KR101311539B1 - Diode Package - Google Patents

Diode Package Download PDF

Info

Publication number
KR101311539B1
KR101311539B1 KR1020110107694A KR20110107694A KR101311539B1 KR 101311539 B1 KR101311539 B1 KR 101311539B1 KR 1020110107694 A KR1020110107694 A KR 1020110107694A KR 20110107694 A KR20110107694 A KR 20110107694A KR 101311539 B1 KR101311539 B1 KR 101311539B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead member
lead
diode package
semiconductor chip
angle
Prior art date
Application number
KR1020110107694A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130043507A (en
Inventor
박중언
김이동
권혁동
Original Assignee
주식회사 케이이씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이이씨 filed Critical 주식회사 케이이씨
Priority to KR1020110107694A priority Critical patent/KR101311539B1/en
Publication of KR20130043507A publication Critical patent/KR20130043507A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101311539B1 publication Critical patent/KR101311539B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/047—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
    • H01L2023/4031—Packaged discrete devices, e.g. to-3 housings, diodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 제조 과정을 단순화 하고, 반도체 칩의 손상을 방지하며 내구성을 향상시킬 수 있는 다이오드 패키지에 관한 것이다.
본 발명은 원통형의 베이스 부재; 상기 베이스 부재의 내측 중앙에 위치하는 반도체 칩; 상기 반도체 칩의 상부에 위치하는 리드 부재 및 상기 반도체 칩 및 리드 부재를 감싸도록 베이스 부재에 주입된 수지를 포함하고, 상기 원통형의 베이스 부재는 평평하게 형성된 제1면; 상기 제1면의 하부로 형성되며, 상기 제1면과 각도를 이루는 제2면; 상기 제2면과 각도를 이루며, 상기 제1면과 반대면에 형성되는 제3면; 상기 제3면의 상부로 각도를 이루고, 상기 제2면과 평행을 이루는 제4면 및 상기 제4면과 각도를 이루며, 상기 제3면과 반대면에 형성되는 제5면을 포함하고, 상기 베이스 부재는 제5면을 중심으로 대칭 형태로 형성되는 다이오드 패키지를 개시한다.The present invention relates to a diode package that can simplify the manufacturing process, prevent damage to the semiconductor chip and improve durability.
The present invention is a cylindrical base member; A semiconductor chip positioned at an inner center of the base member; A first surface including a lead member positioned on the semiconductor chip and a resin injected into the base member to surround the semiconductor chip and the lead member, wherein the cylindrical base member is flat; A second surface formed under the first surface and at an angle with the first surface; A third surface formed at an angle with the second surface and formed on an opposite surface to the first surface; An upper surface of the third surface, a fourth surface parallel to the second surface, and a fifth surface formed at an angle with the fourth surface and opposite to the third surface; A base member discloses a diode package that is formed symmetrically about a fifth surface.

Description

다이오드 패키지 {Diode Package}Diode Package {Diode Package}

본 발명은 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a diode package.

자동차 전장 부품에 적용되는 다이오드 패키지는 베이스 부재에 다이오드 소자가 탑재되고 다이오드 소자 상부에 리드 부재가 접속되며, 통상 PCB 기판 등의 장치에 솔더링(Soldering) 등으로 장착되어 전기적으로 연결되어 정류 또는 서지(Surge) 전류, 전압 차단의 역할을 한다. 이러한 다이오드 패키지는 예를 들어 자동차 분야에서 엔진 컨트롤 유닛(ECU), 트랜스미션 컨트롤 유닛(TCU) 등에 설치된다. 또한, 리드 부재는 접속 부재에 의해 차량에 내장되는 엔진 컨트롤 유닛(ECU), 트랜스미션 컨트롤 유닛(TCU)의 PCB 기판 등에 전기적으로 강고히 연결되어 사용된다.The diode package applied to automotive electronic parts includes a diode element mounted on a base member and a lead member connected to an upper part of the diode element. The diode package is usually mounted by soldering or the like to a device such as a PCB substrate to be electrically connected and rectified or surged. Surge) It plays a role of blocking current and voltage. Such diode packages are installed in engine control units (ECUs), transmission control units (TCUs) and the like, for example, in the automotive sector. In addition, the lead member is used by being electrically connected to the PCB substrate of the engine control unit ECU, the transmission control unit TCU, and the like, which are embedded in the vehicle.

종래의 다이오드 패키지는 수분이 수지와 베이스 부재 간의 계면을 따라 반도체 칩까지 쉽게 전달됨으로써, 즉, 수분 전달 경로가 짧음으로써, 반도체 칩이 손상되거나 전기적 특성 및 신뢰성이 저하되는 문제가 있었다.Conventional diode package has a problem that the moisture is easily transferred to the semiconductor chip along the interface between the resin and the base member, that is, the moisture transfer path is short, the semiconductor chip is damaged or the electrical characteristics and reliability are degraded.

또한, 종래의 다이오드 패키지는 ECU, TCU 장치에 솔더(Solder) 등으로 결합되는데, 이때 발생되는 응력, 다이오드의 동작 시 발생되는 응력으로 인하여 제품의 신뢰성이 저하되는 문제가 있었다.In addition, the conventional diode package is coupled to the ECU, TCU device by a solder (Solder), etc., there is a problem that the reliability of the product is degraded due to the stress generated during the operation, the stress generated during the operation of the diode.

또한, 종래의 다이오드 패키지는 방열 성능이 나쁨으로써, 반도체 칩 자체 및 정류 장치로부터 전달되는 열에 의해 상기 반도체 칩의 전기적 성능이 현저히 저하되는 문제가 있었다.In addition, the conventional diode package has a poor heat dissipation performance, there is a problem that the electrical performance of the semiconductor chip is significantly reduced by the heat transferred from the semiconductor chip itself and the rectifier.

본 발명은 제조 과정을 단순화하고, 또한 반도체 칩의 손상을 방지하며 내구성을 향상시킬 수 있는 다이오드 패키지를 제공한다.The present invention provides a diode package that can simplify the manufacturing process and also prevent damage to the semiconductor chip and improve durability.

본 발명의 다이오드 패키지는 원통형의 베이스 부재; 상기 베이스 부재의 내측 중앙에 위치하는 반도체 칩; 상기 반도체 칩의 상부에 위치하는 리드 부재; 및, 상기 반도체 칩 및 리드 부재를 감싸도록 상기 베이스 부재에 주입된 수지를 포함하고, 상기 원통형의 베이스 부재는 평평하게 형성된 제1면; 상기 제1면의 하부로 형성되며, 상기 제1면과 각도를 이루는 제2면; 상기 제2면과 각도를 이루며, 상기 제1면과 반대면에 형성되는 제3면; 상기 제3면의 상부로 각도를 이루고, 상기 제2면과 평행을 이루는 제4면; 및 상기 제4면과 각도를 이루며, 상기 제3면과 반대면에 형성되는 제5면을 포함하고, 상기 베이스 부재는 제5면을 중심으로 대칭 형태로 형성된다. Diode package of the present invention comprises a cylindrical base member; A semiconductor chip positioned at an inner center of the base member; A lead member positioned on the semiconductor chip; And a resin injected into the base member to surround the semiconductor chip and the lead member, wherein the cylindrical base member has a first surface formed flat; A second surface formed under the first surface and at an angle with the first surface; A third surface formed at an angle with the second surface and formed on an opposite surface to the first surface; A fourth surface angled to an upper portion of the third surface and parallel to the second surface; And a fifth surface formed at an angle with the fourth surface and formed on an opposite surface to the third surface, wherein the base member is formed in a symmetrical shape with respect to the fifth surface.

상기 베이스 부재, 상기 반도체 칩 및 상기 리드 부재의 사이에 각각 형성되는 접속 부재를 더 포함하고, 상기 접속 부재는 상기 제5면과 상기 반도체 칩의 사이에 위치하는 제1부재; 상기 반도체 칩과 상기 리드 부재의 사이에 위치하는 제2부재; 및, 상기 리드 부재의 상면에 위치하는 제3부재를 포함한다. 상기 제2면의 길이는 상기 제4면의 길이, 상기 접속 부재의 단측변 길이, 상기 반도체 칩의 단측변 길이 및 상기 리드 부재의 단측변 길이의 합과 동일한 것일 수 있다. 상기 제3부재와 상기 제1면은 동일 평면에 형성된 것일 수 있다.A connection member further formed between the base member, the semiconductor chip, and the lead member, wherein the connection member comprises: a first member positioned between the fifth surface and the semiconductor chip; A second member positioned between the semiconductor chip and the lead member; And a third member positioned on an upper surface of the lead member. The length of the second surface may be equal to the sum of the length of the fourth surface, the short side length of the connection member, the short side length of the semiconductor chip, and the short side length of the lead member. The third member and the first surface may be formed on the same plane.

상기 베이스 부재는 평평하게 형성된 제1면; 상기 제1면의 하부로 형성되며, 상기 제1면과 각도를 이루는 제2면; 상기 제2면과 각도를 이루며, 상기 제1면과 반대면에 형성되는 제3면; 상기 제3면의 상부로 형성되며, 상기 제3면과 각도를 이루고, 상기 제2면과 평행을 이루는 제4면; 상기 제4면과 각도를 이루며, 상기 제3면과 반대면에 형성되는 제5면; 상기 제5면의 상부로 형성되며, 상기 제5면과 각도를 이루고, 상기 제4면과 평행을 이루는 제6면; 및 상기 제6면과 각도를 이루며, 상기 제5면과 반대면에 형성되는 제7면을 더 포함하고, 상기 베이스 부재는 제7면을 중심으로 대칭으로 대칭 형태로 형성되는 것일 수 있다.The base member has a first surface formed flat; A second surface formed under the first surface and at an angle with the first surface; A third surface formed at an angle with the second surface and formed on an opposite surface to the first surface; A fourth surface formed as an upper portion of the third surface and making an angle with the third surface and parallel to the second surface; A fifth surface that forms an angle with the fourth surface and is formed on an opposite surface to the third surface; A sixth surface formed as an upper portion of the fifth surface, forming an angle with the fifth surface, and parallel to the fourth surface; And a seventh surface formed at an angle with the sixth surface and formed on an opposite surface to the fifth surface, and the base member may be formed in a symmetrical form symmetrically about the seventh surface.

상기 리드 부재는 상기 제2부재를 향하여 적어도 하나의 요홈이 형성되는 것일 수 있다.The lead member may be formed with at least one groove toward the second member.

상기 리드 부재는 상기 제2부재 및 상기 제3부재를 부재가 관통하는 적어도 하나의 관통홀이 형성되는 것일 수 있다.The lead member may include at least one through hole through which the member penetrates the second member and the third member.

상기 리드 부재는 양측에 절개홈이 형성되는 것일 수 있다.The lead member may be formed with cutout grooves on both sides.

상기 리드 부재는 상기 제3부재를 향하여 적어도 하나의 요홈이 형성되는 것일 수 있다.The lead member may be formed with at least one groove toward the third member.

상기 리드 부재는 상기 수지와 접하는 양측에 적어도 두개의 요홈이 형성되는 것일 수 있다.The lead member may be formed with at least two grooves on both sides in contact with the resin.

상기 리드 부재는 상기 제2부재와 동일한 폭으로 서로 접하도록 형성되는 제1리드 부재; 상기 제1리드 부재의 상측으로 상기 제1리드 부재보다 양측이 짧게 형성되는 제2리드 부재를 포함하고, 상기 제2리드 부재는 상기 수지와 접하는 양측에 적어도 두개의 요홈이 형성되는 것일 수 있다.The lead member may include a first lead member formed to contact each other with the same width as the second member; The first lead member may include a second lead member formed on both sides of the first lead member to be shorter than the first lead member, and the second lead member may include at least two grooves formed on both sides of the resin.

상기 리드 부재는 상기 제2부재와 동일한 폭으로 서로 접하도록 형성되는 제1리드 부재; 및 상기 제1리드 부재의 상측으로 상기 제1리드 부재보다 양측이 짧게 형성되는 제2리드 부재를 포함하여 형성되는 것일 수 있다.The lead member may include a first lead member formed to contact each other with the same width as the second member; And a second lead member having both sides formed shorter than the first lead member above the first lead member.

상기 리드 부재는 상기 제2부재 및 상기 제3부재와 동일한 길이로 서로 접하도록 형성되는 제1리드 부재; 및 상기 제1리드 부재보다 양측이 짧게 형성되는 제2리드 부재를 포함하여 형성되는 것일 수 있다.The lead member may include a first lead member formed to contact each other with the same length as the second member and the third member; And a second lead member having both sides shorter than the first lead member.

본 발명의 다이오드 패키지에 따르면 반도체 칩이 동작할 때에 발생되는 열 또는 외부로부터 전달되는 열에 의한 응력이 효율적으로 분산됨으로써, 반도체 칩의 손상 현상이 억제된다.According to the diode package of the present invention, the stress caused by heat generated when the semiconductor chip operates or heat transmitted from the outside is efficiently dispersed, thereby preventing damage to the semiconductor chip.

또한, 본 발명의 다이오드 패키지에 따르면 리드 부재에 요홈, 관통홀 또는 절개홈 등의 다양한 형상이 형성됨으로써, 수지와의 접착력이 향상될 뿐만 아니라 수분의 침투 길이가 길어짐으로써, 디바이스의 신뢰성이 향상된다.In addition, according to the diode package of the present invention, various shapes such as grooves, through holes, or cutouts are formed in the lead member, so that not only the adhesion to the resin is improved but also the length of penetration of moisture increases, thereby improving the reliability of the device. .

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2는 도 1a에 도시된 A영역의 확대도이다.
도 3는 본 발명의 다른 실시예에 따른 A영역의 확대도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 5은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 6은 도 1a, 도4 및 도 5의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 8은 도 6의 평면도이다.
도 9a내지 도9e는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리드 부재의 단면도이다.1A is a cross-sectional view of a diode package according to an embodiment of the present invention.
1B is a cross-sectional view of a diode package according to another embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of region A shown in FIG. 1A.
3 is an enlarged view of area A according to another exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a diode package according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a diode package according to another embodiment of the present invention.
6 is a plan view of FIGS. 1A, 4, and 5.
7 is a cross-sectional view of a diode package according to another embodiment of the present invention.
8 is a plan view of FIG. 6.
9A-9E are cross-sectional views of a lead member in accordance with another embodiment of the present invention.

이하에서 실시예와 첨부한 도면을 통하여 본 발명의 다이오드 패키지에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the diode package of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

먼저 본 발명의 일 실시 예에 따른 본 발명의 다이오드 패키지에 대하여 설명한다. First, a diode package according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 일 실시 예에 따른 다이오드 패키지(100)는 도 1a, 도 2 및 도 6을 참조하면, 베이스 부재(110), 접속 부재(120), 반도체 칩(130), 리드 부재(140) 및 수지(150)를 포함한다.Referring to FIGS. 1A, 2, and 6, the diode package 100 according to an embodiment of the present invention may include a base member 110, a connection member 120, a semiconductor chip 130, a lead member 140, and the like. Resin 150.

이러한 다이오드 패키지(100)는 베이스 부재(110)의 일면에 솔더와 같은 접속 부재(120)에 의해 반도체 칩(130) 및 리드 부재(140)가 순차적으로 접속되어 있다. 또한, 상기 베이스 부재(110)의 내측에 위치한 반도체 칩(130) 및 리드 부재(140)는 수지(150)로 인캡슐레이션(encapsulation)되어 있다.In the diode package 100, the semiconductor chip 130 and the lead member 140 are sequentially connected to one surface of the base member 110 by a connection member 120 such as solder. In addition, the semiconductor chip 130 and the lead member 140 positioned inside the base member 110 are encapsulated with the resin 150.

상기 베이스 부재(110)는 속이 비어 있는 대략 원통형으로 형성된다. 여기서 상기 베이스 부재(110)는 금형을 이용한 성형 방법이 이용될 수 있으나, 이러한 방법으로 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 베이스 부재(110)는 제1면(111), 제2면(112), 제3면(113), 제4면(114) 및 제5면(115)을 포함한다. 상기 제1면(111)은 베이스 부재(110)의 최상측에 대략 평판 형태로 형성되고, 제2면(112)은 제1면(111)의 하부 방향으로 제1면(111)과 대략 직각을 이루며 절곡 형성되어 있다. 또한, 상기 제3면(113)은 제2면(112)과 대략 직각을 이루고, 제1면(111)의 반대면에 형성된다. 상기 제4면은 제3면(113)의 상부 방향으로 형성되며, 제3면의 반대면에 제2면(112)과 대략 평행하게 형성된다. 또한, 상기 제5면은 제4면(114)과 어느 정도 각도를 이루며, 제3면(113)의 반대면을 이루며 형성되어 있다. The base member 110 is formed in a substantially cylindrical hollow. Here, the base member 110 may be a molding method using a mold, but the present invention is not limited thereto. In addition, the base member 110 includes a first surface 111, a second surface 112, a third surface 113, a fourth surface 114, and a fifth surface 115. The first surface 111 is formed in a substantially flat plate shape on the uppermost side of the base member 110, the second surface 112 is substantially perpendicular to the first surface 111 in the lower direction of the first surface 111. It is formed to form a bending. In addition, the third surface 113 is substantially perpendicular to the second surface 112 and is formed on the opposite surface of the first surface 111. The fourth surface is formed in an upper direction of the third surface 113, and is formed on the opposite surface of the third surface to be substantially parallel to the second surface 112. In addition, the fifth surface forms an angle with the fourth surface 114 to form an opposite surface of the third surface 113.

즉, 상기 베이스 부재(110)는 제5면(115)이 내측으로 함몰되고, 제5면(115)을 중심으로 좌,우 대칭 형태로 형성된다. 상기 베이스 부재(110)의 중앙에 위치한 제5면(115)에는 순차적으로 접속 부재(120), 반도체 칩(130) 및 리드 부재(140)가 접속되어 있다. 여기서, 상기 제4면(114)의 길이는 제2면(112)의 길이보다 짧게 형성된다. 또한, 상기 제5면(115)에 접속된 접속 부재(120), 반도체 칩(130) 및 리드 부재(140)의 높이와 제4면(114)의 길이는 제2면(112)의 길이와 동일하게 형성될 수 있다.That is, the base member 110 has a fifth surface 115 recessed inward, and is formed in left and right symmetrical shapes with respect to the fifth surface 115. The connection member 120, the semiconductor chip 130, and the lead member 140 are sequentially connected to the fifth surface 115 positioned at the center of the base member 110. Here, the length of the fourth surface 114 is formed shorter than the length of the second surface 112. In addition, the height of the connection member 120, the semiconductor chip 130, and the lead member 140 and the length of the fourth surface 114 connected to the fifth surface 115 may be equal to the length of the second surface 112. The same can be formed.

상기 접속 부재(120)는 주석과 납의 합금인 솔더(solder)로 형성될 수 있다. 또한, 상기 접속 부재(120)는 제1부재(121), 제2부재(122) 및 제3부재(123)를 포함한다. 상기 제1부재(121)는 제5면(115)의 상면에 위치하며, 제1부재(121)의 상면에는 반도체 칩(130)이 접속된다. 또한, 상기 제 2 부재(122)는 반도체 칩(130)의 상면에 위치하고, 상기 제2부재(122)의 상면에는 리드 부재(140)가 접속되어 있다. 또한 상기 리드 부재(140)의 상면에는 제3부재(123)가 위치한다. 여기서, 도 1b를 참조하면, 상기 다이오드 패키지(100)는 제3부재(123) 없이 제1면(111)과 리드 부재(140)가 동일 평면을 이루며 형성될 수 있다. 물론, 외부 장치에는 상기 리드 부재(140)의 상면 및 베이스 부재(110)의 제1면(111)에 솔더 등이 개재되어 실장될 수 있다.The connection member 120 may be formed of a solder that is an alloy of tin and lead. In addition, the connection member 120 includes a first member 121, a second member 122, and a third member 123. The first member 121 is positioned on the upper surface of the fifth surface 115, and the semiconductor chip 130 is connected to the upper surface of the first member 121. In addition, the second member 122 is positioned on an upper surface of the semiconductor chip 130, and a lead member 140 is connected to an upper surface of the second member 122. In addition, a third member 123 is positioned on an upper surface of the lead member 140. Here, referring to FIG. 1B, the diode package 100 may be formed with the first surface 111 and the lead member 140 in the same plane without the third member 123. Of course, the external device may be mounted with solder or the like interposed on the upper surface of the lead member 140 and the first surface 111 of the base member 110.

상기 반도체 칩(130)은 제1부재(121)와 제2부재(122)의 사이에 위치한다.The semiconductor chip 130 is positioned between the first member 121 and the second member 122.

상기 리드 부재(140)는 구리로 형성될 수 있다. 그러나, 이러한 재질로 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 리드 부재(140)는 반도체 칩(130)의 상부에 접속되고, 제2부재(122)와 제3부재(123)사이에 위치하여, 외부 장치에 연결된다. The lead member 140 may be formed of copper. However, the present invention is not limited to these materials. In addition, the lead member 140 is connected to the upper portion of the semiconductor chip 130, is located between the second member 122 and the third member 123, and is connected to an external device.

상기 수지(150)는 베이스 부재(110)의 내측에 형성되며, 접속 부재(120), 반도체 칩(130) 및 리드 부재(140)를 감싸도록 형성된다. The resin 150 is formed inside the base member 110 and is formed to surround the connection member 120, the semiconductor chip 130, and the lead member 140.

다음은 도 3을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지에 대하여 설명한다. Next, a diode package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

본 발명의 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지(200)는 베이스 부재(210), 접속 부재(120), 반도체 칩(130), 리드 부재(140) 및 수지(150)를 포함한다.The diode package 200 according to another embodiment of the present invention includes a base member 210, a connection member 120, a semiconductor chip 130, a lead member 140, and a resin 150.

본 발명의 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지는 도 1a, 도 1b 및 도 2에 따른 다이오드 패키지(100)와 베이스 부재(210)의 구조에 있어 다르게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지는 베이스 부재(210)의 구조를 중심으로 설명한다. 또한, 상기 다이오드 패키지는 베이스 부재(210)에 대한 도면만을 도시한다. 또한, 상기 다이오드 패키지(200)는 도 1a와 도 2에 따른 다이오드 패키지(100)과 동일 또는 유사한 부분에 대하여 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.The diode package according to another embodiment of the present invention is formed differently in the structure of the diode package 100 and the base member 210 according to Figs. 1A, 1B and 2. Therefore, hereinafter, the diode package according to another embodiment of the present invention will be described based on the structure of the base member 210. Also, the diode package only shows a view of the base member 210. In addition, the diode package 200 uses the same reference numerals for the same or similar parts as the diode package 100 according to FIGS. 1A and 2, and a detailed description thereof will be omitted.

상기 베이스 부재(210)는 제1면(111), 제2면(112), 제3면(213), 제4면(214), 제5면(215), 제6면(216) 및 제7면(217)을 포함한다. 또한, 상기 베이스 부재(210)는 제3면(213) 내지 제7면(217)의 다수의 절곡부가 형성되며, 제7면(217)에 접속 부재(120), 반도체 칩(130) 및 리드 부재(140)가 순차적으로 접속된다. 이와 같이 상기 베이스 부재(210)에는 다수의 절곡면이 형성됨으로써, 반도체 칩(130)의 동작 시에 발생된 열 및 외부로부터 전달된 열에 의한 응력 분산성이 더욱 향상되어, 반도체 칩(130)의 손상이 방지된다.The base member 210 may include a first surface 111, a second surface 112, a third surface 213, a fourth surface 214, a fifth surface 215, a sixth surface 216, and a second surface. Seven sides 217. In addition, the base member 210 has a plurality of bent portions formed on the third surface 213 to the seventh surface 217, and the connection member 120, the semiconductor chip 130, and the lead are formed on the seventh surface 217. The members 140 are sequentially connected. As such, a plurality of bent surfaces are formed in the base member 210 to further improve stress dispersibility due to heat generated during operation of the semiconductor chip 130 and heat transferred from the outside, thereby improving the semiconductor chip 130. Damage is prevented.

다음은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지에 대하여 설명한다. Next, a diode package according to another embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다이오드 패키지(300)는, 도 4를 참조하면, 베이스 부재(110), 접속 부재(320), 반도체 칩(130), 리드 부재(340) 및 수지(150)를 포함한다. Referring to FIG. 4, the diode package 300 according to another embodiment of the present invention may include a base member 110, a connection member 320, a semiconductor chip 130, a lead member 340, and a resin 150. It includes.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다이오드 패키지는 도 1a, 도 1b 및 도 2에 따른 다이오드 패키지(100)와 접속 부재(320) 및 리드 부재(340)의 구조가 다르게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다이오드 패키지는 접속 부재(320) 및 리드 부재(340)의 구조를 중심으로 설명한다. 또한, 상기 다이오드 패키지(300)는 도 1a, 도 1b와 도 2에 따른 다이오드 패키지(100)와 동일 또는 유사한 부분에 대하여 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.In the diode package according to another exemplary embodiment, structures of the diode package 100 and the connection member 320 and the lead member 340 of FIGS. 1A, 1B, and 2 are different from each other. Therefore, hereinafter, the diode package according to another embodiment of the present invention will be described based on the structures of the connection member 320 and the lead member 340. In addition, the diode package 300 uses the same reference numerals for the same or similar parts as the diode package 100 according to FIGS. 1A, 1B, and 2, and a detailed description thereof will be omitted.

상기 리드 부재(340)는 제2부재(322)를 향하여 단면상 적어도 두개의 요홈(341)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 요홈(341)에는 제2부재(322)가 결합된다. 상기 요홈(341)은 리드 부재(340)의 단측변 길이보다 짧게 형성된다. 이와 같이 하여, 상기 요홈(341)과 제2부재(322) 사이의 접착면이 증가됨으로써, 리드 부재(340)와 제2부재(322) 사이의 접착력이 향상된다.At least two grooves 341 may be formed in the lead member 340 in cross-section toward the second member 322. In addition, a second member 322 is coupled to the groove 341. The groove 341 is formed to be shorter than the short side length of the lead member 340. In this way, the adhesive surface between the groove 341 and the second member 322 is increased, thereby improving the adhesive force between the lead member 340 and the second member 322.

다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지에 대하여 설명한다. Next, a diode package according to another embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지(400)는, 도 5를 참조하면, 베이스 부재(110), 접속 부재(420), 반도체 칩(130), 리드 부재(440) 및 수지(150)를 포함한다. Referring to FIG. 5, the diode package 400 according to another embodiment of the present invention may include a base member 110, a connection member 420, a semiconductor chip 130, a lead member 440, and a resin 150. It includes.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지는 도 1a, 도 1b 및 도 2에 따른 다이오드 패키지(100)와 접속 부재(420) 및 리드 부재(440)의 구조가 다르게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지는 접속 부재(420) 및 리드 부재(440)의 구조를 중심으로 설명한다. 또한, 상기 다이오드 패키지(400)는 도 1a와 도 2에 따른 다이오드 패키지(100)와 동일 또는 유사한 부분에 대하여 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.In the diode package according to another embodiment of the present invention, the diode package 100 and the connection member 420 and the lead member 440 of FIGS. 1A, 1B, and 2 are formed differently. Therefore, hereinafter, the diode package according to another embodiment of the present invention will be described based on the structures of the connection member 420 and the lead member 440. In addition, the diode package 400 uses the same reference numerals for the same or similar parts as the diode package 100 according to FIGS. 1A and 2, and a detailed description thereof will be omitted.

상기 리드 부재(440)에는 제2부재(422) 및 제3부재(423)가 관통하는 다수의 (예를 들면, 적어도 두개) 관통홀(441)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 관통홀(441)에는 제2부재(422)가 결합됨으로써, 접착면이 증가되어 접착력이 향상된다. 즉, 리드 부재(440)와 제2부재(422) 사이의 접착력이 향상된다.The lead member 440 may include a plurality of (eg, at least two) through holes 441 through which the second member 422 and the third member 423 pass. In addition, as the second member 422 is coupled to the through hole 441, an adhesion surface is increased to improve adhesion. That is, the adhesion between the lead member 440 and the second member 422 is improved.

다음은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다이오드 패키지에 대하여 설명한다. Next, a diode package according to another embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다이오드 패키지(500)은, 도 7 및 도 8을 참조하면, 베이스 부재(110), 접속 부재(520), 반도체 칩(130), 리드 부재(540) 및 수지(150)를 포함한다. Referring to FIGS. 7 and 8, the diode package 500 according to another embodiment of the present invention may include a base member 110, a connection member 520, a semiconductor chip 130, a lead member 540, and a resin. And 150.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다이오드 패키지는 도 1a 및 도 2에 따른 다이오드 패키지(100)와 접속 부재(520) 및 리드 부재(540)의 구조가 다르게 형성된다. 따라서, 이하에서 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다이오드 패키지는 접속 부재(520) 및 리드 부재(540)의 구조를 중심으로 설명한다. 또한, 상기 다이오드 패키지(500)는 도 1a, 도 1b 및 도 2에 따른 다이오드 패키지(100)와 동일 또는 유사한 부분에 대하여 동일한 도면부호를 사용하며, 여기서 상세한 설명을 생략한다.In the diode package according to another exemplary embodiment, structures of the diode package 100 and the connection member 520 and the lead member 540 according to FIGS. 1A and 2 are formed differently. Therefore, hereinafter, the diode package according to another embodiment of the present invention will be described based on the structures of the connection member 520 and the lead member 540. In addition, the diode package 500 uses the same reference numerals for the same or similar parts as the diode package 100 according to FIGS. 1A, 1B, and 2, and a detailed description thereof will be omitted.

리드 부재(540)는 양측으로 절개홈(541)이 형성될 수 있다. 상기 절개홈(541)과 제3부재(523)는 장측변의 길이가 반도체 칩(130), 제1부재(521) 및 제2부재(522)보다 짧게 형성된다. 이와 같이 상기 리드 부재(540)의 양측에 절개홈(541)이 형성됨으로써, 상기 리드 부재(540)와 수지(150)의 결합력이 향상된다.The lead member 540 may have cutout grooves 541 formed at both sides thereof. The cutting grooves 541 and the third member 523 have shorter side lengths than the semiconductor chip 130, the first member 521, and the second member 522. As the cutting grooves 541 are formed at both sides of the lead member 540 as described above, the bonding force between the lead member 540 and the resin 150 is improved.

다음은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 리드 부재에 대하여, 도 9a를 참조하면, 설명한다. 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 리드 부재(640)는 도 1a에 따른 리드 부재(140)의 구조와 다르게 형성된다. Next, a lead member according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9A. The lead member 640 according to another embodiment of the present invention is formed differently from the structure of the lead member 140 according to FIG. 1A.

리드 부재(640)는 제3부재(123)를 향하여 양측으로 다수의(예를 들면, 적어도 두개의) 요홈(641)이 형성된다. 여기서, 상기 요홈(641)에 의해 수분 침투 경로가 길어지고, 상기 수지(150)와의 밀착성이 증가된다.The lead member 640 has a plurality of (eg, at least two) grooves 641 on both sides toward the third member 123. Here, the moisture penetration path is lengthened by the recesses 641, and the adhesion with the resin 150 is increased.

다음은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다이오드 패키지에 대하여 설명한다. 도 9b 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리드 부재의 단면도이다. Next, a diode package according to another embodiment of the present invention will be described. 9B is a cross-sectional view of a lead member according to still another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 리드 부재(740)는 도 1a에 따른 리드 부재(140)의 구조와 다르게 형성된다. The lead member 740 according to another embodiment of the present invention is formed differently from the structure of the lead member 140 according to FIG. 1A.

리드 부재(740)는 수지(150)와 접하는 측면 부분인 양측에 다수의(예를 들면 세개) 요홈(741)이 형성된다. 또한, 상기 요홈(741)은 수지(150)와 결합되어 밀착성이 강화되고, 접착면이 증가되어 접착력이 향상된다.The lead member 740 is provided with a plurality of (for example, three) grooves 741 on both sides, which are side portions in contact with the resin 150. In addition, the groove 741 is combined with the resin 150 to enhance the adhesion, the adhesive surface is increased to improve the adhesion.

다음은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다이오드 패키지에 대하여 설명한다. 도 9c 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리드 부재의 단면도이다. Next, a diode package according to another embodiment of the present invention will be described. 9C is a cross-sectional view of a lead member according to still another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 리드 부재(840)는 도 1a에 따른 리드 부재(140)의 구조와 다르게 형성된다. The lead member 840 according to another embodiment of the present invention is formed differently from the structure of the lead member 140 according to FIG. 1A.

리드 부재(840)는 대략 "ㅗ" 형태로 형성되며, 제1리드 부재(841)와 제2리드 부재(842)로 형성된다. 상기 제1리드 부재(841)는 제2부재(122)와 동일한 폭으로 서로 접하도록 형성되며, 제2리드 부재(842)는 제1리드 부재(841)의 상측에 형성되며, 제1리드 부재(841)보다 양측이 짧게 형성된다. 또한, 상기 제2리드 부재(842)는 수지(150)와 접하는 부분에 적어도 두개의 요홈(842a)이 형성되고, 요홈(842a)에는 수지(150)가 결합된다. The lead member 840 is formed in a substantially “ㅗ” shape and is formed of the first lead member 841 and the second lead member 842. The first lead member 841 is formed to be in contact with each other with the same width as the second member 122, the second lead member 842 is formed on the upper side of the first lead member 841, the first lead member Both sides are formed shorter than 841. In addition, at least two recesses 842a are formed in the second lead member 842 in contact with the resin 150, and the resin 150 is coupled to the recesses 842a.

상기 제1리드 부재(841)와 제2리드 부재(842)는 각각 길이가 다르게 형성되고, 접촉면적이 늘어나게 되어 접착력이 향상된다. 또한, 상기 요홈(842a)이 형성되어 수지와의 밀착성도 강화된다.The first lead member 841 and the second lead member 842 are formed to have different lengths, respectively, and the contact area is increased, thereby improving adhesion. In addition, the grooves 842a are formed to enhance the adhesion with the resin.

도 9d 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리드 부재의 단면도이다. 9D is a cross-sectional view of a lead member according to still another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 리드 부재(940)는 도 1a에 따른 리드 부재(140)의 구조와 다르게 형성된다. The lead member 940 according to another embodiment of the present invention is formed differently from the structure of the lead member 140 according to FIG. 1A.

리드 부재(940)는 대략 "ㅗ" 형태로 형성되며, 제1리드 부재(941)와 제2리드 부재(942)로 형성된다. 제1리드 부재(941)는 제2부재(122)와 동일한 폭으로 서로 접하도록 형성되며, 제2리드 부재(942)는 제1리드 부재(941)보다 양측이 짧게 형성된다. 상기 제1리드 부재(941)와 제2리드 부재(942)는 각각 길이가 다르게 형성됨으로써, 접촉면적이 늘어나게 되어 밀착성이 강화되며, 접착면이 증가되어 접착력이 향상된다.The lead member 940 is formed in a substantially “ㅗ” shape and is formed of a first lead member 941 and a second lead member 942. The first lead member 941 is formed to be in contact with each other in the same width as the second member 122, the second lead member 942 is formed shorter than both sides of the first lead member 941. Since the length of each of the first lead member 941 and the second lead member 942 is different from each other, the contact area is increased to enhance adhesion, and the adhesion surface is increased to improve adhesion.

도 9e 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리드 부재의 단면도이다. 9E is a cross-sectional view of a lead member according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 리드 부재(1040)는 도 1a에 따른 리드 부재(140)의 구조와 다르게 형성된다. The lead member 1040 according to another embodiment of the present invention is formed differently from the structure of the lead member 140 according to FIG. 1A.

리드 부재(1040)는 대략 "I" 형태로 형성되며, 상부 및 하부의 제1리드 부재(1041)는 제2부재(122) 및 제3부재(123)와 동일한 폭으로 서로 접하도록 형성되며, 제1리드 부재(1041)의 사이에 형성된 제2리드 부재(1042)는 제1리드 부재(1041)의 폭보다 양측이 짧게 형성된다. 상기 제1리드 부재(1041)와 제2리드 부재(1042)는 각각 길이가 다르게 형성됨으로써, 접촉면적이 늘어나게 되어 밀착성이 강화되며, 접착면이 증가되어 접착력이 향상된다.The lead member 1040 is formed in a substantially “I” shape, and the upper and lower first lead members 1041 are formed to contact each other with the same width as the second member 122 and the third member 123. The second lead member 1042 formed between the first lead members 1041 is shorter on both sides than the width of the first lead member 1041. Since the length of each of the first lead member 1041 and the second lead member 1042 is different from each other, the contact area is increased to increase the adhesion, and the adhesion surface is increased to improve the adhesive strength.

이와 같이 본 발명은 다양한 형태의 리드 부재를 제공함으로써, 수지와의 접착 면적 및 접착력을 향상시키고, 또한 수분 침투 길이를 증가시킴으로써, 반도체 칩의 손상 현상을 효율적으로 방지할 수 있게 된다.Thus, by providing the lead member of various forms, this invention improves the adhesion area and adhesive force with resin, and also increases the water penetration length, and can prevent the damage phenomenon of a semiconductor chip efficiently.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 다이오드 패키지를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다. What has been described above is only one embodiment for implementing the diode package according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the scope of the present invention is departed from the scope of the following claims. Without this, anyone skilled in the art to which the present invention pertains will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

100, 200, 300, 400, 500: 다이오드 패키지
110: 베이스 부재 120, 220, 320, 420, 520: 접속 부재
130: 반도체 칩 140, 340, 440, 540: 리드 부재
150: 수지100, 200, 300, 400, 500: diode package
110: base member 120, 220, 320, 420, 520: connection member
130: semiconductor chip 140, 340, 440, 540: lead member
150: resin

Claims (13)

원통형의 베이스 부재;
상기 베이스 부재의 내측 중앙에 위치하는 반도체 칩;
상기 반도체 칩의 상부에 위치하는 리드 부재; 및,
상기 반도체 칩 및 리드 부재를 감싸도록 상기 베이스 부재에 주입된 수지를 포함하고,
상기 원통형의 베이스 부재는
평평하게 형성된 제1면;
상기 제1면의 하부로 형성되며, 상기 제1면과 각도를 이루는 제2면;
상기 제2면과 각도를 이루며, 상기 제1면과 반대면에 형성되는 제3면;
상기 제3면의 상부로 각도를 이루고, 상기 제2면과 평행을 이루는 제4면; 및
상기 제4면과 각도를 이루며, 상기 제3면과 반대면에 형성되는 제5면을 포함하고,
상기 베이스 부재는 제5면을 중심으로 대칭 형태로 형성됨을 특징으로 하는 다이오드 패키지.Cylindrical base member;
A semiconductor chip positioned at an inner center of the base member;
A lead member positioned on the semiconductor chip; And
Resin injected into the base member to surround the semiconductor chip and the lead member,
The cylindrical base member
A first surface formed flat;
A second surface formed under the first surface and at an angle with the first surface;
A third surface formed at an angle with the second surface and formed on an opposite surface to the first surface;
A fourth surface angled to an upper portion of the third surface and parallel to the second surface; And
A fifth surface formed at an angle with the fourth surface and formed on an opposite surface to the third surface,
The base member is a diode package, characterized in that formed in a symmetrical shape with respect to the fifth surface. 제1항에 있어서,
상기 베이스 부재, 상기 반도체 칩 및 상기 리드 부재의 사이에 각각 형성되는 접속 부재를 더 포함하고,
상기 접속 부재는
상기 제5면과 상기 반도체 칩의 사이에 위치하는 제1부재;
상기 반도체 칩과 상기 리드 부재의 사이에 위치하는 제2부재; 및,
상기 리드 부재의 상면에 위치하는 제3부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 1,
A connection member formed between the base member, the semiconductor chip, and the lead member, respectively;
The connecting member
A first member positioned between the fifth surface and the semiconductor chip;
A second member positioned between the semiconductor chip and the lead member; And
And a third member positioned on an upper surface of the lead member. 제2항에 있어서,
상기 제2면의 길이는 상기 제4면의 길이, 상기 접속 부재의 단측변 길이, 상기 반도체 칩의 단측변 길이 및 상기 리드 부재의 단측변 길이의 합과 동일한 것인 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 2,
The length of the second surface is the same as the sum of the length of the fourth surface, the short side length of the connection member, the short side length of the semiconductor chip and the short side length of the lead member. 제2항에 있어서,
상기 제3부재와 상기 제1면은 동일 평면에 형성된 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 2,
The third package and the first surface is a diode package, characterized in that formed on the same plane. 제1항에 있어서,
상기 베이스 부재는
평평하게 형성된 제1면;
상기 제1면의 하부로 형성되며, 상기 제1면과 각도를 이루는 제2면;
상기 제2면과 각도를 이루며, 상기 제1면과 반대면에 형성되는 제3면;
상기 제3면의 상부로 형성되며, 상기 제3면과 각도를 이루고, 상기 제2면과 평행을 이루는 제4면;
상기 제4면과 각도를 이루며, 상기 제3면과 반대면에 형성되는 제5면;
상기 제5면의 상부로 형성되며, 상기 제5면과 각도를 이루고, 상기 제4면과 평행을 이루는 제6면; 및,
상기 제6면과 각도를 이루며, 상기 제5면과 반대면에 형성되는 제7면을 더 포함하고,
상기 베이스 부재는 제7면을 중심으로 대칭 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 1,
The base member is
A first surface formed flat;
A second surface formed under the first surface and at an angle with the first surface;
A third surface formed at an angle with the second surface and formed on an opposite surface to the first surface;
A fourth surface formed as an upper portion of the third surface and making an angle with the third surface and parallel to the second surface;
A fifth surface that forms an angle with the fourth surface and is formed on an opposite surface to the third surface;
A sixth surface formed as an upper portion of the fifth surface, forming an angle with the fifth surface, and parallel to the fourth surface; And
And a seventh surface formed at an angle with the sixth surface and formed on an opposite surface to the fifth surface,
The base member is a diode package, characterized in that formed in a symmetrical shape with respect to the seventh surface. 제2항에 있어서,
상기 리드 부재는 상기 제2부재를 향하여 적어도 하나의 요홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 2,
The lead member is a diode package, characterized in that at least one groove is formed toward the second member. 제2항에 있어서,
상기 리드 부재는 상기 제2부재 및 상기 제3부재가 관통하는 적어도 하나의 관통홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 2,
The lead member is a diode package, characterized in that at least one through hole through which the second member and the third member is formed. 제1항에 있어서,
상기 리드 부재는 양측에 절개홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 1,
The lead member is a diode package, characterized in that the incision grooves are formed on both sides. 제2항에 있어서,
상기 리드 부재는 상기 제3부재를 향하여 적어도 하나의 요홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 2,
The lead member is a diode package, characterized in that at least one groove is formed toward the third member. 제1항에 있어서,
상기 리드 부재는 상기 수지와 접하는 양측에 적어도 두개의 요홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 1,
The lead member is a diode package, characterized in that at least two grooves are formed on both sides in contact with the resin. 제2항에 있어서,
상기 리드 부재는 상기 제2부재와 동일한 폭으로 서로 접하도록 형성되는 제1리드 부재; 및,
상기 제1리드 부재의 상측으로 상기 제1리드 부재보다 양측이 짧게 형성되는 제2리드 부재를 포함하고,
상기 제2리드 부재는 상기 수지와 접하는 양측에 적어도 두개의 요홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 2,
The lead member may include a first lead member formed to contact each other with the same width as the second member; And
A second lead member formed on both sides of the first lead member to be shorter than the first lead member,
The second lead member is a diode package, characterized in that at least two grooves are formed on both sides in contact with the resin. 제2항에 있어서,
상기 리드 부재는 상기 제2부재와 동일한 폭으로 서로 접하도록 형성되는 제1리드 부재; 및
상기 제1리드 부재의 상측으로 상기 제1리드 부재보다 양측이 짧게 형성되는 제2리드 부재를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 2,
The lead member may include a first lead member formed to contact each other with the same width as the second member; And
And a second lead member formed on both sides of the first lead member and shorter than both sides of the first lead member. 제2항에 있어서,
상기 리드 부재는 상기 제2부재 및 상기 제3부재와 동일한 길이로 서로 접하도록 형성되는 제1리드 부재; 및
상기 제1리드 부재보다 양측이 짧게 형성되는 제2리드 부재를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드 패키지.The method of claim 2,
The lead member may include a first lead member formed to contact each other with the same length as the second member and the third member; And
The diode package, characterized in that it comprises a second lead member formed on both sides shorter than the first lead member.
KR1020110107694A 2011-10-20 2011-10-20 Diode Package KR101311539B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110107694A KR101311539B1 (en) 2011-10-20 2011-10-20 Diode Package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110107694A KR101311539B1 (en) 2011-10-20 2011-10-20 Diode Package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130043507A KR20130043507A (en) 2013-04-30
KR101311539B1 true KR101311539B1 (en) 2013-09-25

Family

ID=48441733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110107694A KR101311539B1 (en) 2011-10-20 2011-10-20 Diode Package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101311539B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5559373A (en) 1994-12-21 1996-09-24 Solid State Devices, Inc. Hermetically sealed surface mount diode package
KR20030029290A (en) * 2001-10-06 2003-04-14 페어차일드코리아반도체 주식회사 Diode package
KR20060135848A (en) * 2004-03-31 2006-12-29 크리 인코포레이티드 Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element and methods for packaging the same
KR20080029991A (en) * 2008-02-26 2008-04-03 서울옵토디바이스주식회사 A package of light emitting diode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5559373A (en) 1994-12-21 1996-09-24 Solid State Devices, Inc. Hermetically sealed surface mount diode package
KR20030029290A (en) * 2001-10-06 2003-04-14 페어차일드코리아반도체 주식회사 Diode package
KR20060135848A (en) * 2004-03-31 2006-12-29 크리 인코포레이티드 Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element and methods for packaging the same
KR20080029991A (en) * 2008-02-26 2008-04-03 서울옵토디바이스주식회사 A package of light emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130043507A (en) 2013-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6345300B2 (en) Power semiconductor device, power semiconductor device embedded device, and manufacturing method of power semiconductor device embedded device
US20140167237A1 (en) Power module package
US20060071307A1 (en) Lead frame and semiconductor package therefor
CN107636828B (en) Integrated clip and lead and method of making a circuit
KR100833183B1 (en) Stacked semiconductor package
JP2015056638A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US10453780B2 (en) Electronic circuit, production method thereof, and electronic component
TWI704858B (en) Electronic module
US10586773B2 (en) Semiconductor device
US11742251B2 (en) Power semiconductor device including press-fit connection terminal
CN218827101U (en) Prevent TO-263 lead frame of layering
KR101311539B1 (en) Diode Package
US10366943B2 (en) Packaged electronic device having stepped conductive structure and related methods
KR101983165B1 (en) Semiconductor package
US9064882B2 (en) Package substrate, manufacturing method thereof, and mold therefor
CN102376675A (en) Packaging structure with embedded semiconductor element and manufacturing method thereof
KR101626534B1 (en) Semiconductor package and a method of manufacturing the same
KR102016019B1 (en) High thermal conductivity semiconductor package
TW201448286A (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
CN108511412B (en) Lead frame redistribution structure and manufacturing method thereof
US9824980B2 (en) Lead finger locking structure
US20230146666A1 (en) Electronic package and method for manufacturing the same
US20230197886A1 (en) Semiconductor apparatus
JP2009182230A (en) Resin sealing type semiconductor device, and method of manufacturing the same
JP6311849B1 (en) Semiconductor component and method for manufacturing semiconductor component

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160829

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170828

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190812

Year of fee payment: 7