형성되는 방열판과, 상기 발광다이오드의 외곽부에 위치하여, 상기 발광다이오드에서 발생하는 열을 상기 기판의 외곽부로 전달하는 열전박막소자와, 상기 기판의 외곽부를 관통하여 형성되어, 상기 열전박막소자로부터 전달된 열을 상기 방열판으로 전달하는 하나 이상의 제1 써멀비아를 포함한다. 이에 따라, 발광다이오드에서 발생한 열을 열전박막소자와 써멀비아를 통해서 보다 효율적으로 방열판으로 전달함으로써 발광다이오드의 광효율을 향상시키고, 수명을 증가시킬 수 있다.

Description

써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE HAVING THERMAL VIA}
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광다이오드(light emitting diode, LED)는 반도체 다이오드 소자의 하나로서 p형 반도체와 n형 반도체의 p-n 접합구조로 이루어져 있으며, 전기에너지를 빛을 변환시켜 주는 소자이다. 발광다이오드는 백열전구나 형광등에 비해 소비전력이 낮으며 빛을 내는 반응시간이 훨씬 빠르고 광도가 뛰어나며 신뢰성이 높고 수명이 반영구적이다. 따라서, 휴대전화, 가전제품, 정밀 장비검사 기구, 자동차 계기판 등 산업 전반에 걸쳐 널리 사용되고 있으며, 최근에는 LCD 백라이트 조명장치 및 일반 조명에 적용되고 있다.
발광다이오드는 p-n 접합구조를 가지므로, 전류가 흐를 때 p-n 접합 부위에서 열이 발생하게 된다. 이러한 열에 의해 접합 부위의 온도가 증가함에 따라 발광다이오드의 광효율이 급속히 감소된다. 또한 접합 부위의 온도 증가에 의해 에너지 밴드갭이 영향을 받아 색온도의 변화가 발생하여 발광다이오드의 불량이 발생하며, 급속한 열화에 의해 발광다이오드의 수명이 현저히 감소하는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위해 발광다이오드 패키지를 제조함에 있어서, 발광다이오드의 열을 외부로 방출하는 기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1a는 종래의 발광다이오드 패키지의 단면도이고, 도 1b는 도 1a에 따른 발광다이오드 패키지의 평면도이다. 도 1a 및 도 1b의 종래의 발광다이오드 패키지는 본 발명의 배경이 되는 기술로써, 1999년도 학술지 Solid-State Electronics의 43권 923쪽에서 929쪽에 기재되어 있다. 도 1a와 도 1b를 참조하면, 종래의 발광다이오드 패키지(100)는 발광다이오드(110), 기판(120), 열전박막소자(130), 방열판(140)을 포함한다. 이 경우, 열전박막소자(130)는 p형 열전박막(131), n형 열전박막(132), 박막전극(133)으로 구성되고, 기판(120)에 탑재된 발광다이오드(110)에서 발생하는 열을 기판(120)의 외곽부를 통해 방열판(140)으로 전달한다. 그러나, 종래의 발광다이오드 패키지(100)의 경우, 기판(120)에 형성된 내부홈(125)에 의해 기판(120)과 방열판(140)의 접촉 면적이 줄어들게 되어 발광다이오드(110)에서 발생한 열을 효과적으로 방열판(140)에 전달하기 어려운 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는, 발광다이오드에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출하는 발광다이오드 패키지를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지는 상면의 중앙에 발광다이오드가 탑재되는 기판과, 상기 기판의 하면에 형성되는 방열판과, 상기 발광다이오드의 외곽부에 위치하여, 상기 발광다이오드에서 발생하는 열을 상기 기판의 외곽부로 전달하는 열전박막소자와, 상기 기판의 외곽부를 관통하여 형성되어, 상기 열전박막소자로부터 전달된 열을 상기 방열판으로 전달하는 하나 이상의 제1 써멀비아를 포함한다.
또한, 상기 기판에서 상기 발광다이오드에 대응하는 영역을 관통하여 형성되고, 상기 발광다이오드에서 발생한 열을 상기 방열판으로 전달하는 하나 이상의 제2 써멀비아를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판의 상면 또는 하면에 형성되는 절연층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 열전박막소자는, 상기 발광다이오드의 외곽부와 상기 비아 사이에 수평하게 위치하는 하나 이상의 p형 열전박막과, 상기 발광다이오드의 외곽부와 상기 비아 사이에 수평하게 위치하되, 상기 p형 열전박막과 이격되어 교대로 형성되는 하나 이상의 n형 열전박막과, 상기 p형 열전박막과 상기 n형 열전박막을 직렬로 연결하는 박막전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 써멀비아는 전기도금법, 스크린 프린팅법, 용융금속 주입법(melt infiltration method), 솔더용융법(solder melting)법 중 어느 하나에 의해 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 써멀비아는 중앙에 중앙홀이 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 써멀비아는 상부가 하부보다 확장된 테이퍼진 형상일 수 있다.
또한, 상기 기판, 열전박막소자 및 방열판의 상면 또는 측면에 형성되는 봉지재와, 상기 봉지재의 상면에 형성되는 렌즈와, 상기 봉지재의 측면에 형성되는 리플렉터를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 써멀비아 또는 상기 제2 써멀비아는, 구리, 주석, 은, 알루미늄, 니켈, 금, 백금, 철, 크롬, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐 중 하나 이상을 포함하는 성분으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 제1 써멀비아 또는 상기 제2 써멀비아는, 주석을 주성분으로 하며, 은, 구리, 비스무스, 인듐, 아연, 안티몬, 금, 납 중 하나 이상을 포함하는 성분으로 형성되는 솔더를 이용할 수 있다.
또한, 상기 절연층은 알루미나, 질화알루미늄, 유리, 글라스-세라믹, 실리콘카바이드, 질화실리콘, 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론 중 하나 이상을 포함하는 성분으로 구성될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 기판에 탑재된 발광다이오드에서 발생하는 열을 열전박막소자를 통해 기판의 외부로 이동시키며, 기판의 외곽부로 이동된 열을 써멀비아를 통해서 보다 효율적으로 방열판으로 전달함으로써 발광다이오드의 광효율을 향상시키고, 수명을 증가시킬 수 있다.
도 1a는 종래의 발광다이오드 패키지의 단면도,
도 1b는 도 1a에 따른 발광다이오드 패키지의 평면도,
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 단면도,
도 2b는 도 2a에 따른 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 평면도,
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 중앙홀을 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 단면도,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 테이퍼진 형상의 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 단면도,
도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판의 중앙과 외곽에 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 단면도,
도 5b는 도 5a에 따른 발광다이오드 패키지의 평면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 사용되는 용어들은 실시예에서의 기능을 고려하여 선택된 용어들로서, 그 용어의 의미는 사용자, 운용자의 의도 또는 판례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 후술하는 실시예들에서 사용된 용어의 의미는, 본 명세서에 구체적으로 정의된 경우에는 그 정의에 따르며, 구체적인 정의가 없는 경우는 당업자들이 일반적으로 인식하는 의미로 해석되어야 할 것이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 단면도이고, 도 2b는 도 2a에 따른 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 평면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(200)는 발광다이오드(210), 기판(220), 제1 써멀비아(221), 열전박막소자(230), 방열판(240)을 포함한다. 발광다이오드(210)는 p-n 접합구조를 가지는 일반적인 발광다이오드 소자이며, 본 발명에서는 적외선 소자 또는 발광다이오드에 준하는 소자 등을 통칭하는 용어로 사용된다. 발광다이오드(210)는 기판(220)의 상면 중앙에 탑재된다. 기판(220)은 실리콘(Si) 소재로 상면에는 발광다이오드(210)와 열전박막소자(230)가 탑재되고, 하면에는 방열판(240)이 접착된다. 또한, 기판(220)은 실리콘 외에 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 유리, 글라스-세라믹, 실리콘카바이드(SiC), 질화실리콘(Si3N4), FR4, 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 메탈코어를 소재로 사용할 수 있다.
기판(220)의 외곽부에는 열전박막소자(230)와 대응하는 위치로 기판(220)을 관통하는 하나 이상의 비아홀(via hole)이 형성되며, 비아홀에는 전도성의 제1 써멀비아(221)가 형성된다. 예를 들어, 550㎛ 두께의 실리콘 기판(220)의 주변부에 Deep RIE(Reactive Ion Etching) 공정을 사용하여 직경 100㎛, 깊이 150㎛인 하나 이상의 비아홀을 형성할 수 있다. 또한, 비아홀들의 내부 표면에 건식산화법을 이용하여 두께 0.1㎛의 산화실리콘 층을 형성하고, 170nm 두께의 탄탈륨(Ta)과 1㎛ 두께의 구리(Cu) 층을 순차적으로 스퍼터링(sputtering)하여 전기도금용 씨앗층(seed layer)을 형성하는 것도 가능하다.
제1 써멀비아(221)는 기판(220)의 외곽부에 형성된 비아홀에 형성되는 비아를 의미한다. 제1 써멀비아(221)의 상면은 열전박막소자(230)와 연결되고, 하면은 방열판(240)과 연결됨으로써, 열전박막소자(230)를 통해 전달된 발광다이오드(210)에서 발생한 열을 방열판(240)으로 전달한다. 또한, 제1 써멀비아는(221) 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 하나 이상의 성분을 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 제1 써멀비아(221)는 주석(Sn)을 주성분으로 하며, 은(Ag), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 인듐(In), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 금(Au), 납(Pb) 중에서 하나 이상의 성분을 포함하여 구성되는 솔더를 이용하는 것도 가능하다.
한편, 제1 써멀비아(221)를 비아홀 내부에 형성하는 방법으로는 전기도금법, 스크린 프린팅법, 용융금속 주입법(melt infiltration method), 솔더용융법(solder melting)법 등을 사용할 수 있으며, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, Ta과 Cu 성분으로 구성된 전기도금 씨앗층이 형성된 비아홀들을 전기도금으로 채우는 경우, 0.25M CuSO4·5H2O와 1M H2SO4로 이루어진 용액에 억제제로 PEG와 CuCl20를 첨가하고, 가속제로 MPSA와 SPS를 첨가한 구리 전기도금액을 비아홀에 채운 후, 전류를 인가하여 구리를 전기도금함으로써 비아홀 내를 구리로 채움으로써 제1 써멀비아(221)를 형성할 수 있다.
열전박막소자(230)는 발광다이오드(210)의 외곽부와 제1 써멀비아(221) 사이에 수평하게 위치하여, 발광다이오드(210)에서 발생하는 열을 기판(220)의 외곽부로 전달한다. 구체적으로, 열전박막소자(230)는 p형 열전박막(231), n형 열전박막(232), 박막전극(233)을 포함한다. p형 열전박막(231)은 p형 Sb2Te3, (Bi,Sb)2Te3, SiGe, (Pb,Sn)Te, PbTe 중 하나 이상을 포함하여 구성된다. p형 열전박막(231)은 막대 형상을 가지며, 복수 개의 p형 열전박막(231)이 서로 이격되어 교대로 발광다이오드(210)의 주변에 형성된다. 각 p형 열전박막(231)의 끝단은 제1 써멀비아(221)와 연결된다.
또한, n형 열전박막(232)은 p형 열전박막(231)과 동일한 형상을 가지며, 복수 개의 n형 열전박막(232)이 서로 이격되어 p형 반도체(231)와 이웃하여 형성된다. 이 경우, n형 열전박막(232)은 n형 Bi2Te3, (Bi,Sb)2Te3, Bi2(Te,Se)3, SiGe, (Pb,Ge)Te, PbTe 중 하나 이상을 포함하여 구성된다. 또한, p형 열전박막(231)과 n형 열전박막(232)은 진공증착, 스퍼터링, 전해도금, 무전해도금, 스크린프린팅, 전자빔 증착, 화학기상증착, MBE 방식을 통해 기판(220) 상에 형성된다.
또한, 박막전극(233)은 각각의 p형 열전박막(231)과 n형 열전박막(232)을 직렬로 연결한다. 박막전극(233)은 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 철(Fe), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W) 중에서 하나 이상을 포함하여 구성된다.
한편, 방열판(240)은 기판(220)의 하면에 형성되며, 기판(220)에 형성된 제1 써멀비아(221)와 연결됨으로써 발광다이오드(210)로부터 생성된 열을 전달받게 된다. 이에 따라, 발광다이오드(210)에 의한 기판(220)의 온도를 낮춰줌으로써 발광다이오드(210)의 광효율을 향상시키고, 수명을 증가시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(200)는 절연층(250), 봉지재(260), 렌즈(270), 리플렉터(280)를 더 포함할 수 있다. 절연층(250)은 기판(220)의 상면 또는 하면에 형성될 수 있다. 즉, 기판(220)과 발광다이오드(210) 사이 또는 기판(220)과 방열판(240) 사이에 절연층(250)이 형성될 수 있으며, 기판(220)의 상면과 하면 모두에 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 절연층(250)은 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 유리, 글라스-세라믹, 실리콘카바이드(SiC), 질화실리콘(Si3N4)과 같은 세라믹 또는 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론과 같은 전기부도체를 사용하여 구성하는 것이 가능하다.
또한, 봉지재(260)는 에폭시 소재로써, 기판(220) 위에 발광다이오드(210)가 실장된 후 기판(220), 열전박막소자(230) 및 방열판(240)의 상면 또는 측면에 형성될 수 있다. 봉지재(Encapsulant)(260)는 본딩와이어(Bonding Wire), 기판(Substrate)과 함께 반도체 후공정에 사용되는 3대 기능성 재료 중 하나로써, 우수한 성형특성, 기계적 특성, 가격적인 장점을 가지며, 에폭시(Epoxy) 유기 재료를 통해 얻어지므로 반도체 패키징(Packaging) 공정에 사용되는 봉지재(260)를 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound)라고 불리운다.
또한, 렌즈(270)는 봉지재(260)의 상면에 형성되고, 리플렉터(280)는 봉지재의 측면에 형성되며, 이러한 렌즈(270) 및 리플렉터(280)는 일반적인 발광다이오드 패키지에 사용되는 구성이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 중앙홀을 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 발광다이오드 패키지(300)의 기본 구성은 도 2a에 따른 발광다이오드 패키지(200)와 같이, 발광다이오드(310), 기판(320), 열전박막소자(330), 방열판(340)을 기본적으로 포함하며, 절연층(350)이 기판(320)의 상면 또는 하면에 형성될 수 있으며, 봉지재(360), 렌즈(370), 리플렉터(380)가 포함될 수 있다. 이 경우, 제1 써멀비아(321)의 경우 중앙에 중앙홀(322)이 형성될 수 있다. 따라서, 제1 써멀비아(321)는 외부가 전도성의 전기도금으로 채워지고, 내부는 홀이 형성되게 된다. 이는 제1 써멀비아(321)의 열전도성을 향상시키기 위해 제1 써멀비아(321)의 내부에 홀을 형성하는 것이다. 이 경우, 중앙홀(322)의 직경은 사용자의 설정에 의해 달리 설정될 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 테이퍼진 형상의 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 발광다이오드 패키지(400)의 기본 구성은 도 2a에 따른 발광다이오드 패키지(200)와 같이, 발광다이오드(410), 기판(420), 열전박막소자(430), 방열판(440)을 기본적으로 포함하며, 절연층(450)이 기판(420)의 상면 또는 하면에 형성될 수 있으며, 봉지재(460), 렌즈(470), 리플렉터(480)가 포함될 수 있다. 이 경우, 제1 써멀비아(421)는 상부가 하부보다 확장된 테이퍼진(tapered) 형상일 수 있다. 기판(420)에 비아홀을 테이퍼진 형상으로 형성한 후, 전기도금액을 비아홀에 채워 제1 써멀비아(421)를 형성하게 된다. 제1 써멀비아(421)를 테이퍼진 형상으로 형성하는 것은 열전도성을 향상시키기 위한 것으로, 제1 써멀비아(421)의 상부와 하부의 직경 및 비율은 사용자의 설정에 의해 달리 설정될 수 있다.
도 5a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판의 중앙과 외곽에 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지의 단면도이고, 도 5b는 도 5a에 따른 발광다이오드 패키지의 평면도이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 발광다이오드 패키지(500)의 기본 구성은 도 2a에 따른 발광다이오드 패키지(200)와 같이, 발광다이오드(510), 기판(520), 열전박막소자(530), 방열판(540)을 기본적으로 포함하며, 절연층(550)이 기판(520)의 상면 또는 하면에 형성될 수 있으며, 봉지재(560), 렌즈(570), 리플렉터(580)가 포함될 수 있다. 이 경우, 발광다이오드 패키지(500)는 제1 써멀비아(521) 외에 제2 써멀비아(523)를 더 포함한다. 열전박막소자(530)는 p형 열전박막(531), n형 열전박막(532), 박막전극(533)을 포함한다. 제2 써멀비아(523)는 열전도성 소재로써, 제1 써멀비아(521)와 같은 재질이며, 기판(520)에서 발광다이오드(510)에 대응하는 영역을 관통하여 형성된다. 제2 써멀비아(523)는 복수 개로 형성되어 발광다이오드(510)에서 발생한 열을 방열판(540)으로 전달할 수 있다. 이에 따라, 발광다이오드(510)에서 발생하는 열은 열전박막소자(530)와 제1 써멀비아(521)를 통해 방열판(540)으로 전달하고, 제2 써멀비아(523)를 통해 방열판(540)으로 전달되므로, 발광다이오드 패키지(500)의 방열효과를 더욱 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 기판에 탑재된 발광다이오드에서 발생하는 열을 열전박막소자를 통해 기판의 외부로 이동시키며, 기판의 외곽부로 이동된 열을 써멀비아를 통해서 보다 효율적으로 방열판으로 전달함으로써 발광다이오드의 광효율을 향상시키고, 수명을 증가시킬 수 있다.
이상에서 본 발명은 도면을 참조하면서 기술되는 바람직한 실시예를 중심으로 설명되었지만 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 본 발명은 기재된 실시예로부터 도출 가능한 자명한 변형예를 포괄하도록 의도된 특허청구범위의 기재에 의해 해석되어져야 한다.
100, 200, 300, 400, 500 : 발광다이오드 패키지
110, 210, 310, 410, 510 : 발광다이오드
120, 220, 320, 420, 520 : 기판
125 : 내부홈
130, 230, 330, 430, 530 : 열전박막소자
131, 231, 531 : p형 열전박막
132, 232, 532 : n형 열전박막
133, 233, 533 : 박막전극
140, 240, 340, 440, 540 : 방열판
221, 321, 421, 521 : 제1 써멀비아
250 : 절연층
260, 360, 460, 560 : 봉지재
270, 370, 470, 570 : 렌즈
280, 380, 480, 580 : 리플렉터
322 : 중앙홀
523 : 제2 써멀비아

Claims (11)

  1. 상면의 중앙에 발광다이오드가 탑재되는 기판;
    상기 기판의 하면에 형성되는 방열판;
    상기 발광다이오드의 외곽부에 위치하여, 상기 발광다이오드에서 발생하는 열을 상기 기판의 외곽부로 전달하는 열전박막소자; 및
    상기 기판의 외곽부를 관통하여 형성되어, 상기 열전박막소자로부터 전달된 열을 상기 방열판으로 전달하는 하나 이상의 제1 써멀비아를 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판에서 상기 발광다이오드에 대응하는 영역을 관통하여 형성되고, 상기 발광다이오드에서 발생한 열을 상기 방열판으로 전달하는 하나 이상의 제2 써멀비아를 더 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판의 상면 또는 하면에 형성되는 절연층을 더 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열전박막소자는,
    상기 발광다이오드의 외곽부와 상기 제1 써멀비아 사이에 수평하게 위치하는 하나 이상의 p형 열전박막;
    상기 발광다이오드의 외곽부와 상기 제1 써멀비아 사이에 수평하게 위치하되, 상기 p형 열전박막과 이격되어 교대로 형성되는 하나 이상의 n형 열전박막; 및
    상기 p형 열전박막과 상기 n형 열전박막을 직렬로 연결하는 박막전극을 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 써멀비아는,
    전기도금법, 스크린 프린팅법, 용융금속 주입법(melt infiltration method), 솔더용융법(solder melting)법 중 어느 하나에 의해 형성되는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 써멀비아는,
    중앙에 중앙홀이 형성되는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 써멀비아는,
    상부가 하부보다 확장된 테이퍼진 형상인 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판, 열전박막소자 및 방열판의 상면 또는 측면에 형성되는 봉지재;
    상기 봉지재의 상면에 형성되는 렌즈; 및
    상기 봉지재의 측면에 형성되는 리플렉터를 더 포함하는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 써멀비아는,
    구리, 주석, 은, 알루미늄, 니켈, 금, 백금, 철, 크롬, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐 중 하나 이상을 포함하는 성분으로 구성되는 써멀비아이거나, 은, 구리, 비스무스, 인듐, 아연, 안티몬, 금, 납 중 하나 이상의 성분과 주석으로 형성되는 솔더를 이용하는 써멀비아인 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제2 써멀비아는,
    구리, 주석, 은, 알루미늄, 니켈, 금, 백금, 철, 크롬, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐 중 하나 이상을 포함하는 성분으로 구성되는 써멀비아이거나, 은, 구리, 비스무스, 인듐, 아연, 안티몬, 금, 납 중 하나 이상의 성분과 주석으로 형성되는 솔더를 이용하는 써멀비아인 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
  11. 제3항에 있어서, 상기 절연층은,
    알루미나, 질화알루미늄, 유리, 글라스-세라믹, 실리콘카바이드, 질화실리콘, 에폭시, 페놀, 폴리이미드, 폴리에스텔, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르슬폰, 테프론 중 하나 이상을 포함하는 성분으로 구성되는 써멀비아가 형성된 발광다이오드 패키지.
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